JPH02228608A - グリッド偏光子 - Google Patents
グリッド偏光子Info
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- JPH02228608A JPH02228608A JP4916289A JP4916289A JPH02228608A JP H02228608 A JPH02228608 A JP H02228608A JP 4916289 A JP4916289 A JP 4916289A JP 4916289 A JP4916289 A JP 4916289A JP H02228608 A JPH02228608 A JP H02228608A
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- Polarising Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、グリッド偏光子に関する。グリッド偏光子は
適当な偏光材料がない赤外線波長域等でよく用いられて
いる。
適当な偏光材料がない赤外線波長域等でよく用いられて
いる。
(従来の技術)
グリッド偏光子は、第2図に示すように、導体細線を対
象光の波長以下のピッチでグリッド状に平行に配列させ
たもので、導体グリッドと平行な方向に振動している光
の電界成分はこのグリッド偏光子で反射され、導体グリ
ッドと垂直な方向に振動している光の電界成分は、グリ
ッド偏光子を透過する性質を有する。グリッド偏光子は
、導体グリッドのピッチ間隔dと幅aがその偏光特性に
影響する。ピッチ間隔dが小さい程偏光特性が良くなり
、a/dは0,5〜0,7が良いとされている。従って
、漏光波長が短くなればなる程、導体グリッドのビ、ツ
、チを短くしなければならないが、短くすれば導体グリ
ッド単独で、導体間の隙間を中空状態にしておくことが
難しくなり、透明基板上に、導体グリッドを形成してい
る。
象光の波長以下のピッチでグリッド状に平行に配列させ
たもので、導体グリッドと平行な方向に振動している光
の電界成分はこのグリッド偏光子で反射され、導体グリ
ッドと垂直な方向に振動している光の電界成分は、グリ
ッド偏光子を透過する性質を有する。グリッド偏光子は
、導体グリッドのピッチ間隔dと幅aがその偏光特性に
影響する。ピッチ間隔dが小さい程偏光特性が良くなり
、a/dは0,5〜0,7が良いとされている。従って
、漏光波長が短くなればなる程、導体グリッドのビ、ツ
、チを短くしなければならないが、短くすれば導体グリ
ッド単独で、導体間の隙間を中空状態にしておくことが
難しくなり、透明基板上に、導体グリッドを形成してい
る。
しかし、従来のグリッド偏光子は、第3図に示すように
、適当な基板の上にホトレジスト層を積層し、ホログラ
フィック露光法で表面に正弦波状のレジストパターンを
作成し、その斜面に導体を蒸着させるか(ア)、又は、
ブレーズドグレーティングのレプリカを作成し、斜方向
からその斜面に導体を蒸着させて製作している(イ)、
シかし、斜面に導体を蒸着させた場合、蒸着パターン形
状が不均一となり、漏光特性を一定にすることが難しい
と云う問題があった。また、斜面に導体パターンを形成
した時に、偏光特性が良くない原因として、斜面の導体
で反射された光が、反対側の斜面から基板内に入射する
可能性が考えられる。
、適当な基板の上にホトレジスト層を積層し、ホログラ
フィック露光法で表面に正弦波状のレジストパターンを
作成し、その斜面に導体を蒸着させるか(ア)、又は、
ブレーズドグレーティングのレプリカを作成し、斜方向
からその斜面に導体を蒸着させて製作している(イ)、
シかし、斜面に導体を蒸着させた場合、蒸着パターン形
状が不均一となり、漏光特性を一定にすることが難しい
と云う問題があった。また、斜面に導体パターンを形成
した時に、偏光特性が良くない原因として、斜面の導体
で反射された光が、反対側の斜面から基板内に入射する
可能性が考えられる。
また、基板にレプリカを用いる場合、レプリカの材質は
通常樹脂が用いられる。しかし、樹脂は熱に弱くまた赤
外域の波長に対する透過率は低いので、赤外域における
漏光子としての性能は良くないと云う問題がある。
通常樹脂が用いられる。しかし、樹脂は熱に弱くまた赤
外域の波長に対する透過率は低いので、赤外域における
漏光子としての性能は良くないと云う問題がある。
(発明が解決しようとする課題)
本発明は、赤外域の光に対して透過率及び偏光特性の良
