WO2004086821A1 - 発光素子及び有機エレクトロルミネセンス発光素子 - Google Patents

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WO2004086821A1
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organic
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PCT/JP2004/003724
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Susumu Noda
Takashi Asano
Masayuki Fujita
Hiroshi Ohata
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Kyoto University
Nippon Telegraph And Telephone Corporation
Pioneer Corporation
Hitachi, Ltd.
Mitsubishi Chemical Corporation
Rohm Co. Ltd.
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Definitions

  • the present invention relates to a light emitting element having high light extraction efficiency.
  • the present invention relates to an organic electroluminescent (hereinafter, “electroluminescence” is abbreviated as “EL”) light emitting element with high light extraction efficiency of light emitted from an organic EL layer.
  • EL organic electroluminescent
  • Organic EL light-emitting elements are expected to be self-light-emitting elements as video display devices such as displays and as surface light sources.
  • video display devices such as displays and as surface light sources.
  • an organic EL device is used as a video display device, a part-color system that emits light in a single color, or a full-color device that emits light in the three primary colors of red (R), green (G), and blue (B)
  • R red
  • G green
  • B blue
  • Such an organic EL light emitting device is generally manufactured by sequentially stacking a transparent electrode as an anode, an organic EL layer, and a metal electrode as a cathode on a transparent substrate such as a glass substrate. Due to the voltage applied between the transparent electrode and the metal electrode, electrons supplied from the cathode and holes supplied from the anode are recombined in the organic EL layer, and the excitons generated accordingly are generated. EL is emitted when the state changes from the excited state to the ground state. The light emitted by the EL passes through the transparent electrode and is extracted outside from the transparent substrate side.
  • the refractive index of ITO (Tin Oxide) used as a transparent electrode is about 2.0, which is higher than the refractive index of a glass substrate used as a transparent substrate, which is 1.5.
  • Figure 1 shows the simulation results of the electric field distribution of the transparent electrode waveguide mode confined in the transparent electrode.
  • the refractive index distribution of the organic EL layer, A1 Q3 and PVK, followed by IT ⁇ and the glass substrate is indicated by a broken line, and the transparent electrode guides the light with an emission wavelength of 524 nm.
  • the electric field strength of the mode is shown by the solid line.
  • the transparent electrode waveguide mode is confined in the high refractive index ITO and cannot be extracted outside.
  • the refractive index of the glass substrate is about 1.5, which is higher than the refractive index of air, which is 1.0, most of the light traveling from the transparent electrode to the glass substrate travels through the glass substrate. It is in wave mode and is not emitted from the glass substrate into the air. As a result, most of the light emitted from the organic EL layer is in the transparent electrode waveguide mode or the transparent substrate waveguide mode, and the light extraction efficiency is low.
  • the light extraction efficiency refers to a ratio of a photon that can be extracted outside the organic EL light emitting element to a photon emitted from the organic EL layer.
  • the waveguide mode refers to the state of an electromagnetic wave propagating in the waveguide.
  • the radiation mode refers to the state of electromagnetic waves that are not localized in the waveguide.
  • the thickness of the transparent electrode and the organic EL layer is about the same as or less than the effective wavelength of light emitted from the organic EL layer, it is known that a simple geometrical optical method has a large error. For this reason, various calculation methods other than geometrical optics have been attempted.
  • the thickness of the transparent electrode was from 50 nm to 200 nm, and the thickness of the organic EL layer was from 20 nm to 80 nm.
  • the transparent electrode waveguide mode is about 40% to 50% of the light emitted from the organic EL layer
  • the transparent substrate waveguide mode is about 25% to 35% of the light emitted from the glass substrate.
  • the light extraction efficiency was about 15 to 30%.
  • the effective wavelength refers to the wavelength of light in the propagation medium
  • a technology in which a condensing lens is provided at a boundary between a transparent electrode and a transparent substrate is disclosed (for example, see Patent Document 1).
  • Fig. 2 shows a conventional technology in which a condensing lens is provided at the boundary between the transparent electrode and the transparent substrate.
  • 81 is a glass substrate
  • 82 is a transparent electrode
  • 83 is an organic EL layer
  • 84 is a condenser lens.
  • a condenser lens 84 formed on the upper surface of the glass substrate 81 is used! ⁇
  • the ratio of the light that is totally reflected can be reduced.
  • the ratio of light that is totally reflected is increased.
  • Patent Literature 1 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-260624. Disclosure of the Invention
  • the inventors have paid attention to the fact that most of the light emitted from the organic EL layer is in the transparent electrode waveguide mode or the transparent substrate waveguide mode from the simulation result of the light extraction efficiency.
  • the transparent electrode waveguide mode is converted to a square mode that radiates from the transparent electrode to the transparent substrate, or if the transparent substrate waveguide mode is converted to a radiation mode that radiates from the transparent substrate to the outside, light The removal efficiency is improved.
  • the present inventors have invented a mode conversion means for converting a transparent electrode waveguide mode, which is a waveguide mode, to a transparent substrate waveguide mode, into a radiation mode by using the wave behavior of light.
  • the present invention is to improve the light extraction efficiency from a light emitting element such as an organic EL light emitting element by using a mode conversion means in order to solve the low light extraction efficiency of a conventional light emitting element such as an organic EL light emitting element.
  • the purpose is to achieve. (Means for solving the problem)
  • 12 is a light-emitting layer
  • 21 is a radiation mode
  • 21 is a waveguide mode
  • 23 is a radiation mode
  • 24 is a waveguide mode.
  • the light emitting layer 12 is formed, and the light emitted by the light emitting layer 12 passes through the substrate 11 and is emitted to the outside. Since the substrate 11 generally has a higher refractive index than the outside air, if the incident angle from the substrate 11 to the outside air is equal to or less than the critical angle, the light emitted from the light emitting layer 12 will be in the radiation mode 2 It becomes 1 and is radiated outside. However, when the incident angle from the substrate 11 to the outside air is equal to or larger than the critical angle, the light is totally reflected at the boundary between the substrate 11 and the outside air, and becomes the waveguide mode 22.
  • a mode conversion means for converting a guided mode into a radiation mode is provided in a region where light to be a guided mode propagates.
  • a regular refractive index distribution is formed at the interface between the substrate 11 and the light emitting layer 12. For example, if the refractive index of the substrate 11 is 1.5 and the refractive index of the light emitting layer 12 is 1.7, there is a difference between the substrate 11 and the light emitting layer 12.
  • a refractive index distribution with a characteristic can be formed. Assuming that the formed irregularities have such a period that the propagation of light in the waveguide mode is prohibited, ideally all the waveguide modes 22 are converted to the radiation modes 23. In practice, it is difficult to make the refractive index distribution such that propagation is completely prohibited. Therefore, a part of the waveguide mode 22 is suppressed to be converted to the radiation mode 23 by suppressing the propagation, A part of 2 is not converted and remains in guided mode 24. .
  • the first invention of the present application is directed to a light-emitting element having at least a light-emitting layer on a substrate, wherein the inside of the substrate, the inside of the light-emitting layer, the interface between the substrate and the outside,
  • a light emitting device comprising a mode conversion means for converting a waveguide mode to a radiation mode on at least one of an interface between the light emitting layer and an interface between the light emitting layer and the outside.
  • the inside of the substrate, the inside of the light-emitting layer, the inside of the waveguide layer, the substrate and the substrate An interface with the outside, an interface between the substrate and the light emitting layer, an interface between the light emitting layer and the outside of the light emitting layer, an interface between the substrate and the waveguide layer, At least one of the interface between the light emitting layer and the waveguide layer, the interface between the waveguide layer and the outside of the waveguide layer, or the interface between the waveguide layer and the waveguide layer radiates from the guided mode.
  • the light-emitting element In the light-emitting element, a part of the light emitted from the light-emitting layer becomes a radiation mode and is emitted to the outside of the light-emitting element, and the rest becomes a waveguide mode. The light is converted into a radiation mode by the mode conversion means and emitted to the outside of the light emitting element. Therefore, the light extraction efficiency of the light emitting element can be improved.
  • the second invention of the present application is an organic electroluminescent light emitting device having, on a substrate, at least a first electrode, an organic electroluminescent layer, and a second electrode opposed to the first electrode.
  • the interior of the substrate, the interior of the first electrode, the interior of the organic electroluminescent layer, the interior of the second electrode, the interface between the substrate and the exterior of the substrate, the substrate and the first An interface with an electrode; an interface between the first electrode and the organic electroluminescent layer; an interface between the organic electroluminescent layer and the second electrode; or an interface between the second electrode and the second electrode.
  • An organic electroluminescent light-emitting device comprising a mode conversion means for converting a guided mode to a radiation mode on at least one of its external interfaces.
  • a first electrode, an organic electroluminescent layer, and a second electrode facing the first electrode are sequentially provided on a substrate.
  • the organic electroluminescent light emitting device having the above-described waveguide layer, the inside of the substrate, the inside of the first electrode, the inside of the organic electroluminescent layer, the inside of the second electrode, the inside of the second electrode, An inner portion of the wave layer, an interface between the substrate and the outside of the substrate, an interface between the substrate and the first electrode, an interface between the first electrode and the organic electroluminescence layer, the organic electroluminescence.
  • Mode conversion to convert to mode An organic electroluminescent light emitting device comprising:
  • the organic EL light emitting element In the organic EL light emitting element, a part of the light emitted from the organic EL layer becomes a radiation mode and is radiated to the outside of the organic EL light emitting element, and the rest becomes a waveguide mode.
  • the emitted light is also set in a radiation mode by the mode conversion means, and is emitted to the outside of the organic EL light emitting device. Therefore, the light extraction efficiency of the organic EL light emitting device is improved.
  • the organic EL layer may include a hole injection layer, a hole transport layer, an organic EL light emitting layer, an electron injection layer, and an electron transport layer.
  • the hole injection layer has a function of facilitating the injection of holes from the hole injection electrode, and the hole transport layer has a function of stably transporting holes.
  • the electron injection layer has a function to facilitate injection of electrons from the electron injection electrode, and the electron transport layer has a function to stably transport electrons. These layers increase the number of holes / electrons injected into the organic EL light emitting layer, exhibit a confinement effect, and improve the light emission efficiency.
  • the organic EL light emitting layer contains a fluorescent substance which is a compound having a light emitting function, and emits light by the EL phenomenon. The same applies to the following description.
  • the waveguide layer is not a material or structure, but a layer in which light emitted from the organic EL layer becomes a waveguide mode.
  • the second electrode is a transparent electrode, a thin-film metal electrode, or an electrode in which a thin-film metal is arranged on the transparent electrode and the organic electroluminescent layer side of the transparent electrode.
  • Organic electroluminescent light emitting devices are also included.
  • the second electrode By making the second electrode a transparent electrode, light emitted from the organic EL layer can be extracted from the side opposite to the substrate. A so-called top emission type organic EL light emitting device can be obtained.
  • the second electrode may be a thin-film metal electrode to enhance light transmission. If the second electrode is on the anode side, holes can be easily injected even if the second electrode is a transparent electrode, but if the second electrode is on the cathode side, electrons can be injected even if the second electrode is a transparent electrode. Becomes difficult. In this case, it is possible to solve the problem by forming a thin metal film between the transparent electrode and the organic EL layer where electrons can be easily injected.
  • the outer surface of the substrate or the outer surface of the second electrode is provided with An organic electroluminescent light emitting device further comprising an optical functional layer having a mode conversion means for converting to a radiation mode is also included.
  • the light directed to the substrate side can be guided to the waveguide mode. Is converted to a radiation mode and is emitted to the outside of the OLED device.
  • the light emitted from the organic EL layer is extracted from the substrate side, which is a so-called potom emission type organic EL light emitting device.
  • an optical functional layer provided with a mode conversion means for converting a waveguide mode to a radiation mode on the outer surface of the second electrode light emitted from the organic EL layer is directed toward the second electrode.
  • the mode conversion means is provided inside the optical function layer or at the interface between the optical function layers.
  • the optical functional layer is made of a material that transmits the light emitted from the organic EL layer, and has a mode conversion means for converting a waveguide mode to a radiation mode inside or at an interface. If a mode conversion means for converting a waveguide mode to a radiation mode is provided in a part of the waveguide layer, it functions as an optical functional layer.
  • the third invention of the present application provides at least a first electrode, an organic electroluminescent layer, a light-transmitting second electrode facing the first electrode, and a protective film on a substrate.
  • An organic electroluminescence light-emitting device having: an interior of the substrate; an interior of the first electrode; an interior of the organic electroluminescence layer; an interior of the second electrode; an interior of the protective film; An interface between the substrate and the outside of the substrate, an interface between the substrate and the first electrode, an interface between the first electrode and the organic electroluminescent layer, an organic electroluminescent layer and the second A mode conversion for converting a waveguide mode to a radiation mode to at least one of an interface with an electrode, an interface between the second electrode and the protective film, or an interface between the translator and the outside of the protective film.
  • a first electrode, an organic electroluminescent layer, a light-transmitting second electrode facing the first electrode, and a protective film are sequentially provided, and
  • an organic electroluminescent light emitting device having at least one waveguide layer on any of the substrates, the inside of the substrate, the inside of the first electrode, the inside of the organic electroluminescent layer, Inside a second electrode, inside the protective film, inside the waveguide layer, interface between the substrate and the outside of the substrate, interface between the substrate and the first electrode, the first electrode and the Interface between the organic electroluminescent layer, interface between the organic electroluminescent layer and the second electrode, interface between the second electrode and the protective film, interface between the protective film and the outside of the protective film An interface between the substrate and the waveguide layer; an interface between the first electrode and the waveguide layer; An interface between the organic electroluminescence layer and the conductive layer, an interface between the second electrode and the conductive layer, an interface between the protective film and the conductive layer, the conductive layer and
  • the second electrode is a translucent electrode and the light emitted from the organic EL layer is extracted from the opposite side of the substrate, that is, if it is a so-called top emission type organic EL light emitting element
  • the second electrode It is preferable to provide a protective film on the side.
  • the protective film can be expected to prevent contact with the second electrode and prevent oxidation of the organic EL layer.
  • the third invention of the present application is the organic electroluminescent device further comprising an optical functional layer provided on an outer surface of the substrate or an outer surface of the protective layer, the optical function layer including a mode conversion unit for converting a waveguide mode to a radiation mode.
  • a sense light emitting element is also included.
  • the light emitted from the organic EL layer toward the substrate can be guided. Even when the mode is set, it is converted to the emission mode and emitted outside the OLED.
  • Organic E It is effective for a so-called bottom emission type organic EL light emitting device that extracts light emitted from the L layer from the substrate side.
  • the outer surface of the protective layer has an optical layer having a mode conversion means for converting a waveguide mode to a radiation mode, light emitted from the organic EL layer is directed toward the protective layer.
  • the mode conversion means is provided inside the optical function layer or at the interface between the optical function layers.
  • a fourth invention of the present application is an organic electroluminescent light emitting device having, on a transparent substrate, at least a transparent electrode, an organic electroluminescent layer, and a metal electrode facing the transparent electrode, Inside a transparent substrate, inside the transparent electrode, inside the organic electroluminescent layer, inside the metal electrode, at the interface between the transparent substrate and the outside of the transparent substrate, at the interface between the transparent substrate and the transparent electrode, The waveguide is guided to at least one of an interface between the transparent electrode and the organic electroluminescent layer, an interface between the organic electroluminescent layer and the metal electrode, or an interface between the metal electrode and the outside of the metal electrode.
  • This is an organic electroluminescent light emitting device including mode conversion means for converting a mode to a radiation mode.
  • a transparent electrode, an organic electroluminescent layer, and a metal electrode facing the transparent electrode are sequentially provided, and one or more waveguides are provided on any of the transparent substrates.
  • an organic electroluminescent light emitting device having a layer, the inside of the transparent substrate, the inside of the transparent electrode, the inside of the organic electroluminescent layer, the inside of the metal electrode, the inside of the waveguide layer, the transparent Interface between the substrate and the outside of the transparent substrate; interface between the transparent substrate and the transparent electrode; interface between the transparent electrode and the organic electroluminescent layer; interface between the organic electroluminescent layer and the metal electrode An interface between the metal electrode and the outside of the metal electrode, an interface between the transparent substrate and the waveguide layer, an interface between the transparent electrode and the waveguide layer, the organic electroluminescence layer and the waveguide layer, Interface, Interface between the metal electrode and the conductor-wave layer, the interface between the external conductor-wave layer and the conductor-wave layer or conductor An organic electroluminescent light emitting device having a layer, the
  • the organic EL light emitting device In the organic EL light emitting device, a part of the light emitted from the organic EL layer becomes a radiation mode and is radiated to the outside of the organic EL light emitting device, and the rest becomes a waveguide mode. Is also in a radiation mode by the mode conversion means, and is radiated to the outside of the organic EL light emitting device. Therefore, the light extraction efficiency of the organic EL light emitting device is improved.
  • the fourth invention of the present application is characterized in further comprising an optical functional layer provided on the outer surface of the transparent substrate or the outer surface of the metal electrode, provided with a mode conversion unit for converting a waveguide mode to a radiation mode.
  • Organic electroluminescent light emitting devices are also included.
  • an optically functional layer provided with a mode conversion means for converting a waveguide mode to a radiation mode on the outer surface of the transparent substrate, of the light emitted by the organic EL layer, the light directed to the transparent substrate side can be emitted. Even if it becomes a waveguide mode, it is converted into a radiation mode and radiated outside the organic EL light emitting device. It is effective for the so-called bottom emission type organic EL light-emitting element that extracts light emitted from the organic EL layer from the transparent substrate side.
  • the outer surface of the metal electrode has an optical functional layer provided with a mode conversion means for converting a waveguide mode to a radiation mode, of the light emitted from the organic EL layer, the light directed toward the metal electrode is provided. Is converted into a radiation mode even if becomes a waveguide mode, and is radiated outside the organic EL light emitting element. It is effective for so-called top emission type organic EL light-emitting devices, in which light emitted from the organic EL layer is extracted from the side opposite to the transparent substrate. Therefore, the light extraction efficiency of the organic EL light emitting device is improved.
  • the mode conversion means is provided inside the optical function layer or at the interface between the optical function layers.
  • the waveguide mode in the above invention includes a transparent electrode waveguide mode that propagates in the transparent electrode and a transparent substrate waveguide mode.
  • the transparent electrode waveguide mode includes not only the transparent electrode but also the waveguide mode integrated with the organic EL layer. Because the thickness of the transparent electrode and the thickness of the organic EL layer are thinner than the effective wavelength and there is seepage from the transparent electrode to the organic EL layer and the transparent substrate, it is not necessarily strictly said that propagation is within the transparent electrode. It is.
  • the waveguide mode of the transparent substrate is mainly for electric fields in the transparent substrate This is the waveguide mode with the highest strength. The same applies to the following inventions.
  • the waveguide mode of the inner layer is changed from the waveguide mode of the outer layer.
  • Mode conversion is also included. This is because even if the guided mode of the inner layer is mode-converted and radiated, a part is radiated to the outside via the outer layer, but partly becomes a guided mode of the outer layer. .
  • the conversion from the transparent electrode waveguide mode to the radiation mode is The radiation mode changes from the transparent electrode waveguide mode to the radiation mode, and the radiation mode is radiated to the outside through the transparent substrate.
  • the radiation mode changes from the transparent electrode waveguide mode to the radiation mode, and the transparent electrode enters the transparent substrate. It includes radiation, but conversion to a radiation mode that becomes a transparent substrate waveguide mode that propagates through the transparent substrate. The same applies to the following inventions.
  • the mode conversion means is an optical structure having a refractive index distribution with regularity in one-dimensional, two-dimensional, or three-dimensional directions.
  • An organic EL light emitting device characterized by the following.
  • the optical extraction efficiency of the organic EL light emitting device is improved by the optical structure having a refractive index distribution that is regular in one, two, or three dimensions in the fifth invention of the present application.
  • Another aspect of the present invention is the organic electroluminescent device according to the fifth aspect of the present invention, wherein the regularity is a period of about an effective wavelength of light emitted from the organic electroluminescent layer.
  • the term “effective wavelength” refers to a length that is one fourth to five times the effective wavelength.
  • Another invention of the present application is the organic electroluminescence device according to the above invention, wherein the organic electroluminescence light-emitting element includes two or more mode conversion means, and the two or more mode conversion means have the same period. It is a luminescence light emitting element. Since the organic EL light emitting device has two or more mode conversion means, it is sequentially converted from the waveguide mode to the radiation mode without staying in one layer, and the light extraction efficiency of the organic EL light emitting device is improved. .
  • the other invention of the present application is the fifth invention of the present application, wherein the regularity has a fluctuation of not more than a quarter of the period with respect to a period of about the effective wavelength of light emitted from the organic electroluminescent layer.
  • Organic electroluminescent light emitting device Organic electroluminescent light emitting device.
  • the mode conversion means has at least two or more optical structures having a refractive index distribution having regularity in a two-dimensional direction, and the regularity of the optical structure is the light.
  • An organic electroluminescent luminescent element having different periods within the range of the fluctuation for each of the organic structures.
  • Another invention of the present application is the organic electroluminescent light emitting device according to the above invention, wherein the two or more optical structures are formed in the same two-dimensional plane.
  • the regularity is such that the periodicity of the light emitted from the organic electroluminescent layer is approximately equal to the effective wavelength, and the period of the effective wavelength is equal to or less than ⁇ of the period.
  • Organic electroluminescent light-emitting device characterized by a mixture of fluctuations and It is.
  • the invention is the organic electroluminescent light-emitting device according to the fifth invention of the present application, characterized in that the regularity has a period that changes gradually.
  • the refractive index distribution having regularity in the two-dimensional direction fills a plane with a square lattice arrangement, a triangular lattice arrangement, a honeycomb lattice arrangement, or a finite number of unit elements.
  • An organic electroluminescent light-emitting device characterized by the following arrangement or a combination thereof.
  • Another invention of the present application is the fifth invention of the present application, characterized in that the regular refractive index distribution is formed of a material having a higher refractive index than a material having no regular refractive index distribution.
  • Organic electroluminescent light emitting device is the fifth invention of the present application, characterized in that the regular refractive index distribution is formed of a material having a higher refractive index than a material having no regular refractive index distribution.
  • Another invention of the present application is the organic electroluminescence light-emitting device according to the above invention, wherein the material having a high refractive index has a property of transmitting light emitted from the organic EL layer.
  • Another invention of the present application is the fifth invention of the present application, characterized in that the regular refractive index distribution is formed of a material having a lower refractive index than a material having no regular refractive index distribution.
  • Organic electroluminescent light emitting device is characterized in that the regular refractive index distribution is formed of a material having a lower refractive index than a material having no regular refractive index distribution.
  • the light extraction efficiency of the organic EL light emitting element is improved.
  • Another invention of the present application is the organic electroluminescence light-emitting device according to the above invention, wherein the material having a low refractive index has a property of transmitting light emitted by the organic EL layer.
