KR101281163B1 - 와이어 그리드 편광자 제조방법 - Google Patents

와이어 그리드 편광자 제조방법 Download PDF

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Abstract

개시된 와이어 그리드 편광자 제조방법은, 기판에 복수의 홈이 주기적으로 형성된 스트라이프 패턴의 포토 레지스트를 형성하는 단계; 및 금속 입자가 분산되어 있는 용액을 스트라이프 패턴의 홈에 채운 후, 용액 중 용매를 제거함으로써, 금속 그리드를 형성하는 단계;를 포함한다.
이와 같은 방법에 의하여 대면적의 와이어 그리드 편광자가 제조가능하다.

Description

와이어 그리드 편광자 제조방법{Method for fabricating wire grid polarizer}
도 1은 본 발명의 실시예에 따라 제조된 와이어 그리드 편광자의 개략적인 사시도이다.
도 2 내지 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따라 기판에 스트라이프 패턴의 포토 레지스트를 형성하는 단계를 도시한다.
도 5 내지 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따라 기판에 금속 그리드를 형성하는 단계를 도시한다.
도 10은 금속 그리드가 형성된 기판에 보호막을 형성하는 단계를 도시한다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1...기판 2...금속 그리드
3...포토 레지스트 3a...홈
5...용액 6...나노 금속 입자
9...보호막 10...와이어 그리드 편광자
P...주기 W...폭
H...높이
본 발명은 와이어 그리드 편광자 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, 와이어 그리드의 형성 공정을 개선하여 대면적의 와이어 그리드 편광자를 제조할 수 있는 와이어 그리드 편광자 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 와이어 그리드 편광자는, 투명 기판 상에 스트라이프 형상으로 돌출된 금속 와이어가 소정 주기로 배열된 와이어 그리드 구조를 가진다. 금속 와이어의 배열 주기가 입사되는 전자기파의 파장보다 크다면, 통상적인 회절 현상이 나타나나, 금속 와이어의 배열 주기가 입사되는 전자기파의 파장보다 작다면, 특이한 편광 현상이 나타난다. 즉, 금속 와이어의 배열 주기, 즉 격자 간격이 충분히 작다면, 금속 와이어에 평행하게 편파된 광(즉, S 편광)은 반사되고, 금속 와이어에 수직하게 편파된 광(즉, P 편광)은 투과된다. 이때, 금속 와이어의 폭, 두께 및 배열 주기는 와이어 그리드 편광자의 편광 특성, 즉 투과 및 반사율에 관계된다.
일반적으로 와이어 그리드 편광자가 400nm ~ 700nm 대역의 가시광선에 사용되기 위해서는 200nm 이하의 주기, 100nm 이하의 선폭 구조를 요구한다. 그러나, 이와 같은 100nm 이하의 미세 패턴을 갖는 와이어 그리드는 종래의 리소그래피 공정을 이용하여 형성하는 것이 곤란하다. 따라서, 종래의 와이어 그리드 편광자는 우선 E-빔 리소그래피를 이용하여 마스터 패턴을 형성한 후, 마스터 패턴의 역상인 몰드(Mold)를 제조한다. 다음으로, 투명 기판 위에 금속과 폴리머를 적층하고 몰드를 이용하여 폴리머에 패턴을 성형한다. 마지막으로 이 패턴을 따라 금속 에칭하여 와이어 그리드 편광자를 완성한다. 그런데, 이와 같은 종래의 와이어 그리드 편광자의 제조방법은 그 공정이 복잡하여 대량생산이 어렵고, 고가의 장비가 필요하므로 상업적 접근이 어려운 문제점이 있다. 나아가, 이와 같은 방법으로 제조되는 와이어 그리드 편광자는 그 크기가 수 인치에 불과하여, 수십 인치 이상의 대면적의 LCD 패널에 적용하기 어렵다는 문제점이 있다.
