TW201606383A - 用於電磁干擾屏蔽之光學偏極器之系統、設備及方法 - Google Patents

用於電磁干擾屏蔽之光學偏極器之系統、設備及方法 Download PDF

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Abstract

本發明實施例提供用於屏蔽與反射光學偏極器的系統、設備與方法。該偏極器包括光學反射與導電線的細線陣列；及光學反射與導電線的粗柵格。細線陣列與粗柵格互相電耦接且耦接至接地終端。本發明揭露諸多個額外的態樣。

Description

用於電磁干擾屏蔽之光學偏極器之系統、設備及方法 【相關申請案的交叉引用】
本申請案主張於2014年8月14日提出申請的美國臨時專利申請案第62/037,412號之優先權權益，該美國臨時專利申請案發明名稱為「用於電磁干擾屏蔽光學偏極器的系統、設備與方法」，本申請案之參考整體上結合此美國臨時專利申請案之揭露。
本發明係關於光學偏極器，且更特定言之係關於用於提供電磁干擾(EMI)屏蔽光學偏極器的系統、設備與方法。
現有的液晶顯示(LCD)藉由將液晶(LC)置放於交叉(如彼此相堆旋轉90度)極化的兩個光學偏極器之間以調變光。考慮光子往一對交叉的光學偏極器移動卡式空間(Cartesian space)。如果光子沿著x軸極化且沿著z軸傳播，如果第一光學偏極器沿著x軸對齊，則光子將傳遞通過第一光學偏極器。當該光子抵達沿著y軸對齊的第二、交叉偏極器時，根據偏極器的類型，光子將被吸收或反射。原則上，沒有光會通過交叉偏極器。然而，於偏極器間設置的LC材料之定向可以旋轉光 子的極向以允許光通過堆疊。製造於LCD內的薄膜電晶體(TFT)所控制的電場決定旋轉的量。
傳統的光學偏極器係吸收性的。例如，超過50%的LCD的背光產生的非偏極光被第一偏極器單獨吸收。此排列基本上消耗光，而將能量轉換成第一偏極器內的熱且因此是沒有效率的。
光學濾光器(除了偏極器)用於調整顯示的效能特性，如中性度與透射顏色的程度、反射的輻射程度，以及不希望的進紅外光與電磁干擾(EMI)輻射之透射程度。帶有EMI屏蔽的此等濾光器已經被發展為可以改變可見光輻射、紅外光輻射、調整顏色、減少反射，以及可以提供於裝置內各式電子元件(包括顯示)之間互相的EMI輻射屏蔽。一般來說，許多不同光學濾光器薄膜和個別EMI屏蔽薄膜(如帶有透明導電網格配置的薄膜)已經用於產生最後、所需的裝置之視覺輸出。該等光學濾光器的部分已經施用交替導體與介電質的干擾堆疊(如Fabry-Pérot)以調整濾光器的光學性能特性，同時亦提供EMI屏蔽。此等堆疊中的導體通常是分離的金屬層而介電質通常是金屬氧化層。金屬氧化層可以具有很低的沉積效率，而可能導致高生產成本。為了獲得所需性能特性而於電子裝置中使用多個光學濾光器可能增加成本、使裝置容積變大，以及可能導致在所需圖像的傳輸中相當大的損失。
因此，所需的係用於同時有效提供光學極化與EMI屏蔽而沒有增加花費與顯示器的容積之改善系統、設備與方法。
在某些實施例中，本發明提供液晶顯示系統。LCD系統包括第一屏蔽反射光學偏極器；鄰近於第一屏蔽反射光學偏極器設置的彩色濾光器；鄰近於彩色濾光器設置的薄膜電晶體與液晶層；鄰近於薄膜電晶體與液晶層設置的第二屏蔽反射光學偏極器；及包含光源、散射器與背反射器的背光組件，該背光組件鄰近於第二屏蔽反射光學偏極器設置。
