KR20050017871A - 와이어 그리드 편광자 제조 방법 - Google Patents

와이어 그리드 편광자 제조 방법

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KR20050017871A
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Abstract

본 발명은 와이어 그리드 편광자에 관한 것으로, 미세한 주기를 가지는 와이어 그리드 편광자의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명은 와이어 그리드 편광자를 제작하는 방법에 있어서, 레이저 간섭 리소그래피와 측벽 패터닝 기술 및 알루미늄 식각 기술을 이용하여 미세한 주기를 가지는 와이어 그리드 편광자를 손쉽게 생산할 수 있도록 하여 저가로 대량 생산할 수 있고 제조 수율을 높일 수 있으며, 부가적인 고가의 장치가 필요없어 제조 비용을 절감할 수 있다.
또한, 가시광선 대역의 적(R), 녹(G), 청(B)에서의 편광 성능이 모두 좋은 와이어 그리드 편광자를 제공함으로써 선명한 화질의 평판 디스플레이, 프로젝션 디스플레이, 광학 기기 등의 디스플레이 기기에 광범위하게 응용될 수 있어 이용 가치가 높다.

Description

와이어 그리드 편광자 제조 방법{A fabrication method of a wire grid polarizer}
본 발명은 와이어 그리드 편광자에 관한 것으로, 미세한 주기를 가지는 와이어 그리드 편광자의 제조 방법에 관한 것이다.
전자기파에서 특정 편광만을 편광시키기 위하여 평행한 도전체 선을 배열시키는 평행 전도 전선(parallel conducting wires)의 어레이를 사용한지는 약 110년이 지나왔다.
이것을 일반적으로는 와이어 그리드(wire grid)라고 하며, 투명한 기판위에 형성되어 전자기파의 파장 중에서 적외선 영역에서 편광자로 사용된다.
통상적으로, 와이어 그리드의 편광자 성능을 결정하는 중요한 요소는 평행한 선과 선 중심간의 거리 즉, 주기와 입사하는 파의 파장과의 관계이다.
만약 그리드의 간격 혹은 주기가 입사파의 파장에 비교해 볼 때 길다면, 편광자보다는 회절격자의 기능으로 그리드는 종래의 원리에 따라 편광을 회절시킨다.
따라서, 편광에 무관하게 회절하여 이론적으로 잘 알려진 위상차에 의한 회절 간섭 무늬를 형성시킨다.
그리고, 만약 선과 선 중심간의 간격 혹은 주기가 파장보다 짧다면, 와이어 그리드는 편광자로서 작용하여 전자기파가 그리드에 평행하게 편광된 것은 반사시키고, 직교 편광의 전자기파는 투과시킨다.
여기서, 와이어 그리드의 주기가 대략 파장의 절반에서 두배의 범위에 있는 투과 영역은 와이어 그리드의 투과 및 반사 특성의 변화에 따라 결정된다.
특히, 그리드에 대해 수직하게 편광된 빛에 대해서 갑작스런 반사율의 증가와 그에 상응하는 투과력 감소는 정해진 입사각에서 하나 이상의 특정한 파장에서 일어나게 된다.
한편, 이와 같은 와이어 그리드를 이용하는 편광 빔 분리기를 제작할 때 중요한 요소로는 주기, 선폭, 선의 두께, 그리드 물질의 특성, 기판의 특성(굴절률), 입사파의 파장과 입사각 등이 고려된다.
여기서, 상기 그리드 물질의 특성에 대해서는 연구 결과 편광 빔 분리기의 편광 특성에 큰 영향을 미치지 않는다고 보여진다.
도 1은 종래 기술의 기본적인 와이어 그리드의 실시예를 도시하는 도면이다.
도 1을 참조하면, 와이어 그리드(100)는 절연 기질(120)에 의해 지지되는 여러개의 평행한 전도성 전극(110)으로 구성된다.
이 장치는 전도체의 주기 혹은 Λ로 표시; 개별의 전도체 폭, w로 표시; 전도체의 두께, t로 표시된다.
여기서, S, P 편광에 대한 일반적인 정의를 사용하여, S 편광을 갖는 빛은 입사평면에 대해 직교인 편광 벡터를 가지므로, 전도성 요소에 평행하다.
