JPH01217885A - 薄膜ｅｌ素子 - Google Patents
薄膜ｅｌ素子Info
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- JPH01217885A JPH01217885A JP63040597A JP4059788A JPH01217885A JP H01217885 A JPH01217885 A JP H01217885A JP 63040597 A JP63040597 A JP 63040597A JP 4059788 A JP4059788 A JP 4059788A JP H01217885 A JPH01217885 A JP H01217885A
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- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 10
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/0623—Sulfides, selenides or tellurides
-
- H—ELECTRICITY
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- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
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- H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
-
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- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、薄膜ＥＬ（エレクトロ・ルミネッセンス）素
子で、特に、低電圧駆動で、高輝度青色発光する薄膜Ｅ
Ｌ素子に関するものである。
子で、特に、低電圧駆動で、高輝度青色発光する薄膜Ｅ
Ｌ素子に関するものである。
上記薄膜ＥＬ素子は第１図に示すように、二重誘電体構
造をなすもので、透明基板１上に酸化錫（ＳｎＯ２）等
からなる透明電極２、五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５’）
等からなる第１誘電体３、発光層４、五酸化タンタル（
Ｔａ２０５ ）等からなる第２誘電体５、アルミニウム
（、ｌ） ）等からなる金属電極６．６とが順次積層さ
れて構成されており、画電極６，６に強電界を印加する
ことにより青色に発光し、その光が透明基板１より取り
出されるようになっている。
造をなすもので、透明基板１上に酸化錫（ＳｎＯ２）等
からなる透明電極２、五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５’）
等からなる第１誘電体３、発光層４、五酸化タンタル（
Ｔａ２０５ ）等からなる第２誘電体５、アルミニウム
（、ｌ） ）等からなる金属電極６．６とが順次積層さ
れて構成されており、画電極６，６に強電界を印加する
ことにより青色に発光し、その光が透明基板１より取り
出されるようになっている。
そして、従来の青色発光用の発光層４の構成材料として
は、ＺｎＳ ： Ｔｍ、Ｆ、Ｓ ｒＳ ：Ｃｅ。
は、ＺｎＳ ： Ｔｍ、Ｆ、Ｓ ｒＳ ：Ｃｅ。
Ｃｌ ｓ Ｓ ｒ Ｓ ； Ｃｅ ＊ Ｋ 、Ｃｌが研
究されてきた。
究されてきた。
上記従来の発光層４の構成材料のうち、ＺｎＳ ；Ｔｍ
、Ｆの場合は全く輝度が出ず、またＳｒＳ：Ｃｅ、Ｃ９
及びＳｒＳ：Ｃｅ、に、Ｃｊｌであっても実用的な輝度
は得られず、またその発光色も青色より緑色成分が強く
発光してしまうという問題があった。
、Ｆの場合は全く輝度が出ず、またＳｒＳ：Ｃｅ、Ｃ９
及びＳｒＳ：Ｃｅ、に、Ｃｊｌであっても実用的な輝度
は得られず、またその発光色も青色より緑色成分が強く
発光してしまうという問題があった。
これらのことは、上記発光層を電子ビーム法により成膜
され、その材料としてＳｒＳとＣｅＣｆ１ｓあるいはＳ
ｒＳとＣｅＣｌ３とＫＣ，Ｑを焼結したものを使ってい
るため、ＳｒＳの薄膜中のＣｆｌとＣｅの濃度比（、Ｃ
ｌ ／Ｃｅ）が２以上であり、Ｃｅに対してＣｌｌが２
倍以上とりこまれているためであると思われる。
され、その材料としてＳｒＳとＣｅＣｆ１ｓあるいはＳ
ｒＳとＣｅＣｌ３とＫＣ，Ｑを焼結したものを使ってい
るため、ＳｒＳの薄膜中のＣｆｌとＣｅの濃度比（、Ｃ
ｌ ／Ｃｅ）が２以上であり、Ｃｅに対してＣｌｌが２
倍以上とりこまれているためであると思われる。
本発明は上記のことにかんがみなされたもので、低電圧
駆動でもって高輝度の青色発光ができ、フルカラーＥＬ
・デイスプレィの青色発光源として使用できるようにし
た薄膜ＥＬ素子を提供することを目的とするものである
。
駆動でもって高輝度の青色発光ができ、フルカラーＥＬ
・デイスプレィの青色発光源として使用できるようにし
た薄膜ＥＬ素子を提供することを目的とするものである
。