  • Another invention of the present application is the organic electroluminescent light-emitting device according to the above invention, wherein the material having a low refractive index is a gas.
  • gas generally has a refractive index of about 1, it can be used as a material having a low refractive index with respect to a transparent electrode or a transparent substrate, and a material having a low refractive index has a regular refractive index distribution. Since it can be formed, the light extraction efficiency of the organic EL light emitting element is improved.
  • Another invention of the present application is the organic electroluminescent light emitting device according to the above invention, wherein the gas is air or an inert gas.
  • Another invention of the present application is the fifth invention of the present application, wherein the interface between the substrate and the outside of the substrate, the interface between the substrate and the first electrode, and the interface between the first electrode and the organic electroluminescent layer.
  • An interface an interface between the organic electroluminescent layer and the second electrode, an interface between the second electrode and the outside of the second electrode, an interface between the substrate and the waveguide layer, the first An interface between an electrode and the waveguide layer; an interface between the organic electroluminescence layer and the waveguide layer; an interface between the second electrode and the waveguide layer; and an outside of the waveguide layer and the waveguide layer.
  • the interface between the transparent substrate and the outside of the transparent substrate, the interface between the transparent substrate and the transparent electrode, the interface between the transparent electrode and the organic electroluminescent layer, the organic electroluminescence An interface between a layer and the metal electrode; an interface between the metal electrode and the outside of the metal electrode; an interface between the transparent substrate and the waveguide layer; an interface between the transparent electrode and the waveguide layer; An interface between a luminescence layer and the waveguide layer; an interface between the metal electrode and the waveguide layer; an interface between the waveguide layer and the outside of the waveguide layer; or the waveguide layer and the waveguide layer
  • An organic electroluminescence light-emitting device, wherein the mode conversion means provided on the interface with the interface comprises irregularities on the interface having regularity in one-dimensional or two-dimensional directions.
  • the mode conversion means can be configured without providing materials having different refractive indices, and an organic EL light-emitting device with high light extraction efficiency can be constructed. It can be easily manufactured.
  • Another invention of the present application is the organic electroluminescence light-emitting device according to the fifth invention of the present application, wherein the organic EL layer has a different emission wavelength depending on a region.
  • an organic EL light emitting device having a high light extraction efficiency can be obtained for an organic EL light emitting device having a different emission wavelength depending on the region.
  • the conversion means has an optical structure having a regular refractive index distribution in one-dimensional, two-dimensional, or three-dimensional directions corresponding to the different emission wavelengths.
  • This is an organic electroluminescent light emitting device characterized by the following.
  • Mode conversion means can be provided according to the emission wavelength of light emitted from the organic EL layer.
  • an organic EL light-emitting element that emits light in the full color of R, G, and B can be equipped with a mode conversion unit that is optimal for each emission color, resulting in an organic EL light-emitting element with high light extraction efficiency be able to. (The invention's effect)
  • FIG. 1 is a diagram showing the electric field distribution of the transparent electrode waveguide mode confined in the transparent electrode.
  • FIG. 2 is a diagram illustrating a conventional technique in which a condensing lens is provided at a boundary between a transparent electrode and a transparent substrate.
  • FIG. 3 is a diagram illustrating the basic principle of the present invention.
  • FIG. 4 is a diagram illustrating an example of an optical structure having a refractive index distribution having regularity in a one-dimensional direction.
  • FIG. 5 is a diagram illustrating an example of an optical structure having a refractive index distribution having regularity in a two-dimensional direction.
  • FIG. 6 is a diagram illustrating an example of an optical structure having a regular refractive index distribution in a two-dimensional direction arranged in a matrix.
  • FIG. 7 is a diagram illustrating an example in which an optical structure is arranged in a square lattice as a mode conversion unit.
  • FIG. 8 is a diagram illustrating an example in which optical structures are arranged in a triangular lattice as mode conversion means.
  • FIG. 9 is a diagram illustrating an example in which an optical structure is arranged in a honeycomb as a mode conversion unit.
  • FIG. 10 is a diagram for explaining an example in which the mode conversion means is arranged so that the plane can be filled with a finite number of unit elements.
  • FIG. 11 is a diagram for explaining an example of an organic EL light emitting device having a mode conversion means inside a transparent substrate.
  • FIG. 12 is a view for explaining an example of an organic EL light emitting element having a mode conversion means at an interface between a transparent substrate and the outside of the transparent substrate.
  • FIG. 13 is a view for explaining an example of an organic EL light emitting element having a mode conversion means at an interface between a transparent substrate and the outside of the transparent substrate.
  • FIG. 14 is a view for explaining an example of an organic EL light emitting device having a mode conversion means at an interface between a transparent substrate and the outside of the transparent substrate.
  • FIG. 15 is a diagram illustrating an example of an organic EL light emitting device having a mode conversion means inside a transparent electrode.
  • FIG. 16 is a diagram illustrating an example of an organic EL light emitting device including a mode conversion unit at an interface between a transparent electrode and a transparent substrate.
  • FIG. 17 is a view for explaining an example of an organic EL light emitting device having a mode conversion means at an interface between a transparent electrode and a transparent substrate.
  • FIG. 18 is a diagram illustrating an example of an organic EL light emitting device including a mode conversion unit at an interface between a transparent electrode and a transparent substrate.
  • FIG. 19 is a diagram illustrating an example of an organic EL light emitting device including a mode conversion unit inside an organic EL layer.
  • FIG. 20 is a view for explaining an example of an organic EL light emitting device having a mode conversion means at the interface between the organic EL layer and the transparent electrode.
  • FIG. 21 is a view for explaining an example of an organic EL light emitting device having a mode conversion means at an interface between an organic EL layer and a transparent electrode. .
  • FIG. 22 is a view for explaining an example of an organic EL light emitting device having a mode conversion means at the interface between the organic EL layer and the transparent electrode.
  • FIG. 23 is a diagram illustrating an example of an organic EL light emitting device including a mode conversion means inside a metal electrode. .
  • FIG. 24 is a diagram illustrating an example of an organic EL light emitting device including a mode conversion unit at an interface between a metal electrode and an organic EL layer.
  • Fig. 25 shows an OLED device with a mode converter at the interface between the metal electrode and the OLED layer. It is a figure explaining an example.
  • FIG. 26 is a diagram illustrating an example of an organic EL light emitting device including a mode conversion unit at an interface between a metal electrode and an organic EL layer.
  • FIG. 27 is a diagram illustrating an example of an organic EL light-emitting element provided with a mode converter at an interface between a metal electrode and the outside of the metal electrode.
  • FIG. 28 is a diagram illustrating an example of an organic EL light-emitting element provided with a mode converter at an interface between a metal electrode and the outside of the metal electrode.
  • FIG. 29 is a diagram illustrating an example of an organic EL light-emitting element provided with a mode converter at an interface between a metal electrode and the outside of the metal electrode.
  • FIG. 30 is a view for explaining an example of an organic EL light emitting device having a mode conversion means at an interface between a metal electrode and a transparent insulating film.
  • FIG. 31 is a view for explaining an example of an organic EL light emitting device having a mode conversion means at an interface between a metal electrode and a transparent insulating film.
  • FIG. 32 is a diagram illustrating an example of an organic EL light emitting device including a mode conversion unit at an interface between a metal electrode and a transparent insulating film.
  • FIG. 33 is a view for explaining an example of an organic EL light emitting device including a mode conversion means inside a transparent insulating film.
  • Fig. 34 shows an organic EL light source with a mode converter at the interface between the transparent insulating film and the outside of the transparent insulating film.
  • FIG. 4 is a diagram illustrating an example of an optical element.
  • FIG. 35 is a view for explaining an example of an organic EL light emitting device having a mode conversion means at the interface between the transparent insulating film and the outside of the transparent insulating film. .
  • FIG. 36 is a diagram illustrating an example of an organic EL light emitting device including a mode conversion unit at an interface between a transparent insulating film and the outside of the transparent insulating film.
  • FIG. 37 is a diagram illustrating an example of an organic EL light emitting device including a mode conversion unit inside an optical film.
  • FIG. 38 is a view for explaining an example of an organic EL light emitting element provided with a mode conversion means at an interface between an optical film and a transparent film.
  • FIG. 39 is a diagram illustrating an example of an organic EL light emitting device having a mode conversion means at an interface between an optical film and the outside of the optical film.
  • FIG. 40 is a diagram illustrating an example of an organic EL light emitting device including a mode conversion unit inside an optical film. '
  • FIG. 41 is a view for explaining an example of an organic EL light emitting device having a mode conversion means at an interface between an optical film and the outside of the optical film.
  • FIG. 42 is a view for explaining an example of an organic EL light emitting device having a mode conversion means at an interface between an optical film and a transparent substrate.
  • FIG. 43 is a view for explaining an example of an organic EL light emitting device having a mode conversion means at an interface between a transparent substrate and the outside of the transparent substrate.
  • FIG. 44 is a view for explaining an example of an organic EL light emitting device having a mode conversion means at an interface between a transparent electrode and a transparent substrate.
  • FIG. 45 is a view for explaining an example of an organic EL light emitting device having a mode conversion means at an interface between a transparent electrode and an organic EL layer.
  • FIG. 46 is a view for explaining an example of an organic EL light emitting device having a mode conversion means at the interface between the organic EL layer and the metal electrode. .
  • FIG. 47 is a diagram illustrating an example of an organic EL light-emitting element provided with a mode converter at an interface between a metal electrode and the outside of the metal electrode.
  • FIG. 48 is a diagram illustrating an example of an organic EL light emitting device having a mode conversion means at the interface between the transparent and transparent film and the outside of the transparent transparent film.
  • FIG. 49 is a view for explaining an example of an organic EL light emitting device having a mode conversion means at an interface between an optical film and the outside of the optical film.
  • FIG. 50 shows organic E with a mode conversion means at the interface between the optical film and the outside of the optical film.
  • FIG. 3 is a diagram illustrating an example of an L light emitting element.
  • FIG. 51 is a diagram for explaining an example of an organic EL light emitting device including a mode conversion means at an interface between a substrate and a first electrode.
  • FIG. 52 is a view for explaining an example of an organic EL light emitting device having a mode conversion means at an interface between a transparent substrate and an optical film.
  • FIG. 53 is a plan view illustrating an example of an organic EL light emitting device including two-stage mode conversion means.
  • FIG. 54 is a cross-sectional view illustrating an example of an organic EL light emitting device including two-stage mode conversion means.
  • FIG. 55 is a diagram for explaining the propagation characteristics of the waveguide mode when an optical structure having a regular refractive index distribution is formed as the mode conversion means.
  • FIG. 56 is a diagram for explaining the propagation characteristics of the waveguide mode in which the wavelength at which propagation is suppressed is widened.
  • FIG. 57 is a diagram for explaining picture elements of a full-color display.
  • Fig. 4 shows an example of an optical structure that has a regular refractive index distribution in a one-dimensional direction as a mode conversion means for converting a waveguide mode to a radiation mode.
  • 22 is a waveguide mode
  • 23 is a radiation mode
  • 25 is an optical structure
  • 41 is mode conversion means.
  • an optical structure 25 is arranged as a mode conversion means 41 in a one-dimensional direction (in FIG. 4, left and right directions).
  • the refractive index of the optical structure 25 is set to be different from the refractive index of the material when the optical structure 25 is not provided.
  • the waveguide mode 22 is converted to the radiation mode 23 and radiated to the outside. It will be.
  • a waveguide mode can be converted into a radiation mode in a one-dimensional direction.
  • Fig. 5 shows an example of an optical structure that has a refractive index distribution with regularity in the two-dimensional direction as mode conversion means for converting a waveguide mode to a radiation mode.
  • 22 is a waveguide mode
  • 23 is a radiation mode
  • 25 is an optical structure
  • 41 is mode conversion means.
  • the optical structure 25 is disposed as a mode conversion means 41 in a two-dimensional direction (in FIG. 5, left and right and up and down directions).
  • the refractive index of the optical structure 25 is set to be different from the refractive index of the material without the optical structure 25.
  • the waveguide mode 22 is converted to the radiation mode 23 and radiated to the outside. It will be.
  • a waveguide mode can be converted into a radiation mode in a two-dimensional direction.
  • the optical structures 25 are arranged at the intersections on the two-dimensional matrix.
  • the optical structures described in FIG. 4 are arranged in a two-dimensional matrix.
  • an optical structure having a regular refractive index distribution in a three-dimensional direction may be arranged.
  • the optical structures may be arranged at intersections on the three-dimensional matrix, or the optical structures may be arranged in a three-dimensional matrix. Placing the optical structures in three dimensions allows for more complex designs. For example, it becomes possible to exhibit mode modulation in a wider wavelength range.
  • FIG. 7 shows an example in which optical structures are arranged in a square lattice as mode conversion means.
  • the optical structure may be arranged at the intersection of the dotted line in FIG. 7, or the optical structure may be arranged at the position of the dotted line.
  • FIG. 8 shows an example in which optical structures are arranged in a triangular lattice as mode conversion means.
  • the optical structure may be arranged at the intersection of the dotted line in FIG. 8, or the optical structure may be arranged at the position of the dotted line.
  • FIG. 9 shows an example in which an optical structure is arranged in a honeycomb as a mode conversion means.
  • the optical structure may be arranged at the intersection of the dotted line in FIG. 9, or the optical structure may be arranged at the position of the dotted line.
  • Figure 10 shows a mode conversion means that can fill a plane with a finite number of unit elements This is an example of arrangement.
  • Figure 10 shows one type of penrose tile created by combining two similar triangles, and such a figure can fill the plane. With such an arrangement, it is possible to design the wavelength characteristics in more directions.
  • the mode conversion means having the structure described with reference to FIGS. 4 to 10 is an example, and the present invention is not limited to such a structure.
  • the regularity of the periodicity is about the effective wavelength of the light emitted from the organic EL layer.
  • the light extraction efficiency from the organic EL light emitting element is improved. Even when the light emitted from the organic EL layer has a wavelength spread, it can effectively interfere with the light having the wavelength spread.
  • light from the organic EL light emitting element can be emitted not only in a specific direction but also in a wide angle, so that directivity can be reduced.
  • the fluctuation is preferably less than one-fourth of the period of the wavelength of light emitted from the organic EL layer. If the fluctuation is too large, the interference effect will decrease.
  • the above-described fluctuation may be mixed with a period of about the effective wavelength of light emitted from the organic EL layer.
  • By mixing fluctuations in the periodic regularity it is possible to effectively interfere with light having a wavelength spread emitted from the organic EL layer, and the light extraction efficiency of the organic EL light emitting element is improved.
  • the directivity of light emitted from the organic EL light emitting device can be reduced.
  • the period of the regularity may be gradually changed. This is a so-called shopping cycle. By gradually changing the period, it is possible to more effectively interfere with light having a wavelength spread emitted from the organic EL layer, and the light extraction efficiency of the organic EL light emitting element is improved.
  • an organic EL light emitting device having an optical structure having a regular refractive index distribution as a mode conversion means
  • a transparent transparent film is formed on the upper surface of the transparent substrate in order from the substrate side by using a transparent electrode, an organic EL layer, a metal electrode, and a metal layer.
  • the so-called top emission type organic E that emits light emitted from the organic EL layer from the side opposite to the substrate
  • an opaque substrate such as a Si substrate may be used instead of the transparent substrate.
  • oxidize the surface on which the electrode is formed it is preferable to oxidize the surface on which the electrode is formed to make Si ⁇ ⁇ ⁇ 2 . This is to insulate it from the electrodes on the substrate.
  • an oxidation method there is a method in which an oxygen atmosphere or water vapor is brought into contact with the Si substrate in a high temperature state to thermally oxidize the surface of the Si substrate. Since the top emission type organic EL light emitting element does not emit light from the transparent substrate, the efficiency of taking out light emitted from the organic EL layer is high. Moreover, the use of S i and S i0 2 as the substrate, high heat radiation effect. Furthermore, even if an electronic circuit is mounted on the substrate, it does not affect the extraction of light emitted from the organic EL layer.
  • the light emitted from the organic EL layer is emitted from the opposite side of the substrate, so the metal electrode as the first electrode is used instead of the transparent electrode formed on the upper surface of the substrate. Is also good.
  • a metal electrode material a metal suitable for injecting and transporting carriers into the organic EL layer is preferable.
  • a second electrode opposed to the first electrode may be used instead of the metal electrode formed on the upper surface of the organic EL layer.
  • the light emitted from the organic EL layer is emitted from the second electrode side, so the second electrode is transparent to the light emitted from the organic EL layer. It is preferable to use a certain electrode.
  • Transparent electrodes include ITO (Indium Tin ⁇ xide), IZ
  • the second electrode a thin-film metal electrode formed by thinning a metal such as Au or Ni may be used.
  • the second electrode may be an electrode having a light-transmitting electrode and a thin-film metal electrode arranged on the organic EL layer side of the electrode.
  • Fig. 11 shows an example of an organic EL light emitting device having a mode conversion means inside a transparent substrate.
  • Figs. 12 to 14 show an organic EL light emitting device having a mode conversion means at an interface between the transparent substrate and the outside of the transparent substrate. It is an example. 11 to 14, 31 is a metal electrode, 32 is an organic EL layer, 33 is a transparent electrode, 34 is a transparent substrate, and 41 is mode conversion means. Glass as transparent substrate Substrates, flexible substrates, and substrates on which color filters, color conversion films, or dielectric reflection films are formed.
  • the transparent substrate can be made of glass, polyethylene terephthalate, polyacrylonitrile, amorphous polyolefin, or the like.
  • the mode conversion means 41 in FIG. 11 may have a regular refractive index distribution in a one-dimensional direction, or may have a regular refractive index distribution in a two-dimensional or three-dimensional direction.
  • the mode conversion means 41 in FIGS. 12 to 14 may have a regular refractive index distribution in a one-dimensional direction or may have a regular refractive index distribution in a two-dimensional direction.
  • the mode conversion means 41 shown in FIG. 11 is used for forming the transparent substrate 34, growing it in two steps, forming the mode conversion means on the way, or joining the two transparent substrates. It can be produced by The mode conversion means 41 shown in FIGS. 12 to 14 can form the mode conversion means 41 on one surface of the transparent substrate 34 by etching or the like.
  • An organic EL light-emitting device can be manufactured by forming a transparent electrode 33, an organic layer 32, and a metal electrode 31 on the upper surface of these transparent substrates.
  • the organic EL light emitting device of the present invention is not limited to the manufacturing method described here.
  • Fig. 15 shows an example of an organic EL device with mode conversion means inside the transparent electrode.
  • Figs. 16 to 18 show examples of an organic EL device with mode conversion means at the interface between the transparent electrode and the transparent substrate. It is. 15 to 18, 31 is a metal electrode, 32 is an organic EL layer, 33 is a transparent electrode, 34 is a transparent substrate, and 41 is mode conversion means.
  • a transparent electrode As the anode, a metal with a high work function and easy hole injection is suitable. Materials that can be easily made transparent include ITO (Indium Tin Oxide), IZO (indium zinc oxide), and SnO.
  • the mode conversion means 41 in FIG. 15 may have a regular refractive index distribution in one-dimensional direction or may have a regular refractive index distribution in two-dimensional and three-dimensional directions.
  • the mode conversion means 41 shown in FIGS. 16 to 18 may have a regular refractive index distribution in a one-dimensional direction or may have a regular refractive index distribution in a two-dimensional direction.
  • mode conversion means inside the transparent electrode or at the interface between the transparent electrode and the transparent substrate, it converts the waveguide mode of the transparent substrate or the waveguide mode of the transparent electrode into a radiation mode, and emits light emitted from the organic EL layer. It can be efficiently taken out of the transparent substrate.
  • the mode conversion means 41 shown in Fig. 15 is manufactured by growing the transparent electrode 33 in two steps when forming it by vapor deposition or sputtering, etc., and forming the mode conversion means on the way. can do.
  • the mode conversion means 41 shown in FIGS. 16 to 18 is formed by forming the mode conversion means 41 on one surface of the transparent substrate 34 by etching or the like, and then forming the transparent electrode 33 on the upper surface of the transparent substrate.
  • An organic EL light-emitting device can be manufactured by forming an organic EL layer 32 and a metal electrode 31.
  • the organic EL light emitting device of the present invention is not limited to the manufacturing method described here.
  • FIG. 19 shows an example of an organic EL light emitting device having a mode conversion means inside the organic EL layer.
  • FIGS. 20 to 22 show organic light emitting devices having a mode conversion means at the interface between the organic EL layer and the transparent electrode. This is an example of an EL light emitting element.
  • 31 is a metal electrode
  • 32 is an organic EL layer
  • 33 is a transparent electrode
  • 34 is a transparent substrate
  • 41 is mode conversion means.
  • the mode conversion means 41 in FIG. 19 may have a regular refractive index distribution in one-dimensional direction, or may have regular refractive index distribution in two-dimensional and three-dimensional directions.
  • the mode conversion means 41 shown in FIGS. 20 to 22 may have a regular refractive index distribution in a one-dimensional direction or may have a regular refractive index distribution in a two-dimensional direction.
  • the mode conversion means 41 shown in FIGS. 20 to 22 includes a mode conversion means 41 formed on the surface of the transparent electrode 33 by etching or the like, and then an organic EL layer 32, An organic EL device can be manufactured by forming a metal electrode 31 or the like.
  • the organic EL light emitting device of the present invention is not limited to the manufacturing method described here.
  • FIG. 23 shows an example of an organic EL light emitting device having a mode conversion means inside a metal electrode.
  • FIGS. 24 to 26 show organic EL light emitting devices having a mode conversion means at an interface between a metal electrode and an organic EL layer. Examples of devices, FIGS. 27 to 29 show examples of organic EL light-emitting devices having a mode conversion means at an interface between a metal electrode and the outside of the metal electrode.
  • 31 is a metal electrode
  • 32 is an organic EL layer
  • 33 is a transparent electrode
  • 34 is a transparent substrate
  • 41 is mode conversion means.
  • a metal electrode As the cathode, a metal with a low work function and easy electron injection is suitable.
  • the cathode electrode material Al, Li, Mg, Au, Ag, or an alloy thereof can be used.
  • the mode conversion means 41 shown in FIG. 23 has a regular refractive index distribution in one-dimensional direction or a regular refractive index distribution in two, three-dimensional directions. Good.
  • the mode conversion means 41 in FIGS. 24 to 29 may have a regular refractive index distribution in a one-dimensional direction or may have a regular refractive index distribution in a two-dimensional direction.
  • Fig. 24 and Fig. 2.5 by providing mode conversion means at the interface between the organic EL layer and the metal electrode, the transparent electrode waveguide mode ⁇ the transparent substrate waveguide mode can be radiated mode. The light emitted from the organic EL layer can be efficiently extracted to the outside of the transparent substrate.
  • the 'metal electrode 31' is laminated to a thickness equal to or smaller than the region where the evanescent wave exists, the inside of the metal electrode shown in Figs.
  • a metal electrode 31 is made of a transparent metal oxide such as IT ⁇ ⁇ and a metal such as A 1 or Li which has a low work function and can be easily injected with electrons on the side of the organic EL layer of the metal oxide. Light can also be extracted from the metal electrode 31 side by adopting a laminated structure provided with a thin film.
