JPH0855823A - 半導体素子の製造方法 - Google Patents
半導体素子の製造方法Info
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- JPH0855823A JPH0855823A JP19038094A JP19038094A JPH0855823A JP H0855823 A JPH0855823 A JP H0855823A JP 19038094 A JP19038094 A JP 19038094A JP 19038094 A JP19038094 A JP 19038094A JP H0855823 A JPH0855823 A JP H0855823A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
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- H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
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- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体ウェハのダイシング時等に発生する塵
等が半導体ウェハ表面に付着することを確実に防止する
ことができる。 【構成】 半導体ウェハ１の表面全面に熱収縮性テープ
１５を貼付すると共に、半導体ウェハ１の裏面にダイシ
ングテープ２を貼付する。その後にダイヤモンドブレー
ド３によって半導体ウェハ１のダイシングを行う。この
ダイシングによって得られた半導体チップ４をダイシン
グテープ２から分離した後に、加熱する。この加熱によ
り熱収縮性テープ１５は、収縮して半導体チップ４から
簡単に剥離する。
等が半導体ウェハ表面に付着することを確実に防止する
ことができる。 【構成】 半導体ウェハ１の表面全面に熱収縮性テープ
１５を貼付すると共に、半導体ウェハ１の裏面にダイシ
ングテープ２を貼付する。その後にダイヤモンドブレー
ド３によって半導体ウェハ１のダイシングを行う。この
ダイシングによって得られた半導体チップ４をダイシン
グテープ２から分離した後に、加熱する。この加熱によ
り熱収縮性テープ１５は、収縮して半導体チップ４から
簡単に剥離する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造方法に係
り、特に半導体ウェハのダイシング及びダイボンディン
グ時に発生するシリコン等の半導体材料の塵や異物が半
導体ウェハ表面に付着することを防止する半導体製造方
法に関する。
り、特に半導体ウェハのダイシング及びダイボンディン
グ時に発生するシリコン等の半導体材料の塵や異物が半
導体ウェハ表面に付着することを防止する半導体製造方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩ等の半導体素子は、その製造工程
において発生した塵や異物が半導体ウェハ表面に付着す
ると、半導体素子製造の歩留まりが大幅に低下してしま
う。このような塵や異物の中には、例えば、半導体ウェ
ハのダイシング時の切削粉等のように半導体ウェハ自身
から発生する塵等が存在する。そこで、この半導体ウェ
ハ自身から発生する塵等が半導体ウェハ表面に付着する
ことを防止するために、これまで種々の対策が講じられ
ている。
において発生した塵や異物が半導体ウェハ表面に付着す
ると、半導体素子製造の歩留まりが大幅に低下してしま
う。このような塵や異物の中には、例えば、半導体ウェ
ハのダイシング時の切削粉等のように半導体ウェハ自身
から発生する塵等が存在する。そこで、この半導体ウェ
ハ自身から発生する塵等が半導体ウェハ表面に付着する
ことを防止するために、これまで種々の対策が講じられ
ている。
【０００３】図６乃至図１２は従来のシリコン半導体素
子の製造方法を示したもので、図６においてシリコン半
導体ウェハ１にはその裏面にダイシングテープ２が貼付
され、ダイヤモンドブレード３が半導体ウェハ１をその
表面側から切削し切断する。この時、ウェハ表面に付着
するシリコン切粉等の塵の量をできるだけ少なくするた
めに、ダイヤモンドブレード３は図６に示したように、
