WO2006109704A1 - 紫外線を発光する高強度応力発光材料とその製造方法、ならびに、その利用 - Google Patents

紫外線を発光する高強度応力発光材料とその製造方法、ならびに、その利用 Download PDF

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Chao-Nan Xu
Hiroshi Yamada
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Definitions

  • High-intensity stress luminescent material that emits ultraviolet light, its manufacturing method and use
  • the present invention relates to a stress-stimulated luminescent material, a method for producing the same, and use thereof, and particularly to a high-strength stress luminescent material that emits ultraviolet light, a method for producing the same, and use thereof.
  • fluorescent phenomenon a phenomenon in which visible light is emitted by receiving various external stimuli (external stimuli) (so-called fluorescent phenomenon) is known.
  • Substances exhibiting such a fluorescent phenomenon are called phosphors and are used in various fields such as lamps, illumination lamps, various displays such as cathode ray tubes and plasma display panels, and pigments.
  • the present inventors have (1) a stress luminescent material having a spinel structure, a corundum structure, or a j8 alumina structure (see Patent Document 1), and (2) a stress luminescent material of a silicate.
  • Patent Documents 2 and 3 (3) Defect-controlled aluminate high-intensity stress emitter (see Patent Document 4), (4) Composite material containing epoxy resin and application of the composite material A method for visualizing and evaluating the stress distribution by applying mechanical forces such as compression, tension, friction, and torsion to a specimen made of a membrane (see Patent Documents 4 and 5), (5 ) High-brightness mechanoluminescence material that has a structure in which a wurtzite structure and a zinc blende structure coexist, and is composed mainly of oxides, sulfides, selenides, and tellurium (Patent Literature) (See 6)).
  • the above stress-stimulated luminescent material emits light semipermanently repeatedly with a luminance that can be confirmed with the naked eye. Is possible. Moreover, these stress light-emitting bodies can be used for measuring the stress distribution in the structure including the stress light-emitting body.
  • Examples of stress distribution measurement methods include: (1) a stress or stress distribution measurement method using a stress illuminant, (2) a stress distribution measurement system (see Patent Document 7), (3) A light emitting head that directly converts a mechanical external force into an optical signal and transmits it, (4) a remote switch system using the light emitting head (see Patent Document 8), and the like.
  • the conventional stress-stimulated illuminant exhibits strong light emission (high luminance light emission) at an emission wavelength of 500 nm or more (green to red light emission wavelength region).
  • a phosphor that emits intense light in a shorter emission wavelength range (ultraviolet to blue-violet emission wavelength range) has not been known so far.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Publication “JP 2000-119647 (published on April 25, 2000)”
  • Patent Document 2 Japanese Published Patent Publication “JP 2000-313878 Gazette (Released on January 14, 2000)”
  • Patent Document 3 Japanese Patent Publication “JP 2003-165973 Publication (published June 10, 2003)”
  • Patent Document 4 Japanese Patent Publication “JP 2001-49251 Publication (Released on February 20, 2001)”
  • Patent Document 5 Japanese Patent Publication “JP 2003-292949 Gazette (2003 (2003) 1/15)”
  • Patent Document 6 Japanese Patent Publication “JP 2004-43656 Publication (Released on February 12, 2004)”
  • Patent Document 7 Japanese Patent Publication “JP 2001-215157 Publication (Released on August 10, 2001)”
  • Patent Document 8 Japanese Patent Publication “JP 2004-77396 (published on March 11, 2004)”
  • the present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and the object thereof is a specific crystal structure. It is an object of the present invention to provide a high-strength stress luminescent material and a method for producing the same using a substance having a structure. Furthermore, another object of the present invention is to provide a high-stress stress luminescent material that exhibits ultraviolet light emission, which has not been developed so far, and a method for producing the same.
  • the present inventors have intensively studied a stress-stimulated luminescent material exhibiting strong and luminescence, paying attention to the crystal structure of the stress-stimulated luminescent material.
  • the minimum unit of the crystal structure is composed of molecules of polyhedral structures such as tetrahedron, hexahedron, and octahedron, and alkali metal ions and alkaline earth metals are interposed between these polyhedral structure molecules. It has been found that a stress-stimulated luminescent material having a large space of the above crystal structure and a flexible structure that is flexibly bonded exhibits strong light emission by insertion of ions.
  • this framework structure is one-dimensional, two-dimensional, or three-dimensional, and a stress-stimulated luminescent material that contains a specific metal ion as a luminescent center exhibits strong ultraviolet emission.
  • the present invention has been completed.
  • the stress-stimulated luminescent material according to the present invention has a basic structure in which alkali metal ions and alkaline earth metal ions are inserted into a space of a host structure formed by a plurality of molecules having a polyhedral structure. Selected from the group consisting of a rare earth metal ion, a transition metal ion, a group III metal ion, and a group IV metal ion. It is characterized by being substituted by at least one metal ion.
  • the basic structure has spontaneous strain
  • the polyhedral structure molecule includes at least one of tetrahedral structure A1O, SiO, PO, and BO.
  • the basic structure preferably has a triclinic structure belonging to the P-1 space group.
  • the triclinic structure belonging to the P-1 space group is preferably an ananosite-like structure.
  • the basic structure has a tetragonal structure belonging to the P-42 m space group.
  • the tetragonal structure belonging to the P-42m space group is preferably an akermanite-like structure.
  • the basic structure has a trigonal crystal structure belonging to the R-3 space group.
  • the stress-stimulated luminescent material emits ultraviolet light.
  • the basic structure has the following general formulas (1) to (6),
  • M and N are divalent metal ions, at least one is Ca, Sr, Ba, Mg or Mn, and X and Y are monovalent metal ions. And at least one is Li, Na, or K, and 0 ⁇ x, y ⁇ 0.8.
  • the stress-stimulated luminescent material according to the present invention it is preferable that a plurality of alkali metal ions or alkaline earth metal ions having different ion radii are inserted in the space formed in the host structure.
  • the strain (spontaneous strain) of the stress-stimulated luminescent material becomes larger than when a single alkali metal or alkaline earth metal is provided.
  • a stress-stimulated luminescent material having spontaneous strain emits light more easily than a stress-stimulated luminescent material that does not have spontaneous strain.
  • the spontaneous strain of the stress-stimulated luminescent material can easily emit light.
  • the content of the rare earth metal, transition metal, group III metal, and group IV metal is preferably in the range of 0.1 lmol% to 10 mol%.
  • the content greatly affects the light emission of the stress-stimulated luminescent material, but the stress-stimulated luminescent material can be made to emit light effectively by setting the content within the above range.
  • the rare earth metal ions include Eu, Dy, La, Gd, Ce, Sm, Y, Nd, Tb, Pr, Er.
  • the selected ion is at least one metal ion, and is preferably at least one metal ion selected from the group consisting of the group IV metal ion forces Ge, Sn, and Pb.
  • the rare earth metal ion is a Ce ion
  • the group III metal ion is a T1 ion
  • the group IV metal ion is a Sn ion or a Pb ion.
  • the stress-stimulated luminescent material it is preferable that at least Ce ions are inserted in the space.
  • Ce ions or a mixture of Ce ions and other ions serves as a light emission center, and the stress-stimulated light emitting material can exhibit ultraviolet light emission.
  • the stress-stimulated luminescent material according to the present invention is Ca Ce Al Si 2 O (provided that 0.001 ⁇ y
  • the stress-stimulated luminescent material used in the present invention is Sr Ce (PO 4) (however, 0.001 ⁇ y ⁇ 0 l-y y 4 2
  • the method for producing a stress-stimulated luminescent material according to the present invention is a basic method in which an alkali metal ion and an alkaline earth metal ion are inserted into a space of a host structure formed by a plurality of molecules having a polyhedral structure.
  • the manufacturing method preferably includes a step of inserting a plurality of alkali metal ions or alkaline earth metal ions having different ionic radii into the space formed in the host structure.
  • a stress-stimulated luminescent material according to the present invention is characterized in that the stress-stimulated luminescent material is formed.
  • the stress-stimulated luminescent material is preferably formed by mixing the stress-stimulated luminescent material and a polymer material.
  • a method of using a stress-stimulated luminescent material according to the present invention is a method in which the stress-stimulated luminescent material is dispersed in a one-dimensional manner. It is characterized by making it.
  • the method of using the stress luminescent material is characterized in that the stress luminescent material is distributed two-dimensionally.
  • the stress-stimulated luminescent material is preferably distributed three-dimensionally.
  • the stress-stimulated luminescent material according to the present invention includes alkali metal ions and alkaline earth metal ions in a matrix structure space that is composed of polyhedral molecules and has a space where distortion is likely to occur. Has the basic structure inserted. Therefore, there is an effect that strong light emission can be shown. Further, in the stress-stimulated luminescent material, some of the alkali metal ions and alkaline earth metal ions inserted into the space are rare earth metal ions, transition metal ions, group III metal ions, and group IV metal ion ions. And at least one metal ion selected from the above. Therefore, there is an effect of showing strong ultraviolet light emission.
  • FIG. 1 is a schematic diagram showing the crystal structure of CaAl Si 2 O.
  • FIG. 2 (a) is a schematic diagram showing the crystal structure of Sr MgSi 2 O.
  • FIG. 2 (b) Schematic diagram showing the crystal structure of Sr MgSi O when viewed from a different angle than Fig. 2 (a)
  • FIG. 3 is a schematic diagram showing the crystal structure of Ba (PO 4).
  • FIG. 4 is a schematic diagram showing the crystal structure of Ca Sr Al Si O.
  • FIG. 5 is a diagram showing a powder X-ray diffraction pattern of Ca Ce Tb Al Si O.
  • FIG. 6 is a graph showing an emission spectrum of Ca Ce Tb Al Si O.
  • FIG. 7 is a graph showing the time-dependent change in stress luminescence of Ca Ce Tb Al Si O.
  • FIG. 8 is a graph showing measurement results of PL intensity and ML intensity of the stress-stimulated luminescent material in Example 3.
  • FIG. 9 is a graph showing measurement results of PL intensity and ML intensity of the stress-stimulated luminescent material in Example 4.
  • FIG. 10 shows the measurement results of PL intensity and ML intensity of the stress-stimulated luminescent material in Example 5. It is a graph.
  • FIGS. 1 and 4 Note that the present invention is not limited to this.
  • the present invention will be described in more detail in the order of the stress-stimulated luminescent material according to the present invention, the production method thereof, and the use of the present invention.
  • the basic structure of the stress-stimulated luminescent material according to the present invention is preferably a structure in which alkali metal ions and alkaline earth metal ions are inserted into the space of the matrix structure formed by a plurality of molecules having a polyhedral structure. .
  • polyhedral structure molecule refers to a molecule in which a polyhedral structure is formed by connecting another atom bonded to a central atom. That is, the polyhedron is virtual.
  • SiO molecules and AIO molecules are respectively key atoms (Si) or
  • Other molecules of polyhedral structure include GaO, MgO, PO, BO, etc.
  • the "matrix structure” refers to a molecule (polyhedral structure molecule) having a polyhedron (for example, a tetrahedron, a hexahedron, an octahedron, etc.) as a minimum unit of a crystal, alone or in combination.
  • the matrix structure thus formed has a flexible structure including a large space (gap). In other words, the matrix structure is likely to be distorted in the space. In this manner, the strain energy generated by the distortion of the matrix structure excites the emission center of the stress-stimulated luminescent material. When the emission center in the excited state returns to the ground state, the stress-stimulated luminescent material emits light. Therefore, when the base structure has the above structure, the stress is The luminescent material is strong and can emit light.
  • Figure 1 shows a three-dimensional matrix structure (frame structure) by using tetrahedral structure SiO and AIO.
  • Fig. 2 (a) and Fig. 2 (b) are two-dimensional by SiO.
  • spontaneous strain refers to strain that occurs when a structure changes to another structure.
  • a luminescent material changes into a structure with good symmetry when the temperature rises, but from there, when the temperature or pressure changes, the structure changes and changes to another phase.
  • “Spontaneous strain” is an index indicating how much distortion is generated from such a symmetrical structure as compared to the structure, and indicates the strain of the light emitting material itself. Note that “spontaneous strain” does not include strain generated in the light emitting material by external force. These materials are characterized by having no center of crystal symmetry.
  • the polyhedral structure molecule forming the matrix structure is not particularly limited, but is preferably a tetrahedral structure, hexahedral structure, or octahedral structure molecule.
