WO2005020416A1 - スイッチング電源回路 - Google Patents

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switching
current
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Masayuki Yasumura
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Sony Corporation
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Definitions

  • the present invention relates to a switching power supply circuit provided as a power supply for various electronic devices.
  • a circuit employing a switching converter of a type such as a flyback comparator or a forward comparator is widely known. Since these switching converters have a rectangular switching operation waveform, there is a limit to the suppression of switching noise. It is also known that there is a limit to the improvement of power conversion efficiency due to its operating characteristics.
  • Resonant converters can easily achieve high power conversion efficiency, and low noise is realized by the switching operation waveform being sinusoidal. It also has the advantage that it can be configured with a relatively small number of parts.
  • FIG. 27 shows an example of a conventional switching power supply circuit having a resonant converter.
  • a partial voltage resonance circuit is combined with a current resonance type converter that is separately excited.
  • a bridge rectifier circuit D i and one smoothing capacitor C i are connected to a commercial AC power supply AC.
  • a full-wave rectifying / smoothing circuit is provided.
  • a rectified smoothed voltage Ei DC input voltage
  • This rectified smoothed voltage E i has a level corresponding to an equal multiple of the AC input voltage VAC.
  • a partial resonance capacitor Cp is connected in parallel between the drain and source of the switching element Q2.
  • a parallel resonance circuit is formed by the capacitance of the partial resonance capacitor Cp and the leakage inductance L1 of the primary winding N1. Then, when the switching elements Ql and Q2 are turned off, a partial voltage resonance operation in which only the voltage resonance occurs is obtained.
  • an oscillating and driving circuit 2 using a general-purpose IC is provided in order to perform switching driving of the switching elements Ql and Q2.
  • the oscillation and drive circuit 2 has an oscillation circuit and a drive circuit. Then, a drive signal (gate voltage) at a required frequency is applied to each gate of the switching elements Ql and Q2 by the oscillation circuit and the drive circuit. As a result, the switching elements Ql and Q2 perform the switching operation such that they are alternately turned on and off at the required switching frequency.
  • Isolation converter Transformer PIT is a switching element Ql, Q2 Is transmitted to the secondary side.
  • One end of the primary winding N1 of the isolation converter PIT is connected to the source of the switching element Q1 and the drain of the switching element Q2 through a series connection of the primary parallel resonance capacitor C1. By connecting to the connection point (switching output point), the switching output is transmitted.
  • the other end of the primary winding N 1 is connected to the primary side ground.
  • the primary operation for making the operation of the primary side switching converter a current resonance type is performed.
  • a side series resonance circuit is formed.
  • the primary-side switching converter shown in this figure includes the operation as a current resonance type by the primary-side series resonance circuit (L 1 -C 1) and the partial voltage resonance circuit (C p ⁇ L l ) To obtain a partial voltage resonance operation.
  • the power supply circuit shown in this figure adopts a form in which a primary-side switching compensator.
  • a resonant circuit for forming a resonant circuit is combined with another resonant circuit.
  • such a switching converter is referred to as a composite resonance type converter.
  • the structure of the insulated converter transformer PIT includes, for example, an EE type core combining an E type core made of ferrite material. Then, after dividing the winding part on the primary side and the secondary side, the primary winding N 1 and the secondary windings (N 2A, N 2 B) described below are connected to the central magnetic field of the EE type core. It is wound around the legs. As the secondary winding of the transformer PIT, the secondary windings N 2A and N 2B divided into two by the center tap are wound. In these secondary windings N2A and N2B, an alternating voltage corresponding to the switching output transmitted to the primary winding N1 is excited.
  • the center taps of the secondary windings N2A and N2B are connected to the secondary side ground.
  • a full-wave rectifier circuit composed of rectifier diodes D01, D02, and a smoothing capacitor Co is connected to the secondary windings N2A, N2B as shown in the figure.
  • the secondary-side DC output voltage E 0 is obtained as the voltage across the smoothing capacitor Co.
  • This secondary side DC output voltage E0 is supplied to a load side (not shown), and is also branched and input as a detection voltage for the control circuit 1 described below.
  • the control circuit 1 supplies a detection output according to the level change of the secondary DC output voltage E0 to the oscillation / drive circuit 2.
  • the oscillation and drive circuit 2 drives the switching elements Ql and Q2 so that the switching frequency is varied according to the input detection output of the control circuit 1. By varying the switching frequency of the switching elements Ql and Q2 in this way, the level of the secondary DC output voltage is stabilized.
  • FIG. 28 shows operation waveforms in the case where the power supply circuit having the circuit configuration shown in this figure corresponds to a load condition of a low voltage and a large current.
  • the number of turns of the secondary windings N2A and N2B and the primary winding N1 is set so that the induced voltage level per T (turn) of the secondary winding is 5 VZT.
  • a gap of about 1. Omm is formed for the center magnetic leg of the EE type core of the insulated converter transformer PI. As a result, a coupling coefficient of about 0.85 is obtained between the primary winding N1 and the secondary windings N2A and N2B.
  • the voltage VI between both ends of the switching element Q2 corresponds to the ON / OFF state of the switching element Q2.
  • a rectangular wave is clamped at a 0 level during the period T2 when the switching element Q2 is on, and at a predetermined level during the period T1 when the switching element Q2 is off.
  • the switching current I DS 2 flowing through the switching element Q 2 ⁇ damper diode DD 2 is shown in the period T 2.
  • the switching element Q 1 performs switching such that the switching element Q 2 alternately turns on and off. Therefore, the switching current I DS1 flowing through the switching element Q 1 ⁇ damper diode DDI has a waveform in which the phase is shifted by 80 ° with respect to the switching current I DS2.
  • the primary-side series resonance current I o flowing through the primary-side series resonance circuit (C 1 -L 1) connected between the switching output points of the switching elements Q 1 and Q 2 and the primary-side ground is the switching current I A sawtooth generated by the sine wave component as the resonance current of the primary side series resonance circuit (C1 and L1) and the excitation inductance of the primary winding N1, corresponding to the composite waveform of DS1 and the switching current IDS2.
  • a waveform is formed by combining the wave component.
  • the load power P o 100 W, which is the measurement condition at this time, is a load condition corresponding to the power supply circuit shown in FIG. 27 which is a heavy load condition close to the maximum, In this way, under conditions where the load tends to be heavy in the corresponding load power range, the rectified current on the secondary side is in a discontinuous mode.
  • the secondary winding voltage V2 generated in the secondary winding N2A has a predetermined absolute value level only during the period when the primary side series resonance current Io flows in a sine wave shape.
  • a clamped waveform is generated, and the period during which the sawtooth wave component due to the excitation inductance flows as the primary side series resonance current I ⁇ is zero level.
  • a waveform in which the secondary winding voltage V2 is inverted is generated in the secondary winding N2B.
  • the rectified current I 1 flowing through the rectifying diode D ol and the rectified current I 2 flowing through the rectifying diode D 02 are respectively defined by the periods D ONI and D 0N2 during which the primary side series resonance current I At It does not flow during the other periods.
  • the rectified current on the secondary side is discontinuous and flows into the smoothing capacitor.
  • the forward voltage of the rectifier diodes D01 and D02 which are short-circuit diodes, has a voltage drop of 0.6 V.
  • a synchronous rectifier circuit in which rectification is performed using a low ON-resistance MOS-FET.
  • Fig. 29 shows an example of such a synchronous rectifier circuit using a winding voltage detection method.
  • FIG. 29 shows only the configuration on the secondary side of the isolated converter transformer PIT.
  • the configuration of the primary side is the same as in Fig. 27.
  • a switching frequency control method of variably controlling the switching frequency of the primary side switching comparator according to the level of the secondary side direct current output voltage E 0 is employed.
  • each of the secondary windings N2A and N2B having the same number of turns is connected by a center tap, and this center one tap output is connected to the positive terminal of the smoothing capacitor Co. Is done.
  • the other end of the secondary winding N2A is connected to the secondary side ground (the negative terminal side of the smoothing capacitor Co) via the drain ⁇ source of the N-channel MOS-FETQ3.
  • the other end of the secondary winding N2B is connected to the secondary side ground (the negative terminal side of the smoothing capacitor Co) via the drain ⁇ source of the N-channel MOS-FET Q4.
  • the MOS_FETQ3 and Q4 are connected in series to the negative electrode side.
  • the body diodes DD3 and DD4 are connected to the drain-sources of the MOS FETs Q3 and Q4, respectively.
  • the drive circuit that drives the MOS-FET Q3 is connected to the gate resistance Rgl between the connection point between the secondary winding N2B and the drain of the M ⁇ S-FET Q4 and the gate of the MOS-FET Q3.
  • MOS formed by connecting a resistor R11 between the gate of FETQ3 and the secondary side ground.
  • the drive circuit that drives the MOS-FET Q4 has a secondary winding.
  • a gate resistor Rg2 is connected between the connection point between N2A and the drain of the MOS-FET Q3 and the gate of the MOS-FET Q4.
  • a resistor R12 is connected between the gate of the MOS-FET Q4 and the secondary side ground.
  • the drive circuit described above switches the MOS FETs Q3 and Q4 based on the detection of the voltage of the secondary winding so that current flows only in the direction of charging the positive terminal of the smoothing capacitor Co. Circuit for
  • the voltage VI across switching element Q2 and the corresponding secondary winding voltage V2 across secondary windings N2A-N2B at the same timing as in Fig. 28 Is what it is.
  • the secondary winding voltage V 2 shown in Fig. 30 has the polarity as viewed from the connection point side between the secondary winding N2A and the gate resistance R g2, and the secondary winding N2B When viewed from the connection point side between the gate resistance R g1 and the gate resistance R g 1, the polarity is reversed.
  • the drive circuit (gate resistor Rgl, resistor R11) of the MOS-FET Q3 clamps the secondary winding voltage (V2) of the opposite polarity to that of this figure at a predetermined level of negative polarity.
  • V2 secondary winding voltage
  • this power supply circuit also has the secondary side rectified current in discontinuous mode. This is shown in FIG. 30 by the fact that the periods D 0N1 and D 0N2 are discontinuous.
  • FIG. 31 shows the operation of the power supply circuit having the secondary-side configuration shown in FIG. 29 under light load conditions.
  • the secondary winding voltage V 2 is inverted at almost the same timing with respect to the voltage VI across the switching element Q 2 shown in FIG. Accordingly, the rectified currents I 1 and I 2 on the secondary side flow so that the smoothing capacitor C o is continuously charged without a pause between the periods D 0N 1 and D 0N2. That is, it is in the continuous mode. At this time, there is no longer a period in which the rectified currents I 1 and I 2 in the reverse direction flow as shown in the operation at the time of heavy load in FIG. Has not occurred.
  • a synchronous rectifier circuit using a rectified current detection method is known.
  • This rectification current detection method is a technology that turns off MOS-FET before the rectification current charged in the smoothing capacitor C # reaches the 0 level.
  • Japanese Patent Application Laid-Open No. 2003-111401 discloses such an example.
  • Fig. 32 shows an example of the configuration of a synchronous rectifier circuit using this rectified current detection method.
  • a configuration based on half-wave rectification is shown to simplify the description.
  • a current transformer TR is provided to detect the current flowing through the secondary winding N2.
  • the primary winding Na of the current transformer is connected to the end of the secondary winding N2 and the drain of M ⁇ S — FETQ4.
  • the source of M ⁇ S — FETQ4 is connected to the negative terminal of the smoothing capacitor Co.
  • a resistor Ra is connected in parallel to the secondary winding Nb of the current transformer, and diodes Da and Db are connected in parallel so that the forward voltage directions are opposite to each other.
  • the comparator 20 is connected to the parallel connection circuit.
  • the reference voltage Vre is input to the inverted input of the comparator 20.
  • the connection point between the reference voltage V ref and the inverting input of the comparator 20 is connected to the node where the anode of the diode D a and the force source of the diode D b are connected in the above parallel connection circuit. Connected to the end.
  • the non-inverting input of the comparator 20 is connected to the end of the parallel connection circuit on the side where the force source of the diode Da and the anode of the diode Db are connected.
  • the output of the comparator 20 is amplified by the buffer 21 and applied to the gate of the MOS-FETQ4.
  • FIG. 33 shows operation waveforms of the circuit having the configuration shown in FIG.
  • the smoothing capacitor depends on the direction from the anode of the body diode of the FET Q4 to the cathode.
  • the rectified current Id starts to flow as if charging to Co. Since this rectified current Id flows through the primary winding Na of the current transformer, the secondary winding Nb of the current transformer has a voltage corresponding to the rectified current Id flowing through the primary winding Na. V nb is induced.
  • the comparator 20 compares the reference voltage Vref with the voltage Vnb, and outputs an H level when the voltage V. nb exceeds the reference voltage Vref.
  • This high-level output is applied from the buffer 21 as an ON voltage to the gate of MOS-FETQ4, turning on the MOS-FETQ4.
  • the rectified current Id flows in the drain-source direction of the MOS-FETQ4.
  • FIG. 33 the rectified current Id flowing due to the positive polarity is shown.
  • the comparator 20 reverses the output. This inverted output is output via the buffer 21 and the MOS-gate capacitance of the FET Q4 To turn off MOS — FET Q4. At this point, the remaining rectified current Id flows in a short time via the body diode DD4.
  • the MOS-FETTQ4 is turned off at the timing before the rectified current Id becomes the 0 level.
  • the reverse current does not flow through the MOS-FET, and no reactive power is generated. Is higher.
  • the configuration on the secondary side of the power supply circuit shown in FIG. 27 is a synchronous rectification circuit based on the configuration shown in FIG. ⁇
  • the DC power conversion efficiency was measured under the same conditions as in Fig. 28 and Fig. 30, etc., and it was found that the measurement result was improved to about 90%.
  • the winding voltage detection method is disadvantageous in terms of power conversion efficiency due to reactive power between the winding voltage detection method and the rectified current detection method, but the circuit configuration is simple.
  • the rectified current detection method is advantageous in terms of power conversion efficiency because no reactive power is generated, but has a trade-off in that the circuit configuration is complicated.
  • a power supply circuit having a synchronous rectification circuit is required to adopt a configuration that is as simple as possible and that eliminates the increase in loss due to reactive power.
  • the present invention is configured as a switching power supply circuit as follows.
  • a switching unit which is formed with a plurality of switching elements and performs switching by intermittently inputting an input DC input voltage, and performs a switching drive such that the plurality of switching elements are turned on and off alternately.
  • the primary side drive unit and the switching output of the switching unit are transmitted from the primary side to the secondary side.
  • the insulation around which the primary winding and the secondary winding having the center-tapped tap output are wound.
  • An insulated converter transformer having a coupling length of a predetermined length or more and a coupling coefficient between the primary winding and the secondary winding set to a predetermined length or less.
  • the primary side resonance capacitor connected to a predetermined part of the primary side so as to form a primary side resonance circuit for making the operation of the switching part a resonance type by the leakage inductance component of the element and its own capacitance.
  • Full-wave rectification of the alternating voltage induced in the secondary winding of the transformer and this isolated converter transformer, and charging the rectifying current to the secondary-side smoothing capacitor results in a voltage across the secondary-side smoothing capacitor.
  • the number of turns of the primary and secondary windings of the insulated converter transformer is controlled by the full-wave rectification regardless of the load conditions connected to the secondary DC output voltage. Set so that the secondary-side rectified current flowing through the synchronous rectifier circuit by operation becomes continuous mode.
  • the secondary winding of the insulated converter transformer is center-tapped, and the first winding connected in series between one end divided by the tap output and the secondary-side reference potential.
  • a field effect transistor; and a second field effect transistor connected in series between the other end divided by the tap output and the secondary reference potential.
  • a gate voltage for turning on the first field-effect transistor is detected by the resistance element detecting a secondary winding voltage corresponding to a half-wave period during which the first field-effect transistor should generate a rectified current.
  • the first driving circuit and the second field-effect transistor detect the secondary winding voltage corresponding to the half-wave period during which the rectified current should flow by using a resistance element.
  • a second driving circuit configured to output a gate voltage for turning on the second field-effect transistor. Roads.
  • a flat ferrite core having a winding in which a rectangular wire is vertically wound in a cylindrical shape and the cylindrical winding described above.
  • a choke coil composed of a pot-type metal dust inserted into the wire and having a required saturation magnetic flux density and a required inductance is inserted in series. did.
  • the switching power supply circuit is configured as follows. That is, first, a switching section formed with a plurality of switching elements and performing switching by intermittently inputting the DC input voltage, and switching such that the plurality of switching elements are turned on and off alternately.
  • the primary-side drive unit to be driven and the switching output of the switching unit are transmitted from the primary side to the secondary side, and the primary winding and the secondary winding having the tap output tapped at the center are wound.
  • An insulating converter transformer comprising: an insulating converter lance that sets a coupling coefficient between the primary winding and the secondary winding to a predetermined value or less by setting a gap length to a predetermined value or more.
  • a primary-side resonance circuit for making the operation of the switching unit a resonance type is formed by the leakage inductance component of the primary winding of the isolated converter transformer and its own capacitance.
  • the primary side resonance capacitor connected to a predetermined part of the transformer, and the alternating voltage induced in the secondary winding of the insulating compensator transformer is subjected to full-wave rectification, and the rectified current is supplied to the secondary side smoothing capacitor. Equipped with a synchronous rectifier circuit that obtains the secondary DC output voltage as the voltage across the secondary smoothing capacitor by charging So that
  • the number of turns of the primary winding and the secondary winding of the isolated converter transformer is controlled by the full-wave rectification operation regardless of the fluctuation of the load conditions connected to the secondary DC output voltage.
  • the secondary side rectified current flowing through the synchronous rectifier circuit is set to be in continuous mode.
  • the secondary winding of the insulated converter and the transformer is center-tapped, and the second winding connected in series between one end divided by the tap output and the secondary-side reference potential.
  • a first field-effect transistor, and a second field-effect transistor connected in series between the other end divided by the tap output and the secondary-side reference potential.
  • a secondary winding voltage corresponding to a half-wave period during which the first field-effect transistor should flow a rectified current is detected by a resistance element, and a gate voltage for turning on the first field-effect transistor is determined.
  • a first driving circuit configured to output the voltage and a secondary winding voltage corresponding to a half-wave period during which the second field-effect transistor should flow a rectified current are detected by a resistor element.
  • a second driving circuit configured to output a gate voltage for turning on the second field-effect transistor.
  • an inductor element having a required inductance was inserted in series between the tap output of the secondary winding and the smoothing capacitor.
  • the primary-side switching converter adopts a resonant converter configuration, and the secondary-side switching rectifier circuit of full-wave rectification using the winding voltage detection method. Provide a road.
  • the coupling coefficient between the primary winding and the secondary winding is equal to or less than a predetermined value. Is set so that the secondary-side rectified current flowing through the synchronous rectifier circuit by the full-wave rectification operation is in continuous mode regardless of the fluctuation of the load condition connected to the secondary-side DC output voltage. If the secondary-side rectified current is in continuous mode, it becomes a problem in the synchronous rectifier circuit based on the winding voltage detection method. The reactive power generated by the reverse current in the rectified current during the discontinuous period of the secondary-side rectified current is reduced Can be reduced.
  • a choke coil having a required inductance is inserted in series between the center tap of the secondary winding and the secondary-side smoothing capacitor as described above.
  • the choke coil is composed of a flat ferrite core having a winding in which a rectangular wire is vertically wound into a cylindrical shape, and a pot-type metal dust inserted into the cylindrical winding. Therefore, the inductance value becomes stable regardless of the load current level fluctuation.
  • FIG. 1 is a circuit diagram showing a configuration example of a switching power supply circuit according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a diagram showing an example of the structure of an insulating converter transformer as an embodiment.
  • FIG. 3 is a diagram exemplifying a structure of an inductor inserted into a secondary-side rectified current path in the switching power supply circuit according to the embodiment.
  • FIG. 4A is a diagram showing another example of the structure of the inductor inserted into the secondary-side rectified current path in the switching power supply circuit according to the embodiment.
  • FIG. 4B is a diagram showing another example of the structure of the inductor inserted into the secondary-side rectified current path in the switching power supply circuit according to the embodiment.
  • FIG. 5 is a waveform chart showing the operation of the power supply circuit shown in FIG. 1 under heavy load.
  • FIG. 6 is a waveform diagram showing the operation of the power supply circuit shown in FIG. 1 at a light load.
  • FIG. 7 is a diagram showing characteristics of switching frequency, primary side series resonance current level, and AC-DC power conversion efficiency with respect to load fluctuation of the power supply circuit shown in FIG.
  • FIG. 8 is a circuit diagram showing a configuration example of a switching power supply circuit according to a second embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 is a waveform chart showing the operation of the power supply circuit shown in FIG. 8 under heavy load.
  • FIG. 10 is a circuit diagram showing a configuration example of a switching power supply circuit according to a third embodiment of the present invention.
  • FIG. 11 is a waveform chart showing the operation of the power supply circuit shown in FIG. 10 under heavy load.
  • FIG. 12 is a circuit diagram showing a configuration example of a switching power supply circuit according to a fourth embodiment of the present invention.
  • FIG. 13 is a waveform chart showing the operation of the power supply circuit shown in FIG. 12 under heavy load.
  • FIG. 14 is a waveform chart showing the operation of the power supply circuit shown in FIG. 12 under a light load.
  • FIG. 15 is a circuit diagram showing a configuration example of a switching power supply circuit according to a fifth embodiment of the present invention.
  • FIG. 16 is an exploded perspective view showing the structure of a choke coil provided on the secondary side of the switching power supply circuit according to the fifth embodiment.
  • FIG. 17 is a waveform chart showing an operation under heavy load in the switching power supply circuit of the fifth embodiment.
  • FIG. 18 is a diagram for describing the power conversion characteristics of the switching power supply circuit according to the fifth embodiment with respect to load fluctuation.
  • FIG. 19 is a diagram for explaining a configuration of a choke coil provided on the secondary side of the switching power supply circuit according to the sixth embodiment of the present invention.
  • FIG. 20 is also a diagram for explaining a configuration of a choke coil provided on the secondary side of the switching power supply circuit according to the sixth embodiment.
  • FIG. 21 is a cross-sectional view of a choke coil provided on the secondary side of the switching power supply circuit according to the sixth embodiment.
  • FIG. 22 is a diagram for describing power conversion characteristics of the switching power supply circuit according to the sixth embodiment with respect to load fluctuation.
  • FIG. 23 is a diagram for describing a modification of the configuration of the choke coil provided on the secondary side of the switching power supply circuit according to the sixth embodiment.
  • FIG. 2.4 is a diagram for explaining a modification of the configuration of the choke coil provided on the primary side of the switching power supply circuit according to the sixth embodiment.
  • FIG. 25 is a cross-sectional view showing the structure of a modified choke coil provided on the secondary side of the switching power supply circuit according to the sixth embodiment.
  • FIG. 26 is a cross-sectional view showing a structure of a choke coil as another modification provided on the secondary side of the switching power supply circuit according to the sixth embodiment.
  • FIG. 27 is a circuit diagram showing a configuration of a conventional power supply circuit.
  • FIG. 28 is a waveform diagram showing an operation of the conventional power supply circuit under heavy load.
  • FIG. 29 is a circuit diagram showing a configuration on the secondary side when a synchronous rectification circuit of a winding voltage detection method is provided as a conventional power supply circuit.
  • FIG. 30 is a waveform diagram showing an operation under heavy load when the configuration on the secondary side shown in FIG. 29 is employed.
  • FIG. 31 is a waveform diagram showing the operation of the secondary side shown in FIG. 29 in the case of a light load.
  • FIG. 32 is a circuit diagram showing a basic configuration example of a synchronous rectifier circuit using a rectified current detection method.
  • FIG. 33 is a waveform diagram showing the operation of the synchronous rectifier circuit shown in FIG. BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
  • FIG. 1 shows a configuration example of a switching power supply circuit according to a first embodiment of the present invention.
  • the power supply circuit shown in this figure adopts, as a basic configuration on the primary side, a configuration in which a partial voltage resonance circuit is combined with a current resonance type converter using a separately excited half-bridge coupling method.
  • a noise filter is formed by the filter capacitors C L and C L and the common mode choke coil C M C with respect to the commercial AC power supply A C.
  • a rectifier circuit D i composed of rectifier diodes DA and DB and a voltage doubler rectifier composed of two smoothing capacitors C i 1 and C i 2 A circuit is provided.
  • a level rectified smoothed voltage E i DC input voltage
  • VAC AC input voltage
  • the two switching elements Q 1 and Q 2 composed of MOS-FETs are half-bridged as shown in the figure.
  • a switching circuit connected and connected by coupling is provided.
  • Damper diodes D Dl and DD 2 are connected in parallel between the drains of the switching elements Q 1 and Q 2.
  • the anode and power source of the damper diode DDI are connected to the source and drain of the switching element Q1, respectively.
  • the anode and the cathode of the damper diode D D2 are connected to the source and the drain of the switching element Q 2, respectively.
  • the damper diodes D D1 and D D2 are body diodes included in the switching elements Q 1 and Q 2, respectively.
  • a partial resonance capacitor Cp is connected in parallel between the drain and source of the switching element Q2.
  • the parallel resonance circuit (partial voltage resonance circuit) is formed by the capacitance of the partial resonance capacitor Cp and the leakage inductance L1 of the primary winding N1. Then, a partial voltage resonance operation in which voltage resonance occurs only when the switching elements Ql and Q2 are turned off is obtained.
  • an oscillation and drive circuit 2 is provided for switchingly driving the switching elements Q 1 and Q 2.
  • the oscillation and drive circuit 2 has an oscillation circuit and a drive circuit, and for example, a general-purpose IC can be used. Then, a drive signal (gate voltage) having a required frequency is applied to each gate of the switching elements Ql and Q2 by the oscillation circuit and the drive circuit in the oscillation drive circuit 2. As a result, the switching elements Q1 and Q2 alternately turn on and off according to the required switching frequency. The switching operation is performed as described above.
  • the insulation compensator transformer PIT is provided for transmitting the switching output of the switching elements Ql and Q2 to the secondary side.
  • One end of the primary winding N1 of the isolation transformer PIT is connected to the source of the switching element Q1 and the drain of the switching element Q2 via a series connection of the primary parallel resonance capacitor C1. By connecting to the point (switching output point), the switching output is transmitted.
  • the other end of the primary winding N 1 is connected to the primary side ground.
  • the insulation converter transformer PIT generates a required leakage inductance L1 in the primary winding N1 of the insulation converter transformer PIT due to the structure described later. Then, depending on the capacitance of the series resonance capacitor C 1 and the leakage inductance L 1, a primary side series resonance circuit for forming the operation of the primary side switching converter into a current resonance type is formed.
  • the primary-side switching comparator shown in this figure the operation as a current resonance type by the primary-side series resonance circuit (LI-C1) and the partial voltage resonance circuit (C p ⁇ L l ) To obtain a partial voltage resonance operation.
  • the power supply circuit shown in this figure adopts a configuration as a composite resonance type converter, in which the primary side switching comparator is a resonance type for making the evening resonance type and another resonance circuit is combined. .
  • the secondary winding of the insulated converter transformer PIT includes a secondary winding N 2 A and a secondary winding N 2 A having the same winding direction as the primary winding N 1.
  • a winding N2B is provided.
  • These secondary windings N 2 A and N 2 B are each divided into two winding parts as shown in the figure because of the single tap.
  • the winding portion including the winding start end of the secondary winding N2A is referred to as a winding portion N2A1
  • the winding portion including the winding end portion is referred to as a winding portion N2A2.
  • the winding part including the winding start end of the secondary winding N 2 B is defined as a winding part N 2 B1
  • the winding part including the winding end part is defined as a winding part N 2 B2.
  • the winding portions N2A1, N2A2, N2B1, and N2B2 each have the same predetermined number of turns.
  • the secondary windings N2A and N2B are provided with synchronous rectifier circuits for full-wave rectification including N-channel MOS FETs Q3 and Q4 as rectifying elements. These MOSFETs Q3 and Q4 can have low on-resistance by selecting, for example, a trench structure with a low breakdown voltage.
  • the center tap outputs of the secondary windings N 2 A and N 2B are connected to the positive terminal of the smoothing capacitor Co.
  • the winding ends of the secondary windings N2A and N2B are connected to the secondary side ground (the negative terminal of the smoothing capacitor Co) via the inductor L dl ⁇ the drain-source of the MOS-FETQ3. Side).
  • each of the secondary windings N 2 A and N 2 B is connected to the secondary side ground (smoothing capacitor C o) through the drain-source of the inductor L d2 ⁇ M ⁇ S—FET Q4. (Negative terminal side).
  • the body diodes DD3 and DD4 are connected to the drain and source of the MOS FETs Q3 and Q4, respectively.
  • MOS—FETQ3 is inserted in series.
  • the rectified current path including the winding portions N2A2 and N2B2 of the secondary windings N2A and N2B has a structure in which MOS-FETQ4 is inserted in series.
  • the drive circuit for driving the MOS FET FQ3 is formed by connecting a gate resistor Rgl between the winding end of the secondary winding N2A and the gate of the MOS FET FQ3.
  • the drive circuit that drives the MOS-FET Q4 is formed by connecting a gate resistor Rg2 between the winding start end of the secondary winding N2B and the gate of the M ⁇ S-FET Q4.
  • the MOS S-FET Q3 is turned on by detecting the alternating voltage excited by the winding part N 2 A2 and the winding part N 2 B2 by the gate resistance R gl, respectively.
  • the alternating voltage excited in the winding part N 2 Al and the winding part N 2 B1 is detected by the gate resistance Rg2 to conduct.
  • MOS Circuit for switching driving of FETs Q3 and Q4.
  • the circuit configuration of the synchronous rectifier circuit in this case employs a configuration in which the MOS-FETQ3 and Q4 are turned on / off in synchronization with the rectified current by the winding voltage detection method.
  • the gate resistors Rgl and Rg2 which are considered to form the driving circuit system of M ⁇ S_FET Q3 and MOS-FET Q4, are connected in parallel with the shot key diode Dgl, respectively.
  • the shot diode Dg2 is connected in the direction shown.
  • a path is formed for discharging the accumulated charge of the gate input capacitors of MOS-FET Q3 and Q4 when these are turned off.
  • a Zener diode D zl and a Zener diode Dz2 are inserted between the gate and source of M ⁇ S—FETQ 3 as shown in the figure.
  • a zener diode D z3 and a zener diode D z are inserted in these, but these zener diodes form an overvoltage protection circuit for the MOS FETs Q3 and Q4.