본 발명은, 상술한 종래의 와이어 그리드 편광자의 제조방법의 문제점을 개선하기 위한 것으로, 딥핑 공정을 이용하여 나노 사이즈의 미세한 주기의 와이어 그리드를 대면적으로 형성할 수 있는 와이어 그리드 편광자 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 와이어 그리드 편광자 제조방법은, 기판에 복수의 홈이 주기적으로 형성된 스트라이프 패턴의 포토 레지스트를 형성하는 단계; 및 나노 금속 입자가 분산되어 있는 용액을 상기 스트라이프 패턴의 홈에 채운 후, 상기 용액 중 용매를 제거함으로써, 와이어 그리드를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 스트라이프 패턴의 포토 레지스트를 형성하는 단계는, 상기 기판에 포토 레지스트를 도포하는 단계; 상기 포토 레지스트에 스트라이프 패턴의 광을 조사하는 단계; 및 상기 포토 레지스트를 현상하는 단계;를 포함할 수 있다.
상기 와이어 그리드를 형성하는 단계는, 나노 금속 입자가 포함된 용액 속에 상기 기판을 담갔다가 꺼내는 딥핑 공정을 통해, 상기 기판의 스트라이프 패턴의 홈에 용액이 채우는 딥핑 단계; 및 상기 기판을 가열하여 상기 용액 중 용매를 제거하는 용매제거 단계;를 포함할 수 있다.
상기 와이어 그리드를 형성하는 단계는, 상기 와이어 그리드를 소정 높이로 형성하기 위하여, 상기 딥핑 단계와 용매제거 단계를 적어도 일 회 반복할 수 있다.
상기 와이어 그리드를 형성하는 단계는, 소정 높이로 형성된 금속 그리드에서 나노 금속 입자들 사이의 있는 공극을 제거하고 소결하기 위하여 상기 금속 그리드를 가열하는 소결(sintering) 단계를 더 포함하는 것이 바람직하다.
나아가, 상기 와이어 그리드를 형성한 후에, 상기 와이어 그리드 위에 보호막을 형성하는 것이 바람직하다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 와이어 그리드 편광자 제조방법을 상세히 설명하기로 한다.
먼저 도 1을 참조하여, 본 발명의 실시예에 따라 제조되는 와이어 그리드 편광자의 구조에 대해 설명하기로 한다. 도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따라 제조되는 와이어 그리드 편광자(10)는 투명 기판(1)와, 투명 기판(1) 위에 스트라이프 형상의 금속 와이어가 복수개 배열된 와이어 그리드(2)를 포함한다. 이때, 와이어 그리드(2)는 금속 와이어의 높이(H), 폭(W) 및 격자 주기(P)는 광학적 설계에 따라 달라질 수 있다.
일반적으로 회절 격자는 광의 파장보다 큰 주기를 가지고, 이를 통과하는 광 은 복수의 회절광으로 분해되나, 격자의 주기가 입사되는 광의 반 파장 이하가 되면, 입사되는 광(L)은 이러한 복수의 회절광으로 분해되는 대신에, S 편광의 반사광(Ls)과 0차 회절광에 해당되는 P 편광의 투과광(Lp)으로 분해된다는 것이 알려져 있다.
와이어 그리드 편광자(10)의 편광 특성은 편광 소멸비(polarization extinciton ratio)와 투과율(transmission ratio)로 나타낼 수 있다. 여기서 편광 소멸비는 투과하는 광의 광세기 중 와이어 그리드에 수직한 편광의 광세기와 와이어 그리드에 수평한 편광의 광세기의 비를 나타내고, 투과율은 입사되는 광의 광세기와 투과되는 광, 즉 와이어 그리드에 수직한 광의 광세기의 비를 나타낸다. 편광 소멸비와 투과율이 높은 값을 가지기 위해서는 와이어 그리드(2)의 배열 간격이 입사광의 파장에 비해 상당히 짧아야 한다. 본 발명에 다른 와이어 그리드 편광자(10)는, 후술하는 바와 같이 금속 와이어의 폭(W)이 50nm ~ 100nm로 형성되고, 금속 와이어의 높이(H)는 100nm ~ 200nm로 형성되며, 격자 주기(P)가 100nm ~ 150nm로 형성될 수 있으므로, 400nm ~700nm 대역의 가시광선에 대하여 높은 편광 소멸비와 투과율을 가질 수 있다.