半導体ウェハ１を完全切断、即ちフルカットする。こう
して、図７に示したようにダイシングテープ２上で各半
導体チップ４が互いに切断分離される。
子の製造方法を示したもので、図６においてシリコン半
導体ウェハ１にはその裏面にダイシングテープ２が貼付
され、ダイヤモンドブレード３が半導体ウェハ１をその
表面側から切削し切断する。この時、ウェハ表面に付着
するシリコン切粉等の塵の量をできるだけ少なくするた
めに、ダイヤモンドブレード３は図６に示したように、
半導体ウェハ１を完全切断、即ちフルカットする。こう
して、図７に示したようにダイシングテープ２上で各半
導体チップ４が互いに切断分離される。
【０００４】その後に、ダイシングテープ２によって接
続された各半導体チップ４は、図８に示したようにウェ
ハ支持台５に載置され、突上げピン６によって突上げら
れると共にピックアップ部７によって吸着されて、ダイ
シングテープ２から分離される。
続された各半導体チップ４は、図８に示したようにウェ
ハ支持台５に載置され、突上げピン６によって突上げら
れると共にピックアップ部７によって吸着されて、ダイ
シングテープ２から分離される。
【０００５】その後に、一般のプラスチックパッケージ
の場合には、図９に示したように半導体チップ４の裏面
にリードフレーム８が取付けられ、この後に、図示を省
略した金ワイヤがリードフレーム８と半導体チップ４の
表面との間に接続される。
の場合には、図９に示したように半導体チップ４の裏面
にリードフレーム８が取付けられ、この後に、図示を省
略した金ワイヤがリードフレーム８と半導体チップ４の
表面との間に接続される。
【０００６】他方、ＬＯＣ構造のパッケージの場合に
は、図１０に示したように、熱可塑性樹脂９が先端に貼
付されたリードフレーム１０が半導体チップ４の表面に
積層される。この後に、リード押付けコレット１１がリ
ードフレーム１０の先端を半導体チップ４の表面に押付
けながら、熱可塑性樹脂９を加熱溶解してリードフレー
ム１０を半導体チップ４の表面に接着する。こうして半
導体チップ４へのリードフレーム１０のダイボンディン
グが行われる。次いで、図１１及び図１２に示したよう
にリードフレーム１０とボンディングパッド１２との間
に金ワイヤ１３が接続される。
は、図１０に示したように、熱可塑性樹脂９が先端に貼
付されたリードフレーム１０が半導体チップ４の表面に
積層される。この後に、リード押付けコレット１１がリ
ードフレーム１０の先端を半導体チップ４の表面に押付
けながら、熱可塑性樹脂９を加熱溶解してリードフレー
ム１０を半導体チップ４の表面に接着する。こうして半
導体チップ４へのリードフレーム１０のダイボンディン
グが行われる。次いで、図１１及び図１２に示したよう
にリードフレーム１０とボンディングパッド１２との間
に金ワイヤ１３が接続される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上述した従
来の半導体素子の製造方法は、図７に示したように半導
体ウェハ１の切断時に半導体ウェハ裏面の切断縁にシリ
コンの欠け１４が発生し、このシリコン欠け１４は、図
８に示した突上げピン６とピックアップ部７とによる半
導体チップ４の吸着分離時に飛散し、塵となって周囲の
半導体チップ４の表面に付着することがある。このよう
に周囲の半導体チップ表面に付着した欠け塵１４は、ピ
ックアップ部７による半導体チップ４の吸着時に半導体
チップ表面に強く押付けられ、半導体チップ４の歩留り
低下及び品質や信頼性の低下を招来するといった問題が
ある。
来の半導体素子の製造方法は、図７に示したように半導
体ウェハ１の切断時に半導体ウェハ裏面の切断縁にシリ
コンの欠け１４が発生し、このシリコン欠け１４は、図
８に示した突上げピン６とピックアップ部７とによる半
導体チップ４の吸着分離時に飛散し、塵となって周囲の
半導体チップ４の表面に付着することがある。このよう
に周囲の半導体チップ表面に付着した欠け塵１４は、ピ
ックアップ部７による半導体チップ４の吸着時に半導体
チップ表面に強く押付けられ、半導体チップ４の歩留り
低下及び品質や信頼性の低下を招来するといった問題が
ある。
【０００８】更に、ＬＯＣ構造のパッケージの場合に
は、図１０に示したようにリードフレーム１０と半導体
チップ４の表面との間に欠け塵１４が存在していた場合
には、リード押付けコレット１１が大きな押圧力でリー
