WO2005019133A1 - 窒化珪素質焼結体およびその製造方法、並びにそれを用いた耐溶融金属用部材、耐摩耗用部材 - Google Patents

窒化珪素質焼結体およびその製造方法、並びにそれを用いた耐溶融金属用部材、耐摩耗用部材 Download PDF

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    • C04B2235/85Intergranular or grain boundary phases
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    • C04B2235/9669Resistance against chemicals, e.g. against molten glass or molten salts
    • C04B2235/9684Oxidation resistance
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
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    • Y10T428/12493Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • Y10T428/12535Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.] with additional, spatially distinct nonmetal component
    • Y10T428/12576Boride, carbide or nitride component

Definitions

  • Silicon nitride based sintered body method for producing the same, and member for molten metal and wear member using the same
  • the present invention relates to a silicon nitride based sintered body having excellent thermal and mechanical properties.
  • the present invention relates to a silicon nitride based sintered body having excellent thermal shock resistance and mechanical strength, and a method for producing the same.
  • the present invention relates to various members using the silicon nitride sintered body, particularly to a member for molten metal which is optimal for metal structure and a member for wear resistance which is optimal for a pulverizer.
  • a silicon nitride-based sintered body is a member excellent in thermal characteristics and mechanical characteristics, and has been introduced in various patent publications and literatures.
  • Patent Document 2 discloses a silicon nitride obtained by dispersing crystal grains of at least one metal silicide of W, Mo, Cu, Mn, Fe and Nb in a grain boundary layer in a sintered body. Quality sintered bodies have been proposed.
  • Patent Document 3 proposes a silicon nitride-based sintered body in which a compound comprising a high melting point metal—Fe—Si_ ⁇ is formed in a grain boundary layer.
  • Patent Document 4 discloses that a grain boundary layer of a silicon nitride sintered body contains particles made of silicides such as W and Fe, and Ti compounds (nitrides, carbonitrides, oxynitrides). It has been proposed to obtain a silicon nitride-based sintered body in which a silicide such as Fe is aggregated around a Ti compound.
  • Patent Document 1 JP-A-5-148031
  • Patent Document 2 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-206774
  • Patent Document 3 JP 2001-106576 A
  • Patent Document 4 JP-A-11-267538
  • the silicon nitride-based sintered body of Patent Documents 1-4 has a problem that the mechanical strength is not sufficient.
  • a silicon nitride sintered body may be subjected to a mechanical stress force S by receiving a force such as compression, tension, or torsion.
  • a metal silicide is contained in the grain boundary layer.
  • the stress tends to concentrate on a single metal silicide. Therefore, there is a problem that the metal silicide in which the stress is concentrated becomes a fracture source and a crack is generated between the silicon nitride crystal and the metal silicide, and as a result, the mechanical strength is reduced.
  • a mechanical stress force S by receiving a force such as compression, tension, or torsion.
  • a metal silicide is contained in the grain boundary layer.
  • the stress tends to concentrate on a single metal silicide. Therefore, there is a problem that the metal silicide in which the stress is concentrated becomes a fracture source and a crack is generated between the silicon n
  • a material having a large difference in thermal expansion coefficient between a silicon nitride crystal and a plurality of metal silicides to be contained has a problem that thermal shock resistance is low.
  • a metal silicide contains a silicide of W and a silicide of Fe
  • the difference in thermal expansion coefficient between the crystal of silicon nitride and the silicide of W, or the crystal of silicon nitride and the silicide of Fe is large. Therefore, when a thermal stress is applied to the silicon nitride-based sintered body due to a thermal shock, a crack is easily generated between the silicon nitride-based crystal and the metal silicide, and the thermal shock resistance is reduced. .
  • the present invention has been devised in view of the above problems, and has mechanical and thermal characteristics.
  • Another object of the present invention is to provide various members using the silicon nitride-based sintered body, in particular, a member for a molten metal and a member for abrasion resistance.
  • a silicon nitride-based sintered body of the present invention includes a silicon nitride-based sintered body having a crystal of silicon nitride and a grain boundary layer including at least two of the following first to third metal silicides.
  • each of the first and third metal silicides comprises the following metal silicide
  • the grain boundary layer has an adjacent phase in which at least two of the first and third metal silicides are in contact with each other.
  • First metal silicide Metal silicide consisting of at least one first metal element among Fe, Cr, Mn and Cu
  • Second metal silicide A metal silicide composed of at least one second metal element of W and Mo
  • Third metal silicide A metal composed of a plurality of metal components including the first metal element and the second metal element Silicide
  • the first metal element is Fe and the second metal element is W.
  • the adjacent phase is preferably formed such that the first metal silicide surrounds the second metal silicide or the third metal silicide.
  • the silicon nitride crystal preferably has an average particle size of 15 ⁇ m or less.
  • the first metal element was 0.210% by mass in total
  • the second metal element was 0.1-0.1% in total.
  • the content is in the range of 3% by mass and the first metal element is contained more than the second metal element.
  • the silicon nitride-based sintered body includes a Si powder or a mixed powder of a Si powder and a silicon nitride powder, a powder made of a compound of the first metal element having an average particle size of 0.5 to 20 zm, and an average particle size. Is preferably obtained by molding and firing a powder containing 0.15 ⁇ m and a powder comprising the compound of the second metal element.
  • the adjacent phase is preferably formed such that the second metal silicide surrounds the first metal silicide or the third metal silicide.
  • the first metal element is in a range of 0.01 to 2% by mass in total and the second metal element is in a range of 0.2 to 10% by mass in total, and the second metal element is more than the first metal element. It is preferable to contain.
  • the silicon nitride-based sintered body includes a Si powder or a mixed powder of a Si powder and a silicon nitride powder; a powder made of the compound of the first metal element having an average particle size of 0.1-5 / m; It is also preferable that the powder is obtained by molding and firing a powder containing a powder of the second metal element having a diameter of 1 to 30 ⁇ m.
  • the method for producing a silicon nitride-based sintered body of the present invention includes the steps of: adding a powder of Fe, Cr, Mn, and Cu having an average particle diameter of 0.1 to 20 At least one compound of the first metal element is wet-mixed with at least one compound of the second metal element of W and Mo having an average particle size of 0.130 xm, and the mixture is dried. Mixing the pre-mixed powder to produce a raw material powder,
  • a molding step of producing a molded body comprising the raw material powder and an organic binder
  • a compound of the first metal element having an average particle size of 0.5 to 20 / m and a compound of the second metal element having an average particle size of 0.15 xm are used as the premixed powder.
  • the total amount of the first metal element is in the range of 0.2 to 10% by mass and the total amount of the second metal element is in the range of 0.13% by mass.
  • the temperature drop rate in the firing step is 50 ° C.Z hours or more.
  • a compound of the first metal element having an average particle size of 0.1 to 5 ⁇ m and a compound of the second metal element having an average particle size of 1 to 30 zm a compound of the first metal element having an average particle size of 0.1 to 5 ⁇ m and a compound of the second metal element having an average particle size of 1 to 30 zm;
  • the first metal element is in a range of 0.01 to 2% by mass in total, and the second metal element is in a range of 0.210% by mass in total, and the second metal element is more than the first metal element. It is preferable that a large amount be contained in the silicon nitride sintered body.
  • the member for molten metal of the present invention uses the silicon nitride-based sintered body, and the wear-resistant member of the present invention uses the silicon nitride-based sintered body. It is characterized by
  • the present inventors have found that the presence of adjacent phases in which at least two of the first and third metal silicides are in contact with each other causes mechanical stress and thermal stress to occur in a single metal silicide. It has been found for the first time that concentration can be suppressed, thereby improving the mechanical properties and thermal shock resistance of the silicon nitride sintered body. That is, according to the present invention, it is possible to provide a silicon nitride sintered body having excellent mechanical properties and thermal shock resistance.
  • FIG. 1 is a schematic view of an SEM photograph of a silicon nitride-based sintered body of the present invention.
  • a silicon nitride-based sintered body of the present invention is a silicon nitride-based sintered body having a crystal of silicon nitride and a grain boundary layer containing at least two of the following first to third metal silicides.
  • the grain boundary layer is a silicon nitride sintered body having an adjacent phase in which at least two of the first and third metal silicides are in contact with each other.
  • the first metal element refers to at least one selected from the group consisting of Fe, Cr, Mn, and Cu forces, and a metal silicide composed of the first metal element is converted to a first metal silicide. It is a thing.
  • the second metal element indicates at least one of W and Mo, and a metal silicide composed of the second metal element is defined as a second metal silicide.
  • the third metal element is a multiple metal component composed of the first metal element and the second metal element, for example, a metal component containing W and Fe, and a metal silicide composed of the third metal element. Is the third metal silicide.
  • the silicon nitride crystal is mainly formed in a needle shape, and includes a / 3-type silicon nitride crystal or a '-sialon crystal having the same crystal structure as that of the type silicon nitride.
  • the average particle size is preferably 30 xm or less.
  • the average particle size in this case is indicated by the average particle size of the major axis of the needle-shaped crystal.
  • mechanical properties such as mechanical strength and thermal properties such as thermal shock resistance can be improved.
  • There are various methods for measuring the average particle size as follows.
  • a method of identifying the crystal of silicon nitride using an X-ray microanalyzer and measuring the major axis of the crystal, or etching or chemically etching the grain boundary layer on the surface of the mirror-finished silicon nitride sintered body There is a method of measuring the major axis after removal from the surface by treatment. In each case, multiple measured major axis data It is calculated by averaging.
  • the grain boundary layer of the present invention refers to a region surrounded by silicon nitride crystal grains, and in some grain boundary layers, the first to third metal silicides exist alone. Some exist as adjacent phases. That is, in the present invention, the force S required that the first to third metal silicides are present in the grain boundary layer as an adjacent phase, and necessarily exist in all grain boundary layers as an adjacent phase. Need not be.
  • the adjacent phase may be formed as long as at least one of the first and third metal silicides is adjacent to each other. More preferably, one of at least two of the first and third metal silicides surrounds part or all of the other. This will be specifically described with reference to FIG.
  • FIG. 1 is an example of a cross section 10 of the silicon nitride sintered body of the present invention.
  • FIG. 1 is a schematic view of a photograph obtained by mirror-polishing the cross section 10 and observing the mirror surface with a scanning electron microscope (SEM). I have.
  • the mirror-polished cross section 10 of the silicon nitride sintered body has a grain boundary layer 20 between silicon nitride crystal grains 12.
  • the grain boundary layer 20 contains the first metal silicide 16, the second metal silicide 18, and the third metal silicide 22, forming various adjacent phases 14.
  • the adjacent phase 14 includes the first metal silicide 16a and the second metal silicide 18a adjacent to each other, the first metal silicide 16b surrounding the second metal silicide 18b, The force in which the metal silicide 16c surrounds the second metal silicide 18c.
  • the second metal silicide 18c is partially exposed.
  • the first and third metal silicides form adjacent phases in the grain boundary layer, it is possible to improve the mechanical properties and thermal shock resistance of the silicon nitride sintered body. it can.
  • the reason is presumed as follows.
  • the first-third metal silicide forms an adjacent phase in the grain boundary layer, mechanical stress and thermal stress concentrate on the metal silicide as compared to the case where the metal silicide is present alone. Is suppressed.
  • the mechanical properties and thermal shock resistance of the silicon nitride sintered body can be improved. That is, since the first to third metal silicides forming the adjacent phase occupy a large proportion of the grain boundary layer, stress is concentrated when mechanical and thermal stresses are applied. Easily ,.
  • the adjacent phase can suppress the growth of the crack in the crystal of silicon nitride, and can suppress the generation of cracks and cracks in the silicon nitride based sintered body.
  • first to third metal silicides exist individually without forming adjacent phases, as in the past, mechanical and thermal stress concentrates on the single first to third metal silicides. .
  • the first and third metal silicides serve as fracture sources and promote the propagation of cracks, so that cracks and cracks occur in the silicon nitride sintered body.
  • the first metal element is Fe and the second metal element is W.
  • Fe silicide of the first metal silicide composed of the first metal element and W silicide of the second metal silicide composed of the second metal element have similar crystal structures. Therefore, adjacent phases are easily formed remarkably. Therefore, the content ratio of the adjacent phase to the grain boundary layer is increased, and as a result, the mechanical and thermal properties, particularly, the mechanical strength and thermal shock resistance are further improved.
  • the first metal die-shaped object is FeSi
  • Si, WSi, WSi, WSi and MoSi force At least one selected from the group is preferable.
  • the third metal silicide is preferably a solid solution containing a plurality of metal components (compounds) containing Fe and W, for example, F and W.
  • metal silicides are preferred because these metal silicides are thermodynamically stable phases. If the phase is thermodynamically stable, phase transformation is unlikely to occur even when a mechanical stress or a thermal stress is applied, so there is no possibility that the mechanical stress or the thermal stress further increases with the phase transformation.
  • the Fe silicide of the first metal silicide includes at least one of FeSi and FeSi.
  • the W silicide of the second metal silicide is preferably FeSi.
  • the most preferred combination is FeSi as the first metal silicide and W as the second metal silicide.
  • Si is good. The reason is that both WSi and FeSi
  • the average particle size of the adjacent phase is preferably 30 zm or less, particularly preferably 15 to 5 ⁇ m. If the average particle size is larger than 30 x m, the mechanical and thermal stress cannot be sufficiently relaxed by the adjacent phase, so that the mechanical properties and thermal shock resistance cannot be remarkably improved.
  • the average particle size of the P-contact phase is a value obtained by measuring and averaging the particle sizes of a plurality of adjacent phases by observing the sintered body by enlarging it with a scanning electron microscope (SEM) or the like. The measurement can be performed in the same manner as the measurement of the average particle size of silicon crystals.
  • the content of the adjacent phase is preferably 0.01 to 10% by volume because the thermal shock resistance and the mechanical strength can be particularly improved. %, Optimal is 0.1 to 1% by volume.
  • the existence of the first to third metal silicides and the adjacent phase, and the content of the adjacent phase are measured as follows.
  • the existence of the first metal silicide 16, the second metal silicide 18, the third metal silicide 22, and the adjacent phase 14 shown in FIG. 1 is based on the X-ray diffraction method, microscopic X-ray diffraction method, X-ray microanalyzer ( Example: Wavelength dispersion type EPMA (Electron Probe Micro-Analyzer)), TEM (transmission electron microscope), etc.
  • the measurement is preferably performed using an X-ray microanalyzer or a TEM.
  • the content of the adjacent phase 14 is measured, for example, as follows.
  • the cross section of the sintered body is mirror-polished, and an electron beam is applied to a portion of this mirror surface of about 500 ⁇ m X 500 ⁇ m (hereinafter the area of this part is referred to as “area A”) using an X-ray microanalyzer.
  • area A the area of this part
  • the Si, first and second metal elements Map intensity.
  • the area of the first portion (second metal silicide 18) containing Si and at least one of the second metal elements, and (2) Si, and , At least one of the first metal elements, the S-rich second part (the first gold The area of the group silicide 16) and (3) the area of the portion (third silicide 22) containing Si and the first and second metal elements are determined.
  • the area A may be appropriately changed in the magnification at the time of measurement so that the first to third silicides and the adjacent phase 14 can be identified. It is preferable to use an X-ray microanalyzer and a TEM to confirm the crystal phase contained in the adjacent phase 14.
  • the first metal silicide surrounds the second metal silicide or the third metal silicide to form an adjacent phase. Since the fracture toughness of the first metal silicide tends to be higher than that of the second metal silicide or the third metal silicide, if a large mechanical stress is applied, the silicon nitride-based sintered body may crack. Cracking is suppressed, and mechanical properties can be improved.
  • the average particle diameter of the crystal of silicon nitride is 15 / im or less. If the average grain size of the silicon nitride crystal exceeds 15 ⁇ m, the fracture toughness decreases and the mechanical strength tends to decrease.
  • the average particle size indicates the average particle size of the major axis of the needle-shaped crystal as described above. Particularly preferably, when the average particle diameter of the major axis is 15 / im or less and the average particle diameter of the minor axis is 2 / im or less, uneven distribution of the grain boundary layer is suppressed, whereby the adjacent phase is contained in the sintered body. Can be evenly dispersed
  • the first metal silicide can be formed so as to surround the second metal silicide or the third metal silicide.
  • the characteristics can be improved.
  • the first metal element is in a range of 0.210% by mass and the second metal element is in a range of 0.1-3% by mass, so that the first metal element is contained more than the second metal element.
  • the first and second metal elements may be mixed as impurities in the production process in addition to the starting material of the silicon nitride sintered body.
  • most of the first and third metal elements contained in the sintered body are metal silicides and exist in the silicon nitride based sintered body even if they are impurities. Therefore, finally, in the silicon nitride sintered body of the present invention,
  • the amount of the contained metal element may be within the above range.
