JP5335203B2 - ホスホニウム塩、帯電防止剤及び帯電防止性樹脂組成物 - Google Patents
ホスホニウム塩、帯電防止剤及び帯電防止性樹脂組成物 Download PDFInfo
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Description
本発明は、新規なホスホニウム塩、それを有効成分として含む帯電防止剤及び該帯電防止剤を含む帯電防止性樹脂組成物に関する。
従来、ホスホニウム塩類は樹脂組成物等の帯電防止剤として用いられ、特にテトラブチルホスホニウム＝ドデシルベンゼンスルホナートがよく用いられている（例えば、特許文献１〜３参照）。本発明者がテトラブチルホスホニウム＝ドデシルベンゼンスルホナートを樹脂組成物の帯電防止剤として用いたところ、樹脂組成物の表面抵抗値は１０１２Ω以上であり、用途によっては、樹脂組成物の表面抵抗値をさらに低下できる帯電防止剤が望まれている。
特許第２８７９１７２号
特許第３３７３３９８号
特許第３３９０６６５号
本発明は、従来に比べて、樹脂組成物の表面抵抗値をより低下させ得る、新規なホスホニウム塩、それを有効成分として含む帯電防止剤及び該帯電防止剤を含む帯電防止性樹脂組成物を提供することを課題とする。
本発明者が上記課題を解決する為に鋭意検討したところ、特定の構造を有する新規なホスホニウム塩を有効成分として含有した帯電防止剤を樹脂組成物に混合することで、上記目的を達成することができることを見出し、本発明を完成するに至った。
即ち本発明は、式（１）：
［（Ｒ１）３Ｒ２Ｐ］＋・（Ｒｆ １ＳＯ２）（Ｒｆ ２ＳＯ２）Ｎ− （１）
［式中、Ｒ１は炭素数１〜４のアルキル基を示し、Ｒ２は炭素数８〜２０のアルキル基（但し、炭素数１４の直鎖状アルキル基を除く。）を示し、Ｒｆ １及びＲｆ ２は同じであっても異なっていてもよく、炭素数１〜４のパーフルオロアルキル基を示す。］で表されるホスホニウム塩（以下、ホスホニウム塩（１）という。）、該ホスホニウム塩を有効成分として含有することを特徴とする帯電防止剤並びに該帯電防止剤を含有してなる帯電防止性樹脂組成物に関する。
［（Ｒ１）３Ｒ２Ｐ］＋・（Ｒｆ １ＳＯ２）（Ｒｆ ２ＳＯ２）Ｎ− （１）
［式中、Ｒ１は炭素数１〜４のアルキル基を示し、Ｒ２は炭素数８〜２０のアルキル基（但し、炭素数１４の直鎖状アルキル基を除く。）を示し、Ｒｆ １及びＲｆ ２は同じであっても異なっていてもよく、炭素数１〜４のパーフルオロアルキル基を示す。］で表されるホスホニウム塩（以下、ホスホニウム塩（１）という。）、該ホスホニウム塩を有効成分として含有することを特徴とする帯電防止剤並びに該帯電防止剤を含有してなる帯電防止性樹脂組成物に関する。
本発明のホスホニウム塩（１）を有効成分として含有する帯電防止剤は、樹脂組成物に用いることで従来のホスホニウム塩類を含む帯電防止剤に比べて、より表面抵抗値を低下させた樹脂組成物を製造でき得る。
以下、本発明を具体的に説明する。
式（１）中、Ｒ１で示される炭素数１〜４のアルキル基としては、直鎖状又は分岐鎖状の炭素数１〜４のアルキル基が挙げられ、好ましくは炭素数２〜４のアルキル基であり、特に好ましくは炭素数４のアルキル基である。具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基が挙げられる。Ｒ２で示される炭素数８〜２０のアルキル基（炭素数１４のアルキル基を除く。）としては、直鎖状又は分岐鎖状の炭素数８〜２０のアルキル基が挙げられ、中でも炭素数８〜１２の直鎖状アルキル基が好ましい。具体的には、例えばオクチル基、２−メチルヘプチル基、２−エチルヘキシル基、ノニル基、２−メチルオクチル基、デシル基、２−メチルノニル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基等が挙げられる。Ｒｆ １及びＲｆ ２は同じであっても異なっていてもよく、炭素数１〜４のパーフルオロアルキル基が挙げられ、具体的には、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ヘプタフルオロプロピル基、ノナフルオロブチル基等が挙げられる。
式（１）中、Ｒ１で示される炭素数１〜４のアルキル基としては、直鎖状又は分岐鎖状の炭素数１〜４のアルキル基が挙げられ、好ましくは炭素数２〜４のアルキル基であり、特に好ましくは炭素数４のアルキル基である。具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基が挙げられる。Ｒ２で示される炭素数８〜２０のアルキル基（炭素数１４のアルキル基を除く。）としては、直鎖状又は分岐鎖状の炭素数８〜２０のアルキル基が挙げられ、中でも炭素数８〜１２の直鎖状アルキル基が好ましい。具体的には、例えばオクチル基、２−メチルヘプチル基、２−エチルヘキシル基、ノニル基、２−メチルオクチル基、デシル基、２−メチルノニル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基等が挙げられる。Ｒｆ １及びＲｆ ２は同じであっても異なっていてもよく、炭素数１〜４のパーフルオロアルキル基が挙げられ、具体的には、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ヘプタフルオロプロピル基、ノナフルオロブチル基等が挙げられる。
ホスホニウム塩（１）の具体例としては、例えば、１，１，１−トリメチル−１−オクチルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリメチル−１−ノニルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリメチル−１−デシルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリメチル−１−ウンデシルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリメチル−１−ドデシルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリメチル−１−トリデシルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリメチル−１−ペンタデシルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリメチル−１−ヘキサデシルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリメチル−１−ヘプタデシルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリメチル−１−オクタデシルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリメチル−１−ノナデシルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリメチル−１−イコシルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、
