JP2000095789A - スルホイソフタル酸ホスホニウム誘導体の製造方法 - Google Patents
スルホイソフタル酸ホスホニウム誘導体の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 スルホイソフタル酸ホスホニウム誘導体を高
純度で、工業的に有利に生産する方法を提供すること。 【解決手段】 下記一般式（１）； Ｒ1 Ｒ2 Ｒ3 Ｐ+ Ｒ4 ＯＨ- （１） （式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 及びＲ4 は、同一又は異なっ
てもよく、炭素数１〜２０の直鎖又は分岐鎖状のアルキ
ル基、アリール基又はアラルキル基あるいはヒドロキシ
基又はアルコキシ基で置換されたアルキル基、アリール
基又はアラルキル基を示す。）で表されるホスホニウム
ヒドロキシドと、下記一般式（２）； 【化１】 （式中、Ｒ5 は炭素数１〜８のアルキル基、ヒドロキシ
アルキル基又は水素原子を示す。）で表されるスルホイ
ソフタル酸誘導体とを水の存在下で反応させて、スルホ
イソフタル酸ホスホニウム誘導体を得る。
純度で、工業的に有利に生産する方法を提供すること。 【解決手段】 下記一般式（１）； Ｒ1 Ｒ2 Ｒ3 Ｐ+ Ｒ4 ＯＨ- （１） （式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 及びＲ4 は、同一又は異なっ
てもよく、炭素数１〜２０の直鎖又は分岐鎖状のアルキ
ル基、アリール基又はアラルキル基あるいはヒドロキシ
基又はアルコキシ基で置換されたアルキル基、アリール
基又はアラルキル基を示す。）で表されるホスホニウム
ヒドロキシドと、下記一般式（２）； 【化１】 （式中、Ｒ5 は炭素数１〜８のアルキル基、ヒドロキシ
アルキル基又は水素原子を示す。）で表されるスルホイ
ソフタル酸誘導体とを水の存在下で反応させて、スルホ
イソフタル酸ホスホニウム誘導体を得る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、スルホイソフタル
酸ホスホニウム誘導体を高純度で得ることができる製造
方法に関するものである。
酸ホスホニウム誘導体を高純度で得ることができる製造
方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より５−スルホイソフタル酸エステ
ル誘導体は、ポリエステル繊維やナイロンのカチオン可
染剤、帯電防止性及び抗菌性を付与させる単量体、コー
ティング剤や接着剤及び塗料等を目的として、工業上多
量に使用されている。
ル誘導体は、ポリエステル繊維やナイロンのカチオン可
染剤、帯電防止性及び抗菌性を付与させる単量体、コー
ティング剤や接着剤及び塗料等を目的として、工業上多
量に使用されている。
【０００３】従来、対イオンにホスホニウムを有する５
−スルホイソフタル酸ジメチルの製造方法としては、例
えば、ホスホニウム塩と５−スルホイソフタル酸ジメチ
ルエステル金属塩とを反応させる方法が知られている
（特開昭51−88716 号公報、米国特許番号第4006123 号
明細書）。
−スルホイソフタル酸ジメチルの製造方法としては、例
えば、ホスホニウム塩と５−スルホイソフタル酸ジメチ
ルエステル金属塩とを反応させる方法が知られている
（特開昭51−88716 号公報、米国特許番号第4006123 号
明細書）。
【０００４】しかしながら、上記反応は、得られる生成
物中にホスホニウム塩やハロゲン化金属塩などの未反応
物や副生成物が混入し易く、生成物が加熱時に着色し、
また、その精製も非常に困難である。また、未反応物や
副生成物の混入を減少させようと、大過剰の５−スルホ
イソフタル酸ジメチルエステルの金属塩を使用すると、
コストの上昇となり、工業的には有利ではない。さら
に、これらの化合物をポリエステル等と共重合させる場
合、染色後の仕上がりの鮮明さを悪くしたり、共重合物
が着色したりするといった悪影響を与えるため、共重合
用の単量体とするには純度が不十分という問題がある。
物中にホスホニウム塩やハロゲン化金属塩などの未反応
物や副生成物が混入し易く、生成物が加熱時に着色し、
また、その精製も非常に困難である。また、未反応物や
副生成物の混入を減少させようと、大過剰の５−スルホ
イソフタル酸ジメチルエステルの金属塩を使用すると、
コストの上昇となり、工業的には有利ではない。さら
に、これらの化合物をポリエステル等と共重合させる場
合、染色後の仕上がりの鮮明さを悪くしたり、共重合物
が着色したりするといった悪影響を与えるため、共重合
用の単量体とするには純度が不十分という問題がある。
【０００５】そこで、これらの問題を解決するため、生
成物に未反応物の混入がない工業的な方法が様々検討さ
れている。例えば、ホスホニウム塩と下記一般式
（５）；
成物に未反応物の混入がない工業的な方法が様々検討さ
れている。例えば、ホスホニウム塩と下記一般式
（５）；
【０００６】
【化３】
【０００７】（式中、Ｍn+はｎ価の金属イオン又はアン
モニウムイオンを示す。）で表される５−スルホイソフ
タル酸とを水溶液中で反応させ、次いでカルボキシル基
をエステル化する方法（特開昭62−242657号公報）、
3，5-ジカルボキシベンゼンスルホン酸塩とホスホニウ
ム塩とを、６０℃以上の温度条件下に接触させ、引き続
き６０℃以上の温度条件下に複分解反応させる方法（特
開平２−188593号公報）及びホスホニウム塩と５−スル
ホイソフタル酸ジアルキルエステルの塩とを水及び水に
難溶性の有機溶媒との混合溶液中で反応をさせる方法
（特開平７−247260号公報）などが提案されている。
モニウムイオンを示す。）で表される５−スルホイソフ
タル酸とを水溶液中で反応させ、次いでカルボキシル基
をエステル化する方法（特開昭62−242657号公報）、
3，5-ジカルボキシベンゼンスルホン酸塩とホスホニウ
ム塩とを、６０℃以上の温度条件下に接触させ、引き続
き６０℃以上の温度条件下に複分解反応させる方法（特
開平２−188593号公報）及びホスホニウム塩と５−スル
ホイソフタル酸ジアルキルエステルの塩とを水及び水に
難溶性の有機溶媒との混合溶液中で反応をさせる方法
（特開平７−247260号公報）などが提案されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
の方法は、比較的高純度な目的物が得られているもの
の、反応後、水での洗浄によって不純物を十分除去する
ことは比較的困難であるため、ハロゲンイオン、ナトリ
ウムイオン等の不純物が残存し、更に高純度のものが求
められる分野への適用はできないという問題がある。
の方法は、比較的高純度な目的物が得られているもの
の、反応後、水での洗浄によって不純物を十分除去する
ことは比較的困難であるため、ハロゲンイオン、ナトリ
ウムイオン等の不純物が残存し、更に高純度のものが求
められる分野への適用はできないという問題がある。
【０００９】従って、本発明の目的は、高純度のスルホ
イソフタル酸ホスホニウム誘導体を工業的に有利な方法
で得ることができる製造方法を提供することにある。
イソフタル酸ホスホニウム誘導体を工業的に有利な方法
で得ることができる製造方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】かかる実情において、本
発明者は、鋭意検討を行った結果、反応原料としてホス
ホニウムヒドロキシドとスルホイソフタル酸誘導体とを
水の存在下で反応させることにより高純度でスルホイソ
フタル酸ホスホニウム誘導体が得られることを見出し、
本発明を完成するに至った。
発明者は、鋭意検討を行った結果、反応原料としてホス
ホニウムヒドロキシドとスルホイソフタル酸誘導体とを
水の存在下で反応させることにより高純度でスルホイソ
フタル酸ホスホニウム誘導体が得られることを見出し、
本発明を完成するに至った。
