WO2006004010A1

WO2006004010A1 - 電磁波遮蔽性グリッド偏光子およびその製造方法、グリッド偏光子の製造方法

Info

Publication number: WO2006004010A1
Application number: PCT/JP2005/012111
Authority: WO
Inventors: Masahiko Hayashi; Hitoshi Ooishi
Original assignee: Zeon Corporation
Priority date: 2004-06-30
Filing date: 2005-06-30
Publication date: 2006-01-12
Also published as: KR20070041540A; EP1767965A1; EP1767965A4; US20080117509A1

Abstract

　並行に直線状に伸びる突起状格子からなる微細格子形状（１）と、該突起状格子と交差する幅０．１～５００μｍ、ピッチ１μｍ～１００ｍｍの並行な格子からなる格子形状（２）とが形成され、格子形状（２）の格子によって区切られた格子形状（１）の突起状格子の部分（Ａ）のうち、その長さが遮蔽しようとする電磁波の波長の１０－５～１０－１倍である部分の長さの合計が８０％以上であり、格子形状（１）と格子形状（２）とが導電性反射材料により導通している電磁波遮蔽性グリッド偏光子。このグリッド偏光子は、並行に直線状に伸びる溝を持つ金型または金属版の溝形状を透明樹脂成形体に転写し、該成形体に導電性反射材料を蒸着する方法、または、透明な基材上に導電性反射材料の層を形成し、該層上にレジストを塗布し、活性放射線で像露光し、現像し、上記層をエッチングする方法により製造される。

Description

明細書

電磁波遮蔽性グリッド偏光子およびその製造方法、グリッド偏光子の製造方法

技術分野

[0001] 本発明は、電磁波遮蔽性グリッド偏光子およびその製造方法、並びにグリッド偏光子の製造方法に関する。さらに詳しくは、本発明は、電子部品に悪影響を及ぼす電磁波を遮蔽する機能を有するグリッド偏光子および該グリッド偏光子を大面積で経済的に製造することができる電磁波遮蔽性グリッド偏光子の製造方法、並びにサブミクロンオーダーの格子形状を有するグリッド偏光子を精密加工および蒸着により大面積で経済的に製造することができるグリッド偏光子の製造方法に関する。

背景技術

[0002] 近年、大型 TV、パソコンのディスプレイや携帯電話など、電磁波を発生する機器が大量に使用されるようになり、電磁波遮蔽技術が注目されている。例えば、プラズマディスプレイ力発生する電磁波は、周辺の機器に誤動作を引き起こす可能性があるために、プラズマディスプレイには電磁波遮蔽シートが通常使用されている。

[0003] また、液晶ディスプレイのバックライトからも電磁波が発生し、液晶パネルの表示へ悪影響を及ぼす可能性も指摘されて、る。特に高輝度を要求される直下型バックライトでは、発生する電磁波が強くなるので、電磁波遮蔽層を設けるなどの手段を講じない限り、パネル表示がちらつくなどの不具合が発生する。これを防止するために、直下型バックライト上にも電磁波遮蔽シートが使用されることが多い。しかし、直下型バックライト上に電磁波遮蔽シートを使用するとコスト高になるば力りではなぐ部材が増えるために異物を巻き込むなどの不具合を生じる可能性がある。

[0004] 製造工程の簡略ィ匕および製造コストの抑制を図りながら、簡易かつ確実、強力に、成形品の表面に電磁波遮蔽性などの高機能を付与することができる成形品の製造方法として、離型性を有する基体フィルム上に、透明低反射層、保護層および接着層が順次積層されてなる転写箔を射出成形金型内に挟み込み、接着剤層側に溶融榭脂を射出して榭脂成形品を形成するのと同時に、榭脂成形品の表面に転写箔を接着させ、その後基体フィルムを剥離する成形品の製造方法が提案されて！ヽる (特許文献 1)。しかし、射出成形の 1ショットごとに金型に転写箔を挟み込むことは煩雑な操作であり、また、この方法は射出成形品に限られるので、液晶ディスプレイの特徴を活力せるフィルム状のグリッド偏光子に適用することはできない。

[0005] 比較的簡単な工程で、安価な材料からワイヤーグリッド型の偏光子を製造する方法として、特定の波長範囲にある光を透過させない基板の表裏両面にホトレジスト層を設け、該光を用いて、光の干渉によって複数の平行線パターンを基板の両面に露光させて現像し、基板の両面に複数の凹凸による平行線パターンを形成させ、該平行線パターンの凸部頂上およびその近傍にのみ金属を蒸着させるワイヤーグリッド型偏光子の製造方法が提案されている（特許文献 2)。しかし、平行線パターンのみからなるワイヤーグリッド型偏光子は電磁波遮蔽性を有さない。

[0006] グリッド偏光子は、導体細線を対象光の波長以下のピッチでグリッド状に平行に配列させた偏光子である。導体グリッドと平行な方向に振動して、る光の電界成分はグリツド偏光子により反射され、導体グリッドと垂直な方向に振動している光の電界成分はグリッド偏光子を透過する。図 16は、グリッド偏光子の概念的説明図である。グリツド偏光子の偏光特性は、導体グリッド 16の幅 wとピッチ pに影響され、ピッチ pが小さいほど偏光特性がよくなり、 wZpは 0. 5〜0. 7がよいとされている。このために、優れた偏光特性を有するグリッド偏光子を経済的に製造する方法の開発が進められている。

[0007] 例えば、赤外域の光に対して透過率および偏光特性のよいグリッド偏光子として、測定光に対して吸収の少ない基板を光学研磨し、同基板上に反射防止膜を積層し、その反射防止膜上に導体の高密度な平行線パターンを形成したグリッド偏光子が提案され、グリッド基板上のフォトレジストに、ホログラフィック露光法による二光束干渉縞を焼き付ける方法が例示されている（特許文献 3)。また、プレーナプロセスで金属グリツド型偏光素子を製造する量産性に適した方法として、電子ビームの量を場所によつて変化させて露光したポリメチルメタタリレート膜を現像することにより、鋸歯状の断面を持ったストライプ状パターンを基盤の上に作成し、これから金属のスタンパーを作成し、スタンパー力多数のレプリカを作成し、斜め方向から蒸着を行い、透明保護膜をコーティングする方法が提案されてヽる (特許文献 4)。

[0008] しかし、フォトレジスト層やポリメチルメタタリレート膜を現像する方法では、現像後のグリッド側面部の平滑性が悪いために偏光子の光学特性が落ち、また、大型のグリツド偏光子を製造することは容易ではな力た。

[0009] 特許文献 1：再表 WO01Z092006号公報

特許文献 2：特開 2001— 330728号公報

特許文献 3：特開平 2— 228608号公報

特許文献 4：特開平 7— 294730号公報

発明の開示

発明が解決しょうとする課題

[0010] 本発明の目的は、電子部品に悪影響を及ぼす電磁波を遮蔽する機能を有するグリツド偏光子および該グリッド偏光子を大面積で経済的に製造することができる電磁波遮蔽性グリッド偏光子の製造方法を提供することにある。

本発明の他の目的は、サブミクロンオーダーの格子形状を有するグリッド偏光子を精密加工および蒸着により大面積で経済的に製造することができるグリッド偏光子の製造方法を提供することにある。

課題を解決するための手段

[0011] 本発明者らは、上記の課題を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、 1枚の素子上に、幅 50〜600nm、ピッチ 50〜： L, OOOnmの互いに並行に直線状に伸びる突起状格子からなる微細格子形状と、該微細格子形状を構成する突起状格子と交差する、幅 0. 1〜500 πι、ピッチ 1 πι〜100ππηの互いに並行に直線状に伸びる格子からなる第二の格子形状を形成することにより、素子に偏光特性を付与し、さらに電磁波を遮蔽することが可能となることを見、だした。

[0012] さらに、モース硬度 9以上の材料力高エネルギー線を用いて工具を作製し、該工具を使用して金型部材上にサブミクロンオーダーの微細格子形状を形成し、該金型部材の微細格子形状を透明榭脂成形体に転写し、該微細格子形状が転写された透明榭脂成形体に導電性反射体を蒸着することにより、微細格子形状を有するグリッド偏光子を大面積で経済的に製造し得ることを見いだした。本発明は、これらの知見に基づいて完成されたものである。

[0013] すなわち、本発明によれば、下記の電磁波遮蔽性グリッド偏光子、およびその製造方法、並びにグリッド偏光子の製造方法が提供される。

(i)互いに並行に直線状に伸びる突起状格子力なる微細格子形状（1)と、該微細格子形状（1)を構成する突起状格子と交差する、幅 0. 1〜500 ;ζ ΐη、ピッチ 1 m〜 100mmの互いに並行な格子力なる少なくとも一組の格子形状（2)とが形成され、少なくとも一組の格子形状 (2)を構成する格子によって区切られた微細格子形状（1 )の突起状格子の部分のうち、その長さが遮蔽しょうとする電磁波の波長の 10一⁵〜 1 0^{_ 1}倍である部分の長さの合計が、少なくとも一組の格子形状 (2)を構成する格子によって区切られた微細格子形状（1)の突起状格子の全ての部分の長さの合計の 80 %以上であり、

微細格子形状（1)を構成する突起状格子の少なくとも一部と、各組の格子形状 (2) を構成する格子の少なくとも一部が導電性反射材料により形成され、該導電性反射材料により形成された部分が互いに導通してなることを特徴とする電磁波遮蔽性ダリッド偏光子；

[0014] (ii)微細格子形状（1)力幅 50〜600應、ピッチ 50〜： L, 000nm、高さ 50〜800n mの互いに並行に直線状に伸びる突起状格子からなる上記 (i)に記載の電磁波遮蔽性グリッド偏光子；

(iii)各組の格子形状（2)が、互いに並行に直線状に伸びる格子からなる上記 (i)または (ii)に記載の電磁波遮蔽性グリッド偏光子；

(iv)各組の格子形状（2)が、規則性のある幾何学的曲線をなして互いに並行に伸びる格子からなる上記 (i)または (ii)に記載の電磁波遮蔽性グリッド偏光子；

[0015] (V)微細格子形状（1)を構成する隣接する二つの突起状格子と、各組の格子形状（ 2)を構成する隣接する二つの格子とが形作る四辺形の短い方の対角線の長さが、遮蔽しょうとする電磁波の波長の 10一⁵〜 10—¹倍である上記 (i)〜 (iv)のいずれかに記載の電磁波遮蔽性グリッド偏光子；

(vi)各組の格子形状 (2)を構成する格子が、微細格子形状（1)を構成する突起状格子と等しい高さを有し、互いに並行に伸びる突起を形成している上記 (i)または (ii)に記載の電磁波遮蔽性グリッド偏光子；

(vii)微細格子形状（1)を構成する突起状格子と各組の格子形状 (2)を構成する格子との交差部において、微細格子形状（1)を構成する突起状格子は、微細格子形状（1)基準面と同じ水準まで掘り込まれてなるものである上記 (i)または (ii)に記載の電磁波遮蔽性グリッド偏光子；

[0016] (viii)各組の格子形状 (2)を構成する格子が、微細格子形状（1)を構成する突起状格子より高、高さを有し、互いに並行に伸びる突起を形成して、る上記 (i)または (ii) に記載の電磁波遮蔽性グリッド偏光子；

(ix)各組の格子形状 (2)を構成する格子が、微細格子形状（1)を構成する突起状格子より低、高さを有し、互いに並行に伸びる突起を形成して、る上記 (i)または (ii) に記載の電磁波遮蔽性グリッド偏光子；

)各組の格子形状 (2)を構成する格子が、微細格子形状（1)の基準面より深く堀り込まれた、互いに並行に伸びる窪みを形成している上記 (i)または (ii)に記載の電磁波遮蔽性グリッド偏光子；

(xi)シールドボックス法により 500MHzの電磁波につ!、て測定した電磁波減衰量が 20dB以上である上記 (i)または (ii)に記載の電磁波遮蔽性グリッド偏光子；

[0017] (xii)幅 50〜600nm、ピッチ 50〜： L, OOOnm、高さ 50〜800nmの互いに並行に直線状に伸びる突起状格子からなる微細格子形状（1)と、該微細格子形状（1)を構成する突起状格子と交差する、幅 0. 1〜500 /ζ πι、ピッチ： L m〜 100mmの互いに並行に直線状に伸びる格子力なる少なくとも一組の格子形状 (2)とが形成され、微細格子形状（1)を構成する隣接する二つの突起状格子と各組の格子形状 (2)を構成する隣接する二つの格子とが形作る四辺形の短い方の対角線の長さが、遮蔽しようとする電磁波の波長の 10一⁵〜 10—¹倍であり、かつ、

[0018] (xiii)互いに並行に直線状に伸びる深さ 50〜800nmの溝の群を少なくとも持つ金型または金属版の溝形状を透明榭脂成形体に転写する工程、および、該溝形状が転写された透明榭脂成形体に導電性反射材料を蒸着する工程を含む、上記 (i) （ xii)のヽずれかに記載の電磁波遮蔽性グリッド偏光子を製造する方法；

(xiv)該直線状溝の群を有する金型または金属版が金型であって、該金型は、モース硬度 9以上の材料を高エネルギー線により加工して得られた、互いに並行に直線状に伸びる幅 600nm以下の突起を一端面に有する工具を用いて作製したものである上記 (xiii)に記載の電磁波遮蔽性グリッド偏光子の製造方法；

(XV)該直線状溝の群を有する金型または金属版が金型であって、該金型は、金型部材上にレジストを塗布し、該レジストを活性放射線で像露光し、さらに現像し、金型部材をエッチングすることにより、作製したものである上記 (xiii)に記載の電磁波遮蔽性グリッド偏光子の製造方法；

