KR100647513B1 - 선격자 편광판용 나노패턴 몰드 및 이의 형성 방법 - Google Patents

선격자 편광판용 나노패턴 몰드 및 이의 형성 방법 Download PDF

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KR100647513B1
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Abstract

본 발명은 디스플레이 장치용 선격자 편광판을 제조함에 있어 대면적에 고속으로 균일한 나노미터 크기의 패턴을 형성하기 위한 것으로, 기판에 제1 절연막을 형성하는 단계와, 제1 절연막 상에 실리콘막과 제2 절연막을 순차적으로 적층하는 단계와, 제2 절연막 상에 주기 T를 갖는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여 제2 절연막과 실리콘막을 차례대로 식각하는 단계와, 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계와, 식각된 실리콘막의 측벽을 산화하여 산화막 패턴을 형성하는 단계, 및 제2 절연막과 실리콘막을 제거하는 단계를 포함하여 형성된 선격자 편광판용 나노패턴 몰드 및 이의 형성방법을 제공한다.
선격자 편광판, 나노패턴, 몰드, 실리콘 산화

Description

선격자 편광판용 나노패턴 몰드 및 이의 형성 방법 {Nano-pattern mold for wire grid polarizers and method for forming thereof}
도 1 내지 도 4는 종래 기술에 의해 형성된 선격자 편광판용 나노패턴 몰드를 나타낸 다양한 실시예이다.
도 5a 내지 도 5g는 본 발명의 일 실시예에 따른 선격자 편광판용 나노패턴 몰드의 형성 방법을 순차적으로 도시한 공정 단면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따라 형성된 나노패턴의 시뮬레이션 측정 결과를 도시한 도면이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따라 형성된 나노패턴의 단면을 전자현미경으로 찍은 사진이다.
도 8a 내지 도 8g는 본 발명의 다른 실시예에 따른 선격자 편광판용 나노패턴 몰드의 형성 방법을 순차적으로 도시한 공정 단면도이다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따라 형성된 나노패턴의 시뮬레이션 측정 결과를 도시한 도면이다.
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따라 형성된 나노패턴의 단면을 전자현미경으로 찍은 사진이다.
(도면의 주요부분에 대한 부호의 설명)
1,10;기판 2,20;제1 절연막
3,30;실리콘막 4,40;제2 절연막
5,50;포토레지스트 패턴 6,60;산화막 패턴
A;언더컷 32;테일
본 발명은 디스플레이 장치용 선격자 편광판을 제조하는 데 사용되는 몰드 및 그 형성 방법에 관한 것으로, 특히 대면적에 고속으로 균일한 나노미터 크기의 패턴을 형성한 선격자 편광판용 나노패턴 몰드 및 이의 형성 방법에 관한 것이다.
선격자 편광판은 높은 편광 효율을 가지고 있기 때문에 디스플레이 장치의 선명한 화질을 구현하는 데에 필수적이다.
이중 가시광선 영역에서 동작하는 선격자 편광판의 경우, 디스플레이 장치의 면적과 같은 대면적에 100~150nm의 주기를 가지는 패턴이 균일하게 형성되는 경우가 편광판으로서의 최적의 성능을 가질 수 있다.
따라서, 이러한 구조를 갖는 선격자 편광판을 빠르고 저렴하게 제작하기 위해서는 나노패턴이 형성되어 있는 몰드를 이용하여 반복적으로 복제해 낼 수 있어야 하므로 대면적의 나노패턴이 형성되어 있는 몰드를 값싸게 제작하는 것이 중요 하다.
일반적으로, 선격자(wire grid)의 성능은 선과 선 중심간의 거리 즉, 주기와 입사하는 파(이하, '입사파'라 함)의 파장에 따라 주로 결정된다. 예를 들어, 격자 주기가 입사파의 파장에 비해 길어지면, 격자는 편광에 무관하게 회절하여 이론적으로 잘 알려진 위상차에 의한 회절 간섭 무늬를 형성하게 된다. 반면에, 격자 간격 즉, 주기가 입사파의 파장보다 짧으면, 격자는 편광판으로 작용하게 되어 격자에 평행하게 편광된 파장은 반사시키고 격자에 수직으로 편광된 파장은 투과시킨다.