이하에서는 도 2 내지 도 11을 참조하여, 본 발명의 실시예에 따라 제조되는 와이어 그리드 편광자의 제조방법을 설명하기로 한다.
도 2를 참조하면, 먼저 기판(1) 위에 패턴 형성을 위한 포토 레지스트(resist)(3)를 소정 두께(T)로 도포한다. 기판(1)은 유리와 같은 투명 재질로 형성된다. 포토 레지스트(3)의 두께(T)는 이후 공정에서 형성할 금속 와이어의 높이 (도 1의 H)와 같거나 그보다 커야 한다. 가령, 포토 레지스트(3)의 두께(T)는 100nm ~ 200nm인 것이 바람직하다.
다음으로, 도 3을 참조하면, 코팅된 포토 레지스트(3)에 스트라이프 패턴(striped pattern)의 광을 조사한다. 이때, 스트라이프 패턴은 이후 공정에서 형성될 와이어 그리드의 상보적인 패턴이다. 가시광선 대역에 사용되기에 적합하도록, 스트라이프 패턴은 그 폭(도 4의 A)이 50nm ~ 100nm이고, 그 주기(도 4의 B)가 100nm ~ 150nm이도록 형성되는 것이 바람직하다.
도 3을 참조하면, 레이저 간섭 리소그래피는, 레이저(LS)에서 조사되는 레이저광을 빔스플리터(BS)를 이용하여 두 경로로 분리하고, 미러(MR1,MR2)를 통하여 서로 다른 각도에서 기판(1)에 조사되도록 한다. 이때, 서로 다른 각도로 조사되는 2개의 레이저광은 공간 필터(Spatial Filter)(SP1,SP2)를 통해 소정 패턴의 간섭 무늬가 형성되도록 변조된다. 상기 레이저광으로 자외선(Ultra Violet ray)이나 극자외선(Deep Ultra Violet ray)를 사용할 경우 수십 nm 내지 수백 nm 사이즈의 간섭 무늬 패턴이 형성될 수 있다. 이러한 레이저 간섭 리소그래피는, 일정 주기의 간격을 갖는 스트라이프 패턴을 대규모 사이즈로 형성할 수 있어, 대규모의 와이어 그리드 편광자를 제조하는데 적합하다. 그러나, 본 발명에 있어서 포토 레지스트(3)에 스트라이프 패턴을 형성하는 공정은 이러한 레이저 간섭 리소그래피(Laser Interference Lithography) 방법에 한정되지 않으며, 수십 nm 사이즈의 스트라이프 패턴을 형성할 수 있는 E-빔 리소그래피(E-beam Lithography)나 나노 임프린트 리소그래피(Nano Imprint Lithography) 등의 방법이 이용될 수도 있다.
도 4를 참조하면, 스트라이프 패턴의 광이 조사된 포토 레지스트(도 3의 3)를 현상함으로써 복수의 홈(3a)이 주기적으로 형성된 스트라이프 패턴의 포토 레지스트(3′)를 형성할 수 있다. 이때 스트라이프 패턴의 홈(3a)은 기판(1)이 노출되도록 현상된다. 상기 스트라이프 패턴의 포토 레지스트(3′)를 형성한 후, 후술하는 바와 같이 와이어 그리드를 형성하는 과정에서 금속 와이어 간에 엉키는 것을 방지하기 위하여 포토 레지스트(3′)의 상단을 표면 개조할 수도 있다.
다음으로, 도 5 및 도 6을 참조하면, 기판(1)을 나노 금속 입자가 분산되어 있는 용액(5)이 담긴 욕조(BT)에 넣은 후, 스트라이프 패턴의 홈(3a)에 용액(5)이 충분히 스며들면 다시 꺼내는 딥핑(dipping) 공정을 수행한다.