１，１，１−トリエチル−１−オクチルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリエチル−１−ノニルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリエチル−１−デシルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリエチル−１−ウンデシルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリエチル−１−ドデシルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリエチル−１−トリデシルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリエチル−１−ペンタデシルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリエチル−１−ヘキサデシルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリエチル−１−ヘプタデシルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリエチル−１−オクタデシルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリエチル−１−ノナデシルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリエチル−１−イコシルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、
１，１，１−トリプロピル−１−オクチルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリプロピル−１−ノニルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリプロピル−１−デシルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリプロピル−１−ウンデシルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリプロピル−１−ドデシルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリプロピル−１−トリデシルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリプロピル−１−ペンタデシルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリプロピル−１−ヘキサデシルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリプロピル−１−ヘプタデシルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリプロピル−１−オクタデシルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリプロピル−１−ノナデシルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリプロピル−１−イコシルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、
１，１，１−トリブチル−１−オクチルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−ノニルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−デシルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−ウンデシルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−ドデシルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−トリデシルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−ペンタデシルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−ヘキサデシルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−ヘプタデシルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−オクタデシルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−ノナデシルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−イコシルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、
１，１，１−トリブチル−１−オクチルホスホニウム＝ビス（ペンタフルオロエタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−ノニルホスホニウム＝ビス（ペンタフルオロエタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−デシルホスホニウム＝ビス（ペンタフルオロエタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−ウンデシルホスホニウム＝ビス（ペンタフルオロエタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−ドデシルホスホニウム＝ビス（ペンタフルオロエタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−トリデシルホスホニウム＝ビス（ペンタフルオロエタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−ペンタデシルホスホニウム＝ビス（ペンタフルオロエタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−ヘキサデシルホスホニウム＝ビス（ペンタフルオロエタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−ヘプタデシルホスホニウム＝ビス（ペンタフルオロエタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−オクタデシルホスホニウム＝ビス（ペンタフルオロエタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−ノナデシルホスホニウム＝ビス（ペンタフルオロエタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−イコシルホスホニウム＝ビス（ペンタフルオロエタンスルホニル）イミド、