[0019] (xvi)該直線状溝の群を有する金型または金属版が金属版であって、該金属版は、平滑な基材上にレジストを塗布し、該レジストを活性放射線で像露光し、さらに現像することにより、幅 50 600nm、ピッチ 50〜： L, OOOnm、高さ 50 800nmの互いに並行に直線状に伸びる突起の群を形成し、該突起群の形状を金属版に転写することにより作製したものである上記 (xiii)に記載の電磁波遮蔽性グリッド偏光子の製造方法；

(xvii)透明な基材上に厚さ 50 800nmの導電性反射材料の層を形成する工程、該導電性反射材料層上にレジストを塗布し、該レジストを活性放射線で像露光し、さらに現像し、上記導電性反射材料層をエッチングする工程を含む、上記 (i)〜(xii) の！ヽずれかに記載の電磁波遮蔽性グリッド偏光子の製造方法；

[0020] (xviii) (A)モース硬度 9以上の材料を高エネルギー線を用いてカ卩ェし、先端に幅 600nm以下の突起を形成してなる工具を作製し、（B)該工具を使用して金型部材上に、幅 50 600nm、ピッチ 50〜： L, 000 高さ 50 800nmの微細格子形状を形成し、（C)該金型部材の微細格子形状を透明榭脂成形体に転写し、（D)該微細格子形状が転写された透明榭脂成形体に導電性反射体を蒸着することを特徴とするグリッド偏光子の製造方法；

(xix) (A)モース硬度 9以上の材料を高エネルギー線を用いてカ卩ェし、先端に幅 6 OOnm以下の突起を形成してなる工具を作製し、 (B)該工具を使用して金型部材上に、幅 50〜600nm、ピッチ 50〜： L, 000應、高さ 50〜800nmの微細格子形状を形成し、（C)該金型部材の微細格子形状を金属版に転写し、（D)該金属版の微細格子形状を透明榭脂成形体に転写し、 (E)該微細格子形状が転写された透明榭脂成形体に導電性反射体を蒸着することを特徴とするグリッド偏光子の製造方法；

[0021] (XX)モース硬度 9以上の工具に形成された突起が複数である上記 (xviii)または（ xix)に記載のグリッド偏光子の製造方法；および

(xxi)X、 Y、 Ζ移動軸の精度が lOOnm以下の精密微細加工機と、加工に用いる面の表面算術平均粗さ（Ra) lOnm以下の工具を用い、温度 ±0. 5°C以下に管理され、 0. 5Hz以上の振動の変位が 50 m以下に管理された恒温低振動室内で、微細格子形状を金型部材上に形成する上記 (Xviii)、 (Xix)または (XX)に記載のグリッド偏光子の製造方法。

発明の効果

[0022] 本発明の電磁波遮蔽性グリッド偏光子は、偏光特性と電磁波遮蔽性を兼ね備えるので、液晶ディスプレイの厚さを増すことなくディスプレイに組み込んで、電磁波障害の発生を防止することができる。また、本発明の電磁波遮蔽性グリッド偏光子は、他の光学部材上へ形成することも可能なので、経済的に液晶ディスプレイを製造することができる。本発明の製造方法によれば、このような電磁波遮蔽性グリッド偏光子を大面積で経済的に製造することができる。

また、本発明のグリッド偏光子の製造方法によれば、サブミクロンオーダーの微細な格子形状を有するグリッド偏光子を、精密微細加工および蒸着により大面積で経済的に製造することができる。

図面の簡単な説明

[0023] [図 1]本発明の電磁波遮蔽性グリッド偏光子の一態様を示す部分斜視図である。

[図 2]本発明の電磁波遮蔽性グリッド偏光子の他の態様を示す部分斜視図である。

[図 3]本発明の電磁波遮蔽性グリッド偏光子の他の態様を示す部分斜視図である。

[図 4]本発明の電磁波遮蔽性グリッド偏光子の他の態様を示す部分斜視図である。

[図 5]本発明の電磁波遮蔽性グリッド偏光子の他の態様を示す部分斜視図である。圆 6]本発明の電磁波遮蔽性グリッド偏光子の他の態様を示す部分斜視図である。圆 7]本発明の電磁波遮蔽性グリッド偏光子の他の態様を示す説明図である。

圆 8]本発明の電磁波遮蔽性グリッド偏光子の他の態様を示す説明図である。

圆 9]電磁波遮蔽性グリッド偏光子またはグリッド偏光子の製造に用いる切削工具の作製法の一態様を示す説明図である。

圆 10]電磁波遮蔽性グリッド偏光子またはグリッド偏光子の製造に用いる金型部材の加工方法の一態様を示す説明図である。

[図 11]金型部材に形成する微細格子形状の一態様を示す説明図である。

[図 12]金型部材に形成する微細格子形状の他の一態様を示す説明図である。

[図 13]金型部材に形成する微細格子形状の他の一態様を示す説明図である。

[図 14]電磁波遮蔽性グリッド偏光子の製造工程において、導電性反射体の斜方蒸着手法の一態様を示す説明図である。

[図 15]導電性反射体の斜方蒸着手法の他の一態様を示す説明図である。

圆 16]グリッド偏光子の概念的説明図である。

符号の説明

1 微細格子形状

2 第二の格子形状

3 微細格子形状

4 第二の格子形状

5 第三の格子形状

6 正弦波曲線

7 材料

8 高エネノレギ一線

9 直線状の窪み

10 切削工具

11 金型部材

12 金型用鋼材

13 金廳 14 透明榭脂成形体

15 蒸着源

16 導体グリッド

発明を実施するための最良の形態

[0025] 電磁波遮蔽件グリッド偏光早

本発明の電磁波遮蔽性グリッド偏光子は、その第一の態様においては、互いに並行に直線状に伸びる突起状格子力もなる微細格子形状（1)と、該微細格子形状（1)を構成する突起状格子と交差する、幅 0. 1〜500 μ m、ピッチ 1 μ m〜100mmの互いに並行な格子力なる少なくとも一組の格子形状 (2)とが形成され、

少なくとも一組の格子形状 (2)を構成する格子によって区切られた微細格子形状（1 )の突起状格子の部分のうち、その長さが遮蔽しょうとする電磁波の波長の 10一⁵〜 1 0^{_ 1}倍である部分の長さの合計が、少なくとも一組の格子形状 (2)を構成する格子によって区切られた微細格子形状（1)の突起状格子の全ての部分の長さの合計の 80 %以上であり、

微細格子形状（1)を構成する突起状格子の少なくとも一部と、各組の格子形状 (2) を構成する格子の少なくとも一部が導電性反射材料により形成され、該導電性反射材料により形成された部分が互いに導通して、る。

[0026] 本発明の電磁波遮蔽性グリッド偏光子において、「格子形状」とは、一定のピッチで、互いに並行に直線状に伸びる多数の格子または規則性のある幾何学的曲線をなして互いに並行に伸びる格子力もなる一組の形状を指し、また、「ピッチ」とは、線状に伸びる格子の中心線と、隣接する線状格子の中心線との間隔を指す。「並行に伸びる」とは、多数の直線、または多数の規則性のある幾何学的曲線力互いに交わることなく並列して伸びて、ることを指す。

[0027] 格子形状 (2)は、一組の格子形状で形成されても、または、二組以上の格子形状で形成されてもよいが、一組の格子形状で形成することが好ましい。また、各組の格子形状（2)は、互いに並行に直線状に伸びる格子、または、規則性のある幾何学的曲線をなして互!、に並行に伸びる格子のヽずれで形成されてもょ、。

[0028] 本発明の電磁波遮蔽性グリッド偏光子においては、微細格子形状（1)を構成する突起状格子の少なくとも一部に導電性反射材料により形成された部分が、可視光の s偏光成分を透過し、可視光の P偏光成分と電磁波の P偏波成分を反射する。さらに、各組の格子形状 (2)を構成する格子の少なくとも一部に導電性反射材料により形成された部分が、電磁波の s偏波成分を遮蔽する。

[0029] なお、電磁波とは波長 m〜10⁶mのものを指し、また、可視光とは波長 360〜80 Onmのものを指す。本発明の電磁波遮蔽性グリッド偏光子は、各種のディスプレイから放射され、電子機器の誤動作を生じさせる懸念がある波長 10 m〜10⁶mの電磁波の遮蔽に対して特に有効である。

[0030] 本態様の電磁波遮蔽性グリッド偏光子は、シールドボックス法により 500MHzの電磁波について測定した電磁波減衰量が 20dB以上、より好ましくは 30dB以上、さらに好ましくは 35dB以上である。電磁波減衰量が 20dB未満であると、電磁波遮蔽性能が不十分となるおそれがある。

[0031] 「微細格子形状（1)を構成する突起状格子の少なくとも一部が導電性反射材料により形成される」とは、突起状格子の長手方向に垂直な断面の一部または全部が導電性反射材料で構成されることである。この場合、導電性反射材料は、突起状格子の表面を被覆してもよいし、突起の全体を構成していてもよい。また、「各組の格子形状 (2)を構成する格子の少なくとも一部が導電性反射材料により形成される」とは、該格子が突起状であるときは、突起状格子の長手方向に垂直な断面の一部または全部が導電性反射材料で構成されることを意味し、また、該格子が、微細格子形状 (1)の基準面と同一水準に形成された場合、または該基準面より深く堀り込まれた線状の窪みを形成する場合は、微細格子形状 (1)の基準面と同一水準に導電性反射材料の線状に伸びる層が形成されている力、または該基準面より深く堀り込まれた線状に伸びる窪みの底部および Zまたは内壁面に導電性反射材料の層が形成されていることを意味する。

[0032] 電磁波遮蔽性グリッド偏光子の微細格子形状（1)を構成する突起状格子は、幅 50 〜600nm、ピッチ 50〜： L, OOOnm、高さ 50〜800nmを有すること力好まし!/、。その幅、ピッチまたは高さが 50nm未満であると、概して、加工が著しく困難である。微細格子形状（1)を構成する突起状格子の幅が 600nm、ピッチが 1, OOOnm、または、高さが 800nmを超えると、可視光の p偏光成分が透過するために、偏光特性が低下するおそれがある。

[0033] 少なくとも一組の格子形状（2)を構成する格子は、幅 0. 1〜500 m、ピッチ 1 μ m 〜100mmを有し、互いに並行に伸びている。その幅が 0. 1 μ m未満、または、ピッチが 1. 未満であると、可視光の s偏光成分も反射してしまうために、偏光特性が低下するおそれがある。格子形状（2)を構成する格子の幅が 500 mを超え、または、ピッチが 100mmを超えると、電磁波遮蔽性能が低下し、さらにディスプレイ上で格子が視認されるおそれがある。

[0034] 電磁波遮蔽性グリッド偏光子にぉヽて、少なくとも一組の格子形状（2)を構成する格子によって区切られた微細格子形状（1)の突起状格子の部分のうち、その長さが遮蔽しょうとする電磁波の波長の 10一⁵〜 10—¹倍である部分の長さの合計は、少なくとも一組の格子形状 (2)を構成する格子によって区切られた微細格子形状（1)の突起状格子の全ての部分の長さの合計の 80%以上である。

[0035] 格子形状 (2)を構成する格子によって区切られた微細格子形状（1)の突起状格子の部分のうち、その長さが遮蔽しょうとする電磁波の波長の 10一⁵〜 10—¹倍である部分の長さの合計が、格子形状 (2)を構成する格子によって区切られた微細格子形状（1 )の突起状格子の全ての部分の長さの合計の 80%に達しない場合は、偏光特性が低下するか、または、電磁波遮蔽性能が低下するおそれがある。

[0036] また、微細格子形状（1)を構成する隣接する二つの突起状格子と、各組の格子形状

(2)を構成する隣接する二つの格子とが形作る四辺形の短、方の対角線の長さは、遮蔽しょうとする電磁波の波長の 10一⁵〜 10^_1倍であることが好ましい。

[0037] 「微細格子形状（1)を構成する隣接する二つの突起状格子と各組の格子形状 (2)を構成する隣接する二つの格子とが形作る四辺形」とは、微細格子形状（1)を構成する隣接する二つの突起状格子のそれぞれの中心線と、各組の格子形状 (2)を構成する隣接する二つの格子のそれぞれの中心線とが形作る四辺形を指す。微細格子形状（1)を構成する突起状格子が直線状であり、かつ、各組の格子形状 (2)を構成する格子が直線状であるときは、該四辺形は平行四辺形となる。この平行四辺形は、各直線状格子の両側端縁と、該格子と交差する 2本の隣接する直線状格子とによつて形作られる平行四辺形を指すものではない。また、微細格子形状（1)を構成する突起状格子と各組の格子形状 (2)を構成する格子とが垂直に交差するときは、「微細格子形状 (1)を構成する隣接する二つの突起状格子と各組の格子形状 (2)を構成する隣接する二つの格子とが形作る四辺形」は長方形であるが、この場合、該四辺形の短いほうの対角線とは長方形の対角線を指す。

[0038] 電磁波遮蔽性グリッド偏光子において、微細格子形状（1)を構成する隣接する二つの突起状格子と第二の格子形状 (2)を構成する隣接する二つの格子とが形作る四辺形の短い方の対角線の長さ力遮蔽しょうとする電磁波の波長の 10一⁵倍未満であると、可視光の s偏光成分も反射してしまうために、偏光特性が低下するおそれがある。該四辺形の短い方の対角線の長さが遮蔽しょうとする電磁波の波長の 10—¹倍を超えると、電磁波の s偏波成分が透過するために、電磁波遮蔽性能が低下するおそれがある。

[0039] 本発明の電磁波遮蔽性グリッド偏光子において、格子形状 (2)を構成する格子の高さは、基準面から— 500〜500 /ζ πιであることが好ましい。格子形状（2)を構成する格子の高さが一 500 mより低い、すなわち深さが 500 mを超えても、また、格子形状 (2)を構成する格子の高さが 500 IX mを超えても、格子形状 (2)の形成が困難となるおそれがある。ここで、「基準面」とは、微細格子形状（1)を構成する直線状突起状格子の裾野にあたる面を言う。

