KR20190061065A - 편광자 장치를 제조하기 위한 방법, 편광자 장치, 및 편광자 장치를 갖는 디스플레이 시스템 - Google Patents

편광자 장치를 제조하기 위한 방법, 편광자 장치, 및 편광자 장치를 갖는 디스플레이 시스템 Download PDF

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KR20190061065A
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어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
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Abstract

편광자 장치를 제조하기 위한 방법이 설명된다. 방법은, 최상부 표면 및 2개 이상의 측부 표면들을 갖는 라인들을 갖는 패터닝된 레지스트 구조를 형성하는 단계; 패터닝된 레지스트 구조 위에 전도성 재료를 증착하는 단계 ― 전도성 재료는 최상부 표면 및 2개 이상의 측부 표면들에 제공되고, 그리고 층 구조가 형성됨 ―; 및 라인들의 최상부 표면으로부터 전도성 재료를 제거하여 2개 이상의 측부 표면들에 전도성 재료의 전도성 라인들을 형성하기 위해 층 구조를 에칭하는 단계를 포함한다.

Description

편광자 장치를 제조하기 위한 방법, 편광자 장치, 및 편광자 장치를 갖는 디스플레이 시스템
[0001] 본 개시내용의 실시예들은 편광자 장치(polarizer apparatus)를 제조하기 위한 방법, 편광자 장치, 및 편광자 장치를 갖는 디스플레이 시스템에 관한 것이다. 본 개시내용의 실시예들은 구체적으로, 더블 패턴 와이어 어레이를 갖는 편광자 장치를 제조하기 위한 방법, 및 그로부터 비롯된 장치들 및 시스템들에 관한 것이다.
[0002] 평판 디스플레이들, 이를테면, 액정 디스플레이(LCD)들, 플라즈마 디스플레이(PDP)들, 및 유기 발광 다이오드 디스플레이(OLED 디스플레이)들이 음극선관(CRT)들을 대체하였다. LCD의 액정들은 스스로 광을 방출하지 않고, 액정들을 통해 광을 공급하기 위해 백라이트 유닛(backlight unit)을 활용한다.
[0003] 기존의 액정 디스플레이(LCD)들은 교차된(예컨대, 서로에 대해 90도 회전된) 편광의 2개의 광학 편광자들 사이에 액정(LC)들을 위치시킴으로써 광을 변조한다. 픽셀 또는 픽셀의 하나의 컬러는 각각, 액정(LC) 재료의 상태에 따라 스위치 온되거나 또는 스위치 오프될 수 있으며, 이는 2개의 광학 편광자들 사이에서 광자들의 편광을 회전시킬 수 있다. 회전량은 LCD 내에 제조된 박막 트랜지스터(TFT)들에 의해 제어되는 전기장에 의해 결정된다.
[0004] 광학 편광자들은 흡수성일 수 있다. 예컨대, LCD의 백라이트에 의해 생성된 비편광된 광의 50% 초과가 제1 편광자에 의해서만 흡수된다. 그러한 어레인지먼트들은 본질적으로 광을 소비하여, 에너지를 제1 편광자 내에서 열로 변환시키며, 따라서 비효율적이다.
[0005] 투과 및 반사에 기반하는 와이어 그리드 편광자(wire grid polarizer)들은 백라이트 유닛에 의해 생성된 광의 활용률이 더 높다. 예컨대, 와이어들에 직교하게 배향된 전기장을 갖는 전자기파들은 편광자를 통해 투과된다. 와이어들에 평행한 전기장을 갖는 광은 반사되거나 또는 더 정확하게는 와이어들로부터 방사된다. 예컨대, 디스플레이들, 예컨대 LCD를 위해 활용되는 가시 스펙트럼 범위를 커버하기 위해, 와이어 그리드 편광자(WGP; wire grid polarizer)의 피처(feature) 사이즈들은 유익하게 소정의 범위 내에 있다.
[0006] 상기 내용을 고려하면, 편광자 장치를 제조하기 위한 개선된 방법, 예컨대 개선된 방법에 따라 제조되는 편광자 장치, 및 개개의 편광자 장치를 갖는 디스플레이를 제공하는 것이 유익하다.
[0007] 일 실시예에 따르면, 편광자 장치를 제조하기 위한 방법이 제공된다. 방법은, 최상부 표면 및 2개 이상의 측부 표면들을 갖는 라인들을 갖는 패터닝된 레지스트 구조를 형성하는 단계; 패터닝된 레지스트 구조 위에 전도성 재료를 증착하는 단계 ― 전도성 재료는 최상부 표면 및 2개 이상의 측부 표면들에 제공되고, 그리고 층 구조가 형성됨 ―; 및 라인들의 최상부 표면으로부터 전도성 재료를 제거하여 2개 이상의 측부 표면들에 전도성 재료의 전도성 라인들을 형성하기 위해 층 구조를 에칭하는 단계를 포함한다. 추가로, 일부 실시예들에서, 전도성 라인들을 전기적으로 커플링시키는 단계가 또한 포함될 수 있다.
[0008] 다른 실시예에 따르면, 편광자 장치가 제공된다. 편광자 장치는, 최상부 표면 및 2개 이상의 측부 표면들을 갖는 광학적으로 반사성이고 그리고 전기적으로 전도성인 라인들의 와이어 어레이를 포함하며, 광학적으로 반사성이고 그리고 전기적으로 전도성인 라인들은 적어도, 제1 전도성 라인 및 인접한 제2 전도성 라인을 포함하고, 제1 전도성 라인 및 인접한 제2 전도성 라인 각각은 2개 이상의 측부 표면들 중 제1 측부 표면의 제1 높이를 갖고, 제1 측부 표면의 제1 높이는 2개 이상의 측부 표면들 중 제2 측부 표면의 제2 높이보다 더 작아서, 제1 전도성 라인 및 제2 전도성 라인 각각은 비대칭적이고, 그리고 제1 전도성 라인과 제2 전도성 라인은 전도성 라인들의 대칭적인 쌍을 형성한다.