상기 용액(5)에 분산된 나노 금속 입자는 도전성이 좋은 물질로서, Ag, Al, Au, Cu, Fe, Ni, Ti, T, Cr 중 적어도 어느 하나 내지 이들의 합금으로 형성될 수 있다. 상기 나노 금속 입자의 크기는 5nm ~ 50nm의 크기, 바람직하게는 5nm ~ 10nm의 크기를 갖는 것이 바람직하다.
상기 나노 금속 입자가 분산되어 있는 용매는 수용액 또는 유기용액일 수 있다. 상기 유기용매로서는 헥산(hexane) 또는 헵탄(heptane)과 같은 지방족 탄화수소 용매(aliphatic hydrocarbon solvent); 아니솔(anisol), 메시틸렌(mesitylene) 또는 자일렌(xylene)과 같은 방향족계 탄화수소 용매(aromatic hydrocarbon solvent); 메틸 이소부틸 케톤(methyl isobutyl ketone), 1-메틸-2-피롤리디논(1-1methyl-2-pyrrolidinone) 또는 아세톤(acetone)과 같은 케톤계 용매(ketone-based solvent); 시클로헥산온(cyclohexanone), 테트라히드로퓨란(tetrahydrofuran) 또는 이소프로필 에테르(isopropyl ether)와 같은 에테르계 용매(ether-based solvent); 에틸 아세테이트(ethyl acetate), 부틸 아세테이트(butyl acetate) 또는 프로필렌 글리콜 메틸 에테르 아세테이트(propylene glycol methyl ether acetate)와 같은 아세테이트계 용매(acetate-based solvent); 이소프로필 알코올(isopropyl alcohol) 또는 부틸 알코올(butyl alcohol)과 같은 알코올계 용매(alcohol-based solvent); 디메틸아세트아미드(dimethylacetamide) 또는 디메틸포름아미드(dimethylformamide)와 같은 아미드계 용매; 실리콘계 용매(silicon-based solvent); 또는 상기 용매들의 혼합물을 사용할 수 있다
다음으로, 가열 등의 방법으로 용매를 제거하는 용매제거 공정을 수행하여, 도 7에 도시되듯이 기판(1)에 스트라이프 패턴의 홈(3a)에 금속 입자 덩어리(6)만 남도록 한다.
남아 있는 금속 입자 덩어리(6)의 높이는 제거 전의 높이보다 1/10 정도로 줄어들게 되므로, 목표하는 금속 와이어의 높이를 얻기 위해서는 상술된 딥핑 공정과 용매제거 공정을 반복하는 것이 바람직하다. 이와 같이 딥핑 공정과 용매제거 공정을 반복하다보면, 포토 레지스트(3′) 상부에 나노 금속 입자들이 엉기어 금속 와이어들끼리 연결될 수가 있다. 이러한 금속 와이어들간의 연결을 방지하기 위하여, 도 4를 참조하여 설명한 포토 레지스트(3′)의 현상 단계 후, 포토 레지스트(3′)의 상단을 표면 개조할 수도 있다.
예를 들면 포토 레지스트(3′)의 표면을 친유성으로 하고 친수성인 물을 사용하여 금속 입자 용액을 제조하여 딥핑할 수 있다. 가령, 기판상에 친유성 특성을 가지는 불소계 폴리머를 코팅한 후 이를 포토 레지스트(3′)의 표면에 찍어서 전사 시킴으로써 포토레지스트 표면을 친유성으로 만들 수 있다. 이 경우, 금속 입자 용액이 포토 레지스트(3′)의 상부에는 젖지 않고, 포토 레지스트(3′)의 홈(3a)에만 젖어들게 되므로, 포토 레지스트(3′) 상부에 나노 금속 입자들이 엉기어 금속 와이어들끼리 연결되는 현상을 방지할 수 있다.
다른 예로, 포토 레지스트(3′)의 표면을 친수성으로 하고 친유성인 유기용매에 분산된 금속 입자 용액을 사용하여 딥핑할 수 있다. 가령, 기판상에 친수성 특성을 가지는 아크릴계 폴리머를 코팅한 후 이를 포토 레지스트(3′)의 표면에 찍어서 전사시킴으로써 포토 레지스트(3′)의 표면을 친수성으로 만들 수 있다. 이 경우에도, 금속 입자 용액이 포토 레지스트(3′)의 상부에는 젖지 않으므로, 포토 레지스트(3′) 상부에 나노 금속 입자들이 엉기어 금속 와이어들끼리 연결되는 현상을 방지할 수 있다.
