JPH02228608A - グリッド偏光子 - Google Patents
グリッド偏光子Info
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- JPH02228608A JPH02228608A JP4916289A JP4916289A JPH02228608A JP H02228608 A JPH02228608 A JP H02228608A JP 4916289 A JP4916289 A JP 4916289A JP 4916289 A JP4916289 A JP 4916289A JP H02228608 A JPH02228608 A JP H02228608A
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Landscapes
- Polarising Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、グリッド偏光子に関する。グリッド偏光子は
適当な偏光材料がない赤外線波長域等でよく用いられて
いる。
適当な偏光材料がない赤外線波長域等でよく用いられて
いる。
（従来の技術）
グリッド偏光子は、第２図に示すように、導体細線を対
象光の波長以下のピッチでグリッド状に平行に配列させ
たもので、導体グリッドと平行な方向に振動している光
の電界成分はこのグリッド偏光子で反射され、導体グリ
ッドと垂直な方向に振動している光の電界成分は、グリ
ッド偏光子を透過する性質を有する。グリッド偏光子は
、導体グリッドのピッチ間隔ｄと幅ａがその偏光特性に
影響する。ピッチ間隔ｄが小さい程偏光特性が良くなり
、ａ／ｄは０，５〜０，７が良いとされている。従って
、漏光波長が短くなればなる程、導体グリッドのビ、ツ
、チを短くしなければならないが、短くすれば導体グリ
ッド単独で、導体間の隙間を中空状態にしておくことが
難しくなり、透明基板上に、導体グリッドを形成してい
る。
象光の波長以下のピッチでグリッド状に平行に配列させ
たもので、導体グリッドと平行な方向に振動している光
の電界成分はこのグリッド偏光子で反射され、導体グリ
ッドと垂直な方向に振動している光の電界成分は、グリ
ッド偏光子を透過する性質を有する。グリッド偏光子は
、導体グリッドのピッチ間隔ｄと幅ａがその偏光特性に
影響する。ピッチ間隔ｄが小さい程偏光特性が良くなり
、ａ／ｄは０，５〜０，７が良いとされている。従って
、漏光波長が短くなればなる程、導体グリッドのビ、ツ
、チを短くしなければならないが、短くすれば導体グリ
ッド単独で、導体間の隙間を中空状態にしておくことが
難しくなり、透明基板上に、導体グリッドを形成してい
る。
しかし、従来のグリッド偏光子は、第３図に示すように
、適当な基板の上にホトレジスト層を積層し、ホログラ
フィック露光法で表面に正弦波状のレジストパターンを
作成し、その斜面に導体を蒸着させるか（ア）、又は、
ブレーズドグレーティングのレプリカを作成し、斜方向
からその斜面に導体を蒸着させて製作している（イ）、
シかし、斜面に導体を蒸着させた場合、蒸着パターン形
状が不均一となり、漏光特性を一定にすることが難しい
と云う問題があった。また、斜面に導体パターンを形成
した時に、偏光特性が良くない原因として、斜面の導体
で反射された光が、反対側の斜面から基板内に入射する
可能性が考えられる。
、適当な基板の上にホトレジスト層を積層し、ホログラ
フィック露光法で表面に正弦波状のレジストパターンを
作成し、その斜面に導体を蒸着させるか（ア）、又は、
ブレーズドグレーティングのレプリカを作成し、斜方向
からその斜面に導体を蒸着させて製作している（イ）、
シかし、斜面に導体を蒸着させた場合、蒸着パターン形
状が不均一となり、漏光特性を一定にすることが難しい
と云う問題があった。また、斜面に導体パターンを形成
した時に、偏光特性が良くない原因として、斜面の導体
で反射された光が、反対側の斜面から基板内に入射する
可能性が考えられる。
また、基板にレプリカを用いる場合、レプリカの材質は
通常樹脂が用いられる。しかし、樹脂は熱に弱くまた赤
外域の波長に対する透過率は低いので、赤外域における
漏光子としての性能は良くないと云う問題がある。
通常樹脂が用いられる。しかし、樹脂は熱に弱くまた赤
外域の波長に対する透過率は低いので、赤外域における
漏光子としての性能は良くないと云う問題がある。
（発明が解決しようとする課題）
本発明は、赤外域の光に対して透過率及び偏光特性の良
いグリッド偏光子を提供することを目的とする。
いグリッド偏光子を提供することを目的とする。
（課題を解決するための手段）
グリッド漏光子において、測定光に対して高透過率の基
板上に、導体の高密度の平行線パターンを形成した。
板上に、導体の高密度の平行線パターンを形成した。
更に、測定光の透過率を向上させるために、上記基板を
