WO2007052387A1 - フィルム剥離方法およびフィルム剥離装置 - Google Patents

フィルム剥離方法およびフィルム剥離装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2007052387A1
WO2007052387A1 PCT/JP2006/313807 JP2006313807W WO2007052387A1 WO 2007052387 A1 WO2007052387 A1 WO 2007052387A1 JP 2006313807 W JP2006313807 W JP 2006313807W WO 2007052387 A1 WO2007052387 A1 WO 2007052387A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
film
wafer
peeling
tape
groove
Prior art date
Application number
PCT/JP2006/313807
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Masaki Kanazawa
Original Assignee
Tokyo Seimitsu Co., Ltd.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2005320636A external-priority patent/JP4817805B2/ja
Application filed by Tokyo Seimitsu Co., Ltd. filed Critical Tokyo Seimitsu Co., Ltd.
Priority to US12/084,473 priority Critical patent/US8052824B2/en
Priority to KR1020087010639A priority patent/KR100983910B1/ko
Priority to EP06780977A priority patent/EP1947688A4/en
Publication of WO2007052387A1 publication Critical patent/WO2007052387A1/ja

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36Removing material
    • B23K26/40Removing material taking account of the properties of the material involved
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H01L21/3043Making grooves, e.g. cutting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/10Methods of surface bonding and/or assembly therefor
    • Y10T156/1089Methods of surface bonding and/or assembly therefor of discrete laminae to single face of additional lamina
    • Y10T156/1092All laminae planar and face to face
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/11Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face
    • Y10T156/1168Gripping and pulling work apart during delaminating
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/19Delaminating means
    • Y10T156/195Delaminating roller means
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49815Disassembling
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49815Disassembling
    • Y10T29/49819Disassembling with conveying of work or disassembled work part
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49815Disassembling
    • Y10T29/49822Disassembling by applying force
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/53Means to assemble or disassemble
    • Y10T29/53683Spreading parts apart or separating them from face to face engagement

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

ウェーハ(20)の外周部を含む第一部分(121)と該第一部分よりも内方に位置する第二部分(122)とに貼付けられたフィルム(3)を剥離するフィルム剥離装置(100)において、ウェーハの第一部分のフィルムが第二部分のフィルムよりも上方に位置するように第一部分および/または第二部分を相対的に移動させる移動手段(61、62)と、第一および第二部分に貼付けられたフィルム上に剥離テープ(103)を繰出すテープ繰出手段(142)と、テープ繰出手段から繰出された剥離テープを第一部分のフィルムにのみ押付けて第一部分に沿って移動させることにより、フィルムをウェーハの第一および第二部分から剥離する剥離手段(146)とを具備するフィルム剥離装置が提供される。これにより、表面保護フィルムを剥離する際にウェーハが破損するのが防止される。