  • the proportion of the adjacent phases of the first metal silicide and the second metal silicide / third metal silicide is determined. And the mechanical properties can be further improved because the adjacent phase is dispersed in the grain boundary layer.
  • Si powder or a mixed powder of Si powder and silicon nitride powder a powder made of a compound of the first metal element having an average particle diameter of 0.5 to 20 zm, and a powder having an average particle diameter of 0.1
  • the proportion of the mm phase can be increased, and the adjacent phase can be dispersed in the grain boundary layer. Therefore, the mechanical properties can be further improved.
  • the average grain size of the silicon nitride crystal may be controlled to 15 am or less.
  • the structure of the adjacent phase is reversed, that is, the second metal silicide is formed so as to surround the first metal silicide or the third metal silicide.
  • the second metal silicide tends to have a lower coefficient of thermal expansion than the first metal silicide or the third metal silicide. Therefore, it is considered that the thermal stress generated by the thermal expansion of the first metal silicide or the third metal silicide is reduced by the adjacent second metal silicide, and the thermal shock resistance is further improved.
  • the second metal silicide, the first metal silicide or the third metal silicide can be formed so as to surround the first-third metal silicide by making a difference in the content of the first-third metal silicide.
  • the first metal element is in the range of 0.01 to 2% by mass in total and the second metal element is in the range of 110 to 10% by mass, and the second metal element is contained more than the first metal element, good.
  • the first and second metal elements may also be mixed as impurities in the starting material of the silicon nitride-based sintered body or in the manufacturing process as described above. If the amount of metal element contained in the compact is within the above range, it is good.
  • Si powder or a mixed powder of Si powder and silicon nitride powder a powder made of a compound of the first metal element having an average particle diameter of 0.15 ⁇ m
  • a powder containing a second metal element compound having a particle size of 2 ⁇ m and a powder comprising The above-mentioned adjacent phase can be dispersed in the grain boundary layer by increasing the content ratio. Accordingly, it is possible to obtain a silicon nitride sintered body having particularly improved thermal shock resistance.
  • the grain boundary layer may further contain an amorphous phase composed of Group 3 element (RE), A1 and ⁇ in the periodic table. preferable.
  • a liquid phase is formed at a low temperature during firing, so that the silicon nitride crystals are fine and have a uniform particle size.
  • the amorphous phase can be formed in a sintered body by, for example, adding an oxide of a Group 3 element of the periodic table and aluminum oxide powder during the production process, followed by molding and firing as described below. .
  • the maximum in the firing step it is preferable to make the cooling rate up to 800 ° C higher than 100 ° C.
  • the Group 3 element means at least one element selected from Sc, Y, a lanthanoid element, and an actinoid element.
  • This RE is preferably composed mainly of at least one of Y, Er, Yb, and Lu because it can improve mechanical strength at high temperatures. Thereby, oxidation resistance in a high-temperature oxidizing atmosphere can be improved. In this case, RE evaporation can be more suppressed during firing than in cases other than RE force SY. Therefore, the material composition of the silicon nitride-based sintered body can be controlled with high accuracy, and variations in mechanical characteristics can be reduced.
  • the grain boundary layer contains at least one of an apatite phase, a bolastonite phase, and a disilicate phase.
  • the apatite phase is RE (Si) N
  • the bolastonite phase is RESiON
  • the silicate phase is a compound represented by RE Si ⁇ .
  • the grain boundary layer is a compound represented by RE Si ⁇ .
  • the ratio of Si and RE contained in the grain boundary layer is 0.210 in terms of the molar ratio of SiO / REO.
  • the silicon nitride sintered body should be 0.2-4 in terms of the molar ratio of SiO / RE O
  • This molar ratio can be determined as follows. Amount of oxygen (% by mass) contained in RE O and Al O converted to volume
  • the specific force of A1 and RE contained in the grain boundary layer is 0.2 in terms of the molar ratio of Al2O3 / RE2O.
  • the sinterability of the silicon nitride sintered body can be further improved, and the fracture toughness can be improved. More preferably, Al ⁇ / R
  • the molar ratio of A1 to RE is determined by ICP emission spectroscopy as follows.
  • the content (% by mass) of RE and A1 in the silicon nitride-based sintered body was measured by ICP emission spectroscopy, and this content was converted into the content (% by mass) in terms of RE O and Al O. I do. Sa
  • the content of the above-mentioned grain boundary layer is preferably less than 20% by volume.
  • the content of the grain boundary layer is particularly preferably 5 to 15% by volume.
  • the silicon nitride-based sintered body of the present invention has a relative density of 97% or more and an average void Diameter is 30 / im or less, fracture toughness is 5MPa * m1 / z or more, crushing strength is 2GPa or more, bending strength at room temperature is 650MPa or more, bending strength at 1000 ° C is 500MPa or more, and 1000MPa is 200MPa.
  • the amount of strain after applying 10 hours of stress of 2% or less, a thermal conductivity of 20W / (m * K) or more, the linear thermal expansion coefficient between room temperature one several hundred ° C is 3. 5 X 10- 6 / K or less.
  • the silicon nitride sintered body of the present invention is suitable for a member requiring excellent mechanical properties (mechanical strength, wear resistance, mechanical impact resistance, etc.) and thermal shock resistance. Can use power S.
  • the silicon nitride sintered body of the present invention can be used, for example, for members for the following uses.
  • the silicon nitride-based sintered body of the present invention can be used for a member for a molten metal resistant material according to the first embodiment described above. Since this member for molten metal has excellent mechanical shock resistance and particularly excellent thermal shock resistance, it can be suitably used as a member requiring thermal shock resistance, for example, a member for molten metal. . That is, when used as a molten metal member, cracking and cracking are suppressed even when a thermal shock is applied. In addition, since the adjacent phase is strongly sintered with the silicon nitride crystal, the amount of metal silicide contained in the adjacent phase that becomes an impurity and is desorbed and mixed into the molten metal can be reduced. It is possible to produce high quality metal with few impurities.
  • the silicon nitride-based sintered body of the present invention can be used for a wear-resistant member according to the second embodiment described above.
  • This wear-resistant member has excellent mechanical properties (mechanical strength, fracture toughness, abrasion resistance), not only excellent thermal shock resistance, so it is required to have thermal shock resistance and high mechanical properties. It can be suitably used as a wear-resistant member to be used. In particular, it can be suitably used for a material for a crusher such as a blade for crushing gravel and the like and a cutting tool chip, and is most suitable for a material for a crusher.
  • the wear-resistant member made of the silicon nitride sintered body of the present invention has a porosity of 3. By setting the ratio to / 0 or less, the wear resistance can be further improved.
  • the silicon nitride sintered body of the present invention has, as a main component, silicon nitride crystals having high fracture toughness, and an adjacent phase having an action of relaxing mechanical stress is provided in the grain boundary layer, Furthermore, since it is densely sintered, the crushing strength can be increased to 2 GPa or more where voids and minute defects are extremely small. Therefore, inorganic substances, such as metallic substances, fly to living things and It can be suitably used as a protective material and a shock-absorbing material when performing.
  • the silicon nitride-based sintered body of the present invention has a small average void diameter since the grain size of the crystal adjacent to silicon nitride is small and a compound that greatly inhibits sintering is not added.
  • sag relative density can be suitably used Kogu example 20 30 ° C small and linear thermal expansion coefficient of about 2 X 10- 6 ZK in damage, as a component for positioning tables high position accuracy is required.
  • it can be suitably used as a positioning table component for a semiconductor manufacturing apparatus requiring remarkable positional accuracy control.
  • the present invention can be applied to a mirror for an exposure apparatus for a semiconductor or liquid crystal manufacturing apparatus.
  • the method for producing a silicon nitride sintered body of the present invention comprises:
  • a mean particle size of at least one compound of at least one first metal element of Fe, Cr, Mn, and Cu with an average particle size of 0.120 ⁇ m A raw material production process of producing a raw material powder by mixing a premixed powder obtained by wet mixing and drying at least one second metal element compound of W and Mo of 0.1-30 ⁇ — ⁇ ; ,
  • a molding step of producing a molded body comprising the raw material powder and an organic binder
  • the method includes a nitriding step of substantially converting the degreased body into a nitride in a nitrogen gas atmosphere, and a firing step of firing the nitride in a non-oxidizing atmosphere containing nitrogen gas to produce a sintered body.
  • the process of including the adjacent phase in the grain boundary layer of the silicon nitride based sintered body of the present invention is as follows.
  • the compounds of the first and second metal elements are uniformly dispersed in the premixed powder without uneven distribution by the wet mixing as described above, and the compounds of the first and second metal elements are dried and dried.
  • a preliminary powder in which particles are adhered to each other.
  • the compounds of the first and second metal elements are uniformly dispersed, and the particles are adhered to each other.
  • it is used for wet mixing.
  • the solvent is preferably at least one of water, isopropyl alcohol, ethanol, and methanol. It is more preferable that the solvent contains water because the particles of the first and second metal element compounds can be firmly fixed to each other in the drying process.
  • particles of the compound of the first and second metal elements are fixed to each other by mixing the above-mentioned premixed powder with Si powder or a mixed powder of Si powder and silicon nitride powder, A raw material powder in which the uniformly mixed premixed powder is dispersed in the mixed powder can be produced.
  • the compound of the first metal element, the compound of the second metal element, and the compounds of the first and second metal elements respectively react with the Si component, and the first metal silicide respectively.
  • a precursor, a second metal silicide precursor, and a third metal silicide precursor, and at least two of the precursors form adjacent phase precursors in contact with each other.
  • the first and third metal silicide precursors and adjacent phase precursors indicate substances that are amorphous or not partially crystallized.
  • the adjacent phase precursor is formed because the particles made of the compound of the first metal element and the particles made of the compound of the second metal element are fixed to each other in the raw material powder.
  • the Si powder is contained in the raw material powder is to promote the reaction between the first and second metal elements and Si in the nitriding step to form an adjacent phase precursor. If the raw material powder does not contain Si powder, the reaction between the first and second metal elements and Si cannot be promoted, so that a nitride containing an adjacent phase precursor cannot be obtained.
  • the adjacent phase precursor contained in such a nitride crystallizes in the firing step to become an adjacent phase. Even when the contents of the first and second metal elements in the sintered body are the same, the content of the adjacent phase can be controlled by controlling the temperature and the holding time in the nitriding step.
  • the adjacent phase containing the third metal silicide can be used without using the compound containing both the first and second metal elements in the premixed powder.
  • the formation mechanism of this adjacent phase is considered to be, for example, as follows. That is, when the particles made of the compounds of the first and second metal elements were nitrided while adjoining each other, one of the first metal silicide precursor and the second metal silicide precursor dissolved in the other. Neither the solid solution nor the first and second metal silicide precursors are adjacent to each other. A precursor is formed.
  • the adjacent phase precursor becomes an adjacent phase in which the third metal silicide and the first or second metal silicide are adjacent to each other.
  • the powder having an average particle diameter of 0.120 xm composed of the compound of the first metal element and the average particle diameter composed of the compound of the second metal element A powder of 0.13 O zm is used.
  • the particle size in the above range the formation of the above-mentioned adjacent phase precursor in the nitriding step is promoted, and the ratio of the first to third metal silicides that contributes to the formation of the adjacent phase can be increased. it is conceivable that. This ratio can be increased as the powders are more uniformly mixed in the powder mixing step described above.
  • the pre-mixed powder preferably has a specific surface area of the pre-mixed powder is in the range of 3- 30m 2 / g. This can promote the nitridation in the nitriding step and increase the ratio of at least two of the first metal silicide, the second metal silicide, and the third metal silicide that contribute to the formation of the adjacent phase.
  • the mass ratio of the Si powder and the silicon nitride powder (the mass of the Si powder) / (the total mass of the Si powder and the silicon nitride powder) Is preferably 0.4-1.95. If this ratio is less than 0.4, the first to third metal silicide precursors and adjacent phase precursors may be formed. In addition, the dimensional accuracy of the obtained silicon nitride sintered body cannot be controlled with high accuracy. If this ratio is greater than 0.95, the nitriding of a thick degreased body is not preferable because the nitriding time becomes long and the production cost increases.
  • the reason why the molded body composed of the mixed powder and the organic binder is prepared is to reduce the variation in density in the molded body while keeping the molded body at a high density. This allows the sintering of the nitride to proceed uniformly throughout the entire sintered body during firing, so that the mechanical strength and thermal shock resistance of the silicon nitride-based sintered body can be improved.
  • Degreasing the organic binder in an atmosphere substantially consisting of nitrogen gas, argon gas, or a mixed gas thereof to produce a degreased body is performed by reducing carbon contained in the degreased body. This is because sinterability can be improved.
  • the above-mentioned degreasing is performed by placing the molded body in a furnace.
  • the degreasing step it is preferable to degrease in an atmosphere substantially consisting of nitrogen gas. Les ,. Degreasing in an atmosphere containing expensive gas such as helium or hydrogen increases the production cost, which is not desirable. Further, the degreasing temperature is preferably at most 1000 ° C, particularly preferably 500-900. C.
  • the reason why the atmosphere in the nitriding step is substantially nitrogen gas is that the following problem occurs when a gas other than the nitrogen gas, for example, hydrogen or helium is contained in the atmosphere in the nitriding step at 1% or more. Because. First, gases such as hydrogen and helium are expensive, which increases production costs. Second, in the case where a plurality of the compacts are placed in a batch-type furnace and nitrided, if the positions of the placed compacts in the furnace are different, the nitriding reaction of the compact to the nitride is performed. This is because the speed of the molding greatly differs from one compact to another, and it is extremely difficult to convert a plurality of compacts into nitride at the same time.
  • a gas other than the nitrogen gas for example, hydrogen or helium is contained in the atmosphere in the nitriding step at 1% or more. Because. First, gases such as hydrogen and helium are expensive, which increases production costs. Second, in the case where a pluralit
  • the nitriding is performed by placing the degreased body in a furnace. At this time, in order to nitride the degreased body in an atmosphere substantially composed of nitrogen gas, the oxygen gas concentration in the nitrogen gas introduced into the furnace is preferably 0.5% or less.
  • nitridation starts from the Si powder on the surface of the molded body in the nitriding step, and as time passes, nitridation of the Si powder existing inside the molded body proceeds.
  • the middle or at the end of the first nitriding step with the applied force S there is a state where the amount of Si inside is larger than the surface of the compact.
  • the temperature of the second nitriding step it is possible to control the abundance (content) of the adjacent phase. That is, by setting the temperature in the second nitriding step to be 1200 ° C. or more and less than 1400 ° C., 0.1-5% by volume of the adjacent phase can be contained in the silicon nitride based sintered body. If the temperature of the second nitriding step is 1100 ° C or more and less than 1200 ° C or 1400 ° C or more and 1500 ° C or less, the adjacent phase can contain only less than 0.1% by volume, It is not preferable because it is impossible to produce a silicon nitride sintered body having remarkably excellent characteristics.
  • the nitriding step at a temperature of 1000 1200 ° C., 10-70 mass% of the Si powder in the compact is converted into silicon nitride, and the arsenic rate of total silicon nitride in the degreased body is reduced.
  • a first nitriding step of 70% or more, and 1100 at 1500 ° C the remaining portion of the Si powder in the degreased body is converted into silicon nitride to obtain a nitride, and the arsenic rate of total silicon nitride in the nitride
  • the temperature of the second nitriding step is higher than the temperature of the first nitriding step.
  • the first nitriding step and the second nitriding step are performed consecutively because it is economical. Since the nitride produced through the first and second nitriding steps can have an arsenic rate of 60% or more on both the surface and inside, the mechanical strength of the resulting silicon nitride sintered body is improved. Can be done. When the arsenic rate of the nitride is less than 60%, the sintering density of the silicon nitride-based sintered body does not increase, and it is difficult to improve the mechanical strength of the silicon nitride-based sintered body.
  • the arsenic rate of the nitride after completion of the nitriding step is 80% or more.
  • the sintering process is performed at a low nitrogen partial pressure of 50 to 200 kPa, the sintering process is extremely more expensive than a silicon nitride sintered body manufactured at a high manufacturing cost such as sintering in a high-pressure gas or HIP sintering. Inexpensive silicon nitride sintered body can be manufactured. In addition, it is preferable that the above-described firing of the nitride is continuously performed in the same furnace after nitriding.
  • the maximum temperature in the firing step is preferably 1600 ° C or more.
  • the upper limit of the maximum firing temperature is preferably set to 1850 ° C.
  • the first metal silicide forms an adjacent phase so as to surround the second metal silicide or the third metal silicide.
  • the first metal element is larger than the second metal element
  • the first metal element is 0.210 mass% in total
  • the second metal element is 0.13 mass% in the sintered body.