光学研磨し、同基板上に反射防止膜を積層し、その反射
防止膜上に導体の高密度な平行線パターンを形成させた
。
光学研磨し、同基板上に反射防止膜を積層し、その反射
防止膜上に導体の高密度な平行線パターンを形成させた
。
（作用）
グリッド偏光子は、細い線状の導体を平行に並べたもの
であるが、導体細条は基板上に保持されているので、強
度上全く問題がなく、基板は測定光を透過させるなめに
、導体を保持する基板に透過率の高い材質を用いている
から、透過率は良好である。
であるが、導体細条は基板上に保持されているので、強
度上全く問題がなく、基板は測定光を透過させるなめに
、導体を保持する基板に透過率の高い材質を用いている
から、透過率は良好である。
基板上に導体の高密度の平行線パターンを形成させたも
ので、このことにより導体パターンが基板上に基板面と
平行に形成され、導体パターンにおける反射光が反対側
の斜面からグリッド慣光子基板に再入射することがなく
なり、偏光特性が向上した。また、基板上に形成される
導体の平行線パターンが鮮明にしかも高密度で形成する
ことが可能になり、この点からも偏光特性が向上した。
ので、このことにより導体パターンが基板上に基板面と
平行に形成され、導体パターンにおける反射光が反対側
の斜面からグリッド慣光子基板に再入射することがなく
なり、偏光特性が向上した。また、基板上に形成される
導体の平行線パターンが鮮明にしかも高密度で形成する
ことが可能になり、この点からも偏光特性が向上した。
また、赤外領域では吸収が少ないものであっても、表面
反射率の大なる材料があり、基板面を反射防止膜でコー
トすることで、基板の対象光の透過率が向上し、狭い波
長範囲なら１００％の透過率を得ることも可能となり、
更に偏光特性が向上した。
反射率の大なる材料があり、基板面を反射防止膜でコー
トすることで、基板の対象光の透過率が向上し、狭い波
長範囲なら１００％の透過率を得ることも可能となり、
更に偏光特性が向上した。
（実施例）
第１図に本発明の一実施例の工程図を示す、第１図にお
いて、Ａ図は導体グリッド５の加工前のグリッド基板の
構成層を示したもので、このグリッド基板は、まず、両
面研磨したＳｔ基板１（厚み２６０μｍ、外径５０ｍｍ
φ）の両面に真空蒸着法により誘電体多層ｌｌｌＺｎＳ
、ＭｇＦ２を蒸着し、反射防止膜２．３を形成した０次
に入射側の反射防止ＷＸ２の上面に、導体グリッド５と
のｆ寸着力を良くするために、導体付着膜４としてＮｉ
−Ｃｒ膜（厚み２０人）を真空蒸着させた。付着膜４の
上面に導体グリッド５となるＡｕ膜（７００人）を真空
蒸着させた。更に、導体グリッド５の上面に、フォトレ
ジスト６として０ＦＰＲ５０００を２５００人厚さにス
ピンコードし、９０℃で３０分フレッシュエアオープン
による焼成を行って製作したものである。
いて、Ａ図は導体グリッド５の加工前のグリッド基板の
構成層を示したもので、このグリッド基板は、まず、両
面研磨したＳｔ基板１（厚み２６０μｍ、外径５０ｍｍ
φ）の両面に真空蒸着法により誘電体多層ｌｌｌＺｎＳ
、ＭｇＦ２を蒸着し、反射防止膜２．３を形成した０次
に入射側の反射防止ＷＸ２の上面に、導体グリッド５と
のｆ寸着力を良くするために、導体付着膜４としてＮｉ
−Ｃｒ膜（厚み２０人）を真空蒸着させた。付着膜４の
上面に導体グリッド５となるＡｕ膜（７００人）を真空
蒸着させた。更に、導体グリッド５の上面に、フォトレ
ジスト６として０ＦＰＲ５０００を２５００人厚さにス
ピンコードし、９０℃で３０分フレッシュエアオープン
による焼成を行って製作したものである。
次に、上記によって製作したグリッド基板のフォトレジ
スト６に、ホログラフィック露光法による２光束干渉縞
を焼き付けた。光源にはＨｅ−Ｃｄレーザー（λ＝４４
１６人）を用い、スペシャルフィルターと軸外放物面鏡
により平行光束を作る。焼き付ける干渉縞は、ピッチ間
隔が使用波長の１Ｘ１０程度になるように、２０００本
／ ｍ ｍとした９次に現像を行い、Ｂ［Ｊに示すよう
に、レジスト６の断面形状が正弦半波状即ち、ａ ／
ｄが０．５となるようにした。この断面形状の調整は、
露光時間と現懺時間の調整によって行うことができる。
スト６に、ホログラフィック露光法による２光束干渉縞
を焼き付けた。光源にはＨｅ−Ｃｄレーザー（λ＝４４
１６人）を用い、スペシャルフィルターと軸外放物面鏡
により平行光束を作る。焼き付ける干渉縞は、ピッチ間
隔が使用波長の１Ｘ１０程度になるように、２０００本
／ ｍ ｍとした９次に現像を行い、Ｂ［Ｊに示すよう
に、レジスト６の断面形状が正弦半波状即ち、ａ ／
ｄが０．５となるようにした。この断面形状の調整は、
露光時間と現懺時間の調整によって行うことができる。
次に、上記）すトレジストパターン６をマスクとしてＡ
ｒイオンビームエツチングを行い、０図に示すように、
導体グリッド５と導体付着膜４にフォトレジストパター
ン６のパターンニングを行い、平行なグリッドパターン
