CN111679356B - 偏振片及制备方法 - Google Patents

Abstract

本文公开了一种偏振片及制备方法，涉及但不限于显示技术领域。偏振片包括：衬底和设置于衬底上的偏振层，偏振层包括沿第一方向延伸并沿第二方向间隔设置的多个条状线栅和设置于相邻条状线栅之间的支撑条，支撑条与相邻的条状线栅连接，第一方向与第二方向交叉。本文通过在相邻的条状线栅之间连接支撑条，支撑条可以支撑条状线栅，以加固条状线栅，防止条状线栅在制备过程中出现倒伏，提升偏振片光学偏振度和透光率。

Description

偏振片及制备方法

技术领域

本申请涉及但不限于显示技术领域，尤指一种偏振片及制备方法。

背景技术

金属线栅偏振片(Wire Grid Polarizer，WGP)是指在透明基底上分布着的周期远小于入射光波长的金属线栅，对于偏振方向平行于线栅的横向电(Transvers Electric，TE)偏振光入射到金属线栅表面时，将引起电子沿金属线栅方向自由振荡，TE偏振光被金属线1栅表面反射；对于偏振方向垂直于金属线栅的横向磁(Transvers Magnetic，TM)偏振光，由于金属线栅线宽远小于入射光波波长，该方向上的电子振荡受到限制，TM偏振光将直接透过。

为实现WGP高偏振度特性，从而极大提升显示器件对比度，可以增大金属线栅的高度。但是在实际WGP制备过程中，随着线栅高度的增加，线栅会出现倒伏，降低偏振片的光学偏振度和透光率。

发明内容

以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。

本申请实施例提供了一种偏振片及制备方法，可以有效防止偏振片的线栅倒伏。

本申请实施例所提供的偏振片，包括衬底和设置于衬底上的偏振层，偏振层包括沿第一方向延伸并沿第二方向间隔设置的多个条状线栅和设置于相邻所述条状线栅之间的支撑条，支撑条与相邻的条状线栅连接，第一方向与第二方向交叉。

在一示例性实施例中，在每个相邻的条状线栅之间，支撑条沿第二方向延伸并沿第一方向间隔设置。

在一示例性实施例中，相邻的支撑条之间的间距为100微米到1000微米。

在一示例性实施例中，在第一方向上，支撑条的宽度为1微米到6微米。

在一示例性实施例中，在垂直于衬底方向上，条状线栅的高度大于或等于支撑条的高度。

在一示例性实施例中，第一方向与第二方向垂直。

在一示例性实施例中，在垂直于衬底方向，条状线栅的高度为100纳米到300纳米，在第二方向上，条状线栅的宽度为40纳米到80纳米。

在一示例性实施例中，条状线栅的高宽比为1.25到7.5，高宽比为条状线栅的高度与宽度的比值。

在一示例性实施例中，相邻的条状线栅之间的间距为40纳米到80纳米。

本申请实施例所提供的偏振片的制备方法，包括：

在衬底上形成偏振层，偏振层包括沿第一方向延伸并沿第二方向间隔设置的多个条状线栅和设置于相邻条状线栅之间的支撑条，支撑条与相邻的条状线栅连接，第一方向与第二方向交叉。

在一示例性实施例中，在衬底上形成偏振层，包括：

在衬底上形成构图层；

在构图层上形成多个压印条，多个压印条沿第一方向延伸并沿第二方向间隔设置；

在多个压印条和构图层上形成多个牺牲条，多个牺牲条沿第二方向延伸并沿第一方向间隔设置；

通过刻蚀工艺刻蚀牺牲条以及未被压印条与牺牲条覆盖的构图层；

剥离压印条，形成偏振层，与压印条对应位置的构图层形成条状线栅，与牺牲条对应位置的构图层形成支撑条。

在一示例性实施例中，在构图层上形成多个压印条，包括：

在构图层上形成压印层；

采用压印方式在压印层上形成压印图案，压印图案包括沿第一方向延伸并沿第二方向间隔设置的多个压印条。

在一示例性实施例中，在多个压印条和构图层上形成多个牺牲条，包括：

形成覆盖多个压印条的光刻胶层，采用掩膜板对光刻胶层进行曝光，显影后形成光刻胶图案，光刻胶图案包括沿第二方向延伸并沿第一方向间隔设置的多个光刻胶凹槽，光刻胶凹槽暴露出压印条和构图层；

形成覆盖光刻胶层和光刻胶凹槽的牺牲薄膜；

剥离光刻胶层，使光刻胶凹槽内的牺牲薄膜形成牺牲条，牺牲条沿第二方向延伸并沿第一方向间隔设置。

在一示例性实施例中，在第一方向上，牺牲条的宽度为100微米到300微米，相邻牺牲条之间的间距为100微米到1000微米。

本申请实施例所提供的偏振片及制备方法，通过在相邻的条状线栅之间连接支撑条，支撑条可以支撑条状线栅，以加固条状线栅，防止条状线栅在制备过程中出现倒伏，提升偏振片光学偏振度和透光率。

本申请实施例的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本申请而了解。

在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。

附图说明

附图用来提供对技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本申请的技术方案，并不构成对本申请技术方案的限制。

图1a为一种偏振片的平面图；

图1b为一种偏振片电镜下的形貌；

图2a为本申请实施例的偏振片的平面图；

图2b为图2a所示的A-A位置剖面图；

图2c为图2a所示的B-B位置剖面图；

图3a为本申请示例性实施例形成构图层后的平面图；

图3b为图3a中A-A位置剖面图；

图4a为本申请示例性实施例形成压印层图案后的平面图；

图4b为图4a中A-A位置剖面图；

图5a为本申请示例性实施例形成光刻胶层图案后的平面图；

图5b为图5a中A-A位置剖面图；

图6a为本申请示例性实施例一种形成牺牲层图案后的平面图；

图6b为本申请示例性实施例另一种形成牺牲层图案后的平面图；

图6c为图6a和图6b中A-A位置剖面图；

图7a为本申请示例性实施例形成牺牲层图案后的平面图；

图7b为图7a中A-A位置剖面图；

图8a为本申请实施例刻蚀构图层后的平面图；

图8b为图8a中A-A位置剖面图；

图9为本申请实施例偏振片电镜下的形貌。

附图标记说明

1-偏振片； 10-衬底； 10a-金属线栅；

11-偏振层； 111-条状线栅； 112-支撑条；

12-构图层； 13-压印条； 14-光刻胶凹槽；

15-牺牲层； 16-牺牲条。

具体实施方式

为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下文中将结合附图对本公开的实施例进行详细说明。注意，实施方式可以以多个不同形式来实施。所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实，就是方式和内容可以在不脱离本公开的宗旨及其范围的条件下被变换为各种各样的形式。因此，本公开不应该被解释为仅限定在下面的实施方式所记载的内容中。在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。

在附图中，有时为了明确起见，夸大表示了各构成要素的大、层的厚度或区域。因此，本公开的一个方式并不一定限定于该尺寸，附图中各部件的形状和大小不反映真实比例。此外，附图示意性地示出了理想的例子，本公开的一个方式不局限于附图所示的形状或数值等。

本说明书中的“第一”、“第二”、“第三”等序数词是为了避免构成要素的混同而设置，而不是为了在数量方面上进行限定的。

图1a为一种偏振片的平面图，图1b为一种偏振片电镜下的形貌。如图1a所示，偏振片1包括衬底10和设置于衬底10上平行排列并间隔设置的多条金属线栅10a。为了实现WGP高的光学偏振度，从而极大提升显示器件对比度，一种可行的方式为增大金属线栅的高度。但在WGP制备过程中，如图1b所示，金属线栅10a由于高度增加，金属线栅10a容易出现倒伏，而且倒伏没有规律性。金属线栅10a倒伏导致偏振片的光学偏振度和透光率等光学特性下降。金属线栅的高度可以为图1b所示的金属线栅竖直方向的长度。

本申请实施例提供了一种偏振片，包括：衬底和设置于衬底上的偏振层，偏振层包括沿第一方向延伸并沿第二方向间隔设置的多个条状线栅和设置于相邻条状线栅之间的支撑条，支撑条与相邻的条状线栅连接，第一方向与第二方向交叉。

本申请实施例通过在相邻的条状线栅之间连接支撑条，支撑条可以支撑条状线栅，以加固条状线栅，防止条状线栅在制备过程中出现倒伏，提升偏振片光学偏振度和透光率。

下面结合附图示例性说明本申请实施例技术方案。

图2a为本申请实施例的偏振片的平面图，图2b为图2a所示的A-A位置剖面图，图2c为图2a所示的B-B位置剖面图。如图2a所示，偏振片1包括：衬底10和设置于衬底10上的偏振层11，偏振层11包括沿第一方向延伸并沿第二方向间隔设置的多个条状线栅111和设置于相邻条状线栅111之间的支撑条112，支撑条112与相邻的条状线栅111连接，第一方向为图2a所示的X方向，第二方向为图2a所示的Y方向，第一方向与第二方向交叉，第一方向与第二方向之间的夹角可以为30°到150°，例如45°、60°、90°或135°。条状线栅111可以反射TE偏振光和透过TM偏振光，以形成单一方向的偏振光线，支撑条112可以支撑相邻的条状线栅111，防止条状线栅111倒伏，换句话说，条状线栅两侧的支撑条顶住条状线栅，加固条状线栅，使条状线栅保持与衬底大致垂直，防止条状线栅向两侧中的任何一侧倒伏。在一示例中，第一方向与第二方向之间的夹角可以为90°，换句话说，第一方向和第二方向垂直。

如图2a和2b所示，多个条状线栅111平行且沿第二方向等间距设置。相邻的条状线栅111之间的间距D1为40纳米到80纳米，条状线栅111的间距也可以称为条状线栅111周期。条状线栅的数量和周期根据实际的显示产品设定。条状线栅111的横截面大致呈矩形，在一些实施方式中，条状线栅111的横截面也可以为上宽下窄的梯形。条状线栅111的高宽比为1.25到7.5，高宽比为条状线栅的高度与宽度的比值，也就是如图2b中H1/L1的比值，高的高宽比可以提升偏振片的光线偏振度，进而提升显示装置的分辨率。在一示例中，在垂直于衬底的方向上，条状线栅111的高度H1为100纳米到300纳米，条状线栅的高度也可以称为条状线栅的厚度。在第二方向上，条状线栅111的宽度L1为40纳米到80纳米，因此条状线栅可以称为纳米线栅。条状线栅的材料包括铝、铬、金、银和镍中至少一种。对于偏振方向平行于第一方向的TE偏振光入射到条状线栅表面时，将引起电子沿第一方向方向自由振荡，TE偏振光被条状线栅反射；对于偏振方向垂直于第一方向的TM偏振光，由于条状线栅线宽远小于入射光的波长，该第一方向上的电子振荡受到限制，TM偏振光将直接透过。

如图2b-2c所示，在每个相邻的条状线栅111之间，支撑条112沿第二方向延伸并沿第一方向间隔设置，支撑条的数量根据实际需求设定，在保证条状线栅111不倒伏的情况下，越少越好。相邻的支撑条112之间的间距可以为100微米到500微米。在垂直于衬底的方向上，支撑条112的高度小于或等于条状线栅111的高度。支撑条112的高度H2为100纳米到300纳米。支撑条112的沿第一方向的宽度L2为1微米-6微米。支撑条112沿第二方向的宽度等于条状线栅111的周期。支撑条112的宽度越细越好，这样肉眼在一定观测距离不可见，不影响显示产品的外观品质。根据模拟结果：观测距离在50厘米下，支撑条112宽度L2在6微米及以下，并且相邻支撑条112的间距D2在145微米以上时，肉眼无法观测。支撑条的材料包括铝、铬、金、银和镍中至少一种，支撑条的材料与条状线栅的材料可以相同，或可以不同。在一示例中，支撑条形成沿第一方向和第二方向延伸的多排多列，支撑条与条状线栅形成网格状结构。

在本实施例中，条状线栅和支撑条可以同层设置。条状线栅和支撑条的材料均采用铝，

本申请实施例提供了一种偏振片，通过在相邻的条状线栅之间设置支撑条，支撑条在条状线栅制备过程中支撑条状线栅，加固条状线栅，防止条状线栅在制备过程中倒伏，特别是在制备高高宽比的偏振片时，并且由于支撑条沿第一方向具有较大的宽度，相邻的支撑条之间又具有较大的间隔，不会对光学偏振度产生影响，进而提升偏振片光学偏振度和透过率。

在一示例性实施例中，支撑条至少位于条状线栅邻近端部的位置，并与条状线栅端面设置间隔，间隔为100微米到1000微米。

在一示例性实施例中，偏振片还包括设置于偏振层远离衬底一侧的保护层，保护层在衬底上的正投影与偏振层在衬底上的正投影重合。保护层的材料包括氧化硅SiO_x和氮化硅Si_xN_y中一种或多种。在垂直于衬底的方向上，保护层的厚度为50纳米到200纳米。条状线栅和支撑条采用金属材料制成，保护层使得条状线栅和支撑条在使用过程不易产生锈蚀，延长了偏振片的使用寿命。

下面通过偏振片的制备过程示例性说明偏振片的技术方案。在本示例中，所说的“构图工艺”包括沉积膜层、涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀和剥离光刻胶等处理。沉积可以采用选自溅射、蒸镀和化学气相沉积中的任意一种或多种，涂覆可以采用选自喷涂和旋涂中的任意一种或多种，刻蚀可以采用选自干刻和湿刻中的任意一种或多种。“薄膜”是指将某一种材料在基底上利用沉积或涂覆工艺制作出的一层薄膜。若在整个制作过程当中该“薄膜”无需构图工艺，则该“薄膜”还可以称为“层”。当在整个制作过程当中该“薄膜”还需构图工艺，则在构图工艺前称为“薄膜”，构图工艺后称为“层”。经过构图工艺后的“层”中包含至少一个“图案”。本公开中所说的“A和B同层设置”是指，A和B通过同一次构图工艺同时形成。

(1)在衬底上形成构图层。在衬底上形成构图层包括：在衬底10上沉积金属薄膜，如图3a和3b所示，金属薄膜形成构图层12。金属薄膜材料包括：铝、铬、金、银和镍中至少一种，金属薄膜的厚度为100纳米到300纳米。图3a为本申请示例性实施例形成构图层后的平面图，图3b为图3a中A-A位置剖面图。

(2)在构图层上形成压印层图案。在构图层上形成压印层图案可以包括：先通过涂覆工艺在构图层12上涂覆压印胶，形成压印层，然后采用压印模板压印该压印层，如4a和4b所示，在压印层上形成压印图案，图4a为本申请示例性实施例形成压印图案后的平面图，图4b为图4a中A-A位置剖面图。在示例性实施方式中，压印图案包括沿第一方向(图4a所示X方向)延伸并沿第二方向(图4a所示的Y方向)间隔设置的多个压印条13，第一方向垂直于第二方向，多个压印条13等间距平行设置，压印条的横截面大致呈矩形，压印条13的宽度L3为40纳米到80纳米，相邻压印条13的间距D3为40纳米到80纳米。相邻压印条13之间的构图层12被暴露。在本示例中，压印胶可以包括聚甲基丙烯酸甲酯压印胶和硅氧烷共聚物压印胶中一种或多种。

(3)在形成前述图案的衬底上形成光刻胶层图案。在形成前述图案的衬底上形成光刻胶图案包括：通过涂覆工艺在形成前述图案的衬底上涂覆光刻胶，形成光刻胶层，采用掩膜板对光刻胶层进行曝光，显影后，如5a和5b所示，形成光刻胶图案，图5a为本申请示例性实施例形成光刻胶层图案后的平面图，图5b为图5a中A-A位置剖面图。光刻胶图案包括沿第二方向延伸并沿第一方向间隔设置的多个光刻胶凹槽14，光刻胶凹槽14暴露出压印条13和构图层12，也就是如图5b所示，在此工艺后，光刻胶凹槽14对应位置的薄层结构未发生变化。光刻胶凹槽14的数量与待制备的偏振片的尺寸相关。光刻胶凹槽14的宽度L4为1微米到6微米，相邻光刻胶凹槽14的间距D4为100微米到1000微米。

(4)在形成前述图案的衬底上形成牺牲层图案。在形成前述图案的衬底上形成牺牲层图案包括：在形成前述图案的衬底上沉积牺牲层薄膜，通过构图工艺对牺牲层薄膜进行构图，如6a和6c所示，形成牺牲层15图案，图6a为本申请示例性实施例一种形成牺牲层图案后的平面图，图6c为图6a中A-A位置剖面图。牺牲层15覆盖暴露出的压印条13和构图层12以及光刻胶凹槽14的侧壁，光刻胶层上的牺牲层薄膜被刻蚀掉。在一示例性实施例中，牺牲层的材料与构图层的材料相同，包括：铝、铬、金、银和镍中至少一种。在一示例中，牺牲层的厚度小于构图层的厚度，在另一示例中，牺牲层的厚度等于构图层的厚度。牺牲层的厚度为100纳米到300纳米。在另一示例性实施例中，牺牲层薄膜不进行构图，如图6b所示，在形成前述图案的衬底上沉积牺牲层薄膜后，牺牲层薄膜形成牺牲层15，光刻胶凹槽对应位置的牺牲层如图6c所示，不再赘述，图6b为本申请示例性实施例另一种形成牺牲层图案后的平面图。

(5)剥离光刻胶层。剥离光刻胶层包括：去除光刻胶层，如7a和7b所示，暴露出光刻胶层覆盖的压印条13和构图层12，牺牲层15覆盖光刻胶凹槽侧壁的位置被去除掉，牺牲层15形成多个沿第二方向延伸并沿第一方向间隔设置的多个牺牲条16，图7a为本申请示例性实施例形成牺牲层图案后的平面图，图7b为图7a中A-A位置剖面图。在一示例性实施例中，牺牲条16的沿第一方向的宽度L5为1微米到6微米，相邻牺牲条16之间的间距D5为100微米到1000微米。

(6)形成偏振层图案。形成偏振层图案包括：通过刻蚀工艺，刻蚀掉被暴露的构图层和牺牲条，被暴露的构图层包括：压印条13和牺牲条16未覆盖的部分，也就是，压印条13之间但不包括牺牲条16覆盖的部分，如图8a和8b所示，与压印条13对应的位置的构图层12形成条形线栅，与牺牲条16对应的位置的构图层12形成支撑条，图8a为本申请实施例刻蚀构图层后的平面图，图8b为图8a中A-A位置剖面图。剥离压印条，如图2a所示，形成偏振层图案。偏振层图案包括沿第一方向延伸并沿第二方向间隔设置的多个条状线栅111和设置于相邻条状线栅111之间的多个支撑条112，所有支撑条112形成沿第一方向和第二方向延伸的多行多列，并与条状线栅111形成网格结构。在一示例中，在垂直于衬底的平面内，牺牲条的厚度小于构图层的厚度，在刻蚀过程中，与牺牲条位置对应的构图层部分被刻蚀，造成支撑条的高度小于条状线栅的高度，形成如图2b所示的结构。在另一示例中，在垂直于衬底的平面内，牺牲条的厚度等于或大于构图层的厚度，在刻蚀过程中，与牺牲条位置对应的构图层未被刻蚀，支撑条的高度等于条状线栅的高度，或者支撑条的高度大于条状线栅的高度。在本示例中，一般刻蚀工艺可以包括湿法刻蚀和干法刻蚀，其中，湿法刻蚀是将被刻蚀材料浸泡在腐蚀液内进行腐蚀的技术，其适应性强，应用广泛。由于湿法刻蚀具有各向同性，所以在对金属层刻蚀时，上层压印层的图案与下层构图层上被刻蚀出的图案会存在一定的偏差，可能导致无法高质量地完成图形转移和复制的工作。干法刻蚀一般是采用等离子体进行薄膜刻蚀的技术，其可以实现高的高宽比。本示例中的制作过程是为了形成纳米级别的图形，由于湿法刻蚀偏差较大，在本示例提供的制作过程中，刻蚀工艺可以为干法刻蚀。在实际应用中，干法刻蚀可以与现有技术中的工艺相同，在此不做赘述。

图9为本申请实施例偏振片电镜下的形貌。通过上述制备过程，形成如图9所示的偏振片，通过偏振片电镜下的形貌可以看出，条状线栅无倒伏现象，说明采用本申请实施例的制备过程有效的改善了条状线栅倒伏的问题。

通过上述制备过程，制备的偏振片1包括：

衬底10；

设置于衬底10上的偏振层11，偏振层11包括沿第一方向延伸并沿第二方向间隔设置的多个条状线栅111和设置于相邻条状线栅111之间的支撑条112，支撑条112与相邻的条状线栅111连接，第一方向和第二方向交叉。

在本示例中，衬底包括玻璃、石英或聚酰亚胺衬底。

通过本示例中偏振片的制备过程可以看出，通过在偏振片的制备过程中，形成牺牲条，牺牲条覆盖的构图层在刻蚀过程中不被刻蚀掉或部分刻蚀掉，支撑条和条状线栅同时形成，支撑条连接相邻的条状线栅，支撑条可以支撑条状线栅上，加固条状线栅，防止条状线栅倒伏，保证条状线栅高宽比一致，提升偏振片的光线偏振度。

本申请实施例还提供了一种偏振片的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成偏振层，偏振层包括沿第一方向延伸并沿第二方向间隔设置的多个条状线栅和设置于相邻条状线栅之间的支撑条，支撑条与相邻的条状线栅连接，第一方向与第二方向交叉。

在一示例性实施例中，在衬底上形成偏振层，包括：

在衬底上形成构图层；

在构图层上形成多个压印条，多个压印条沿第一方向延伸并沿第二方向间隔设置；

在多个压印条和构图层上形成多个牺牲条，多个牺牲条沿第二方向延伸并沿第一方向间隔设置；

通过刻蚀工艺刻蚀牺牲条以及未被压印条与牺牲条覆盖的构图层；

剥离压印条，形成偏振层，与压印条对应位置的构图层形成条状线栅，与牺牲条对应位置的构图层形成支撑条。

在一示例性实施例中，在构图层上形成多个压印条，包括：

在构图层上形成压印层；

采用压印方式在压印层形成压印图案，压印图案包括沿第一方向延伸并沿第二方向间隔设置的多个压印条。

在一示例性实施例中，在多个压印条和构图层上形成多个牺牲条，包括：

形成覆盖多个压印条的光刻胶层，采用掩膜板对光刻胶层进行曝光，显影后形成光刻胶图案，光刻胶图案包括沿第二方向延伸并沿第一方向间隔设置的多个光刻胶凹槽，光刻胶凹槽暴露出压印条和构图层；

形成覆盖光刻胶层和光刻胶凹槽的牺牲薄膜；

剥离光刻胶层，使光刻胶凹槽内的牺牲薄膜形成牺牲条，牺牲条沿第二方向延伸并沿第一方向间隔设置。

在一示例性实施例中，在第一方向上，牺牲条的宽度为100微米到300微米，相邻牺牲条之间的间距为100微米到1000微米。

本申请实施例提供了一种偏振片的制备方法，通过形成与条状线栅连接的支撑结构，支撑结构在制备过程中支撑条状线栅，防止条状线栅倒伏，特别是在制备高高宽比的偏振片时，提升偏振片光学偏振度和透过率。

在本公开中的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”、“一侧”、“另一侧”、“一端”、“另一端”、“边”、“相对”、“四角”、“周边”、““口”字结构”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本公开和简化描述，而不是指示或暗示所指的结构具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。

在本申请实施例的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“连接”、“直接连接”、“间接连接”、“固定连接”、“安装”、“装配”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；术语“安装”、“连接”、“固定连接”可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

虽然本申请实施例所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本申请实施例而采用的实施方式。任何本公开所属领域内的技术人员，在不脱离本公开所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本公开的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定为准。

Claims (11)

1.一种偏振片，其特征在于，包括：衬底和设置于所述衬底上的偏振层，所述偏振层包括沿第一方向延伸并沿第二方向间隔设置的多个条状线栅和设置于相邻所述条状线栅之间的支撑条，所述支撑条与相邻的所述条状线栅连接，所述第一方向与所述第二方向交叉；

所述支撑条和所述条状线栅由同一层构图层形成；

在每个相邻的所述条状线栅之间，所述支撑条沿第二方向延伸并沿第一方向间隔设置，相邻的所述支撑条之间的间距为100微米到1000微米；在所述第一方向上，所述支撑条的宽度为1微米到6微米；在所述第二方向上，所述条状线栅的宽度为40纳米到80纳米。

2.根据权利要求1所述的偏振片，其特征在于：在垂直于所述衬底方向上，所述条状线栅的高度大于或等于所述支撑条的高度。

3.根据权利要求1-2任一项所述的偏振片，其特征在于：所述第一方向与所述第二方向垂直。

4.根据权利要求1-2任一项所述的偏振片，其特征在于：在垂直于所述衬底方向上，所述条状线栅的高度为100纳米到300纳米。

5.根据权利要求4所述的偏振片，其特征在于：所述条状线栅的高宽比为1.25到7.5，所述高宽比为条状线栅的高度与宽度的比值。

6.根据权利要求1-2任一项所述的偏振片，其特征在于：相邻的所述条状线栅之间的间距为40纳米到80纳米。

7.一种偏振片的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成偏振层，所述偏振层包括沿第一方向延伸并沿第二方向间隔设置的多个条状线栅和设置于相邻所述条状线栅之间的支撑条，所述支撑条与相邻的所述条状线栅连接，所述第一方向与所述第二方向交叉；

所述支撑条和所述条状线栅由同一层构图层形成；

在每个相邻的所述条状线栅之间，所述支撑条沿第二方向延伸并沿第一方向间隔设置，相邻的所述支撑条之间的间距为100微米到1000微米；在所述第一方向上，所述支撑条的宽度为1微米到6微米；在所述第二方向上，所述条状线栅的宽度为40纳米到80纳米。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于：在衬底上形成偏振层，包括：

在衬底上形成构图层；

在所述构图层上形成多个压印条，多个所述压印条沿第一方向延伸并沿第二方向间隔设置；

在多个所述压印条和所述构图层上形成多个牺牲条，多个所述牺牲条沿第二方向延伸并沿第一方向间隔设置；

通过刻蚀工艺刻蚀牺牲条以及未被所述压印条与所述牺牲条覆盖的构图层；

剥离所述压印条，形成偏振层，与所述压印条对应位置的构图层形成条状线栅，与所述牺牲条对应位置的构图层形成支撑条。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于：在所述构图层上形成多个压印条，包括：

在所述构图层上形成压印层；

采用压印方式在所述压印层上形成压印图案，所述压印图案包括沿第一方向延伸并沿第二方向间隔设置的多个压印条。

10.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于：在多个所述压印条和所述构图层上形成多个牺牲条，包括：

形成覆盖多个所述压印条的光刻胶层，采用掩膜板对所述光刻胶层进行曝光，显影后形成光刻胶图案，所述光刻胶图案包括沿第二方向延伸并沿第一方向间隔设置的多个光刻胶凹槽，所述光刻胶凹槽暴露出所述压印条和所述构图层；

形成覆盖所述光刻胶层和所述光刻胶凹槽的牺牲薄膜；

剥离所述光刻胶层，使所述光刻胶凹槽内的牺牲薄膜形成牺牲条，所述牺牲条沿第二方向延伸并沿第一方向间隔设置。

11.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于：在所述第一方向上，所述牺牲条的宽度为100微米到300微米，相邻所述牺牲条之间的间距为100微米到1000微米。

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