Description

明 細 書 フィルム剥離方法およびフィルム剥離装置 技術分野
本発明は、 ゥエー八の表面に貼付けられたフィルム、 特に表面保 護フィルムを剥離するのに使用されるフィルム剥離方法およびこの 方法を実施するためのフィルム剥離装置に関する。 背景技術
半導体製造分野においてはゥェ 八が年々大型化する傾向にあり 、 また、 実装密度を高めるためにクエー八の薄葉化が進んでいる ゥェ一八を薄葉化するためにゥェ一ハの裏面を研削するバックグラ イ ン ド (裏面研削) が行われている 。 ノ ックグライ ン ドを行う前に は、 ゥェ一ハの表面に形成された半導体素子を保護するために 、 表 面保護フィルムがゥエーハの表面に貼付られる。 その後 、 ゥェ ―八 表面を吸着テーブルに吸着させた状態で、 ゥエー八の裏面が研削さ れる。
ところで、 公知であるようにゥエー八の外周部には発塵防止のた めに面取部が形成されており、 ゥエーハ縁部における断面は先端に 向かって幅狭になっている。 近年では大幅な裏面研削を行う ことが 耍求されているので、 ゥエー八の厚さの半分を越えて裏面研削を行 う場合には、 裏面研削後のゥエー八の厚さより もさ らに薄いテーパ 状の部分がゥエー八の外周部に形成されるようになる。
このような問題に対し、 特開 2 0 0 0—— 1 7 3 9 6 1 号公報には 、 ゥェ一八の外周部の面取部と平坦部との間の境界に切込みを形成 し、 ゥエー八の厚さが切込み深さより も薄くなるまでゥエーハを裏 面研削することが開示されている。 しのような場合には、 ゥエーハ の外周部に割れまたは欠け等が発生したと してち、 これら割れまた は欠けの進行は切込み位置で停止する 。 従って 、 ゥェ —八の平坦部 に設けられた半導体素子が不良となるのが抑制される (例えば、 特 開 2 0 0 0 — 1 7 3 9 6 1号公報参ハ昭、、
しかしながら、 表面保護フィルムの貼付とゥエ ー八の裏面研削と は一体不可分の関係にあり、 ゥェ ―八の裏面研削を行う際には半導 体素子を保護するために表面保護フィ ルムを必ず貼付ける必要があ 。 そして、 裏面研削後はゥェ一八の厚みがかなり小さ <なるので
、 裏面研削後に表面保護フィルムを剥離する際にも、 ゥェ一八の半 導体素子が破損するのを防止する必要力 ある。
一方、 引用文献 1 に記載の装置によつて裏面研削時にゥェ一八に 割れまたは欠けが発生するのを抑制できるものの、 裏面研削後に表 面保護フィルムを剥離するときには、 ゥエ ー八の外周部から割れま たは欠けが発生する可能性がある。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、 フィルム 、 特にゥェ一ハ表面に貼付られた表面保護フィルムを剥離する際に ゥエ ー八が破損するのを防止することのできるフィルム剥離方法お よびこの方法を実施するフィルム剥離装置を提供することを目的と する。 発明の開示
前述した目的を達成するために 1 番目の態様によれば、 ゥエ ーハ の外周部を含む第一部分と該第一部分より も内方に位置する第二部 分とに貼付けられたフィルムを剥離するフィルム剥離方法において 、 前記第一部分のフィルムが前記第二部分のフィ ルムより も上方に なるように前記ゥエ ー八の前記第一部分およびノまたは前記第二部 分を相対的に移動させ HIJ 己第一および第二部分に貼付けられた前 記フィルム上に剥離丁 プを繰出し、 前記剥離テープを介して剥離 手段を前記第一部分のフイ レムにのみ押付け、 前記剥離手段を HU記 第一部分に沿つて移動させることにより前記フィルムを前記ゥ ハの第一および第 部分から剥離するようにしたフィルム剥離方法 が提供される。
すなわち 1番 の能様においては、 第一部分を第二部分より も上 方に位置させて 剥離テ プを介して剥離手段を第一部分にのみ押 し付けるようにしているので、 剥離手段からの負荷はゥエーハの第 一部分、 すなわちゥ 八の外周部を含む部分にのみ掛かるように なる。 この第一部分は将来的に使用 しない部位であるので、 第一部 分に割れまたは欠けが発生したと しても、 半導体素子が形成されて いる第二部分には割れまたは欠けの影響は無い。 従って、 1番目の 態様においては、 裏面研削後のゥエー八の第二部分が破損すること なしに、 フィルムを剥離することができる。
2番目の態様によれば、 ゥ 八の一面において前記ゥ 八の 外周部全体に沿って該外周部より も内側に溝を形成し、 該溝が形成 された前記ゥェ一八の前記一面にフィルムを貼付け、 少なく とも前 記溝の底部に到達するまで、 前記ゥ 八の前記一面とは反対側の 面を研削し、 それにより、 前記ゥ ハは前記外周部を含む第一部 分と該第一部分よ .り も内方に位置する第二部分とに分割されるよう になり、 さ らに、 前記第一部分のフィルムが前記第二部分のフィル ムより も上方に位置するように前記ゥ 八の前記第一部分および または前記第二部分を相対的に移動させ、 前記第一および第二部 分に貼付けられた前記フィルム上に剥離テープを繰出し、 前記剥離 テープを介して剥離手段を前記第一部分のフィルムにのみ押付け、 前記剥離手段を前記第一部分に沿って移動させることにより前記フ イルムを前記ゥエー八の第一および第二部分から剥離するようにし たフィルム剥離方法が形成される。
すなわち 2番目の態様においては、 第一部分を第二部分より も上 方に位置させて、 剥離テープを介して剥離手段を第一部分にのみ押 し付けるようにしているので、 剥離手段からの負荷はゥェ一八の第 一部分、 すなわちゥエー八の外周部を含む部分にのみ掛かるように なる。 この第一部分は将来的に使用 しない部位であるので、 第一部 分に割れまたは欠けが発生したとしても、 半導体素子が形成されて いる第二部分には割れまたは欠けの影響は無い 。 従って、 3番目の 態様においては、 裏面研削後のゥエー八の第一部分が破損すること なしに、 フイ ルムを剥離することができる。 さ らに、 3番目の態様 においては 、 ゥェ一八の一面とは反対側の面 、 すなわち裏面を研削 するときに 、 ゥエー八の外周部から進行しうる割れまたは欠けが溝 の位置で停止するので、 裏面研削時に生じうる割れまたは欠けの発 生をゥェ一八の外周部を含む部分、 つまり第一部分のみに留めるこ とが可能となる。
3番目の態様によれば、 ゥエー八の一面にフイ ルムを貼付け、 前 記ゥエー八の前記一面とは反対側の面を研削し 、 前記ゥェ一ノヽの前 記反対側の面において前記ゥエー八の外周部全体に沿って該外周部 より も内側に前記一面に到達するまで溝を形成し、 それにより、 前 記ゥエーハは前記外周部を含む第一部分と該第一部分より も内方に 位置する第二部分とに分割されるようになり、 さ らに、 前記第一部 分のフィルムが前記第二部分のフィルムより も上方に位置するよう に前記ゥェ一八の前記第一部分および または前記第二部分を相対 的に移動させ、 前記第一および第二部分に貼付けられた前記フィル ム上に剥離テープを繰出し、 前記剥離テープを介して剥離手段を前 記第一部分のフィルムにのみ押付け、 前記剥離手段を前記第一部分 に沿って移動させることにより前記フィルムを前記ゥエー八の第一 および第二部分から剥離するようにしたフィルム剥離方法が提供さ れる。