최근 들어, 선격자는 반도체 제조 기술의 발달에 힘입어 대략 0.1㎛ 정도의 선폭을 형성할 수 있게 되었다. 이에 따르면, 선격자 편광판의 격자 주기는 0.2㎛가 될 수 있다.
이러한 주기를 갖는 종래의 나노패턴은 아르곤 엑시머 레이저(Ar excimer laser)를 이용한 광학적 리소그래피 방식으로 손쉽게 형성할 수 있지만, 이보다 더 작은 주기를 갖는 나노패턴을 형성할 경우에는 초고가의 장비와 마스크가 필요한 단점이 있다.
이러한 단점으로 인해 전자빔 리소그래피(E-beam lithography), 나노임프린트(nanoimprint), 레이저 간섭 리소그래피, 스페이서 리소그래피(spacer lithography) 방식 등을 이용하여 선격자 편광판용 나노패턴 몰드를 형성하기 위한 연구가 활발히 진행되고 있다.
참고로, 도 1 내지 도 4는 종래 기술에 의해 형성된 선격자 편광판용 나노패 턴 몰드를 나타낸 다양한 실시예이다.
이중 전자빔 리소그래피(E-beam lithography) 방식의 경우, 도 1에 도시된 바와 같이 분해능이 0.004㎛까지 개선되어 나노패턴 몰드를 형성하는 데에 가장 적합한 방식 중의 하나이긴 하나, 디스플레이 장치의 면적과 같은 대면적에 고속으로 나노패턴을 형성할 수 없다는 치명적인 단점을 가지고 있다(S. Yasin, et. al., Applied Physics Letters, 78, pp. 2760-2762, 2001).
나노임프린트(nanoimprint) 방식의 경우는, 도 2에 도시된 바와 같이 선폭이 70nm이고 주기가 200nm인 나노패턴을 형성할 수 있으나, 공정상 거쳐야 할 단계가 많다. 또한, 공정상의 문제로 인해 대면적에 균일한 나노패턴을 형성하기가 어려운 단점이 있다(S. Chou, et. al., Journal of Vacuum Science and Technology B, 14, pp. 4129-4133, 1996).
레이저 간섭 리소그래피 방식의 경우에도, 도 3에 도시된 바와 같이 선격자 형상의 나노패턴을 형성할 수 있는 좋은 방법이지만, 장비의 특성상 대면적에 형성하기가 어렵다(J. P. Spallas, et. al., Journal of Vacuum Science and Technology B, 13, pp. 1973-1978, 1995).
스페이서 리소그래피(spacer lithography) 방식의 경우는, 도 4의 (a)에 도시된 바와 같이 먼저 기존의 광학적 리소그래피를 통해 주기가 큰 패턴을 형성한 후, 박막을 반복적으로 증착하고 식각함으로써 주기를 줄이는 방법으로, 기존의 방법들 중에서 대면적에 고속으로 나노패턴을 형성할 수 있는 가장 좋은 방법 중에 하나이다(Y.-K. Choi, et. al., Journal of Vacuum Science and Technology B, 21, pp. 2951-2955, 2003). 도 4의 (b)는 (a)에 도시된 각 공정 단계를 거쳐 형성된 나노패턴을 전자현미경으로 찍은 사진이다.
그런데, 이러한 스페이서 리소그래피 방식 또한 나노패턴을 형성하기까지 거쳐야 할 공정 단계가 많아 작업 시간이 지연될 수 있으며, 식각 공정 조건에 매우 민감하여 나노패턴의 균일도가 낮다는 단점을 가진다.
상술한 바와 같이, 종래에는 다양한 나노패턴 형성 방법을 이용하여 다수의 선격자 편광판 제조 방법이 고안되었는데, 특히 Moxtech 사는 이미 출원된 미국특허공보 제 6,122,103 호에 게재된 바와 같이 굴절률이 낮은 영역을 기판 위에 형성하고 그 위에 선격자를 형성함으로써 편광 성능을 향상시킨 선격자 편광판을 제공하고 있다.
또한, NanoOpto 사는 나노임프린트 방법을 이용하여 나노패턴을 형성하고 그 위에 알루미늄을 비스듬히 증착함으로써 제조하는 새로운 선격자 편광판 제조 방법을 제안하였다(J. J. Wang, et. al., IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, 11, pp. 241-253, 2005).