【００１１】すなわち、本発明は、下記一般式（１）； Ｒ1 Ｒ2 Ｒ3 Ｐ+ Ｒ4 ＯＨ- （１） （式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 及びＲ4 は同一又は異なって
もよく、炭素数１〜２０の直鎖又は分岐鎖状のアルキル
基、アリール基又はアラルキル基あるいはヒドロキシ基
又はアルコキシ基で置換されたアルキル基、アリール基
又はアラルキル基を示す。）で表されるホスホニウムヒ
ドロキシドと、下記一般式（２）；
もよく、炭素数１〜２０の直鎖又は分岐鎖状のアルキル
基、アリール基又はアラルキル基あるいはヒドロキシ基
又はアルコキシ基で置換されたアルキル基、アリール基
又はアラルキル基を示す。）で表されるホスホニウムヒ
ドロキシドと、下記一般式（２）；
【００１２】
【化４】
【００１３】（式中、Ｒ5 は炭素数１〜８のアルキル
基、ヒドロキシアルキル基又は水素原子を示す。）で表
されるスルホイソフタル酸誘導体とを水の存在下で反応
させることを特徴とするスルホイソフタル酸ホスホニウ
ム誘導体の製造方法を提供するものである。
基、ヒドロキシアルキル基又は水素原子を示す。）で表
されるスルホイソフタル酸誘導体とを水の存在下で反応
させることを特徴とするスルホイソフタル酸ホスホニウ
ム誘導体の製造方法を提供するものである。
【００１４】また、本発明は、前記ホスホニウムヒドロ
キシドが、陰イオン交換樹脂に下記一般式（３）； Ｒ1 Ｒ2 Ｒ3 Ｐ+ Ｒ4 Ｘ- （３） （式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 及びＲ4 は前記と同じ、Ｘは
陰イオン原子を示す。）で表されるホスホニウム塩を接
触させてアニオン交換して得られるものである前記スル
ホイソフタル酸ホスホニウム誘導体の製造方法又は前記
スルホイソフタル酸誘導体が、陽イオン交換樹脂に下記
一般式（４）；
キシドが、陰イオン交換樹脂に下記一般式（３）； Ｒ1 Ｒ2 Ｒ3 Ｐ+ Ｒ4 Ｘ- （３） （式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 及びＲ4 は前記と同じ、Ｘは
陰イオン原子を示す。）で表されるホスホニウム塩を接
触させてアニオン交換して得られるものである前記スル
ホイソフタル酸ホスホニウム誘導体の製造方法又は前記
スルホイソフタル酸誘導体が、陽イオン交換樹脂に下記
一般式（４）；
【００１５】
【化５】
【００１６】（式中、Ｒ5 は前記に同じ。Ｍn+はｎ価の
金属イオン又はアンモニウムイオンを示し、ｎは１〜３
の整数を示す。）で表されるスルホイソフタル酸金属塩
を接触させてカチオン交換して得られるものである前記
スルホイソフタル酸ホスホニウム誘導体の製造方法を提
供するものである。
金属イオン又はアンモニウムイオンを示し、ｎは１〜３
の整数を示す。）で表されるスルホイソフタル酸金属塩
を接触させてカチオン交換して得られるものである前記
スルホイソフタル酸ホスホニウム誘導体の製造方法を提
供するものである。
【００１７】
【発明の実施の形態】本発明の製造原料の一方は前記一
般式（１）で表されるホスホニウムヒドロキシドであ
り、前記一般式（１）において、式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ
3 及びＲ4 の炭素数１〜２０の直鎖又は分岐鎖状のアル
キル基の例としては、メチル基、エチル基、プロピル
基、ブチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、
ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、テト
ラデシル基、ヘキサデシル基、オクタデシル基等が挙げ
られる。ヒドロキシアルキル基としては、ヒドロキシプ
ロピル基が挙げられる。前記Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 及びＲ4
の炭素数の好ましい範囲は、２〜１８である。また、ア
リール基としては、フェニル基、トリル基、キシリル基
等が挙げられる。また、アラルキル基としては、ベンジ
ル基、フェネチル基等が挙げられる。
般式（１）で表されるホスホニウムヒドロキシドであ
り、前記一般式（１）において、式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ
3 及びＲ4 の炭素数１〜２０の直鎖又は分岐鎖状のアル
キル基の例としては、メチル基、エチル基、プロピル
基、ブチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、
ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、テト
ラデシル基、ヘキサデシル基、オクタデシル基等が挙げ
られる。ヒドロキシアルキル基としては、ヒドロキシプ
ロピル基が挙げられる。前記Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 及びＲ4
の炭素数の好ましい範囲は、２〜１８である。また、ア
リール基としては、フェニル基、トリル基、キシリル基
等が挙げられる。また、アラルキル基としては、ベンジ
ル基、フェネチル基等が挙げられる。
【００１８】また、前記一般式（１）で表されるホスホ
ニウムヒドロキシドの中、そのカチオン部の具体例とし
ては、テトラエチルホスホニウム、テトラｎ−ブチルホ
スホニウム、トリメチルｎ−ドデシルホスホニウム、ト
リメチルｎ−ヘキサデシルホスホニウム、トリエチルｎ
−ヘキサデシルホスホニウム、トリエチルｎ−ドデシル
ホスホニウム、トリブチルｎ−オクチルホスホニウム、
トリブチルｎ−デシルホスホニウム、トリブチルｎ−ド
デシルホスホニウム、トリブチルｎ−ヘキサデシルホス
ホニウム、トリフェニルｎ−ブチルホスホニウム、トリ
フェニルｎ−ドデシルホスホニウム、トリフェニルｎ−
ヘキサデシルホスホニウム、テトラｎ−オクチルホスホ
ニウム、トリオクチルｎ−ドデシルホスホニウム、トリ
オクチルｎ−ヘキサデシルホスホニウム、トリプロピル
ｎ−ドデシルホスホニウム、トリプロピルｎ−ヘキサデ
シルホスホニウム、トリス（ヒドロキシプロピル）ｎ−
オクチルホスホニウム、トリス（ヒドロキシプロピル）
ｎ−ドデシルホスホニウム、トリス（ヒドロキシプロピ
ル）ｎ−テトラデシルホスホニウム、トリス（ヒドロキ
シプロピル）ｎ−ヘキサデシルホスホニウム等が挙げら
れる。
ニウムヒドロキシドの中、そのカチオン部の具体例とし
ては、テトラエチルホスホニウム、テトラｎ−ブチルホ
スホニウム、トリメチルｎ−ドデシルホスホニウム、ト
リメチルｎ−ヘキサデシルホスホニウム、トリエチルｎ
−ヘキサデシルホスホニウム、トリエチルｎ−ドデシル
ホスホニウム、トリブチルｎ−オクチルホスホニウム、
トリブチルｎ−デシルホスホニウム、トリブチルｎ−ド
デシルホスホニウム、トリブチルｎ−ヘキサデシルホス
ホニウム、トリフェニルｎ−ブチルホスホニウム、トリ
フェニルｎ−ドデシルホスホニウム、トリフェニルｎ−
ヘキサデシルホスホニウム、テトラｎ−オクチルホスホ
ニウム、トリオクチルｎ−ドデシルホスホニウム、トリ
オクチルｎ−ヘキサデシルホスホニウム、トリプロピル
ｎ−ドデシルホスホニウム、トリプロピルｎ−ヘキサデ
シルホスホニウム、トリス（ヒドロキシプロピル）ｎ−
オクチルホスホニウム、トリス（ヒドロキシプロピル）
ｎ−ドデシルホスホニウム、トリス（ヒドロキシプロピ
ル）ｎ−テトラデシルホスホニウム、トリス（ヒドロキ
シプロピル）ｎ−ヘキサデシルホスホニウム等が挙げら
れる。
【００１９】かかるホスホニウムヒドロキシドは、広く
公知の方法で得られるものを用いることができ、例え
ば、電解法により製造する方法（特開平2-96584 号公
報、特開平2-77591 号公報）、イオン交換法により製造
する方法等が挙げられ、このうち、イオン交換法により
製造する方法が操作が簡便であることから好ましい。
公知の方法で得られるものを用いることができ、例え
ば、電解法により製造する方法（特開平2-96584 号公
