WO2004066684A1 - 電界発光素子 - Google Patents

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electroluminescent device
emission
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inorganic compound
light
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Yasuyuki Gotou
Mitsuharu Noto
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Kyushu Electric Power Co., Inc.
Daiden Co., Ltd.
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Definitions

  • the present invention relates to an electroluminescent device.
  • the present invention relates to an electroluminescent device that can drive (emit light) an inorganic compound at a DC voltage (low voltage).
  • the present invention relates to an electroluminescent element which can change a luminescent color by dispersing an inorganic compound in an organic compound layer which is a light emitting layer.
  • the present invention relates to an electroluminescent device in which the emission color is changed by changing an inorganic compound dispersed in an organic compound layer.
  • Electroluminescent devices are used for display members such as thin-film panels and cylindrical panels, surface light-emitting devices such as large-area panels, and many other devices.
  • display members such as thin-film panels and cylindrical panels
  • surface light-emitting devices such as large-area panels
  • many other devices In particular, recently, it has begun to be widely used for optoelectronic oscillation devices such as electronic devices for laser beams.
  • Electroluminescent devices are classified into inorganic electroluminescent devices using an inorganic compound for a light emitting layer, and organic electroluminescent devices using an organic compound for a light emitting layer.
  • An inorganic electroluminescent element is a method in which an inorganic compound is sandwiched between insulating layers and driven by applying an AC voltage.High-field accelerated high-speed electrons collide with each other and excite the emission center. It is. Inorganic electroluminescent elements have been put to practical use, for example, in green light emitting displays.
  • Organic electroluminescent devices have a structure in which a thin film containing an organic compound is sandwiched between an anode and a cathode. Injects electrons and holes into this thin film and emits light by their recombination energy (also called charge injection type). Organic electroluminescent devices can emit light with high luminance at a low DC voltage of several volts to several tens of volts, and are expected to be applied to various light emitting devices and display devices. As described above, an inorganic electroluminescent element using an inorganic compound for the light emitting layer has been put to practical use in a green light emitting display or the like. However, in order to drive the inorganic electroluminescent device, an AC power supply and a high voltage were required, and the usable place and range were limited.
  • an organic electroluminescent device using an organic compound for the light emitting layer can emit light with high luminance at a direct low voltage as described above.
  • the deterioration characteristics (life) of the constituent materials are inferior to those of the inorganic electroluminescent device, and the material cannot be used for a long time.
  • a host material and a guest material are required. It was necessary to suitably combine the two constituent materials of the material, for example, when changing the guest dye, it was necessary to change the host material at the same time. Therefore, for example, when a display is manufactured using the electroluminescent device, the required host material increases, and the manufacturing cost of the display increases.
  • the present inventors first developed the inorganic compound used for the light emitting layer of the inorganic electroluminescent element in the same manner as the organic electroluminescent element in order to make use of the useful research results of the inorganic electroluminescent element accumulated conventionally.
  • an object of the present invention is to provide an electroluminescent device that can drive (emit light) an inorganic compound at a DC voltage (low voltage).
  • Means of the present invention taken to achieve the above object are as follows.
  • An electroluminescent device that emits light by recombination of holes injected from an anode and electrons injected from a cathode
  • One or more organic compound layers are provided between the electrodes, and the emission color is changed by dispersing the inorganic compound in at least one of the organic compound layers.
  • the electroluminescent device characterized in that the inorganic compound is caused to emit light at a DC voltage.
  • An electroluminescent device according to the first or second invention.
  • the inorganic compound is a metal compound
  • An electroluminescent device according to the first, second or third invention.
  • the inorganic compound is a transition metal compound
  • An electroluminescent device according to the first, second or third invention.
  • the inorganic compound is a rare earth metal compound, An electroluminescent device according to the first, second or third invention.
  • the inorganic compound is a metal halide compound
  • An electroluminescent device according to the first, second or third invention.
  • the inorganic compound is at least one compound selected from the group consisting of europium iodide, europium bromide, cerium iodide, cerium bromide, terbium iodide, and lead iodide,
  • An electroluminescent device according to the first, second or third invention.
  • the organic compound is 4,4-bis (carbazol-9-yl) -biphenyl
  • the inorganic compound is at least one compound selected from the group consisting of cerium iodide, cerium bromide, terbium iodide, and lead iodide. Characterized by the following:
  • An electroluminescent device according to the first, second or third invention.
  • the inorganic compound is a combination of a halide of europium and a halide of an alkali metal, or a combination of a halide of europium and a halide of an alkaline earth metal,
  • the electroluminescent element is formed, for example, by the following configuration.
  • a substrate, an anode, a single layer or a plurality of organic layers having a hole transporting property, a light emitting layer in which an inorganic compound is dispersed in an organic compound, a single layer or a plurality of organic layers having an electron transporting property, and a cathode are sequentially laminated. And the like.
  • hole block layer hole blocking layer
  • electron injection layer an electron injection layer
  • Examples of the substrate include glass, plastic, and a metal thin film.
  • Examples of the anode (transparent electrode) include those obtained by forming indium tin oxide (ITO), titanium oxide, tin oxide, or the like into a thin film by a vacuum evaporation method, a sputtering method, or a sol-gel method.
  • organic layer having a hole transporting property examples include polypinylcarbazole (PVK) and phenylenediamine derivatives (eg, N, N'-bis (3-methylphenyl) -N, N'-bis (phenyl) -benzidine). , Triphenylamine derivatives, sorbazole derivatives, phenylstyrene derivatives and the like.
  • Examples of the organic substance layer having an electron transporting property include an oxaziazole derivative, a triazole derivative, a phenanthroline derivative, and an aluminum quinolinol complex.
  • the organic layer having a hole transporting property and the organic layer having an electron transporting property can be formed by a vacuum evaporation method, a spin coating method, or the like.
  • cathode examples include lithium, aluminum, magnesium, and silver.
  • the light-emitting layer in which an inorganic compound is dispersed in an organic compound can be formed by a vacuum evaporation method, a spin coating method, or the like.
  • a vacuum deposition method is preferred from the viewpoint that a uniform film is easily obtained and a pinhole is not easily generated.
  • co-evaporation also referred to as binary simultaneous evaporation
  • the concentration of the inorganic compound can be set by the ratio of the deposition rates of the inorganic compound and the organic compound.
  • both an organic compound and an inorganic compound are dissolved in a soluble solvent, and spin coating is performed to uniformly disperse the inorganic compound in the organic semiconductor and form a thin film.
  • the concentration of the inorganic compound is
  • the concentration of the inorganic compound is less than 0.1%, the energy transfer from the organic compound to the inorganic compound becomes incomplete, and there is a problem that the inorganic compound does not easily emit light. If the concentration of the inorganic compound exceeds 70 w, the inorganic compounds are too close to each other, and quenching of the concentration is likely to occur, and the luminous efficiency is likely to decrease.
  • organic compound used for the light emitting layer a known material can be used.
  • fulcazole derivatives triphenylamine derivatives, triazole derivatives (TAZ), phenylstyrene derivatives, fluorene derivatives, aluminum quinolinol complexes and their derivatives, and phenylenediamine derivatives, etc.
  • TEZ triazole derivatives
  • phenylstyrene derivatives fluorene derivatives
  • aluminum quinolinol complexes and their derivatives and phenylenediamine derivatives, etc.
  • the present invention is not limited to these.
  • examples include, but are not limited to, polyvircarpazoles, polyfluorenes, polythiophenes, and polyphenylenevinylenes.
  • a nonmetallic compound such as arsenic or a metal compound (including a transition metal compound or a rare earth metal compound) can be used.
  • Metals include, for example, manganese, nickel, copper, gallium, silver, cadmium, indium, tin, antimony, gold, lead, bismuth, scandium, itdium, lanthanum, cerium, praseodymium, samarium, europium, gadolinium Palladium, terbium, dysprosium, holmium, erbium, thulium, ytterbium, thallium include, but are not limited to.
  • a metal halide compound is preferable because vapor deposition can be easily performed at a relatively low temperature.
  • halide examples include fluoride, chloride, bromide, iodide, and the like.
  • the inorganic compounds can be dispersed alone or in combination of two or more in the organic compound layer.
  • the thickness of the organic compound layer is not particularly limited. However, it is preferably from 30 MI to 400 nm, and more preferably from 60 nm to 200 mn. If the thickness of the organic compound layer is less than 30 nm, there is a high possibility that the electrodes will be short-circuited. If the thickness exceeds 400 nm, the resistance value will increase and the current will not easily flow.
  • hole block layer examples include, but are not limited to, bathocuproine, a triazole derivative (TAZ), and an oxadiazole derivative.
  • Examples of the electron injection layer include, but are not limited to, lithium fluoride and magnesium fluoride.
  • the inorganic compound examples include a compound obtained by combining a palladium halide and a halide of an alkali metal, or a widow obtained by combining a europium halide and an octoate genide of an alkaline earth metal.
  • examples of the alkali metal include lithium, sodium, potassium, rubidium, and cesium.
  • examples of the alkaline earth metal include magnesium, calcium, strontium, barium and the like.
  • the alkali metal halide or alkaline earth metal halide can be dispersed alone or in combination of two or more in the organic compound layer.
  • a halide a fluoride, a chloride, a bromide, an iodide, etc. can be mentioned.
  • FIG. 1 is an explanatory side view showing Example 1 of an electroluminescent device according to the present invention.
  • FIG. 2 is a characteristic diagram showing a luminance-current relationship of the electroluminescent device shown in FIG.
  • FIG. 3 is a characteristic diagram of a light emitting spectrum of the electroluminescent device shown in FIG.
  • FIG. 4 is a characteristic diagram illustrating a relationship between luminance and current of the electroluminescent element according to the second embodiment.
  • FIG. 5 is a characteristic diagram of a light emitting spectrum of the electroluminescent device according to the second embodiment.