반대로, P 편광을 갖는 빛은 입사 평면에 평행인 편광 벡터를 가지므로 전도성 요소에 직교이다.
입사되는 전자기파의 파장보다 금속 와이어 배열의 주기가 짧을 경우, 상기 금속 와이어와 평행한 편광 성분(S 편광)은 반사되고 수직한 편광 성분(P 편광)은 투과한다.
일반적으로, 상기 와이어 그리드를 이용한 편광자는 그리드의 도전성 선에 평행한 전기장 벡터를 갖는 빛을 반사하고, 상기 도전성 선에 수직한 전기장 벡터를 갖는 빛을 투과시킬 것이지만, 입사평면은 전술된 바와 같이 도전성의 와이어 그리드에 수직할 수도 있고 그렇지 않을 수도 있다. 여기서 설명된 기하학적인 표시는 분명한 예시를 위한 것이다.
이상적으로 와이어 그리드는 하나의 빛 편광에 대해 S 편광 빛처럼 완벽한 거울이고, P 편광 빛처럼 다른 편광에 대해 완벽하게 투명일 것이다.
그러나, 실제로 거울 같은 가장 반사적인 금속은 소량의 입사각을 흡수하고 90%에서 95%정도만을 반사하고, 평면 유리는 표면 반사 때문에 100% 입사광을 투과시키지 않는다.
도 1에 나타낸 바와 같이, 와이어 그리드 편광자의 성능은 편광 소멸비(polarization extinction ratio)와 투과율로써 나타낼 수 있다.
여기서, 편광 소멸비와 투과율은 다음과 같이 정의된다.
편광 소멸비 = (Si/St)|pi=0
투과율 = (Pt/Pi)|si=0
상기한 식에서, 편광 소멸비는 S 편광이 입사할 경우에 입사되는 S파(Si)와 투과되는 S파(St)의 광파워(Optical power)비를 나타내고, 투과율은 P 편광이 입사할 경우 투과되는 P파(Pt)와 입사되는 P파(Pi)의 광파워비를 나타낸다.
이때, 상기 와이어 그리드 편광자가 높은 편광 소멸비를 가지기 위해서는 금속 격자의 주기가 입사광의 파장에 비해 상당히 짧아야 한다는 전제 조건이 있다.
그러나. 주기가 짧을 수록 제작이 어려워 지금까지 와이어 그리드 편광자는 주로 마이크로파 또는 적외선 영역에서 제작되어 응용되어 왔는데, 이것은 짧은 파장의 빛을 편광시키고자 할 경우 그리드 주기가 짧아져야 하기 때문이다.
그러나, 반도체 제조 장비와 노광 기술의 발달로 미세 패턴 제작이 가능해 짐에 따라 가시광선에서 동작하는 와이어 그리드 편광자의 제작이 가능해지고 있다.
가시광선영역은 사람이 눈으로 감지할 수 있는 보통 400nm에서 700nm까지의 파장대를 말한다.
즉, 와이어 그리드 편광자가 청색(blue color)을 포함한 적, 청, 녹(R,G,B) 3원색에 대해서 높은 ER(Extinction Range) 특성을 가지도록 하기 위해서는 적어도 200nm는 되어야 어느 정도의 편광 특성을 기대할 수 있으며, 기존의 편광기보다 우수한 편광 성능을 내기 위해서는 0.1 ㎛ 이하의 주기를 가지는 와이어 그리드가 필요하다.
현재 최신의 반도체 공정의 선폭이 약 0.1 ㎛이다. 여기서, 선과 선을 주기적으로 그리게 되면 선과 선 사이의 공간 또한 같은 길이를 필요로 하게 되므로 0.2 ㎛의 그리드 주기를 갖게 된다.
여기서, 단파장인 아르곤 레이져를 사용하여 간섭효과를 이용할 경우 200nm까지 가능하다.
이와 같이, 종래 와이어 그리드 방식의 편광판에서 200nm 정도의 주기를 약 100nm정도의 주기로 줄이면 와이어 그리드 편광판의 성능을 획기적으로 향상시킬 수 있게 되어 편광판의 성능이 향상되므로 이에 대한 연구가 필요한 실정이다.
이에, 종래 전자빔을 이용한 리소그래피(lithography)나 원자빔을 이용한 간섭계 등을 이용하여 미세 패턴을 제작하는 방법이 연구중이나, 크기에 제한이 있고 고가의 장비를 필요로 하므로 상업적 접근이 어려운 문제점이 있다.
