WO2005059933A1 - 変位素子 - Google Patents

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WO2005059933A1
WO2005059933A1 PCT/JP2004/012281 JP2004012281W WO2005059933A1 WO 2005059933 A1 WO2005059933 A1 WO 2005059933A1 JP 2004012281 W JP2004012281 W JP 2004012281W WO 2005059933 A1 WO2005059933 A1 WO 2005059933A1
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cantilever
displacement
displacement element
folded beam
fixed
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PCT/JP2004/012281
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English (en)
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Inventor
Masanobu Nomura
Original Assignee
Murata Manufacturing Co., Ltd.
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Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co., Ltd. filed Critical Murata Manufacturing Co., Ltd.
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    • GPHYSICS
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    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24Coupling light guides
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    • G02B6/35Optical coupling means having switching means
    • G02B6/3564Mechanical details of the actuation mechanism associated with the moving element or mounting mechanism details
    • G02B6/3566Mechanical details of the actuation mechanism associated with the moving element or mounting mechanism details involving bending a beam, e.g. with cantilever
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G5/00Capacitors in which the capacitance is varied by mechanical means, e.g. by turning a shaft; Processes of their manufacture
    • H01G5/16Capacitors in which the capacitance is varied by mechanical means, e.g. by turning a shaft; Processes of their manufacture using variation of distance between electrodes
    • H01G5/18Capacitors in which the capacitance is varied by mechanical means, e.g. by turning a shaft; Processes of their manufacture using variation of distance between electrodes due to change in inclination, e.g. by flexing, by spiral wrapping
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H10N30/20Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators
    • H10N30/204Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators using bending displacement, e.g. unimorph, bimorph or multimorph cantilever or membrane benders
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    • H10N30/2042Cantilevers, i.e. having one fixed end
    • H10N30/2044Cantilevers, i.e. having one fixed end having multiple segments mechanically connected in series, e.g. zig-zag type
    • GPHYSICS
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    • G02B6/3512Optical coupling means having switching means involving stationary waveguides with moving interposed optical elements the optical element being reflective, e.g. mirror
    • G02B6/3514Optical coupling means having switching means involving stationary waveguides with moving interposed optical elements the optical element being reflective, e.g. mirror the reflective optical element moving along a line so as to translate into and out of the beam path, i.e. across the beam path
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    • G02B6/24Coupling light guides
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    • G02B6/35Optical coupling means having switching means
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    • G02B6/3568Mechanical details of the actuation mechanism associated with the moving element or mounting mechanism details characterised by the actuating force
    • G02B6/357Electrostatic force

Definitions

  • the present invention relates to a displacement element, and more particularly to a displacement element including a beam configured to bend by electric driving in order to displace a predetermined portion.
  • FIG. 14 As a conventional displacement element of interest to the present invention, for example, there is one as shown in FIG. 14 (for example, see Patent Document 1).
  • the displacement element 1 shown in FIG. 14 constitutes a variable capacitance element, and includes a cantilever 4 having one end fixed to a substrate 2 via a support 3. ing.
  • the cantilever 4 has a structure in which a movable electrode 5, an insulator layer 6, a first piezoelectric electrode 7, a piezoelectric layer 8, and a second piezoelectric electrode 9 are stacked in order from the bottom.
  • the substrate 2 is provided with a fixed electrode 10 facing a movable electrode 5 provided on the cantilever 4 via an air layer as a dielectric.
  • the cantilever 4 is warped in the initial state. It is important that they do not.
  • each of the plurality of functional material layers 59 for providing the laminated structure in the cantilever 4 has an internal stress having a magnitude different from each other due to a film forming method or a film forming condition. Therefore, immediately after fabrication, the cantilever 4 may be in a warped state, and the degree of warpage is often not constant. Furthermore, since the functional material layers 519 constituting the cantilever 4 are made of different materials, when a temperature change occurs, thermal stress occurs due to a difference in thermal expansion coefficient, and as a result, However, the cantilever 4 may be warped. [0007] As a solution to the above-mentioned problem of the cantilever warpage, it has been proposed to make the laminated structure of the cantilever bilaterally symmetrical (for example, see Patent Document 2).
  • Patent Document 2 although not shown, a variable capacitance element utilizing electrostatic attraction is described. Since the cantilever has a symmetrical laminated structure, the stresses generated on both sides of the cantilever cancel each other out, so that the cantilever is unlikely to be warped in the initial state. It has a structure.
  • the film quality of the functional material layer to be formed is usually easily affected by the underlayer. Therefore, in design, even if a functional material layer having the same film quality is to be formed, the film quality may be different due to a difference in the base. In addition, since the influence of the underlayer becomes weaker as the film formation proceeds, there is a force S that a film quality distribution is generated in one film thickness direction in one functional material layer. These are also obstacles to achieving a symmetrical structure in a strict sense.
  • the symmetric structure of the front and back as described above also causes a problem that the degree of freedom in designing the cantilever is reduced.
  • a plane pattern that is not only a cross-sectional structure must be symmetric.
  • the plane pattern may not be symmetrical, so that the problem of cantilever warpage may not be simply solved by the symmetrical structure.
  • Patent Document 1 JP-A-7-334549
  • Patent Document 2 JP-A-9-63890
  • an object of the present invention is to provide a displacement element that can solve the above-described problems.
  • the displacement element according to the present invention is characterized by having the following configuration in order to solve the above-described technical problem.
  • the fixed end serving as one end is fixed to the fixed portion.
  • the cantilever is fixed to a free end opposite to the fixed end of the cantilever.
  • a connecting member and a folded beam whose base end serving as one end is fixed to the connecting member and extends so as to be folded in parallel with the cantilever, and a tip opposite to the base end of the folded beam.
  • a displacement member fixed to the portion.
  • the displacement element according to the present invention displaces the displacement element in a direction substantially perpendicular to the plane on which the cantilever beam and the folded beam are arranged, so that at least the cantilever beam and the folded beam are provided.
  • a driving means for electrically driving one to bend.
  • the cantilever and the folded beam described above are made of the same material, and the longitudinal dimension between the fixed portion and the connecting member of the cantilever is determined by the connecting member and the displacement member of the folded beam. It is characterized in that it is equal to the longitudinal dimension between and.
  • both the cantilever beam and the folded beam have a structure in which a plurality of functional material layers having different material strengths are laminated.
  • the cantilever and the folded beam have the same laminated structure.
  • the cantilever and the folded beam have the same geometric form.
  • the cantilever includes first and second cantilevers extending parallel to each other with an interval therebetween, and the folded beam includes the first and second cantilevers. Preferably, it is located between the beams.
  • the displacement element according to the present invention has several embodiments, particularly regarding the driving means.
  • the first embodiment includes a driving unit using an inverse piezoelectric effect or an electrostriction effect of a piezoelectric body
  • the second embodiment includes a driving unit using an electromagnetic force
  • a third embodiment includes a driving unit using electrostatic attraction.
  • the displacement element according to the present invention is advantageously used, for example, to form a variable capacitance element.
  • the displacement element according to the present invention may also be used to configure an optical switch.
  • a mirror provided on the displacement member is further provided, and the optical path is changed by the displacement of the displacement member.
  • the cantilever and the folded beam are made of the same material, and the longitudinal dimension between the fixed portion and the connecting member of the cantilever is the same as that of the folded beam. Since the length in the longitudinal direction between the coupling member and the displacement member is equal, if the cantilever is warped in the state after the fabrication of the displacement element, that is, in the initial state, the same applies to this. The same bending occurs in the folded beam made of the material, and the direction and the degree of the bending can be made equal between the cantilever and the folded beam.
  • the position of the displacement member in the initial state can be kept constant irrespective of the state of each of the cantilever and the folded beam, and Even if the temperature changes, the position of the displacement member can be maintained.
  • both the cantilever and the folded beam are made of different materials.
  • the laminated structure can be changed as long as the cantilever and the folded beam have the same laminated structure.
  • the displacement member can be controlled to a fixed position. Therefore, the degree of freedom in designing the stacked structure can be increased.
  • the degree of warpage of each of the cantilever and the folded beam as described above is mutually determined. It is easy to make them equal, and it is possible to increase the reliability of making the degree of warpage equal to each other.
  • the first and second cantilever beams are provided as the cantilever beams while the first and second cantilever beams extend in parallel with each other with a space between each other.
  • the first and second cantilever beams can more stably hold the folded beam and the displacement member. Therefore, the reliability of the mechanical strength and operation stability of the displacement element can be further improved.
  • the displacement element according to the present invention constitutes a variable capacitance element
  • a variable capacitance element capable of controlling the capacitance value with high accuracy
  • An optical switch that can control the mirror position with high accuracy can be realized.
  • FIG. 1 is a plan view of a displacement element 11 for explaining a first embodiment of a configuration of a displacement element according to the present invention excluding a driving means.
  • FIG. 2 is a view for explaining warpage that may occur in the cantilever beams 12 and 13 and the folded beam 14 of the displacement element 11 shown in FIG.
  • FIG. 2 is an end view of a cut section along A-A
  • (b) is an end view of a cut section along cut plane BB in FIG.
  • FIG. 3 is a plan view of a displacement element 11a for explaining a second embodiment of the configuration of the displacement element according to the present invention excluding the driving means.
  • FIG. 4 is a plan view of a displacement element lib for describing a third embodiment of the displacement element according to the present invention except for a driving means.
  • FIG. 5 is a plan view of a displacement element 11c according to a fourth embodiment of the present invention for explaining a configuration of the displacement element excluding a driving means, and is a plan view of the displacement element 11c.
  • FIG. 6 is a plan view of a displacement element lid for explaining a fifth embodiment of the configuration of the displacement element according to the present invention excluding the driving means.
  • FIG. 7 is for describing a first embodiment of a driving means of the displacement element according to the present invention, where (a) is a plan view of the displacement element 31 and (b) () Is an enlarged cross-sectional view along line BB in (a).
  • FIG. 8 is a view for explaining the operation of the displacement element 31 shown in FIG. 7, and is a view from the direction of arrow A in FIG. 7 (a).