  • AIO, PO, BO, and SiO are preferable.
  • these tetrahedral structures are preferable.
  • the structure around the emission center inserted into the matrix structure formed by these is highly flexible. Therefore, when the stress is adjusted, the stress is concentrated at the light emission center of the flexible structure, and the matrix structure is easily distorted. Therefore, as described above, the stress-stimulated luminescent material is likely to generate stress luminescence due to strain energy.
  • the matrix structure may be formed by one type of polyhedral molecule.
  • it may be formed of a plurality of types of polyhedral structure molecules.
  • the basic structure is formed by inserting an alkali metal ion and an alkaline earth metal ion into the space of the base structure.
  • the basic structure includes an aluminosilicate, phosphoric acid, and the like. Realized by salt, borate, silicate, or aluminate.
  • alumino silicate is respectively phosphoric acid.
  • Alkali metal salts or alkaline earth metal salts of boric acid, caustic acid, and aluminate are respectively phosphoric acid.
  • the alkali metal ions and alkaline earth metal ions are not particularly limited, and examples of the alkali metal ions include ions such as Li, Na, K, Rb, and Cs. Examples of alkaline earth metal ions include Ca, Mg, Ba, and Sr ions.
  • the alkali metal ions and the alkaline earth metal ions inserted into the space of the parent structure may be one type or two or more types. Furthermore, when a plurality of types of alkali metals and alkaline earth metals are inserted, it is preferable that the plurality of types of alkali metals and / or alkaline earth metals have different ionic radii. As a result, the spontaneous strain of the stress-stimulated luminescent material changes, and the stress-stimulated luminescent material easily emits light.
  • a part of the alkali metal or alkaline earth metal inserted into the space of the host structure may be substituted with other ions. If the crystal structure can be maintained, it becomes easier to distort by substitution, and stress emission becomes easier.
  • the basic structure has a triclinic structure belonging to the P-1 space group, a tetragonal structure belonging to the P-42m space group, or a trigonal structure belonging to the R-3 space group. It is preferable.
  • An example of a triclinic structure belonging to the P-1 space group is an ananosite-like structure. “Ananosite-like structure” is also described below, but it is similar to ananosite structure as long as alkali metal ions and alkaline earth metal ions can be inserted into the space of a three-dimensional structure that does not show only the ananosite structure. It is meant to encompass structures (similar compositions).
  • An example of a tetragonal structure belonging to the P-42 m space group is an akermanite-like structure.
  • the “Okermanite-like structure” is a structure similar to the Okermanite structure within the range in which alkali metal ions and alkaline earth metal ions can be inserted into the space of the parent structure, which does not show only the Okermanite structure. Composition).
  • the basic structure is preferably an aluminosilicate.
  • Aluminokeate It can be obtained by substituting a part of the polysilicate ion with aluminum.
  • alkali metal ions or alkaline earth metal ions are inserted in the space (gap) of the crystal structure.
  • feldspar can be exemplified.
  • the feldspar is ideal chemical composition Z (Si, Al) O (where Z is an alkali metal or Al force)
  • feldspar is usually sodium feldspar (albite), NaAISi O, anorthite (anorthite) Ca
  • 3D structures are formed when molecules share multiple vertices and join together. Furthermore, in feldspar, Z (alkaline metal or alkaline earth metal) is inserted into the space (gap) formed in the 3D structure.
  • the anorthite structure comprises AIO and SiO as the basic structure.
  • ananosite-like structure means, as described above, an alkali metal ion in a space of a host structure that forms a three-dimensional structure of a light emitter that does not show only ananosite.
  • a structure similar to an ananosite structure is included within a range in which an alkaline earth metal ion can be inserted.
  • feldspar-like structure means that alkali metal ions and ions are present in a three-dimensional structure space that does not only show feldspar structure. It is meant to include structures similar to the ananosite structure (similar compositions) as long as a rutile earth metal ion can be inserted.
  • quadsi-feldspar is an aluminoate salt similar to "feldspar", and AIO and Si
  • O forms a 3D structure by sharing multiple vertices and joining them together
  • quasi-feldspars examples include leucite KAISi O and nepheline (neph).
  • the luminescent material having the same composition and different structure does not have the stress luminescence function. I will confirm.
  • the structure obtained by the above manufacturing method has a hexagonal layered structure as specified in the titles of the above references. This is completely different from the crystal structure of the present invention.
  • the hexagonal layered structure of BaAl Si O exhibits strong destructive luminescence
  • the light is emitted by strain energy due to mechanical external force, that is, “reactive light emission” in the present invention is not shown. This is because the light emission principle of the two is completely different, and the matrix structure of the preferred light emitting material is different.
  • the present inventors have identified the crystallinity of the silicate, including the previously-filed silicate phosphors (see Patent Documents 2 and 3). As a result, none of the crystals had the host structure proposed in the present invention.
  • the silicate phosphors disclosed in Patent Documents 2 and 3 were evaluated using frictional luminescence or instantaneous compression luminescence of disk pellets for luminescence measurement, and contributed to destructive luminescence. Showing
  • light emission resulting from deformation is due to a principle that is completely different from destructive light emission (for example, reference: hybrid stress light-emitting material, ceramics, 39 (2), page 13). 0-133, 2004), a light-emitting material having a large destructive light emission does not always produce modified light emission.
  • the present inventors have confirmed that the previously proposed light emitting material with high destructive light emission shows almost no light emission due to deformation! /
  • the stress-stimulated luminescent material according to the present invention includes alkali metal ions and partial forces of Z or alkaline earth metal ions inserted in the space of the host structure, rare earth metal ions, transition metal ions, and group III metal ions. And preferably substituted by at least one metal ion selected from the group consisting of group IV metal ion forces.
  • rare earth metal ion, transition metal ion, group III metal ion, and group IV metal ion are not particularly limited, but are preferably those that serve as emission centers.
  • rare earth metal ions include: Palladium (Eu), Dipsirosium (Dy), Lanthanum (La), Gadolinium (Gd), Cerium (Ce), Samarium (Sm), Yttrium (Y), Neodium (Nd) ), Terbium (Tb), praseodymium (Pr), erbium (Er), thulium (Tm), ytterbium (Yb), scandium (Sc), promethium (Pm), holmium (Ho), lutetium (Lu), etc. These ions are exemplified.
  • transition metal ions chromium (Cr), manganese (Mn), iron (Fe), antimony (Sb), titanium (Ti), zirconium (Zr), vanadium (V), cobalt (Co) And ions such as nickel (Ni), copper (Cu), zinc (Zn), niobium (Nb), molybdenum (Mo), tantalum (Ta), and tungsten (W).
  • group III metal ions include ions such as aluminum (A1), gallium (Ga), indium (In), and thallium (T1).
  • Group IV metal ions include germanium (Ge), tin (Sn), and lead (Pb) ions.
  • At least one of these rare earth metal ions, transition metal ions, Group III metal ions, and Group IV metal ions may be selected.
  • the content of rare earth metal ions and transition metal ions greatly affects the luminescence.
  • the content is not particularly limited, but is preferably within a range in which the three-dimensional structure of the parent structure can be maintained. Specifically, it is preferably within the range of 0.1 mol% to 20 mol%. More preferably, it is in the range of 0.2 mol% or more and 10 mol% or less, and particularly preferably in the range of 0.5 mol% or more and 5 mol% or less.
  • efficient light emission cannot be obtained, and when it exceeds 20 mol%, the matrix structure is disturbed and the light emission efficiency is lowered.
  • the luminescent color of the luminescent material changes depending on the type of luminescent center.
  • the emission color can be changed according to the kind of the rare earth metal ion, transition metal ion, group IV metal ion, and group IV metal ion selected.
  • Conventional stress-stimulated luminescent materials can obtain strong light emission when the emission wavelength is 500 nm or more (green to red wavelength range), but in the shorter emission wavelength range, that is, from ultraviolet to blue wavelength range, I could't get strong luminescence.
  • the stress-stimulated luminescent material according to the present invention for example, if Ce ions are selected as the rare earth metal ions, a stress-stimulated luminescent material (high-strength stress-stimulated luminescent material) that emits strong ultraviolet light can be realized. I'll do it.
  • the stress-stimulated luminescent material according to the present invention it is preferable that at least Ce ions are inserted in the space formed in the matrix structure. That is, it is preferable to use the luminescent central force Ce ion of the stress luminescent material or a mixture thereof. Thereby, the stress light-emitting material which shows ultraviolet light emission suitably can be provided.
  • ultraviolet light refers to radiation in a wavelength region of 200 to 400 nm.
  • the stress-stimulated luminescent material according to the present invention emits light by causing distortion in the crystal structure (space) of the host structure.
  • This stress-stimulated luminescent material exhibits strong luminescence by causing distortion in the matrix structure having a three-dimensional structure due to mechanical external force.
  • stress light emission refers to light emission caused by deformation due to mechanical external force such as frictional force, shearing force, pressure, and tension.
  • the crystal structure of the host structure can be distorted by various energies such as an electric field, in addition to being distorted by a mechanical external force.
  • the light may be emitted in a light emission mode other than the stress light emission.
  • stress luminescent materials are other luminescent materials (for example, electric fields). Compared with a luminescent material or the like, it is very difficult to manufacture. For example, even if a mechanical external force is applied to the electroluminescent material without applying an electric field, no light is emitted.
  • a stress-stimulated luminescent material can emit light even in a luminescence mode other than stress luminescence. For example, if stress luminescence is shown, luminescence of other luminescence modes (electroluminescence, etc.) is also shown. Therefore, the light emission mode of the light emitting material of the present invention is not particularly limited, and light can be emitted by a light emission mode other than stress light emission.
  • the basic structure of the stress-stimulated luminescent material that can be applied to the present invention is represented by one shift force of the following general formulas (1) to (6).
  • M and N are divalent metal ions, at least one is Ca, Sr, Ba, Mg or Mn, and X and Y are monovalent metal ions. And at least one is Li, Na, or K, and 0 ⁇ x, y ⁇ 0.8.
  • stress-stimulated luminescent materials exhibiting particularly intense ultraviolet light emission include aluminoacids composed of alkali metal oxides or alkaline earth metal oxides, aluminum oxides, and silicon oxides. As long as it is a salt and can maintain a feldspar structure, preferably an ananosite structure, a part of the alkali metal ions or alkaline earth metal ions may be separated from another monovalent metal ion or divalent metal ion.
  • a light emitting material substituted with metal ions and further substituted with one or more transition metal ions or rare earth metal ions is preferred.
  • the stress-stimulated luminescent material exhibiting ultraviolet light emission according to the present invention has the following general formula (7)
  • M and N in the formula are each Ca, Sr, Mg, or Ba in the ananosite structure, Li, Na, or K in the feldspar structure, and Q is a rare earth metal ion, transition metal ion, Group IV metal ions or Group IV metal ions, 0 ⁇ x ⁇ 0.8, 0.00 l ⁇ y ⁇ 0. Number that satisfies 1. It is preferable that it is a stress light-emitting material represented by
  • the stress-stimulated luminescent material is preferable because Ca is selected as the alkaline earth metal ion and a part of the Ca site is substituted with Ce as the rare earth metal ion.
  • the stress-stimulated luminescent material has the following general formula (8),
  • the general formula (8) is represented by the following formula: Ca Ce Al Si O (where m is 0.001 ⁇ m ⁇ 0.1.
  • a stress-stimulated luminescent material in which Sr is selected as an alkaline earth metal ion and a part of the Sr site is substituted with Ce as a rare earth metal ion is more effective. I like it.
  • the stress-stimulated luminescent material has the following general formula (9),
  • the general formula (9) is expressed as Sr Ce (PO) (where m satisfies 0.001 ⁇ m ⁇ 0.1.
  • luminescent center ion refers to a rare earth metal ion, a transition metal ion, a group III metal ion, or a group IV metal ion.
  • the stress-stimulated luminescent material can be produced by weighing and firing the raw materials so that the composition of the stress-stimulated luminescent material is obtained.
  • firing is extremely important.
  • the temperature is rapidly lowered during firing because it is difficult to obtain predetermined crystallinity.
  • the firing temperature can be raised and lowered stepwise at a rate of 2 ° C. for 1 minute.
  • the firing temperature in the production of the stress-stimulated luminescent material is not particularly limited as long as it is within a range where a predetermined matrix structure can be formed. Furthermore, this firing temperature is preferably set according to the composition of the stress-stimulated luminescent material. In other words, what should be emphasized in the present invention is that the above-described host structure is formed in the stress-stimulated luminescent material of the present invention.