報、特開平2-77591 号公報）、イオン交換法により製造
する方法等が挙げられ、このうち、イオン交換法により
製造する方法が操作が簡便であることから好ましい。
【００２０】イオン交換法により該ホスホニウムヒドロ
キシドを得る方法としては、陰イオン交換樹脂に前記一
般式（３）で表されるホスホニウム塩を接触させて、ア
ニオン交換する方法である。該ホスホニウム塩は、前記
一般式（３）において、式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 及びＲ
4 は、前記一般式（１）で示される化合物のＲ1 、Ｒ
2 、Ｒ3 及びＲ4 と同じである。また、Ｘ- はアニオン
であり、具体的には、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハ
ロゲンイオン；ギ酸、酢酸、シュウ酸等のカルボキシル
イオン；硫酸、メチル又はエチル硫酸等のイオン；硝酸
イオン、リン酸イオン；メチル又はジメチルリン酸、エ
チル又はジエチルリン酸等の有機リン酸あるいは水酸基
のアニオンが挙げられ、このうち、フッ素、塩素、臭
素、ヨウ素のハロゲンイオンが好ましい。
キシドを得る方法としては、陰イオン交換樹脂に前記一
般式（３）で表されるホスホニウム塩を接触させて、ア
ニオン交換する方法である。該ホスホニウム塩は、前記
一般式（３）において、式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 及びＲ
4 は、前記一般式（１）で示される化合物のＲ1 、Ｒ
2 、Ｒ3 及びＲ4 と同じである。また、Ｘ- はアニオン
であり、具体的には、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハ
ロゲンイオン；ギ酸、酢酸、シュウ酸等のカルボキシル
イオン；硫酸、メチル又はエチル硫酸等のイオン；硝酸
イオン、リン酸イオン；メチル又はジメチルリン酸、エ
チル又はジエチルリン酸等の有機リン酸あるいは水酸基
のアニオンが挙げられ、このうち、フッ素、塩素、臭
素、ヨウ素のハロゲンイオンが好ましい。
【００２１】イオン交換法において、前記一般式（３）
で表されるホスホニウム塩は、水溶液状態で用いられる
が、該水溶液には低級アルコールやアセトン等の水親和
性の有機溶媒が含まれていてもよい。しかし、有機溶媒
の混合はイオン交換樹脂の寿命を短くする恐れがあるた
め、有機溶媒は出来るだけ少ない方が好ましい。該ホス
ホニウム塩の濃度は、特に制限されないが、２〜５０重
量％、好ましくは５〜３０重量％である。空間速度（Ｓ
Ｖ）は樹脂に対して０．１〜６、好ましくは０．３〜４
Ｈｒ-1である。
で表されるホスホニウム塩は、水溶液状態で用いられる
が、該水溶液には低級アルコールやアセトン等の水親和
性の有機溶媒が含まれていてもよい。しかし、有機溶媒
の混合はイオン交換樹脂の寿命を短くする恐れがあるた
め、有機溶媒は出来るだけ少ない方が好ましい。該ホス
ホニウム塩の濃度は、特に制限されないが、２〜５０重
量％、好ましくは５〜３０重量％である。空間速度（Ｓ
Ｖ）は樹脂に対して０．１〜６、好ましくは０．３〜４
Ｈｒ-1である。
【００２２】陰イオン交換樹脂としては、ＯＨ型強塩基
性陰イオン交換樹脂が好ましく、例えば、レバチットＭ
Ｐ６００、レバチットＭＰ５００Ａ等の樹脂が挙げられ
る。また、Ｃｌ型強塩基性陰イオン交換樹脂をアルカリ
水溶液で再生処理してＯＨ型に変換した樹脂であっても
よい。Ｃｌ型強塩基性陰イオン交換樹脂としては、例え
ば、アンバライトＩＲＡ−４１０、アンバライトＩＲＡ
−４０１、アンバライトＩＲＡ−９００等が挙げられ
る。この再生に使用するアルカリ水溶液は、例えば水酸
化ナトリウム、水酸化カリウム等の通常のアルカリ水溶
液でよい。また、アルカリ水溶液の濃度や流速は、特に
制限されないが、１〜１０重量％水溶液を樹脂に対する
空間速度（ＳＶ）が０．５〜６、好ましくは０．５〜４
Ｈｒ-1で流せばよい。また、アルカリ水溶液の使用量
は、樹脂の公称総交換容量の２〜２０倍、好ましくは３
〜５倍のアルカリを接触させることが、イオン交換樹脂
を十分に再生させる点で重要である。なお、ＯＨ型強塩
基性陰イオン交換樹脂であっても、使用に当たってはア
ルカリ水溶液で予め、洗浄しておくことが好ましい。該
陰イオン交換樹脂は、所望のカラムに充填されて用いら
れる。
性陰イオン交換樹脂が好ましく、例えば、レバチットＭ
Ｐ６００、レバチットＭＰ５００Ａ等の樹脂が挙げられ
る。また、Ｃｌ型強塩基性陰イオン交換樹脂をアルカリ
水溶液で再生処理してＯＨ型に変換した樹脂であっても
よい。Ｃｌ型強塩基性陰イオン交換樹脂としては、例え
ば、アンバライトＩＲＡ−４１０、アンバライトＩＲＡ
−４０１、アンバライトＩＲＡ−９００等が挙げられ
る。この再生に使用するアルカリ水溶液は、例えば水酸
化ナトリウム、水酸化カリウム等の通常のアルカリ水溶
液でよい。また、アルカリ水溶液の濃度や流速は、特に
制限されないが、１〜１０重量％水溶液を樹脂に対する
空間速度（ＳＶ）が０．５〜６、好ましくは０．５〜４
Ｈｒ-1で流せばよい。また、アルカリ水溶液の使用量
は、樹脂の公称総交換容量の２〜２０倍、好ましくは３
〜５倍のアルカリを接触させることが、イオン交換樹脂
を十分に再生させる点で重要である。なお、ＯＨ型強塩
基性陰イオン交換樹脂であっても、使用に当たってはア
ルカリ水溶液で予め、洗浄しておくことが好ましい。該
陰イオン交換樹脂は、所望のカラムに充填されて用いら
れる。
【００２３】上記の如く、ホスホニウム塩を樹脂充填カ
ラムに通液することによりアニオン交換が行われるが、
ホスホニウム塩の通液後は、所望により純水を該陰イオ
ン交換樹脂に供給し、カラム中に残存するホスホニウム
ヒドロキシドを押し出し、イオン交換を完了させること
が好ましい。このようにして、原料に由来するアニオン
のみならず、それ以外のアニオンもほとんど含まれず、
しかも高純度のホスホニウムヒドロキシドを得ることが
できる。
ラムに通液することによりアニオン交換が行われるが、
ホスホニウム塩の通液後は、所望により純水を該陰イオ
ン交換樹脂に供給し、カラム中に残存するホスホニウム
ヒドロキシドを押し出し、イオン交換を完了させること
が好ましい。このようにして、原料に由来するアニオン
のみならず、それ以外のアニオンもほとんど含まれず、
しかも高純度のホスホニウムヒドロキシドを得ることが
できる。
【００２４】本発明の他の一方の原料は前記一般式
（２）で表されるスルホイソフタル酸誘導体であり、前
記一般式（２）において、Ｒ5 としては、メチル基、エ
チル基、プロピル基、ブチル基、オクチル基等の炭素数
１〜８の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基、ヒドロキシ
エチル基、ヒドロキシプロピル基等のヒドロキシアルキ
ル基及び水素原子等が挙げられる。かかるスルホイソフ
タル酸の具体的な化合物例てしては、５−スルホイソフ
タル酸、５−スルホイソフタル酸ジメチル、５−スルホ
イソフタル酸ジエチル、５−スルホイソフタル酸ジブチ
ル、５−スルホイソフタル酸ジオクチル、５−スルホイ
ソフタル酸ジヒドロキシエチル、５−スルホイソフタル
酸ジヒドロキシプロピル等が挙げられる。
（２）で表されるスルホイソフタル酸誘導体であり、前
記一般式（２）において、Ｒ5 としては、メチル基、エ
チル基、プロピル基、ブチル基、オクチル基等の炭素数
１〜８の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基、ヒドロキシ
エチル基、ヒドロキシプロピル基等のヒドロキシアルキ
ル基及び水素原子等が挙げられる。かかるスルホイソフ
タル酸の具体的な化合物例てしては、５−スルホイソフ
タル酸、５−スルホイソフタル酸ジメチル、５−スルホ
イソフタル酸ジエチル、５−スルホイソフタル酸ジブチ
ル、５−スルホイソフタル酸ジオクチル、５−スルホイ
ソフタル酸ジヒドロキシエチル、５−スルホイソフタル