いグリッド偏光子を提供することを目的とする。
いグリッド偏光子を提供することを目的とする。
(課題を解決するための手段)
グリッド漏光子において、測定光に対して高透過率の基
板上に、導体の高密度の平行線パターンを形成した。
板上に、導体の高密度の平行線パターンを形成した。
更に、測定光の透過率を向上させるために、上記基板を
光学研磨し、同基板上に反射防止膜を積層し、その反射
防止膜上に導体の高密度な平行線パターンを形成させた
。
光学研磨し、同基板上に反射防止膜を積層し、その反射
防止膜上に導体の高密度な平行線パターンを形成させた
。
(作用)
グリッド偏光子は、細い線状の導体を平行に並べたもの
であるが、導体細条は基板上に保持されているので、強
度上全く問題がなく、基板は測定光を透過させるなめに
、導体を保持する基板に透過率の高い材質を用いている
から、透過率は良好である。
であるが、導体細条は基板上に保持されているので、強
度上全く問題がなく、基板は測定光を透過させるなめに
、導体を保持する基板に透過率の高い材質を用いている
から、透過率は良好である。
基板上に導体の高密度の平行線パターンを形成させたも
ので、このことにより導体パターンが基板上に基板面と
平行に形成され、導体パターンにおける反射光が反対側
の斜面からグリッド慣光子基板に再入射することがなく
なり、偏光特性が向上した。また、基板上に形成される
導体の平行線パターンが鮮明にしかも高密度で形成する
ことが可能になり、この点からも偏光特性が向上した。
ので、このことにより導体パターンが基板上に基板面と
平行に形成され、導体パターンにおける反射光が反対側
の斜面からグリッド慣光子基板に再入射することがなく
なり、偏光特性が向上した。また、基板上に形成される
導体の平行線パターンが鮮明にしかも高密度で形成する
ことが可能になり、この点からも偏光特性が向上した。
また、赤外領域では吸収が少ないものであっても、表面
反射率の大なる材料があり、基板面を反射防止膜でコー
トすることで、基板の対象光の透過率が向上し、狭い波
長範囲なら100%の透過率を得ることも可能となり、
更に偏光特性が向上した。
反射率の大なる材料があり、基板面を反射防止膜でコー
トすることで、基板の対象光の透過率が向上し、狭い波
長範囲なら100%の透過率を得ることも可能となり、
更に偏光特性が向上した。
(実施例)
第1図に本発明の一実施例の工程図を示す、第1図にお
いて、A図は導体グリッド5の加工前のグリッド基板の
構成層を示したもので、このグリッド基板は、まず、両
面研磨したSt基板1(厚み260μm、外径50mm
φ)の両面に真空蒸着法により誘電体多層lllZnS
、MgF2を蒸着し、反射防止膜2.3を形成した0次
に入射側の反射防止WX2の上面に、導体グリッド5と
のf寸着力を良くするために、導体付着膜4としてNi
−Cr膜(厚み20人)を真空蒸着させた。付着膜4の
上面に導体グリッド5となるAu膜(700人)を真空
蒸着させた。更に、導体グリッド5の上面に、フォトレ
ジスト6として0FPR5000を2500人厚さにス
ピンコードし、90℃で30分フレッシュエアオープン
による焼成を行って製作したものである。
いて、A図は導体グリッド5の加工前のグリッド基板の
構成層を示したもので、このグリッド基板は、まず、両
面研磨したSt基板1(厚み260μm、外径50mm
φ)の両面に真空蒸着法により誘電体多層lllZnS
、MgF2を蒸着し、反射防止膜2.3を形成した0次
に入射側の反射防止WX2の上面に、導体グリッド5と
のf寸着力を良くするために、導体付着膜4としてNi
−Cr膜(厚み20人)を真空蒸着させた。付着膜4の
上面に導体グリッド5となるAu膜(700人)を真空
蒸着させた。更に、導体グリッド5の上面に、フォトレ
ジスト6として0FPR5000を2500人厚さにス
ピンコードし、90℃で30分フレッシュエアオープン
による焼成を行って製作したものである。
次に、上記によって製作したグリッド基板のフォトレジ
スト6に、ホログラフィック露光法による2光束干渉縞
を焼き付けた。光源にはHe−Cdレーザー(λ=44
16人)を用い、スペシャルフィルターと軸外放物面鏡
により平行光束を作る。焼き付ける干渉縞は、ピッチ間
隔が使用波長の1X10程度になるように、2000本
/ m mとした9次に現像を行い、B[Jに示すよう
に、レジスト6の断面形状が正弦半波状即ち、a /
dが0.5となるようにした。この断面形状の調整は、
露光時間と現懺時間の調整によって行うことができる。
スト6に、ホログラフィック露光法による2光束干渉縞