在某些其他實施例中，本發明提供屏蔽與反射光學偏極器設備。偏極器設備包括光學反射與導電線的細線陣列；及光學反射與導電線的粗柵格。細線陣列與粗柵格彼此互相電耦接且電耦接至接地終端。
在又另一個實施例中，本發明提供用於製造偏極器設備的方法。該方法包括於基板上形成細線陣列，其中細線陣列包含導電與反射線；於細線陣列上形成粗柵格，其中粗柵格包含導電與反射線；以及將細線陣列和粗柵格電耦接至接地終端。
本發明的其他特徵、態樣與優點將藉由繪示多個示範實施例與實施方式(包含經考慮用於實施本發明的最佳模式)而自以下詳盡的說明、所附專利申請範圍以及附圖中得到更全面性的瞭解。在不背離本發明的精神與範 圍下，本發明實施例亦可用於其他及不同應用，且其若干細節可在各式態樣中變化。因此，圖示與說明書自然被視為示例性的，而不是作為其限制。本發明圖示不必依比例繪示。本說明書意欲涵蓋落於本專利申請範圍與精神內的所有變化、等效物及替代物。
100‧‧‧LCD系統
102‧‧‧玻璃基板
104‧‧‧玻璃基板
106‧‧‧上偏極器
108‧‧‧下偏極器
110‧‧‧液晶
112‧‧‧像素
114‧‧‧TFT
116‧‧‧黑色母質
118‧‧‧間隔物
120‧‧‧密封件
122‧‧‧燈管
124‧‧‧背反射器
126‧‧‧光導板
128‧‧‧棱鏡片
130‧‧‧散射器
132‧‧‧對齊薄膜
134‧‧‧列電極
136‧‧‧欄電極
138‧‧‧覆蓋膜
200‧‧‧LCD系統
202‧‧‧透鏡
204‧‧‧感測器
206‧‧‧上偏極器
208‧‧‧彩色濾光器
210‧‧‧TFT
212‧‧‧下偏極器
214‧‧‧背光組件
300A‧‧‧細線陣列
300B‧‧‧粗柵格
300C‧‧‧屏蔽偏極器圖案
300D‧‧‧屏蔽反射光學偏極器
300E‧‧‧LCD系統
400‧‧‧製造EMI屏蔽反射光學偏極器的示範方法
402‧‧‧步驟
404‧‧‧步驟
406‧‧‧步驟
408‧‧‧步驟
500‧‧‧圖表
602‧‧‧透明基板
604‧‧‧不同高度的結構
606‧‧‧金屬
608‧‧‧反射線
610‧‧‧反射線
612‧‧‧反射線
614‧‧‧金屬線
第1圖係根據本發明實施例繪示示範液晶顯示(LCD)系統的概要方塊圖。
第2圖係根據本發明實施例繪示包含觸控感測器層的替代示範LCD系統的概要方塊圖。
第3A-3E圖根據本發明實施例繪示用於製造電磁干擾(EMI)屏蔽光學偏極器設備的示範處理步驟。
第4圖係根據本發明實施例繪示製造EMI屏蔽光學偏極器設備的第一示範方法。
第5圖係根據本發明實施例繪示穿過線網格偏極器的光透射基於線高度與光波長變化之圖表。
第6A圖至第6C圖根據本發明實施例繪示製造EMI屏蔽光學偏極器設備的第二示範方法。
本發明實施例提供用於電磁干擾屏蔽光學偏極器的系統、設備與方法。如上所提到的，傳統偏極器係吸收性的。LCD背光產生的光中的大約50%被第一偏極器(如背光與LC/TFT層之間的偏極器)吸收。相對地，本發明實施例的偏極器係反射性的。帶有相對於反射偏極 器的極化之光子(其通常會在傳統偏極器中被吸收)被反射回背光與下(lower)偏極器之間的散射板。背光的背反射器將光「重新反射」回通過散射器，該散射器對光的極化擾頻(scramble)使得該背重新反射的光中的大約50%會通過第一偏極器。其餘大約50%的被重新反射的光將再次自第一偏極器反射且接著自背反射器反射，而以大約50%穿過及大約50%被反射的方式再次反射回通過散射器至偏極器。在視覺上所有光以正確的極化穿過偏極器之前，此光循環會一直重複。會被吸收的「循環」光之先前技術方法會使用額外的層(如可自3M公司取得的VikuitiTM反射極化器薄膜(DBEF))，而對LCD系統增加額外的成本與厚度。因此，本發明實施例顯著改善LCD的能量效率而無需帶來額外的花費與堆疊厚度。