すなわち 3番目の態様においては、 2番目の態様と同様な効果を 得ることができる。
4番目の態様によれば、 2番 または 3番目の態様において、 レ 一ザによって改質領域を前記ゥェ一八内部に形成することにより、
j記溝が形成される。
すなわち 4番目の態様においては、 ゥエー八の表面に切断予定線 から外れた割れ等が生じること i * s、しに、 およびゥェ一八の表面を溶 融させること無しに、 ゥェ一八に溝を形成することができる。
5番目の態様によれば、 1番巨から 4番目のいずれかの態様にお いて、 前記溝が前記ゥエー八の面取部と平坦部との間の境界線上ま たは該境界線より も内側に形成されている。
すなわち 5番目の態様においては、 剥離手段が第二部分を押圧し ない程度に大きい段差を形成するために、 第一部分および または 第二部分の移動量を少なくする とができる。
6番目の態様によれば、 ヴェ一八の外周部を含む第一部分と該第 一部分より も内方に位置する第 ―部分とに貼付けられたフィルムを 剥離するフィルム剥離装置において、 前記ゥエー八の前記第一部分 のフィ ルムが前記第二部分のフィルムより も上方に位置するよう に 前記第一部分およびノまたは前記第二部分を相対的に移動させる移 動手段と、 前記第一および第二部分に貼付けられた前記フィ ルム上 に剥離テープを繰出すテープ繰出手段と、 前記テープ繰出手段から 繰出された前記剥離テープを前記第一部分のフィ ルムにのみ押付け て前記第一部分に沿って移動させることにより、 前記フィルムを前 記ゥエー八の前記第一および第二部分から剥離する剥離手段とを具 備するフィ ルム剥離装置が提供される。
すなわち 6番目の態様においては、 第一部分を第二部分より も上 方に位置させて、 剥離テープを介して剥離手段を第一部分にのみ押 し付けるようにしているので、 剥離手段からの負荷はゥエー八の第 一部分、 すなわちゥエー八の外周部を含む部分にのみ掛かるように なる。 この第一部分は将来的に使用 しない部位であるので、 第一部 分に割れまたは欠けが発生したとしても、 半導体素子が形成されて いる第二部分には割れまたは欠けの影響は無い。 従って、 6番目の 態様においては、 裏面研削後のゥェ一八の第二部分が破損すること なしに、 フィルムを剥離することができる。
7番目の態様によれば、 ゥェ一八の一面において前記ゥエー八の 外周部全体に沿って該外周部より も内側に溝を形成する溝形成手段 と、 該溝が形成された前記ゥエー八の前記一面にフィルムを貼付け るフィルム貼付手段と、 少なく とも前記溝の底部に到達するまで、 前記ゥエー八の前記一面とは反対側の面を研削する研削手段とを具 備し、 それにより、 前記ゥエーハは前記外周部を含む第一部分と該 第一部分より も内方に位置する第二部分とに分割されるようになり 、 さ らに、 前記ゥエー八の前記第一部分のフィルムが前記第二部分 のフィルムより も上方に位置するように前記第一部分および また は前記第二部分を相対的に移動させる移動手段と、 前記第一および 第二部分に貼付けられた前記フィルム上に剥離テープを繰出すテー プ繰出手段と、 前記テープ繰出手段から繰出された前記剥離テープ を前記第一部分のフィルムにのみ押付けて前記第一部分に沿って移 動させることにより、 前記フィルムを前記ゥエー八の前記第一およ び第二部分から剥離する剥離手段とを具備するフィルム剥離装置が 提供される。
すなわち 7番目の態様においては、 第一部分を第二部分より も上 方に位置させて、 剥離テープを介して剥離手段を第一部分にのみ押 し付けるようにしているので、 剥離手段からの負荷はゥエー八の第 一部分、 すなわちゥエー八の外周部を含む部分にのみ掛かるように なる。 この第一部分は将来的に使用 しない部位であるので、 第一部 分に割れまたは欠けが発生したと しても、 半導体素子が形成されて いる第二部分には割れまたは欠けの影響は無い。 従って、 7番目の 態様においては、 裏面研削後のゥエー八の第二部分が破損すること なしに、 .フィルムを剥離することができる。 さ らに、 7番目の態様 においては 、 ゥエー八の一面とは反対側の面 、 すなわち裏面を研削 するとさに 、 ゥエー八の外周部から進行しう る割れまたは欠けが溝 の位置で停止するので、 裏面研削時に生じうる割れまたは欠けの発 生をゥェ一八の外周部を含む部分、 つまり第一部分のみに留めるこ とが可能となる。
8番巨の態様によれば、 ゥエー八の一面にフイルムを貼付けるフ イルム貼付手段と、 前記ゥエー八の前記一面とは反対側の面を研削 する研削手段と、 前記ゥエー八の反対側の面において前記ゥエー八 の外周部全体に沿って該外周部より も内側に前記一面に到達するま で溝を形成する溝形成手段とを具備し、 それにより、 前記ゥエーハ は前記外周部を含む第一部分と該第一部分より も内方に位置する第 二部分とに分割されるようになり、 さ らに、 前記ゥエー八の前記第 一部分のフィルムが前記第二部分のフィ ルムより も上方に位置する ように前記第一部分および Zまたは前記第二部分を相対的に移動さ せる移動手段と、 前記第一および第二部分に貼付けられた前記フィ ルム上に剥離テープを繰出すテープ繰出手段と、 前記テープ繰出手 段から繰出された前記剥離テープを前記第一部分のフイルムにのみ 押付けて前記第一部分に沿って移動させることにより、 前記フィル ムを前記ゥエー八の前記第一および第二部分から剥離する剥離手段 とを具備するフィルム 離装置が提供される。
すなわち 8番目の態様においては、 7番目の態様と同様な効果を 得ることができる。
9番目の態様によれば、 7番目または 8番目の態様において、 レ —ザによって改質領域を前記ゥエーハ内部に形成することにより、 前記溝が形成される。
すなわち 9番目の態様においては、 ゥエー八の表面に切断予定線 から外れた割れ等が生じること無しに、 およびゥエー八の表面を溶 融させること無しに、 ゥェ一八に溝を形成することができる。
1 0番目の態様によれば、 6番目から 9番目のいずれかの態様に おいて、 前記溝が前記ゥエー八の面取部と平坦部との間の境界線上 または該境界線より ち内側に形成されている。
すなわち 1 0番巨の能ノ 、様においては、 剥離手段が第二部分を押圧 しない程度に大きい段差を形成するために 、 第一部分および Zまた は第二部分の移動 を少なくすることがでさる
各態様によれば 、 ゥェ一八表面に貼付られたフイルムを剥離する 際にゥエーハが破損するのを防止することがでさるという共通の効 果を奏しうる。
さ らに 、 2番目および 3番目の態様によれば、 裏面研削時に生じ うる割れまたは欠けの発生を第一部分のみに留めることが可能とな るという効果を奏しうる
さ らに 、 4番目の態様によれば 、 ゥエーハの表面を溶融させるこ とが無くなるという効果を奏しうる
さ らに 、 5番目の態様によれば 、 第一部分およびノまたは第二部 分の移動量を少なくすることができるという効果を奏しうる。
さ らに 、 7番目および 8番目の態様によれば、 裏面研削時に生じ うる割れまたは欠けの発生を第一部分のみに留めることが可能とな るという効果を奏しうる。