  • the addition amount of the compound of the first metal element and the compound of the second metal element in the powder mixing step is controlled so as to be contained in the powder mixture.
  • an adjacent phase precursor is formed in the nitriding step so that the first metal silicide precursor surrounds the second metal silicide precursor or the third metal silicide precursor.
  • the content of the first and second metal elements may be controlled by, for example, removing impurities. Specifically, for example, when the metal Fe component is mixed into the raw material powder due to wear of a machine used in the powder mixing process, a magnetic field is applied to the powder after the powder mixing process to adsorb the Fe component. Then, by removing, it is possible to control the Fe content finally contained in the silicon nitride based sintered body.
  • the average particle diameter of the powder composed of the compound of the first metal element is set to 11 to 20 ⁇ m, and the average particle diameter of the powder composed of the compound of the second metal element is set to 0.1 to 5 zm.
  • the mechanical strength is further improved by further increasing the content of the adjacent phase in which the first metal silicide surrounds the second metal silicide or the third metal silicide.
  • a silicon nitride based sintered body can be manufactured.
  • the temperature drop rate in the firing step is 50 ° C / hour or more.
  • the reason why the content of the adjacent phase can be further increased by setting the cooling rate to 50 ° C / hour or more is considered as follows. That is, in the firing step, a liquid phase containing the first metal element, the second metal element, and silicon is generated in the grain boundary layer at a high temperature. This liquid phase contains fine particles of the second metal silicide or the third metal silicide. Thereafter, the temperature is rapidly reduced at 50 ° C / hour or more, whereby the first metal silicide is deposited adjacent to the fine second metal silicide or the third metal silicide, and the first metal silicide is reduced to the second metal silicide. It is thought that the adjacent phases formed to surround the metal silicide or the third metal silicide increase.
  • the cooling rate is lower than 50 ° C / hour, the rate at which the first metal silicide separates from the second metal silicide and the third metal silicide during the cooling may increase. P It is not possible to manufacture a silicon nitride sintered body with an increased content of the contact phase.
  • the rate of temperature decrease in the firing step is 50 ° C / hour or more within the range from the maximum temperature to 1000 ° C.
  • the reason is that at temperatures lower than 1000 ° C, the content, shape, crystal grain size, degree of crystallization, etc. of the adjacent phases formed at 1000 ° C or higher hardly change. This is because the temperature drop rate has little effect on thermal shock resistance and mechanical properties.
  • set the temperature reduction rate in the firing process to 50 ° CZ hours or more. In order to control the temperature, not only the firing temperature is controlled, but also a normal temperature nitrogen gas or the like is charged into the firing furnace and cooled.
  • the temperature of the object to be fired (a degreased silicon nitride-sintered body) and the temperature of the firing jig for placing the object to be fired may be different. By controlling the temperature to approximately 100 ° C / hour or more, the temperature falling rate of the material to be fired can be increased to 50 ° C / hour or more.
  • the average particle diameter of the Si powder as a starting material is 2 to 50 ⁇ m and the specific surface area of the degreased body to 230 m 2 Zg.
  • the long diameter of the crystal of the silicon nitride sintered body is reduced. Control the average particle size to 15 xm or less.
  • the average particle size of the Si powder is less than 2 xm, the temperature of the nitride rises rapidly due to the large amount of heat generated by the rapid nitridation reaction of the Si powder during the nitriding process, and the large silicon nitride Crystals may be formed, and as a result, the silicon nitride crystals grow abnormally in the firing step, so that the average grain size may exceed 15 ⁇ m. If the average particle size of the Si powder exceeds 50 zm, the large Si particles are nitrided in the nitriding step to produce large silicon nitride crystals, and the large silicon nitride crystals undergo further abnormal grain growth during the firing step. , The average particle size may exceed 15 / m.
  • the specific surface area of the degreased body By setting the specific surface area of the degreased body to 2-30 m 2 / g, a large amount of heat generated by the rapid nitriding reaction of the Si powder can be suppressed in the nitriding process, and large silicon nitride crystals were generated in the nitriding process. Even in this case, since the grain growth of the silicon nitride crystal during firing is suppressed, it is possible to control the average long diameter of the crystal of the silicon nitride sintered body to 15 ⁇ m or less.
  • the second metal element is larger than the first metal element, and the first metal element is 0.01-1% by mass in total, and the second metal element is 110% by mass in total in the sintered body.
  • the amounts of the compound of the first metal element and the compound of the second metal element in the above-mentioned powder mixing step are controlled so as to be contained in the powder mixing step.
  • the second metal silicide precursor forms an adjacent phase precursor formed so as to surround the first metal silicide precursor or the third metal silicide precursor. Can be done.
  • the impurities are removed in the same manner as described above to remove the first and second metal elements. Control the content.
  • the first 0.1 average particle size of the powder consisting of the compounds of metal elements 1-5 mu m, an average particle diameter 1 one 30 beta m of the powder consisting of the compounds of the second metallic element By doing so, the content of the surrounding second metal silicide can be increased, so that a silicon nitride-based sintered body having more excellent thermal shock resistance can be manufactured.
  • the reason is considered as follows. That is, if the average particle size of the powder composed of the compound of the second metal element is controlled at 110 ⁇ m, the second metal silicide becomes large crystals and is dispersed in the grain boundary layer at a high temperature during the firing step. .
  • the average particle size of the powder composed of the compound of the first metal element is controlled to 0.1—, the first metal element or the first metal element, which is extremely smaller than the second metal silicide at a high temperature during the firing step, is used. Then, a liquid phase or metal silicide containing the second metal element is generated in the grain boundary layer.
  • the first metal silicide or the third metal silicide crystallizes while being adjacent to the large second metal silicide crystal, so that the second metal silicide becomes the first metal silicide.
  • the content of the adjacent phase formed around the silicide or the third metal silicide increases.
  • the average particle size of the particles constituting the first and second metal element compounds is determined by, for example, measuring the particle size of each individual particle using a SEM photograph and averaging these particle sizes. I can do it.
  • the degreasing step, the nitriding step, and the sintering step are continuously performed in the same furnace, since the production cost of the silicon nitride-based sintered body is particularly reduced.
  • the powder (P) comprising the compound of the first metal element and the powder (P) comprising the compound of the second metal element are wet-mixed using water, and the obtained slurry is dried at 100 ° C. Then pre-mixed powder
  • Powder (P) was prepared. This pre-mixed powder (P) and silicon nitride (Si N) powder (average particle size 1
  • sintering aid powder is further added to the raw material powder consisting of zm, 90% ferrite ratio, 500 ppm Fe impurity content) and Si powder (3 ⁇ m average particle size, 800 ppm Fe impurity content).
  • the samples were weighed and mixed at the ratio shown in 1.
  • the contents of the raw material powder and the sintering aid powder are set so that the total of both is 100% by mass.
  • Fe ⁇ powder It is the total amount of Fe 2 O contained in the raw powder converted to Fe. Also, Fe ⁇ powder
  • the powder is iron oxide powder.
  • the average particle diameter of the powder (P) and the powder (P) is
  • the mixed powder, ethanol, and the silicon nitride pulverizing medium were charged into a barrel mill and mixed. Thereafter, to the obtained slurry, polybutyl alcohol (PVA) was added and mixed as an organic binder, and further granulated by a spray drier.
  • PVA polybutyl alcohol
  • the obtained granulated powder was molded at a molding pressure of SOMPa by a powder press molding method using a mold to produce a plurality of cylindrical molded bodies having an outer diameter of 60 mm and a thickness of 30 mm.
  • the organic binder (PVA) contained in the obtained molded body was degreased by maintaining it at 600 ° C for 3 hours in a degreased atmosphere shown in Table 2 to prepare a degreased body.
  • the degreased body was placed in a carbon mortar whose surface was made of silicon nitride, and was placed in a nitrogen partial pressure substantially consisting of nitrogen as shown in Table 2 at 1100 ° C for 20 hours for 1200 hours. Temperature of 10 hours at 12 ° C and 5 hours at 12 ° C (at a heating rate of 50 ° C / hour between steps) Nitriding to N
  • the sample was held at 1770 ° C. for 10 hours in the same nitrogen partial pressure and fired to prepare a sample of the present invention comprising a ⁇ -type silicon nitride sintered body.
  • a test piece according to JIS R1601 was cut out from the obtained sintered body, and the bending strength (average of seven pieces) was measured by a four-point bending test.
  • the fracture toughness was measured by the SEPB (single edge pre-cracked beam) method.
  • the cross section of the sintered body is mirror-polished, and an X-ray microanalyzer (JEOL Ltd.
  • a metal silicide composed of at least one metal of Mo silicide forming an adjacent phase with a metal silicide composed of at least one of S, Fe silicide, Cr silicide, Mn silicide and Cu silicide. I checked whether it was. As a result, all samples contained adjacent phases. In addition, among the following adjacent phases A to C, the adjacent phase contained most in each sample was analyzed. That is, the adjacent phase composed of the first metal silicide and the second metal silicide is the adjacent phase A, the adjacent phase composed of the first metal silicide and the third metal silicide is the adjacent phase B, and the second metal silicide is the first phase. Metal silicide The adjacent phase surrounding the sample is referred to as adjacent phase c, and the adjacent phase contained most in each sample is shown.
  • the content (% by volume) of the adjacent phase contained in the sintered body was measured as follows.
  • the cross section of the sintered body was mirror polished, and the mirror surface (area A) of the sample was observed at 3000 times magnification using an X-ray microanalyzer (JEOL Ltd. XA-8600M).
  • JEOL Ltd. XA-8600M X-ray microanalyzer
  • the intensity of each element of Mn, Cu, and Mo is displayed in color, and the first element containing Si and having at least one of Fe, Cr, Mn, and Cu relatively higher than other parts of the observation surface And a second portion containing Si and at least one of W and Mo being relatively more than the other portion of the observation surface, wherein the second portion is mutually separated from the first portion.
  • the area B of the adjacent phase in contact was measured, and the ratio of the area B to the area in the portion A was calculated. This ratio was defined as the content (vol%) of the adjacent phase 14.
  • the sample was heated to 650 ° C. by a heater block, and then dropped into water at 25 ° C. to check for cracks or cracks in the sample.
  • the first metal silicide is FeSi, FeSi
  • the adjacent phase contains a second metal silicide
  • the second metal silicide contains at least one selected from WSi, WSi, WSi, WSi and MoWSi.
  • Samples No. 1-10 had an adjacent phase in which the first metal silicide was formed to surround the second metal silicide or the third metal silicide.
  • Samples Nos. 11-15 had an adjacent phase in which the second metal silicide was formed to surround the first or third metal silicide.
  • Sample No. 13 which does not contain RE in the sintering aid, and Sample No. 8, which does not contain A1 in the sintering aid, are samples within the scope of the present invention. Fracture toughness could not be significantly improved.
  • Sample Nos. 16 to 23 which were silicon nitride sintered bodies of Comparative Examples, were produced and evaluated in the same manner as in the Examples.
  • the sample of the comparative example was prepared in the same manner as the example except for the following conditions. That is, the sample of the comparative example was not premixed, but powder (P), powder (P), Si powder, silicon nitride
  • Powder of iron oxide (Fe 2 O 3) with an average particle size of 0.8 ⁇ m and W ⁇ powder with an average particle size of 1 ⁇ m
  • This pre-mixed powder and silicon nitride (SiN) powder (average particle size 1 ⁇ , ⁇ conversion 90%
  • Example 2 m Al O powder and mixed, granulated and molded in the same manner as in Example 1 to obtain an outer diameter of 60 mm.
  • the mass ratio of iron oxide powder is converted to Fe
  • the mass ratio of WO powder is converted to W
  • the mass ratio of Si powder is Si
  • the specific surface area of the degreased body is measured by the BET method.
  • the obtained degreased body was placed in a carbon mortar whose surface was made of silicon nitride, and the temperature of the three steps shown in Table 3 was measured at a partial pressure of nitrogen of 150 kPa consisting essentially of nitrogen. Nitrogen was sequentially held at the holding time, and then the temperature was raised and held at 1,200 ° C for 3 hours in a nitrogen partial pressure of 120kPa for 3 hours, 1770 ° C for 10 hours, and 3 hours at 1800 ° C in a nitrogen partial pressure of 200kPa. After firing, a sample of the present invention comprising a / 3 type silicon nitride sintered body was obtained.
  • the bending strength of the obtained sample was measured in the same manner as in Example 1.
  • the cross section of the sintered body was mirror-polished, and a W silicide, a Fe silicide, and a silicide containing W and Fe were measured using an X-ray microanalyzer (JEOL Ltd. XA-8600M) in the same manner as in Example 1.
  • JEOL Ltd. XA-8600M X-ray microanalyzer
  • the presence or absence and content of crystals (adjacent phases) in which these silicides were adjacent to each other were measured, and the average particle size of the adjacent phases was measured.
  • the major axis of the silicon nitride crystal was determined from an SEM photograph, and the average value was calculated.
  • the contents of W and Fe in the sample after the four-point bending strength test were measured by ICP emission spectroscopy.
  • Example 2 a thermal shock test was conducted at 650 ° C as in Example 1, the sample was checked for cracks or cracks, and after heating the sample to 750 ° C, the sample was again placed in water at 25 ° C. It was dropped and examined for the occurrence of cracks or cracks.
  • Example 2 0% by mass was mixed and granulated in the same manner as in Example 2, and then molded and degreased to prepare a degreased body.
  • the obtained degreased body is placed in a silicon nitride-based mortar, and at a partial pressure of nitrogen of 150 kPa consisting essentially of nitrogen, 20 hours at 1050 ° C, 10 hours at 1120 ° C, 1 hour at 1170 ° C, Maintain at 1300 ° C for 3 hours in each step (heating rate at 25 ° C / hour between steps), nitriding Si into SiN with 90% or more arsenic rate, and then further increase temperature 150 kPa in nitrogen partial pressure of 120 kPa
  • the sample of the present invention consisting of a ⁇ -type silicon nitride sintered body was held for 3 hours at 0 ° C, 10 hours at 1770 ° C, and 3 hours at 1800 ° C in a nitrogen partial pressure of 200 kPa for 3 hours. Obtained.
  • Example 2 In the same manner as in Example 1, the obtained sample force test piece was cut out, and the bending strength and the fracture toughness were measured. The contents of Y O and Al are determined by ICP emission spectrometry.
  • G be the sum of 2 3 2 3 2 3 2 3.
  • SiO content is measured by total oxygen content using LECO oxygen analyzer.
  • the remaining oxygen amount was calculated in terms of SiO. Also, the particle size of silicon nitride should be mirror-polished.
  • the particle diameter in an arbitrary region of 200 / im ⁇ 200 / im of the cross section of the sintered body was measured and determined. Further, the presence or absence of an adjacent phase in each sample was measured in the same manner as in Example 1. The crystal structure of the adjacent phase was analyzed using TEM.
  • Sample Nos. 31-41 contained an adjacent phase composed of W silicide and Fe silicide, or an adjacent phase composed of W-Fe silicide (third silicide) and Fe silicide.
  • This adjacent phase included an adjacent phase in which W silicide was surrounded by Fe silicide, or an adjacent phase in which W—Fe silicide (third silicide) was surrounded by Fe silicide.
  • the crystalline phases of metal silicides contained in these adjacent phases were FeSi silicide containing Fe and WSi silicide containing W. Table 4
  • Sample Nos. 31-41 had high strength and fracture toughness. Also, SiO / R
  • E O dangling power SO. 2 10 Al O / RE O dangling power 0.2 ⁇ 5
  • the expression is ⁇ No. 32 ⁇ 35, 38 ⁇ 4
  • Sample No. 31 having a Si ⁇ / RE O ratio of less than 0.2 had a relative density of 97% and an Al O / R
  • Sample No. 36 which has an E O ratio of less than 0.2, has a relative density of 96%, indicating significant void volume inside.
  • a plurality of samples were prepared in the same manner as in Sample No. 31-35 of Example 3 except that the cooling rate from the maximum temperature to 800 ° C in the firing step was set to 200 ° CZ hours, and a plurality of samples were prepared in accordance with JIS R1601. To measure the four-point bending strength.
  • a test piece for measuring four-point bending strength according to JIS R1601 was oxidized at 1,000 ° C for 10 hours in the air, and then the four-point bending strength was measured according to JIS R1601.
  • X-ray diffraction was used to measure the surfaces of the specimens that had not been subjected to the oxidation treatment and the specimens that had been subjected to the oxidation treatment, and the crystal phase on the specimen specimen surface was identified.
  • test piece that was not oxidized had a high strength. Since the sample No. 42 contained a melilite phase (RESiON) in the grain boundary layer, it was tested by oxidization.
  • RESiON melilite phase
  • the surface of the piece was severely discolored, fine cracks were generated, and the strength of the sample piece after the oxidation treatment was extremely reduced.