除了沒有效率之外，傳統LCD於整合在LCD的各式裝置間有電雜訊。最顯著的是用於感測LCD表面上的觸摸的電子電路以及控制液晶(LC，如薄膜電晶體(TFT)陣列)定向的LCD內的電路之間的電雜訊。亦有可能有其他若干電路產生的電雜訊，該等其他電路包括控制背光(如局部調光)的電路，與可內置於顯示的其他感測器(如壓力、溫度、光感測器)相聯的電路，以及與顯示無直接相關的裝置內的其他電路。此外，較新的科技(如提供模擬觸覺反饋以顯示使用者的觸覺裝置)包括鄰近LC控制電路的電路，其亦可能產生干擾雜訊。此等雜 訊源限制LCD上的設計、減少感測器的靈敏度，以及可能干擾使用LCD的裝置之操作。
本發明實施例的反射偏極器亦提供這些各式電路可能產生的電磁雜訊之屏蔽。藉由使用電接地的導電線柵格(如包括平行細導電線的陣列)，反射偏極器提供控制LC定向的LCD內的電路與全部其他外面電路之間的電屏蔽層，其他外面電路可以包括如觸控感測器、壓力感測器、溫度感測器、光感測器與其他感測器，以及控制背光與靠近LC控制電路的其他裝置(如觸覺裝置)之電路。在某些實施例中，反射與導電偏極器可以藉由連接至各線的導電周邊邊界圍繞，其中周邊邊界接地。
為了作為可見光偏極器的功能，導電平行線係薄且緊密間隔的。例如，為了極化400nm的光(人類眼睛所能辨別的最短波長)，偏極器會具有數條(如三或更多)間隔在一個波長內的線。例如，可以使用帶有約60nm至約130nm線間距(line pitch)與約10nm至約30nm線寬度的細線陣列。在某些實施例中，可以使用帶有約100nm間距與約20nm線寬度的陣列線。可以使用其他間距與線寬度。在某些實施例中，可以使用光學微影技術以產生此等緊密間隔的導電線於薄膜或玻璃基板上，且在其他實施例中，可以施用壓印微影技術。
另外，在某些實施例中，除了細線陣列外，反射、導電線的第二粗柵格可以與細線陣列一起(如覆蓋於其上或與其整合)於薄膜或基板上形成。粗柵格可以經圖 案化以匹配及對齊未與像素的發光部分直接對齊的顯示區域，如黑色母質(black matrix)與TFT。如此進一步改善EMI屏蔽與光反射。具體言之，穿過黑色母質與TFT的光是不良的(undesirable)，因為這些區域會顯現黑灰色，其無法提供吸引人的外觀給LCD上的圖像。此外，如果此光洩漏跨LCD改變，則對該圖像可能有不可接受的可見光失真。藉由定位粗柵格而使得粗柵格對齊黑色母質與TFT，而最小化此光洩漏且改善黑色母質的黑色與一致性。此外，因為偏極器提供黑色母質區域中的反射且通過該等區域的光量減少，所以可以減少黑色母質的質(quality)及(或)黑色母質區域中的吸收層可以係不必要的。根據本發明的實施例，該好處可以進一步減少LCD系統的成本。
在某些實施例中，反射、導電線的細陣列(如其提供極化功能與屏蔽)以及對齊黑色母質與TFT的反射導電線的粗柵格(如其同時增強屏蔽功能與反射功能)皆可以同時形成作為帶有不同線寬度與間距的一個柵格。在其他實施例中，細陣列與粗柵格可以分別形成但形成在相同薄膜層上。此第二方法可以簡化製造，因為對於將細陣列對齊於LC上的容差是寬的而對於對齊粗柵格的容差是較窄的但由於所牽涉較大區域所以仍相對是寬的。在以上兩者狀況中，細陣列與粗柵格的結合導致EMI屏蔽反射偏極器能夠有更好的能量效率、帶有改善雜訊防護的較薄LCD。