또한, 상기 공정에 따른 제작 비용 증가와 복잡한 공정 과정으로 인한 품질의 저하 발생 가능성과 전자 빔 리소그래피와 같은 방법으로 매번 반복하여 제작하여야 하므로 생산성이 낮아진다는 문제점이 발생한다.
본 발명은 와이어 그리드 편광자를 제작하는 방법에 있어서, 레이저 간섭 리소그래피와 측벽 패터닝 기술 및 알루미늄 식각 기술을 이용하여 미세한 주기를 가지는 와이어 그리드 편광자를 손쉽게 생산할 수 있도록 하여 저가로 대량 생산할 수 있도록 하는 데 목적이 있다.
또한, 본 발명은 가시광선 대역의 적(R), 녹(G), 청(B)에서의 편광 성능이 모두 좋은 와이어 그리드 편광자를 제공하여 선명한 화질의 디스플레이 제품을 생산하는 데 목적이 있다.
상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 와이어 그리드 편광자 제조 방법은, 기판 상에 금속 박막과 절연층과 버퍼층과 포토 레지스트를 순차적으로 형성시키는 단계와; 상기 포토 레지스트를 소정 주기의 패턴으로 형성하는 단계와; 상기 포토 레지스트 패턴을 마스크로 식각하여 상기 버퍼층 패턴을 형성하는 단계와; 상기 포토 레지스트 및 버퍼층 패턴을 마스크로 식각하여 절연층 패턴을 형성하는 단계와; 상기 포토 레지스트 및 버퍼층 패턴을 제거하는 단계와; 상기 절연층 패턴 상에 SiN을 증착하는 단계와; 상기 SiN을 식각하여 절연층 패턴 주기의 반이 되는 SiN 패턴을 형성하는 단계와; 상기 절연층 패턴을 제거하고 상기 SiN 패턴을 마스크로 식각하여 금속 박막 패턴을 형성하는 단계와; 상기 SiN 패턴을 제거하는 단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
상기 버퍼층 상에 포토 레지스트를 증착할때 HMDS(Hexamethyldisilazane)를 사용하는 것을 특징으로 한다.
상기 포토 레지스트는 레이저 간섭 리소그래피(lithography)를 이용하여 패턴을 형성하는 것을 특징으로 한다.
상기 패턴을 형성하기 위하여 식각 공정 진행시에 이등방성 식각을 하는 것을 특징으로 한다.
상기 레이저 간섭 리소그래피 공정에서 레이저 노광 시간, 현상 시간, 레이저의 파워(power), 노출 시간(exposure time), 미러(mirror)의 각도를 조절하여 진행하는 것을 특징으로 한다.
상기 포토 레지스트 패턴의 주기는 200nm인 것을 특징으로 한다.
상기 절연층은 SiO₂인 것을 특징으로 한다.
상기 버퍼층은 크롬(Cr)을 사용하는 것을 특징으로 한다.
상기 금속 박막은 알루미늄(Al), 은(Ag), 크롬(Cr) 중에서 하나를 선택하여 사용하는 것을 특징으로 한다.
상기 절연층은 CHF₃, CF₄, O₂가스를 이용하여 식각하는 것을 특징으로 한다.
상기 SiN은 절연층 패턴 상에 올록볼록하게 증착되는 것을 특징으로 한다.
상기 SiN 식각시에 절연층 패턴의 윗부분이 열리도록 식각하는 것을 특징으로 한다.
상기 SiN 패턴의 주기는 약 100nm인 것을 특징으로 한다.
상기 절연층 패턴은 BOE(Buffered Oxide Etch)공정을 이용하여 제거하는 것을 특징으로 한다.
상기 SiN을 증착하는 단계에 있어서, 증착 온도가 약 300도인 것을 특징으로 한다.
상기 SiN 패턴을 제거하는 단계에 있어서, 고농도 HF나 인산을 사용하여 식각하는 것을 특징으로 한다.
상기 SiN 패턴의 주기는 절연층 패턴 주기의 절반인 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부한 도면을 참조로 하여 본 발명에 따른 와이어 그리드 편광자를 제조하는 방법에 대해서 구체적으로 설명한다.