上記目的を達成するために、本発明に係る薄膜ＥＬ素子
は、ＳｒＳからなる発光母材中に、発光中心不純物とし
てＣｅとＫとＣｇを含有しており、かつ上記Ｃｅの発光
母材中の濃度は０．５〜１．０％であり、またＣｇ２と
Ｃｅの比（Ｃｌ／Ｃｅ）を２以下にした薄膜を発光層と
した構成となっている。
は、ＳｒＳからなる発光母材中に、発光中心不純物とし
てＣｅとＫとＣｇを含有しており、かつ上記Ｃｅの発光
母材中の濃度は０．５〜１．０％であり、またＣｇ２と
Ｃｅの比（Ｃｌ／Ｃｅ）を２以下にした薄膜を発光層と
した構成となっている。
〔作 用〕
低電圧でもって高輝度の、青色成分の強い青色光を発光
する。
する。
本発明の実施例を以下に説明する。
本発明に係る薄膜ＥＬ素子の積層構造は第１図に示す従
来と全く同じであるがその発光層４の構成が異なる。
来と全く同じであるがその発光層４の構成が異なる。
すなわち、上記発光層４はＳｒＳからなる発光母材中に
、発光中心不純物としてＣｅとＫとＣｌｌを含有してお
り、かつ発光中心不純物であるＣｅの発光母材中におけ
る濃度は０．５〜１．０％であり、またＣｇとＣｅＯ比
ＣＣｌＩ ／Ｃｅ）は、２以下になっている。
、発光中心不純物としてＣｅとＫとＣｌｌを含有してお
り、かつ発光中心不純物であるＣｅの発光母材中におけ
る濃度は０．５〜１．０％であり、またＣｇとＣｅＯ比
ＣＣｌＩ ／Ｃｅ）は、２以下になっている。
上記発光層４は、これの発光母材を構成するＳｒＳと、
発光中心不純物であるＣｅ、ＫＣｌ（化合物）をそれぞ
れ別の蒸発源、すなわち４元から蒸発せしめ、これを基
板上で結合させる、いわゆる多元蒸着法（ＭＳＤ法）に
て作成する。
発光中心不純物であるＣｅ、ＫＣｌ（化合物）をそれぞ
れ別の蒸発源、すなわち４元から蒸発せしめ、これを基
板上で結合させる、いわゆる多元蒸着法（ＭＳＤ法）に
て作成する。
上記多元蒸着法は第２図に示すように、例えば１０−３
〜１０−７程度の真空度に設定された真空槽７内に、発
光母材であるＳ「、Ｓの構成元素と発光中心不純物Ｃｅ
、ＫＣｊＦ（化合物）を別々のルツボ８ａ、８ｂ、８ｃ
、８ｄに入れ、それぞれを独立に温度コントロールしつ
つ加熱し、形成された発光層が化学量論的組成になるよ
うに、それぞれの蒸発量を制御することにより、発光中
心不純物の分布が均一な柱状結晶を基板９上に析出させ
るようにしたものである。
〜１０−７程度の真空度に設定された真空槽７内に、発
光母材であるＳ「、Ｓの構成元素と発光中心不純物Ｃｅ
、ＫＣｊＦ（化合物）を別々のルツボ８ａ、８ｂ、８ｃ
、８ｄに入れ、それぞれを独立に温度コントロールしつ
つ加熱し、形成された発光層が化学量論的組成になるよ
うに、それぞれの蒸発量を制御することにより、発光中
心不純物の分布が均一な柱状結晶を基板９上に析出させ
るようにしたものである。
なお発光層の両側の誘電体３，５はスパッタリング法に
より形成される。
より形成される。
第３図は輝度−電圧特性を示す線図であり、図中ａは本
発明に係る発光層を有する薄膜ＥＬ素子の、またｂは発
光層中のＣｌとＣｅの比がＣＮ／Ｃｅ＞２である従来の
薄膜ＥＬ素子のそれぞれのデータである。
発明に係る発光層を有する薄膜ＥＬ素子の、またｂは発
光層中のＣｌとＣｅの比がＣＮ／Ｃｅ＞２である従来の
薄膜ＥＬ素子のそれぞれのデータである。
この図から明らかなように、本発明に係る薄膜ＥＬ素子
では従来のものより低電圧でもって高い輝度を得ること
ができた。
では従来のものより低電圧でもって高い輝度を得ること
ができた。
第４図はスペクトルを示すもので、図中Ｃは本発明に係
る発光層を有する薄膜ＥＬ素子の、またｄは従来の場合
のそれぞれのデータである。
る発光層を有する薄膜ＥＬ素子の、またｄは従来の場合
のそれぞれのデータである。
この図から明らかなように、本発明に係る薄膜ＥＬ素子
では従来のものよりその波長は短く、青色成分が強い青
色光を発光する。
では従来のものよりその波長は短く、青色成分が強い青
色光を発光する。
本発明によれば、低電圧駆動でもって高輝度の青色発光
ができ、フルカラーＥＬデイスプレィの青色発光源とし
て使用できる。
ができ、フルカラーＥＬデイスプレィの青色発光源とし
て使用できる。
第１図は薄膜ＥＬ素子の構造を示す断面図、第２図は発
光層の形成方法の原理図、第３図は輝度−電圧特性を示
す線図、第４図はスペクトルを示す線図である。 出願人 株式会社 小 松 製 作 所代理人 弁
理士 米 原 正 章
光層の形成方法の原理図、第３図は輝度−電圧特性を示
す線図、第４図はスペクトルを示す線図である。 出願人 株式会社 小 松 製 作 所代理人 弁
理士 米 原 正 章
Claims (1)
- ＳｒＳからなる発光母材中に、発光中心不純物として
ＣｅとＫとＣｌを含有しており、かつ上記Ｃｅの発光母
材中の濃度は０．５％〜１．０％であり、またＣｌとＣ
ｅの比（Ｃｌ／Ｃｅ）を、２以下にした薄膜を発光層と
したことを特徴とする薄膜ＥＬ素子。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63040597A JPH01217885A (ja) | 1988-02-25 | 1988-02-25 | 薄膜ｅｌ素子 |