を焼き付けた。光源にはHe−Cdレーザー(λ=44
16人)を用い、スペシャルフィルターと軸外放物面鏡
により平行光束を作る。焼き付ける干渉縞は、ピッチ間
隔が使用波長の1X10程度になるように、2000本
/ m mとした9次に現像を行い、B[Jに示すよう
に、レジスト6の断面形状が正弦半波状即ち、a /
dが0.5となるようにした。この断面形状の調整は、
露光時間と現懺時間の調整によって行うことができる。
次に、上記)すトレジストパターン6をマスクとしてA
rイオンビームエツチングを行い、0図に示すように、
導体グリッド5と導体付着膜4にフォトレジストパター
ン6のパターンニングを行い、平行なグリッドパターン
を形成させた。上記エツチングを、加速電圧500eV
、ガス圧1゜6X10 Torrで行った。このとき
のレジスト6と導体グリッド5のエツチングレートは約
1:4である。
rイオンビームエツチングを行い、0図に示すように、
導体グリッド5と導体付着膜4にフォトレジストパター
ン6のパターンニングを行い、平行なグリッドパターン
を形成させた。上記エツチングを、加速電圧500eV
、ガス圧1゜6X10 Torrで行った。このとき
のレジスト6と導体グリッド5のエツチングレートは約
1:4である。
最後に、上記でエツチングマスクとして用いていたフォ
トレジスト6を、バレルタイププラズマエツチング装置
により、02プラズマで灰化除去し、最後に洗浄を行い
、D図に示すような、グリッド偏光子Gを製作した。
トレジスト6を、バレルタイププラズマエツチング装置
により、02プラズマで灰化除去し、最後に洗浄を行い
、D図に示すような、グリッド偏光子Gを製作した。
上記実施例では、導体グリッド5にAuを用いたので導
体付着膜4が必要であるが、導体グリッド5にA、12
を用いた場合は、/lは付着力が強いので導体付着膜4
は不要である。また、導体グリッド5にAJ2を用いた
場合は、エツチングガスとして4塩化炭素(CCρ4)
を用いる。
体付着膜4が必要であるが、導体グリッド5にA、12
を用いた場合は、/lは付着力が強いので導体付着膜4
は不要である。また、導体グリッド5にAJ2を用いた
場合は、エツチングガスとして4塩化炭素(CCρ4)
を用いる。
また、上記実施例ではSi基板2の両面に反射防止膜2
.3をコーティングして、測定波長域での透過率を向上
させているが、基板2に透過率の良い材質のものを使用
すれば、上記反射防止M2.3をコーティングする必要
はなくなる。
.3をコーティングして、測定波長域での透過率を向上
させているが、基板2に透過率の良い材質のものを使用
すれば、上記反射防止M2.3をコーティングする必要
はなくなる。
(発明の効果)
本発明によれば、反射防止膜をコートして透過率が良く
なった基板上に、導体の高密度で鮮明な平行線パターン
を形成できるようになったことで、グリッド偏光子の偏
光特性を一段と向上させることができた。
なった基板上に、導体の高密度で鮮明な平行線パターン
を形成できるようになったことで、グリッド偏光子の偏
光特性を一段と向上させることができた。
第1図は本発明の一実施例の工程図、第2図はグリッド
偏光子の作用説明図、第3図は従来例の斜視図である。 1・・・Si基板、2,3・・・反射防止膜、4・・・
導体付着膜、5・・・導体グリッド、6・・・フォトレ
ジスト、G・・・グリッド偏光子。
偏光子の作用説明図、第3図は従来例の斜視図である。 1・・・Si基板、2,3・・・反射防止膜、4・・・
導体付着膜、5・・・導体グリッド、6・・・フォトレ
ジスト、G・・・グリッド偏光子。
Claims (2)
- (1)測定光に対して高透過率の基板上に、導体の高密
度の平行線パターンを形成したことを特徴とするグリッ
ド偏光子。 - (2)測定光に対して吸収の少ない基板を光学研磨し、
同基板上に反射防止膜を積層し、その反射防止膜上に導
体の高密度な平行線パターンを形成させたことを特徴と
するグリッド偏光子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1049162A JP2566003B2 (ja) | 1989-02-28 | 1989-02-28 | 赤外線グリッド偏光子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1049162A JP2566003B2 (ja) | 1989-02-28 | 1989-02-28 | 赤外線グリッド偏光子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02228608A true JPH02228608A (ja) | 1990-09-11 |