도 2는 가시광선 대역에서 금속 격자의 주기와 편광 소멸비와의 관계를 보여주는 그래프이다.
도 2에 도시한 바와 같이, 와이어 그리드 편광자의 편광 효율은 금속 격자의 주기와 밀접한 관련이 있다.
상기 금속 격자의 재료로 알루미늄(Al)을 사용하였으며, 금속 격자의 높이(Height)는 140nm로 하였다.
그리고, 상기 금속의 선폭은 60nm이고, 적(R), 녹(G), 청(B)의 주기는 각각 450nm, 550nm, 650nm이다.
여기서, 편광 소멸비가 10,000 이상이 되기 위해서는 격자의 주기가 120nm 이하가 되어야 한다.
와이어 그리드 편광자를 각인 기법을 이용해서 제작하기 위해서는 우선 몰드를 제작하여야 한다.
도 3은 본 발명에 따른 와이어 그리드의 제조 과정을 개략적으로 보여주는 공정 순서도이다.
먼저, 도 3의 (a)에 도시한 바와 같이, 투명한 절연 기질의 기판(200) 위에 금속 박막(210)을 증착한다.
여기서, 상기 금속 박막(210a)은 도전성의 금속으로서, 상기 기판(200) 전면에 수십 nm정도의 두께로 얇게 증착시킨다.
상기 금속 박막(210a)으로는 알루미늄(Al), 은(Ag), 크롬(Cr) 등을 적용할 수 있다.
이어서, 상기 금속 박막(210a) 상에 SiO₂(220a)를 수십에서 수백 nm로 증착하고, 상기 SiO₂(220a)상에 SiO₂(220a)와 포토 레지스트(240)와의 접착성을 위하여 크롬(Cr)층(230a)을 수십 nm로 증착한다.
상기 크롬(Cr) 층(230a) 위에 포토 레지스트를 수십 nm로 코팅하고, 레이저 간섭 리소그래피 등의 방법으로 약 200nm 주기로 포토 레지스트 패턴(240)을 형성한다.
상기 포토 레지스트 윗면에 소정의 패턴을 가지는 마스크를 덮고 레이저에 노출시킨 후 현상액에 의해 식각하여 도 3의 (a)와 같은 포토 레지스트 패턴(240)을 형성한다.
여기서, 상기 SiO₂(220a)상에 크롬(Cr)을 증착하고 포토 레지스트를 증착할때 접착성을 향상시키기 위하여 HMDS(Hexamethyldisilazane)를 사용한다.
상기 HMDS 공정은 분자식이 (CH3)3Si-NH-Si(CH3)3로서 기판 위의 결합되어 있는 산소(O)와 화학적 반응을 하여 기판과 포토 레지스트 간에 접착력을 향상시키는 공정이다.
상기 포토 레지스트는 양성 포토 레지스트(positive photoresist)일 경우에 노광 영역의 레지스트가 현상공정에서 제거되고, 비노광영역의 레지스트가 최종적인 식각 마스크(etching mask) 역할을 하며, 음성 포토 레지스트(negative photoresist)는 그 반대이다.
따라서, 상기 포토 레지스트 상에 레이저 빔을 조사하여 원하는 포토 레지스트 패턴(240)을 형성할 수 있다.
본 발명에서는 상기 레이저 간섭 리소그래피를 통해서 얻어진 포토 레지스트 패턴(240)을 통해서 계속적으로 식각하면서 패턴을 형성해 나가므로 상기 포토 레지스트 패턴(240)의 측면이 수직이 되도록 이방성 식각을 하는 것이 중요하다.
따라서, 상기 레이저 간섭 리소그래피 공정에서 레이저 노광 시간, 현상 시간 등을 최적화한다.
그리고, 상기 레이저의 파워(power)와 노출 시간(exposure time)과 미러(mirror)의 각도 조건을 최적화한다.
상기와 같은 방법을 통해서 약 200 nm 주기의 포토 레지스트 패턴(240)을 형성한다.
그리고, 도 3의 (b)에서와 같이, 상기 포토 레지스트 패턴(240)을 식각 마스크로 하여 크롬(Cr) 층(230a)을 수직 식각한다.