１，１，１−トリブチル−１−オクチルホスホニウム＝ビス（ヘプタフルオロプロパンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−ノニルホスホニウム＝ビス（ヘプタフルオロプロパンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−デシルホスホニウム＝ビス（ヘプタフルオロプロパンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−ウンデシルホスホニウム＝ビス（ヘプタフルオロプロパンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−ドデシルホスホニウム＝ビス（ヘプタフルオロプロパンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−トリデシルホスホニウム＝ビス（ヘプタフルオロプロパンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−ペンタデシルホスホニウム＝ビス（ヘプタフルオロプロパンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−ヘキサデシルホスホニウム＝ビス（ヘプタフルオロプロパンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−ヘプタデシルホスホニウム＝ビス（ヘプタフルオロプロパンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−オクタデシルホスホニウム＝ビス（ヘプタフルオロプロパンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−ノナデシルホスホニウム＝ビス（ヘプタフルオロプロパンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−イコシルホスホニウム＝ビス（ヘプタフルオロプロパンスルホニル）イミド、
１，１，１−トリブチル−１−オクチルホスホニウム＝ビス（ノナフルオロブタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−ノニルホスホニウム＝ビス（ノナフルオロブタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−デシルホスホニウム＝ビス（ノナフルオロブタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−ウンデシルホスホニウム＝ビス（ノナフルオロブタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−ドデシルホスホニウム＝ビス（ノナフルオロブタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−トリデシルホスホニウム＝ビス（ノナフルオロブタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−ペンタデシルホスホニウム＝ビス（ノナフルオロブタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−ヘキサデシルホスホニウム＝ビス（ノナフルオロブタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−ヘプタデシルホスホニウム＝ビス（ノナフルオロブタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−オクタデシルホスホニウム＝ビス（ノナフルオロブタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−ノナデシルホスホニウム＝ビス（ノナフルオロブタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−イコシルホスホニウム＝ビス（ノナフルオロブタンスルホニル）イミド、
１，１，１−トリブチル−１−オクチルホスホニウム＝（トリフルオロメタンスルホニル）（ペンタフルオロエタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−ノニルホスホニウム＝（トリフルオロメタンスルホニル）（ペンタフルオロエタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−デシルホスホニウム＝（トリフルオロメタンスルホニル）（ペンタフルオロエタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−ウンデシルホスホニウム＝（トリフルオロメタンスルホニル）（ペンタフルオロエタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−ドデシルホスホニウム＝（トリフルオロメタンスルホニル）（ペンタフルオロエタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−トリデシルホスホニウム＝（トリフルオロメタンスルホニル）（ペンタフルオロエタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−ペンタデシルホスホニウム＝（トリフルオロメタンスルホニル）（ペンタフルオロエタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−ヘキサデシルホスホニウム＝（トリフルオロメタンスルホニル）（ペンタフルオロエタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−ヘプタデシルホスホニウム＝（トリフルオロメタンスルホニル）（ペンタフルオロエタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−オクタデシルホスホニウム＝（トリフルオロメタンスルホニル）（ペンタフルオロエタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−ノナデシルホスホニウム＝（トリフルオロメタンスルホニル）（ペンタフルオロエタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−イコシルホスホニウム＝（トリフルオロメタンスルホニル）（ペンタフルオロエタンスルホニル）イミド、