[0009] 추가의 실시예에 따르면, 디스플레이 시스템이 제공된다. 디스플레이 시스템은 제1 편광자 장치, 특히 제1 차폐 반사성 광학 편광자를 포함한다. 제1 편광자 장치는, 최상부 표면 및 2개 이상의 측부 표면들을 갖는 광학적으로 반사성이고 그리고 전기적으로 전도성인 라인들의 와이어 어레이를 포함하며, 광학적으로 반사성이고 그리고 전기적으로 전도성인 라인들은 적어도, 제1 전도성 라인 및 인접한 제2 전도성 라인을 포함하고, 제1 전도성 라인 및 인접한 제2 전도성 라인 각각은 2개 이상의 측부 표면들 중 제1 측부 표면의 제1 높이를 갖고, 제1 측부 표면의 제1 높이는 2개 이상의 측부 표면들 중 제2 측부 표면의 제2 높이보다 더 작아서, 제1 전도성 라인 및 제2 전도성 라인 각각은 비대칭적이고, 그리고 제1 전도성 라인과 제2 전도성 라인은 전도성 라인들의 대칭적인 쌍을 형성한다. 디스플레이 시스템은, 제1 편광자 장치에 인접하게 배치된 컬러 필터; 컬러 필터에 인접하게 배치된 박막 트랜지스터 및 액정 층; 및 제2 편광자 장치, 특히 제2 차폐 반사성 광학 편광자를 더 포함하며, 제2 편광자 장치는 박막 트랜지스터 및 액정 층에 인접하게 배치된다. 제2 편광자 장치는, 최상부 표면 및 2개 이상의 측부 표면들을 갖는 광학적으로 반사성이고 그리고 전기적으로 전도성인 라인들의 와이어 어레이를 포함하며, 광학적으로 반사성이고 그리고 전기적으로 전도성인 라인들은 적어도, 제1 전도성 라인 및 인접한 제2 전도성 라인을 포함하고, 제1 전도성 라인 및 인접한 제2 전도성 라인 각각은 2개 이상의 측부 표면들 중 제1 측부 표면의 제1 높이를 갖고, 제1 측부 표면의 제1 높이는 2개 이상의 측부 표면들 중 제2 측부 표면의 제2 높이보다 더 작아서, 제1 전도성 라인 및 제2 전도성 라인 각각은 비대칭적이고, 그리고 제1 전도성 라인과 제2 전도성 라인은 전도성 라인들의 대칭적인 쌍을 형성한다. 디스플레이 시스템은 백라이트 어셈블리를 더 포함하며, 백라이트 어셈블리는 광원, 확산기(diffuser) 및 백 리플렉터(back reflector)를 포함하고, 백라이트 어셈블리는 제2 편광자 장치에 인접하게 배치된다.
[0010] 상기 열거된 특징들이 상세히 이해될 수 있는 방식으로, 앞서 간략히 요약된 보다 구체적인 설명이 실시예들을 참조로 하여 이루어질 수 있다. 첨부 도면들은 실시예들과 관련되고, 아래에서 설명된다:
[0011] 도 1a는 와이어 그리드 편광자의 원리의 예를 도시하고;
[0012] 도 1b는 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 와이어 그리드 편광자를 도시하고, 와이어 그리드 편광자들의 광학 성능을 위한 파라미터들이 예시되고;
[0013] 도 2는 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 디스플레이 시스템들의 실시예들을 예시하기 위한 LCD 시스템의 예를 도시하고;
[0014] 도 3a 내지 도 3f는 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 편광자 장치를 제조하기 위한 방법을 위한 제조 방식을 예시하고;
[0015] 도 4a 내지 도 4g는 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 편광자 장치를 제조하기 위한 다른 방법을 위한 다른 제조 방식을 예시하고;
[0016] 도 5a 내지 도 5h는 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 편광자 장치를 제조하기 위한 추가의 방법을 위한 추가의 제조 방식을 예시하고;
[0017] 도 6a 내지 도 6c는 본원에서 설명되는 실시예들에 따라 도 5a 내지 도 5h와 비교가능한 제조 방식을 예시하고, 와이어 그리드 어레이의 와이어들에 관한 추가의 세부사항들이 예시되고;
[0018] 도 7a 내지 도 7c는 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 전도성 재료의 증착 방법을 이용한 제조 방식을 예시하고;
[0019] 도 8은 본원에서 설명되는 실시예들에 따라 편광자 장치를 제조하기 위한 방법들을 예시하는 흐름도를 도시하고; 그리고
[0020] 도 9는 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 와이어 그리드 편광자의 와이어 어레이를 갖는 편광자 장치를 도시한다.
[0021] 이제, 다양한 실시예들이 상세하게 참조될 것이며, 다양한 실시예들의 하나 이상의 예들은 도면들에서 예시된다. 도면들의 다음의 설명 내에서, 동일한 참조 번호들은 동일한 컴포넌트들을 지칭한다. 일반적으로, 개별적인 실시예들에 대한 차이들만이 설명된다. 각각의 예는 설명으로 제공되고, 제한으로서 의도되지 않는다. 추가로, 일 실시예의 부분으로서 예시되거나 또는 설명되는 특징들은, 또 다른 추가적인 실시예를 산출하기 위해, 다른 실시예들에 대해 또는 다른 실시예들과 함께 사용될 수 있다. 설명은 그러한 수정들 및 변형들을 포함하도록 의도된다.
[0022] 도 1a는 와이어 그리드 편광자(10)를 도시한다. 와이어 그리드 편광자(10)는 기판(30)을 포함한다. 와이어 그리드 편광자(10)는 와이어 어레이를 형성하는 전도성 라인들(20)을 더 포함한다. 도 1에 도시된 바와 같이, 와이어 그리드 편광자(10)에 입사되는 비편광된 광(12)이 편광된다. s-평면 광(13)은 와이어 그리드 편광자에 의해 반사되는 반면, p-평면 광(14)은 와이어 그리드 편광자를 통해 투과된다.
[0023] 도 1b는 와이어 그리드 편광자(10)의 실시예들을 예시한다. 전도성 라인들(20)은 전도성 라인들의 와이어 어레이를 형성한다. 전도성 라인들은 기판(30), 예컨대 유리 기판 상에 제공된다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 기판은 투명한 기판일 수 있다. 예컨대, 투명한 기판은 유리 기판 또는 플라스틱 기판, 이를테면, PET, PEN, COP, PI, TAC(트리아세틸 셀룰로오스) 및 다른 유사한 기판들과 같은 플라스틱 기판일 수 있다.
[0024] 일부 실시예들에 따르면, 와이어 어레이는 와이어 어레이의 피치(pitch)(22), 전도성 라인들의 폭(24), 및/또는 전도성 라인들의 높이(26)에 의해 정의될 수 있다. 피치(또는 주기)는 유익하게, 편광될 최소 파장들보다 적어도 3배 더 작다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 와이어 어레이의 피치는 200 nm 이하일 수 있다. 와이어 그리드 편광자를 제조하기 위해 고려되는 추가의 파라미터들은 듀티 사이클 또는 필-팩터(fill-factor), 즉, 와이어 그리드 어레이의 피치(22)에 의해 분할되는 전도성 라인들의 폭(24), 및/또는 종횡비, 즉, 전도성 라인들의 폭(24)에 의해 분할되는 전도성 라인들의 높이(26)일 수 있다.