在某些實施例中，可以藉由基於穿過的光波長(如顏色)調整線的高度、寬度與間距而將反射、導電線的細陣列(如其提供極化功能與屏蔽)對於各顏色像素的最大光透射最佳化。換句話說，藉由基於線穿過的像素顏色改變導電線距基板的高度、相對於間距的線寬度與(或)線的間距，可以最佳化透射穿過偏極器的光量。可以藉由對於各不同顏色區域具有不同壓印圖案使用壓印微影術製造此具有各式高度、寬度與(或)間距的細陣列結構，使得將沉積於半透明壓印結構上的金屬層蝕刻會在適當位置產生具有不同高度的細陣列。
現在回到第1圖，繪示根據本發明實施例的一簡化示範LCD系統100。系統100包括兩個玻璃基板(如上玻璃基板102與下玻璃基板104)於兩個偏極器(如上偏極器106與下偏極器108)之間。介於玻璃基板102、104之間，液晶110設置於包括黑色母質116內的像素112與TFT 114之彩色濾光器之下。間隔物118用於支撐彩色濾光器與上玻璃基板102且將彩色濾光器與上玻璃基板102自下玻璃基板104分開。密封件120圍繞液晶110。光由背光提供，背光可以包括照明背反射器124的LED或CCFL燈管122，背反射器124將光傳遞通過光導板126、棱鏡片128與散射器130。在某些實施例中，LCD系統100可以包括在液晶110之上的對齊薄膜132。亦包括於液晶110之下的一層列電極(row electrode)134以及於液晶110之上的一層欄電極(column electrode)136。在某些實施例中，LCD系統100可以包括在欄電極136上的覆蓋膜(overcoat film)138。
如以上解釋，會被傳統非反射偏極器吸收的光藉由將任何未穿過下偏極器108的光反射回而循環。此外，未穿過上偏極器106的光被上偏極器106反射回並循環。
第2圖繪示包括透鏡202的一替代LCD系統200的部分，透鏡202具有介於透鏡202與上偏極器206之間的感測器204(如觸控感測器、溫度感測器、觸覺裝置等中的一或多個)。彩色濾光器208與TFT層210(如TFT陣列、LC、電極等)設置於上偏極器206之下。在TFT層210之下，下偏極器212設置於背光組件214與TFT層210之間。根據本發明的實施例，感測器204產生的EMI雜訊被上偏極器206阻擋而無法到達TFT層210，上偏極器206除了係反射光學偏極器之外，也是接地導電EMI屏蔽。
第3A至3E圖根據本發明的實施例繪示建構EMI屏蔽反射光學偏極器的示範順序。如第3A圖所示，細線陣列300A形成於基板或薄膜上。細線陣列300A以整齊的平行導電反射線覆蓋整個基板。如上討論，為了作為可見光偏極器的功能，導電平行線係薄且緊密間隔的。例如，極化>400nm的光，偏極器會具有間隔在一個波長內的數條(如3或更多)線。例如，可以使用具有約60nm 至約130nm的線間距及約10nm至約30nm的線寬度的細線陣列。在某些實施例中，可以使用具有約100nm的間距及約20nm線寬度的陣列線。可以使用其他間距與線寬度。在某些實施例中，光學微影技術可以用於產生如此緊密間隔的導電線於薄膜或玻璃基板上，而在其他實施例中，可以施用壓印微影技術。