  • FIG. 6 is a characteristic diagram showing a relationship between luminance and current of the electroluminescent device according to Example 3.
  • FIG. 7 is a characteristic diagram of a light emitting spectrum of the electroluminescent device according to the third embodiment.
  • FIG. 8 is a characteristic diagram showing a relationship between luminance and current of the electroluminescent element according to Example 4.
  • FIG. 9 is a characteristic diagram of a light emitting spectrum of the electroluminescent device according to the fourth embodiment.
  • FIG. 10 is a characteristic diagram illustrating a relationship between luminance and current of the electroluminescent device according to Example 5.
  • FIG. 11 is a characteristic diagram of a light emitting spectrum of the electroluminescent device according to the fifth embodiment.
  • FIG. 12 is a characteristic diagram illustrating a luminance-current relationship of the electroluminescent element according to Example 6.
  • FIG. 13 is a characteristic diagram of an emission spectrum of the electroluminescent device according to Example 6.
  • FIG. 14 is a schematic configuration diagram for measuring the light emission lifetime of the electroluminescent device.
  • FIG. 15 is a transient response of the oscilloscope observing the light emission lifetime of the electroluminescent device according to the fourth embodiment.
  • FIG. 16 shows the light emitting spectrum and CBP of the electroluminescent devices according to Examples 3 to 6. Phosphorescence spectrum.
  • FIG. 17 is an explanatory side view showing Example 7 of the electroluminescent device according to the present invention.
  • FIG. 18 is a characteristic diagram of a light emitting spectrum of the electroluminescent device shown in FIG.
  • FIG. 19 is a characteristic diagram of an emission spectrum of the electroluminescent device according to Example 8.
  • FIG. 20 is a characteristic diagram of an emission spectrum of the electroluminescent device according to Example 9.
  • FIG. 21 is a characteristic diagram of an emission spectrum of the electroluminescent device according to Example 10.
  • FIG. 22 is a characteristic diagram of a light emitting spectrum of the electroluminescent device according to Example 11.
  • FIG. 1 is an explanatory side view showing an electroluminescent device according to a first embodiment of the present invention
  • FIG. 2 is a characteristic diagram showing a relationship between luminance and current of the electroluminescent device shown in FIG. 1
  • FIG. 3 is a characteristic diagram of a light emitting spectrum of the electroluminescent device shown in FIG.
  • Electroluminescent device 1 was produced as follows.
  • the light emitting layer 5 was formed thereon.
  • the light-emitting layer 5 is formed by co-evaporation of an organic compound, 4,4-bis (carbazolyl 9-yl) -biphenyl (hereinafter referred to as “CBP” unless otherwise specified) and an inorganic compound, europium iodide. Formed.
  • CBP 4,4-bis (carbazolyl 9-yl) -biphenyl
  • europium iodide an organic compound, 4,4-bis (carbazolyl 9-yl) -biphenyl
  • the ratio of CBP to europium iodide was 2: 1 by weight, and the thickness of the light emitting layer 5 was 2 Onm.
  • the deposition rate was 2 ⁇ / sec for CBP and 0.18 ⁇ for europium iodide (2: 1 by weight).
  • vapor deposition was performed using bathocuproine to form a hole block layer 6 having a thickness of 15 nm. Further, vapor deposition was performed using tris (8-hydroxyquinoline) aluminum (Alq3) to obtain a thickness of 35 nm. The electron transport layer 7 was formed.
  • an aluminum-lithium (A1U) alloy was further deposited thereon as an electrode by about 200 ⁇ m to obtain a cathode 8.
  • reference numeral 9 denotes an electrode.
  • a voltage of 18 V and a current of 359 mA / cm 2 were applied to the electroluminescent device 1 to emit light. It was 362 cd / V as measured by a luminance meter (Minolta LS-110).
  • the main emission wavelength was about 687 mn.
  • the current dependence of the spectrum is Not observed.
  • the light emission starting voltage was 5V.
  • the maximum external quantum efficiency was 0.18 (current 14.5 cd / m 2 , 7.12 mA / cm 2 ).
  • the light emission (about 687M1) of the electroluminescent device 1 is generated by the transfer of energy from the organic compound CBP to the inorganic compound europium iodide. It is considered to have emitted light.
  • FIG. 4 is a characteristic diagram showing a relationship between luminance and current of the electroluminescent device according to the second embodiment
  • FIG. 5 is a characteristic diagram of a light emitting spectrum of the electroluminescent device according to the second embodiment.
  • the light-emitting layer 5 was formed with the weight ratio of the organic compound CBP to the inorganic compound europium iodide being 10: 1.
  • the thickness of the light emitting layer was set to 20 nm.
  • Other element materials were the same, and the description is omitted.
  • a voltage of 17 V and a current of 685 mA / cm 2 were applied to the electroluminescent device to emit light. Its departure The light luminance measured with a luminance meter (Minolta LS-110) was 363 cd / m 2 .
  • the light emission starting voltage was 6V.
  • the maximum external quantum efficiency is 0.18% (luminance 285cd / m 2 , current
  • emission spectrum was measured with a multichannel detector (Hamamatsu Photonics PMA-11), emission spectra of both CBP (emission peak of singlet 404mn) and europium iodide (emission peak of 680nm) were observed. Further, the ratio of the light emitting spectrum was changed by the current.
  • the organic compound layer is formed, and the europium iodide, which is an inorganic compound, is dispersed in a smaller amount than in Example 1 in CBP (light emitting peak of about 404 ⁇ ) that emits blue-violet light by itself.
  • CBP light emitting peak of about 404 ⁇
  • europium iodide emission peak of about 687M
  • an electroluminescent device that emits light in pink (pink) can be obtained.
  • FIG. 6 is a characteristic diagram showing the relationship between luminance and current of the electroluminescent device according to Example 3
  • FIG. 7 is a characteristic diagram of a light emitting spectrum of the electroluminescent device according to Example 3.
  • the light-emitting layer 5 was formed by co-evaporation of organic compound C ⁇ and inorganic compound cerium iodide.
  • the ratio of carbon dioxide to cerium iodide was 2: 1 by weight, and the thickness of the light emitting layer 5 was 20M1.
  • a voltage of 14 V and a current of 447.5 mA / cm 2 were applied to the electroluminescent device to emit light.
  • the emission luminance was measured at 486 cd / m 2 by a luminance meter (Minol Yu LS-110).
  • the light emission starting voltage was 6V.
  • the maximum external quantum efficiency was 0.11 (brightness 21.7 cd /] n 2 , current 8.05 mA / cm 2 ).
  • this electroluminescent device is enhanced by the triplet state emission of the organic compound CBP by doping the inorganic compound, iodide, or iodine. It is considered that the energy transfer from the compound CBP to the inorganic compound cerium iodide caused the inorganic compound cerium iodide to emit light.
  • the light emission of the electroluminescent device according to the present embodiment is due to the light emission in the triplet state of CBP
  • the light emission from the triplet exciton can be used, which limits the theoretical internal quantum efficiency. Is improved to 75%, which is three times higher than before. Therefore, the production of an electroluminescent device that emits light with high efficiency is expected in the future.
  • FIG. 8 is a characteristic diagram showing a relationship between luminance and current of the electroluminescent element according to Example 4,
  • FIG. 9 is a characteristic diagram of a light emitting spectrum of the electroluminescent element according to Example 4.
  • FIG. 9 is a characteristic diagram of a light emitting spectrum of the electroluminescent element according to Example 4.
  • the light emitting layer 5 was formed by co-evaporating CBP as an organic compound and cerium bromide as an inorganic compound.
  • the ratio between CBP and cell bromide was 2: 1 by weight, and the thickness of the light emitting layer 5 was 20iun.
  • a voltage of 14 V and a current of 532.5 mA / cm 2 were applied to the electroluminescent device to emit light.
  • the light emission luminance was measured by a luminance meter (Minolta LS-110) to be 129 cd / m 2 .
  • the light emission starting voltage was 7V.
  • the light emission of this electroluminescent device is the one in which the triplet state light emission of CBP, which is an organic compound, is enhanced by doping with ceramic compound, bromide, or an organic compound. It is probable that cerium bromide, an inorganic compound, emitted light due to energy transfer from CBP to cerium bromide, an inorganic compound.
  • FIG. 10 is a characteristic diagram showing a relationship between luminance and current of the electroluminescent device according to Example 5
  • FIG. 11 is a characteristic diagram of a light emitting spectrum of the electroluminescent device according to Example 5.
  • the light emitting layer 5 was formed by co-evaporating CBP as an organic compound and terbium iodide as an inorganic compound.
  • the ratio of CBP to terbium iodide was 2: 1 by weight, and the thickness of the light emitting layer 5 was 20MI.
  • a voltage of 22 V and a current of 584.5 mA / cra 2 were applied to the electroluminescent device to emit light.
  • the emission luminance was measured to be 186 cd / in 2 using a luminance meter (Minolta LS-110).
  • the light emission starting voltage was 8 V.
  • the emission spectrum was measured with a multichannel detector (Hamamatsu Photonics PMA-11), yellow-green emission with an emission peak at 555 was observed.
  • This emission peak does not coincide with the singlet state emission peak (404 nm) of CBP, but almost coincides with the CBP phosphorescence, that is, the triplet state emission peak of 559 nm.
  • the light emission (about 555 nm) of this electroluminescent device is due to the enhanced photoluminescence of the organic compound CBP due to the doping of terbium iodide, an inorganic compound, or the organic compound.
  • terbium iodide an inorganic compound
  • CBP which is an inorganic compound
  • terbium iodide an inorganic compound
  • the emission peak of terbium ion appears in the sharp at 547ra
  • the emission peak appearing at 555 ⁇ is probably not due to the terbium ion, and it is highly likely that the phosphorescence emission of CBP was enhanced. .