또한, LG 전자에서는 기출원된 대한민국 특허 공개 번호 제 2005-38243 호에 제안된 바와 같이 나노임프린트 방법과 스페이서 리소그래피 방법을 결합하여 100nm의 주기를 가지는 선격자 편광판 제조 방법을 제공하였다.
따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 대면적에 100 내지 150nm의 주기를 가지는 균일한 나노패턴이 형성된 선격자 편광판용 나노패턴 몰드를 제공하고자 하는 것이다.
본 발명의 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 선격자 편광판용 나노패턴 몰드를 고속으로 저가에 형성할 수 있는 선격자 편광판용 나노패턴 몰드의 형성 방법을 제공하고자 하는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 또 다른 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 선격자 편광판용 나노패턴 몰드의 형성 방법은 (a)기판에 제1 절연막을 형성하는 단계와, (b)제1 절연막 상에 실리콘막과 제2 절연막을 순차적으로 적층하는 단계와, (c)제2 절연막 상에 주기 T를 갖는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와, (d)포토레지스트 패턴을 마스크로 하여 제2 절연막과 실리콘막을 차례대로 식각하는 단계와, (e)포토레지스트 패턴을 제거하는 단계와, (f)식각된 실리콘막의 측벽을 산화하여 산화막 패턴을 형성하는 단계, 및 (g)제2 절연막과 실리콘막을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이때, 상기 (f)단계에서는 상기 산화막 패턴이 T/2의 주기를 갖도록 형성하 는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 (f)단계에서 상기 산화막 패턴의 폭은 상기 실리콘막의 측벽이 산화되는 두께 정도에 따라 결정되고, 그 높이는 상기 식각된 실리콘막의 두께 정도에 따라 결정되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 (a)단계에서 상기 제1 절연막은 실리콘 산화물로 형성하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 (b)단계에서 상기 실리콘막은 단결정 실리콘, 비정질 실리콘, 다결정 실리콘 중 어느 하나로 형성하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 (b)단계에서 상기 제2 절연막은 실리콘 질화물로 형성하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 (c)단계에서 상기 포토레지스트 패턴은 광학적 리소그래피 방식을 이용한 것을 특징으로 한다. 이 경우, 상기 주기 T는 130nm 내지 360nm 인 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 (d)단계에서 실리콘막을 식각하는 단계는 일 실시예로서, 상기 제1 절연막이 외부로 드러나도록 상기 실리콘막을 바닥면까지 식각하여 식각된 실리콘막의 단면이 장방형의 모양을 갖도록 하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 (d)단계에서 상기 실리콘막을 식각하는 단계는 다른 실시예로서, 상기 식각된 실리콘막의 측벽 하부에 테일이 남도록 하는 것을 특징으로 한다.
한편, 상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 선격자 편광판용 나노패턴 몰드는 상술한 방법에 의해 형성된 것을 특징으로 한다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다. 본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 따른 선격 편광판용 나노패턴 몰드 및 이의 형성 방법에 대하여 상세히 설명한다.
실시예 1
도 5a 내지 도 5g는 본 발명의 일 실시예에 따른 선격자 편광판용 나노패턴 몰드의 형성 방법을 순차적으로 도시한 공정 단면도이고, 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따라 형성된 나노패턴의 시뮬레이션 측정 결과를 도시한 도면이며, 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따라 형성된 나노패턴의 단면을 전자현미경으로 찍은 사진이다.
도 5a를 참조하면, 먼저 기판(1)에 제1 절연막(2)을 형성한다. 제1 절연막(2)은 실리콘 산화물로 형성하는 것이 바람직하다.
다음으로 도 5b를 참조하면, 전 단계에서 적층된 제1 절연막(2) 상에 실리콘막(3)과 제2 절연막(4)을 순차적으로 적층한다.
이때, 실리콘막(3)은 단결정 실리콘, 비정질 실리콘, 다결정 실리콘 중 어느 하나로 형성하고, 제2 절연막(4)은 실리콘 질화물로 형성한다. 이는 추후에 실리콘막(3)을 산화하는 경우 제2 절연막(4)이 동시에 산화되지 않도록 하기 위함으로, 이에 대한 내용은 하기에서 설명하기로 한다.