例如，在某些實施例中，可以藉由使用奈米壓印微影術首先產生壓印於薄膜或玻璃基板上而製造細線陣列300A。例如，接著使用鋁或其他金屬的物理氣相沉積(PVD)填充壓印。在某些實施例中，有光學優勢(optical advantages)而首先將薄透明氧化物沉積於經壓印的基板上並接著以導電與反射金屬填充該壓印。亦可以使用PVD沉積氧化物。接著可以將多餘金屬蝕刻掉，只留下會成為細線陣列300A的壓印區域中的金屬。
在替代實施例中，可以藉由首先經由PVD將毯覆金屬(如鋁或其他反射金屬)層沉積而製造細線陣列300A。接著壓印模板的圖案被壓印入壓印層且壓印層以活化能(如UV光、熱、電子束等)固化。固化的壓印層中之壓印圖案是相當深(如固化材料的薄層)的地方，其中下面金屬層被移除，以及相當淺(如固化材料的較厚層)的地方，其中金屬被保留。固化材料接著被用作接續蝕刻步驟中的遮罩，在接續的蝕刻步驟中，固化材料與金屬皆 被蝕刻(如使用真空活性離子蝕刻(RIE)或濕蝕刻技術)直到只有細線陣列300A留下。
第3B圖繪示粗柵格300B自細線陣列300A分離以作說明用途。注意粗柵格300B具有與黑色母質像素井(black matrix pixel wells)與TFT(如TFT區域在各像素景的下角落中是方形)相同的圖案。在某些實施例中，粗柵格300B可以自細線陣列300A被分離圖案化出來。例如，在細線陣列300A形成後，可以使用微影術將粗柵格300B形成於細線陣列300A的頂部上。或者，可以形成粗柵格300B而接著將細線陣列300A形成於粗柵格上。在另一個替代實施例中，細線陣列300A與粗柵格300B可以形成於兩個分開的層上。如以上所述，因為細線陣列獨立於特定LCD系統的像素圖案而粗柵格300B是特定於像素圖案，所以分別形成細線陣列300A與粗柵格300B可以簡化製造。此外，在某些實施例中，因為圖案化的粗柵格300B的解析度不必如此精準，所以壓印細線陣列300A以及對於粗柵格300B使用微影術可以較為簡單。在又另一實施例中，可以使用壓印微影術將細線陣列300A與粗柵格300B同時形成。
不論使用哪一個替代方法，結果的屏蔽偏極器圖案300C繪示於第3C圖中。為了提供最佳的接地，屏蔽偏極器圖案300C的導電線耦接至圖案周邊的接地框且被接地框環繞而產生如第3D圖所示的EMI屏蔽反射光學偏極器300D。第3E圖繪示帶有EMI屏蔽反射光學偏極 器300D的LCD系統300E之頂視圖，EMI屏蔽反射光學偏極器300D設置於TFT/LC層上且與TFT/LC層對齊。
現在轉到第4圖，提供繪示製造EMI屏蔽反射光學偏極器的示範方法400。注意此處呈現的方法400之組成順序不是為了限制方法400為特定順序。其他順序是可能的。細線陣列形成於薄膜或基板上(402)。細線陣列包括整齊分隔的導電與反射線，導電與反射線經調整分隔與尺寸而作為可見光偏極器的功能。粗柵格與細線陣列同時形成，粗柵格在細線陣列之前形成，或粗柵格接續著於細線陣列上形成(404)。粗柵格經圖案化而匹配未傳送光的LCD之區域。換言之，粗柵格匹配LCD的黑色母質與TFT的圖案。粗柵格的線亦係導電性與反射性，且電耦接至細線陣列的線。細線陣列與粗柵格電耦接至接地終端(406)以及細線陣列與粗柵格對齊LCD系統的液晶與彩色濾光器(408)。