  • terbium iodide an inorganic compound
  • CBP organic compound layer
  • blue-violet light emission peak of about 404 mn
  • an electroluminescent device emitting yellow-green light (emission peak of about 555 nm) was obtained.
  • FIG. 12 is a characteristic diagram showing a luminance-current relationship of the electroluminescent device according to Example 6, and FIG. 13 is a characteristic diagram of a light emitting spectrum of the electroluminescent device according to Example 6.
  • the light emitting layer 5 was formed by co-evaporating CBP as an organic compound and lead iodide as an inorganic compound.
  • the ratio of CBP to lead iodide is 10: 10 by weight.
  • the thickness of the light-emitting layer 5 was set to 20 nm.
  • a voltage of 20 V and a current of 702 mA / cm 2 were applied to the electroluminescent device to emit light. It was 99 cd / m 2 as measured by a luminance meter (Minolta LS-110). The light emission starting voltage was 6V. The external quantum efficiency was 0.018% (brightness 2.7 cd / m 2 , 6.58 mA / cni 2 ).
  • the emission spectrum was measured with a multi-channel detector (Hamamatsu Photonics PMA-11), green emission having an emission peak at 550 mn was observed.
  • This emission peak does not coincide with the singlet state emission peak (404 nm) of CB, but almost coincides with the phosphorescence emission of CBP, ie, the triplet state emission peak of 559 nm.
  • the emission peak of lead ions also appears at 500 to 520 mn, which is close to the emission peak of the electroluminescent device.
  • the emission (about 550 nm) of this electroluminescent device 1 is based on the lead oxide, an inorganic compound.
  • the emission of the organic compound CBP in the triplet state is enhanced, or the energy transfer from the organic compound CBP to the inorganic compound lead iodide leads to the inorganic compound lead iodide It is considered that light was emitted.
  • an organic compound layer is formed, and by independently dispersing lead iodide, an inorganic compound, into CBP (emission peak of about 404 nm), which emits blue-violet light by itself, an electroluminescent element that emits green light eventually (Emission peak of about 550 ⁇ ) was obtained.
  • the emission having an emission peak at about 550 to 570 mn may be due to the triplet state emission (phosphorescence) of the organic compound CBP, or cerium iodide.
  • the following experiment was conducted to confirm whether the emission was due to emission of inorganic compounds such as cerium and cerium bromide.
  • FIG. 14 shows a schematic configuration diagram for measuring the light emission lifetime of the electroluminescent device.
  • a square wave electrode (OV-7.5V, repetition frequency 5Hz, duty ratio ⁇ ) was applied to each electroluminescent element, and the light emission was detected by a photomultiplier tube, and the light emission lifetime was measured. Observed with a digital storage oscilloscope. After the voltage cutoff, we observed the time for the emission intensity to decay to 1 / e of the maximum value (natural logarithmic e).
  • FIG. 15 shows a transient response of the oscilloscope observing the light emission lifetime of the electroluminescent device according to the fourth embodiment.
  • FIG. 16 shows the light emitting spectrum and the phosphorescent spectrum of CBP of the electroluminescent devices according to Examples 3 to 6.
  • the light emission lifetime of the electroluminescent device according to Example 4 was as long as 19.45 / 45sec.
  • FIG. 15 shows the electroluminescent device according to Example 4 as an example, all of the electroluminescent devices according to Examples 3 to 6 have a light emission lifetime of 10 seconds or more. Was. This is long considering that the luminescence lifetime of an electroluminescent device using a general fluorescent dye is 1 second or less (on the order of nanoseconds).
  • the luminescent lifetime of the electroluminescent devices of Examples 3 to 6 is as follows.
  • the emission spectrum of the phosphorescent light is known, and as shown in FIG. 16, the emission spectrum of each electroluminescent device and the emission spectrum of the C-light emission qualitatively match.
  • each electroluminescent device is within the lifetime of phosphorescence, and the emission spectrum of each electroluminescent device and the phosphorescent emission spectrum of CBP qualitatively match. It was revealed that the light emission of the obtained electroluminescent device was due to light emission (phosphorescence) in the triplet state of the organic compound CBP.
  • each electroluminescent element is due to light emission (phosphorescence) in the triplet state of CBP
  • light emission from the triplet exciton can be used as described above.
  • the production of an electroluminescent device that emits light with high efficiency can be expected in the future.
  • FIG. 17 is an explanatory side view showing an electroluminescent device according to Example 7 of the present invention.
  • FIG. 18 is a characteristic diagram of an emission spectrum of the electroluminescent device shown in FIG.
  • An electroluminescent device 1a was fabricated as follows, and the result was set as Example 7.
  • N, N'-bis (3-methylphenyl) -N, N'-bis (phenyl) -benzidine depositing TPD) vacuum vapor deposition method (degree of vacuum 2.0X10- 4 Pa, after the same) Niyotsu Te about 60 ⁇ thick, forming a hole transporting layer 4.
  • the light emitting layer 5a was formed thereon.
  • the light emitting layer 5a is composed of an organic compound CBP and
  • the ratio of portium was 75:25 by weight, and the thickness of the light emitting layer 5 was 20 nm.
  • the deposition rates are 3 ⁇ Zsec for CBP and 1 ⁇ / sec for europium bromide.
  • vapor deposition was performed thereon using an oxaziazole derivative (OXD-7) to form a hole blocking layer / electron transport layer 6a having a thickness of 60 nm.
  • OXD-7 oxaziazole derivative
  • evaporation was performed using lithium fluoride (LiF) to form an electron injection layer 10 having a thickness of 0.7 M, and about 100 nm of aluminum was further evaporated thereon as an electrode to obtain a cathode 8 a.
  • reference numeral 9 denotes an electrode.
  • a voltage of 18 V and a current of 420 mA / cin 2 were applied to the electroluminescent device la to emit light.
  • the emission luminance was measured with a luminance meter (Minol Yu LS-110) and found to be 40.9 cd / m 2.
  • FIG. 19 is a characteristic diagram of a light emitting spectrum of the electroluminescent device according to Example 8,
  • FIG. 20 is a characteristic diagram of a light emitting spectrum of the electroluminescent device according to Example 9,
  • FIG. 21 is a characteristic diagram of an emission spectrum of the electroluminescent device according to Example 10.
  • the light emitting layer was formed by co-evaporation of CBP and europium bromide
  • the light emitting layer was formed by a ternary co-evaporation method in which cesium iodide was added to CBP and europium bromide. Then, we examined how the emission spectrum would be affected by changing the amount of cesium iodide to be deposited.
  • the deposition rate is 1 to 3 angstroms of CBP, 0.1 to 1 angstroms of Zinc for europium bromide, and 0.1 to 1 angstroms of cesium iodide.Emission layers of Examples 8 to 10
  • the composition ratios of europium bromide and cesium iodide in Example 1 are shown in Table 1 together with Example 7.
  • composition of the light-emitting layer is expressed by weight%, and the total of CBP, europium bromide and cesium iodide is shown to be 100% in total.
  • blue light-emitting materials eg, ⁇ - ⁇ ⁇ PD, perylene, PVK, etc.
  • ⁇ - ⁇ ⁇ PD perylene
  • PVK perylene
  • blue color purity e.g., blue light-emitting materials used in conventional organic electroluminescent devices
  • For good blue display use blue Although a color filter that cuts light outside the wavelength range indicating the above can be used, the structure is complicated and the cost is high, and the efficiency is reduced because light in a region other than blue is cut.
  • the fact that the blue purity is not improved is not preferable as a display element such as a flat panel display aiming at full colorization.
  • FIG. 22 is a characteristic diagram of an emission spectrum of the electroluminescent device according to Example 11;
  • the light emitting layer was formed by a ternary simultaneous vapor deposition method in which CBP, europium iodide and barium iodide were added.
  • the deposition rate is 1 to 3 angstroms per second for CBP, 0.1 to 1 angstroms Zsec for europium iodide, and 0.1 to 1 angstroms / sec for barium iodide.
  • an inorganic compound is dispersed in at least one of one or more organic compound layers provided between an anode and a cathode to produce an electroluminescent element, whereby the inorganic compound is applied with a DC voltage.
  • An electroluminescent device that can emit light at a low voltage can be obtained.
  • the useful research results (emission characteristics, etc.) of inorganic electroluminescent elements that have been conventionally accumulated can be used effectively.
  • an inorganic compound emits light, it is expected to provide an electroluminescent element that is less likely to deteriorate and can withstand long-term use, compared to an organic electroluminescent element using an organic compound for the light emitting layer.
  • the emission color of the electroluminescent element can be changed by dispersing the inorganic compound in the organic compound layer which is the light emitting layer.
  • the emission color of the electroluminescent device can be changed by changing the inorganic compound dispersed in the organic compound layer. That is, by changing the inorganic compound to be dispersed, various luminescent colors (wide luminescent region) can be obtained from the same organic compound as the host material. Therefore, for example, when a display is manufactured using the electroluminescent device according to the present invention, the required host material can be reduced, and as a result, an organic compound that can suppress the production cost of the display is CBP.
  • the inorganic compound is at least one compound selected from the group consisting of cerium iodide, cerium bromide, terbium iodide, and lead iodide
  • the light emission of the electroluminescent element is CBP triplet light emission Since it is based on (Aimitsu), light emission from triplet excitons can be used, and it can be expected that electroluminescent devices that emit light with high efficiency will be produced.
  • the inorganic compound is a combination of a europium halide and a halide of an alkali metal, or a combination of a europium halide and a halide of an alkaline earth metal, blue light with good color purity is emitted.