  • FIG. 9 is a view corresponding to FIG. 8 for describing a displacement element 31a as a modification of the displacement element 31 shown in FIGS. 7 and 8.
  • FIG. 10 is a view for explaining a variable capacitance element 41 as a preferable application example of the displacement element 31 shown in FIG. 7;
  • (a) is a plan view of the variable capacitance element 41;
  • (B) is an enlarged end view of the cut portion along the cut surface BB of (a).
  • FIG. 11 is a plan view showing an optical switch 61 as another preferred application example of the displacement element 31 shown in FIG. 7.
  • FIG. 12 is a plan view of a displacement element 71 according to a second embodiment of the present invention for explaining a driving means of the displacement element.
  • FIG. 13 is a view for explaining a third embodiment of the driving means of the displacement element according to the present invention, wherein (a) is a plan view of the displacement element 91 and (b) FIG. 3A is an enlarged end view of a cut portion along a cut surface B-B of FIG.
  • FIG. 14 is a cross-sectional view showing a conventional displacement element 1 of interest to the present invention. Explanation of symbols
  • Displacement element 11 is disposed between first and second cantilever beams 12 and 13 extending in parallel with each other with an interval therebetween, and between first and second cantilever beams 12 and 13. It has a folded beam 14 to be provided.
  • the first and second cantilever beams 12 and 13 each have a fixed end 15 which is one end thereof.
  • a common connecting member 19 is fixed to a free end 18 opposite to the fixed end 15 of each of the first and second cantilever beams 12 and 13.
  • the folded beam 14 has a base end 20 that is one end thereof fixed to the connecting member 19 and extends so as to be folded in parallel with the cantilever beams 12 and 13.
  • a displacement member 22 is fixed to a distal end portion 20 of the folded beam 14 opposite to the base end portion 20.
  • a through hole 23 is provided in the substrate 16 that provides the above-described fixing portion 17, and the first and second cantilever beams 12 and 13, the folded beam 14, the connecting member 19, and the displacement member 22 are provided in the through hole.
  • the displacement element 11 displaces the displacement member 22 in a direction substantially perpendicular to the plane on which the cantilever beams 12 and 13 and the folded beam 14 are arranged.
  • a driving means for electrically driving at least one of the cantilevered beams 12 and 13 and the folded beam 14 to be bent.
  • a driving unit using a reverse piezoelectric effect or an electrostrictive effect of a piezoelectric body, a driving unit using an electromagnetic force, or using an electrostatic attraction is used as the driving unit.
  • Driving means is used as the driving unit.
  • Each of the first and second cantilever beams 12 and 13 has the same longitudinal dimension between the fixing portion 17 and the connecting member 19, and each of the cantilever beams 12 and 13 has the same length.
  • the longitudinal dimension between the fixing part 17 and the connecting member 19 is
  • the cantilever beams 12 and 13 and the folded beam 14 that are connected to each other are also made of the same material. Consists of fees.
  • the cantilever beams 12 and 13 and the folded beam 14 usually have a structure in which a plurality of functional material layers having different material strengths are laminated. In this case, the fact that the cantilever beams 12 and 13 and the folded beam 14 are made of the same material means that the cantilever beams 12 and 13 and the folded beam 14 have the same laminated structure.
  • the cantilever beams 12 and 13 and the folded beam 14 have not only a shape on a cross section that can be regarded as the above-described laminated structure but also a geometric shape including a planar shape.
  • the form is the same as each other.
  • each of cantilever beams 12 and 13 has a position between fixed portion 17 and connecting member 19.
  • it is a portion located between the connecting member 19 and the displacement member 22. Therefore, the portions of the cantilever beams 12 and 13 that are located on the fixing portion 17 and the connecting member 19, and the portions of the folded beam 14 that are located on the connecting member 19 and the displacing member 22, respectively.
  • the same material and form are not required.
  • each of the portions of the cantilevers 12 and 13 located on the fixed portion 17 may be integrated with the fixed portion 17.
  • a portion of the folded beam 14 located on the displacement member 22 may be integrated with the displacement member 22.
  • the connecting member 19 and the displacement member 22 are preferably made of a material having a relatively large Young's modulus. Further, it is preferable that the thickness in the thickness direction of the substrate 16, the connecting member 19 and the displacement member 22 be larger than those of the cantilever beams 12 and 13 and the folded beam 14. Further, the displacement member 22 is preferably made of the same material as the substrate 16 and has the same dimension in the thickness direction.
  • the cantilever beam 12 and the folded beam 14 may be warped in an initial state immediately after fabrication.
  • the warpage is caused by the internal stress of the material forming the cantilever beam 12 and the folded beam 14, more specifically, the internal stress of each material of the functional material layer that provides the laminated structure.
  • the direction and degree of warpage vary depending on the magnitude and direction of the internal stress and the elastic constant of the material of each functional material layer.
  • the cantilever beam 12 and the folded beam 14 are made of the same material and have the same longitudinal dimension as each other, in this embodiment, particularly, in this embodiment, the same laminated structure is used. 2A and 2B, the cantilever beam 12 and the folded beam 14 have the same warpage as shown by broken lines in each of FIGS. 2 (a) and 2 (b). Direction and degree.
  • FIGS. 3 to 6 are views corresponding to FIG. 1 and show second to fifth embodiments of the configuration of the displacement element according to the present invention except for the driving means.
  • elements corresponding to the elements shown in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and redundant description will be omitted. To do.
  • the displacement element 11a shown in Fig. 3 is characterized in that the second cantilever 13 is omitted, and only the first cantilever 12 is provided as the cantilever. It can be said that the displacement element 1 la shown in FIG. 3 has only the most basic configuration of the displacement element according to the present invention.
  • the displacement element l ib shown in FIG. 4 does not include the second cantilever 13 as in the case of the displacement element 11 a shown in FIG. It is characterized in that each planar shape is an ellipse or an oval instead of a rectangle.
  • the displacement element l ib shown in FIG. 4 is significant in clarifying that the plane shapes of the cantilever beam 12 and the folded beam 14 can be arbitrarily changed.
  • the second cantilever 13 is omitted, as in the case of the displacement element 11a shown in FIG. It is characterized in that it is smaller than the width dimension of the support beam 12.
  • This embodiment is significant in clarifying that the cantilever beam 12 and the folded beam 14 need not have the same geometric shape as one another. In other words, the cantilever beam 12 and the folded beam 14 have the same geometric form as long as the degree of warpage is set to be the same as each other.
  • the displacement element lid shown in FIG. 6 includes first and second folded beams 14a and 14b as folded beams, and first and second coupling members 19a and 19b as coupling members. It is characterized by having.
  • the displacement element 31 has a basic configuration of the displacement element 11 shown in FIG. Therefore, in FIGS. 7 and 8, the elements corresponding to the elements shown in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and the duplicate description will be omitted.
  • the displacement element 31 is characterized in that a driving means using an inverse piezoelectric effect or an electrostriction effect of a piezoelectric body is used as the driving means.
  • the substrate 16, the connecting member 19, and the displacement member 22 all have a thickness of, for example, 200 zm, and are made of Si.
  • the first cantilever 12 is made of, for example, Al 2 O from below, as shown in FIG. 7 (b).
  • the lower electrode layer 34 formed on each of the first and second cantilever beams 12 and 13 is electrically connected to each other via an extraction electrode 37. As shown in FIG. 7A, a part of the extraction electrode 37 is formed on the substrate 16 so as to be exposed to the outside.
  • a substrate 16 made of Si is prepared. At this stage, the through holes 23 are not formed in the substrate 16.
  • an A1 ⁇ film serving as the reaction preventing layer 32 is formed on the substrate 16 by sputtering or electron beam deposition.
  • a Ti film to be the adhesion layer 33 and a Pt film to be the lower electrode layer 34 are sequentially formed on the entire surface by a method such as sputtering or electron beam evaporation.
  • This Pt film is an extraction electrode
  • a PZT film to be the piezoelectric layer 35 is formed on the entire surface by a method such as sputtering or Zonore gel.
  • the cantilever beams 12 and 13 and the folded beam 14 are illustrated as having no warpage in an initial state immediately after fabrication. Even if the cantilever beams 12 and 13 and the folded beam 14 are warped in the initial state immediately after fabrication, as described above, since the displacement member 22 is kept at the same height position as the substrate 16, The same operation as when no warpage occurs is realized. In FIG. 8, the illustration of the laminated structure provided in the cantilever 13 and the folded beam 14 is omitted.
  • the piezoelectric layer 35 in the cantilevers 12 and 13 is distorted, and the cantilevers 12 and 13 are bent.
  • the piezoelectric layer 35 is relatively on the upper layer side in the thickness direction of the cantilevers 12 and 13, and when the voltage is applied, the PZT is distorted in the contracting direction.
  • it curves in a direction that becomes convex downward.
  • the first cantilever beam 12 is not shown hidden behind the cantilever beam 13
  • the first cantilever beam 12 and the second cantilever beam 13 show the same behavior as each other.
  • the connecting member 19 is displaced upward from the substrate 16 and the end of the displaceable member 22 side is inclined downward. Let it.
  • the displacement member 22 is displaced in a direction substantially perpendicular to the plane on which the cantilever beams 12 and 13 and the folded beam 14 are arranged, and is located below the substrate 16.
  • the displacement element 31a shown in FIG. 9 when a voltage is applied, the folded beam 14 is bent, for example, in a downwardly convex direction, and the displacement member 22 is displaced upward from the substrate 16.
  • both the cantilever beams 12 and 13 and the folded beam 14 may be configured to bend.
  • FIG. 10 illustrates a variable capacitance element 41 as a preferred application example of the displacement element 31 shown in FIG.
  • FIG. 10 (a) is a plan view of the variable capacitance element 41
  • FIG. 10 (b) is an enlarged end view of the cut portion along the cut surface BB of FIG. 10 (a).
  • elements corresponding to the elements shown in FIG. 7 are denoted by the same reference numerals, and redundant description will be omitted.