다음으로 도 5c를 참조하면, 제2 절연막(4) 상에 포토레지스트를 적층하고 리소그래피 방식으로 T의 주기를 갖는 소정의 패턴을 형성함으로써 도시된 바와 같은 포토레지스트 패턴(5)을 형성한다.
이 경우, 리소그래피 방식은 주로 광학적 리소그래피를 이용하며, 이에 한정되지 않고 대면적에 균일하게 패턴을 형성할 수 있는 방식이라면 다양하게 적용이 가능하다.
광학적 리소그래피 방식을 이용한 경우, 포토레지스트 패턴(5)의 주기 T는 130nm 내지 360nm 범위내로 가능하다. 이때, 포토레지스트 패턴(5)의 주기 및 폭은 상술한 범위내에서 후술하는 산화막 나노패턴의 주기 및 선폭에 따라 결정될 것이다.
다음으로 도 5d를 참조하면, 포토레지스트 패턴(5)을 마스크로 하여 제2 절연막(4)과 실리콘막(3)을 순차적으로 식각한다. 이때, 실리콘막(3)은 하부의 제1 절연막(2)이 외부로 드러나도록 바닥면까지 충분히 식각함으로써 실리콘막(3)의 단면이 장방형 모양을 가질 수 있도록 한다.
다음으로, 도 5e에 도시된 바와 같이 포토레지스트 패턴(5)을 제거한다.
다음으로, 도 5f에 도시된 바와 같이 식각된 실리콘막(3)의 측벽을 산화하여 T/2 주기를 갖는 산화막 패턴(6)을 형성한다. 산화시, 제2 절연막(4)은 실리콘 질화막으로 형성되어 있기 때문에 산화되지 않고 실리콘막(3)의 측벽이 산화 정도에 따라 깎이게 되어 실리콘막(3)의 두께가 줄어들게 된다.
따라서, 산화막 패턴(6)의 폭은 실리콘막(3)의 측벽이 산화되는 두께 정도에 따라 결정되고, 그 높이는 식각된 실리콘막(3)의 두께 정도에 따라 결정되어지되, 제2 절연막(4)에 의해 제한된다.
이러한 산화막 패턴(6)은 제1 절연막(2)과 동일한 물질로 형성될 수도 있다.
마지막으로, 도 5g에 도시된 바와 같이 제2 절연막(4) 및 실리콘막(3)을 제거하여 선격자 편광판용 나노패턴 몰드를 완성한다.
이와 같이 완성된 본 발명의 일 실시예에 따른 선격자 편광판용 나노패턴 몰드는 기판(1)과, 제1 절연막(2), 및 나노미터 크기의 T/2의 주기를 갖는 산화막 패턴(6)이 순차적으로 적층된 구조를 갖는다.
그리고, 산화막 패턴(6)을 반도체 공정 시뮬레이션한 결과, 도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이 산화막 패턴(6)의 아래 부분에 언더컷(A)이 형성된 구조를 갖는다.
이때, 산화막 패턴(6)은 140nm의 주기를 갖는 나노패턴으로 도시하였으나, 이에 한정되지 않고 주기 T가 130nm 내지 360nm 의 범위를 갖을 경우 65nm 내지 180nm 범위내에서 다양하게 형성될 수 있음은 물론이다.
이는 가시광선 영역에서 동작하는 선격자 편광판이 편광판으로서의 가장 최적의 성능을 발휘할 수 있는 주기 100nm 내지 150nm 를 포함한 범위이다.
따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 선격자 편광판용 나노패턴 몰드의 형성 방법은 기존의 전자빔 리소그래피, 나노임프린트, 홀로그램 리소그래피, 스페이서 리소그래피 등을 이용하여 나노패턴을 형성하는 방법 대신, 광학적 리소그래피 방 식과 매우 균일한 실리콘의 측벽 산화 방식을 결합함으로써 대면적에 고속으로 균일한 나노미터 크기의 패턴을 형성하는 것이 가능하다.
실시예 2
도 8a 내지 도 8g는 본 발명의 다른 실시예에 따른 선격자 편광판용 나노패턴 몰드의 형성 방법을 순차적으로 도시한 공정 단면도이고, 도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따라 형성된 나노패턴의 시뮬레이션 측정 결과를 도시한 도면이며, 도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따라 형성된 나노패턴의 단면을 전자현미경으로 찍은 사진이다.