第5圖係繪示穿過線柵格偏極器的光透射因為基於線高度與光波長的干涉現象變化的圖表500。作為示範例，三個不同波長的光(如450nm(藍)、550nm(綠)與650nm(紅))導向穿過具有自50nm至300nm變化的高度之偏極器。如圖表500所示，可以發現具有約140nm高度的偏極器透射最大量的450nm波長光；具有約180nm高度的偏極器透射最大量的550nm波長光；以及具有約220nm高度的偏極器透射最大量的650nm波長光。因此，藉由基於線設置於其上的次像素顏色改變細 陣列線的高度，可以達到次像素的光之最佳化透射。注意亦可以改變導電線的間距與寬度(與高度分開或結合改變)以達成最佳化透射。
第6A圖至第6C圖繪示說明具有不同導電線高度的屏蔽反射光學偏極器的一小部分之示範形成過程的放大截面圖。在第6A圖中，所示透明基板602的部分經由壓印微影術或其他合適方法將不同高度的結構604形成於透明基板602的部分上。不同高度的結構604自如透明阻抗(resist)材料形成。在繪示的示範實施例中，不同高度的結構604以固定間距P整齊地間隔。選擇不同高度HB、HR、HG以用於對應於不同次像素顏色(如藍、紅與綠)之不同高度的結構604。同樣地，選擇不同寬度WB、WR、WG以用於對應於不同次像素顏色之不同高度的結構604。選擇間距P、高度HB、HR、HG與寬度WB、WR、WG以最佳化穿過不同高度的結構604之光透射。例如，在某些實施例中，可以選擇HB為約140nm以最佳化(如最大化)450nm波長藍光的透射；可以選擇HR為約220nm以最佳化(如最大化)650nm波長紅光的透射；及可以選擇HG為約180nm以最佳化(如最大化)550nm波長綠光的透射。同樣地，在某些實施例中，可以選擇WB為間距P的約20%；可以選擇WR為間距P的約49%；以及可以選擇WG為間距P的約38%。在某些實施例中，可以選擇間距P為約150nm。可以使用其他值。
如第6B圖所示，金屬606沉積接著毯覆(如經由PVD)於不同高度的結構604與基板602之上使得達成實質平坦頂表面。金屬606可以選擇為反射性且可以包括鋁或其他金屬。在第6C圖中，在蝕刻金屬606後，不同高度導電、反射線之圖案填充不同高度的結構604之間的溝槽。例如，用於極化藍450nm波長光的導電、反射線608之高度係約等於HB；用於極化紅650nm波長光的導電、反射線610之高度係約等於HR；以及用於極化綠550nm波長光的導電、反射線612之高度係約等於HG。
選擇不同高度的結構604之寬度使得大約相等容積的金屬606沉積於不同高度的結構604間的溝槽中。具有大約相等容積的金屬606沉積於溝槽中允許蝕刻處理根據頂表面面積暴露於蝕刻的量而以不同速率消耗金屬606。因為不同高度的結構604以相同間距P設置，所以寬的不同高度的結構604、較窄的溝槽/線寬度(WWB、WWR、WWG)、較少的頂表面面積暴露於蝕刻，在較窄溝槽/線寬度的地方蝕刻處理較慢，而當蝕刻停止時，產生較高的線高度。換言之，不同高度的結構604的寬度可以用於控制最後的線高度。下表說明基於以上示範值的示範配置。
下表提供用於計算以上示範值的數學等式。
注意較寬與較短的金屬線614於反射線608、610、612群組之間形成。此等金屬線對應於第3B圖的粗柵格300B中的垂直線。
諸多實施例描述於此揭露中，且只作為示範性用途呈現。所述實施例不作為，也不意欲作為任何意義上之限制。現在揭露的發明廣泛地應用於諸多實施例，而其輕易地自該揭露彰顯。發明所屬領域具有通常知識者會認識到所揭露的發明可以各式變化與替代實施，如結構、邏輯、軟體與電子變化。雖然所揭露發明之特定特徵可參考一或多個特定實施例與(或)圖示而描述，但應瞭解除非明確指示，否則此等特徵不局限於參考其所描述的一或多個特定實施例或圖示中之用途。