  • the stress luminescent material is not obtained at 1000 ° C, but the stress luminescent material is obtained from 1200 ° C.
  • a host structure of a stress-stimulated luminescent material is formed by firing at 1200 ° C. or higher, and a stress-stimulated luminescent material having this host structure can be manufactured.
  • the raw material of the stress-stimulated luminescent material according to the present invention is not particularly limited, and is preferably a material that becomes an oxide by firing.
  • a material that becomes an oxide by firing for example, depending on the composition of the aluminosilicate as described above, by firing, alkali metal oxides and alkaline earth metal oxides, aluminum oxides, silicon oxides, and rare earth metals Oxides and
  • a stress-stimulated luminescent material can be produced by weighing and firing the raw materials so that an oxide of Z or a transition metal is formed.
  • alkali metal and alkaline earth metal inorganic or organic compound salts can be used as such raw materials.
  • a salt of an inorganic compound or an organic compound of a rare earth metal, a transition metal, a group VIII metal, or a group IV metal can be used.
  • Examples of the salt of the inorganic compound include carbonates, oxides, halides (for example, salts), hydroxides, sulfates, and nitrates.
  • Examples of the salt of the organic compound include acetates and alcoholates.
  • Al 2 O and SiO can be used as raw materials for aluminum oxide and silicon oxide.
  • a fluxing agent such as boric acid or salt ammonium can be used.
  • the amount of the raw material of the stress-stimulated luminescent material described above depends on the composition of the stress-stimulated luminescent material to be manufactured.
  • the amount of the proportion corresponding to the constituent atomic ratio is used.
  • the stress-stimulated luminescent material used in the present invention is an ultraviolet ray that has not been obtained so far! It is a stress-stimulated luminescent material that exhibits luminescence Therefore, the use of the present invention is not particularly limited, and the above-described stress-stimulated luminescent material can be used in various fields using ultraviolet rays, and can be used in various forms.
  • the stress-stimulated luminescent material can be used as fine particles.
  • it can be used for a one-dimensional distributed system.
  • “one-dimensional dispersion” refers to a phenomenon in which a particulate material is dispersed in another uniform material
  • “one-dimensional dispersion” refers to a particulate material. Disperse a substance (as an example in the present invention, a stress-emitting fine particle having a particle size of several ⁇ ! To 100 ⁇ m) in another uniform substance! Uh.
  • the stress-stimulated luminescent material made of the stress-stimulated luminescent material is dispersed in a target system and mechanically used.
  • a method in which ultraviolet rays are generated by an external force is used. The generated ultraviolet rays function physically and chemically with respect to an object in contact with or close to the stress-stimulated luminescent particles.
  • the stress-stimulated luminescent material can be used by coating an object. That is, it can be used by being distributed two-dimensionally.
  • the surface of the target system is coated with the luminescent fine particles, and ultraviolet rays are generated by a mechanical external force. This ultraviolet ray functions physically and chemically with respect to the object in contact with the stress-stimulated luminescent particles.
  • the stress-stimulated luminescent material can be used by coating an object on a three-dimensional network structure. In other words, it can be used in a three-dimensional distribution.
  • a uniform material containing the stress-stimulated luminescent particles is processed into a specific shape and used as a stress-stimulated luminescent body (stressed luminescent structure) that emits ultraviolet rays.
  • stress-stimulated luminescent body stressed luminescent structure
  • the emission of ultraviolet light has a high energy due to its short wavelength. For this reason, the energy of ultraviolet rays obtained by causing the ultraviolet emitter to emit light can be used as excitation light.
  • the above-described ultraviolet light emitter and a light emitter having a color different from blue, such as red 'yellow' green, and the light emitter that emits light by ultraviolet light and does not emit light by stress are mixed with the composite material. To do. When stress is applied to this composite material, only the ultraviolet light emitter emits light. The ultraviolet energy generated by the light emission of the ultraviolet light emitter is used as excitation energy for exciting the light emitter that emits visible light. Thereby, the light emitters of all colors from blue to red can emit light. As a result, the emission color of the composite material can be changed.
  • the emission of ultraviolet light has high energy, it can be easily detected by a detector.
  • ultraviolet light especially light in the vicinity of 4 OOnm, has the advantage that there is less interference even in the lighting environment when measuring the emitted light, which is less emitted by the power of lighting fixtures such as fluorescent lamps.
  • the light emitter according to the present invention emits light by applying mechanical external force such as frictional force, shearing force, impact force, vibration, wind force, and ultrasonic wave.
  • This emission intensity depends on the nature of the mechanical external force that serves as the excitation source, but generally tends to increase as the applied mechanical force increases. Therefore, it is possible to know the mechanical external force applied to the light emitter by measuring the light emission intensity of the light emitter. As a result, the stress state applied to the light emitter can be detected without contact, and the stress state can be visualized. For this reason, the light-emitting body of the present invention can be expected to be applied in a wide range of fields such as a stress detector.
  • the stress-stimulated luminescent material according to the present invention can be made into a laminated material by providing the coating film on the surface of the heat-resistant substrate.
  • This coating film is obtained by applying a coating solution prepared by dissolving a compound capable of forming the above-mentioned host structure, for example, nitrate, halide or alkoxy compound in a solvent to the surface of the heat-resistant substrate. It is formed by firing.
  • the heat-resistant base material is not particularly limited, but examples of the material include heat-resistant glass such as quartz, silicon, dalafite, quartz glass and Vycor glass, alumina, and nitrided carbon.
  • Ceramics such as silicon carbide and molybdenum silicide
  • heat resistant steels such as stainless steel
  • heat resistant metals such as nickel, chromium, titanium, and molybdenum
  • heat resistant alloys such as cermets, cements, and concretes.
  • the stress-stimulated luminescent material according to the present invention can also be used as a composite material with other inorganic materials or organic materials. Since this composite material contains a stress-stimulated luminescent material, light is emitted when the composite material is strained by a mechanical external force.
  • a composite material in which a stress-stimulated luminescent material is mixed and dispersed in an organic material such as resin or plastic at an arbitrary ratio is formed.
  • a mechanical external force is applied to the composite material, strain is generated in the stress light-emitting material in the composite material. This strain becomes excitation energy, and the composite material emits light.
  • the stress-stimulated luminescent material that can be applied to the present invention can be applied to the surface of other materials.
  • the stress-stimulated luminescent material can be used by forming a layer containing the stress-stimulated luminescent material (stress luminescent layer) on the surface of another material.
  • stress luminescent layer the stress-stimulated luminescent material
  • the stress light emitting layer is deformed and emits light.
  • a stress light emitting layer is formed and used, light emission in a large area can be realized using a small amount of stress light emitting material.
  • the light emitter according to the present invention can also be used as a phosphorescent material or a phosphor.
  • the composite material of stress luminescent material is mixed with organic polymer powder of inorganic stress luminescent material.
  • the organic polymer is an epoxy resin
  • the inorganic stress-stimulated phosphor powder and the epoxy resin were mixed at a weight ratio of 1: 1, and then processed into a composite material sample piece of 20 ⁇ 5 ⁇ 45 mm.
  • Ca is used as the alkaline earth metal
  • AIO is used as one of the polyhedral structure molecules that form the 3D framework (matrix structure)
  • the 3D framework (matrix structure) is used.
  • TbO and silicon oxide SiO have a composition of Ca Ce Tb Al Si O.
  • XRD X-ray diffraction
  • PL UV-excited luminescence
  • ML stress luminescence
  • Fig. 5 is an XRD pattern when the firing temperature is changed. From this diffraction pattern, it became clear that the triclinic phase belonging to the P-1 space group exhibiting stress emission appeared at 1200 ° C or higher. Furthermore, the stress-stimulated luminescent material having this structure could be stably produced up to at least 1500 ° C. The temperature was raised and lowered gradually (at a rate of 2 ° C for 1 minute).
  • FIG. 6 shows a stress emission spectrum of Ca Ce Tb Al Si O. As shown in Figure 6.
  • the emission peak corresponding to the added Ce 3+ is 380 nm. This indicates that Ca Ce Tb Al Si O force emits ultraviolet fluorescence when excited by ultraviolet light.
  • Figure 7 shows the time-dependent change of stress luminescence in Ca Ce Tb Al Si O composites.
  • the stress luminescence was measured by measuring the luminescence characteristics using a material testing machine while applying a mechanical compressive load of 1500N. As the load changed, the emission intensity also changed. In other words, the stress emission intensity increased with increasing stress.
  • Table 1 lists the results of measuring ML strength for stress-stimulated luminescent materials with various compositions. Alkali metal ions and alkaline earth metal ion forces Non-stoichiometry When the composition was a lattice defect, the sample showed high stress luminescence.
  • Q Al Si O was produced.
  • Q represents Eu or Ce.
  • the PL intensity and ML intensity were measured for the sample. As a result, as shown in FIG. 8, it was found that all of the samples showed a PL, especially the sample containing Sr showed a high PL. On the other hand, it was found that the ML of a sample with high PL is not necessarily high o
  • the basic structure is the Sr (PO) structure, and the emission central force is 3 ⁇ 4u.
  • a stress light emitting material of Ce was manufactured.
  • the firing conditions were as shown in Table 2.
  • the stress-stimulated luminescent material produced as described above was subjected to X-ray crystallographic analysis and evaluation of PL intensity. Also, powder of stress luminescent material and epoxy resin are mixed in a weight ratio of 1: 1.
  • the Sr (PO) structure emits Eu by optimizing the firing conditions.
  • the emission intensity also changed.
  • the stress emission intensity increased with increasing stress.
  • the stress luminescence was measured by measuring the luminescence characteristics using a material testing machine while applying a mechanical compressive load of 1500N.
  • the crystal structure was a rhombohedron (trigonal crystal) belonging to the R-3 space group.
  • the emission wavelength was measured. As a result, as shown in Table 3, all the samples emitted blue light.
  • the stress-stimulated luminescent material of the present invention exhibits strong luminescence, various luminescent materials other than only stress luminescence are used. It can be used as a light emitting material. Furthermore, since it can realize unprecedented high-energy ultraviolet light emission, it can be used as a composite material combined with other light-emitting materials.