[0025] 유익한 듀티 사이클은, 예컨대 임프린트 리소그래피(imprint lithography)를 이용하여 작은 듀티 사이클들을 제조하는 능력과 더 작은 듀티 사이클에 대한 투과 효율 사이의 트레이드오프에 의해 결정될 수 있다. 추가로, 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 대략 3:1의 종횡비가 제공될 수 있다. 3:1 초과의 종횡비들이 유익할 수 있다. 그러나, 3:1 초과의 그러한 종횡비들은 또한, 제조하기가 더 어려울 수 있다. 본원에서 설명되는 실시예들은 와이어 그리드 편광자들을 제조하기 위한 개선된 방법, 대응하는 방법으로 제조된 와이어 그리드 편광자들, 및 그러한 와이어 그리드 편광자들을 갖는 디스플레이 장치들을 제공한다. 개선된 방법은 리소그래피 프로세스에 의해 제조되는 패터닝된 레지스트 구조의 피치에 비해 전도성 라인들의 와이어 어레이의 피치가 더 작은 것을 가능하게 한다.
[0026] 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 와이어 그리드 편광자들을 제조하는 방법들은 임프린트 리소그래피, 무마스크 리소그래피(maskless lithography), 또는 마스크를 이용한 리소그래피를 활용할 수 있다. 제조 비용들을 감소시키기 위해서는 임프린트 리소그래피가 유익할 수 있으며, 와이어 어레이를 제조하기 위한 피처들은 시트-투-시트 프로세스 또는 롤-투-롤 프로세스로 제공될 수 있어서, 와이어 그리드 어레이들이 대형 기판들, 예컨대 대형 플라스틱 기판 상에 제조될 수 있다.
[0027] 위에서 언급된 바와 같이, 편광자들은 흡수성일 수 있다. LCD의 백라이트에 의해 생성된 광의 약 50%는 제1 편광자(예컨대, 백라이트와 LC/TFT 층들 사이의 편광자)에 의해 흡수된다. 대조적으로, 본 개시내용의 실시예들의 편광자들은 반사성이다. (일반적으로 흡수성 편광자에 흡수될) 반사성 편광자의 편광과 반대의 편광을 갖는 광자들은 백라이트와 하부 편광자 사이에 있을 수 있는 확산기 플레이트로 다시 반사된다. 백라이트의 백 리플렉터는 광의 편광을 스크램블(scramble)하는 확산기를 통해 다시 광을 "재반사(re-reflect)"하여, 이 재반사된 광의 약 50%가 제1 편광자를 통과할 것이다. 재반사된 광의 나머지 약 50%는 다시 제1 편광자에서 반사되고, 이어서 백 리플렉터에서 반사되고, 확산기를 통해 다시 편광자로 반사되어, 약 50%는 통과되고 약 50%는 반사될 것이다. 대부분의 또는 사실상 모든 광이 올바른 편광을 가진 편광자를 통과할 때까지 이러한 광의 재활용은 반복된다. 재활용하지 않으면 흡수되어질 광을 "재활용하는" 종래기술의 방법들은 LCD 시스템에 추가적인 비용 및 두께를 부가하는 고비용의 추가적인 층들(예컨대, 3M Corporation으로부터 입수가능한 Vikuiti™ 반사성 편광자 막들(DBEF))을 사용한다. 따라서, 본 개시내용의 실시예들은 추가적인 비용 및 스택 두께를 도입하지 않으면서, LCD의 에너지 효율을 개선한다.
[0028] 비효율성에 부가하여, LCD들은 LCD 내에 함께 집적되는 다양한 디바이스들 사이의 전기적 잡음을 겪을 수 있다. 가장 주목할만한 것은 LCD의 표면(터치 패널) 상에서 터치를 감지하는데 사용되는 전기 회로들과 액정들(LC)의 배향을 제어하는 LCD 내의 회로들(예컨대, 박막 트랜지스터(TFT) 어레이) 사이의 전기적 잡음이다. 또한, 백라이트를 제어하는 회로들(예컨대, 로컬 디밍(local dimming)), 디스플레이에 내장될 수 있는 다른 센서들(예컨대, 압력, 온도, 광 센서들)과 연관되는 회로들, 및 디스플레이와 직접 관련되지 않는 디바이스 내의 다른 회로들을 포함하는 몇몇 다른 회로들에 의해 생성된 전기적 잡음을 가질 수 있다. 추가로, 사용자들에게 디스플레이하기 위해 시뮬레이팅된 촉각 피드백을 제공하는 햅틱(haptic) 디바이스들과 같은 더 새로운 기술들은 간섭 잡음을 또한 생성할 수 있는 LC 제어 회로들에 인접한 회로망(circuitry)을 포함한다. 이러한 잡음 소스들은 LCD에 대한 설계를 제약하고, 센서들의 감도를 약화시키며, LCD들을 사용하는 디바이스들의 동작과 간섭할 수 있다.
[0029] 본 개시내용의 실시예들의 반사성 편광자들은 또한, 이러한 다양한 회로들이 생성할 수 있는 전자기 잡음의 차폐를 제공한다. 예컨대, 접지 프레임을 이용하여 전기적으로 접지되는 전도성 와이어 그리드(예컨대, 평행한 미세 전도성 와이어들의 어레이를 포함함)를 사용함으로써, 반사성 편광자들은 LC 배향을 제어하는 LCD 내의 회로들과, 예컨대 터치 센서들, 압력 센서들, 온도 센서들, 광 센서들 및 다른 센서들을 포함할 수 있는 다른 외부 회로들뿐만 아니라, 백라이팅 및 LC 제어 회로망에 근접한 다른 디바이스들(예컨대, 햅틱 디바이스들)을 제어하는 회로들 사이에 전기적 차폐의 층을 제공한다. 일부 실시예들에서, 반사성 및 전도성 편광자는 각각의 와이어에 연결된 전도성 주변 경계에 의해 둘러싸일 수 있으며, 주변 경계는 접지된다.
[0030] 추가로, 일부 실시예들에서, 미세 와이어 어레이에 부가하여, 미세 와이어 어레이와 함께(예컨대, 그 위에 놓이거나 또는 그와 통합되는) 반사성 전도성 라인들의 제2의 더 성긴(coarser) 그리드가 막 또는 기판 상에 형성될 수 있다. 더 성긴 그리드는 픽셀들의 발광부들, 예컨대, 블랙 매트릭스 및 TFT들과 직접 정렬되지 않는 디스플레이의 영역들과 매칭 및 정렬되도록 패터닝될 수 있다. 이것은 광의 EMI 차폐 및 반사를 더 개선한다. 일부 실시예들에서, (예컨대, 편광 기능 및 차폐를 제공하는) 반사성 전도성 라인들의 미세 어레이 및 (예컨대, 차폐 기능 및 반사 기능 둘 모두를 향상시키는) 블랙 매트릭스 및 TFT들과 정렬된 반사성 전도성 라인들의 더 성긴 그리드 모두는 상이한 라인 폭들 및 피치들을 갖는 하나의 그리드로서 동시에 형성될 수 있다. 다른 실시예들에서, 미세 어레이 및 성긴 그리드는 개별적으로, 그러나 동일한 막 층 상에 형성될 수 있다.