  • a light-transmitting metal oxide such as ITO.
  • the transparent electrode waveguide mode and the transparent substrate waveguide mode are provided. Is converted into a radiation mode, and light emitted from the organic EL layer can be efficiently extracted to the outside of the metal electrode.
  • a substrate that does not transmit light emitted from the organic EL layer can be used instead of the transparent substrate described above.
  • the mode conversion means 41 shown in FIG. 23 is used to form the metal electrode 31 in two steps when forming the film by vapor deposition or sputtering, and to form the mode conversion means in the middle. It can be produced by The mode conversion means 41 shown in FIGS. 24 to 26 forms the mode conversion means 41 on the surface of the organic EL layer 32 by etching, and then forms the metal electrode 3 on the upper surface of the organic EL layer 32.
  • An organic EL light-emitting device can be manufactured by forming a film 1 or the like.
  • the mode converter 41 shown in FIGS. 27 to 29 can manufacture an organic EL light emitting device by forming the mode converter 41 on the upper surface of the metal electrode 31 by etching.
  • the organic EL light emitting device of the present invention is not limited to the manufacturing method described here.
  • a mode one de conversion means in a glass T i O 2 of the rutile type having a refractive index higher than the glass, Z r 0 2 chlorinated polymers, bromine-based polymer be able to. Since the chlorine-based polymer and the bromine-based polymer are transparent to light emitted from the organic EL layer, light transmission loss can be reduced.
  • the mode conversion means can be made of nanoporous glass or a fluorine-based organic material having a lower refractive index than glass. These materials Since is transparent to light emitted from the organic EL layer, light transmission loss can be reduced.
  • the mode conversion means when the mode conversion means is composed of a gas, a material having a low refractive index can be obtained.
  • a gas air or an inert gas is preferable.
  • the mode conversion means can be easily formed by forming bubbles with an atmospheric gas when producing a glass substrate in an atmosphere of air or an inert gas.
  • the transparent electrode I TO, IZ_ ⁇ if constituted by S n 0 2, I n 2 ⁇ 3, Z n O, etc., rutile higher refractive index than the transparent electrode mode conversion means in the transparent electrode It can be composed of T i O 2 and ZrO 2 .
  • the mode conversion means can be made of nanoporous glass / fluorine-based organic material having a lower refractive index than the transparent electrode. These materials have a property of transmitting light emitted from the organic EL layer, so that light transmission loss can be reduced.
  • the mode conversion means is made of gas, a material having a low refractive index can be obtained.
  • the gas air or an inert gas is preferable.
  • the mode conversion means can be easily formed by creating bubbles with an atmospheric gas when producing a transparent electrode in an atmosphere of air or an inert gas.
  • the organic EL layer in P VK and A l Q 3 is mode one de transformation means of organic £ layer Yori also Ding 1 0 2 high I rutile refractive index of the organic EL layer.
  • 2 1 " ⁇ 2 chlorinated polymer, because of its transparency for the light can be comprised of brominated polymer -. chlorine polymer or brominated polymer that emits light in the organic EL layer, reducing the transmission loss of light
  • the mode conversion means can be made of nanoporous glass or a fluorine-based organic material having a lower refractive index than the organic EL layer, and these materials transmit light emitted from the organic EL layer.
  • the mode conversion means is made of a gas
  • it can be made of a material having a low refractive index
  • the gas is preferably air or an inert gas.
  • the mode conversion means can be easily formed by producing bubbles with an atmospheric gas during the production.
  • FIGS. 30 to 36 show examples of an organic EL light emitting device having a film.
  • 31 is a metal electrode
  • 32 is an organic EL layer
  • 33 is a transparent electrode
  • 34 is a transparent substrate
  • 35 is a transparent insulating film as a protective film
  • 41 is a mode conversion means.
  • the organic EL light emitting devices shown in FIGS. 30, 31, and 32 are obtained by forming a transparent coating film 35 on the organic EL light emitting devices shown in FIGS. 27, 28, and 29, respectively.
  • the metal electrode 31 or the organic EL layer 32 is protected.
  • the formation of the transparent insulating film is not limited to these examples. By forming a transparent insulating film on the outside of the metal electrode of the organic EL device described above, the metal electrode is protected in any case. .
  • These transparent insulating films S i O x, S i N x, S i ON, S i C, A 1 2 0 3, A 1 N, Zn_ ⁇ , MgO x, T I_ ⁇ x, Z R_ ⁇ x, a 1_Rei x, Ta 2 0 5, TaO x, YO x, sputtering W_ ⁇ x such as the material, vapor deposition, vapor deposition polymerization, electron beam one beam deposition, plasma deposition, ion plating, CVD, plasma CVD, thermal CVD Etc.
  • it can be formed by applying an epoxy resin, an acrylic resin, polyparaxylene, a fluorine-based polymer, or a polyimide precursor, or by spin-coating and then UV-curing.
  • a mode conversion means can be provided inside the transparent total film or at the interface between the transparent fiber film and an adjacent layer.
  • Each of the organic EL light-emitting elements shown in FIGS. 30, 31, and 32 includes a mode conversion unit 41 at the interface between the metal electrode 31 and the transparent insulating film 35.
  • the mode conversion means 41 may have a regular refractive index distribution in a one-dimensional direction, or may have a regular refractive index distribution in a two-dimensional direction.
  • the organic EL light emitting device of FIG. 33 includes a mode conversion means 41 inside a transparent insulating film.
  • the mode conversion means 41 may have a regular refractive index distribution in a one-dimensional direction, or may have a regular refractive index distribution in a two-dimensional or three-dimensional direction.
  • mode conversion means may be formed not only at the positions shown in FIGS. 30 to 33, but also at the interface between the transparent sewing film and the outside.
  • Each of the organic EL light emitting elements shown in FIGS. 34, 35, and 36 has a mode conversion means 41 at the interface between the transparent insulating film 35 and the outside.
  • Means 41 may have a regular refractive index distribution in a one-dimensional direction, or may have a regular refractive index distribution in a two-dimensional direction.
  • the interface between the metal electrode and the transparent insulating film, the inside of the transparent film, and the interface between the transparent conductive film and the outside By providing a mode conversion means, the waveguide mode in the transparent insulating film or in the waveguide layer including the transparent insulating film is converted into a radiation mode, and the light emitted by the organic EL layer is converted into a transparent substrate. It can be effectively taken out of the room.
  • the emission efficiency can be improved by providing a mode conversion means on the transparent insulating film or the Z and light-sensitive electrodes. Is improved.
  • the conversion from the waveguide mode to the radiation mode is performed by using an organic EL element further including an optical function layer having a mode conversion means outside the metal electrode or the second electrode or outside the transparent insulating film as a protective layer. Is also good.
  • an organic EL element further including an optical function layer having a mode conversion means outside the metal electrode or the second electrode or outside the transparent insulating film as a protective layer. Is also good.
  • a top-emission type organic EL light-emitting device light emitted from the organic EL layer is emitted from the metal electrode, the second electrode, or the transparent transparent film side.
  • mode conversion means inside the optical function layer and also at the interface between the optical function layers the light in the guided mode is also converted to the emission mode and emitted to the outside of the organic EL light emitting device.
  • An optical film can be applied as the optical functional layer.
  • optical films are also effective in preventing contact with electrodes and preventing physical damage to organic EL light-emitting devices.
  • the optical function layer is not limited to an optical film, but may be any as long as the waveguide layer is formed of a transparent material such as an optical film.
  • FIGS. 37 to 39 show examples of a top emission type organic EL light emitting device having an optical film.
  • 41 is a mode conversion means, 44 plate, 45 is a first electrode, 46 is an organic EL layer, 47 is a second electrode, and 48 is transparent as a protective film.
  • An insulating film, 49 is an optical film.
  • the organic EL light emitting device shown in FIG. 37 includes a mode conversion unit 41 inside the optical film.
  • the mode conversion unit may have a two-dimensional mode even if it has a regular refractive index distribution in one-dimensional direction. It may have a regular refractive index distribution in the three-dimensional direction.
  • Figure 38, Fig. 39 shows that the mode conversion means 41 is provided at the interface of the optical film.
  • the organic EL light emitting device shown in FIG. 38 may be a device in which an optical film 49 is provided on the organic EL light emitting device shown in FIG.
  • the mode converting means 41 formed at the interface between the optical film 49 and the outside in FIG. 39 may be located at any of the inside, the middle, and the outside of the optical film at the interface.
  • an organic EL device for conversion from the waveguide mode to the radiation mode, an organic EL device further having an optical functional layer provided with mode conversion means outside the substrate or the transparent substrate may be used.
  • mode conversion means also at the interface of the functional layer
  • the light in the waveguide mode is also converted to the radiation mode and emitted to the outside of the organic EL light emitting device.
  • An optical film can be applied as the optical functional layer.
  • Optical films are also effective in preventing contact with substrates or transparent substrates and preventing physical damage to organic EL light-emitting devices.
  • the optical function layer is not limited to the optical film, but may be any as long as the waveguide layer is formed of a transparent material such as an optical film.
  • FIG. 40 to FIG. 40 Examples of a bottom emission type organic EL light emitting device having an optical film are shown in FIG. 40 to FIG.
  • 31 is a metal electrode
  • 32 is an organic EL layer
  • 33 is a transparent electrode
  • 34 is a transparent substrate
  • 41 is a mode conversion means
  • 48 is a transparent insulation as a protective film.
  • Reference numeral 49 denotes an optical film. Whether to provide the transparent insulating film 48 is optional.
  • the organic EL light-emitting device shown in FIG. 40 has mode conversion means 41 inside the optical film.
  • the mode conversion means can be a two-dimensional one even if it has a regular refractive index distribution in one-dimensional direction. It may have a regular refractive index distribution in the three-dimensional direction.
  • the mode conversion means 41 is provided at the interface of the optical film. Even if the mode conversion means has a regular refractive index distribution in the one-dimensional direction, it can be used in the two-dimensional direction. May have a regular refractive index distribution.
  • the organic EL light emitting device shown in FIG. 42 may be a device in which an optical film 49 is provided on the organic EL light emitting device shown in FIGS.
  • optical films include PMMA (Poly Methylme tacry late), TAG (Triacetate), PVA (Polyvnynyl A1 coho 1), PC (Polycya) rbona te), acrylic, polyethylene terephthalate, polyvinylene, triacetyl cellulose, cycloolefin, UV curable resin, liquid crystalline polymer, etc., by coating or spin coating, or by biaxially stretching or casting these materials, It can be formed into an organic EL light emitting element by extruding into a sheet and applying a heat or an adhesive.
  • the mode conversion means inside or at the interface of the optical film can be formed by photolithography, soft lithography, UV imprinting, or a transfer method.
  • Soft lithography refers to a method in which a resin-coated mold is pressed against an object to form an etching pattern.
  • UV imprinting refers to a method in which a mold coated with an ultraviolet curable resin is pressed against an object and then irradiated with ultraviolet light to cure the ultraviolet curable resin to form an etching pattern. .
  • an organic EL light-emitting device having an optical film as shown in FIGS. 37 to 42, by providing a mode conversion means at the interface of the optical film or inside the optical film, the waveguide inside the optical film or including the optical film is provided. By converting the waveguide mode in the layer to the radiation mode, light emitted from the organic EL layer can be efficiently extracted to the outside of the optical film.
  • FIGS. 43 to 52 An example in which an optical structure having a regular refractive index distribution as a mode conversion means is constituted by irregularities of an interface having regularity in one-dimensional or two-dimensional directions will be described with reference to FIGS. 43 to 52.
  • 31 is a metal electrode
  • 32 is an organic EL layer
  • 33 is a transparent electrode
  • 34 is a transparent substrate
  • 41 is a mode conversion means.
  • FIG. 43 shows an example in which the mode conversion means 41 is provided at the interface between the transparent substrate 34 and the outside of the transparent substrate 34.
  • Such an optical structure can be obtained by etching the transparent substrate 34, nanoimprinting, a transfer method, or the like.
  • the portion is air, the same effect can be obtained as if an optical structure having a regular refractive index distribution as a mode conversion means was formed by air.
  • a mode conversion means at the interface between the transparent substrate and the outside of the transparent substrate, the waveguide mode of the transparent substrate is converted to the radiation mode, and the light emitted from the organic EL layer is efficiently emitted to the outside of the transparent substrate. Can be taken out.
  • Nanoimprinting is a technology that presses a mold with irregularities on a plane such as a substrate or a thin film and, if necessary, presses it with heat to imprint the irregularities of the mold on a substrate or a thin film.
  • a method of irradiating ultraviolet light, or when a polymer is imprinted a so-called soft lithography method in which a polymer is applied to a mold in advance is possible.
  • the mold is preferably made of Si, SiC, Ni or the like having high mechanical strength.
  • FIG. 44 shows an example in which the mode conversion means is provided at the interface between the transparent electrode 33 and the transparent substrate 34.
  • Such an optical structure can be obtained by forming an uneven surface by performing etching, nano-imprinting, soft lithography, transfer, or the like on the transparent substrate 34, and then laminating the transparent electrode 33 on the uneven surface. can get.
  • the refractive index of the transparent electrode is higher than the refractive index of the transparent substrate, and there is a difference between the two. Therefore, an optical structure having a regular refractive index distribution can be formed.
  • the transparent substrate waveguide mode ⁇ the transparent electrode waveguide mode is converted into the radiation mode, and the light emitted from the organic EL layer is transmitted to the transparent substrate. It can be efficiently taken out of the board.
  • FIG. 45 shows an example in which the mode conversion means is provided at the interface between the transparent electrode 33 and the organic EL layer 32.
  • Such an optical structure can be obtained by forming an uneven surface by etching, nano-imprinting, or transferring the transparent electrode 33, and then laminating the organic EL layer 32 on the uneven surface.
  • the refractive index of the transparent electrode is higher than the refractive index of the organic EL. Since there is a difference between the refractive indices of the two, an optical structure having a regular refractive index distribution can be formed.
  • the transparent electrode waveguide mode ⁇ the transparent substrate waveguide mode was converted to a radiation mode, and light was emitted from the organic EL layer. Light can be efficiently extracted outside the transparent substrate.
  • the mode conversion means is provided at the interface between the pole and the organic EL layer. Even in this case, the optical structure can be obtained by forming an uneven surface by performing etching or nano printing on the transparent electrode, and then laminating an organic EL layer on the uneven surface.
  • FIG. 46 shows an example in which the mode conversion means is provided at the interface between the organic EL layer 32 and the metal electrode 31. If the metal electrode is stacked thicker than the region where the evanescent wave exists, the metal functions as a reflector. By providing irregularities on the surface of such a reflector, an optical structure having a refractive index distribution can be formed. By providing a mode conversion means at the interface between the organic EL layer and the metal electrode, the transparent electrode waveguide mode and the transparent substrate waveguide mode are converted to the radiation mode, and the light emitted by the organic EL layer is transparent. It can be efficiently taken out of the substrate.
  • a metal electrode can be efficiently formed by forming a laminated structure of a translucent oxide such as IT ⁇ and a metal thin film such as A1 or Li with a low work function and easy electron injection. 3 Light can be extracted from the 1 side. Furthermore, when a transparent electrode is used as the second electrode instead of the metal electrode, light can be efficiently extracted by the mode conversion means provided at the interface. Such unevenness can be obtained by forming an uneven surface by performing etching, nano-imprinting, soft lithography and transfer on the organic EL layer, and then laminating a metal electrode or a second electrode on the uneven surface. .
  • the transparent electrode waveguide mode or the transparent substrate waveguide mode into the radiation mode.
  • Light emitted from the organic EL layer can be efficiently extracted to the outside of the metal electrode.
  • a substrate that does not transmit the light emitted from the organic EL layer can be used instead of the transparent substrate described above.
  • FIG. 47 shows an example in which the mode conversion means is provided at the interface between the metal electrode 31 and the outside of the metal electrode 31. Laminate the metal electrode to the same thickness as or thinner than the area where the evanescent wave exists. When etching, nano-imprinting, or transfer is performed on the surface of the electrode 31, an optical structure having a refractive index distribution can be formed. With respect to such an optical structure, light in a guided mode seeps out of the organic EL layer 32 and functions as mode conversion means. Therefore, by providing a mode conversion means at the interface between the metal electrode and the outside of the metal electrode, the transparent electrode waveguide mode is converted to the radiation mode of the transparent substrate waveguide mode, and the organic EL layer The emitted light can be efficiently extracted to the outside of the transparent substrate.
  • the light emitted from the organic EL layer 32 can be extracted from the metal electrode 31 by forming the metal electrode 31 in a thin layer.
  • the side of the metal electrode 31 is also improved.
  • Light can also be extracted from.
  • a transparent electrode is used as the second electrode instead of the metal electrode, light can be efficiently extracted by the mode conversion means provided at the interface.
  • the mode conversion means at the interface between the metal electrode and the outside of the metal electrode or at the interface between the second electrode and the outside of the second electrode, the transparent electrode waveguide mode / the transparent substrate waveguide mode is provided. Can be converted to the emission mode, and the light emitted from the organic EL layer can be efficiently extracted to the outside of the metal electrode or the second electrode.
  • a transparent insulating film as a protective film is formed outside the metal electrode or the second electrode to form the metal electrode or the second electrode or the organic EL layer. Can be protected.
  • an organic EL light-emitting device having a transparent insulating film outside the metal electrode or the second electrode when the transparent insulating film functions as a waveguide layer, as shown in FIG. Mode conversion means may be provided at the interface.
  • 31 is a metal electrode
  • 32 is an organic EL layer
  • 33 is a transparent electrode
  • 34 is a transparent substrate
  • 35 is a transparent insulating film
  • 41 is mode conversion means.
  • a mode conversion means may be provided at an interface between the transparent insulating film and the outside.
  • An optical structure having a regular refractive index distribution as a mode conversion means can be oriented in one or two dimensions. It is composed of irregularities of the interface with regularity. Irregularities on the interface with regularity can be formed by performing etching, nanoimprinting, soft lithography, and transfer on the surface of the transparent insulating film 35.
  • the waveguide mode in the transparent insulating film or in the waveguide layer including the transparent layer is converted to the radiation mode, and the light is emitted by the organic EL layer.
  • the emitted light can be efficiently extracted to the outside of the transparent insulating film or the transparent substrate.
  • an optical film as an optical functional layer may be provided on the outside of the second electrode or the transparent body in order to extract light from the side opposite to the substrate. Since an optical film can also serve as a waveguide layer, it is preferable to form a mode conversion means at the interface between the optical film and the outside of the optical film by using irregularities of the interface that are regular in one or two dimensions.
  • Fig. 49 shows an example of an organic EL light-emitting device in which regular irregularities are provided at the interface between the optical film and the outside of the optical film.
  • 41 is a mode conversion means
  • 44 is a substrate
  • 45 is a first electrode
  • 46 is an organic EL layer
  • 47 is a second electrode
  • 48 is a transparent insulating layer as a protective film
  • 9 is an optical film.
  • whether or not to provide the transparent insulating film 48 is optional.
  • an optical film as an optical functional layer is provided outside the second electrode or the transparent insulating film in order to extract light from the side opposite to the substrate.
  • an optical film as an optical functional layer may be provided outside the substrate in order to extract light from the substrate side. Since an optical film can also serve as a waveguide layer, it is preferable to form a mode conversion means at the interface between the optical film and the outside of the optical film by using irregularities of the interface having regularity in one-dimensional or two-dimensional directions.
  • Figure 50 shows an organic EL light-emitting device with regular irregularities at the interface between the optical film and the outside of the optical film.
  • 41 is a mode conversion means
  • 34 is a transparent substrate
  • 33 is a transparent electrode
  • 32 is an organic EL layer
  • 31 is a metal electrode
  • 49 is an optical film.
  • whether or not to provide a transparent insulating film outside the metal electrode 31 is optional.
  • an optical film as an optical functional layer is provided outside the substrate in order to extract light from the substrate side, and a one-dimensional or two-dimensional interface is provided at the interface between the optical film and the outside of the optical film.
  • the waveguide mode is converted to the emission mode by forming the mode conversion means with the irregularities of the interface that are regular in the direction of the light, and the light emitted from the organic EL layer is efficiently extracted to the outside of the optical film. be able to.
  • the organic EL light emitting element may be provided with two or more mode conversion means by combining the mode conversion means shown in FIGS. 11 to 50 described above. Further, the two or more mode conversion means may be optical structures having different regularities. Select the optimal structure for the mode conversion from the waveguide mode to the radiation mode in each layer, and efficiently convert the mode from the waveguide mode to the radiation mode in cooperation with optical structures of different periods. By doing so, the light extraction efficiency of the organic EL light emitting element is more efficiently improved.
  • Fig. 51 shows an example where irregularities are transferred.
  • 5 1, 4 2 substrate and interface provided a mode conversion means and the first electrode, 4 4 Personal Protection for First Aid or Rescue Personnel plate, 4 5 the first electrode, 4 6 organic EL layer, 4 7 the second electrode,
  • Unevenness is formed on the upper surface of the substrate 44 by etching, nano-imprinting, or transfer.
  • the irregularities at the interface between the substrate 44 and the first electrode 45 also occur at the interface between the first electrode 45 and the organic EL layer 46. May be transcribed.
  • the thickness of the first electrode 45 is small, it is transferred when the first electrode is laminated along the unevenness on the lower surface.
  • This transfer is not limited to the interface between the first electrode 45 and the organic EL layer 46, and may extend to a layer formed thereon. Also, only the irregularities provided at the interface between the substrate and the first electrode Even irregularities provided inside or at the interface of another layer may extend to the layer formed on the upper surface. Such irregularities result in an optical structure having a refractive index distribution that is regular in one or two dimensions. However, the cycle of each layer is the same. If the refractive index differs for each layer, the effective wavelength differs for each layer, so that each layer has a fluctuating period and is divided. For this reason, even if the wavelength of the light emitted from the organic EL layer is broadened, the light extraction efficiency of the organic EL light emitting element is improved. Further, the directivity of light extracted from the organic EL light emitting element can be reduced.
  • Fig. 52 shows an example where irregularities are transferred.
  • 31 is a metal electrode
  • 32 is an organic EL layer
  • 33 is a transparent electrode
  • 34 is a transparent substrate
  • 42 is a mode conversion means provided at the interface between the transparent substrate and the optical film
  • 4 9 is an optical film. Irregularities are formed on the outer surface of the transparent substrate 34 by etching, nano-imprinting, or transfer.
  • irregularities at the interface between the transparent substrate 34 and the optical film 49 may be transferred to the interface between the optical film 49 and the outside of the optical film 49. is there.
  • the thickness of the optical film 49 is thin, it is transferred when the optical film is formed along the unevenness of the transparent substrate.
  • each layer has a different refractive index, each layer has a different effective wavelength, which is equivalent to each layer having a fluctuating period. For this reason, even if the wavelength of light emitted from the organic EL layer is broadened, the light extraction efficiency of the organic EL light emitting element is improved. In addition, the directivity of light extracted from the organic EL light emitting device can be reduced.