ドフレーム１０を半導体チップ４の表面に押付けると、
欠け塵１４が半導体チップ表面に損傷を及ぼし、半導体
素子特性に悪影響を与えるといった問題も発生する。そ
こで、本発明の目的は、半導体ウェハのダイシング時等
に発生する塵等が半導体ウェハ表面に付着することを確
実に防止することができる半導体素子の製造方法を提供
することにある。
は、図１０に示したようにリードフレーム１０と半導体
チップ４の表面との間に欠け塵１４が存在していた場合
には、リード押付けコレット１１が大きな押圧力でリー
ドフレーム１０を半導体チップ４の表面に押付けると、
欠け塵１４が半導体チップ表面に損傷を及ぼし、半導体
素子特性に悪影響を与えるといった問題も発生する。そ
こで、本発明の目的は、半導体ウェハのダイシング時等
に発生する塵等が半導体ウェハ表面に付着することを確
実に防止することができる半導体素子の製造方法を提供
することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明は、半導体ウェハの表面に熱収縮性テープを貼
付すると共に、上記半導体ウェハの裏面にダイシングテ
ープを貼付し、その後に上記半導体ウェハのダイシング
を行い、上記ダイシングによって得られた半導体チップ
を加熱し、この加熱により上記熱収縮性テープを上記半
導体チップから剥離することを特徴とするものである。
に本発明は、半導体ウェハの表面に熱収縮性テープを貼
付すると共に、上記半導体ウェハの裏面にダイシングテ
ープを貼付し、その後に上記半導体ウェハのダイシング
を行い、上記ダイシングによって得られた半導体チップ
を加熱し、この加熱により上記熱収縮性テープを上記半
導体チップから剥離することを特徴とするものである。
【００１０】この方法にあっては、上記熱収縮性テープ
の剥離後に上記半導体チップにリードフレームを熱可塑
性樹脂を介して積層し、この積層後に上記熱可塑性樹脂
を加熱して上記リードフレームを上記半導体チップに接
着することが望ましい。
の剥離後に上記半導体チップにリードフレームを熱可塑
性樹脂を介して積層し、この積層後に上記熱可塑性樹脂
を加熱して上記リードフレームを上記半導体チップに接
着することが望ましい。
【００１１】
【作用】半導体ウェハは、その表面に熱収縮性テープが
貼付された後に、ダイシングが行われるので、ダイシン
グに起因して発生した塵が半導体ウェハ表面に付着する
ことが確実に防止される。熱収縮性テープは半導体チッ
プの加熱によって収縮し、半導体ウェハ表面から簡単に
剥離する。
貼付された後に、ダイシングが行われるので、ダイシン
グに起因して発生した塵が半導体ウェハ表面に付着する
ことが確実に防止される。熱収縮性テープは半導体チッ
プの加熱によって収縮し、半導体ウェハ表面から簡単に
剥離する。
【００１２】
【実施例】以下に本発明による半導体素子の製造方法の
実施例を図６及び図１２と同部分には同一符号を付して
示した図１乃至図５を参照して説明する。図１におい
て、シリコン半導体ウェハ１にはその裏面にダイシング
テープ２が貼付され、その表面全面にポリオレフィン材
等の熱収縮性テープ１５が貼付される。なお、この熱収
縮性テープ１５の貼付は常温で行われる。ダイヤモンド
ブレード３が半導体ウェハ１をその表面側、即ち熱収縮
性テープ１５側から切削し切断する。この時、ウェハ表
面に付着するシリコン切粉等の塵の量をできるだけ少な
くするために、ダイヤモンドブレード３は図１に示した
ように、半導体ウェハ１を完全切断、即ちフルカットす
る。こうして、図２に示したようにダイシングテープ２
上で半導体チップ４が互いに切断分離される。この後
に、半導体チップ４は、図８に示した突上げピン６とピ
ックアップ部７とによってダイシングテープ２から分離
される。
実施例を図６及び図１２と同部分には同一符号を付して
示した図１乃至図５を参照して説明する。図１におい
て、シリコン半導体ウェハ１にはその裏面にダイシング
テープ２が貼付され、その表面全面にポリオレフィン材
等の熱収縮性テープ１５が貼付される。なお、この熱収
縮性テープ１５の貼付は常温で行われる。ダイヤモンド
ブレード３が半導体ウェハ１をその表面側、即ち熱収縮
性テープ１５側から切削し切断する。この時、ウェハ表
面に付着するシリコン切粉等の塵の量をできるだけ少な
くするために、ダイヤモンドブレード３は図１に示した