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Abstract

無機化合物を直流の電圧(低電圧)で発光させることができる、また、発光層である有機化合物層に無機化合物を分散させることにより、発光色を変えることができる電界発光素子である。陽極から注入される正孔と陰極から注入される電子との再結合により発光する電界発光素子であり、陽極と陰極の間に一層または複数層の有機化合物層を有し、この有機化合物層の少なくとも一層に無機化合物が分散されている。

Description

明細書
電界発光素子 技術分野
本発明は電界発光素子に関するものである。
更に詳しくは、 無機化合物を直流の電圧 (低電圧) で駆動 (発光) させること ができる電界発光素子に関する。
また、 発光層である有機化合物層に無機化合物を分散させることにより、 発光 色を変えることができる電界発光素子に関する。
更に、 有機化合物層に対し分散させる無機化合物が替わることにより、 発光色 が変化する電界発光素子に関する。 背景技術
電界発光素子は、 薄膜パネル、 円筒状パネル等の表示用部材ゃ大面積パネル等 の面発光体、 その他多くの素子に使用されている。 特に、 最近は、 レーザー光線 用電子デバイス等のォプトエレクトロ二クスの発振素子等に広く使用され始めて いる。
電界発光素子は、 発光層に無機化合物を用いる無機電界発光素子と、 発光層に 有機化合物を用いる有機電界発光素子とに分けられる。
無機電界発光素子は、 無機化合物を絶縁層で挟み、 交流電圧を印加して駆動さ せる方式であり、 高電界で加速された高速の電子が衝突して発光中心を励起する 真性な電界発光素子である。 無機電界発光素子は、 例えば緑色発光ディスプレイ 等で実用化されている。
有機電界発光素子は、 有機化合物を含む薄膜を陽極と陰極間に挟んだ構造を有 しており、 この薄膜に電子及び正孔 (ホール) を注入し、 それらの再結合エネル ギ一によつて発光させるもの (電荷注入型ともいう) である。 有機電界発光素子 は、 数 V〜数 10 V程度の直流の低電圧で高輝度の発光が可能であり、 種々の発光 素子、 表示素子等への応用が期待されている。 発光層に無機化合物を用いる無機電界発光素子は、 上記したように、 緑色発光 ディスプレイ等で実用化されている。 しかしながら、 無機電界発光素子を駆動さ せるためには、 交流電源と高い電圧が必要であり、 使用できる場所や範囲が限ら れていた。
以上のようなことから、 現在では、 直流の低電圧で高輝度の発光が可能である 有機電界発光素子の研究が盛んに行われ、 無機電界発光素子の実用化への新たな 研究は、 それ程、 積極的に行われていない。 したがって、 従来から積み重ねられ てきた無機電界発光素子の有用な研究結果 (発光特性等) が、 十分に生かされて いない。
一方、 発光層に有機化合物を用いる有機電界発光素子は、 上記したように、 直 流の低電圧で高輝度の発光が可能である。 しかしながら、 無機電界発光素子に比 ベてその構成材料の劣化特性 (寿命)'に劣り、 長時間の使用に耐えられないとい う問題があった。
また有機電界発光素子のうち一般的に実用化されたものは、 ホスト材料である 有機化合物層にゲスト色素 (有機色素や有機金属錯体等の蛍光色素) をドープし た発光層を有している場合が多い。 そして、 最適な色素ド一プを行って高効率で 必要な発光色を得るためには、 ホス卜材料とゲスト色素の物理的♦化学的性質の 関係 (例えば、 ホスト材料の発光スペクトルとゲスト色素の吸収スペクトルが重 なる必要性がある等) が重要である。
このようなことから、 必要とする発光色を得るためにはホス卜材料とゲスト材 料の二つの構成材料を好適に組み合わせる必要があり、 例えばゲスト色素を替え る場合には同時にホスト材料も替える必要があった。 したがって、 電界発光素子 を用いて例えばディスプレイを製造した場合、 必要となるホスト材料が多くなり 、 ディスプレイの製造がコスト高となる。
そこで本発明者らは、 まずは従来から蓄積された無機電界発光素子の有用な研 究結果を生かすべく、 無機電界発光素子の発光層に用いられる無機化合物を、 有 機電界発光素子と同じように直流の電圧 (低電圧) で駆動させることができない か、 有機電界発光素子の欠点である劣化特性を解決できないかという発想のもと に鋭意研究に努めてきた。
その結果、 陽極と陰極の間に設けた有機化合物層に無機化合物を分散して電界 発光素子を作製することが、 上記課題を解決する有効な手段であることを見い出 すと共に、 有機化合物層に無機化合物を分散させることにより電界発光素子の発 光色を変えることができることを見い出した。 そして、 更に分散させる無機化合 物について検討を重ねた結果、 有機化合物層に分散させる無機化合物を替えるこ とにより発光色を変化させることができることを見い出した。
本発明はこれらの知見に基づいて完成したものである。 そこで本発明の目的は、 無機化合物を直流の電圧 (低電圧) で駆動 (発光) さ せることができる電界発光素子を提供することにある。
また本発明の他の目的は、 発光層である有機化合物層に無機化合物を分散させ ることにより、 発光色を変えることができる電界発光素子を提供することにある 更に本発明の他の目的は、 有機化合物層に対し分散させる無機化合物が替わる ことにより、 発光色が変化する電界発光素子を提供することにある。
その他の本発明の目的は、 以下の説明によって明らかになるであろう。 発明の開示
上記目的を達成するために講じた本発明の手段は次のとおりである。
第 1の発明にあっては、
陽極から注入される正孔と陰極から注入される電子との再結合により発光する 電界発光素子であって、
上記電極の間に一層または複数層の有機化合物層を有し、 当該有機化合物層の 少なくとも一層に無機化合物が分散されることにより、 発光色が変化することを 特徴とする、
電界発光素子である。
第 2の発明にあっては、
無機化合物を直流の電圧で発光させるようにしたことを特徴とする、 第 1の発明に係る電界発光素子である。
第 3の発明にあっては、
無機化合物または無機化合物の一部が替わることによつて発光色が変化するこ とを特徴とする、
第 1または第 2の発明に係る電界発光素子である。
第 4の発明にあっては、
無機化合物が金属化合物であることを特徴とする、
第 1, 2または第 3の発明に係る電界発光素子である。
第 5の発明にあっては、
無機化合物が遷移金属化合物であることを特徴とする、
第 1, 2または第 3の発明に係る電界発光素子である。
第 6の発明にあっては、
無機化合物が希土類金属化合物であることを特徴とする、 第 1 , 2または第 3の発明に係る電界発光素子である。
第 7の発明にあっては、
無機化合物がハ口ゲン化金属化合物であることを特徴とする、
第 1 , 2または第 3の発明に係る電界発光素子である。
第 8の発明にあっては、
無機化合物がヨウ化ユーロピウム、 臭化ユーロピウム、 ヨウ化セリウム、 臭化 セリウム、 ヨウ化テルビウム、 ヨウ化鉛からなる群から選ばれた少なくとも一種 の化合物であることを特徴とする、
第 1 , 2または第 3の発明に係る電界発光素子である。
第 9の発明にあっては、
有機化合物が 4, 4 _ビス (カルパゾールー 9—ィル) ービフエニルであり、 無機化合物がヨウ化セリウム、 臭化セリウム、 ヨウ化テルビウム、 ヨウ化鉛か らなる群から選ばれた少なくとも一種の化合物であることを特徴とする、
第 1, 2または第 3の発明に係る電界発光素子である。
第 1 0の発明にあっては、
無機化合物がユーロピウムのハロゲン化物とアル力リ金属のハロゲン化物を組 み合わせたもの、 またはユーロピウムのハロゲン化物とアルカリ土類金属のハロ ゲン化物を組み合わせたものであることを特徴とする、
第 1 , 2または第 3の発明に係る電界発光素子である。 電界発光素子は、 例えば次のような構成によって形成される。
① 基板、 陽極 (透明電極) 、 有機化合物に無機化合物が分散された発光層、 陰 極 (背面電極) を順次積層したもの、
② 基板、 陽極、 有機化合物に無機化合物が分散された発光層、 単層又は複数層 の電子輸送性を有する有機物層、 陰極を順次積層したもの、 ③ 基板、 陽極、 単層又は複数層のホール輸送性を有する有機物層、 有機化合物 に無機化合物が分散された発光層、 陰極を順次積層したもの、
④ 基板、 陽極、 単層又は複数層のホール輸送性を有する有機物層、 有機化合物 に無機化合物が分散された発光層、 単層又は複数層の電子輸送性を有する有機物 層、 陰極を順次積層したもの等を挙げることができる。
また、 ホ一ルブロック層 (正孔阻止層) や電子注入層を有するものを使用する こともできる。
基板としては、 ガラス、 プラスチック、 金属薄膜等を挙げることができる。 陽極 (透明電極) としては、 インジウム錫ォキシド (I T O) 、 酸化チタン、 酸化錫等を、 真空蒸着法、 スパッタリング法、 ゾルゲル法により薄膜に形成した もの等を挙げることができる。
ホール輸送層性を有する有機物層としては、 ポリピニルカルバゾール (P V K ) 、 フエ二レンジァミン誘導体 (例えば N, N ' —ビス (3—メチルフエニル) - N, N ' —ビス (フエニル) —ベンジジン等) 、 トリフヱニルァミン誘導体、 力ルバゾール誘導体、 フエニルスチレン誘導体等を攀げることができる。
電子輸送性を有する有機物層としては、 ォキサジァゾ一ル誘導体、 トリァゾ一 ル誘導体、 フエナント口リン誘導体、 アルミキノリノール錯体等を挙げることが できる。
ホール輸送性を有する有機物層及び電子輸送性を有する有機物層は、 真空蒸着 法やスピンコート法等により形成することができる。
陰極 (背面電極) としては、 リチウム、 アルミニウム、 マグネシウム、 銀等を 挙げることができる。
有機化合物に無機化合物が分散された発光層は、 真空蒸着法やスピンコート法 等により形成することができる。 ただし、 均質な膜が得られやすく、 かつピンホ —ルが生成しにくいなどの観点から、 真空蒸着法が好ましい。 真空蒸着法の場合では、 共蒸着法 (二元同時蒸着法ともいう) で行う。 即ち、 有機化合物と無機化合物の蒸着源を分け、 別々の蒸発源から蒸発させたそれぞれ の蒸気を真空条件下で所定の基板上に同時に蒸着することにより、 膜を形成する 。 無機化合物の濃度は、 無機化合物と有機化合物との蒸着速度の比で設定するこ とができる。
