WO2007007765A1 - 電流電圧変換回路、それを用いた消費電力検出回路および電子機器 - Google Patents

Abstract

　電流電圧変換回路における演算増幅器のオフセット電圧をキャンセルし、小さな電流も検出可能にする。 　検出対象の電流を電圧に変換する電流電圧変換回路１００は、検出抵抗Ｒｄｅｔと、第１演算増幅器１０８を含む増幅回路１２０と、トリミング可能な第３抵抗Ｒ３及び第４抵抗Ｒ４を含むオフセット調節用電流源１５０と、を備える。オフセット調節用電流源１５０は、トリミング可能な第３抵抗Ｒ３及び第４抵抗Ｒ４の抵抗値を調節することにより電流値が制御されるオフセット調節電流Ｉａｄｊを増幅回路１２０のオフセット抵抗Ｒｏｆｓに流し、オフセット抵抗Ｒｏｆｓにオフセット調節電圧Ｖｏｆｓを発生させる。

Description

明 細 書

電流電圧変換回路、それを用いた消費電力検出回路および電子機器 技術分野

[0001] 本発明は、検出対象の電流を電圧に変換する電流電圧変換回路に関する。

背景技術

[0002] 携帯電話、 PDA (Personal Digital Assistant)、ポータブル CDプレーヤ一等 の電池駆動の電子機器においては、負荷における消費電力を特定したり駆動源で ある電池の残量をモニタする等して電池の管理をすることが必要である。

[0003] その際、電流電圧変換回路を用い、電池から負荷に供給される負荷電流を電圧に 変換し、その変換された電圧に基づ!、て電池から供給された負荷電流をモニタする 方法が考えられる。電流電圧変換回路に関する文献としては次のものがある。

[0004] 特許文献 1：特開平 8— 17066号公報

発明の開示

発明が解決しょうとする課題

[0005] 電流電圧変換回路を用いて負荷電流を電圧に変換する方法として、負荷電流の 経路上に検出抵抗を設け、この検出抵抗に発生する電圧降下をモニタする方法が 考えられる。この検出抵抗は損失として働くため、その抵抗値は微小な値に設定する 必要があり、発生する電圧降下も非常に小さな電圧値となる。このような微小な電圧 降下を AZD変換するためには、一度、演算増幅器等を用いて電圧を増幅する必要 がある。

[0006] し力しながら、電圧の増幅に演算増幅器を用いた場合には、演算増幅器のオフセ ット電圧が問題となる。オフセット電圧によって、増幅後の電圧が負電圧側にシフトす ると、抵抗に発生する電圧降下が 0より大きい、すなわち、検出した負荷電流が 0より 大きい場合にも、増幅後の電圧が 0となってしまう場合がある。その結果、電池から負 荷に供給される検出対象の電流が小さい場合には、その電流を検出できないことが ある（以下、この検出できな!/、電流の範囲を「電流検出不能領域」という）。

[0007] 本発明はこうした状況に鑑みてなされたものであり、その目的は、演算増幅器のォ フセット電圧の影響による電流検出不能領域のない電流電圧変換回路の提供にある 課題を解決するための手段

[0008] 本発明のある態様は、検出対象の電流を電圧に変換する電流電圧変換回路であ る。この電流電圧変換回路は、検出対象の電流の経路上に設けられた検出抵抗と、 検出抵抗の高電位側の第 1端子と第 1固定電圧端子との間に直列に接続された第 1 抵抗、第 1トランジスタ、及び第 2抵抗と、出力端子が第 1トランジスタの制御端子に接 続され、反転入力端子が第 1抵抗と第 1トランジスタとの接続点に接続された第 1演算 増幅器と、検出抵抗の低電位側の第 2端子と第 1演算増幅器の非反転入力端子との 間に設けられたオフセット抵抗と、トリミング可能な抵抗を含み、該抵抗の抵抗値を調 節することにより電流値が制御されるオフセット調節電流をオフセット抵抗に流すオフ セット調節用電流源と、を備え、第 1トランジスタと第 2抵抗との接続点の電圧を出力 する。