酸ジヒドロキシプロピル等が挙げられる。
【００２５】かかるスルホイソフタル酸誘導体は、広く
公知の方法で得られるものを用いることができるが、イ
オン交換法により製造する方法が特に好ましい。イオン
交換法により該スルホイソフタル酸誘導体を得る方法と
しては、陽イオン交換樹脂に前記一般式（４）で表され
るスルホイソフタル酸塩誘導体を接触させて、カチオン
交換する方法である。前記一般式（４）において、式
中、Ｍn+は、Ｎａ、Ｋ、Ｌｉ、Ｃａ、Ｍｇ等の金属イオ
ン、アンモニウムイオン及びテトラエチルアンモニウム
イオン等が挙げられる。
公知の方法で得られるものを用いることができるが、イ
オン交換法により製造する方法が特に好ましい。イオン
交換法により該スルホイソフタル酸誘導体を得る方法と
しては、陽イオン交換樹脂に前記一般式（４）で表され
るスルホイソフタル酸塩誘導体を接触させて、カチオン
交換する方法である。前記一般式（４）において、式
中、Ｍn+は、Ｎａ、Ｋ、Ｌｉ、Ｃａ、Ｍｇ等の金属イオ
ン、アンモニウムイオン及びテトラエチルアンモニウム
イオン等が挙げられる。
【００２６】イオン交換法において、前記一般式（４）
で表されるスルホイソフタル酸塩誘導体は、水溶液状態
で用いられるが、該水溶液には低級アルコールやアセト
ン等の水親和性の有機溶媒が含まれていてもよい。しか
し、有機溶媒の混合はイオン交換樹脂の寿命を短くする
恐れがあるため、有機溶媒は出来るだけ少ない方が好ま
しい。該スルホイソフタル酸塩誘導体の濃度は、特に制
限されないが、２〜５０重量％、好ましくは５〜３０重
量％である。空間速度（ＳＶ）は樹脂に対して０．１〜
６、好ましくは０．３〜４Ｈｒ-1である。
で表されるスルホイソフタル酸塩誘導体は、水溶液状態
で用いられるが、該水溶液には低級アルコールやアセト
ン等の水親和性の有機溶媒が含まれていてもよい。しか
し、有機溶媒の混合はイオン交換樹脂の寿命を短くする
恐れがあるため、有機溶媒は出来るだけ少ない方が好ま
しい。該スルホイソフタル酸塩誘導体の濃度は、特に制
限されないが、２〜５０重量％、好ましくは５〜３０重
量％である。空間速度（ＳＶ）は樹脂に対して０．１〜
６、好ましくは０．３〜４Ｈｒ-1である。
【００２７】陽イオン交換樹脂としては、Ｈ型強酸性陽
イオン交換樹脂が好ましく、例えば、レバチットＳＰ−
１１２ＭＢ、ダウエックス５０ＷＸ２、ダウエックス５
０ＷＸ８等が挙げられる。また、Ｎａ型強酸性陽イオン
交換樹脂を酸性水溶液で再生処理してＨ型に変換した樹
脂であってもよい。Ｎａ型強酸性陽イオン交換樹脂とし
ては、例えば、レバチットＳＰ−１１２ＳＴ、レバチッ
トＳＰ−１２０等が挙げられる。この再生に使用する酸
性水溶液は、例えば塩酸、硫酸等の通常の鉱酸水溶液で
よい。また、酸性水溶液の濃度や流速は、特に制限され
ないが、１〜１０重量％水溶液を樹脂に対する空間速度
（ＳＶ）が０．５〜６、好ましくは０．５〜４Ｈｒ-1で
流せばよい。また、酸性水溶液の使用量は、樹脂の公称
総交換容量の２〜２０倍、好ましくは３〜５倍の酸を接
触させることが、イオン交換樹脂を充分に再生させる点
で重要である。なお、Ｈ型強酸性陽イオン交換樹脂であ
っても、使用に当たっては酸性水溶液で予め、洗浄して
おくことが好ましい。該陽イオン交換樹脂は、所望のカ
ラムに充填されて用いられる。
イオン交換樹脂が好ましく、例えば、レバチットＳＰ−
１１２ＭＢ、ダウエックス５０ＷＸ２、ダウエックス５
０ＷＸ８等が挙げられる。また、Ｎａ型強酸性陽イオン
交換樹脂を酸性水溶液で再生処理してＨ型に変換した樹
脂であってもよい。Ｎａ型強酸性陽イオン交換樹脂とし
ては、例えば、レバチットＳＰ−１１２ＳＴ、レバチッ
トＳＰ−１２０等が挙げられる。この再生に使用する酸
性水溶液は、例えば塩酸、硫酸等の通常の鉱酸水溶液で
よい。また、酸性水溶液の濃度や流速は、特に制限され
ないが、１〜１０重量％水溶液を樹脂に対する空間速度
（ＳＶ）が０．５〜６、好ましくは０．５〜４Ｈｒ-1で
流せばよい。また、酸性水溶液の使用量は、樹脂の公称
総交換容量の２〜２０倍、好ましくは３〜５倍の酸を接
触させることが、イオン交換樹脂を充分に再生させる点
で重要である。なお、Ｈ型強酸性陽イオン交換樹脂であ
っても、使用に当たっては酸性水溶液で予め、洗浄して
おくことが好ましい。該陽イオン交換樹脂は、所望のカ
ラムに充填されて用いられる。
【００２８】上記の如く、スルホイソフタル酸塩誘導体
を樹脂充填カラムに通液することによりカチオン交換が
行われるが、スルホイソフタル酸塩誘導体の通液後は、
所望により純水を該陽イオン交換樹脂に供給し、カラム
中に残存するスルホイソフタル酸誘導体を押し出し、イ
オン交換を完了させることが好ましい。このようにし
て、原料に由来するカチオンのみならず、それ以外のカ
チオンもほとんど含まれず、しかも高純度のスルホイソ
フタル酸誘導体を得ることができる。
を樹脂充填カラムに通液することによりカチオン交換が
行われるが、スルホイソフタル酸塩誘導体の通液後は、
所望により純水を該陽イオン交換樹脂に供給し、カラム
中に残存するスルホイソフタル酸誘導体を押し出し、イ
オン交換を完了させることが好ましい。このようにし
て、原料に由来するカチオンのみならず、それ以外のカ
チオンもほとんど含まれず、しかも高純度のスルホイソ
フタル酸誘導体を得ることができる。
【００２９】なお、アルカリ水溶液、ホスホニウム塩水
溶液、酸水溶液、スルホイソフタル酸塩誘導体水溶液及
び純水のイオン交換樹脂への供給方法は、特に制限され
ず、カラム上部から下降流で供給しても、カラム下部か
ら上昇流で供給してもよい。いずれの方法でカラムに供
給するかは、操作性等により適宜選択すればよい。
溶液、酸水溶液、スルホイソフタル酸塩誘導体水溶液及
び純水のイオン交換樹脂への供給方法は、特に制限され
ず、カラム上部から下降流で供給しても、カラム下部か
ら上昇流で供給してもよい。いずれの方法でカラムに供
給するかは、操作性等により適宜選択すればよい。
【００３０】次いで、本発明の反応条件について説明す
る。前記一般式（１）で表されるホスホニウムヒドロキ
シドと前記一般式（２）で表されるスルホイソフタル酸
誘導体とを水の存在下に反応させる。すなわち、ホスホ
ニウムヒドロキシドとスルホイソフタル酸誘導体とを等
モル付近、好ましくは、１：１〜１：１．５、反応温度
２０〜１００℃、好ましくは常温〜５０℃、反応時間
０．５時間以上で行うものである。
る。前記一般式（１）で表されるホスホニウムヒドロキ
シドと前記一般式（２）で表されるスルホイソフタル酸
誘導体とを水の存在下に反応させる。すなわち、ホスホ
ニウムヒドロキシドとスルホイソフタル酸誘導体とを等
モル付近、好ましくは、１：１〜１：１．５、反応温度
２０〜１００℃、好ましくは常温〜５０℃、反応時間
０．５時間以上で行うものである。
【００３１】反応で使用する水系溶媒は、スルホイソフ
タル酸塩が溶解するものであれば、特に制限されず、水
単独又は水と水に可溶な有機溶媒との混合溶媒が好まし
い。水に可溶な有機溶媒としては、例えば、メタノー
ル、エタノール、イソプロパノール、ジオキサン、アセ
トン、テトラヒドロフラン、エチレングリコール等が挙
げられる。反応終了後、常法により濾過、乾燥して目的
物を得る。
タル酸塩が溶解するものであれば、特に制限されず、水
単独又は水と水に可溶な有機溶媒との混合溶媒が好まし
い。水に可溶な有機溶媒としては、例えば、メタノー
ル、エタノール、イソプロパノール、ジオキサン、アセ
トン、テトラヒドロフラン、エチレングリコール等が挙
げられる。反応終了後、常法により濾過、乾燥して目的
物を得る。
【００３２】上記方法により本発明の目的物であるスル
ホイソフタル酸ホスホニウム誘導体を、工業的に有利に
生産することができ、また、得られるスルホイソフタル
酸ホスホニウム誘導体は、実質的にハロゲンイオンやア
ルカリ金属イオンを含まないので、ポリエステル繊維や
ナイロンをカチオン可染にしたり、帯電防止性及び抗菌
性を付与させる単量体、またコーティング剤や接着剤、
塗料等の用途に有利に利用できる。