スピンコート法の場合では、 有機化合物と無機化合物の両方を可溶な溶媒に溶 かしスピンコ一トを行うことによって、 無機化合物を有機半導体に均一に分散さ せ、 薄膜を形成する。
有機化合物層に分散させた無機化合物を発光させる場合、 無機化合物の濃度は
0. l〜70w であり、 更に好ましくは l〜50wt¾である。 無機化合物の濃度が 0. 1 % 未満では、 有機化合物から無機化合物へのエネルギー移動が不完全となり、 無機 化合物が発光しにくいという問題がある。 無機化合物の濃度が 70w を越えると、 無機化合物同士が近づきすぎて、 濃度消光が生じやすく、 発光効率が低下しやす い。
発光層に使用する有機化合物としては、 公知である材料を使用することができ る。
例えば、 真空蒸着法の場合、 力ルバゾール誘導体、 トリフエニルァミン誘導体 、 トリァゾール誘導体 (T A Z ) 、 フエニルスチレン誘導体、 フルオレン誘導体 、 アルミキノリノ一ル錯体とその誘導体、 フエ二レンジァミン誘導体等を拳げる ことができるが、 これらに限定するものではない。
スピンコ一ト法の場合では、 ポリビルカルパゾ一ル類、 ポリフルオレン類、 ポ リチォフェン類、 ポリフエ二レンビニレン類等を挙げることができるが、 これら に限定するものではない。
無機化合物としては、 例えばヒ素等の非金属化合物や、 金属化合物 (遷移金属 化合物や希土類金属化合物を含む) を使用することができる。 金属としては、 例えば、 マンガン、 ニッケル、 銅、 ガリウム、 銀、 カドミウム 、 インジウム、 スズ、 アンチモン、 金、 鉛、 ビスマス、 スカンジウム、 イツトリ ゥム、 ランタン、 セリウム、 プラセオジム、 サマリウム、 ユウ口ピウム、 ガドリ 二ゥム、 テルビウム、 ジスプロシウム、 ホルミウム、 エルビウム、 ツリウム、 ィ ッテルビウム、 タリウムを挙げることができるが、 これらに限定されない。
無機化合物としては、 比較的低温度で蒸着が行いやすいので、 ハロゲン化金属 化合物が好ましい。
ハロゲン化物としては、 フッ化物、 塩化物、 臭化物、 ヨウ化物等を挙げること ができる。
無機化合物は、 単独で、 または二種類以上組み合わせて有機化合物層に分散さ せることができる。
有機化合物層の厚さは、 特に限定するものではない。 ただし、 好ましくは 30MI から 400nmであり、 更に好ましくは 60nmから 200mnである。 有機化合物層の厚さが 30nm未満では、 ¾極同 がショートしてしまう可能性が高く、 400mnを越えると抵 抗値が上がり電流が流れにくくなる可能性が高い。
ホールブロック層としては、 例えばバソクプロイン、 トリァゾ一ル誘導体 (T A Z ) 、 ォキサジァゾール誘導体を挙げることができるが、 これらに限定するも のではない。
電子注入層としては、 例えばフッ化リチウムやフッ化マグネシウムなどを挙げ ることができるが、 これらに限定するものではない。
無機化合物として、 ハロゲン化ュ一口ピウムとアルカリ金属のハロゲン化物を 組み合わせたもの、 またはハロゲン化ユーロピウムとアルカリ土類金属の八口ゲ ン化物を組み合わせたもめを挙げることができる。
この場合、 アルカリ金属としてはリチウム、 ナトリウム、 カリウム、 ルビジゥ ム、 セシウム等を挙げることができる。 また、 アルカリ土類金属としては、 マグネシウム、 カルシウム、 ストロンチウ ム、 バリウム等を挙げることができる。
アルカリ金属のハロゲン化物またはアルカリ土類金属のハロゲン化物は、 単独 で、 または二種類以上組み合わせて有機化合物層に分散させることができる。 なお、 ハロゲン化物としては、 フッ化物、 塩化物、 臭化物、 ヨウ化物等を挙げる ことができる。 図面の簡単な説明
図 1は、 本発明に係る電界発光素子の実施例 1を示す側面視説明図。
図 2は、 図 1に示す電界発光素子の輝度 -電流の関係を示す特性図。
図 3は、 図 1に示す電界発光素子の発光スぺクトルの特性図。
図 4は、 実施例 2に係る電界発光素子の輝度—電流の関係を示す特性図。
図 5は、 実施例 2に係る電界発光素子の発光スぺクトルの特性図。
図 6は、 実施例 3に係る電界発光素子の輝度—電流の関係を示す特性図。
図 7は、 実施例 3に係る電界発光素子の発光スぺクトルの特性図。
図 8は、 実施例 4に係る電界発光素子の輝度一電流の関係を示す特性図。
,図 9は、 実施例 4に係る電界発光素子の発光スぺクトルの特性図。
図 1 0は、 実施例 5に係る電界発光素子の輝度—電流の関係を示す特性図。 図 1 1は、 実施例 5に係る電界発光素子の発光スぺクトルの特性図。
図 1 2は、 実施例 6に係る電界発光素子の輝度—電流の関係を示す特性図。 図 1 3は、 実施例 6に係る電界発光素子の発光スペクトルの特性図。
図 1 4は、 電界発光素子の発光寿命を測定するための概略構成図。
図 1 5は、 実施例 4に係る電界発光素子の発光寿命を観測したオシロスコープ の過渡応答。
図 1 6は、 実施例 3〜実施例 6に係る電界発光素子の発光スぺクトルと C B P の燐光スぺクトル。
図 1 7は、 本発明に係る電界発光素子の実施例 7を示す側面視説明図。
図 1 8は、 図 1 7に示す電界発光素子の発光スぺクトルの特性図。
図 1 9は、 実施例 8に係る電界発光素子の発光スペクトルの特性図。
図 2 0は、 実施例 9に係る電界発光素子の発光スペクトルの特性図。
図 2 1は、 実施例 1 0に係る電界発光素子の発光スペクトルの特性図。
図 2 2は、 実施例 1 1に係る電界発光素子の発光スぺクトルの特性図。
符号の説明
1, 1 a 電界発光素子
2 透明電極
3 ガラス基板
4 ホール輸送層
5 , 5 a 発光層
6 ホールブロック層
6 a ポールプロック層兼電子輸送層
7 電子輸送層
8 , 8 a 陰極
9 電極
1 0 電子注入層 発明を実施するための最良の形態
以下、 本発明を実施例により説明するが、 本発明はこれらに限定されるもので はない。
[実施例 1 ]
図 1は本発明に係る電界発光素子の実施例 1を示す側面視説明図、 図 2は図 1に示す電界発光素子の輝度—電流の関係を示す特性図、 図 3は図 1に示す電界発光素子の発光スぺクトルの特性図である。
なお、 図 3において、 用いた検出器の限界により 850mn以上は測定できなかった 。 このため、 ガウシアンピークと仮定し、 外揷している。
次のようにして、 電界発光素子 1を作製した。
I T Oで構成される透明電極 2が 1 OOnmの厚みにスパッタリングされているガラ ス基板 3上に、 N, N' 一ビス (3—メチルフエニル) 一 N, N' —ビス (フエ ニル) 一べンジジン (TPD) を真空蒸着法 (真空度 2.0XlO—4Pa、 後同じ) によつ て約 40Mの厚みに蒸着し、 ホール輸送層 4を形成する。
その上に、 発光層 5を形成した。 発光層 5は、 有機化合物である 4, 4—ビス (カルパゾ一ルー 9—ィル) ービフエニル (本明細書では特に断らない限り 「C B P」 という) と、 無機化合物であるヨウ化ユーロピウムを共蒸着により形成し た。 CB Pとヨウ化ユーロピウムの比率は重量比で 2:1とし、 発光層 5の膜厚は 2 Onmとした。
蒸着速度は、 CBPが 2オングストローム/ sec、 ヨウ化ユーロピウムが 0.18ォ ングストローム sec (重量比で 2:1) である。
更にその上に、 バソクプロインを用いて蒸着を行い、 厚さ 15nmのホ一ルプロッ ク層 6を形成し、 更に、 トリス (8—ヒドロキシキノリン) アルミニウム (Alq3 ) を用いて蒸着を行い、 厚さ 35nmの電子輸送層 7を形成した。
また、 更にその上に、 電極としてアルミニウムリチウム (A1U) 合金を約 200η m蒸着し、 陰極 8を得た。 なお、 図中 9は電極である。
この電界発光素子 1に、 電圧 18V、 電流 359mA/cm2を印加して発光させた。 その 発光輝度を輝度計 (ミノルタ LS- 110) で測定したところ、 362cd/Vであった。 また、 発光スペクトルをマルチチャンネル検出器 (浜松ホトニクス PMA- 11) で測定したところ、 主な発光波長は約 687mnであった。 スペクトルの電流依存性は 観察されなかった。 発光開始電圧は 5Vであった。 最大外部量子効率は、 0. 18 (電 流 14. 5cd/m2、 7. 12mA/cm2)であった。
有機化合物である C B Pの発光ピーク (一重項) は 404 (青紫色の発光) であ るため、 約 687nmに現れる電界発光泰子 1の発光は C B Pによるものではないもの と思われる。 一方、 ユーロピウムイオンは配位子場の影響によって発光ピークが 440nmから 700nm程度まで変化 (シフト) することが知られている。
このようなことから、 この電解発光素子 1の発光 (約 687M1) は、 有機化合物で ある C B Pから無機化合物であるョゥ化ユーロピウムへのエネルギー移動によつ て、 無機化合物であるヨウ化ユーロピウムが発光したものと考えられる。
以上のように、 有機化合物層を構成し単独では青紫色 (発光ピーク約 404 ) で 発光する C B Pに、 無機化合物であるヨウ化ユーロピウムを分散させることによ り、 オレンジ色 (発光ピーク約 687ra) で発光する電界発光素子 1を得ることがで きた。
[実施例 2 ]
図 4は実施例 2に係る電界発光素子の輝度一電流の関係を示す特性図、 図 5は実施例 2に係る電界発光素子の発光スぺクトルの特性図である。
なお、 実施例 1と同一または同等である素子の構成材料については、 同一の符 号を付して説明する。 これについては、 後述する実施例 3ないし実施例 6につい ても同様である。
本実施例では、 有機化合物である C B Pと無機化合物であるョゥ化ユーロピウ ムの比率を重量比で 10: 1として発光層 5を形成した。 発光層の膜厚は 20nmとした それ以外の素子材料は同様であるので、 説明を省略する。