[0009] この電流電圧変換回路によれば、オフセット抵抗に流す電流を調節することにより、 オフセット抵抗に発生する電圧降下を調節することができ、第 1演算増幅器のオフセ ット電圧をキャンセルすることができる。その結果、電流検出不能領域がなく検出精 度のよい電流電圧変換が可能である。また、オフセット抵抗に流す電流を調節するこ とにより、検出対象の電流と、第 1トランジスタと第 2抵抗との接続点の電圧とは正比 例の関係を得ることもでき、便宜である。

[0010] オフセット調節用電流源は、基準電圧回路と、基準電圧回路力 出力される基準電 圧を分圧する第 3抵抗及び第 4抵抗と、第 1演算増幅器の非反転入力端子と第 2固 定電圧端子との間に直列に接続された第 2トランジスタ及び第 5抵抗と、非反転入力 端子に分圧された基準電圧が入力され、反転入力端子が第 2トランジスタと第 5抵抗 との接続点に接続され、出力端子が第 2トランジスタの制御端子に接続された第 2演 算増幅器と、を備え、第 3抵抗及び第 4抵抗の少なくとも一方は、トリミング可能に構 成されていてもよい。

第 3抵抗及び第 4抵抗の少なくとも一方の抵抗値を調節することで基準電圧の分圧 比を制御することができるため、オフセット抵抗に流すオフセット調節電流を容易に調 節することができる。

[0011] 第 1抵抗と、第 1トランジスタと、第 2抵抗と、第 1演算増幅器と、オフセット抵抗と、ォ フセット調節用電流源とが、 1つの半導体基板上に一体集積化されていてもよい。 なお、「一体集積化」とは、回路の構成要素のすべてが半導体基板上に形成される 場合や、回路の主要構成要素が一体集積化される場合が含まれ、回路定数の調節 用に一部の抵抗などが半導体基板の外部に設けられて 、てもよ 、。

1つの半導体基板上に一体集積ィ匕することにより、電子機器への搭載が容易となる

[0012] 本発明の別の態様は、消費電力検出回路である。この消費電力検出回路は、負荷 回路に流れる電流を検出対象とする上記の電流電圧変換回路と、電流電圧変換回 路の出力電圧を AZD変換する AZDコンバータと、 AZDコンバータで AZD変換さ れた出力電圧の電圧値力 負荷回路の消費電力を特定する演算部と、を備える。

[0013] この態様によれば、負荷回路に流れる電流は、電流検出不能領域がなく検出精度 のよい電流電圧変換により電圧に変換され AZD変換されるので、負荷回路の消費 電力が精度よく特定できる。また、検出対象の電流と、第 1トランジスタと第 2抵抗との 接続点の電圧とが正比例の関係となるようにオフセット抵抗に流す電流を調節すれ ば、 AZD変換された電圧値を補正する必要がないため、低コストの消費電力検出 回路が実現できる。

[0014] 本発明のさらに別の態様は、電子機器である。この電子機器は、電池と、電池によ り駆動される負荷回路と、負荷回路の消費電力を検出する上記の消費電力検出回 路と、を備える。消費電力検出回路の演算部は、負荷回路の消費電力から電池の残 容量を特定する。

[0015] この態様によれば、負荷回路の消費電力が精度よく特定されるので、電池の残容 量を正確に特定することができ、電池の管理が容易である。また、上記のように消費 電力検出回路は低コストにて実現することもできるため、電子機器全体としてのコスト ち抑免られる。

[0016] なお、以上の構成要素の任意に組合わせたもの、本発明の構成要素や表現を、方 法、装置、システムなどの間で相互に置換したものもまた、本発明の態様として有効 である。