[0031] 이제 도 2를 참조하면, 본 개시내용의 실시예들에 따른 단순화된 예시적인 LCD 시스템(100)이 도시된다. 시스템(100)은 2개의 편광자들(예컨대, 상부 편광자(106) 및 하부 편광자(108)) 사이에 2개의 유리 기판들(예컨대, 상부 유리 기판(102) 및 하부 유리 기판(104))을 포함한다. 유리 기판들(102, 104) 사이에는 블랙 매트릭스(116) 내의 픽셀들(112) 및 TFT들(114)을 포함하는 컬러 필터 아래에 액정들(110)이 배치된다. 스페이서(118)는 컬러 필터 및 상부 유리 기판(102)을 지지하고 하부 유리 기판(104)으로부터 분리하는데 사용된다. 밀봉부(120)는 액정들(110)을 둘러싼다. 광은, 도광판(light guide plate)(126), 프리즘 시트(prism sheet)(128) 및 확산기(130)를 통해 광을 통과시키는 백 리플렉터(124)를 조명하는 LED들 또는 CCFL 램프 튜브들(122)을 포함할 수 있는 백라이트에 의해 제공된다. 일부 실시예들에서, LCD 시스템(100)은 액정들(110) 위에 정렬 막(132)을 포함할 수 있다. 액정들(110) 아래의 로우 전극(row electrode)들(134)의 층 및 액정들(110) 위의 컬럼 전극(column electrode)들(136)의 층이 또한 포함된다. 일부 실시예들에서, LCD 시스템(100)은 컬럼 전극들(136) 위에 오버코트 막(overcoat film)(138)을 포함할 수 있다.
[0032] 위에서 설명된 바와 같이, 와이어 그리드 편광자를 갖는, 본원에서 설명되는 실시예들의 경우, 비-반사성 편광자에 의해 흡수되었을 광은 하부 편광자(108)를 통과하지 않은 임의의 광을 다시 반사시킴으로써 재사용된다. 또한, 상부 편광자(106)를 통과하지 않은 광은 상부 편광자(106)에 의해 다시 반사되어, 재사용된다.
[0033] 도 3a 내지 도 3f는 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 편광자 장치를 제조하기 위한 실시예들을 예시한다. 편광자 장치는 통상적으로 와이어 그리드 편광자일 수 있으며, 복수의 전도성 라인들이 와이어 어레이를 형성한다. 도 3a에서, 레지스트 층(310)은 기판(300) 상에 제공된다. 레지스트 층(310)은 도 3b에 도시된 바와 같이 패터닝될 수 있으며, 패터닝된 레지스트 구조(312)의 라인들(311)이 형성된다. 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 라인들은 최상부 표면 및 2개 이상의 측부 표면들, 특히 라인의 길이를 따라 연장되는 측부 표면들을 갖는다. 도 3c에 도시된 바와 같이, 패터닝된 레지스트 구조(312)는 현상되고, 경화되고, 그리고/또는 단단해질 수 있으며, 현상된 레지스트의 라인들(314)은 어레이를 형성한다.
[0034] 본원에서 도시된 바와 같이, 레지스트 층(310)은 임프린트 리소그래피를 이용하여 패터닝되고(도 3b 참조), 그 후에 현상되거나 경화될 수 있다(도 3c 참조). 그러나, 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 추가의 실시예들에 따르면, 패터닝된 레지스트 구조는 또한, 무마스크 리소그래피 또는 다른 리소그래피 프로세스들, 예컨대 마스크를 활용하는 리소그래피 프로세스들에 의해 형성될 수 있다. 임프린트 리소그래피 이외의 리소그래피 프로세스들의 경우, 레지스트는 마스크를 이용하여 또는 패턴을 형성하는 다른 엘리먼트를 이용하여 현상될 수 있고, 패터닝된 레지스트 구조는 레지스트 층(310)의 현상되지 않은 부분들을 제거함으로써 제조될 수 있다.
[0035] 결과적인 패터닝된 레지스트 구조는, 라인들의 폭이 40 nm 내지 100 nm이고, 라인들 사이의 간격이 100 nm 내지 250 nm이고, 라인들의 높이가 150 nm 이상, 예컨대 150 nm 내지 300 nm일 수 있다. 따라서, 패터닝된 레지스트 구조의 라인 어레이의 레지스트 피치는 150 nm 이상, 예컨대 220 nm 이상일 수 있다. 아래에서 설명되는 바와 같이, 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 패터닝된 레지스트 구조의 라인 어레이의 레지스트 피치는 전도성 라인들의 와이어 어레이의 와이어 피치와 비교하여 더 크다. 예컨대, 전도성 라인들의 와이어 피치는 패터닝된 레지스트 구조의 라인 어레이의 레지스트 피치의 70% 이하일 수 있다. 이를 고려하면, 리소그래피 프로세스들이 단순화될 수 있고 그리고/또는 제조하기 더 어려운 패턴을 갖는 와이어 어레이들이 본원에서 설명되는 방법들에 의해 생성될 수 있다.
[0036] 도 3d에 도시된 바와 같이, 전도성 재료(322), 이를테면, 금속은 패터닝된 레지스트 구조 위에 제공될 수 있다. 예컨대, 전도성 재료(322)는 PVD 또는 CVD 증착 프로세스를 이용하여 증착될 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 전도성 재료는 알루미늄(Al), 은(Ag), 금(Au), 크롬(Cr), 구리(Cu), 니켈(Ni), 이들의 합금들, 또는 유사한 전도성 재료들일 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 전도성 재료(322)는 서브-파장 금속성 격자를 위한 가시광 스펙트럼에서 유익한 광학 특성들을 갖는 알루미늄일 수 있다. 예컨대, 알루미늄 와이어 그리드 편광자에 대한 투과 및 반사 효율은 금과 같은 다른 재료들과 비교하여 가시 파장 범위에 걸쳐 더 양호한 균일성을 나타낼 수 있다.
[0037] 또 다른 추가의 실시예들에 따르면, 전도성 재료(322)는, 예컨대 패시베이션 층을 형성하기 위해 전기 재료로 추가로 커버될 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 또 다른 추가의 실시예들에 따르면, 에칭 스톱 층(도시되지 않음)은 전도성 재료(322)를 증착하기 전에 제공될 수 있다. 에칭 스톱 층은, 예컨대 후속적인 재료 제거 프로세스들 동안 레지스트 및 기판을 보호하기 위한 얇은 층일 수 있다.