다음으로, 도 8에 도시되는 바와 같이 포토 레지스트를 제거하여, 기판(1) 상에 소정 높이를 갖는 금속 입자 덩어리(6′)만 남도록 한다. 이 금속 입자 덩어리(6′)는, 그 밀도가 매우 낮고 쉽게 부서질 수 있으므로, 도 9에 도시되듯이 가열 등을 통하여 소결(sintering)하는 것이 바람직하다. 이러한 소결 공정은 가열로에 상기 기판(1)을 넣거나 레이저나 적외선을 조사하여 150도 ~ 250도, 바람직하게는 200도로 가열함으로써 이루어진다.
도 10은 소결 공정을 통해 와이어 그리드(2)가 형성된 와이어 그리드 편광자를 도시한다.
와이어 그리드(2)는 미세 패턴이므로 쉽게 손상될 위험이 있다. 따라서, 와이어 그리드(2)를 보호하는 보호막(9)을 와이어 그리드(2) 위에 도포하는 것이 바람직하다. 이때, 보호막(9)은, 와이어 그리드 편광자가 올바로 동작하기 위하여, 와이어 그리드(2)의 굴절률보다 낮은 굴절률을 가져야 한다.
상술한 와이어 그리드 편광자의 제조방법은 그 공정이 간단하고 대량생산이 용이하며, 고가의 장비가 필요하지 않으므로 상업적 접근이 용이하다는 장점이 있다. 또한, 상술한 제조방법에 의하여 제조되는 와이어 그리드 편광자는 대면적으로 제조될 수 있으므로, 수십 인치 인상의 대면적의 LCD 패널에 적용되기 용이하다. 이와 같이 대면적의 LCD 패널에 본 발명에 의해 제조되는 와이어 그리드 편광자를 채용하는 경우, 복굴절 물질 등을 이용하는 흡수형 편광자를 채용하는 경우에 비해 우수한 특성이 있다. 가령, 흡수형 편광자는, 광의 50%는 투과하고 나머지 50%는 흡수하므로 광의 손실이 발생되며, 고휘도의 광원에 노출되는 경우 유전체 물질의 열적 변형 등으로 불안정하다. 그러나 와이어 그리드 편광자는 S 편광은 반사되고 P 편광은 투과되므로, 반사된 S 편광을 재활용하면, 100%에 가까운 이용효율을 보일 수 있다. 나아가, 투명 기판 위에 금속 재질의 와이어 그리드가 형성된 구조이므로, 고휘도의 광원에 노출되더라도 열적으로 안정하다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 와이어 그리드 편광자 제조방법은, 딥핑 공정을 이용하여 와이어 그리드를 형성하므로, 그 공정이 간단하고 대량생산이 용이하며, 고가의 장비가 필요하지 않으므로 상업적 접근이 용이할 뿐만 아 니라, 대면적으로 제조될 수 있다는 장점이 있다.
이러한 본원 발명인 와이어 그리드 편광자 제조방법은 이해를 돕기 위하여 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상적 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위에 의해 정해져야 할 것이다.