１，１，１−トリブチル−１−オクチルホスホニウム＝（トリフルオロメタンスルホニル）（ヘプタフルオロプロパンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−ノニルホスホニウム＝（トリフルオロメタンスルホニル）（ヘプタフルオロプロパンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−デシルホスホニウム＝（トリフルオロメタンスルホニル）（ヘプタフルオロプロパンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−ウンデシルホスホニウム＝（トリフルオロメタンスルホニル）（ヘプタフルオロプロパンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−ドデシルホスホニウム＝（トリフルオロメタンスルホニル）（ヘプタフルオロプロパンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−トリデシルホスホニウム＝（トリフルオロメタンスルホニル）（ヘプタフルオロプロパンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−ペンタデシルホスホニウム＝（トリフルオロメタンスルホニル）（ヘプタフルオロプロパンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−ヘキサデシルホスホニウム＝（トリフルオロメタンスルホニル）（ヘプタフルオロプロパンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−ヘプタデシルホスホニウム＝（トリフルオロメタンスルホニル）（ヘプタフルオロプロパンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−オクタデシルホスホニウム＝（トリフルオロメタンスルホニル）（ヘプタフルオロプロパンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−ノナデシルホスホニウム＝（トリフルオロメタンスルホニル）（ヘプタフルオロプロパンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−イコシルホスホニウム＝（トリフルオロメタンスルホニル）（ヘプタフルオロプロパンスルホニル）イミド、
１，１，１−トリブチル−１−オクチルホスホニウム＝（トリフルオロメタンスルホニル）（ノナフルオロブタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−ノニルホスホニウム＝（トリフルオロメタンスルホニル）（ノナフルオロブタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−デシルホスホニウム＝（トリフルオロメタンスルホニル）（ノナフルオロブタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−ウンデシルホスホニウム＝（トリフルオロメタンスルホニル）（ノナフルオロブタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−ドデシルホスホニウム＝（トリフルオロメタンスルホニル）（ノナフルオロブタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−トリデシルホスホニウム＝（トリフルオロメタンスルホニル）（ノナフルオロブタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−ペンタデシルホスホニウム＝（トリフルオロメタンスルホニル）（ノナフルオロブタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−ヘキサデシルホスホニウム＝（トリフルオロメタンスルホニル）（ノナフルオロブタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−ヘプタデシルホスホニウム＝（トリフルオロメタンスルホニル）（ノナフルオロブタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−オクタデシルホスホニウム＝（トリフルオロメタンスルホニル）（ノナフルオロブタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−ノナデシルホスホニウム＝（トリフルオロメタンスルホニル）（ノナフルオロブタンスルホニル）イミド、１，１，１−トリブチル−１−イコシルホスホニウム＝（トリフルオロメタンスルホニル）（ノナフルオロブタンスルホニル）イミド等が挙げられる。
本発明のホスホニウム塩（１）は、例えば式（２）：
［（Ｒ１）３Ｒ２Ｐ］＋・Ｘ− （２）
（式中、Ｒ１及びＲ２は前記に同じ。Ｘはハロゲン原子を示す。）で表されるホスホニウム＝ハライド（以下、ホスホニウム＝ハライド（２）という）をビス（パーフルオロアルカンスルホニル）イミド酸又はそのアルカリ金属塩［以下、ビス（パーフルオロアルカンスルホニル）イミド酸類という］を用いてアニオン交換反応をすることで製造できる。
［（Ｒ１）３Ｒ２Ｐ］＋・Ｘ− （２）
（式中、Ｒ１及びＲ２は前記に同じ。Ｘはハロゲン原子を示す。）で表されるホスホニウム＝ハライド（以下、ホスホニウム＝ハライド（２）という）をビス（パーフルオロアルカンスルホニル）イミド酸又はそのアルカリ金属塩［以下、ビス（パーフルオロアルカンスルホニル）イミド酸類という］を用いてアニオン交換反応をすることで製造できる。
ホスホニウム＝ハライド（２）は、市販品を用いても良いし、例えば式（３）：
（Ｒ１）３Ｐ （３）
（式中、Ｒ１は前記に同じ。）で表されるトリアルキルホスフィン類（以下、トリアルキルホスフィン類（３）という）を式（４）：
Ｒ２−Ｘ （４）
（式中、Ｒ２及びＸは前記に同じ。）で表されるアルキルハライド類（以下、アルキルハライド類（４）という）と反応させることで製造できる。
（Ｒ１）３Ｐ （３）
（式中、Ｒ１は前記に同じ。）で表されるトリアルキルホスフィン類（以下、トリアルキルホスフィン類（３）という）を式（４）：
Ｒ２−Ｘ （４）
（式中、Ｒ２及びＸは前記に同じ。）で表されるアルキルハライド類（以下、アルキルハライド類（４）という）と反応させることで製造できる。
トリアルキルホスフィン類（３）としては、例えばトリメチルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリプロピルホスフィン、トリブチルホスフィン等が挙げられる。