ように、半導体ウェハ１を完全切断、即ちフルカットす
る。こうして、図２に示したようにダイシングテープ２
上で半導体チップ４が互いに切断分離される。この後
に、半導体チップ４は、図８に示した突上げピン６とピ
ックアップ部７とによってダイシングテープ２から分離
される。
【００１３】一般のプラスチックパッケージの場合に
は、その後に半導体チップ４は表面に熱収縮性テープ１
５が貼付されたままの状態で、図３に示したように半導
体チップ裏面にリードフレーム８が取付けられる。この
リードフレーム８の取付け後に、熱収縮性テープ１５の
剥離用の加熱工程が行われる。即ち、半導体チップ４は
熱収縮性テープ１５側から加熱され、この加熱によっ
て、熱収縮性テープ１５が収縮し半導体チップ表面から
剥離する。こうして、図３に示されたように熱収縮性テ
ープ１５の表面に付着していた欠け塵１４は、熱収縮性
テープ１５と共に取除かれ、塵等の異物が全く付着して
いない半導体チップ表面が露出する。この後に、図示を
省略した金ワイヤがリードフレーム８と半導体チップ４
の表面との間に接続される。
は、その後に半導体チップ４は表面に熱収縮性テープ１
５が貼付されたままの状態で、図３に示したように半導
体チップ裏面にリードフレーム８が取付けられる。この
リードフレーム８の取付け後に、熱収縮性テープ１５の
剥離用の加熱工程が行われる。即ち、半導体チップ４は
熱収縮性テープ１５側から加熱され、この加熱によっ
て、熱収縮性テープ１５が収縮し半導体チップ表面から
剥離する。こうして、図３に示されたように熱収縮性テ
ープ１５の表面に付着していた欠け塵１４は、熱収縮性
テープ１５と共に取除かれ、塵等の異物が全く付着して
いない半導体チップ表面が露出する。この後に、図示を
省略した金ワイヤがリードフレーム８と半導体チップ４
の表面との間に接続される。
【００１４】他方、ＬＯＣ構造のパッケージの場合に
は、半導体チップ４が図４に示したように支持台１６に
載置され位置決めされる。この支持台１６は加熱用のヒ
ータを内蔵し、載置された半導体チップ４を４２０±２
０°Ｃに加熱する。この加熱によって、熱収縮性テープ
１５が収縮し半導体チップ４の表面から剥離する。
は、半導体チップ４が図４に示したように支持台１６に
載置され位置決めされる。この支持台１６は加熱用のヒ
ータを内蔵し、載置された半導体チップ４を４２０±２
０°Ｃに加熱する。この加熱によって、熱収縮性テープ
１５が収縮し半導体チップ４の表面から剥離する。
【００１５】また、図５に示した熱可塑性樹脂９が先端
に貼付されたリードフレーム１０は、予め２００±５０
°Ｃで予備加熱され、この予備加熱によって熱可塑性樹
脂９が軟化されている。
に貼付されたリードフレーム１０は、予め２００±５０
°Ｃで予備加熱され、この予備加熱によって熱可塑性樹
脂９が軟化されている。
【００１６】位置決めされた半導体チップ４を載置した
支持台１６は、図５に示したように、予備加熱されたリ
ードフレーム１０の真下に移動され、この後に、ヒータ
内蔵のリード押付けコレット１１がリードフレーム１０
の先端を半導体チップ４の表面に押付ける。これによっ
て、熱可塑性樹脂９は、４２０±２０°Ｃに加熱されて
いる半導体チップ４によって、本加熱され溶解してリー
ドフレーム１０を半導体チップ４の表面に接着する。こ
うして半導体チップ４へのリードフレーム１０のダイボ
ンディングが行われる。次いで、図１１及び図１２に示
したようにリードフレーム１０とボンディングパッド１
２との間に金ワイヤ１３が接続される。
支持台１６は、図５に示したように、予備加熱されたリ
ードフレーム１０の真下に移動され、この後に、ヒータ
内蔵のリード押付けコレット１１がリードフレーム１０
の先端を半導体チップ４の表面に押付ける。これによっ
て、熱可塑性樹脂９は、４２０±２０°Ｃに加熱されて
いる半導体チップ４によって、本加熱され溶解してリー
ドフレーム１０を半導体チップ４の表面に接着する。こ
うして半導体チップ４へのリードフレーム１０のダイボ
ンディングが行われる。次いで、図１１及び図１２に示
したようにリードフレーム１０とボンディングパッド１
２との間に金ワイヤ１３が接続される。
【００１７】本実施例では、熱収縮性テープ１５は、支
持台１６に内蔵された本加熱用のヒータによって、加熱
剥離された。しかしながら、本発明は、これに限らず剥
離専用のヒータを別個に用意してこれによって熱収縮性