  • the variable capacitance element 41 has the following elements in addition to the elements shown in FIG.
  • a first capacitance electrode 44 is formed on the displacement member 22 .
  • FIG. 10B it is provided by a 1.95 ⁇ m thick Au film 46 formed on a Ti film 45 having a thickness of 0.1 as a base.
  • one second capacitor electrode 49 is electrically connected to the extraction electrode 42, and the other second capacitor electrode 50 is connected to the extraction electrode. It is electrically connected to 43.
  • a conductive bonding material such as a conductive paste is used for electrical connection between the second capacitance electrodes 49 and 50 and the extraction electrodes 42 and 43.
  • variable capacitance element 41 Next, an example of a method for manufacturing the variable capacitance element 41 will be briefly described.
  • variable capacitance element 41 In manufacturing the variable capacitance element 41, the step of manufacturing the displacement element 31 shown in FIG. 7 described above and the last step of removing the unnecessary portion of the substrate 16 is performed. Before, the following steps are added.
  • a gap adjusting member 48 is formed on the substrate 16 using photosensitive polyimide.
  • silver is included as a conductive component on each end of extraction electrodes 42 and 43. Apply conductive paste.
  • variable capacitance element 41 the capacitance formed by the first capacitance electrode 44 and one second capacitance electrode 49, the first capacitance electrode 44, and the other second capacitance electrode 50
  • a capacitance is obtained by synthesizing the capacitance formed by the above and the capacitance can be extracted from the extraction electrodes 42 and 43.
  • the displacement member 22 is kept at the same height position as the substrate 16.
  • variable capacitance element 41 As described above, according to the variable capacitance element 41, the position of the displacement member 22 at the stage where no voltage is applied between the extraction electrodes 37 and 38 can be kept constant. Thus, the displacement of the displacement member 22 caused by the above can be controlled with high precision, and as a result, the capacitance can be controlled with high precision.
  • a mirror 62 is provided on the displacement member 22.
  • an unnecessary portion of the substrate 16 which is the last step of manufacturing the displacement element 31 shown in FIG.
  • the process of attaching the separately prepared mirror 62 to the portion that is to be the displacement member 22 is performed. Is preferred.
  • the optical switch 61 includes first, second, and third optical fibers 63, 64, and 65 provided in association with the mirror 62.
  • the respective positions of the first to third optical fibers 63 to 65 and the positional relationship between them are such that when the optical signal output from the first optical fiber 63 is reflected by the power mirror 62, When the mirror 62 does not exist on the optical path of the optical signal output from the first optical fiber 63 and reaches the optical fiber 64, the output optical signal is set to reach the third optical fiber 65. .
  • the optical signal output from the first optical fiber 63 is reflected by the mirror 62 and transmitted to the second optical fiber 64.
  • the optical signal output from the first optical fiber 63 becomes the third optical signal. Transmitted to fiber 65.
  • the displacement element according to the present invention when applied to the optical switch 61, the position controllability of the mirror 62 can be improved.
  • FIG. 12 is a plan view illustrating a displacement element 71 for describing a second embodiment of the displacement element driving means according to the present invention.
  • the displacement element 71 has the basic configuration of the displacement element 11 shown in FIG. Therefore, in FIG. 12, elements corresponding to the elements shown in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and duplicate description will be omitted.
  • the displacement element 71 is characterized in that a driving unit using electromagnetic force is used as the driving unit.
  • the above-described insulator layer 72 is provided on the fixing portion 17 of the substrate 16, the connecting member 19, and the displacement member 10 which merely extend to form the cantilever beams 12 and 13 and the folded beam 14. It also extends on member 22. Further, the insulator layers 72 constituting each of the cantilever beams 12 and 13 and the folded beam 14 are integrated by a portion extending on the connecting member 19.
  • the conductor layer 73 provides two electrode pads 74 and 75 on the substrate 16 and also provides an electric conductor 76 on the displacement member 22.
  • the conductor layer 73 also includes a connection line 77 for connecting between the electrode pad 74 and the conductor 76 and a connection line 78 for connecting between the electrode pad 75 and the conductor 76.
  • the conductor layer 73 is provided with the first and second cantilever beams 12 and 13 each of which has the same force S as that of the folded beam 14 and the first and second cantilever beams 12 and 13. Dummy lines 79 and 80 are formed on cantilevers 12 and 13, respectively.
  • a substrate 16 made of Si is prepared. At this stage, the through holes 23 are not formed in the substrate 16.
  • the conductor layer 73 including the electrode pads 74 and 75, the conductor 76, the connection lines 77 and 78, and the dummy lines 79 and 80 is formed by a method such as lift-off.
  • an unnecessary portion of the substrate 16 is removed from the back side of the substrate 16 by applying a method such as RIE through a mask pattern made of a photoresist or the like.
  • a through hole 23 is formed in the substrate 16, and the connecting member 19 and the displacement member 22 are provided by each part of the substrate 16, respectively, and the cantilever beams 12 and 13 and the folded beam 14 are required. In portions, the substrate 16 is removed.
  • the displacement element 71 can be obtained.
  • the operation of the displacement element 71 will be described. First, in a state where no magnetic field is applied to the displacement element 71 and no current flows through the conductor 76 through the electrode pads 74 and 75, the displacement member 22 is kept at the same height position as the substrate 16.
  • a magnet 81 provided by a permanent magnet or an electromagnet is used to apply a magnetic field to the displacement element 71 from the outside in the in-plane direction of the substrate 16,
  • an electric current is applied to the current-carrying member 76 using the electric current 75, an electromagnetic force is generated in the portion of the current-carrying member 76, and the bending beam 14 or the bending beam 14 and the cantilever beams 12 and 13 are bent. Is displaced upward or downward.
  • the amount of displacement and the direction of displacement can be controlled by the magnitude and direction of the current flowing through the electric conductor 76.
  • FIG. 13 is for explaining a third embodiment of the driving means of the displacement element according to the present invention.
  • FIG. 13 (a) is a plan view of the displacement element 91
  • FIG. 13 (b) is an enlarged end view of a cut section along the cut plane BB of FIG. 13 (a).
  • the displacement element 91 has the basic configuration of the displacement element 11 shown in FIG. Therefore, in FIG. 13, elements corresponding to the elements shown in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and redundant description will be omitted.
  • the displacement element 91 is characterized in that a driving unit using electrostatic attraction is used as the driving unit.
  • the displacement element 91, the substrate 16, the connecting member 19, and the displacement member 22 are all made to have a thickness of, for example, 200 zm and are made of Si.
  • Each of the first and second cantilever beams 12 and 13 and the folded beam 14 has a structure in which an insulator layer 92 and a conductor layer 93 are stacked in the thickness direction from below.
  • Insulator layer 92 is made of, for example, polyimide and has a thickness of 3 zm.
  • the conductor layer 93 is provided by an Au film formed with a Ti film having a thickness of 0.05 zm as a base and a 0.45 x m thickness thereon.
  • the insulator layer 92 forms the cantilever beams 12 and 13 and the folded beam 14.
  • portions that extend on the fixed portion 17 of the substrate 16, the connecting member 19, and the displacement member 22 are provided.
  • the insulator layers 92 constituting each of the cantilever beams 12 and 13 and the folded beam 14 are integrated by a portion extending on the connecting member 19.
  • the conductor layer 93 is provided on the substrate 16 on the line on which the second cantilever 13 extends, the electrode pad 94 on the displacement member 22, the electrode pad 95 on the displacement member 22, and the electrode pad 94. It has a connection line 96 connecting between Further, the conductor layer 93 has the same structure as the second cantilever 13 and the folded beam 14 and has the same laminated structure and geometric shape as the first cantilever 12, so that the first A dummy line 97 formed on the beam 12 is provided.
  • an insulator layer 98 having the same material strength and the same thickness as the insulator layer 92 is provided on the side where the first cantilever 12 is located.
  • an electrode pad 99 having the same material and the same thickness as the conductor layer 93 is formed.
  • a bridge member 100 made of, for example, glass is fixedly arranged so as to face the upper surface of the substrate 16.
  • the bridge member 100 is joined to the substrate 16 via a gap adjusting member 101.
  • the gap adjusting member 101 is made of, for example, polyimide and has a thickness of 7.
  • an electrode pad 103 facing the above-mentioned electrode pad 95 with the air layer 102 interposed therebetween and a connection line 104 connected thereto are formed on the lower surface of the bridge member 100.
  • the electrode pads 103 and the connection lines 104 are provided, for example, by a thickness of 0.45 ⁇ mc AuII formed on a 0.05-im thick Ti film as a base. .
  • a substrate 16 made of Si is prepared. At this stage, the through holes 23 are not formed in the substrate 16.
  • the insulating layers 92 and 98 were formed on the substrate 16 using photosensitive polyimide, respectively. It is formed in a patterned state.
  • a conductor layer 93 including the electrode pads 94 and 95, the connection lines 96 and the dummy lines 97, and the electrode pads 99 are formed.
  • a gap adjusting member 101 is formed on the substrate 16 using photosensitive polyimide.
  • a conductive paste containing, for example, silver as a conductive component is applied on the end of electrode pad 99.
  • the separately prepared bridge member 100 on which the electrode pads 103 and the connection lines 104 have been formed is placed on the gap adjusting member 101 on the substrate 16 and fixed by thermocompression bonding.
  • the displacement member 22 is kept at the same height position as the substrate 16.
  • the displacement element 91 since the position of the displacement member 22 in the initial state is stable, the position controllability with respect to the displacement member 22 can be improved.
  • the displacement element can be used for applications other than the variable capacitance element or the optical switch.
  • the displacement element according to the present invention can be applied as a variable capacitance element capable of controlling the capacitance value with high precision, or as an optical switch capable of controlling the mirror position with high precision.