  • a zener potential (breakdown potential) that is in accordance with the breakdown voltage level of MOSS FET Q3 and Q4 is also selected.
  • these Zener diodes Dz conduct to protect the MOS-FETs Q3 and Q4. be able to.
  • the inductor L dl is inserted between the winding start end of the secondary winding N 2 A and the MOS-drain of the FET Q3. ing.
  • an inductor L d2 is inserted between the winding start end of the secondary winding N 2 B and the drain of the MOS-FETQ4.
  • a relatively low inductance of, for example, about 0.6 H is set as the inductors Ldl and Ld2.
  • a lead wire is inserted through a bead core in which a magnetic material such as a magnetic material or a ferrite material is formed in a cylindrical shape. Then, the bead core passing through the lead wire is mounted on a printed board as one inductor element.
  • these inductors L dl and L d2 may be replaced by, for example, as shown in FIGS. 4A and 4B below. It is to be formed as follows.
  • FIG. 4A shows another example in which the above-described bead core is used as the inductors Ldl and Ld2.
  • a bead core made of an amorphous magnetic material or a magnetic material such as a ferrite material as described above is used as the drain electrode terminals of the MOSFETs Q3 and Q4 to be soldered to the printed circuit board as shown in the figure. It is provided so as to pass through the lead wire. Then, the inductors Ldl and Ld2 are formed by the inductance of such a bead core.
  • FIG. 4B is an example in which the wiring pattern of the printed circuit board on which the MOS FET Q3 and Q4 are mounted is formed in a spiral shape.
  • the copper foil pattern to be wired to the drain electrodes of the MOSFETs Q3 and Q4 on the printed board is formed in a spiral shape as shown in the figure, and the inductor Ld1, This is to obtain the required inductance as L d2. According to this, there is an advantage that the inductor L d can be formed simultaneously with the production of the printed wiring board.
  • a secondary DC output voltage E ⁇ as shown in the figure is obtained.
  • the secondary-side DC output voltage Eo is supplied to a load (not shown) and is also branched and input as a detection voltage for the control circuit 1 described below.
  • the control circuit 1 supplies a detection output to the oscillation / drive circuit 2 according to the level change of the secondary DC output voltage Eo.
  • the switching elements Ql and Q2 are driven so that the switching frequency is varied according to the input detection output of the control circuit 1.
  • the power transmitted from the primary winding N1 of the isolated converter transformer PIT to the secondary windings N2A and N2B changes by changing the switching frequency of the switching elements Ql and Q2. As a result, the level of the secondary side DC output voltage Eo is stabilized. Works.
  • the above switching frequency is controlled to increase, thereby increasing the secondary DC output voltage Eo. Let it.
  • the above switching frequency is controlled to reduce the secondary DC output voltage. Decrease the output voltage E o.
  • the power supply circuit shown in this figure under the circuit configuration of the power supply circuit shown in this figure, it is designed to correspond to a load condition of a low voltage and a large current.
  • the power supply circuit shown in Fig. 1 is configured and selected as required for each part as follows.
  • the insulation converter transformer PIT adopts the structure shown in Fig. 2.
  • the insulated converter transformer PIT includes an EE core in which E-shaped cores Rl and CR2 made of ferrite material are combined so that their magnetic legs face each other.
  • a pobin B formed of, for example, a resin or the like is provided in a shape in which the primary and secondary winding portions are divided so as to be independent of each other.
  • the primary winding N 1 is wound around one of the winding portions of the pobin B.
  • the secondary winding (N2A, N2B) is wound around the other winding part.
  • a gap G with a gap length of about 1.5 mm is formed in the center magnetic leg of the EE type core.
  • the power supply circuit is in a more loosely coupled state than the insulated converter P I in the power supply circuit shown in FIG. 27 as a conventional example.
  • the gap G can be formed by making the central magnetic legs of the E-shaped cores CR 1 and CR 2 shorter than the two outer magnetic legs.
  • the primary winding N1 and secondary winding N2A are set so that the induced voltage level per T (evening) of the secondary winding is lower than that of the power supply circuit shown in Fig. 27.
  • primary winding N1 80 T
  • the induced voltage level per IT (turn) of the secondary winding is set to 2 VZT or less.
  • 0.015F was selected for the primary-side series resonance capacitor C1. Also, M ⁇ S— FE that forms the secondary side synchronous rectifier circuit For TQ3 and Q4, 30 AZ 20 V was selected, and its on-resistance was 2.5 m ⁇ .
  • FIGS. 5 and 6 The operating waveforms of the power supply circuit shown in FIG. 1 having such a configuration are shown in FIGS. 5 and 6.
  • the voltage V1 across the switching element Q2 corresponds to the on / off state of the switching element Q2.
  • a rectangular wave is clamped at the 0 level during the period T2 when the switching element Q2 is on and clamped at a predetermined level during the period T1 when the switching element Q2 is off.
  • the switching current I DS2 flowing through the switching element Q 2 ⁇ damper diode D D2 becomes negative when turned on by flowing through the damper diode DD2, which is inverted.
  • the waveform flows from the drain to the source of the switching element Q2 due to the positive polarity, and is turned off in the period T1 to become a 0 level waveform.
  • the switching element Q 1 performs switching so as to be turned on / off alternately with respect to the switching element Q 2. Therefore, although not shown, the switching current flowing through the switching element Q1 // damper diode D D1 has a waveform shifted by 180 ° with respect to the switching current I DS2. Also, the voltage across the switching element Q1 has a waveform shifted by 180 ° from the voltage V1 across the switching element Q2.
  • the primary-side series resonance current I o flowing through the primary-side series resonance circuit (C 1 -L 1) connected between the switching output points of the switching elements Q 1 and Q 2 and the primary-side ground is the switching current I DS1 and the switching current I DS2 are combined.
  • the primary-side series resonance current Io becomes sinusoidal.
  • the primary side series resonance current Io of the present embodiment is It can be seen that the sawtooth wave component generated by the excitation inductance of the primary winding N1 is hardly contained. This is because the coupling inductance of the isolation converter and the transformer PIT is made more loosely coupled, and the relative inductance of the primary winding N Excitation of 1 depends on the decrease in inductance.
  • the waveform of the primary side series' resonance current Io is obtained, the voltage V 2 obtained in the winding portion N 2 A1 of the secondary winding N 2A is the primary side series resonance current
  • the waveform has a waveform corresponding to the cycle of Io, and has a waveform clamped at an absolute value level corresponding to the secondary-side DC output voltage Eo.
  • the voltage V 2 is shown as the potential obtained at the winding N 2 A1, the potential is also generated in the winding N 2 B2 of the secondary winding N 2 B by an equivalent waveform. Will be. Further, in this case, a potential equivalent to this voltage V 2 is generated in the winding part N 2 A2 and the winding part N 2 B2.
  • the voltage V 2 shown in FIG. 5 is the timing when the primary side series resonance current Io is at the 0 level. A zero level waveform is obtained.
  • the voltage V 2 in this case is such that the zero-cross timing overlaps with the zero-cross timing of the primary side series resonance current I 0 (see times t 1, t 2, and t 3 in the figure).
  • the above voltage V2 (winding part N 2 Al, N 2 B1) is detected by the drive circuit consisting of the resistor R g2, and the MOS S-FET Q4 Outputs an on-level gate voltage to.
  • the voltage V 2 has a positive polarity peak level at the time t 1, and thereafter, the level is reduced and becomes a 0 level at the time t 2.
  • the gate-source voltage V GS4 generated between the gate and the source of the MOS-FET Q 4 is higher than the level corresponding to the predetermined level defined as the gate-source potential of Q 4.
  • An on-voltage is generated during the holding period (the period from tl to tdl in the figure). That is, this period t1 to tdl is the ON period D0N2 of MOS-FETQ4.
  • the period from the time t dl at which the period D0N2 ends to the time t 2 is the dead time of the MOS FET Q4. Rectified current flows. This is also indicated by the potential of the period t d1 -t 2 in the illustrated gate-source voltage V GS4.
  • the rectified current I 4 flowing through M ⁇ S—FET Q4 flows as shown in the period from time t1 to time t2.
  • the rectified current 14 is set so that the timing at which the primary-side series resonance current I 0 and the zero-level are overlapped at these time points t 1 and t 2, and thus the rectified current 14 and the primary-side series resonance current are continuous. Will do.
  • the drive circuit composed of the resistor R gl the voltage generated in the windings N 2 A2 and N 2 B2 equivalent to the above voltage V2 is detected, and the ON-level gate voltage is applied to the MOS-FET Q3. Is output.
  • the MOS-gate-source voltage VGS3 generated between the gate and the source of the FET Q3 is the voltage V2 generated on the windings N2A2 and N2B2 side as the gate-source potential.
  • the ON voltage is generated during the period (period t2 to td2 in the figure) that maintains the level or higher corresponding to the predetermined level of the MOS-FET.
  • the ON period of Q3 is D0N1.
  • the rectified current 13 flowing through the M ⁇ S—FET Q3 is also the zero crossing of the primary-side series resonance current I o.
  • the time t2 and the time t3 which is the timing And flows continuously with the primary-side series resonance current I 0.
  • the rectified currents I 3 and 14 flow with a waveform as shown in the figure in which they are combined.
  • the rectification operation a full-wave rectification operation in which the smoothing capacitor Co is charged in each period in which the voltage generated in the secondary windings N 2 A and N 2 B is positive or negative is obtained. You can see that.
  • the voltage V 2 generated in the secondary winding in this case becomes zero level as the primary side series resonance current Io becomes zero level. Therefore, the voltage V 2 is continuous with the primary side series resonance current. Further, the continuation of the voltage V2 in this manner causes the rectification current I3 and the rectification current I4 to also continue as described above, so that the charging current Ic to the smoothing capacitor Co also decreases. It will flow continuously.
  • the rectified currents 13 and 14 are 28 Ap, which is smaller than the rectified currents I 1 and I 2 shown in Fig. 28, for example. This is because, for example, in the period corresponding to the equivalent switching frequency, the conduction period of the rectified current is longer than before.
  • the coupling coefficient of the isolated converter transformer PIT is about 0.8 by setting the gap length, as understood from the above description.
  • the induced voltage level per turn of the secondary winding is reduced to about 2 VZT, for example, so that the primary winding N 1 and the secondary winding N 2A (Winding section N 2 Al, N 2 A2) and the number of turns (turn number) of the secondary winding N 2B (winding section N 2 B1, N 2 B2) are set. This is obtained by reducing the magnetic flux density generated in the core of the PIT to below the required level. .
  • the rectified currents 13 and 14 in this case are the reverse currents I 1 and 12 shown in FIG. It can be seen that is not washed away. In other words, in the past, a reverse current of 8 Ap flowed through the rectified currents II and I 2, which caused power loss. In the present embodiment, the reverse current generated by such a rectified current It does not occur.
  • the reason that such a reverse current is not generated in the rectified currents I3 and I4 is that the inductors Ldl and Ld2 are provided in each rectified current path as shown in FIG. Is inserted.
  • these inductors L dl As described above, in the present embodiment, these inductors L dl,
  • 0.6 H is set as L d2, which makes it possible to prevent the generation of the reverse current in the rectified currents I 3 and I 4.
  • the synchronous rectifier circuit uses a low on-resistance, low-withstand-voltage MOS-FET as the rectifying element, and therefore is more conductive than when a diode element is used as the rectifying element. 'Loss can be reduced.
  • the secondary side rectified current flows in discontinuous mode and the winding voltage detection method is used as the synchronous rectification circuit
  • the MOS- Reverse current flowed while the FET remained on, creating reactive power.
  • a synchronous rectifier circuit based on rectified current detection will be used.
  • the rectified current detection method requires a drive circuit system including a current transformer and a comparator, and the circuit configuration is complicated and large-scale.
  • the secondary-side rectified current is set to the continuous mode even under heavy load, so that even in the case of the synchronous rectifier circuit using the voltage detection method, the above-described current discontinuity period is not affected. Reactive power can be reduced.
  • the inductors L dl and L d2 are inserted into the rectified current paths on the secondary side, as described above, so that the reverse current does not flow in the rectified current and the reactive power Is being further reduced.
  • the present embodiment by adopting a configuration based on the voltage detection method as the synchronous rectifier circuit, it is possible to suppress the expansion of the circuit size as a simple circuit configuration and further to avoid cost increase. This solves the problem of the decrease in power conversion efficiency due to the reactive power during the discontinuous current period.
  • the charge of the gate input capacitance is discharged through the path of the Schottky diode D g (D gl, D g2) ⁇ the secondary winding N 2 ⁇ the smoothing capacitor C.o.
  • the voltage drop time at the time of turn-off in the MOS T-FET Q3 and Q4 can be reduced.
  • constant voltage control by switching frequency control is performed to stabilize the secondary-side DC output voltage E 0.
  • the switching frequency is increased and the secondary side DC output voltage is reduced, thereby stabilizing the output voltage. Operate.
  • the secondary winding voltage V2 can be obtained at almost the same timing with respect to the voltage VI across the switching element Q2 shown in the figure.
  • the charging current I c (rectified current 1.3, 14) also flows so that the smoothing capacitor Co is continuously charged without a pause as shown in the figure.
  • FIG. 7 shows a comparison between the power supply circuit shown in FIG. 1 having the configuration described so far and the power supply circuit shown in FIG. 27 which is a conventional example. It shows the characteristics of conversion efficiency (7? AC-DC).
  • the characteristics of the power supply circuit of FIG. 1 are shown by solid lines, and the characteristics of the power supply circuit of FIG. 27 are shown by broken lines.
  • the AC-DC power conversion efficiency (7? AC-DC) is higher in the circuit shown in FIG. 1 than in the power supply circuit shown in FIG. It can be seen that it is high over the range of W to 100 W.
  • the present example in which the Inktor Ld is introduced is more reactive than the configuration in which the leakage inductance of the isolated converter transformer PIT is increased to eliminate the discontinuous mode under heavy load. It can be seen that the force is further reduced.
  • the characteristic of the power conversion efficiency shown in Fig. 7 is that when the synchronous rectification circuit of the rectified current detection method is adopted on the secondary side, compared to the primary side configuration shown in Fig. 27 (Fig. 32 See Fig. 2).
  • 7 7AC ⁇ DC 90.8%
  • FIG. 8 shows a configuration example of a switching power supply circuit according to a second embodiment of the present invention.
  • the same reference numerals are given to the parts already described in FIG. 1, and the description is omitted.
  • the power supply circuit shown in this figure is the power supply circuit according to the first embodiment shown in FIG. 1.
  • each of the center tap outputs of the secondary windings N2A and N2B is inducted as shown in the figure. This is connected to the positive terminal of the smoothing capacitor C o via the evening L o.
  • the inductor Lo is inserted so as to be common to each rectified current path as described above.
  • a low inductance of about 3H is set.
  • the voltage V 1 across the switching element Q 2 corresponds to the on / off state of the switching element Q 2.
  • a rectangular wave is clamped at the 0 level during the period T2 when the switching element Q2 is on and clamped at a predetermined level during the period T1 when the switching element Q2 is off.
  • the switching current I DS2 flowing through the switching element Q 2 // damper diode D D2 becomes negative when turned on by flowing through the damper diode DD2 at the time of turn-on.
  • the current flows through the drain-source of the switching element Q2 due to the positive polarity, and a waveform that is turned off in the period T1 and becomes 0 level is obtained.
  • the switching element Q1 performs switching so as to be alternately turned on / off with respect to the switching element Q2. Therefore, although not shown, the switching current flowing through the switching element Q1 // damper diode DD1 has a waveform shifted by 180 ° from the switching current IDS2. Also, the voltage across the switching element Q 1 has a waveform shifted by 180 ° from the voltage V 1 across the switching element Q 2.
  • the primary-side series resonance current I ⁇ flowing through the primary-side series resonance circuit (C1 ⁇ L1) connected between the switching output points of the switching elements Q1 and Q2 and the primary-side ground is the switching current I DS 1 and the switching current I DS2 are combined. As a result, As shown, the primary side series resonance current IO has a sinusoidal waveform.
  • the voltage V2 obtained in the winding portion N2A1 of the secondary winding N2A is represented by the value of the primary-side series resonance current I0.
  • the waveform is a waveform corresponding to the cycle, and is a waveform clamped at an absolute value level corresponding to the secondary-side DC output voltage E o.
  • the voltage V 2 is shown as the potential obtained at the winding N 2 A1, the potential at the winding N 2 B1 of the secondary winding N 2 B is also obtained by an equivalent waveform. It has happened. Further, in this case, a potential equivalent to this voltage V 2 is generated in the winding part N 2 A2 and the winding part N 2 B2.
  • the voltage V2 shown in FIG. 9 is similarly changed to the 0 level at the timing when the primary side series resonance current Io becomes the 0 level. Is obtained.
  • the voltage V 2 in this case is such that the zero-cross timing overlaps with the zero-cross timing of the primary-side series resonance current I 0 (see points t 1, t 2, and t 3 in the figure).
  • the drive circuit composed of R g2 detects the voltage V2 (winding section N 2 Al, N 2 B1) and outputs an ON-level gate voltage to the MOS-FET Q4.
  • the voltage V 2 has a waveform having a peak level of positive polarity at time t 1, and thereafter, the level is reduced to become 0 level at time t 2.
  • MO S—Gate-source voltage V GS4 generated between the gate and source of FETQ 4 is higher than the level corresponding to the predetermined level defined as the gate-source potential of Q 4.
  • An on-voltage is generated during the holding period (the period from tl to tdl in the figure). That is, this period t1 to td1 is the ON period D0N2 of M ⁇ S—FETQ4.
  • the period from the time point td1 when this period D0N2 ends to the time point t2 is the dead time of the MOS FET Q4.
  • the dead time period tdl to t2 the dead time is applied via the body diode DD4 of Q4. Rectified current flows. This is also indicated by the potential during the period t ( ⁇ t2) in the illustrated gate-source voltage V GS4.
  • the rectified current I4 flowing through the MOS-FETQ4 flows over the period between the time points t1 and t2 as shown in the figure.
  • the rectified current 14 is such that the primary-side series resonance current Io and the timing at which it reaches the 0 'level overlap at these time points t1 and t2, whereby the primary-side series resonance current and It will be continuous.
  • the voltage generated in the windings N 2 A2 and N 2 B2 equivalent to the above voltage V2 is detected, and the on-level gate is applied to the MOS-FET Q3. Outputs voltage.
  • the gate-source voltage VGS3 generated between the gate and source of the MOS-FETQ3 is the voltage V2 generated on the windings N2A2 and N2B2 side as the predetermined gate-source potential.
  • the rectified current I 3 flowing through the MOS-FET Q 3 also flows between the time t 2 and the time t 3, which is the zero-cross timing of the primary-side series resonance current I o, as shown in the figure. And flows continuously with the primary side series resonance current I o.
  • the rectified current I 3, 14 flows with a waveform as shown in the figure in which the rectified currents I 3 and 14 are combined.
  • the rectification operation a full-wave rectification operation in which the smoothing capacitor Co is charged in each period when the voltage generated in the secondary windings N 2 A and N 2 B is positive Z negative is obtained. You can see that.
  • the voltage V 2 generated in the secondary winding in this case becomes 0 level as the primary side series resonance current I o becomes 0 level. It becomes continuous with the side series resonance current. Further, by the continuous voltage V2, the rectified current I3 and the rectified current I4 are also continuous as described above, so that the charging current IC for the smoothing capacitor Co is also continuous. And flow.
  • the continuous mode is obtained as the secondary-side rectified current even when the load is controlled to be low and the switching frequency is reduced.
  • the rectified currents 13 and 14 are 28 Ap, which is lower than the rectified currents I1 and I2 shown in FIG. 28, for example. This is because, for example, the conduction period of the rectified current in the period corresponding to the equivalent switching frequency is longer than before.
  • the coupling coefficient of the isolated converter transformer PIT is set to about 0.8 by setting the gap length, as understood from the above description.
  • the induced voltage level per turn of the secondary winding is reduced to about 2 VZT, so that the primary winding N 1 and the secondary winding N2A ( The number of turns (turns) of the windings N 2 Al and N 2 A2) and the secondary winding N2B (winding N2 B1 and N 2 B2) are set. This is obtained by reducing the magnetic flux density to below the required level.
  • the rectified currents I3 and '14 in this case are the reverse currents I3 and '14, as can be seen from the conventional rectified currents II and 12 shown in FIG. It can be seen that is not washed away.
  • a reverse current of 8 Ap flows through the rectified currents I 1 and I 2, which causes power loss.
  • the reverse current generated by such a rectified current flows. No directional current is generated.
  • the reason that such a reverse current is not generated in the rectified currents I 3 and I 4 is that the inductors L dl and L d2 are provided in each rectified current path as shown in FIG. In addition, it is common to each rectified current path.
  • the inductor L 0 is inserted in the path.
  • the synchronous rectifier circuit uses a low on-resistance, low-voltage MOS-FET as the rectifying element, and therefore is more conductive than a diode element for the rectifying element. Loss can be reduced.
  • the rectified current detection method requires a drive circuit system including a current transformer and a comparator, and the circuit configuration is complicated and large-scale.
  • the secondary-side rectified current is set to the continuous mode even under heavy load, so that even in the case of the synchronous rectifier circuit using the voltage detection method, the above-described current discontinuity period is not affected. Reactive power can be reduced. Furthermore, in this case, by introducing inductors Ldl, Ld2, and Lo into the rectified current path on the secondary side as described above, a reverse current is prevented from flowing in the rectified current. To further reduce reactive power.
  • the present embodiment by adopting a configuration based on the voltage detection method as the synchronous rectifier circuit, it is possible to suppress the expansion of the circuit size as a simple circuit configuration and further to avoid cost increase. This solves the problem of the decrease in power conversion efficiency due to the reactive power during the current discontinuous period.
  • FIG. 9 also shows a ripple component ⁇ Eo generated in the secondary-side DC output voltage Eo.
  • the secondary-side DC output voltage E o in this case has a high-frequency component in accordance with the timing at which the MOS_FETs Q 3 and Q 4 ′ turn off. Superimposed. This is considered to be due to switching noise caused by switching driving of the MOSS-FETTQ3 and Q4 as a synchronous rectifier circuit.
  • such a high-frequency component generated in the secondary-side DC output voltage E # is suppressed by the inductor Lo ′ provided in the path for charging the rectified current to the smoothing capacitor Co.
  • the level of this high-frequency component can be reduced to 0.1 Vp as shown in the figure. it can. That is, the high frequency component superimposed on the secondary DC output voltage Eo can be suppressed as described above by the impedance component (AC resistance component) of the inductor Lo.
  • the gate-source voltages VGS3 and VGS4 are the timings when the MOS-FETs Q3 and Q4 are turned off, respectively. In this case, a negative potential of 13 V is generated. However, as described above, this is done by connecting the Schottky diode Dgl, in parallel with the resistors Rgl and Rg2 between the gates of the MOSFETs Q3 and Q4 and the secondary winding, respectively, as described above. Due to the introduction of Dg2.
  • the charge of the gate input capacitor is discharged through the path of the Schottky diode Dg (Dgl, Dg2) ⁇ the secondary winding N2 ⁇ the smoothing capacitor Co.
  • the voltage drop time at the turn-off of the MOS-FETs Q3 and Q4 can be reduced. Wear.
  • FIG. 10 shows a configuration of a switching power supply circuit according to a third embodiment of the present invention.
  • the inductors Ldl and Ld2 are removed from the configuration of the power supply circuit according to the second embodiment shown in FIG.
  • the inductor Lo is provided as the inductor inserted in the secondary-side rectified current path, and the inductance is set to 0.6 H higher than that in the case of FIG. It is set to.
  • FIG. 11 shows operation waveforms of various parts in the power supply circuit according to the third embodiment.
  • the inductance of the inductor Lo is set higher, so that the effect of suppressing the high frequency by the inductor Lo is higher than in the case of FIG. .
  • the inductance of the inductor Lo is set to be higher than that in the case of FIG. 8, so that the secondary DC output voltage Eo is generated. High frequency components can be removed.
  • the back electromotive force generated in the rectified currents I3 and I4 is suppressed by the back electromotive force generated in the inductor Lo.
  • 0.6 H as the inductance of the inductor Lo as described above, a reverse current can be prevented from being generated in the rectified current I3, 1.4. is there.
  • the reactive power in the synchronous rectifier circuit can be reduced as in the case of the circuit in FIG.
  • the inductors L dl and L d2 can be dispensed with, so that the number of components and the mounting area of these components on the printed circuit board are reduced as compared with the configuration shown in FIG. Can be done.
  • FIG. 12 shows a configuration example of a switching power supply circuit according to a fourth embodiment of the present invention.
  • the same reference numerals are given to the parts already described in FIG. 1, and the description will be omitted.
  • the above-mentioned filter circuit for the secondary side and the DC output voltage Eo line is formed by the smoothing capacitor Col, the smoothing capacitor Co2, and the choke coil Ln. It is formed.
  • one end of a choke coil Ln is connected to the positive terminal of a smoothing capacitor Col as shown in the figure.
  • the other end of the choke coil Ln is connected to the positive terminal of the smoothing capacitor Co 2, and the negative terminal of the smoothing capacitor Co 2 is grounded to the secondary ground.
  • a parallel connection circuit of the smoothing capacitor Co'l and the smoothing capacitor C02 is formed, and further, between the positive terminals of the smoothing capacitors Col and Co2,
  • the choke coil L n has been introduced.
  • a so-called 7C-type filter composed of C, L, and C is provided for the line of the secondary-side DC output voltage ⁇ .
  • the reason why the filter circuit is provided for the line of the secondary side DC output voltage E o is as follows.
  • a Schottky diode D g is connected to each of the MOS-F. ETQ 3 and Q 4 gates. This makes it possible to obtain good MOS-FET evening-off characteristics by forcibly extracting the accumulated charge of each gate input capacitance when each MOS-FET is turned off. .
  • the circuit of FIG. 12 is provided with the above-mentioned ⁇ -type filter to suppress the noise generated in the secondary-side DC output voltage Eo.
  • F withstand voltage of 6.3 V and ESR (equivalent series resistance) of less than 15 ⁇ are selected.
  • the choke coil Ln for example, DCR (DC resistance) is set to about 1 ⁇ , and the inductance L is set to about 0.7 zH.
  • FIGS. 13 and 14 Operation waveforms of the power supply circuit shown in FIG. 12 having such a configuration are shown in FIGS. 13 and 14.
  • the voltage V 1 across switching element Q 2 corresponds to the on / off state of switching element Q 2.
  • the rectangular wave is clamped at a predetermined level in the off period T1. Then, as shown in the period T2, the switching current I DS2 flowing through the switching element Q 2 ⁇ damper diode D D2 becomes negative when turned on by flowing through the damper diode ⁇ D D2. This is inverted and flows from the drain to the source of the switching element Q2 due to the positive polarity, and a waveform that becomes off and becomes 0 level in the period T1 is obtained.
  • the switching element Q 1 performs switching so as to be turned on / off alternately with respect to the switching element Q 2. For this reason, although not shown, the switching current flowing through the switching element Q1 // damper diode DD1 has a waveform shifted by 180 ° with respect to the switching current IDS2. Become. Also, the voltage across the switching element Q 1 has a waveform shifted by 180 ° from the voltage V 1 across the switching element Q 2. And the switching output points of the switching elements Q 1 and Q 2 The primary-side series resonance current I ⁇ flowing through the primary-side series resonance circuit (C1 ⁇ L1) connected between the secondary-side grounds is obtained by combining the switching current I DS1 and the switching current I DS2. .
  • the primary side series resonance current Io becomes substantially sinusoidal. Comparing this waveform with the waveform of the primary side series resonance current Io of the conventional power supply circuit shown in Fig. 27 (see Fig. 28), the primary side series resonance current in the case of the circuit of Fig. 12 is shown. It can be seen that Io contains almost no sawtooth wave component generated by the exciting inductance of the primary winding N1. This is due to the fact that the coupling coefficient of the isolated converter transformer PIT is made more loosely coupled, and the excitation inductance of the primary winding N1 is relatively increased by the increase in the cage inductance L1 of the primary winding N1. Is smaller.
  • the voltage V2 obtained in the winding portion N2B2 of the secondary winding N2B is represented by the primary-side series resonance current Io.
  • the waveform is a waveform corresponding to the cycle, and is a waveform clamped at an absolute value level corresponding to the secondary-side DC output voltage Eo.
  • the voltage V 2 is shown as the potential obtained at the winding N 2 B2, the potential is also generated at the winding N 2 A2 of the secondary winding N 2 A by an equivalent waveform. Will be. Further, in this case, a potential equivalent to the voltage V2 is generated in the winding part N2A1 and the winding part N2B1.
  • the voltage V2 shown in Fig. 13 is similarly set at the timing when the primary side series resonance current Io becomes 0 level. A zero level waveform is obtained.
  • the voltage V 2 in this case the zero-cross timing It overlaps with the zero-cross timing of the primary-side series resonance current IO (see points t1, t2, and t3 in the figure).
  • the above-mentioned voltage V2 (winding part N 2 A2, N 2 B2) is detected by the drive circuit consisting of the resistor R g2, and the MOS S-FET Q4 To output an on-level gate voltage.
  • the voltage V 2 becomes a peak voltage of positive polarity at the time t 1, and thereafter, the level is reduced to a point in time! : Waveform that becomes 0 level at 2.
  • t period in the figure, t:! To t dl an on-voltage is generated. That is, this period t1 to td1 is the ON period D0N2 of MOS-FETQ4.
  • the period from the time t dl at which the period D 0N2 ends to the time t 2 is the dead time of the MOS FET Q4, and during the dead time t dl to t2, the current passes through the body diode DD4 of the Q4. Rectified current flows. This is also indicated by the potential of the period t dl -t 2 in the illustrated gate-source voltage V GS4.
  • the rectified current I4 flowing through the MOS-FETQ4 flows over the period between the time points t1 and t2 as shown in the figure.
  • the rectified current 14 is set so that the timing at which the primary-side series resonance current Io and the 0-level are overlapped at these time points t1 and t2, and thereby the primary-side series resonance current and It will be continuous.
  • the voltage V2 Detects the voltage generated at the windings N 2 A1 and N 2 B1, which is equivalent to the above, and outputs an on-level gate voltage to the MOS-FET Q3.
  • the voltage between the gate and the source VGS3 generated between the gate and the source of the FET 3M ⁇ S—FETQ3 is the voltage V2 generated on the winding part N 2 Al and N 2 B1 side.