さらに、 9番目の態様によれば、 ゥエー八の表面を溶融させるこ とが無くなるという効果を奏しうる。
さらに、 1 0番目の態様によれば、 第一部分および または第二 部分の移動量を少なくすることができるという効果を奏しうる。 図面の簡単な説明
図 1 は、 本発明に基づくゥエーハ処理装置を示す略図である。 図 2は、 ゥェ一八を示す図である。
図 3 aは、 先ダイシングュニッ 卜におけるダイシング状態を示す 図である。
図 3 bは、 貼付ユニッ トにおける表面保護フィ ルムの貼付状態を 示す図である。
図 4は、 レーザ · ダイシングを説明するための側断面図である。 図 5 aは、 裏面研削ュニッ 卜における裏面研削の状態を示す略側 面図である。
図 5 bは、 裏面研削後のゥエー八の状態を示す略側面図である。 図 6は、 剥離ュニッ トにおけるゥエー八の状態を説明するための 図である。
図 7は、 保持テーブルの平面図である。
図 8 aは、 剥離ユニッ トにおける表面保護フィルムの剥離作用を 説明するための第一の図である
図 8 bは、 剥離ュニッ 卜における表面保護フィルムの剥離作用を 説明するための第二の図である。
図 8 c は、 剥離ュニッ 卜における表面保護フィルムの剥離作用を 説明するための第三の図である。
図 9 aは、 裏面研削ユニッ トにおける裏面研削の状態を示す他の 略側面図である。
図 9 bは、 図 9 aでの裏面研削後におけるゥェ一八の状態を示す 略側面図である。
図 9 c は、 さらに、 裏面研削後に溝を形成したゥ 八の状態を 示す略側面図である。 発明を実施するための最良の形能
以下、 添付図面を参照して本発明の実施形態を説明する。 以下の 図面において同一の部材には同一の参照符号が付けられている。 理 解を容易にするために れら図面は縮尺を適宜変更している。
図 1 は本発明に基づ <ゥェ―ハ処理装置を示す略図である。 さら に、 図 2は、 ゥ ハを示す図である。 図 2 に示されるように、 ゥ ハ 2 0 の表面 2 1 には 、 前工程において複数.の回路パターン C が格子状に形成されている 。 図 2から分かるように、 全ての回路パ ターン Cはゥェ一ハ 2 0の平坦部 2 7上に形成されており、 平坦部
2 7周りに位置するゥ X 八 2 0の外周部は面取部 2 8 として形成 されている。 なお、 ゥ X ―八 2 0の裏面 2 2 には、 このような回路 パターン Cは形成されていない 。 図 1 に示されるゥ ハ処理装置
1 0 0 には、 このようなゥ ハ 2 0力 供給されるものとする。 図 1 に示されるように、 ゥエーハ処理装置 1 0 0は、 ゥエーハ 2 0の表面 2 1 に溝または切込を形成する先ダイシングュニッ 卜 1 5 0 と、 ゥ ハ 2 0の表面 2 1 に表面保護フィルム 3 を貼付るため の貼付ュニッ ト 2 0 0 と、 ゥ ハ 2 0 を上下反転させる反転ュニ ッ 卜 3 0 0 と、 ゥ ハ 2 0の裏面 2 2 を研削する裏面研削ュニッ 卜 3 5 0 と、 ゥェ一ハ 2 0の表面保護フィルム 3 に紫外線 (U V ) を照射する U V照射ュニッ ト 4 0 0 と、 ゥ ハ 2 0 の表面保護フ イルム 3 を剥離する剥離ュニッ ト 5 0 0 とを含んでいる。 ゥ 八 処理装置 1 0 0 の各ュニッ 卜間においては、 ゥエーハ 2 0 を移動さ せるために移動装置、 例えばロボッ トアーム等が使用されるが、 こ れらは一般的な装置であるので図示および説明を省略する。
ゥエーハ 2 0 はゥエーハ処理装置 1 0 0 の先ダイ シングュニッ ト 1 5 0 に最初に供給される。 先ダイシングュニッ ト 1 5 0 において は、 ゥエーハ 2 0の表面 2 1 がダイシングされる。 図 3 aは、 先ダ イ シングュニッ 卜におけるダイシング状態を示す図である。 図 3 a に示されるように、 ゥエーハ 2 0 は表面 2 1 が上方を向く ように配 置され、 比較的小型のダイ シングブレー ド 1 5 1 によってゥエーハ 2 0 の表面 2 1 に溝 2 5が形成される。 図 3 a においては、 溝 2 5 はゥェ一ハ 2 0 の面取部 2 8 と平坦部 2 7 との間の境界線上に形成 されているが、 溝 2 5が境界線より も平坦部 2 7側に形成されるよ うにしてもよい。 ダイ シングブレー ド 1 5 1 をゥエーハ 2 0の外周 部全体に沿って相対的に移動させることによ り、 環状の溝 2 5が形 成される。 なお、 図 3 aに示される溝 2 5 の深さはゥエーハ 2 0の 厚さのほぼ半分であるが、 溝 2 5がこれより浅くてもよい。
ところで、 図 3 aにおいてはダイ シングブレー ド 1 5 1 によって 溝 2 5 を形成している力 他の方法によって溝 2 5 を形成するよう にしてもよい。 また、 レーザ · ダイ シング装置によって溝 2 5 を形 成することもできる。
図 4は、 レーザ. ' ダイシングを説明するための側断面図である。 図 4 においては、 多光子吸収が生じる条件で、 図示しないレーザ源 から レーザ Vが集光レンズ 8 5 を介してゥェ一ハ 2 0の表面 2 1側 に照射される。 このとき、 集光点 8 4はゥエーハ 2 0内部の表面 2 1 にいくぶん近い側に合わせられている。 これにより、 集光点 8 4 周り には改質領域が形成される。 次いで、 レーザ Vおよび集光レン ズ 8 5 を矢印 X 3 に沿って移動させると、 帯状の改質領域 8 6がゥ エーハ 2 0 内部に形成されるようになる。
レーザ . ダイ シングにおいては、 ゥエーハ 2 0 にレーザ Vを透過 させゥエーハ 2 0の内部に多光子吸収を発生させて改質領域を形成 している。 従って、 ゥエーハ 2 0の表面 2 1 においてはゥエーハ 2 0 にレーザ Vはほとんど吸収されず、 その結果、 ゥエーハ 2 0の表 面 2 1 が溶融することはなく、 また、 ゥエー八の表面に切断予定線 から外れた割れ等が生じることもない。
改質領域 8 6 は表面 2 1 にいくぶん近い側に形成されているので
、 改質領域 8 6が表面 2 1 に向かつて厚さ方向に自然に割れると、 レーザ Vの幅に応じた溝 2 5が形成されるようになる
次いで、 ヴェ ―ハ 2 0 は先ダイ シングュ二ッ 卜 1 5 0から貼付ュ ニッ ト 2 0 0 まで移送される。 図 3 bは、 貼付ュニッ トにおける表 面保護フィルム 3 の貼付状態を示す図であ 図 3 bに示されるよ うに、 貼付ュニッ ト 2 0 0 においては 、 表面保護フィルム 3がゥェ 一八 2 0の表面 2 1 に貼付される。 表面保護フイルム 3 は後工程で あるノ ックダラィ ン ドエ程において 、 ヴェ一八 2 0 の表面 2 1 に形 成された回路パ夕ーン Cを 護 Tる役目を果たす。
表面保^フィルム 3 の貼付後、 ゥェ一八 2 0 は貼付ユニッ ト 2 0