前述說明只揭露了本發明之示範實施例。落於本發明範圍內的上述揭露之設備、系統與方法之變化將輕易彰顯於發明所屬領域具有通常知識者。例如，除了本說明所繪示的顯示之外，本說明書所述的EMI屏蔽反射光學偏極器可以與其他類型的顯示一起使用。
因此，雖然本發明連同其示範實施例已經被揭露，但應理解其他實施例可落於本發明之精神與範圍內，如以下申請專利範圍所界定。
300D‧‧‧屏蔽反射光學偏極器

Claims (20)

  1. 一種液晶顯示系統，包括：一第一屏蔽反射光學偏極器；一彩色濾光器，該彩色濾光器鄰近於該第一屏蔽反射光學偏極器設置；一薄膜電晶體與液晶層，該薄膜電晶體與液晶層鄰近於該彩色濾光器設置；一第二屏蔽反射光學偏極器，該第二屏蔽反射光學偏極器鄰近於該薄膜電晶體與液晶層設置；及一背光組件，該背光組件包含一光源、一散射器及一背反射器，該背光組件鄰近於該第二屏蔽反射光學偏極器設置。
  2. 如請求項1所述之系統，進一步包括一或多個感測器，該一或多個感測器鄰近於該第一屏蔽反射光學偏極器設置。
  3. 如請求項1所述之系統，其中該第一與第二屏蔽反射光學偏極器包括反射與導電線的細線陣列。
  4. 如請求項3所述之系統，其中該細線陣列經由壓印微影術形成。
  5. 如請求項3所述之系統，其中該細線陣列經調整間隔與尺寸以極化可見光。
  6. 如請求項1所述之系統，其中該第一與第二 屏蔽反射光學偏極器包括反射與導電線的粗柵格。
  7. 如請求項6所述之系統，其中該粗柵格經圖案化以匹配該彩色濾光器的一圖案。
  8. 一種偏極器設備，包括：一光學反射與導電線的細線陣列；及一光學反射與導電線的粗柵格，其中該粗柵格與該細線陣列電耦接。
  9. 如請求項8所述之設備，進一步包括一接地框，該接地框電耦接至該細線陣列與該粗柵格。
  10. 如請求項8所述之設備，其中該細線陣列經由壓印微影術形成。
  11. 如請求項8所述之設備，其中該細線陣列經調整間隔與尺寸以極化可見光。
  12. 如請求項8所述之設備，其中該粗柵格經圖案化以匹配一液晶顯示的一彩色濾光器的一圖案。
  13. 如請求項8所述之設備，其中該細線陣列與該粗柵格整體地形成於一單一層上。
  14. 如請求項8所述之設備，其中該細線陣列與該粗柵格形成於另一個的頂部之上。
  15. 一種用於製造一偏極器設備的方法，該方法包括以下步驟：在一基板上形成一細線陣列，其中該細線陣列包含 導電與反射線；於該細線陣列上形成一粗柵格，其中該粗柵格包含導電與反射線；及將該細線陣列與該粗柵格電耦接至一接地終端。
  16. 如請求項15所述之方法，進一步包括以下步驟：將該細線陣列和該粗柵格與一LCD系統的一彩色濾光器對齊。
  17. 如請求項15所述之方法，其中該細線陣列經由壓印微影術形成。
  18. 如請求項15所述之方法，其中該細線陣列經調整間隔與尺寸以極化可見光。
  19. 如請求項15所述之方法，其中該粗柵格經圖案化以匹配一液晶顯示的一彩色濾光器的一圖案。
  20. 如請求項15所述之方法，其中該細線陣列與該粗柵格整體地形成於一單一層上。
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