[0038] 전도성 재료(322)는 30 nm 이상, 예컨대 40 nm 내지 100 nm의 두께를 가질 수 있다. 전도성 재료의 두께를 변화시킴으로써, 와이어 그리드 편광자의 듀티 사이클이 변화될 수 있으며, 이는 결국 와이어 그리드 편광자의 편광 효율을 변화시킨다.
[0039] 도 3c 및 도 3d에 도시된 바와 같이, 라인들(314) 각각은 최상부 표면 및 적어도 2개의 측부 표면들, 즉, 라인의 길이를 따라 연장되는 2개의 측부 표면들을 갖는다. 증착 이후에, 전도성 재료(322)는 라인들(314)의 최상부 표면 및 측부 표면들을 커버한다. 전도성 재료(322) 및 라인들(314)을 갖는 패터닝된 레지스트 구조(312)는 층 구조를 형성한다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 층 구조는 추가의 층들, 예컨대 하나 이상의 에칭 스톱 층들, 패시베이션 층들, 및 와이어 그리드 편광자의 광학 특성들을 적응시키기 위한 유전체 층들로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 층들을 포함할 수 있다. 부가적으로 또는 대안적으로, 일부 실시예들에 따라, 하나보다 많은 전도성 재료 층이 제공될 수 있다.
[0040] 층 구조는 도 3e에 도시된 바와 같이 에칭된다. 층 구조를 에칭하는 것은 패터닝된 레지스트 구조의 라인 어레이의 라인들(314)의 최상부 표면으로부터 전도성 재료(322)를 제거한다. 예컨대, 알루미늄과 같은 재료는 BCl3 또는 다른 에천트들을 이용하여 에칭될 수 있다. 전도성 재료를 에칭함으로써, 전도성 라인들(320)이 형성된다.
[0041] 전도성 라인들(320)은 와이어 어레이(325)를 형성한다. 패터닝된 레지스트 구조의 라인들(314) 각각에 대해, 2개의 전도성 라인들(320)이 형성된다. 전도성 라인들(320)은 라인들(314)의 측부 표면들에 제공된 전도성 재료에 대응한다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 각각의 라인(314)에 대해 2개의 전도성 라인들(320)이 제공되기 때문에, 전도성 라인들(320)의 피치 또는 평균 피치는 각각 라인(314)의 피치의 대략 50%이다. 일부 실시예들에 따르면, 전도성 라인들은 레지스트 피치, 즉, 패터닝된 레지스트 구조의 라인들(314)의 피치의 30% 내지 70%의 와이어 피치를 갖는 와이어 어레이를 형성한다. 제조 방법은 패터닝된 레지스트 구조(312)의 라인들(314) 사이의 균일한 거리에 대해서조차 이웃하는 전도성 라인(320) 사이에 본질적으로 2개의 상이한 거리들을 초래하거나 허용할 수 있기 때문에, 와이어 어레이의 와이어 피치는 또한 평균 피치로 지칭될 수 있음이 이해된다.
[0042] 상기 내용을 고려하면, 편광자 장치를 제조하기 위한 방법들은 또한, 더블 패턴 제조로 지칭될 수 있는데, 왜냐하면, 와이어 어레이를 형성하는 전도성 라인들은 패터닝된 레지스트 구조의 라인 어레이의 라인들에 비해 2배이기 때문이다. 상기 내용을 고려하면, 패터닝된 레지스트 구조의 라인 어레이의 패턴은 더 용이하게 제조될 수 있다. 추가로, 전도성 라인들의 폭이 특히 증착된 전도성 재료(322)의 층 두께에 의해 정의되기 때문에, 더 높은 종횡비가 제공될 수 있는데, 즉, 종횡비는 패터닝된 레지스트 구조의 제조 동안에 가능한 종횡비에 의해서는 주로 제한되지 않는다.
[0043] 도 3e에 예시적으로 도시된 바와 같이, 전도성 라인들(320)은, 도 3d에 도시된 층 구조를 에칭한 이후에 비대칭적으로 만곡된 최상부 표면을 갖는다. 따라서, 광학적으로 반사성이고 그리고 전기적으로 전도성인 라인들의 와이어 어레이가 형성된다. 전도성 라인들은 최상부 표면 및 2개 이상의 측부 표면들을 갖는다. 도 3e에 도시된 바와 같이, 패터닝된 레지스트 구조의 라인에 인접한 전도성 라인의 측부 표면의 높이는 전도성 라인의 반대편 측부 표면, 즉, 패터닝된 레지스트 구조의 라인을 등지는 측부 표면의 높이에 비해 더 높다. 이를 고려하면, 광학적으로 반사성이고 그리고 전기적으로 전도성인 라인들은 적어도, 제1 전도성 라인 및 인접한 제2 전도성 라인을 포함하고, 제1 전도성 라인 및 인접한 제2 전도성 라인 각각은 2개 이상의 측부 표면들 중 제1 측부 표면의 제1 높이를 갖고, 제1 측부 표면의 제1 높이는 2개 이상의 측부 표면들 중 제2 측부 표면의 제2 높이보다 더 작다.
[0044] 예컨대, 도 3e에서 확인될 수 있는 바와 같이, 도면에 도시된 전도성 라인들은 도 3e의 단면에서 비대칭적이다. 그러나, 2개의 이웃하는 전도성 라인들은 전도성 라인들의 대칭적인 쌍을 형성한다. 예컨대, 하나의 라인(314)의 대향하는 측부 표면들의 2개의 전도성 라인들(320)의 쌍은 대칭적이다. 다른 예로서, 도 3e의 중앙의 2개의 라인들은 또한 대칭적인 쌍을 형성한다. 예컨대, 대칭적인 쌍은, 서로 등지거나 또는 서로 마주보는 이웃하는 전도성 라인들의 만곡 부분들을 가질 수 있다.
[0045] 도 3a 및 도 3f와 관련하여 예시되고 설명되는 제조 방식들의 실시예들은 배리어 또는 패시베이션으로서 또한 활용될 수 있는 평탄화 층(370)의 증착을 포함할 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 평탄화 층(370)은 50 nm 이상의, 예컨대 50 nm 내지 300 nm의 두께를 가질 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 대안적인 실시예에 따르면, 평탄화 층(370)은 와이어 어레이(325) 사이의 갭들을 채우기 위한 높이까지 증착될 수 있다. 따라서, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 편광자 장치(350)가 제공될 수 있다.