を形成させた。上記エツチングを、加速電圧５００ｅＶ
、ガス圧１゜６Ｘ１０ Ｔｏｒｒで行った。このとき
のレジスト６と導体グリッド５のエツチングレートは約
１：４である。
ｒイオンビームエツチングを行い、０図に示すように、
導体グリッド５と導体付着膜４にフォトレジストパター
ン６のパターンニングを行い、平行なグリッドパターン
を形成させた。上記エツチングを、加速電圧５００ｅＶ
、ガス圧１゜６Ｘ１０ Ｔｏｒｒで行った。このとき
のレジスト６と導体グリッド５のエツチングレートは約
１：４である。
最後に、上記でエツチングマスクとして用いていたフォ
トレジスト６を、バレルタイププラズマエツチング装置
により、０２プラズマで灰化除去し、最後に洗浄を行い
、Ｄ図に示すような、グリッド偏光子Ｇを製作した。
トレジスト６を、バレルタイププラズマエツチング装置
により、０２プラズマで灰化除去し、最後に洗浄を行い
、Ｄ図に示すような、グリッド偏光子Ｇを製作した。
上記実施例では、導体グリッド５にＡｕを用いたので導
体付着膜４が必要であるが、導体グリッド５にＡ、１２
を用いた場合は、／ｌは付着力が強いので導体付着膜４
は不要である。また、導体グリッド５にＡＪ２を用いた
場合は、エツチングガスとして４塩化炭素（ＣＣρ４）
を用いる。
体付着膜４が必要であるが、導体グリッド５にＡ、１２
を用いた場合は、／ｌは付着力が強いので導体付着膜４
は不要である。また、導体グリッド５にＡＪ２を用いた
場合は、エツチングガスとして４塩化炭素（ＣＣρ４）
を用いる。
また、上記実施例ではＳｉ基板２の両面に反射防止膜２
．３をコーティングして、測定波長域での透過率を向上
させているが、基板２に透過率の良い材質のものを使用
すれば、上記反射防止Ｍ２．３をコーティングする必要
はなくなる。
．３をコーティングして、測定波長域での透過率を向上
させているが、基板２に透過率の良い材質のものを使用
すれば、上記反射防止Ｍ２．３をコーティングする必要
はなくなる。
（発明の効果）
本発明によれば、反射防止膜をコートして透過率が良く
なった基板上に、導体の高密度で鮮明な平行線パターン
を形成できるようになったことで、グリッド偏光子の偏
光特性を一段と向上させることができた。
なった基板上に、導体の高密度で鮮明な平行線パターン
を形成できるようになったことで、グリッド偏光子の偏
光特性を一段と向上させることができた。
第１図は本発明の一実施例の工程図、第２図はグリッド
偏光子の作用説明図、第３図は従来例の斜視図である。 １・・・Ｓｉ基板、２，３・・・反射防止膜、４・・・
導体付着膜、５・・・導体グリッド、６・・・フォトレ
ジスト、Ｇ・・・グリッド偏光子。
偏光子の作用説明図、第３図は従来例の斜視図である。 １・・・Ｓｉ基板、２，３・・・反射防止膜、４・・・
導体付着膜、５・・・導体グリッド、６・・・フォトレ
ジスト、Ｇ・・・グリッド偏光子。
Claims (2)
- （１）測定光に対して高透過率の基板上に、導体の高密
度の平行線パターンを形成したことを特徴とするグリッ
ド偏光子。 - （２）測定光に対して吸収の少ない基板を光学研磨し、
同基板上に反射防止膜を積層し、その反射防止膜上に導
体の高密度な平行線パターンを形成させたことを特徴と
するグリッド偏光子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1049162A JP2566003B2 (ja) | 1989-02-28 | 1989-02-28 | 赤外線グリッド偏光子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1049162A JP2566003B2 (ja) | 1989-02-28 | 1989-02-28 | 赤外線グリッド偏光子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02228608A true JPH02228608A (ja) | 1990-09-11 |
| JP2566003B2 JP2566003B2 (ja) | 1996-12-25 |
Family
ID=12823393
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1049162A Expired - Lifetime JP2566003B2 (ja) | 1989-02-28 | 1989-02-28 | 赤外線グリッド偏光子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2566003B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08201176A (ja) * | 1994-12-28 | 1996-08-09 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | マイクロ偏光計、マイクロセンサ・システム、および薄膜の特性を測定する方法 |