Abstract

 本発明は、特有の結晶構造を有する発光体によって、強い発光を示す発光体およびその製造方法を提供する。さらに、紫外線発光を示す発光体およびその製造方法を提供することにある。多面体構造の分子により構成される母体構造に、アルカリ金属イオンおよびアルカリ土類金属イオンが挿入され、その一部が、希土類金属、遷移金属、III族の金属、またはIV族の金属の、いずれかのイオンで置換された構造を有する化合物を用いることにより、強い発光を示す応力発光材料を開発した。また、上記の応力発光材料に、Ce等の特定の金属イオンを発光中心として添加することにより、強い紫外線応力発光を示す応力発光材料を開発した。

Description

明 細 書
紫外線を発光する高強度応力発光材料とその製造方法、ならびに、その 利用
技術分野
[0001] 本発明は、応力発光材料とその製造方法、ならびに、その利用に関するものであつ て、特に、紫外線を発光する高強度応力発光材料とその製造方法、ならびに、その 利用に関するものである。
背景技術
[0002] 従来から、外部から様々な刺激 (外部刺激)を受けることによって、可視光を発光す る現象 (いわゆる蛍光現象)が知られている。このような蛍光現象を示す物質は、蛍光 体と呼ばれ、ランプや照明灯、ブラウン管やプラズマディスプレイパネル等の各種デ イスプレイ、および顔料等の様々な分野で用いられて 、る。
[0003] また、外部刺激として、紫外線、電子線、 X線、放射線、電界、または化学反応によ つて発光現象を示す物質 (発光体)は、数多く知られている。また、近年、本発明者ら は、摩擦、剪断力、衝撃力、振動等の機械的な外力を加えることによって生じた歪み により発光する応力発光材料を見出しており、その評価方法および利用方法を開発 している。
[0004] 具体的には、本発明者らは、(1)スピネル構造、コランダム構造、または j8アルミナ 構造を有する応力発光体 (特許文献 1を参照)、 (2)ケィ酸塩の応力発光体 (特許文 献 2および 3を参照)、 (3)欠陥制御型アルミン酸塩の高輝度応力発光体 (特許文献 4を参照)、(4)エポキシ榭脂を含む複合材料および当該複合材料の塗布膜により作 製した試験片に、圧縮、引張、摩擦、およびねじり等の機械的な力を加えることによつ て、応力分布を可視化評価する方法 (特許文献 4および 5を参照)、(5)ウルッ鉱型 構造と閃亜鉛鉱型構造とが共存する構造を有し、酸化物、硫化物、セレン化物、およ びテルルイ匕物を主成分として構成される高輝度メカノルミネッセンス材料 (特許文献 6 を参照)等を開発している。
[0005] 上記の応力発光体は、肉眼でも確認できる程の輝度で、半永久的に繰り返し発光 することが可能である。また、これらの応力発光体は、応力発光体を含む構造体にお ける応力分布を測定するために用いることができる。
[0006] 応力分布の測定方法としては、例えば、(1)応力発光体を用いた、応力または応力 分布の測定方法、(2)応力分布の測定システム (特許文献 7を参照)、(3)機械的な 外力を直接光信号に変換して伝達する発光ヘッド、(4)上記発光ヘッドを用いた遠 隔スィッチシステム (特許文献 8参照)等が挙げられる。
[0007] し力しながら、従来の応力発光体は、発光波長が 500nm以上 (緑色〜赤色の発光 波長域)では強い発光 (高輝度発光)を示す。一方、それよりも短い発光波長域 (紫 外線〜青紫色の発光波長域)で強 ヽ発光を示す発光体は、これまでに知られて ヽな い。
特許文献 1:日本国公開特許公報「特開 2000— 119647公報(平成 12年(2000) 4 月 25日公開)」
特許文献 2 :日本国公開特許公報「特開 2000— 313878公報(平成 12年(2000) 1 1月 14日公開)」
特許文献 3:日本国公開特許公報「特開 2003— 165973公報(平成 15年(2003) 6 月 10日公開)」
特許文献 4:日本国公開特許公報「特開 2001—49251公報(平成 13年(2001) 2月 20日公開)」
特許文献 5 :日本国公開特許公報「特開 2003— 292949公報(平成 15年(2003) 1 0月 15日公開)」
特許文献 6 :日本国公開特許公報「特開 2004— 43656公報(平成 16年(2004) 2月 12日公開)」
特許文献 7:日本国公開特許公報「特開 2001— 215157公報(平成 13年(2001) 8 月 10日公開)」
特許文献 8:日本国公開特許公報「特開 2004— 77396公報(平成 16年(2004) 3月 11日公開)」
発明の開示
[0008] 本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、特有の結晶構 造を有する物質を用いて、高強度応力発光材料およびその製造方法を提供すること にある。さらに、本発明の別の目的は、従来、開発されていない紫外線の発光を示す 高強度応力発光材料およびその製造方法を提供することにある。
[0009] 本発明者らは、応力発光材料の結晶構造に着目して、強 、発光を示す応力発光 材料について鋭意に検討した。その結果、その結晶構造 (母体構造)の最小単位が 、四面体、六面体、および八面体等の多面体構造の分子から構成され、これら多面 体構造の分子の間にアルカリ金属イオンおよびアルカリ土類金属イオンが挿入され ることにより、上記結晶構造の大きな空間と、フレキシブルに結合した柔軟な構造とを 有する応力発光材料が、強い発光を示すことを見出した。さらに、このフレームワーク 構造 (母体構造)が、 1次元、 2次元、および 3次元のいずれかの構造であり、特定の 金属イオンを発光中心として添加した応力発光材料が、強い紫外線発光を示すこと を見出し、本発明を完成させるに至った。
[0010] すなわち、本発明にかかる応力発光材料は、多面体構造の複数の分子によって形 成される母体構造の空間に、アルカリ金属イオンとアルカリ土類金属イオンとが挿入 された基本構造を有し、上記空間に挿入された、アルカリ金属イオンおよび Zまたは アルカリ土類金属イオンの一部力 希土類金属イオン、遷移金属イオン、 III族の金 属イオン、および IV族の金属イオンからなる群より選択される、少なくとも 1種の金属 イオンによって置換されて 、ることを特徴として 、る。
[0011] 上記基本構造は、自発歪を有し、上記の多面体構造の分子は、四面体構造の、 A1 O、 SiO、 PO、および BOのうちの少なくとも 1つを含むことが好ましい。
4 4 4 4
[0012] また、上記基本構造は、 P—1空間群に属する三斜晶構造を有することが好ましい
[0013] 上記 P— 1空間群に属する三斜晶構造は、ァノーサイト様構造であることが好ましい
[0014] さらに、上記基本構造は、 P— 42 m空間群に属する正方晶構造を有することが好 ましい。
[0015] 上記 P— 42 m空間群に属する正方晶構造は、オケルマナイト様構造であることが 好ましい。 [0016] カロえて、上記基本構造は、 R— 3空間群に属する三方晶構造を有することが好まし い。
[0017] 上記応力発光材料は、紫外線の発光を示すことが好ましい。
[0018] 上記基本構造は、下記一般式(1)〜(6)、
M N Al Si O · · · (1);
1 2 2 8
X Y AlSi O · · · (2);
1 3 8
(X M _ )(Si Al _ )AlSi O · · · (3);
X M Ca Al Si O …(4) ;
x y 1 -x— y 2— x 2 + x 8
M N MgSi O · · · (5) ;
x 2-x 2 7
M N (PO ) · · · (6) ;
x 3-x 4 2
(ただし、式中、 Mおよび Nは、 2価の金属イオンであって、少なくとも 1つは、 Ca、 S r、 Ba、 Mgまたは Mnであり、 Xおよび Yは、 1価の金属イオンであって、少なくとも 1つ は、 Li, Na、または Kであり、 0≤x, y≤0. 8である。 )
の!、ずれか 1つの一般式で示されることが好ま 、。
[0019] 本発明にかかる応力発光材料においては、母体構造に形成された上記空間に、ィ オン半径が異なる複数の、アルカリ金属イオンまたはアルカリ土類金属イオンが挿入 されていることが好ましい。
[0020] これにより、単一のアルカリ金属またはアルカリ土類金属を備える場合よりも、応力 発光材料の歪み(自発歪)が大きくなる。自発歪を有する応力発光材料は、自発歪を 有さない応力発光材料よりも、発光しやすい。このように、応力発光材料の自発歪を 調整すれば、応力発光材料を容易に発光させることができる。
[0021] 上記希土類金属、遷移金属、 III族の金属、および IV族の金属の含有量は、 0. lm ol%以上 10mol%以下の範囲内であることが好ましい。
[0022] 上記含有量は、上記応力発光材料の発光に大きく影響するが、上記含有量を上記 範囲内に設定することにより、応力発光材料を効果的に発光させることができる。
[0023] また、上記希土類金属イオンは、 Eu、 Dy、 La、 Gd、 Ce、 Sm、 Y、 Nd、 Tb、 Pr、 Er
、 Tm、 Yb、 Sc、 Pm、 Ho、および Luからなる群より選択される、少なくとも 1種の金属 のイオンであり、上記遷移金属イオンは、 Cr、 Mn、 Fe、 Sb、 Ti、 Zr、 V、 Co、 Ni、 Cu 、 Zn、 Nb、 Mo、 Ta、および Wからなる群より選択される、少なくとも 1種の金属のィォ ンであり、上記 III族の金属イオン力 Al、 Ga、 In、および T1力もなる群より選択される 、少なくとも 1種の金属のイオンであり、上記 IV族の金属イオン力 Ge、 Sn、および P bからなる群より選択される、少なくとも 1種の金属のイオンであることが好ましい。
[0024] さらに、上記希土類金属イオンが Ceイオンであって、上記 III族の金属イオンが T1ィ オンであって、上記 IV族の金属イオンが Snイオンまたは Pbイオンであることが好まし い。
[0025] 本発明にかかる応力発光材料においては、上記空間に、少なくとも Ceイオンが挿 入されていることが好ましい。これにより、 Ceイオン、または、 Ceイオンと他のイオンと の混合物が発光中心となり、上記応力発光材料は、紫外線発光を示すことができる。
[0026] また、本発明に力かる応力発光材料は、 Ca Ce Al Si O (ただし、 0. 001≤y
1-y y 2 2 8
≤0. 1である。)で示されることが好ましい。
[0027] また、本発明に力かる応力発光材料は、 Sr Ce (PO ) (ただし、 0. 001≤y≤0 l-y y 4 2
. 1である。)で示されることが好ましい。
[0028] また、本発明にかかる応力発光材料の製造方法は、多面体構造の複数の分子によ つて形成される母体構造の空間に、アルカリ金属イオンとアルカリ土類金属イオンと が挿入された基本構造を形成する工程と、上記空間に挿入されたアルカリ金属ィォ ンおよび Zまたはアルカリ土類金属イオンの一部を、希土類金属イオン、遷移金属ィ オン、 III族の金属、および IV族の金属からなる群より選択される、少なくとも 1種の金 属イオンによって、置換する工程とを含むことを特徴として 、る。
[0029] さらに、上記製造方法は、母体構造に形成された上記空間に、イオン半径の異なる 複数のアルカリ金属イオンまたはアルカリ土類金属イオンを挿入する工程を含むこと が好ましい。
[0030] 本発明にカゝかる応力発光体は、上記応力発光材料を形成してなることを特徴として いる。
[0031] また、上記応力発光体は、上記応力発光材料と高分子材料とを混合してなることが 好ましい。
[0032] 本発明にかかる応力発光材料の利用方法は、上記応力発光材料を、 1次元分散さ せることを特徴としている。
[0033] また、上記応力発光材料の利用方法は、上記応力発光材料を、 2次元的に分布さ せることを特徴としている。
[0034] さらに、上記応力発光材料の利用方法は、上記応力発光材料を、 3次元的に分布 させることが好ましい。
[0035] 本発明にかかる応力発光材料は、以上のように、多面体構造の分子から構成され、 歪を生じさせやすい空間を有する母体構造の空間に、アルカリ金属イオンとアルカリ 土類金属イオンとが挿入された基本構造を有する。それゆえ、強い発光を示すことが できるという効果を奏する。さらに、上記応力発光材料は、上記空間に挿入されたァ ルカリ金属イオンおよびアルカリ土類金属イオンの一部が、希土類金属イオン、遷移 金属イオン、 III族の金属イオン、および IV族の金属イオンカゝら選択される少なくとも 1 種の金属イオンに、置換されている構成である。それゆえ、強い紫外線発光を示すと いう効果を奏する。
図面の簡単な説明
[0036] [図 l]CaAl Si Oの結晶構造を示す模式図である。
2 2 8
[図 2(a)]Sr MgSi Oの結晶構造を示す模式図である。