  • a period (period t2 to td2 in the figure) in which the level corresponding to the predetermined level as the inter-potential is maintained (on-period t2 to td2) an on-voltage is generated.
  • ⁇ S—ON period of FETQ3 is D0N1.
  • the rectified current I 3 flowing through the MOS-FETQ 3 also flows between time t 2 and time t 3, which is the zero-cross timing of the primary-side series resonance current I o as shown in the figure. And flows continuously with the primary-side series resonance current Io.
  • the charging current I c to each smoothing capacitor flows with a waveform as shown in the figure in which these rectified currents I 3 and I 4 are combined.
  • a full-wave rectification operation in which the smoothing capacitor Co is charged in each period in which the voltage generated in the secondary windings N 2 A and N 2 B is positive / negative has been obtained. You can see this.
  • the voltage V 2 generated in the secondary winding in this case becomes zero level as the primary side series resonance current Io becomes zero level. Therefore, the voltage V 2 is continuous with the primary side series resonance current. Further, the continuation of the voltage V2 in this manner causes the rectification current I3 and the rectification current I4 to also continue as described above, so that the charging current Ic to the smoothing capacitor Co also decreases. It will flow continuously.
  • the rectified currents I 3 and I 4 are 28 Ap, which is lower than the rectified currents I I and 12 shown in FIG. 28, for example. This is because, for example, in the period corresponding to the equivalent switching frequency, the conduction period of the rectified current is longer than before.
  • the coupling coefficient of the isolated converter transformer PIT is set to about 0.8 by setting the gap length, as understood from the above description.
  • the induced voltage level per turn of the secondary winding is reduced to about 2 VZT, so that the primary winding N 1 and the secondary winding N 2A ( The number of turns of the windings N 2 Al and N 2 A2) and the number of turns of the secondary winding N2B (winding N2 B1 and N 2 B2) are set. This is obtained by reducing the magnetic flux density that occurs in the steel to below the required level.
  • the rectified currents 13 and 14 in this case are reverse currents as can be seen from the conventional rectified currents I 1 and 12 shown in FIG. You can see that it is not washed away. In other words, in the past, a reverse current of 8 Ap flowed through the rectified currents I 1 and I 2, which caused power loss.However, in the circuit of FIG. 12, such rectified currents occurred. No reverse current is generated.
  • the reason that such a reverse current does not occur in the rectified currents I 3 and I 4 is that the inductors L dl and L d2 are inserted in each rectified current path as shown in FIG. It depends on what you do.
  • each inductor By inserting each inductor into each rectification current path in this way, when a rectification current flows, a back electromotive force is generated in this inductor. Then, with the generation of the back electromotive force, the reverse current, which is assumed to occur when the M ⁇ S—FET Q3 and Q4 are turned off, is suppressed.
  • these inductors Ldl and Ld2 are set to about 0.6 H, thereby obtaining the rectified currents I3 and I4. Therefore, it is possible to prevent the generation of a reverse current at the time.
  • the synchronous rectifier circuit uses a low on-resistance and low breakdown voltage MOS-FET as the rectifier element, and therefore has a lower conduction loss than a diode element for the rectifier element. It can be reduced.
  • the synchronous rectification current detection method A rectifier circuit will be employed.
  • the rectified current detection method requires a drive circuit system including a current transformer and a comparator, and the circuit configuration is complicated and large-scale.
  • the secondary side rectified current is in continuous mode even under heavy load. Reactive power during the period can be reduced.
  • the inductors L dl and L d2 are inserted into the rectified current path on the secondary side, thereby preventing the reverse current from being generated in the rectified current and thereby increasing the reactive power. Is further reduced.
  • the basic configuration of Fig. 12 is to adopt a configuration based on the voltage detection method as the synchronous rectifier circuit, thereby suppressing the increase in circuit scale as a simple circuit configuration and further avoiding cost increase.
  • the problem of reduction in power conversion efficiency due to reactive power during the discontinuous current period is solved.
  • FIG. 13 shows a ripple component ⁇ Eo generated in the secondary-side DC output voltage Eo.
  • the ripple component ⁇ in this case is generated in the range of 0.05 V with the center at 5 V, which is the output level of the secondary-side DC output voltage ⁇ ⁇ 0, as shown in the figure. Also, as can be seen from this figure, the secondary DC output voltage ⁇ ⁇ in this case is such that the noise component generated during the period corresponding to the turn-off of MOS S — FETQ 3 and Q4 is at the level of 0.1 V p Caused by
  • the waveform of the ripple component ⁇ E 1 of the voltage E 1 across the smoothing capacitor Col is also shown.
  • the smoothing capacitor C ol voltage E 1 The noise component generated during the period corresponding to the turn-off of the MOS-FETs Q3 and Q4 is caused by the 0.3 Vp level.
  • this is the 7T type filter for the line of the secondary side DC output voltage E o.
  • the secondary side DC output voltage is 0. It is shown that noise is caused by the level of 3 Vp.
  • the gate-source voltages V GS 3 and VGS4 are at the timing when M ⁇ S—FETs Q3 and Q4 are turned off, respectively.
  • the negative potential due to -9 V This occurs because the Schottky diode D is connected in parallel with the resistors Rgl and Rg2 between the gates of M ⁇ S—FETs Q3 and Q4 and the secondary winding, respectively, as described above. gl and D g2.
  • the charge of the gate input capacitor is discharged through the path of the Schottky diode D g (Dgl, D g2) ⁇ secondary winding N 2 —smoothing capacitor Co. And like this As the charge of the input capacitor is discharged, the voltage drop time at the time of turn-off of the MOS-FETs Q3 and Q4 can be reduced.
  • constant voltage control by switching frequency control is performed to stabilize the secondary-side DC output voltage E 0.
  • this constant voltage control reduces the secondary DC output voltage by increasing the switching frequency, thereby stabilizing the output.
  • the secondary winding voltage V2 can be obtained at almost the same evening with respect to the voltage VI across the switching element Q2 shown in FIG. Side charging current I
  • a switching power supply circuit is configured as shown in FIG. 15 below.
  • the inductor L of the bead core provided in the circuit of FIG. d 1 and Indak Yu Ld 2 shall be deleted.
  • the shot key diode D gl and the shot key diode D g 2 which were the factors for providing the 7T type filter, are also deleted.
  • the switching power supply circuit according to the fifth embodiment has a configuration in which the back electromotive force generated in the choke coil Lo prevents the reverse current of the rectified current.
  • the inductor L d in the circuit shown in Fig. 1 and 2 is used as the above choke coil L o unless the change in the inductance value with respect to the change in the load current level is considered. Similarly, at light load, the inductance value may suddenly rise and abnormal oscillation may occur.
  • the choke coil Lo is configured as shown in the following FIG. 16.
  • FIG. 16 is an exploded perspective view showing the structure of a choke coil Lo used in the power supply circuit according to the fifth embodiment.
  • a rectangular wire coil 5 in which a rectangular wire 5a is wound a predetermined number of turns as shown in the figure is used.
  • a so-called edgewise winding (vertical winding) in which the flat wire 5a having a rectangular cross section is wound in the width direction thereof is adopted.
  • both ends of the rectangular wire coil 5 are soldered to the external terminals 6 provided on the plate-type core CR 6 on which the rectangular wire 5 is mounted. Connected by
  • the choke coil Lo is formed by fitting the pot-shaped core CR 5 having the shape shown in the drawing to the plate-shaped core CR 6 on which the rectangular wire coil 5 is placed. .
  • the circular magnetic leg 7 formed on the pot-type core CR 5 side as shown in the figure is inserted through the circular hollow area formed inside the rectangular coil 5.
  • the pot type core CR5 is fitted to the plate type core CR6.
  • the plate-type core CR 6 is made of Ni—Zn ferrite.
  • a metal dust and / or a Ni—Zn ferrite as the core material of the choke coil, for example, a general manganese ferrite can be used.
  • the saturation magnetic flux density is improved as compared with the case of using, and the choke coil L o can improve the inductance change characteristic with respect to the current level fluctuation.
  • the choke coil L of this example with such a configuration In the case of o, the inductance value was able to be kept almost constant at 0.7 ⁇ H with respect to the variation of the load current (current I c) in the circuit of Fig. 15 from 2 OA to OA.
  • the use of the rectangular wire 5a as the winding as described above makes it possible to compare with the case where a general copper wire with a circular cross section is used, for example. As a result, the cross-sectional area of the winding increases and DCR (DC resistance) can be reduced. Also, as described above, the use of the Ni-Zn ferrite reduces the core iron loss.
  • the DC resistance of the choke coil Lo in this case is about 1.1 m ⁇ .
  • the choke coil Lo having such a configuration is inserted so as to be connected to each center tap of the secondary winding of the insulation compensator transformer PIT as shown in FIG. 15 above.
  • the leakage inductance of the isolated converter transformer PIT also increases due to the leakage inductance due to the choke coil Lo. That is, by inserting the choke coil L o in this manner, the magnetic flux density in the insulated converter transformer P IT changes.
  • the gap length (leakage inductance) in the insulated converter transformer PIT and the setting of the number of turns of the secondary winding (induction per 1 T) By setting the voltage, the magnetic flux density is set to a predetermined value or less, and the continuous mode is set regardless of the load fluctuation.
  • the insulation capacitor of the circuit shown in Fig. 15 Even if the gap length is reduced or the number of turns of the secondary winding is reduced due to the increase in the leakage inductance, it is possible to obtain a magnetic flux density equal to or lower than a predetermined value for the continuous mode.
  • the secondary winding N 2 A and the secondary winding N 2 B of the isolated converter transformer PIT are used as compared with the circuit of FIG.
  • the number of turns is selected to be small.
  • FIG. 17 is a waveform diagram showing operation waveforms of respective parts of the circuit shown in FIG. 15 as the fifth embodiment.
  • FIG. 17 also shows the voltage V .1 across the switching element Q2 and the switching current I DS2 flowing through the switching element Q2 ⁇ the damper diode D D2.
  • the waveform of the primary side series resonance current Io is also shown.
  • the primary side series resonance current I 0 a waveform having a substantially sine wave shape as shown in the figure and a zero-crossing waveform at time points t 1, t 2, and t 3 are obtained.
  • a waveform equivalent to the case of FIG. 13 is obtained.
  • the gate-source voltages V GS3 and V GS4 generated between the MOS and the gates and sources of the FETs Q3 and Q4 are approximately the same as in the case of FIG. It is obtained by a sinusoidal waveform.
  • the negative potential generated at the timing of turning off the MOS-FET Q3 and Q4 in the case of FIG. 13 is not generated.
  • the zero-cross timing of the voltage V 2 also overlaps the zero-cross timing of the primary-side series resonance current Io in this case (see time points t 1, t 2, and t 3). .
  • the rectified currents 13 and 14 since the voltage V 2 is continuous with the primary-side series resonance current Io as described above, the zero-cross timing is reduced to the primary-side series resonance current Io. Is obtained as a waveform that overlaps with the zero-cross timing. Then, since the rectifying currents I 3 and I 4 flow continuously with the primary side series resonance current I o in this way, the charging current I c to the smoothing capacitor C o is similarly reduced to the primary current. It will flow continuously with the side series resonance current I o.
  • the rectified currents 13 and 14 have a peak level of 28 Ap as shown in the figure, and as shown in FIG. As a result, the rectified currents II and 12 are reduced.
  • the inductance of the choke coil Lo is set to about 0.7 H as described above, so that the reverse current of the rectified currents 13 and 14 is set. It is possible to prevent the occurrence.
  • FIG. 17 shows a ripple component ⁇ Eo generated in the secondary-side DC output voltage Eo.
  • the choke coil L 0 is inserted so as to be connected to the positive terminal of the smoothing capacitor Co.
  • a filter circuit is formed by the inductance of the yoke coil L o and the capacitance of the smoothing capacitor C o, thereby suppressing the ripple component that occurs in the secondary-side DC output voltage E o.
  • the level of the noise component in the secondary DC output voltage Eo in this case generated during the period corresponding to the turn-off of the MOS-FETs Q3 and Q4. As in the case of the circuit in Fig. 12, it is suppressed to about 0.1 Vp.
  • FIG. 18 shows a comparison between the power supply circuit of the present example shown in FIG. 15 and the basic configuration shown in FIG. ? AC ⁇ DC).
  • the characteristics of the power supply circuit of this example are indicated by solid lines, and the characteristics of the circuit of FIG. 12 are indicated by broken lines.
  • the number of turns of the secondary winding was reduced from 6 mm in Fig. 12 to 4 mm, and the secondary winding was correspondingly reduced.
  • the DCR can be reduced by shortening the required length of the wire. This makes it possible to reduce the power loss occurring in the secondary winding, and as a result The conversion efficiency is improved.
  • the inductors L dl and L d2 formed by the bead core which are introduced for each rectified current path in the circuit of FIG.
  • a choke coil Lo is inserted between each center tap of the secondary windings N 2 A and N 2 B and the positive terminal of the smoothing capacitor Co.
  • the Schottky diodes D gl and D g 2 connected in parallel to the gate resistances R gl and R g 2 were deleted, and a line was also provided for the secondary side DC output voltage E o. It also removes the ⁇ -type filter that had been used.
  • the choke coil Lo inserted between each center tap of the secondary winding and the smoothing capacitor Co as described above allows It is possible to prevent a reverse current from being generated in the rectified current.
  • the ⁇ -type filter (smoothing capacitor C 02) on the secondary side is deleted, so that the power loss (7 The loss due to the ESR of the smoothing capacitor C ⁇ 2 can be eliminated.
  • the choke coil L ⁇ is inserted so as to be connected to each center tap of the secondary winding, so that the isolated converter transformer ⁇ I ⁇ smell Therefore, the number of turns of the secondary winding can be reduced when setting a magnetic flux density equal to or less than a predetermined value in order to set the continuous mode even under a heavy load. As a result, the DCR of the secondary winding can be reduced, and the reactive power in the secondary winding can be reduced accordingly.
  • the heat generation of the secondary winding can be reduced by reducing the DCR of the secondary winding as described above.
  • the core material of the choke coil Lo a metal dust and a Ni—Zn ferrite having a relatively high magnetic flux density are selected.
  • the inductance value can be stabilized against the fluctuation of the current level. As a result, it is possible to prevent a situation in which the inductance value changes suddenly due to, for example, a light load condition and an abnormal oscillation operation occurs. Ripple does not occur in the secondary-side DC output voltage E o at light load as in the case of the circuit of FIG.
  • the inductors Ld1, Ld2, the short-circuit diode DgDg2, and the ⁇ -type filter using the peak core can be omitted.
  • the circuit configuration can be simplified as compared with the circuit of FIG.
  • FIGS. 19 to 22 a configuration example of a switching power supply circuit according to a sixth embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 19 to 22 below.
  • the switching power supply circuit according to the sixth embodiment only the configuration of the choke coil Lo is changed under the connection configuration of the circuit shown in FIG. 15 described above.
  • the choke coil Lo in this case is configured as the winding No thereof, for example, as shown in the following FIG. 19 or FIG.
  • the wire of the winding No of the choke coil Lo is formed by twisting a plurality of strands of a copper wire or the like subjected to an insulation coating such as a polyurethane coating. , The rip wire 10 is used.
  • a plurality of such litz wires 10 are formed in parallel to form a lit wire band 11 as shown.
  • lead wires 14 and 14 are soldered to both ends of the litz wire band 11 as shown in the figure to form a winding No.
  • the litz wire band 11 four litz wires 10 are arranged as shown in the figure. Then, as such a litz wire 10, in this case, a strand of wires of 0.1 m ⁇ stranded in a bundle of 200 was used, and as the length Y 1, For example, set to 12 mm corresponding to the pobin size. In this case, a rectangular wire is used as the lead wire 14 as shown in the figure. Furthermore, for the litz wire band 1 1, For such soldering of the lead wire 14 with a flat wire, for example, the copper wire portion of each element wire in the litz wire 10 is exposed, and this copper wire portion is connected to the lead wire 14. What is necessary is to wind it around and apply it.
  • litz wire band 11 if pre-soldering is performed on both ends of the litz wire band 11, the work of exposing the copper wire portion from each strand can be omitted and these can be wound around the lead wire 14. Such troubles can be omitted.
  • a plurality of litz wires 10 are alternately woven to form a flat knitted wire 12. Even in this case, the lead wires 14 and 14 are soldered to both ends of the flat braided wire 12 as shown in the figure.
  • three litz wires 10 are flat knitted, and the length Y 2 of the illustrated flat knitted wire 12 is set to 14 mm.
  • the litz wire 10 in this case also has a wire diameter of 0.1 ⁇ 200 bundles. Also in this case, a rectangular wire is used as the lead wire 14.
  • an EE type core as shown in the following FIG. 21 is used as the core of the choke coil Lo.
  • the core of the choke coil Lo in this case was such that the magnetic legs of ferrite material having an E-shaped cross section were opposed to each other.
  • An EE-type core CR11 as shown in the figure is used.
  • a gap G is formed in the central magnetic leg of the EE-shaped core CR 11.
  • the material of the EE type CR 11 is M n Zn ferrite material is selected.
  • EE-25 is selected as the size of the EE core CR11.
  • a pobin B made of resin or the like is provided so as to cover the center magnetic leg. Also like this
  • pin terminal support portions 16, 16 for supporting a plurality of pin terminals 15 projecting in the direction of the board mounting surface.
  • the lead wires 14 and 14 soldered to both ends of the U-shaped wire band 11 or the flat braided wire 12 wound around the pobin B in this way are Solder to corresponding pin terminals 15.
  • the choke coil Lo according to the sixth embodiment is formed.
  • the plurality of litz wires 10 are wound or wound in a state where a plurality of litz wires 10 are aligned or flat knitted as the winding No.
  • the reactive power in the choke coil Lo can be reduced. That is, when the litz wire band 11 in which a plurality of litz wires 10 are arranged as shown in FIG. 19 is used, for example, the choke coil of the fifth embodiment of the fifth embodiment is used. The number of turns can be reduced as compared with the case where the winding is wound by one rectangular wire 5a as in L 0 (see FIG. 16). Actually, the choke coil Lo in Fig.
  • the winding No The length of the wire (the litz wire 10) can be shortened. And, since the length of each litz wire 10 can be shortened in this way, the DCR of the winding No can be reduced, and the reactive power of the choke coil Lo can be reduced.
  • the length can be similarly shortened as compared with the case where the wire is wound by one wire, thereby reducing the reactive power of the yoke coil Lo. Can be reduced.
  • the litz wire 10 is alternately braided, so that the eddy current loss generated in the winding No due to the flow of a high-frequency rectified current is reduced. The reduction of the reactive power of o will be achieved.
  • the core of the choke coil Lo is made of a relatively low-loss Mn-Zn ferrite material, so that the core loss of the choke coil L0 is reduced. This also reduces the reactive power.
  • a rectangular lead wire 14 is used to attach the ends of the litz wire band 11 and the flat braided wire 12 to the pin terminals 15 as described above.
  • the cross-sectional area of the wire increases, For example, the loss can be reduced as compared with the case where a lead wire having a normal circular cross section is used.
  • FIG. 22 shows the characteristics of AC ⁇ DC power conversion efficiency (77 AC ⁇ DC) with respect to load power fluctuation in the switching power supply circuit according to the sixth embodiment. Also in this figure, the characteristics of the power supply circuit according to the sixth embodiment are shown by solid lines, and the characteristics of the circuit of FIG. 12 are shown by broken lines.
  • the power conversion efficiency of the circuit of the sixth embodiment is higher than that of the circuit of the fifth embodiment because the winding N 0 of the choke coil Lo is as described above.
  • the use of the rip wire band 11 composed of a plurality of rip wires 10 or the flat braided wire 12 has reduced the DCR of the choke coil Lo compared to the circuit of FIG. It is due to.
  • the DCR of the choke coil L 0 of the sixth embodiment is 0.5 ⁇ or less, which is smaller than that of the fifth embodiment.
  • the power supply circuit of the sixth embodiment such as, has the same circuit configuration as that of the circuit in Fig. 15, and therefore, The same effect as in the fifth embodiment can be obtained.
  • the reverse current of the rectified current can be suppressed by the back electromotive force of the coil a.
  • the Schottky diodes Dg1 and Dg2 connected to the MOS-FETs Q3 and Q4 are deleted, and the high-frequency wave that is superimposed on the secondary-side DC output voltage Eo is also removed. Switching noise can be suppressed.
  • the choke coil Lo is inserted so as to be connected to each center tap of the secondary winding, the number of turns of the secondary winding in the continuous mode must be reduced. As a result, the reactive power can be reduced.
  • an EE-type core CR 11 made of Mn—Zn-based ferrite is selected as the core material of the choke coil Lo.
  • an n-type ferrite material As an n-type ferrite material, a relatively high saturation magnetic flux density can be obtained. Accordingly, also in the sixth embodiment, the inductance value of the choke coil Lo can be stabilized with respect to the fluctuation of the current level.
  • the core of the choke coil Lo two EE-type cores CR 11 as E-shaped cores are combined. This can be achieved by setting the gap length formed with respect to the center magnetic leg of the EE type core CR11.
  • the variation in the inductance value of the choke coil Lo can be suppressed by such a relatively simple adjustment of the management of the gap length.
  • FIGS. 23 to 26 below show modified examples of the choke coil Lo of the sixth embodiment.
  • the winding No of the choke coil Lo may have the litz wire band 11 shown in FIG.
  • the flat braided wire 1 2 is used.
  • Preliminary solder is applied to the end of such a lead wire 14 as shown in the figure.
  • the wire diameter / the number of bundles, the number of bundles, and the length of the litz wire 10 may be equivalent to those shown in FIGS. 19 and 20 respectively.
  • an ER type core CR 12 having a cross-sectional shape of EE but a central magnetic leg of a cylindrical shape is used.
  • a gap G is also formed with respect to the central magnetic leg of the ER type core CR 12.
  • an Mn-Zn ferrite material is selected as in the case of the EE type core CR11 of Fig. 21 described above.
  • the groove 16 is provided at a predetermined position with respect to the pin terminal support portions 16 and 16 provided at both ends of the outer surface of the ER type core CR 12. Make sure that a is formed.
  • the groove No. 16a formed by the one pin terminal support portion 16 is formed at the end of the winding No. shown in FIG. 25 or FIG. After passing the tip of the attached lead wire 14, the winding No is wound around the illustrated pobin B.
  • the leading end of the lead wire 14 attached to the end of the winding No that is wound on the winding end side is formed in the groove 1 formed in the other pin terminal support 16. 6a to form a choke coil L 0.
  • the litz wire band 11 or the flat braided wire 12 made up of a plurality of litz wires 10 is wound as the wire No, it is regarded as one flat wire 5a shown in Fig. 16.
  • the length of the wire can be made shorter than in the case in which the reactive power in the choke coil Lo can be reduced.
  • the pre-soldered end can be directly attached to the board, and the lead wire 14 is connected to the pin terminal 15 of the choke coil L0.
  • soldering is not required.
  • FIG. 26 shows a configuration of another modified example as the choke coil Lo of the sixth embodiment.
  • the core of the choke coil Lo is connected to the core positioned on the secondary side in the isolated converter transformer PIT. Are provided adjacent to each other.
  • the ER type core CR 12 of the choke coil Lo is connected to the outer surface of the E type core CR 2 located on the secondary side of the insulating converter transformer PIT so that its magnetic leg faces the outer surface.
  • a gap G is formed between the outer surface of the E-type core CR2 and the center magnetic leg of the ER-type core CR1.2.
  • the ER type core CR 11 has the same size as the E type cores CR 1 and CR 2 of the absolute converter PIT in this case.
  • ER-40 type should be selected.
  • the lip band 11 or the flat braided wire 12 may be used for the pobin B provided for the center magnetic leg of the ER type core.
  • the detailed configuration of the synchronous rectifier circuit of the winding voltage detection type based on the present invention may be appropriately changed.
  • an element other than the MOS-FET may be used as long as the element can be used in a separately excited manner, such as an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor).
  • IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor
  • the constants of each component element described above may be changed according to actual conditions and the like.
  • the present invention can be configured to include a self-excited current resonance type comparator.
  • a bipolar transistor can be selected as the switching element.
  • the present invention can be applied to a current resonance type converter in which four switching elements are fully bridged.
  • a rectifier circuit that receives a commercial AC power supply and obtains a DC input voltage may have a configuration other than, for example, a voltage doubler rectifier circuit.