0から反転ュ二ッ 卜 3 0 0 に移送され ό。 反転ュこッ 卜 3 0 0 は、 ゥエーハ 2 0 を反転させる役目を果たす。 貼付ユニッ ト 2 0 0 にお いて表面 2 1 に表面保護フィルム 3が貼付けられたゥエーハ 2 0 は 、 その表面 2 1 が上方を向いている。 従って、 反転ユニッ ト 3 0 0 においてはこのようなゥエーハ 2 0が上下反転され、 表面保護フィ ルム 3が貼付られたゥェ一ハ 2 0 の表面 2 1 が下方を向く ようにな る。 当然のことながら、 ゥエーハ 2 0 を反転させることなしに、 ゥ エーハ 2 0が反転ュニッ 卜 3 0 0 を単に通過するようにすることも 可能である。 反転ュニッ ト 3 0 0 において反転されたゥエ ーハ 2 0 は、 図 1 に 示される裏面研削ュニッ ト 3 5 0 に供給される。 ゥエ ーハ 2 0 は裏 面 2 2が上方を向いた状態で裏面研削ュニッ ト 3 5 0 に供給される 。 図 5 aは、 裏面研削ユニッ トにおける裏面研削の状態を.示す略側 面図である。 図 5 a に示されるように、 裏面研削ュ ―ッ 卜 3 5 0 に おいてはゥエ ーハ 2 0 の表面 2 1 が図示しない吸着部により吸着さ れる。 前述したように 、 貼付ユニッ ト 2 0 0 においてゥェ一ハ 2 0 の表面 2 1 には表面保護フィルム 3が貼付られているので、 ゥエ ー ハ 2 0 の表面 2 1 が吸着されている場合であつてち 、 表面 2 1 に形 成された回路パ夕 ―ン Cは損傷を受けない。
次いで、 ゥエ ー八 2 0の裏面 2 2 には研削部 8 1 が配置され、 図
5 aに示されるように研削部 8 1 がゥエ ーハ 2 0の裏面 2 2上を矢 印方向に往復運動する 。 裏面研削後のゥエ ー八の状メ 、を示す略側面 図である図 5 に示 aれるように、 ゥェ一ハ 2 0 の裏面 2 2 は研削 部 8 1 によって少なく とも溝 2 5の底部に到達するまで研削される
。 当然のことながら、 溝 2 5の底部を越えてさ らに裏面研削するよ うにしてもよい。 これにより、 ゥェ一八 2 0 の厚さは当初の厚さ L
0から研削後厚さ L 0 ' まで低減し、 研削部 8 1 が停止する。
これにより、 ゥェ一ハ 2 0 は、 ゥエーハ 2 0 の外周部を含む環状 の第一部分 1 2 1 と、 第一部分 1 2 1 の内方に位置する第二部分 1 2 2 とに分割される。 溝 2 5が面取部 2 8 と平坦部 2 7 との間の境 界線 x l (図 2 を参照されたい) 上に形成されている場合には、 第 一部分 1 2 1 はゥェ一ハ 2 0の面取部 2 8全体を含むリ ング型の部 分であり、 第二部分 1 2 2 は平坦部 2 7全体を含む部分になる。 ゥ ェ一ハ 2 0 の外周部である面取部 2 8 の厚さが小さいので、 ゥエ ー 八の厚さの半分を越えて裏面研削すると、 面取部 2 8から割れまた は欠けなどが発生する可能性がある。 しかしながら、 第一部分 1 2 1 は将来的に使用 しない部位であ Ό、 また面取部 2 8より も内側に 位置するリ ング型の溝 2 5が形成されているので 、 第一部分 1 2 1 に割れまたは欠けなどが発生したと しても、 割れまたは欠けの進行 は溝 2 5 において停止する。 つまり 、 本発明においては、 このよう な割れまたは欠けなどは回路パ夕一ン Cが形成された第二部分 1 2
2 まで進行することはない。
裏面研削後においてはゥエーハ 2 0の裏面 2 2 ' はダイ シングテ
ープ 3 1 に貼付けられ、 このダイシノグテープ 3 1 が裏面研削ュニ ッ ト 3 5 0 に供給されるダイ シングフ レーム 1 5 (図 1 を参照され たい) に固定される。 ダイ シングフレ一ム 1 5 は裏面研削により厚 さが小さ く されたゥェ一八 2 0の取 Ό扱いを容易にする役目を果た
次いで、 図 1 を参照して分かるように 、 ゥエーハ 2 0 は裏面研削 ユニッ ト 3 5 0から反転ュニッ 卜 3 0 0 に再び戻される。 反転ュニ ッ 卜 3 0 0 においてはゥェ一八 2 0 は再度、 上下反転され、 それに より、 ゥェ一ハ 2 0の表面 2 1 が上方を向くようになる。
ところで、 或る種類の表面保護フィ ルム 3 においては、 所定量の 紫外線を照射されると、 表面保護フィ ルム 3の接着力が低下するも のが存在する。 このような表面保護フィ ルム 3 を採用されている場 合には、 図 1 に示されるゥエーハ処理装置 1 0 0の紫外線照射ュニ ッ 卜、 すなわち U V照射ュニッ 卜 4 0 0 を利用することができる。 ゥェ一ハ 2 0 はダイ シングフレーム 1 5 と一緒に U V照射ュニッ ト 4 0 0 に供給される。 U V照射ユニッ ト 4 0 0 においては、 U Vラ ンプ 4 9 0 により所定量の紫外線を表面保護フィルム 3 に照射し、 次いで、 ゥエーハ 2 0 を剥離ユニッ ト 5 0 0 に供給する。 なお、 紫 外線の照射により接着力が変化しない表面保護フィルム 3 を使用す る場合には、 U V照射ュニッ ト 4 0 0 においてゥェ一ハ 2 0 に紫外 線を照射する必要はないので、 ゥエーハ 2 0 は U V照射ュニッ ト 4 0 0 を単に通過される。
最終的に、 ゥエーハ 2 0はゥエーハ処理装置 1 0 0の剥離ュニッ ト 5 0 0 に供給される。 図 6 は、 剥離ユニッ トにおけるゥエー八の 状態を説明するための図である。 図 6 に示されるように、 剥離ュニ ッ ト 5 0 0 は、 ゥエーハ 2 0 の第一部分 1 2 1 および第二部分 1 2 2 をそれぞれ保持するための保持テーブル 6 1 、 6 2、 例えば吸着 テーブルを備えている。 これら保持テーブル 6 1 、 6 2 は保持面に 対して垂直に互いに独立して移動することができる。 図 7 は、 保持 テーブルの平面図である。 図 7から分かるように、 これら保持テー ブル 6 1 、 6 2 はそれぞれゥエーハ 2 0の第一部分 1 2 1 、 第二部 分 1 2 2 に対応した形状をしている。 また、 図面においては溝 2 5 の幅に対応する隙間がこれら保持テーブル 6 1 、 6 2 の間に形成さ れているが、 保持テーブル 6 1 、 6 2の間の隙間は形成されていな くてもよい。
初期状態においては、 これら保持テーブル 6 1 、 6 2 の保持面は 同一平面になっている。 従って、 剥離ユニッ ト 5 0 0 に移送された ゥエーハ 2 0 は、 第一部分 1 2 1 が保持テーブル 6 1 に保持されつ つ第二部分 1 2 2が保持テーブル 6 2 に保持されるように、 これら 保持テーブル 6 1 、 6 2 に保持される。 なお、 図面においては、 ゥ ェ一ハ 2 0 のダイシングフ レーム 1 5 は保持されていないものの、 実際にはダイ シングフ レーム 1 5用の保持手段 (図示しない) によ り適切に保持されているものとする。 そして、 表面保護フィ ルム 3 の剥離時にはダイシングフレーム 1 5用の保持手段を適宜昇降する こともできる。