2 2 7
[図 2(b)]図 2 (a)とは異なる角度から見た時の Sr MgSi Oの結晶構造を示す模式図
2 2 7
である。
[図 3]Ba (PO ) の結晶構造を示す模式図である。
3 4 2
[図 4]Ca Sr Al Si Oの結晶構造を示す模式図である。
0. 2 0. 8 2 2 8
[図 5]Ca Ce Tb Al Si Oの粉末 X線回折パターンを示す図である。
0. 99 0. 005 0. 005 2 2 8
[図 6]Ca Ce Tb Al Si Oの発光スペクトルを示す図である。
0. 99 0. 005 0. 005 2 2 8
[図 7]Ca Ce Tb Al Si Oの応力発光の経時変化を示すグラフである。
0. 99 0. 005 0. 005 2 2 8
[図 8]実施例 3における応力発光材料の PL強度および ML強度の測定結果を示すグ ラフである。
[図 9]実施例 4における応力発光材料の PL強度および ML強度の測定結果を示すグ ラフである。
[図 10]実施例 5における応力発光材料の PL強度および ML強度の測定結果を示す グラフである。
[図 11]実施例 6における応力発光材料 (Sr Ce (PO ) )の応力発光の経時
2. 985 0. 015 4 2
変化を示すグラフである。
[図 12]実施例 6における応力発光材料 (Sr Ce (PO ) )の X線による結晶解
2. 985 0. 015 4 2
祈の結果を示す図である。
発明を実施するための最良の形態
[0037] 以下に、本発明の一実施形態について、図 1および図 4に基づいて説明すると以 下の通りである。なお、本発明はこれに限定されるものではない。以下の説明では、 本発明にかかる応力発光材料およびその製造方法、ならびに、本発明の利用の順 で、本発明をより詳細に説明する。
[0038] < 1.本発明にかかる応力発光材料 >
本発明にかかる応力発光材料の基本構造は、多面体構造の複数の分子により形 成された母体構造の空間に、アルカリ金属イオンとアルカリ土類金属イオンとが挿入 された構造であることが好ま 、。
[0039] 本明細書において、「多面体構造の分子」とは、中心の原子と結合する別の原子を 結ぶことによって、多面体構造が形成される分子をいう。すなわち、多面体は、仮想 的なものである。例えば、 SiO分子や AIO分子は、それぞれ、ケィ素原子(Si)また
4 4
はアルミニウム原子 (A1)を中心に、酸素原子 (O)を頂点に有することにより、四面体 構造を形成している。多面体構造の分子して、他に、 GaO、 MgO、 PO、 BO等が
4 4 4 4 挙げられる。
[0040] また、「母体構造」とは、多面体 (例えば、四面体、六面体、八面体等)を結晶の最 小単位とする分子 (多面体構造の分子)を、単独あるいは複数種類、組み合わせて、 1次元、 2次元、または 3次元結合することによって形成された構造をいう。このように して形成された母体構造は、大きな空間(隙間)を含む柔軟な構造を有している。す なわち、上記母体構造では、上記空間において、歪が生じやすい。このように、上記 母体構造が歪むことにより、発生する歪エネルギーは、応力発光材料の発光中心を 励起する。その励起状態の発光中心が、基底状態に戻る時に、上記応力発光材料 は発光する。したがって、母体構造が上記のような構造を有することにより、上記応力 発光材料は強 、発光を示すことができる。
[0041] 上記母体構造の具体例としては、図 1〜図 3に示す構造が挙げられる。
[0042] 図 1は、四面体構造の SiOと AIOとによって、 3次元的に母体構造(フレームヮー
4 4
ク)が構成され、その空間に Caが挿入された CaAl Si Oの構造を示している。その
2 2 8
結果、自発歪をもつ構造を有する。図 2 (a)および図 2 (b)は、 SiOによって、 2次元
4
的な母体構造 (フレームワーク)が構成され、その空間に、 Srと Mgとが挿入された Sr
2
MgSi Oの構造を示している。これらの構造は、自発歪をもつ構造を有する。図 3は
2 7
、 POとアルカリ土類金属(Ba)とが交互に配置された Ba (PO ) の構造を示してい
4 3 4 2
る。これら 3例はすべて、自発歪をもつ構造を有する。
[0043] 本明細書において、「自発歪」とは、構造に変化が生じて、別の構造に変化する時 に生じる歪みのことである。例えば、発光材料は、温度が上昇すると、対称性のよい 構造に変化するが、そこから、温度や圧力が変化すると、構造に変化が生じて、別の 相に変わる。「自発歪」とは、このような対称性のよい構造から、その構造と比較してど の程度歪んでいるかを示す指標であって、発光材料自身が有する歪みを示す。なお 、「自発歪」には、外力によって発光材料に生じさせた歪は含まれない。これらの材料 には、結晶の対称中心を有しない特徴がある。
[0044] 本発明にお ヽて、上記母体構造を形成する多面体構造の分子は、特に限定される ものではないが、四面体構造、六面体構造、または八面体構造の分子であることが 好ましい。特に、 AIO、 PO、 BO、 SiOであることが好ましい。これら四面体構造の
4 4 4 4
分子は非常に硬いのに対して、これらで形成された母体構造の中に挿入される発光 中心の周りの構造はフレキシブル性が高い。そのため、応力をカ卩えたとき、フレキシ ブル構造の発光中心のところに応力が集中し、上記母体構造が歪みやすくなる。し たがって、上述したように、上記応力発光材料は、歪エネルギーによる応力発光が起 こりやすくなる。
[0045] また、上記母体構造は、 1種類の多面体構造の分子によって形成されてもよぐまた
、複数種類の多面体構造の分子によって形成されてもよい。
[0046] 上記基本構造は、上記母体構造の空間に、アルカリ金属イオンとアルカリ土類金属 イオンとが挿入されることにより形成されるが、具体的には、アルミノケィ酸塩、リン酸 塩、ホウ酸塩、ケィ酸塩、またはアルミン酸塩によって実現される。
[0047] 本明細書にお!、て、「アルミノケィ酸塩」、「リン酸塩」、「ホウ酸塩」、「ケィ酸塩」、お よび「アルミン酸塩」とは、それぞれ、リン酸、ホウ酸、ケィ酸、およびアルミン酸の、ァ ルカリ金属塩またはアルカリ土類金属塩をいう。
[0048] 上記アルカリ金属イオンおよびアルカリ土類金属イオンは、特に限定されるもので ないが、例えば、アルカリ金属イオンとして、 Li、 Na、 K、 Rb、 Cs等のイオンが挙げら れる。また、アルカリ土類金属イオンとして、 Ca、 Mg、 Ba、 Sr等のイオンが例示でき る。
[0049] また、上記母体構造の空間に挿入されるアルカリ金属イオンおよびアルカリ土類金 属イオンは、 1種類でも 2種類以上でもよい。さら〖こ、複数種類のアルカリ金属および アルカリ土類金属が挿入される場合、それら複数種類のアルカリ金属および/または アルカリ土類金属は、互いにイオン半径の異なるものであることが好ましい。これによ り、応力発光材料の自発歪が変化し、応力発光材料が発光しやすくなる。
[0050] また、母体構造の空間に挿入されたアルカリ金属またはアルカリ土類金属の一部が 、他のイオンで置換してもよい。結晶構造を維持できれば、置換させることによりひず みやすくことになり、応力発光しやすくなる。
[0051] 本発明において、上記基本構造は、 P—1空間群に属する三斜晶構造、 P— 42 m 空間群に属する正方晶構造、または、 R— 3空間群に属する三方晶構造を有すること が好ましい。 P—1空間群に属する三斜晶構造の例としては、ァノーサイト様構造が 挙げられる。なお、「ァノーサイト様構造」とは、以下でも述べるが、ァノーサイト構造の みを示すものではなぐ 3次元構造の空間に、アルカリ金属イオンおよびアルカリ土類 金属イオンを挿入できる範囲で、ァノーサイト構造に類似する構造 (類似の組成物)も 包含する意味である。また、 P— 42 m空間群に属する正方晶構造の例としては、ォ ケルマナイト(akermanite、オケルマン石)様構造が挙げられる。なお、「オケルマナイ ト様構造」とは、オケルマナイト構造のみを示すものではなぐ母体構造の空間に、ァ ルカリ金属イオンおよびアルカリ土類金属イオンを挿入できる範囲で、オケルマナイト 構造に類似する構造 (類似の組成物)も包含する意味である。
[0052] また、上記基本構造は、アルミノケィ酸塩であることが好ま 、。アルミノケィ酸塩は 、ポリケィ酸イオンの一部をアルミニウムで置換することにより得られる。アルミノケィ酸 塩では、結晶構造の空間(隙間)に、アルカリ金属イオンまたはアルカリ土類金属ィォ ンが揷入されている。
[0053] アルミノケィ酸塩の例として、長石 (feldspar、フェルドスパー)を例示することができ る。長石とは、理想化学組成が Z (Si, Al) O (ただし、 Zはアルカリ金属またはアル力
4 8
リ土類金属であり、 0く AlZSi≤l)で示されるアルミノケィ酸塩である。なお、長石は 、通常、曹長石(albite、アルバイト) NaAISi O、ァノーサイト(anorthite、灰長石) Ca
3 8
Al Si O、およびカリ長石 KAISi Oを端成分とする固溶体である。すなわち、長石
2 2 8 3 8
とは、ァノーサイト構造を含む複数のアルミノケィ酸塩の混合物である。
[0054] 長石では、四面体構造の SiO分子および AIO分子が最小単位であり、これらの
4 4
分子が全ての頂点を共有して複数結合することにより、 3次元構築体が形成される。 さらに、長石では、上記 3次元構築体に形成された空間(隙間)に、 Z (アルカリ金属ま たはアルカリ土類金属)が挿入されて!ヽる。
[0055] 例えば、ァノーサイト構造は、図 4に示すように、 AIOと SiOとを基本構造の基本
4 4
単位とし、これらの分子が互いに頂点を共有することにより大きな空間を有している。 さらに、上記分子同士の結合がフレキシブルで、上記空間に挿入されたアルカリ金 属イオンまたはアルカリ土類金属イオンのサイズに依存して、その構造を自由に歪ま せることができる。このため、長石のようなアルミノケィ酸塩は、上記応力発光材料の 基本構造として、好適に用いることができる。なお、上記基本構造がアルミノケィ酸塩 である場合、上記母体構造は、 AlSi O—(アルカリ金属塩の場合)または Al Si O 2
3 8 2 2 8 一 (アルカリ土類金属塩の場合)であることが好ましい。
[0056] 上記基本構造の他の例として、「ァノーサイト様構造」、「長石様構造」、「準長石 (fel dspathoid,フェルドスパソイド)構造」等が挙げられる。
[0057] 本明細書にぉ 、て、「ァノーサイト様構造」とは、前述のように、ァノーサイトのみを 示すものではなぐ発光体の 3次元構造を形成する母体構造の空間に、アルカリ金 属イオンおよびアルカリ土類金属イオンを挿入できる範囲で、ァノーサイト構造に類 似する構造 (類似の組成物)も包含する意味である。同様に、「長石様構造」とは、長 石構造のみを示すものではなぐ 3次元構造の空間に、アルカリ金属イオンおよびァ ルカリ土類金属イオンを挿入できる範囲で、ァノーサイト構造に類似する構造 (類似 の組成物)も包含する意味である。
[0058] また、「準長石」とは、「長石」と同様、アルミノケィ酸塩であり、かつ、 AIOおよび Si
4
Oは、全ての頂点を共有して複数結合することにより、 3次元構築体を形成している
4
。準長石としては、例えば、白榴石(leucite、リューサイト) KAISi O、かすみ石 (neph
2 6
eline、ネフエリン) NaAlSiO、およびこれらの組成物に結晶構造が類似する組成物
4
等が挙げられる。
[0059] また、本発明に見出した強い応力発光を示す応力発光材料の分子式について、同 じょうな組成で異なる構造を有する発光材料では、応力発光機能を有しな ヽことも、 本発明者らは確認して ヽる。
[0060] 例えば、 BaAl Si Oが破壊発光を示すことが、石原氏らの論文で報告されて 、る (
2 2 8
Fract- Luminescence of rare earth element-Doped hexacelsian (BaA12Si208 Jpn. J Appl. Phys. (学術雑誌、 1997 ) 36巻 6B ppL781- 783、および、 Full Color tribolumi nescence of rare-earth-doped hexacelsian (BaA12Si208)Solid btate Commun (学術 雑誌、 1998 ) 107巻 pp.763-767)。上記の参考文献では、 BaAl Si Oは、全く異な
2 2 8
る製造方法で製造され、その得られた構造は、上記の参考文献のタイトルにも明記さ れているように、六方晶の層状構造を有している。これは、本発明の結晶構造とは、 全く異なっている。六方晶の層状構造の BaAl Si Oは、強い破壊発光を示すものの
2 2 8