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Description

4 0H950
1 明細書 ス Λ Vチング電源回路 技術分野
本発明は、 各種電子機器の電源として備えられるスイッチング 電源回路に関する。 背景技術
スィ ツチング電源回路として、 例えばフライバックコンパ一夕 やフォワー ドコンパ一夕などの形式のスイ ッチングコンバータ を採用したものが広く知られている。 これらのスイッチングコン バ一夕はスイ ッチング動作波形が矩形波状であることから、 スィ ッチングノイズの抑制には限界がある。 また、 その動作特性上、 電力変換効率の向上にも限界があることがわかっている。
そこで、 共振形コンバータによるスイ ッチング電源回路が各種 提案され、 実用化されている。 共振形コンバータは容易に高電力 変換効率が得られると共に、 スイ ッチング動作波形が正弦波状と なることで低ノイズが実現される。 また、 比較的少数の部品点数 により構成することができるというメリ ッ トも有して る。
第 2 7図の回路図は、 従来としての、 共振形コンバータを備え るスィツチング電源回路の一例を示している。 この図に示す電源 回路は 、 他励式.による電流共振形コンバ一夕に対して部分電圧共 振回路が組み合わされている。
この図に示す電源回路においては、 先ず、 商用交流電源 A Cに 対して 、 ブリ ッジ整流回路 D i 及び 1本の平滑コンデンサ C i か ら成る全波整流平滑回路が備えられる。 そして、 これらブリ ッジ 整流回路 D i 及び平滑コンデンサ C i の全波整流動作によって、 平滑コンデンサ C i の両端には整流平滑電圧 E i (直流入力電 圧) が得られることになる。 この整流平滑電圧 E i は、 交流入力 電圧 VAC の等倍に対応したレベルとなる。
上記直流入力電圧を入力してスイ ッチングする電流共振形コ ンバ一タとしては、 図示するようにして、 M O S — F E Tによる 2本のスイッチング素子 Q 1 , Q 2 をハーフブリ ッジ結合により接 続している。 スイッチング素子 Q 1, Q 2 の各ドレイン—ソース間 に対しては、 図示する方向により、 それぞれボディダイオードに よるダンパーダイオード D D1, D D2が並列に接続される。
また、スイッチング素子 Q 2 の ドレイン—ソース間に対しては、 部分共振コンデンサ C pが並列に接続される。 この部分共振コン デンサ C pのキャパシタンスと一次巻線 N 1 のリ一ケージイング クタンス L 1 によっては並列共振回路 (部分電圧共振回路) を形 成する。 そして、 スイ ッチング素子 Q l, Q 2 のターンオフ時にの. み電圧共振する、 部分電圧共振動作が得られるようになつている。
この電源回路においては、 スイッチング素子 Q l, Q 2 をスイツ チング駆動するために、 例えば汎用の I Cによる発振 · ドライブ 回路 2が設けられる。 この発振 , ドライブ回路 2は、 発振回路、 駆動回路を有している。そして、発振回路及び駆動回路によって、 所要の周波数による ドライブ信号 (ゲート電圧) をスイッチング 素子 Q l, Q 2 の各ゲートに対して印加する。 これにより、 スイツ チング素子 Q l, Q 2は、 所要のスイ ッチング周波数により交互に オン Zオフするようにしてスイ ッチング動作を行う。
絶縁コンバータ トランス P I Tはスイッチング素子 Q l 、 Q 2 のスイッチング出力を二次側に伝送する。 この絶縁コンバ一夕 ト ランス P I Tの一次巻線 N 1 の一端は、 一次側並列共振コンデン サ C 1 の直列接続を介して、 スイッチング素子 Q 1 のソースとス イ ッチング素子 Q 2 のドレインとの接続点(スイッチング出力点) に接続されることで、 スイッチング出力が伝達されるようになつ ている。
また、 一次巻線 N 1 の他端は、 一次側アースに接続される。 ここで、 上記直列共振コンデンサ C 1 のキャパシタンスと、 一 次巻線 N 1 を含む絶縁コンパ一夕 トランス P I Tのリーケージィ ンダクタンス L 1 によっては、 一次側スイッチングコンバータの 動作を電流共振形とするための一次側直列共振回路を形成する。
上記説明によると、 この図に示す一次側スイッチングコンバー 夕としては、 一次側直列共振回路 (L 1一 C 1 ) による電流共振形 としての動作と、 前述した部分電圧共振回路 ( C p〃L l ) とに よる部分電圧共振動作とが得られることになる。
つまり、 この図に示す電源回路は、 一次側スイッチングコンパ. 一夕を共振形とするための共振回路に対して、 他の共振回路とが 組み合わされた形式を採っていることになる。 本明細書では、 こ のようなスイッチングコンバータについて、 複合共振形コンパ一 タという ことにする。
ここでの図示による説明は省略するが、 絶緣コンバータ トラン ス P I Tの構造としては、 例えばフェライ ト材による E型コアを 組み合わせた E E型コアを備える。 そして、 一次側と二次側とで 巻装部位を分割したうえで、 一次巻線 N 1 と、 次に説明する二次 巻線 (N 2A, N 2 B) を、 E E型コアの中央磁脚に対して、 巻装し ている。 絶縁コンパ一夕 トランス P I Tの二次巻線としては、 センター タップが施されたことで 2つに分割された二次巻線 N 2A, N 2B が巻装されている。 これらの二次巻線 N2A, N2B には、 一次巻線 N 1 に.伝達されたスイッチング出力に応じた交番電圧が励起され る。
この場合、 上記二次巻線 N 2A, N 2Bのセンタータップは二次側 アースに対して接続される。 そして、 この二次巻線 N 2A, N 2B に対して、 図示するようにして整流ダイオード D01, D 02, 及び 平滑コンデンサ C oから成る全波整流回路を接続する。 これによ り、 平滑コンデンサ C oの両端電圧として二次側直流出力電圧 E 0 が得られる。 この二次側直流出力電圧 E0 は、 図示しない負荷 側に供給されるとともに、 次に説明する制御回路 1 のための検出 電圧としても分岐して入力される。
制御回路 1 は、 二次側直流出力電圧 E0のレベル変化に応じた 検出出力を発振 · ドライブ回路 2に供給する。 発振 · ドライブ回 路 2では、 入力された制御回路 1 の検出出力に応じてスィッチン. グ周波数が可変されるようにして、 スイ ッチング素子 Q l, Q 2 を駆動する。 このようにしてスイッチング素子 Q l, Q2 のスイツ チング周波数が可変されることで、 二次側直流出力電圧のレベル が安定化されることになる。
この図に示す回路構成による電源回路として、 低電圧大電流と しての負荷条件に対応させた場合の動作波形を、 第 2 8図に示す。 第 2 8図に示す動作波形は、 交流入力電圧 VAC= 1 0 0 V、 負荷 電力 P o = l 0 0 Wの条件で測定を行って得られたものである。 また、 ここでの低電圧大電流の状態としては、 二次側直流電圧 E 0= 5 Vで、 一次側スィ ツチングコンバータのスィ ツチング電流 である一次側直列共振電流 I o = 2 5 Aとなる状態である。
また、 第 2 8図に示す動作波形による実験結果を得るにあたつ ては、 次のような条件と、 電源回路における部品素子等の選定を 行つて.いる。
先ず、二次側巻線の 1 T (ターン)あたりの誘起電圧レベルが、 5 VZTとなるよう して、 二次巻線 N2A, N2B及び一次巻線 N 1 のターン数を設定することとして、 具体的には、 二次巻線 N2A = N 2B= 1 T、 一次巻線 N l= 3 0 Τとしている。
そして、 絶緣コンバータ トランス P I Τの E E型コアの中央磁 脚に対しては 1. Omm 程度のギャップを形成するようにしている。 これによつて、 一次巻線 N1 と二次巻線 N2A, N2B とで、 0. 8 5程度の結合係数を得るようにしている。
また、 一次側直列共振コンデンサ C 1 = 0. 0 6 8 F、 部分 電圧共振コンデンサ C p = 3 3 0 p Fを選定し、 整流ダイオード D ol, Do2 には、 5 0 A / 4 0 Vのショ ッ トキ一ダイオードを選 定している。
第 2 8図に示す波形図において、 スイッチング素子 Q 2 の両端 電圧 V I は、 スイ ッチング素子 Q2 のオン Zオフ状態に対応して いる。 つまり、 スイッチング素子 Q 2がオンとなる期間 T 2では 0 レベルで、 オフとなる期間 T 1では所定レベルでクランプされ た矩形波となる。 そして、 スイッチング素子 Q 2〃ダンパーダイ オード DD2 に流れるスイ ッチング電流 I DS 2 としては、 期間 T 2 に示されるよう.に、 ターンオン時においては、 ダンパ一ダイォー ド DD2 を流れることで負極性となり、これが反転して正極性によ りスイッチング素子 Q 2 の ドレイン—ソースを流れ、 期間 T 1で オフとなって 0 レベルとなる波形が得られる。 また、 スイッチング素子 Q 1 は、 上記スイッチング素子 Q 2 に して交互にオン Zオフするようにしてスイッチングを行う。 こ ため、 スィ ツチング素子 Q 1〃ダンパーダイォ一ド DDI に流れ スイッチング電流 I DS 1 は、 スイ ッチング電流 I DS2 に対して 8 0 ° 位相がシフ 卜した波形となっている。
そして、 スイッチング素子 Q 1, Q 2 のスイッチング出力点と一 次側アース間に接続される一次側直列共振回路 ( C 1一 L 1) に流 れる一次側直列共振電流 I oは、 スイッチング電流 I DS1 とスィ ツチング電流 I DS2 との合成波形に対応する、 一次側直列共振回 路 ( C 1一 L 1) の共振電流としての正弦波成分と、 一次巻線 N 1 の励磁インダクタンスにより発生する鋸歯状波成分とが合成さ れた波形となる。
そして、 このときの測定条件である、 負荷電力 P o = l 0 0 W は、 第 2 7図に示す電源回路が対応する負荷条件としては、 最大 に近い重負荷の条件となるのであるが、 このようにして対応負荷 電力範囲において重負荷の傾向となる条件では、 二次側の整流電. 流は不連続モ一ドとなる。
つまり、 二次巻線 N2Aに発生する二次巻線電圧 V2 は、 第 2 8 図に示すようにして、 一次側直列共振電流 I oが正弦波状で流れ る期間のみ、 所定の絶対値レベルでクランプされる波形が生じ、 その間の一次側直列共振電流 I Ο として励磁イ ンダクタンスに よる鋸歯状波成分が流れる期間は 0 レベルとなる。 二次巻線 N2B には、 二次巻線電圧 V2 を反転させた波形が発生する。
このために、 整流ダイオード D ol を流れる整流電流 I 1 と、 整 流ダイオード D 02 を流れる整流電流 I 2 は、 それぞれ、 一次側直 列共振電流 I οが正弦波状で流れる期間 D ONI、 D 0N2 においての み流れ、 これ以外の期間においては共に流れない。 つまり、 二次 側の整流電流は不連続で平滑コンデンサに流入している。
ショ ッ 卜キーダイオー ドである整流ダイオード D 01 , D 02 の順 方向電.圧降下は 0. 6 Vであり、 上記したような二次側の動作で は、 図示もしているように、 整流電流 I 1, I 2 は 3 5 A p という 相応に高いレベルとなるので、 これらの整流ダイオード素子によ る導通損が顕著となって電力損失が大きくなる。 実際の測定結果 として、 直流入力電圧 (整流平滑電圧 E i ) = 1 0 0 Vのときの DC→DC電力変換効率は 8 2 %程度にとどまる。
そこで、 二次側における整流電流の導通損を低減する技術とし て、 低オン抵抗の MO S— F E Tにより整流を行うようにした、 同期整流回路が知られている。 このような同期整流回路として、 巻線電圧検出方式による構成を例を第 2 9図に示す。
なお、 第 2 9図においては、 絶縁コンバータ トランス P I Tの 二次側の構成のみを示している。 一次側の構成は、 第 2 7図と同 様であるものとする。 また、 定電圧制御方式としても、 二次側直. 流出力電圧 E 0のレベルに応じて、 一次側スイッチングコンパ一 夕のスイ ッチング周波数を可変制御するスイ ッチング周波数制 御方式を採る。
また、 この第 2 9図に示す二次側の構成を採る電源回路として も、 第 2 7図の場合と同様の低電圧大電流 (VAC= 1 0 0 V、 負 荷電力 P o = 1 0 0 W、 E o = 5 V、 I o= 2 5 A) の条件に対 応するものとされる。
この場合にも、 二次巻線としては、 同じ巻数の二次巻線 N2A、 N2Bの各一端はセンタータップにより接続されるが、このセンタ 一タップ出力は、 平滑コンデンサ C oの正極端子に接続される。 二次巻線 N2Aの他端は、 Nチャネルの MO S - F E T Q 3の ドレ イン→ソースを介して、 二次側アース (平滑コンデンサ C oの負 極端子側) に接続される。 同様にして、 二次巻線 N2Bの他端も、 Nチャネルの MO S — F E T Q4の ドレイン→ソースを介して、 二次側アース(平滑コンデンサ C oの負極端子側)に接続される。 つまり、 この場合には、 二次巻線 N2A、 N2Bの各整流電流経路に おいて、 M O S _ F E T Q 3, Q 4 を負極側に直列に揷入した構造 となっている。 なお、 MO S— F E T Q3, Q4のドレインーソー スに対しては、 それぞれ、 ボディダイオード DD3, DD4が接続さ れる。
そして、 M O S — F E T Q3 を駆動する駆動回路は、 二次巻線 N2Bと M〇 S — F E T Q4のドレインとの接続点と MO S— F E T Q3のゲートの間に、 ゲート抵抗 Rgl を接続すると共に、 MO S— F E T Q 3のゲートと二次側アースとの間に抵抗 R 11を接続 して形成される。
同様に、 MO S — F E T Q4を駆動する駆動回路は、 二次巻線 . N2Aと MO S — F E T Q3のドレインとの接続点と MO S — F E T Q4のゲートの間に、 ゲート抵抗 Rg2 を接続すると共に、 MO S— F E T Q4のゲートと二次側アースとの間に抵抗 R 12を接続 して形成される。
MO S— F E Tは、 ゲートにオン電圧を印加すると、 ドレイン 一ソース間は、 単なる抵抗体と等価となるので、 電流は双方向に 流れる。 これを二次側の整流素子として機能させよう とすれば、 平滑コンデンサ C oの正極端子に充電する方向のみに電流を流 さなければならない。 これとは逆方向に電流が流れると、 平滑コ ンデンサ C oから絶縁コンバータ トランス P I T側に放電電流 が流れて、 負荷側に有効に電力を伝達することができなくなる。 また、逆電流による MO S— F E Tの発熱、 ノイズなどが生じて、 一次側におけるスイッチング損失も招く。
上記した駆動回路は、 二次巻線の電圧を検出することに基づい て、 平滑コンデンサ C οの正極端子に充電する方向にのみ電流が 流れるように、 MO S— F E T Q3, Q4をスイッチング駆動する ための回路である。
第 3 0図の波形図は、 上記第 2 9図に示す二次側の構成を採る 電源回路 (一次側は第 2 7図と同様) として、 負荷電力 P o = l 0 0 W時の動作を示している。 前述もしたように、 この場合にお ける負荷電力 P o = l 0 0 Wは、 ほぼ最大負荷の条件となる。
この図において、 スイ ッチング素子 Q 2 の両端電圧 VI と、 こ れに応じた二次巻線 N2A— N2B の両端に得られる二次巻線電圧 V2は、 第 2 8図と同様のタイミングとなっているものである。 なお、 第 3 0図に示す二次巻線電圧 V 2 は、 二次巻線 N2Aとゲー ト抵抗 R g 2 との接続点側からみた場合の極性となっており、 二. 次卷線 N2Bとゲート抵抗 R g 1との接続点側からみた場合には逆 極性となる。
MO S— F E T Q4の駆動回路は、 この図に示す極性の二次巻 線電圧 V 2が負極性の所定レベルでクランプされる期崗に至ると、 MO S— F E T Q4のゲ一トに対して、 ゲ一ト抵抗 Rg2 と抵抗 R 12 とにより設定されるレベルのオン電圧を印加するように動作 することになる。
同様にして、 MO S— F E T Q3 の駆動回路(ゲー ト抵抗 Rgl, 抵抗 R 11) は、 この図とは反転した極性の二次巻線電圧 (V2) が負極性の所定レベルでクランプされる期間に至ると、 M〇 S — . F E T Q3のゲートに対してオン電圧を印加するように動作する ことになる。
これにより、 MO S — F E T Q 3, Q4には、 それぞれ、 図示す るようにして、 期間 D 0N1, D 0N2 において、 正極性の整流電流 I 1, I 2が流れる。 図示する二次巻線電圧 V 2が正 Z負でクランプ される期間に流れる整流電流 I 1, I 2は、 第 2 7図の回路の場合 (第 2 8図の波形図の整流電流 I 1, I 2) と同様に、 3 5 A pで ある。 しかしながら、 M〇 S— F E T Q3, Q 4は低オン抵抗であ り、 ショ ッ トキ一ダイオー ドによる整流ダイオー ド D 01, D 02 と比較すれば、 整流電流の導通損は著しく低いものとすることが できる。 また、 駆動回路が抵抗素子のみから成ることからも理解 されるように、 巻線電圧検出方式は、 駆動回路系が簡単な構成で あることもメリ ツ トとなっている。
しかしながら、 この第 3 0 図に対応する場合のような重負荷 (負荷電力 P o = l 0 0 W) とされる条件では、 この電源回路も 二次側整流電流は不連続モードとなる。 これは、 第 3 0図におい. ても期間 D 0N1, D 0N2が不連続であることにより示されている。
この不連続モードでは、 整流電流 I I, I 2 として、 平滑コンデ ンサ C oへの充電電流が 0 レベルになったとしても、 絶縁コンパ 一夕 トランス P I Tの一次巻線 N 1 には同じ方向に電^が流れて いる。 これは、 先の第 2 8図の波形図において、 期間 D0N1, D 0N2以外の期間において、 一次側直列共振電流 I o として、 一次 巻線 N 1 の励磁インダクタンス成分がその直前タイミングと同じ 極性で流れていることを指している。 このために、実際としては、 二次巻線 N2A, N2Bに誘起される電圧の極性が反転しないために、 その間、 M〇 S— F E T Q 3、 Q 4は完全にオフにならずにオン状 態を維持する。 これによ り、 図示するよう にして、 期間 D 0N 1 , D 0N2以外では、 整流電流 I 1, I 2 として逆方向の電流が流れて しまう。 この期間 D 0N1 , D 0N2以外における逆方向の整流電流 I 1 , 1 2 は、 無効電力を生じさせるが、 このときの整流電流 I I, 1 2 のレベルは、 8 A p と比較的髙いために、 その無効電力量も 相応に大きなものとなる。
このように、 同期整流回路として巻線電圧検出方式を採る場合、 整流電流の導通損は低減されるものの、 上記のようにして無効電 力が発生するために、 全体として電力変換効率の有効な向上は図 ることが難しいというのが現状である。
' 第 3 1 図の波形図は、 第 2 9図に示した二次側の構成を採る電 源回路についての軽負荷とされる条件での動作を示している。
第 2 9図に示す電源回路の実際としても、 先に第 2 7図に示し た電源回路の構成として説明したようにスイッチング周波数制 御による定電圧制御を行うが、 軽負荷の条件となって二次側直流 出力電圧が上昇すると、 スイツチング周波数を高くするようにし. て二次側直流出力電圧を低下させ、 これにより 定化を図るよう に動作する。
そして、 このような軽負荷の状態では、 第 3 1 図に示すスイツ チング素子 Q 2 の両端電圧 V I に対して、二次側卷線電圧 V 2 はほ ぼ同じタイミングで反転するようになり、 これに応じて、 二次側 の整流電流 I 1、 1 2 としては、 期間 D 0N 1 , D 0N2 との間に休止 期間が無く平滑コンデンサ C o に連続して充電されるようにし て流れる。 つまり、 連続モードとなる。 このときには、 上記第 3 0図の重負荷時の動作として示したような逆方向の整流電流 I 1、 I 2が流れる期間は存在しなくなって、 これに応じた無効電力も 生じていない。
このように、 二次側整流回路系を巻線電圧検出方式による同期 整流回路に置き換えた構成の電源回路も、 重負荷時における電力 変換効率の低下が依然として問題となる。
そこで、 上記第 3 0図に示されるような、 逆方向の整流電流に よる無効電力の発生の問題を解消する技術としては、 整流電流検 出方式による同期整流回路が知られている。 この整流電流検出方 式は、 平滑コンデンサ C Οに充電される整流電流が 0 レベルにな る前に M O S — F E Tをオフさせる技術である。 このような例と して特開 2 0 0 3 — 1 1 1 4 0 1号公報がある。
この整流電流検出方式による同期整流回路の構成例を、 第 3 2 図に示す。 なお、 この図においては、 説明を簡単なものとするた めに、 半波整流による構成を示している。
整流電流検出方式としては、 二次巻線 N 2 に流れる電流を検出 するためにカレント トランス T Rを設ける。 カレント トランスの 一次巻線 N aは、 二次巻線 N2 の端部と、 M〇 S — F E T Q4 の. ドレインと接続される。 M〇 S — F E T Q4のソースは、 平滑コ ンデンサ C oの負極端子に接続している。
カレント トランスの二次巻線 N bに対しては、 抵抗 R aが並列 に接続されるとともに、 相互に順電圧方向が逆となるようにして、 ダイオード D a、 D bが並列に接続されて並列接続回路を形成す る。 また、 この並列接続回路に対して、 コンパレータ 2 0が接続 される。 コンパレ一夕 2 0の反転入力には、 基準電圧 V r e が 入力される。 なお、 基準電圧 V r e f とコンパレータ 2 0の反転 入力との接続点には、 上記並列接続回路においてダイオード D a のアノー ドとダイオー ド D bの力ソー ドが接続されている側の 端部と接続される。 また、 コンパレータ 2 0 の非反転入力には、 上記並列接続回路においてダイオー ド D aの力ソードとダイォ —ド D bのアノードが接続されている側の端部が接続される。
この.場合、 コンパレータ 2 0の出力は、 ノ ッファ 2 1 により増 幅されて MO S — F E T Q4のゲートに印加されるようになって いる。
上記第 3 2図に示す構成による回路の動作波形を、 第 3 3図に 示す。
二次巻線 N2 に誘起される電圧が、 平滑コンデンサ C oの両端 電圧 ( E o ) より も大きくなると、 先ず、 M〇 S — F E T Q4の ボディダイオードのアノード→カゾードの方向により、 平滑コン デンサ C oへ充電するようにして整流電流 I dが流れ始める。 こ の整流電流 I dは、 カレント トランスの一次巻線 N aに流れるの で、 カレン ト トランスの二次巻線 N bには、 一次巻線 N aに流れ る整流電流 I dに応じた電圧 V n bが誘起される。 コンパレー夕 2 0では、 基準電圧 V r e f と電圧 V n b とを比較して、 電圧 V. n bが基準電圧 V r e f を越えると Hレベルを出力する。 この H レベルの出力がバッファ 2 1 からオン電圧として M O S — F E T Q 4 のゲー トに対して印加され、 MO S - F E T Q4 をオンさ せる。 これにより、 整流電流 I dが MO S — F E T Q4の ドレイ ン—ソース方向により流れることになる。 第 3 3図では、 正極性 により流れる整流電流 I dとして示されている。
そして時間経過に応じて整流電流 I dのレベルが低下し、 これ に応じて、 電圧 V n bが基準電圧 V r e f より も低くなると、 コ ンパレ一夕 2 0は出力を反転させる。 この反転出力がバッファ 2 1 を介して出力されることで、 MO S — F E T Q4のゲート容量 を放電させて、 M O S — F E T Q4 をオフとする。 なお、 この時 点で、残りの整流電流 I dはボディダイオード DD4 を経由して短 時間のうちに流れる。
この.ような動作とされることで、 M O S — F E T Q4は、 整流 電流 I dが 0 レベルとなる前のタイミ ングでオフされることに なる。 これにより、 第 3 0図に示したように、 整流電流が不連続 となる期間において、 MO S — F E Tに逆方向電流が流れること が無くなつて無効電力が生じなくなり、 その分の電力変換効率は 高くなる。
例えば、 第 2 7図に示した電源回路の二次側の構成を、 上記第 3 2図に示した構成に基づく、 全波整流の整流電流検出方式によ る同期整流回路とした場合の DC→DC 電力変換効率としては、 先 の第 2 8 図、 第 3 0図などと同様の条件の下で測定したところ、 9 0 %程度にまで向上するという測定結果が得られた。
しかしながら、 上記した整流電流検出方式の同期整流回路では、 第 3 2図からも分かるように、 1つの MO S — F E Tに対応して.、 少なく とも 1組のカレント トランスと、 このカレント トランスの 出力により M O S — F E Tを駆動するための比較的複雑な駆動 回路系が必要となる。 これにより、 回路構成が複雑になり、 これ が製造能率の低下、 コス トアップ、 回路基板サイズの ¾大などに つながるという不都合が生じることになる。
特に、 第 3 2 図に示した一次側のスイッチングコンパ一夕の構 成を基本として整流電流検出方式の同期整流回路を二次側に備 えることとした場合、 二次側には全波整流回路を備える必要があ る。 従って、 上記したカレント トランス及び駆動回路系は、 M〇 S - F E T Q 3, Q4 ごとに対応して必要とされることになり、 上 記した問題がさらに大きくなる。
このようにして、 巻線電圧検出方式と整流電流検出方式とでは、 巻線電圧検出方式のほうが、 無効電力により電力変換効率の面で 不利ではあるが、 回路構成が簡略であるのに対して、 整流電流検 出方式のほうは、 無効電力が生じないので電力変換効率の面では 有利であるが、 回路構成が複雑になる、 という トレー ォフの関 係にある。
従って、 同期整流回路を備える電源回路としては、 でさるだけ 簡略な回路構成でありながら 、 かつ、 無効電力による損失増加が 解消されるような構成を採ることが求められている、 という こと になる。 発明の開示
そこで、 本発明では以上のような問題点に鑑み、 スィッチング 電源回路として以下のように構成することとした。
すなわち、 先ず、 複数のスイッチング素子を備えて形成され、. 入力された直流入力電圧を断続するようにしてスイ ッチングを 行うスィツチング部と、 これら複数のスィツチング素子が交互に オンオフするようスイ ッチング駆動する一次側駆動部と、 スイ ツ チング部ののスィ ツチング出力を一次側から二次側に伝送する ものであり、 一次卷線とセンタータップしたタップ出力を有する 二次巻線が巻装される絶縁コンパ一夕 トランスであって、 ギヤッ プ長を所定以上とすることで、 上記一次巻線と上記二次巻線の結 合係数を所定以下に設定される絶縁コンバータ トランスとを備 える。
そして、 少なく とも、 この絶縁コンバータ トランスの一次巻線 の漏洩インダクタンス成分と、 自己のキャパシタンスとによって スイ ッチング部の動作を共振形とするための一次側共振回路を 形成するようにして、 一次側の所定の部位に接続される一次側共 振コン.デンサ、 およびこの絶縁コンバータ トランスの二次巻線に 誘起される交番電圧を全波整流して二次側平滑コンデンサに整 流電流を充電することで、 二次側平滑コンデンサの両端電圧とし て二次側直流出力電圧を得るようにされた同期整流回路を備え るようにする。
そして、 このような構成において、 先ずは、 絶縁コンバータ ト ランスの一次巻線と二次巻線のターン数は、 二次側直流出力電圧 に接続される負荷条件の変動にかかわらず、 全波整流動作により 同期整流回路に流れる二次側整流電流が連続モー ドとなるよう に設定する。
さらに、 上記同期整流回路としては、 絶縁コンバータ トランス の二次巻線をセンタータップすると共に、 タップ出力により分け られた一方の端部と二次側基準電位との間に直列接続される第 1 の電界効果トランジスタと、 タップ出力により分けられた他方 の端部と二次基準電位との間に直列接続される第 2 の電界効果 トランジスタとを備える。
そして、 第 1 の電界効果トランジスタが整流電流を^すべき半 波の期間に対応する二次巻線電圧を抵抗素子により検出して、 第 1 の電界効果トランジスタをオンとするためのゲー ト電圧を出 力するようにさ.れた第 1 の駆動回路と、 第 2の電界効果トランジ ス夕が整流電流を流すべき半波の期間に対応する二次巻線電圧 を抵抗素子により検出して、 第 2の電界効果トランジスタをオン とするためのゲー ト電圧を出力するようにされた第 2 の駆動回 路とを備えるようにする。
その上で、 さ らにこの二次巻線のタップ出力と平滑コンデンサ との間に、 平角線が円筒状に縦巻きされた巻線を有する平板状の フェラ.ィ トコアと上記円筒状の巻線に挿入されるポッ 卜型の金 属系ダス 卜により構成されて、 所要の飽和磁束密度を有すると共 に、 所要のインダク夕ンスを有するようにされたチョークコイル を直列に挿入するようにした。
また、 本発明では、 スイッチング電源回路として以下のように も構成することとした。 つまり、 先ず、 複数のスイッチング素子 を備えて形成され、 入力された直流入力電圧を断続するようにし てスィ ツチングを行うスィ ツチング部と、 これら複数のスィ ツチ ング素子が交互にオンオフするようスイ ッチング駆動する一次 側駆動部と、 スイッチング部のスイ ッチング出力を一次側から二 次側に伝送するものであり、 一次巻線とセンタ一タップしたタツ プ出力を有する二次巻線が巻装される絶縁コンバータ トランス であって、 ギャップ長を所定以上とすることで、 上記一次巻線と 上記二次巻線の結合係数を所定以下に設定される絶縁コンパ一 夕 卜ランスとを備える。
そして、 少なく とも、 この絶縁コンバータ トランスの一次巻線 の漏洩インダク夕ンス成分と、 自己のキャパシタンスとによって スイ ッチング部の動作を共振形とするための一次側共振回路を 形成するようにして、 一次側の所定の部位に接続される一次側共 振コンデンサ、 .およびこの絶縁コンパ一夕 トランスの二次卷線に 誘起される交番電圧を全波整流して二次側平滑コンデンサに整 流電流を充電することで、 二次側平滑コンデンサの両端電圧とし て二次側直流出力電圧を得るようにされた同期整流回路を備え るようにする。
そして、 このような構成において、 先ずは絶縁コンバータ トラ ンスの一次巻線と二次巻線のターン数は、 二次側直流出力電圧に 接続される負荷条件の変動にかかわらず、 全波整流動作により同 期整流回路に流れる二次側整流電流が連続モードとなるように 設定する。
さらに、 上記同期整流回路としては、 絶縁コンバ一夕 トランス の二次巻線をセンタータップすると共に、 タップ出力により分け られた一方の端部と二次側基準電位との間に直列接続される第 1 の電界効果トランジスタと、 タップ出力により分けられた他方 の端部と二次側基準電位との間に直列接続される第 2 の電界効 果トランジスタとを備える。
そして、 第 1 の電界効果トランジスタが整流電流を流すべき半 波の期間に対応する二次巻線電圧を抵抗素子により検出して、 第 1 の電界効果 トランジスタをオンとするためのゲー ト電圧を出 力するようにされた第 1 の駆動回路と、 第 2の電界効果トランジ ス夕が整流電流を流すべき半波の期間に対応する二次巻線電圧 を抵钪素子により検出して、 第 2の電界効果トランジスタをオン とするためのゲー ト電圧を出力するようにされた第 2 の駆動回 路とを備えるようにする。
その上で、 さ らに二次巻線部のタップ出力と平滑コンデンサと の間に所要のインダクタンスによるイ ンダクタ素子を直列に挿 入するようにした。
この構成によるスイッチング電源回路において、 一次側スイツ チングコンバータとしては、 共振形コンバータの構成を採り、 二 次側においては、 巻線電圧検出方式による全波整流の同期整流回 路を備える。
そして、 絶縁コンバータ トランスの、 ギャップ長を所定以上と することで、 上記一次巻線と上記二次巻線の結合係数を所定以下 となる.ようにし、 一次巻線と二次巻線のターン数は、 二次側直流 出力電圧に接続される負荷条件の変動にかかわらず、 全波整流動 作により同期整流回路に流れる二次側整流電流が連続モー ドと なるように設定している。 二次側整流電流が連続モードとなれば、 巻線電圧検出方式による同期整流回路において問題となる、 二次 側整流電流の不連続期間において整流電流に逆方向電流が生じ ることによる無効電力を低減することができる。
その上で、 上記のようにして二次巻線のセンタータップと二次 側平滑コンデンサとの間には、 所要のインダクタンスを有するチ ヨークコイルが直列に揷入される。 このチョークコイルによって は、 そこに整流電流が流れる際の逆起電力により整流電流に生じ る逆方向電流が抑圧される。 つまり、 これによつて整流電流に逆 方向電流が生じることによる無効電力についての、 さらなる低減. を図ることができるものである。
また、 上記チョークコイルとしては、 平角線が円筒状に縦巻き された卷線を有する平板状のフェライ トコアと上記円筒状の巻 線に挿入されるポッ ト型の金属系ダス トによ り構成されるよう にしていることから、 負荷電流レベルの変動によらずそのインダ クタンス値が安定するものとなる。 図面の簡単な説明
第 1 図は、 本発明の第 1の実施の形態としてのスイッチング電 源回路の構成例を示す回路図である。 第 2図は、 実施の形態としての絶縁コンパ一夕 トランスの構造 例を示す図である。