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Abstract

 電気的に駆動されることによって変位する変位部材の、初期状態での位置を安定させ、変位部材に対する位置制御性を優れたものとする。  その固定端部(15)が固定部(17)に固定される、片持ち梁(12,13)と、片持ち梁の自由端部(18)に固定される、連結部材(19)と、その基端部(20)が連結部材に固定されかつ片持ち梁とは平行に折り返すように延びる、折り返し梁(14)と、折り返し梁の先端部(21)に固定される、変位部材(22)とを備える。片持ち梁(12,13)と折り返し梁(14)とは、互いに同じ積層構造かつ互いに同じ幾何学的形態を有し、さらに、長手方向寸法が互いに等しくされる。作製直後の初期状態において、片持ち梁(12,13)と折り返し梁(14)とに反りが生じていたとしても、これらの反りは互いに同等であるので、変位部材(22)の高さ位置は、一定に保つことができる。

Description

明 細 書
変位素子
技術分野
[0001] この発明は、変位素子に関するもので、特に、所定の部位を変位させるため、電気 的駆動により橈むように構成された梁を備える、変位素子に関するものである。
背景技術
[0002] この発明にとって興味ある従来の変位素子として、たとえば図 14に示すようなもの がある (たとえば、特許文献 1参照)。
[0003] 図 14に示した変位素子 1は、可変容量素子を構成するもので、基板 2に対して、支 持部 3を介して一方の端部が固定された、片持ち梁 4を備えている。片持ち梁 4は、 下から順に、可動電極 5、絶縁体層 6、第 1圧電電極 7、圧電体層 8および第 2圧電電 極 9を積層した構造を有している。他方、基板 2には、片持ち梁 4に備える可動電極 5 に対して、誘電体としての空気層を介して対向する固定電極 10が設けられている。
[0004] このような変位素子 1において、第 1圧電電極 7と第 2圧電電極 9との間に電圧を印 加すれば、圧電体層 8が逆圧電効果に基づいて歪む。その結果、片持ち梁 4が橈み 、可動電極 5と固定電極 10との距離が変更され、可動電極 5と固定電極 10との間に 形成される静電容量が変更される。
[0005] 上述した変位素子 1によって構成される可変容量素子にぉレ、て、静電容量値の正 確かつ高精度な制御のためには、初期状態において、片持ち梁 4に反りが生じてい ないことが重要である。
[0006] し力、しながら、片持ち梁 4における積層構造を与える複数の機能材料層 5 9の各 々は、成膜方法または成膜条件等に起因して互いに異なる大きさの内部応力を持つ ため、作製直後において、片持ち梁 4は反った状態となることがあり、また、反りの度 合いについても、一定しないことが多い。さらに、片持ち梁 4を構成する機能材料層 5 一 9は、各々、互いに異なる材料から構成されているため、温度変化が生じた場合、 熱膨張係数の違いによる熱応力が発生し、その結果、片持ち梁 4が反ってしまうこと もある。 [0007] 上述のような片持ち梁の反りの問題を解決し得るものとして、片持ち梁が有する積 層構造を表裏対称とすることも提案されている (たとえば、特許文献 2参照)。
[0008] 特許文献 2では、図示しないが、静電引力を利用した可変容量素子が記載されて いる。片持ち梁は、表裏対称の積層構造を有しているため、片持ち梁の表裏面の各 側に発生する応力は相互に相殺され、したがって、初期状態において、片持ち梁の 反りが生じにくい構造となっている。
[0009] し力、しながら、上記特許文献 2において提案された表裏対称の構造を採用しても、 片持ち梁において反りが生じないようにすることは、以下の理由により、容易ではない
[0010] まず、片持ち梁の表裏対称な積層構造を与える複数の機能材料層をそれぞれ形 成するにあたって、成膜条件を厳密に制御したとしても、機能材料層の膜厚が設計 値からずれることがあり、結果として、厳密な意味での表裏対称な構造を実現できな レ、ことがある。
[0011] また、成膜工程では、通常、成膜されようとする機能材料層の膜質は、下地の影響 を受けやすい。したがって、設計上は、同じ膜質の機能材料層を成膜しょうとしても、 下地の違いによって、異なる膜質となることがある。また、この下地の影響は、成膜が 進むに従って弱くなるため、 1つの機能材料層において、膜厚方向に膜質の分布が 生じること力 Sある。これらのことも、厳密な意味での表裏対称な構造を実現する上での 障害となる。
[0012] さらに、上述のような表裏対称構造は、片持ち梁の設計の自由度を低下させるとい う問題をも引き起こす。
[0013] たとえば、 1つの絶縁体層の表裏にそれぞれ導電体層を形成することによって、合 計 3層の表裏対称構造を実現している片持ち梁において、 1つの機能材料層を追加 したい場合には、表裏それぞれに、この機能材料層を追加することによって、合計 5 層の表裏対称構造としなければならなレ、。
[0014] し力、しながら、上述のように追加される機能材料層のうち、表裏いずれかの側にある ものについては、単に表裏対称構造を実現するためだけに形成されるものである。し たがって、この機能材料層の形成のための作製工程数が増え、コストの上昇を招くと レ、う問題に遭遇する。
[0015] また、表裏対称構造を実現するためには、断面構造についてだけでなぐ平面パタ ーンについても、対称としなければならない。し力 ながら、片持ち梁に求められる機 能によっては、平面パターンを表裏対称とできない場合があり、そのため、片持ち梁 の反りの問題は、表裏対称構造によっては単純に解決できないことがある。
特許文献 1 :特開平 7 - 335491号公報
特許文献 2:特開平 9 - 63890号公報
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0016] そこで、この発明の目的は、上述したような問題を解決し得る変位素子を提供しょう とすることである。
課題を解決するための手段
[0017] この発明に係る変位素子は、上述した技術的課題を解決するため、次のような構成 を備えることを特徴としてレ、る。
[0018] この発明に係る変位素子は、一方の端部となる固定端部が固定部に固定される、 片持ち梁と、片持ち梁の固定端部とは逆の自由端部に固定される、連結部材と、一 方の端部となる基端部が連結部材に固定されかつ片持ち梁とは平行に折り返すよう に延びる、折り返し梁と、折り返し梁の基端部とは逆の先端部に固定される、変位部 材とを備えている。
[0019] また、この発明に係る変位素子は、片持ち梁および折り返し梁が並ぶ面に対して実 質的に垂直な方向に変位素子を変位させるため、片持ち梁および折り返し梁の少な くとも一方を橈ませるように電気的に駆動するための駆動手段を備えている。
[0020] 上述した片持ち梁と折り返し梁とは、互いに同じ材料からなり、さらに、片持ち梁の、 固定部と連結部材との間の長手方向寸法は、折り返し梁の、連結部材と変位部材と の間の長手方向寸法と等しくされていることを特徴としている。
[0021] この発明において、通常、片持ち梁および折り返し梁は、ともに、互いに異なる材料 力 それぞれなる複数の機能材料層を積層した構造を有している。この場合には、 片持ち梁と折り返し梁とは、互いに同じ積層構造を有していることが好ましい。 [0022] また、片持ち梁と折り返し梁とは、互いに同じ幾何学的形態を有していることが好ま しい。
[0023] この発明において、片持ち梁として、互いの間に間隔を隔てて互いに平行に延びる 第 1および第 2の片持ち梁を備えるとともに、折り返し梁は、これら第 1および第 2の片 持ち梁の間に配置されることが好ましい。
[0024] この発明に係る変位素子は、特に駆動手段に関して、レ、くつかの実施態様がある。
たとえば、第 1の実施態様では、圧電体の逆圧電効果または電歪効果を利用する駆 動手段を備え、第 2の実施態様では、電磁力を利用する駆動手段を備え、第 3の実 施態様では、静電引力を利用する駆動手段を備えている。
[0025] この発明に係る変位素子は、一例として、可変容量素子を構成するために有利に 用いられる。この場合、変位部材上に設けられる第 1の容量電極と、第 1の容量電極 に対して静電容量を形成するように空気層を隔てた位置に固定的に設けられる第 2 の容量電極とをさらに備え、変位部材の変位によって静電容量が変更されるように構 成される。
[0026] この発明に係る変位素子は、また、光スィッチを構成するために用いられることもあ る。この場合、変位部材上に設けられるミラーをさらに備え、変位部材の変位によって 光路が変更されるように構成される。
発明の効果
[0027] この発明に係る変位素子では、片持ち梁と折り返し梁とが互いに同じ材料からなり、 かつ、片持ち梁の、固定部と連結部材との間の長手方向寸法が、折り返し梁の、連 結部材と変位部材との間の長手方向寸法と等しくされているので、仮に、変位素子の 作製後の状態、すなわち初期状態において、片持ち梁に反りが生じているとすると、 これと同じ材料からなる折り返し梁においても、同様の反りが生じ、また、反りの方向 および度合いは、片持ち梁と折り返し梁とで互いに等しくすることができる。
[0028] その結果、この発明に係る変位素子によれば、初期状態における変位部材の位置 を、片持ち梁および折り返し梁の各々の反りの状態に関わらず、一定にすることがで き、また、温度変化が生じても、この変位部材の位置を維持することができる。
[0029] この発明において、片持ち梁および折り返し梁が、ともに、互いに異なる材料からそ れぞれなる複数の機能材料層を積層した構造を有している場合には、片持ち梁と折 り返し梁とが互いに同じ積層構造を有するようにさえすれば、積層構造を変更しても 、前述したように、変位部材を一定の位置に制御することができる。したがって、積層 構造での設計の自由度を高めることができる。
[0030] この発明において、片持ち梁と折り返し梁とが、互いに同じ幾何学的形態を有して レ、ると、前述したような片持ち梁と折り返し梁との各々の反りの度合いを互いに等しく することが容易であり、また、反りの度合いを互いに等しくすることについての信頼性 をより高めること力 Sできる。
[0031] この発明において、片持ち梁として、互いの間に間隔を隔てて互いに平行に延びる 第 1および第 2の片持ち梁を備えながら、折り返し梁が、第 1および第 2の片持ち梁の 間に配置されると、折り返し梁および変位部材を、第 1および第 2の片持ち梁によって 、より安定的に保持することができる。したがって、変位素子の機械的強度および動 作安定性についての信頼性をより高めることができる。