、機械的な外力による歪エネルギーにより発光する、すなわち、本発明における「応 力発光」は示さな力つた。なぜなら、両者の発光原理は、全く異なっているので、好適 の発光材料の母体構造が異なるためである。
同様に、本発明者らは、先に出願したケィ酸塩の発光体 (特許文献 2および 3を参照 )も含めて、ケィ酸塩の結晶性を特定した。その結果、いずれの結晶も、本発明に提 案する母体構造を有していなかった。つまり、特許文献 2および 3に示されるケィ酸塩 の発光体は、発光測定には摩擦発光や円盤ペレットの瞬間圧縮発光を利用して評 価したものであり、破壊発光の寄与が大き 、ことを示して 、る。
[0061] 一方、変形に由来する発光は、破壊発光とは全く異なる原理に起因するものである ため(例えば、参照文献:ハイブリッド応力発光材料、セラミックス、 39 (2)、ページ 13 0—133,2004年)、破壊発光の大きい発光材料が、変形発光するとは限らない。本 発明者らは、以前提案した破壊発光の大きい発光材料が、変形による発光をほとん ど示さな 、ことを確認して!/、る。
[0062] 本発明にかかる応力発光材料は、上記母体構造の空間に挿入されたアルカリ金属 イオンおよび Zまたはアルカリ土類金属イオンの一部力 希土類金属イオン、遷移金 属イオン、 III族の金属イオン、および IV族の金属イオン力 なる群より選択される、 少なくとも 1種の金属イオンによって置換されて 、ることが好ま 、。
[0063] 上記希土類金属イオン、遷移金属イオン、 III族の金属イオン、および IV族の金属 イオンは、特に限定されるものではないが、発光中心となるものであることが好ましい 。例えば、希土類金属のイオンとして、ユウ口ピウム (Eu)、ジプシロシゥム(Dy)、ラン タン (La)、ガドリニウム(Gd)、セリウム(Ce)、サマリウム(Sm)、イットリウム (Y)、ネオ ジゥム(Nd)、テルビウム(Tb)、プラセオジム(Pr)、エルビウム(Er)、ツリウム(Tm)、 イッテルビウム(Yb)、スカンジウム(Sc)、プロメチウム(Pm)、ホルミウム(Ho)、およ びルテチウム (Lu)等のイオンが例示される。
[0064] また、遷移金属のイオンとして、クロム(Cr)、マンガン(Mn)、鉄(Fe)、アンチモン( Sb)、チタン (Ti)、ジルコニウム(Zr)、バナジウム(V)、コバルト(Co)、ニッケル(Ni) 、銅(Cu)、亜鉛(Zn)、二オビゥム(Nb)、モリブデン(Mo)、タンタル (Ta)、およびタ ングステン (W)等のイオンが例示される。
[0065] さらに、 III族の金属イオンとして、アルミニウム (A1)、ガリウム(Ga)、インジウム(In) 、およびタリウム (T1)等のイオンが例示される。
[0066] 加えて、 IV族の金属イオンとして、ゲルマニウム(Ge)、スズ(Sn)、および鉛(Pb) 等のイオンが例示される。
[0067] なお、これら希土類金属のイオン、遷移金属のイオン、 III族の金属イオン、および I V族の金属イオンは、これらの中から、少なくとも 1つのイオンを選択すればよい。
[0068] 発光材料では、希土類金属イオンおよび遷移金属イオンの含有量、言!、換えれば 、発光中心の含有量が、発光に大きく影響する。本発明において、上記含有量は、 特に限定されるものではないが、母体構造の 3次元構造を維持できる範囲内であるこ とが好ましい。具体的には、 0. lmol%以上 20mol%以下の範囲内であることが好ま しく、 0. 2mol%以上 10mol%以下の範囲内であることがより好ましぐ 0. 5mol%以 上 5mol%以下の範囲内であることが特に好ましい。なお、上記含有量が、 0. lmol %未満の場合、効率的な発光が得られず、 20mol%を越えると母体構造が乱れ、発 光効率が低下する。
[0069] また、発光材料では、発光中心の種類によって、発光材料の発光色が変化する。
言い換えれば、本発明においては、選択する上記希土類金属イオン、遷移金属ィォ ン、 ΠΙ族の金属イオン、および IV族の金属イオンの種類によって、発光色を変化させ ることができる。従来の応力発光材料は、発光波長が 500nm以上 (緑色〜赤色の波 長域)では、強い発光を得ることができるが、それより短い発光波長域、すなわち、紫 外線〜青色の波長域では、強い発光を得ることができな力つた。しかし、本発明にか 力る応力発光材料において、例えば、希土類金属イオンとして、 Ceイオンを選択す れば、強 、紫外線発光を呈する応力発光材料 (高強度応力発光材料)を実現するこ とがでさる。
[0070] したがって、本発明にカゝかる応力発光材料では、上記母体構造に形成される空間 に、少なくとも Ceイオンが挿入されていることが好ましい。すなわち、上記応力発光材 料の発光中心力 Ceイオンまたはその混合物を用いることが好ましい。これにより、 好適に紫外線発光を示す応力発光材料を提供することができる。
[0071] なお、本明細書において、「紫外線」とは、波長 200〜400nmの領域の放射をいう
[0072] 本発明に力かる応力発光材料は、上述したように、上記母体構造の結晶構造 (空 間)に歪を生じさせることにより、発光する。この応力発光材料は、機械的な外力によ つて、 3次元構造を有する母体構造に歪みを生じさせることにより、強い発光を示す。
[0073] 本明細書において、「応力発光」とは、摩擦力、せん断力、圧力、および張力等の 機械的な外力による変形によって発光することを 、う。
[0074] 上記母体構造の結晶構造は、機械的な外力によって、歪を生じさせる以外にも、電 場等、種々のエネルギーによって歪を生じさせることができるため、本発明にかかる 応力発光材料を、応力発光以外の発光様式で、発光させてもよい。
[0075] また、発光材料の分野では、応力発光材料は、その他の発光材料 (例えば、電場 発光材料等)に比べて、製造することが非常に困難とされている。例えば、電場発光 材料に、電場をかけずに機械的な外力を加えても発光しない。一方、応力発光材料 は、応力発光以外の発光様式でも発光させることが可能なことが実証されている。例 えば、応力発光を示せば、それ以外の発光様式の発光 (電場発光等)も示す。従つ て、本発明の発光材料の発光様式は、特に限定されるものではなぐ応力発光以外 の発光様式によって、発光させることも可能である。
[0076] 本発明に力かる応力発光材料の基本構造は、下記一般式(1)〜一般式 (6)の 、 ずれ力 1つで示されることがより好ましい。
[0077] M N Al Si O · · · (1)
1 2 2 8
X Y AlSi O · · · (2)
x 1 -x 3 8
(X )(Si A^_ )AlSi O · · · (3)
X M Ca Al Si O …(4)
x y 1 -x— y 2— x 2 + x 8
M N MgSi O · · · (5)
x 2-x 2 7
M N (PO ) · · · (6)
x 3-x 4 2
(ただし、式中、 Mおよび Nは、 2価の金属イオンであって、少なくとも 1つは、 Ca、 S r、 Ba、 Mgまたは Mnであり、 Xおよび Yは、 1価の金属イオンであって、少なくとも 1つ は、 Li, Na、または Kであり、 0≤x, y≤0. 8である。 )
具体的には、特に強い紫外線発光を示す応力発光材料としては、アルカリ金属酸 化物またはアルカリ土類金属酸ィ匕物、アルミニウム酸ィ匕物、およびシリコン酸ィ匕物か ら構成されたアルミノケィ酸塩であって、かつ、長石構造、好ましくはァノーサイト構造 を維持できる範囲内で、この中のアルカリ金属イオンまたはアルカリ土類金属イオン の一部を、別の 1価の金属イオン、または 2価の金属イオンと置換し、さらに 1種類以 上の遷移金属イオンまたは希土類金属イオンと置換した発光材料が好ましい。
[0078] また、本発明にカゝかる紫外線発光を示す応力発光材料は、下記一般式 (7)
M N Q Al Si O · · · (7)
1 -x-y x y 2 2 8
(ただし、式中の Mおよび Nはそれぞれ、ァノーサイト構造では Ca、 Sr、 Mg、または Baであり、長石構造では、 Li、 Naまたは Kであり、 Qは、希土類金属イオン、遷移金 属イオン、 ΠΙ族の金属イオン、もしくは IV族の金属イオンであり、 0≤x≤0. 8、 0. 00 l≤y≤0. 1を満たす数である。)で示される応力発光材料であることが好ましい。
[0079] さらに、上記応力発光材料において、アルカリ土類金属イオンとして Caを選択し、 かつ、その Caサイトの一部を、希土類金属イオンとして Ceで置換した応力発光材料 力 り好ましい。
[0080] すなわち、上記応力発光材料は、下記一般式 (8)、
Ca Q Al Si O
2 2 8… (8)
1 -y y
(式中、 Qは、 Ceまたは他の発光中心イオンであり、 yは 0. 001≤y≤0. 1を満たす 数である。)で示される応力発光材料であることが、さらに好ましい。
[0081] また、上記一般式(8)は、 Ca Ce Al Si O (式中、 mは、 0. 001≤m≤0. 1を
1 -m m 2 2 8
満たす数である。)と表すこともできる。
[0082] また、上記応力発光材料にお!、て、アルカリ土類金属イオンとして Srを選択し、か つ、その Srサイトの一部を、希土類金属イオンとして Ceで置換した応力発光材料が より好まし 、。
[0083] すなわち、上記応力発光材料は、下記一般式(9)、
Sr Q (PO )
l -y y 4 2… (9)
(式中、 Qは、 Ceまたは他の発光中心イオンであり、 yは 0. 001≤y≤0. 1を満たす 数である。)で示される応力発光材料であることが、さらに好ましい。
[0084] また、上記一般式(9)は、 Sr Ce (PO ) (式中、 mは、 0. 001≤m≤0. 1を満
1— m m 4 2
たす数である。 )と表すこともできる。
[0085] なお、ここでいう、「発光中心イオン」とは、希土類金属イオン、遷移金属イオン、 III 族の金属イオン、もしくは IV族の金属イオンをいう。
[0086] < 3.本発明にかかる応力発光材料の製造方法〉
上記応力発光材料は、応力発光材料の組成となるように、原料を秤量し、焼成する ことによって製造することができる。本発明にかかる応力発光材料の製造方法におい て、強調すべきことは、焼成が極めて重要であるということである。特に、焼成時の急 速の降温は、所定の結晶性が得られにくいため、ゆっくり(段階的に)降温することが 特に好ましい。例えば、後述の実施例のように、焼成温度の昇温および降温は、 1分 間 2°Cの速度で、段階的に行うことができる。非晶質ィ匕 (ガラス化)になってしまうと、 本発明の母体構造を維持できないため、同じ組成でも、構造が異なるために応力発 光性を示さない。
[0087] し力しながら、上記応力発光材料の製造における焼成温度は、特に限定されるもの ではなぐ所定の母体構造を形成できる範囲であればよい。さらに、この焼成温度は 、応力発光材料の組成に応じて設定することが好ましい。つまり、本発明において強 調すべきことは、本発明の応力発光材料において、上記の母体構造が形成されてい ることが、応力発光を示す前提となる。
[0088] 例えば、後述の実施例では、図 5に示すように、 1000°Cでは、応力発光材料が得 られていないが、 1200°Cからは、応力発光材料が得られている。言い換えれば、 12 00°C以上の焼成によって、応力発光材料の母体構造が形成され、この母体構造を 有する応力発光材料を製造することができる。
[0089] 本発明にかかる応力発光材料の原料としては、特に限定されるものではなぐ焼成 によって酸ィ匕物となるものであることが好ましい。例えば、前述のようなアルミノケィ酸 塩の組成に応じて、焼成により、アルカリ金属の酸ィ匕物およびアルカリ土類金属の酸 化物、アルミニウム酸ィ匕物、シリコン酸ィ匕物、ならびに、希土類金属の酸化物および
Zまたは遷移金属の酸ィ匕物が形成されるように、原料を秤量して、焼成することにより 応力発光材料を製造することができる。
[0090] このような原料としては、アルカリ金属およびアルカリ土類金属の、無機化合物また は有機化合物の塩を用いることができる。また、希土類金属、遷移金属、 ΠΙ族の金属 、または IV族の金属の、無機化合物または有機化合物の塩を用いることができる。
[0091] 上記無機化合物の塩として、炭酸塩、酸化物、ハロゲン化物(例えば塩ィ匕物)、水 酸化物、硫酸塩、および硝酸塩等が挙げられる。また、上記有機化合物の塩として、 酢酸塩、およびアルコラート等が挙げられる。また、アルミニウム酸ィ匕物およびシリコ ン酸化物の原料としては、 Al Oおよび SiOを用いることができる。
2 3 2
[0092] さらに、上記応力発光材料の製造時には、ホウ酸、または塩ィ匕アンモ-ゥム等のフ ラックス剤を用 、ることちできる。
[0093] また、上記の応力発光材料の原料の量は、製造する応力発光材料の組成に応じて