第 3図は、 実施の形態としてのスイッチング電源回路における、 二次側.整流電流経路に挿入されるイ ンダクタの構造を例示する 図である。
第 4 A図は、 実施の形態としてのスイッチング電源回路におけ る、 二次側整流電流経路に掙入されるインダクタの構造として、 他の例を示す図である。
第 4 B図は、 実施の形態としてのスイッチング電源回路におけ る、 二次側整流電流経路に挿入されるインダク夕の構造として、 その他の例を示す図である。
第 5図は、 第 1 図に示す電源回路の重負荷時の動作を示す波形 図である。
第 6図は、 第 1 図に示す電源回路の軽負荷時の動作を示す波形 図である。
第 7図は、 第 1 図に示す電源回路の負荷変動に対する、 スイツ . チング周波数、 一次側直列共振電流レベル、 AC—D C電力変換効率 の特性を示す図である。
第 8図は、 本発明の第 2の実施の形態としてのスイッチング電 源回路の構成例を示す回路図である。
第 9図は、 第 8図に示す電源回路の重負荷時の動作を示す波形 図である。
第 1 0図は、 本発明の第 3の実施の形態としてのスイ ッチング 電源回路の構成例を示す回路図である。
第 1 1図は、 第 1 0図に示す電源回路の重負荷時の動作を示す 波形図である。 第 1 2図は、 本発明の第 4の実施の形能としてのスィツチング 電源回路の構成例を示す回路図である。
第 1 3図は、 第 1 2図に示す電源回路の重負荷時の動作を示す 波形図.である。
第 1 4図は、 第 1 2図に示す電源回路の軽負荷時の動作を示す 波形図である。
第 1 5図は、 本発明の第 5の実施の形 としてのスィツチング 電源回路の搆成例を示す回路図である。
第 1 6図は、 第 5の実施の形態のスィ ッチング電源回路の二次 側に備えられる、 チョークコイルの構造を示す分解斜視図である。
第 1 7図は、 第 5の実施の形態のスィッチング電源回路におけ る重負荷時の動作を示す波形図である。
第 1 8図は、 第 5の実施の形態としてのスイツチング電源回路 の、 負荷変動に対する電力変換特性について説明するための図で ある。
第 1 9図は、 本発明における第 6の実施の形態のスイッチング 電源回路の二次側に備えられる、 チョークコイルの構成について 説明するための図である。
第 2 0図は、 同じく、 第 6の実施の形態のスイッチング電源回 路の二次側に備えられるチョークコイルの構成について説明す るための図である。
第 2 1図は、 第 6の実施の形態のスイ ッチング電源回路の二次 側に備えられるチョークコイルの断面図である。
第 2 2図は、 第 6の実施の形態としてのスイッチング電源回路 の、 負荷変動に対する電力変換特性について説明するための図で ある。 第 2 3図は、 第 6の実施の形態のスイッチング電源回路の二次 側に備えられるチヨ一クコイルの構成の変形例について説明す るための図である。
第 2. 4図は、 同じく、 第 6の実施の形態のスイッチング電源回 路の一次側に備えられるチョークコイルの構成の変形例につい て説明するための図である。
第 2 5図は、 第 6の実施の形態のスイッチング電源回路の二次 側に備えられる、 変形例としてのチヨ一クコイルの構造を示す断 面図である。
第 2 6図は、 第 6の実施の形態のスイッチング電源回路の二次 側に備えられる、 他の変形例としてのチョークコイルの構造を示 す断面図である。
第 2 7図は、 従来としての電源回路の構成を示す回路図である 第 2 8図は、 従来の電源回路の重負荷時の動作を示す波形図で ある
第 2 9図は、 従来の電源回路として巻線電圧検出方式の同期整 流回路を備えた場合の二次側の構成を示す回路図である。
第 3 0図は、 第 2 9図に示す二次側の構成を採った場合の、 重 負荷時の動作を示す波形図である。
第 3 1図は、 第 2 9図に示す二次側の構成を採った: ί合の、 軽 負荷時の動作を示す波形図である。
第 3 2図は、 整流電流検出方式による同期整流回路の基本構成 例を示す回路図である。
第 3 3図は、 第 3 2図に示す同期整流回路の動作を示す波形図 である 発明を実施するための最良の形態
第 1図は、 本発明の第 1 の実施の形態としてのスイッチング電 源回路の構成例を示している。 この図に示す電源回路は、 一次側 の基本構成として、 他励式によるハーフブリ ッジ結合方式による 電流共振形コンバータに対して部分電圧共振回路が組み合わさ れた構成を採る。
この図に示す電源回路においては、 先ず、 商用交流電源 A Cに 対し、 フィルタコンデンサ C L、 C L、 及ぴコモンモードチョーク コイル C M Cによるノイズフィル夕が形成されている。
そして、 このようなノイズフィルタの後段に対しては、 図のよ うに整流ダイオード D A, D Bから成る整流回路部 D i と、 2本の 平滑コンデンサ C i 1 , C i 2 とから成る倍電圧整流回路が備えら れる。 この倍電圧整流回路によっては、 平滑コンデンサ C i l一 C i 2 の両端電圧として、 交流入力電圧 V ACの ·2倍に対応したレ ベル整流平滑電圧 E i (直流入力電圧) が生成される。
この図に示す電源回路のように、 負荷が比較的大きな電流を必. 要とする条件では、 一次側スイッチングコンバータ側の回路に流 れる電流レベルも増加する。 これにより、 スイッチング損失など が増加して電力変換効率が低下する。 そこで、 このようにして、 直流入力電圧を生成する整流回路系について倍電圧整流回路と することで、例えば通常の全波整流により交流入力電圧 V ACの等 倍に対応するレベルの整流平滑電圧 E i を供給する場合と比較 して、 一次側スイッチングコンバータの回路内に流れる電流レべ ルを約 1ノ 2 とすることができる。 これにより、 一次側スィッチ ングコンバータによるスイ ッチング損失が低減されるよう にし ているものである。 上記直流入力電圧を入力してスイ ッチング (断続) する電流共 振形コンパ一夕としては、 図示するようにして、 MO S — F E T による 2本のスイ ッチング素子 Q 1 , Q 2 をハーフブリ ッジ結合に より接,続したスィツチング回路を備える。 スイッチング素子 Q 1, Q 2 の各ドレイン一ソ一ス間に対しては、 ダンパーダイオー ド D Dl, DD2 が並列に接続される。 ダンパーダイオード DDI のァノ —ド、 力ソードは、 それぞれスイッチング素子 Q 1 のソ一ス、 ド レインと接続される。 同様にして、 ダンパーダイオード D D2 のァ ノード、 カゾードは、 それぞれスイッチング素子 Q 2 のソース、 ドレインと接続される。 ダンパ一ダイオード D D1, D D2 は、 それ ぞれスイッチング素子 Q 1, Q 2が備えるボディダイオードとされ る。
また、スイッチング素子 Q 2 のドレイン—ソース間に対しては、 部分共振コンデンサ C pが並列に接続される。 この部分共振コン デンサ C pのキャパシタンスと一次巻線 N 1 のリーケージインダ クタンス L 1 によっては並列共振回路 (部分電圧共振回路) を形, 成する。 そして、 スイッチング素子 Q l, Q 2のターンオフ時にの み電圧共振する、 部分電圧共振動作が得られるようになっている。
この電源回路においては、 スイ ッチング素子 Q 1, Q 2 をスイツ チング駆動するために、 発振 · ドライブ回路 2が設け れる。 こ の発振 , ドライブ回路 2は、 発振回路、 駆動回路を有しており、 例えば汎用の I Cを用いることができる。 そして、 この発振 · ド ライブ回路 2内の発振回路及び駆動回路によって、 所要の周波数 による ドライブ信号 (ゲート電圧) をスイッチング素子 Q l, Q 2 の各ゲートに対して印加する。 これにより、 スイッチング素子 Q 1, Q2 は、 所要のスイ ッチング周波数により交互にオン Zオフす るようにしてスィ ツチング動作を行う。
絶縁コンパ一夕 トランス P I Tは、 スイッチング素子 Q l 、 Q 2のスイッチング出力を二次側に伝送するために設けられる。
この.絶縁トランス P I Tの一次巻線 N 1 の一方の端部は、 一次 側並列共振コンデンサ C 1 の直列接続を介して、 スイ ッチング素 子 Q 1のソースとスイッチング素子 Q 2のドレインとの接続点(ス イッチング出力点) に接続されることで、 スイ ッチング出力が伝 達されるようになつている。
また、 一次巻線 N 1 の他方の端部は、 一次側アースに接続され る。
ここで、 絶縁コンパ一タ トランス P I Tは、 後述する構造によ り、 絶縁コンパ一夕 トランス P I Tの一次巻線 N 1 に所要のリ一 ケージインダク夕ンス L 1 を生じさせる。 そして、 直列共振コン デンサ C 1 のキャパシタンスと、 上記リーケージインダク夕ンス L 1 によっては、 一次側スイッチングコンバータの動作を電流共 振形とするための一次側直列共振回路を形成する。
上記説明によると、 この図に示す一次側スイッチングコンパ一 タとしては、 一次側直列共振回路 (L I— C 1) による電流共振形 としての動作と、 前述した部分電圧共振回路 ( C p〃L l) とに よる部分電圧共振動作とが得られることになる。
つまり、 この図に示す電源回路は、 一次側スイッチングコンパ —夕を共振形とするための共振回路に対して、 他の共振回路とが 組み合わされた、 複合共振形コンバータとしての構成を採ってい る。
絶縁コンパ一夕 トランス P I Tの二次巻線には一次卷線 N 1 に 伝達されたスイ ッチング出力に応じた交番電圧が励起される。 本実施の形態の場合、 絶縁コンバータ トランス P I Tの二次巻 線としては、 図のように、 それぞれ上記一次巻線 N 1 と巻方向が 同極性とされた二次巻線 N 2 A, 二次巻線 N 2Bが備えられる。
これ.ら二次巻線 N 2 A、 N 2 Bは、 それぞれセン夕一タツプが施 されたことで、 それぞれ図のように 2つの巻線部に分割されてい る。 ここでは、 二次巻線 N2Aの巻き始め端部を含む巻線部を巻線 部 N 2 A1 とし、 巻き終わり端部を含む卷線部は巻線部 N 2 A2 と している。 また、 二次巻線 N 2 Bの巻き始め端部を含む巻線部は 巻線部 N 2 B1、巻き終わり端部を含む巻線部は巻線部 N 2 B2 とす る。
この場合の二次巻線 N 2A, N2Bにおいて、 上記巻線部 N 2 A1、 N 2 A2、 N 2 B1、 N 2 B2 は、 それぞれ同じ所定のターン数を有す る。
そして、 この二次巻線 N2A, N2Bに対しては、 整流用素子とし て Nチャネルの MO S— F E T Q3, Q4を備える全波整流の同期 整流回路が備えられる。 これら MO S— F E T Q3, Q4は、 例え. ば低耐圧のトレンチ構造のものを選定することで、 低オン抵抗を 得るようにされる。
上記二次巻線 N 2 A、 N 2Bの各センタータップ出力は、 平滑コン デンサ C oの正極端子に接続される。
そして、 二次巻線 N2A、 N 2 Bの各卷き始め端部は、 インダク 夕 L dl→MO S - F E T Q 3のドレイン—ソースを介して、 二次 側アース (平滑コンデンサ C oの負極端子側) に接続される。
また、 二次巻線 N 2 A、 N 2 Bの各巻き終わり端部は、 イ ンダク 夕 L d2→M〇 S— F E T Q4の ドレイン—ソースを介して、 二次 側アース (平滑コンデンサ C oの負極端子側) に接続される。 なお、 MO S— F E T Q3, Q4のドレイン一ソースに対しては、 それぞれ、 ボディダイオード DD3, DD4が接続される。
このような接続形態によれば、 二次巻線 N 2A、 N 2Bの巻線部 N 2 A1、 巻線部 N 2 B1 を含む整流電流経路においては、 MO S — F E T Q 3が直列に挿入される。 また、 二次巻線 N2A、 N2Bの巻線 部 N 2 A2、 巻線部 N 2 B2 を含む整流電流経路においては、 MO S 一 F E T Q 4が直列に挿入された構造となっている。
また、 この際、 上記巻線部 N 2 A1、 卷線部 N 2 B1 を含む整流電 流経路においては、 二次巻線 N 2 A、 N 2 Bの各巻き始め端部と M O S— F E T Q 3のドレインとの間に、 インダクタ L d 1 が直列に 揷入されるものとなる。 同様に、 上記巻線部 N 2 A2、 巻線部 N 2 B2 を含む整流電流経路においては、 二次巻線 N 2 A、 N 2 B の各 巻き終わり端部と MO S — F E T Q4のドレインとの間にインダ クタ L d2が直列に挿入される。
そして、 MO S— F E T Q3 を駆動する駆動回路は、 二次巻線 N2A の巻き終わり端部と MO S— F E T Q3 のゲー トとの間に、. ゲート抵抗 Rgl を接続して形成される。
同様に、 MO S — F E T Q4を駆動する駆動回路は、 二次巻線 N2Bの巻き始め端部と M〇 S— F E T Q4のゲートとの間に、 ゲ ー ト抵抗 Rg2 を接続して形成される。
つまり この場合、 上記 MO S— F E T Q3は、 それぞれ卷線部 N 2 A2、巻線部 N 2 B2 に励起される交番電圧が上記ゲート抵抗 R gl により検出されて導通するようにされ、 また、 MO S — F E T Q4は、 卷線部 N 2 Al、 卷線部 N 2 B1 に励起される交番電圧が上 記ゲート抵抗 Rg2 により検出されて導通するようにされている ものである。 MO S— F E Tは、 ゲートにオン電圧を印加すると、 ドレイン 一ソース間は、 単なる抵抗体と等価となるので、 電流は双方向に 流れる。 これを二次側の整流素子として機能させようとすれば、 平滑コ.ンデンサ C oの正極端子に充電する方向のみに電流を流 さなければならない。 これとは逆方向に電流が流れると、 平滑コ ンデンサ C oから絶縁コンバータ トランス P I T側に放電電流 が流れて、 負荷側に有効に電力を伝達することができなくなる。 また、逆電流による MO S — F E Tの発熱、 ノイズなどが生じて、 一次側におけるスイ ッチング損失も招く。
上記した駆動回路は、 二次巻線の電圧を検出することに基づい て、 平滑コンデンサ C Οの正極端子に充電する方向 (つまり、 こ の場合ではソース→ドレイン方向) の電流のみが流れるように、 MO S — F E T Q3,Q4をスィッチング駆動するための回路であ る。つまり、 この場合における同期整流回路の回路構成としては、 巻線電圧検出方式により、 整流電流に同期させて M O S— F E T Q 3, Q4をオン/オフ駆動する構成を採っているものである。 なお、 この場合、 M〇 S _ F E T Q3、 MO S— F E T Q4の駆 動回路系を形成するとされるゲート抵抗 Rgl、 Rg2 に対しては、 それぞれ並列にショ ッ トキ一ダイォ一ド D gl、 ショ ッ トキ一ダイ オード Dg2 を図示する方向により接続するようにしている。これ らショ ッ トキ一ダイォード D gl、 D g2 によっては、 後述するよう に MO S— F E T Q3、 Q4のゲート入力容量の蓄積電荷を、 これ らのターンオフ時に放電するための経路が形成される。
また、 この場合、 M〇 S— F E T Q 3 のゲート一ソース間に対 しては、 図のようにツエナーダイオード D zl、 ツエナーダイォー ド Dz2 を挿入し、 同様に MO S — F E T Q4のゲート一ソース間 にはッェナーダイォード D z3、ッェナ一ダイォード D z を挿入し ているが、 これらのツエナ一ダイオードによっては MO S— F E T Q3、 Q4についての過電圧保護回路が形成される。
このようなツエナーダイォ一ド D z としては、ツエナー電位(ブ レイクダウン電位) として MO S— F E T Q3、 Q4の耐圧レベル に応じた電位のもが選定される。 これにより、 MO S— F E T Q 3、 Q 4のゲート一ソ一ス間電位が耐圧レベル以上に上昇するのに 応じ、 これらツエナーダイオード D zが導通して MO S— F E T Q3、 Q 4を保護することができる。
例えば、 この場合のツエナーダイオード D z としては、 ツエナ 一電位 = ± 2 0 Vのものが選定される。 また、 例えばこれらツエ ナーダイオード D zl、 D z2、 及びツエナーダイオード D z3、 D z4 は、 それぞれ M〇 S - F E T Q 3 MO S— F E T Q4に対して内 蔵されるようにして備えられる。
また、 上述もしたように、 この第 1 図に示す電源回路では、 二 次巻線 N 2 A の巻き始め端部— MO S— F E T Q3 のドレイン間. に対し、 インダク夕 L dl を挿入している。 また、 同様に二次卷線 N 2 B の巻き始め端部一 MO S— F E T Q4 のドレイン間に対し ては、 インダクタ L d2 を揷入している。
本実施の形態において、これらインダク夕 L dl、L d2 としては、 例えば 0. 6 H程度の比較的低いインダクタンスを設定するも のとしている。
ここで、 このように低いインダクタンスを得るにあたっては、 上記インダクタ L dl、 L d2 として、 次の第 3図に示すようなビー ズコアを用いることが考えられる。
すなわち、 この第 3図に示されるようにして、 例えばァモルフ ァス磁性体若しく はフェライ ト材等の磁性体が筒形状に形成さ れたビーズコアによって、 リード線を挿通する。 そして、 このよ うにリード線を揷通したビーズコアを、 1つのインダクタ素子と してプリ ント基板上に実装するものである。
或いは、 本実施の形態において、 このようなイ ンダクタ L dl、 L d2 として低インダクタンスを得るにあたっては、これらインダ クタ L dl、 L d2 を例えば次の第 4 A図、 第 4 B図に示すようにし て形成するものとしている。
先ず、 第 4 A図は、 インダクタ L dl、 L d2 として、 上記したよ うなビーズコアを用いる他の例を示している。
この場合、 上記したようなアモルファス磁性体若しくはフェラ ィ ト材等の磁性体によるビーズコアを、 図のようにプリ ント基板 に半田付けされる MO S— F E T Q 3、 Q4の ドレイン電極端子と してのリード線を揷通するようにして設ける。 そして、 このよう なビーズコアのイ ンダク夕ンスによってイ ンダクタ L dl、 L d2 を形成する。
このよう に ドレイ ン電極のリー ド線にビーズコアを直接設け るようにすれば、 第 3図に示したようなビ一ズコアとしての部品 素子を基板上に実装する必要がなく、 基板の省スペース化を図る ことができる。
また、 第 4 B図は、 MO S— F E T Q3、 Q4を実装するプリ ン ト基板の配線パターンを螺旋状に形成する例である。
この場合は、 .プリン ト基板における、 MO S— F E T Q3、 Q 4 のドレイン電極に配線されるべき銅箔パターンを、 図示するよう に螺旋状に形成し、 この螺旋形状によりインダクタ L d 1、 L d2 としての所要のインダク夕ンスを得るようにするものである。 これによれば、 プリ ント配線基板の製造と同時にインダクタ L d を形成できるというメリ ツ トがある。
説明を第 1 図に戻す。
上述.した回路構成による同期整流回路によっては、 平滑コンデ ンサ C Οに対して全波整流によ り整流して得られる整流電流を 充電する動作が得られる。
すなわち、 二次側に励起される交番電圧の一方の半周期には、 巻線部 N 2 Al、 N 2 B 1 を流れる電流がそれぞれ平滑コンデンサ C oに対して充電される。 また、 交番電圧の他方の半周期には、 巻 線部 N 2 A2、N 2 B 2 に流れる電流がそれぞれ平滑コンデンサ C o に対して充電される。 これによつて、 上記交番電圧が正 Z負の期 間で平滑コンデンサ C o に充電する全波整流動作が得られるも のである。
そして、 このような平滑コンデンサ C oの両端電圧として、 図 のような二次側直流出力電圧 E Οが得られる。 この二次側直流出 力電圧 E oは、 図示しない負荷側に供給されるとともに、 次に説 明する制御回路 1 のための検出電圧としても分岐して入力され る。
制御回路 1 は、 二次側直流出力電圧 E oのレベル変化に応じた 検出出力を発振 · ドライブ回路 2 に供給する。 発振 · ライブ回 路 2では、 入力された制御回路 1 の検出出力に応じてスィ ッチン グ周波数が可変されるようにして、 スイ ッチング素子 Q l, Q 2 を駆動する。 スイ ッチング素子 Q l, Q 2 のスイッチング周波数が 可変されることで、 絶縁コンバータ トランス P I Tの一次巻線 N 1 から二次巻線 N 2 A, N 2B側に伝送される電力が変化するが、 こ れによ り二次側直流出力電圧 E oのレベルを安定化させるよう に動作する。
例えば重負荷の傾向となって二次側直流出力電圧 E 0が低下 するのに応じては、 上記スイッチング周波数を高くするように制 御する.ことで、 二次側直流出力電圧 E oを上昇させる。 これに対 して、 軽負荷の傾向となって二次側直流出力電圧 E oが上昇する のに応じては、.上記スイ ッチング周波数を低くするように制御す ることで、 二次側直流出力電圧 E oを低下させる。
本実施の形態としては、 この図に示す電源回路の回路構成の下 で、 低電圧、 大電流とされる負荷条件に対応させることとしてい る。 ここでの低電圧大電流の状態としては、 二次側直流電圧 E 0 = 5 Vで、 一次側スイッチングコンパ一夕のスイッチング電流で ある一次側直列共振電流 I 0 = 2 0 Aとなる状態であるとする。
このような条件を前提として、 第 1 図に示す電源回路としては、 次のようにして各部所要の部品を構成し、 また、 選定している。
先ず、 絶縁コンバータ トランス P I Tについては、 第 2図に示 す構造を採ることとしている。
この図に示すように、 絶縁コンバータ トランス P I Tは、 フエ ライ ト材による E型コア R l、 C R 2 を互いの磁脚が対向するよ うに組み合わせた E E型コアを備える。
そして、 一次側と二次側の巻装部について相互に独立するよう にして分割した形状により、 例えば樹脂などによって形成される、 ポビン Bが備えられる。 このポビン Bの一方の巻装部に対して一 次巻線 N 1 を巻.装する。 また、他方の巻装部に対して二次巻線(N 2A, N 2B) を巻装する。 このようにして一次側巻線及び二次側巻 線が巻装されたポビン Bを上記 E E型コア ( C R 1, C R 2 ) に 取り付けることで、 一次側卷線及び二次側巻線とがそれぞれ異な る巻装領域により、 E E型コアの中央磁脚に巻装される状態とな る。 このようにして絶縁コンバータ トランス P I T全体としての 構造が得られる。 この場合の E E型コアのサイズは例えば E E R — 3 5.としている。
E E型コアの中央磁脚に対しては、 図のようにして、 例えばギ ヤップ長 1.5mm程度のギャップ Gを形成するようにしている。 こ れによって、 一次側巻線と二次側巻線との結合係数 kとしては、 例えば k = 0. 8以下による疎結合の状態を得るようにしている。 つまり、 従来例として第 2 7図に示した電源回路の絶縁コンバー 夕 トランス P I 丁より も、 さらに疎結合の状態としているもので ある。 なお、 ギャップ Gは、 E型コア C R 1, C R 2の中央磁脚 を、 2本の外磁脚より も短くすることで形成することが出来る。 そのうえで、 二次側巻線の 1 T (夕一ン) あたりの誘起電圧レ ベルとしても、 第 2 7図に示した電源回路より も低くなるように、 一次巻線 N1 と二次巻線 N2A, N2Bの巻線数 (ターン数) を設定 する。 例えば、 一次巻線 N1= 8 0 T、 二次巻線 N 2A= N 2B= 6. T (巻線部 Ν 2 Al= Ν 2 Α2= Ν 2 Bl= Ν 2 Β2= 3 Τ) とすること で、 二次側巻線の I T (ターン) あたりの誘起電圧レベルを、 2 VZT以下としている。
このような絶縁コンバータ トランス P I T及び一次'巻線 Nl、 二次巻線 (N2A, N 2B) の巻線数を設定することで、 絶縁コンパ 一夕 トランス P I Tのコアにおける磁束密度が低下して、 第 2 7 図に示した電源回路より も、 絶縁コンバータ トランス P I Tにお けるリーケージインダクタンスは増加する。
また、 一次側直列共振コンデンサ C 1 には、 0. 0 1 5 Fを 選定した。 また、 二次側の同期整流回路を形成する M〇 S— F E T Q 3, Q4については、 3 0 AZ 2 0 Vを選定しており、 そのォ ン抵抗は 2. 5 m Ωである。
このような構成による第 1 図に示す電源回路の動作波形を、 第 5図及.び第 6図に示す。第 5図は、交流入力電圧 VAC= 1 0 0 V、 負荷電力 Ρ ο = 1 0 0 Wのときの動作を示し、 第 6図は、 交流入 力電圧 VAC= 1 0 0 V、 負荷電力 P o = 2 5 W時の動作を示して いる。 第 1 図に示す電源回路の対応負荷電力範囲において、 負荷 電力 P o = 1 0 0 Wは重負荷とされる条件であり、 負荷電力 P o = 2 5 Wは軽負荷の条件となる。
第 5図に示す波形図において、 スイッチング素子 Q2 の両端電 圧 V 1 は、 スイッチング素子 Q2 のオン/オフ状態に対応してい る。 つまり、 スイ ッチング素子 Q 2がオンとなる期間 T 2では 0 レベルで、 オフとなる期間 T 1では所定レベルでクランプされた 矩形波となる。 そして、 スイ ッチング素子 Q 2〃ダンパーダイォ —ド D D2 に流れるスイッチング電流 I DS2 としては、 期間 T 2 に 示されるように、 ターンオン時においては、 ダンパーダイオード DD2 を流れることで負極性となり、これが反転して正極性により スイ ッチング素子 Q2 のドレイン→ソースを流れ、 期間 T 1でォ フとなって 0 レベルとなる波形が得られる。
また、 スイッチング素子 Q 1 は、 上記スイッチング素子 Q 2 に 対して交互にオン/オフするようにしてスイッチングを行う。 こ のため、 スイッチング素子 Q 1//ダンパーダイオード D D1 に流れ るスイッチング電流としても、 図示はしていないがスイッチング 電流 I DS2 に対して 1 8 0 ° 位相がシフ トした波形となる。また、 スイ ッチング素子 Q 1 の両端電圧としても、スイッチング素子 Q2 の両端電圧 V 1 に対して 1 8 0 ° 位相がシフ トした波形となる。 そして、 スイッチング素子 Q 1, Q 2 のスイッチング出力点と一 次側アース間に接続される一次側直列共振回路 (C 1一 L 1) に流 れる一次側直列共振電流 I oは、 スイ ッチング電流 I DS1 とスィ ッチン.グ電流 I DS2 とが合成されたものとなる。 これにより、 図 示するようにして、 一次側直列共振電流 I oは正弦波状となる。 この波形を、 第 2 7図に示した従来の電源回路の一次側直列共振 電流 I oの波形 (第 2 8図参照) と比較すると、 本実施の形態の 一次側直列共振電流 I o としては、 一次巻線 N 1 の励磁インダク 夕ンスによ り発生する鋸歯状波成分がほとんど含まれていない ことが分かる。 これは、 絶縁コンパ一夕 トランス P I Tの結合係 数をより疎結合な状態としたことで、 一次巻線 N 1 のリ一ケ一ジ インダクタンス L 1が増加した分、 相対的に一次巻線 N 1 の励磁 インダク夕ンスが小さくなつたことに依る。
そして、 このような一次側直列'共振電流 I oの波形が得られる のに応じて、 二次巻線 N 2A の巻線部 N 2 A1 に得られる電圧 V 2 としては、 一次側直列共振電流 I oの周期に応じた波形とされ、 且つ二次側直流出力電圧 E o に対応する絶対値レベルでクラン プされた波形となる。
なお、 この電圧 V 2 としては、 巻線部 N 2 A1 に得られる電位と して示したが、 二次巻線 N 2 Bにおける巻線部 N 2 B2 においても 同等の波形により電位が生じていることになる。 またこの場合、 巻線部 N 2 A2、 巻線部 N 2 B2 においても、 この電圧 V 2 と同等の 電位が生じるものである。
ここで、 第 2 8図に示す電圧 V 2 と比較して分かるように、 こ の第 5図に示す電圧 V 2 は、 一次側直列共振電流 I oが 0 レベル となるタイミ ングで、 同様に 0 レベルとなる波形が得られる。 つ まり、 この場合の電圧 V 2 としては、 ゼロクロスタイミングがー 次側直列共振電流 I 0のゼロクロスタイ ミ ングと重なるように なっている (図中時点 t 1、 t 2、 t 3参照)。
そし.て、 電圧検出方式による二次側の同期整流回路では、 抵抗 R g 2から成る駆動回路により上記電圧 V2 (巻線部 N 2 Al、 N 2 B1) を検出し、 MO S— F E T Q4 に対してオンレベルのゲート 電圧を出力する。
この場合、 電圧 V 2 としては、 図示するように時点 t 1 にて正 極性のピーク レベルとなり、 以降はそのレベルを低下させていき 時点 t 2 にて 0 レベルとなるような波形とされている。 MO S— F E T Q 4のゲート—ソース間に生じるゲ一トーソース間電圧 V GS4 は、 この電圧 V 2が、 Q 4 のゲー ト一ソース間電位として定 められた所定のレベルに対応したレベル以上を保つ期間 (図中期 間 t l〜 t dl) において、 オン電圧を発生させる。 つまり、 この 期間 t 1〜 t dl が、 MO S— F E T Q4のオン期間 D0N2 となる。
そして、 この期間 D0N2が終了する時点 t dl から時点 t 2 まで. は、 MO S— F E T Q4のデッ トタイムであり、 このデッ トタイ ムである期間 t dl〜 t 2では Q4のボディダイオード DD4を介し て整流電流が流れる。 このことは、 図示するゲー ト一ソース間電 圧 V GS4における期間 t d 1— t 2の電位によっても示されている。
これによつて、 M〇 S — F E T Q4を介して流される整流電流 I 4 としては、 図示するように時点 t 1〜 t 2の期間にわたって 流れるようになる。 つまり、 この整流電流 1 4 としては、 これら 時点 t 1、 t 2 において、 一次側直列共振電流 I 0 と 0 レベルに なるタイミングが重なるようにされ、 これによつて一次側直列共 振電流と連続するものとなる。 また、 同様に抵抗 R g l から成る駆動回路では、 上記電圧 V2 と同等とされる巻線部 N 2 A2、 N 2 B2 に生じる電圧を検出し、 M O S— F E T Q3 に対してオンレベルのゲート電圧を出力するよ うにされる。
つまり、 この場合、 MO S — F E T Q3のゲート一ソース間に 生じるゲー ト —ソース間電圧 VGS3は、 卷線部 N 2 A2、 N 2 B2側 に生じる電圧 V 2がゲー ト—ソース間電位としての所定のレべ ルに対応したレベル以上を保つ期間 (図中期間 t 2〜 t d2) にお いて、 オン電圧を発生させ、 これによつてこの期間 t 2〜 t d2 が MO S — F E T Q3のオン期間 D0N1 となる。
そして、 同様にこの期間 D 0N1 が終了する時点 t d2から時点 t 3 までは、 MO S — F E T Q 3のデッ トタイムであり、 この期間 t d2〜 t 3では Q 3のボディダイオード DD3を介して整流電流が 流れる。
これによつて、 M〇 S— F E T Q3 を介して流れる整流電流 1 3 としても、 図示するように一次側直列共振電流 I o のゼロクロス. タイミ ングである時点 t 2 と時点 t 3 との間にわたって流れる ようになり、 一次側直列共振電流 I 0 と連続して流れるものとな る。
平滑コンデンサへの充電電流 I C としては、 これら整流電流 I 3、 14が合成された図のような波形により流れるものとなる。 つ まり、 整流動作としては、 二次巻線 N 2 A、 N 2 Bに生じる電圧が 正ノ負となる各期間で平滑コンデンサ C oに対して充電する、 全 波整流動作が得られていることがわかる。
そして、 前述したように、 この場合の二次巻線に生じる電圧 V 2 は、 一次側直列共振電流 I oが 0 レベルとなるのに応じ 0 レべ ルとなるから、 電圧 V 2は一次側直列共振電流と連続するものと なる。 さらに、 このように電圧 V 2が連続することによって、 上 記説明のようにして整流電流 I 3、整流電流 I 4 も連続することに なり、 .従って、 平滑コンデンサ C oに対する充電電流 I c も連続 して流れることになる。
つまり、 本実施の形態としては、 重負荷とされてスイッチング 周波数が低くなるようにして制御されているときにも、 二次側整 流電流としでは連続モードが得られていることになる。 なお、 こ の塲合、 整流電流 1 3, 1 4 としては 2 8 A p となっており、 例え ば従来の第 2 8図に示した整流電流 I 1, I 2 よりも低減している。 これは、 例えば、 同等のスイッチング周波数に対応する周期内に おいて、 整流電流の導通期間が従来より も拡大したことに依るも のである。
このようにして、 重負荷の条件でも連続モードが得られている のは、 これまでの説明から理解されるように、 ギャップ長の設定 により絶縁コンバータ トランス P I Tの結合係数を 0 . 8程度ま. でに低下させてより疎結合の状態とし、 また、 例えば二次卷線の 1 ターンあたりの誘起電圧レベルが 2 V Z T程度に低下するよ うにして一次巻線 N 1 と二次巻線 N 2A (巻線部 N 2 Al、 N 2 A2), 二次巻線 N 2B (巻線部 N 2 B1、 N 2 B2) の卷数 (タ一ン数) 設定 を行い、 これにより、 絶縁コンバータ トランス P I Tのコアに生 じる磁束密度を所要以下にまで低下させたことにより得られる ものである。 .