また、 図 6 に示されるように、 剥離ユニッ ト 5 0 0 には、 昇降可 能でかつ水平移動可能な剥離ローラ 1 4 6が設けられている。 図示 されるように、 剥離ローラ 1 4 6 の長さはゥエーハ 2 0 の直径より も大きい。 また、 剥離テープ 1 0 3がテープ繰出手段 1 4 2から繰 出されている。 この剥離テープ 1 0 3 は剥離ローラ 1 4 6 を介して テープ卷取手段 (図示しない) に巻取られるようになつている。
図 8 aから図 8 c は、 剥離ュニッ 卜における表面保護フィルムの 剥離作用を説明するための図である。 図 8 aに示されるように、 ゥ エーハ 2 0 の第一部分 1 2 1 および第二部分 1 2 2が保持テーブル 6 1 , 6 2 にそれぞれ保持されると、 外側の保持テーブル 6 1 がわ ずかながら上昇し、 保持テーブル 6 1 と保持テーブル 6 2 との間に 段差が形成される。 このときの保持テーブル 6 1 の上昇高さは、 表 面保護フィ ルム 3およびダイ シングテープ 3 1 が引き千切られない 程度に小さいが、 後述する剥離ローラ 1 4 6の弾性変形量より も大 きいものとする。 ゥエーハ 2 0 の第一部分 1 2 1 および第二部分 1 2 2 は表面保護フィ ルム 3 とダイシングテープ 3 1 とによって互い に連結されているので、 保持テーブル 6 1 が上昇されると、 これら 表面保護フィルム 3およびダイ シングテープ 3 1 はその分だけ伸び るよ.うになる。
次いで、 図 8 bに示されるように、 剥離ローラ 1 4 6 を下降させ ることにより、 剥離ローラ 1 4 6がわずかに弾性変形する程度に、 剥離テープ 1 0 3 を介してゥエーハ 2 0 の第一部分 1 2 1 を押圧す る。 剥離ローラ 1 4 6の押圧位置は、 第一部分 1 2 1 の外周部近傍 であるのが好ましく、 また剥離ローラ 1 4 6 は第二部分 1 2 2 を押 圧しないようにする。 このような押圧作用によって、 押圧箇所にお ける剥離テープ 1 0 3 と表面保護フィルム 3 との間の接着力は、 ゥ エーハ 2 0 の第一部分 1 2 1 と表面保護フィルム 3との間の接着力 より も大きくなる。 また、 第一部分 1 2 1 とダイシングテープ 3 1 との間の接着力は、 表面保護フィ ルム 3 と剥離テープ 1 0 3 との間 の接着力より も大きい。
その後、 図 8 c に示されるようにテープ巻取手段 (図示しない) により剥離テープ 1 0 3 を巻取つつ 、 剥離ローラ 1 4 6 をゥエーハ
2 0の表面に対して平行に移動させる。 これによ Ό 、 前述した押圧 箇所が剥離開始箇所、 つま り剥離のきっかけとして機能し、 表面保 護フィルム 3がゥェ一ハ 2 0 の第一部分 1 2 1 から剥離されるよう になる。 ゥエーハ 2 0の第一部分 1 2 1 と第二部分 1 2 2 とは表面 保護フィルム 3 によって連結されているので、 剥離テープ 1 0 3が さ らに巻取られると、 第二部分 1 2 2の表面保護フィルム 3が続い て剥離されるようになる。
次いで、 剥離ローラ 1 4 6がゥェ一八 2 0の表面に対して平行に さ らに移動すると、 剥離開始箇所とは反対側の第一部分 1 2 1 にお ける表面保護フィルム 3が剥離され 、 それによ 、 表面保護フィル ム 3がゥエーハ 2 0全体から完全に剥離されるようになる。
前述したようにゥエーハ 2 0の第一部分 1 2 1 は環状であると共 に剥離ローラ 1 4 6がゥエーハ 2 0 の直径より 長いので、 第二部 分 1 2 2の表面保護フィ ルム 3が剥離されているとさであっても、 剥離ローラ 1 4 6 は第一部分 1 2 1 のみを押圧していて、 剥離ロー ラ 1 4 6が第二部分 1 2 2 を押圧することはない まり、 本発明 においては、 剥離ローラ 1 4 6からの負荷が第二部分 1 2 2 には掛 からない。 従って、. 剥離ローラ 1 4 6の押圧作用によってゥエー八 2 0の第二部分 1 2 2 に割れまたは欠けなどが生じることもない。 それゆえ、 本発明においては、 第二部分 1 2 2 の回路パターン Cも 損傷することはないので、 最終的に形成される半導体素子の歩留ま り向上が可能となる。
再び図 1 を参照すると、 表面保護フィ ルム 3が剥離されたゥェ一 ハ 2 0 はダイ シングフレーム 1 5 と一緒に剥離ュニッ ト 5 0 0から ダイ シング装置 6 0 0 まで移送され、 通常のダイシング処理が行わ れる。
図示される実施形態においては第一部分 1 2 1 と第二部分 1 2 2 との間の溝 2 5 は、 ゥェ一ハ 2 0の平坦部 2 7 と面取部 2 . 8 との間 の境界線 X 1 上に形成されている 。 このように 、 本発明においては 溝 2 5 を境界線 X 1 上かまたは境界線 X 1 より も内側に形成するの が好ましい。 このような場合には 、 第一部分 1 2 1 の内周部高さと 第二部分 1 2 2 の外周部高さとが等しくなるので 、 第一部分 1 2 1 をわずかに上昇させることのみによって、 剥離 □ーラ 1 4 6が第二 部分 1 2 2 を押圧しない程度に大きい段差を容易に形成することが できる。 また、 このときには第一部分 1 2 1 の上昇両が比較的小さ いので、 表面保護フィルム 3 またはダイ シングテープ 3 1 が引き千 切られる可能性も少なくなる
ところで、 図 9 aは裏面研削ュニッ 卜における 面研削の状態を 示す他の略側面図であり、 図 9 bは、 図 9 aでの裏面研削後におけ るゥェ一八の状態を示す略側面図である。 さ らに 、 図 9 c は裏面研 削後に溝を形成したゥエー八の状態を示す略側面図
図 9 a に示されるように、 表面保護フィルム 3が表面 2 1 に貼付 されたゥェ一八 2 0 に溝 2 5 を形成する前に、 ゥェーハ 2 0 を裏面 研削ュ一 ッ 卜 3 5 0 に供給するようにしてもよい そして、 研削部
8 1 によって、 ゥエーハ 2 0の厚さが L 0から研削後厚さ L 0 ' に なるまで、 ゥエーハ 2 0の裏面 2 2 を研削する (図 9 b ) 。 その後 、 図 9 c に示されるように、 ゥエーハ 2 0 の裏面 2 2から溝 2 5 を 表面 2 1 に到達するまで形成する。 溝 2 5 は図 5 を参照したのと同 様な位置に形成される。 溝 2 5 を形成する際に表面保護フィルム 3 は切断されないので、 ゥェ一ハ 2 0 のみが、 環状の第一部分 1 2 1 と、 第一部分 1 2 1 の内方に位置する第二部分 1 2 2 とに分割され る このような状態のゥェ一八 2 0の表面保護フィルム 3 を ij述し たのと同様な手法で剥離するようにしてもよい この =t Όな場合に 刖述したのと同様な効果が得られるのは明らかであろう
また 、 図示される実施形態においては保持テ一ブル .6 1 を上昇さ せることにより段差を形成している力 保持テ一ブル 6 1 の高さを 維持しつつ 、 保持テ一ブル 6 2 を下降させることによつて同様な段 差を形成するようにしてもよい。 また、 剥離口一ラ 1 4 6以外の剥 離手段 、 例えば剥離ブレー ドを用いて表面保護フィルム 3 を剥離す ることなどは、 本発明の範囲に含まれる。