  • FIG. 53 shows two or more mode conversion means.
  • FIG. 2 is a perspective view of the organic EL light-emitting device of the present invention viewed from a direction perpendicular to a light-emitting surface.
  • FIG. 54 is a cross-sectional view taken along line AA ′ in FIG.
  • reference numerals 51 and 52 denote mode conversion means.
  • FIGS. 53 and 54 other elements of the organic EL element are omitted.
  • the first and second stages are square grids with different intervals.
  • the effective wavelength may be set in the » ⁇ direction in the first stage and the effective wavelength in the diagonal direction in the second stage.
  • the structure may be not only a tetragonal lattice but also a triangular lattice or a hexagonal lattice as described above.
  • the first and second stages may have different shapes.
  • mode converting means having different periods may be provided so as to overlap on the same plane.
  • mode conversion means By providing two or more mode conversion means on the same layer, it is possible to cooperate efficiently with optical structures of different periods to efficiently convert the mode from the waveguide mode to the radiation mode, thereby achieving more efficient
  • the light extraction efficiency of the organic EL light emitting element is improved, and the directivity of the light extraction direction is reduced.
  • Fig. 55 shows the propagation characteristics of the guided mode when an optical structure having a regular refractive index distribution is formed as the mode conversion means.
  • the horizontal axis is the wavelength
  • the vertical axis is the propagation loss of the guided mode with respect to the wavelength. If the period of the refractive index distribution is set to be about the effective wavelength of light, it has the property of suppressing the propagation of light having a specific wavelength.
  • the waveguide mode is converted to a radiation mode, so that the propagation loss increases at a specific wavelength as shown in FIG.
  • the emission wavelength has a wide wavelength range, so it is necessary to widen the wavelength range in which propagation is suppressed.
  • a fluctuation of less than a quarter of that period extends the wavelength range in which propagation is suppressed. If the wavelength at which propagation is suppressed is set to the wavelength characteristic shown in Fig. 56 in accordance with the emission wavelength of the light-emitting element, even if the light-emitting element has a wide wavelength range, it emits a guided mode for emitted light. Mode can be converted. Further, the directivity of the light extraction direction from the organic EL light emitting device can be reduced.
  • the organic EL layer is formed of a material corresponding to the wavelength to emit light.
  • Figure 57 shows the structure of the picture elements of a general full-color display.
  • the area powers emitting light in R, G, and B light can be displayed in full power by the light emission of the picture elements arranged alternately.
  • the mode conversion means may be an optical structure having a common refractive index distribution without distinction between R, G, and B. In this case, there is no need to change the structure of the mode conversion means for each of R, G, and B.
  • each light emitting region has a period corresponding to the wavelength of light emitted. Since the period differs for each light emitting region, the structure of the refractive index distribution is complicated, but the structure can be optimized for the wavelength of light emission.
  • mode conversion means is formed on the surface of the substrate or / and / or the organic EL layer by nanoimprinting.
  • a mode conversion means is formed on the surface of the substrate by nanoimprinting.
  • the heating temperature is, for example, 150 ° C when the material is a polymer, and 350 ° C when the material is a glass.
  • the pressing force is, for example, 1.5 NZmm 2 when the material is a polymer, and 2.5 N / mm 2 when the material is a glass.
  • the substrate After forming irregularities as mode conversion means on the substrate surface, the substrate is pre-cleaned to remove unnecessary contamination.
  • Si is used as the substrate, at least the surface on which the organic EL light emitting element is to be formed is oxidized with hot steam.
  • the ITO or metal to be the electrode is laminated on the substrate by sputtering.
  • the layer thickness of the ITO or the metal to be the electrode is 100 to 150 nm.
  • a resist film is formed by spin coating to pattern the ITO or metal.
  • PMMA can be applied in the case of electron beam drawing described later.
  • the film thickness is from 0.3 to Lm. Photolithography and electron beam lithography can be applied to the formation of the etching pattern.
  • the ITO or metal is finished to the electrode pattern by etching.
  • etching a dielectric coupling type plasma etching is preferable.
  • the resist is removed.
  • An oxygen plasma removal method or a solution removal method can be applied for removing the resist.
  • An organic EL layer is formed on the upper surface of the ITO electrode or metal electrode.
  • a hole injection layer, a hole transport layer, an electron transport layer, and an electron injection layer are laminated as necessary.
  • Materials for the electron injection layer and the electron transport layer include C 6 — PTC, C 8 — PTC, C 12 -PT C, C 13 _PTC, Bu—PTC, F 7 Bu-PT, Ph.-PTC, F 5 Ph -PT C *, PTCB I, PTCD I, TCNQ, C 60 hula - Ren, BCP, A 1 q 3, PB D, ⁇ _XD, TAZ, TP_ ⁇ _B, ZnPB_ ⁇ , BCP, OXD- 7, Bphen, ZnP Examples thereof include phenanthroline derivatives such as BO.
  • a method of laminating the organic EL layer there are a spin coating method, a vacuum evaporation method, a coating method, and an ink jet method.
  • the stack thickness is between 5 nm and 3000 ⁇ .
  • nanoimprinting is suitable.
  • the heating temperature may be room temperature.
  • the pressing force is, for example, 200 NZmm 2 .
  • Metal electrodes and ITO electrodes are formed on the upper surface of the organic EL layer.
  • the formation method is almost the same as the method for forming IT ⁇ electrodes and metal electrodes formed on a substrate.
  • a transparent transparent film is laminated as a protective film.
  • an optical filter 4 as an optical functional element is formed on the surface of an organic EL light emitting element, PMMA (Poly Methylme t ha cry late), TAC (T riacetate), PVA (Polyv iny l Al (cooh l), PC (Polycarbonate), acrylic, polyethylene terephthalate, polyvinylene, triacetyl cellulose, cycloolefin, UV curable resin, liquid crystal polymer, etc. by coating or spin coating, or However, these materials can be formed into a sheet by biaxial stretching, a casting method, or an extrusion method, and can be formed into an organic EL light-emitting device by heat-bonding or sticking an adhesive.
  • the mode conversion means inside or at the interface of the optical film can be formed by photolithography, soft lithography, a transfer method, or the like.
  • the organic EL light emitting device of the present invention can be applied to an organic EL light emitting device. Further, the light emitting element of the present invention can be widely applied to flat display devices as well as organic EL light emitting devices.

Abstract

有機EL発光素子では、透明電極として使用されるITOの屈折率が透明基板として使用されるガラス基板の屈折率1.5より高い2.0程度であることから、透明電極からガラス基板へ向かう光の大部分が透明電極近傍を伝搬する透明電極導波モードとなって、透明電極からガラス基板に放射されない。本発明は、従来の有機EL発光素子等の発光素子の光取り出し効率が低いことを解決するために、モード変更手段を用いて有機EL発光素子等の発光素子からの光取り出し効率の向上を図ることを目的とする。本発明は、基板上に、少なくとも、発光層を有する発光素子であって、該基板の内部、該発光層の内部等、又はこれらの界面に導波モードから放射モードへ変更するモード変換手段を備える発光素子である。

Description

明細書 発光素子及び有機エレクトロルミネセンス発光素子
技術分野
本発明は、 光取り出し効率の高い発光素子に関する。 特に、 有機エレクトロルミネセン ス (以後、 「エレクトロルミネセンス」 を 「EL」 と略記する。) 発光素子において、 有機 E L層で発光した光の光取り出し効率の高い発光素子に関する。 背景技術
有機 E L発光素子は自発光素子として、 ディスプレイ等の映像表示装置や面光源として の期待が高い。 有機 EL発光素子を映像表示装置として使用する場合は、 単一色で発光す るパートカラ一方式や、 赤色 (R)、 緑色 (G)、 青色 (B) の 3原色で発光する領域を持 つフルカラー方式がある。 面光源として使用する場合は、 薄膜状として構成する。
このような有機 EL発光素子は、 一般的には、 ガラス基板等の透明基板上に陽極である 透明電極と、 有機 EL層と、 陰極である金属電極を順に積層して作製される。 透明電極と 金属電極との間で印加された電圧により、 陰極から供給された電子と陽極から供給された ホ一ルとが有機 EL層で再結合し、 これに伴って生成される励起子が励起状態から基底状 態へ移行する際に EL発光する。 EL発光した光は透明電極を透過し、 透明基板の側から 外部に取り出される。
このような有機 EL発光素子では、 光取り出し効率が低いことが予想される。 即ち、 透 明電極として使用される ITO U nd i um T i n Ox i de) の屈折率が透明基 板として使用されるガラス基板の屈折率 1. 5よりも高い 2. 0程度であることから、 透 明電極からガラス基板へ向かう光の大部分が透明電極近傍を伝搬する透明電極導波モード となって、 透明電極からガラス基板に放射されない。 図 1は透明電極に閉じ込められた透 明電極導波モードの電界分布のシミュレーション結果を示す。 図 1において、 金属電極か らの距離に応じて、 有機 E L層である A 1 Q 3、 P VKに続いて、 I T〇、 ガラス基板の 屈折率分布を破線で示し、 発光波長 5 2 4 nmの光の透明電極導波モードの電界強度を実 線で示す。 図 1から分かるように、 実効波長程度の染み出しは認められるものの、 透明電 極導波モードは屈折率の高い I TOに閉じ込められて外部に取り出せないことが分かる。 さらに、 空気の屈折率 1 . 0に比較してガラス基板の屈折率が 1 . 5程度と高いことか ら、 透明電極からガラス基板へ向かう光の大部分がガラス基板内を伝搬する透明基板導波 モードとなって、 ガラス基板から空気中に放射されない。 結果として、 有機 E L層で発光 した光の大部分は、 透明電極導波モードや透明基板導波モードとなり、 光取り出し効率が 低くなる。
なお、 本願において、 光取り出し効率とは、 有機 E L層で発光したフオトンに対して有 機 E L発光素子の外部に取り出せるフオトンの割合をいう。
また、 本願において、 導波モードとは、 導波路内を伝搬する電磁波の状態をいう。 放射 モードとは、 導波路内に局在しない電磁波の状態をいう。
実際の光取り出し効率は測定が困難であるため、 その算出はシミュレ一ションに頼らざ るを得ない。 しかし、 透明電極や有機 E L層の厚さが有機 E L層で発光する光の実効波長 と同程度かそれよりも薄いため、 単純な幾何光学的な手法では誤差の大きいことが知られ ている。 そのため、 幾何光学以外にも各種の計算方法が試みられている。 発明者らは、 有 限時間領域差分法を用いてシミュレ一ションした結果、 透明電極の層厚を 5 0 nmから 2 0 0 nmまで、 有機 E L層の層厚を 2 0 nmから 8 0 nmまで変化させても、 透明電極導 波モードは有機 E L層で発光した光の 4 0〜5 0 %、 透明基板導波モードは 2 5 - 3 5 % 程度であり、 ガラス基板から放射される光の光取り出し効率は 1 5〜3 0 %程度であるこ とを明らかにした。
なお、 本願において、 実効波長とは、 伝搬媒質内の光の波長をいい、
実効波長:真空中での波長 Z伝搬媒質の屈折率
で表される。 «、 有機 E L発光素子で光取り出し効率を改善する方法として、 透明電極と透明基板 の境界に集光用レンズを設けた技術が開示されている (例えば、 特許文献 1参照。)。 透明 電極と透明基板の境界に集光用レンズを設けた従来技術を図 2に示す。 8 1はガラス基板、 8 2は透明電極、 8 3は有機 E L層、 8 4は集光用レンズである。 これは 光角度変換手 段としての複数個の集光用レンズ 8 4によって、 有機 E L層 8 3で発光した光のうち全反 射となる光の入射角を小さい角度に変換して、 光を取り出す構造のものである。
しかし、 図 2に示すように、 ガラス基板 8 1の上面に形成した集光用レンズ 8 4を用!^ ると集光用レンズ 8 の中心の直下部にある有機 E L層 8 3 (図 2における A点) からの 光に対しては、 全反射となる光の割合を減少させることができるが、 レンズの中心の直下 部からはずれた場所にある有機 E L層 8 3 (図 2における B点) からの光に対しては、 か えって全反射となる光の割合を増加させるという結果を招く。
(特許文献 1 ··特開 2 0 0 2— 2 6 0 8 4 5号公報) 発明の開示
(発明が解決しょうとする課題)
発明者らは、 光取り出し効率のシミュレーション結果から、 有機 E L層で発光した光の うち、 大部分が透明電極導波モード又は透明基板導波モードとなることに着目した。 つま り、 透明電極導波モードを透明電極から透明基板へ放射する方姊寸モードに変換し、 又は透 明基板導波モードを透明基板から外部へ放射する放射モ一ドに変換すれば、 光取り出し効 率が向上する。
そこで、 発明者らは、 光の波動的振る舞いを利用して導波モードである透明電極導波モ 一ドゃ透明基板導波モ一ドを放射モ一ドに変換するモード変換手段を発明した。 本発明は、 従来の有機 E L発光素子等の発光素子の光取り出し効率が低いことを解決するために、 モ 一ド変換手段を用いて有機 E L発光素子等の発光素子からの光取り出し効率の向上を図る ことを目的とする。 (課題を解決するための手段)
前述した目的を達成するための発明について、 図 3を用いてその基本原理を説明する。 図 3において、 板、 1 2は発光層、 2 1は放射モード、 2 2は導波モード、 2 3 は放射モ一ド、 2 4は導波モードであって、 基板 1 1の上には発光層 1 2が形成され、 発 光層 1 2で発光した光は基板 1 1を透過して外部に出射する。 基板 1 1は一般的に外部の 空気よりも屈折率が高いために、 基板 1 1から外部の空気への入射角が臨界角以下であれ ば、 発光層 1 2で発光した光は放射モード 2 1となって外部に放射される。 しかし、 基板 1 1から外部の空気への入射角が臨界角以上の場合、 基板 1 1と外部の空気との境界で全 反射され、 導波モード 2 2となる。
そこで、 導波モードとなる光が伝搬する領域に、 導波モードを放射モードへ変換するモ ード変換手段を設ける。 図 3では、 基板 1 1と発光層 1 2との界面に規則性のある屈折率 分布を形成する。 例えば、 基板 1 1の屈折率が 1 . 5で、 発光層 1 2の屈折率が 1 . 7と 差があれば、 基板 1 1と発光層 1 2の境界に凹凸を形成するだけで、 規則性のある屈折率 分布が形成できる。 形成した凹凸を導波モードとなる光の伝搬が禁止されるような周期と すると、 理想的には導波モ一ド 2 2は総て放射モード 2 3に変換される。 実際には、 完全 に伝搬が禁止されるような屈折率分布とすることは困難なため、 導波モード 2 2の一部が 伝搬を抑制されて放射モード 2 3に変換され、 導波モード 2 2の一部は変換されずに導波 モード 2 4となって残ることになる。 . .
具体的には、 本願第一発明は、 基板上に、 少なくとも、 発光層を有する発光素子であつ て、 該基板の内部、 該発光層の内部、 該基板と外部との界面、 該基板と該発光層の界面、 該発光層と外部との界面のうち少なくとも 1に導波モードから放射モードへ変換するモー ド変換手段を備える発光素子である。
又は、 基板上に、 少なくとも、 発光層と 1以上の導波層とを有する発光素子の場合は、 該基板の内部、 該発光層の内部、 該導波層の内部、 該基板と該基板の外部との界面、 該基 板と該発光層との界面、 該発光層と該発光層の外部との界面、 該基板と該導波層との界面、 該発光層と該導波層との界面、 該導波層と該導波層の外部との界面、 又は該導波層と該導 波層との界面のうち少なくとも 1に導波モードから放射モ一ドへ変換するモード変換手段 を備える発光素子である。
発光素子において発光層で発光した光のうち一部は放射モ一ドとなり発光素子の外部に 放射され、 残りは導波モードとなるが、 本願第一発明により、 導波モードとなった光もモ ード変換手段により放射モードに変換され、 発光素子の外部へ放射される。 従って、 発光 素子の光取り出し効率を向上させることができる。
本願第二発明は、 基板上に、 少なくとも、 第一の電極と、 有機エレクトロルミネセンス 層と、 該第一の電極に対向する第二の電極と、 を順に有する有機エレクトロルミネセンス 発光素子であって、 該基板の内部、 該第一の電極の内部、 該有機エレクトロルミネセンス 層の内部、 該第二の電極の内部、 該基板と該基板の外部との界面、 該基板と該第一の電極 との界面、 該第一の電極と該有機エレクトロルミネセンス層との界面、 該有機エレクト口 ルミネセンス層と該第二の電極との界面、 又は該第二の電極と該第二の電極の外部との界 面のうち少なくとも 1に導波モードから放射モードへ変換するモード変換手段を備える有 機エレクトロルミネセンス発光素子である。
又は、 基板上に、 少なくとも、 第一の電極と、 有機エレクトロルミネセンス層と、 該第 一の電極に対向する第二の電極と、 を順に有し、 かつ、 該基板上のいずれかに 1以上の導 波層を有する有機エレクトロルミネセンス発光素子の場合は、 該基板の内部、 該第一の電 極の内部、 該有機エレクトロルミネセンス層の内部、 該第二の電極の内部、 該導波層の内 部、 該基板と該基板の外部との界面、 該基板と該第一の電極との界面、 該第一の電極と該 有機エレクトロルミネセンス層との界面、 該有機エレクトロルミネセンス層と該第二の電 極との界面、 該第二の電極と該第二の電極の外部との界面、 該基板と該導波層との界面、 該第一の電極と該導波層との界面、 該有機エレクトロルミネセンス層と該導波層との界面、 該第二の電極と該導波層との界面、 該導波層と該導波層の外部との界面、 又は該導波層と 該導波層との界面のうち少なくとも 1に導波モードから放射モ一ドへ変換するモ一ド変換 手段を備える有機エレクトロルミネセンス発光素子である。