ホイソフタル酸ホスホニウム誘導体を、工業的に有利に
生産することができ、また、得られるスルホイソフタル
酸ホスホニウム誘導体は、実質的にハロゲンイオンやア
ルカリ金属イオンを含まないので、ポリエステル繊維や
ナイロンをカチオン可染にしたり、帯電防止性及び抗菌
性を付与させる単量体、またコーティング剤や接着剤、
塗料等の用途に有利に利用できる。
【００３３】
【実施例】次に、実施例を挙げて本発明を更に具体的に
説明するが、これは単に例示であって、本発明を制限す
るものではない。
説明するが、これは単に例示であって、本発明を制限す
るものではない。
【００３４】参考例１ トリ−ｎ−ブチルドデシルホス
ホニウムヒドロキシドの合成 水中で十分に膨潤させたＣｌ型強塩基性陰イオン交換樹
脂（商品名「アンバーライトＩＲＡ−４１０」オルガノ
社製）２２５mlを内径２８mmのカラムに充填した。再生
剤である６重量％苛性ソーダ水溶液３０００ｇ（４．５
モル）をカラムの上部よりＳＶ１．７Ｈｒ-1の流速で、
下降流で供給して樹脂をＯＨ型に再生した。次に、脱イ
オン水をＳＶ２．２Ｈｒ-1の流速で、下降流で約３００
ml流して再生剤を押し出した後、さらに脱イオン水１７
００ｇをカラムの上部よりＳＶ２．２Ｈｒ-1の流速で下
降流で流した。次いで、７重量％のトリ−ｎ−ブチルド
デシルホスホニウムブロマイド７７４ｇ（１２０ミリモ
ル）をＳＶ０．４Ｈｒ-1の流速でカラムの上部より下降
流で供給し、次に、脱イオン水をＳＶ０．７Ｈｒ-1の流
速で下降流で流し出し、主分画９１１ｇを得た。この溶
液を分析した結果、臭化物イオン２０ppm 、濃度４．７
重量％のトリ−ｎ−ブチルドデシルホスホニウムヒドロ
キシドを収率９２％で得た。
ホニウムヒドロキシドの合成 水中で十分に膨潤させたＣｌ型強塩基性陰イオン交換樹
脂（商品名「アンバーライトＩＲＡ−４１０」オルガノ
社製）２２５mlを内径２８mmのカラムに充填した。再生
剤である６重量％苛性ソーダ水溶液３０００ｇ（４．５
モル）をカラムの上部よりＳＶ１．７Ｈｒ-1の流速で、
下降流で供給して樹脂をＯＨ型に再生した。次に、脱イ
オン水をＳＶ２．２Ｈｒ-1の流速で、下降流で約３００
ml流して再生剤を押し出した後、さらに脱イオン水１７
００ｇをカラムの上部よりＳＶ２．２Ｈｒ-1の流速で下
降流で流した。次いで、７重量％のトリ−ｎ−ブチルド
デシルホスホニウムブロマイド７７４ｇ（１２０ミリモ
ル）をＳＶ０．４Ｈｒ-1の流速でカラムの上部より下降
流で供給し、次に、脱イオン水をＳＶ０．７Ｈｒ-1の流
速で下降流で流し出し、主分画９１１ｇを得た。この溶
液を分析した結果、臭化物イオン２０ppm 、濃度４．７
重量％のトリ−ｎ−ブチルドデシルホスホニウムヒドロ
キシドを収率９２％で得た。
【００３５】参考例２ ３，５−ジカルボキシベンゼン
スルホン酸の合成 水中で十分に膨潤させたＮａ型強酸性陽イオン交換樹脂
（商品名「レバチットＳＰ−１１２」バイエル社製）２
００mlを内径２８mmのカラムに充填した。再生剤１０重
量％塩酸１０００ｇ（２．７モル）をカラムの上部より
ＳＶ１．０Ｈｒ -1の流速で、下降流で供給して樹脂をＨ
型に再生した。次に、脱イオン水をＳＶ５．０Ｈｒ-1の
流速で、下降流で約２００ml流して再生剤を押し出した
後、さらに脱イオン水３３００ｇをカラムの上部よりＳ
Ｖ５．０Ｈｒ-1の流速で下降流で流した。次いで、５重
量％の３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸ナトリ
ウム７２９ｇ（１３６ミリモル）をＳＶ０．５Ｈｒ-1の
流速でカラムの上部より下降流で供給し、次に、脱イオ
ン水をＳＶ２．５Ｈｒ-1の流速で下降流で流し出し、主
分画８９７ｇを得た。この溶液を分析した結果、ナトリ
ウムイオン１ppm 、濃度３．６重量％の３，５−ジカル
ボキシベンゼンスルホン酸を収率９７％で得た。
スルホン酸の合成 水中で十分に膨潤させたＮａ型強酸性陽イオン交換樹脂
（商品名「レバチットＳＰ−１１２」バイエル社製）２
００mlを内径２８mmのカラムに充填した。再生剤１０重
量％塩酸１０００ｇ（２．７モル）をカラムの上部より
ＳＶ１．０Ｈｒ -1の流速で、下降流で供給して樹脂をＨ
型に再生した。次に、脱イオン水をＳＶ５．０Ｈｒ-1の
流速で、下降流で約２００ml流して再生剤を押し出した
後、さらに脱イオン水３３００ｇをカラムの上部よりＳ
Ｖ５．０Ｈｒ-1の流速で下降流で流した。次いで、５重
量％の３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸ナトリ
ウム７２９ｇ（１３６ミリモル）をＳＶ０．５Ｈｒ-1の
流速でカラムの上部より下降流で供給し、次に、脱イオ
ン水をＳＶ２．５Ｈｒ-1の流速で下降流で流し出し、主
分画８９７ｇを得た。この溶液を分析した結果、ナトリ
ウムイオン１ppm 、濃度３．６重量％の３，５−ジカル
ボキシベンゼンスルホン酸を収率９７％で得た。
【００３６】実施例１ （トリ−ｎ−ブチルドデシルホスホニウム−３，５−ジ
カルボキシベンゼンスルホネートの合成）５０mlガラス
製ナスフラスコに、参考例２に準じて合成した２．６重
量％の３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸水溶液
１３．４２ｇ（１．４ミリモル）を入れ攪拌し、また参
考例１に準じて合成した２．８重量％トリ−ｎ−ブチル
ドデシルホスホニウムヒドロキシド水溶液２０．０３ｇ
（１．４ミリモル）を室温下、滴下漏斗より滴下した。
滴下を始めると速やかに液が白濁し、滴下終了時にはフ
ラスコ底部に白色粘稠固体が生成した。その後、更に３
時間熟成を行った。これをロータリーエバポレータにて
７０℃、３mmHgまで濃縮し、酸価１８１．３mgKOH/g
（理論値１８１．９mgKOH/g ）のトリ−ｎ−ブチルドデ
シルホスホニウム−３，５−ジカルボキシベンゼンスル
ホネートを収率９５％で得た。
カルボキシベンゼンスルホネートの合成）５０mlガラス
製ナスフラスコに、参考例２に準じて合成した２．６重
量％の３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸水溶液
１３．４２ｇ（１．４ミリモル）を入れ攪拌し、また参
考例１に準じて合成した２．８重量％トリ−ｎ−ブチル
ドデシルホスホニウムヒドロキシド水溶液２０．０３ｇ
（１．４ミリモル）を室温下、滴下漏斗より滴下した。
滴下を始めると速やかに液が白濁し、滴下終了時にはフ
ラスコ底部に白色粘稠固体が生成した。その後、更に３
時間熟成を行った。これをロータリーエバポレータにて
７０℃、３mmHgまで濃縮し、酸価１８１．３mgKOH/g
（理論値１８１．９mgKOH/g ）のトリ−ｎ−ブチルドデ
シルホスホニウム−３，５−ジカルボキシベンゼンスル
ホネートを収率９５％で得た。
【００３７】参考例３ トリ−ｎ−ブチルヘキサデシル
ホスホニウムヒドロキシドの合成 水中で十分に膨潤させたＣｌ型強塩基性陰イオン交換樹
脂（商品名「アンバーライトＩＲＡ−４１０」オルガノ
社製）２２５mlを内径２８mmのカラムに充填した。再生
剤である６重量％苛性ソーダ水溶液３０００ｇ（４．５
モル）をカラムの下部よりＳＶ１．７Ｈｒ-1の流速で、
上昇流で供給して樹脂をＯＨ型に再生した。次に、脱イ
オン水をＳＶ２．０Ｈｒ-1の流速で、上昇流で約３００
ml流して再生剤を押し出した後、さらに脱イオン水１７
００ｇをカラムの上部よりＳＶ２．０Ｈｒ-1の流速で下
降流で流した。次いで、７重量％のトリ−ｎ−ブチルヘ
キサデシルホスホニウムブロマイド８７０ｇ（１２０ミ
リモル）をＳＶ０．４Ｈｒ -1の流速でカラムの上部より
下降流で供給し、次に、脱イオン水をＳＶ０．７Ｈｒ-1
の流速で下降流で流し出し、主分画１００８ｇを得た。
この溶液を分析した結果、臭化物イオン２０ppm 、濃度
４．８重量％のトリ−ｎ−ブチルヘキサデシルホスホニ
ウムヒドロキシドを収率９１％で得た。
ホスホニウムヒドロキシドの合成 水中で十分に膨潤させたＣｌ型強塩基性陰イオン交換樹