여기서, 상기 식각 방법으로는 건식 식각(dry etching) 방법을 주로 사용하며, Cl₂, O₂, 압력, 파워, 시간 등을 최적화하여 식각 공정을 실시하여, 상기 크롬 패턴이 정확하게 수직 식각될 수 있도록 하여 깨끗한 크롬 패턴을 얻는다.
여기서, 상기 크롬층 패턴(230b) 형성시에, 크롬 찌꺼기가 남지 않도록 한다.
이어서, 도 3의 (c)에 도시한 바와 같이, 상기 포토 레지스트 패턴(240)과 크롬 패턴(230b)을 식각 마스크로 하여 SiO₂(220a)를 적절한 양의 CHF₃ 또는 CF₄, O₂, 압력, 파워, 시간을 최적화하여 식각한다.
그리고, 상기 SiO₂패턴(220b)만 남기고 상기 크롬 패턴(230b)과 포토 레지스트 패턴(240)을 제거한다.
이 후, 도 3의 (d)에서와 같이, 상기 SiO₂패턴(220b) 위에 SiN(250a)을 증착한다.
여기서, 도시된 바와 같이, 상기 SiO₂패턴(220b)의 단차로 인하여 SiN(250a)은 엠보싱 (embossing)모양으로 올록볼록하게 쌓이는데, 상기 SiO₂패턴의 윗부분 쪽에는 동그랗게 쌓이고 측벽(side-wall)쪽으로는 홈 때문에 안쪽으로 파여서 틈이 생기게 쌓인다.
이어서, 도 3의 (e)에 도시한 바와 같이, 증착된 SiN(250a)을 식각하여 SiO₂패턴(220b) 사이의 틈 부분이 식각되도록 하고, 상기 SiO₂패턴(220b)의 위쪽이 열리도록 식각한다.
그러면, 상기 SiO₂패턴(220b)의 측벽에 형성되어 있는 SiN(250a)이 도시한 바와 같은 모양으로 남게 된다.
그리고, BOE(Buffered Oxide Etch)공정을 이용하여 상기 SiO₂패턴(220b)을 제거하면 도 3의 (f)에 도시한 바와 같이, 100nm 주기의 50nm 선폭의 SiN 패턴(250b)이 형성된다.
이 때, SiN은 성장 온도에 따라 식각되는 속도가 다른데, 300도 정도에서 성장될 경우 상기 BOE 공정시에 SiN이 10nm/min의 아주 느린 식각 속도를 가지게 된다.
이어서, 도 3의 (g)에 도시한 바와 같이, 상기와 같이 형성된 SiN 패턴(250b)을 식각 마스크로 하여 금속 박막(210a)을 이등방성(수직) 식각하면, 100nm 주기의 50nm 선폭의 금속 격자 패턴(210b)이 형성된다.
최종적으로, 도 3의 (h)에 나타낸 바와 같이, 상기 SiN 패턴(250b)을 고농도 HF나 인산을 사용하여 에칭하여 제거함으로써 미세한 주기를 가지는 와이어 그리드 편광자를 제작할 수 있다.
이상 본 발명을 구체적인 실시예를 통하여 상세히 설명하였으나, 이는 본 발명을 구체적으로 설명하기 위한 것으로, 본 발명에 따른 와이어 그리드 편광자 제조 방법은 이에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 그 변형이나 개량이 가능함이 명백하다.
본 발명에 따른 와이어 그리드 편광자를 제작하는 방법은 부가적인 고가의 장치가 필요없으며 저가로 대량 생산할 수 있어 제조 비용을 절감하는 효과가 있으며, 공정 기술이 단순하여 공정 시간 짧고 생산성이 높아 제조 수율을 높일 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명은 가시광선에서의 편광 소멸비가 우수하여 평판 디스플레이, 프로젝션 디스플레이, 광학 기기 등에 광범위하게 응용될 수 있어 이용 가치가 높다.
도 1은 종래 기술의 기본적인 와이어 그리드의 실시예를 도시하는 도면.
도 2는 가시광선 대역에서 금속 격자의 주기와 편광 소멸비와의 관계를 보여주는 그래프.
도 3은 본 발명에 따른 와이어 그리드 편광자 제조 방법을 순서대로 보여주는 공정 순서도.