この電界発光素子に、 電圧 17V、 電流 685mA/cm2を印加して発光させた。 その発 光輝度を輝度計 (ミノルタ LS- 110) で測定したところ、 363cd/m2であった。
発光開始電圧は 6Vであった。 最大外部量子効率は、 0. 18% (輝度 285cd/m2、 電流
7. 15mA/cm2)であった。
また、 発光スペクトルをマルチチャンネル検出器 (浜松ホトニクス PMA- 1 1) で測定したところ、 C B P (—重項の発光ピーク 404mn) とヨウ化ユーロピウム ( 発光ピーク 680nm) 両方の発光スペクトルが観察された。 また、 その発光スぺクト ルの比率は電流により変化した。
これは、 C B Pの不完全なド一プ状態を示しており、 究光層における C B Pの 濃度を上げたため、 ョゥ化ユーロピウムよりも C B Pの発光が起きやすくなった ためだと思われる。
以上のように、 有機化合物層を構成し、 単独では青紫色で発光する C B P (発 光ピ一ク約 404οι) に、 無機化合物であるヨウ化ユーロピウムを実施例 1よりも少 ない量で分散させることにより、 C B P (発光ピーク約 404M1) とヨウ化ユーロピ ゥム (発光ピーク約 687M) を共に発光させることができ、 結果的にピンク色 (桃 色) で発光する電界発光素子を得ることができた。
[実施例 3 ]
図 6は実施例 3に係る電界発光素子の輝度一電流の関係を示す特性図、 図 7は実施例 3に係る電界発光素子の発光スぺクトルの特性図である。
本実施例では、 有機化合物である C Β Ρ.と無機化合物であるョゥ化セリウムを 共蒸着することによって発光層 5を形成した。 C Β Ρとヨウ化セリゥムの比率は 重量比で 2 : 1とし、 発光層 5の膜厚を 20M1とした。
それ以外の素子材料は同様であるので、 説明を省略する。
この電界発光素子に、 電圧 14V、 電流 447. 5mA/cm2を印加して発光させた。 その発 光輝度を輝度計 (ミノル夕 LS- 110) で測定したところ、 486cd/m2であった。 発光開始電圧は 6Vであった。 最大外部量子効率は、 0. 1 1 (輝度 21. 7cd/]n2、 電流 8. 05mA/cm2) であった。
また、 発光スペクトルをマルチチャンネル検出器 (浜松ホトニクス MA- 1 1 ) で測定したところ、 574nmに発光ピークをもつ黄色発光が観察された。 この発光の ピークは、 C B Pの一重項状態の発光ピーク (404nm) とは一致しておらず、 C B Pの燐光発光、 即ち、 三重項状態の発光ピーク (559nm) とほぼ一致している。 一 方、 セリウムイオンの発光ピークは、 結晶場の影響を受けやすく、 特定すること はできない。
このようなことから、 この電界発光素子の発光は、 無機化合物であるヨウ化セ リゥムをド一プすることにより、 有機化合物である C B Pの三重項状態の発光が 増強されたものか、 あるいは有機化合物である C B Pから無機化合物であるヨウ 化セリウムへのエネルギー移動によって無機化合物であるヨウ化セリゥムが発光 したものと考えられる。
以上のように、 有機化合物層を構成し単独では青紫色 (発光ピーク約 404nm) で 発光する C B Pに、 無機化合物であるョゥ化セリゥムを分散させることにより、 結果的に黄色 (発光ピーク約 574i}in) で発光する電界発光素子を得ることができた ところで、 正孔と電子が再結合した後に生成する一重項励起子と三重項励起子 の比率は 1 : 3と言われている。 従来の有機電界発光素子は一重項励起子からの 発光を利用しているため、 理論的内部量子効率の限界は 2 5 %であった。 このよ うなことから、 本実施例に係る電界発光素子の発光が C B Pの三重項状態の発光 によるものである場合、 三重項励起子からの発光を利用できることになり、 理論 的内部量子効率の限界は従来の三倍である 7 5 %まで向上する。 よって、 高効率 で発光する電界発光素子の作製が将来期待できる。
これについては、 後述する実施例 4、 実施例 5、 及び実施例 6に示す電界発光 素子についても同様である
[実施例 4 ]
図 8は実施例 4に係る電界発光素子の輝度一電流の関係を示す特性図、
9は実施例 4に係る電界発光素子の発光スぺクトルの特性図である。
本実施例では、 有機化合物である C B Pと無機化合物である臭化セリゥムを共 蒸着することによって発光層 5を形成した。 C B Pと臭化セリゥムの比率は重量 比で 2 : 1とし、 発光層 5の膜厚を 20iunとした。
それ以外の素子材料は同様であるので、 説明を省略する。
この電界発光素子に、 電圧 14V、 電流 532. 5mA/cm2を印加して発光させた。 その発 光輝度を輝度計 (ミノルタ LS - 110) で測定したところ、 129cd/m2であった。 発光開始電圧は 7Vであった。
また、 発光スペクトルをマルチチャンネル検出器 (浜松ホトニクス PMA-1 1) で測定したところ、 553腿に発光ピークをもつ緑色発光が観察された。 この発光の ピークは、 C B Ρの一重項状態の発光ピーク (404nm) とは一致しておらず、 C B Pの燐光発光、 即ち、 三重項状態の発光ピーク 559M1とほぼ一致している。
一方、 セリウムイオンの発光ピ一クは、 上記したように、 結晶場の影響を受けや すく、 特定することはできない。
このようなことから、 この電界発光素子の発光は、 無機化合物である臭化セリ ゥムのドープにより、 有機化合物である C B Pの三重項状態の発光が増強された ものか、 あるいは有機化合物である C B Pから無機化合物である臭化セリウムへ のエネルギー移動によって無機化合物である臭化セリウムが発光したものと考え られる。
以上のように、 有機化合物層を構成し単独では胄紫色 (発光ピーク約 404nm) で 発光する C B Pに、 無機化合物である臭化セリウムを分散させることにより、. 結 果的に緑色 (発光ピ一ク約 553 ) で発光する電界発光素子を得ることができた。
[実施例 5 ]
図 1 0は実施例 5に係る電界発光素子の輝度一電流の関係を示す特性図、 図 1 1は実施例 5に係る電界発光素子の発光スぺクトルの特性図である。
本実施例では、 有機化合物である C B Pと無機化合物であるョゥ化テルビウム を共蒸着することによって発光層 5を形成した。 C B Pとヨウ化テルビウムの比 率は重量比で 2 : 1とし、 発光層 5の膜厚を 20MIとした。
'それ以外の素子材料は同様であるので、 説明を省略する。
この電界発光素子に、 電圧 22V、 電流 584. 5mA/cra2を印加して発光させた。 その発 光輝度を輝度計 (ミノルタ LS-1 10) で測定したところ、 186cd/in2であった。 発光開始電圧は 8 Vであった。
また、 発光スペクトルをマルチチャンネル検出器 (浜松ホトニクス PMA- 1 1 ) で測定したところ、 555. に発光ピークをもつ黄緑色発光が観察された。 この発光 のピークは、 C B Pの一重項状態の発光ピーク (404nm) とは一致しておらず、 C B Pの憐光発光、 即ち、 三重項状態の発光のピーク 559nmとほぼ一致している。 以上のようなことから、 この電界発光素子の発光 (約 555nm) は、 無機化合物で あるヨウ化テルビウムのドープにより、 有機化合物である C B Pの憐光発光が増 強されたものか、 あるいは有機化合物である C B Pから無機化合物であるヨウ化 テルビウムへのエネルギー移動によって無機化合物であるョゥ化テルビウムが発 光したものと考えられる。 ただし、 テルビウムイオンの発光ピークは 547raでシャ —プに現れることから、 上記 555ηιηに現れる発光ピークは、 テルビウムイオンによ るものではなく、 C B Pの燐光発光が増強された可能性が高いと思われる。
以上のように、 有機化合物層を構成し単独では青紫色 (発光ピーク約 404mn) で 発光する C B Pに、 無機化合物であるョゥ化テルビウムを分散させることにより 、 結果的に黄緑色 (発光ピーク約 555nm) で発光する電界発光素子を得ることがで 含た。
[実施例 6 ]
図 1 2は実施例 6に係る電界発光素子の輝度 -電流の関係を示す特性図、 図 1 3は実施例 6に係る電界発光素子の発光スぺクトルの特性図である。
本実施例では、 有機化合物である C B Pと無機化合物であるョゥ化鉛を共蒸着 することによって発光層 5を形成した。 C B Pとョゥ化鉛の比率は重量比で 10:
6とし、 発光層 5の膜厚は 20nmとした。
それ以外の素子材料は同様であるので、 説明を省略する。
この電界発光素子に、 電圧 20V、 電流 702mA/cm2を印加して発光させた。 その発光 輝度を輝度計 (ミノルタ LS- 1 10) で測定したところ、 99cd/m2であった。 発光開 始電圧は 6Vであった。 外部量子効率は、 0. 018% (輝度 2. 7cd/m2、 6. 58mA/cni2)であつ た。
また、 発光スペクトルをマルチチャンネル検出器 (浜松ホトニクス PMA- 1 1 ) で測定したところ、 550mnに発光ピークをもつ緑色発光が観察された。 この発光の ピ一クは、 C B ίΡの一重項状態の発光ピーク (404nm) とは一致しておらず、 C B Pの燐光発光、 即ち、 三重項状態の発光のピーク 559nmとほぼ一致している。 一方 、 鉛イオンの発光ピークも 500〜520mnに現れ、 電界発光素子の発光ピークと近い 以上のようなことから、 この電解発光素子 1の発光 (約 550nm) は、 無機化合物 であるョゥ化鉛をドープすることにより、 有機化合物である C B Pの三重項状態 の発光が増強されたものか、 あるいは有機化合物である C B Pから無機化合物で あるヨウ化鉛へのエネルギー移動によって無機化合物であるヨウ化鉛が発光した ものと考えられる。 このように、 有機化合物層を構成し、 単独では青紫色で発光する C B P (発光 ピーク約 404nm) に、 無機化合物であるヨウ化鉛を分散させることにより、 結果的 に緑色で発光する電界発光素子 (発光ピーク約 550ηπι) を得ることができた。