脂（商品名「アンバーライトＩＲＡ−４１０」オルガノ
社製）２２５mlを内径２８mmのカラムに充填した。再生
剤である６重量％苛性ソーダ水溶液３０００ｇ（４．５
モル）をカラムの下部よりＳＶ１．７Ｈｒ-1の流速で、
上昇流で供給して樹脂をＯＨ型に再生した。次に、脱イ
オン水をＳＶ２．０Ｈｒ-1の流速で、上昇流で約３００
ml流して再生剤を押し出した後、さらに脱イオン水１７
００ｇをカラムの上部よりＳＶ２．０Ｈｒ-1の流速で下
降流で流した。次いで、７重量％のトリ−ｎ−ブチルヘ
キサデシルホスホニウムブロマイド８７０ｇ（１２０ミ
リモル）をＳＶ０．４Ｈｒ -1の流速でカラムの上部より
下降流で供給し、次に、脱イオン水をＳＶ０．７Ｈｒ-1
の流速で下降流で流し出し、主分画１００８ｇを得た。
この溶液を分析した結果、臭化物イオン２０ppm 、濃度
４．８重量％のトリ−ｎ−ブチルヘキサデシルホスホニ
ウムヒドロキシドを収率９１％で得た。
【００３８】参考例４ ３，５−ジカルボキシベンゼン
スルホン酸の合成 水中で十分に膨潤させたＮａ型強酸性陽イオン交換樹脂
（商品名「レバチットＳＰ−１１２」バイエル社製）２
００mlを内径２８mmのカラムに充填した。再生剤１０重
量％塩酸１０００ｇ（２．７モル）をカラムの上部より
ＳＶ１．０Ｈｒ -1の流速で、下降流で供給して樹脂をＨ
型に再生した。次に、脱イオン水をＳＶ５．０Ｈｒ-1の
流速で、下降流で約２００ml流して再生剤を押し出した
後、さらに脱イオン水３３００ｇをカラムの上部よりＳ
Ｖ５．０Ｈｒ-1の流速で下降流で流した。次いで、５重
量％の３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸ナトリ
ウム７２９ｇ（１３６ミリモル）をＳＶ０．５Ｈｒ-1の
流速でカラムの上部より下降流で供給し、次に、脱イオ
ン水をＳＶ２．５Ｈｒ-1の流速で下降流で流し出し、主
分画８９７ｇを得た。この溶液を分析した結果、ナトリ
ウムイオン１ppm 、濃度３．６重量％の３，５−ジカル
ボキシベンゼンスルホン酸を収率９７％で得た。
スルホン酸の合成 水中で十分に膨潤させたＮａ型強酸性陽イオン交換樹脂
（商品名「レバチットＳＰ−１１２」バイエル社製）２
００mlを内径２８mmのカラムに充填した。再生剤１０重
量％塩酸１０００ｇ（２．７モル）をカラムの上部より
ＳＶ１．０Ｈｒ -1の流速で、下降流で供給して樹脂をＨ
型に再生した。次に、脱イオン水をＳＶ５．０Ｈｒ-1の
流速で、下降流で約２００ml流して再生剤を押し出した
後、さらに脱イオン水３３００ｇをカラムの上部よりＳ
Ｖ５．０Ｈｒ-1の流速で下降流で流した。次いで、５重
量％の３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸ナトリ
ウム７２９ｇ（１３６ミリモル）をＳＶ０．５Ｈｒ-1の
流速でカラムの上部より下降流で供給し、次に、脱イオ
ン水をＳＶ２．５Ｈｒ-1の流速で下降流で流し出し、主
分画８９７ｇを得た。この溶液を分析した結果、ナトリ
ウムイオン１ppm 、濃度３．６重量％の３，５−ジカル
ボキシベンゼンスルホン酸を収率９７％で得た。
【００３９】実施例２ （トリ−ｎ−ブチルヘキサデシルホスホニウム−３，５
−ジカルボキシベンゼンスルホネートの合成）５０mlガ
ラス製ナスフラスコに、参考例４に準じて合成した２．
６重量％の３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸水
溶液１３．４２ｇ（１．４ミリモル）を入れ攪拌し、ま
た参考例３に準じて合成した４．８重量％トリ−ｎ−ブ
チルヘキサデシルホスホニウムヒドロキシド水溶液１
２．９７ｇ（１．４ミリモル）を室温下、滴下漏斗より
滴下するとフラスコ底部に白色粘稠固体が生成した。そ
の後、更に３時間熟成を行った。これをロータリーエバ
ポレータにて７０℃、３mmHgまで濃縮し、酸価１６５．
８mgKOH/g （理論値１６６．８mgKOH/g ）のトリ−ｎ−
ブチルヘキサデシルホスホニウム−３，５−ジカルボキ
シベンゼンスルホネートを収率９５％で得た。
−ジカルボキシベンゼンスルホネートの合成）５０mlガ
ラス製ナスフラスコに、参考例４に準じて合成した２．
６重量％の３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸水
溶液１３．４２ｇ（１．４ミリモル）を入れ攪拌し、ま
た参考例３に準じて合成した４．８重量％トリ−ｎ−ブ
チルヘキサデシルホスホニウムヒドロキシド水溶液１
２．９７ｇ（１．４ミリモル）を室温下、滴下漏斗より
滴下するとフラスコ底部に白色粘稠固体が生成した。そ
の後、更に３時間熟成を行った。これをロータリーエバ
ポレータにて７０℃、３mmHgまで濃縮し、酸価１６５．
８mgKOH/g （理論値１６６．８mgKOH/g ）のトリ−ｎ−
ブチルヘキサデシルホスホニウム−３，５−ジカルボキ
シベンゼンスルホネートを収率９５％で得た。
【００４０】参考例５ トリ−ｎ−ブチルドデシルホス
ホニウムヒドロキシドの合成 水中で十分に膨潤させたＣｌ型強塩基性陰イオン交換樹
脂（商品名「アンバーライトＩＲＡ−４１０」オルガノ
社製）２２５mlを内径２８mmのカラムに充填した。再生
剤である６重量％苛性ソーダ水溶液３０００ｇ（４．５
モル）をカラムの上部よりＳＶ１．７Ｈｒ-1の流速で、
下降流で供給して樹脂をＯＨ型に再生した。次に、脱イ
オン水をＳＶ２．２Ｈｒ-1の流速で、下降流で約３００
ml流して再生剤を押し出した後、さらに脱イオン水１７
００ｇをカラムの上部よりＳＶ２．２Ｈｒ-1の流速で下
降流で流した。次いで、７重量％のトリ−ｎ−ブチルド
デシルホスホニウムブロマイド７７４ｇ（１２０ミリモ
ル）をＳＶ０．４Ｈｒ-1の流速でカラムの上部より下降
流で供給し、次に、脱イオン水をＳＶ０．７Ｈｒ-1の流
速で下降流で流し出し、主分画９１１ｇを得た。この溶
液を分析した結果、臭化物イオン２０ppm 、濃度４．７
重量％のトリ−ｎ−ブチルドデシルホスホニウムヒドロ
キシドを収率９２％で得た。
ホニウムヒドロキシドの合成 水中で十分に膨潤させたＣｌ型強塩基性陰イオン交換樹
脂（商品名「アンバーライトＩＲＡ−４１０」オルガノ
社製）２２５mlを内径２８mmのカラムに充填した。再生
剤である６重量％苛性ソーダ水溶液３０００ｇ（４．５
モル）をカラムの上部よりＳＶ１．７Ｈｒ-1の流速で、
下降流で供給して樹脂をＯＨ型に再生した。次に、脱イ
オン水をＳＶ２．２Ｈｒ-1の流速で、下降流で約３００
ml流して再生剤を押し出した後、さらに脱イオン水１７
００ｇをカラムの上部よりＳＶ２．２Ｈｒ-1の流速で下
降流で流した。次いで、７重量％のトリ−ｎ−ブチルド
デシルホスホニウムブロマイド７７４ｇ（１２０ミリモ
ル）をＳＶ０．４Ｈｒ-1の流速でカラムの上部より下降
流で供給し、次に、脱イオン水をＳＶ０．７Ｈｒ-1の流
速で下降流で流し出し、主分画９１１ｇを得た。この溶
液を分析した結果、臭化物イオン２０ppm 、濃度４．７
重量％のトリ−ｎ−ブチルドデシルホスホニウムヒドロ
キシドを収率９２％で得た。
【００４１】参考例６ ３，５−ビス（メトキシカルボ
ニル）ベンゼンスルホン酸の合成 水中で十分に膨潤させたＮａ型強酸性陽イオン交換樹脂
（商品名「レバチットＳＰ−１１２」バイエル社製）２
００mlを内径２８mmのカラムに充填した。再生剤１０重
量％塩酸１０００ｇ（２．７モル）をカラムの下部より
ＳＶ１．０Ｈｒ -1の流速で、上昇流で供給して樹脂をＨ
型に再生した。次に、脱イオン水をＳＶ２．０Ｈｒ-1の
流速で、上昇流で約２００ml流して再生剤を押し出した
後、さらに脱イオン水３３００ｇをカラムの上部よりＳ
Ｖ２．０Ｈｒ-1の流速で下降流で流した。次いで、５重
量％の３，５−ビス（メトキシカルボニル）ベンゼンス
ルホン酸ナトリウム８０６ｇ（１３６ミリモル）をＳＶ
０．５Ｈｒ-1の流速でカラムの上部より下降流で供給
し、次に、脱イオン水をＳＶ２．０Ｈｒ-1の流速で下降
流で流しだし、主分画９２０ｇを得た。この溶液を分析