テープ１５を収縮剥離することができる。更には、リー
ドフレーム１０の２００±５０°Ｃでの予備加熱用のヒ
ータを使用して熱収縮性テープ１５を収縮剥離すること
もできる。なお、熱収縮性テープ１５の剥離温度条件
は、約８０°〜約４５０°Ｃが好ましい。
持台１６に内蔵された本加熱用のヒータによって、加熱
剥離された。しかしながら、本発明は、これに限らず剥
離専用のヒータを別個に用意してこれによって熱収縮性
テープ１５を収縮剥離することができる。更には、リー
ドフレーム１０の２００±５０°Ｃでの予備加熱用のヒ
ータを使用して熱収縮性テープ１５を収縮剥離すること
もできる。なお、熱収縮性テープ１５の剥離温度条件
は、約８０°〜約４５０°Ｃが好ましい。
【００１８】以上のように本実施例によると、熱収縮性
テープ１５は、半導体チップ４がダイシングテープ２か
ら分離された後であってかつリードフレームの接着直前
に、半導体チップ表面から取除かれるので、半導体チッ
プ表面は、ダイシング作業時等に発生した異物が全く付
着しない状態で後続の処理を順次行うことができる。更
に、熱収縮性テープ１５は市販のテープ貼付用の自動機
を使用することができるため、本実施例は格別な機器の
開発や新たな購入を必要とすることなく、即ち、従来に
比べて特別のコスト上昇を招くことなく、実施すること
ができる利点を有する。また、上記の実施例では、半導
体ウェハはシリコンウェハを使用した。しかしながら、
本発明は、これに限らずガリウムひ素ウェハ等の任意の
半導体ウェハに適用することができる。
テープ１５は、半導体チップ４がダイシングテープ２か
ら分離された後であってかつリードフレームの接着直前
に、半導体チップ表面から取除かれるので、半導体チッ
プ表面は、ダイシング作業時等に発生した異物が全く付
着しない状態で後続の処理を順次行うことができる。更
に、熱収縮性テープ１５は市販のテープ貼付用の自動機
を使用することができるため、本実施例は格別な機器の
開発や新たな購入を必要とすることなく、即ち、従来に
比べて特別のコスト上昇を招くことなく、実施すること
ができる利点を有する。また、上記の実施例では、半導
体ウェハはシリコンウェハを使用した。しかしながら、
本発明は、これに限らずガリウムひ素ウェハ等の任意の
半導体ウェハに適用することができる。
【００１９】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように本発明に
よれば、半導体ウェハは、その表面に熱収縮性テープが
貼付された後にダイシングが行われるので、ダイシング
等に起因して発生した塵等の異物が半導体ウェハ表面に
付着することが確実に防止され、従って半導体素子の品
質や信頼性や歩留りの向上を図ることができる。
よれば、半導体ウェハは、その表面に熱収縮性テープが
貼付された後にダイシングが行われるので、ダイシング
等に起因して発生した塵等の異物が半導体ウェハ表面に
付着することが確実に防止され、従って半導体素子の品
質や信頼性や歩留りの向上を図ることができる。
【００２０】更に、本発明によれば、熱収縮性テープは
加熱によって収縮して半導体チップ表面から簡単に剥離
するので、作業性に優れ、半導体素子を格別なコストの
上昇を生ずることなく製造することができる。
加熱によって収縮して半導体チップ表面から簡単に剥離
するので、作業性に優れ、半導体素子を格別なコストの
上昇を生ずることなく製造することができる。
【図１】本発明による半導体素子の製造方法の実施例の
ダイシング工程を概略的に示した断面図。
ダイシング工程を概略的に示した断面図。
【図２】実施例のダイシング工程が終了した時の半導体
ウェハを示した断面図。
ウェハを示した断面図。
【図３】一般のプラスチックパッケージの場合のリード
フレーム取付工程を概略的に示した断面図。
フレーム取付工程を概略的に示した断面図。
【図４】ＬＯＣ構造のパッケージの場合の半導体チップ
の加熱工程を示した断面図。
の加熱工程を示した断面図。
【図５】ＬＯＣ構造のパッケージの場合の半導体チップ
にリードフレームを接着する工程を示した断面図。
にリードフレームを接着する工程を示した断面図。
【図６】従来の半導体素子の製造方法のダイシング工程
を概略的に示した断面図。
を概略的に示した断面図。
【図７】従来の半導体素子の製造方法のダイシング工程
が終了した時の半導体ウェハを示した断面図。