여기서, 본 발명의 다른 실시예에 따른 선격자 편광판용 나노패턴 몰드의 형성 방법은 실시예 1에서와 마찬가지로 광학적 리소그래피 방식과 실리콘의 측벽 산화 방식을 이용하되, 실리콘의 측벽 모양을 변형하여 실리콘이 산화됨에 따라 형성되는 나노미터 크기의 산화막 패턴 구조를 달리 형성하였다.
도 8a 내지 도 8g를 참조하면, 먼저 기판(10)의 상면에 제1 절연막(20)과 실리콘막(30) 및 제2 절연막(40)을 순차적으로 적층한다.
이때, 제1 절연막(20)은 실리콘 산화물로 형성하고, 실리콘막(30)은 단결정 실리콘, 비정질 실리콘, 다결정 실리콘 중 어느 하나로 형성하며, 제2 절연막(40)은 실리콘 질화물로 형성하는 것이 바람직하다.
이후, 도 8c에 도시된 바와 같이 제2 절연막(40) 상에 포토레지스트를 적층하고 리소그래피 방식을 이용하여 주기 T를 갖는 소정의 패턴을 형성한다.
따라서, 도시된 바와 같은 포토레지스트 패턴(50)을 형성한다.
여기서, 나노 미터 크기의 주기 T를 형성하기 위한 리소그래피 방식은 광학적 리소그래피 방식을 비롯하여, 대면적에 균일하게 패턴을 형성할 수 있는 방식이라면 모두 적용이 가능하다.
광학적 리소그래피 방식을 이용한 경우, 포토레지스트 패턴(50)의 주기 T는 130nm 내지 360nm 범위내로 형성할 수 있다.
이후, 도 8d 및 도 8e에 도시된 바와 같이 포토레지스트 패턴(50)을 마스크로 제2 절연막(40)과 실리콘막(30)을 차례대로 식각한 후, 포토레지스트 패턴(50)을 제거한다.
실리콘막(30)을 식각하는 경우, 하부의 제1 절연막(20)이 외부로 드러나도록 실리콘막(30)의 바닥면까지 충분히 식각하되, 실시예 1에서의 식각 구조와는 달리 실리콘막(30)의 측벽 하부에 테일(32)이 형성되도록 식각한다.
이후, 도 8f에 도시된 바와 같이 식각된 실리콘막(30)의 측벽을 산화시키면, 실리콘 질화막으로 형성된 제2 절연막(40)은 산화되지 않고 실리콘막(30)의 측벽이 산화되는 정도에 따라 깎이게 되어, T/2 주기를 갖는 산화막 패턴(60)을 형성할 수 있다.
이때, 실리콘막(30)의 산화는 측벽에 남아있는 테일(32)이 먼저 산화되기 때문에 실리콘막(30)의 측벽에 형성되는 산화막 패턴(60)은 실시예 1에서와 같은 언더컷(도 6의 A)이 형성되지 않고 장방형 모양과 유사하게 형성된다.
그리고, 산화막 패턴(60)의 폭은 실시예 1에서와 마찬가지로 실리콘막(30)의 측벽이 산화되는 두께 정도에 따라 결정되고, 높이는 식각된 실리콘막(30)의 두께 정도에 따라 결정되어진다.
이러한 산화막 패턴(60)은 경우에 따라 산화물계인 제1 절연막(20)과 동일한 물질로 형성될 수 있다.
이후, 도 8g에 도시된 바와 같이 제2 절연막(40) 및 실리콘막(30)을 제거하여 선격자 편광판용 나노패턴 몰드를 완성한다.
이와 같이 완성된 본 발명의 다른 실시예에 따른 선격자 편광판용 나노패턴 몰드는 기판(10)과, 제1 절연막(20), 및 나노미터 크기의 T/2의 주기를 갖는 산화막 패턴(60)이 순차적으로 적층된 구조를 갖는다.
또는, 제1 절연막(20)과 산화막 패턴(60)이 동일한 물질로 형성된 경우에는 기판(10)과, T/2의 주기를 갖는 소정의 나노패턴으로 형성된 제1 절연막(20)이 순차적으로 적층된 구조를 갖는다.