[0032] この発明に係る変位素子が、可変容量素子を構成する場合には、静電容量値を高 精度に制御できる可変容量素子を実現することができ、光スィッチを構成する場合に は、ミラー位置を高精度に制御できる光スィッチを実現することができる。
図面の簡単な説明
[0033] [図 1]図 1は、この発明に係る変位素子の、駆動手段を除く構成についての第 1の実 施形態を説明するためのもので、変位素子 11の平面図である。
[図 2]図 2は、図 1に示した変位素子 11の片持ち梁 12および 13ならびに折り返し梁 1 4において生じ得る反りを説明するためのもので、 (a)は、図 1の切断面 A— Aに沿う 切断部端面図であり、(b)は、図 1の切断面 B— Bに沿う切断部端面図である。
[図 3]図 3は、この発明に係る変位素子の、駆動手段を除く構成についての第 2の実 施形態を説明するためのもので、変位素子 11aの平面図である。
[図 4]図 4は、この発明に係る変位素子の、駆動手段を除く構成についての第 3の実 施形態を説明するためのもので、変位素子 l ibの平面図である。
[図 5]図 5は、この発明に係る変位素子の、駆動手段を除く構成についての第 4の実 施形態を説明するためのもので、変位素子 11cの平面図である。 [図 6]図 6は、この発明に係る変位素子の、駆動手段を除く構成についての第 5の実 施形態を説明するためのもので、変位素子 l idの平面図である。
[図 7]図 7は、この発明に係る変位素子の、駆動手段についての第 1の実施形態を説 明するためのもので、(a)は、変位素子 31の平面図であり、(b)は、(a)の線 B—Bに 沿う拡大断面図である。
[図 8]図 8は、図 7に示した変位素子 31の動作を説明するためのもので、図 7 (a)の矢 印 A方向から示した図である。
[図 9]図 9は、図 7および図 8に示した変位素子 31の変形例としての変位素子 31aを 説明するための図 8に対応する図である。
[図 10]図 10は、図 7に示した変位素子 31の好ましい一適用例としての可変容量素子 41を説明するためのもので、(a)は、可変容量素子 41の平面図であり、(b)は、(a) の切断面 B - Bに沿う切断部拡大端面図である。
[図 11]図 11は、図 7に示した変位素子 31の好ましい他の適用例としての光スィッチ 6 1を示す平面図である。
[図 12]図 12は、この発明に係る変位素子の、駆動手段についての第 2の実施形態を 説明するためのもので、変位素子 71の平面図である。
[図 13]図 13は、この発明に係る変位素子の、駆動手段についての第 3の実施形態を 説明するためのもので、(a)は、変位素子 91の平面図であり、(b)は、(a)の切断面 B 一 Bに沿う切断部拡大端面図である。
[図 14]図 14は、この発明にとって興味ある従来の変位素子 1を示す断面図である。 符号の説明
11, 11a, l ib, 11c, l id, 31, 31a, 71 , 91 変位素子
12 第 1の片持ち梁
13 第 2の片持ち梁
14, 14a, 14b 折り返し梁
15 固定端部
16 基板 18 自由端部
19, 19a, 19b 連結部材
20 基端部
21 先端部
22 変位部材
34 下部電極層
35 圧電体層
36 上部電極層
37, 38, 42, 43 引出電極
41 可変容量素子
44 第 1の容量電極
47, 100 ブリッジ部材
49, 50 第 2の容量電極
53, 102 空気層
61 光スィッチ
62 ミラー
63— 65 光ファイバ
72, 92, 98 絶縁体層
73, 93 導電体層
74, 75, 94, 95, 99, 103 電極ノ ッド
76 通電体
77, 78, 96, 104 接続ライン
79, 80, 97 ダミーライン
81 磁石
発明を実施するための最良の形態
図 1および図 2は、この発明に係る変位素子の、駆動手段を除く構成についての第 1の実施形態を説明するためのものである。ここで、図 1は、変位素子 11の平面図で あり、図 2 (a)は、図 1の切断面 A— Aに沿う切断部端面図であり、図 2 (b)は、図 1の切 断面 B— Bに沿う切断部端面図である。
[0036] 変位素子 11は、互いの間に間隔を隔てて互いに平行に延びる第 1および第 2の片 持ち梁 12および 13、ならびに第 1および第 2の片持ち梁 12および 13の間に配置さ れる折り返し梁 14を備えている。
[0037] 第 1および第 2の片持ち梁 12および 13は、各々の一方の端部となる固定端部 15が
、基板 16の一部によって与えられる固定部 17に固定される。
[0038] 第 1および第 2の片持ち梁 12および 13の各々の固定端部 15とは逆の自由端部 18 には、共通の連結部材 19が固定される。
[0039] 折り返し梁 14は、その一方の端部となる基端部 20が上述の連結部材 19に固定さ れかつ片持ち梁 12および 13とは平行に折り返すように延びる。
[0040] 折り返し梁 14の基端部 20とは逆の先端部 20には、変位部材 22が固定される。
[0041] 前述した固定部 17を与える基板 16には、貫通孔 23が設けられ、第 1および第 2の 片持ち梁 12および 13、折り返し梁 14、連結部材 19ならびに変位部材 22は、貫通孔
23内に位置される。
[0042] また、具体的には図示しないが、変位素子 11は、片持ち梁 12および 13ならびに折 り返し梁 14が並ぶ面に対して実質的に垂直な方向に変位部材 22を変位させるため 、片持ち梁 12および 13と折り返し梁 14との少なくとも一方を撓ませるように電気的に 駆動するための駆動手段を備えている。駆動手段としては、後述する実施形態から 明らかになるように、たとえば、圧電体の逆圧電効果または電歪効果を利用する駆動 手段、電磁力を利用する駆動手段、または、静電引力を利用する駆動手段が用いら れる。
[0043] さらに、変位素子 11は、次のような特徴的構成を備えている。
[0044] 第 1および第 2の片持ち梁 12および 13の各々の、固定部 17と連結部材 19との間 の長手方向寸法は、互いに同じであるとともに、これら片持ち梁 12および 13の各々 の、固定部 17と連結部材 19との間の長手方向寸法は、折り返し梁 14の、連結部材 1
9と変位部材 22との間の長手方向寸法と等しくされている。
[0045] また、第 1および第 2の片持ち梁 12および 13が、互いに同じ材料から構成されるば 力、りでなぐこれら片持ち梁 12および 13と折り返し梁 14とについても、互いに同じ材 料から構成される。図示しないが、通常、片持ち梁 12および 13ならびに折り返し梁 1 4は、ともに、互いに異なる材料力 それぞれなる複数の機能材料層を積層した構造 を有している。この場合において、片持ち梁 12および 13と折り返し梁 14とが互いに 同じ材料からなるということは、片持ち梁 12および 13と折り返し梁 14とが互いに同じ 積層構造を有していることになる。
[0046] 特に、この実施形態では、片持ち梁 12および 13と折り返し梁 14とは、上述した積 層構造としてとらえられる断面上での形態のみならず、平面的形態をも含めた幾何学 的形態が互いに同じとされている。
[0047] なお、上述したような片持ち梁 12および 13ならびに折り返し梁 14についての材料 および形態の同一は、片持ち梁 12および 13の各々では、固定部 17と連結部材 19と の間に位置する部分についてのことであり、折り返し梁 14では、連結部材 19と変位 部材 22との間に位置する部分についてのことである。したがって、片持ち梁 12およ び 13の各々の、固定部 17および連結部材 19の各々上に位置する部分や、折り返し 梁 14の、連結部材 19および変位部材 22の各々上に位置する部分については、そ の材料および形態の同一は特に要求されるものではない。
[0048] また、上述のことに関連して、片持ち梁 12および 13ならびに折り返し梁 14の各々 の、連結部材 19上に位置する部分は、連結部材 19と一体化された状態となってい てもよレ、。また、片持ち梁 12および 13の各々の、固定部 17上に位置する部分は、固 定部 17と一体化された状態となっていてもよい。さらに、折り返し梁 14の、変位部材 22上に位置する部分は、変位部材 22と一体化された状態となっていてもよい。
[0049] 連結部材 19および変位部材 22は、ヤング率の比較的大きい材料からなることが好 ましレ、。また、基板 16、連結部材 19および変位部材 22は、片持ち梁 12および 13な らびに折り返し梁 14と比較して、その厚み方向寸法が大きくされることが好ましい。さ らに、変位部材 22は、基板 16と同じ材質からなり、かつ同じ厚み方向寸法であること が好ましい。
[0050] 図 2 (a)には、その作製直後の初期状態にある第 1の片持ち梁 12が示され、図 2 (b )には、その作製直後の初期状態にある折り返し梁 14が示されている。なお、図 2に は、第 2の片持ち梁 13については図示されないが、第 2の片持ち梁 13は、第 1の片 持ち梁 12と実質的に同様の挙動を示す。したがって、以下には、第 1の片持ち梁 12 についての説明を行なうが、第 2の片持ち梁 13においても同様の挙動が生じている ものと理解すべきである。
[0051] 図 2 (a)および (b)の各々に破線で示すように、作製直後の初期状態において、片 持ち梁 12および折り返し梁 14に反りが生じることがある。この反りは、片持ち梁 12お よび折り返し梁 14を構成する材料が有する内部応力、より特定的には、積層構造を 与える機能材料層の各々の材料が有する内部応力によって発生する。そして、各機 能材料層の材料が有する内部応力の大きさおよび方向ならびに弾性定数によって、 反りの方向と度合いが変わる。
[0052] また、温度変化によっても、反りが生じる。この温度変化による反りは、片持ち梁 12 および折り返し梁 14を構成する機能材料層の各々の熱膨張係数の違いによって生 じる熱応力に起因するもので、各機能材料層の材料の熱膨張係数および弾性定数 によって、反りの方向および度合いが変わる。