アルキルハライド類（４）としては、例えばオクチルクロリド、ノニルクロリド、デシルクロリド、ウンデシルクロリド、ドデシルクロリド、トリデシルクロリド、ペンタデシルクロリド、ヘキサデシルクロリド、ヘプタデシルクロリド、オクタデシルクロリド、ノナデシルクロリド、イコシルクロリド、オクチルブロミド、ノニルブロミド、デシルブロミド、ウンデシルブロミド、ドデシルブロミド、トリデシルブロミド、ペンタデシルブロミド、ヘキサデシルブロミド、ヘプタデシルブロミド、オクタデシルブロミド、ノナデシルブロミド、イコシルブロミド、オクチルヨージド、ノニルヨージド、デシルヨージド、ウンデシルヨージド、ドデシルヨージド、トリデシルヨージド、ペンタデシルヨージド、ヘキサデシルヨージド、ヘプタデシルヨージド、オクタデシルヨージド、ノナデシルヨージド、イコシルヨージド等が挙げられる。アルキルハライド類（４）の使用量は、トリアルキルホスフィン類（３）１モルに対して０．５モル〜３．０モルであればよく、好ましくは０．６〜２．０モルであり、より好ましくは０．８〜１．５モルである。
トリアルキルホスフィン類（３）とアルキルハライド類（４）の反応は、溶媒を使用してもしなくともよく、溶媒を使用するときの溶媒としては、メタノール、エタノール、イソプロパノール等のアルコール系溶媒、アセトニトリル、プロピオニトリル等のニトリル系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル系溶媒、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン等のエーテル系溶媒、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド等のアミド系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、ヘキサン、シクロヘキサン、オクタン等の脂肪族又は脂環式炭化水素系溶媒等が挙げられる。溶媒の使用量は特に制限はないが、トリアルキルホスフィン類（３）１重量部に対して通常１０．０重量部以下、好ましくは１．０〜５．０重量部である。
トリアルキルホスフィン類（３）とアルキルハライド類（４）との反応を実施するには、例えば、トリアルキルホスフィン類（３）、アルキルハライド類（４）及び溶媒の混合物を、反応に使用する溶媒の種類にもよるが、通常２０℃以上、好ましくは６０℃〜１２０℃にて攪拌するだけでよい。
上記のようにしてホスホニウム＝ハライド（２）を含む反応混合物を得た後、得られた反応混合物を濃縮してホスホニウム＝ハライド（２）を主成分とする残渣を得る。この残渣を本発明のホスホニウム塩（１）を製造するための反応にそのまま用いてもかまわない。また必要で有れば、残渣を有機溶媒（例えば、エチルエーテル、酢酸エチル、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、テトラヒドロフラン等）と混合し、残渣に含まれる未反応原料等を有機溶媒に溶解した後、濾過して得られる、精製されたホスホニウム＝ハライド（２）を用いることもできる。
ビス（パーフルオロアルカンスルホニル）イミド酸類としては、例えばビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド酸、ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド酸ナトリウム、ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド酸リチウム、ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド酸カリウム、ビス（ペンタフルオロエタンスルホニル）イミド酸、ビス（ペンタフルオロエタンスルホニル）イミド酸ナトリウム、ビス（ペンタフルオロエタンスルホニル）イミド酸リチウム、ビス（ペンタフルオロエタンスルホニル）イミド酸カリウム、ビス（ヘプタフルオロプロパンスルホニル）イミド酸、ビス（ヘプタフルオロプロパンスルホニル）イミド酸ナトリウム、ビス（ヘプタフルオロプロパンスルホニル）イミド酸リチウム、ビス（ヘプタフルオロプロパンスルホニル）イミド酸カリウム、ビス（ノナフルオロブタンスルホニル）イミド酸、ビス（ノナフルオロブタンスルホニル）イミド酸ナトリウム、ビス（ノナフルオロブタンスルホニル）イミド酸リチウム、ビス（ノナフルオロブタンスルホニル）イミド酸カリウム、（トリフルオロメタンスルホニル）（ペンタフルオロエタンスルホニル）イミド酸、（トリフルオロメタンスルホニル）（ペンタフルオロエタンスルホニル）イミド酸ナトリウム、（トリフルオロメタンスルホニル）（ペンタフルオロエタンスルホニル）イミド酸リチウム、（トリフルオロメタンスルホニル）（ペンタフルオロエタンスルホニル）イミド酸カリウム、（トリフルオロメタンスルホニル）（ヘプタフルオロプロパンスルホニル）イミド酸、（トリフルオロメタンスルホニル）（ヘプタフルオロプロパンスルホニル）イミド酸ナトリウム、（トリフルオロメタンスルホニル）（ヘプタフルオロプロパンスルホニル）イミド酸リチウム、（トリフルオロメタンスルホニル）（ヘプタフルオロプロパンスルホニル）イミド酸カリウム、（トリフルオロメタンスルホニル）（ノナフルオロブタンスルホニル）イミド酸、（トリフルオロメタンスルホニル）（ノナフルオロブタンスルホニル）イミド酸ナトリウム、（トリフルオロメタンスルホニル）（ノナフルオロブタンスルホニル）イミド酸リチウム、（トリフルオロメタンスルホニル）（ノナフルオロブタンスルホニル）イミド酸カリウムが挙げられ、好ましくはビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド酸、ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド酸リチウム、ビス（ペンタフルオロエタンスルホニル）イミド酸及びビス（ペンタフルオロエタンスルホニル）イミド酸リチウムである。かかるビス（パーフルオロアルカンスルホニル）イミド酸類の使用量は、ホスホニウム＝ハライド（２）１モルに対して、通常０．７モル以上、好ましくは０．８モル〜１．５モルであり、より好ましくは０．９〜１．１モルである。
アニオン交換反応は通常水溶媒中で行われる。水の使用量は特に制限はないが、通常ホスホニウム＝ハライド（２）１重量部に対して通常２０．０重量部以下、好ましくは０．５〜１０．０重量部であり、特に好ましくは１．０重量部〜５．０重量部である。
ホスホニウム＝ハライド（２）、ビス（パーフルオロアルカンスルホニル）イミド酸類及び水の混合順序は特に限定されず、ホスホニウム＝ハライド（２）と水を混合した後にビス（パーフルオロアルカンスルホニル）イミド酸類を添加してもよいし、ビス（パーフルオロアルカンスルホニル）イミド酸類と水を混合した後にホスホニウム＝ハライド（２）を添加してもよい。また、着色が問題となる場合には、ホスホニウム＝ハライド（２）と水を混合した後に、活性炭等の脱色剤を用いて処理し、濾過して得られた濾液をアニオン交換反応に用いることもできる。