が終了した時の半導体ウェハを示した断面図。
【図８】従来の半導体素子製造方法における半導体チッ
プの取出し工程を示した断面図。
プの取出し工程を示した断面図。
【図９】従来の半導体素子製造方法における一般のプラ
スチックパッケージの場合のリードフレーム取付工程を
概略的に示した断面図。
スチックパッケージの場合のリードフレーム取付工程を
概略的に示した断面図。
【図１０】従来の半導体素子製造方法におけるＬＯＣ構
造のパッケージの場合のリードフレームの接着工程を概
略的に示した断面図。
造のパッケージの場合のリードフレームの接着工程を概
略的に示した断面図。
【図１１】従来の半導体素子の製造方法におけるボンデ
ィング工程を概略的に示した断面図。
ィング工程を概略的に示した断面図。
【図１２】従来の半導体素子の製造方法におけるボンデ
ィング工程を概略的に示した斜視図。
ィング工程を概略的に示した斜視図。
１ 半導体ウェハ ２ ダイシングテープ ４ 半導体チップ １５ 熱収縮性テープ
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｐ
Claims (2)
- 【請求項１】半導体ウェハの表面に熱収縮性テープを貼
付すると共に、上記半導体ウェハの裏面にダイシングテ
ープを貼付し、その後に上記半導体ウェハのダイシング
を行い、上記ダイシングによって得られた半導体チップ
を加熱し、この加熱により上記熱収縮性テープを上記半
導体チップから剥離することを特徴とする半導体素子の
製造方法。 - 【請求項２】上記熱収縮性テープの剥離後に上記半導体
チップにリードフレームを熱可塑性樹脂を介して積層
し、この積層後に上記熱可塑性樹脂を加熱して上記リー
ドフレームを上記半導体チップに接着することを特徴と
する請求項１に記載の半導体素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19038094A JPH0855823A (ja) | 1994-08-12 | 1994-08-12 | 半導体素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19038094A JPH0855823A (ja) | 1994-08-12 | 1994-08-12 | 半導体素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0855823A true JPH0855823A (ja) | 1996-02-27 |
Family
ID=16257214
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19038094A Pending JPH0855823A (ja) | 1994-08-12 | 1994-08-12 | 半導体素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0855823A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007052387A1 (ja) * | 2005-11-04 | 2007-05-10 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd. | フィルム剥離方法およびフィルム剥離装置 |
-
1994
- 1994-08-12 JP JP19038094A patent/JPH0855823A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007052387A1 (ja) * | 2005-11-04 | 2007-05-10 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd. | フィルム剥離方法およびフィルム剥離装置 |
| US8052824B2 (en) | 2005-11-04 | 2011-11-08 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd. | Film peeling method and film peeling device |
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