[0053] し力 ながら、片持ち梁 12と折り返し梁 14とは、互いに同じ材料からなり、かつ互い に同じ長手方向寸法を有しているので、特に、この実施形態では、互いに同じ積層 構造を有し、かつ互いに同じ幾何学的形態を有しているので、図 2 (a)および (b)の 各々において破線で示すように、片持ち梁 12と折り返し梁 14とは、互いに同じ反りの 方向および度合いを示すことになる。
[0054] その結果、図 2 (a)に示すように、片持ち梁 12の反りによって、連結部材 19の位置 に変動が生じたとしても、図 2 (b)に示すように、折り返し梁 14が片持ち梁 12と同等の 反りを示すので、変位部材 22については、その位置を一定に保つことができる。この 実施形態では、変位部材 22の上面は、基板 16の上面と同じ高さに保つことができる
[0055] このようなことから、変位素子 11の、変位部材 22に対する位置制御性を向上させる こと力 Sできる。
[0056] 図 3ないし図 6は、この発明に係る変位素子の、駆動手段を除く構成についての第 2ないし第 5の実施形態を示す、図 1に対応する図である。図 3ないし図 6において、 図 1に示した要素に相当する要素には同様の参照符号を付し、重複する説明は省略 する。
[0057] 図 3に示した変位素子 11aでは、第 2の片持ち梁 13が省略され、片持ち梁としては 、第 1の片持ち梁 12のみを備えていることを特徴としている。図 3に示した変位素子 1 laは、この発明に係る変位素子の最も基本的な構成のみを備えていると言える。
[0058] 図 4に示した変位素子 l ibは、図 3に示した変位素子 11aの場合と同様、第 2の片 持ち梁 13が省略されているが、片持ち梁 12および折り返し梁 14の各々の平面形状 が、長方形ではなぐ楕円または長円形とされていることを特徴としている。図 4に示 した変位素子 l ibは、片持ち梁 12および折り返し梁 14の各々の平面形状について は、これを任意に変更できることを明らかにすることに意義がある。
[0059] 図 5に示した変位素子 11cは、図 3に示した変位素子 11aの場合と同様、第 2の片 持ち梁 13が省略されているが、折り返し梁 14の幅方向寸法が、片持ち梁 12の幅方 向寸法より小さくされていることを特徴としている。この実施形態は、片持ち梁 12と折 り返し梁 14とが互いに同じ幾何学的形態を有していなくてもよいことを明らかにするこ とに意義がある。すなわち、片持ち梁 12と折り返し梁 14とは、各々の反りの度合いが 互いに同じになるようにさえ設定されていれば、互いに同じ幾何学的形態を有してい
[0060] 図 6に示した変位素子 l idは、折り返し梁として、第 1および第 2の折り返し梁 14a および 14bを備え、また、連結部材として、第 1および第 2の連結部材 19aおよび 19b を備えることを特徴としてレ、る。
[0061] より詳細には、第 1の片持ち梁 12の自由端部 18には、第 1の連結部材 19aが固定 され、第 2の片持ち梁 13の自由端部 18には、第 2の連結部材 19bが固定される。ま た、第 1の連結部材 19aには、第 1の折り返し梁 14aの基端部 20が固定され、第 2の 連結部材 19bには、第 2の折り返し梁 14bの基端部 20が固定される。そして、第 1お よび第 2の折り返し梁 14aおよび 14bの各々の先端部 21には、共通の変位部材 22 が固定される。
[0062] なお、図 6に示した変位素子 l idでは、互いに分離した第 1および第 2の連結部材 19aおよび 19bを備えていた力 これら第 1および第 2の連結部材 19aおよび 19bに 代えて、一体的な 1つの連結部材が用いられてもよい。 [0063] 図 7および図 8は、この発明に係る変位素子の、駆動手段についての第 1の実施形 態を説明するためのものである。ここで、図 7 (a)は、変位素子 31の平面図であり、図 7 (b)は、図 7 (a)の線 B— Bに沿う拡大断面図である。図 8は、変位素子 31の動作を 説明するためのもので、図 7 (a)の矢印 A方向から示した図である。
[0064] 変位素子 31は、図 1に示した変位素子 11が有する基本的構成を備えている。した がって、図 7および図 8において、図 1に示した要素に相当する要素には同様の参照 符号を付し、重複する説明は省略する。
[0065] 変位素子 31では、駆動手段として、圧電体の逆圧電効果または電歪効果を利用 する駆動手段が用レ、られることを特徴としてレ、る。
[0066] 変位素子 31において、基板 16、連結部材 19および変位部材 22は、すべて、たと えば厚み 200 z mとされ、かつ Siから構成される。
[0067] また、第 1の片持ち梁 12は、図 7 (b)に示すように、下から、たとえば Al Oからなり
2 3 かつ厚み 0· 5 μ ΐηの反応防止層 32、たとえば Tiからなりかつ厚み 0· 05 /i mの密着 層 33、たとえば Ptからなりかつ厚み 0. 5 μ ΐηの下部電極層 34、たとえば PZT (チタ ン酸ジルコン酸鉛)からなりかつ厚み 1 μ Ιηの圧電体層 35、および、たとえば A1から なりかつ厚み 0. 2 μ ΐηの上部電極層 36を厚み方向に積層した構造を有している。
[0068] 図示しないが、第 2の片持ち梁 13および折り返し梁 14についても、上述した第 1の 片持ち梁 12と同じ積層構造を有している。
[0069] 第 1および第 2の片持ち梁 12および 13のそれぞれにおいて形成された前述の下 部電極層 34は、引出電極 37を介して互いに電気的に接続される。この引出電極 37 の一部は、図 7 (a)に示すように、基板 16上において外部に露出するように形成され る。
[0070] また、第 1および第 2の片持ち梁 12および 13のそれぞれにおいて形成された前述 の上部電極層 36は、引出電極 38を介して互いに電気的に接続される。
[0071] 次に、変位素子 31の作製方法の一例について説明する。
[0072] まず、 Siからなる基板 16が用意される。この段階では、基板 16には貫通孔 23が形 成されていない。
[0073] 次に、基板 16上に、反応防止層 32となる A1 〇 膜をスパッタリングまたは電子ビ
2 3 ーム蒸着等の方法によって全面にわたって形成する。
[0074] 次に、密着層 33となる Ti膜および下部電極層 34となる Pt膜を、順次、スパッタリン グまたは電子ビーム蒸着等の方法によって全面に形成する。この Pt膜は、引出電極
37ともなるべきものである。
[0075] 次に、圧電体層 35となる PZT膜をスパッタリングまたはゾノレゲル等の方法によって 全面に形成する。
[0076] 次に、フォトリソグラフィ技術およびイオンミリング等の方法を用いて、上述のようにし て形成された PZT膜、 Pt膜、 Ti膜および Al O 膜をパターユングする。
2 3
[0077] 次に、上部電極層 36および引出電極 38となる A1膜をリフトオフ等の方法によって 形成する。
[0078] 次に、フォトレジスト等からなるマスクパターンを、基板 16の裏面上に形成した状態 で、基板 16の裏面側から RIE等の方法を適用して、基板 16の不要部分を除去する。 このとき、基板 16に貫通孔 23が形成され、連結部材 19および変位部材 22が、基板 16の各一部によってそれぞれ与えられ、また、片持ち梁 12および 13ならびに折り返 し梁 14となるべき部分において、基板 16が除去される。
[0079] 以上のようにして、変位素子 31を得ることができる。
[0080] 次に、変位素子 31の動作について、図 7とともに、図 8を参照して説明する。
[0081] 図 8では、片持ち梁 12および 13ならびに折り返し梁 14は、作製直後の初期状態で の反りが生じていないものとして図示されている。なお、片持ち梁 12および 13ならび に折り返し梁 14が作製直後の初期状態において反りが生じていたとしても、前述した ように、変位部材 22は基板 16と同じ高さ位置に保たれるので、反りが生じていない 場合と同様の動作が実現される。また、図 8においては、片持ち梁 13および折り返し 梁 14が備える積層構造の図示が省略されている。
[0082] 引出電極 37および 38の間に電圧を印加すると、片持ち梁 12および 13における圧 電体層 35に歪みが生じ、片持ち梁 12および 13が橈む。この実施形態では、圧電体 層 35が、片持ち梁 12および 13の厚み方向における比較的上層側にあり、電圧印加 時には PZTが縮む方向に歪むため、片持ち梁 12および 13は、電圧無印加時に比 ベて、図 8に示すように、下に向かって凸になる方向に橈む。なお、図 8では、第 2の 片持ち梁 13に隠れて第 1の片持ち梁 12が図示されないが、第 1の片持ち梁 12と第 2 の片持ち梁 13とは互いに同じ挙動を示す。
[0083] 他方、折り返し梁 14にあっては、そこに形成された圧電体層 35には電圧が印加さ れないので、電圧無印加時の状態を維持する。
[0084] 以上のような片持ち梁 12および 13ならびに折り返し梁 14の各状態の結果として、 連結部材 19は、基板 16より上方へ変位するとともに、その変位部材 22側の端部を 下方へ傾斜させる。そして、変位部材 22は、片持ち梁 12および 13ならびに折り返し 梁 14が並ぶ面に対して実質的に垂直な方向に変位し、基板 16の下方側に位置す る。
[0085] 以上のように、変位素子 31によれば、初期状態での変位部材 22の位置が安定し ているので、変位部材 22に対する位置制御性を良好なものとすることができる。
[0086] 図 9は、図 7および図 8を参照して説明した実施形態の変形例を説明するための図 8に対応する図である。図 9において、図 8に示した要素に相当する要素には同様の 参照符号を付し、重複する説明は省略する。
[0087] 図 7および図 8を参照して説明した変位素子 31では、電圧の印加によって、片持ち 梁 12および 13が橈むように構成された力 図 9に示した変位素子 31aでは、電圧の 印加によって、折り返し梁 14が橈むように構成されている。そのため、図示を省略す るが、折り返し梁 14における下部電極層 34および上部電極層 36の間に電圧が印加 されるように構成される。
[0088] 図 9に示した変位素子 31aでは、電圧印加時において、折り返し梁 14が、たとえば 下方に向かって凸になる方向に橈み、変位部材 22が基板 16より上方へ変位する。