有機 E L発光素子において有機 E L層で発光した光のうち一部は放射モードとなり有機 E L発光素子の外部に放射され、 残りは導波モードとなるが、 本願第二発明により、 導波 モードとなつた光もモ一ド変換手段により放射モードとなり、 有機 E L発光素子の外部へ 放射される。 従って、 有機 E L発光素子の光取り出し効率が向上する。
有機 E L層には、 正孔注入層、 正孔輸送層、 有機 E L発光層、 電子注入層、 電子輸送層 を含むことがある。 正孔注入層は、 正孔注入電極から正孔の注入を容易にする機能、 正孔 輸送層は、 正孔を安定に輸送する機能を有する。 電子注入層は、 電子注入電極からの電子 の注入を容易にする機能、 電子輸送層は、 電子を安定に輸送する機能を有する。 これらの 層は、 有機 E L発光層に注入される正孔ゃ電子を増大し、 閉じ込め効果を発揮して発光効 率を改善する。 有機 E L発光層には、 発光機能を有する化合物である蛍光性物質を含有さ せ、 E L現象によって発光させる。 以下の説明でも同様である。
. 導波層とは、 材料や構造をいうものではなぐ 有機 E L層で発光した光が導波モードと なる層をいう。 特に、 両側の層の屈折率が相対的に低い場合は、 両側の層に接する面では、 臨界角を超えて反射されるため、 導波層となりやすい。 以下の説明でも同様である。 本願第二発明には、 前記第二電極が透明電極、 薄膜金属電極、 又は透明電極と該透明電 極の有機エレクトロルミネセンス層の側に薄膜金属を配置した電極であることを特徴とす る有機エレクトロルミネセンス発光素子も含まれる。 ,
第二電極を透明電極とすることにより、 有機 E L層で発光した光を基板と反対側から取 り出すことができる。 いわゆる、 トップェミッション型の有機 E L発光素子とすることが できる。 第二電極を薄膜金属電極として、 透光性を高めてもよい。 第二電極を陽極側にす ると、 第二電極を透明電極としても正孔の注入は容易であるが、 第二電極を陰極側にする と、 第二電極を透明電極としても電子の注入が困難になる。 この場合に、 透明電極と有機 E L層との間に電子注入の容易な薄膜金属膜とすることによつて解決することができる。 本願第二発明には、 前記基板の外表面又は前記第二の電極の外表面に、 導波モードから 放射モードへ変換するモ一ド変換手段を備える光学機能層をさらに有することを特徴とす る有機エレクトロルミネセンス発光素子も含まれる。
基板の外表面に、 導波モードから放射モードへ変換するモード変換手段を備える光学機 能層を有することによって、 有機 E L層で発光した光のうち基板の側に向かつた光が導波 モードとなっても放射モードに変換され、 有機 E L発光素子の外部へ放射される。 有機 E L層で発光した光を基板側から取り出す、 いわゆる、 ポトムエミッション型の有機 E L発 光素子に有効である。 また、 第二電極の外表面に、 導波モードから放射モードへ変換する モード変換手段を備える光学機能層を有することによって、 有機 E L層で発光した光のう ち第二電極の側に向かった光が導波モードとなっても放射モ一ドに変換され、 有機 E L発 光素子の外部へ放射される。 有機 E L層で発光した光を基板と反対側から取り出す、 いわ ゆる、 トップェミッション型の有機 E L発光素子に有効である。 従って、 有機 E L発光素 子の光取り出し効率が向上する。 モード変換手段は、 この光学機能層の内部や光学機能層 の界面に設ける。
光学機能層とは、 有機 E L層で発光した光を透過させる材料で構成され、 内部又は界面 に導波モ一ドから放射モードへ変換するモ一ド変換手段を備えるものをいう。 導波層の一 部に導波モードから放射モードへ変換するモ一ド変換手段を備えれば光学機能層として機 能する。
本願第三発明は、 基板上に、 少なくとも、 第一の電極と、 有機エレクトロルミネセンス 層と、 該第一の電極に対向し透光性のある第二の電極と、 保護膜と、 を順に有する有機ェ レクトロルミネセンス発光素子であって、 該基板の内部、 該第一の電極の内部、 該有機ェ レクトロルミネセンス層の内部、 該第二の電極の内部、 該保護膜の内部、 該基板と該基板 の外部との界面、 該基板と該第一の電極との界面、 該第一の電極と該有機エレクト口ルミ ネセンス層との界面、 該有機エレクトロルミネセンス層と該第二の電極との界面、 該第二 の電極と該保護膜との界面、 又は該保翻莫と該保護膜の外部との界面のうち少なくとも 1 に導波モ一ドから放射モードへ変換するモード変換手段を備える有機エレクト口ルミネセ ンス発光素子である。
又は、 基板上に、 少なくとも、 第一の電極と、 有機エレクトロルミネセンス層と、 該第 —の電極に対向し透光性のある第二の電極と、 保護膜と、 を順に有し、 かつ、 該基板上の いずれかに 1以上の導波層を有する有機エレクトロルミネセンス発光素子の場合は、 該基 板の内部、 該第一の電極の内部、 該有機エレクトロルミネセンス層の内部、 該第二の電極 の内部、 該保護膜の内部、 該導波層の内部、 該基板と該基板の外部との界面、 該基板と該 第一の電極との界面、 該第一の電極と該有機エレクトロルミネセンス層との界面、 該有機 エレクトロルミネセンス層と該第二の電極との界面、 該第二の電極と該保護膜との界面、 該保護膜と該保護膜の外部との界面、 該基板と該導波層との界面、 該第一の電極と該導波 層との界面、 該有機エレクトロルミネセンス層と該導 層との界面、 該第二の電極と該導 波層との界面、 該保護膜と該導波層との界面、 該導波層と該導波層の外部との界面、 又は 該導波層と該導波層との界面のうち少なくとも 1に導波モードから放射モ一ドへ変換する モード変換手段を備える有機エレクトロルミネセンス発光素子である。
第二電極を透光性のある電極とし、 有機 E L層で発光した光を基板と反対側から取り出 す、 いわゆる、 トップェミッション型の有機 E L発光素子とした場合には、 第二電極の側 に保護膜を設けることが好ましい。 保護膜によって、 第二電極への接触防止や有機 E L層 の酸化防止が期待できる。 この保護膜の内部や保護膜の界面にもモ一ド変換手段を設ける ことにより、 導波モードとなった光も放射モードに変換され、 .有機 E L発光素子の外部へ 放射される。 従って、 有機 E L発光素子の光取り出し効率が向上する。
本願第三発明には、 前記基板の外表面又は前記保護層の外表面に、 導波モードから放射 モードへ変換するモード変換手段を備える光学機能層をさらに有することを特徴とする有 機エレクトロルミネセンス発光素子も含まれる。
基板の外表面に、 導波モードから放射モードへ変換するモ一ド変換手段を備える光学機 能層を有することによって、 有機 E L層で発光した光のうち基板の側に向かった光が導波 モードとなっても放射モードに変換され、 有機 E L発光素子の外部へ放射される。 有機 E L層で発光した光を基板側から取り出す、 いわゆる、 ボトムェミッション型の有機 E L発 光素子に有効である。 また、 保護層の外表面に、 導波モードから放射モードへ変換するモ ―ド変換手段を備える光 能層を有することによって、 有機 E L層で発光した光のうち 保護層の側に向かつた光が導波モ一ドとなっても放射モードに変換され., 有機 E L発光素 子の外部へ放射される。 有機 E L層で発光した光を基板と反対側から取り出す、 いわゆる、 トップエミッション型の有機 E L発光素子に有効である。 従って、 有機 E L発光素子の光 取り出し効率が向上する。 モード変換手段は、 この光学機能層の内部や光学機能層の界面 に設ける。
本願第四発明は、 透明基板上に、 少なくとも、 透明電極と、 有機エレクトロルミネセン ス層と、 該透明電極に対向する金属電極と、 を順に有する有機エレクトロルミネセンス発 光素子であって、 該透明基板の内部、 該透明電極の内部、 該有機エレクトロルミネセンス 層の内部、 該金属電極の内部、 該透明基板と該透明基板の外部との界面、 該透明基板と該 透明電極との界面、 該透明電極と該有機エレクトロルミネセンス層との界面、 該有機エレ クトロルミネセンス層と該金属電極との界面、 又は該金属電極と該金属電極の外部との界 面のうち少なくとも 1に導波モードから放射モードへ変換するモード変換手段を備える有 機エレクトロルミネセンス発光素子である。
又は、 透明基板上に、 少なくとも、 透明電極と、 有機エレクトロルミネセンス層と、 該 透明電極に対向する金属電極と、 を順に有し、 かつ、 該透明基板上のいずれかに 1以上の 導波層を有する有機エレクトロルミネセンス発光素子の場合は、 該透明基板の内部、 該透 明電極の内部、 該有機エレクトロルミネセンス層の内部、 該金属電極の内部、 該導波層の 内部、 該透明基板と該透明基板の外部との界面、 該透明基板と該透明電極との界面、 該透 明電極と該有機エレクトロルミネセンス層との界面、 該有機エレクトロルミネセンス層と 該金属電極との界面、 該金属電極と該金属電極の外部との界面、 該透明基板と該導波層と の界面、 該透明電極と該導波層との界面、 該有機エレクトロルミネセンス層と該導波層と の界面、 該金属電極と該導波層との界面、 該導波層と該導波層の外部との界面、 又は該導 波層と該導波層との界面のうち少なくとも 1に導波モ一ドから放射モードへ変換するモ一 ド変換手段を備える有機エレクトロルミネセンス発光素子である。
有機 E L発光素子において有機 E L層で発光した光のうち一部は放射モードとなり有機 E L発光素子の外部に放射され、 残りは導波モードとなるが 本願第四発明により 導波 モードとなった光もモード変換手段により放射モードとなり、 有機 E L発光素子の外部へ 放射される。 従って、 有機 E L発光素子の光取り出し効率が向上する。
本願第四発明には、 前記透明基板の外表面又は前記金属電極の外表面に、 導波モードか ら放射モードへ変換するモ一ド変換手段を備える光学機能層をさらに有することを特徴と する有機エレクトロルミネセンス発光素子も含まれる。
透明基板の外表面に、 導波モードから放射モ一ドへ変換するモード変換手段を備える光 学機能層を有することによって、 有機 E L層で発光した光のうち透明基板の側に向かった 光が導波モードとなっても放射モードに変換され、 有機 E L発光素子の外部へ放射される。 有機 E L層で発光した光を透明基板側から取り出す、 いわゆる、 ボトムェミッション型の 有機 E L発光素子に有効である。 また、 金属電極の外表面に、 導波モードから放射モード へ変換するモ一ド変換手段を備える光学機能層を有することによって、 有機 E L層で発光 した光のうち金属電極の側に向かった光が導波モードとなっても放射モードに変換され、 有機 E L発光素子の外部へ放射される。 有機 E L層で発光した光を透明基板と反対側から 取り出す、 いわゆる、 トップェミッション型の有機 E L発光素子に有効である。 従って、 有機 E L発光素子の光取り出し効率が向上する。 モード変換手段は、 この光学機能層の内 部や光学機能層の界面に設ける。
上記発明における導波モードには、 透明電極内を伝搬する透明電極導波モードと透明基 板導波モードがある。 透明電極導波モードには、 透明電極だけでなく、 有機 E L層内と一 体になった導波モードも含まれる。 透明電極の厚さや有機 E L層の厚さが実効波長より薄 く、 透明電極から有機 E L層や透明基板への染み出しがあるため、 必ずしも厳密には透明 電極内での伝搬とは言えないからである。 透明基板導波モードは、 主に透明基板内で電界 強度が最も強い導波モ一ドである。 以下の発明でも同様である。
上記発明における導波モ一ドから放射モードへの変換には、 内側の層の屈折率が外側の 層の屈折率よりも高い場合は、 内側の層の導波モードから外側の層の導波モードへの変換 も含まれる。 これは., 内側の層の導波モードがモード変換され放射されても、 一部は外側 の層を経て外部に放射されるが、 一部は外側の層の導波モードとなるからである。 例えば、 透明電極の屈折率が 2. 0、 透明基板の屈折率が 1 . 5、 透明基板の外部の屈折率が 1 . 0の場合は、 透明電極導波モードから放射モードへの変換には、 透明電極導波モ一ドから 放射モ一ドとなって透明基板を経て外部に放射される放射モードへの変換と、 透明電極導 波モードから放射モードとなって透明電極から透明基板内に放射されるが、 透明基板内を 伝搬する透明基板導波モードとなる放射モードへの変換も含まれる。 以下の発明でも同様 である。
本願第五発明は、 本願第一発明から本願第四発明において、 前記モード変換手段が、 1 次元、 2次元、 又は 3次元の方向に規則性のある屈折率分布を持つ光学的構造であること を特徴とする有機 E L発光素子である。
本願第五発明の 1次元、 2次元、 又は 3次元の方向に規則性のある屈折率分布を持つ光 学的構造により有機 E L発光素子の光取り出し効率が向上する。
本願他の発明は、 本願第五発明において、 前記規則性は前記有機エレクトロルミネセン ス層で発光する光の実効波長程度の周期であることを特徴とする有機エレクト口ルミネセ ンス発光素子である。
実効波長程度の周期により、 有機 E L層で発光する光に対して効果的に干渉することが でき、 有機 E L発光素子の光取り出し効率が向上する。
なお、 本願において、 実効波長程度とは、 実効波長の 4分の 1から 5倍の長さをいう。 本願他の発明は、 上記発明において、 前記有機エレクトロルミネセンス発光素子が、 2 以上のモード変換手段を備え、 該 2以上のモード変換手段の規則性が同じ周期であること を特徴とする有機エレクトロルミネセンス発光素子である。 有機 E L発光素子が 2以上のモード変換手段を持つことによって、 1つの層にとどまる ことなく逐次的に導波モ一ドから放射モードに変換され、 有機 E L発光素子の光取出し効 率が向上する。
本願他の発明は、 本願第五発明において 前記規則性は前記有機エレクトロルミネセン ス層で発光する光の実効波長程度の周期に対して周期の 4分の 1以下のゆらぎを持つこと を特徴とする有機エレクトロルミネセンス発光素子である。
規則性に周期とゆらぎを持たせることにより、 有機 E L層で発光する波長広がりがある 光に対して効果的に干渉することができ、 有機 E L発光素子の光取り出し効率が向上する。 また、 有機 E L発光素子からの光を特定の方向だけでなく広角的に出射させることができ、 指向性を緩和することができる。
本願他の発明は、 上記発明において、 前記モード変換手段が、 2次元の方向に規則性の ある屈折率分布を持つ光学的構造を少なくとも 2以上有し、 該光学的構造の規則性が該光 学的構造ごとに前記ゆらぎの範囲内で異なる周期を持つことを特徴とする有機エレクト口 ルミネセンス発光素子である。
各層での導波モードから放射モ一ドへのモード変換に最適な構造を選択したり、 異なる 周期の光学的構造で協調して効率的に導波モ一ドから放射モ一ドへモ一ド変換したりする ことができる。
本願他の発明は、 上記発明において、 前記 2以上の光学的構造が、 2次元の同一面内に 形成されていることを特徴とする有機エレクトロルミネセンス発光素子である。
2次元の同一面内に 2以上の光学的構造を形成することにより、 異なる周期を同時に実 現することができ、 より効率的に導波モードから放射モードへモ一ド変換したりすること ができる。'
本願他の発明は、 本願第五発明において、 前記規則性は前記有機エレクトロルミネセン ス層で発光する光の実効波長程度の周期と、 実効波長程度の周期に対して周期の 4分の 1 以下のゆらぎと、 が混在していることを特徴とする有機エレクトロルミネセンス発光素子 である。
周期な規則性にゆらぎを混在させることにより、 有機 E L層で発光する波長広がりがあ る光に対して効果的に干渉することができ、 有機 E L発光素子の光取り出し効率が向上す 本願他の発明は、 本願第五発明において、 前記規則性は周期が徐々に変化することを特 徴とする有機エレクトロルミネセンス発光素子である。
周期が徐々に変化することにより、 有機 E L層で発光する波長広がりがある光に対して、 波長広がりがある光に対してより効果的に干渉することができ、 有機 E L発光素子の光取 り出し効率が向上する。 ·
本願他の発明は、 本願第五発明において、 前記 2次元の方向に規則性のある屈折率分布 が正方格子配置、 三角格子配置、 ハニカム格子配置、 若しくは有限個数の単位要素で平面 を埋め尽くすことのできる配置、 又はこれらの組み合わせであることを特徴とする有機ェ レクトロルミネセンス発光素子である。
2次元の方向に対して、 規則的な屈折率分布が実現できるため、 有機 E L発光素子の光 取り出し効率が向上する。
本願他の発明は、 本願第五発明において、 前記規則性のある屈折率分布がこれを設けな い場合の材料の有する屈折率よりも高い屈折率を有する材料で形成されていることを特徴 とする有機エレクトロルミネセンス発光素子である。 .
周囲の材料より高い屈折率を有する材料で規則性のある屈折率分布を形成することがで きるため、 有機 E L発光素子の光取り出し効率が向上する。
本願他の発明は、 上記発明において、 前記高い屈折率を有する材料が、 前記有機 E L層 で発光する光に対して透過性を有することを特徴とする有機エレクトロルミネセンス発光 素子である。
有機 E L層で発光する光に対して透過性があれば、 導波モードに対して光損失を低減す ることができ、 有機 E L発光素子の光取り出し効率が向上する。 本願他の発明は、 本願第五発明において、 前記規則性のある屈折率分布がこれを設けな い場合の材料の有する屈折率よりも低い屈折率を有する材料で形成されていることを特徴 とする有機エレクトロルミネセンス発光素子である。
周囲の材料より低い屈折率を有する材料で規則性のある屈折率分布を形成することがで さるため、 有機 E L発光素子の光取り出し効率が向上する。
本願他の発明は、 上記発明において、 前記低い屈折率を有する材料が、 前記有機 E L層 で発光する光に対して透過性を有することを特徴とする有機エレクトロルミネセンス発光 素子である。
有機 E L層で発光する光に対して透過性があれば、 導波モードに対して光損失を低減す ることができ、 有機 E L発光素子の光取り出し効率が向上する。
本願他の発明は、 前記発明において、 前記低い屈折率を有する材料が気体であることを 特徴とする有機エレクトロルミネセンス発光素子である。
気体は一般には屈折率が 1程度であるため、 透明電極や透明基板に対して低い屈折率を 有する材料として使用することができ、 低い屈折率を有する材料で規則性のある屈折率分 布を形成することができるため、 有機 E L発光素子の光取り出し効率が向上する。
本願他の発明は、.上記発明において、 前記気体が空気又は不活性ガスであることを特徴 とする有機エレクトロルミネセンス発光素子である。
透明電極や透明基板等を空気中又は不活性ガス中で作製する.ときに、 これらの気体を閉 じ込めれば、 光取り出し効率の高い有機 E L発光素子を容易に製造することができる。 本願他の発明は、 本願第五発明において、 前記基板と前記基板の外部との界面、 前記基 板と前記第一の電極との界面、 前記第一の電極と前記有機エレクトロルミネセンス層との 界面、 前記有機エレクトロルミネセンス層と前記第二の電極との界面、 前記第二の電極と 前記第二の電極の外部との界面、 前記基板と前記導波層との界面、 前記第一の電極と前記 導波層との界面、 前記有機エレクトロルミネセンス層と前記導波層との界面、 前記第二の 電極と前記導波層との界面、 前記導波層と前記導波層の外部との界面、 又は前記導波層と 前記導波層との界面に備える前記モ一ド変換手段が、 1次元又は 2次元の方向に規則性の ある界面の凹凸で構成されていることを特徴とする有機エレクトロルミネセンス発光素子 である。
又は 本願第五発明において、 前記透明基板と前記透明基板の外部との界面 前記透明 基板と前記透明電極との界面、 前記透明電極と前記有機エレクトロルミネセンス層との界 面、 前記有機エレクトロルミネセンス層と前記金属電極との界面、 前記金属電極と前記金 属電極の外部との界面、 前記透明基板と前記導波層との界面、 前記透明電極と前記導波層 との界面、 前記有機エレクトロルミネセンス層と前記導波層との界面、 前記金属電極と前 記導波層との界面、 前記導波層と前記導波層の外部との界面、 又は前記導波層と前記導波 層との界面に備える前記モ一ド変換手段が、 1次元又は 2次元の方向に規則性のある界面 の凹凸で構成されていることを特徴とする有機エレクトロルミネセンス発光素子である。 界面に 1次元又は 2次元の方向に規則性のある凹凸を設けることによって、 屈折率の異 なる材料を設けることなくモード変換手段を構成することができ、 光取り出し効率の高い 有機 E L発光素子を容易に製造することができる。
本願他の発明は、 本願第五発明において、 前記有機 E L層が領域によって異なる発光波 長を有することを特徴とする有機エレクトロルミネセンス発光素子である。
領域によって異なる発光波長を有する有機 E L発光素子に対しても、 モ一ド変換手段を 備えることによって光取り出し効率の高い有機 E L発光素子とすることができる。
本願他の発明は、 上記発明において、 前記変換手段が、 前記異なる発光波長に対応した 1次元、 2次元、 又は 3次元の方向に規則性のある屈折率分布を持つ光学的構造であるこ とを特徴とする有機エレクトロルミネセンス発光素子である。
有機 E L層で発光する光の発光波長に合わせてモード変換手段を備えることができる。 例 えば、 R、 G、 Bのフルカラ一で発光する有機 E L発光素子に対して、 発光色ごとに最適 なモ一ド変換手段を備えることができ、 光取り出し効率の高い有機 E L発光素子とするこ とができる。 (発明の効果)
以上説明したように、 本発明によればモ一ド変換手段を用いて導波モードから放射モ一 ドに変換することが可能となり、 有機 E L発光素子等の発光素子からの光取り出し効率の 向上を図ることができる。 図面の簡単な説明
図 1は 透明電極に閉じ込められた透明電極導波モードの電界分布を表す図である。 図 2は、 従来技術である透明電極と透明基板の境界に集光用レンズを設けた技術を説明す る図である。
図 3は、 本願発明の基本原理を説明する図である。
図 4は、 1次元の方向に規則性のある屈折率分布を持つ光学的構造の例を説明する図であ る。
図 5は、 2次元の方向に規則性のある屈折率分布を持つ光学的構造の例を説明する図であ る。
図 6は、 マトリクス状に配置した 2次元の方向に規則性のある屈折率分布を持つ光学的構 造の例を説明する図である。
図 7は、 モード変換手段として、 光学的構造体を正方格子配置した例を説明する図である。 図 8は、 モード変換手段として、 光学的構造体を三角格子配置した例を説明する図である。 図 9は、 モード変換手段として、 光学的構造体をハニカム配置した例を説明する図である。 図 1 0は、 モード変換手段として、 有限個数の単位要素で平面を埋め尽くすことのできる 配置とした例を説明する図である。
図 1 1は、 モ一ド変換手段を透明基板の内部に備えた有機 E L発光素子の例を説明する図 である。
図 1 2は、 モ一ド変換手段を透明基板と透明基板の外部との界面に備える有機 E L発光素 子の例を説明する図である。 図 1 3は、 モード変換手段を透明基板と透明基板の外部との界面に備える有機 E L発光素 子の例を説明する図である。
図 1 4は、 モ一ド変換手段を透明基板と透明基板の外部との界面に備える有機 E L発光素 子の例を説明する図である。
図 1 5は、 モード変換手段を透明電極の内部に備えた有機 E L発光素子の例を説明する図 である。
図 1 6は、 モード変換手段を透明電極と透明基板との界面に備える有機 E L発光素子の例 を説明する図である。
図 1 7は、 モード変換手段を透明電極と透明基板との界面に備える有機 E L発光素子の例 を説明する図である。
図 1 8は、 モード変換手段を透明電極と透明基板との界面に備える有機 E L発光素子の例 を説明する図である。
図 1 9は、 モード変換手段を有機 E L層の内部に備える有機 E L発光素子の例を説明する 図である。
図 2 0は、 モード変換手段を有機 E L層と透明電極との界面に備える有機 E L発光素子の 例を説明する図である。
図 2 1は、 モード変換手段を有機 E L層と透明電極との界面に備える有機 E L発光素子の 例を説明する図である。 .
図 2 2は、 モード変換手段を有機 E L層と透明電極との界面に備える有機 E L発光素子の 例を説明する図である。
図 2 3は、 モード変換手段を金属電極の内部に備える有機 E L発光素子の例を説明する図 である。 .
図 2 4は、 モード変換手段を金属電極と有機 E L層との界面に備える有機 E L発光素子の 例を説明する図である。
図 2 5は、 モード変換手段を金属電極と有機 E L層との界面に備える有機 E L発光素子の 例を説明する図である。
図 2 6は、 モード変換手段を金属電極と有機 E L層との界面に備える有機 E L発光素子の 例を説明する図である。
図 2 7は、 モード変換手段を金属電極と金属電極の外部との界面に備える有機 E L発光素 子の例を説明する図である。
図 2 8は、 モード変換手段を金属電極と金属電極の外部との界面に備える有機 E L発光素 子の例を説明する図である。
図 2 9は、 モード変換手段を金属電極と金属電極の外部との界面に備える有機 E L発光素 子の例を説明する図である。
図 3 0は、 モ一ド変換手段を金属電極と透明絶縁膜との界面に備える有機 E L.発光素子の 例を説明する図である。
図 3 1は、 モード変換手段を金属電極と透明絶縁膜との界面に備える有機 E L発光素子の 例を説明する図である。
図 3 2は、 モード変換手段を金属電極と透明絶縁膜との界面に備える有機 E L発光素子の 例を説明する図である。
図 3 3は、 モ一ド変換手段を透明絶縁膜の内部に備える有機 E L発光素子の例を説明する 図である。
図 3 4は、 モード変換手段を透明絶縁膜と透明絶縁膜の外部との界面に備える有機 E L発
'光素子の例を説明する図である。
図 3 5は、 モード変換手段を透明絶縁膜と透明絶縁膜の外部との界面に備える有機 E L発 光素子の例を説明する図である。.
図 3 6は、 モード変換手段を透明絶縁膜と透明絶縁膜の外部との界面に備える有機 E L発 光素子の例を説明する図である。
図 3 7は、 モード変換手段を光学フィルムの内部に備える有機 E L発光素子の例を説明す る図である。 図 3 8は、 モ一ド変換手段を光学フィルムと透明絶;椽膜との界面に備える有機 E L発光素 子の例を説明する図である。
図 3 9は、 モ一ド変換手段を光学フィルムと光学フィルムの外部との界面に備える有機 E L発光素子の例を説明する図である。
図 4 0は、 モード変換手段を光学フィルムの内部に備える有機 E L発光素子の例を説明す る図である。 '
図 4 1は、 モード変換手段を光学フィルムと光学フィルムの外部との界面に備える有機 E L発光素子の例を説明する図である。
図 4 2は、 モ一ド変換手段を光学フィルムと透明基板との界面に備える有機 E L発光素子 の例を説明する図である。
図 4 3は、 モ一ド変換手段を透明基板と透明基板の外部との界面に備える有機 E L発光素 子の例を説明する図である。
図 4 4は、 モード変換手段を透明電極と透明基板との界面に備える有機 E L発光素子の例 を説明する図である。
図 4 5は、 モード変換手段を透明電極と有機 E L層との界面に備える有機 E L発光素子の 例を説明する図である。
図 4 6は、 モード変換手段を有機 E L層と金属電極との界面に備える有機 E L発光素子の 例を説明する図である。 .