した結果、ナトリウムイオン２ppm 、濃度３．８重量％
の３，５−ビス（メトキシカルボニル）ベンゼンスルホ
ン酸を収率９４％で得た。
ニル）ベンゼンスルホン酸の合成 水中で十分に膨潤させたＮａ型強酸性陽イオン交換樹脂
（商品名「レバチットＳＰ−１１２」バイエル社製）２
００mlを内径２８mmのカラムに充填した。再生剤１０重
量％塩酸１０００ｇ（２．７モル）をカラムの下部より
ＳＶ１．０Ｈｒ -1の流速で、上昇流で供給して樹脂をＨ
型に再生した。次に、脱イオン水をＳＶ２．０Ｈｒ-1の
流速で、上昇流で約２００ml流して再生剤を押し出した
後、さらに脱イオン水３３００ｇをカラムの上部よりＳ
Ｖ２．０Ｈｒ-1の流速で下降流で流した。次いで、５重
量％の３，５−ビス（メトキシカルボニル）ベンゼンス
ルホン酸ナトリウム８０６ｇ（１３６ミリモル）をＳＶ
０．５Ｈｒ-1の流速でカラムの上部より下降流で供給
し、次に、脱イオン水をＳＶ２．０Ｈｒ-1の流速で下降
流で流しだし、主分画９２０ｇを得た。この溶液を分析
した結果、ナトリウムイオン２ppm 、濃度３．８重量％
の３，５−ビス（メトキシカルボニル）ベンゼンスルホ
ン酸を収率９４％で得た。
【００４２】実施例３ （トリ−ｎ−ブチルドデシルホスホニウム−３，５−ビ
ス（メトキシカルボニル）ベンゼンスルホネートの合
成）５０mlガラス製ナスフラスコに、参考例６に準じて
合成した３．８重量％の３，５−ビス（メトキシカルボ
ニル）ベンゼンスルホン酸水溶液１０．１０ｇ（１．４
ミリモル）を入れ攪拌し、また参考例５に準じて合成し
た２．８重量％トリ−ｎ−ブチルドデシルホスホニウム
ヒドロキシド水溶液２０．０３ｇ（１．４ミリモル）を
室温下、滴下漏斗より滴下した。その後、更に３時間熟
成を行った。これをロータリーエバポレータにて７０
℃、３mmHgまで濃縮し、純度９８％のトリ−ｎ−ブチル
ドデシルホスホニウム−３，５−ビス（メトキシカルボ
ニル）ベンゼンスルホネートを収率９６％で得た。
ス（メトキシカルボニル）ベンゼンスルホネートの合
成）５０mlガラス製ナスフラスコに、参考例６に準じて
合成した３．８重量％の３，５−ビス（メトキシカルボ
ニル）ベンゼンスルホン酸水溶液１０．１０ｇ（１．４
ミリモル）を入れ攪拌し、また参考例５に準じて合成し
た２．８重量％トリ−ｎ−ブチルドデシルホスホニウム
ヒドロキシド水溶液２０．０３ｇ（１．４ミリモル）を
室温下、滴下漏斗より滴下した。その後、更に３時間熟
成を行った。これをロータリーエバポレータにて７０
℃、３mmHgまで濃縮し、純度９８％のトリ−ｎ−ブチル
ドデシルホスホニウム−３，５−ビス（メトキシカルボ
ニル）ベンゼンスルホネートを収率９６％で得た。
【００４３】参考例７ トリ−ｎ−ブチルドデシルホス
ホニウムヒドロキシドの合成 水中で十分に膨潤させたＣｌ型強塩基性陰イオン交換樹
脂（商品名「アンバーライトＩＲＡ−４１０」オルガノ
社製）２２５mlを内径２８mmのカラムに充填した。再生
剤である６重量％苛性ソーダ水溶液３０００ｇ（４．５
モル）をカラムの下部よりＳＶ１．７Ｈｒ-1の流速で、
上昇流で供給して樹脂をＯＨ型に再生した。次に、脱イ
オン水をＳＶ２．２Ｈｒ-1の流速で、上昇流で約３００
ml流して再生剤を押し出した後、さらに脱イオン水１５
００ｇをカラムの上部よりＳＶ２．２Ｈｒ-1の流速で下
降流で流した。次いで、７重量％のトリ−ｎ−ブチルド
デシルホスホニウムブロマイド７７４ｇ（１２０ミリモ
ル）をＳＶ０．４Ｈｒ-1の流速でカラムの下部より上昇
流で供給し、次に、脱イオン水をＳＶ０．７Ｈｒ-1の流
速で上昇流で流し出し、主分画９３１ｇを得た。この溶
液を分析した結果、臭化物イオン２０ppm 、濃度４．６
重量％のトリ−ｎ−ブチルドデシルホスホニウムヒドロ
キシドを収率９２％で得た。
ホニウムヒドロキシドの合成 水中で十分に膨潤させたＣｌ型強塩基性陰イオン交換樹
脂（商品名「アンバーライトＩＲＡ−４１０」オルガノ
社製）２２５mlを内径２８mmのカラムに充填した。再生
剤である６重量％苛性ソーダ水溶液３０００ｇ（４．５
モル）をカラムの下部よりＳＶ１．７Ｈｒ-1の流速で、
上昇流で供給して樹脂をＯＨ型に再生した。次に、脱イ
オン水をＳＶ２．２Ｈｒ-1の流速で、上昇流で約３００
ml流して再生剤を押し出した後、さらに脱イオン水１５
００ｇをカラムの上部よりＳＶ２．２Ｈｒ-1の流速で下
降流で流した。次いで、７重量％のトリ−ｎ−ブチルド
デシルホスホニウムブロマイド７７４ｇ（１２０ミリモ
ル）をＳＶ０．４Ｈｒ-1の流速でカラムの下部より上昇
流で供給し、次に、脱イオン水をＳＶ０．７Ｈｒ-1の流
速で上昇流で流し出し、主分画９３１ｇを得た。この溶
液を分析した結果、臭化物イオン２０ppm 、濃度４．６
重量％のトリ−ｎ−ブチルドデシルホスホニウムヒドロ
キシドを収率９２％で得た。
【００４４】参考例８ ３，５−ビス（ヒドロキシエト
キシカルボニル）ベンゼンスルホン酸の合成 水中で十分に膨潤させたＮａ型強酸性陽イオン交換樹脂
（商品名「レバチットＳＰ−１１２」バイエル社製）２
００mlを内径２８mmのカラムに充填した。再生剤１０重
量％塩酸１０００ｇ（２．７モル）をカラムの下部より
ＳＶ１．０Ｈｒ -1の流速で、上昇流で供給して樹脂をＨ
型に再生した。次に、脱イオン水をＳＶ１．０Ｈｒ-1の
流速で、上昇流で約２００ml流して再生剤を押し出した
後、さらに脱イオン水３３００ｇをカラムの上部よりＳ
Ｖ５．０Ｈｒ-1の流速で下降流で流した。次いで、５重
量％の３，５−ビス（ヒドロキシエトキシカルボニル）
ベンゼンスルホン酸ナトリウム７１３ｇ（１００ミリモ
ル）をＳＶ０．５Ｈｒ-1の流速でカラムの上部より下降
流で供給し、次に、脱イオン水をＳＶ１．０Ｈｒ-1の流
速で下降流で流し出し、主分画８６０ｇを得た。この溶
液を分析した結果、ナトリウムイオン２ppm 、濃度３．
６重量％の３，５−ビス（ヒドロキシエトキシカルボニ
ル）ベンゼンスルホン酸を収率９３％で得た。
キシカルボニル）ベンゼンスルホン酸の合成 水中で十分に膨潤させたＮａ型強酸性陽イオン交換樹脂
（商品名「レバチットＳＰ−１１２」バイエル社製）２
００mlを内径２８mmのカラムに充填した。再生剤１０重
量％塩酸１０００ｇ（２．７モル）をカラムの下部より
ＳＶ１．０Ｈｒ -1の流速で、上昇流で供給して樹脂をＨ
型に再生した。次に、脱イオン水をＳＶ１．０Ｈｒ-1の
流速で、上昇流で約２００ml流して再生剤を押し出した
後、さらに脱イオン水３３００ｇをカラムの上部よりＳ
Ｖ５．０Ｈｒ-1の流速で下降流で流した。次いで、５重
量％の３，５−ビス（ヒドロキシエトキシカルボニル）
ベンゼンスルホン酸ナトリウム７１３ｇ（１００ミリモ
ル）をＳＶ０．５Ｈｒ-1の流速でカラムの上部より下降
流で供給し、次に、脱イオン水をＳＶ１．０Ｈｒ-1の流
速で下降流で流し出し、主分画８６０ｇを得た。この溶
液を分析した結果、ナトリウムイオン２ppm 、濃度３．
６重量％の３，５−ビス（ヒドロキシエトキシカルボニ
ル）ベンゼンスルホン酸を収率９３％で得た。
【００４５】実施例４ （トリ−ｎ−ブチルドデシルホスホニウム−３，５−ビ
ス（ヒドロキシエトキシカルボニル）ベンゼンスルホネ
ートの合成）５０mlガラス製ナスフラスコに、参考例８
に準じて合成した３．６重量％の３，５−ビス（ヒドロ
キシエトキシカルボニル）ベンゼンスルホン酸水溶液１
３．００ｇ（１．４ミリモル）を入れ攪拌し、また参考
例７に準じて合成した２．８重量％トリ−ｎ−ブチルド
デシルホスホニウムヒドロキシド水溶液２０．０３ｇ
（１．４ミリモル）を室温下、滴下漏斗より滴下した。
その後、更に３時間熟成を行った。これをロータリーエ
バポレータにて７０℃、３mmHgまで濃縮し、純度９５％
のトリ−ｎ−ブチルドデシルホスホニウム−３，５−ビ
ス（ヒドロキシエトキシカルボニル）ベンゼンスルホネ
ートを収率９４％で得た。
ス（ヒドロキシエトキシカルボニル）ベンゼンスルホネ
ートの合成）５０mlガラス製ナスフラスコに、参考例８
に準じて合成した３．６重量％の３，５−ビス（ヒドロ