[0089] なお、さらなる変形例として、図示しないが、片持ち梁 12および 13と折り返し梁 14 との双方が橈むように構成されてもよい。
[0090] 図 10は、図 7に示した変位素子 31の好ましい一適用例としての可変容量素子 41 を説明するためのものである。ここで、図 10 (a)は、可変容量素子 41の平面図であり 、図 10 (b)は、図 10 (a)の切断面 B— Bに沿う切断部拡大端面図である。図 10におい て、図 7に示した要素に相当する要素には同様の参照符号を付し、重複する説明は 省略する。 [0091] 可変容量素子 41は、図 7に示した要素に加えて、次のような要素を備えている。
[0092] まず、基板 16上には、引出電極 42および 43が形成される。これら引出電極 42およ び 43は、たとえば、厚み 0· 05 μ mの Ti膜を下地として形成された厚み 0· 95 μ mの
Au膜によって与えられる。
[0093] また、変位部材 22上には、第 1の容量電極 44が形成される。第 1の容量電極 44は
、図 10 (b)によく示されているように、たとえば、厚み 0. の Ti膜 45を下地とし て、その上に形成された厚み 1. 95 x mの Au膜 46によって与えられる。
[0094] また、基板 16の上面に対向するように、たとえばガラスからなるブリッジ部材 47が固 定的に配置される。ブリッジ部材 47は、基板 16に対して、ギャップ調整部材 48を介 して接合される。ギャップ調整部材 48は、たとえばポリイミドからなり、 4. の厚み を有している。
[0095] ブリッジ部材 47の下面には、前述した第 1の容量電極 44に対向する第 2の容量電 極 49および 50が並んで形成される。第 2の容量電極 49および 50は、たとえば、厚み 0. 05 /i mの Ti膜 51を下地としながら、その上に形成された厚み 0· 45 /i mc Au!l 52によって与えられる。第 2の容量電極 49および 50は、第 1の容量電極 44に対して 静電容量を形成するように空気層 53を隔てた位置にある。
[0096] 図 10 (a)において破線で示されているように、一方の第 2の容量電極 49は、引出 電極 42に電気的に接続され、他方の第 2の容量電極 50は、引出電極 43に電気的 に接続されている。これら第 2の容量電極 49および 50と引出電極 42および 43との 電気的接続には、たとえば導電性ペーストのような導電性接合材が用いられる。
[0097] 次に、可変容量素子 41の作製方法の一例について簡単に説明する。
[0098] 可変容量素子 41を作製するにあたっては、前述の図 7に示した変位素子 31を作 製するための工程であって、最後の工程である、基板 16の不要部分を除去する工程 の前に、以下のような工程が追加される。
[0099] リフトオフ等の方法によって、基板 16上に、引出電極 42および 43を形成するととも に、変位部材 22上に第 1の容量電極 44を形成する。
[0100] 次に、基板 16上に、感光性ポリイミドを用いて、ギャップ調整部材 48を形成する。
[0101] 次に、引出電極 42および 43の各々の端部上に、たとえば銀を導電成分として含む 導電性ペーストを塗布する。
[0102] 次に、別に用意した、第 2の容量電極 49および 50が既に形成されたブリッジ部材 4
7を、基板 16上のギャップ調整部材 48上に置き、熱圧着により、これを固定する。
[0103] 次に、可変容量素子 41の動作について説明する。
[0104] この可変容量素子 41においては、第 1の容量電極 44と一方の第 2の容量電極 49 とによって形成される静電容量と第 1の容量電極 44と他方の第 2の容量電極 50とに よって形成される静電容量とを合成した静電容量が得られ、この静電容量は、引出 電極 42および 43から取り出すことができる。
[0105] 引出電極 37および 38の間に電圧を印加していない状態では、変位部材 22は、基 板 16と同じ高さ位置に保たれる。
[0106] 引出電極 37および 38の間に電圧が印加されると、図 8を参照して説明したように、 変位部材 22が下方へ変位し、第 1の容量電極 44と第 2の容量電極 49および 50の各 々との間隔が広くなり、引出電極 42および 43から取り出される静電容量が小さくなる
[0107] この静電容量の変更度合いは、引出電極 37および 38間に印加される電圧の高さ によって制御することができる。
[0108] このように、可変容量素子 41によれば、引出電極 37および 38間に電圧を印加しな い段階での変位部材 22の位置を一定に保つことができるので、電圧を印加した際に もたらされる変位部材 22の変位を高精度に制御することができ、その結果、静電容 量を高精度に制御することができる。
[0109] 図 11は、図 7に示した変位素子 31の好ましい他の適用例としての光スィッチ 61を 示す平面図である。図 11において、図 7に示した要素に相当する要素には同様の参 照符号を付し、重複する説明は省略する。
[0110] 光スィッチ 61は、図 7に示した要素に加えて、次のような要素を備えている。
[0111] まず、変位部材 22上に、ミラー 62が設けられる。このようなミラー 62を備える光スィ ツチ 61を作製するにあたっては、前述の図 7に示した変位素子 31を作製するための 工程であって、最後の工程である、基板 16の不要部分を除去する工程の前に、別に 用意したミラー 62を、変位部材 22となるべき部分に取り付ける工程が実施されること が好ましい。
[0112] また、光スィッチ 61は、ミラー 62に関連して設けられる第 1、第 2および第 3の光ファ ィバ 63、 64および 65を備えてレ、る。これら第 1ないし第 3の光ファイバ 63— 65の各 々の位置および各々の間の位置関係は、第 1の光ファイバ 63から出力された光信号 力 ミラー 62で反射されたとき、第 2の光ファイバ 64へと至り、第 1の光ファイバ 63か ら出力された光信号の光路上にミラー 62が存在しないときには、この出力光信号が 第 3の光ファイバ 65に至るように設定されている。
[0113] 次に、光スィッチ 61の動作について説明する。
[0114] まず、引出電極 37および 38の間に電圧を印加していないときには、変位部材 22は
、基板 16と同じ高さ位置に保たれる。この状態では、第 1の光ファイバ 63から出力さ れた光信号は、ミラー 62で反射され、第 2の光ファイバ 64へと伝送される。
[0115] 他方、引出電極 37および 38間に電圧を印加すると、図 8を参照して説明したように
、変位部材 22が下方へ変位し、ミラー 62が、第 1の光ファイバ 63から出力される光信 号の光路から外れるため、第 1の光ファイバ 63から出力された光信号は、第 3の光フ アイバ 65へと伝送される。
[0116] このように、この発明に係る変位素子が光スィッチ 61に適用されたとき、ミラー 62の 位置制御性を良好なものとすることができる。
[0117] 図 12は、この発明に係る変位素子の駆動手段についての第 2の実施形態を説明 するためのもので、変位素子 71を示す平面図である。
[0118] 変位素子 71は、図 1に示した変位素子 11が有する基本的構成を備えている。した がって、図 12において、図 1に示した要素に相当する要素には同様の参照符号を付 し、重複する説明は省略する。
[0119] 変位素子 71では、駆動手段として、電磁力を利用する駆動手段が用いられることを 特徴としている。
[0120] 変位手段 71において、基板 16、連結部材 19および変位部材 22は、すべて、たと えば厚み 200 z mとされ、かつ Siから構成される。
[0121] また、第 1および第 2の片持ち梁 12および 13ならびに折り返し梁 14は、下から、た とえばポリイミドからなりかつ厚みが 3 x mの絶縁体層 72、およびたとえば厚み 0. 05 /i mの Ti膜を下地として、その上に形成された厚み 0. 5 /i mの Cu膜をもって構成さ れた導電体層 73を厚み方向に積層した構造を有している。
[0122] より詳細には、上述の絶縁体層 72は、片持ち梁 12および 13ならびに折り返し梁 14 を構成するように延びるだけでなぐ基板 16の固定部 17上、連結部材 19上および変 位部材 22上においても延びている。また、片持ち梁 12および 13ならびに折り返し梁 14の各々を構成する絶縁体層 72は、連結部材 19上で延びる部分によって一体化さ れている。
[0123] 導電体層 73は、基板 16上において 2つの電極パッド 74および 75を与えるとともに 、変位部材 22上において、通電体 76を与えている。導電体層 73は、また、電極パッ ド 74および通電体 76間を接続する接続ライン 77ならびに電極パッド 75および通電 体 76間を接続する接続ライン 78を備えている。さらに、導電体層 73は、第 1および 第 2の片持ち梁 12および 13の各々力 S、折り返し梁 14と同じ積層構造かつ幾何学的 形態を与えるようにするため、第 1および第 2の片持ち梁 12および 13上にそれぞれ 形成されるダミーライン 79および 80を備えてレ、る。
[0124] 次に、変位素子 71の作製方法の一例について説明する。
[0125] まず、 Siからなる基板 16が用意される。この段階では、基板 16には貫通孔 23が形 成されていない。
[0126] 次に、基板 16上に、たとえば感光性ポリイミドからなる絶縁体層 72をパターニングさ れた状態で形成する。
[0127] 次に、電極パッド 74および 75、通電体 76、接続ライン 77および 78ならびにダミー ライン 79および 80を含む導電体層 73を、リフトオフ等の方法によって形成する。
[0128] 次に、基板 16に対して、その裏面側から、フォトレジスト等からなるマスクパターンを 介して RIE等の方法を適用して、基板 16の不要部分を除去する。このとき、基板 16 に貫通孔 23が形成され、連結部材 19および変位部材 22が、基板 16の各一部によ つてそれぞれ与えられ、また、片持ち梁 12および 13ならびに折り返し梁 14となるべき 部分において、基板 16が除去される。
[0129] 以上のようにして、変位素子 71を得ることができる。
[0130] 次に、変位素子 71の動作について説明する。 [0131] まず、変位素子 71に磁界が印加されず、かつ電極パッド 74および 75を通して通電 体 76に電流が流されない状態では、変位部材 22は、基板 16と同じ高さ位置に保た れる。
[0132] 他方、図 12に示すように、永久磁石または電磁石によって与えられる磁石 81を用 いて、この変位素子 71に外部から基板 16の面内方向に磁界を印加するとともに、電 極パッド 74および 75を用いて通電体 76に電流を流すと、通電体 76の部分に電磁力 が発生し、折り返し梁 14、あるいは折り返し梁 14ならびに片持ち梁 12および 13を橈 ませ、その結果、変位部材 22が上方または下方へ変位する。ここで、変位量および 変位方向は、通電体 76に流す電流の大きさおよび方向によって制御することができ る。
[0133] このような変位素子 71によれば、初期状態での変位部材 22の位置が安定している ので、変位部材 22に対する位置制御性を良好なものとすることができる。
[0134] 図 13は、この発明に係る変位素子の、駆動手段についての第 3の実施形態を説明 するためのものである。ここで、図 13 (a)は、変位素子 91の平面図であり、図 13 (b) は、図 13 (a)の切断面 B— Bに沿う切断部拡大端面図である。
[0135] 変位素子 91は、図 1に示した変位素子 11が有する基本的構成を備えている。した がって、図 13において、図 1に示した要素に相当する要素には同様の参照符号を付 し、重複する説明は省略する。
[0136] 変位素子 91では、駆動手段として、静電引力を利用する駆動手段が用いられるこ とを特徴としている。
[0137] 変位素子 91において、基板 16、連結部材 19および変位部材 22は、すべて、たと えば厚み 200 z mとされ、かつ Siから構成される。
[0138] また、第 1および第 2の片持ち梁 12および 13ならびに折り返し梁 14は、ともに、下 から、絶縁体層 92および導電体層 93を厚み方向に積層した構造を有している。絶 縁体層 92は、たとえばポリイミドからなりかつ厚み 3 z mとされる。また、導電体層 93 は、厚み 0. 05 z mの Ti膜を下地とし、その上に 0. 45 x mの厚みをもって形成され た Au膜によって与えられる。
[0139] より詳細には、絶縁体層 92は、片持ち梁 12および 13ならびに折り返し梁 14を構成 する部分のみならず、基板 16の固定部 17上、連結部材 19上および変位部材 22上 で延びる部分を備えている。また、片持ち梁 12および 13ならびに折り返し梁 14の各 々を構成する絶縁体層 92は、連結部材 19上で延びる部分によって一体化されてい る。
[0140] 導電体層 93は、基板 16上であって、第 2の片持ち梁 13が延びる線上に位置する 電極パッド 94、変位部材 22上に位置する電極パッド 95、ならびに電極パッド 94およ び 95間を接続する接続ライン 96を備えている。さらに、導電体層 93は、第 1の片持 ち梁 12を、第 2の片持ち梁 13および折り返し梁 14の各々と同じ積層構造かつ幾何 学的形態のものとするため、第 1の片持ち梁 12上に形成されるダミーライン 97を備え ている。
[0141] 基板 16上には、また、絶縁体層 92と同じ材料力、らなりかつ同じ厚みの絶縁体層 98 が第 1の片持ち梁 12が位置する側に設けられる。また、絶縁体層 98上には、導電体 層 93と同じ材料かつ同じ厚みの電極パッド 99が形成される。
[0142] また、基板 16の上面に対向するように、たとえばガラスからなるブリッジ部材 100が 固定的に配置される。ブリッジ部材 100は、基板 16に対して、ギャップ調整部材 101 を介して接合される。ギャップ調整部材 101は、たとえばポリイミドからなり、 7 の 厚みを有している。
[0143] ブリッジ部材 100の下面には、前述した電極パッド 95に対して空気層 102を隔てて 対向する電極パッド 103およびこれに接続される接続ライン 104が形成されている。 これら電極パッド 103および接続ライン 104は、詳細には図示しないが、たとえば、厚 み 0· 05 /i mの Ti膜を下地としながら、その上に形成された厚み 0· 45 μ mc AuII によって与えられる。
[0144] また、上述の接続ライン 104は、前述した電極パッド 99に、たとえば導電性ペースト のような導電性接合材を介して電気的に接続される。
[0145] 次に、変位素子 91の作製方法の一例について簡単に説明する。
[0146] まず、 Siからなる基板 16が用意される。この段階では、基板 16には貫通孔 23が形 成されていない。
[0147] 次に、基板 16上に、感光性ポリイミドを用いて絶縁体層 92および 98を、それぞれ、 パターニングされた状態で形成する。
[0148] 次に、リフトオフ等の方法を用いて、電極パッド 94および 95、接続ライン 96ならび にダミーライン 97を備える導電体層 93を形成するとともに、電極パッド 99を形成する
[0149] 次に、感光性ポリイミドを用いて、ギャップ調整部材 101を基板 16上に形成する。
[0150] 次に、電極パッド 99の端部上に、たとえば銀を導電成分として含む導電性ペースト を塗布する。
[0151] 次に、別に用意した、電極パッド 103および接続ライン 104が既に形成されたブリツ ジ部材 100を、基板 16上のギャップ調整部材 101上に置き、熱圧着により、これを固 定する。
[0152] 最後に、フォトレジスト等からなるマスクパターンを、基板 16の裏面上に形成した状 態で、基板 16の裏面側から RIE等の方法を適用して、基板 16の不要部分を除去す る。このとき、基板 16に貫通孔 23が形成され、連結部材 19および変位部材 22が、 基板 16の各一部によってそれぞれ与えられ、また、片持ち梁 12および 13ならびに 折り返し梁 14となるべき部分において、基板 16が除去される。
[0153] 以上のようにして、変位素子 91を得ることができる。
[0154] 次に、変位素子 91の動作について説明する。
[0155] まず、電極パッド 94および 99の間に電圧が印加されない状態では、変位部材 22 は、基板 16と同じ高さ位置に保たれている。
[0156] 他方、電極パッド 94および 99の間に電圧を印加すると、空気層 102を介して互い に対向している電極パッド 95および 103間に静電引力が発生する。これによつて、折 り返し梁 14、あるいは折り返し梁 14ならびに片持ち梁 12および 13が橈み、変位部 材 22を上方へ変位させることができる。この変位量は、電極パッド 94および 99間に 印加される電圧の高さによって制御することができる。
[0157] このように、変位素子 91によれば、初期状態での変位部材 22の位置が安定してい るので、変位部材 22に対する位置制御性を良好なものとすることができる。
[0158] 以上、この発明を、図示したいくつかの実施形態に関連して説明した力 この発明 の範囲内において、その他、種々の変形例が可能である。 [0159] たとえば、変位素子の適用例としての可変容量素子や光スィッチは、上述した実施 形態では、圧電体の逆圧電効果または電歪効果を利用する駆動手段を備える変位 素子によって与えられたが、電磁力を利用する駆動手段または静電引力を利用する 駆動手段を備える変位素子によって与えられてもよい。
[0160] また、変位素子は、可変容量素子または光スィッチ以外の用途に向けることもでき る。
産業上の利用可能性
[0161] この発明に係る変位素子は、静電容量値を高精度に制御できる可変容量素子、ま たはミラー位置を高精度に制御できる光スィッチとして適用することができる。

Claims

請求の範囲
[1] 一方の端部となる固定端部が固定部に固定される、片持ち梁と、
前記片持ち梁の前記固定端部とは逆の自由端部に固定される、連結部材と、 一方の端部となる基端部が前記連結部材に固定されかつ前記片持ち梁とは平行 に折り返すように延びる、折り返し梁と、
前記折り返し梁の前記基端部とは逆の先端部に固定される、変位部材と、 前記片持ち梁および前記折り返し梁が並ぶ面に対して実質的に垂直な方向に前 記変位部材を変位させるため、前記片持ち梁および前記折り返し梁の少なくとも一 方を撓ませるように電気的に駆動するための駆動手段と
を備え、
前記片持ち梁と前記折り返し梁とは、互いに同じ材料からなり、さらに、 前記片持ち梁の、前記固定部と前記連結部材との間の長手方向寸法は、前記折り 返し梁の、前記連結部材と前記変位部材との間の長手方向寸法と等しくされているこ とを特徴とする、
変位素子。
[2] 前記片持ち梁および前記折り返し梁は、ともに、互いに異なる材料からそれぞれな る複数の機能材料層を積層した構造を有し、かつ、前記片持ち梁と前記折り返し梁と は、互いに同じ積層構造を有していることを特徴とする、請求項 1に記載の変位素子
[3] 前記片持ち梁と前記折り返し梁とは、互いに同じ幾何学的形態を有することを特徴 とする、請求項 1に記載の変位素子。
[4] 前記片持ち梁は、互いの間に間隔を隔てて互いに平行に延びる第 1および第 2の 片持ち梁を備え、前記折り返し梁は、前記第 1および第 2の片持ち梁の間に配置され ることを特徴とする、請求項 1に記載の変位素子。
[5] 前記駆動手段は、圧電体の逆圧電効果または電歪効果を利用する手段を備えるこ とを特徴とする、請求項 1に記載の変位素子。
[6] 前記駆動手段は、電磁力を利用する手段を備えることを特徴とする、請求項 1に記 載の変位素子。
[7] 前記駆動手段は、静電引力を利用する手段を備えることを特徴とする、請求項 1に 記載の変位素子。
[8] 前記変位部材上に設けられる第 1の容量電極と、前記第 1の容量電極に対して静 電容量を形成するように空気層を隔てた位置に固定的に設けられる第 2の容量電極 とをさらに備え、前記変位部材の変位によって前記静電容量が変更される可変容量 素子を構成することを特徴とする、請求項 1に記載の変位素子。
[9] 前記変位部材上に設けられるミラーをさらに備え、前記変位部材の変位によって光 路が変更される光スィッチを構成することを特徴とする、請求項 1に記載の変位素子
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