[0046] 도 4a 내지 도 4g는 본원에서 설명되는 실시예들에 따라 편광 장치, 이를테면, 와이어 그리드 편광자를 제조하기 위한 방법들의 또 다른 추가의 실시예들을 예시한다. 도 4a 내지 도 4e는 도 3a 내지 도 3e에 대응하고, 도 4g는 도 3f에 대응한다. 도 3a 내지 도 3f와 관련하여 설명된 세부사항들, 특징들, 양상들, 및 실시예들은 도 4a 내지 도 4g와 관련하여 설명되는 실시예들에 마찬가지로 적용될 수 있다. 도 4a 내지 도 4g를 참조하여 설명된 실시예들은 도 4f에서 예시되는 추가의 프로세싱을 포함한다. 도 4f에 도시된 바와 같이, 도 4e의 에칭 이후에, 추가의 재료 제거가 제공될 수 있다. 특히, 선택적인 재료 제거가 제공될 수 있으며, 패터닝된 레지스트 구조의 라인들(314)은 에칭된 층 구조로부터 제거된다. 선택적인 재료 제거는, 나머지 레지스트 재료가 제거되고 전도성 라인들(320)이 기판(300) 상에 남아 있는 구조를 초래한다.
[0047] 도 4f에 예시적으로 도시된 바와 같은 재료 제거는 애싱 또는 세정, 이를테면, 플라즈마 애싱으로서 제공될 수 있다. 이는 고온 애싱(또는 스트립핑) 프로세스 또는 디스컴 프로세스(descum process)일 수 있으며, 디스컴 프로세스는 더 낮은 온도들에서 제공된다.
[0048] 도 4g는 배리어 또는 패시베이션으로서 또한 활용될 수 있는 평탄화 층(370)의 증착을 도시한다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 대안적인 실시예에 따르면, 평탄화 층(370)은 와이어 어레이의 전도성 라인들 사이의 갭들을 채우기 위한 높이까지 증착될 수 있다. 따라서, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 편광자 장치(350)가 제공될 수 있다.
[0049] 도 5a 내지 도 5h는 본원에서 설명되는 실시예들에 따라 편광 장치, 이를테면, 와이어 그리드 편광자를 제조하기 위한 방법들의 또 다른 추가의 실시예들을 예시한다. 도 5a 내지 도 5c는 도 3a 내지 도 3e에 대응하고, 도 5e 내지 도 5h는 도 4d 내지 도 4g에 대응하거나 또는 유사한 방식으로 도 3d 내지 도 3f에 대응한다. 도 3a 내지 도 3f 및 도 4a 내지 도 4g와 관련하여 설명된 세부사항들, 특징들, 양상들, 및 실시예들은 도 5a 내지 도 5h와 관련하여 설명되는 실시예들에 마찬가지로 적용될 수 있다. 도 5a 내지 도 5h를 참조하여 설명된 실시예들은 도 5d에서 예시되는 추가의 프로세싱을 포함한다. 도 5d는 패터닝된 레지스트 구조(312)의 라인 어레이의 라인들(314)의 세선화(thinning)를 도시하며, 세선화는 본원에서 설명되는 일부 실시예들에 따라 그리고 다른 실시예들과 조합하여 수행될 수 있다.
[0050] 라인들(314)은 부분적으로 제거되어서, 도 5d에 도시되는 바와 같은 더 얇은(thinner) 라인들(514)이 제공된다. 예컨대, 라인들(314)은 70 nm 내지 130 nm의 폭을 가질 수 있고, 더 얇은 라인들(514)은 30 nm 내지 70 nm의 폭을 가질 수 있다. 추가로, 라인(314)의 높이는 175 nm 내지 275 nm일 수 있는 반면, 라인들(514)은 150 nm 내지 250 nm의 높이를 가질 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 포토레지스트와 같은 레지스트의 세선화는 오존을 이용하여 수행될 수 있다.
[0051] 예컨대, 도 5c에 도시된 바와 같이, 패터닝된 레지스트 구조(312)를 더 용이하게 제조하기 위해, 패터닝된 레지스트 구조들의 라인 어레이의 라인들의 세선화가 제공될 수 있다. 추가로, 라인들의 세선화는, 도 5e에 도시된 바와 같은 전도성 재료(322)의 후속적인 증착을 위한 미리 결정된 라인 두께들을 제공하는 데 활용될 수 있다. 더 얇은 라인(514)을 초래하는 라인들(314)의 세선화가 또한 도 6a에 예시된다. 확인될 수 있는 바와 같이, 레지스트 라인 어레이의 세선화는 라인들의 피치를 변경하지 않는다. 일부 실시예들에 따르면, 라인들의 세선화는 패터닝된 레지스트 구조 위에 증착된 전도성 재료(322)의 층 두께에 따라 수행될 수 있다. 예컨대, 세선화 및/또는 재료 두께는 전도성 라인들(320)의 균일한 피치를 갖도록, 즉, 전도성 라인들의 쌍을 형성하는 이웃하는 전도성 라인들이 전도성 라인들의 이웃하는 쌍에 대한 거리와 비교하여 거의 동일한 거리를 갖도록, 제어될 수 있다.
[0052] 도 6b는 패터닝된 레지스트 구조의 라인들(514) 위의 전도성 재료(322)의 증착을 도시한다. 위에서 설명된 바와 같이, 전도성 재료(322)는 PVD 또는 CVD 증착 프로세스를 이용하여 증착될 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 전도성 재료는 알루미늄(Al), 은(Ag), 금(Au), 크롬(Cr), 구리(Cu), 니켈(Ni), 이들의 합금들, 또는 유사한 전도성 재료들, 특히 알루미늄일 수 있다.
[0053] 도 6c는 패터닝된 레지스트 구조 및 전도성 재료를 포함하는 층 구조를 에칭한 이후의 와이어 그리드 편광자의 부분을 도시한다. 전도성 라인들(320)은 제1 측부 표면(521), 제2 측부 표면(523), 및 만곡된 최상부 표면(522)을 갖는다. 만곡된 최상부 표면(522)은, 특히 전도성 라인(320)의 평면(501)에 대해 비대칭적으로 만곡된다. 따라서, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 와이어 그리드 편광자들의 제조 방법은 만곡된 최상부 표면(522)을 갖는 아이소메트릭 전도성 라인(isometric conductive line)들(320)을 초래하며, 제1 측부 표면(521)은 제2 측부 표면(523)보다 더 높다.
[0054] 추가로, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 제조 방법으로 인해, 전도성 라인들(320)의 쌍들은 대칭적인 평면들(503 또는 505)에 대해 각각 대칭을 나타낸다. 상기 내용을 고려하면, 본원에서 설명되는 실시예들에 따라 제조된 와이어 그리드 편광자들은 전도성 라인들의 쌍들의 대칭과 조합된 전도성 라인의 비대칭 및/또는 측부 표면들(521/523)의 상이한 높이에 의해 식별될 수 있다.