また、 この第 5図において、 この場合の整流電流 1 3、 1 4 とし ては、 第 2 8図に示した従来の整流電流 I 1、 1 2 と比較してわか るように、 逆方向電流が流されていないことがわかる。 つまり、 従来において、 整流電流 I I、 I 2 には 8 A pによる逆 方向電流が流れ、 これが電力損失を生じさせていたが、 本実施の 形態ではこのような整流電流に生じていた逆方向電流が発生し ないも.のである。
本実施の形態において、 整流電流 I 3、 1 4 にこのような逆方向 電流が発生しないのは、 先の第 1 図に示したようにして、 各整流 電流経路にインダク夕 L dl、 L d2 を挿入するようにしたことによ る。
つまり、 このように整流電流経路に対してインダクタを挿入す ることによっては、 整流電流が流れた際に、 このインダクタに逆 起電力が発生するようになる。 そして、 このように逆起電力が発 生することに伴って、 M〇 S F E T Q3、 Q4のタ一ンオフ時に生 じるとされていた逆方向電流が抑圧されるようになるものであ る。
先にも述べたように、 本実施の形態ではこれらインダクタ L dl、
L d2 として 0. 6 Hを設定し、 これによつて整流電流 I 3、 1 4. における逆方向電流の発生を防止することが可能とされる。
ここで、 従来例でも述べたように、 同期整流回路は、 低オン抵 抗で低耐圧の MO S— F E Tを整流用素子として用いるために、 整流用素子にダイオー ド素子を用いる場合より も導通'損を低減 することができる。
しかしながら、 二次側整流電流が不連続モードで流れる場合に おいて、 同期整.流回路として巻線電圧検出方式を採る場合、 平滑 コンデンサ C 0への充電電流が 0 レベルとなっても M O S — F E Tがオンを維持して逆方向電流が流れ、 これが無効電力を生じ ていた。 この無効電力を解消しょう とすれば、 整流電流検出方式の同期 整流回路を採用することになる。 しかしながら、 整流電流検出方 式では、 カレン ト トランス及びコンパレータを備える駆動回路系 などが必要であり、 回路構成が複雑で大規模化する。
これに対して本実施の形態では、 重負荷時においても二次側整 流電流を連続モードとしていることで、 電圧検出方式による同期 整流回路であっても、 上記のような電流不連続期間の無効電力を 低減できる。 さ らに、 この場合は、 上述のように二次側の各整流 電流経路に対してインダクタ L dl、L d2 をそれぞれ挿入すること により、 整流電流に逆方向電流が流れないようにして無効電力の さらなる低減を図っている。
このことから本実施の形態としては、 同期整流回路として電圧 検出方式による構成を採ることで、 簡単な回路構成として回路規 模の拡大を抑制し、 さらにコス トアップを避けるようにしていな がら、 なおかつ、 電流不連続期間の無効電力による電力変換効率 の低下の問題を解消していることになる。
なお、 この第 5図において、 ゲ一卜ーソ一ス間電圧 VGS 3、 V
GS4 としては、 それぞれ MO S ― F E T Q 3、 Q4を夕一ンオフと するタイミングで、 この場合は ― 9 Vによる負の電位が生じてい るが、 これは、 先に説明したよ にして M O S一 F E T Q 3 Q 4 の各ゲートと二次巻線との間に、 それぞれ抵抗 Rgl、 Rg2 と並列 にショ ッ トキ一ダイオード Dgl、D g2 を挿入していることによる。
このようにショ ッ トキーダイオー ド Dgl、Dg2 を挿入すること によっては、 MO S — F E T Q 3、 Q4のタ一ンオフ時に、 これら MO S - F E T Q 3, Q4のゲート入力容量 ( C iss) の蓄積電荷 を、 これらショ ッ トキ一ダイオード Dgl、 Dg2 を介して引き抜く ようにして流すことができる。
つまり この場合、 ゲート入力容量の電荷は、 それぞれショ ッ ト キーダイオード D g (D gl、 D g2) →二次巻線 N 2→平滑コンデ ンサ C.oの経路により放電されることになる。 そして、 このよう に入力容量の電荷が放電されることにより、 MO S— F E T Q3、 Q 4におけるターンオフ時の電圧降下時間を減少させることがで きる。
このようにして、 MO S— F E Tのターンオフ時の電圧降下時 間を減少させることができれば、 これら M〇 S— F E T Q 3、 Q 4 を確実にオフとさせてよ り良好なスイ ッチング特性を得ること ができる。
また、 第 6図には、 第 1 図に示す回路における軽負荷時 ( P o = 2 5 W時) の動作が示されている。
第 1 図に示す電源回路では、 これまでの説明から理解されるよ うに、 二次側直流出力電圧 E 0の安定化のために、 スイッチング 周波数制御による定電圧制御を行う。 この定電圧制御は、 軽負荷 の条件となって二次側直流出力電圧が上昇すると、 スイッチング 周波数を高くするようにして二次側直流出力電圧を低下させ、 こ れにより安定化を図るように動作する。
このような軽負荷の状態では、 図示するスイッチング素子 Q2 の両端電圧 V I に対して、 二次側卷線電圧 V2 はほぼ同じタイミ ングで得られるようになり、 これに応じて、 二次側の充電電流 I c (整流電流 1.3、 1 4) としても、 図のように休止期間が無く平 滑コンデンサ C oに連続して充電されるようにして流れる。
このことから、 第 1図に示した電源回路では、 軽負荷時におい ても連続モードとなることが理解できる。 続いて、 第 7 図には、 これまでに説明した構成による第 1図に 示す電源回路と、 従来例である第 2 7図の電源回路との比較とし て、 負荷電力変動に対する AC—DC 電力変換効率 ( 7? AC—DC) の 特性を.示す。 こ こでは、 第 1 図の電源回路の特性を実線で示し、 第 2 7図の電源回路の特性を破線で示す。
この第 7図によると、 AC—DC電力変換効率 ( 7? AC— DC) は、 第 1図に示す回路の方が第 2 7図に示す電源回路に対して、 負荷電 力 P o = 0 W〜 l 0 0 Wの範囲にわたって高く なつていること が分かる。 第 2 7 図に示す回路では、 負荷電力 P o = l 0 0 W時 には V AC→DC= 8 2 %程度であるのに対して、 第 1 図に示す電源 回路では、 負荷電力 P o = l 0 0 W時には 7? AC→DC= 8 8 %と、 6 %向上する結果が得られている。 また、 これに応じた交流入力 電力としては、 負荷電力 P o = l 0 0 W時に 8. 4 W低減する結 果が得られた。
また、 負荷電力 P o = 2 5 W時には、 7? AC— DCが 8 %向上し、 このとき交流入力電力は 2 W低減する結果が得られている。
また、 第 7図では、 一点鎖線により、 各整流電流経路に対して インダクタ L d (L dl= L d2= 0. 6 H) を揷入しない塲合の AC→DC電力変換効率を示している。この一点鎖線により示す特性 と、 実線により示す第 1 図の回路の特性を比較してわかるように、 この場合はインダクタ L dを揷入した第 1 図の回路の場合の方が、 負荷電力 P o = 0 W〜 l 0 O Wの範囲にわたって 7? AC→DC が高 くなつている。 .
このことから、 絶縁コンバータ トランス P I Tの漏洩インダク タンスを増加させて、 重負荷時の不連続モードを排除したのみの 構成とするより も、 イングクタ L d を揷入した本例の方が無効電 力のさらなる低減が図られていることがわかる。
このような第 7図に示される電力変換効率の特性は、 第 2 7図 に示す一次側の構成に対して、 二次側に整流電流検出方式の同期 整流回.路を採用した場合(第 3 2図参照)と同等となる。つまり、 先にも述べたように、 第 3 2図の整流電流検出方式を採用した場 合の AC→DC 電力変換効率は?7 AC→DC= 9 0 %程度であるのに対 し、 本例では 7? AC→DC= 9 0 . 8 %と、 ほぼ同等の AC→DC 電力 変換効率が得られるものである。
しかしながら先に説明したように、 第 1図に示す電源回路では、 同期整流回路の構成としては巻線電圧検出方式を採っているこ とで、 回路構成はより簡略なものとすることができるものである。 第 8図は、 本発明における、 第 2の実施の形態としてのスイツ チング電源回路の構成例を示している。なお、第 8図においては、 すでに第 1図にて説明した部分について同一の符号を付して、 説 明を省略する。
この図に示す電源回路は、 先に第 1 図に示した第 1 の実施の形. 態の電源回路において、 二次巻線 N 2A、 N 2Bの各センタータップ 出力が、 図示するようにインダク夕 L o を介して平滑コンデンサ C oの正極端子に接続されるようにしたものである。
また、 第 8図の回路においては、 上述もしたように各整流電流 経路に対して共通となるようにしてインダクタ L oが挿入される が、 このようなインダクタ L o としても、 同様に 0 . 3 H程度 の低インダクタンスを設定するものとしている。
従って、このようなインダクタ L o についても、先の第 4 A図、 第 4 B図に示したよう にしてこのような低イ ンダクタンスを得 るように構成されてもよい。 このような構成による第 8図に示す電源回路の動作波形を、 第 9図に示す。 第 9図は、 交流入力電圧 VAC= 1 0 0 V、 負荷電力 P o = 1 0 0 Wのときの動作波形を示し、 第 8図に示す電源回路 の対^負荷電力範囲において、 負荷電力 P o = l 0 0 Wは重負荷 とされる条件である。
第 9図に示す波形図において、 スイッチング素子 Q 2 の両端電 圧 V 1 は、 スイッチング素子 Q 2 のオン/オフ状態に対応してい る。 つまり、 スイ ッチング素子 Q 2がオンとなる期間 T 2では 0 レベルで、 オフとなる期間 T 1では所定レベルでクランプされた 矩形波となる。 そして、 スイッチング素子 Q 2//ダンパーダイォ ード D D2 に流れるスイッチング電流 I DS 2 としては、 期間 T 2 に 示されるように、 ターンオン時においては、 ダンパーダイオード DD2 を流れることで負極性となり、これが反転して正極性により スイッチング素子 Q2 の ドレイン—ソースを流れ、 期間 T 1でォ フとなって 0 レベルとなる波形が得られる。
また、 スイ ッチング素子 Q 1 は、 上記スイッチング素子 Q2 に 対して交互にオン/オフするようにしてスイッチングを行う。 こ のため、 スイッチング素子 Q 1//ダンパーダイオード D D1 に流れ るスイ ッチング電流としても、 図示はしていないがスイッチング 電流 I DS2 に対して 1 8 0 ° 位相がシフ トした波形となる。また、 スイッチング素子 Q 1 の両端電圧としても、スイッチング素子 Q2 の両端電圧 V 1 に対して 1 8 0 ° 位相がシフ トした波形となる。 そして、 スイッチング素子 Q 1, Q2 のスイッチング出力点と一 次側アース間に接続される一次側直列共振回路 ( C 1一 L 1) に流 れる一次側直列共振電流 I οは、 スイッチング電流 I DS 1 とスィ ツチング電流 I DS2 とが合成されたものとなる。 これにより、 図 示するようにして、 一次側直列共振電流 I Oは正弦'波状となる。 この波形を、 第 2 7図に示した従来の電源回路の一次側直列共振 電流 I oの波形 (第 2 8図参照) と比較すると、 本実施の形態の 一次側.直列共振電流 I o としては、 一次巻線 ΝΊ の励磁インダク タンスによ り発生する鋸歯状波成分がほとんど含まれていない ことが分かる。 これは、 絶縁コンバータ トランス P I Tの結合係 数をより疎結合な状態としたことで、 一次巻線 N 1 のリーケージ インダク夕ンス L 1が増加した分、 相対的に一次巻線 N 1 の励磁 インダクタンスが小さくなつたことに依る。
そして、 このような一次側直列共振電流 I oの波形が得られる のに応じて、 二次巻線 N2A の巻線部 N 2 A1 に得られる電圧 V2 としては、 一次側直列共振電流 I 0の周期に応じた波形とされ、 且つ二次側直流出力電圧 E o に対応する絶対値レベルでクラン プされた波形となる。
なお、 この電圧 V 2 としては、 巻線部 N 2 A1 に得られる電位と して示したが、 二次巻線 N 2 Bにおける巻線部 N 2 B1 においても 同等の波形によ り電位が生じていることになる。 またこの場合、 巻線部 N 2 A2、 巻線部 N 2 B2 においても、 この電圧 V 2 と同等の 電位が生じるものである。
ここで、 第 2 8図に示す電圧 V2 と比較して分かるように、 こ の第 9図に示す電圧 V2 は、 一次側直列共振電流 I oが 0 レベル となるタイミングで、 同様に 0 レベルとなる波形が得られる。 つ まり、 この場合.の電圧 V 2 としては、 ゼロクロスタイミングがー 次側直列共振電流 I 0のゼロクロスタイミ ングと重なるように なっている (図中時点 t 1、 t 2、 t 3参照)。
そして、 電圧検出方式による二次側め同期整流回路では、 抵抗 R g 2から成る駆動回路により上記電圧 V2 (巻線部 N 2 Al、 N 2 B1) を検出し、 MO S— F E T Q4に対してオンレベルのゲート 電圧を出力する。
この場合、 電圧 V 2 としては、 図示するよゔに時点 t 1 にて正 極性のピークレベルとなり、 以降はそのレベルを低下させていき 時点 t 2 にて 0 レベルとなるような波形とされている。 MO S— F E T Q 4のゲート一ソース間に生じるゲー ト—ソース間電圧 V GS4 は、 この電圧 V 2が、 Q 4 のゲ一トーソース間電位として定 められた所定のレベルに対応したレベル以上を保つ期間 (図中期 間 t l〜 t dl) において、 オン電圧を発生させる。 つまり、 この 期間 t 1〜 t d 1 が、 M〇 S— F E T Q 4のオン期間 D 0N2 となる。
そして、 この期間 D 0N2が終了する時点 t d 1 から時点 t 2 まで は、 MO S— F E T Q4のデッ トタイムであり、 このデッ トタイ ムである期間 t dl〜 t 2では Q4のボディダイオード DD4を介し て整流電流が流れる。 このことは、 図示するゲー ト一ソース間電 圧 V GS4における期間 t (Π— t 2の電位によっても示されている。
これによつて、 MO S— F E T Q4 を介して流される整流電流 I 4 としては、 図示するように時点 t 1〜 t 2の期間にわたって 流れるようになる。 つまり、 この整流電流 1 4 としては、 これら 時点 t 1、 t 2 において、 一次側直列共振電流 I o と 0' レベルに なるタイミングが重なるようにされ、 これによつて一次側直列共 振電流と連続するものとなる。
また、 同様に抵抗 R g l から成る駆動回路では、 上記電圧 V2 と同等とされる巻線部 N 2 A2、 N 2 B2 に生じる電圧を検出し、 M O S — F E T Q3 に対してオンレベルのゲー ト電圧を出力するよ うにされる。 つまり、 この場合、 MO S — F E T Q 3のゲート—ソース間に 生じるゲー ト―ソース間電圧 VGS3は、 巻線部 N 2 A2、 N 2 B2側 に生じる電圧 V 2がゲー トーソース間電位としての所定のレべ ルに対.応したレベル以上を保つ期間 (図中期間 t 2〜 t d2) にお いて、 オン電圧を発生させ、 これによつてこの期間 t 2〜 t d2 が M〇 S — F E T Q 3 のオン期間 D 0N1 となる。
そして、 同様にこの期間 D 0N1 が終了する時点 t d2から時点 t 3 までは、 MO S — F E T Q 3のデッ トタイムであり、 この期間 t d2〜 t 3では Q 3のボディダイオード D D3を介して整流電流が 流れる。
これによつて、 M O S — F E T Q 3 を介して流れる整流電流 I 3 としても、 図示するように一次側直列共振電流 I oのゼロクロス タイミ ングである時点 t 2 と時点 t 3 との間にわたって流れる ようになり、 一次側直列共振電流 I o と連続して流れるものとな る。
平滑コンデンサへの充電電流 I c としては、 これら整流電流 I 3、 1 4が合成された図のような波形により流れるものとなる。 つ まり、 整流動作としては、 二次巻線 N 2 A、 N 2 Bに生じる電圧が 正 Z負となる各期間で平滑コンデンサ C oに対して充電する、 全 波整流動作が得られていることがわかる。
そして、 前述したように、 この場合の二次巻線に生じる電圧 V 2 は、 一次側直列共振電流 I oが 0 レベルとなるのに応じ 0 レべ ルとなるから、 .電圧 V 2は一次側直列共振電流と連続するものと なる。 さらに、 このように電圧 V 2が連続することによって、 上 記説明のようにして整流電流 I 3、整流電流 I 4 も連続することに なり、 従って、 平滑コンデンサ C oに対する充電電流 I C も連続 して流れることになる。
つまり、 本実施の形態としては、 重負荷とされてスイ ッチング 周波数が低くなるようにして制御されているときにも、 二次側整 流電流.としては連続モードが得られていることになる。 なお、 こ の場合、 整流電流 1 3, 1 4 としては 2 8 A p となっており、 例え ば従来の第 2 8図に示した整流電流 I 1, I 2 よりも低減している。 これは、 例えば、 同等のスイ ッチング周波数に対応する周期内に おいて、 整流電流の導通期間が従来より も拡大したことに依るも のである。
このようにして、 重負荷の条件でも連続モードが得られている のは、 これまでの説明から理解されるように、 ギャップ長の設定 により絶縁コンバータ トランス P I Tの結合係数を 0. 8程度ま でに低下させてより疎結合の状態とし、 また、 例えば二次巻線の 1 ターンあたりの誘起電圧レベルが 2 VZ T程度に低下するよ うにして一次巻線 N 1 と二次巻線 N2A (巻線部 N 2 Al、 N 2 A2), 二次巻線 N2B (巻線部 N 2 B1、 N 2 B2) の巻数 (ターン数) 設定 を行い、 これにより、 絶縁コンバータ トランス P I Tのコアに生 じる磁束密度を所要以下にまで低下させたことにより得られる ものである。
また、 この第 9図において、 この場合の整流電流 I 3、' 1 4 とし ては、 第 2 8図に示した従来の整流電流 I I、 1 2 と比較してわか るように、 逆方向電流が流されていないことがわかる。
つまり、 従来.において、 整流電流 I 1、 I 2 には 8 A pによる逆 方向電流が流れ、 これが電力損失を生じさせていたが、 本実施の 形態ではこのような整流電流に生じていた逆方向電流が発生し ないものである。 本実施の形態において、 整流電流 I 3、 I 4にこのような逆方向 電流が発生しないのは、 先の第 1 図に示したようにして、 各整流 電流経路にインダクタ L dl、 L d2 を、 また各整流電流経路に共通 となる.経路に対しインダクタ L 0 を挿入するようにしたことによ る。
このよう に整流電流経路に対して各イ ンダクタを挿入するこ とによっては、 整流電流が流れた際に、 このィンダク夕に逆起電 力が発生するようになる。 そして、 このように逆起電力が発生す ることに伴って、 M〇 S F E T Q3、 Q4のターンオフ時に生じる とされていた逆方向電流が抑圧されるようになるものである。 先にも述べたように、 本実施の形態ではこれらインダクタ L dl、 L d2、 及びインダクタ L o として 0. 3 /2 Hを設定し、 これによ つて整流電流 I 3、 I 4 における逆方向電流の発生を防止すること が可能とされる。
ここで、 従来例でも述べたように、 同期整流回路は、 低オン抵 抗で低耐圧の MO S — F E Tを整流用素子として用いるために、 整流用素子にダイオー ド素子を用いる場合より も導通損を低減 することができる。
しかしながら、 二次側整流電流が不連続モードで流れる塲合に おいて、 同期整流回路として巻線電圧検出方式を採る場合、 平滑 コンデンサ C oへの充電電流が 0 レベルとなっても逆方向電流 が流れ、 これが無効電力を生じていた。
この無効電力を解消しょう とすれば、 整流電流検出方式の同期 整流回路を採用することになる。 しかしながら、 整流電流検出方 式では、 カレント トランス及びコンパレータを備える駆動回路系 などが必要であり、 回路構成が複雑で大規模化する。 これに対して本実施の形態では、 重負荷時においても二次側整 流電流を連続モードとしていることで、 電圧検出方式による同期 整流回路であっても、 上記のような電流不連続期間の無効電力を 低減で.きる。 さらに、 この場合は、 上述のように二次側の整流電 流経路に対してインダクタ L d l、 L d 2、 L o をそれぞれ揷入する ことにより、 整流電流に逆方向電流が流れないようにして無効電 力のさらなる低減を図っている。
このことから本実施の形態としては、 同期整流回路として電圧 検出方式による構成を採ることで、 簡単な回路構成として回路規 模の拡大を抑制し、 さらにコス トアップを避けるようにしていな がら、 なおかつ、 電流不連続期間の無効電力による電力変換効率 の低下の問題を解消していることになるものである。
また、 第 9図においては、 二次側直流出力電圧 E oに生じるリ ップル成分 Δ E oが示されている。
このリ ップル成分 Δ E o としては、 図示するように、 この場合 の二次側直流出力電圧 E oの出力レベルである 5 Vを中心とし て、 Δ Ε ο = 0 . l V pの範囲で生じるという結果が得られてい る。
ここで、 この第 9図に示される実験結果によれば、 この場合の 二次側直流出力電圧 E oには、 M O S _ F E T Q 3、 Q 4'がターン オフするタイミ ングに応じて高周波成分が重畳される。 これは、 同期整流回路として、 M O S— F E T Q 3、 Q 4 をスィ ツチング駆 動することに伴うスイッチングノイズによるものと考えられる。
本例の電源回路においては、 このような二次側直流出力電圧 E Οに生じる高周波成分が、 平滑コンデンサ C oに整流電流を充電 する経路に備えられたインダクタ L o 'によって抑制される。 例えば、 第 8図の回路構成から、 このようなインダクタ L oを 削除した構成の場合は、 MO S— F E T Q3、 Q4の夕一ンオフ時 に生じる上記のような高周波成分としては、 E o = 5 Vのレベル を中心.として 0. 3 V pが発生していたものである。
これに対し、 第 8図に示したようにして整流電流経路にインダ クタ oを設けた本例によっては、 図示するようにこの高周波成 分のレベルを 0. 1 V pにまで低下させることができる。つまり、 このようなインダクタ L oの有するインピーダンス成分 (交流抵 抗成分) によって、 上記のように二次側直流出力電圧 E oに重畳 される高周波成分を抑制することができるものである。
なお、 この第 8図において、 ゲー ト一ソース間電圧 VGS 3、 V GS4 としては、 それぞれ MO S — F E T Q3、 Q4 をターンオフと するタイミングで、 この場合は一 3 Vによる負の電位が生じてい るが、 これは、 先に説明したようにして MO S— F E T Q3、 Q 4 の各ゲー トと二次巻線との間に、 それぞれ抵抗 Rgl、 Rg2 と並列 にショ ッ トキ一ダイオード Dgl、Dg2 を揷入していることによる。
このようにショ ッ トキーダイオード Dgl、Dg2 を揷入すること によっては、 MO S— F E T Q3、 Q4のターンオフ時に、 これら MO S _ F E T Q3、 Q4のゲート入力容量 (C iss) の蓄積電荷 を、 これらショ ッ トキ一ダイオード Dgl、 D g2 を介して引き抜く ようにして流すことができる。
つまり この場合、 ゲート入力容量の電荷は、 それぞれショ ッ ト キーダイオード Dg (Dgl、 Dg2) →二次巻線 N 2→平滑コンデ ンサ C oの経路により放電されることになる。 そして、 このよう に入力容量の電荷が放電されることにより、 MO S — F E T Q3、 Q 4 におけるターンオフ時の電圧降下時間を減少させることがで きる。
このようにして、 M〇 S— F E Tのターンオフ時の電圧降下時 間を減少させることができれば、 これら MO S— F E T Q3、 Q 4 を確実にオフとさせて良好なスイ ッチング特性を得ることがで きる。
なお、 第 8図に示す回路における軽負荷時 (P 0 = 2 5 W時) の動作は、 第 6図と同様なため図示を省略する。
また、 これまでに説明した構成による第 8図に示す電源回路と、 従来例との比較として、 負荷電力変動に対する AC—DC 電力変換 効率 ( 77 AC→DC) の特性は、 第 7図とほぼ同様であり、 図示を省 略する。
続いては、 第 1 0図に本発明の第 3の実施の形態としてのスィ ツチング電源回路の構成を示す。
なお、 第 1 0図においては、 既に第 1 図にて説明した部分につ いて同一の符号を付して説明を省略する。
第 3の実施の形態のスイッチング電源回路は、 先の第 8図に示 した第 2 の実施の形態の電源回路の構成から、 インダクタ L dl、 L d2 を削除するようにしたものである。
そして、 このように二次側整流電流経路において挿入されるィ ンダクタとして、 イ ンダクタ L oのみを設けるようにした上で、 そのインダク夕ンスを、 第 8図の場合より も高い 0 . 6 Hに設 定するようにしたものである。
第 1 1 図は、第 3の実施の形態の電源回路における各部の動作 波形を示している。
上記のようにインダクタ L o として、 第 8図の場合より も高い インダクタンスを設定することにより'、 この場合の二次側直流出 力電圧 E οには、 MO S — F E T Q 3、 Q4の夕一ンオフ時に生じ るとされていた高周波成分が除去されるものとなる。
つまり、 この場合はインダクタ L oのインダクタンスがより高 く設定.されたことで、 第 8図の場合より もこのインダクタ L oに よる高周波抑制効果がより高くなるよう にされているものであ る。
なお、 この場合、 M〇 S — F E T Q 3、 Q4のターンオフ時にゲ —ト—ソース間電圧 VGS3、 VGS4のそれぞれに生じる負電圧は、 図示するように— 1 Vに低下する結果が得られた。
これは、 上記のようにインダク夕 L oのインダク夕ンスを高く 設定したことによって、 このインダクタ L oに生じる逆起電力が 第.8図の場合より も上昇し、 これに伴い整流電流経路に流れる、 上記負電圧に対応した整流電流のレベルが抑制されたことによ るものと考えられる。
このようにして第 3の実施の形態によっては、 インダク夕 L o のイ ンダクタンスを第 8図の場合より も高く設定したことによ り、 二次側直流出力電圧 E oに生じるとされていた高周波成分を 除去することができる。
また、 この場合としても、 このようなインダクタ L oに生じる 逆起電力によって、 整流電流 I 3、 I 4に生じるとされる逆方向電 流が抑制される。 そして、 この場合は、 上記もしたようにインダ クタ L oのインダクタンスとして 0 . 6 Hを設定することで、 整流電流 I 3、 1.4 に逆方向電流が生じないようにすることができ るものである。
つまり、 このような第 3の実施の形態によれば、 第 8図の回路 の場合と同様に同期整流回路における無効電力の削減を図るこ とができる上に、 二次側直流出力電圧 E Oに生じるとされていた 高周波成分を除去することができるものである。
また、 さらにこの場合は、 インダクタ L dl、 L d2 を不要とする ことができるので、 第 8図の構成より も部品点数の削減、 及びプ リ ン ト基板におけるこれらの実装面積の削減を図る ことができ る。
第 1 2図は、 本発明における、 第 4の実施の形態としてのスィ ツチング電源回路を構成例を示している。 なお、 第 1 2図におい ては、 すでに第 1図にて説明した部分について同一の符号を付し て説明を省略する。
また、 この場合のスイ ッチング電源回路においては、 上記二次 側.直流出力電圧 E oのラインに対し、 上記した平滑コンデンサ C o l、 及び平滑コンデンサ C o 2、 及びチョークコイル L nによる フィルタ回路が形成される。
このフィルタ回路としては、 図示するように平滑コンデンサ C o l の正極端子に対して、チョークコイル L nの一端を接続する。 そして、 このチョークコイル L nの他端に対して、 平滑コンデン サ C o 2 の正極端子を接続し、 さらに平滑コンデンサ C o 2 の負 極端子を二次側アースに接地して成る。
このような接続形態によれば、 平滑コンデンサ C o'l、 平滑コ ンデンサ C 02 の並列接続回路が形成され、 さらに、 これら平滑 コンデンサ C o l、 C o 2 の各正極端子間に対しては、 チョークコ ィル L nが揷入されたものとなる。
つまり、 この第 1 2図に示す回路においては、 二次側直流出力 電圧 Ε οのラインに対し、 C、 L、 Cによる所謂 7C型フィル夕を 設けるようにしているものである。 ここで、 このように二次側直流出力電圧 E oのラインに対して フィルタ回路を設けるようにしたのは、 以下のような理由による。 先にも説明したように、 第 1 2図の基本構成においては、 M O S — F. E T Q 3、 Q 4の各ゲー トに対し、 各々ショ ッ トキーダイ オード D gを接続するものとしていた。 これによつては、 各 MO S — F E Tの夕一ンオフ時にそれぞれのゲート入力容量の蓄積 電荷を強制的に引き抜くようにして、 M O S — F E Tの良好な夕 ーンオフ特性を得ることが可能とされる。
しかしながら、 このようにショ ッ トキーダイオード D gを設け ることによっては、 M O S — F E Tとして良好なターンオフ特性 を得ることができる一方で、 二次側整流電流経路においてはスィ ツチングノイズが発生し易いものとされていた。 そして、 この影 響により二次側直流出力電圧 E oにも高周波のノイズが重畳し 易くなつていたものである。
そこで第 1 2図の回路では、 上記したような π型フィルタを備 えることによって、 このように二次側直流出力電圧 E oに生じる ノイズの抑制を図るようにしたものである。
なお、 この場合の上記フィルタ回路においては、 上記平滑コン デンサ C o 1、 平滑コンデンサ C o 2 として、 例えばアミジン系ァ ルミ電解コンデンサで構成し、 そのキャパシタンス Cとして、 例 えば C = 6 8 0 0 F、 耐圧は 6 . 3 V、 E S R (等価直列抵抗 値) は 1 5 πιΩ以下となるものを選定している。
さらに、 上記チョークコイル L n としては、 例えば D C R (直 流抵抗値) = 1 πι Ω程度、 インダク夕ンス L = 0. 7 z H程度に 設定している。