図 4 7は、 モード変換手段を金属電極と金属電極の外部との界面に備える有機 E L発光素 子の例を説明する図である。
図 4 8は、 モード変換手段を透明絶&膜と透明絶禄膜の外部との界面に備える有機 E L発 光素子の例を説明する図である。
図 4 9は、 モード変換手段を光学フィルムと光学フィルムの外部との界面に備える有機 E L発光素子の例を説明する図である。
図 5 0は、 モ一ド変換手段を光学フィルムと光学フィルムの外部との界面に備える有機 E L発光素子の例を説明する図である。
図 5 1は、 モ一ド変換手段を基板と第一電極との界面に備える有機 E L発光素子の例を説 明する図である。
図 5 2は、 モード変換手段を透明基板と光学フィルムとの界面に備える有機 E L発光素子 の例を説明する図である。
図 5 3は、 二段のモード変換手段を備える有機 E L発光素子の例を説明する平面図である。 図 5 4は、 二段のモード変換手段を備える有機 E L発光素子の例を説明する断面図である。 図 5 5は、 モード変換手段として、 規則性のある屈折率分布を持つ光学的構造を形成した ときの導波モ一ドの伝搬特性を説明する図である。
図 5 6は、 伝搬が抑制される波長を広げた導波モ一ドの伝搬特性を説明する図である。 図 5 7は、 フルカラーディスプレイの絵素を説明する図である。
符号の意味は次の通りである。
2 2 導波モード
2 3 放射モード
2 5 光学的構造体
3 1 金属電極
3 2 有機 E L層
3 3 透明電極 .
3 4 透明基板
3 5 透明絶縁膜
4 1 モ一ド変換手段
4 4 基板、
4 5 第一電極、
4 6 有機 E L層、
4 7 第二電極、 4 8 透明絶縁層、
4 9 光学フィルム
8 1 ガラス基板
8 2 透明電極
8 3 有機 E L層
8 4 集光用レンズ 発明を実施するための最良の形態
以下、 本願発明の実施の形態について、 添付の図面を参照して説明する。
導波モードから放射モードへ変換するモード変換手段として、 1次元の方向に規則性の ある屈折率分布を持つ光学的構造の例を図 4に示す。 図 4において、 2 2は導波モード、 2 3は放射モード、 2 5は光学的構造体、 4 1はモード変換手段である。 図 4では、 モー ド変換手段 4 1として、 1次元の方向 (図 4では、 左右の方向) に光学的構造体 2 5を配 置している。 ここで、 光学的構造体 2 5の屈折率を、 光学的構造体 2 5を設けない場合の 材料の有する屈折率と異なるように設定する。
導波モード 2 2の状態にある伝搬光の伝搬が抑制されるような周期に光学的構造体 2 5 を設けると、 導波モード 2 2は放射モード 2 3に変換されて、 外部に放射されることにな る。 このようなモード変換手段を設けると 1次元の方向で導波モードを放射モードに変換 することができる。
導波モードから放射モードへ変換するモード変換手段として、 2次元方向に規則性のあ る屈折率分布を持つ光学的構造の例を図 5に示す。 図 5において、 2 2は導波モード、 2 3は放射モード、 2 5は光学的構造体、 4 1はモード変換手段である。 図 5では、 モード 変換手段 4 1として、 2次元の方向 (図 5では、 左右の方向と上下の方向) に光学的構造 体 2 5を配置している。 ここで、 光学的構造体 2 5の屈折率を、 光学的構造体 2 5を設け ない場合の材料の有する屈折率と異なるように設定する。 導波モード 2 2の状態にある伝搬光の伝搬が抑制されるような周期に光学的構造体 2 5 を設けると、 導波モード 2 2は放射モード 2 3に変換されて、 外部に放射されることにな る。 このようなモード変換手段を設けると 2次元の方向で導波モードを放射モードに変換 することができる。
図 5では、 2次元のマトリクス上での交点に光学的構造体 2 5を配置したが、 図 6に示 すように、 図 4で説明した光学的構造体を 2次元のマトリクス状に配置しても同様の効果 が得られる。 さらに、 3次元の方向に規則性のある屈折率分布を持つ光学的構造を配置し てもよい。 この場合は 3次元のマトリクス上の交点に光学的構造体を配置してもよいし、 3次元のマトリクス状に光学的構造体を配置してもよい。 3次元の方向に光学的構造体を 配置すると、 より複雑な設計を可能にする。 例えば、 より広い波長範囲でモード変觀能 を発揮させることができるようになる。
次に、 2次元の方向に規則性のある屈折率分布の例を説明する。 図 7はモード変換手段 として、 光学的構造体を正方格子配置した例である。 図 7の点線の交点に光学的構造体を 配置してもよいし、 点線の位置に光学的構造体を配置してもよい。 各方向の周期を一致さ せると、 各方向で同じ波長特性が得られる。 各方向で周期を異ならせると、 各方向で異な る波長特性が得られる。
図 8はモード変換手段として、 光学的構造体を三角格子配置した例である。 図 8の点線 の交点に光学的構造体を配置してもよいし、 点線の位置に光学的構造体を配置してもよい。 各方向の周期を一致させると、 各方向で同じ波長特性が得られる。 各方向で周期を異なら せると、 それぞれ異なる波長特性が得られる。
図 9はモ一ド変換手段として、 光学的構造体をハニカム配置した例である。 図 9の点線 の交点に光学的構造体を配置してもよいし、 点線の位置に光学的構造体を配置してもよい。 各方向の周期を一致させると、 各方向で同じ波長特性が得られる。 各方向で周期を異なら せると、 それぞれ異なる波長特性が得られる。
図 1 0はモ一ド変換手段として、 有限個数の単位要素で平面を埋め尽くすことのできる 配置とした例である。 図 1 0は 2種類の相似形の三角形を組み合わせて作成したペンロー ズタイルの 1種類を表し、 このような図形で平面を埋め尽くすことができる。 このような 配置であれば、 より多くの方向に波長特性を設計することが可能になる。
図 4から図 1 0で説明したような構造のモード変換手段は例であつて、 本発明はこのよ うな構造に限定されるものではない。
光学的構造体が 1次元、 2次元、 又は 3次元の方向に規則性のある屈折率分布を持つ場 合に、 有機 E L層で発光する光の実効波長程度の周期に対してその規則性にゆらぎを持た せることにより、 有機 E L発光素子からの光の取り出し効率が向上する。 有機 E L層で発 光する光に波長広がりがある場合であつても、 波長広がりのある光に対して効果的に千渉 することができる。 また、 有機 E L発光素子からの光を特定の方向だけでなく広角的に出 射させることができ、 指向性を緩和することができる。 ゆらぎは、 有機 E L層で発光する 光の波長の周期の 4分の 1以下が ましい。 ゆらぎが大き過ぎると、 干渉効果が減少する ことになる。
前述のゆらぎは、 有機 E L層で発光する光の実効波長程度の周期と混在していてもよい。 周期的な規則性にゆらぎを混在させることにより、 有機 E L層で発光する波長広がりがあ る光に対して効果的に干渉することができ、 有機 E L発光素子の光の取り出し効率が向上 する。 また、 有機 E L発光素子から出射する光の指向性を緩和することができる。
また、 規則性の周期が徐々に変化するようにしてもよい。 いわゆるチヤ一ピング的な周 期である。 周期が徐々に変化することにより、 有機 E L層で発光する波長広がりがある光 に対して、 より効果的に千渉することができ、 有機 E L発光素子の光取り出し効率が向上 する。
次に、 モード変換手段としての規則性のある屈折率分布を持つ光学的構造を備える有機 E L発光素子の例を説明する。 図 1 1以降の説明では、 透明基板の上面に、 基板側から順 に、 透明電極、 有機 E L層、 金属電極、 ±湯合により透明絶禄膜を形成している。 有機 E L 層で発光した光を基板と反対側から取り出す、 いわゆる、 トップェミッション型の有機 E L発光素子とした場合には、 透明基板に替えて S i基板等の不透明な基板を用いてもよい。
S i基板を用いる場合は、 電極を構成する側の面を酸化させて S i〇2とすることが好ま しい。 基板上の電極と絶縁するためである。 酸化方法としては、 高温状態にした S i基板 に酸素雰囲気や水蒸気を接して、 S i基板の表面を熱酸化させる方法がある。 トップエミ ッション型の有機 E L発光素子では透明基板から出射させないので、 有機 E L層で発光し た光の取り出し効率が高い。 また、 基板として S iや S i02を使用すると、 放熱効果も 高い。 さらに、 基板に電子回路を搭載しても有機 EL層で発光した光の取り出しに影響す ることがない。
トップエミッション型の有機 E L発光素子の場合は、 有機 E L層で発光した光を基板と 反対側から出射させるため、 基板の上面に形成する透明電極に替えて第一の電極としての 金属の電極としてもよい。 金属の電極材料としては、 有機 EL層にキャリアを注入、 輸送 するのに適した金属が好ましい。
. また、 トップェミッション型の有機 EL発光素子の場合は、 有機 EL層の上面に形成す る金属電極に替えて第一の電極に対向する第二の電極としてもよい。 トップエミッシヨン 型の有機 E L発光素子では、 有機 E L層で発光した光を第二の電極の側から出射させるた め、 第二の電極は、 有機 EL層で発光した光に対して透過性のある電極とすることが好ま しい。 透光性のある電極としては、 ITO (I nd i um T i n 〇x i de)、 I Z
O (インジウム亜鉛酸化物)、 Sn02 (酸化スズ)、 I η23 (酸化インジウム)、 Ζη 0 (酸化亜鉛) 等の酸化物が適用できる。 第二電極として、 Auや N i等の金属を薄膜に した薄膜金属電極でもよい。 また、 第二電極として、 透光性のある電極にその電極の有機 E L層の側に薄膜金属電極を配置した電極とすることでもよい。
図 11は、 モード変換手段を透明基板の内部に備える有機 E L発光素子の例、 図 12か ら図 14は、 モード変換手段を透明基板と透明基板の外部との界面に備える有機 EL発光 素子の例である。 図 11から図 14において、 31は金属電極、 32は有機 E L層、 33 は透明電極、 34は透明基板、 41はモード変換手段である。 透明基板としては、 ガラス 基板、 フレキシブル基板、 カラーフィルタや色変換膜あるいは誘電体反射膜が形成された 基板を含む。 透明基板は、 ガラスや、 ポリエチレンテレフタレート、 ポリ力一ポネート、 非晶質ポリオレフィン等を材料とすることができる。
図 11のモード変換手段 41は、 1次元の方向に規則性のある屈折率分布を持つもので も、 2次元、 3次元の方向に規則性のある屈折率分布を持つものでもよい。 図 12から図 14のモード変換手段 41は 1次元の方向に規則性のある屈折率分布を持つものでも、 2 次元の方向に規則性のある屈折率分布を持つものでもよい。 透明基板の内部や透明基板と 透明基板の外部との界面にモ一ド変換手段を備えることによって、 透明基板導波モ一ドを 放射モ一ドに変換して、 有機 E L層で発光した光を透明基板の外部に効率的に取り出すこ とができる。
図 11に示すモ一ド変換手段 41は、 透明基板 34を作製する際〖こ、 2度に分けて成長 させ途中でモ一ド変換手段を形成するか、 2枚の透明基板を接合する等によって作製する ことができる。 図 12から図 14に示すモード変換手段 41は、 透明基板 34の片面にェ ツチング等によってモード変換手段 41を形成することができる。 これらの透明基板の上 面!に透明電極 33、 有機£し層32、 金属電極 31を成膜することによって、 有機 EL発 光素子を製造することができる。 本発明の有機 EL発光素子は、 ここで説明した製造方法 に限定されるものではない。
図 15は、 モード変換手段を透明電極の内部に備える有機 E丄発光素子の例、 図 16か ら図 18は、 モード変換手段を透明電極と透明基板との界面に備える有機 EL発光素子の 例である。 図 15から図 18において、 31は金属電極、 32は有機 EL層、 33は透明 電極、 34は透明基板、 41はモード変換手段である。 透明電極をアノード (陽極) とし て使用するには、 高仕事関数で正孔注入の容易な金属が適する。 透明化の容易な材料には、 ITO (I nd i um T i n Ox i d e), I ZO (インジウム亜鉛酸化物)、 SnO
2 (酸化スズ)、 I n203 (酸化インジウム)、 ZnO (酸化亜鉛) 等の酸化物、 Auや N i等の金属がある。 図 1 5のモード変換手段 4 1は、 1次元の方向に規則性のある屈折率分布を持つもので も、 2次元、 3次元の方向に規則性のある屈折率分布を持つものでもよい。 図 1 6から図 1 8のモード変換手段 4 1は 1次元の方向に規則性のある屈折率分布を持つものでも、 2 次元の方向に規則性のある屈折率分布を持つものでもよい。 透明電極の内部や透明電極と 透明基板との界面にモード変換手段を備えることによって、 透明基板導波モードや透明電 極導波モードを放射モードに変換して、 有機 E L層で発光した光を透明基板の外部に効率 的に取り出すことができる。
図 1 5に示すモード変換手段 4 1は、 透明電極 3 3を蒸着法ゃスパッ夕法等で成膜する 際に、 2度に分けて成長させ途中でモード変換手段を形成すること等によって作製するこ とができる。 図 1 6から図 1 8に示すモード変換手段 4 1は、 透明基板 3 4の片面にエツ チング等によってモ一ド変換手段 4 1を形成した後、 透明基板の上面に透明電極 3 3、 有 機 E L層 3 2、 金属電極 3 1を成膜すること等によって有機 E L発光素子を製造すること ができる。 本発明の有機 E L発光素子は、 ここで説明した製造方法に限定されるものでは ない。
図 1 9は、 モ一ド変換手段を有機 E L層の内部に備える有機 E L発光素子の例、 図 2 0 から図 2 2は、 モード変換手段を有機 E L層と透明電極との界面に備える有機 E L発光素 子の例である。 図 1 9から図 2 2において、 3 1は金属電極、 3 2は有機 E L層、 3 3は 透明電極、 3 4は透明基板、 4 1はモード変換手段である。 ,
図 1 9のモード変換手段 4 1は、 1次元の方向に規則性のある屈折率分布を持つもので も、 2次元、 3次元の方向に規則性のある屈折率分布を持つものでもよい。 図 2 0から図 2 2のモード変換手段 4 1は 1次元の方向に規則性のある屈折率分布を持つものでも、 2 次元の方向に規則性のある屈折率分布を持つものでもよい。 有機 E L層の内部や有機 E L 層と透明電極との界面にモ一ド変換手段を備えることによって、 透明電極導波モ一ドゃ透 明基板導波モードを放射モードに変換して、 有機 E L層で発光した光を透明基板の外部に 効率的に取り出すことができる。 図 1 9に示すモード変換手段 4 1は、 有機 E L層 3 2をスピンコ一ト法、 真空蒸着法、 塗布、 インクジェット法等によって成膜する際に、 2度に分けて成膜し、 途中でモード変 換手段を形成すること等によって作製することができる。 図 2 0から図 2 2に示すモード 変換手段 4 1は、 透明電極 3 3の面にエッチング等によってモ一ド変換手段 4 1を形成し た後、 透明電極の上面に有機 E L層 3 2、 金属電極 3 1を成膜すること等によって有機 E L発光素子を製造することができる。 本発明の有機 E L発光素子は、 ここで説明した製造 方法に限定されるものではない。
図 2 3は、 モード変換手段を金属電極の内部に備える有機 E L発光素子の例、 図 2 4か ら図 2 6は、 モード変換手段を金属電極と有機 E L層との界面に備える有機 E L発光素子 の例、 図 2 7から図 2 9は、 モード変換手段を金属電極と金属電極の外部との界面に備え る有機 E L発光素子の例である。 図 2 3から図 2 9において、 3 1は金属電極、 3 2は有 機 E L層、 3 3は透明電極、 3 4は透明基板、 4 1はモード変換手段である。 金属電極を 陰極として使用するには、 低仕事関数で電子注入の容易な金属が適する。 陰極電極材料に は、 A l、 L i、 M g、 Au、 A g等又はこれらの合金を用いることができる。
図 2 3のモ一ド変換手段 4 1は、 1次元の方向に規則性のある屈折率分布を持つもので も、 2、 、 3次元の方向に規則性のある屈折率分布を持つものでもよい。 図 2 4から図 2 9のモード変換手段 4 1は 1次元の方向に規則性のある屈折率分布を持つものでも、 2 次元の方向に規則性のある屈折率分布を持つものでもよい。 図.2 4や図 2. 5に示すように、 有機 E L層と金属電極との界面にモード変換手段を備えることによって、 透明電極導波モ 一ドゃ透明基板導波モードを放射モ一ドに変換して、 有機 E L層で発光した光を透明基板 の外部に効率的に取り出すことができる。
ここで、'金属電極 3 1をエバネッセント波が存在する領域と同程度か、 それより薄く積 層すれば、 図 2 3から図 2 9に示す金属電極の内部、 金属電極と有機 E L層との界面、 金 属電極と金属電極の外部との界面にモード変換手段を備えることによって、 透明電極導波 モードゃ透明基板導波モ一ドを放射モードに変換して、 有機 E L層で発光した光を透明電 極の外部に効率的に取り出すことができる。
また、 金属電極 3 1を薄い層状にすることによって、 有機 E L層で発光した光を金属電 極 3 1の側からも取り出すことができる。 さらに、 金属電極 3 1を、 I T〇等の透光性の ある金属酸化物とその金属酸化物の有機 E L層の側に A 1や L i等の低仕事関数で電子注 入の容易な金属薄膜を設けた積層構造とすることによつても、 金属電極 3 1の側からも光 を取り出すことができる。 また、 金属電極 3 1を陽極とする場合は、 I TO等の透光性の ある金属酸化物を適用することによつても可能である。 従って、 金属電極の内部、 金属電 極と有機 E L層との界面、 金属電極と金属電極の外部との界面にモ一ド変換手段を備える ことによって、 透明電極導波モードや透明基板導波モードを放射モードに変換して、 有機 E L層で発光した光を金属電極の外部に効率的に取り出すことができる。 なお、 金属電極 の側からのみ有機 E L層で発光した光を取り出すときは、 上記説明した透明基板に替えて、 有機 E L層で発光した光に対する透過性のない基板を使用することができる。
. 図 2 3に示すモード変換手段 4 1は、 金属電極 3 1を蒸着法ゃスパッタ法等で成膜する 際に、 2度に分けて成膜し、 途中でモード変換手段を形成すること等によって作製するこ とができる。 図 2 4から図 2 6に示すモ一ド変換手段 4 1は、 有機 E L層 3 2の面にエツ チングによってモード変換手段 4 1を形成した後、 有機 E L層 3 2の上面に金属電極 3 1 を成膜すること等によって有機 E L発光素子を製造することができる。 図 2 7から図 2 9 に示すモード変換手段 4 1は、 金属電極 3 1の上面にエッチングによってモード変換手段 4 1を形成すること等によって有機 E L発光素子を製造することができる。 本発明の有機 E L発光素子は、 ここで説明した製造方法に限定されるものではない。
透明基板をガラスで構成する場合は、 ガラス内でのモ一ド変換手段をガラスよりも屈折 率の高いルチル型の T i O 2、 Z r 02、 塩素系ポリマ、 臭素系ポリマで構成することが できる。 塩素系ポリマや臭素系ポリマは有機 E L層で発光する光に対して透過性を有する ため、 光の透過損失を小さくすることができる。 また、 モード変換手段をガラスよりも屈 折率の低いナノポ一ラスガラスやフッ素系有機材で構成することができる。 これらの材料 は有機 E L層で発光する光に対して透過性を有するため、 光の透過損失を小さくすること ができる。 さらに、 モード変換手段を気体で構成すると、 屈折率の低い材料とすることが できる。 気体としては、 空気や不活性ガスが好ましい。 空気や不活性ガスの雰囲気中でガ ラス基板を作製する際に雰囲気ガスで気泡を作れば 容易にモ一ド変換手段を形成するこ とができる。
透明電極を I TO、 I Z〇、 S n 02、 I n 23、 Z n O等で構成する場合は、 透明 電極内でのモード変換手段を透明電極よりも屈折率の高いルチル型の T i O 2、 Z r O 2 で構成することができる。 また、 モード変換手段を透明電極よりも屈折率の低いナノポー ラスガラスゃフッ素系有機材で構成することができる。 これらの材料は有機 E L層で発光 する光に対して透過性を有するため、 光の透過損失を小さくすることができる。 さらに、 モード変換手段を気体で構成すると、 屈折率の低い材料とすることができる。 気体として は、 空気や不活性ガスが好ましい。 空気や不活性ガスの雰囲気中で透明電極を作製する際 に雰囲気ガスで気泡を作れば、 容易にモ一ド変換手段を形成することができる。
有機 E L層を P VKや A l Q 3で構成する場合は、 有機 E L層内でのモ一ド変換手段を 有機£ 層ょりも屈折率の高ぃルチル型の丁 1 02、. 2 1"〇2、 塩素系ポリマ、 臭素系ポ リマで構成することができる。 塩素系ポリマや臭素系ポリマは有機 E L層で発光する光に 対して透過性を有するため、 光の透過損失を小さくすることができる。 また、 モード変換 手段を有機 E L層よりも屈折率の低いナノポーラスガラスやフッ素系有機材で構成するこ とができる。 これらの材料は有機 E L層で発光する光に対して透過性を有するため、 光の 透過損失を小さくすることができる。 さらに、 モード変換手段を気体で構成すると、 屈折 率の低い材料とすることができる。 気体としては、 空気や不活性ガスが好ましい。 空気や 不活性ガスの雰囲気中で有機 E L層を作製する際に雰囲気ガスで気泡を作れば、 容易にモ ―ド変換手段を形成することができる。
有機 E L発光素子の金属電極層や有機 E L層の機械的保護や酸化及び吸湿防止のために、 金属電極層の外部側に保護膜としての透明絶縁膜を形成することが有効である。 透明絶縁 膜を有する有機 EL発光素子の例を図 30から図 36に示す。 図 30から図 36において、 31は金属電極、 32は有機 EL層、 33は透明電極、 34は透明基板、 35は保護膜と しての透明絶縁膜、 41はモ一ド変換手段である。 図 30、 図 31、 図 32の有機 EL発 光素子は、 それぞれ図 27, 図 28 , 図 29に示した有機 EL発光素子に透明纏 膜 35 を成膜したもので、 これらの透明絶縁膜 35によって、 金属電極 31又は有機 EL層 32 が保護される。 透明絶镓膜を形成するのは、 これらの例に限らず、 前述した有機 EL発光 素子の金属電極の外部側に透明絶縁膜を形成することによって、 いずれも金属電極が保護 されることになる。 これらの透明絶縁膜は S i Ox、 S i Nx、 S i ON、 S i C、 A 1 203、 A 1 N、 Zn〇、 MgOx、 T i〇x、 Z r〇x、 A 1〇x、 Ta205、 TaO x、 YOx、 W〇x等を材料としてスパッタリング、 蒸着、 蒸着重合、 電子ビ一ム蒸着、 プラズマ蒸着、 イオンプレーティング、 CVD、 プラズマ CVD、 熱 CVD等により形成 することができる。 また、 エポキシ樹脂、 アクリル樹脂、 ポリパラキシレン、 フッ素系高 分子、 ポリイミド前駆体を塗布したり、 スピンコートしたりした上で紫外線硬化すること によっても、 形成することができる。