Claims

請 求 の 範 囲
1 . ゥエー八の外周部を含む第一部分と該第一部分よ も内方に 位置する第二部分とに貼付けられたフィ ルムを剥離するフイルム剥 離方法において、
前記第一部分のフィルムが前記第二部分のフィルムよ Ό も上方に なるように前 ΐ己ゥエー八の前記第一部分および または前記第二部 分を相対的に移動させ 、
前記第一および第二部分に貼付けられた前記フィルム上に剥離テ 一プを繰出し、
前記剥離テープを介して剥離手段を前記第一部分のフィルムにの み押付け、
前記剥離手段を前記第一部分に沿つて移動させることにより前記 フィルムを前記ゥエーハの第一および第二部分から剥離するように したフィルム剥離方法。
2 . ゥエー八の一面において前記ゥエー八の外周部全体に沿って 該外周部より も内側に溝を形成し、
該溝が形成された前記ゥエー八の前記一面にフィルムを貼付け、 少なく とも前記溝の底部に到達するまで、 前記ゥエー八の前記一 面とは反対側の面を研削し、 それにより、 前記ゥェ一八は前記外周 部を含む第一部分と該第一部分より も内方に位置する第二部分とに 分割されるようになり、
さ らに、
前記第一部分のフィルムが前記第二部分のフィルムより も上方に 位置するように前記ゥエー八の前記第一部分および または前記第 二部分を相対的に移動させ、
前記第一および第二部分に貼付けられた前記フィルム上に剥離テ 一プを繰出し、
前記剥離テープを介して剥離手段を前記第一部分のフィルムにの み押付け、
離手段を前記第一部分に沿って移動させることにより前記 フィルムを前記ゥエー八の第一および第二部分から剥離するように したフィルム剥離方法。
3 . ゥエーハの一面にフィルムを貼付け、
前記ゥエー八の前記一面とは反対側の面を研削し、
記ゥエーハの前記反対側の面において前記ゥエー八の外周部全 体に沿つて該外周部より も内側に前記一面に到達するまで溝を形成 し 、 それにより、 前記ゥエーハは前記外周部を含む第一部分と該第 一部分より も内方に位置する第二部分とに分割される うになり、 さ らに 、
前 一部分のフィ ルムが前記第二部分のフィルム り も上方に 位 gするように前記ゥエー八の前記第一部分および Zまたは前記第 二部分を相対的に移動させ、
前記第一および第二部分に貼付けられた前記フィルム上に剥離テ 一プを繰出し、
前記剥離テープを介して剥離手段を前記第一部分のフィルムにの み押付け、
前記剥離手段を前記第一部分に沿って移動させることにより前記 フイルムを前記ゥエー八の第一および第二部分から剥離するように したフィルム剥離方法。
4 . レーザによって改質領域を前記ゥェ一ハ内部に形成すること により、 前記溝が形成される請求項 2 または 3 に記載のフィルム剥 離方法。
5 . 前記溝が前記ゥエー八の面取部と平坦部との間の境界線上ま たは該境界線より も内側に形成されている請求項 1 から 4のいずれ か一項に記載のフィルム剥離方法。
6 . ゥエー八の外周部を含む第一部分と該第一部分より も内方に 位置する第二部分とに貼付けられたフィルムを剥離するフィ ルム剥 離装置において、
前記ゥエー八の前記第一部分のフィルムが前記第二部分のフィル ムより も上方に位置するように前記第一部分および または前記第 一部分を相対的に移動させる移動手段と、
iJ el第一および第二部分に貼付けられた前記フィルム上に剥離テ 一プを繰出すテ一プ繰出手段と、
m 己テープ繰出手段から繰出された iu IB剥離テープを前記第一部 分のフイリレムにのみ押付けて前記第一部分に沿って移動させること により、 前記フィルムを前記ゥェ一八の前記第一および第二部分か ら剥離する剥離手段とを具備するフィルム剥離装置。
7 . ゥェ一ハの一面において前記ゥエー八の外周部全体に沿つて 該外周部より も内側に溝を形成する溝形成手段と、
該溝が形成された前記ゥェ一八の前記一面にフィルムを貼付ける フィルム貼付手段と、
少なく とも前記溝の底部に到達するまで、 前記ゥェ―八の前記一 面とは反対側の面を研削する研削手段とを具備し、 それにより、 前 記ゥエーハは前記外周部を含む第一部分と該第一部分より も内方に 位置する第二部分とに分割されるようになり 、■
さ らに、
ュ,.
前記ゥエーハの前記第一部分のフィルムが 言己 二部分のフィル ムより も上方に位置するように前記第一部分およびノまたは前記第 二部分を相対的に移動させる移動手段と、
前記第一および第二部分に貼付けられた前記フィルム上に剥離テ 一プを繰出すテープ繰出手段と、
前記テープ繰出手段から繰出された前記剥離テープを前記第一部 分のフィルムにのみ押付けて前記第一部分に沿って移動させること により、 前記フィルムを前記ゥエー八の前記第一および第二部分か ら剥離する剥離手段とを具備するフィルム剥離装置。
8 . ゥエー八の一面にフィルムを貼付けるフィルム貼付手段と、 前記ゥェ一八の前記一面とは反対側の面を研削する研削手段と、 前記ゥェ一八の前記反対側の面において前記ゥェ ―八の外周部全 体に沿つて該外周部より も内側に前記一面に到達するまで溝を形成 する溝形成手段とを具備し、 それにより、 前記ゥェ一八は前記外周 部を含む第一部分と該第一部分よ Ό ち内方に位置する第二部分とに 分割されるようになり、
さ らに、
、 '. —
HIJ記ゥェ一八の前記第一部分のフィルムが HU §己第一部分のフィ ル ムより も上方に位置するよう に前記第一部分およびノまたは前記第 二部分を相対的に移動させる移動手段と、
-、ム
記第一および第二部分に貼付けられた前記フィ ルム上に剥離テ
―プを繰出すテープ繰出手段と、
前記テ一プ繰出手段から繰出された前記剥離テ ―プを前記第一部 分のフィルムにのみ押付けて前記第一部分に沿 て移動させること によ Ό 、 前記フィルムを前記ゥエー八の前記第一および第二部分か ら剥離する剥離手段とを具備するフィルム剥離装置
9 . レ一ザによって改質領域を前記ゥェ一八内部に形成すること によ 0 、 前記溝が形成される請求項 7 または 8 に記載のフィ ルム剥 離装 。
1 0 . 前記溝が前記ゥエー八の面取部と平坦部との間の境界線上 または該境界線より も内側に形成されている請求項 6から 9.のいず れか一項に記載のフィルム剥離装置。
PCT/JP2006/313807 2005-11-04 2006-07-05 フィルム剥離方法およびフィルム剥離装置 WO2007052387A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/084,473 US8052824B2 (en) 2005-11-04 2006-07-05 Film peeling method and film peeling device
KR1020087010639A KR100983910B1 (ko) 2005-11-04 2006-07-05 필름 박리 방법 및 필름 박리 장치
EP06780977A EP1947688A4 (en) 2005-11-04 2006-07-05 FILM-PULLING METHOD AND FILM-PULLING DEVICE

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005-320636 2005-11-04
JP2005320636A JP4817805B2 (ja) 2004-11-25 2005-11-04 フィルム剥離方法およびフィルム剥離装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2007052387A1 true WO2007052387A1 (ja) 2007-05-10

Family

ID=38005548

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2006/313807 WO2007052387A1 (ja) 2005-11-04 2006-07-05 フィルム剥離方法およびフィルム剥離装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8052824B2 (ja)
EP (1) EP1947688A4 (ja)
KR (1) KR100983910B1 (ja)
TW (1) TW200719394A (ja)
WO (1) WO2007052387A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018014458A (ja) * 2016-07-22 2018-01-25 株式会社ディスコ 円形基板の製造方法