<도면의 주요부분에 대한 부호 설명>
200 : 기판 210a : 금속 박막
210b : 금속 격자 패턴 220a : SiO₂
220b : SiO₂패턴 230a : 크롬(Cr)층
230b : 크롬 패턴 240 : 포토 레지스트 패턴
250a : SiN 250b : SiN 패턴

Claims (17)

  1. 기판 상에 금속 박막과 절연층과 버퍼층과 포토 레지스트를 순차적으로 형성시키는 단계와;
    상기 포토 레지스트를 소정 주기의 패턴으로 형성하는 단계와;
    상기 포토 레지스트 패턴을 마스크로 식각하여 버퍼층 패턴을 형성하는 단계와;
    상기 포토 레지스트 및 버퍼층 패턴을 마스크로 식각하여 절연층 패턴을 형성하는 단계와;
    상기 포토 레지스트 및 버퍼층 패턴을 제거하는 단계와;
    상기 절연층 패턴 상에 SiN을 증착하는 단계와;
    상기 SiN을 식각하여 절연층 패턴 측벽에 SiN 패턴을 형성하는 단계와;
    상기 절연층 패턴을 제거하고 상기 SiN 패턴을 마스크로 식각하여 금속 박막 패턴을 형성하는 단계와;
    상기 SiN 패턴을 제거하는 단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 와이어 그리드 편광자 제조 방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 버퍼층 상에 포토 레지스트를 증착할때 HMDS(Hexamethyldisilazane)를 사용하는 것을 특징으로 하는 와이어 그리드 편광자 제조 방법.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 포토 레지스트는 레이저 간섭 리소그래피(lithography)를 이용하여 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 와이어 그리드 편광자 제조 방법.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 패턴을 형성하기 위하여 식각 공정 진행시에 이등방성 식각을 하는 것을 특징으로 하는 와이어 그리드 편광자 제조 방법.
  5. 제 3항에 있어서,
    상기 레이저 간섭 리소그래피 공정에서 레이저 노광 시간, 현상 시간, 레이저의 파워(power), 노출 시간(exposure time), 미러(mirror)의 각도를 조절하여 진행하는 것을 특징으로 하는 와이어 그리드 편광자 제조 방법.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 포토 레지스트 패턴의 주기는 200nm인 것을 특징으로 하는 와이어 그리드 편광자 제조 방법.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 절연층은 SiO₂인 것을 특징으로 하는 와이어 그리드 편광자 제조 방법.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 버퍼층은 크롬(Cr)을 사용하는 것을 특징으로 하는 와이어 그리드 편광자 제조 방법.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 금속 박막은 알루미늄(Al), 은(Ag), 크롬(Cr) 중에서 하나를 선택하여 사용하는 것을 특징으로 하는 와이어 그리드 편광자 제조 방법.
  10. 제 1항에 있어서,
    상기 절연층은 CHF₃, CF₄, O₂가스를 이용하여 식각하는 것을 특징으로 하는 와이어 그리드 편광자 제조 방법.
  11. 제 1항에 있어서,
    상기 SiN은 절연층 패턴 상에 올록볼록하게 증착되는 것을 특징으로 하는 와이어 그리드 편광자 제조 방법.
  12. 제 1항에 있어서,
    상기 SiN 식각시에 절연층 패턴의 윗부분이 열리도록 식각하는 것을 특징으로 하는 와이어 그리드 편광자 제조 방법.
  13. 제 1항에 있어서,
    상기 SiN 패턴의 주기는 약 100nm인 것을 특징으로 하는 와이어 그리드 편광자 제조 방법.
  14. 제 1항에 있어서,
    상기 절연층 패턴은 BOE(Buffered Oxide Etch)공정을 이용하여 제거하는 것을 특징으로 하는 와이어 그리드 편광자 제조 방법.
  15. 제 1항에 있어서,
    상기 SiN을 증착하는 단계에 있어서, 증착 온도가 약 300도인 것을 특징으로 하는 와이어 그리드 편광자 제조 방법.
  16. 제 1항에 있어서,
    상기 SiN 패턴을 제거하는 단계에 있어서, 고농도 HF나 인산을 사용하여 식각하는 것을 특징으로 하는 와이어 그리드 편광자 제조 방법.
  17. 제 1항에 있어서,
    상기 SiN 패턴의 주기는 절연층 패턴 주기의 절반인 것을 특징으로 하는 와이어 그리드 편광자 제조 방법.
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