[0040] 本発明の電磁波遮蔽性グリッド偏光子の代表的な態様を図 1〜図 6に示す。これらの図においては、便宜上、電磁波遮蔽性グリッド偏光子の隅部における微細格子形状（1)を構成する 4本の突起状格子 1と、格子形状 (2)を構成する 1本の格子 2を示す。また、導電性反射材料形成部に影をつけて示す。

[0041] 図 1に示す態様においては、格子形状 (2)を構成する格子 2が、微細格子形状（1) の突起状格子 1と等しい高さを有する直線状の突起である。

図 2に示す態様においては、格子形状 (2)を構成する格子 2の高さが 0、すなわち、格子形状 (2)を構成する格子 2が、微細格子形状（1)の基準面と同じ高さ水準に形成されており、また、微細格子形状（1)を構成する突起状格子 1は、格子 2との交差部にお、て、基準面と同じ高さ水準まで掘り込まれて、る。 [0042] 図 3に示す態様においては、格子形状 (2)を構成する格子 2が、微細格子形状（1) を構成する格子 1より高さが高い突起である。格子形状 (2)を構成する格子 2は連続して直線状に伸びており、微細格子形状（1)を構成する突起状格子 1は、格子 2との交差部にお、て断続して、る。

図 4に示す態様においては、格子形状 (2)を構成する格子 2が、微細格子形状（1) を構成する突起状格子 1より高さが低い直線状の突起である。格子形状 (2)を構成する格子 2は連続して直線状に伸びており、微細格子形状（1)を構成する突起状格子 1は、格子 2との交差部において断続している。

[0043] 図 5に示す態様においては、格子形状 (2)を構成する格子 2が、微細格子形状（1) を構成する突起状格子 1より高さが低い直線状の突起である。微細格子形状（1)を構成する突起状格子 1は、連続して直線状に伸びており、格子形状 (2)を構成する格子 2は、格子 1との交差部において断続している。

図 6に示す態様においては、格子形状 (2)を構成する格子の高さがマイナス、すなわち、格子形状 (2)を構成する格子 2は、基準面より低い窪みを形成している。窪み状の格子 2は連続して直線状に伸びており、微細格子形状（1)を構成する突起状格子 1は、窪み状格子 2との交差部にぉ、て断続して！/、る。

[0044] 図 7は、本発明の電磁波遮蔽性グリッド偏光子の第 1の態様の一例を示す説明図である。この電磁波遮蔽性グリッド偏光子の例においては、微細格子形状（1)を構成する突起状格子 3に、一組の格子形状 (2)を構成する格子 4が直角に交差し、さらに、別の一組の格子形状 (2)を構成する格子 5が 60度の角度で交差している。微細格子形状（1)を構成する格子 3に複数組の格子形状 (2)を構成する格子を交差させることにより、電磁波遮蔽効果を高めることができる。

[0045] 図 8は、本発明の電磁波遮蔽性グリッド偏光子の第 1の態様の他の一例を示す説明図である。この電磁波遮蔽性グリッド偏光子の例においては、微細格子形状（1)を構成する格子 3に、一定のピッチで位相が 180度ずつずれて規則的に繰り返す正弦波曲線 6を形成する格子 (格子形状 (2)を構成する格子)。微細格子形状（1)を構成する格子 3に規則的に繰り返す正弦波曲線 6を交差させることにより、電磁波遮蔽効果を発現させることができる。 [0046] 本発明の電磁波遮蔽性グリッド偏光子は、その第二の態様においては、幅 50〜600 nm、ピッチ 50〜： L, OOOnm、高さ 50〜800nmの互いに並行に直線状に伸びる突起状格子からなる微細格子形状（1)と、該微細格子形状（1)を構成する突起状格子と交差する、幅 0. 1〜500 m、ピッチ 1 m〜100mmの互いに並行に直線状に伸びる格子力なる少なくとも一組の格子形状 (2)とが形成され、微細格子形状（1)を構成する隣接する二つの突起状格子と各組の格子形状 (2)を構成する隣接する二つの格子とが形作る平行四辺形の短い方の対角線の長さが、遮蔽しょうとする電磁波の波長の 10^_5〜10^_1倍であり、かつ、微細格子形状（1)を構成する突起状格子の少なくとも一部と、各組の格子形状 (2)を構成する格子の少なくとも一部が導電性反射材料により形成され、該導電性反射材料により形成された部分が互いに導通している。

[0047] 電磁波遮蔽性グリッド偏光子の第二の態様において、微細格子形状（1)の突起状格子の幅、ピッチまたは高さが 50nm未満である力、または、その幅が 600nm、ピッチが 1, OOOnm、または、高さが 800nmを超える場合は、上記第一の態様について説明したのと同様な不都合を生じるおそれがある。格子形状 (2)を構成する格子の幅が 0. 1 μ m未満、または、ピッチが 1. 0 m未満であると、可視光の s偏光成分も反射してしまうために、偏光特性が低下するおそれがある。幾何学的曲線条群の幅が 5 00 /z mを超え、または、ピッチが 100mmを超えると、電磁波遮蔽性能が低下し、さらにディスプレイ上で格子が視認されるおそれがある。

[0048] 微細格子形状 (1)を構成する隣接する二つの突起状格子と格子形状 (2)を構成する隣接する二つの格子とが形作る平行四辺形の短い方の対角線の長さが、遮蔽しようとする電磁波の波長の 10一⁵〜 10—¹倍を外れる場合は、上記第一の態様について説明したのと同様な不都合を生じるおそれがある。

電磁波遮蔽性グリッド偏光子の第二の態様において、その他の特性は、上記第一の態様について説明したのと同様な基準により適宜設定することが好ましい。

[0049] 雷磁波蔽件グリッド偏光子の製诰方法

本発明の電磁波遮蔽性グリッド偏光子は、次の 2つの方法により製造することができる。第 1の製造方法：

互いに並行に直線状に伸びる深さ 50〜800nmの溝の群を少なくとも持つ金型または金属版の溝形状を透明榭脂成形体に転写する工程、および、該溝形状が転写された透明榭脂成形体に導電性反射材料を蒸着する工程を含む製造方法。

第 2の製造方法：

透明な基材上に厚さ 50〜800nmの導電性反射材料の層を形成する工程、該導電性反射材料層上にレジストを塗布し、該レジストを活性放射線で像露光し、さらに現像し、上記導電性反射材料層をエッチングする工程を含む製造方法。

[0050] 第 1の製造方法において用いる直線状溝の群を有する金型は、（1)モース硬度 9以上の材料を高エネルギー線により加工して得られた、互いに並行に直線状に伸びる幅 600nm以下の突起を一端面に有する工具を用いて作製する力、または（2)金型部材上にレジストを塗布し、該レジストを活性放射線で像露光し、さらに現像し、金型部材をエッチングすることにより作製することができる。

[0051] 第 1の製造方法において、直線状溝の群を有する金型の製造に用いる幅 600nm以下の直線状突起を端面に有する工具は、モース硬度 9以上の材料を高エネルギー線により加工することにより作製される。図 9は、工具の作製法の一態様を示す説明図である。図 9において、モース硬度 9以上の材料 7を、高エネルギー線 8を用いて加ェし、一端面に溝を堀り込むことにより、幅が 600nm以下の直線状の窪み 9を形成する。

[0052] モース硬度 9以上の材料としては、ダイヤモンド、立方晶窒化ホウ素、コランダムなどを挙げることができる。これらの材料は、単結晶または焼結体として用いることができる。単結晶として用いることが、加工精度と工具寿命の面で好ましぐ単結晶ダイヤモンド、ダイヤモンド焼結体または立方晶窒化ホウ素が硬度が高いためにより好ましぐ単結晶ダイヤモンドが特に好ましい。焼結体としては、例えば、コバルト、スチール、タングステン、ニッケル、ブロンズなどを焼結剤とするメタルボンド、長石、可溶性粘土、耐火粘土、フリットなどを焼結剤とするビトリフアイドボンドなどを挙げることができる。これらの中で、ダイヤモンドメタルボンドを好適に用いることができる。

[0053] 上記工具の製作方法にお!、て用いる高エネルギー線としては、例えば、レーザビーム、イオンビーム、電子ビームなどを挙げることができる。これらの中で、イオンビームと電子ビームを好適に用いることができ、加工速度が速い点でイオンビームをより好適に用いることができる。イオンビームによる加工は、材料の表面にフロン、塩素などの活性ガスを吹き付けながらイオンビームを照射するイオンビーム援用化学加工を行うことが好ましい。電子ビームによる加工は、材料の表面に酸素ガスなどの活性ガスを吹き付けながら電子ビームを照射する電子ビーム援用化学加工を行うことが好ましい。ビーム援用化学力卩ェを行うことにより、エッチング速度を速め、スパッタされた物質の再付着を防ぎ、サブミクロンオーダーの精度の高!ヽ極微細加工を効率よく行うことがでさる。

[0054] 上記工具の製作方法において、工具の一端面に形成する直線状突起の幅は 600η m以下であり、より好ましくは 300nm以下である。突起の幅はその加工方向に垂直な断面形状の先端部分を計測した値である。突起の幅が 600nmを超えると、グリッド偏光子のピッチが大きくなりすぎて、良好な偏光特性を有するグリッド偏光子が得られないおそれがある。また、突起の断面形状は根元に近い部分の幅も 600nm以下であることが好ましい。

[0055] 突起の形状に特に制限はなぐ例えば、突起の加工方向と垂直な平面で切断した断面が長方形、三角形、半円形、台形など、または、これらを若干変形させた形状などを挙げることができる。これらの中で、断面が長方形の形状は、この形状を転写して得られる透明榭脂成形体に導電性反射体を蒸着するとき、非蒸着部分を容易に残すことができるので、好適に用いることができる。また、断面が三角形の形状は蒸着の方向を工夫することにより、非蒸着部分を容易に残すことができるので、好適に用いることがでさる。

[0056] 工具の一端面に形成する突起の数に特に制限はなぐ 1または複数とすることができる。突起の数は、 5以上であることが好ましぐ 10以上であることがより好ましぐ 20 以上であることがさらに好ましい。一つの工具に形成する突起の数を複数とすることにより、工具の一回の加工で金型部材に複数の格子を形成し、金型部材を効率的に加工することができ、また、不規則性が生じやすい隣接する加工箇所の数を減少することがでさる。 [0057] 図 10は、本発明方法における金型部材の加工方法の一態様を示す説明図である。一端面に直線状突起を有する工具 10を使用して、金型部材 11上に幅 50 600n m、ピッチ 50〜： L, 000nm、深さ 50 800nmの並行に直線状に伸びる突起状格子からなる微細格子形状を形成する。微細格子形状の形成は、精密微細加工機（図示しない）に取り付けた工具 10に対して、金型部材 11を相対的に移動させて行うことができる。金型部材の相対する 2辺間の加工を終えたのち、金型部材を横にずらせて隣接する未加工部分に同様にして微細格子形状を形成する加工を繰り返し、金型部材の全面に微細格子形状を形成する。逆に、金型部材を固定して、工具を移動して微細格子形状を形成することもできる。

[0058] 金型部材 11の加工には研削または切削のどちらも採用できる力工具の微細形状を正確に転写できるので、切削の方が好ましい。工具に形成された突起の全体または先端の一部が金型部材の窪みを形成し、工具の窪みの全体または窪みの底面と離れた部分が金型部材の突起となる。

[0059] さらに詳細に説明すると、図 11に示す断面が長方形の格子では、工具 10の突起の幅を w、ピッチを p、高さを hとし、金型部材 11の微細格子形状の突起の幅を w ピッチを P、高さを hとすると、次の関係式がほぼ成り立つ。

2 2

w =p— w p =p h≥h

2 1 1 2 1 2 1

また、図 12または図 13に示す断面が三角形の連続するプリズム形状の格子では、工具 10の突起の根元の幅を w、ピッチを p、高さを hとし、金型部材 11の微細格子形状の突起の幅を w、ピッチを p、高さを hとすると、次の関係式がほぼ成り立つ。

2 2 2

w =w =p =p n

2 1 2 1 2 1

これらの関係式に基づ、て、金型部材上に形成する微細格子形状に対応する工具の形状を決めることができる。

工具の両側端の突起の幅 eは、 w - 25< e<w + 25 (11111)または6 = 0でぁることが好ましい。 0< e<w 25 (11111)または6 > + 25 (nm)であると、繰り返される加ェの継ぎ目部分のピッチが設定どおりでなくなるおそれがある。

[0060] 金型部材は、ベースとなる金型用鋼材 12に微細格子形状を形成するための適度な硬度のある電着または無電解メツキによる金属層 13を設けた材料であることが好ましい。金型用鋼材としては、例えば、ピンホール、地傷、偏析などがない真空溶解、真空铸造などにより製造されたプリハードン鋼、析出硬化鋼、ステンレス鋼、銅などを挙げることができる。電着または無電解メツキによる金属層は、ビッカース硬度が 40 〜350であること力 S好ましく、 200〜300であることがより好ましい。ビッカース硬度が 40〜350の金属としては、例えば、銅、ニッケル、ニッケル一リン合金、パラジウムなどを挙げることができ、ビッカース硬度が 200〜300の金属としては、銅、ニッケル、二ッケル一リン合金を挙げることができる。

[0061] 金型部材に微細格子形状を形成するのに用いる工具は、加工に用いる面の表面算術平均粗さ（Ra)が lOnm以下であることが好ましぐ 3nm以下であることがより好ましい。表面算術平均粗さ（Ra)が lOnmを超えると、幅 50〜600nm、ピッチ 50〜1 , 000nm、深さ 50〜800nmのような微細な形状を正確に加工することが困難となるおそれがある。前記表面算術平均粗さ (Ra)は、 JIS B0601に準拠して測定することがでさる。

[0062] 金型部材への微細格子形状の形成には、精密微細加工機を用いて加工することが好ましい。精密微細加工機の X、 Y、 Ζ移動軸の精度は、 lOOnm以下であることが好ましぐ 50nm以下であることがより好ましい。精密微細加工機の X、 Y、 Ζ移動軸の精度が lOOnmを超えると、微細格子形状のピッチまたは深さが設計値から外れ、グリツド偏光子の性能が低下するおそれがある。

[0063] 金型部材への微細格子形状の形成は、温度 ±0. 5°Cに管理された恒温室内で行うことが好ましぐ温度 ±0. 3°Cに管理された恒温室内で行うことがより好ましぐ温度 ±0. 2°Cに管理された恒温室内で行うことがさらに好ましい。恒温室の温度管理幅が ±0. 5°Cを超えると、工具と金型部材の熱膨張のために、微細な形状の正確性が損なわれるおそれがある。

[0064] 金型部材への微細格子形状の形成は、 0. 5Hz以上の振動の変位が 50 μ m以下に管理された低振動室内で行うことが好ましぐ 0. 5Hz以上の振動の変位が 10 m 以下に管理された低振動室内で行うことがより好ましい。 0. 5Hz以上の振動の変位が 50 mを超えると、振動のために微細な形状を正確に加工することが困難となるおそれがある。 [0065] 上記のように形成した微細格子形状（1)と交差する第二の格子形状 (2)を金型部材に形成する方法に特に制限はなぐ例えば、ダイヤモンドバイト、立方晶窒化ホウ素バイト、超硬合金バイトなどを用いて切削加工することができる。金型部材への微細格子形状（1)と格子形状 (2)の加工の順序に特に制限はなぐ微細格子形状（1) を加工したのち格子形状（2)を加工することができ、あるいは、格子形状（2)を加工したのち微細格子形状（1)を加工することもできる。

[0066] 金型部材の第二の格子形状 (2)の深さと微細格子形状（1)の深さの関係に特に制限はなぐ例えば、二つの格子形状の深さを等しくすることができ、あるいは、いずれ力の格子形状の深さを深くすることもできる。金型部材の二つの格子形状の深さを等しくすることにより、格子形状 (2)が、微細格子形状（1)と等しい高さを有する直線状の突起である図 1に示す態様の電磁波遮蔽性グリッド偏光子を得ることができる。金型部材の格子形状 (2)の深さを微細格子形状（1)の深さより深くすることにより、格子形状 (2)が、微細格子形状（1)より高さが高い直線状の突起である図 3に示す態様の電磁波遮蔽性グリッド偏光子を得ることができる。金型部材の格子形状 (2)の深さを微細格子形状（1)の深さより浅くすることにより、格子形状 (2)が、微細格子形状（1 )より高さが低い断続する直線状の突起である図 5に示す態様の電磁波遮蔽性グリツド偏光子を得ることができる。

[0067] 本発明における金型部材とは、射出成形用の金型、圧縮成形用の金型、フィルム表面に賦形するためのロールなどを言い、フィルム上へ連続的に形状の賦与を行うことができ、経済的なロールが好ましい。

また、本発明方法においては、微細格子形状（1)を形成した金型部材の上に金属版を作製し、前記金属版を金型部材から引き剥がし、金属版に形成された微細格子形状（1)を透明榭脂成形体に転写することもできる。この場合、微細格子形状（1)を形成した金型部材を多数回使用することができるので、経済的である。

[0068] 前記金属版の作製は、電铸によることが好ま Uヽ。電铸材質としては、ビッカース硬度力40〜550Hvのもの力好ましく、 150〜450Hvのもの力さらに好まし!/、。ピッカース硬度が 40〜550Hvの電铸材質としては、銅、ニッケル、ニッケルリン合金、パラジゥム、ニッケル—鉄合金、ニッケル—コバルト合金が挙げられ、 150〜450Hvのものとしては、銅、ニッケル、ニッケルリン合金、ニッケル一鉄合金、パラジウムが挙げられる。

[0069] 本発明の第一の製造方法においては、金型部材に形成した深さ 50〜800nmの直線状溝の群を、透明榭脂成形体に転写する。該形状を透明榭脂成形体に転写する方法に特に制限はなぐ例えば、該形状を形成した円筒状金型部材を感光性透明榭脂層に押しあて露光し形成することができ、該形状を形成した金型部材を射出成形金型に組み込んで透明榭脂を射出成形することができ、該形状を形成した金型部材を圧縮成形金型に組み込んで透明榭脂フィルムまたはシートを加熱加圧することもでき、あるいは、該形状を形成した金型部材を用いて透明榭脂溶液をキャスティング成形することちできる。

[0070] 透明榭脂成形体の面内レターデーシヨン Reは、波長 550nmで 50nm以下であることが好ましぐ lOnm以下であることがより好ましい。透明榭脂成形体の面内レターデーシヨン Reが 50nmを超えると、透過または反射した直線偏光成分力レターデーションにより偏光状態が変化するおそれがある。面内レターデーシヨン Reは、式 Re= | n x-ny I * dから求めることができる。ここで、 nx、 nyは透明榭脂成形体の面内の互いに直交する 2方向の屈折率、 dは透明榭脂成形体の厚み、 *は積を表す。

[0071] 透明榭脂成形体を構成する透明樹脂に特に制限はなぐ例えば、紫外線硬化性榭脂、脂環式構造を有する榭脂、メタタリル榭脂、ポリカーボネート、ポリスチレン、アタリ口-トリルースチレン共重合体、メタクリル酸メチルースチレン共重合体、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンテレフタレートなどを挙げることができる。使用する透明榭脂成形体は、吸水率 0. 3重量％以下であることが好ましぐ吸水率 0. 1重量％以下であることがより好ましい。透明榭脂成形体の吸水率が 0. 3重量％を超えると、吸水による寸法変化のために、微細格子形状の正確性が損なわれるおそれがある。

[0072] 微細格子形状の転写が正確かつ容易であることから、透明榭脂成形体として紫外線硬化性榭脂を好適に用いることができる。また、透明榭脂成形体として、脂環式構造を有する榭脂の成形体を特に好適に用いることができる。脂環式構造を有する榭脂は、溶融樹脂の流動性が良好なので、射出成形により微細格子形状を正確に転写することができる。また、吸水率が極めて小さいので、寸法安定性に優れる。脂環式構造を有する榭脂は、主鎖および Zまたは側鎖にシクロアルカン構造を有する榭脂である。

[0073] 脂環式構造を有する榭脂の具体例としては、例えば、ノルボルネン系単量体の開環重合体若しくは開環共重合体またはそれらの水素添加物、ノルボルネン系単量体の付加重合体若しくは付加共重合体またはそれらの水素添加物、単環の環状ォレフィン系単量体の重合体またはその水素添加物、環状共役ジェン系単量体の重合体またはその水素添加物、ビニル脂環式炭化水素系単量体の重合体若しくは共重合体またはそれらの水素添加物、ビニル芳香族炭化水素系単量体の重合体または共重合体の芳香環を含む不飽和結合部分の水素添加物などを挙げることができる。これらの中で、ノルボルネン系単量体の重合体の水素添加物およびビニル芳香族炭化水素系単量体の重合体の芳香環を含む不飽和結合部分の水素添加物は、機械的強度と耐熱性に優れるので、特に好適に用いることができる。

[0074] 本発明の第一の製造方法においては、微細格子形状（1)と格子形状 (2)が転写された透明榭脂成形体に、導電性反射体を蒸着する。蒸着する導電性反射体は、温度 25°C、波長 550nmにおける屈折率が 0. 04以上 4. 0未満、消光係数が 0. 70以上であることが好ましぐ屈折率が 0. 04以上 3. 0未満、消光係数が 1. 0以上であることがより好ましい。このような導電性反射体としては、例えば、銀、アルミニウムなどを挙げることができる。導電性反射体の温度 25°C、波長 550nmにおける屈折率が 0. 04未満若しくは 4. 0以上または消光係数が 0. 70未満であると、導電性反射体の表面反射率が不足するおそれがある。

[0075] 本発明方法において、微細格子形状（1)と格子形状 (2)が転写された透明榭脂成形体に導電性反射体を蒸着するときは、斜方蒸着することにより、微細格子形状に導電性反射体が蒸着されな!ヽ部分を残して、 s偏光成分を透過させる構造とする。

[0076] 図 14は、斜方蒸着の一態様を示す説明図である。本態様においては、微細格子形状 (1)を構成する格子 1と格子形状 (2)を構成する格子 2が形成された透明榭脂成形体 14を、蒸着源 15に対する傾きが、微細格子形状（1)と格子形状 (2)の形作る平面が Θ、第格子形状 (2)が φになるように傾けて蒸着する。微細格子形状（1)と格子形状 (2)の形作る平面と格子形状 (2)の両者が蒸着源に対して傾きを有する位置で蒸着することにより、一度の操作により必要な面に導電性反射体を蒸着し、かつ微細格子形状を被覆する導電性反射体と第二の格子形状を被覆する導電性反射体とを導通させることができる。

[0077] 図 15は、斜方蒸着の他の態様を示す説明図である。長さ方向に垂直な平面で切断した断面が正方形である直線状の突起を有する微細格子形状（1)が転写された透明榭脂成形体 14を、蒸着源 15の方向に対して角度を 45度傾けて設置し、導電性反射体の蒸着を行うと、図中に二重線で示す微細格子形状（1)の突起の上面と一側面とが蒸着され、窪みの面と他の側面が蒸着されずに残り、格子形状 (2)の上面または底面にはすべて蒸着された電磁波遮蔽性グリッド偏光子が得られる。さらに、必要に応じて図とは逆の方向に 45度傾けて蒸着を行うと、他の側面が蒸着され、微細格子形状の窪みの面のみが蒸着されずに残った電磁波遮蔽性グリッド偏光子が得られる

[0078] 透明榭脂成形体の蒸着源に対する傾き Θに特に制限はないが、 10〜90度であることが好ましい。電磁波遮蔽性グリッド偏光子を適用する光の波長などに応じて、微細格子形状の直線状の突起の断面形状および透明榭脂成形体の蒸着源の方向に対する傾きを選ぶことにより、微細格子形状が転写された透明榭脂成形体の蒸着される部分を調整することができる。また、微細格子形状および Zまたは第二の格子形状の断面形状を選ぶか、蒸着源の方向に対する傾きを選ぶことにより、微細格子形状と第二の格子形状の蒸着面を導通させることができ、電磁波遮蔽性を発現することができる。

[0079] 本発明の電磁波遮蔽性グリッド偏光子の第 1の製造方法において用いる深さ 50〜 800nmの直線状溝の群を少なくとも持つ金型の第二の製法では、金型部材上にレジストを塗布し、該レジストを活性放射線で露光し、さらに現像し、金型部材をエッチングする方法が採られる。

[0080] 金型の第二の製法において用いる金型部材としては、例えば、ピンホール、地傷、偏祈などがない真空溶解、真空铸造などにより製造されたプリハードン鋼、析出硬化鋼などを挙げることができる。金型部材上に塗布するレジストとしては、例えば、ポリメタクリル酸メチル（PMMA)、 ZEP520などの電子線ポジレジスト、カリックスァレーン、 SAL601、 NEB— 22、 ZEN4200などの電子線ネガレジスト、ノボラック一ナフトキノン系ポジレジスト、化学増幅型レジストなどを挙げることができる。レジストに照射する活性放射線としては、例えば、 g線、 i線、 KrFエキシマレーザー、 ArFエキシマレーザ一などの短波長の光、電子ビームなどを挙げることができる。

[0081] 金型の第二の製法において、金型部材に形成する微細格子形状（1)の深さと、第二の格子形状（2)の深さが異なる場合は、金型部材上へのレジストの塗布、活性放射線の露光、現像およびエッチングを行って微細格子形状（1)を形成し、さらに金型部材上へのレジストの塗布、活性放射線の露光、現像およびエッチングを行って格子形状 (2)を形成することが好ま、。微細格子形状（1)の形成と格子形状 (2)の形成は、順序を逆にして、格子形状 (2)を形成したのち微細格子形状（1)を形成することちでさる。

金型の第二の製法において、金型形状の透明榭脂成形体への転写と、該形状が転写された透明榭脂成形体への導電性反射体の蒸着は、上記の態様と全く同様にして行うことができる。

[0082] 本発明の電磁波遮蔽性グリッド偏光子の第 1の製造方法において用いる直線状溝の群を有する金属版は、平滑な基材上にレジストを塗布し、該レジストを活性放射線で像露光し、さらに現像することにより、幅 50〜600nm、ピッチ 50〜： L, OOOnm、高さ 5 0〜800nmの互いに並行に直線状に伸びる突起の群を形成し、該突起群の形状を金属版に転写することにより製作できる。このように製作された直線状溝を有する金属版を用いて、その溝形状を透明榭脂成形体に転写し、該形状が転写された透明樹脂成形体に導電性反射材料を蒸着する。

[0083] 金属版の製造に用いる平滑な基材としては、例えば、ガラス、シリコンウェハー、ステンレス鋼、クロム、榭脂成形体などを挙げることができる。平滑な基材上に塗布するレジストとしては、例えば、ポリメタクリル酸メチル（PMMA)、 ZEP520などの電子線ポジレジスト、カリックスァレーン、 SAL601、 NEB— 22、 ZEN4200などの電子線ネガレジスト、ノボラックナフトキノン系ポジレジスト、化学増幅型レジストなどを挙げることができる。レジストに照射する活性放射線としては、例えば、 g線、 i線、 KrFエキシマレーザー、 ArFエキシマレーザーなどの短波長の光、電子ビームなどを挙げることができる。

[0084] 上記方法において、平滑な基材に形成する微細格子形状（1)の高さと、第二の格子形状 (2)の高さが異なる場合は、平滑な基材上へのレジストの塗布、活性放射線の露光、現像およびエッチングを行って微細格子形状を形成し、さらに平滑な基材上へのレジストの塗布、活性放射線の露光、現像およびエッチングを行って格子形状 (2)を形成することが好ま、。微細格子形状（1)の形成と格子形状 (2)の形成は、順序を逆にして、格子形状 (2)を形成したのち微細格子形状（1)を形成することもできる。

[0085] 上記方法にお、て、平滑な基材の形状の金属版への転写は、電铸によることが好ましい。電铸材質としては、ビッカース硬度が 40〜550の金属材料が好ましぐピツカース硬度が 150〜450の金属材料がより好ましい。ビッカース硬度力 0〜550の金属材料としては、例えば、銅、ニッケル、ニッケル—リン合金、パラジウム、ニッケル— 鉄合金、ニッケルコバルト合金などを挙げることができる。金属版の形状の透明榭脂成形体への転写と、該形状が転写された透明榭脂成形体への導電性反射体の蒸着は、前述の方法と全く同様にして行うことができる。

[0086] 本発明の電磁波遮蔽性グリッド偏光子の第 2の製造方法は、透明な基材上に厚さ 5 0〜800nmの導電性反射材料の層を形成する工程、該導電性反射材料層上にレジストを塗布し、該レジストを活性放射線で像露光し、さらに現像し、上記導電性反射材料層をエッチングする工程を含む。

[0087] 第 2の製造方法において用いる透明な基材としては、可視光に対して透明な基材のみならず、電磁波遮蔽性グリッド偏光子の用途に応じて、例えば、赤外線に対して透明な基材なども用いることができる。透明な基材としては、例えば、透明榭脂成形体、ガラス、フッ化カルシウム、フッ化バリウム、セレンィ匕亜鉛、臭沃化タリウム (KRS — 5)、臭塩ィ匕タリウム (KRS— 6)などを挙げることができる。透明な基材上に形成する導電体膜としては、例えば、アルミニウム、銀、銅、クロムなどの膜を挙げることができる。導電体膜上に塗布するレジストとしては、例えば、ポリメタクリル酸メチル (PMM A)、 ZEP520などの電子線ポジレジスト、カリックスァレーン、 SAL601、 NEB— 22 、 ZEN4200などの電子線ネガレジスト、ノボラックナフトキノン系ポジレジスト、ィ匕学増幅型レジストなどを挙げることができる。レジストに照射する活性放射線としては

、例えば、 g線、 i線、 KrFエキシマレーザー、 ArFエキシマレーザーなどの短波長の光、電子ビームなどを挙げることができる。

[0088] グリッド偏光子の製诰方法

本発明のグリッド偏光子の製造方法の第一の態様においては、（A)モース硬度 9 以上の材料を高エネルギー線を用いて加工し、先端に幅 600nm以下の突起を形成してなる工具を作製し、（B)該工具を使用して金型部材上に、幅 50〜600nm、ピッチ 50〜： L, 000nm、高さ 50〜800nmの微細格子形状を形成し、（C)該金型部材の微細格子形状を透明榭脂成形体に転写し、 (D)該微細格子形状が転写された透明榭脂成形体に導電性反射体を蒸着する。

[0089] 本発明のグリッド偏光子の製造方法の第二の態様においては、（A)モース硬度 9以上の材料を高エネルギー線を用いて加工し、先端に幅 600nm以下の突起を形成してなる工具を作製し、（B)該工具を使用して金型部材上に、幅 50〜600nm、ピッチ 50〜： L, OOOnm、高さ 50〜800nmの微細格子形状を形成し、（C)該金型部材の微細格子形状を金属版に転写し、 (D)該金属版の微細格子形状を透明榭脂成形体に転写し、 (E)該微細格子形状が転写された透明榭脂成形体に導電性反射体を蒸着する。

[0090] 図 9は、本発明のグリッド偏光子の製造方法における工具の作製法の一態様の説明図である。モース硬度 9以上の材料 7を、高エネルギー線 8を用いてカ卩ェし、先端の面を溝状に彫り込むことにより、先端に幅が 600nm以下の直線状の突起 9を形成する。図 9では、直線状突起が平行に複数本並んでいる。

[0091] 本発明方法に用いるモース硬度 9以上の材料としては、ダイヤモンド、立方晶窒化ホゥ素、コランダムなどを挙げることができる。これらの材料は、単結晶または焼結体として用いることができる。単結晶として用いることが、加工精度と工具寿命の面で好ましぐ単結晶ダイヤモンド、ダイヤモンド焼結体または立方晶窒化ホウ素が硬度が高いためにより好ましぐ単結晶ダイヤモンドが特に好ましい。焼結体としては、例えば、コノレト、スチール、タングステン、ニッケル、ブロンズなどを焼結剤とするメタルボンド、長石、可溶性粘土、耐火粘土、フリットなどを焼結剤とするビトリフアイドボンドなどを挙げることができる。これらの中で、ダイヤモンドメタルボンドを好適に用いることができる。

[0092] 本発明のグリッド偏光子の製造方法に用いる高エネルギー線としては、例えば、レ一ザビーム、イオンビーム、電子ビームなどを挙げることができる。これらの中で、ィォンビームと電子ビームを好適に用いることができ、加工速度が速!、点でイオンビームをより好適に用いることができる。イオンビームによる加工は、材料の表面にフロン、塩素などの活性ガスを吹き付けながらイオンビームを照射するイオンビーム援用化学加工を行うことが好ましい。電子ビームによる加工は、材料の表面に酸素ガスなどの活性ガスを吹き付けながら電子ビームを照射する電子ビーム援用化学加工を行うことが好ましい。ビーム援用化学力卩ェを行うことにより、エッチング速度を速め、スパッタされた物質の再付着を防ぎ、サブミクロンオーダーの精度の高!ヽ極微細加工を効率よく行うことができる。

[0093] 本発明のグリッド偏光子の製造方法において、工具の先端の突起の幅は 600nm以下であり、より好ましくは 300nm以下である。突起の幅は、その加工方向に垂直な断面形状の先端部分を計測した値である。突起の幅が 600nmを超えると、グリッド偏光子のピッチが大きくなりすぎて、可視光に対して良好な偏光特性が得られないおそれがある。また、突起の断面の形状は、根元に近い部分の幅も 600nm以下であるものが好ましい。

[0094] 本発明のグリッド偏光子の製造方法において、突起の形状に特に制限はなぐ例えば、突起の加工方向と垂直な平面で切断した断面が長方形、三角形、半円形、台形など、または、これらを若干変形させた形状などを挙げることができる。これらの中で、断面が長方形の形状は、この形状を転写して得られる透明榭脂成形体に導電性反射体を蒸着するとき、非蒸着部分を容易に残すことができるので、好適に用いることができる。また、断面が三角形の形状は、蒸着の方向を工夫することにより、非蒸着部分を容易に残すことができるので、好適に用いることができる。

[0095] 本発明のグリッド偏光子の製造方法において、工具の突起の数に特に制限はなぐ 1または複数とすることができる。工具の突起の数は、 5以上であることが好ましぐ 10 以上であることがより好ましぐ 20以上であることがさらに好ましい。一つの工具の突起の数を複数とすることにより、工具の一回の加工で金型部材に複数本の格子形状を形成し、金型部材を効率的に加工することができ、また、不規則性が生じやすい隣接する加工箇所の数を減少することができる。

[0096] 図 10は、本発明方法における金型部材の加工方法の一態様の説明図である。先端に直線状の突起を有する工具 10を使用して、金型部材 11上に幅 50〜600nm、ピツチ 50〜： L, 000nm、高さ 50〜800nmの微細格子形状を形成する。幅 50nm未満、ピッチ 50nm未満または高さ 50nm未満の突起の加工による形成は、極めて困難となるおそれがある。突起の幅が 600nm、ピッチが 1, OOOnmを超えると、グリッド偏光子の偏光特性が低下するおそれがあり、高さが 800nmを超えると、透明榭脂成形体への転写時に正確に形状を転写することが困難となるおそれがある。

[0097] 本発明のグリッド偏光子の製造方法において、加工は研削または切削のどちらでもよいが、工具の微細形状を正確に転写できるので、切削の方が好ましい。工具の突起の全体または先端の一部が金型部材の窪みとなり、工具の窪みの全体または窪みの底面と反対側の一部が金型部材の突起となる。

[0098] したがって、図 11に示す断面が長方形の格子では、工具の突起の幅を wl、ピッチを pl、高さを hiとし、金型部材の微細格子形状の突起の幅を w2、ピッチを p2、高さを h2とすると、次の関係式がほぼ成り立つ。

w2=pl— wl、 p2=pl、 h2≤hl

また、図 12または図 13に示す断面が三角形の連続するプリズム形状の格子では、工具の突起の根元の幅を wl、ピッチを pi、高さを hiとし、金型部材の微細格子形状の突起の幅を w2、ピッチを p2、高さを h2とすると、次の関係式がほぼ成り立つ。

w2=wl =p2=pl、 h2≤hl

[0099] 本発明のグリッド偏光子の製造方法において、工具の両側端の突起の幅 eは、 wl - 25< e<wl + 25 (nm)または e = 0であることが好まし!/ヽ。 0< e<wl— 25 (nm)または e > wl + 25 (nm)であると、繰り返される加工の継ぎ目部分のピッチが設定どおりでなくなるおそれがある。 [0100] 図 10に示すように、精密微細加工機（図示しない）に取り付けた工具 10に対して、金型部材 11を移動させて微細格子形状を形成する。金型部材の相対する 2辺間の加ェを終えたのち、金型部材を横にずらせて隣接する未カ卩ェ部分に同様にして微細格子形状を形成する加工を繰り返し、金型部材の全面に微細格子形状を形成する。また、金型部材を固定して、工具を移動して微細格子形状を形成することもできる。

[0101] 本発明方法に用いる金型部材は、ベースとなる金型用鋼材 12に微細格子形状を形成するための適当な硬度のある電着または無電解メツキによる金属層 7を設けた材料であることが好ましい。金型用鋼材としては、例えば、ピンホール、地傷、偏析などがない真空溶解、真空铸造などにより製造されたプリハードン鋼、析出硬化鋼、ステンレス鋼、銅などを挙げることができる。電着または無電解メツキによる金属層は、ピツカース硬度が 40〜350であることが好ましぐ 200〜300であることがより好ましい。ビッカース硬度が 40〜350の金属としては、例えば、銅、ニッケル、ニッケル—リン合金、パラジウムなどを挙げることができ、ビッカース硬度が 200〜300の金属としては、銅、ニッケル、ニッケル—リン合金を挙げることができる。

[0102] 本発明のグリッド偏光子の製造方法に用いる工具は、加工に用いる面の表面算術平均粗さ（Ra)が lOnm以下であることが好ましぐ 3nm以下であることがより好ましい。表面算術平均粗さ（Ra)が lOnmを超えると、幅 50〜600nm、ピッチ 50〜： L, 000 nm、高さ 50〜800nmのような微細な形状を正確にカ卩ェすることが困難となるおそれがある。前記表面算術平均粗さ (Ra)は、 JIS B0601に準拠して測定することができる。

[0103] 本発明のグリッド偏光子の製造方法において、金型部材への微細格子形状の形成は、精密微細加工機を用いて加工することが好ましい。精密微細加工機の X、 Υ、 Ζ 移動軸の精度は、 lOOnm以下であることが好ましぐ 50nm以下であることがより好ましぐ lOnm以下であることがさらに好ましい。精密微細加工機の X、 Y、 Ζ移動軸の精度が lOOnmを超えると、微細格子形状のピッチまたは高さが設計値力も外れ、グリツド偏光子の性能が低下するおそれがある。

[0104] 本発明のグリッド偏光子の製造方法において、金型部材への微細格子形状の形成は、温度 ±0. 5°C以下に管理された恒温室内で行うことが好ましぐ温度 ±0. 3°C以下に管理された恒温室内で行うことがより好ましぐ温度 ±0. 2°C以下に管理された恒温室内で行うことがさらに好ましい。恒温室の温度管理幅が ±0. 5°Cを超えると、工具と金型部材の熱膨張のために、微細な形状の正確性が損なわれるおそれがある。

[0105] 本発明のグリッド偏光子の製造方法において、金型部材への微細格子形状の形成は、 0. 5Hz以上の振動の変位が 50 m以下に管理された低振動室内で行うことが好ましぐ 0. 5Hz以上の振動の変位が 10 m以下に管理された低振動室内で行うことがより好ましい。 0. 5Hz以上の振動の変位が 50 mを超えると、振動のために微細な形状を正確に加工することが困難となるおそれがある。

[0106] 本発明における金型部材とは、射出成形用の金型、圧縮成形用の金型、フィルム表面に賦形するためのロールなどを言い、フィルム上へ連続的に形状の賦与を行うことができ、経済的なロールが好ましい。

[0107] また、本発明のグリッド偏光子の製造方法においては、微細格子形状を形成した金型部材の上に金属版を作製し、前記金属版を金型部材から引き剥がし、金属版に形成された微細格子形状を透明榭脂成形体に転写することもできる。この場合、微細格子形状を形成した金型部材を母材として保存することができるので、経済的である

[0108] 前記金属版の作製は、電铸によることが好ま Uヽ。電铸材質としては、ビッカース硬度力 0〜550のものが好ましぐ 150〜450のもの力 Sさら〖こ好ましい。ビッカース硬度力 0〜550の電铸材質としては、銅、ニッケル、ニッケルリン合金、ニッケル一鉄合金、ニッケルコバルト合金、パラジウムが挙げられ、 150〜450のものとしては、銅、ニッケル、ニッケル一リン合金、ニッケル一鉄合金、ノ《ラジウムが挙げられる。

[0109] 本発明のグリッド偏光子の製造方法においては、金型部材に形成した幅 50〜600 nm、ピッチ 50〜： L, 000nm、高さ 50〜800nmの微細格子形状を、透明榭脂成形体に転写する。微細格子形状を透明榭脂成形体に転写する方法に特に制限はなく、例えば、微細格子形状を形成した円筒状金型部材を感光性透明榭脂層に押しあて露光し成形することができ、微細格子形状を形成した金型部材を射出成形金型に組み込んで透明榭脂を射出成形することができ、微細格子形状を形成した金型部材を圧縮成形金型に組み込んで透明榭脂フィルムまたはシートを加熱加圧することもでき、あるいは、微細格子形状を形成した金型部材を用いて透明榭脂溶液をキャスティング成形することもできる。透明榭脂成形体の面内レターデーシヨンは、波長 550 nmで 50nm以下であることが好ましぐ lOnm以下であることがより好ましい。透明榭脂成形体の面内レターデーシヨンが 50nmを超えると、透過または反射した直線偏光成分がレターデーシヨンにより偏光状態が変化するおそれがある。面内レターデーシヨン Reは、式 Re= | nx— ny | * dから求めることができる。ここで、 nx、 nyは透明榭脂成形体の面内の互いに直交する 2方向の屈折率、 dは透明榭脂成形体の厚み、 *は積を表す。

[0110] 本発明のグリッド偏光子の製造方法に用いる透明樹脂に特に制限はなぐ例えば、脂環式構造を有する榭脂、紫外線硬化性榭脂、メタタリル榭脂、ポリカーボネート、ポリスチレン、アクリロニトリル—スチレン共重合体、メタクリル酸メチル—スチレン共重合体、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンテレフタレートなどを挙げることができ、これらを組み合わせて使用してもよい。本発明方法に用いる透明榭脂成形体は、吸水率 0 . 3重量％以下であることが好ましぐ吸水率 0. 1重量％以下であることがより好ましい。透明榭脂成形体の吸水率が 0. 3重量％を超えると、吸水による寸法変化のために、微細格子形状の正確性が損なわれるおそれがある。

[0111] 本発明のグリッド偏光子の製造方法においては、微細格子形状の転写が正確かつ容易であることから、透明榭脂成形体として紫外線硬化性榭脂を好適に用いることができる。また、本発明のグリッド偏光子の製造方法においては、透明榭脂成形体として、脂環式構造を有する榭脂の成形体を特に好適に用いることができる。脂環式構造を有する榭脂は、溶融樹脂の流動性が良好なので、射出成形により微細格子形状を正確に転写することができる。また、吸水率が極めて小さいので、寸法安定性に優れる。脂環式構造を有する榭脂としては、本発明の電磁波遮蔽グリッド偏光子の説明で例示したものと同じものを挙げることができる。

[0112] 本発明のグリッド偏光子の製造方法においては、微細格子形状が転写された透明榭脂成形体に、導電性反射体を蒸着する。蒸着する導電性反射体は、温度 25°C、波長 550nmにおける屈折率 0. 04以上 4. 0未満、消光係数 0. 70以上であることが好ましぐ屈折率 0. 04以上 3. 0未満、消光係数 1. 0以上であることがより好ましい。このような導電性反射体としては、例えば、銀、アルミニウム、銅などを挙げることができる。導電性反射体の温度 25°C、波長 550nmにおける屈折率が 0. 04未満若しくは 4. 0以上または消光係数が 0. 70未満であると、導電性反射体の表面反射率が不足するおそれがある。

[0113] 本発明のグリッド偏光子の製造方法において、微細格子形状が転写された透明榭脂成形体に導電性反射体を蒸着するときは、微細格子形状の断面形状により蒸着方向を工夫することにより、微細格子形状に導電性反射体が蒸着されない部分を残して、 s偏光成分を透過させる構造とする。

[0114] 図 15は、蒸着の一態様の説明図である。長さ方向に垂直な平面で切断した断面が正方形である突起を有する微細格子形状が転写された透明榭脂成形体 14を、蒸着源 15の中心に向けた方向に対して角度を 45度傾けて設置し、導電性反射体の蒸着を行うと、図中に二重線で示す突起の上面と一側面とが蒸着され、窪みの面と他の側面が蒸着されずに残ったグリッド偏光子が得られる。さらに、必要な場合には図とは逆の方向に 45度傾けて蒸着を行うと、他の側面が蒸着され、窪みの面のみが蒸着されずに残ったグリッド偏光子が得られる。

[0115] 本発明のグリッド偏光子の製造方法において、透明榭脂成形体の蒸着源に対する傾き Θに特に制限はないが、 10〜90度であることが好ましい。グリッド偏光子を適用する光の波長などに応じて、突起の形状および透明榭脂成形体の蒸着源の方向に対する傾きを選ぶことにより、微細格子形状が転写された透明榭脂成形体の蒸着される部分を調整することができる。図 15と同様の断面形状を有する微細格子形状が転写された透明榭脂成形体を、蒸着源 9の中心に対する角度を 90度に設置して導電性反射体の蒸着を行うと、突起の上面と窪みの面が蒸着され、他の二側面が蒸着されずに残ったグリッド偏光子が得られる。

本発明のグリッド偏光子の製造方法においては、導電性反射体を蒸着した上に、無機層または有機層からなる腐食防止層を設けることができる。

実施例

[0116] 以下に、実施例を挙げて本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例によりなんら限定されるものではない。

[0117] (実施例 1)

8mm X 8mm X 60mmの SUS製シャンクにろう付けされた寸法 0. 2mm X lmm X lmmの直方体の単結晶ダイヤモンドの 0. 2mm X lmmの面に、集束イオンビーム加工装置 [セイコーインスツルメンッ (株）、 SMI3050]を用いてアルゴンイオンビームを用いた集束イオンビーム加工を行って、長さ lmmの辺に並行な幅 0. 1 m、深さ 0. 1 μ mの溝をピッチ 0. 2 μ mで掘り込み、幅 0. 1 m、高さ 0. 1 μ mの直線状の突起 1 , 000本をピッチ 0. 2 mで形成してなる切削工具を作製した。

寸法 152. 4mm X 203. 2mm、厚さ 10. Ommのステンレス鋼 SUS430の 152. 4 mm X 203. 2mmの一面に、厚さ 100 mの-ッケル一リン無電解メツキを施し、微細切削加工機と上記の切削工具を用いて、ニッケル—リン無電解メツキ面に、長さ 20 3. 2mmの辺に並行な幅 0. 1 m、深さ 0. 1 m、ピッチ 0. 2 μ mの直線状の窪み力なる微細格子形状を切削加工した。

[0118] さらに、単結晶ダイヤモンドバイトを用いて、微細格子形状の直線状の窪みと垂直方向に、幅 m、深さ 0. 5 /z m、ピッチ lmmの第二の格子形状を切削加工した。なお、集束イオンビームカ卩ェによる切削工具の作製と、ニッケルリン無電解メツキ面の切削加工は、温度 20. 0 ± 0. 2°Cに管理され、振動制御システム [ (株）昭和サィエンス]により 0. 5Hz以上の振動の変位が 50 μ m以下に管理された恒温低振動室内で行った。

[0119] 切削加工されたニッケルリン無電解メツキ面のあるステンレス鋼部材を射出成形金型に組み込み、射出成形機 (型締力 2MN)を用いて、脂環式構造を有する榭脂 [ 日本ゼオン (株）、ゼォノア 1060R]から、榭脂温度 310°C、金型温度 100°Cの条件で、寸法 152. 4mm X 203. 2mm、厚さ 1. Ommのグリッド偏光子用平板を射出成形した。得られたグリッド偏光子用平板の表面には、図 3に示される形態の幅 0. 1 μ m、ピッチ 0. 2 /z m、高さ 0. 1 μ mの微細格子形状と、この微細格子形状と直交する幅 10 μ m、ピッチ lmm、高さ 0. 5 μ mの第二の格子形状が形成されていた。

[0120] この射出成形板を、蒸着源に対して微細格子形状および第二の格子形状の陰が形成される 45度の傾きになるように設置してアルミニウムを蒸着し、直線状の突起の上面と一側面にアルミニウムを蒸着した、さらに、逆の方向で蒸着源に対して 45度の傾きになるように設置して、残りの他の側面にアルミニウムを蒸着し、微細格子形状の直線状の突起の間の窪みの面が蒸着されていない状態として、電磁波遮蔽性グリツド偏光子を完成した。

[0121] 得られた電磁波遮蔽性グリッド偏光子について、瞬間マルチ測光システム [大塚電子 (株）、 MCPD— 3000]を用いて、波長 550nmにおける s偏光透過率と p偏光透過率を測定した。 s偏光透過率は 60. 5%、偏光透過率は0. 1%であり、偏光透過率差は 60. 4%であった。

得られた電磁波遮蔽性グリッド偏光子について、スペクトラムアナライザ [アンリツ（株）、 MS2661C]を用いて、シールドボックス法により 500MHzの電磁波の遮蔽性能を測定した。電磁波減衰量は、 42dBであった。

[0122] (実施例 2)

直径 200. Ommで高さ 155. Ommの円筒形のステンレス鋼 SUS430の曲面全面に、厚さ 100 /z mのニッケル—リン無電解メツキを施し、実施例 1と同様に直線状突起を形成した工具と微細切削加工機を用いて、ニッケル—リン無電解メツキ面に円筒の円周端面に並行に、幅 0. l ^ m,高さ 0. 1 111、ピッチ0. 2 /z mの直線状の窪み力らなる微細格子形状を切削加工した。

[0123] さらに単結晶ダイヤモンドバイトを用いて、微細格子形状の窪みと垂直方向に、幅 1 0 m、深さ 0. 5 m、ピッチ lmmの第二の格子形状を切削加工した。

押出成形により得られた厚さ 100 m、幅 155mmの脂環式構造を有する榭脂 [日本ゼオン (株）、ゼォノア 1420R]のフィルム上へ、 lOOnmの厚さで紫外線硬化性ァクリル榭脂を塗布し、切削加工されたニッケル一リン無電解メツキ面のある円筒へ密着させて、フィルム裏側力高圧水銀灯で紫外線を照射し、微細格子形状と第二の格子形状をフィルムへ転写した。

[0124] フィルムから微細格子形状と第二の格子形状が転写された寸法 152. 4mm X 203 . 2mmの部分を切り出し、実施例 1と同様にして、突起の上面および微細格子形状の両側面にアルミニウムを蒸着して電磁波遮蔽性グリッド偏光子を完成し、偏光透過率と電磁波の遮蔽性能を測定した。 s偏光透過率は 60. 6%、 p偏光透過率は 0. 5%であり、偏光透過率差は 60. 1% であった。電磁波減衰量は、 41dBであった。

[0125] (実施例 3)

実施例 1と同様にして作製した金型部材上に、スルファミン酸ニッケル水溶液を用いた電铸により、ニッケルを 300 /z mの厚さに形成し、金型部材から引き剥がして二つの格子形状を持つ金属版を得た。この金属版を射出成形金型に組み込み、実施例 1と同様にして電磁波遮蔽性グリッド偏光子を完成し、偏光透過率と電磁波の遮蔽性能を測定した。

s偏光透過率は 60. 3%、 p偏光透過率は 0. 3%であり、偏光透過率差は 60. 0% であった。電磁波減衰量は、 40dBであった。

[0126] (実施例 4)

寸法 50mm X 50mm、厚さ 10. Ommのステンレス鋼 SUS430の 50mm X 50mm の一面に、厚さ 100 mのニッケル—リン無電解メツキを施し、電子線ポジレジスト [ 日本ゼオン (株）、 ZEP520]を 0. 1 m厚さに塗布し、電子線描画装置 [ (株)エリオ -タス、 ELS— 7000]を用いて、 30mm X 30mmの領域に、 30mmの一方の辺に並行な幅 0. 1 m、ピッチ 0. 2 mの微細格子形状と、もう一方の辺に並行に幅 10 m、ピッチ 1. Ommの第二の格子形状をレジストが溶解するように描画した。次いで専用現像液で現像し、プラズマエッチング装置 [オックスフォード 'インストウルメンッ（株）、 Plasmalab System 100 ICP180]でエッチングし、専用剥離液でレジストを剥離することにより、深さ 0. 1 μ mの二つの格子形状が形成された金型部材を作製した。

[0127] 前記二つの格子形状が形成された金型部材から、二つの格子形状が形成された 3 Omm X 30mmの領域を切り出し、実施例 1と同様にして電磁波遮蔽性グリッド偏光子を完成し、偏光透過率と電磁波の遮蔽性能を測定した。

s偏光透過率は 59. 9%、偏光透過率は1. 3%であり、偏光透過率差は 58. 6% であった。電磁波減衰量は、 37dBであった。

[0128] (実施例 5)

寸法 50mm X 50mm、厚さ 1. Omm、 RaO. 01 μ mのガラス基材上の 50mm X 50 mmの一面に、電子線ネガレジスト [日本ゼオン (株）、 ZEN4200]を 0. 1 μ m厚さに塗布し、電子線描画装置 [ (株）エリオ-タス、 ELS— 7000]を用いて、 30mm X 30 mmの領域に、 30mmの一方の辺に並行な幅 0. 1 m、ピッチ 0. 2 μ mの微細格子形状と、もう一方の辺に平行に幅 10 m、ピッチ 1. 0mmの第二の格子形状をレジストが残存するように描画した。次いで専用現像液で現像し、高さ 0. 1 mの二つの格子形状がガラス基材上に電子線レジストで形成された部材を作製した。前記部材の上にスルファミン酸ニッケル水溶液を用いてニッケルを 300 mの厚さに電铸し、前記部材カも引き剥がして、二つの格子形状が形成された金属版を得た。

[0129] 前記二つの格子形状が形成された金属版から二つの格子形状が形成された 30m m X 30mmの領域を切り出し、実施例 1と同様にして電磁波遮蔽性グリッド偏光子を完成し、偏光透過率と電磁波の遮蔽性能を測定した。

s偏光透過率は 59. 5%、偏光透過率は1. 2%であり、偏光透過率差は 58. 3% であった。電磁波減衰量は、 36dBであった。

[0130] (実施例 6)

寸法 50mm X 50mm、厚さ 1. 0mmのガラス基板上に、アルミニウムを厚さ 0. 1 μ mに蒸着し、電子線ネガレジスト [日本ゼオン (株）、 ZEN4200]を塗布し、電子線描画装置 [ (株）エリオ-タス、 ELS— 7000]を用いて、 30mm X 30mmの領域に、 30 mmの一方の辺に平行な幅 0. 1 m、ピッチ 0. 2 mの微細格子形状と、もう一方の辺に平行に幅 10 m、ピッチ 1. 0mmの第二の格子形状をレジストが残存するように描画した。次いで専用現像液で現像し、プラズマエッチング装置 [オックスフォード'ィンストウルメンッ（株）、 Plasmalab System 100 IPC180]でエッチングし、専用剥離液でレジストを剥離することにより、高さ 0. 1 mの二つの格子形状が形成された電磁波遮蔽性グリッド偏光子を完成し、実施例 1と同様にして、偏光透過率と電磁波の遮蔽性能を測定した。

s偏光透過率は 59. 2%、偏光透過率は1. 5%であり、偏光透過率差は 57. 7% であった。電磁波減衰量は、 36dBであった。

[0131] (比較例 1)

微細格子形状のみを切削加工し、第二の格子形状を加工しな力つた以外は、実施例 1と同様にして、ステンレス鋼部材を加工した。

この切削加工されたステンレス鋼部材を射出成形金型に組み込み、実施例 1と同様にして、グリッド偏光子用平板を射出成形し、さらにアルミニウム蒸着してグリッド偏光子を作製した。

得られたグリッド偏光子について、実施例 1と同様にして、評価を行った。 s偏光透過率は 61. 0%、偏光透過率は0. 2%であり、偏光透過率差は 60. 8%であった。電磁波減衰量は、 3. OdBであった。

[0132] (比較例 2)

微細格子形状のみを形成し、第二の格子形状を形成しな力つた以外は、実施例 2 と同様にして円筒形のステンレス鋼部材を作製した。

この切削加工された円筒形のステンレス鋼部材を用い、実施例 2と同様にしてグリツド偏光子用フィルムを作製し、さらにアルミニウムを蒸着してグリッド偏光子を完成し、偏光透過率と電磁波の遮蔽性能を測定した。

s偏光透過率は 60. 9%、 p偏光透過率は 0. 2%であり、偏光透過率差は 60. 7% であった。電磁波減衰量は、 2. 6dBであった。

[0133] (比較例 3)

微細格子形状のみを形成し、第二の格子形状を形成しな力つた以外は、実施例 3 と同様にして金属版を作製した。次いで該金属版から微細格子形状が形成された 3 Omm X 30mmの領域を切り出し、実施例 3と同様にしてグリッド偏光子を完成し、偏光透過率と電磁波の遮蔽性能を測定した。

s偏光透過率は 60. 5%、 p偏光透過率は 0. 2%であり、偏光透過率差は 60. 3% であった。電磁波減衰量は、 2. 6dBであった。

[0134] (比較例 4)

微細格子形状のみを形成し、第二の格子形状を形成しな力つた以外は、実施例 4 と同様にして金型部材を作製した。次いで該金型部材から微細格子形状が形成された 30mm X 30mmの領域を切り出し、実施例 4と同様にしてグリッド偏光子を完成し、偏光透過率と電磁波の遮蔽性能を測定した。

s偏光透過率は 59. 8%、 p偏光透過率は 0. 4%であり、偏光透過率差は 59. 4% であった。電磁波減衰量は、 2. 7dBであった。

[0135] (比較例 5)

微細格子形状のみを形成し、第二の格子形状を形成しな力つた以外は、実施例 5 と同様にして金属版を作製した。次いで該金属版から微細格子形状が形成された 3 Omm X 30mmの領域を切り出し、実施例 5と同様にしてグリッド偏光子を完成し、偏光透過率と電磁波の遮蔽性能を測定した。

[0136] (比較例 6)

微細格子形状のみを形成し、第二の格子形状を形成しな力つた以外は、実施例 6 と同様にしてグリッド偏光子を作製し、偏光透過率と電磁波の遮蔽性能を測定した。 s偏光透過率は 59. 4%、偏光透過率は1. 7%であり、偏光透過率差は 57. 7% であった。電磁波減衰量は、 2. 8dBであった。

[0137] (実施例 7)

微細格子形状、第二の格子形状および第三の格子形状を有する図 7に示す態様の電磁波遮蔽性グリッド偏光子を作製した。

寸法 152. 4mm X 203. 2mm、厚さ 10. Ommのステンレス鋼 SUS430の 152. 4 mm X 203. 2mmの一面に、厚さ 100 mの-ッケル一リン無電解メツキを施し、微細切削加工機と実施例 1で作製した切削工具を用いて、ニッケルリン無電解メツキ面に、長さ 203. 2mmの辺に平行な幅 0. 1 m、深さ 0. 1 m、ピッチ 0. 2 μ mの直線状の窪み力なる微細格子形状を切削加工した。なお、ニッケル—リン無電解メツキ面の切削加工は、実施例 1と同様に管理された恒温低振動室内で行った。

[0138] さらに、単結晶ダイヤモンドバイトを用いて、微細格子形状の直線状の窪みと垂直方向に、幅 m、深さ 0. 5 /z m、ピッチ lmmの第二の格子形状と、微細格子形状の直線状の窪みと 60度の角度をなす方向に、幅 10 /ζ πι、深さ 0. 5 /ζ πι、ピッチ lm mの第三の格子形状とを切削加工した。

[0139] 切削加工されたニッケルリン無電解メツキ面のあるステンレス鋼部材を射出成形金型に組み込み、実施例 1と同様にして、脂環式構造を有する榭脂 [日本ゼオン (株 )、ゼォノア 1060R]力も、寸法 152. 4mm X 203. 2mm、厚さ 1. Ommのグリッド偏光子用平板を射出成形した。得られたグリッド偏光子用平板の表面には、図 7に示される形態の幅 0. 1 m、ピッチ 0. 2 /z m、高さ 0. 1 μ mの微細格子形状と、微細格子形状と直交する幅 10 m、ピッチ lmm、高さ 0. 5 mの第二の格子形状と、微細格子形状と 60度の角度で交差する幅 10 m、ピッチ lmm、高さ 0. の第三の格子形状とが形成されて!ヽた。

[0140] このグリッド偏光子用平板に、実施例 1と同様にしてアルミニウムを蒸着し、微細格子形状の直線状の突起の間の窪みの面が蒸着されていない状態として、電磁波遮蔽性グリッド偏光子を完成し、実施例 1と同様にして、偏光透過率と電磁波の遮蔽性能を測定した。 s偏光透過率は 60. 3%、偏光透過率は0. 1%であり、偏光透過率差は 60. 2%であった。電磁波減衰量は、 43dBであった。

[0141] (実施例 8)

微細格子形状と正弦波曲線を有する図 8に示す態様の電磁波遮蔽性グリッド偏光子を作製した。

寸法 50mm X 50mm、厚さ 1. Ommのガラス基板上に、アルミニウムを厚さ 0. 1 μ mに蒸着し、電子線ネガレジスト [日本ゼオン (株）、 ZEN4200]を塗布し、電子線描画装置 [ (株）エリオ-タス、 ELS— 7000]を用いて、 30mm X 30mmの領域に、 30 mmの一方の辺に平行な幅 0. 1 m、ピッチ 0. 2 mの微細格子形状と、該微細格子形状と交差する幅 10 m、ピッチ 1. Omm、振幅 200 m、周波 650 mで位相力 S 180度ずつずれる正弦波曲線群をレジストが残存するように描画した。次!、で専用現像液で現像し、プラズマエッチング装置 [オックスフォード 'インストウルメンッ (株）、 Plasmalab System 100 IPC180]でエッチングし、専用剥離液でレジストを剥離することにより、深さ 0. 1 μ mの微細格子形状と正弦波曲線が形成された電磁波遮蔽性グリッド偏光子を完成し、実施例 1と同様にして、偏光透過率と電磁波の遮蔽性能を測定した。

[0142] s偏光透過率は 59. 2%、 p偏光透過率は 1. 4%であり、偏光透過率差は 57. 8% であった。電磁波減衰量は、 34dBであった。

実施例 1〜6および比較例 1〜6の結果を表 1に、実施例 7〜8の結果を表 2に示す〔〕^0144

偏光透過率差電磁波減衰量微細格子形状第二の格子形状作製方法 ( %) (dB)

金型部材へ形状形成 (機械加工）

丧施例" 80.4 42

Z射出成形/ AI蒸 ¾

金型部材へ形拔形成 (機械加工）

実施例 2 60.1 41

/口一ル転写 ZAI蒸着

金型部材へ形状形成 (機械加工) Z

実施例 3 幅 θ β ιη 60.0 40

OJ Π m 幅金属版へ形找転写/射出成形/ A!蒸着

ピッチ 0 m ピッチ 1.0 /i rn

高さ 0.1 μ m 高さ 0.5 /i m 金型部材へ形状形成::フォトリソグラフィ一）

実施例 4 58.6 37

/'射出成形 Z AI蒸着

金型部材へ骸状形成 (フォトリソグラフィ一）

¾：/鹿倒 58.3 36

/金属版へ影状転写 Z射出成形 ZAI蒸着

ガラスに AI蒸着/フォトリソグラフィー

実施例 6 57.7 36

ノ現像ノエッチング

金型部材へ形状形成 (機械加工）

比較 ] 1 60.8 3.0

ノ射出成骸 A蒸着

金型部材へ形状形成 (機械加工）

比較例 2 2.6

/ロール転写. ZAI蒸着

金型部材へ形状形成 (機械加工）/

比較個 3 幅 0.1 μ. 60.3 2.6

金属 »へ形状転写 Z射出成形/ Ai蒸着

ヒッチ 0.2 なし

比較例高さ OJ /i m 金型部材へ形状形成 (フォトリソグラフィ一）

4 59 4 2.7

Z射出成形 ZAI蒸着

金型部材へ形状形成（フォトリソグラフィー）

比較例 5 59.4 2.7

Z金属版へ形状転写ノ射出成形 AI蒸着

ガラスに AI蒸着 Zフォトリソグラフィ一

比較例 6 57,7 2.8

ノ現像 /エッチング

〔〕波減衰率細格偏光状と電磁量透過差微子形！

作製状方法微雜格子形

差す状 1 ()交る形dB

第格状子形二の g

直交

幅 10m

ピ0チ 1ッi m.

高さ幅5001 β U m m..

材状金部成機械加型形形 (）工へ第格ピ俩実施子状形三のチ 702ッ μ m.

成射出蒸着 /形ノ At

高さ10 rti ου m.

極01im

ピチ 10ッ m.

高さ 05 m.

弦波曲線正

幅01im

蒸グガ着トリラにス Ai/ラフソフォ

実ピ施例チo 8 ^^ッm.

像グ現 /'チンエ /ッ

猶 200 u m

波周 650 ym

第 1表に見られるように、実施例 1 6の電磁波遮蔽性グリッド偏光子と比較例 1 6 のグリッド偏光子は、いずれも s偏光透過率と p偏光透過率の差が 57%を超え、良好な偏光特性を有している。しかし、微細格子形状のみを有する比較例 1〜6のグリッド偏光子の電磁波減衰量が約 3dBであって、電磁波遮蔽効果がほとんど見られな!/ヽのに対して、微細格子形状と第二の格子形状を有する実施例 1〜6の電磁波遮蔽性グリッド偏光子は、電磁波減衰量が約 40dBであり、良好な電磁波遮蔽性能を有している。

[0146] 第 2表に見られるように、実施例 1の電磁波遮蔽性グリッド偏光子にさらに第三の格子形状を付け加えた実施例 7の電磁波遮蔽性グリッド偏光子は、実施例 1の電磁波遮蔽性グリッド偏光子と比べて偏光透過率差はわずかに低下して、るが、電磁波減衰量はわずかに向上している。微細格子形状およびこれと交差する正弦波曲線群を有する実施例 8の電磁波遮蔽性グリッド偏光子も、ほぼ良好な偏光特性と電磁波遮蔽性能を有している。

[0147] (実施例 9)

8mm X 8mm X 60mmの SUS製シャンクにろう付けされた寸法 0. 2mm X lmm X lmmの直方体の単結晶ダイヤモンドの 0. 2mm X lmmの面に、集束イオンビーム加工装置 [セイコーインスツルメンッ (株）、 SMI3050]を用いてアルゴンイオンビームを用いた集束イオンビーム加工を行って、長さ lmmの辺に平行な幅 0. 1 m、深さ 0. 1 μ mの溝をピッチ 0. 2 μ mで彫り込み、幅 0. 1 m、高さ 0. 1 μ mの直線状の突起 1, 000本をピッチ 0. 2 mで形成してなる切削工具を作製した。