  • the flexural strength in C was 700MPa or more in each case, confirming improvement in high-temperature strength.
  • Fe O powder (average particle diameter 0.3 ⁇ m) and WO powder (average particle diameter 0.4 ⁇ ) were the same as in Example 1.
  • silicon nitride powder (average particle diameter 1 ⁇ , ct conversion ratio 90%, Fe impurity content 200 ppm) and Si powder (average particle diameter 3 ⁇ m, Fe impurity content 300 ppm).
  • Si powder average particle diameter 3 ⁇ m, Fe impurity content 300 ppm.
  • Si powder in mass ratio of 10: 70: 1: 1 iron oxide powder mass ratio is Fe equivalent, WO powder
  • the mass ratio of the powder is W
  • the mass ratio of Si powder is the mass ratio in SiN.
  • the mixture was mixed and granulated in the same manner as described above. Using the obtained granules, a cylindrical compact having a length of 200 mm, an outer diameter of 150 mm and an inner diameter of 130 mm was produced at a molding pressure of 80 MPa.
  • the obtained molded body was degreased in the same manner as in Example 1, and was nitrided and fired in the same manner as in Example 1. The compact was fired in a furnace with the cylindrical concentric axis lying on the compact.
  • the obtained silicon nitride-based sintered body has a shape whose radial direction is crushed by its own weight, and the deformation rate (%) is 100 X ⁇ (maximum outer diameter portion)-(minimum outer diameter portion) ⁇ / (Maximum outer diameter).
  • the cross section of the obtained sintered body is mirror-polished, and silicon nitride crystals are excluded from an arbitrary area of 200 ⁇ m X 200 ⁇ m (area 40 000 ⁇ m 2 ) of the mirror surface to remove the grain boundary layer portion.
  • the area ratio of the grain boundary layer was calculated by dividing the area of the grain boundary layer by 40,000 ⁇ m 2. The area ratio was multiplied by 100 to determine the content (volume%) of the grain boundary layer.
  • the silicon nitride sintered body of the present invention is suitable for the following uses.
  • Metals such as squeeze rolls for hot working, skid buttons, forging dies for forging, quenching jigs for induction hardening, sputtering nozzles for welding, air pins, and lining materials for high temperature wear resistance. It can be suitably used for steel-related members.
  • pulverizer members such as discs, sleeves, nozzles, liners, rolls, media for pulverizers, tanks and arm parts for mixing and stirring machines, sleeves and bushes for centrifuges, and the like. it can. Further, it can be suitably used as a member such as a cutter ball, a kitchen knife, a tool, papermaking, an ink jet, a fluid bearing, a bearing ball of a machine tool or a hard disk, a fishing tackle, a thread path, a molding die and the like.
  • turbo rotor Taking advantage of heat resistance, abrasion resistance, small variation and strength characteristics, a turbo rotor, a cam opening, a swirl chamber, an exhaust control valve, an intake and exhaust valve, a rocker arm, a piston pin, a seal ring, Automotive engine parts such as fuel injection pump parts including high pressure, glow plugs, ceramic heaters, etc., gas engine parts such as head liners, cylinder liners, piston crowns, valves, valve guides, turbine rotors, compassers, etc.
  • the present invention can also be applied to various ceramic engine components such as gas turbine components such as rings and various horns.

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Abstract

 窒化珪素の結晶と、第1金属珪化物(Fe、Cr、MnおよびCuのうち少なくとも1つの第1の金属元素からなる金属珪化物)、第2金属珪化物(W、Moのうち少なくとも1つの第2の金属元素からなる金属珪化物)、第3金属珪化物(第1の金属元素と第2の金属元素を含む複数金属成分からなる金属珪化物)のうち少なくとも2つを含む粒界層とを有し、前記粒界層が第1~第3金属珪化物のうち少なくとも2つが互いに接する隣接相を有する窒化珪素質焼結体とする。

Description

明 細 書
窒化珪素質焼結体およびその製造方法、並びにそれを用いた耐溶融金 属用部材、耐摩耗用部材
技術分野
[0001] 本発明は、熱的特性と機械的特性に優れた窒化珪素質焼結体に関する。特に、耐 熱衝撃性と機械的強度に優れた窒化珪素質焼結体およびその製造方法に関する。 また、この窒化珪素質焼結体を用いた各種部材に関し、特に金属の铸造に最適な耐 溶融金属用部材ゃ粉砕機に最適な耐摩耗用部材に関する。
背景技術
[0002] 窒化珪素質焼結体は熱的特性や機械的特性に優れた部材であり、従来から種々 の特許公報や文献で紹介されてレ、る。
特に、機械的特性を向上させる目的で窒化珪素質焼結体の粒界層(grain boundary layer)に Fe、 W、 Cr、 Mo等の金属珪化物を析出させた窒化珪素質焼結 体が提案されている(特許文献 1一 4参照)
[0003] 例えば、特許文献 2には W、 Mo、 Cu、 Mn、 Feおよび Nbのうち少なくとも 1種の金 属珪化物の結晶粒子を焼結体中の粒界層に分散させてなる窒化珪素質焼結体が 提案されている。また、特許文献 3には高融点金属一 Fe— Si_〇からなる化合物を粒 界層に形成させた窒化珪素質焼結体が提案されている。さらに、特許文献 4には窒 化珪素質焼結体の粒界層に W、 Fe等の珪化物、 Ti化合物 (窒化物、炭窒化物、炭 酸窒化物)からなる粒子を含有し、 W、 Fe等の珪化物を Ti化合物の周囲に凝集させ た窒化珪素質焼結体を得ることが提案されてレ、る。
[0004] 特許文献 1 :特開平 5 - 148031号公報
特許文献 2:特開 2001 - 206774号公報
特許文献 3:特開 2001 - 106576号公報
特許文献 4:特開平 11 - 267538号公報
発明の開示
発明が解決しょうとする課題 [0005] しかしながら、特許文献 1一 4の窒化珪素質焼結体は、機械的強度が十分でないと レ、う問題があった。例えば、窒化珪素質焼結体に圧縮、引張り、ねじり等の力を受け て機械的応力力 Sかかる場合があるが、その際に、粒界層中に金属珪化物を含有させ ているので、単独の金属珪化物に応力が集中やすレ、。そのため、応力が集中した金 属珪化物が破壊源となって窒化珪素質の結晶と金属珪化物との間に亀裂が生じ、そ の結果、機械的強度が低下するという問題点を有していた。
[0006] 一方、窒化珪素質の結晶と含有させる複数の金属珪化物との熱膨張係数の差が 大きい材料では、耐熱衝撃性が低いという問題もあった。例えば、金属珪化物として Wの珪化物と Feの珪化物を含有する場合、窒化珪素の結晶と Wの珪化物や、窒化 珪素の結晶と Feの珪化物の熱膨張係数の差が大きい。そのため、熱衝撃を受けて 窒化珪素質焼結体に熱応力がかかった場合、窒化珪素質の結晶と金属珪化物との 間に亀裂が生じやすくなり、耐熱衝撃性が低下してレ、た。
[0007] 本発明は上述の問題点に鑑みて案出されたものであり、機械的特性及び熱的特性
、特に機械的強度及び耐熱衝撃性を向上させた窒化珪素質焼結体およびその製造 方法を提供することを目的とする。
[0008] また、本発明の他の目的は、これらの窒化珪素質焼結体を用いた各種部材、特に 耐溶融金属用部材、耐摩耗用部材を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
[0009] 本発明の窒化珪素質焼結体は、窒化珪素の結晶と、以下の第 1一第 3金属珪化物 のうち少なくとも 2つを含む粒界層とを有した窒化珪素質焼結体であって、前記第 1 一第 3金属珪化物がそれぞれ、以下の金属珪化物からなり、前記粒界層は第 1一第 3金属珪化物のうち少なくとも 2つが互いに接する隣接相を有することを特徴とする。 第 1金属珪化物: Fe、 Cr、 Mnおよび Cuのうち少なくとも 1つの第 1の金属元素からな る金属珪化物
第 2金属珪化物: W、 Moのうち少なくとも 1つの第 2の金属元素からなる金属珪化物 第 3金属珪化物:第 1の金属元素と第 2の金属元素を含む複数金属成分力 なる金 属珪化物
[0010] 前記第 1の金属元素が Fe、前記第 2の金属元素が Wであることが好ましい。 前記隣接相は、第 1金属珪化物が第 2金属珪化物または第 3金属珪化物を取り囲 むように形成されてレ、ることが好ましレ、。
前記窒化珪素の結晶の平均粒径が 15 μ m以下であることが好ましい。
また、前記第 1の金属元素を計 0. 2 10質量%、前記第 2の金属元素を計 0. 1—
3質量%の範囲とし、前記第 1の金属元素を第 2の金属元素より多く含有することが 好ましい。
前記窒化珪素質燒結体は、 Si粉末、もしくは Si粉末と窒化珪素粉末の混合粉末と 、平均粒径が 0. 5— 20 z mの前記第 1の金属元素の化合物からなる粉末と、平均粒 径が 0. 1 5 μ mの前記第 2の金属元素の化合物からなる粉末とを含む粉体を成形 、焼成して得たものであることが好ましい。
前記隣接相は、第 2金属珪化物が第 1金属珪化物または第 3金属珪化物を取り囲 むように形成されてレ、ることも好ましレ、。
前記第 1の金属元素を計 0. 01— 2質量%、前記第 2の金属元素を計 0. 2— 10質 量%の範囲とし、前記第 2の金属元素を第 1の金属元素より多く含有することが好まし レ、。
前記窒化珪素質燒結体は、 Si粉末、もしくは Si粉末と窒化珪素粉末の混合粉末と 、平均粒径が 0. 1— 5 / mの前記第 1の金属元素の化合物からなる粉末と、平均粒 径が 1一 30 μ mの前記第 2の金属元素の化合物からなる粉末とを含む粉体を成形、 焼成して得たものであることも好ましい。
本発明の窒化珪素質焼結体の製造方法は、 Si粉末、もしくは Si粉末と窒化珪素粉 末の混合粉末に、予め平均粒径 0. 1— 20 /i mの Fe、 Cr、 Mnおよび Cuのうち少な くとも 1つの第 1の金属元素の化合物に、平均粒径 0. 1 30 x mの W、 Moのうち少 なくとも 1つの第 2の金属元素の化合物を湿式混合、乾燥して得られた予備混合粉末 を混合して原料粉末を作製する原料作製工程と、
前記原料粉末と有機結合剤とからなる成形体を作製する成形工程と、
実質的に窒素ガス、アルゴンガス、またはこれらの混合ガスからなる雰囲気中で前 記有機結合材を脱脂して脱脂体を作製する脱脂工程と、
前記脱脂体を実質的に窒素ガス雰囲気中で窒化体に変換する窒化工程と、 前記窒化体を窒素ガスを含有する非酸化性雰囲気中で焼成して焼結体を作製す る焼成工程とを有することを特徴とする。
[0012] 予備混合粉末として平均粒径が 0. 5— 20 / mの前記第 1の金属元素の化合物と、 平均粒径が 0. 1 5 x mの前記第 2の金属元素の化合物とを用い、前記第 1の金属 元素を計 0. 2— 10質量%、前記第 2の金属元素を計 0. 1 3質量%の範囲とし、前 記第 1の金属元素を前記第 2の金属元素よりも多く窒化珪素質焼結体中に含有させ ることが好ましい。
前記焼成工程における降温速度が 50°CZ時間以上であることが好ましい。
前記予備混合粉末として平均粒径が 0. 1— 5 μ mの前記第 1の金属元素の化合物 と、平均粒径が 1一 30 z mの前記第 2の金属元素の化合物とを用レ、、前記第 1の金 属元素を計 0. 01— 2質量%、前記第 2の金属元素を計 0. 2 10質量%の範囲とし 、前記第 2の金属元素を前記第 1の金属元素よりも多く窒化珪素質焼結体中に含有 させることが好ましい。
[0013] 本発明の耐溶融金属用部材は、上記窒化珪素質焼結体を用いたことを特徴とする また、本発明の耐摩耗用部材は、上記窒化珪素質焼結体を用いたことを特徴とす る。
発明の効果
[0014] 本発明者らが鋭意検討の結果、第 1一第 3金属珪化物のうち少なくとも 2つが互い に接する隣接相を存在させることにより、単独の金属珪化物に機械的応力や熱応力 が集中するのを抑制し、これにより、窒化珪素質焼結体の機械的特性、耐熱衝撃性 を向上させることができるのを初めて見出した。すなわち、本件発明によれば、機械 的特性と耐熱衝撃性に優れた窒化珪素質燒結体を提供することができる。
図面の簡単な説明
[0015] [図 1]図 1は、本発明の窒化珪素質焼結体の SEM写真の模式図である。
符号の説明
[0016] 10 :窒化珪素質焼結体の断面
12 :窒化珪素の結晶 14 :隣接相
16、 16a、 16b、 16c :第 1金属珪ィ匕物
18、 18a、 18b、 18c :第 2金属珪ィ匕物
20 :粒界層
22 :第 3金属珪化物