| EP19890909626 EP0489156A4 (en) | 1988-02-25 | 1989-08-24 | Thin-film el element |
| KR1019920700370A KR920704544A (ko) | 1988-02-25 | 1989-08-24 | 박막 el 소자 |
| PCT/JP1989/000868 WO1991003141A1 (en) | 1988-02-25 | 1989-08-24 | Thin-film el element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63040597A JPH01217885A (ja) | 1988-02-25 | 1988-02-25 | 薄膜ｅｌ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01217885A true JPH01217885A (ja) | 1989-08-31 |
Family
ID=12584918
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63040597A Pending JPH01217885A (ja) | 1988-02-25 | 1988-02-25 | 薄膜ｅｌ素子 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0489156A4 (ja) |
| JP (1) | JPH01217885A (ja) |
| KR (1) | KR920704544A (ja) |
| WO (1) | WO1991003141A1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0489156A1 (en) * | 1988-02-25 | 1992-06-10 | Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho | Thin-film el element |
| US7303825B2 (en) | 2003-01-21 | 2007-12-04 | Kyushu Electric Power Co., Inc. | Electroluminescence device |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57102983A (en) * | 1980-12-19 | 1982-06-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Electroluminescent element |
| JPS6134890A (ja) * | 1984-07-27 | 1986-02-19 | 日本電信電話株式会社 | 電界発光薄膜形成方法 |
| JPS61260593A (ja) * | 1985-05-15 | 1986-11-18 | 富士通株式会社 | Ｅｌ薄膜の製造方法 |
| JPH01217885A (ja) * | 1988-02-25 | 1989-08-31 | Komatsu Ltd | 薄膜ｅｌ素子 |
-
1988
- 1988-02-25 JP JP63040597A patent/JPH01217885A/ja active Pending
-
1989
- 1989-08-24 WO PCT/JP1989/000868 patent/WO1991003141A1/ja not_active Application Discontinuation
- 1989-08-24 KR KR1019920700370A patent/KR920704544A/ko not_active Application Discontinuation
- 1989-08-24 EP EP19890909626 patent/EP0489156A4/en not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0489156A1 (en) * | 1988-02-25 | 1992-06-10 | Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho | Thin-film el element |
| US7303825B2 (en) | 2003-01-21 | 2007-12-04 | Kyushu Electric Power Co., Inc. | Electroluminescence device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO1991003141A1 (en) | 1991-03-07 |
| EP0489156A1 (en) | 1992-06-10 |
| EP0489156A4 (en) | 1993-03-31 |
| KR920704544A (ko) | 1992-12-19 |
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