キシエトキシカルボニル）ベンゼンスルホン酸水溶液１
３．００ｇ（１．４ミリモル）を入れ攪拌し、また参考
例７に準じて合成した２．８重量％トリ−ｎ−ブチルド
デシルホスホニウムヒドロキシド水溶液２０．０３ｇ
（１．４ミリモル）を室温下、滴下漏斗より滴下した。
その後、更に３時間熟成を行った。これをロータリーエ
バポレータにて７０℃、３mmHgまで濃縮し、純度９５％
のトリ−ｎ−ブチルドデシルホスホニウム−３，５−ビ
ス（ヒドロキシエトキシカルボニル）ベンゼンスルホネ
ートを収率９４％で得た。
【００４６】
【発明の効果】本発明の製造方法によれば、実質的にハ
ロゲンイオンやアルカリ金属イオンを含まない高純度の
スルホイソフタル酸ホスホニウム誘導体を工業的に有利
な方法で得ることができる。また、本発明の方法により
得られるスルホイソフタル酸ホスホニウム誘導体は、ポ
リエステル繊維やナイロンをカチオン可染にしたり、帯
電防止性及び抗菌性を付与させる単量体、またコーティ
ング剤や接着剤、塗料等の用途に有利に利用できる。
ロゲンイオンやアルカリ金属イオンを含まない高純度の
スルホイソフタル酸ホスホニウム誘導体を工業的に有利
な方法で得ることができる。また、本発明の方法により
得られるスルホイソフタル酸ホスホニウム誘導体は、ポ
リエステル繊維やナイロンをカチオン可染にしたり、帯
電防止性及び抗菌性を付与させる単量体、またコーティ
ング剤や接着剤、塗料等の用途に有利に利用できる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 稲葉 佳子 東京都江東区亀戸９丁目11番１号 日本化 学工業株式会社研究開発本部内 Ｆターム(参考） 4H050 AA02 BE60 WA13 WA19 WA28 WA29
Claims (3)
- 【請求項１】 下記一般式（１）； Ｒ1 Ｒ2 Ｒ3 Ｐ+ Ｒ4 ＯＨ- （１） （式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 及びＲ4 は同一又は異なって
もよく、炭素数１〜２０の直鎖又は分岐鎖状のアルキル
基、アリール基又はアラルキル基あるいはヒドロキシ基
又はアルコキシ基で置換されたアルキル基、アリール基
又はアラルキル基を示す。）で表されるホスホニウムヒ
ドロキシドと、下記一般式（２）； 【化１】 （式中、Ｒ5 は炭素数１〜８のアルキル基、ヒドロキシ
アルキル基又は水素原子を示す。）で表されるスルホイ
ソフタル酸誘導体とを水の存在下で反応させることを特
徴とするスルホイソフタル酸ホスホニウム誘導体の製造
方法。 - 【請求項２】 前記ホスホニウムヒドロキシドが、陰イ
オン交換樹脂に下記一般式（３）； Ｒ1 Ｒ2 Ｒ3 Ｐ+ Ｒ4 Ｘ- （３） （式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 及びＲ4 は前記と同じ、Ｘは
陰イオン原子を示す。）で表されるホスホニウム塩を接
触させてアニオン交換して得られるものである請求項１
記載のスルホイソフタル酸ホスホニウム誘導体の製造方
法。 - 【請求項３】 前記スルホイソフタル酸誘導体が、陽イ
オン交換樹脂に下記一般式（４）； 【化２】 （式中、Ｒ5 は前記に同じ。Ｍn+はｎ価の金属イオン又
はアンモニウムイオンを示し、ｎは１〜３の整数を示
す。）で表されるスルホイソフタル酸金属塩を接触させ
てカチオン交換して得られるものである請求項１又は２
記載のスルホイソフタル酸ホスホニウム誘導体の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10266035A JP2000095789A (ja) | 1998-09-21 | 1998-09-21 | スルホイソフタル酸ホスホニウム誘導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10266035A JP2000095789A (ja) | 1998-09-21 | 1998-09-21 | スルホイソフタル酸ホスホニウム誘導体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000095789A true JP2000095789A (ja) | 2000-04-04 |
Family
ID=17425492
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10266035A Pending JP2000095789A (ja) | 1998-09-21 | 1998-09-21 | スルホイソフタル酸ホスホニウム誘導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000095789A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008019249A (ja) * | 2006-06-14 | 2008-01-31 | Koei Chem Co Ltd | ホスホニウム塩、帯電防止剤及び帯電防止性樹脂組成物 |
| US8466242B2 (en) | 2011-02-28 | 2013-06-18 | Midori Renewables, Inc. | Polymeric acid catalysts and uses thereof |
| US9238845B2 (en) | 2012-08-24 | 2016-01-19 | Midori Usa, Inc. | Methods of producing sugars from biomass feedstocks |
-
1998
- 1998-09-21 JP JP10266035A patent/JP2000095789A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008019249A (ja) * | 2006-06-14 | 2008-01-31 | Koei Chem Co Ltd | ホスホニウム塩、帯電防止剤及び帯電防止性樹脂組成物 |
| US8466242B2 (en) | 2011-02-28 | 2013-06-18 | Midori Renewables, Inc. | Polymeric acid catalysts and uses thereof |
| US8476388B2 (en) | 2011-02-28 | 2013-07-02 | Midori Renewables, Inc. | Polymeric acid catalysts and uses thereof |
| US9079171B2 (en) | 2011-02-28 | 2015-07-14 | Midori Usa, Inc. | Polymeric acid catalysts and uses thereof |
| US9205418B2 (en) | 2011-02-28 | 2015-12-08 | Midori Usa, Inc. | Polymeric acid catalysts and uses thereof |
| US10131721B2 (en) | 2011-02-28 | 2018-11-20 | Cadena Bio, Inc. | Polymeric acid catalysts and uses thereof |
| US10787527B2 (en) | 2011-02-28 | 2020-09-29 | Cadena Bio, Inc. | Polymeric acid catalysts and uses thereof |
| US9238845B2 (en) | 2012-08-24 | 2016-01-19 | Midori Usa, Inc. | Methods of producing sugars from biomass feedstocks |
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