発明を実施するための最良の形態
[0017] 以下に本発明について詳述する。
本発明の窒化珪素質焼結体は、窒化珪素の結晶と、以下の第 1一第 3金属珪化物 のうち少なくとも 2つを含む粒界層とを有した窒化珪素質焼結体であって、粒界層は 第 1一第 3金属珪化物のうち少なくとも 2つが互いに接する隣接相を有する窒化珪素 質焼結体である。
[0018] ここで、第 1の金属元素とは、 Fe、 Cr、 Mnおよび Cu力 なる群力 選ばれる少なく とも 1つを指し、その第 1の金属元素からなる金属珪化物を第 1金属珪化物としている 。また、第 2の金属元素とは、 W、 Moのうち少なくとも 1つを示し、その第 2の金属元 素からなる金属珪化物を第 2金属珪化物としている。さらに、第 3の金属元素とは、第 1の金属元素と第 2の金属元素からなる複数金属成分、例えば、 Wと Feを含む金属 成分であり、その第 3の金属元素からなる金属珪化物を第 3金属珪化物としている。
[0019] 窒化珪素の結晶としては、主に針状に形成されたものであり、 /3型窒化珪素結晶、 又は 型窒化珪素と同じ結晶構造を有する ' -サイアロン結晶がある。その平均粒 径は 30 x m以下であることが好ましい。この場合の平均粒径は、針状に形成された 結晶の長径の平均粒径で示している。これにより、機械的強度等の機械的特性や、 耐熱衝撃性等の熱的特性を向上させることができる。なお、平均粒径の測定には次 のような種々の方法がある。即ち、窒化珪素質焼結体の断面を鏡面研磨し、この鏡 面を SEM (走查型電子顕微鏡)写真に撮り、 SEM写真に写っている窒化珪素の結 晶の長径を測定する方法、 X線マイクロアナライザーを併用して窒化珪素の結晶を特 定し、その結晶の長径を測定する方法、又は鏡面加工した窒化珪素質焼結体の面 にある粒界層を熱処理によるエッチングや化学的エッチング処理により表面から除去 後に長径を測定する方法がある。いずれの場合も、測定された複数の長径データを 平均化して算出される。
[0020] 本発明の粒界層とは、窒化珪素の結晶粒子間に囲まれる領域を指しており、粒界 層中には第 1一第 3金属珪化物が単独で存在するものもあれば、隣接相として存在 してレ、るものもある。すなわち、本件発明では、第 1一第 3金属珪化物が隣接相として 粒界層に存在していることが必要である力 S、必ずしも全ての粒界層において隣接相と して存在してレ、なくても良い。
[0021] 隣接相は、第 1一第 3金属珪化物のいずれかが少なくとも隣接している状態で形成 しているものであればよい。より好ましくは、第 1一第 3金属珪化物の少なくとも 2つの うち、一方が他方の一部又は全部を取り囲んでいる状態である。具体的に図 1を用い て説明する。
[0022] 図 1は本発明の窒化珪素質焼結体の断面 10の一例であり、断面 10を鏡面研磨し 、この鏡面を SEM (走査型電子顕微鏡)により観察した写真の模式図を示している。 窒化珪素質焼結体の鏡面研磨した断面 10は、窒化珪素の結晶粒子 12間に粒界層 20を有している。粒界層 20中には、第 1金属珪化物 16、第 2金属珪化物 18、第 3金 属珪化物 22が含有されており、種々の隣接相 14を形成している。例えば、この隣接 相 14には、第 1金属珪化物 16aと第 2金属珪化物 18aとが隣接して存在するもの、第 1金属珪化物 16bが第 2金属珪化物 18bを取り囲むもの、第 1金属珪化物 16cが第 2 金属珪化物 18cを取り囲んでいる力 第 2金属珪化物 18cの一部が露出しているもの 、などがある。
[0023] 本発明では、第 1一第 3金属珪化物が粒界層中で隣接相を形成しているため、窒 化珪素質焼結体の機械的特性、耐熱衝撃性を向上させることができる。その理由は 、次のように推定される。第 1一第 3金属珪化物が粒界層中で隣接相を形成している と、金属珪化物が単独でばらばらに存在する場合に比べて、金属珪化物に機械的 応力や熱応力が集中するのが抑制される。これにより、窒化珪素質焼結体の機械的 特性、耐熱衝撃性を向上させることができる。即ち、隣接相を形成している第 1一第 3 金属珪化物は、粒界層に対して占める割合が高くなるため、機械的、熱的応力が加 わった場合に応力を集中して受け易レ、。したがって、単独に存在している第 1一第 3 金属珪化物に対しては、機械的応力や熱応力がかかりにくくなる。そして、第 1一第 3 の金属珪化物は、窒化珪素に対してそれぞれヤング率が大きぐ温度に対する熱膨 張係数の変化率が小さいため、隣接相に応力が集中しても、隣接相は窒化珪素の 結晶が機械的、熱的応力に杭して弾性変形することを促進するものと考えられる。従 つて、焼結体中に微細な亀裂が発生しても隣接相が窒化珪素の結晶の亀裂の進展 を抑制したりでき、窒化珪素質焼結体の割れやクラックの発生を抑制できる。なお、 従来のように、第 1一第 3金属珪化物が隣接相を形成せずに、個々に存在すると、機 械的、熱的応力が単独の第 1一第 3金属珪化物に集中する。その結果、第 1一第 3 金属珪化物が破壊源となったり、亀裂の進展を促進させたりするので、窒化珪素質 焼結体に割れやクラックが発生する。
[0024] 特に、第 1の金属元素が Fe、第 2の金属元素が Wであることが好ましい。この理由 は、第 1の金属元素からなる第 1金属珪化物のうちの Fe珪化物と、第 2の金属元素か らなる第 2金属珪化物のうちの W珪化物は結晶構造が近似しているので、互いに隣 接相を著しく形成し易いためである。従って、粒界層に対する隣接相の含有割合が 増加し、その結果、機械的特性と熱的特性、特に機械的強度と耐熱衝撃性がさらに 向上する。
[0025] なお、第 1金属连ィ匕物としては、 FeSi
2、 FeSi、 Fe Si
3 、 Fe Si
5 3、 Cr Si
3 2、 MnSiおよ び Cu Siから選択された少なくとも 1種が好ましい。また、第 2金属珪化物としては、 W
2
Si、 W Si、 WSi、 W Siおよび MoSi力 選択された少なくとも 1種が好ましい。さ
2 5 3 3 2 3 2
らに、第 3金属珪化物としては、 Feと Wを含む複数金属成分 (化合物)、例えば、 Fと Wを含む固溶体であることが好ましい。これらの金属珪化物が好ましい理由は、これ らの金属珪化物が熱力学的な安定相であるためである。熱力学的に安定相であると 、機械的応力や熱応力がかかった場合でも相変態を起こしにくいので、相変態に伴 ぅ更なる機械的応力や熱応力の増大の恐れがない。
[0026] また、第 1金属珪化物の Fe珪化物としては、 FeSi、 FeSiのうちの少なくとも 1種が
2
好ましぐより好ましくは、 FeSiとするのがよレ、。また、第 2金属珪化物の W珪化物は
2
, WSiを含有することが好ましい。
2
[0027] 最も好ましい組み合わせは、第 1金属珪化物として FeSiと第 2金属珪化物として W
2
Siがよい。この理由としては、 WSiと FeSiは共に環境温度が変化したとしても特に
2 2 2 安定する相であり、また、両者の結晶構造が特に近似しているためである。そのため 、 W珪化物の中でも特に隣接相を形成し易ぐかつ、 FeSiを含む隣接相を窒化珪
2
素質焼結体中に均一に分散させることができる。従って、第 1金属珪化物として FeSi を有し、第 2金属珪化物として WSiを有すると、窒化珪素質焼結体の機械的特性と
2 2
熱的特性をさらに向上できる。
[0028] 隣接相の平均粒径は 30 z m以下が好ましぐ特に好ましくは 1一 5 μ mである。平 均粒径が 30 x mより大きいと、機械的、熱的応力を隣接相が十分緩和することがで きないため、機械的特性や耐熱衝撃性を著しく向上させることができないからである 。この場合、 P 接相の平均粒径は、焼結体を走査型電子顕微鏡 (SEM)等で拡大し て観察し、複数の隣接相の粒径を測定し平均した値であり、上述の窒化珪素の結晶 の平均粒径を測定したのと同じように測定することができる。
[0029] また、隣接相の含有量は 0. 01— 10体積%であることが耐熱衝撃性および機械的 強度を特に向上させることができるので好ましぐ特に好ましくは、 0. 1一 5体積%、 最適は、 0. 1一 1体積%である。
[0030] 第 1一第 3金属珪化物と隣接相の存在、および隣接相の含有量については以下の ように測定する。図 1に示す第 1金属珪化物 16、第 2金属珪化物 18、第 3金属珪化 物 22、隣接相 14の存在は、 X線回折法、微小部 X線回折法、 X線マイクロアナライザ 一(例:波長分散型 EPMA (Electron Probe Micro-Analyzer) )、 TEM (透過 型電子顕微鏡)等により確認することができる。 X線回折法を用いる場合は、 X線マイ クロアナライザーまたは TEMを併用して測定することが好ましい。 TEMによる分析す る場合は、試料を薄片に加工後に測定する。
[0031] 隣接相 14の含有量は、例えば次の様に測定する。焼結体断面を鏡面研磨し、この 鏡面の 500 μ m X 500 μ m程度の部分(以下、この部分の面積を「面積 A」とレ、う)に X線マイクロアナライザーを用いて電子ビームを照射し、焼結体から発生する特性 X 線の種類と強度を測定することによって、 Si、第 1、第 2の金属元素(Fe、 Cr、 Mn、 C u、 W、 Mo)の各元素の強度をマッピングする。そして、(1) Siを含有し、かつ、第 2の 金属元素のうち少なくとも 1つ力 Sリッチな第 1の部分 (第 2金属珪化物 18)の面積、(2) Siを含有し、かつ、第 1の金属元素のうち少なくとも 1つ力 Sリッチな第 2の部分(第 1金 属珪化物 16)の面積、(3) Siと第 1および第 2の金属元素とを含有する部分 (第 3珪 化物 22)の面積をそれぞれ求める。 (1)一(3)の第 1一第 3の部分のうち少なくとも 2 つが互いに接する部分の面積 Bを測定する。測定領域の面積である面積 Aに対する 面積 Bの割合を計算し、この割合を隣接相 14の含有量 (体積%)とする。面積 Aは、 第 1一第 3珪化物、隣接相 14が識別できる程度に測定の際の倍率を適宜変更しても 良レ、。なお、 X線マイクロアナライザーと TEMを併用して隣接相 14に含まれる結晶 相を確認することが好ましレ、。
[0032] 次に本発明の窒化珪素質焼結体の好ましい実施形態について説明する。
先ず、窒化珪素質焼結体の好ましい実施形態 (第 1の実施形態)では、第 1金属珪 化物が第 2金属珪化物または第 3金属珪化物を取り囲むようにして隣接相を形成して いる。第 2金属珪化物または第 3金属珪化物よりも第 1の金属珪化物の破壊靱性が 高い傾向があるので、大きな機械的応力力かかった場合、窒化珪素質焼結体に割 れが生じたり、クラックが入ったりすることが抑制され、機械的特性を向上させることが できる。
[0033] 特に、機械的特性、例えば、機械的強度をさらに向上するためにも窒化珪素の結 晶の平均粒径を 15 /i m以下とするのが好ましい。窒化珪素の結晶の平均粒径が 15 β mを超えた場合には破壊靭性が低下し、機械的強度が低下する傾向となるからで ある。この平均粒径は、上述と同様に針状の結晶における長径の平均粒径を示す。 特に好ましくは、長径の平均粒径が 15 /i m以下で、短径の平均粒径が 2 /i m以下と すれば、粒界層の偏在を抑制し、これにより隣接相を焼結体中に均一に分散できる
[0034] ここで、金属珪化物の含有量に差をつけることによって、第 1金属珪化物が、第 2金 属珪化物または第 3金属珪化物を取り囲むように形成することができ、機械的特性を 向上させることができる。例えば、第 1の金属元素を計 0. 2 10質量%、第 2の金属 元素を計 0. 1— 3質量%の範囲とし、第 1の金属元素を第 2の金属元素より多く含有 させれば良い。この第 1、第 2の金属元素は、窒化珪素質焼結体の出発原料以外に 、製造過程で不純物としても混入する場合がある。しかし、焼結体中に含まれる第 1 一第 3金属元素は、不純物であったとしても、そのほとんどが金属珪化物となって窒 化珪素質焼結体中に存在する。従って、最終的に本発明の窒化珪素質焼結体中に 含有される金属元素の量が上述の範囲であれば良い。
[0035] なお、上述したように、窒化珪素の結晶の平均粒径を 15 / m以下とすると、第 1金 属珪化物と第 2金属珪化物/第 3金属珪化物の隣接相の存在割合を増加し、粒界 層に隣接相が分散するために機械的特性をさらに向上できる。
[0036] また、 Si粉末、もしくは Si粉末と窒化珪素粉末の混合粉末と、平均粒径が 0. 5-20 z mの第 1の金属元素の化合物からなる粉末と、平均粒径が 0. 1 の第 2の 金属元素の化合物からなる粉末とを含む粉体を成形、焼成することによつても、 mm 相の存在割合を増加させ、粒界層に隣接相を分散させることができる。したがって、 機械的特性をさらに向上させることができる。尚、これと同時に、窒化珪素の結晶の 平均粒径を 15 a m以下に制御しても良い。
[0037] 次に、窒化珪素質焼結体の好ましい他の実施形態(第 2の実施形態)について説 明する。
本実施の形態では、上述の隣接相の構成とは逆、即ち、第 2金属珪化物が第 1金 属珪化物または第 3金属珪化物を取り囲むように形成されている。第 2金属珪化物は 第 1金属珪化物または第 3金属珪化物よりも熱膨張係数が小さい傾向にある。このた め、第 1金属珪化物または第 3金属珪化物の熱膨張によって発生する熱応力を、隣 接した第 2金属珪化物が緩和し、耐熱衝撃性をさらに向上するものと考えられる
[0038] ここで、第 1一第 3金属珪化物の含有量に差をつけることによって、第 2金属珪化物 、第 1金属珪化物または第 3金属珪化物を取り囲むように形成することができ、高い 耐熱衝撃性が特に向上した窒化珪素質焼結体を得ることができる。例えば、第 1の金 属元素を計 0. 01— 2質量%、第 2の金属元素を計 1一 10質量%の範囲とし、第 2の 金属元素を第 1の金属元素より多く含有すれば良い。この第 1、第 2の金属元素も、 上述のように窒化珪素質焼結体の出発原料、あるいは製造過程で不純物としても混 入する場合があるが、同様に、最終的に窒化珪素質焼結体中に含有される金属元 素の量が上述の範囲であれば良レ、。
[0039] なお、 Si粉末、もしくは Si粉末と窒化珪素粉末の混合粉末と、平均粒径が 0. 1 5 μ mの第 1の金属元素の化合物からなる粉末と、平均粒径が 1一 30 μ mの第 2の金 属元素の化合物からなる粉末とを含む粉体を成形、焼成することによって、 P 接相の 存在割合を増加させ、粒界層に上述の隣接相を分散させることができる。従って、耐 熱衝撃性が特に向上した窒化珪素質焼結体を得ることができる。
[0040] また、上述の窒化珪素質焼結体の特徴に加えて、更に、粒界層に周期律表第 3族 元素 (RE)、 A1および〇からなる非晶質相を含有することが好ましい。この非晶質相 を含有することにより、焼成中に液相が低温で生成するので、窒化珪素の結晶が微 細で粒径が揃ったものとなる。その結果、更に耐熱衝撃性に優れ、機械的強度の高 ぃ窒化珪素質焼結体を得ることができる。非晶質相は、例えば、後述するように周期 律表第 3族元素の酸化物と酸化アルミニウム粉を製造過程で添加後、成形、焼成す ることにより焼結体中に生成させることができる。また、粒界層に非晶質相を均一に分 散させることにより、窒化珪素の結晶を焼結体全体に渡って微細で粒径の揃ったもの とするためには、焼成工程での最高温度を経た後、 800°Cまでの降温速度を 100°C 寺間よりも大きくすることが好ましい。好ましくは、本発明の窒化珪素質焼結体中に
REを RE O換算で 1一 20質量%、 A1を Al O換算で 0. 1— 10質量%含有する。な
2 3 2 3
お、この第 3族元素とは、 Sc、 Y、ランタノイド元素、ァクチノイド元素から選ばれるうち 少なくとも 1種の元素を意味する。
[0041] この REは Y、 Er、 Yb、 Luのうち少なくとも 1種を主成分とすること力 高温での機械 的強度を向上させることができるため好ましい。これにより、高温酸化雰囲気中での 耐酸化性を向上させることもできる。 RE力その場合には、 RE力 SY以外の場合よりも焼 成中に REの蒸発を抑制できる。従って、窒化珪素質焼結体の材料組成を高精度に 制御でき、機械的特性のばらつきを低減させることができる。
[0042] 粒界層にアパタイト相、ボラストナイト相およびダイシリケート相の少なくとも 1種を含 有することが好ましい。これにより窒化珪素質焼結体の機械的強度をさらに向上させ ること力 Sできる。ここで、アパタイト相は RE (Si ) N、ボラストナイト相は RESiO N、ダ
5 4 3 2 イシリケート相は RE Si〇で表される化合物である。また、粒界層がアパタイト相また
2 2 7