、構成原子比に相当する割合の量を用いる。上記母体構造を容易に歪ませるために 、アルカリ金属イオン、またはアルカリ土類金属イオンの格子欠陥を形成させることが 有利である。そのため、化学組成量論よりもアルカリ金属、またはアルカリ土類金属の 組成は 0. 1モル%から 10モル%の範囲内に減らすことが好ましい。
[0094] <4.本発明にかかる応力発光材料の利用〉
本発明にカゝかる応力発光材料は、従来得られなかった紫外線の強!ヽ発光を示す 応力発光材料である。したがって、本発明の利用としては、特に限定されるものでは なぐ上記応力発光材料は、紫外線を利用するあらゆる分野に利用することができる だけでなぐさまざまの利用形態が可能である。
[0095] 例えば、まず、上記応力発光材料は、微粒子として利用することができる。すなわち 、 1次元分散系への利用が可能である。なお、本明細書において、「1次元分散」とは 、微粒子状のある物質が、他の均一な物質の中に散在する現象をいい、「1次元分 散させる」とは、微粒子状のある物質 (本発明における例としては、粒径が数 ηπ!〜 10 0 μ mの応力発光微粒子)を、他の均一な物質の中に散在させることを!、う。
[0096] 本発明にかかる応力発光材料を 1次元分散させることによって、上記応力発光材料 を利用する方法としては、例えば、上記応力発光材料からなる応力発光微粒子を対 象系に分散し、機械的な外力によって、紫外線を発生させて用いる方法が挙げられ る。発生した紫外線は、上記応力発光微粒子に接触、または近接している対象物に 対して、物理的および化学的に機能する。
[0097] また、上記応力発光材料は、対象物にコーティングすることによって利用することが できる。すなわち、 2次元的に分布させて、利用することができる。例えば、上記発光 微粒子で、対象系の表面をコーティングし、機械的な外力によって、紫外線を発生さ せる。この紫外線は、上記応力発光微粒子が接触している対象物に対して、物理的 および化学的に機能する。
[0098] さらに、上記応力発光材料は、 3次元のネットワーク構造に、対象物をコーティング することによって利用することができる。すなわち、 3次元的に分布させて、利用する ことができる。
[0099] また、それ以外の用途として、上記応力発光粒子を含む均一な材料を具体的な形 状に加工して紫外線を発光する応力発光体 (応力発光構造体)として用いる用途を 挙げることができる。
[0100] 紫外線の発光は、短波長であるためエネルギーが高い。このため、上記紫外線発 光体を発光させることにより得られる紫外線のエネルギーを、励起光として利用できる 。例えば、上記紫外線発光体と、赤 '黄'緑等の青とは異なる色の発光体であって、 紫外線の光で発光し、かつ、応力で発光しない発光体とを混合して複合材料とする。 この複合材料に、応力を加えると、紫外線発光体のみが発光する。そして、この紫外 線発光体の発光により、生じた紫外線エネルギーを、可視光を発光する発光体を励 起させるための励起エネルギーとして利用する。これにより、青から赤までの全ての 色の発光体を発光させることができる。その結果、複合材料の発光色を変えることが できる。
[0101] また、紫外線の発光は、エネルギーが高いため、検出器による検出が容易である。
このため、発光体の発光強度を容易に検出することができる。さらに、紫外線、特に 4 OOnm付近での光は、蛍光灯等の照明器具力も放出が少なぐその発光を計測する 時に照明環境下でも干渉が少ない利点がある。
[0102] 本発明にかかる発光体は、機械的な外力、例えば摩擦力、せん断力、衝撃力、振 動、風力、超音波等を加えることによって発光する。この発光強度は、励起源となる 機械的な外力の性質に依存するが、一般的には加えた機械的な作用力が大きいほ ど高くなる傾向がある。したがって、発光体の発光強度を測定することによって、発光 体に加えられている機械的な外力を知ることができる。これによつて、発光体に力かる 応力状態を、無接触で検出できるようになり、応力状態の可視化することも可能であ る。このため、本発明の発光体は、応力検出器その他の広い分野での応用が期待で きる。
[0103] 本発明にかかる応力発光材料は、その塗膜を耐熱性基材の表面に設けることによ り、積層材料とすることができる。この塗膜は、上記母体構造を形成しうる化合物、例 えば硝酸塩やハロゲンィ匕物やアルコキシィ匕合物等を溶剤に溶解して調製した塗布 液を、耐熱性基材の表面に塗布したのち、焼成することにより形成される。この耐熱 性基材については特に限定されないが、その材質として例えば石英、シリコン、ダラ ファイト、石英ガラスやバイコールガラス等の耐熱ガラス、アルミナや窒化ケィ素ゃ炭 化ケィ素やケィ化モリブデン等のセラミックス、ステンレス鋼のような耐熱鋼やニッケル 、クロム、チタン、モリブデン等の耐熱性金属または耐熱性合金、サーメット、セメント 、コンクリート等が挙げられる。
[0104] 本発明にカゝかる応力発光材料は、他の無機材料または有機材料との複合材料とし て利用することもできる。この複合材料は、応力発光材料を含んでいるので、機械的 な外力によって、この複合材料に歪を与えると、発光する。例えば、応力発光材料を 、榭脂またはプラスチック等の有機材料に、任意の割合で混合および分散させた複 合材料を形成する。この複合材料に、機械的な外力を加えると、複合材料中の応力 発光材料に歪が生じる。そして、この歪が励起エネルギーとなり、複合材料は発光す る。
[0105] 本発明に力かる応力発光材料は、他の材料表面に塗布して利用することができる。
言い換えれば、上記応力発光材料は、他の材料表面に、上記応力発光材料を含む 層(応力発光層)を形成して利用することができる。これにより、応力発光層を形成し た材料に、機械的な外力を加えると、その応力発光層が変形し、発光する。このよう に、応力発光層を形成して利用すれば、少量の応力発光材料を用いて、大面積の 発光を実現することができる。
[0106] 本発明にかかる発光体は、蓄光体、または、蛍光体としても利用できる。
[0107] 本発明は上述した実施形態に限定されるものではなぐ特許請求の範囲に示した 範囲で種々の変更が可能である。すなわち、特許請求の範囲に示した範囲で適宜 変更した技術的手段を組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的 範囲に含まれる。
実施例
[0108] 以下、本発明を実施例によりさらに具体的に説明するが、本発明はこの実施例によ つて何ら限定されるものではない。当業者は本発明の範囲を逸脱することなぐ種々 の変更、修正、および改変を行うことができる。なお、以下の実施例における応力発 光材料の複合材料は次のようにして調製した。
[0109] 〔複合材料の製造方法〕
応力発光材料の複合材料は、無機の応力発光材料の粉末を有機ポリマーと混鍊 することにより得た。例えば、上記有機ポリマーがエポキシ榭脂の場合、無機の上記 応力発光体粉末とエポキシ榭脂を重量比 1対 1で混鍊した後、 20 X 5 X 45mmの複 合材料試料片に加工した。
[0110] 〔実施例 1〕
本実施例では、アルカリ土類金属として Ca、 3次元フレームワーク (母体構造)を形 成する多面体構造の分子の 1種類として AIO、 3次元フレームワーク (母体構造)を
4
形成する多面体構造の分子の別種類として SiOを用いる場合を説明する。
4
[0111] 炭酸カルシウム CaCO、酸化アルミニウム Al O、酸化セリウム CeO、酸化テリピウ
3 2 3 2
ム Tb O、および酸化ケィ素 SiOを、 Ca Ce Tb Al Si Oの組成となるよ
4 7 2 0. 99 0. 005 0. 005 2 2 8 うに、所定量秤量して、エタノール中で、ボールミルで十分に混合した後、 80°Cで乾 燥した。得られた混合物を乳鉢で粉砕し、次いで、還元雰囲気 (5%水素含有アルゴ ン)中において、 1400°Cで 4時間焼成した。なお、昇温および降温は 1分間 2°Cの速 度でゆっくり行った。次に、焼成後に得られた材料を粉砕し、粉末の応力発光材料を 得た。そして、この応力発光材料について X線回折 (XRD)測定、紫外線励起発光 ルミネッセンス(Photoluminescence、以下「PL」ともいう)測定、および応力発光(Mech anoluminescence、以下「ML」とも ヽぅ)測定を行った。
[0112] なお、いずれの測定も、応力発光材料のみ利用した測定、および複合材料を利用 した測定の両方を行った。
[0113] 図 5は、焼成温度を変化させた場合の XRDパターンである。この回折パターンから 、応力発光を示す P—1空間群に属する三斜相は、 1200°C以上で出現することが明 らカとなった。さらに、この構造をもつ応力発光材料は、少なくとも 1500°Cまで安定し て製造することができた。なお、昇温および降温は徐々に(1分間 2°Cの速度)行った
[0114] 図 6は、 Ca Ce Tb Al Si Oの応力発光スペクトルを示す。図 6に示す
0. 99 0. 005 0. 005 2 2 8
発光スペクトルによると、添カ卩した Ce3+に対応する発光ピークは、 380nmである。こ れは Ca Ce Tb Al Si O力 紫外光励起により紫外線蛍光を発することを
0. 99 0. 005 0. 005 2 2 8
示している。応力発光でも同様な発光スペクトルが観測されたことから、応力発光の 起源は PL (光ルミネッセンス)と同様であり、発光中心の Ce3+からの発光と考えられ る。
[0115] 図 7は、 Ca Ce Tb Al Si Oの複合材料における応力発光の経時変化
0. 99 0. 005 0. 005 2 2 8
を示すグラフである。なお、応力発光の測定は、材料試験機を用いて 1500Nの機械 的圧縮荷重を加えながら発光特性を計測することによって行った。荷重が変化すると ともに、発光強度も変化した。すなわち、応力の増大に伴って、応力発光強度も増大 した。
[0116] なお、応力発光材料 (応力発光セラミックス)だけを用いて、同様の測定を行った場 合は、応力と、応力の変化速度とが同じであるとき、複合材料の場合より、発光強度 は低かったが、発光波長 (発光スペクトル)および応力発光強度の応力に対する依存 '性は、ほぼ同じであった。
[0117] 〔実施例 2〕
原料物質を変更した以外、〔実施例 1〕と同様の方法で、基本構造、および発光中 心を変化させた応力発光材料を製造し、それらの応力発光材料について、 ML強度 を測定した。その結果を表 1に示す。
[0118] [表 1]
実施例 2における発光材料の M L強度および発光波長の測定結果
Figure imgf000023_0001
表 1は、様々な組成の応力発光材料について、 ML強度を測定した結果を一覧に 示したものである。アルカリ金属イオンおよびアルカリ土類金属イオン力 非化学量論 組成が格子欠陥である場合、サンプルは、高い応力発光を示した。
[0119] 〔実施例 3〕
原料物質を変更した以外、〔実施例 1〕と同様の方法で、 Ca Q Al Si O、 Sr
0. 97 0. 03 2 2 8 0
Q Al Si O、 Ba Q Al Si O、 Ca Sr Q Al Si O、 Ca Sr
. 97 0. 03 2 2 8 0. 97 0. 03 2 2 8 0. 2 0. 77 0. 03 2 2 8 0. 8 0. 17
Q Al Si O、 Sr Ba Q Al Si O、 Mg Sr Q Al Si O、 Ba Sr
0. 03 2 2 8 0. 17 0. 8 0. 03 2 2 8 0. 2 0. 77 0. 03 2 2 8 0. 2 0
Q Al Si Oを製造した。なお、上記式中、 Qは、 Euまたは Ceを示す。これらの
. 77 0. 03 2 2 8
サンプルについて、 PL強度および ML強度を測定した。その結果、図 8に示すように 、すべてのサンプルは、 PLを示した力 特に Srを含有するサンプルは、高い PLを示 すことがわかった。一方、 PLが高いサンプルの MLが高いとは、限らないことが分か つた o
[0120] また、 Caを Srで置換すると、 Caの構造(三斜晶)のままで、 80%までに固溶できた 。一方、それ以上では Srの構造(単斜相 Monoclinic)になった。三斜晶と単斜晶との 境界のところでは、応力発光を示すが、この限界を遥かに超えると、応力発光強度は 、顕著に低下した。例えば、図 8に示すように、三斜晶ではない、 SrSi Al Oおよび
2 2 8
BaAl Si Oの場合、応力発光強度は低かった。さらに、 Dyや Ho等を同時に添加す
2 2 8
ると、応力発光強度は増大した。
[0121] また、これらの応力発光材料の発光色を調べたところ、 Qが Eu、すなわち、発光中 心 Euのとき、これらの応力発光材料は、すべて青色発光を示した。一方、 Qが Ce、 すなわち、発光中心が Ceのときは、アルカリ土類金属が Caのみの場合は青色発光 であるのに対して、 Caの一部を Srで置換すると、紫外発光した。