透明紙椽膜が導波層として機能する場合は、 透明総膜の内部又は透明纖膜と隣接す る層等との界面にモード変換手段を備えることができる。 図 30、 図 31、 図 32の有機 EL発光素子は、 いずれも、 金属電極 31と透明絶縁膜 35との界面にモード変換手段 4 1を備えている。 モード変換手段 41は、 1次元の方向に規則性のある屈折率分布を持つ ものでも、 2次元の方向に規則性のある屈折率分布を持つものでもよい。 図 33の有機 E L発光素子は、 透明絶縁膜の内部にモ一ド変換手段 41を備えている。 このモード変換手 段 41は、 1次元の方向に規則性のある屈折率分布を持つものでも、 2次元、 3次元の方 向に規則性のある屈折率分布を持つものでもよい。
これらのモード変換手段は、 図 30から図 33に示した位置ばかりでなく、 透明縫膜 と外部との界面にも形成してもよい。 図 34、 図 35、 図 36の有機 EL発光素子は、 い ずれも、 透明絶縁膜 35と外部との界面にモード変換手段 41を備えている。 モード変換 4
31
手段 4 1は、 1次元の方向に規則性のある屈折率分布を持つものでも、 2次元の方向に規 則性のある屈折率分布を持つものでもよい。
透明絶縁膜を有する有機 E L発光素子において、 図 3 0から図 3 6に示したように、 金 属電極と透明絶縁膜との界面、 透明赚膜内部、 透明經录膜と外部との界面にモ一ド変換 手段を設けることによって、 透明絶縁膜内又は、 透明絶縁膜を含む導波層での導波モード を放射モードに変換して、 有機 E L層で発光した光を透明絶縁 は透明基板の外部に効 率的に取り出すことができる。 特に、 いわゆるトップエミッション型の有機 E L発光素子 では、 金属電極に替えて透光性のある電極とすると、 透明絶縁膜又は Z及び 光性のある 電極にモ一ド変換手段を備えることにより出射効率が向上する。
導波モ一ドから放射モードへの変換には、 金属電極又は第二電極の外側や保護層として の透明絶縁膜の外側にモード変換手段を備える光学機能層をさらに有する有機 E L素子と してもよい。 特に、 トップェミッション型の有機 E L発光素子では、 有機 E L層で発光し た光を金属電極、 第二電極、 又は透明絶椽膜の側から出射させることになるため、 光学機 能層の内部やこの光学機能層の内部や光学機能層の界面にもモード変換手段を設けること により、 導波モードとなった光も放射モードに変換され、 有機 E L発光素子の外部へ放射 される。 光学機能層として光学フィルムを適用することができる。 光学フィルムは電極へ の接触防止や有機 E L発光素子の物理的損傷防止のためにも有効である。 なお、 光学機能 層としては光学フィルムに限らず、 光学膜等の透明な材料で導波層を形成するものであれ ばよい。
光学フィルムを有する卜ップエミッション型の有機 E L発光素子の例を図 3 7から図 3 9に示す。 図 3 7から図 3 9において、 4 1はモード変換手段、 4 4 ¾¾板、 4 5は第一 電極、 4 6は有機 E L層、 4 7は第二電極、 4 8は保護膜としての透明絶縁膜、 4 9は光 学フィルムである。 図 3 7の有機 E L発光素子は、 光学フィルムの内部にモード変換手段 4 1を備えるもので、 モード変換手段は、 1次元の方向に規則性のある屈折率分布を持つ ものでも、 2次元、 3次元の方向に規則性のある屈折率分布を持つものでもよい。 図 3 8、 図 3 9は光学フィルムの界面にモード変換手段 4 1を備えるもので、 モ一ド変換手段は 1 次元の方向に規則性のある屈折率分布を持つものでも、 2次元の方向に規則性のある屈折 率分布を持つものでもよい。 図 3 8の有機 E L発光素子は、 図 3 4力ゝら図 3 6に示した有 機 E L発光素子に光学フィルム 4 9を設けたものでもよい。 図 3 9の光学フィルム 4 9と 外部との界面に形成しているモ一ド変換手段 4 1は、 界面の光学フィルム内部側、 中間、 外部側のいずれにあってもよい。 ' +
導波モ一ドから放射モードへの変換には、 基板又は透明基板の外側にモード変換手段を 備える光学機能層をさらに有する有機 E L素子としてもよい。 特に、 ボトムェミッション 型の有機 E L発光素子では、 有機 E L層で発光した光を 板又は透明基板の側から出射さ せることになるため、 光学機能層の内部やこの光学機能層の内部や光学機能層の界面にも モード変換手段を設けることにより、 導波モ一ドとなった光も放射モードに変換され、 有 機 E L発光素子の外部へ放射される。 光学機能層として光学フィルムを適用することがで きる。 光学フィルムは基板又は透明基板への接触防止や有機 E L発光素子の物理的損傷防 止のためにも有効である。 なお、 光学機能層としては光学フィルムに限らず、 光学膜等の 透明な材料で導波層を形成するものであればよい。
光学フィルムを有するボトムエミッション型の有機 E L発光素子の例を図 4 0から図 4 2に示す。 図 4 0から図 4 2において、 3 1は金属電極、 3 2は有機 E L層、 3 3は透明 電極、 3 4は透明基板、 4 1はモード変換手段、 4 8は保護膜としての透明絶縁膜、 4 9 は光学フィルムである。 透明絶縁膜 4 8を設けるか否かは任意である。 図 4 0の有機 E L 発光素子は、 光学フィルムの内部にモード変換手段 4 1を備えるもので、 モード変換手段 は、 1次元の方向に規則性のある屈折率分布を持つものでも、 2次元、 3次元の方向に規 則性のある屈折率分布を持つものでもよい。 図 4 1、 図 4 2は光学フィルムの界面にモー ド変換手段 4 1を備えるもので、 モード変換手段は 1次元の方向に規則性のある屈折率分 布を持つものでも、 2次元の方向に規則性のある屈折率分布を持つものでもよい。 図 4 1 の光学フィルム 4 9と外部との界面に形成しているモード変換手段 4 1は、 界面の光学フ イルム内部側、 中間、 外部側のいずれにあってもよい。 図 42の有機 EL発光素子は、 図 12から図 14に示した有機 EL発光素子に光学フィルム 49を設けたものでもよい。 このような光学フィルムは、 PMMA (Po l y Me t hy lme t hac ry l a t e) 、 TAG (Tr i ac e t a t e) 、 P VA (Po l yv i ny l A 1 c o h o 1) 、 PC (Po l yc a rbona t e) 、 アクリル、 ポリエチレンテレフタラ一ト、 ポリビニレン、 トラァセチルセルロース、 シクロォレフイン、 紫外線硬化樹脂、 液晶性ポ リマ等を塗布やスピンコート法によって、 あるいは、 これらの材料を 2軸延伸、 キャスト 法、 押し出し法によりシート状にし、 加熱貼り付けしたり、 粘着剤貼り付けしたりして 有機 E L発光素子に形成することができる。 光学フィルムの内部や界面のモ一ド変換手段 は、 フォトリソグラフィ、 ソフトリソグラフィ、 UVインプリンティング、 転写法等によ つて形成することができる。
ソフトリソグラフィとは、 樹脂を塗布した型を対象物に押し当ててエッチングのパター ンを形成する方法をいう。 UVインプリンティングとは、 紫外線硬化樹脂を塗布した型を 対象物に押し当てた後、 紫外線を照射して紫外線硬化樹脂を硬化させて、 エッチングのパ ターンを形成する方法をいう。 .
光学フィルムを有する有機 EL発光素子において、 図 37から図 42に示したように、 光学フィルムの界面や光学フィルム内部にモード変換手段を設けることによって、 光学フ イルム内又は、 光学フィルムを含む導波層での導波モードを放射モードに変換して、 有機 E L層で発光した光を光学フィルムの外部に効率的に取り出すことができる。
次に、 モード変換手段としての規則性のある屈折率分布を持つ光学的構造を、 1次元又 は 2次元の方向に規則性のある界面の凹凸で構成する例を図 43から図 52で説明する。 図 43から図 47において、 31は金属電極、 32は有機 E L層、 33は透明電極、 34 は透明基板、 41はモード変換手段である。 図 43は、 モード変換手段 41を透明基板 3 4と透明基板 34の外部との界面に設けた例である。 このような光学的構造は、 透明基板 34をエッチングやナノインプリンティング、 転写法等によって得られる。 透明基板の外 部が空気であれば、 モード変換手段である規則性のある屈折率分布を持つ光学的構造を空 気で形成したと同じ効果が得られる。 透明基板と透明基板の外部との界面にモード変換手 段を備えることによって、 透明基板導波モードを放射モードに変換して、 有機 E L層で発 光した光を透明基板の外部に効率的に取り出すことができる。
ナノインプリンティングとは、 基板や薄膜等の平面上に凹凸のある型を押圧し、 必要に よっては加熱して押圧し、 基板や薄膜等に型の凹凸を写しこむ技術である。 基板や薄膜に 紫外線硬化棚旨を用いる場合には紫外光を照射する方法や、 ポリマを写しこむ場合は事前 に型に塗布しておく、 いわゆるソフ卜リソグラフィの手法も可能である。 型は機械的強度 の強い S i、 S i C、 N i等で作製することが好ましい。
図 4 4は、 モード変換手段を透明電極 3 3と透明基板 3 4との界面に設けた例である。 このような光学的構造は、 透明基板 3 4にエッチングやナノインプリンティング、 ソフト リソグラフィ、 転写等を施して凹凸面を形成した後、 凹凸面の上に透明電極 3 3を積層す ること等によって得られる。 一般に透明電極の屈折率は透明基板の屈折率よりも高く、 両 者の屈折率に差があるため、 規則性のある屈折率分布を持つ光学的構造を形成することが できる。 透明電極と透明基板との界面にモード変換手段を備えることによって、 透明基板 導波モ一ドゃ透明電極導波モードを放射モ一ドに変換して、 有機 E L層で発光した光を透 明基板の外部に効率的に取り出すことができる。
図 4 5は、 モード変換手段を透明電極 3 3と有機 E L層 3 2との界面に設けた例である。 このような光学的構造は、 透明電極 3 3にエッチングやナノインプリンティング、 転写を 施して凹凸面を形成した後、 凹凸面の上に有機 E L層 3 2を積層すること等によって得ら れる。 一般に透明電極の屈折率は有機 E Lの屈折率よりも高ぐ 両者の屈折率に差がある ため、 規則性のある屈折率分布を持つ光学的構造を形成することができる。 有機 E L層と 透明電極との界面にモ一ド変換手段を備えることによって、 透明電極導波モ一ドゃ透明基 板導波モ一ドを放射モードに変換して、 有機 E L層で発光した光を透明基板の外部に効率 的に取り出すことができる。 ボトムェミッション型の有機 E L発光素子の場合は、 透明電 極と有機 E L層との界面にモード変換手段を設けることになる。 この場合でも、 光学的構 造は、 透明電極にエッチングやナノィ プリンティングを施して凹凸面を形成した後、 凹 凸面の上に有機 E L層を積層すること等によって得られる。
図 4 6は、 モ一ド変換手段を有機 E L層 3 2と金属電極 3 1との界面に設けた例である。 金属電極をエバネッセント波が 在する領域よりも厚く積層すると、 金属は反射体として 機能する。 このような反射体の表面に凹凸を設けると、 屈折率分布を持つ光学的構造を形 成することができる。 有機 E L層と金属電極との界面にモ一ド変換手段を備えることによ つて、 透明電極導波モードや透明基板導波モードを放射モードに変換して、 有機 E L層で 発光した光を透明基板の外部に効率的に取り出すことができる。
また、 金属電極 3 1を薄い層状にすることによって、 有機 E L層 3 2で発光した光を有 機 E L層と金属電極との界面に設けたモード変換手段で金属電極 3 1の側から効率的に取 り出すことができる。 さらに、 I T〇等の透光性のある酸化物と A 1や L i等の低仕事関 数で電子注入の容易な金属薄膜との積層構造とすることによつても、 効率的に金属電極 3 1の側から光を取り出すことができる。 さらに、 金属電極に替えて、 第二電極としての透 明電極とした場合も、 界面に設けたモード変換手段で効率的に光を取り出すことができる。 このような、 凹凸は有機 E L層にエッチングやナノインプリンティング、 ソフトリソダラ フィ、 転写を施して凹凸面を形成した後、 凹凸面の上に金属電極又は第二電極を積層する こと等によって得られる。 .
従つて、 金属電極又は第二電極と有機 E L層との界面にモ一ド変換手段を備えることに よって、 透明電極導波モードや透明基板導波モ一ドを放射モ一ドに変換して、 有機 E L層 で発光した光を金属電極の外部に効率的に取り出すことができる。 なお、 金属電極の側か らのみ有機 E L層で発光した光を取り出すときは、 上記説明した透明基板に替えて、 有機 E L層で発光した光に対する透過性のない基板を使用することができる。
図 4 7は、 モ一ド変換手段を金属電極 3 1と金属電極 3 1の外部との界面に設けた例で ある。 金属電極をエバネッセント波が存在する領域と同程度かそれより薄く積層し、 金属 電極 3 1の表面にエッチングやナノインプリンティング、 転写を施すと、 屈折率分布を持 つ光学的構造を形成することができる。 このような光学的構造に対して、 導波モードの光 が有機 E L層 3 2から染み出して、 モード変換手段として機能する。 従って、 金属電極と 金属電極の外部との界面にモ一ド変換手段を備えることによって、 透明電極導波モ一ドゃ 透明基板導波モードを放射モ一ドに変換して、 有機 E L層で発光した光を透明基板の外部 に効率的に取り出すことができる。
また、 金属電極 3 1を薄い層状にすることによって 有機 E L層 3 2で発光した光を金 属電極 3 1の側から取り出すことができる。 さらに、 I TO等の透光性のある酸化物と A 1や L i等の低仕事関数で電子注入の容易な金属薄膜との積層構造とすることによつても、 金属電極 3 1の側からも光を取り出すことができる。 さらに、 金属電極に替えて、 第二電 極としての透明電極とした場合も、 界面に設けたモード変換手段で効率的に光を取り出す ことができる。
従って、 金属電極と金属電極の外部との界面、 又は第二電極と第二電極の外部との界面 にモード変換手段を備えることによって、 透明電極導波モ一ドゃ透明基板導波モ一ドを放 射モードに変換して、 有機 E L層で発光した光を金属電極又は第二電極の外部に効率的に 取り出すことができる。
図 4 5から図 4 7に示した有機 E L発光素子においても、 金属電極又は第二電極の外側 に保護膜としての透明絶縁膜を成膜することによって、 金属電極又は第二電極や有機 E L 層を保護することができる。 また、 金属電極又は第二電極の外側に透明絶縁膜を有する有 機 E L発光素子において、 透明絶縁膜が導波層として機能する場合は、 図 4 8に示すよう に、 透明絶縁膜と外部との界面にモード変換手段を設けてもよい。 図 4 8において、 3 1 は金属電極、 3 2は有機 E L層、 3 3は透明電極、 3 4は透明基板、 3 5は透明絶縁膜、 4 1はモード変換手段である。 金属電極又は第二電極の外側に透明絶縁膜を備える有機 E L発光素子では、 透明絶縁膜と外部との界面にモード変換手段を設けてもよい。 モード変 換手段としての規則性のある屈折率分布を持つ光学的構造は、 1次元又は 2次元の方向に 規則性のある界面の凹凸で構成する。 規則性のある界面の凹凸は、 透明絶縁膜 3 5の表面 にエッチングやナノインプリンティング、 ソフトリソグラフィ、 転写を施すことによって 形成することができる。
透明 禄膜と外部との界面にモード変換手段を設けることによって、 透明絶縁膜内又は, 透明麵膜を含む導波層での導波モ一ドを放射モードに変換して、 有機 E L層で発光した 光を透明絶縁膜又は透明基板の外部に効率的に取り出すことができる。
いわゆるトップェミッション型の有機 E L発光素子では、 基板と反対側から光を取り出 すため、 第二電極又は透明絶纏の外側に光学機能層としての光学フィルムを設けること がある。 光学フィルムも導波層となりうるため、 光学フィルムと光学フィルムの外部との 界面に、 1次元又は 2次元の方向に規則性のある界面の凹凸でモード変換手段を構成する ことが好ま 」しい。 図 4 9に光学フィルムと光学フィルムの外部との界面に規則性のある凹 凸を設けた有機 E L発光素子の例を示す。 図 4 9において、 4 1はモード変換手段、 4 4 は基板、 4 5は第一電極、 4 6は有機 E L層、 4 7は第二電極、 4 8は保護膜としての透 明絶縁層、 9は光学フィルムである。 図 4 9において、 透明絶縁膜 4 8を設けるか否か は任意である。
いわゆるトップェミッション型の有機 E L発光素子では、 基板と反対側から光を取り出 すため、 第二電極又は透明絶縁膜の外側に光学機能層としての光学フィルムを設け、 光学 フィルムと光学フィルムの外部との界面に、 1次元又は 2次元の方向に規則性のある界面 の凹凸でモード変換手段を構成することによって、 導波モードを放射モードに変換して、 有機 E L層で発光した光を光学フィルムの外部に効率的に取り出すことができる。
いわゆるボトムエミッション型の有機 E L発光素子では、 基板側から光を取り出すため、 基板の外側に光学機能層としての光学フィルムを設けることがある。 光学フィルムも導波 層となりうるため、 光学フィルムと光学フィルムの外部との界面に、 1次元又は 2次元の 方向に規則性のある界面の凹凸でモード変換手段を構成することが好ましい。 図 5 0に光 学フィルムと光学フィルムの外部との界面に規則性のある凹凸を設けた有機 E L発光素子 の例を示す。 図 5 0において、 4 1はモード変換手段、 3 4は透明基板、 3 3は透明電極、
3 2は有機 E L層、 3 1は金属電極、 4 9は光学フィルムである。 図 5 0において、 金属 電極 3 1の外側に透明絶縁膜を設けるか否かは任意である。
いわゆるボトムエミッション型の有機 E L発光素子では、 基板側から光を取り出すため 基板の外側に光学機能層としての光学フィルムを設け、 光学フィルムと光学フィルムの外 部との界面に、 1次元又は 2次元の方向に規則性のある界面の凹凸でモード変換手段を構 成することによって、 導波モードを放射モードに変換して、 有機 E L層で発光した光を光 学フィルムの外部に効率的に取り出すことができる。
前述した図 1 1から図 5 0までのモ一ド変換手段は組み合わせることによって、 2以上 のモード変換手段を有機 E L発光素子に備えてもよい。 また、 2以上のモード変換手段は 異なる規則性をもつ光学的構造であってもよい。 各層での導波モ一ドから放射モードへの モード変換に最適な構造を選択したり、 異なる周期の光学的構造で協調して効率的に導波 モードから放射モードへモ一ド変換したりすることによって、 より効率的に有機 E L発光 素子の光の取出し効率が向上する。
基板と第一電極との界面に凹凸を設けたり、 異なる材料で屈折率分布を形成した結果、 凹凸ができたりすると、 その上面に形成する層にも、 凹凸が転写されることがある。 凹凸 が転写される例を図 5 1に示す。 図 5 1において、 4 2は基板と第一電極との界面に設け たモード変換手段、 4 4 ¾¾板、 4 5は第一電極、 4 6は有機 E L層、 4 7は第二電極、
4 8は透明糸椽膜、 4 9は光学フィルムである。 基板 4 4の上面に、 エッチングやナノィ ンプリンティグ、 転写によって凹凸を形成する。 凹凸を形成した上面に第一電極 4 5を積 層するときに、 基板 4 4と第一電極 4 5との界面の凹凸が、 第一電極 4 5と有機 E L層 4 6との界面にも転写されることがある。 第一電極 4 5の厚さが薄いときに、 下面の凹凸に 沿つて第一電極が積層される場合に転写される。
この転写は、 第一電極 4 5と有機 E L層 4 6との界面にとどまらず、 その上部に形成さ れる層にまで及ぶことがある。 また、 基板と第一電極との界面に設けた凹凸ばかりでなぐ 他の層の内部や界面に設けた凹凸であっても、 その上面に形成される層にまで及ぶことが ある。 このような凹凸は、 1次元又は 2次元の方向に規則性のある屈折率分布を持つ光学 的構造体となる。 但し、 各層の周期が同じとなる。 各層によって屈折率が異なると、 各層 によって実効波長が異なるため、 各層によってゆらぎのある周期をもつことと割面になる。 このため、 有機 E L層で発光する光の波長に広がりがあっても、 有機 E L発光素子の光取 出し効率が向上する。 また、 有機 E L発光素子から取り出す光の指向性を緩和することが できる。
基板と光学機能層としての光学フィルムとの界面に凹凸を設けたり、 異なる材料で屈折 率分布を形成した結果、 凹凸ができたりすると、 光学フィルムの外側界面にも、 凹凸が転 写されることがある。 凹凸が転写される例を図 5 2に示す。 図 5 2において、 3 1は金属 電極、 3 2は有機 E L層、 3 3は透明電極、 3 4は透明基板、 4 2は透明基板と光学フィ ルムとの界面に設けたモード変換手段、 4 9は光学フィルムである。 透明基板 3 4の外面 に、 エッチングやナノインプリンティグ、 転写によって凹凸を形成する。 凹凸を形成した 上面に光学フィルムを形成するときに、 透明基板 3 4と光学フィルム 4 9との界面の凹凸 が光学フィルム 4 9と光学フィルム 4 9の外部との界面にも転写されることがある。 光学 フィルム 4 9の厚さが薄いときに、 透明基板の凹凸に沿って光学フィルムが形成される場 合に転写される。
透明基板と光学フィルムとの界面に設けた凹凸ばカゝりでなく ,、 他の層の内部や界面に設 けた凹凸であっても、 光学フィルムにまで及ぶことがある。 このような凹凸は、 1 次元又 は 2次元の方向に規則性のある屈折率分布を持つ光学的構造体となる。 但し、 各層の周期 が同じとなる。 各層によって屈折率が異なると、 各層によって実効波長が異なるため、 各 層によってゆらぎのある周期をもつことと等価になる。 このため、 有機 E L層で発光する 光の波長に広がりがあっても、 有機 E L発光素子の光取出し効率が向上する。 また、 有機 E L発光素子から取り出す光の指向性を緩和することができる。