はボラストナイト相を含有する場合は、高温強度、耐高温クリープ特性、耐熱衝撃性 が向上する。また、粒界層がダイシリケート相を含有する場合は、高温での耐酸化特 性が向上する。
[0043] 粒界層に含まれる Siと REの比率が、 SiO /RE Oのモル比換算で 0. 2 10であ
2 2 3 ることが好ましい。これにより、窒化珪素質焼結体の機械的特性をさらに向上させるこ とができる。 SiO /RE Oのモル比換算で 0. 2— 4とすることが窒化珪素質焼結体
2 2 3
の焼結性を向上させるためにさらに好ましい。このモル比は、次のように求めることが できる。上記の方法により体積%換算した RE Oと Al Oに含まれる酸素量 (質量%
2 3 2 3
)の合計を G (質量%)とする。 LECO社製酸素分析装置で窒化珪素質焼結体中の 全酸素含有量を測定し、全酸素含有量 (質量%)から G (質量%)を差し引き、残りの 酸素量 (質量%)を Si〇量 (質量%)に換算する。この Si〇量 (質量%)と、 RE Oの
2 2 2 3 質量換算での含有量(質量%)との比を Si〇 /RE〇のモル比換算での Siと REの
2 2 3
比率とする。
[0044] さらに、粒界層に含まれる A1と REの比率力 Al O /RE Oのモル比換算で 0. 2
2 3 2 3
一 5であることが好ましい。これにより、窒化珪素質焼結体の焼結性をさらに向上させ 、かつ、破壊靱性を向上させることができるからである。さらに好ましくは、 Al〇 /R
2 3
E Oのモル比換算で 0· 4— 3である。 A1と REのモル比は、次のように ICP発光分光
2 3
分析により測定することができる。
[0045] ICP発光分光分析により窒化珪素質焼結体中の REおよび A1の含有量 (質量%)を 測定し、この含有量を RE Oおよび Al O換算での含有量 (質量%)に換算する。さ
2 3 2 3
らに RE Oおよび Al Oの質量換算での含有量と理論密度(例えば Y Oは 5. 02g
2 3 の体積0 /0換算での
Figure imgf000014_0001
含有量を求める。
[0046] 上述の粒界層の含有量は 20体積%未満であることが好ましい。粒界層の含有量が
20体積%以上の場合は、焼成工程中に変形が起こりやすいため寸法精度の高い窒 化珪素質焼結体を作製することが困難となり好ましくない。また、粒界層が 15体積% を越え 20体積%未満の場合は、変形を著しく低減させることができない。また、粒界 層が 5体積%未満の場合、緻密な窒化珪素質焼結体を得るために高温で焼成する 必要があり、高温で焼成すると窒化珪素の結晶が一部粗大化するため、機械的強度 ゃ耐摩耗性を著しく向上させることができなレ、。このため、粒界層の含有量は 5— 15 体積%であることが特に好ましレ、。
[0047] 力、くして、上記の本発明の窒化珪素質焼結体は、相対密度が 97%以上、平均ボイ ド径が 30 /i m以下、破壊靭性値が 5MPa*m1/ z以上、圧砕強度が 2GPa以上、室温 における曲げ強度が 650MPa以上、 1000°Cにおける曲げ強度が 500MPa以上、 1 000°Cで 200MPaの応力を 10時間印加した後のひずみ量が 2%以下、熱伝導率が 20W/ (m*K)以上、室温一数百 °Cの間の線熱膨張率が 3. 5 X 10— 6/K以下とな る。これによつて、本発明の窒化珪素質焼結体は、優れた機械的特性 (機械的強度 、耐摩耗特性、耐機械的衝撃性等)と耐熱衝撃性等が要求される部材に好適に使用 すること力 Sできる。本発明の窒化珪素質焼結体は、例えば次のような用途の部材に 用いることができる。
[0048] 本発明の窒化珪素質焼結体は上述の第 1の実施形態によって耐溶融金属用部材 に用いることができる。この耐溶融金属用部材は、機械的特性が優れるのみならず、 耐熱衝撃性が特に優れているので、耐熱衝撃性が求められる部材、例えば、金属溶 湯用部材として好適に使用することができる。即ち、金属溶湯用部材として用いた場 合、熱衝撃がかかっても、割れたり、亀裂が入ったりすることが抑制される。また、隣 接相が窒化珪素の結晶と強固に焼結しているので、隣接相に含まれる金属珪化物 が不純物となって金属溶湯中へ脱離、混入する量を少なくすることができ、不純物の 少ない高品質の金属を铸造することが可能となる。
[0049] 本発明の窒化珪素質焼結体は上述の第 2の実施形態によって耐摩耗用部材に用 レ、ることができる。この耐摩耗用部材は、耐熱衝撃性が優れるだけでなぐ特に、機 械的特性 (機械的強度、破壊靱性、耐摩耗性)に優れているので、耐熱衝撃性と高 い機械的特性が求められる耐摩耗用部材として好適に使用することができる。特に、 砂利粉砕用羽根等の粉碎機用部材ゃ切削工具チップに好適に用いることができ、 粉砕機用部材に最も好適である。本発明の窒化珪素質焼結体からなる耐摩耗用部 材は、その気孔率を 3。/0以下とすることにより、耐摩耗性をさらに向上させることがで きる。
[0050] また、本発明の窒化珪素質焼結体は、主成分として破壊靱性の大きな窒化珪素の 結晶を有し、機械的応力を緩和する作用のある隣接相を粒界層に具備し、さらに緻 密に焼結しているので、ボイドゃ微細な欠陥が極めて少なぐ圧砕強度を 2GPa以上 とすることができる。従って、無機物質例えば金属物質が生物や物体に飛来、衝突 する際の保護材、衝撃吸収材として好適に使用することが可能となる。
[0051] さらに、本発明の窒化珪素質焼結体は、窒化珪素の結晶と隣接相の粒径が小さく 、また、焼結を大きく阻害する化合物を添加していないので、平均ボイド径が小さぐ 相対密度が高ぐ例えば 20 30°Cにおける線熱膨張率が 2 X 10— 6ZK程度と小さ いため、高位置精度が要求される位置決めテーブル用部品として好適に用いること ができる。特に、著しい位置精度制御が必要な半導体製造装置用の位置決め用テ 一ブル部品として好適に用いることができる。さらに、半導体や液晶製造装置用とし て露光装置用のミラーにも適用できる。
[0052] 次に本発明の窒化珪素質焼結体の製造方法について説明する。本発明の窒化珪 素質焼結体の製造方法は、
Si粉末、もしくは Si粉末と窒化珪素粉末の混合粉末に、予め平均粒径 0. 1 20 μ mの Fe、 Cr、 Mnおよび Cuのうち少なくとも 1つの第 1の金属元素の化合物に、平均 粒径 0. 1— 30 μ ΐηの W、 Moのうち少なくとも 1つの第 2の金属元素の化合物を湿式 混合、乾燥して得られた予備混合粉末を混合して原料粉末を作製する原料作製ェ 程と、
前記原料粉末と有機結合剤とからなる成形体を作製する成形工程と、
実質的に窒素ガス、アルゴンガス、またはこれらの混合ガスからなる雰囲気中で前 記有機結合材を脱脂して脱脂体を作製する脱脂工程と、
脱脂体を実質的に窒素ガス雰囲気中で窒化体に変換する窒化工程と、 窒化体を窒素ガスを含有する非酸化性雰囲気中で焼成して焼結体を作製する焼 成工程とを有する。
[0053] この製造方法により、本発明の窒化珪素質焼結体の粒界層中に隣接相を含有させ るプロセスは次のようになる。
まず、上述のような湿式混合によって、第 1、第 2の金属元素の化合物が偏在するこ となく予備混合粉末中に均一分散させ、乾燥によって第 1、第 2の金属元素の化合物 力、らなる粒子を互いに固着させた予備粉末を作成する。その結果、予備混合粉末は 、第 1、第 2の金属元素の化合物がそれぞれ均一分散すると共に、互いの粒子が固 着したものとなる。なお、この均一分散と固着を達成するために、湿式混合に用いる 溶媒としては水、イソプロピルアルコール、エタノール、メタノールのうち少なくとも 1つ が好適である。溶媒中に水を含有させると、第 1、第 2の金属元素の化合物の粒子を 、乾燥過程で互いに強固に固着させることができるのでさらに好ましい。
[0054] 次に、 Si粉末、もしくは Si粉末と窒化珪素粉末の混合粉末に、上述の予備混合粉 末を混合することにより、第 1、第 2の金属元素の化合物の粒子を互いに固着させ、 均一分散した予備混合粉末が混合粉末中に分散した原料粉末を作製させることが できる。
[0055] そして、窒化工程中に、第 1の金属元素の化合物、第 2の金属元素の化合物、第 1 および第 2の金属元素の化合物がそれぞれ Si成分と反応し、それぞれ第 1金属珪化 物前駆体、第 2金属珪化物前駆体、第 3金属珪化物前駆体となり、さらに、それぞれ の前駆体のうち少なくとも 2つが互いに接した隣接相前駆体を形成する。ここで、第 1 一第 3金属珪化物前駆体、隣接相前駆体とは、非晶質あるいは一部結晶化していな い物質を示している。窒化工程で、隣接相前駆体が形成されるのは、原料粉末中に 、第 1の金属元素の化合物からなる粒子と、第 2の金属元素の化合物からなる粒子が 互いに固着しているため、互いに固着した粒子が隣接しながら窒化されるからである 。原料粉末中に Si粉末を含有させるのは、窒化工程において、第 1、第 2の金属元素 と Siとの反応を促進して隣接相前駆体を形成させるためである。原料粉末に Si粉末 を含まないと、第 1、第 2の金属元素と Siとの反応を促進されないので隣接相前駆体 を含む窒化体を得ることができなレ、。
[0056] このような窒化体に含まれる隣接相前駆体は、焼成工程で結晶化し、隣接相となる 。なお、焼結体中の第 1、第 2の金属元素の含有量が同じ場合でも、特に窒化工程 の温度、保持時間を制御することにより隣接相の含有量を制御することができる。
[0057] 本発明の窒化珪素質焼結体の製造方法によれば、予備混合粉末に第 1および第 2 の金属元素を共に含む化合物を用いなくても、第 3金属珪化物を含む隣接相を形成 させること力できる。この隣接相の形成メカニズムは例えば次のようなものと考えられ る。即ち、第 1、第 2の金属元素の化合物からなる粒子が互いに隣接しながら窒化さ れると、第 1金属珪化物前駆体、第 2金属珪化物前駆体のいずれか一方が他方に固 溶した固溶体と、第 1、第 2の金属珪化物前駆体のいずれカ^が隣接した隣接相前 駆体が形成される。この隣接相前駆体は焼成工程で、第 3金属珪化物と、第 1または 第 2の金属珪化物とが隣接した隣接相となる。
[0058] 本発明の製造方法によれば、上述のように第 1の金属元素の化合物からなる平均 粒径が 0. 1 20 x mの粉末と、第 2の金属元素の化合物からなる平均粒径 0. 1 3 O z mの粉末が用いられる。これらの粒径範囲とすることによって窒化工程での上述 の隣接相前駆体の形成が促進され、第 1一第 3金属珪化物のうちで隣接相の形成に 寄与する割合を増加させることができると考えられる。この割合は、上述の粉末混合 工程において各粉末をより均一に混合する程、増加させることができる。
[0059] なお、予備混合粉末の比表面積は 3— 30m2/gの範囲内であることが好ましい。こ れによって、窒化工程における窒化を促進させると共に、第 1金属珪化物、第 2金属 珪化物、第 3金属珪化物のうち少なくとも 2つが隣接相の形成に寄与する割合を増加 させること力できる。
[0060] また、出発原料として、 Si粉末と窒化珪素粉末の両方を用いた場合、 Si粉末と窒化 珪素粉末の質量比(Si粉末の質量) / (Si粉末と窒化珪素粉末の質量の合計)が 0. 4一 0. 95であることが好ましい。この比が 0. 4より小さいと第 1一第 3金属珪化物前 駆体および隣接相前駆体が生成しに《なる恐れがある。また、得られる窒化珪素質 焼結体の寸法精度を高精度に制御することができなくなる。この比が 0. 95より大きい と肉厚の大きい脱脂体を窒化する場合、窒化時間が多大となり製造コストが増加する ため、好ましくない。
[0061] 混合粉末と有機結合剤とからなる成形体を作製するのは、成形体を高密度にしか つ成形体内の密度のばらつきを小さくするためである。これによつて、焼成中に窒化 体の焼結が焼結体全体に渡って均一に進行するので、窒化珪素質焼結体の機械的 強度、耐熱衝撃性を向上させることができる。
[0062] 実質的に窒素ガス、アルゴンガス、またはこれらの混合ガスからなる雰囲気中で有 機結合材を脱脂して脱脂体を作製するのは、脱脂体に含まれる炭素を低減すること により、焼結性を向上させることができるからである。また、上述の脱脂は成形体を炉 内へ載置して行う。
[0063] 脱脂工程においては実質的に窒素ガスからなる雰囲気中で脱脂することが好まし レ、。ヘリウムや水素などの高価なガスを含む雰囲気中で脱脂すると製造コストが増加 するため好ましくなレ、。また、脱脂温度は好ましくは 1000°C以下、特に好ましくは 50 0— 900。Cである。
[0064] 窒化工程における雰囲気を実質的に窒素ガスとするのは、窒素ガス以外のガス、 例えば水素やヘリウムなどを前記窒化工程における雰囲気中に 1%以上含有すると 次のような問題が発生するからである。すなわち、第 1に、水素やヘリウムなどのガス は高価なため製造コストが増加するからである。第 2に、複数の前記成形体をバッチ 式の炉内に載置して窒化する場合、載置した成形体の炉内での位置が異なると、前 記成形体の窒化体への窒化反応の速度が成形体毎に大きく異なり、複数の成形体 を同時に窒化体に変換することが極めて困難となるからである。また、前記窒化は前 記脱脂体を炉内へ載置して行う。この際、実質的に窒素ガスからなる雰囲気で前記 脱脂体を窒化するためには、炉内へ投入する窒素ガス中の酸素ガス濃度が 0. 5% 以下であることが好ましい。
[0065] Si粉末を含む成形体は、窒化工程において成形体の表面の Si粉末から窒化が始 まり、時間の経過と共に成形体のより内部に存在する Si粉末の窒化が進行する。した 力 Sつて第 1の窒化工程の途中または終了時には、成形体表面よりも内部の Si量が多 い状態が存在する。成形体をこの状態から完全に窒化させるには、低温での窒化( 第 1の窒化工程)の後、高温での窒化(第 2の窒化工程)を行う必要がある。
[0066] 特に、第 2の窒化工程の温度を制御することにより、隣接相の存在量 (含有量)を制 御すること力 Sできる。すなわち、第 2の窒化工程の温度を 1200°C以上 1400°C未満と することにより、隣接相を窒化珪素質焼結体に 0. 1— 5体積%含有させることができ る。第 2の窒化工程の温度が 1100°C以上 1200°C未満、または 1400°C以上 1500 °C以下の場合は、隣接相が 0. 1体積%未満しか含有させることができないため、機 械的特性の著しく優れた窒化珪素質焼結体を製造することができず好ましくない。
[0067] また、窒化工程では、 1000 1200°Cの温度で前記成形体中の Si粉末の 10— 70 質量%を窒化珪素に変換すると共に、前記脱脂体中の全窒化珪素のひ化率を 70% 以上とする第 1の窒化工程と、 1100 1500°Cで前記脱脂体中の Si粉末の残部を 窒化珪素に変換して窒化体を得ると共に、窒化体中の全窒化珪素のひ化率を 60% 以上とする第 2の窒化工程とによって、窒化による発熱反応を制御し、その後の均一 な焼結を進行することが好ましい。前記第 2の窒化工程の温度は第 1の窒化工程の 温度よりも高くする。また、第 1の窒化工程と第 2の窒化工程は連続して実施した方が 経済的であるため好ましい。第 1、第 2の窒化工程を経て作製された窒化体は、その 表面および内部ともにひ化率を 60%以上とすることができるので、得られる窒化珪素 質焼結体の機械的強度を向上させることができる。窒化体のひ化率が 60%未満であ ると、窒化珪素質焼結体の焼結密度が上がらず、窒化珪素質焼結体の機械的強度 を向上させることが難しくなる。好ましくは、前記窒化工程終了後の窒化体のひ化率 を 80%以上とする。
[0068] 焼成工程は窒素分圧が 50— 200kPaという低圧で行われるため、高圧ガス中での 焼成や HIP焼結のような高い製造コストで製造された窒化珪素質焼結体よりも、極め て安価な窒化珪素質焼結体を作製することができる。また、上述の窒化体の焼成は 、窒化の後に同じ炉内で連続して行うことが好ましい。
[0069] 窒化珪素質焼結体を致密化させることによって機械的特性を向上させるためには、 前記焼成工程における最高温度が 1600°C以上であることが好ましい。 1600°C以上 で焼成することにより、相対密度が 97%以上の緻密な窒化珪素質焼結体を作製する ことができ、機械的特性を向上させることができる。また、窒化珪素の結晶の異常粒 成長を抑制することにより機械的強度の低下を抑制するためには、焼成の最高温度 の上限を 1850°Cとすることが好ましい。
[0070] 次に、第 1の実施形態に記載した窒化珪素質焼結体において、第 1金属珪化物が 第 2金属珪化物または第 3金属珪化物を取り囲むように隣接相を形成するためには、 第 1の金属元素が第 2の金属元素よりも多くなり、かつ第 1の金属元素が計 0. 2 10 質量%、第 2の金属元素が計 0. 1 3質量%焼結体中に含有されるように、前記粉 末混合工程における第 1の金属元素の化合物および第 2の金属元素の化合物の添 加量を制御する。