Claims (17)

  1. 기판에 복수의 홈이 주기적으로 형성된 스트라이프 패턴의 포토 레지스트를 형성하는 단계; 및
    나노 금속 입자가 분산되어 있는 용액을 상기 스트라이프 패턴의 홈에 채운 후, 상기 용액 중 용매를 제거함으로써, 와이어 그리드를 형성하는 단계;를 포함하며,
    상기 스트라이프 패턴의 포토 레지스트를 형성하는 단계는, 상기 기판에 포토 레지스트를 도포하는 단계와, 상기 포토 레지스트에 스트라이프 패턴의 광을 조사하는 단계와, 상기 포토 레지스트를 현상하는 단계를 포함하며,
    상기 스트라이프 패턴의 포토 레지스트를 형성하는 단계는, 상기 포토 레지스트를 현상한 후, 상기 포토 레지스트의 상단을 표면 개조하는 단계를 포함하며,
    상기 와이어 그리드를 형성하는 단계는, 나노 금속 입자가 포함된 용액 속에 상기 기판을 담갔다가 꺼내는 딥핑 공정을 통해, 상기 기판의 스트라이프 패턴의 홈에 용액이 채우는 딥핑 단계와, 상기 기판을 가열하여 상기 용액 중 용매를 제거하는 용매제거 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 와이어 그리드 편광자 제조방법.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 기판에 포토 레지스트를 도포하는 단계에서,
    상기 도포되는 포토 레지스트의 두께는 100 nm ~ 200 nm인 것을 특징으로 하는 와이어 그리드 편광자 제조방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 포토 레지스트에 스트라이프 패턴의 광을 조사하는 단계는,
    레이저 간섭 리소그래피(Laser Interference Lithography), E-빔 리소그래피(E-beam Lithography), 또는 나노 임프린트 리소그래피를 이용하는 것을 특징으로 하는 와이어 그리드 편광자 제조방법.
  5. 삭제
  6. 제1항, 제3항, 및 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 스트라이프 패턴의 포토 레지스트를 형성하는 단계는,
    상기 스트라이프의 폭을 50nm ~ 100 nm으로 하는 것을 특징으로 하는 와이어 그리드 편광자 제조방법.
  7. 제1항, 제3항, 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 스트라이프 패턴의 포토 레지스트를 형성하는 단계는,
    스트라이프 패턴의 주기를 100nm ~ 150nm으로 하는 것을 특징으로 하는 와이어 그리드 편광자 제조방법.
  8. 삭제
  9. 제1항, 제3항, 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 와이어 그리드를 형성하는 단계는,
    상기 딥핑 단계와 용매제거 단계를 적어도 일 회 반복하여, 상기 와이어 그리드를 소정 높이로 형성하는 것을 특징으로 하는 와이어 그리드 편광자 제조방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 와이어 그리드를 형성하는 단계에서,
    상기 와이어 그리드의 높이는 100 nm ~ 200 nm인 것을 특징으로 하는 와이어 그리드 편광자 제조방법.
  11. 제1항, 제3항, 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 와이어 그리드를 형성하는 단계는,
    소정 높이로 형성된 와이어 그리드에서 나노 금속 입자들 사이의 있는 공극을 제거하고 소결하기 위하여 상기 와이어 그리드를 가열하는 소결(sintering) 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 와이어 그리드 편광자 제조방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 소결 단계는, 150도 ~ 250도로 가열하는 것을 특징으로 하는 와이어 그리드 편광자 제조방법.
  13. 제1항, 제3항, 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 와이어 그리드를 형성한 후에, 상기 와이어 그리드 위에 보호막을 형성하는 것을 특징으로 하는 와이어 그리드 편광자 제조방법.
  14. 제1항, 제3항, 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 나노 금속 입자는 5nm ~ 50nm의 크기를 갖는 것을 특징으로 하는 와이어 그리드 편광자 제조방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 나노 금속 입자는 Ag, Al, Au, Cu, Fe, Ni, Ti, T, Cr 중 적어도 어느 하나 내지 이들의 합금인 것을 특징으로 하는 와이어 그리드 편광자 제조방법.
  16. 제1항, 제3항, 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 용액의 용매는 수용액 또는 유기용액인 것을 특징으로 하는 와이어 그리드 편광자 제조방법.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 유기용액은, 지방족 탄화수소 용매(aliphatic hydrocarbon solvent), 방향족계 탄화수소 용매(aromatic hydrocarbon solvent), 케톤계 용매(ketone-based solvent), 에테르계 용매(ether-based solvent), 아세테이트계 용매(acetate-based solvent), 알코올계 용매(alcohol-based solvent), 아미드계 용매, 실리콘계 용매(silicon-based solvent)로 이루어지는 그룹 중 어느 하나이거나 상기 용매들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 와이어 그리드 편광자 제조방법.
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