2以上のモード変換手段を同じ層に備えてもよい。 図 5 3は 2以上のモード変換手段を 持つ有機 E L発光素子を発光面に垂直な方向から見た透視図である。 図 5 4は、 図 5 3に おける A— A' 線での断面図である。 図 5 3、 図 5 4において、 5 1、 5 2はモード変換 手段である。 図 5 3、 図 5 4とも有機 E L発光素子の他の要素は省略している。 図 5 3、 図 5 4において 1段目と 2段目で間隔の異なる四方格子としている。 例えば、 1 段目の »黃方向が実効波長で、 2段目が斜め方向で実効波長となるようにしてもよい。 構造は四 方格子ばかりでなく、 前述したような三方格子や六方格子等であってもよい。 また、 1段 目と 2段目で異なる形状としてもよい。
図 5 3、 図 5 4では積層構造としたが、 同一平面上に重なるように周期の異なるモード変 換手段を設けてもよい。 2以上のモ一ド変換手段を同じ層に備えることによって、 異なる 周期の光学的構造で協調して効率的に導波モ一ドから放射モードへモード変換したりする ことによって、 より効率的に有機 E L発光素子の光の取出し効率が向上し、 また、 取出し 方向の指向性を緩和する。
モード変換手段として、 規則性のある屈折率分布を持つ光学的構造を形成したときの導 波モードの伝搬特性を図 5 5に示す。 図 5 5において、 横軸は波長、 縦軸は波長に対する 導波モードの伝搬損失である。 屈折率分布の周期を光の実効波長程度にすると、 特定の波 長をもった光の伝搬を抑制するという性質を有する。 伝搬が抑制される波長では、 導波モ 一ドから放射モードに変換されるため、 図 5 5に示すような特定の波長で伝搬損失が大き くなる。 しかし、 実際の発光素子では、 発光波長に波長広がりがあるため、 伝搬が抑制さ れる波長範囲を広げる必要がある。
例えば、 規則的な周期に加えてその周期の 4分の 1以下のゆらぎを持たせることによつ て、 伝搬が抑制される波長範囲が広がる。 発光素子の発光波長に合わせて、 伝搬が抑制さ れる波長を図 5 6に示すような波長特性とすると、 波長広がりのある発光素子であっても、 発光する光に対して導波モードを放射モードに変換することができる。 また、 有機 E L発 光素子からの光の取出し方向の指向性を緩和することができる。
また、 規則的な周期とその周期の 4分の 1以下のゆらぎが混在しても、 同様の効果が得 られる。 さらに、 周期が徐々に変化するような規則であっても、 同様の効果が得られる。 有機 E L発光素子を力ラーディスプレイに適用する場合には、 発光させる波長に応じた 材料で有機 E L層を形成する。 一般的なフル力ラーディスプレイの絵素の構成を図 5 7に 示す。 図 5 7において、 R、 G、 Bで発光する領域力咬互に配置された絵素が発光するこ とによって、 フル力ラーで表示することができる。 このような、 フルカラーの有機 E L発 光素子において、 モード変換手段を R、 G、 Bで区別することなく共通の規則性のある屈 折率分布を持つ光学的構造としてもよい。 この場合は、 R、 G、 Bごとにモード変換手段 の構造を変える必要はない。
一方、 R、 G、 Bの発光領域ごとに発光波長に対応した規則性のある屈折率分布を持つ 構造としてもよい。 この場合は、 発光領域ごとに発光する光の波長対応した周期を持たせ ることになる。 発光領域ごとに周期が異なるため、 屈折率分布の構造は複雑になるが、 発 光する波長に最適な構造とすることができる。
.次に、 本願発明の有機 E L発光素子の製造方法について説明する。 ここでは、 基板又は /及び有機 E L層の表面にナノインプリンティングでモード変換手段を形成する。 まず、 基板の表面にナノインプリンティングでモ一ド変換手段を形成する。 基板がガラス基板の 場合は、 S i又は S i Cで形成した型をガラス基板に加熱して押圧する。 加熱温度は例え ば、 材料がポリマの場合は 1 5 0 °C、 ガラスの場合は 3 5 0 °Cである。 押圧力は例えば、 材料がポリマの場合は 1 . 5 NZmm 2、 ガラスの場合は 2 . . 5 N/mm 2である。 基板表面にモード変換手段としての凹凸を形成した後、 基板を ί先浄し、 不要な汚染を除 去する。 基板として S iを使用する場合は少なくとも、 有機 E L発光素子を形成する面を 熱蒸気で酸化させる。 基板上に I TO又は電極となる金属をスパッ夕で積層する。 I TO 又は電極となる金属の層厚は 1 0 0から 1 5 0 nmである。 I TO又は金属をパターニン グするためにレジスト膜をスピンコート法で成膜する。 レジス卜膜の材料としては、 後述 の電子ピ一ム描画の場合は PMMAが適用できる。 膜厚は 0. 3〜; L mである。 エッチ ングパターンの形成にはフォトリソグラフィ法ゃ電子ビーム描画法が適用できる。 エッチ ングパターン形成後、 エッチングにより、 I TO又は金属を電極パターンに仕上げる。 ェ ツチングには誘電結合型のプラズマエッチングが好ましい。 エッチング後には、 レジスト を除去する。 レジスト除去には酸素プラズマ除去法や溶液除去法が適用できる。
I TO電極又は金属電極の上面に有機 EL層を形成する。 有機 EL層は必要により正孔 注入層、 正孔輸送層、 電子輸送層、 電子注入層を積層する。
正孑 L¾A層、 正孔輸送層の材料としては、 Pent acene、 Te t racene、 Anthracene, Phtha 1 ocyanine> a— Sexi thi ophen e、 α,ω— Dihexy l— sex i t i ophene, Ol i go heny l e ne、 Ol igopheyl enev ini l ene、 Dihexy 1— Anthrad i thiophene、 B i s (d i th i eno th i ophene) 、 Po ly (3 — hexyl th i ophene) 、 Po ly (3-butyl th i ophene) 、 Po ly (phenyl enev in i 1 e n e> Po ly (th i eny l enev i n i l ene) 、 Po lyace ty l ene, α, ω— Dihexy 1— qu inqu e th i ophene> TPD、 α— NPD、 m— MTDATA、 TPAC、 TCTA、 Po lyvinyl carbozo l e, PDA, CuP c、 STB, MTDATA、 P EDOT— PSS、 TPDPES— TBPAHなどを例示することができる。
電子注入層、 電子輸送層の材料としては、 C6— PTC、 C8— PTC、 C12-PT C、 C13_PTC、 Bu— PTC、 F7Bu - PT 、 Ph. - PTC、 F5Ph-PT C*、 PTCB I、 PTCD I、 TCNQ、 C60フラ—レン、 BCP、 A 1 q 3, PB D、 〇XD、 TAZ、 TP〇B、 ZnPB〇、 BCP、 OXD— 7、 Bphen、 ZnP B O等のフエナントロリン誘導体などを例示することができる。
有機 EL層の積層方法としては、 スピンコート法、 真空蒸着法、 塗布法、 インクジエツ ト法がある。 積層厚は 5 nmから 3000 ηπιである。 有機 EL層の表面にモード変換手 段を形成する場合には、 ナノインプリンティングが適している。 有機 EL層に加熱して押 圧する。 加熱温度は室温でもよい。 押圧力は例えば、 200NZmm2である。 有機 EL層の上面に、 金属電極や I TO電極を形成する。 形成方法は、 基板上に形成す る I T〇電極や金属電極の形成方法とほぼ同様である。
必要により保護膜としての透明絶椽膜を積層する。 これらの透明絶縁膜は S iOx、 S i N S iON、 S i C、 A 1203、 A 1 N, Zn〇、 MgOx、 T i O Z r Ox, A 1 Ox、 Ta25、 Ta〇x、 Y〇x、 WOx等を材料としてスパッタリング、 蒸着、 蒸着重合、 電子ビーム蒸着、 プラズマ蒸着、 イオンプレーティング、 CVD、 プラズマ C VD、 熱 CVD等により形成することができる。 また、 エポキシ樹脂、 アクリル樹脂、 ポ リパラキシレン、 フッ素系高分子、 ポリイミド前駆体を塗布したり、 スピンコートしたり した上で紫外線硬化することによつても、 形成することができる。
有機 EL発光素子の表面に光学機能素子としての光学フィル 4を形成する場合は、 PM MA (Po l y Me thy lme t hac ry l a t e) 、 TAC (T r i a c e t a t e) 、 PVA (Po l yv i ny l Al c oho l) 、 PC (Po l yc a rbon a t e) 、 アクリル、 ポリエチレンテレフタラー卜、 ポリビニレン、 トラァセチルセル口 ース、 シクロォレフイン、 紫外線硬化樹脂、 液晶性ポリマ等を塗布やスピンコート法によ つて、 あるいは、 これらの材料を 2軸延伸、 キャスト法、 押し出し法によりシート状にし、 加熱貼り付けしたり、 粘着剤貼り付けしたりして 有機 EL発光素子に形成することがで きる。 光学フィルムの内部や界面のモード変換手段は、 フォトリソグラフィ、 ソフトリソ グラフィ、 転写法等によって形成することができる。 . 産業上の利用可能性
本願発明の有機 EL発光装置は有機 EL発光装置に適用することができる。 また、 本願 発明の発光素子は、 有機 EL発光装置のみならず広く平面ディスプレイ装置に適用するこ とができる。

Claims

請求の範囲
1 . 基板上に、 少なくとも、 発光層を有する発光素子であって、 該基板の内部、 該発光 層の内部、 該基板と外部との界面、 該基板と該発光層の界面、 該発光層と外部との界面の うち少なくとも 1に 波モードから放射モ一ドへ変換するモード変換手段を備える発光素 子。
2. 基板上に、 少なくとも、 発光層と 1以上の導波層とを有する発光素子であって、 該 基板の内部、 該発光層の内部、 該導波層の内部、 該基板と該基板の外部との界面、 該基板 と該発光層との界面、 該発光層と該発光層の外部との界面、 該基板と該導波層との界面、 該発光層と該導波層との界面、 該導波層と該導波層の外部との界面、 又は該導波層と該導 波層との界面のうち少なくとも 1に導波モードから放射モ一ドへ変換するモ一ド変換手段 を備える発光素子。
3. 基板上に、 少なくとも、 第一の電極と、 有機エレクトロルミネセンス層と、 該第一 , の電極に対向する第二の電極と、 を順に有する有機エレクトロルミネセンス発光素子であ つて、 該基板の内部、 該第一の電極の内部、 該有機エレクトロルミネセンス層の内部、 該 第二の電極の内部、 該基板と該基板の外部との界面、 該基板と該第一の電極との界面、 該 第一の電極と該有機エレクトロルミネセンス層との界面、 該有機エレグトロルミネセンス 層と該第二の電極との界面、 又は該第二の電極と該第二の電極の外部との界面のうち少な くとも 1に導波モ一ドから放射モードへ変換するモード変換手段を備える有機エレクト口 ルミネセンス発光素子。
4. 前記第二電極が透明電極、 薄膜金属電極、 又は透明電極と該透明電極の有機エレク トロルミネセンス層の側に薄膜金属を配置した電極であることを特徴とする請求項 3に記 載の有機エレクトロルミネセンス発光素子。
5. 前記基板の外表面又は前記第二の電極の外表面に、 導波モ—ドから放射モードへ変 換するモード変換手段を備える光学機能層をさらに有することを特徵とする請求項 3に記 載の有機エレクトロルミネセンス発光素子。
6. 基板上に、 少なくとも、 第一の電極と、 有機エレクトロルミネセンス層と、 該第一 の電極に対向する第二の電極と、 を順に有し、 カゝつ、 該基板上のいずれかに 1以上の導波 層を有する有機エレクトロルミネセンス発光素子であって、 該基板の内部、 該第一の電極 の内部 該有機エレクトロルミネセンス層の内部、 該第二の電極の内部、 該導波層の内部 該基板と該基板の外部との界面、 該基板と該第一の電極との界面、 該第一の電極と該有機 エレクトロルミネセンス層との界面、 該有機エレクトロルミネセンス層と該第二の電極と の界面、 該第二の電極と該第二の電極の外部との界面、 該基板と該導波層との界面、 該第 一の電極と該導波層との界面、 該有機エレクトロルミネセンス層と該導波層との界面、 該 第二の電極と該導波層との界面、 該導波層と該導波層の外部との界面、 又は該導波層と該 導波層との界面のうち少なくとも 1に導波モードから放射モードへ変換するモ一ド変換手 段を備える有機エレクトロルミネセンス発光素子。
7 . 前記第二電極が透明電極、 薄膜金属電極、 又は透明電極と該透明電極の有機エレク トロルミネセンス層の側に薄膜金属を配置した電極であることを特徴とする請求項 6に記 載の有機エレクトロルミネセンス発光素子。
8. 基板上に、 少なくとも、 第一の電極と、 有機エレクトロルミネセンス層と、 該第一 の電極に対向し透光性のある第二の電極と、 m t, を順に有する有機エレクト口ルミ ネセンス発光素子であって、 該基板の内部、 該第一の電極の内部、 該有機エレクト口ルミ ネセンス層の内部、 該第二の電極の内部、 該保護膜の内部、 該基板と該基板の外部との界 面、 該基板と該第一の電極との界面、 該第一の電極と該有機エレクトロルミネセンス層と の界面、 該有機エレクトロルミネセンス層と該第二の電極との界面、 該第二の電極と該保 護膜との界面、 又は該保翻莫と該保護膜の外部との界面のうち少なくとも 1に導波モード から放射モードへ変換するモード変換手段を備える有機エレクト口ルミネセンス発光素子。 9 · 前記基板の外表面又は前記保護膜の外表面に、 導波モードから放射モードへ変換す るモード変換手段を備える光学機能層をさらに有することを特徴とする請求項 8に記載の 有機エレクトロルミネセンス発光素子。
1 0. 基板上に、 少なくとも、 第一の電極と、 有機エレクトロルミネセンス層と、 該第 一の電極に対向し透光性のある第二の電極と、 保護膜と、 を順に有し、 かつ、 該基板上の いずれかに 1以上の導波層を有する有機エレクトロルミネセンス発光素子であって、 該基 板の内部、 該第一の電極の内部 該有機エレクトロルミネセンス層の内部 該第二の電極 の内部、 該保護膜の内部、 該導波層の内部、 該基板と該基板の外部との界面、 該基板と該 第一の電極との界面、 該第一の電極と該有機エレクトロルミネセンス層との界面、 該有機 エレクトロルミネセンス層と該第二の電極との界面、 該第二の電極と該保護膜との界面、 該保護膜と該保護膜の外部との界面、 該基板と該導波層との界面、 該第一の電極と該導波 層との界面、 該有機エレクトロルミネセンス層と該導波層との界面、 該第二の電極と該導 波層との界面、 該保護膜と該導波層との界面、 該導波層と該導波層の外部との界面、 又は 該導波層と該導波層との界面のうち少なくとも 1に導波モ一ドから放射モードへ変換する モード変換手段を備える有機エレクトロルミネセンス発光素子。
1 1 . 透明基板上に、 少なくとも、 透明電極と、 有機エレクトロルミネセンス層と、 該 透明電極に対向する金属電極と、 を順に有する有機エレクトロルミネセンス発光素子であ つて、 該透明基板の内部、 該透明電極の内部、 該有機エレクトロルミネセンス層の内部、 該金属電極の内部、 該透明基板と該透明基板の外部との界面、 該透明基板と該透明電極と の界面、 該透明電極と該有機エレクトロルミネセンス層との界面、 該有機エレクト口ルミ ネセンス層と該金属電極との界面、 又は該金属電極と該金属電極の外部との界面のうち少 なくとも 1に導波モ一ドから放射モ一ドへ変換するモード変換手段を備える有機エレクト ロルミネセンス発光素子。
1 2. 前記透明基板の外表面又は前記金属電極の外表面に、 導波モ一ドから放射モード へ変換するモード変換手段を備える光学機能層をさらに有することを特徴とする請求項 1 1に記載の有機エレクトロルミネセンス発光素子。
1 3. 透明基板上に、 少なくとも、 透明電極と、 有機エレクトロルミネセンス層と、 該 透明電極に対向する金属電極と、 を順に有し、 つ、 該透明基板上のいずれかに 1以上の 導波層を有する有機エレクトロルミネセンス発光素子 ½あって、 該透明基板の内部、 該透 明電極の内部、 該有機エレクトロルミネセンス層の内部、 該金属電極の内部、 該導波層の 内部、 該透明基板と該透明基板の外部との界面、 該透明基板と該透明電極との界面、 該透 明電極と該有機エレクトロルミネセンス層との界面、 該有機エレクトロルミネセンス層と 該金属電極との界面、 該金属電極と該金属電極の外部との界面、 該透明基板と該導波層と の界面、 該透明電極と該導波層との界面、 該有機エレクトロルミネセンス層と該導波層と の界面、 該金属電極と該導波層との界面、 該導波層と該導波層の外部との界面、 又は該導 波層と該導波層との界面のうち少なくとも 1に導波モードから放射モ一ドへ変換するモ一 ド変換手段を備える有機エレクトロルミネセンス発光素子。
1 4. 前記モ一ド変換手段が、 1次元、 2次元、 又は 3次元の方向に規則性のある屈折 率分布を持つ光学的構造であることを特徴とする請求項 3から 1 3に記載の有機エレクト 口ルミネセンス発光素子。 ·
,1 5. 前記規則性は前記有機エレクトロルミネセンス層で発光する光の実効波長程度の 周期であることを特徴とする請求項 1 4に記載の有機エレクトロルミネセンス発光素子。 1 6. 前記有機エレクトロルミネセンス発光素子は、 2以上のモード変換手段を備え、 該 2以上のモ一ド変換手段の規則性が同じ周期であることを特徴とする請求項 1 4に記載 の有機エレクトロルミネセンス発光素子。
1 7. 前記規則性は前記有機エレクトロルミネセンス層で発光する光の実効波長程度の 周期に対して周期の 4分の 1以下のゆらぎを持つことを特徵とする請求項 1 に記載の有 機エレクトロルミネセンス発光素子。
1 8. 前記モード変換手段が、 2次元の方向に規則性のある屈折率分布を持つ光学的構 造を少なくとも 2以上有し、 該光学的構造の規則性が該光学的構造ごとに前記ゆらぎの範 囲内で異なる周期を持つことを特徴とする請求項 1 7に記載の有機エレクトロルミネセン ス発光素子。
1 9. 前記 2以上の光学的構造が、 2次元の同一面内に形成されていることを特徵とす る請求項 1 8に記載の有機エレクトロルミネセンス発光素子。
2 0. 前記規則性は前記有機エレクトロルミネセンス層で発光する光の実効波長程度の 周期と、 実効波長程度の周期に対して周期の 4分の 1以下のゆらぎと、 が混在しているこ とを特徴とする請求項 1 4に記載の有機エレクトロルミネセンス発光素子。
2 1 . 前記規則性は周期が徐々に変化することを特徴とする請求項 1 3に記載の有機ェ レクトロルミネセンス発光素子。 '
2 2. 前記 2次元の方向に規則性のある屈折率分布が正方格子配置、 三角格子配置、 ハ 二カム格子配置、 若しくは有限個数の単位要素で平面を埋め尽くすことのできる配置、 又 はこれらの組み合わせであることを特徴とする請求項 1 4記載の有機エレクトロルミネセ ンス発光素子。
2 3 · 前記規則性のある屈折率分布がこれを設けない場合の材料の有する屈折率よりも 高い屈折率を有する材料で形成されていることを特徴とする請求項 1 4に記載の有機ェレ クトロルミネセンス発光素子。
2 4. 前記高い屈折率を有する材料が、 前記有機エレクトロルミネセンス層で発光する 光に対して透過性を有することを特徴とする請求項 2 3に記載の有機エレクト口ルミネセ ンス発光素子。
2 5. 前記規則性のある屈折率分布がこれを設けない場合の材料の有する屈折率よりも 低い屈折率を有する材料で形成されていることを特徴とする請求項 1 4に記載の有機エレ クトロルミネセンス発光素子。
2 6. 前記低い屈折率を有する材料が、 前記有機エレクトロルミネセンス層で発光する 光に対して透過性を有することを特徴とする請求項 2 5に記載の有機エレクトロルミネセ ンス発光素子。 .
2 7. 前記低い屈折率を有する材料が気体であることを特徴とする請求項 2 5に記載の 有機エレク卜ロルミネセンス発光素子。
2 8. 前記気体が空気又は不活性ガスであることを特徴とする請求項 2 7に記載の有機 エレクトロルミネセンス発光素子。
2 9. 前記基板と前記基板の外部との界面、 前記基板と前記第一の電極との界面、 前記 第一の電極と前記有機エレクトロルミネセンス層との界面、 前記有機エレクト口ルミネセ ンス層と前記第二の電極との界面、 又は前記第二の電極と前記第二の電極の外部との界面 に備える前記光学的構造が、 1次元又は 2次元の方向に規則性のある界面の凹凸で構成さ れていることを特徴とする請求項 1 4に記載の有機エレクトロルミネセンス発光素子。
3 0. 前記基板と前記基板の外部との界面、 前記基板と前記第一の電極との界面、 前記 第一の電極と前記有機エレクトロルミネセンス層との界面、 前記有機エレクト口ルミネセ ンス層と前記第二の電極との界面、 前記第二の電極と前記第二の電極の外部との界面、 前 記基板と前記導波層との界面、 前記第一の電極と前記導波層との界面、 前記有機エレクト ロルミネセンス層と前記導波層との界面、'前記第二の電極と前記導波層との界面、 前記導 波層と前記導波層の外部との界面、 又は前記導波層と前記導波層との界面に備える前記光 学的構造が、 1次元又は 2次元の方向に規則性のある界面の凹凸で構成されていることを 特徴とする請求項 1 4に記載の有機エレクトロルミネセンス発光素子。
3 1 . 前記透明基板と前記透明基板の外部との界面、 前記透明基板と前記透明電極との 界面、 前記透明電極と前記有機エレクトロルミネセンス層との界面、 前記有機エレクト口 ルミネセンス層と前記金属電極との界面、 又は前記金属電極と前記金属電極の外部との界 面に備える前記光学的構造が、 1次元又は 2次元の方向に規則性のある界面の凹凸で構成 されていることを特徴とする請求項 1 4に記載の有機エレクトロルミネセンス発光素子。 3 2. 前記透明基板と前記透明基板の外部との界面、 前記透明基板と前記透明電極との 界面、 前記透明電極と前記有機エレクトロルミネセンス層との界面、 前記有機エレクト口 ルミネセンス層と前記金属電極との界面、 前記金属電極と前記金属電極の外部との界面、 前記透明基板と前記導波層との界面、 前記透明電極と前記導波層との界面、 前記有機エレ クトロリレミネセンス層と前記導波層との界面、 前記金属電極と前記導波層との界面、 前記 導波層と前記導波層の外部との界面、 又は前記導波層と前記導波層との界面に備える前記 光学的構造が、 1次元又は 2次元の方向に規則性のある界面の凹凸で構成されていること を特徴とする請求項 1 4に記載の有機エレクトロルミネセンス発光素子。
3 3. 前記有機エレクトロルミネセンス層が領域によって異なる発光波長を有すること を特徴とする請求項 1 4に記載の有機エレクトロルミネセンス発光素子。
3 4. 前記変換手段が、 前記異なる発光波長に対応した 1次元、 2次元、 又は 3次元の 方向に規則性のある屈折率分布を持つ光学的構造であることを特徴とする請求項 3 3に記 載の有機エレクトロルミネセンス発光素子。
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