図面の簡単な説明

[0017] [図 1]実施の形態に係る電流電圧変換回路の構成を示す回路図である。

[図 2]図 1の電流電圧変換回路を搭載した電子機器の構成を示すブロック図である。

[図 3]ノ ッテリ電流 Ibatと出力電圧 Voutとの関係を示す図である。

符号の説明

[0018] 10 電池、 30 負荷回路、 50 AZDコンバータ、 70 演算部、 100 電流 電圧変換回路、 102 第 1端子、 104 第 2端子、 106 出力端子、 108 第 1 演算増幅器、 120 増幅回路、 150 オフセット調節用電流源、 152 基準電圧 回路、 154 第 2演算増幅器、 180 消費電力検出回路、 200 電子機器、 lb at バッテリ電流、 Iadj オフセット調節電流、 Vbat バッテリ電圧、 Vi 入力電 圧、 Vofs オフセット調節電圧、 Vout 出力電圧、 Vref 基準電圧、 Δν ォ フセット電圧、 Rdet 検出抵抗、 R1 第 1抵抗、 R2 第 2抵抗、 R3 第 3抵抗、

R4 第 4抵抗、 R5 第 5抵抗、 Rofs オフセット抵抗、 Ml 第 1トランジスタ、 M2 第 2トランジスタ。

発明を実施するための最良の形態

[0019] 以下、本発明を好適な実施の形態をもとに図面を参照しながら説明する。各図面に 示される同一または同等の構成要素、部材、処理には、同一の符号を付するものとし 、適宜重複した説明は省略する。また、実施の形態は、発明を限定するものではなく 例示であって、実施の形態に記述されるすべての特徴やその組み合わせは、必ずし も発明の本質的なものであるとは限らない。

[0020] 実施の形態は、例えば携帯電話やポータブル CDプレーヤ一等の電池駆動型の電 子機器に関する。この電子機器は、電池から負荷へと流れる電流をモニタすること〖こ より、負荷での消費電力を特定し、バッテリの残圧を検出する機能を備える。以下で 説明する本実施の形態に係る電流電圧変換回路は、このような電子機器に搭載され 、負荷に流れる電流を電圧に変換して増幅する。

[0021] 図 1は、実施の形態に係る電流電圧変換回路 100の構成を示す。図 2は、図 1の電 流電圧変換回路 100を搭載した電子機器 200の構成を示す。 [0022] 図 2において、電子機器 200は、電池 10と、負荷回路 30と、消費電力検出回路 18 0と、を備える。電池 10はバッテリ電圧 Vbatを発生する。負荷回路 30は電池 10によ り駆動される。消費電力検出回路 180は、負荷回路 30の駆動経路上に設けられそ の消費電力を検出する。

[0023] 消費電力検出回路 180は、検出抵抗 Rdetを含む電流電圧変換回路 100と、 A/ Dコンバータ 50と、演算部 70と、を備える。

電流電圧変換回路 100は、入力'出力端子として、第 1端子 102と、第 2端子 104と 、出力端子 106と、を備える。この電流電圧変換回路 100は、図 1において詳述する ように、電池 10から負荷回路 30に流れる電流を電圧に変換して増幅する。 AZDコ ンバータ 50は電流電圧変換回路 100の出力電圧 Voutを AZD変換する。演算部 7 0は AZDコンバータ 50で AZD変換された電圧値力も負荷回路 30の消費電力を特 定する。また、演算部 70は負荷回路 30の消費電力から電池 10の残容量も特定する

[0024] ここで、電池 10から負荷回路 30に供給される電流をバッテリ電流 Ibat、第 1端子 10 2と第 2端子 104との間の電圧を入力電圧 Viと表記する。

[0025] 電池 10は電流電圧変換回路 100の第 1端子 102に接続される。第 1端子 102と第 2端子 104との間には検出抵抗 Rdetが設けられている。第 2端子 104は負荷回路 30 に接続される。ここで、検出抵抗 Rdetの抵抗値は、負荷回路 30に最大限の電力を 供給するため、例えば数 πιΩ力も数十 πιΩのように微小値とする。したがって、ノ ッテ リ電圧 Vbat及びバッテリ電流 Ibatは大部分が負荷回路 30に供給される。電流電圧 変換回路 100の出力端子 106は AZDコンバータ 50に接続される。 AZDコンパ一 タ 50は例えば 10ビットのフルスケールで 2. 85Vのものを用いる。 A/Dコンバータ 5 0の出力は演算部 70に入力される。