この製造方法によって、窒化工程で、第 1金属珪化物前駆体が、第 2金属珪化物前 駆体または第 3金属珪化物前駆体を取り囲むように形成された隣接相前駆体が生成 される。なお、第 1、第 2の金属元素が製造過程で不純物として混入する場合は、そ の不純物を除去するなどして第 1、第 2の金属元素の含有量を制御してもよい。具体 的には、例えば、粉末混合工程において使用する機械の摩耗によって金属の Fe成 分が原料粉末中に混入する場合、粉末混合工程の後、この粉末に磁場を印加して F e成分を吸着し、除去することにより、最終的に窒化珪素質焼結体に含まれる Feの含 有量を制御することができる。
[0071] また、第 1の金属元素の化合物からなる粉末の平均粒径を 1一 20 μ m、第 2の金属 元素の化合物からなる粉末の平均粒径を 0. 1— 5 z mとすることにより、取り囲む第 1 金属珪化物の含有量を増加させることができるので、さらに機械的特性に優れた窒 化珪素質焼結体を製造することができる。
[0072] また、第 1金属珪化物が、第 2金属珪化物または第 3金属珪化物を取り囲むように形 成されている隣接相の含有量をさらに増加させることによって、機械的強度をさらに 向上させた窒化珪素質焼結体を製造することができる。そのためには、焼成工程に おける降温速度を 50°C/時間以上とすることが好ましい。
[0073] 降温速度を 50°C/時間以上とすることで、隣接相の含有量をさらに増加できる理 由は次のように考えられる。即ち、焼成工程において、高温で第 1金属の金属元素、 第 2の金属元素、珪素を含む液相が粒界層に生じる。この液相中には微細な第 2金 属珪化物または第 3金属珪化物の粒子が含まれている。その後、 50°C/時間以上 で早く降温することによって、微細な第 2金属珪化物または第 3金属珪化物に隣接し て第 1の金属珪化物が析出し、第 1金属珪化物が第 2金属珪化物または第 3金属珪 化物を取り囲むように形成された隣接相が増加すると考えられる。すなわち、降温速 度が 50°C/時間よりも遅いと、降温の際に第 1金属珪化物が、第 2金属珪化物や第 3金属珪化物と分離する割合が増加する恐れがあるので、 P 接相の含有量が増加し た窒化珪素質焼結体を製造することができなレ、。
[0074] また、更に好ましくは焼成工程における降温速度を最高温度から 1000°Cまでの範 囲で 50°C/時間以上とする。この理由は、 1000°Cより低い温度では、 1000°C以上 で形成された隣接相の含有量、形状、結晶粒径、結晶化の度合い等がほとんど変化 しないので、 1000°Cより低い温度での降温速度が耐熱衝撃性や機械的特性にほと んど影響しないからである。また、焼成工程における降温速度を 50°CZ時間以上に 制御するには、焼成温度の制御のみならず、好ましくは焼成炉内に常温の窒素ガス 等を投入し冷却する。また、被焼成物 (窒化珪素質の脱脂体一焼結体)と、被焼成物 を載置するための焼成用治具との温度が異なる場合があるが、焼成用治具の降温速 度を概ね 100°C/時間以上に制御すれば、被焼成物の降温速度を 50°C/時間以 上にすることができる。
[0075] さらに好ましくは、出発原料である Si粉末の平均粒径を 2— 50 μ mとし、脱脂体の 比表面積を 2 30m2Zgとすることにより、窒化珪素焼結体の結晶の長径の平均粒 径を 15 x m以下に制御する。 Si粉末の平均粒径が 2 x m未満であると、窒化工程中 の Si粉末の急激な窒化反応に伴う多量の発熱によって、窒化体の温度が急激に上 昇し、窒化工程で大きな窒化珪素の結晶が生成する恐れがあり、その結果、この窒 化珪素の結晶が焼成工程で異常粒成長するので平均粒径が 15 μ mを超える恐れ 力 Sある。また、 Si粉末の平均粒径が 50 z mを超えると、窒化工程で大きな Si粒子が 窒化されて大きな窒化珪素の結晶が生成し、この大きな窒化珪素の結晶が焼成ェ 程でさらに異常粒成長し、平均粒径が 15 / mを超える恐れがある。脱脂体の比表面 積を 2— 30m2/gとすることによって、窒化工程で Si粉末の急激な窒化反応に伴う多 量の発熱を抑制できると共に、窒化工程で大きな窒化珪素の結晶が生成した場合で も、焼成時に窒化珪素の結晶の粒成長が抑制されるので、窒化珪素焼結体の結晶 の長径の平均粒径を 15 μ m以下に制御することが可能となる。
[0076] 次に、第 2の実施形態に記載した窒化珪素質焼結体において、第 2金属珪化物が 第 1金属珪化物または第 3金属珪化物を取り囲んだ隣接相を形成するためには、第 2の金属元素が第 1の金属元素よりも多くなり、かつ第 1の金属元素が計 0. 01— 2質 量%、第 2の金属元素が計 1一 10質量%焼結体中に含有されるよう、上述の粉末混 合工程における第 1の金属元素の化合物および第 2の金属元素の化合物の添加量 を制御する。
[0077] この製造方法によって、窒化工程で、第 2金属珪化物前駆体が、第 1金属珪化物 前駆体または第 3金属珪化物前駆体を取り囲むように形成された隣接相前駆体を生 成させることができる。なお、第 1、第 2の金属元素が製造過程で不純物として混入す る場合は、上記と同様にしてその不純物を除去するなどして第 1、第 2の金属元素の 含有量を制御する。
[0078] また、第 1の金属元素の化合物からなる粉末の平均粒径を 0. 1— 5 μ m、第 2の金 属元素の化合物からなる粉末の平均粒径を 1一 30 β mとすることにより、取り囲む第 2金属珪化物の含有量を増加させることができるので、さらに耐熱衝撃性に優れた窒 化珪素質焼結体を製造することができる。
[0079] この理由は次のように考えられる。即ち、第 2の金属元素の化合物からなる粉末の 平均粒径を 1一 30 μ mに制御すると、焼成工程中の高温で第 2金属珪化物は大きな 結晶となって粒界層中に分散する。また、第 1の金属元素の化合物からなる粉末の 平均粒径を 0. 1— に制御すると、焼成工程中の高温で、第 2金属珪化物よりも 極めて小さぐ第 1の金属元素または第 1、第 2の金属元素を含む液相または金属珪 化物が粒界層に生成する。さらに、焼成工程での冷却過程で、第 1金属珪化物また は第 3金属珪化物が大きな第 2金属珪化物の結晶に隣接しながら結晶化するので、 第 2金属珪化物が、第 1金属珪化物または第 3金属珪化物を取り囲むように形成され ている隣接相の含有量が増加する。
[0080] 第 1、第 2の金属元素の化合物を構成する粒子の平均粒径は、それぞれ、例えば S EM写真により個々の粒子の粒径を測定し、これらの粒径を平均して求めることがで きる。
さらに、脱脂工程、窒化工程、前記焼成工程を同一の炉内で連続して実施すること 、窒化珪素質焼結体の製造コストを特に低減するので好ましレ、。
実施例 1
[0081] 第 1の金属元素の化合物からなる粉末 (P )、第 2の金属元素の化合物からなる粉 末 (P )を水を用いて湿式混合し、得られたスラリーを 100°Cで乾燥して予備混合粉
2
末 (P )を作製した。この予備混合粉末 (P )と、窒化珪素 (Si N )粉末 (平均粒径 1
12 12 3 4
z m、ひィ匕率 90%、 Fe不純物含有量 500ppm)と、 Si粉末(平均粒径 3 μ m、 Fe不 純物含有量 800ppm)とからなる原料粉末に、さらに焼結助剤粉末を表 1に示す割 合で秤量、混合した。ここで、原料粉末と焼結助剤粉末の含有量は、両者の合計を 1 00質量%となるようにしている。また、表 1の粉末 (P )、粉末 (P )の含有量は、それ
1 2
ぞれ第 1、第 2の金属元素の含有量に換算したものである。 [0082] また、粉末 (P )として Fe Oを用いた場合、粉末 (P )の含有量は、 Si粉末と窒化珪
2 2 3 2
素粉末に含まれる Fe Oの含有量の合計を Feに換算した量である。また、 Fe〇粉
2 3 2 3 末は酸化鉄の粉末である。また、粉末 (P )、粉末 (P )の平均粒径は、それぞれの粉
1 2
末の SEM写真を元に測定した。
[0083] 次いで、混合した粉末と、エタノーノレと、窒化珪素質粉砕用メディアとをバレルミル に投入して混合した。その後、得られたスラリーに、有機結合材としてポリビュルアル コール (PVA)を添加混合し、さらにスプレードライヤーで造粒後した。得られた造粒 粉体を金型を用いた粉末プレス成形法により成形圧 SOMPaで成形し、外径 60mm 、厚み 30mmの円柱型成形体を複数作製した。
[0084] 得られた成形体中に含まれる有機結合材 (PVA)を、表 2に示す脱脂雰囲気中、 6 00°Cで 3時間保持することにより脱脂し、脱脂体を作製した。
[0085] 次に、表面が窒化珪素質力 成るカーボン製のこう鉢中に脱脂体を載置し、表 2に 示す実質的に窒素からなる窒素分圧中、 1100°Cで 20時間、 1200°Cで 10時間、 12 60°Cで 5時間の各ステップ (各ステップ間は昇温速度 50°C/時間で昇温)で順次保 持することにより Siを α化率 90%以上の Si Nに窒化し、さらに昇温して窒化工程と
3 4
同じ窒素分圧中 1770°Cで 10時間保持して焼成し、 β型窒化珪素質焼結体からな る本発明の試料を作製した。
[0086] 得られた焼結体から JIS R1601に準ずる試験片を切り出し、 4点曲げ試験にて曲 げ強度(7本平均)を測定した。また、 SEPB (single edge pre-cracked beam)法によ り破壊靱性値を測定した。
[0087] また、焼結体断面を鏡面研磨し、 X線マイクロアナライザー(日本電子株式会社衡
XA-8600M)によって任意の 500 μ τη Χ 500 μ mの領域(部分 A )内で W珪化物ま
1
たは Mo珪化物のうち少なくとも 1つの金属からなる金属珪化物力 S、 Fe珪化物、 Cr珪 化物、 Mn珪化物および Cu珪化物のうち少なくとも 1つからなる金属珪化物と隣接相 を形成しているかどうかを確認した。その結果、全ての試料が隣接相を含んでいた。 さらに、次の隣接相 A— Cのうち、各試料に最も多く含まれている隣接相を分析した。 すなわち、第 1金属珪化物と第 2金属珪化物からなる隣接相を隣接相 A、第 1金属珪 化物と第 3金属珪化物からなる隣接相を隣接相 B、第 2金属珪化物と第 1金属珪化物 を取り囲んでいる隣接相を隣接相 cとし、各試料に最も多く含まれている隣接相を表
1に示した。さらに隣接相の結晶構造を TEM、微少部 X線回折装置、 X線マイクロア ナライザ一を用いて調べた。
[0088] また、焼結体中に含まれる隣接相の含有量 (体積%)を次のように測定した。焼結 体断面を鏡面研磨し、 X線マイクロアナライザー (日本電子株式会社衡 XA— 8600 M)を用いて、 3000倍で試料の鏡面(面積 A )を観察した。そして、 Si、 W、 Fe、 Cr、
1
Mn、 Cu、 Moの各元素の強度をカラーで表示し、 Siを含有しかつ Fe、 Cr、 Mnおよ び Cuのうち少なくとも 1種が観察面の他の部分よりも相対的に多い第 1の部分と、 Si を含有しかつ Wまたは Moのうち少なくとも一方が観察面の他の部分よりも相対的に 多い第 2の部分とを明らかにし、第 2の部分が前記第 1の部分と互いに接している隣 接相の面積 Bを測定し、前記部分 A内の面積に対する前記面積 Bの割合を計算し 、この割合を隣接相 14の含有量 (体積%)とした。
[0089] また、熱衝撃試験として、試料をヒーターブロックにて 650°Cに加熱後、 25°Cの水 中に投下し、試料の割れまたはクラックの有無を確認した。
その結果、表 2に示したように、本発明の試料 No. 1— 15は隣接相が観察され、強 度、破壊靭性値が高ぐ熱衝撃試験で割れまたはクラックが発生しなかった。また、隣 接相を 0. 1— 5体積%含有していた。
[0090] また、隣接相に第 1金属珪化物が含まれる場合、この第 1金属珪化物は FeSi、 Fe
Si、 Fe Si、 Fe Si、 Cr Si、 MnSiおよび Cu Siのうち少なくとも 1つ力ら選ばれるも
3 5 3 3 2 2
のを含んでいた。隣接相に第 2金属珪化物が含まれる場合、この第 2金属珪化物は WSi、 W Si、 WSi、 W Siおよび MoWSiのうち力ら選ば、れる少なくとも 1つを含
2 5 3 3 2 3 2
んでいた。試料 No. 1— 10は、第 1金属珪化物が、第 2金属珪化物または第 3金属 珪化物を取り囲むように形成されている隣接相を有していた。試料 No. 11— 15は、 第 2金属珪化物が、第 1金属珪化物または第 3金属珪化物を取り囲むように形成され ている隣接相を有していた。
[0091] なお、焼結助剤に REを含有しない試料 No. 13、さらには焼結助剤に A1を含有し ない試料 No. 8は、本発明の範囲内の試料であるが、強度、破壊靱性を著しく向上 させることができなかった。 [0092] これに対し、比較例の窒化珪素質焼結体である試料 No. 16— 23を作製し、実施 例と同様に評価した。比較例の試料は、次の条件を除く他は実施例と同様に作製し た。即ち比較例の試料は、予備混合せず、粉末 (P )、粉末 (P )、 Si粉末、窒化珪素
1 2
粉末を同時に混合して作製した試料 (No. 16)、粉末 (P )を用レ、なかった試料 (No
2
. 17)、 Fe O粉末の平均粒径を 0. 05 μ πιとし、予備混合しなかった試料(No. 18)
2 3
、 Fe 〇粉末の平均粒径を 28 μ mとした試料(No. 19)、予備混合せず、 WO粉末
2 3 3 の平均粒径を 0. 05 x mとした試料(No. 20) , WO粉末の平均粒径を 43 μ mとし
3
た試料 (No. 21)、窒化処理を行わず、焼成保持温度まで 100°C/時間で昇温して 焼成した試料 (No. 22)、 Si粉末を用いなかった試料 (No. 23)である。
[0093] その結果比較例の試料からは隣接相が形成されておらず、第 1一第 3の金属珪化 物がほとんどが独立して存在していたため、強度、破壊靭性値が低ぐ熱衝撃試験で 割れまたはクラックが発生した。
[表 1]
Figure imgf000027_0001
*を付けた試料は、本発明の範囲外の試料である。
[表 2]
Figure imgf000028_0001
*を付けた試料は、本発明の範囲外の試料である。
実施例 2
平均粒径 0. 8 μ mの酸化鉄(Fe O )の粉末、平均粒径 1 μ mの W〇粉末を水を
2 3 3
用いて湿式混合し、得られたスラリーを 100°Cで乾燥して予備混合粉末を作製した。 この予備混合粉末と、窒化珪素(Si N )粉末 (平均粒径 1 μ ηι、 α化率 90% Fe不
3 4
純物含有量 lOOppm) Si粉末(平均粒径 3 μ m Fe不純物含有量 200ppm)とから なる原料粉末に、焼結助剤として、平均粒径 Ι μ ΐηの Y Ο粉末と、平均粒径 0. 7 /i
2 3
mの Al O粉末とを混合し、実施例 1と同様にして混合、造粒、成形して外径 60mm
2 3
、厚み 45mmの円柱型成形体を複数得た。得られた成形体を窒素雰囲気中 600°C で 3時間保持することにより脱脂した。なお、酸化鉄粉末、 WO粉末、窒化珪素粉末
3
、 Si粉末、 Y O粉末、 A1〇粉末の質量比は、 1 : 0. 8 : 10. 3 : 69. 3 : 13. 6 : 5 (酸
2 3 2 3
化鉄粉末の質量比は Fe換算、 WO粉末の質量比は W換算、 Si粉末の質量比は Si
3 3
N換算での質量比)となるようにした。また、脱脂体の比表面積を BET法により測定
4
した所、 10 15m2/gであった。
[0095] 得られた脱脂体を表面が窒化珪素質力 成るカーボン製のこう鉢中に載置し、実 質的に窒素からなる 150kPaの窒素分圧中、表 3に示す 3つのステップの温度、保持 時間で順次窒化し、さらに昇温して 120kPaの窒素分圧中 1500°Cで 3時間、 1770 °Cで 10時間、 200kPaの窒素分圧中 1800°Cで 3時間、順次保持して焼成し、 /3型 窒化珪素質焼結体からなる本発明の試料を得た。
[0096] 得られた試料の曲げ強度を実施例 1と同様に測定した。また、焼結体断面を鏡面 研磨し、実施例 1と同様にして X線マイクロアナライザー(日本電子株式会社衡 XA- 8600M)を用いて W珪化物、 Fe珪化物、 Wと Feを含む珪化物を特定し、これらの珪 化物が互いに隣接している結晶(隣接相)の有無とその含有量を測定し、さらに隣接 相の平均粒径を測定した。また、窒化珪素の結晶の長径を SEM写真により求め、平 均値を算出した。また、 4点曲げ強度試験後の試料中の W、 Feの含有量を ICP発光 分光分析によって測定した。さらに、 WSi、 FeSiの結晶相の存在を粉末 X線回折
2 2
法により確認した。また、実施例 1と同様に 650°Cで熱衝撃試験を行レ、、試料の割れ またはクラックの有無を調べ、さらに試料を 750°Cに加熱した後、再度 25°Cの水中に 試料を投下し、割れまたはクラックの発生の有無を調べた。
[0097] その結果、全ての試料 No. 24— 30に W珪化物、 Fe珪化物、 Wと Feを含む珪化物 のうち少なくとも 2つが隣接した隣接相が観察され、また長径の平均粒径が 15 μ m以 下となった。その結果、高い強度と破壊靱性値が得られると共に、 650°C加熱後の熱 衝撃試験によっても割れまたはクラックが発生しなかった。
[0098] 試料 No. 29、 30は、また隣接相の含有量が 2体積%を超え、 750°C加熱後の熱 衝撃試験により割れまたはクラックが発生した。試料 No. 29に W Si 1 試料 No. 3
5 3
0に Fe Siの存在が明確に確認された
[表 3(1)]
Figure imgf000030_0001
実施例 3
[0099] 平均粒径 0. 3 μ mの酸化鉄(Fe O )粉末と平均粒径 0. 4 μ mの WO粉末を Feと
2 3 3
Wの質量換算比で 1: 1となるよう混合し、実施例 1と同様に予備混合し、予備混合粉 末を作製した。この予備混合粉末に、実施例 2と同じ窒化珪素粉末、 Si粉末を混合し 、酸化鉄粉末、 WO粉末、窒化珪素粉末、 Si粉末 (Si N換算)を、それぞれ 1質量
3 3 4
%、 1質量%、 10質量%、 70質量% (小計 82質量%)秤量してベース組成とした。
[0100] 次に、平均粒径 0. 5 μ mの Y O粉末、平均粒径 3 μ mの Al O粉末、平均粒径 2
2 3 2 3 z mの SiO粉末を小計 18質量%となるように量を変更して添カ卩し、全粉末 (合計 10
2
0質量%)を実施例 2と同様の方法で混合、造粒後、成形、脱脂し、脱脂体を作製し た。得られ脱脂体を窒化珪素質のこう鉢中に載置し、実質的に窒素からなる 150kPa の窒素分圧中、 1050°Cで 20時間、 1120°Cで 10時間、 1170°Cで時間、 1300°Cで 3時間の各ステップ (各ステップ間は昇温速度 25°C/時間で昇温)で順次保持して、 Siをひ化率 90%以上の Si Nに窒化後、さらに昇温して 120kPaの窒素分圧中 150
3 4
0°Cで 3時間、 1770°Cで 10時間、 200kPaの窒素分圧中 1800°Cで 3時間、順次保 持して焼成し、 β型窒化珪素質焼結体からなる本発明の試料を得た。
[0101] 実施例 1と同様に、得られた試料力 試験片を切り出し、曲げ強度、破壊靱性を測 定した。 Y O 、 Al Οの含有量は、 Υ含有量、 A1含有量を ICP発光分光分析にて定
2 3 2 3
量分析し、さらに Y O 、 Al Οに換算した(こうして換算した Υ Οと A1〇の含有量
2 3 2 3 2 3 2 3 の合計を Gとする。 ) SiO含有量は、 LECO社製酸素分析装置で全酸素含有量を測
2
定し、全酸素含有量から Y Oと Al Oの含有量の合計 Gに含まれる酸素量を除外し
2 3 2 3
た残部の酸素量を、 SiOに換算して求めた。また、窒化珪素の粒子径は、鏡面研磨
2
した焼結体断面の任意の 200 /i m X 200 /i mの領域内の粒子径を測定して求めた 。また実施例 1と同様に各試料の隣接相の有無を測定した。また、 TEMを用いて隣 接相の結晶構造を解析した。
[0102] その結果、試料 No. 31— 41は W珪化物と Fe珪化物からなる隣接相、または W— F e珪化物(第 3珪化物)と Fe珪化物からなる隣接相が含まれており、この隣接相は W 珪化物を Fe珪化物が取り囲む隣接相、または W— Fe珪化物(第 3珪化物)を Fe珪化 物珪化物が取り囲む隣接相を含んでいた。これらの隣接相に含まれる金属珪化物の 結晶相は、 Feを含む珪化物が FeSi、 Wを含む珪化物が WSiであった。また、表 4
2 2
に示すように、試料 No. 31— 41は強度、破壊靱性値が高くなつた。また、 SiO /R
2
E O 匕力 SO. 2— 10 Al O /RE O 匕力 0. 2— 5である言式^ No. 32— 35、 38— 4
2 3 2 3 2 3
0は相対密度が 97%を超えており、強度、破壊靭性値ともに特に高くなつた。
[0103] また、 Si〇 /RE O比が 0. 2未満の試料 No. 31は相対密度が 97%、 Al O /R
2 2 3 2 3
E O比が 0. 2未満の試料 No. 36は相対密度が 96%であり、内部のボイド量を著し
2 3
く低減できなかったため、強度が著しく向上しなかった。また、 SiO /RE O比が 10
2 2 3 を超えた試料 No. 37は相対密度が 99%と高かった力 粒界層に含まれる結晶相の 均一分散が著しくなぐ強度、破壊靱性値が著しく向上しな力つた。また、 Al O /R
2 3
E O比が 5を超えた試料 No. 41は相対密度が 100%で高強度であった力 S、破壊靭
2 3
性値を著しく向上することができなかった。
[0104] [表 4]
Figure imgf000032_0001
実施例 4
[0105] 焼成工程で最高温度から 800°Cまでの降温速度を 200°CZ時間とした以外は実 施例 3の試料 No. 31— 35と同様にして試料を複数作製し、 JIS R1601に準じて 4 点曲げ強度を測定した。一方、 JIS R1601に準じた 4点曲げ強度測定用の試験片 を、大気中 1000°Cで 10時間の酸化処理を行った後、 JIS R1601に準じて 4点曲げ 強度を測定した。また、酸化処理をしな力 た試料片と酸化処理をした試料片の表 面を X線回折により測定し、試料片表面の結晶相を同定した。
[0106] いずれの試料においても酸化処理しない試料片は高強度であった力 試料 No. 4 2は粒界層にメリライト相(RE Si O N )を含んでいたため、酸化処理によって試験
2 3 3 4
片表面が激しく変色し、微細なクラックが発生し、酸化処理後の試料片の強度が極端 に低下した。
[0107] これに対し、酸化処理前の粒界層に非晶質ガラス相、アパタイト相、ダイシリケート 相のうち少なくとも 1種を含有する試料 No. 43 46は、酸化処理によって粒界層が アパタイト相、ボラストナイト相、ダイシリケート相のうち少なくとも 1種を含有するものと なり、酸化処理後においても高強度であった。この酸化処理後の試料の高強度の原 因は、粒界層に生成した粒界相(アパタイト相、ボラストナイト相、ダイシリケート相のう ち少なくとも 1種)の最適化、および試料表面に生成したこれらの粒界相によって試 験片表面の研削傷が消滅したためと思われる。
[0108] また、粒界層に含まれる非晶質相(ガラス相)が結晶化してアパタイト相、ボラストナ イト相、ダイシリケート相のうち少なくとも 1種となった試料 No. 43 46は、 800°Cに おける曲げ強度がいずれも 700MPa以上を示し、高温強度の向上が確認された。
[0109] [表 5]
Figure imgf000033_0001
実施例 5
[0110] Fe O粉末(平均粒径 0· 3 μ m) , WO粉末(平均粒径 0· 4 μ ΐη)を実施例 1と同
2 3 3
様にして予備混合した。また、窒化珪素粉末(平均粒径 1 μ ΐη、 ct化率 90%、 Fe不 純物含有量 200ppm)と、 Si粉末(平均粒径 3 μ m、 Fe不純物含有量 300ppm)を準 備した。得られた予備混合粉末を用いて、 Fe O粉末、 WO粉末、窒化珪素粉末、
2 3 3
Si粉末をそれぞれ質量比で 10: 70 : 1 : 1 (酸化鉄粉末の質量比は Fe換算、 WO粉
3 末の質量比は W換算、 Si粉末の質量比は Si N換算での質量比)に秤量した粉末 1
3
00質量部に対して、平均粒径 0. 5 111の¥ O粉末を 15重量部、平均粒径 0. 7 β
2 3
mの Al O粉末を 7重量部、平均粒径 の SiO粉末を 1重量部添加し、実施例 1
2 3 2
と同様に混合、造粒した。得られた造粒体を用いて、成形圧力 80MPaにて長さ 200 mm、外径 150mm、内径 130mmの円筒形状の成形体を作製した。得られた成形 体を、実施例 1と同様に脱脂、実施例 1と同様にして窒化、焼成した。なお、成形体は 、成形体の円筒形状の同心軸が横たわる状態で炉内に載置して焼成した。
[0111] 得られた窒化珪素質焼結体は自重により径方向が潰れた形状をしており、変形率( %)を 100 X { (最大外径部) - (最小外径部) } / (最大外径部)により求めた。また、 得られた焼結体断面を鏡面研磨し、この鏡面の任意の 200 μ m X 200 μ m (面積 40 000 β m2)の領域内から窒化珪素の結晶を除外して粒界層部分の面積を測定し、こ の粒界層部分の面積を 40000 β m2で割ることにより粒界層の面積比率を求め、この 面積比率を 100倍して粒界層の含有量 (体積%)とした。
[0112] 表 6に示すように、粒界層の含有量が 20体積%を超える試料 No. 51は変形率が 極端に大きくなる傾向があった力 粒界層の含有量が 20体積%以下の試料 No. 47 一 50は変形率が小さくなることが確認された。
[0113] [表 6]
Figure imgf000034_0001
産業上の利用可能性
[0114] 本発明の窒化珪素質焼結体は次のような用途に好適である。
例えば、アルミニウム低圧铸造用のストーク、バーナーチューブ、ヒーターチューブ 、 TC保護管、ダイカスト用のダイカストスリーブ、バーナーチューブ、ヒーターチュー ブ、熱電対保護管、ラドル、錡込み型、ホットチャンバ一用のピストン、スリーブ、ノズ ル、ピストン保持部品等のアルミニウム溶湯用部材として好適に用いることができる。
[0115] 熱間加工用のスクイズロール、スキッドボタン、鍛造用の鍛造用ダイ、高周波焼入れ 用の焼入れ治具、溶接用のスパッタリングノズル、エアーピン、高温耐磨耗用のライ ニング材などの金属 ·鉄鋼関係用部材に好適に用いることができる。
[0116] 粉砕機用のディスク、スリーブ、ノズル、ライナー、ロール、メディア、混合攪拌機用 のタンク、アーム部品、遠心分離機用のスリーブ、ブッシュ等の、粉砕機用部材に好 適に用いることができる。さらには、カッター、包丁、工具、製紙、インクジェット、流体 軸受け、工作機械やハードディスクなどのベアリングボール、釣り具、糸道、成形金 型等の部材としても好適に用いることができる。
[0117] 電加工機用のワイヤーローラ、ワイヤーガイド、絶縁板、金属塑性加工用のキヤプ スタン、曲げロール、スピニンダロール、製罐用部材、レーザー加工機用の絶縁部品 などの、加工機用部材に好適に用いることができる。
[0118] 掘削部品用の耐摩耗シールリング、揚水用部品の大型縦軸受け、高温用のボール バルブなどの、ポンプ部品用部材として好適に用いることができる。
[0119] 火力発電バーナー部品のバーナーリング、保炎リング、高温耐磨耗部品のライニン グ材、ノズルなどの、エネルギー用部材として好適に用いることができる。
[0120] 耐熱性、耐摩耗性、バラツキの少なレ、強度特性を生かして、ターボローター、カム口 一ラー、スワールチャンバ一、排気制御弁、吸排気バルブ、ロッカーアーム、ピストン ピン、シールリング、高圧を含む燃料噴射ポンプ部品、グロ一プラグ、セラミックヒータ 一などの自動車エンジン部材や、ヘッドライナー、シリンダーライナー、ピストンクラウ ン、バルブ、バルブガイドなどのガスエンジン部材や、タービンローター、コンパスタ 一、各種リング、各種ノズノレなどのガスタービン部材などの各種セラミックエンジン部 材にも適用できる。

Claims

請求の範囲
[1] 窒化珪素の結晶と、以下の第 1一第 3金属珪化物のうち少なくとも 2つを含む粒界層 とを有した窒化珪素質焼結体であって、
前記粒界層は、第 1一第 3金属珪化物のうち少なくとも 2つが互レ、に接する P 接相 を有することを特徴とする窒化珪素質焼結体。
第 1金属珪化物: Fe、 Cr、 Mnおよび Cuから成る群から選択された少なくとも 1つの 第 1の金属元素からなる金属珪化物
第 2金属珪化物: W、 Moのうち少なくとも 1つの第 2の金属元素からなる金属珪化物 第 3金属珪化物:第 1の金属元素と第 2の金属元素を含む複数金属成分力 なる金 属珪化物
[2] 前記第 1の金属元素が Fe、前記第 2の金属元素が Wであることを特徴とする請求項 1 に記載の窒化珪素質焼結体。
[3] 前記隣接相では、第 1金属珪化物が、第 2金属珪化物または第 3金属珪化物を取り 囲むように形成されていることを特徴とする請求項 1または 2のいずれかに記載の窒 化珪素質焼結体。
[4] 前記窒化珪素の結晶粒子の平均粒径が 15 μ m以下であることを特徴とする請求項
3に記載の窒化珪素質焼結体。
[5] 窒化珪素質焼結体中における前記第 1の金属元素の含有量を計 0. 2 10質量%、 前記第 2の金属元素の含有量を計 0. 1— 3質量%の範囲とし、前記第 1の金属元素 を第 2の金属元素より多く含有したことを特徴とする請求項 3または 4に記載の窒化珪 素質焼結体。
[6] Si粉末、もしくは Si粉末と窒化珪素粉末の混合粉末と、平均粒径が 0. 5— 20 μ mの 前記第 1の金属元素の化合物からなる粉末と、平均粒径が 0. 1— の前記第 2 の金属元素の化合物からなる粉末とを含む粉体を成形、焼成して得られることを特徴 とする請求項 4または 5に記載の窒化珪素質焼結体。
[7] 前記隣接相では、第 2金属珪化物が、第 1金属珪化物または第 3金属珪化物を取り 囲むように形成されていることを特徴とする請求項 1または 2のいずれかに記載の窒 化珪素質焼結体。
[8] 窒化珪素質焼結体中における前記第 1の金属元素の含有量を計 0. 01— 2質量%、 前記第 2の金属元素の含有量を計 0. 2— 10質量%の範囲とし、前記第 2の金属元 素を第 1の金属元素より多く含有したことを特徴とする請求項 7に記載の窒化珪素質 焼結体。
[9] Si粉末、もしくは Si粉末と窒化珪素粉末の混合粉末と、平均粒径が 0. 1— 5 μ mの 前記第 1の金属元素の化合物からなる粉末と、平均粒径が 1一 30 μ mの前記第 2の 金属元素の化合物からなる粉末とを含む粉体を成形、焼成して得られることを特徴と する請求項 7または 8に記載の窒化珪素質焼結体。
[10] Si粉末、もしくは Si粉末と窒化珪素粉末の混合粉末に、予め平均粒径 0. 1 20 μ mの Fe、 Cr、 Mnおよび Cuのうち少なくとも 1つの第 1の金属元素の化合物に、平均 粒径 0. 1— 30 x mの W、 Moのうち少なくとも 1つの第 2の金属元素の化合物を湿式 混合、乾燥して得られた予備混合粉末を混合して原料粉末を作製する原料作製ェ 程と、
前記原料粉末と有機結合剤とからなる成形体を作製する成形工程と、
実質的に窒素ガス、アルゴンガス、またはこれらの混合ガスからなる雰囲気中で前 記有機結合材を脱脂して脱脂体を作製する脱脂工程と、
前記脱脂体を実質的に窒素ガス雰囲気中で窒化体に変換する窒化工程と、 前記窒化体を窒素ガスを含有する非酸化性雰囲気中で焼成して焼結体を作製す る焼成工程とを有することを特徴とする窒化珪素質焼結体の製造方法。
[11] 前記予備混合粉末として平均粒径が 0. 5— 20 / mの前記第 1の金属元素の化合物 と、平均粒径が 0. 1— 5 /i mの前記第 2の金属元素の化合物とを用い、
窒化珪素質焼結体中における前記第 1の金属元素の含有量が計 0. 2 10質量%
、前記第 2の金属元素の含有量が計 0. 1 3質量%の範囲となり、前記第 1の金属 元素が前記第 2の金属元素よりも多く窒化珪素質焼結体中に含有されるよう製造す ることを特徴とする請求項 10に記載の窒化珪素質焼結体の製造方法。
[12] 前記焼成工程における降温速度が 50°C/時間以上であることを特徴とする請求項 1
0または 11に記載の窒化珪素質焼結体の製造方法。
[13] 前記予備混合粉末として平均粒径が 0. 1 5 mの前記第 1の金属元素の化合物と 、平均粒径が 1一 30 μ ΐηの前記第 2の金属元素の化合物とを用い、 窒化珪素質焼結体中における前記第 1の金属元素の含有量が計 0. 01— 2質量% 、前記第 2の金属元素の含有量が計 0. 2— 10質量%の範囲となり、前記第 2の金属 元素が前記第 1の金属元素よりも多く窒化珪素質焼結体中に含有されるよう製造す ることを特徴とする請求項 10に記載の窒化珪素質焼結体の製造方法。
[14] 請求項 3— 6のいずれかに記載の窒化珪素質焼結体を用いたことを特徴とする耐溶 融金属用部材。
[15] 請求項 7— 9のいずれかに記載の窒化珪素質焼結体を用いたことを特徴とする耐摩 耗用部材。
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