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5381821B2 (ja) 2010-03-10 2014-01-08 三菱電機株式会社 保護テープ剥離方法および保護テープ剥離装置
KR101989484B1 (ko) 2012-07-09 2019-06-17 삼성디스플레이 주식회사 디라미네이션 장치 및 이를 포함하는 인라인 열전사 시스템
TWI585028B (zh) * 2013-01-30 2017-06-01 斯克林集團公司 剝離裝置及剝離方法
KR102069851B1 (ko) * 2013-03-26 2020-01-28 삼성디스플레이 주식회사 디라미네이션 장치 및 이를 포함하는 인라인 열전사 시스템
KR102128396B1 (ko) 2013-10-22 2020-07-01 삼성디스플레이 주식회사 필름 박리 장치
CN104609241B (zh) * 2015-01-08 2017-03-15 中国科学院生物物理研究所 超薄切片收集器
JP6914587B2 (ja) * 2017-05-25 2021-08-04 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
TWI685905B (zh) * 2017-07-12 2020-02-21 日商新川股份有限公司 接合裝置和接合方法
CN107984875A (zh) * 2017-12-01 2018-05-04 常德金德新材料科技股份有限公司 一种纸张涂布机薄膜剥离装置
CN109509846B (zh) * 2019-01-15 2024-02-23 深圳市易天自动化设备股份有限公司 一种oled膜片自动撕膜装置及其撕膜工艺
CN111142182B (zh) * 2020-01-08 2021-09-17 上海向隆电子科技有限公司 具保护膜的导光板的加工方法、加工设备及其导光板

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0855823A (ja) * 1994-08-12 1996-02-27 Toshiba Corp 半導体素子の製造方法
JP2000173961A (ja) 1998-12-01 2000-06-23 Sharp Corp 半導体装置の製造方法および製造装置
JP2000331963A (ja) * 1999-05-21 2000-11-30 Tokyo Seimitsu Co Ltd ウェーハフレームへのウェーハ取付方法と装置及びそれを組込んだ平面加工装置
JP2000353710A (ja) * 1999-06-14 2000-12-19 Toshiba Corp ペレットピックアップ装置および半導体装置の製造方法
JP2004311576A (ja) * 2003-04-03 2004-11-04 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
JP2006156456A (ja) * 2004-11-25 2006-06-15 Tokyo Seimitsu Co Ltd フィルム剥離方法およびフィルム剥離装置

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5891298A (en) * 1995-08-31 1999-04-06 Nitto Denko Corporation Method and apparatus for peeling protective adhesive tape from semiconductor wafer
JP3809733B2 (ja) 1998-02-25 2006-08-16 セイコーエプソン株式会社 薄膜トランジスタの剥離方法
JP4028195B2 (ja) 2001-08-31 2007-12-26 Tdk株式会社 剥離フィルムの製造方法
JP4919139B2 (ja) 2001-09-27 2012-04-18 Tdk株式会社 セラミックコンデンサを製造するための剥離フィルムの製造方法
JP3976541B2 (ja) 2001-10-23 2007-09-19 富士通株式会社 半導体チップの剥離方法及び装置
JP2004047823A (ja) * 2002-07-12 2004-02-12 Tokyo Seimitsu Co Ltd ダイシングテープ貼付装置およびバックグラインド・ダイシングテープ貼付システム
JP4318471B2 (ja) 2003-03-05 2009-08-26 日東電工株式会社 保護テープの貼付・剥離方法
JP4519413B2 (ja) 2003-04-09 2010-08-04 リンテック株式会社 テープの貼付方法および貼付装置
JP2005045023A (ja) * 2003-07-22 2005-02-17 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法および半導体製造装置
JP2006100413A (ja) * 2004-09-28 2006-04-13 Tokyo Seimitsu Co Ltd フィルム貼付方法およびフィルム貼付装置
JP4442410B2 (ja) * 2004-12-15 2010-03-31 セイコーエプソン株式会社 異常診断システム
US8137417B2 (en) * 2006-09-29 2012-03-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Peeling apparatus and manufacturing apparatus of semiconductor device

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0855823A (ja) * 1994-08-12 1996-02-27 Toshiba Corp 半導体素子の製造方法
JP2000173961A (ja) 1998-12-01 2000-06-23 Sharp Corp 半導体装置の製造方法および製造装置
JP2000331963A (ja) * 1999-05-21 2000-11-30 Tokyo Seimitsu Co Ltd ウェーハフレームへのウェーハ取付方法と装置及びそれを組込んだ平面加工装置
JP2000353710A (ja) * 1999-06-14 2000-12-19 Toshiba Corp ペレットピックアップ装置および半導体装置の製造方法
JP2004311576A (ja) * 2003-04-03 2004-11-04 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
JP2006156456A (ja) * 2004-11-25 2006-06-15 Tokyo Seimitsu Co Ltd フィルム剥離方法およびフィルム剥離装置

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP1947688A4 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018014458A (ja) * 2016-07-22 2018-01-25 株式会社ディスコ 円形基板の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US8052824B2 (en) 2011-11-08
TW200719394A (en) 2007-05-16
US20090107634A1 (en) 2009-04-30
EP1947688A1 (en) 2008-07-23
TWI309848B (ja) 2009-05-11
EP1947688A4 (en) 2010-10-27
KR20080066759A (ko) 2008-07-16
KR100983910B1 (ko) 2010-09-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2007052387A1 (ja) フィルム剥離方法およびフィルム剥離装置
JP4817805B2 (ja) フィルム剥離方法およびフィルム剥離装置
JP2005123382A (ja) 表面保護用シートおよび半導体ウエハの研削方法
JP2011204806A (ja) ウエハの加工方法
JP2007150206A (ja) ダイシングテープ
JP6013806B2 (ja) ウエーハの加工方法
TWI389267B (zh) 晶圓加工用帶
JP5379377B2 (ja) 表面保護用シートおよび半導体ウエハの研削方法
JP4565977B2 (ja) フィルム剥離方法およびフィルム剥離装置
JP2009246195A (ja) 接着シート及びこれを用いた半導体ウエハの処理方法
JP2004146761A (ja) 半導体ウエハの保護構造、半導体ウエハの保護方法、これらに用いる積層保護シートおよび半導体ウエハの加工方法
JP2014007217A (ja) ウェーハの加工方法
JP2010027686A (ja) 表面保護用シートおよび半導体ウエハの研削方法
JP2011086772A (ja) 保護テープ剥離装置
JP2010140957A (ja) 半導体ウエハの保持方法、チップ体の製造方法、およびスペーサ
JP2007134510A (ja) ウェーハマウンタ装置
KR102181999B1 (ko) 확장 시트, 확장 시트의 제조 방법 및 확장 시트의 확장 방법
JP4768963B2 (ja) ウェハの転写方法
JP2012104644A (ja) ウェーハ破断方法およびウェーハ破断装置
TWI744253B (zh) 半導體裝置的製造方法
JP2002270560A (ja) ウエハの加工方法
JP2010192510A (ja) ワークの移載方法および移載装置
JP2008192910A (ja) ダイシング用粘着シートおよびダイシング方法
JP2005276987A (ja) 極薄チップの製造プロセス及び製造装置
JP2012124300A (ja) ウェーハ破断方法およびウェーハ破断装置

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2006780977

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1020087010639

Country of ref document: KR

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 12084473

Country of ref document: US

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE