JPH07294730A - 偏光素子の製造方法 - Google Patents
偏光素子の製造方法Info
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- JPH07294730A JPH07294730A JP9016694A JP9016694A JPH07294730A JP H07294730 A JPH07294730 A JP H07294730A JP 9016694 A JP9016694 A JP 9016694A JP 9016694 A JP9016694 A JP 9016694A JP H07294730 A JPH07294730 A JP H07294730A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】本発明は、露光したＰＭＭＡ膜を現像すること
により鋸歯状の断面を持ったストライプ状パターンを基
盤の上に作成する工程と、これから金属のスタンパーを
作成する工程と、このスタンパーから多数のレプリカを
作成する工程と、斜め方向から蒸着を行う工程と、透明
保護膜をコーティングする工程とからなる金属グリッド
型偏光素子の製造方法である。 【効果】発明の製造工程によれば、ほとんど自動化でき
るため安価に作成することが可能である。
により鋸歯状の断面を持ったストライプ状パターンを基
盤の上に作成する工程と、これから金属のスタンパーを
作成する工程と、このスタンパーから多数のレプリカを
作成する工程と、斜め方向から蒸着を行う工程と、透明
保護膜をコーティングする工程とからなる金属グリッド
型偏光素子の製造方法である。 【効果】発明の製造工程によれば、ほとんど自動化でき
るため安価に作成することが可能である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プレーナプロセスで金
属グリッド型偏光素子を製造する量産性に適した方法に
関する。
属グリッド型偏光素子を製造する量産性に適した方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】偏光素子として従来から使用されていた
ものは、（１）結晶を用いた複屈折偏光器、（２）２色
性を利用した偏光器、（３）多層膜干渉偏光器、（４）
パイルオブプレート偏光器、（５）金属グリッド型偏光
器などがある。これらのうち、（１）は波長域が方解石
で０．２４〜２．３μｍで透明、接着剤にカナダバルサ
ムを使用した場合で０．３５〜２．３μｍと広く、消光
比が１０5 〜１０6 と大きく、特性的には優れているが
高価である。（２）は安価で大きさを任意にとれる代わ
りに波長域が０．４〜０．７μｍと限られ消光比も
（１）より１〜２桁低い。（３）は消光比が透過光にｓ
偏光が少し混じるため〜１０3 程度、波長域例として
０．４〜０．７μｍと（１）（２）の中間の性能で入射
角依存性が強い。（４）は薄い誘電体の板を何枚も重ね
てブリュースター角で光を入射させることにより偏光を
分離する。板の材料を選ぶことにより真空紫外用から近
赤外用まで作成が可能である。ただし入射角がブリュー
スター角近辺に限られるという欠点がある。（５）はグ
リッド間隔ｄ≪光波長λであれば比較的波長依存性が少
ないことから、細い針金を枠に巻いたりして遠赤外線用
のものが従来作られてきた（図４）。最近になって薄膜
技術および微細加工技術の進歩により近赤外用のものが
作られるに至った（図３）。
ものは、（１）結晶を用いた複屈折偏光器、（２）２色
性を利用した偏光器、（３）多層膜干渉偏光器、（４）
パイルオブプレート偏光器、（５）金属グリッド型偏光
器などがある。これらのうち、（１）は波長域が方解石
で０．２４〜２．３μｍで透明、接着剤にカナダバルサ
ムを使用した場合で０．３５〜２．３μｍと広く、消光
比が１０5 〜１０6 と大きく、特性的には優れているが
高価である。（２）は安価で大きさを任意にとれる代わ
りに波長域が０．４〜０．７μｍと限られ消光比も
（１）より１〜２桁低い。（３）は消光比が透過光にｓ
偏光が少し混じるため〜１０3 程度、波長域例として
０．４〜０．７μｍと（１）（２）の中間の性能で入射
角依存性が強い。（４）は薄い誘電体の板を何枚も重ね
てブリュースター角で光を入射させることにより偏光を
分離する。板の材料を選ぶことにより真空紫外用から近
赤外用まで作成が可能である。ただし入射角がブリュー
スター角近辺に限られるという欠点がある。（５）はグ
リッド間隔ｄ≪光波長λであれば比較的波長依存性が少
ないことから、細い針金を枠に巻いたりして遠赤外線用
のものが従来作られてきた（図４）。最近になって薄膜
技術および微細加工技術の進歩により近赤外用のものが
作られるに至った（図３）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】これらの従来技術には
つぎのような欠点があった。すなわち上記素子の作成技
術はプレーナープロセス以外の加工行程を必要とするた
め、（２）以外は加工法が比較的複雑で、量産性が必ず
しも良くなかった。 図３のラミポールにしても薄膜を
何層も積み重ねて蒸着しなければならず、プレーナープ
ロセスに較べれば量産性は良くないと言える。
つぎのような欠点があった。すなわち上記素子の作成技
術はプレーナープロセス以外の加工行程を必要とするた
め、（２）以外は加工法が比較的複雑で、量産性が必ず
しも良くなかった。 図３のラミポールにしても薄膜を
何層も積み重ねて蒸着しなければならず、プレーナープ
ロセスに較べれば量産性は良くないと言える。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、金属グリッド
型偏光素子の製造方法であって、電子ビームの量を場所
によって変化させ露光したＰＭＭＡ膜を現像することに
より鋸歯状の断面を持ったストライプ状パターンを基盤
の上に作成する工程と、これから金属のスタンパーを作
成する工程と、このスタンパーから射出成形、２Ｐ法な
どにより、多数のレプリカを作成する工程と、斜め方向
から残留気体の平均自由行程が十分長くとれる程の高真
空で蒸着粒子の平均自由行程が短くならないように蒸着
膜の強度が低下しない程度のできるだけ低い蒸着レート
で蒸着粒子の平均自由行程以下の距離で蒸着を行う工程
と、透明保護膜をコーティングする工程とからなる金属
グリッド型偏光素子の製造方法である。
型偏光素子の製造方法であって、電子ビームの量を場所
によって変化させ露光したＰＭＭＡ膜を現像することに
より鋸歯状の断面を持ったストライプ状パターンを基盤
の上に作成する工程と、これから金属のスタンパーを作
成する工程と、このスタンパーから射出成形、２Ｐ法な
どにより、多数のレプリカを作成する工程と、斜め方向
から残留気体の平均自由行程が十分長くとれる程の高真
空で蒸着粒子の平均自由行程が短くならないように蒸着
膜の強度が低下しない程度のできるだけ低い蒸着レート
で蒸着粒子の平均自由行程以下の距離で蒸着を行う工程
と、透明保護膜をコーティングする工程とからなる金属
グリッド型偏光素子の製造方法である。
【０００５】
【実施例】本発明は、プレーナープロセス、プレス工
程、１層の蒸着工程からなる量産性の良いプロセスの組
み合わせにより図３に相当する素子を安価にかつ均一に
作成する方法を提供するものである。図３に相当するも
のを作るには、グリッド間隔についてｄ1 がｄ2 の０．
２〜０．７、光波長においてλ／（ｄ1 ＋ｄ2 ）が１０
以上である必要がある。誘電体の基板は屈折率が１．５
以下が望ましいが近赤外に於いては石英を使用すればこ
の条件は満たされる。
程、１層の蒸着工程からなる量産性の良いプロセスの組
み合わせにより図３に相当する素子を安価にかつ均一に
作成する方法を提供するものである。図３に相当するも
のを作るには、グリッド間隔についてｄ1 がｄ2 の０．
２〜０．７、光波長においてλ／（ｄ1 ＋ｄ2 ）が１０
以上である必要がある。誘電体の基板は屈折率が１．５
以下が望ましいが近赤外に於いては石英を使用すればこ
の条件は満たされる。
【０００６】そこで、かりにλ≧０．７８μｍとすれ
ば、図１（ｆ）に於いてｄ1 ＋ｄ2 ＝０．０７８μｍ、
ｄ1 ＝０．０５５μｍ、ｄ2 ＝０．０２３μｍとすれば
よく、これは電子ビームリソグラフィーによれば可能な
寸法である。もちろん微細加工が可能な寸法であればλ
をさらに短くしてもかまわない。
ば、図１（ｆ）に於いてｄ1 ＋ｄ2 ＝０．０７８μｍ、
ｄ1 ＝０．０５５μｍ、ｄ2 ＝０．０２３μｍとすれば
よく、これは電子ビームリソグラフィーによれば可能な
寸法である。もちろん微細加工が可能な寸法であればλ
をさらに短くしてもかまわない。
【０００７】つぎに詳細な作成方法を図１にしたがって
説明する。図１において、まず電子ビームの量を場所に
よって変化させ露光したＰＭＭＡ膜を現像することによ
り鋸歯状の断面を持ったストライプ状パターンを誘電体
基盤の上に作成する図（ａ）〜図（ｃ）。これから金属
のスタンパーを作成する図（ｄ）。この金属のスタンパ
ーから射出成形、２Ｐ法などにより多数のレプリカを作
成する図（ｅ）。つぎに斜め方向から、残留気体の平均
自由行程が十分長くとれる（少なくとも１ｍ以上、蒸着
中で１０-2〜１０-3Ｐａ）程の高真空で、かつ蒸着粒子
の平均自由行程が短くならないように、蒸着膜の強度が
低下しない程度のできるだけ低い蒸着レートで、蒸着粒
子の平均自由行程以下の距離で蒸着を行う。なお蒸着粒
子ができるだけ平行に入射するように、電子ビーム蒸着
で出来るだけ電子ビームを小さいスポットで蒸着源に入
射させるなどのようにして、蒸着源は点蒸着源に近いも
のを使用する。すなわち蒸着源と基板の位置関係が４の
様になる図（ｆ）。最後に、透明保護膜をコーティング
して完成する（ｇ）。
説明する。図１において、まず電子ビームの量を場所に
よって変化させ露光したＰＭＭＡ膜を現像することによ
り鋸歯状の断面を持ったストライプ状パターンを誘電体
基盤の上に作成する図（ａ）〜図（ｃ）。これから金属
のスタンパーを作成する図（ｄ）。この金属のスタンパ
ーから射出成形、２Ｐ法などにより多数のレプリカを作
成する図（ｅ）。つぎに斜め方向から、残留気体の平均
自由行程が十分長くとれる（少なくとも１ｍ以上、蒸着
中で１０-2〜１０-3Ｐａ）程の高真空で、かつ蒸着粒子
の平均自由行程が短くならないように、蒸着膜の強度が
低下しない程度のできるだけ低い蒸着レートで、蒸着粒
子の平均自由行程以下の距離で蒸着を行う。なお蒸着粒
子ができるだけ平行に入射するように、電子ビーム蒸着
で出来るだけ電子ビームを小さいスポットで蒸着源に入
射させるなどのようにして、蒸着源は点蒸着源に近いも
のを使用する。すなわち蒸着源と基板の位置関係が４の
様になる図（ｆ）。最後に、透明保護膜をコーティング
して完成する（ｇ）。
【０００８】また図（２）のように通常の方法でＰＭＭ
Ａ膜を電子ビーム露光して、同じく斜め方向から蒸着を
行っても良い。
Ａ膜を電子ビーム露光して、同じく斜め方向から蒸着を
行っても良い。
【０００９】
【発明の効果】図１（ａ）〜（ｄ）のマスター作成の工
程には手間がかかるが、（ｅ）のレプリカは射出成形で
オンラインで自動化できる。また図（ｆ）の工程は蒸着
なので大量バッチ処理で自動化、オンライン化も可能で
あり、さらに図（ｇ）の工程は透明保護膜コーティング
もスピンナー法等、オンライン自動化が可能であるなど
ほとんど自動化できるため安価に作成することが可能で
ある。
程には手間がかかるが、（ｅ）のレプリカは射出成形で
オンラインで自動化できる。また図（ｆ）の工程は蒸着
なので大量バッチ処理で自動化、オンライン化も可能で
あり、さらに図（ｇ）の工程は透明保護膜コーティング
もスピンナー法等、オンライン自動化が可能であるなど
ほとんど自動化できるため安価に作成することが可能で
ある。
【図１】本発明の第１の実施例の製造工程を示す略図。
【図２】本発明の別の作成方法により得られた構成を示
す略図。
す略図。
【図３】従来のラミポール型偏光子を示す略図。
【図４】従来の金属グリッド型偏光子を示す略図。
１ ガラス基板 ２ ＰＭＭＡフィルム ３ 金フィルム ４ 電子ビーム ５ 金属膜 ６ 透明保護膜 ７ 金属 ８ 誘電体 ９ 金属線 １０ 枠または透明基板
Claims (1)
- 【請求項１】金属グリッド型偏光素子の製造方法におい
て、電子ビームの量を場所によって変化させ露光したＰ
ＭＭＡ膜を現像することにより鋸歯状の断面を持ったス
トライプ状パターンを基盤の上に作成する工程と、これ
から金属のスタンパーを作成する工程と、このスタンパ
ーから射出成形、２Ｐ法などにより、多数のレプリカを
作成する工程と、斜め方向から残留気体の平均自由行程
が十分長くとれる程の高真空で蒸着粒子の平均自由行程
が短くならないように蒸着膜の強度が低下しない程度の
できるだけ低い蒸着レートで蒸着粒子の平均自由行程以
下の距離で蒸着を行う工程と、透明保護膜をコーティン
グする工程とからなることを特徴とする金属グリッド型
偏光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9016694A JPH07294730A (ja) | 1994-04-27 | 1994-04-27 | 偏光素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9016694A JPH07294730A (ja) | 1994-04-27 | 1994-04-27 | 偏光素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07294730A true JPH07294730A (ja) | 1995-11-10 |
Family
ID=13990905
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9016694A Pending JPH07294730A (ja) | 1994-04-27 | 1994-04-27 | 偏光素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07294730A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6251297B1 (en) | 1997-12-22 | 2001-06-26 | Tdk Corporation | Method of manufacturing polarizing plate |
| JP2003508813A (ja) * | 1999-09-07 | 2003-03-04 | モックステック | 改良型ワイヤグリッド偏光ビームスプリッター |
| JP2006003447A (ja) * | 2004-06-15 | 2006-01-05 | Sony Corp | 偏光分離素子及びその製造方法 |
| WO2006004010A1 (ja) * | 2004-06-30 | 2006-01-12 | Zeon Corporation | 電磁波遮蔽性グリッド偏光子およびその製造方法、グリッド偏光子の製造方法 |
| JP2006017879A (ja) * | 2004-06-30 | 2006-01-19 | Nippon Zeon Co Ltd | グリッド偏光子の製造方法 |
| JP2007148344A (ja) * | 2005-10-27 | 2007-06-14 | Sony Corp | 偏光素子及びその製造方法 |
| JP2011191766A (ja) * | 2005-06-13 | 2011-09-29 | Lg Chem Ltd | 伝導性層のパターニング方法、それを用いた偏光素子の製造方法、およびその方法によって製造された偏光素子 |
| JP5182644B2 (ja) * | 2006-04-07 | 2013-04-17 | 旭硝子株式会社 | ワイヤグリッド型偏光子およびその製造方法 |
-
1994
- 1994-04-27 JP JP9016694A patent/JPH07294730A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6251297B1 (en) | 1997-12-22 | 2001-06-26 | Tdk Corporation | Method of manufacturing polarizing plate |
| JP2003508813A (ja) * | 1999-09-07 | 2003-03-04 | モックステック | 改良型ワイヤグリッド偏光ビームスプリッター |
| JP4672944B2 (ja) * | 1999-09-07 | 2011-04-20 | モックステック・インコーポレーテッド | 改良型ワイヤグリッド偏光ビームスプリッター |
| JP2006003447A (ja) * | 2004-06-15 | 2006-01-05 | Sony Corp | 偏光分離素子及びその製造方法 |
| WO2006004010A1 (ja) * | 2004-06-30 | 2006-01-12 | Zeon Corporation | 電磁波遮蔽性グリッド偏光子およびその製造方法、グリッド偏光子の製造方法 |
| JP2006017879A (ja) * | 2004-06-30 | 2006-01-19 | Nippon Zeon Co Ltd | グリッド偏光子の製造方法 |
| JP4506307B2 (ja) * | 2004-06-30 | 2010-07-21 | 日本ゼオン株式会社 | グリッド偏光子の製造方法 |
| JP2011191766A (ja) * | 2005-06-13 | 2011-09-29 | Lg Chem Ltd | 伝導性層のパターニング方法、それを用いた偏光素子の製造方法、およびその方法によって製造された偏光素子 |
| JP2007148344A (ja) * | 2005-10-27 | 2007-06-14 | Sony Corp | 偏光素子及びその製造方法 |
| JP5182644B2 (ja) * | 2006-04-07 | 2013-04-17 | 旭硝子株式会社 | ワイヤグリッド型偏光子およびその製造方法 |
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