反応温度は、通常１０℃以上、好ましくは１５℃〜６０℃、特に好ましくは２０℃〜４０℃である。
反応終了後の反応液は、ホスホニウム塩（１）の水溶解性が低いので、水層と有機層とに分液している。この反応液からホスホニウム塩（１）を分離するには、所望により水洗した後、有機層を乾燥することによってホスホニウム塩（１）が得られる。また、必要であれば水不溶の有機溶剤（例えば、トルエン、酢酸エチル、塩化メチレン等）を反応中又は反応終了後に添加し、ホスホニウム塩（１）を水不溶の有機溶剤に抽出してもよく、得られた有機層を所望により水洗し、次いで有機溶剤を留出除去すれば残渣として、ホスホニウム塩（１）が得られる。
本発明の帯電防止剤は、ホスホニウム塩（１）を有効成分として含有してなるものであり、ホスホニウム塩（１）単独であっても帯電防止剤として用いることができるが、必要に応じて安定化剤等の添加剤又は溶媒等を混合して用いることもできる。かかる帯電防止剤を樹脂組成物製造時に樹脂に添加する等の方法で、樹脂組成物に含有させることで、従来のホスホニウム塩を含有する帯電防止剤に比べて、より表面抵抗値を低下させた樹脂組成物を製造することができる。さらには、本発明のホスホニウム塩（１）は疎水性であることから、湿度による帯電防止性能の影響は小さいことが期待される。
本発明の帯電防止剤は必要に応じて安定化剤等の添加剤又は溶媒等を混合して用いることもできる。そして、樹脂組成物製造時に、本発明の帯電防止剤を樹脂に配合する等の方法により、本発明の帯電防止性樹脂組成物を製造することができる。
本発明の帯電防止性樹脂組成物に用いる樹脂としては、通常、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂及び光硬化性樹脂（例えば、アクリル系光硬化性樹脂）が挙げられる。熱可塑性樹脂としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン又はプロピレンと他のビニルモノマー、例えば酢酸ビニル、α−オレフィン、（メタ）アクリル酸エステル等との共重合体、ノルボルネン類の付加重合体、ノルボルネン類とα−オレインとの付加共重合体、ノルボルネン類の開環重合体水添ポリマー、シクロペンタジエンの開環重合体水添ポリマー、シクロヘキサジエンの開環重合体水添ポリマー等のポリオレフィン；ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン等の塩素含有樹脂；ポリスチレン、ＡＳ樹脂、ＡＢＳ樹脂、ＭＳ樹脂、ＭＢＳ樹脂等のスチレン樹脂；ポリアクリル酸、ポリメタアクリル酸、ポリメタクリル酸メチル等の（メタ）アクリル樹脂；芳香族ジヒドロキシ化合物（例えばビスフェノールＡ）と塩化カルボニル又はジフェニルカーボネートから製造される芳香族ポリカーボネート等のポリカーボネート；ナイロン４、ナイロン６、ナイロン８、ナイロン１１、ナイロン１２、ナイロン６６等のポリアミド；ポリエーテルイミド等の熱可塑性ポリイミド；ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート等のポリエステル；これらの混合物等が挙げられる。これらの樹脂の中でポリカーボネート、（メタ）アクリル樹脂及びポリエステルが好ましい。熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂（例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂等）、熱硬化性ポリイミド（例えば、ピロメリット酸無水物とビス（４−アミノフェニル）エーテルとの重縮合物等）、ポリウレタン、フェノール樹脂、アミノ樹脂（例えばメラミン樹脂、ウレア樹脂等）、が例示でき、中でもエポキシ樹脂が好ましい。
本発明における樹脂組成物への本発明の帯電防止剤の含有量は、樹脂に対して０．１〜３０重量％であり、好ましくは１〜２５重量％、特に好ましくは２〜２０重量％である。
本発明の帯電防止性樹脂組成物には、樹脂及び帯電防止剤以外に、樹脂組成物の性質を損なわない範囲で、必要に応じて公知の添加剤を加えることができる。添加剤としては、染料、顔料、補強剤、充填剤、可塑剤、酸化防止剤、難燃剤、紫外線吸収剤等が挙げられる。
つぎに、本発明を実施例に基づいて具体的に説明するが、本発明はなんらこれらに限定されるものではない。なお、以下の実施例中、表面抵抗値は三菱化学株式会社製ヒレスタＨＴ−２１０を用い、印加電圧５００Ｖにて測定した。
実施例１
１．０モル／Ｌトリエチルホスフィン＝テトラヒドロフラン溶液４０．７８ｇ（純分５．５４ｇ、０．０４６９モル、Ａｌｄｒｉｃｈ試薬）とオクチルブロミド８．１３ｇ（０．０４２１モル）を混合し、６０℃で７０時間反応させた。その後２０℃まで冷却し、冷却中に析出した結晶を濾別して、テトラヒドロフラン２６．２ｇで２回洗浄した。得られた結晶を減圧下で乾燥させ、１，１，１−トリエチル−１−オクチルホスホニウム＝ブロミドを１１．５８ｇ（収率８８．３％）得た。
得られた１，１，１−トリエチル−１−オクチルホスホニウム＝ブロミド７．００ｇ（０．０２２５モル）と塩化メチレン１１．５ｇ及びイオン交換水１１．５ｇを混合した後、ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド酸リチウム６．７８ｇ（０．０２３６モル）を添加し、室温で４時間撹拌した。反応終了後、得られた有機層を分液操作により分離し、イオン交換水１１．５ｇで２回洗浄した。有機層を濃縮して塩化メチレンを除去後、残渣を減圧下で乾燥し、液状の１，１，１−トリエチル−１−オクチルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド１１．２７ｇを得た（収率９８．０％）。以下に１，１，１−トリエチル−１−オクチルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド（以下、ＴＥＯＰ−ＴＦＳＩと略記する。）のＮＭＲデータを示す。
１．０モル／Ｌトリエチルホスフィン＝テトラヒドロフラン溶液４０．７８ｇ（純分５．５４ｇ、０．０４６９モル、Ａｌｄｒｉｃｈ試薬）とオクチルブロミド８．１３ｇ（０．０４２１モル）を混合し、６０℃で７０時間反応させた。その後２０℃まで冷却し、冷却中に析出した結晶を濾別して、テトラヒドロフラン２６．２ｇで２回洗浄した。得られた結晶を減圧下で乾燥させ、１，１，１−トリエチル−１−オクチルホスホニウム＝ブロミドを１１．５８ｇ（収率８８．３％）得た。