[0122] 〔実施例 4〕
原料物質を変更した以外、〔実施例 1〕と同様の方法で、 Sr Q MgSi O、 Sr
1. 99 0. 01 2 7 1
Na Q MgSi O、 Ba Q MgSi O、 Ca Q MgSi Oを製造した
. 97 0. 02 0. 01 2 7 1. 99 0. 01 2 7 1. 99 0. 01 2 7
。なお、上記式中、 Qは、 Euまたは Ceを示す。これらのサンプルについて、 PL強度 および ML強度を測定した。その結果、 Sr MgSi Oは、最も高い MLを示した(表 1
2 2 7
を参照)。また、アルカリ土類金属の一部をアルカリ金属で置換すると、 PL強度は増 大した(図 9を参照)。
[0123] また、これらの応力発光材料の発光色を調べたところ、 Qが Eu、すなわち、発光中 心 Euのとき、これらの応力発光材料は、すべて青色発光を示した。一方、 Qが Ce、 すなわち、発光中心が Ceのときは、紫外発光した。さらに、発光中心が、 Ceのとき、 Tbを同時に添加すると、 ML強度は増大した。
[0124] 〔実施例 5〕
原料物質を変更した以外、〔実施例 1〕と同様の方法で、 Ca Q MgSi O、 Sr
2. 97 0. 01 2 8
Q MgSi O、 Ca K Q MgSi O、 Sr Q MgSi O、 Ba Q
2. 99 0. 01 2 8 2. 97 0. 01 0. 01 2 8 2. 9 0. 1 2 8 2. 99 0. 01
MgSi O、 Ba Q Si Oを製造した。これらのサンプノレについて、 PL強度およ
2 8 0. 99 0. 01 2 5
び ML強度を測定した(図 10を参照)。図 10に示すように、 Ca MgSi Oは、 PLは高
3 2 8 くないが、非常に高い MLを示した。一方、 Ba MgSi Oは、非常に高い PLを示した
3 2 8
力 MLは高くない。
[0125] また、これらの応力発光材料の発光色を調べたところ、 Qが Eu、すなわち、発光中 心 Euのとき、これらの応力発光材料は、すべて青色発光を示した。一方、 Qが Ce、 すなわち、発光中心が Ceのときは、紫外発光した。
[0126] 〔実施例 6〕
原料物質として、 SrCOおよび SrHPOと、 Eu Oまたは Ce (NO ) · 6Η Οとを用
3 4 2 3 3 3 2 い、〔実施例 1〕と同様の方法で、基本構造が Sr (PO )構造であり、発光中心力 ¾u
3 4 2
または Ceの応力発光材料を製造した。なお、焼成条件は、表 2に示す通りとした。
[0127] また、原料物質として、 BaCOおよび BaHPOと、 Eu O、 Ce (NO ) · 6Η O、ま
3 4 2 3 3 3 2 たは Τ1 (ΝΟ ) とを用い、〔実施例 1〕と同様の方法で、基本構造が Ba (PO )構造
3 3 3 4 2 であり、発光中心が Eu、 Ce、または T1の応力発光材料を製造した。なお、焼成条件 は、表 2に示す通りとした。
[0128] 上記の通り製造した応力発光材料について、 X線による結晶解析および PL強度の 評価を行った。また、応力発光材料の粉末とエポキシ榭脂とを重量比 1対 1に混合し
、長方体状に成型し、 ML強度を評価した。
[0129] [表 2] 実施例 6における発光材料の M L強度、 P L強度、 および発光波長の結果
Figure imgf000026_0001
表 2に示すように、 Sr (PO )構造は、焼成条件を最適化することにより、 Euを発光
3 4 2
中心に用いた場合には紫青色の強い発光を示すことが分力つた。一方、 Ceを発光 中心に用いた場合には、紫外線の強い発光を示すことが分力つた。また、図 11に示 すように、 1500°Cで焼成して得られた Sr Ce (PO )では、荷重が変化する
2. 985 0. 015 4 2
とともに、発光強度も変化した。すなわち、応力の増大に伴って、応力発光強度も増 大した。なお、応力発光の測定は、材料試験機を用いて 1500Nの機械的圧縮荷重 を加えながら発光特性を計測することによって行った。
[0130] さらに、 1500°Cで焼成して得られた Sr Ce (PO ) について、 X線による結
2. 985 0. 015 4 2
晶解析の結果、図 12に示すように、結晶構造は R— 3空間群に属する菱面体 (三方 晶)であった。
[0131] 〔比較例 1〕
原料物質を変更した以外、〔実施例 1〕と同様の方法で、 Sr MgSi O: Eul%Dy2
2 2 6
% Sr MgSi O: CeO. 5% CaMgSi O: Eul% CaMgSi O: Eul%Dy2%
2 2 6 2 6 2 6
CaMgSi O: CeO. 5%を製造した。これらのサンプルについて、 PL強度、 ML強度
2 6
、および発光波長を測定した。その結果、表 3に示すように、いずれのサンプルも、青 色発光を示した。
[0132] [表 3] 比較例 1における発光材料の M L強度、 P L強度、 および発光波長の結果
Figure imgf000027_0001
〔比較例 2〕
原料物質を変更した以外、〔実施例 1〕と同様の方法で、 Ca Al SiO
2 2 7: Eul%、 Ca
ί
Al SiO: Eul%Dy2%, Ca Al SiO: CeO. 5%、 Sr Al SiO
7 2 2 7 : Eul%、 Sr Al Si
2 2 2 7 2 2
O: Eul%Dy2%、 Sr Al SiO: CeO. 5%を製造した。これらのサンプルについて
7 2 2 7
、 PL強度、 ML強度、および発光波長を測定した。その結果、表 4に示すように、い ずれのサンプルも、青色発光を示した。
[0133] [表 4]
比較例 2における発光材料の M L強度、 P L強度、 および発光波長の結果
Figure imgf000027_0002
なお本発明は、以上説示した各構成に限定されるものではなぐ特許請求の範囲 に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態や実施例にそれぞれ開 示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態や実施例につ 、ても本 発明の技術的範囲に含まれる。
産業上の利用の可能性
[0134] 本発明の応力発光材料は、強い発光を示すため、応力発光だけでなぐ種々の発 光様式の発光材料として利用することができる。さらに、従来にはない、高工ネルギ 一の紫外線発光も実現できるため、別の発光材料と組み合わせた複合材料として利 用できる。

Claims

請求の範囲
[1] 多面体構造の複数の分子によって形成される母体構造の空間に、アルカリ金属ィ オンおよび Zまたはアルカリ土類金属イオンが挿入された基本構造を有し、 上記空間に挿入された、アルカリ金属イオンおよび Zまたはアルカリ土類金属ィォ ンの一部が、希土類金属イオン、遷移金属イオン、 in族の金属イオン、および IV族 の金属イオン力もなる群より選択される、少なくとも 1種の金属イオンによって置換され て 、ることを特徴とする応力発光材料。
[2] 上記基本構造が、自発歪を有し、
上記の多面体構造の分子が、四面体構造の、 AIO
4、 SiO
4、 PO、および BOのう 4 4 ちの少なくとも 1つを含むことを特徴とする請求項 1に記載の応力発光材料。
[3] 上記基本構造が、 P— 1空間群に属する三斜晶構造を有することを特徴とする請求 項 1または 2に記載の応力発光材料。
[4] 上記 P— 1空間群に属する三斜晶構造が、ァノーサイト様構造であることを特徴とす る請求項 3に記載の応力発光材料。
[5] 上記基本構造が、 P-42 m空間群に属する正方晶構造を有することを特徴とする 請求項 1または 2の記載の応力発光材料。
[6] 上記 P— 42 m空間群に属する正方晶構造が、オケルマナイト様構造であることを 特徴とする請求項 5に記載の応力発光材料。
[7] 上記基本構造が、 R— 3空間群に属する三方晶構造を有することを特徴とする請求 項 1または 2に記載の応力発光材料。
[8] 紫外線の発光を示すことを特徴とする請求項 1〜7のいずれか 1項に記載の応力発 光材料。
[9] 上記基本構造が、下記一般式 (1)〜(6)、
M N Al Si O · · · (1);
1 2 2 8
X Y AlSi O · · · (2)
1 3 8 ;
(X M _ )(Si Al _ )AlSi O · · · (3);
X M Ca Al Si O
— y 2— x 2 + x 8 …(4) ;
x 1 -x
M N MgSi O …(5) ; M N (PO ) · · · (6) ;
x 3-x 4 2
(ただし、式中、 Mおよび Nは、 2価の金属イオンであって、少なくとも 1つは、 Ca、 S r、 Ba、 Mgまたは Mnであり、 Xおよび Yは、 1価の金属イオンであって、少なくとも 1つ は、 Li, Na、または Kであり、 0≤x, y≤0. 8である。 )
のいずれか 1つの一般式で示されることを特徴とする請求項 1〜8のいずれか 1項に 記載の応力発光材料。
[10] 母体構造に形成された上記空間に、イオン半径が異なる複数の、アルカリ金属ィォ ンまたはアルカリ土類金属イオンが挿入されていることを特徴とする請求項 1〜9のい ずれか 1項に記載の応力発光材料。
[11] 上記希土類金属、遷移金属、 III族の金属、および IV族の金属の含有量が、 0. lm ol%以上 10mol%以下の範囲内であることを特徴とする請求項 1〜10のいずれか 1 項に記載の応力発光材料。
[12] 上記希土類金属イオンが、 Eu、 Dy、 La、 Gd、 Ce、 Sm、 Y、 Nd、 Tb、 Pr、 Er、 Tm
、 Yb、 Sc、 Pm、 Ho、および Lu力もなる群より選択される、少なくとも 1種の金属のィ オンであり、
上記遷移金属イオンが、 Cr、 Mn、 Fe、 Sb、 Ti、 Zr、 V、 Co、 Ni、 Cu、 Zn、 Nb、 M o、 Ta、および Wからなる群より選択される、少なくとも 1種の金属のイオンであり、 上記 ΠΙ族の金属イオン力 Al、 Ga、 In、および T1からなる群より選択される、少なく とも 1種の金属のイオンであり、
上記 IV族の金属イオンが、 Ge、 Sn、および Pbからなる群より選択される、少なくと も 1種の金属のイオンであることを特徴とする請求項 1〜: L 1のいずれか 1項に記載の 応力発光材料。
[13] 上記希土類金属イオンが、 Ceイオンであって、
上記 III族の金属イオン力 T1イオンであって、
上記 IV族の金属イオンが、 Snイオンまたは Pbイオンであることを特徴とする請求項 1〜: L 1のいずれか 1項に記載の応力発光材料。
[14] 上記空間に、少なくとも Ceイオンが挿入されていることを特徴とする請求項 1〜13 の!、ずれか 1項に記載の応力発光材料。
[15] Ca Ce Al Si O (ただし、 0. 001≤y≤0. 1である。)で示されることを特徴とす
1-y y 2 2 8
る請求項 1〜14のいずれ力 1項に記載の応力発光材料。
[16] Sr Ce (PO ) (ただし、 0. 001≤y≤0. 1である。)で示されることを特徴とする l-y y 4 2
請求項 1〜14のいずれか 1項に記載の応力発光材料。
[17] 多面体構造の複数の分子によって形成される母体構造の空間に、アルカリ金属ィ オンとアルカリ土類金属イオンとが挿入された基本構造を形成する工程と、
上記空間に挿入された、アルカリ金属イオンおよび Zまたはアルカリ土類金属ィォ ンの一部を、希土類金属イオン、遷移金属イオン、 III族の金属、および IV族の金属 力 なる群より選択される、少なくとも 1種の金属イオンによって置換する工程とを含 むことを特徴とする応力発光材料の製造方法。
[18] 母体構造に形成された上記空間に、イオン半径の異なる複数のアルカリ金属ィォ ンまたはアルカリ土類金属イオンを挿入する工程を含むことを特徴とする請求項 17 に記載の応力発光材料の製造方法。
[19] 請求項 1〜16のいずれか 1項に記載の応力発光材料を形成してなる応力発光体。
[20] 請求項 1〜16のいずれか 1項に記載の応力発光材料と高分子材料とを混合してな る応力発光体。
[21] 請求項 1〜16のいずれか 1項に記載の応力発光材料を、 1次元分散させて用いる ことを特徴とする応力発光材料の利用方法。
[22] 請求項 1〜16のいずれか 1項に記載の応力発光材料を、 2次元的に分布させて用
V、ることを特徴とする応力発光材料の利用方法。
[23] 請求項 1〜16のいずれか 1項に記載の応力発光材料を、 3次元的に分布させて用
V、ることを特徴とする応力発光材料の利用方法。
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