[0026] 電流電圧変換回路 100は、入力電圧 Viを所望値に増幅し、増幅された電圧を出 力端子 106に出力する。ここで、「所望値」は、 AZDコンバータ 50のビット数とフルス ケールにより決定される。例えば 10ビットでフルスケールが 2. 85Vの AZDコンパ一 タでは、 2. 8mVに満たない程度の入力電圧に対しては出力電圧値は 0となるので、 電流電圧変換回路 100は、検出すべきバッテリ電流 Ibatに対応する入力電圧 Viに 対して出力電圧 Voutが 2. 8mVを超えるように増幅する。

[0027] 図 1において、電流電圧変換回路 100は、バッテリ電流 Ibatを入力電圧 Viに変換 する検出抵抗 Rdetと、入力電圧 Viを増幅する増幅回路 120と、増幅回路 120に接 続されたオフセット調節用電流源 150と、を備える。

増幅回路 120とオフセット調節用電流源 150は、 1つの半導体基板上に一体集積 化されている。

[0028] 増幅回路 120は、第 1抵抗 R1と、第 1トランジスタ Mlと、第 2抵抗 R2と、第 1演算増 幅器 108と、オフセット抵抗 Rofsと、を備える。

第 1抵抗 Rl、第 1トランジスタ Ml、及び第 2抵抗 R2は、検出抵抗 Rdetの高電位側 の第 1端子 102と第 1固定電圧端子に相当する接地との間に直列に接続されている 。第 1トランジスタ Mlは、実施の形態では P型の MOSFET(Metal— Oxide Semic onductor Field Effect Transistor)を用いる。第 1演算増幅器 108は、出力端 子が第 1トランジスタ Mlの制御端子に接続され、反転入力端子が第 1抵抗 R1と第 1 トランジスタ Mlとの接続点に接続される。オフセット抵抗 Rofsは、検出抵抗 Rdetの 低電位側の第 2端子 104と第 1演算増幅器 108の非反転入力端子との間に設けられ る。第 1トランジスタ Mlと第 2抵抗 R2との接続点の電圧が出力電圧 Voutとして出力 端子 106から取り出される。

[0029] ここで、第 1抵抗 R1に発生する電圧を VI、第 1抵抗 R1に流れる電流を II、オフセ ット抵抗 Rofsに発生する電圧をオフセット調節電圧 Vofs、オフセット抵抗 Rofsに流 れる電流をオフセット調節電流 ladj、第 1演算増幅器 108のオフセット電圧を Δνと表 記する。オフセット調節電流 ladjはオフセット調節用電流源 150により流れる。

[0030] このように構成された電流電圧変換回路 100では、第 1演算増幅器 108は第 1抵抗 R1と第 1トランジスタ Mlとによる帰還によりバランス状態が保たれるので、第 1演算増 幅器 108の反転入力端子と非反転入力端子との間ではイマジナリーショートが成立 する。したがって、出力電圧 Voutは、第 1抵抗 R1に流れる電流 II、オフセット抵抗 R ofsに発生するオフセット調節電圧を Vofs、第 1演算増幅器 108のオフセット電圧 Δ Vを用いて、

Vout=R2 X Il =R2 X (Vi+Vofs+ AV) /R1 (1)

と表される。なお、すべての式において、第 1抵抗 R1の抵抗値を R1とし、他の抵抗に ついてもその抵抗の符号をそのまま抵抗値として用いることにする。式（1)より、 Vofs = - AV となるようにオフセット調節電圧 Vofsを制御すれば、

Vout= (R2/R1) XVi (2)