以上説明した実施例 3〜実施例 6において、 約 550〜570mnに発光ピークを有す る発光が、 有機化合物である C B Pの三重項状態の発光 (燐光) によるものであ るか、 ヨウ化セリウムや臭化セリウム等の無機化合物の発光によるものであるか を確認するために、 以下のような実験を行った。
図 1 4に電界発光素子の発光寿命を測定するための概略構成図を示す。
図 1 4に示すように、 各電界発光素子に矩形波電極 (OV- 7. 5V、 繰り返し周波数 5Hz, デューディー比^) を印加し、 発光を光電子増倍管で検出して、 発光寿命を デジタルストレ一ジオシロスコ一プで観測した。 電圧カットオフ後、 発光強度が 最大値の 1/e (自然対数の e) まで減衰する時間を観測した。
図 1 5に実施例 4に係る電界発光素子の発光寿命を観測したオシロスコープの 過渡応答を示す。
図 1 6に実施例 3〜実施例 6に係る電界発光素子の発光スぺクトルと C B Pの 燐光スぺクトルについて示す。
図 1 5に示すように、 実施例 4に係る電界発光素子の発光寿命は、 19. 45 / ^秒と 長いものであった。 なお、 図 1 5は一例として実施例 4に係る電界発光素子につ いて示したが、 実施例 3〜実施例 6のすベての電界発光素子において、 発光寿命 はいずれも 10 秒以上であった。 これは、 一般の蛍光色素を用いた電界発光素子 の発光寿命が 1 ; 秒以下 (ナノ秒オーダー) であることを考えると長く、 実施例 3 〜実施例 6の電界発光素子の発光寿命は、 燐光の寿命領域にあることが分かつた 更に、 図 1 6に示すように、 各電界発光素子の発光スペクトルと C Β Ρの憐光 の発光スぺクトルが定性的に一致している。 以上、 各電界発光素子の発光寿命が燐光の寿命頜域にあること、 また各電界発 光素子の発光スぺクトルと CB Pの燐光の発光スぺクトルが定性的に一致してい ることから、 得られた電界発光素子の発光が有機化合物である C B Pの三重項状 態の発光 (燐光) によるものであることが明らかとなった。
このように、 各電界発光素子の発光が C BPの三重項状態の発光 (燐光) によ るものであるので、 既に説明したように、 三重項励起子からの発光を利用できる ことになり、 高効率で発光する電界発光素子の作製が将来期待できる。
[実施例 Ί ]
図 1 7は本発明に係る電界発光素子の実施例 7を示す側面視説明図、
図 1 8は図 1 7に示す電界発光素子の発光スペクトルの特性図である。
なお、 実施例 1と同一または同等である素子の構成材料については、 同一の符 号を付して説明する。
次のようにして、 電界発光素子 1 aを作製し、 実施例 7とした。
I T Oで構成される透明電極 2が 1 OOnmの厚みにスパッタリングされているガラ ス基板 3上に、 N, N' —ビス (3—メチルフエニル) — N, N' —ビス (フエ ニル) —ベンジジン (TPD) を真空蒸着法 (真空度 2.0X10—4Pa、 後同じ) によつ て約 60ηπιの厚みに蒸着し、 ホール輸送層 4を形成する。
その上に、 発光層 5 aを形成した。 発光層 5 aは、 有機化合物である CB Pと
、 無機化合物である臭化ュ一口ピウムを共蒸着により形成した。 CB Pと臭化ュ
—口ピウムの比率は重量比で 75 :25とし、 発光層 5の膜厚は 20nmとした。
蒸着速度は、 CB Pが 3オングストローム Zsec、 臭化ユーロピウムが 1オングス トローム/ secである。
更にその上に、 ォキサジァゾール誘導体 (OXD— 7) を用いて蒸着を行い、 厚さ 60nmのホ一ルブロック層兼電子輸送層 6 aを形成した。 その上に、 フッ化リチウム (LiF) を用いて蒸着を行い、 厚さ 0.7Mの電子注 入層 10を形成し、 更にその上に電極としてアルミニウム約 lOOnmを蒸着し、 陰極 8 aを得た。 なお、 図中 9は電極である。
この電界発光素子 l aに、 電圧 18V、 電流 420mA/cin2を印加して発光させた。 その発光輝度を輝度計 (ミノル夕 LS-110) で測定したところ、 40.9cd/m2であ つた
また、 発光スペクトルをマルチチャンネル検出器 (浜松ホトニクス PMA- 11) で測定したところ、 CB P (—重項の発光ピーク 404nm) の発光と、 約 700nmをピ —クとするブロードな発光スペクトルが観察された。 また、 その発光スペクトル の比率は電流により変化した。
これは、 C BPの不完全なドープ状態を示しており、 発光層における CBPの 濃度が高いため、 臭化ユーロピウムよりも C B Pの発光が起きやすくなつた め だと思われる。 なお、 約 700nmをピークとするブロードな発光は、 アモルファス ( 非晶質) 状態をとる臭化ユーロピウムの発光であると思われる。
以上のように、 有機化合物層を構成し、 単独では青紫色で発光する C B P (発 光ピーク約 404nm) に、 無機化合物である臭化ユーロピウムを分散させることによ り、 CBP (発光ピーク約 404M1) と臭化ユーロピウム (発光ピ一ク約 700nm) を 共に発光させることができ、 結果的に桃白色で発光する電界発光素子を得ること ができた。
[実施例 8〜; L 0 ]
図 1 9は実施例 8に係る電界発光素子の発光スぺクトルの特性図、
図 20は実施例 9に係る電界発光素子の発光スぺクトルの特性図、
図 2 1は実施例 1 0に係る電界発光素子の発光スペクトルの特性図である。 CB Pと臭化ユーロピウムの共蒸着によって発光層を形成した実施例 7に対し 、 実施例 8〜 1 0では、 C B Pと臭化ユーロピウムにヨウ化セシウムを加えた三 元同時蒸着法によって発光層を形成した。 そして、 蒸着するヨウ化セシウムの量 を変えることで発光スぺクトルがどのような影饗を受けるかを検討した。
なお、 発光層以外の素子材料は同様であるので、 説明を省略する。
蒸着速度は、 C B Pが 1〜3オングストロームノ s ec、 臭化ユーロピウムが 0. 1〜 1オングストローム Zsec、 ヨウ化セシウムが 0. 1〜1オングストロ一ムノ secである 実施例 8〜 1 0の発光層における臭化ユーロピウム及ぴヨウ化セシウムの組成 割合を、 実施例 7と共に表 1に示す。
なお、 発光層の組成は重量%で表し、 C B P、 臭化ユーロピウム及びヨウ化セ シゥムの合計は全体で 100%となるように示している。
Figure imgf000023_0001
図 1 8ないし図 2 1に示す実施例 7〜実施例 1 0に係る電界発光素子の発光ス ぺクトルを参照する。
各電界発光素子の発光スぺクトルから明らかなとおり、 蒸着する臭化ユーロピ ゥムの割合を 0〜40重量%と増やすことで、 青色を示す波長塽である約 460〜480の シャ一プな発光ピークが得られることが確認できた。
ところで、 従来の有機電界発光素子に用いられる青色発光材料 (例えば α— Ν P D、 ペリレン、 P V K等) は、 発光波長がブロードであるために、 発光スぺク トルの裾が青色の色純度を悪くしていた。 青色表示を良好に行うためには、 青色 を示す波長域以外の光をカツトするカラーフィルタを用いることもできるが、 構 造が複雑化してコスト高となるうえ、 青以外の領域の光をカツトするために効率 が低下する。 このように、 青色純度が改善されないことは、 フルカラー化を目指 すフラットパネル 'ディスプレイ等の表示素子として好ましくない。
しかしがなら、 本実施例では、 臭化ユーロピウム対するヨウ化セシウムの割合 を増やすことで、 色純度の良い青色発光を示す有機電界発光素子を得ることがで きた。
この理由は定かではないが、 臭化ユー口ピウムがョゥ化セシゥムに固溶するこ とで、 非晶質状態であった臭化ュ一口ピウムが結晶状態 (6配位の 8面体構造) をとることが可能になり、 青色の発光を示したものと思われる。
また、 この発光機構は、 [Optical absorption, and emission spectra of Eu 2+ in the alkali hal ides. , J. Hernandez A., F. J. Lopez, H. urrieta S. , J. Phys. Soc. Jpn,,vol. 50, o. 1, p.225-229 (1981)] の文献に記載されてい る種々の Eu" (ユーロピウムイオン) をドープしたアルカリ八ロゲン化物の蛍光体 粉末の蛍光と本質的に同じ機構であると思われる。
[実施例 1 1 ]
図 22は実施例 1 1に係る電界発光素子の発光スペクトルの特性図である。 本実施例では、 実施例 8〜 1 0と相違して、 CB Pとヨウ化ユーロピウムにョ ゥ化バリウムを加えた三元同時蒸着法によって発光層を形成した。
それ以外の素子材料は同様であるので、 説明を省略する。
蒸着速度は、 CBPが 1〜3オングスト口一ムノ sec;、 ヨウ化ユーロピウムが 0.1 〜1オングストロ一ム Zsec, ヨウ化バリゥムが 0.1〜1オングストローム/ secであ る。
図 22に示す電界発光素子の発光スぺクトルから明らかなとおり、 ヨウ化バリ ゥムを加えることで、 青色を示す波長域である約 454nmのシャープな発光ピークが 得られることが確認できた。 これは、 ヨウ化バリウムを加えていない実施例 1 ( 図 3参照) 及び実施例 2 (図 5参照) に係る電界発光素子と明らかに異なってい る。
このように、 発光層にヨウ化バリウムを加えることで、 色純度の良い青色発光 を示す有機電界発光素子を得ることができた。
この理由は定かではないが、 ョゥ化ユーロピウムがョゥ化バリウムに固溶する ことで、 非晶質状態であったヨウ化ユーロピウムが結晶状態 (6配位の 8面体構 造) をとることが可能になり、 青色の発光を示したものと思われる。
以上説明した実施例 1ないし実施例 1 1から分かるように、 本実施例ではホス ト材料である有機化合物 C B Pに各種無機化合物を分散させることにより、 その 発光色を青色領域 (青紫色) から赤色領域 (ピンク色、 桃白色) まで変化させる ことができた。 つまり、 分散させる無機化合物を替えることによって、 同じホス ト材料である有機化合物から様々な発光色を得ることができることを確認できた なお、 本明細書で使用している用語と表現はあくまで説明上のものであって、 限定的なものではなく、 上記用語、 表現と等価の用語、 表現を除外するものでは ない。 産業上の利用可能性