이때, 산화막 패턴(60) 또는 T/2의 주기를 갖는 제1 절연막(20)의 나노 패턴은 도 9 및 도 10에 도시된 바와 같이 아래 부분에 언더컷(도 6의 A)이 전혀 발생되지 않고, 장방형의 모양과 유사하게 형성된 구조이다.
이러한 본 발명의 다른 실시예에 따른 산화막 패턴을 선격자 편광판 제작을 위한 몰드로 사용하는 경우, 패턴 복제에 있어 언더컷(도 6의 A)으로 인해 발생될 수 있는 단점을 극복할 수 있는 이점이 있다. 즉, 나노패턴 복제를 통한 선격자 편광판 제조시 유리하다.
이하, 설명하지 않은 산화막 패턴(60)의 주기 및 몰드의 구조 등을 포함한 기술은 상술한 실시예 1에서와 동일하므로 중복되는 상세한 설명은 생략한다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
따라서, 이상에서 기술한 실시예들은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이므로, 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 하며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 선격자 편광판용 나노패턴 몰드의 형성 방법에 따르면, 대면적에 균일한 나노패턴을 가지는 가시광선용 선격자 편광판용 몰드를 고속으로 저가에 제작할 수 있다. 그리고, 기판의 종류, 나노패턴의 주기와 폭 및 높이를 응용분야나 또는 사용되는 빛의 파장에 따라 다양하게 변화시킴으로써 나노패턴이 형성된 몰드 자체를 나노그레이팅으로 사용할 수 있는 효과가 있다.

Claims (11)

  1. (a) 기판에 제1 절연막을 형성하는 단계;
    (b) 상기 제1 절연막 상에 실리콘막과 제2 절연막을 순차적으로 적층하는 단계;
    (c) 상기 제2 절연막 상에 주기 T를 갖는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;
    (d) 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 제2 절연막과 상기 실리콘막을 차례대로 식각하는 단계;
    (e) 상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계;
    (f) 상기 식각된 실리콘막의 측벽을 산화하여 산화막 패턴을 형성하는 단계; 및
    (g) 상기 제2 절연막과 상기 실리콘막을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 선격자 편광판용 나노패턴 몰드의 형성 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 (f)단계에서는
    상기 산화막 패턴이 T/2의 주기를 갖도록 형성하는 것을 특징으로 하는 선격자 편광판용 나노패턴 몰드의 형성 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 (f)단계에서
    상기 산화막 패턴의 폭은 상기 실리콘막의 측벽이 산화되는 두께 정도에 따라 결정되고, 그 높이는 상기 식각된 실리콘막의 두께 정도에 따라 결정되는 것을 특징으로 하는 선격자 편광판용 나노패턴 몰드의 형성 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 (a)단계에서
    상기 제1 절연막은 실리콘 산화물로 형성하는 것을 특징으로 하는 선격자 편광판용 나노패턴 몰드의 형성 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 (b)단계에서
    상기 실리콘막은 단결정 실리콘, 비정질 실리콘, 다결정 실리콘 중 어느 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 선격자 편광판용 나노패턴 몰드의 형성 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 (b)단계에서
    상기 제2 절연막은 실리콘 질화물로 형성하는 것을 특징으로 하는 선격자 편광판용 나노패턴 몰드의 형성 방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 (c)단계에서
    상기 포토레지스트 패턴은 광학적 리소그래피 방식을 이용한 것을 특징으로 선격자 편광판용 나노패턴 몰드의 형성 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 주기 T는 130nm 내지 360nm 인 것을 특징으로 하는 선격자 편광판용 나노패턴 몰드의 형성 방법.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 (d)단계에서 상기 실리콘막을 식각하는 단계는
    상기 제1 절연막이 외부로 드러나도록 상기 실리콘막을 바닥면까지 식각하여 식각된 실리콘막의 단면이 장방형의 모양을 갖도록 하는 것을 특징으로 하는 선격자 편광판용 나노패턴 몰드의 형성 방법.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 (d)단계에서 상기 실리콘막을 식각하는 단계는
    상기 식각된 실리콘막의 측벽 하부에 테일이 남도록 하는 것을 특징으로 하는 선격자 편광판용 나노패턴 몰드의 형성 방법.
  11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 의해 형성된 선격자 편광판용 나노패턴 몰드.
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