となり、入力電圧 Vi、すなわち、検出抵抗 Rdetに加わる電圧は、第 1抵抗 R1と第 2抵 抗 R2との抵抗値の比を増幅度として増幅される。ここで、第 1抵抗 R1と第 2抵抗 R2 は 1つの半導体基板上において互いにペアリングして形成されているため、第 1抵抗 R1と第 2抵抗 R2との抵抗値の比は設計値に対して精度が良い。「ペアリングする」と は、同一種類の複数の素子を、 1つの半導体基板上の近接した位置に作り込むこと により、それらの素子の特性に関して、製造誤差、温度変化にともなう変動等を揃え ることをいう。オフセット調節電圧 Vofsは、オフセット抵抗 Rofsに流れるオフセット調 節電流 Iadjが以下に詳述するオフセット調節用電流源 150により調節されることによ り制御される。

[0031] オフセット調節用電流源 150は、基準電圧回路 152と、第 3抵抗 R3と、第 4抵抗 R4 と、第 2トランジスタ M2と、第 5抵抗 R5と、第 2演算増幅器 154と、を備える。

基準電圧回路 152は、例えばバンドギャップリファレンスであり、高精度の基準電圧 Vrefを発生する。第 3抵抗 R3及び第 4抵抗 R4は、基準電圧回路 152から出力され る基準電圧 Vrefを分圧する。第 2トランジスタ M2及び第 5抵抗 R5は、第 1演算増幅 器 108の非反転入力端子と第 2固定電圧端子に相当する接地との間に直列に接続 される。第 2トランジスタ M2は、実施の形態では nチャネル MOSFETを用いる。第 2 演算増幅器 154は、非反転入力端子に分圧された基準電圧 Vref'が入力され、反 転入力端子が第 2トランジスタ M2と第 5抵抗 R5との接続点に接続され、出力端子が 第 2トランジスタ M2の制御端子に接続される。

[0032] 第 3抵抗 R3及び第 4抵抗 R4は、トリミング可能であり、例えばレーザトリミング等によ りその抵抗値を調節可能に構成される。トリミングの手順としては、電池 10から負荷 回路 30に既知の電流を流したときの AZDコンバータ 50の出力を見ながらレーザトリ ミング等により第 3抵抗 R3及び第 4抵抗 R4の抵抗値を調節する。式（2)が満たされる ように調節を行うことも可能である。

[0033] このように構成されたオフセット調節用電流源 150では、基準電圧 Vrefは第 3抵抗 R3及び第 4抵抗 R4で分圧され、分圧された基準電圧 Vref 'が第 2演算増幅器 154 の非反転入力端子に入力される。また、第 2演算増幅器 154は第 2トランジスタ M2と 第 5抵抗 R5とによる帰還によりバランス状態が保たれるので、第 2演算増幅器 154の 反転入力端子と非反転入力端子との間ではイマジナリーショートが成立する。したが つて、オフセット調節電流 Iadjは、

Iadj =Vref ' /R5 (3)

である。分圧された基準電圧 Vref 'は、

Vref = Vref X R4/ (R3 +R4) (4)

であるから、第 3抵抗 R3及び第 4抵抗 R4の少なくとも一方の抵抗値を調節し、分圧さ れた基準電圧 Vref 'の大きさを調節することで所望のオフセット調節電流 Iadjを得る ことができる。ここで、オフセット調節電圧 Vofsは、第 1演算増幅器 108の入力インピ 一ダンスが十分高いとすると、 Vofs =Rofs X Iadj であるから、第 3抵抗 R3及び第 4 抵抗 R4の少なくとも一方の抵抗値を調節することで、所望のオフセット調節電圧 Vof sを生成できる。オフセット調節電圧 Vofsを制御し、第 1演算増幅器 108のオフセット 電圧 Δνをキャンセルすれば、入力電圧 Viを増幅する際に、第 1演算増幅器 108の オフセット電圧の影響により電流検出不能領域が存在することがない。

[0034] 図 3は、バッテリ電流 Ibatと出力電圧 Voutとの関係の例を示す。実線は増幅に用 いられる第 1演算増幅器 108のオフセット電圧 Δνがない場合に得られる関係である 。ノ ッテリ電流 Ibatが 0のときは出力電圧 Voutも 0で、ノ ッテリ電流 Ibatが増すにつ れて出力電圧 Voutもリニアに増加する理想的な関係である。