これによつて、 二次側直流出力電圧 E 0に生じる高周波ノイズ のピ—クレベルを、 1 0 O mV以下に抑制している。
ί のような構成による第 1 2図に示す電源回路の動作波形を、 第 1 3図及び第 1 4図に示す。 第 1 3図は、 交流入力電圧 VAC =
1 0 O.V、 負荷電力 P o = l 0 0 Wのときの動作を示し、 第 1 4 図は 、 交流入力電圧 VAC= 1 0 0 V、 負荷電力 P o = 2 5 W時の 動作を示している。 第 1 2図に示す電源回路の対応負荷電力範囲 において、 負荷電力 P o = 1 0 0 Wは重負荷とされる条件であり 負荷電力 P o = 2 5 Wは軽負荷の条件となる。
第 1 3図に示す波形図において、 スイッチング素子 Q 2 の両端 電圧 V 1は、 スイッチング素子 Q2 のオンノオフ状態に対応して いる 。 つまり、 スイッチング素子 Q 2がオンとなる期間 T 2では
0 レベルで、 オフとなる期間 T 1では所定レベルでクランプされ た矩形波となる。 そして、 スイ ッチング素子 Q 2〃ダンパーダイ ォ ド D D2 に流れるスイッチング電流 I DS2 としては、 期間 T 2 に示されるように、 ターンオン時においては、 ダンパーダイォ一 ドヽ D D2 を流れることで負極性となり、これが反転して正極性によ りスイッチング素子 Q 2 の ドレイン→ソースを流れ、 期間 T 1で ォフとなって 0 レベルとなる波形が得られる。
また、 スイッチング素子 Q 1 は、 上記スイッチング素子 Q 2 に 対して交互にオン/オフするようにしてスイッチングを行う。 こ のため、 スィッチング素子 Q 1//ダンパーダイォード D D1 に流れ るスイ ッチング電流としても、 図示はしていないがスイッチング 電流 I DS2 に対.して 1 8 0 ° 位相がシフ トした波形となる。また、 スイッチング素子 Q 1 の両端電圧としても、スイッチング素子 Q 2 の両端電圧 V 1 に対して 1 8 0 ° 位相がシフ ト した波形となる。 そして、 スイッチング素子 Q 1, Q 2 のスイッチング出力点と一 次側アース間に接続される一次側直列共振回路 ( C 1一 L 1) に流 れる一次側直列共振電流 I οは、 スイッチング電流 I DS1 とスィ ツチング電流 I DS2 とが合成されたものとなる。 これにより、 図 示する.ようにして、 一次側直列共振電流 I oほ正弦波状となる。 この波形を、 第 2 7図に示した従来の電源回路の一次側直列共振 電流 I oの波形 (第 2 8図参照) と比較すると、 第 1 2図の回路 の場合の一次側直列共振電流 I o としては、 一次巻線 N1 の励磁 インダクタンスにより発生する鋸歯状波成分がほとんど含まれ ていないことが分かる。 これは、 絶縁コンバータ トランス P I T の結合係数をより疎結合な状態としたことで、 一次巻線 N1 のリ —ケージインダクタンス L 1が増加した分、 相対的に一次巻線 N 1 の励磁インダク夕ンスが小さくなつたことに依る。
そして、 このような一次側直列共振電流 I oの波形が得られる のに応じて、 二次巻線 N2B の卷線部 N 2 B2 に得られる電圧 V2 としては、 一次側直列共振電流 I oの周期に応じた波形とされ、 且つ二次側直流出力電圧 E oに対応する絶対値レベルでクラン プされた波形となる。
なお、 この電圧 V 2 としては、 巻線部 N 2 B2 に得られる電位と して示したが、 二次巻線 N 2 Aにおける卷線部 N 2 A2 においても 同等の波形により電位が生じていることになる。 またこの場合、 巻線部 N 2 A1、 巻線部 N 2 B 1 においても、 この電圧 V 2 と同等 の電位が生じるものである。
ここで、 第 2.8図に示す電圧 V2 と比較して分かるように、 こ の第 1 3図に示す電圧 V 2は、 一次側直列共振電流 I oが 0 レべ ルとなるタイミングで、 同様に 0 レベルとなる波形が得られる。 つまり、 この場合の電圧 V 2 としては、 ゼロクロスタイミングが 一次側直列共振電流 I Oのゼロクロスタイ ミングと重なるよう になっている (図中時点 t 1、 t 2、 t 3参照)。
そして、 電圧検出方式による二次側の同期整流回路では、 抵抗 R g 2から成る駆動回路により上記電圧 V2 (巻線部 N 2 A2、 N 2 B2) を検出し、 MO S— F E T Q4 に対してオンレベルのゲート 電圧を出力する。
この場合、 電圧 V 2 としては、 図示するように時点 t 1 にて正 極性のピーケレベルとなり、 以降はそのレベルを低下させていき 時点 !: 2 にて 0 レベルとなるような波形とされている。 M〇 S— F E T Q 4のゲート一ソース間に生じるゲート一ソース間電圧 V GS4 は、 この電圧 V 2が、 Q 4 のゲ一トーソース間電位として定 められた所定のレベルに対応したレベル以上を保つ期間 (図中期 間 t :!〜 t dl) において、 オン電圧を発生させる。 つまり、 この 期間 t 1〜 t d 1 が、 M O S— F E T Q 4のオン期間 D 0N2 となる。
そして、 この期間 D 0N2が終了する時点 t dl から時点 t 2 まで は、 MO S— F E T Q4のデッ トタイムであり、 このデッ トタイ ムである期間 t dl〜 t 2では Q4のボディダイオード DD4を介し て整流電流が流れる。 このことは、 図示するゲート一ソース間電 圧 V GS4 における期間 t dl - t 2の電位によっても示されている。
これによつて、 MO S— F E T Q4 を介して流される整流電流 I 4 としては、 図示するように時点 t 1〜 t 2の期間にわたって 流れるようになる。 つまり、 この整流電流 1 4 としては、 これら 時点 t 1、 t 2.において、 一次側直列共振電流 I o と 0 レベルに なるタイミングが重なるようにされ、 これによつて一次側直列共 振電流と連続するものとなる。
また、 同様に抵抗 R g l から成る駆動回路では、 上記電圧 V2 と同等とされる巻線部 N 2 A1、 N 2 B1 に生じる電圧を検出し、 M O S— F E T Q3 に対してオンレベルのゲート電圧を出力するよ うにされる。
つま.り、 この場合、 M〇 S — F E T Q 3のゲート一ソ一ス間に 生じるゲート一ソース間電圧 VGS3は、 卷線部 N 2 Al、 N 2 B1側 に生じる電圧 V 2がゲ一 トーソース間電位としての所定のレべ ルに対応したレベル以上を保つ期間 (図中期間 t 2〜 t d2) にお いて、 オン電圧を発生させ、 これによつてこの期間 t 2〜 t d2 が M〇 S— F E T Q 3のオン期間 D 0N1 となる。
そして、 同様にこの期間 D 0N1 が終了する時点 t d2から時点 t 3 までは、 MO S — F E T Q3のデッ トタイムであり、 この期間 t d2〜 t 3では Q 3のボディダイオード DD3を介して整流電流が 流れる。
これによつて、 MO S一 F E T Q 3 を介して流れる整流電流 I 3 としても、 図示するように一次側直列共振電流 I oのゼロクロス タイミ ングである時点 t 2 と時点 t 3 との間にわたって流れる ようになり、 一次側直列共振電流 I o と連続して流れるものとな る。
各平滑コンデンサ (平滑コンデンサ C o l、 C o 2) への充電電 流 I c としては、 これら整流電流 I 3、 I 4が合成された'図のよう な波形により流れるものとなる。 つまり、 整流動作としては、 二 次巻線 N 2 A、 N 2 Bに生じる電圧が正/負となる各期間で平滑コ ンデンサ C oに対して充電する、 全波整流動作が得られているこ とがわかる。
そして、 前述したように、 この場合の二次巻線に生じる電圧 V 2 は、 一次側直列共振電流 I oが 0 レベルとなるのに応じ 0 レべ ルとなるから、 電圧 V 2は一次側直列共振電流と連続するものと なる。 さらに、 このように電圧 V 2が連続することによって、 上 記説明のようにして整流電流 I 3、整流電流 I 4 も連続することに なり、 .従って、 平滑コンデンサ C oに対する充電電流 I c も連続 して流れることになる。
つまり、 第 1 2図の回路では、 重負荷とされてスイッチング周 波数が低くなるようにして制御されているときにも、 二次側整流 電流としては連続モードが得られていることになる。 なお、 この 場合、 整流電流 I 3, I 4 としては 2 8 A p となっており、 例えば 従来の第 2 8図に示した整流電流 I I, 1 2 より も低減している。 これは、 例えば、 同等のスイッチング周波数に対応する周期内に おいて、 整流電流の導通期間が従来より も拡大したことに依るも のである。
このようにして、 重負荷の条件でも連続モードが得られている のは、 これまでの説明から理解されるように、 ギャップ長の設定 により絶縁コンバータ トランス P I Tの結合係数を 0. 8程度ま でに低下させてより疎結合の状態とし、 また、 例えば二次巻線の 1 ターンあたりの誘起電圧レベルが 2 VZT程度に低下するよ うにして一次巻線 N 1 と二次巻線 N 2A (巻線部 N 2 Al、 N 2 A2), 二次巻線 N2B (巻線部 N 2 B1、 N 2 B2) の卷数 (夕一 数) 設定 を行い、 これにより、 絶縁コンバータ トランス P I Tのコアに生 じる磁束密度を所要以下にまで低下させたことにより得られる ものである。
また、 この第 1 3 図において、 この場合の整流電流 1 3、 1 4 としては、 第 2 8図に示した従来の整流電流 I 1、 1 2 と比較して わかるように、 逆方向電流が流されていないことがわかる。 つまり、 従来において、 整流電流 I 1、 I 2 には 8 A pによる逆 方向電流が流れ、 これが電力損失を生じさせていたが、 第 1 2図 の回路ではこのような整流電流に生じていた逆方向電流が発生 しないものである。
この場合において、 整流電流 I 3、 I 4 にこのような逆方向電流 が発生しないのは、 第 1 2図に示したようにして、 各整流電流経 路にインダクタ L dl、 L d2 を揷入するようにしたことによる。
このように各整流電流経路に対して各イ ンダクタを揷入する ことによっては、 整流電流が流れた際に、 このインダクタに逆起 電力が発生するようになる。 そして、 このように逆起電力が発生 することに伴って、 M〇 S— F E T Q3、 Q4のターンオフ時に生 じるとされていた逆方向電流が抑圧されるようになるものであ る。
先にも述べたように、 第 1 2図に示した回路の場合、 これらィ ンダク夕 L dl、 L d2 として 0. 6 H程度を設定し、 これによつ て整流電流 I 3、 I 4における逆方向電流の発生を防止することが 可能とされる。
ここで、 従来でも述べたように、 同期整流回路は、 低オン抵抗 で低耐圧の MO S— F E Tを整流用素子として用いるために、 整 流用素子にダイオー ド素子を用いる場合より も導通損を低減す ることができる。
しかしながら、 二次側整流電流が不連続モードで流れる場合に おいて、 同期整流回路として卷線電圧検出方式を採る場合、 平滑 コンデンサ C 0への充電電流が 0 レベルとなっても逆方向電流 が流れ、 これが無効電力を生じていた。
この無効電力を解消しょう とすれば、 整流電流検出方式の同期 整流回路を採用することになる。 しかしながら、 整流電流検出方 式では、 カレント トランス及びコンパレ一夕を備える駆動回路系 などが必要であり、 回路構成が複雑で大規模化する。
これに対して第 1 2図の回路では、 重負荷時においても二次側 整流電流を連続モードとしていることで、 電圧検出方式による同 期整流回路であっても、 上記のような電流不連続期間の無効電力 を低減できる。 さ らに、 この場合は、 上述のように二次側の整流 電流経路に対してインダクタ L dl、 L d2 をそれぞれ揷入すること により、 整流電流に逆方向電流が発生しないようにして無効電力 のさらなる低減を図っている。
このことから第 1 2図の基本構成としては、 同期整流回路とし て電圧検出方式による構成を採ることで、 簡単な回路構成として 回路規模の拡大を抑制し、 さらにコス トアップを避けるようにし ていながら、 なおかつ、 電流不連続期間の無効電力による電力変 換効率の低下の問題を解消していることになるものである。
また、 第 1 3図においては、 二次側直流出力電圧 E oに生じる リ ップル成分 Δ E oが示されている。
この場合のリ ップル成分 Δ Ε ο としては、 図示するように二次 側直流出力電圧 Ε 0の出力レベルである 5 Vを中心として、 0 . 0 5 Vの範囲で生じている。 また、 この図からもわかるように、 この場合の二次側直流出力電圧 Ε ο としては、 MO S — F E T Q 3、 Q4のターンオフ時に対応した期間に生じるノイズ成分が、 0. 1 V pのレベルにより発生している。
ここで、 この第 1 3図では、 平滑コンデンサ C o l の両端電圧 E 1 のリ ップル成分 Δ E 1 の波形も示されているが、 この Δ E 1 の波形からもわかるように、平滑コンデンサ C o l の両端電圧 E 1 には、 M O S — F E T Q 3、 Q 4のターンオフ時に対応した期間に 生じるノイズ成分が、 0. 3 V pのレベルにより生じている。 つ まり これは、 二次側直流出力電圧 E oのラインに対して 7T型フィ ル夕の.前段では ( 型フィル夕を設けないとした場合には)、 二 次側直流出力電圧に 0 . 3 V pのレベルによるノイズが生じると いう ことが示されているものである。
このようなことからも、 二次側直流出力電圧 E oのラインに対 して 7T型フィルタを設けた第 1 2図の回路では、 二次側直流出力 電圧 E oに生じるとされていた、 上記のような 0. 3 V pのレべ ルによるノィズ成分を、 0. l V p ( l O O mV p ) にまで低減 できることが理解できる。
なお、 この第 1 3図において、 ゲート—ソ一ス間電圧 V GS 3、 VGS4 としては、 それぞれ M〇 S— F E T Q3、 Q4をターンオフ とするタイミングで、 この場合は— 9 Vによる負の電位が生じて いるが、 これは、 先に説明したようにして M〇 S— F E T Q 3、 Q4の各ゲートと二次巻線との間に、 それぞれ抵抗 Rgl、 Rg2 と 並列にショ ッ トキーダイオード D gl、 D g2 を揷入していることに よる。
このようにショ ッ トキ一ダイオード Dgl、Dg2 を揷入すること によっては、 MO S— F E T Q3、 Q4のターンオフ時 、 これら MO S - F E T Q3, Q4のゲ一ト入力容量 ( C iss) の蓄積電荷 を、 これらショ ッ トキ一ダイオード Dgl、 D g2 を介して引き抜く ようにして流すことができる。
つまり この場合、 ゲート入力容量の電荷は、 それぞれショ ッ ト キーダイオード D g (Dgl、 D g2) →二次卷線 N 2—平滑コンデ ンサ C oの経路により放電されることになる。 そして、 このよう に入力容量の電荷が放電されることにより、 MO S — F E T Q3、 Q 4 におけるターンオフ時の電圧降下時間を減少させることがで さる
この,ようにして、 M〇 S— F E Tのターンオフ時の電圧降下時 間を減少させることができれば、 これら M〇 S— F E T Q3、 Q 4 を確実にオフとさせて良好なスイ ッチング特性を得ることがで きる。
また、第 1 4図には、第 1 2図に示す回路における軽負荷時( P o = 2 5 W時) の動作が示されている。
第 1 2図に示す電源回路では、 これまでの説明から理解される ように、 二次側直流出力電圧 E 0 の安定化のために、 スィッチン グ周波数制御による定電圧制御を行う。 この定電圧制御は、 軽負 荷の条件となって二次側直流出力電圧が上昇すると、 スィッチン グ周波数を高くするようにして二次側直流出力電圧を低下させ、 れにより安定化を図るように動作する。
このような軽負荷の状態では、 図示するスイッチング素子 Q 2 の両端電圧 V I に対して、 二次側巻線電圧 V2 はほぼ同じ夕イミ ングで得られるようになり、 これに応じて、 二次側の充電電流 I
C (整流電流 1 3、 1 4) としても、 図のように休止期間が無く平 滑コンデンサ C oに連続して充電されるようにして流れる。
このことから、 第 1 2図に示した電源回路では、 軽負荷時にお いても連続モードとなることが理解できる。
そこで 、 このようなことを考慮して、 本発明の第 5の実施の形 能、としては、 スイ ッチング電源回路を、 次の第 1 5 図に示すよう にして構成することとしている。
なお、 この図では、 既に第 1 2図において説明した部分につい ては 一の符号を付して説明を省略する。
の第 1 5図に示されるようにして、 第 5 の実施の形態では、 第 1 2図の回路において各整流電流経路に対して揷入するよう にして.設けられていた、 ビーズコアによるインダクタ L d 1、 ィン ダク夕 L d 2 は削除するものとしている。
また 、 先にも述べたように 7T型フィル夕を設ける要因とされて いたシヨ ッ トキーダイオード D g l、 ショ ッ トキーダイォード D g 2 も削除するものとしている。
その上で、 このような 7T型フィルタを削除した構成を採る。 そしてこの場合、 上記インダクタ L d l、 L d 2 に代えては、 図示 するように二次巻線 N 2 A、二次巻線 N 2 Bの各センタータップと、 平滑コンデンサ C oの正極端子との間に、 チョークコイル L 0を 直列に揷入するものとしている。
つまり第 5の実施の形態のスイッチング電源回路においては、 このようなチョークコイル L oに生じる逆起電力によって、 整流 電流の逆方向電流を防止する構成とするものである。
伹しこの場合、 上記のようなチョークコイル L o として、 負荷 電流レベルの変動に対するイ ンダク夕ンス値の変化特性につい て考慮されなければ、 先の第 1 2 図の回路の場合のインダクタ L d と同様に、 軽負荷時に急激にインダク夕ンス値が上昇して異常 発振動作となってしまう可能性がある。
これを防止するため、 第 5の実施の形態としては、 上記チョー クコイル L o と.して次の第 1 6図に示すように構成するものとし ている。
第 1 6図は、 第 5の実施の形態の電源回路で用いる、 チョーク コイル L oの構造を示す分解斜視図である。 先ず、 本実施の形態の場合のチョークコイル L o としては、 図 示するように平角線 5 aを所定ターン数巻回した、 平角線コイル 5 を用いるものとしている。 この平角線コイル 5 としては、 断面 形状が方形とされた上記平角線 5 aをその幅方向に巻回した、 所 謂エッジワイズ巻き (縦巻き) のものが採用される。
そして、 このような平角線コイル 5の両端部は、 図示するよう にこの平角線 5 を載置する側のプレー ト型コア C R 6 に設けら れた、 外部端子 6 に対してそれぞれ半田付け等により接続される。
さらに、 このように平角線コイル 5が載置されたプレート型コ ァ C R 6に対して、 図示する形状によるポッ ト型コア C R 5が嵌 合されることによって、 チョークコイル L oが形成される。 つま り、 図示するように上記ポッ ト型コア C R 5側に形成された、 図 のような円形磁脚 7 を、 上記平角線コイル 5の内側に形成される 円形の空洞領域に挿通させるようにして、 プレート型コア C R 6 に対してポッ ト型コア C R 5 を嵌合するものである。
この第 1 6図に示すチョークコイル L oにおいて、 上記ポッ ト 型コア C R 5の材質としては、 金属系ダス トを採用している。 ま た、 上記プレー ト型コア C R 6 としては、 N i — Z n系のフェラ ィ ト材を採用するものとしている。
本実施の形態において、 このようにチョークコイル のコア 材として、 金属系ダス ト、 及び 又は N i — Z n系のフェライ ト を選定することによっては、 例えば一般的なマンガン系のフェラ ィ トを使用する場合より も飽和磁束密度が向上するものとなり、 その分チョークコイル L o として、' 電流レベルの変動に対するィ ンダクタンス変化特性を向上することができる。
実験によれば、 このような構成による本例のチョークコイル L oでは、 第 1 5 図の回路における負荷電流 (電流 I c ) の 2 O A 〜 O Aの変動に対し、 インダクタンス値を 0 . 7 〃 Hでほぼ一定 とすることができた。
さら.に、 第 1 6図のチョークコイル L oにおいては、 上記のよ うに巻線として平角線 5 aを用いることで、 例えば断面が円形と される一般的な銅線を使用する場合と比べて、 巻線の断面積が増 加して D C R (直流抵抗値) を低減させる ことができる。 また、 上述のように N i 一 Z n系のフェライ トを使用することによつ て、 コアの鉄損の低減も図られている。
これらのことより、 この場合のチョークコイル L o としては、 その直流抵抗値が 1 . 1 m Ω程度とされる。
ところで、 このような構成によるチョークコイル L o を、 先の 第 1 5 図に示したようにして絶縁コンパ一夕 トランス P I Tの 二次卷線の各センタータップに接続されるよう にして挿入する ことによっては、 このチョークコイル L oによる漏洩インダクタ ンスによって、 絶縁コンバータ トランス P I Tにおける漏洩イン ダク夕ンスも増加するものとなる。 つまり、 このようにチョーク コイル L o を挿入することによっては、 絶縁コンバータ トランス P I Tにおける磁束密度が変化するようになるものである。
ここで、 先にも説明したように第 1 2図の回路では、'絶縁コン バー夕 トランス P I Tにおけるギャップ長 (漏洩イ ンダクタン ス) と、 二次巻線の巻数の設定 ( 1 Tあたりの誘起電圧の設定) とによって、 そ.の磁束密度を所定以下とし、 負荷変動に関わらず 連続モ一ドとしていたものである。
つまり、 このことを踏まえると、 第 1 5図の回路の絶縁コンパ 一夕 トランス P I Tでは、 上記チョークコイル L 0の揷入により 漏洩インダクタンスが増加する分、 ギャップ長を縮めるか、 或い は二次巻線の巻数を減少させても、 連続モードとするための所定 以下の磁束密度を得ることが可能となるものである。
この.ことから、 第 5の実施の形態の電源回路においては、 絶縁 コンバータ トランス P I Tの二次巻線 N 2 A、二次巻線 N 2 B とし て、 第 1 2図の回路の場合より も巻数を少なく選定するものとし ている。 例えばこの場合は、 上述のようにしてチョークコイル L 0のインダクタンス値を 0. 7 H程度に設定することで、 二次 巻線 N 2 A=二次巻線 N 2 B= 4 T (N 2 A1= N 2 A2=N 2 B1= N 2 B2= 2 T) に設定するものとしている。
このようにして二次巻線の巻数を少なくすることができるこ とで、 二次巻線における直流抵抗成分を低減することが可能とな る。
第 1 7 図は、 このような第 5の実施の形態としての第 1 5図の 回路の各部の動作波形を示した波形図である。
なお、 この第 1 7図では、 交流入力電圧 VAC= 1 0 0 V、 負荷 電力 P o = l 0 0 Wの条件下での測定結果を示している。
また、 この図に示す実験結果を得るにあたっては、 各部を以下 のように選定するものとした。
' 絶縁コンバータ トランス P I T
一次巻線 N 1 = 8 0 T、 二次巻線 Ν 2 Α= Ν 2 Β= 4 Τ (Ν 2 A1 = Ν 2 Α2=Ν 2 Β1= Ν 2 Β2= 2 Τ)
' チョークコ.ィル L 0 = 0. 7 Η
• 平滑コンデンサ C ο
キャパシタンス C = 6 8 0 0 F、 耐圧 6. 3 V、 E S R = 1 6 m Ω • M〇 S — F E T Q3、 Q 4
耐圧 3 0 A / 2 0 V、 オン抵抗 R 0N= 2. 5 m Ω
先ず、 この第 1 7図においても、 スイッチング素子 Q2 の両端 電圧 V .1、 及びスイッチング素子 Q 2〃ダンパーダイオード D D2 に流れるスィ ツチング電流 I DS 2が示されている。
これら電圧 V I 、 スイッチング電流 I DS2 としては、 先の第 1 3図の場合と比較してわかるように、 第 1 2図の回路の場合と同 等の波形が得ちれている。
また、 この第 1 7図においては、 一次側直列共振電流 I oの波 形も示されている。 この場合の一次側直列共振電流 I 0 としても、 図のように略正弦波状の波形とされた上で、 時点 t 1、 t 2、 t 3 においてゼロクロスする波形が得られる。 つまり、 このような 一次側直列共振電流 I o としても、 先の第 1 3図の場合と同等の 波形が得られているものである。
これらのことから、 第 1 5図の回路の一次側においては、 先の 第 1 2 図の回路の場合と同等の動作が得られていることがわか る。
そして、 この場合における、 MO S— F E T Q3、 Q4のゲート —ソース間に生じるゲ一トーソース間電圧 V GS3、 V GS4 としては、 先の第 1 3図の場合と比較して、 この場合は略正弦波状の波形に より得られるものとなる。 またこの場合、 第 1 3図の場合では M O S— F E T Q3、 Q4がターンオフするタイミングで生じていた 負の電位は生じ.ないものとなっている。
これは、 先の第 1 5図にて説明したように、 本例ではショ ッ ト キーダイオー ド D g l、 D g 2が省略されたことにより、 各 MO S 一 F E Tのゲー ト入力容量の蓄積電荷を放電する経路を形成し ないようにしたことによるものである。
また、 この場合における、 二次巻線 N 2 Bの巻線部 N 2 B2 に生 じる電圧 V 2 としては、 上記のよう にゲー ト一ソース間電圧 V GS3, V GS4 として異なる波形が得られることからもわかるように、 第 1 3図の場合とは異なる波形が得られる。
つまり、 第 1 3図の場合の電圧 V 2 としては、 ゲート—ソース 間電圧 VGS3、 VGS4の負の電位が生じることによって、 MO S — F E Tのデッ トタイムの終了時点 (時点 t 2 ) にて、 急峻に 0 レ ベルに落ち込む波形とされていたが、 ここでは、 図示するように ゲ一トーソース間電圧 VGS3、 VGS4のレベル低下に応じて徐々に 0 レベルに低下していく波形が得られるものである。
そして、 このような電圧 V 2 としては、 この場合もそのゼロク ロスタイミングが、 一次側直列共振電流 I oのゼロクロスタイミ ングと重なるものとなっている (時点 t 1 、 t 2 、 t 3参照)。
また、 この場合の整流電流 1 3、 1 4 としても、 上記のように電 圧 V 2がー次側直列共振電流 I o と連続することによって、 その ゼロクロスタイミングが、 一次側直列共振電流 I oのゼロクロス タイミングと重なる波形として得られる。 そして、 このように整 流電流 I 3、 I 4が、 一次側直列共振電流 I o と連続して流れるよ うになることにより、 平滑コンデンサ C oへの充電電流 I c とし ても、 同様に一次側直列共振電流 I o と連続して流れることにな る。
このようなことから、 第 1 5図に示した本例の回路においても、 重負荷とされてスイ ッチング周波数が低くなるよう にして制御 されているときに、 二次側整流電流として連続モードが得られて いることがわかる。 なお、 この場合も、 上記整流電流 1 3, 1 4 としては、 図示する ようにそのピ一クレベルが 2 8 A p となり、 第 1 2図の場合と同 様に従来の第 2 8図に示した整流電流 I I, 1 2 よりも低減する結 果が得.られている。
また、 第 1 7図において、 この場合も、 上記整流電流 I 3、 1 4 には逆方向電流が流されていないことがゎ る。 この場合におい て、 整流電流 I 3、 1 4に逆方向電流が発生しないのは、 先にも説 明したように、 二次巻線 N 2 A、 N 2 Bの各センタータップと平滑 コンデンサ C oの正極端子との間にチョークコイル L o を挿入す るようにし ことによるものである。
なお、 本例の場合、 このようなチョークコイル L o のインダク 夕ンスとしては、 上述もしたように 0. 7 H程度を設定するこ とで、 整流電流 1 3、 1 4における逆方向電流の発生を防止するこ とが可能とされている。
また、 第 1 7図においては、 二次側直流出力電圧 E oに生じる リ ップル成分 Δ E oが示されている。
この第 1 7図に示されるリ ツプル成分 Δ Ε οと、 先の第 1 3図 に示したリップル成分 Δ Ε οを比較してわかるように、 第 1 5図 の回路のリ ップル成分 Δ Ε ο としては、 Δ Ε ο = 0. 0 5 V ρ ( 5 0 m V ρ ) と、 二次側直流出力電圧 E oのラインに TC フィルタ を設けた第 1 2図の回路の場合と同程度に抑制されるものとな る。 これは、 第 1 5図に示したようにして、 本例では、 チョーク コイル L 0 を平.滑コンデンサ C oの正極端子と接続されるように して挿入していることによる。
つまり、 このようにチョークコイル L o を平滑コンデンサ C o の正極端子と接続されるようにして挿入したことにより、 このチ ヨークコイル L o によるインダク夕ンスと平滑コンデンサ C oの キャパシタンスによるフィルタ回路が形成され、 これによつて二 次側直流出力電圧 E o に生じる リ ップル成分が抑制されるもの である.。
また、 このリ ップル成分 Δ E oの波形により示されるように、 この場合の二次側直流出力電圧 E oにおける、 MO S— F E T Q 3、 Q4のターンオフ時に対応した期間に生じるノイズ成分のレべ ルとしても、 第 1 2図の回路の場合と同様に 0. l V p程度に抑 制されている。
このように二次側直流出力電圧 E o に生じるノイズ成分が低 減されているのは、 先にも説明したようにショ ッ トキ一ダイォー ド D g l、 D g 2 を省略するようにしたからである。
また、 このような二次側直流出力電圧 E oに生じるノイズ成分 は、 チョークコイル L oのインピーダンス成分によっても抑制さ れるものと考えられる。
なお、 確認のために述べておく と、 この場合としても、 軽負荷 時 ( P o = 2 5 W時) の動作としては、 先の第 1 3図の場合と同 様にスイッチング素子 Q2 の両端電圧 VI に対して二次側卷線電 圧 V 2 はほぼ同じタイミングで得られ、 連続モードとなる。
第 1 8図には、 第 1 5図に示した本例の電源回路と、 '先の第 1 2図に示した基本構成との比較として、負荷電力変動に対する AC → DC電力変換効率 ( 7? AC→DC) の特性を示す。 ここでは、 本例の 電源回路の特性を実線で示し、 第 1 2図の回路の特性を破線で示 す。