得られた１，１，１−トリエチル−１−オクチルホスホニウム＝ブロミド７．００ｇ（０．０２２５モル）と塩化メチレン１１．５ｇ及びイオン交換水１１．５ｇを混合した後、ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド酸リチウム６．７８ｇ（０．０２３６モル）を添加し、室温で４時間撹拌した。反応終了後、得られた有機層を分液操作により分離し、イオン交換水１１．５ｇで２回洗浄した。有機層を濃縮して塩化メチレンを除去後、残渣を減圧下で乾燥し、液状の１，１，１−トリエチル−１−オクチルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド１１．２７ｇを得た（収率９８．０％）。以下に１，１，１−トリエチル−１−オクチルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド（以下、ＴＥＯＰ−ＴＦＳＩと略記する。）のＮＭＲデータを示す。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３） δ：０．８８（ｔ，３Ｈ）、１．２２−１．３０（ｍ，１７Ｈ）、１．４４−１．５４（ｍ，４Ｈ）、２．０６−２．２３（ｍ，８Ｈ）
実施例２
１，１，１−トリブチル−１−オクチルホスホニウム＝ブロミド２１．０７ｇ（０．０５３３モル、東京化成工業株式会社製試薬）、塩化メチレン３１．７ｇ及びイオン交換水３１．７ｇを混合した後、ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド酸リチウム１６．０６ｇ（０．０５６０モル）を添加し、室温で４時間撹拌した。反応終了後、得られた有機層を分液操作により分離し、イオン交換水３１．７ｇで２回洗浄した。有機層を濃縮して塩化メチレンを除去後、残渣を減圧下で乾燥し、液状の１，１，１−トリブチル−１−オクチルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド２９．６３ｇを得た（収率９３．３％）。以下に１，１，１−トリブチル−１−オクチルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド（以下、ＴＢＯＰ−ＴＦＳＩと略記する。）のＮＭＲデータを示す。
１，１，１−トリブチル−１−オクチルホスホニウム＝ブロミド２１．０７ｇ（０．０５３３モル、東京化成工業株式会社製試薬）、塩化メチレン３１．７ｇ及びイオン交換水３１．７ｇを混合した後、ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド酸リチウム１６．０６ｇ（０．０５６０モル）を添加し、室温で４時間撹拌した。反応終了後、得られた有機層を分液操作により分離し、イオン交換水３１．７ｇで２回洗浄した。有機層を濃縮して塩化メチレンを除去後、残渣を減圧下で乾燥し、液状の１，１，１−トリブチル−１−オクチルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド２９．６３ｇを得た（収率９３．３％）。以下に１，１，１−トリブチル−１−オクチルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド（以下、ＴＢＯＰ−ＴＦＳＩと略記する。）のＮＭＲデータを示す。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３） δ：０．８８（ｔ，３Ｈ）、０．９５−０．９９（ｍ，９Ｈ）、１．２８−１．３１（ｍ，８Ｈ）、１．４８−１．５３（ｍ，１６Ｈ）、２．０８−２．１５（ｍ，８Ｈ）
実施例３及び４
実施例２の１，１，１−トリブチル−１−オクチルホスホニウム＝ブロミドにかえて、表１に示すホスホニウム＝ハライド（２）を用いた以外は実施例１と同様にして、ホスホニウム塩（１）を得た。その結果を表１に示す。
実施例２の１，１，１−トリブチル−１−オクチルホスホニウム＝ブロミドにかえて、表１に示すホスホニウム＝ハライド（２）を用いた以外は実施例１と同様にして、ホスホニウム塩（１）を得た。その結果を表１に示す。
以下にＴＢＤＤＰ−ＴＦＳＩのＮＭＲデータを示す。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３） δ：０．８８（ｔ，３Ｈ）、０．９６−０．９９（ｍ，９Ｈ）、１．２６−１．３０（ｍ，１６Ｈ）、１．４９−１．５３（ｍ，１６Ｈ）、２．０８−２．１５（ｍ，８Ｈ）
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３） δ：０．８８（ｔ，３Ｈ）、０．９６−０．９９（ｍ，９Ｈ）、１．２６−１．３０（ｍ，１６Ｈ）、１．４９−１．５３（ｍ，１６Ｈ）、２．０８−２．１５（ｍ，８Ｈ）
以下にＴＢＨＤＰ−ＴＦＳＩのＮＭＲデータを示す。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３） δ：０．８８（ｔ，３Ｈ）、０．９３−０．９９（ｍ，９Ｈ）、１．２６−１．３２（ｍ，２４Ｈ）、１．４８−１．５１（ｍ，１６Ｈ）、２．０７−２．１５（ｍ，８Ｈ）
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３） δ：０．８８（ｔ，３Ｈ）、０．９３−０．９９（ｍ，９Ｈ）、１．２６−１．３２（ｍ，２４Ｈ）、１．４８−１．５１（ｍ，１６Ｈ）、２．０７−２．１５（ｍ，８Ｈ）
実施例５
１，１，１−トリブチル−１−ドデシルホスホニウム＝ブロミド３．１６ｇ（０．００７０モル）、塩化メチレン２０．０ｇ及びイオン交換水２０．０ｇを混合した後、７０％ビス（ペンタフルオロエタンスルホニル）イミド酸水溶液を４．００ｇ（０．００７３５モル）を添加し、室温で４時間撹拌した。反応終了後、得られた有機層を分液操作により分離し、イオン交換水２０．０ｇで２回洗浄した。有機層を濃縮して塩化メチレンを除去後、残渣を減圧下で乾燥し、液状の１，１，１−トリブチル−１−ドデシルホスホニウム＝ビス（ペンタフルオロエタンスルホニル）イミド４．３６ｇを得た（収率８２．８％）。以下に１，１，１−トリブチル−１−ドデシルホスホニウム＝ビス（ペンタフルオロエタンスルホニル）イミド（以下、ＴＢＤＤＰ−ＰＦＳＩと略記する。）のＮＭＲデータを示す。
１，１，１−トリブチル−１−ドデシルホスホニウム＝ブロミド３．１６ｇ（０．００７０モル）、塩化メチレン２０．０ｇ及びイオン交換水２０．０ｇを混合した後、７０％ビス（ペンタフルオロエタンスルホニル）イミド酸水溶液を４．００ｇ（０．００７３５モル）を添加し、室温で４時間撹拌した。反応終了後、得られた有機層を分液操作により分離し、イオン交換水２０．０ｇで２回洗浄した。有機層を濃縮して塩化メチレンを除去後、残渣を減圧下で乾燥し、液状の１，１，１−トリブチル−１−ドデシルホスホニウム＝ビス（ペンタフルオロエタンスルホニル）イミド４．３６ｇを得た（収率８２．８％）。以下に１，１，１−トリブチル−１−ドデシルホスホニウム＝ビス（ペンタフルオロエタンスルホニル）イミド（以下、ＴＢＤＤＰ−ＰＦＳＩと略記する。）のＮＭＲデータを示す。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３） δ：０．８８（ｔ，３Ｈ）、０．９５−０．９８（ｍ，９Ｈ）、１．２６−１．３０（ｍ，１６Ｈ）、１．４８−１．５０（ｍ，１６Ｈ）、２．０７−２．１３（ｍ，８Ｈ）