し力しながら、電流電圧変換回路 100に含まれる第 1演算増幅器 108のオフセット 電圧 Δνの影響により、ノ ッテリ電流 Ibatと出力電圧 Voutとの関係は、破線 X又は破 線 yに示されるように理想的な関係からずれてくる。破線 yは反転入力端子の電位が 非反転入力端子の電位より高い場合であるが、この場合、ノ ッテリ電流 Ibatの大きさ が Ibat，の大きさより小さ 、場合 (Ibat< Ibat，）にはバッテリ電流 Ibatが供給されて!ヽ るにもかかわらず出力電圧 Vout力^になってしまう。すなわち、第 1演算増幅器 108 のオフセット電圧 Δνの影響により、電流検出不能領域が存在してしまう。

[0035] 本実施の形態では、第 3抵抗 R3及び第 4抵抗 R4の少なくとも一方の抵抗値の調 節により、式（2)が満たされるようにオフセット調節電圧 Vofsを制御できる。そのため 、第 1演算増幅器 108のオフセット電圧 Δνがない場合と同様に、図 3の実線に示さ れる理想的な関係が得られる。

[0036] 本実施の形態によれば、オフセット調節用電流源 150の第 3抵抗 R3及び第 4抵抗 R4の抵抗値の調節によりオフセット抵抗 Rofsに対して任意の大きさのオフセット調節 電流 Iadjを流すことができ、任意のオフセット調節電圧 Vofsを発生させることができる ので、ノ ッテリ電流 Ibatが小さい場合でも電流検出不能状態を防止できる。したがつ て、電流電圧変換回路 100は検出精度のよい電流電圧変換が実施できる。

[0037] また、式（2)が満たされるようにオフセット調節電圧 Vofsを制御でき、この場合、ノ ッテリ電流 Ibatと出力電圧 Voutの関係として正比例が得られる。そうすると、演算部 70は、 AZDコンバータ 50の出力を補正せずに利用できるため、簡易で低コストの 消費電力検出回路 180及び電子機器 200が得られる。

[0038] また、電流電圧変換回路 100は検出精度のよい電流電圧変換を行うことができるの で、消費電力検出回路 180の演算部 70は、負荷回路 30の消費電力の特定が正確 になる。

その結果、演算部 70は、電池 10の残容量を正確に特定することができ、電池の管 理が容易となる。

[0039] 上記実施の形態は例示であり、それらの各構成要素や各処理プロセスの組合せに いろいろな変形例が可能なこと、またそうした変形例も本発明の範囲にあることは当 業者に理解されるところである。

[0040] 例えば、本実施の形態においては、第 1トランジスタ Mlとして P型の MOSFETを 使用し、第 2トランジスタ M2として N型の MOSFETを使用したがこれには限定され ない。第 1トランジスタ Mlとして P型の MOSFETに代えて PNP型のバイポーラトラン ジスタなどを用いてもよぐ要は第 1演算増幅器 108に対して反転入力端子と非反転 入力端子との間にイマジナリーショートが成立するように帰還動作をするものとして機 能すればょ 、。第 2トランジスタ M2として N型の MOSFETに代えて NPN型のバイポ 一ラトランジスタなどを用いてもよぐ要は第 2演算増幅器 154に対して反転入力端子 と非反転入力端子との間にイマジナリーショートが成立するように帰還動作をするも のとして機能すればよい。これらの選択は、回路の設計に使用する半導体製造プロ セスや、回路規模などの事情に応じて決定すればよい。

[0041] 実施の形態では、オフセット調節用電流源 150の第 3抵抗 R3及び第 4抵抗 R4は両 方ともトリミング可能である場合を例に説明したが、これに限定されることはなぐ第 3 抵抗 R3及び第 4抵抗 R4の少なくとも一方がトリミング可能であればよぐ要は基準電 圧回路 152の出力である基準電圧 Vrefを任意に分圧できればよい。さらに、第 5抵 抗 R5をトリミング可能に形成してもよい。