この第 1 8 図によると、 AC— DC電力変換効率 (?? AC—DC) は、 本例の回路の方が第 1 2図に示.した回路に対して、 負荷電力 P o = 2 5 W〜 1 0 0 Wの範囲にわたって高くなつている ことが分 かる。
先にも説明したように、 第 1 2図に示した基本構成では、 負荷 電力 P o = l 0 0 W時には V AC→DC= 8 6. 5 %程度であつたの に対して、 第 1 5図の本例の電源回路では、 負荷電力 P o = l 0 0 W時に AC— DC= 8 8. 5 %と、 約 2. 0 %向上する結果が得 られている。
また、 負荷電力 P o = 2 5 W時には、 第 1 2図の回路では?7 AC — DC= 8 7 %程度であつたが、 本例では 7? AC→DC= 8 8 %程度と、 約 1. 0 %向上する結果が得られた。
このような電力変換効率の向上は、 これまでの説明からも理解 されるように、 第 1 2図の回路に備えられていた二次側の 型フ ィル夕を削除するようにしたことによる。 つまり この場合は、 先 の第 1 2図の構成から少なく とも平滑コンデンサ C ο 2が削除さ れたものとなるから、 このような平滑コンデンサ C o 2 の E S R (例えば第 1 2図の場合では 1 5 πι Ω) 分の損失を低減すること ができるものである。
また、 さらにこのような電力変換効率の向上は、 チョークコィ ル L 0 を設けたことで、 絶縁コンバータ トランス P I Τの二次巻 線 (Ν 2 Α、 Ν 2 Β) の卷数を、 第 1 2図の場合よりも少なくする ことができたことによるものでもある。
すなわち、 先にも述べたように、 この場合は二次巻線の巻数と して、 第 1 2図の場合の 6 Τから 4 Τに減らすことができたこと で、 その分二次卷線の線材の要する長さを短く して D C Rを低減 することができる。 そして、 これによつて、 二次巻線において生 じる電力損失を低減することが可能となり、 この結果として電力 変換効率の向上が図られているものである。
以上のようにして、 第 5の実施の形態のスイッチング電源回路 では、 第 1 2図の回路では各整流電流経路に対して揷入されてい た、 ビーズコアによるインダクタ L dl、 L d2 を削除し、 これに代 えて二次巻線 N 2 A、N 2 Bの各センタ一タップと平滑コンデンサ C oの正極端子との間に、 チヨ一クコイル L oを揷入するように している。
そして、 これと共に、 ゲート抵抗 R g l、 R g 2 にそれぞれ並列 に接続されていたショ ッ トキ一ダイオード D g l、D g 2 を削除し、 さらに、 二次側直流出力電圧 E oのラインに設けられていた π型 フィルタを削除するようにもしている。
このような第 5 の実施の形態のスイ ッチング電源回路によれ ば、 上記のようにして二次巻線の各センタータップと平滑コンデ ンサ C o との間に挿入されたチョークコイル L oによって、 整流 電流に逆方向電流が発生することを防止することが可能となる。
そして、 上記のようにしてショ ッ トキーダイオード D g l、 D g 2 を削除したことによって、 二次側直流出力電圧 E oに重畳す るとされる高周波のスイ ッチングノイズを抑制することができ る
また、 上記のように第 5の実施の形態では、 二次側の π型フィ ル夕 (平滑コンデンサ C 02) が削除されることにより、 この 7C 型フィル夕によって生じていた分の電力損失 (平滑コンデンサ C ο 2 の E S Rに.よる損失) をなくすことができる。
さらに、 第 5の実施の形態では、 上記もしたようにチョークコ ィル L οを二次巻線の各センタ一タップに接続されるようにし て挿入していることから、 絶縁コンバータ トランス Ρ I Τにおい て、 重負荷時にも連続モードとするために所定以下の磁束密度を 設定するにあたっての、 二次巻線の巻数を少なくすることができ る。 そして、 これによつて、 先にも説明したように二次巻線の D C Rを.低減することができ、 その分、 二次巻線における無効電力 も低減できる。
このようにして無効電力が低減されることによって、 電力変換 効率の向上が図られる。
またこの際、 上記のように二次巻線の D C Rが低減されること で、 二次巻線の発熱も低減することができる。
また、 第 5の実施の形態では、 上記チョークコイル L oのコア 材として、 磁束密度の比較的高い金属系ダス ト、 N i — Z n系フ ェライ トを選定したことにより、 チョークコイル L oのインダク 夕ンス値を電流レベルの変動に対して安定化することができる。 そして、 これによつて、 例えば軽負荷の条件となる等して、 急 激にそのイ ンダクタンス値が変化して異常発振動作が生じるよ うな事態を防止することができ、 先の第 1 2図の回路の場合のよ うに、 軽負荷時における二次側直流出力電圧 E oにリ ップルが生 じることがなくなる。
また、 さらにこの場合は、 上記もしたようにピ一ズコアによる インダクタ L d 1、 L d 2、 及びショ ッ トキ一ダイオード D g D g 2、 及び π型フィルタを省略することができることから、 その 分第 1 2 図の回路の場合より も回路構成を簡略化できるという メリツ 卜もある。
続いては、 次の第 1 9図〜第 2 2図を参照して、 本発明の第 6 の実施の形態としてのスイッチング電源回路の構成例について 説明する。 第 6の実施の形態のスイ ッチング電源回路としては、 上記した 第 1 5図の回路の接続形態の下で、 チョークコイル L oの構成の みを変更するようにしたものである。
従つ.て、 以下では、 このような第 6の実施の形態のスィッチン グ電源回路において用いる、 主にチョークコイル L oの構成のみ について説明し、 スイ ッチング電源回路の全体の構成としては先 の第 1 5図と同等となることからここでの説明は省略する。
先ず、 この場合のチヨ クコイル L o としては、 その巻線 N o として、 例えば次の第 1 9図、 或いは第 2 0図に示すように構成 するものとしている。
第 6の実施の形態において、 このようなチョークコイル L oの 巻線 N oの線材には、 例えばポリウレタン被膜等の絶縁被覆処理 の施された銅線等による素線が、 複数本撚り合わされて成る、 リ ッッ線 1 0 を用いる。
そして、 先ず第 1 9図の場合は、 このようなリ ッツ線 1 0の複 数を、 図示するようにして平行に整列させたリ ッッ線帯 1 1 を形 成するものとしている。 そして、 このリ ッツ線帯 1 1 の両端部に 対して、 図示するようにリ一ド線 1 4、 1 4を半田付けすること によって、 卷線 N oを形成する。
なお、 この場合のリ ッツ線帯 1 1 としては、 図示するように 4 本のリ ッツ線 1 0 を整列させるものとしている。 そして、 このよ うなリ ッツ線 1 0 として、 この場合は線径 0 . 1 m ^の素線を 2 0 0束撚り合わせたものを用い、 さらにその長さ Y 1 としては、 この場合のポビンサイズに対応させた例えば 1 2 mmに設定する。 また、 この場合のリード線 1 4 としては、 図示するように平角 線を使用するものとしている。さらに、 リ ッツ線帯 1 1 に対する、 このような平角線によるリード線 1 4の半田付けとしては、 例え ばリ ッツ線 1 0内の各素線の銅線部分を表出させた上で、 この銅 線部分をリード線 1 4に巻き付けた上で施すよう にされればよ い。 或.いは、 リ ッツ線帯 1 1 の両端部に予備半田を行うようにし ておけば、 各素線から銅線部分を表出させる手間が省けると共に、 これらをリード線 1 4に巻き付けるといった手間も省略できる。 また、 第 2 0図の例では、 複数のリ ッツ線 1 0 を交互に編み込 んだ平編線 1 2 を形成するものとしている。 この場合としても、 平編線 1 2の両端部に対しては、 図のようにそれぞれリード線 1 4、 1 4を半田付けするようにされる。
このような平編線 1 2 として、 ここでは 3本のリ ッツ線 1 0 を 平編みすると共に、 図示する平編線 1 2の長さ Y 2 としては 1 4 mmを設定する。
なお、 この場合のリ ッツ線 1 0 としても、 素線径 = 0 . 1 X 2 0 0束の仕様のものを用いる。 また、 この場合もリード線 1 4 としては、 平角線を使用する。
そして、 第 6の実施の形態では、 チョークコイル L oのコアと して、 次の第 2 1 図に示すような E E形コアを用いるようにして いる。
この第 2 1 図の断面図に示すようにして、 この場合のチヨ一ク コイル L oのコアとしては、 断面形状がそれぞれ E字形とされた フェライ ト材の各々の磁脚を対向させた、 図のような E E形コア C R 1 1 を用いるようにされる。
そして、 このような E E形コア C R 1 1 の中央磁脚に対しては、 図示するようにギャップ Gを形成するものとしている。
また、 この場合の E E形コア C R 1 1 の材質としては、 M n— Z n系フェライ ト材を選定している。
そして、 この場合の E E形コア C R 1 1 のサイズとしては、 例 えば E E— 2 5を選定している。
しのような E E形コア C R 1 1 に対しては、 中央磁脚を覆うよ うにして樹脂等によるポビン Bが備えられる。 また、 このような
E E形コア C R 1 1の外面の両端には、 基板実装面方向に突出し た複数のピン端子 1 5 を支持するピン端子支持支部 1 6、 1 6が 備えられている。
そして、 上記のように E E形コア C R 1 1 の中央磁脚を覆うポ ビン Bに対しては、 先の第 1 9図に示したリ ッツ線帯 1 1 による 巻線 N o、 又は第 2 0図に示した平編線 1 2による巻線 N oを所 定の夕ーン数で巻回する。
そして、 図示はしていないが、 このようにポビン Bに巻装され る U ッッ線帯 1 1 、 或いは平編線 1 2の両端に半田付けされたリ 一ド線 1 4、 1 4を、 それぞれ対応するピン端子 1 5 に対して半 田付けする。
これによつて第 6の実施の形態としてのチョークコイル L oが 形成される。
なお、 この場合の巻線 N oの巻数としては、 リ ッツ線帯 1 1、 平編線 1 2 とされた場合も共に 2 Tを巻回するものと'している。 また、 上記したギャップ Gとしては、 G= l . 4 mmを形成する。 これによつて第 6 の実施の形態の場合としても、 チョークコイル L oのインダグタンスを 0. 7 zz H程度に設定している。
このような構成とされる、 第 6 の実施の形態としてのチョーク コイル L oによれば、 上記のように巻線 N o として複数のリ ッツ 線 1 0 を整列又は平編みした状態で巻装することによって、 この チョークコイル L o における無効電力を低減することができる。 つまり、 第 1 9図に示した、 複数のリ ッツ線 1 0を整列させた リ ッツ線帯 1 1 とした場合は、 例えば先の第 5の実施の形態の塲 合のチヨ一クコイル L 0 (第 1 6図参照) のように、 1本の平角 線 5 aにより巻線を卷装する場合より も、 そのターン数は少なく て済む。 実際には、 第 1 6図の場合のチョークコイル L oでは 4 Tを巻装していたものを、 上記もしたようにこの場合は 2 Tで済 むものとなって、 その分巻線 N oの線材 (リ ッツ線 1 0 ) の長さ を短くすることができる。 そして、 このように各リ ッツ線 1 0の 長さを短くすることができることで、 巻線 N oの D C Rを低減し てチョークコイル L oの無効電力を低減することができるもので ある。
また、 巻線 N oを平編線 1 2 とする場合も、 同様に 1本の線材 により巻装する場合よりもその長さを短くでき、 これによつてチ ヨークコイル L oの無効電力を低減できる。 また、 この場合は、 リ ッツ線 1 0が交互に編み込まれることにより、 高周波の整流電 流が流れることによって巻線 N oに生じる渦電流損が低減され、 これによつてもチョークコイル L o の無効電力の低減が図られる ものとなる。
さらにこの場合は、 チョークコイル L oのコアとして、 比較的 低損失とされる M n— Z n系フェライ ト材を使用するものとし たことから、チョークコイル L 0 におけるコアの鉄損が低減され、 これによつても無効電力の低減が図られている。
また、 先に説明したようにして、 上記したリ ッツ線帯 1 1、 平 編線 1 2の端部のピン端子 1 5への取り付けに、 平角線によるリ —ド線 1 4を用いることによつても、 線材の断面積が増加する分、 例えば通常の円形断面を有するリ一 ド線を使用する場合よ り も 損失を低減できる。
第 2 2図は、 第 6の実施の形態のスイッチング電源回路におけ る、 負荷電力変動に対する AC→DC 電力変換効率 ( 77 AC→DC) の 特性を示す。 この図においても、 第 6の実施の形態としての電源 回路の特性を実線で示し、 第 1 2図の回路の特性を破線により示 す。
の図に示されるように、 第 6 の実施の形態のスイッチング電 源回路としても、 負荷電力 P o 2 5 W P o = l 0 0の範囲にわ た て 、 先の第 1 2図に示した実施の形態の基本構成の回路より も高い電力変換効率が得られていることがわかる。
そして、 実験によれば、 交流入力電圧 VAC= 1 0 0 V、 負荷電 力 P O = 1 0 0 W時における電力変換効率としては、 7] AC→DC =
9 1 • 5 %となる結果が得られた。 これは、 第 1 2 図に示した実 施の形態の基本構成の回路より も 5. 0 %向上するものである。
また 、 この結果は、 先の第 1 5 図に示した第 5の実施の形態の 回路の電力変換効率( 7? AC→DC= 8 8. 5 % ) と比較しても、 3.
0 %向上しているものである。
のように第 6の実施の形態の回路において、 第 5の実施の形 能の回路より も電力変換効率が向上しているのは、 上記もしたよ うにチョークコイル L oの巻線 N 0 として、 複数のリ ッッ線 1 0 によるリ ッッ線帯 1 1、 又は平編線 1 2 を用いたことにより、 第 1 5 図の回路の場合よ り もチョークコイル L oの D C Rが低減 されたことによるものである。
実験によれば、 第 6の実施の形態のチヨ一クコイル L 0 におけ る D C Rは、 0. 5 πιΩ以下となり、 第 5の実施の形態の場合の チ 3 クコイル L o の D C R = 1 . 1 m Ωよりも大幅に低減され る結果が得られている。
なお 、 確認のために述べておく と、 のような第 6 の実施の形 の電.源回路としても、 その回路構成は第 1 5図の回路と同等の ¾のとされていることから、 第 5 の実施の形 の場合と同等の効 果を得ることができる。
例えば、 この場合としても、 チ a一クコィル L oの逆起電力に よって整流電流の逆方向電流を抑制することができる。 また、 こ の場合も、 MO S— F E T Q3 Q4 に接続されていたショ ッ トキ ダイオード D g 1 D g 2は削除されるので、 二次側直流出力電 圧 E o に重畳するとされる高周波のスィ ツチングノイズを抑制 することができる。
さらに、 この場合としても、 チヨ一クコイル L oは二次巻線の 各センタータップに接続されるようにして挿入されるから、 連続 モー ドとするにあたっての二次巻線の巻数を少なくすることが でき、 これによる無効電力の低減が図られる。
また、 第 6の実施の形態では、 上記チョークコイル L oのコア 材として、 M n— Z n系フェライ ト材による E E形コア C R 1 1 を選定しているが、 このような M n— Z n系フェライ ト材として も、 比較的高い飽和磁束密度を得ることができるものである。 こ のことから、 第 6の実施の形態としても、 チョークコイル L oの インダクタンス値を電流レベルの変動に対して安定化する こと ができる。
つまり これによつて、 この場合も所要以下の軽負荷の条件 (例 えば負荷電力 P 0 = 1 2. 5 W以下) となった際に、 二次側直流 出力電圧 E 0 に生じるとされていたリ ップルの発生を防止する ことができる。
また、 さらに第 6の実施の形態では、 チョークコイル L oのコ ァとして、 E字形コアとしての 2つ E E形コア C R 1 1 を組み合 わせた.コアとしたことから、 そのインダクタンスの設定は、 これ ら E E形コア C R 1 1 の中央磁脚に対して形成されるギャ ップ 長の設定により可能となる。
つまり この場合、 チョークコイル L oのインダクタンス値は、 このようなギャップ長の管理という比較的簡易な調整によって、 そのバラつきを抑えることができるものである。
なお、 このような E E形コア C R 1 1 を用いるようにした本例 のチヨ一クコイル L oの、 量産時におけるインダクタンス値のバ ラつきは、 先に例示したギャップ G = l . 4 mmを管理することに よって例えば ± 5 %以内に抑えることができる。
続いて、 以下の第 2 3図〜第 2 6図には、 第 6の実施の形態の チョークコイル L oの変形例について示す。
第 6の実施の形態の変形例としても、 チョークコイル L oの巻 線 N oには、 先の第 1 9図に示したようなリ ッツ線帯 1 1、 又は 第 2 0図に示した平編線 1 2 を用いるものとしている。
そして、 この場合は、 第 2 3図に示すようにして、 上記リ ッツ 線帯 1 1 の両端には、 それぞれ L字型に折り曲げたリ一ド線 1 4 (平角線) を半田付けするものとしている。
同様に、 平編線 1 2 を用いる場合としても、 第 2 4図に示すよ うにしてその両.端には、 L字型に折り曲げた平角線によるリード 線 1 4を半田付けするものとしている。
そして、 このようなリード線 1 4の先端には、 図示するように 予備半田を行うものとしている。 なお、 この場合のリ ッツ線 1 0の線径/束数、 本数、 及び長さ は、 それぞれ先の第 1 9図、 第 2 0図の場合と同等とされればよ い。
そして、 この場合のチョークコイル L oのコアとしても、 第 2 5図の断面図に示すように、 その断面形状が E E字形とされたコ ァを用いるようにしている。
ここでのチョークコイル L oのコアとしては、 断面形状は E E 字形状とされるが、 その中央磁脚が円筒形状とされた、 E R形コ ァ C R 1 2 を用いる。
そして、 このような E R形コア C R 1 2の中央磁脚に対しては、 この場合もギャップ Gを形成する。 さらに、 この場合の E R形コ ァ C R 1 2の材質としても、 先の第 2 1 図の E E形コア C R l 1 と同様に、 M n— Z n系フェライ ト材を選定している。
その上で、 第 6の実施の形態の変形例においては、 このような E R形コア C R 1 2 の外面両端に備えられるピン端子支持部 1 6、 1 6 に対し、 それぞれ所定位置に溝部 1 6 aを形成しておく ようにする。
そして、 先ずは一方のピン端子支持部 1 6 にて形成される溝部 1 6 aに対して、 先の第 2 5図又は第 2 4図に示した卷線 N oの 巻き始め側端部に取り付けられたリー ド線 1 4の先端部分を揷 通させた上で、 図示するポビン Bに対して巻線 N oを巻回する。
さ らに、 このように巻回した巻線 N oの、 巻き終わり側となる 端部に取り付けられたリード線 1 4の先端部分を、 他方のピン端 子支持部 1 6 に形成した溝部 1 6 aに揷通させて、 チョークコィ ル L 0 を形成するものである。
このような変形例としてのチョークコイル L o によっても、 巻 線 N o として、 複数のリ ッツ線 1 0 によるリ ッツ線帯 1 1又は平 編線 1 2が巻装されるので、 第 1 6図に示した 1本の平角線 5 a とされる場合よりも線材の長さを短くでき、 これによつてチョー クコイル L o における無効電力を低減することができる。
つまり、 この変形例の構成によっても、 第 6の実施の形態と同 様の効果が得られるものである。
さらに、 この場合は、 上記のようにリ ッツ線帯 1 1、 平編線 1 2の両端に取り付けたリード線 1 4、 1 4の先端部を予備半田し た上で、 これらを溝部 1 6 aに挿通するようにしたことにより、 この予備半田した端部を直接基板に対して取り付ける ことが可 能となって、 リード線 1 4をチヨ一クコイル L 0 のピン端子 1 5 に対して半田付けする必要がなくなるというメリ ッ トもある。
また、 さらに第 2 6図の断面図には、 第 6の実施の形態のチヨ ークコイル L o として、 他の変形例の構成を示す。
第 6の実施の形態の他の変形例では、 第 2 6図に示すようにし て、 絶縁コンバータ トランス P I Tにおける、 二次側に位置する ようにされたコアに対して、 チョークコイル L oのコアを隣接さ せるようにして設けたものである。
すなわち、 絶縁コンバータ トランス P I Tの二次側に位置する ようにされた E型コア C R 2 の外面に対して、 その磁脚を対向さ せるようにしてチョークコイル L o の E R形コア C R 1 2 を設け る。 そしてこの場合は、 このような E型コア C R2 の外面と、 E R形コア C R 1.2 の中央磁脚との間に対してギャップ Gが形成 されるようにしたものである。
なお、 E R形コア C R 1 1 としては、 この場合の絶緣コンバー 夕 トランス P I Tの E型コア C R 1 、 C R 2 と同サイズとなる、 例えば E R— 4 0型を選定すればよい。
このような第 6 の実施の形態の他の変形例によっては、 E R形 コアの中央磁脚に対して設けられたポビン Bに対して、 リ ッッ線 帯 1 1.又は平編線 1 2 による巻線 N o を 1 Tのターン数により 巻装し、 且つ上述したように形成されるギャップ Gとして G= l mmを設定した場合に、第 6の実施の形態の回路と同等の効果を得 ることができる。
なお、 本発明としては、 これまでに説明した電源回路の構成に 限定されるものではない。
例えば、 本発明に基づいた巻線電圧検出方式の同期整流回路の 細部の構成については適宜変更されてよい。 また、 例えば一次側 スイッチングコンバータのスイ ッチング素子としては、 I G B T (Insulated Gate Bipolar Trans i s t or)など、 他励式に使用可能 な素子であれば、 MO S— F E T以外の素子が採用されて構わな い。 また、 先に説明した各部品素子の定数なども、 実際の条件等 に応じて変更されて構わない。
また、 本発明としては、 自励式による電流共振形コンパ一夕を 備えて構成することも可能とされる。 この場合には、 スィッチン グ素子として例えばバイポーラ トランジスタを選定することが できる。 さらには、 4石のスイッチング素子をフルブリ ッジ結合 した電流共振形コンバータにも適用できる。
また、 商用交流電源を入力して直流入力電圧を得る整流回路と しても、 例えば.倍電圧整流回路以外の構成とすることが考えられ る。

Claims

請求の範囲
1 . 複数のスイ ッチング素子を備えて形成され、 入力された直 流入力.電圧を断続するようにしてスィ ツチン を行うスィ ツチ ング部と、
上記複数のスイ ッチング素子が交互にオンオフするようスィ ツチング駆動する一次側駆動部と、
上記スイ ッチング部からのスイ ッチング出力を一次側から二 次側に伝送するものであり、 一次巻線とセンタータップしたタツ プ出力を有する二次巻線が巻装される絶縁コンバータ トランス であって、 ギャップ長を所定以上とすることで、 上記一次巻線と 上記二次巻線の結合係数を所定以下に設定される絶縁コンバー 夕 卜ランスと、
少なく とも、 上記絶縁コンバータ トランスの一次巻線の漏洩ィ ンダク夕ンス成分と、 自己のキャパシタンスとによって上記スィ ツチング部の動作を共振形とするための一次側共振回路を形成 する一次側共振コンデンサと、
上記二次巻線のタップ出力に接続される二次側平滑コンデン サを有し、 上記絶縁コンバータ トランスの二次巻線に誘起される 交番電圧を全波整流して上記二次側平滑コンデンサに整流電流 を充電することで、 上記二次側平滑コンデンサの両端電圧として 二次側直流出力電圧を得るようにされた同期整流回路と、
を備えるもの.とされ、
上記一次卷線と二次巻線のターン数は、 上記二次側直流出力電 圧に接続される負荷条件の変動にかかわらず、 上記全波整流動作 により同期整流回路に流れる二次側整流電流が連続モー ドとな るように設定されると共に、
上記同期整流回路は、
上記二次巻線のタップ出力により分けられた一方の端部と二 次側基準電位との間に直列接続される第 1 の電界効果卜ランジ ス夕と、
上記二次巻線のタップ出力に り分けられた他方の端部と二 次側基準電位との間に直列接 される第 2 の電界効果 ランジ ス夕と、
上記第 1 の電界効果卜ランンス夕が整流電流を流すベさ半波 の期間に対応する二次巻線電圧を抵抗素子により検出して、 上記 第 1 の電界効果トランジスタをオンとするためのゲー ト電圧を 出力するようにされた第 1 の駆動回路と、
上記第 2 の電界効果トランジスタが整流電流を流すべき半波 の期間に対応する二次巻線電圧を抵抗素子により検出して、 上記 第 2 の電界効果トランジスタをオンとするためのゲ一 ト電圧を 出力するようにされた第 2 の駆動回路と、
さ らに、 上記二次巻線のタップ出力により分けられた一方の端 部と上記第 1 の電界効果トランジスタとの間、 及び上記二次巻線 のタップ出力によ り分けられた他方の端部と第 2 の電界効果ト ランジス夕との間に、 それぞれ直列に挿入された所要のインダク タンスによる第 1 のインダクタ素子を備える
ことを特徴とするスイッチング電源回路。
2 . 上記二次.巻線の夕ップ出力と上記平滑コンデンサとの間に 直列に挿入された第 2 のインダク夕素子を備えることを特徴と する請求の範囲第 1項に記載のスイッチング電源回路。
3 . 第 1 のインダク夕素子は、 上記第 1 または第 2 の電界効果 トランジスタの ドレイ ン電極のリー ド線を揷通する筒形状の磁 性体により形成されることを特徴とする請求の範囲第 1項に記 載のスイッチング電源回路。
4 . .上記第 1 のインダク夕素子は、 プリント配線基板における 配線パターンを螺旋状とすることにより形成されることを特徴 とする請求の範囲第 1項に記載のスイッチング電源回路。
5 . 複数のスイッチング素子を備えて形成され、 入力された直 流入力電圧を断続するよう にしてスイ ッチングを行うスィ ッチ ング部と、
上記複数のスイ ッチング素子が交互にオンオフするようスィ ツチング駆動する一次側駆動部と、
上記スイ ッチング部からのスイ ッチング出力を一次側から二 次側に伝送するものであり、 一次巻線とセンタ一タップしたタツ プ出力を有する二次巻線が巻装される絶縁コンバータ トランス であって、 ギャップ長を所定以上とすることで、 上記一次巻線と 上記二次巻線の結合係数を所定以下に設定される絶縁コンバー 夕 卜ランスと、
少なく とも、 上記絶縁コンバータ トランスの一次巻線の漏洩ィ ンダクタンス成分と、 自己のキャパシタンスとによって上記スィ ツチング部の動作を共振形とするための一次側共振回路を形成 する一次側共振コンデンサと、
上記二次巻線のタップ出力に接続される二次側平滑コンデン サを有し、 上記絶縁コンバータ トランスの二次巻線に誘起される 交番電圧を全波整流して上記二次側平滑コンデンサに整流電流 を充電することで、 上記二次側平滑コンデンサの両端電圧として 二次側直流出力電圧を得るようにされた同期整流回路と、 を備えるものとされ、
上記一次巻線と二次巻線のターン数は、 上記二次側直流出力電 圧に接続される負荷条件の変動にかかわらず、 上記全波整流動作 によ り.同期整流回路に流れる二次側整流電流が連続モー ドとな るように設定されると共に、
上記同期整流回路は、
上記二次巻線のタップ出力により分けもれた一方の端部と二 次側基準電位との間に直列接続される第 1 の電界効果トランジ ス夕と、
上記二次巻線のタップ出力により分けられた他方の端部と二 次側基準電位との間に直列接続される第 2 の電界効果 トランジ ス夕と、
上記第 1 の電界効果トランジスタが整流電流を流すべき半波 の期間に対応する二次巻線電圧を抵抗素子により検出して、 上記 第 1 の電界効果トランジスタをオンとするためのゲー ト電圧を 出力するようにされた第 1 の駆動回路と、
上記第 2 の電界効果卜ランジス夕が整流電流を流すべき半波 の期間に対応する二次巻線電圧を抵抗素子により検出して、 上記 第 2 の電界効果トランジスタをオンとするためのゲー ト電圧を 出力するようにされた第 2の駆動回路と、
さらに、 上記二次卷線部のタップ出力と上記平滑コンデンサと の間に直列に挿入される所要のイ ンダクタンスによるイ ンダク 夕素子を備える
ことを特徴とするスイ ッチング電源回路。
6 . 上記二次側直流出力電圧のレベルに応じて、 上記スィッチ ング部のスイッチング周波数を可変制御することで、 上記二次側 直流出力電圧についての定電圧制御を行うようにされた定電圧 制御部をさ らに備える ことを特徴とする請求の範囲第 5項に記 載のスィツチング電源回路。
7 . 上記スイッチング部を形成する複数のスィッチング素子の うち 、 少なく とも一方のスイッチング素子に対して並列に接続さ れる部分共振コンデンサのキャパシタンスと、 上記絶縁 ンパ ― 夕 卜ランスの一次巻線の漏洩ィ ンダクタンス成分によつて形成 され 、 上記一方のスィツチング素子のターンオフ期間に部分電圧 共振動作を行なう一次側部分電圧共振回路を、 さらに備えること を特徴とする請求の範囲第 1項または第 5項に記載のスィ ッチ ング電源回路。
8 .. 上記インダクタ素子は、 平角線により円筒状に縦巻きされ た巻線を有する平板状のフェライ トコアと上記円筒状の巻線に 挿入されるポッ ト型の金属系ダス トにより構成され、 所要の飽和 磁束密度と所要のイ ンダクタンスを有するようにされたチョー クコイルであることを特徴とする請求の範囲第 5項に記載のス イッチング電源回路。
9 . 上記インダクタ素子は、 M n — Z n系フェライ ト材による E E形コアの磁脚に対して所要ターン数により巻線が巻装され て、 所要の飽和磁束密度を有すると共に、 所要のインタクタンス を有するようにされたチョークコイルであることを特徴とする 請求の範囲第 5項に記載のスイ ッチング電源回路。
1 0 . 上記チョークコイルの巻線として、 複数のリ ッツ線を平 行に整列させて帯状としたリ ッッ線帯を巻装したことを特徴と する請求の範囲第 9項に記載のスイ ッチング電源回路。
1 1 . 上記チョークコイルの巻線として、 複数のリ ッツ線を平 編みした平編線を巻装したことを特徴とする請求の範囲第 9項 に記載のスイッチング電源回路。
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