| EP0833173A2 (en) * | 1996-09-30 | 1998-04-01 | Kyocera Corporation | A polarizer and a production method thereof |
| JP2005195824A (ja) * | 2004-01-07 | 2005-07-21 | Asahi Kasei Chemicals Corp | ワイヤグリッド型偏光子 |
| JP2005249674A (ja) * | 2004-03-05 | 2005-09-15 | Jasco Corp | 高感度反射測定装置 |
| WO2006004010A1 (ja) * | 2004-06-30 | 2006-01-12 | Zeon Corporation | 電磁波遮蔽性グリッド偏光子およびその製造方法、グリッド偏光子の製造方法 |
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| JP2010060587A (ja) * | 2008-09-01 | 2010-03-18 | Sony Corp | 偏光素子及びその製造方法 |
| JP2010286844A (ja) * | 2010-07-29 | 2010-12-24 | Asahi Kasei E-Materials Corp | ワイヤグリッド偏光板 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6066203A (ja) * | 1983-09-22 | 1985-04-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 偏光素子 |
| JPS61262705A (ja) * | 1985-05-17 | 1986-11-20 | Fujitsu Ltd | 偏光素子 |
| JPS6215518A (ja) * | 1985-07-15 | 1987-01-23 | Mitsubishi Electric Corp | 偏光変換器 |
-
1989
- 1989-02-28 JP JP1049162A patent/JP2566003B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| EP0833173A2 (en) * | 1996-09-30 | 1998-04-01 | Kyocera Corporation | A polarizer and a production method thereof |
| EP0833173A3 (en) * | 1996-09-30 | 1998-05-06 | Kyocera Corporation | A polarizer and a production method thereof |
| US6252709B1 (en) | 1996-09-30 | 2001-06-26 | Kyocera Corporation | Polarizer and a production method thereof |
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| JP4527986B2 (ja) * | 2004-01-07 | 2010-08-18 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | ワイヤグリッド型偏光子 |
| JP2005249674A (ja) * | 2004-03-05 | 2005-09-15 | Jasco Corp | 高感度反射測定装置 |
| WO2006004010A1 (ja) * | 2004-06-30 | 2006-01-12 | Zeon Corporation | 電磁波遮蔽性グリッド偏光子およびその製造方法、グリッド偏光子の製造方法 |
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| JP2010286844A (ja) * | 2010-07-29 | 2010-12-24 | Asahi Kasei E-Materials Corp | ワイヤグリッド偏光板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2566003B2 (ja) | 1996-12-25 |
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Legal Events
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