[0055] 도 7a 내지 도 7c는 편광자 장치, 이를테면, 와이어 그리드 편광자를 제조하기 위한 또 다른 추가의 실시예들을 예시한다. 도 7a는, 예컨대 도 5d에 대응하는, 패터닝된 레지스트 구조의 라인들(514)을 도시한다. 화살표(702)에 의해 도 7a에 도시된 바와 같이, 라인들(514)에 의해 형성된 라인 어레이 위에 전도성 재료(322)를 증착하기 위해 각도 증착(angular deposition)이 제공된다. 각도 증착은 전체적으로 더 큰 증착 두께를 초래할 수 있는데, 왜냐하면, 라인(514)의 측부 표면의 전도성 재료들의 미리 결정된 두께를 위해, 도면 부호 704로 표시되는 더 큰 재료 두께가 증착될 수 있기 때문이다.
[0056] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 각도 증착은 15° 이상, 예컨대 20° 내지 50°의 각도로 제공될 수 있다. 각도 증착으로 인해, 전도성 재료는 패터닝된 레지스트 구조의 라인들(514), 즉, 라인들의 측부 표면들 및 최상부 표면 상에 주로 증착된다. 기판 상에는 재료가 거의 증착되지 않거나 또는 전혀 증착되지 않는다.
[0057] 각도 증착을 제공하기 위한 하나의 옵션은 예컨대, 마그네트론 스퍼터링, 특히 회전가능 캐소드, 즉, 회전하는 타겟 재료를 갖는 원통형 캐소드로부터의 마그네트론 스퍼터링일 수 있다. 스퍼터 플라즈마의 가둠(confinement)을 제공하는 캐소드 내부의 마그네트론은 기판 표면에 수직인 평면에 대해 각도를 갖도록 경사질 수 있다. 마그네트론의 경사각은 타겟으로부터 타겟 재료를 스퍼터링하기 위한 플라즈마의 경사를 초래한다. 경사진 플라즈마는 기판 표면에 수직하지 않은 방향으로 스퍼터 재료의 메인 방향을 초래한다.
[0058] 도 7a에 도시된 바와 같이, 라인(514)의 최상부 표면 상에 증착된 전도성 재료(322)는 전도성 라인의 측부 표면의 일부, 특히 기판에 가까운 측부 표면의 일부의 재료 증착을 섀도잉(shadow)할 수 있다. 본원에서 설명되는 실시예들의 일부 선택적 변형들에 따르면, 도 7b에 도시된 바와 같이, 전도성 재료의 제2 증착이 더 작은 각도로 제공될 수 있다. 본원에 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 제2 증착은 추가의 전도성 재료의 증착일 수 있다. 이는 제1 증착의 재료와 동일한 전도성 재료일 수 있다. 그러나, 제2 또는 심지어 추가의 증착 단계에서 상이한 전도성 재료를 증착하는 것이 또한 가능할 수 있다.
[0059] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 패터닝된 레지스트 구조의 라인들(514) 상에 전도성 재료를 증착하기 위한 각도 증착은, 2개의 측들, 예컨대 화살표(702)에 의해 표시되는 바와 같은 제1 측(좌측), 및 기판 표면에 수직인 평면에 대해 제1 측 반대편인 제2 측(우측)으로부터 제공된다. 제1 측 및 제2 측은 기판 표면에 수직인 평면에 대해 동일한 각도를 가질 수 있거나, 또는 좌측과 우측 상에서 상이한 각도들을 가질 수 있다.
[0060] 도 7c는 도 6c, 도 5f, 도 4e 또는 도 3e와 관련하여 이전에 설명된 바와 같은 에칭 프로세스를 도시한다. 에칭 단계는, 특히 도 6e와 관련하여 이전에 설명된 바와 같은 와이어 어레이를 형성하는 전도성 라인들을 초래한다. 와이어 어레이는 편광자 장치를 형성한다. 편광자 장치는, 예컨대 도 2에 도시된 디스플레이 시스템(100)에, 특히 상부 편광자(106) 및 하부 편광자(108)로서 포함될 수 있다.
[0061] 도 8은 본원에서 설명되는 실시예들에 따라 편광자 장치들을 제조하는 방법을 예시하기 위한 흐름도를 도시한다. 박스(802)는 기판 상에서의 패터닝된 레지스트 구조의 형성을 표시한다. 패터닝된 레지스트 구조의 형성은, 기판 상에 레지스트를 코팅하고 이어서 구조를 패터닝함으로써 제공될 수 있다. 예컨대, 라인 어레이의 라인들은 레지스트 층에서 패터닝될 수 있다. 패터닝은 임프린트 리소그래피를 이용하여 수행될 수 있다. 임프린트 리소그래피를 이용하여 패터닝하기 위해, 원하는 패턴을 갖는 스탬프가 레지스트 층에 임프린팅되거나(imprinted) 또는 엠보싱된다(embossed). 레지스트 층이 원하는 패턴으로 임프린팅된 이후에, 레지스트는 경화되거나 현상된다. 대안적으로, 레지스트 층의 패터닝은 무마스크 리소그래피, 마스크를 활용하는 리소그래피, 또는 다른 리소그래피 방법들을 이용하여 수행될 수 있다. 그러한 방법들의 경우, 통상적으로 레지스트는 원하는 패턴을 형성하는 부분들에서 부분적으로 현상된다. 현상되지 않은 레지스트는 제거되고, 나머지 현상된 레지스트는 패터닝된 레지스트 구조를 형성한다.
[0062] 박스(804)에 의해 표시된 바와 같이, 패터닝된 레지스트 구조 위에 전도성 재료가 증착된다. 전도성 재료는 패터닝된 레지스트 구조의 라인 어레이의 라인들의 측부 표면들 및 라인들의 최상부 표면 상에 적어도 증착된다. 전도성 재료 및 패터닝된 레지스트 구조는 층 구조를 형성하며, 층 구조는 박스(806)에 의해 표시되는 바와 같이 추가로 프로세싱된다. 일부 선택적인 변형들에 따르면, 층 구조는 에칭 스톱 층, 패시베이션 층, 유전체 층, 및 제2 전도성 층 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다.
[0063] 박스(806)에 의해 예시되는 바와 같이 층 구조를 에칭하는 것은 라인 어레이의 라인들의 최상부 표면으로부터의 전도성 재료의 제거를 초래한다. 라인들의 측부 표면들의 전도성 재료는 와이어 그리드 편광자의 와이어 어레이를 형성하는 전도성 라인들을 초래한다. 전도성 라인들은 박스(808)에 의해 표시되는 바와 같이 전기적으로 커플링되어, 편광 원리를 갖는 와이어 그리드 편광자를 형성하며, 이는 예컨대 도 1a와 관련하여 예시된다.
[0064] 위에서 설명된 바와 같이, 편광자 장치, 특히 와이어 그리드 편광자를 제조하기 위한 방법들의 다양한 실시예들이 본 개시내용에서 제공된다. 추가로, 도 9에 도시된 편광자 장치(350)가 제공된다. 편광자 장치(350)는 도 9에 도시되고, 와이어 어레이를 형성하는 복수의 전도성 라인(320) 및 기판(300)을 포함한다. 와이어 어레이의 전도성 라인들은 와이어 그리드 편광자를 생성하기 위해, 예컨대 접지 프레임에 의해 전기적으로 커플링된다.