寸法 152. 4mm X 203. 2mm、厚さ 10. Ommのステンレス鋼 SUS430の 152. 4 mm X 203. 2mmの一面に、厚さ 100 mの-ッケルーリン無電解メツキを施し、精密微細加工機 [ (株)ナガセインテグレックス、超 2精密微細加工機 NIC200]と上記の切削工具を用いて、ニッケルリン無電解メツキ面に、長さ 203. 2mmの辺に平行な幅 0. 1 m、高さ 0. 1 m、ピッチ 0. 2 mの直線状の突起を切削加工した。

[0148] なお、集束イオンビームカ卩ェによる切削工具の作製と、ニッケルリン無電解メツキ面の切削加工は、温度 20. 0±0. 2°Cに管理され、振動制御システム [ (株）昭和サィエンス]により 0. 5Hz以上の振動の変位が 10 μ m以下に管理された恒温低振動室内で行った。

切削加ェされたニッケルリン無電解メツキ面のあるステンレス鋼部材を射出成形金型に組み込み、射出成形機 [ (株）日本製鋼所、 JSW— ELIII、型締カ 2MN]を用いて、脂環式構造を有する榭脂 [日本ゼオン (株）、ゼォノア 1060R]から、榭脂温度 310。C、金型温度 100。Cの条件で、寸法 152. 4mm X 203. 2mm、厚さ 1. Ommのグリッド偏光子用平板を射出成形した。

[0149] このグリッド偏光子用平板を、蒸着源に対して 45度の傾きになるように設置してァルミ-ゥムを蒸着し、直線状の突起の上面と一側面にアルミニウムを蒸着し、直線状の突起の間の窪みの面と一側面が蒸着されていない状態として、グリッド偏光子を完成した。

得られたグリッド偏光子について、瞬間マルチ測光システム [大塚電子 (株）、 MCP D— 3000]を用いて、波長 550nmにおける s偏光透過率と p偏光透過率を測定した。 s偏光透過率は 60. 9%、偏光透過率は0. 1%であり、偏光透過率差は 60. 8% であった。

[0150] (実施例 10)

直径 200. Ommで高さ 155. Ommの円筒形状のステンレス鋼 SUS430の曲面全面に、厚さ 100 mのニッケル—リン無電解メツキを施し、次いで、実施例 1と同様に直線状突起を形成した工具と、精密円筒研削盤 [スチューダ社、精密円筒研削機 S3 0—1]を用いて、ニッケル—リン無電解メツキ面に、円筒の円周端面に平行に幅 0. 1 μ m、高さ 0. 1 m、ピッチ 0. 2 mの直線状の突起を切削加工した。

押出成形により得られた厚さ 100 mの脂環式構造を有する榭脂 [日本ゼオン (株 )、ゼォノア 1420R]の 155. Omm幅のフィルム上へ、 lOOnm厚みで紫外線硬化性アクリル榭脂を塗布し、切削加工されたニッケル—リン無電解メツキ面のある円筒へ密着させて、フィルム裏側力高圧水銀灯で紫外線を照射し、微細な直線状の突起の格子形状をフィルムへ転写した。

[0151] フィルムから微細格子形状が転写された寸法 152. 4mm X 203. 2mmの部分を切り出し、実施例 9と同様にして、突起の上面および一側面にアルミニウムを蒸着してグリツド偏光子を完成し、偏光透過率を測定した。

s偏光透過率は 61. 3%、偏光透過率は0. 1%であり、偏光透過率差は 61. 2% であった。 [0152] (実施例 11)

実施例 9で作製した切削加工されたニッケル—リン無電解メツキ面上に、スルファミン酸ニッケル水溶液を用いた電铸によりニッケルを 300 mの厚さに形成し、前記無電解メツキ面カゝら引き剥がして、直線状の突起を有する金属版を得た。この金属版を射出成形金型に組み込み、実施例 9と同様にしてグリッド偏光子を完成し、偏光透過率を測定した。

s偏光透過率は 61. 2%、偏光透過率は0. 1%であり、偏光透過率差は 61. 1% であった。

[0153] (比較例 7)

寸法 30. Omm X 30. Omm、厚さ 1. Ommのガラス基板上にアルミニウムを厚さ 0. 1 μ mに蒸着し、電子線レジスト [日本ゼオン (株）、 ZEP520]を塗布し、電子線ビームにより幅 0. 1 111、ピッチ0. 2 /z mの平行線を、長さ 30. Ommの辺に平行に描画した。次いで、専用現像液で現像し、プラズマエッチング装置 [オックスフォード 'インストウルメンッ（株）、 Plasmalab System 100ICP180]を用いてエッチングすることにより、グリッド偏光子を完成し、偏光透過率を測定した。

s偏光透過率は 57. 0%、 p偏光透過率は 0. 5%であり、偏光透過率差は 56. 5% であった。

実施例 9〜11および比較例 7の結果を、第 3表に示す。

[0154] [表 3]

第 3表に見られるように、ガラス基板上にアルミニウムを蒸着し、レジストを塗布して電子線により描画し、現像、エッチングすることにより得られた比較例 7のグリッド偏光子に比べて、ダイヤモンド工具材料を集束イオンビームで加工した切削工具を用いて、ニッケル—リンを無電解メツキしたステンレス鋼に微細格子形状を形成し、この- ッケルーリン無電解メツキ面を利用して、微細格子形状を直接または金属版を経由して、透明榭脂成形体に転写し、アルミニウムを蒸着して得られた実施例 9〜11のダリッド偏光子は、 s偏光透過率が大きぐ偏光透過率差が大きぐ本発明方法により優れた偏光特性を有するグリッド偏光子を製造し得ることが分力ゝる。

産業上の利用可能性

本発明の電磁波遮蔽性グリッド偏光子は、良好な偏光特性と電磁波遮蔽能を兼ね備え、液晶ディスプレイに組み込むことにより、電子部品に悪影響を及ぼす波長 10 IX m〜10⁶mの電磁波を遮蔽して、周辺の電子機器の誤動作を防止することができる。本発明方法によれば、このような電磁波遮蔽性グリッド偏光子を大面積で経済的に製造することができる。

本発明のグリッド偏光子の製造方法によれば、サブミクロンオーダーの格子形状を有し、偏光特性に優れた大面積のグリッド偏光子を、精密微細加工および蒸着により経済的に製造することができる。

Claims

請求の範囲

[1] 互いに並行に直線状に伸びる突起状格子力なる微細格子形状（1)と、該微細格子形状（1)を構成する突起状格子と交差する、幅 0. 1〜500 ;ζ ΐη、ピッチ 1 m〜l OOmmの互いに並行な格子力なる少なくとも一組の格子形状（2)とが形成され、少なくとも一組の格子形状 (2)を構成する格子によって区切られた微細格子形状（1 )の突起状格子の部分のうち、その長さが遮蔽しょうとする電磁波の波長の 10一⁵〜 1 0^{_ 1}倍である部分の長さの合計が、少なくとも一組の格子形状 (2)を構成する格子によって区切られた微細格子形状（1)の突起状格子の全ての部分の長さの合計の 80 %以上であり、

微細格子形状（1)を構成する突起状格子の少なくとも一部と、各組の格子形状 (2) を構成する格子の少なくとも一部が導電性反射材料により形成され、該導電性反射材料により形成された部分が互いに導通してなることを特徴とする電磁波遮蔽性ダリッド偏光子。

[2] 微細格子形状（1) 幅 50〜600nm、ピッチ 50〜： L, 000應、高さ 50〜800nmの互いに並行に直線状に伸びる突起状格子力なる請求項 1に記載の電磁波遮蔽性グリッド偏光子。

[3] 各組の格子形状（2)が、互いに並行に直線状に伸びる格子力なる請求項 1または

2に記載の電磁波遮蔽性グリッド偏光子。

[4] 各組の格子形状（2)が、規則性のある幾何学的曲線をなして互いに並行に伸びる格子力なる請求項 1または 2に記載の電磁波遮蔽性グリッド偏光子。

[5] 微細格子形状（1)を構成する隣接する二つの突起状格子と、各組の格子形状 (2)を構成する隣接する二つの格子とが形作る四辺形の短い方の対角線の長さが、遮蔽しようとする電磁波の波長の 10一⁵〜 10^_1倍である請求項 1〜4のいずれかに記載の電磁波遮蔽性グリッド偏光子。

[6] 各組の格子形状 (2)を構成する格子が、微細格子形状（1)を構成する突起状格子と等しい高さを有し、互いに並行に伸びる突起を形成している請求項 1または 2に記載の電磁波遮蔽性グリッド偏光子。

[7] 微細格子形状（1)を構成する突起状格子と各組の格子形状 (2)を構成する格子との交差部において、微細格子形状（1)を構成する突起状格子は、微細格子形状（1) 基準面と同じ水準まで掘り込まれてなるものである請求項 1または 2に記載の電磁波遮蔽性グリッド偏光子。

[8] 各組の格子形状 (2)を構成する格子が、微細格子形状（1)を構成する突起状格子より高い高さを有し、互いに並行に伸びる突起を形成している請求項 1または 2に記載の電磁波遮蔽性グリッド偏光子。

[9] 各組の格子形状 (2)を構成する格子が、微細格子形状（1)を構成する突起状格子より低い高さを有し、互いに並行に伸びる突起を形成している請求項 1または 2に記載の電磁波遮蔽性グリッド偏光子。

[10] 各組の格子形状 (2)を構成する格子が、微細格子形状（1)の基準面より深く堀り込まれた、互いに並行に伸びる窪みを形成している請求項 1または 2に記載の電磁波遮蔽性グリッド偏光子。

[11] シールドボックス法により 500MHzの電磁波について測定した電磁波減衰量が 20d B以上である請求項 1または 2に記載の電磁波遮蔽性グリッド偏光子。

[12] 幅 50〜600nm、ピッチ 50〜： L, OOOnm、高さ 50〜800nmの互いに並行に直線状に伸びる突起状格子力もなる微細格子形状（1)と、該微細格子形状（1)を構成する突起状格子と交差する、幅 0. 1〜500 μ m、ピッチ 1 μ m〜 100mmの互いに並行に直線状に伸びる格子力なる少なくとも一組の格子形状 (2)とが形成され、微細格子形状（1)を構成する隣接する二つの突起状格子と各組の格子形状 (2)を構成する隣接する二つの格子とが形作る四辺形の短い方の対角線の長さが、遮蔽しようとする電磁波の波長の 10一⁵〜 10—¹倍であり、かつ、

[13] 互いに並行に直線状に伸びる深さ 50〜800nmの溝の群を少なくとも持つ金型または金属版の溝形状を透明榭脂成形体に転写する工程、および、該溝形状が転写された透明榭脂成形体に導電性反射材料を蒸着する工程を含む、請求項 1〜12のいずれかに記載の電磁波遮蔽性グリッド偏光子を製造する方法。

[14] 該直線状溝の群を有する金型または金属版が金型であって、該金型は、モース硬度 9以上の材料を高エネルギー線により加工して得られた、互いに並行に直線状に伸びる幅 600nm以下の突起を一端面に有する工具を用いて作製したものである請求項 13に記載の電磁波遮蔽性グリッド偏光子の製造方法。

[15] 該直線状溝の群を有する金型または金属版が金型であって、該金型は、金型部材上にレジストを塗布し、該レジストを活性放射線で像露光し、さらに現像し、金型部材をエッチングすることにより、作製したものである請求項 13に記載の電磁波遮蔽性グリツド偏光子の製造方法。

[16] 該直線状溝の群を有する金型または金属版が金属版であって、該金属版は、平滑な基材上にレジストを塗布し、該レジストを活性放射線で像露光し、さらに現像することにより、幅 50〜600nm、ピッチ 50〜： L, OOOnm、高さ 50〜800nmの互!ヽに並行に直線状に伸びる突起の群を形成し、該突起群の形状を金属版に転写することにより作製したものである請求項 13に記載の電磁波遮蔽性グリッド偏光子の製造方法。

[17] 透明な基材上に厚さ 50〜800nmの導電性反射材料の層を形成する工程、該導電性反射材料層上にレジストを塗布し、該レジストを活性放射線で像露光し、さらに現像し、上記導電性反射材料層をエッチングする工程を含む、請求項 1〜12のいずれかに記載の電磁波遮蔽性グリッド偏光子の製造方法。

[18] (A)モース硬度 9以上の材料を高エネルギー線を用いてカ卩ェし、先端に幅 600nm 以下の突起を形成してなる工具を作製し、（B)該工具を使用して金型部材上に、幅 5 0〜600應、ピッチ 50〜l,OOOnm、高さ 50〜800應の微細格子形状を形成し、 ( C)該金型部材の微細格子形状を透明榭脂成形体に転写し、 (D)該微細格子形状が転写された透明榭脂成形体に導電性反射体を蒸着することを特徴とするグリッド偏光子の製造方法。

[19] (A)モース硬度 9以上の材料を高エネルギー線を用いてカ卩ェし、先端に幅 600nm 以下の突起を形成してなる工具を作製し、（B)該工具を使用して金型部材上に、幅 5 0〜600應、ピッチ 50〜l,OOOnm、高さ 50〜800應の微細格子形状を形成し、 ( C)該金型部材の微細格子形状を金属版に転写し、 (D)該金属版の微細格子形状を透明榭脂成形体に転写し、 (E)該微細格子形状が転写された透明榭脂成形体に導電性反射体を蒸着することを特徴とするグリッド偏光子の製造方法。

[20] モース硬度 9以上の工具に形成された突起が複数である請求項 18または請求項 1 9に記載のグリッド偏光子の製造方法。

[21] X、 Y、 Ζ移動軸の精度が lOOnm以下の精密微細加工機と、加工に用いる面の表面算術平均粗さ（Ra) lOnm以下の工具を用い、温度 ±0.5°C以下に管理され、 0.5 Hz以上の振動の変位が 50 m以下に管理された恒温低振動室内で、微細格子形状を金型部材上に形成する請求項 18、請求項 19または請求項 20に記載のグリッド偏光子の製造方法。