本発明によれば、 陽極と陰極の間に設けられた一層または複数層の有機化合物 層の少なくとも一層に無機化合物を分散させて電界発光素子を作製することによ り、 無機化合物を直流の電圧 (低電圧) で発光させることができる電界発光素子 を得ることができる。 これにより、 従来から積み重ねられてきた無機電界発光素 子の有用な研究結果 (発光特性等) を有効に利用することができる。 また、 無機化合物を発光させるようにしているので、 発光層に有機化合物を用 いる有機電界発光素子に比べ、 劣化しにくく、 長期使用に耐えられる電界発光素 子の提供が期待できる。
また本発明によれば、 発光層である有機化合物層に無機化合物を分散させるこ とによって、 電界発光素子の発光色を変えることができる。
更に本発明によれば、 有機化合物層に対し分散させる無機化合物を替えること により、 電界発光素子の発光色を変化させることができる。 つまり、 分散させる 無機化合物を替えることにより、 同じホスト材料である有機化合物から様々な発 光色 (広い発光領域) を得ることができる。 したがって、 本発明に係る電界発光 素子を用いて例えばディスプレイを製造した場合、 必要となるホスト材料を減ら すことができるので、 結果的にディスプレイの生産コストを抑えることができる 有機化合物が C B Pであり、 無機化合物がヨウ化セリウム、 臭化セリウム、 ョ ゥ化テルビウム、 ヨウ化鉛からなる群から選ばれた少なくとも一種の化合物であ るものでは、 電界発光素子の発光が C B Pの三重項状態の発光 (憐光) によるも のであるので、 三重項励起子からの発光を利用できることになり、 高効率で発光 する電界発光素子の作製が捋来期待できる。
無機化合物がハロゲン化ユーロピウムとアル力リ金属のハロゲン化物を組み合 わせたもの、 またはハ口ゲン化ユーロピウムとアルカリ土類金属のハ口ゲン化物 を組み合わせたものでは、 色純度の良い青色発光を示す有機電界発光素子を得る ことができる。

Claims

請求の範囲
1 . 陽極から注入される正孔と陰極から注入される電子との再結合により発光す る電界発光素子であって、
上記電極の間に一層または複数層の有機化合物層を有し、 当該有機化合物層の 少なくとも一層に無機化合物が分散されることにより、 発光色が変化することを 特徴とする、
電界発光素子。
2 . 無機化合物を直流の電圧で発光させるようにしたことを特徴とする、 請求の範囲 1に記載の電界発光素子。
3 . 無機化合物または無機化合物の一部が替わることによって発光色が変化する ことを特徴とする、
請求の範囲 1または 2に記載の電界発光素子。
4 . 無機化合物が金属化合物であることを特徴とする、
請求の範囲 1, 2または 3に記載の電界発光素子。
5 . 無機化合物が遷移金属化合物であることを特徴とする、
請求の範囲 1, 2または 3に記載の電界発光素子。
6 . 無機化合物が希土類金属化合物であることを特徴とする、
請求の範囲 1 , 2または 3に記載の電界発光素子。
7 . 無機化合物がハロゲン化金属化合物であることを特徴とする 請求の範囲 1, 2または 3に記載の電界発光素子。
8 . 無機化合物がヨウ化ユーロピウム、 臭化ュ一口ピウム、 ヨウ化セリウム、 臭 化セリウム、 ヨウ化テルビウム、 ヨウ化鉛からなる群から選ばれた少なくとも一 種の化合物であることを特徴とする、
請求の範囲 1 , 2または 3に記載の電界発光素子。 '
9 . 有機化合物が 4, 4一ビス (カルバゾールー 9 fル) —ビフエニルであり 無機化合物がヨウ化セリウム、 臭化セリウム、 ヨウ化テルビウム、 ヨウ化鉛か らなる群から選ばれた少なくとも一種の化合物であること ¾特徴とする、 請求の範囲 1 , 2または 3に記載の電界発光素子。
1 0 . 無機化合物がユーロピウムのハロゲン化物とアルカリ金属のハ πゲン化物 を組み合わせたもの、 またはユー口ピウムのハロゲン化物とアル力リ土類金属の ハ Πゲン化物を組み合わせたものであることを特徴とする、
請求の範囲 1 , 2または 3に記載の電界発光素子。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9450200B2 (en) * 2012-11-20 2016-09-20 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001196178A (ja) * 2000-01-11 2001-07-19 Fuji Photo Film Co Ltd 発光素子
JP2002299063A (ja) * 2001-04-03 2002-10-11 Japan Science & Technology Corp 臭化鉛系層状ペロブスカイト化合物を発光層とした電界発光素子
JP2003036977A (ja) * 2001-07-25 2003-02-07 Japan Science & Technology Corp ハロゲン化鉛系層状ペロブスカイト化合物の燐光を利用した電界発光素子
JP2003059665A (ja) * 2001-02-19 2003-02-28 Kyushu Electric Power Co Inc 電界発光素子

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01213989A (ja) 1988-02-23 1989-08-28 Oki Electric Ind Co Ltd Elパネルの形成法
JPH01217885A (ja) 1988-02-25 1989-08-31 Komatsu Ltd 薄膜el素子
JPH03126787A (ja) 1989-10-13 1991-05-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 高分子発光体
JPH07263146A (ja) 1994-03-23 1995-10-13 Olympus Optical Co Ltd 発光素子
JPH08102360A (ja) * 1994-09-29 1996-04-16 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 有機無機複合薄膜型電界発光素子
JPH08288067A (ja) 1995-04-11 1996-11-01 Hitachi Maxell Ltd 薄膜型エレクトロルミネッセンス素子
JPH108044A (ja) 1996-06-27 1998-01-13 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd ZnS:Mn系蒸着用材料
US5958573A (en) 1997-02-10 1999-09-28 Quantum Energy Technologies Electroluminescent device having a structured particle electron conductor
US5871579A (en) * 1997-09-25 1999-02-16 International Business Machines Corporation Two-step dipping technique for the preparation of organic-inorganic perovskite thin films
US6395409B2 (en) * 1997-09-29 2002-05-28 Minolta Co., Ltd. Organic electroluminescent element
US6631147B2 (en) * 1998-09-14 2003-10-07 Optc Co., Ltd. Organic semiconductor laser device
US6097147A (en) * 1998-09-14 2000-08-01 The Trustees Of Princeton University Structure for high efficiency electroluminescent device
JP2001279429A (ja) * 2000-03-30 2001-10-10 Idemitsu Kosan Co Ltd 素子用薄膜層の成膜方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2001313178A (ja) * 2000-04-28 2001-11-09 Pioneer Electronic Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子
SG118110A1 (en) * 2001-02-01 2006-01-27 Semiconductor Energy Lab Organic light emitting element and display device using the element
CN1277872C (zh) * 2001-02-20 2006-10-04 安德鲁斯街大学管理处 含金属的树状物

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001196178A (ja) * 2000-01-11 2001-07-19 Fuji Photo Film Co Ltd 発光素子
JP2003059665A (ja) * 2001-02-19 2003-02-28 Kyushu Electric Power Co Inc 電界発光素子
JP2002299063A (ja) * 2001-04-03 2002-10-11 Japan Science & Technology Corp 臭化鉛系層状ペロブスカイト化合物を発光層とした電界発光素子
JP2003036977A (ja) * 2001-07-25 2003-02-07 Japan Science & Technology Corp ハロゲン化鉛系層状ペロブスカイト化合物の燐光を利用した電界発光素子

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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