[0065] 본 개시내용은, 제조 방법, 편광자 장치, 및/또는 디스플레이 시스템을 제공하는 것을 포함하는 몇몇 장점들을 포함하며, 패터닝된 레지스트 구조의 라인 어레이의 패턴이 더 용이하게 제조될 수 있다. 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 개선된 방법들은 리소그래피 프로세스에 의해 제조되는 패터닝된 레지스트 구조의 피치에 비해 전도성 라인들의 와이어 어레이의 피치가 더 작은 것을 가능하게 한다. 추가로, 알루미늄을 활용하는 것은 서브-파장 금속성 격자에 대한 가시광 스펙트럼에서 유익한 광학 특성들을 가질 수 있다. 제조 비용들을 감소시키기 위해서는 임프린트 리소그래피가 유익할 수 있다. 유익한 듀티 사이클은, 예컨대 임프린트 리소그래피를 이용하여 작은 듀티 사이클들을 제조하는 능력과 더 작은 듀티 사이클에 대한 투과 효율 사이의 트레이드오프에 의해 결정될 수 있다.
[0066] 전술한 바가 일부 실시예들에 관한 것이지만, 다른 및 추가적인 실시예들이 기본적인 범위로부터 벗어나지 않으면서 고안될 수 있고, 범위는 다음의 청구항들에 의해 결정된다.

Claims (15)

  1. 최상부 표면 및 2개 이상의 측부 표면들을 갖는 라인들을 갖는 패터닝된 레지스트 구조를 형성하는 단계;
    상기 패터닝된 레지스트 구조 위에 전도성 재료를 증착하는 단계 ― 상기 전도성 재료는 상기 최상부 표면 및 상기 2개 이상의 측부 표면들에 제공되고, 그리고 층 구조가 형성됨 ―; 및
    상기 라인들의 최상부 표면으로부터 상기 전도성 재료를 제거하여 상기 2개 이상의 측부 표면들에 상기 전도성 재료의 전도성 라인들을 형성하기 위해 상기 층 구조를 에칭하는 단계를 포함하는,
    편광자 장치를 제조하기 위한 방법.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 전도성 라인들을 전기적으로 커플링시키는 단계를 더 포함하는,
    편광자 장치를 제조하기 위한 방법.
  3. 제1 항 또는 제2 항에 있어서,
    상기 패터닝된 레지스트 구조를 추가로 제거하는 단계를 더 포함하는,
    편광자 장치를 제조하기 위한 방법.
  4. 제1 항 내지 제3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 전도성 라인들 위에 그리고 상기 전도성 라인들 사이에 평탄화 층을 제공하는 단계를 더 포함하는,
    편광자 장치를 제조하기 위한 방법.
  5. 제1 항 내지 제4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 전도성 재료 위에 그리고 상기 층 구조를 에칭하기 전에 추가의 전도성 재료의 제2 증착을 하는 단계를 더 포함하는,
    편광자 장치를 제조하기 위한 방법.
  6. 제1 항 내지 제5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 편광자 장치의 전도성 라인들을 LCD 시스템의 컬러 필터와 정렬시키는 단계를 더 포함하는,
    편광자 장치를 제조하기 위한 방법.
  7. 제1 항 내지 제6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 패터닝된 레지스트 구조의 라인들은 220 nm 이상의 레지스트 피치(resist pitch)를 갖는 라인 어레이를 형성하는,
    편광자 장치를 제조하기 위한 방법.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 전도성 라인들은 상기 레지스트 피치의 30% 내지 70%의 와이어 피치를 갖는 와이어 어레이를 형성하는,
    편광자 장치를 제조하기 위한 방법.
  9. 제1 항 내지 제8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 패터닝된 레지스트 구조는 임프린트 리소그래피(imprint lithography)를 통해 형성되는,
    편광자 장치를 제조하기 위한 방법.
  10. 최상부 표면 및 2개 이상의 측부 표면들을 갖는 광학적으로 반사성이고 그리고 전기적으로 전도성인 라인들의 와이어 어레이를 포함하며,
    상기 광학적으로 반사성이고 그리고 전기적으로 전도성인 라인들은 적어도, 제1 전도성 라인 및 인접한 제2 전도성 라인을 포함하고, 상기 제1 전도성 라인 및 상기 인접한 제2 전도성 라인 각각은 상기 2개 이상의 측부 표면들 중 제1 측부 표면의 제1 높이를 갖고, 상기 제1 측부 표면의 제1 높이는 상기 2개 이상의 측부 표면들 중 제2 측부 표면의 제2 높이보다 더 작아서, 상기 제1 전도성 라인 및 상기 제2 전도성 라인 각각은 비대칭적이고, 그리고 상기 제1 전도성 라인과 상기 제2 전도성 라인은 전도성 라인들의 대칭적인 쌍을 형성하는,
    편광자 장치.
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 제1 전도성 라인 및 상기 제2 전도성 라인 각각의 최상부 표면들은 비대칭적으로 만곡되고, 그리고 상기 제1 전도성 라인 및 상기 제2 전도성 라인의 최상부 표면들은 상기 전도성 라인들의 대칭적인 쌍을 생성하도록 만곡되는,
    편광자 장치.
  12. 제10 항 또는 제11 항에 있어서,
    상기 와이어 어레이에 전기적으로 커플링되는 접지 프레임을 더 포함하는,
    편광자 장치.
  13. 제10 항 내지 제12 항 중 어느 한 항에 있어서,
    가시광을 편광시키도록 미세 와이어 어레이가 이격되고 치수가 정해지는,
    편광자 장치.
  14. 제10 항 내지 제13 항 중 어느 한 항에 따른 제1 편광자 장치, 특히 제1 차폐 반사성 광학 편광자;
    상기 제1 편광자 장치에 인접하게 배치된 컬러 필터;
    상기 컬러 필터에 인접하게 배치된 박막 트랜지스터 및 액정 층;
    제9 항 내지 제11 항 중 어느 한 항에 따른 제2 편광자 장치, 특히 제2 차폐 반사성 광학 편광자 ― 상기 제2 편광자 장치는 상기 박막 트랜지스터 및 액정 층에 인접하게 배치됨 ―; 및
    백라이트 어셈블리(backlight assembly)를 포함하며,
    상기 백라이트 어셈블리는 광원 및 백 리플렉터(back reflector)를 포함하고, 상기 백라이트 어셈블리는 상기 제2 편광자 장치에 인접하게 배치되는,
    디스플레이 시스템.
  15. 제14 항에 있어서,
    상기 제1 편광자 장치에 인접하게 배치된 하나 이상의 센서들을 더 포함하는,
    디스플레이 시스템.
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