JP2566003B2 JP2566003B2 (ja) | 1996-12-25 |
Family
ID=12823393
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1049162A Expired - Lifetime JP2566003B2 (ja) | 1989-02-28 | 1989-02-28 | 赤外線グリッド偏光子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2566003B2 (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08201176A (ja) * | 1994-12-28 | 1996-08-09 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | マイクロ偏光計、マイクロセンサ・システム、および薄膜の特性を測定する方法 |
EP0833173A2 (en) * | 1996-09-30 | 1998-04-01 | Kyocera Corporation | A polarizer and a production method thereof |
JP2005195824A (ja) * | 2004-01-07 | 2005-07-21 | Asahi Kasei Chemicals Corp | ワイヤグリッド型偏光子 |
JP2005249674A (ja) * | 2004-03-05 | 2005-09-15 | Jasco Corp | 高感度反射測定装置 |
WO2006004010A1 (ja) * | 2004-06-30 | 2006-01-12 | Zeon Corporation | 電磁波遮蔽性グリッド偏光子およびその製造方法、グリッド偏光子の製造方法 |
JP2006139283A (ja) * | 2004-11-09 | 2006-06-01 | Lg Electronics Inc | 液晶ディスプレイ及びその製造方法 |
JP2010060587A (ja) * | 2008-09-01 | 2010-03-18 | Sony Corp | 偏光素子及びその製造方法 |
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---|---|---|---|---|
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JPS61262705A (ja) * | 1985-05-17 | 1986-11-20 | Fujitsu Ltd | 偏光素子 |
JPS6215518A (ja) * | 1985-07-15 | 1987-01-23 | Mitsubishi Electric Corp | 偏光変換器 |
-
1989
- 1989-02-28 JP JP1049162A patent/JP2566003B2/ja not_active Expired - Lifetime
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EP0833173A2 (en) * | 1996-09-30 | 1998-04-01 | Kyocera Corporation | A polarizer and a production method thereof |
EP0833173A3 (en) * | 1996-09-30 | 1998-05-06 | Kyocera Corporation | A polarizer and a production method thereof |
US6252709B1 (en) | 1996-09-30 | 2001-06-26 | Kyocera Corporation | Polarizer and a production method thereof |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2566003B2 (ja) | 1996-12-25 |
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