[0042] 本実施の形態において、増幅回路 120とオフセット調節用電流源 150とを構成する すべての素子は 1つの半導体基板上に一体集積化されているが、これにも限定され ず、その一部または全部がディスクリート部品で構成されてもよい。どの部分を集積 化するかは、コストや占有面積などによって決めればよい。

[0043] また実施の形態では、電流電圧変換回路 100を、携帯電話やポータブル CDプレ 一ヤー等の電池駆動の電子機器に使用した例について説明したが、これにも限定さ れない。電流電圧変換回路 100は、入力電流を電圧に変換して増幅する用途全般 に使用することができる。

[0044] 実施の形態にもとづき、本発明を説明したが、実施の形態は、本発明の原理、応用 を示しているにすぎないことはいうまでもなぐ実施の形態には、請求の範囲に規定さ れた本発明の思想を離脱しない範囲において、多くの変形例や配置の変更が可能 であることは 、うまでもな！/、。

産業上の利用可能性

[0045] 本発明は、電池駆動の電子機器における電流電圧変換をはじめとする様々な電流 電圧変換の用途に利用できる。

Claims

請求の範囲

[1] 検出対象の電流を電圧に変換する電流電圧変換回路であって、

前記検出対象の電流の経路上に設けられた検出抵抗と、

前記検出抵抗の高電位側の第 1端子と第 1固定電圧端子との間に直列に接続され た第 1抵抗、第 1トランジスタ、及び第 2抵抗と、

出力端子が前記第 1トランジスタの制御端子に接続され、反転入力端子が前記第 1 抵抗と前記第 1トランジスタとの接続点に接続された第 1演算増幅器と、

前記検出抵抗の低電位側の第 2端子と前記第 1演算増幅器の非反転入力端子と の間に設けられたオフセット抵抗と、

トリミング可能な抵抗を含み、該抵抗の抵抗値を調節することにより電流値が制御さ れるオフセット調節電流を前記オフセット抵抗に流すオフセット調節用電流源と、を備 え、

前記第 1トランジスタと前記第 2抵抗との接続点の電圧を出力することを特徴とする 電流電圧変換回路。

[2] 前記オフセット調節用電流源は、

基準電圧回路と、

前記基準電圧回路から出力される基準電圧を分圧する第 3抵抗及び第 4抵抗と、 前記第 1演算増幅器の非反転入力端子と第 2固定電圧端子との間に直列に接続さ れた第 2トランジスタ及び第 5抵抗と、

非反転入力端子に分圧された前記基準電圧が入力され、反転入力端子が前記第 2トランジスタと前記第 5抵抗との接続点に接続され、出力端子が前記第 2トランジス タの制御端子に接続された第 2演算増幅器と、を備え、

前記第 3抵抗及び前記第 4抵抗の少なくとも一方は、トリミング可能に構成されてい ることを特徴とする請求項 1に記載の電流電圧変換回路。

[3] 前記第 1抵抗と、前記第 1トランジスタと、前記第 2抵抗と、前記第 1演算増幅器と、 前記オフセット抵抗と、前記オフセット調節用電流源とが、 1つの半導体基板上に一 体集積化されたことを特徴とする請求項 1に記載の電流電圧変換回路。

[4] 負荷回路に流れる電流を検出対象とする請求項 1から 3のいずれかに記載の電流 電圧変換回路と、

前記電流電圧変換回路の出力電圧を AZD変換する AZDコンバータと、 前記 AZDコンバータで AZD変換された前記出力電圧の電圧値から前記負荷回 路の消費電力を特定する演算部と、を備えることを特徴とする消費電力検出回路。

[5] 電池と、

前記電池により駆動される負荷回路と、

前記負荷回路の消費電力を検出する請求項 4に記載の消費電力検出回路と、を 備え、

前記消費電力検出回路の前記演算部は前記負荷回路の消費電力から前記電池 の残容量を特定することを特徴とする電子機器。