実施例６〜１０、比較例１
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂「エピコート８２８」（エポキシ当量１８６ｇ／ｅｑ、登録商標、ジャパンエポキシレジン株式会社製）８．８０ｇ、硬化剤イミノビスプロピルアミン１．２０ｇ、及び表２に示すホスホニウム塩（１）を０．５０ｇ（樹脂に対して５重量％）を混合し、エポキシ樹脂組成物を得た。かかるエポキシ樹脂組成物を直径５０ｍｍ×深さ１０ｍｍの円形金型に流し込み、５０℃で１時間、さらに１００℃で６時間熱硬化させて試験片を作製した。試験片を２３℃、５０％ＲＨの雰囲気中に６時間保持した後、２３℃、５０％ＲＨで試験片の表面抵抗値を測定した。その測定結果を表２に示す。
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂「エピコート８２８」（エポキシ当量１８６ｇ／ｅｑ、登録商標、ジャパンエポキシレジン株式会社製）８．８０ｇ、硬化剤イミノビスプロピルアミン１．２０ｇ、及び表２に示すホスホニウム塩（１）を０．５０ｇ（樹脂に対して５重量％）を混合し、エポキシ樹脂組成物を得た。かかるエポキシ樹脂組成物を直径５０ｍｍ×深さ１０ｍｍの円形金型に流し込み、５０℃で１時間、さらに１００℃で６時間熱硬化させて試験片を作製した。試験片を２３℃、５０％ＲＨの雰囲気中に６時間保持した後、２３℃、５０％ＲＨで試験片の表面抵抗値を測定した。その測定結果を表２に示す。
表２の結果から、本発明の帯電防止剤を導電性付与剤として添加したエポキシ樹脂組成物は表面抵抗値１０８Ω台であり、ＴＢＰ−ＤＢＳを用いた場合に比べて低い表面抵抗値が得られる事が判った。
実施例１１〜１５、比較例２
ペレット状のポリカーボネート「カリバー」（登録商標、住友ダウ株式会社製）３０ｇをＮ−メチル−２−ピロリドン／ＴＨＦ（５０／５０）の混合溶液２７０ｇに溶解させ、１０重量％カリバー溶液を調製した。カリバー溶液１０ｇに、表３に示すホスホニウム塩（１）０．０２５ｇ（樹脂に対して２．５重量％）を添加し、室温で１時間混合した。得られた混合液を直径５０ｍｍのアルミケースに流し込み、１６０℃で１時間、続いて２１０℃で１時間かけて溶媒を除去し、厚さ約０．４ｍｍの試験シートを作製した。試験シートを２３℃、５０％ＲＨの雰囲気中に６時間保持した後、２３℃、５０％ＲＨで試験シートの裏面と表面の表面抵抗値を測定した。それらの結果を表３に示す。
ペレット状のポリカーボネート「カリバー」（登録商標、住友ダウ株式会社製）３０ｇをＮ−メチル−２−ピロリドン／ＴＨＦ（５０／５０）の混合溶液２７０ｇに溶解させ、１０重量％カリバー溶液を調製した。カリバー溶液１０ｇに、表３に示すホスホニウム塩（１）０．０２５ｇ（樹脂に対して２．５重量％）を添加し、室温で１時間混合した。得られた混合液を直径５０ｍｍのアルミケースに流し込み、１６０℃で１時間、続いて２１０℃で１時間かけて溶媒を除去し、厚さ約０．４ｍｍの試験シートを作製した。試験シートを２３℃、５０％ＲＨの雰囲気中に６時間保持した後、２３℃、５０％ＲＨで試験シートの裏面と表面の表面抵抗値を測定した。それらの結果を表３に示す。
表３の結果から、本発明の帯電防止剤を導電性付与剤として添加したポリカーボネート樹脂組成物は表面抵抗値１０８〜１０１１Ω台であり、ＴＢＰ−ＤＢＳを用いた場合に比べて低い表面抵抗値が得られる事が判った。
実施例１６〜２０、比較例３
アクリル樹脂「ＳＫダイン１４３５」（登録商標、綜研化学株式会社製）１０重量部に、表４に示すホスホニウム塩（１）を２重量部、及び希釈溶剤としての酢酸エチル１９０重量部を添加してコート液を調製した。バーコーター（＃１６）を用いて、コート液をポリエステルフィルム上に乾燥厚み約１．２μｍの厚みでコートした後、６０℃で１時間乾燥させ、試験フィルムを作製した。試験フィルムを１５〜２０℃、５０％ＲＨの雰囲気中に２４時間保持した後、２０℃、５０％ＲＨでコート面の表面抵抗値を測定した。その結果を表４に示す。
アクリル樹脂「ＳＫダイン１４３５」（登録商標、綜研化学株式会社製）１０重量部に、表４に示すホスホニウム塩（１）を２重量部、及び希釈溶剤としての酢酸エチル１９０重量部を添加してコート液を調製した。バーコーター（＃１６）を用いて、コート液をポリエステルフィルム上に乾燥厚み約１．２μｍの厚みでコートした後、６０℃で１時間乾燥させ、試験フィルムを作製した。試験フィルムを１５〜２０℃、５０％ＲＨの雰囲気中に２４時間保持した後、２０℃、５０％ＲＨでコート面の表面抵抗値を測定した。その結果を表４に示す。
表４の結果から、本発明の帯電防止剤を導電性付与剤として添加したアクリル系樹脂組成物は表面抵抗値１０１０Ω台であり、ＴＢＰ−ＤＢＳを用いた場合に比べて低い表面抵抗値が得られる事が判った。
実施例２１〜２５、比較例４
ポリエステル「バイロン２０ＳＳ」（登録商標、東洋紡績株式会社製）１０重量部に、表５に示すホスホニウム塩（１）を１重量部、及び希釈溶剤としてのメチルエチルケトン／トルエン（２０／８０）１９０重量部を添加してコート液を調製した。バーコーター（＃１６）を用いて、コート液をポリエステルフィルム上に乾燥厚み約１．２μｍの厚みでコートした後、６０℃で１時間乾燥させて試験フィルムを作製した。試験フィルムを１５〜２０℃、５０％ＲＨの雰囲気中に２４時間保持した後、２０℃、５０％ＲＨでコート面の表面抵抗値を測定した。その結果を表５に示す。
ポリエステル「バイロン２０ＳＳ」（登録商標、東洋紡績株式会社製）１０重量部に、表５に示すホスホニウム塩（１）を１重量部、及び希釈溶剤としてのメチルエチルケトン／トルエン（２０／８０）１９０重量部を添加してコート液を調製した。バーコーター（＃１６）を用いて、コート液をポリエステルフィルム上に乾燥厚み約１．２μｍの厚みでコートした後、６０℃で１時間乾燥させて試験フィルムを作製した。試験フィルムを１５〜２０℃、５０％ＲＨの雰囲気中に２４時間保持した後、２０℃、５０％ＲＨでコート面の表面抵抗値を測定した。その結果を表５に示す。
表５の結果から、本発明の帯電防止剤を導電性付与剤として添加したポリエステル樹脂組成物は表面抵抗値１０９〜１０１０Ω台であり、ＴＢＰ−ＤＢＳを用いた場合に比べて低い表面抵抗値が得られる事が判った。
Claims (4)
- 式（１）：
［（Ｒ１）３Ｒ２Ｐ］＋・（Ｒｆ １ＳＯ２）（Ｒｆ ２ＳＯ２）Ｎ− （１）
［式中、Ｒ１は炭素数４のアルキル基を示し、Ｒ２は炭素数１２のアルキル基を示し、Ｒｆ １及びＲｆ ２は同じであっても異なっていてもよく、炭素数１〜４のパーフルオロアルキル基を示す。］で表されるホスホニウム塩。 - 請求項１に記載のホスホニウム塩を有効成分として含有することを特徴とする帯電防止剤。
- 請求項２に記載の帯電防止剤を含有してなる帯電防止性樹脂組成物。
- 樹脂がエポキシ樹脂、ポリカーボネート、アクリル樹脂又はポリエステルである請求項３に記載の帯電防止性樹脂組成物。
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