JPH088063A - 薄膜型青色エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents
薄膜型青色エレクトロルミネッセンス素子Info
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- JPH088063A JPH088063A JP6134507A JP13450794A JPH088063A JP H088063 A JPH088063 A JP H088063A JP 6134507 A JP6134507 A JP 6134507A JP 13450794 A JP13450794 A JP 13450794A JP H088063 A JPH088063 A JP H088063A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 近赤外の発光強度を低く抑えることにより青
色の発光効率を向上した高輝度の薄膜型青色エレクトロ
ルミネッセンス素子を提供する。 【構成】 ツリウムを青色発光中心とする発光層の片面
もしくは両面に誘電体層を有する薄膜エレクトロルミネ
ッセンス素子において、常温で波長４６０±１０ｎｍの
ピークおよび波長８００±１０ｎｍのピークのスペクト
ルを有し、かつ前記波長４６０±１０ｎｍのピーク強度
（ＩB ）と波長８００±１０ｎｍのピーク強度（ＩIR）
とのピーク強度比（ＩB ／ＩIR）が１．０以上であるエ
レクトロルミネッセンスが発生することを特徴としてい
る。
色の発光効率を向上した高輝度の薄膜型青色エレクトロ
ルミネッセンス素子を提供する。 【構成】 ツリウムを青色発光中心とする発光層の片面
もしくは両面に誘電体層を有する薄膜エレクトロルミネ
ッセンス素子において、常温で波長４６０±１０ｎｍの
ピークおよび波長８００±１０ｎｍのピークのスペクト
ルを有し、かつ前記波長４６０±１０ｎｍのピーク強度
（ＩB ）と波長８００±１０ｎｍのピーク強度（ＩIR）
とのピーク強度比（ＩB ／ＩIR）が１．０以上であるエ
レクトロルミネッセンスが発生することを特徴としてい
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜型青色エレクトロ
ルミネッセンス素子（以下、薄膜型青色ＥＬ素子と称
す）に関する。
ルミネッセンス素子（以下、薄膜型青色ＥＬ素子と称
す）に関する。
【０００２】
【従来の技術】薄膜型青色ＥＬ素子としては、従来より
ツリウム（Ｔｍ）を青色発光中心とし、母体がＺｎＳか
らなるＺｎＳ：Ｔｍの組成を有する発光層を備えたもの
が知られている。このようなＺｎＳ：Ｔｍの組成を有す
る発光層は、プラス３価イオンであるＴｍ3+からの発光
がなされ、波長約４８０ｎｍと波長約８００ｎｍに顕著
な発光ピークを有し、８００ｎｍが近赤外で可視域外で
あるため青色ＥＬ素子として有望視されている。また、
前記発光層において発光中心に対する母体として、Ｃｄ
Ｆ2 、ＺｎＦ2 またはＹＦ3 等を用いることが研究され
ているが、多くの場合ＺｎＳが用いられている。
ツリウム（Ｔｍ）を青色発光中心とし、母体がＺｎＳか
らなるＺｎＳ：Ｔｍの組成を有する発光層を備えたもの
が知られている。このようなＺｎＳ：Ｔｍの組成を有す
る発光層は、プラス３価イオンであるＴｍ3+からの発光
がなされ、波長約４８０ｎｍと波長約８００ｎｍに顕著
な発光ピークを有し、８００ｎｍが近赤外で可視域外で
あるため青色ＥＬ素子として有望視されている。また、
前記発光層において発光中心に対する母体として、Ｃｄ
Ｆ2 、ＺｎＦ2 またはＹＦ3 等を用いることが研究され
ているが、多くの場合ＺｎＳが用いられている。
【０００３】しかしながら、Ｔｍを青色発光中心とし、
ＺｎＳを初めとする多くの母体を有する発光層におい
て、波長約４８０ｎｍのピーク強度と波長約８００ｎｍ
のピーク強度との比較において後者の強度が前者の強度
より数倍も高いという現象が見られる。例えば、Ｈ．Ｋ
ｏｂａｙａｓｈｉらが“Ｍｕｌｔｉｃｏｌｏｒ Ｅｌｅ
ｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ ＺｎＳ Ｔｉｎｅ
Ｆｉｌｍｓ Ｄｏｐｅｄｗｉｔｈ Ｒａｒｅ Ｅａｒｔ
ｈ Ｆｌｕｏｒｉｄｅｓ” ｐｈｙｓ，ｓｔａｔ．ｓｏ
ｌ，（ａ）８８，７１３（１９８５）で報告されたＺｎ
Ｓ：ＴｍＦ3 の発光層を有する青色ＥＬ素子のスペクト
ルを図５に示す。図５に示すスペクトルにおいて、波長
約８００ｎｍの赤外のピーク強度が波長約４８０ｎｍの
青色ピーク強度の６倍にもなっている。この現象は、Ｔ
ｍ3+の励起されているエネルギーが波長約８００ｎｍの
発光により多く消費されて、その割合だけ波長約４８０
ｎｍの発光強度が低くなることを意味する。したがっ
て、波長約４８０ｎｍの発光効率が低くなるため青色Ｅ
Ｌ素子を実現できなくなる。
ＺｎＳを初めとする多くの母体を有する発光層におい
て、波長約４８０ｎｍのピーク強度と波長約８００ｎｍ
のピーク強度との比較において後者の強度が前者の強度
より数倍も高いという現象が見られる。例えば、Ｈ．Ｋ
ｏｂａｙａｓｈｉらが“Ｍｕｌｔｉｃｏｌｏｒ Ｅｌｅ
ｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ ＺｎＳ Ｔｉｎｅ
Ｆｉｌｍｓ Ｄｏｐｅｄｗｉｔｈ Ｒａｒｅ Ｅａｒｔ
ｈ Ｆｌｕｏｒｉｄｅｓ” ｐｈｙｓ，ｓｔａｔ．ｓｏ
ｌ，（ａ）８８，７１３（１９８５）で報告されたＺｎ
Ｓ：ＴｍＦ3 の発光層を有する青色ＥＬ素子のスペクト
ルを図５に示す。図５に示すスペクトルにおいて、波長
約８００ｎｍの赤外のピーク強度が波長約４８０ｎｍの
青色ピーク強度の６倍にもなっている。この現象は、Ｔ
ｍ3+の励起されているエネルギーが波長約８００ｎｍの
発光により多く消費されて、その割合だけ波長約４８０
ｎｍの発光強度が低くなることを意味する。したがっ
て、波長約４８０ｎｍの発光効率が低くなるため青色Ｅ
Ｌ素子を実現できなくなる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、近赤
外の発光強度を低く抑えることにより青色の発光効率を
向上した高輝度の薄膜型青色ＥＬ素子を提供しようとす
るものである。
外の発光強度を低く抑えることにより青色の発光効率を
向上した高輝度の薄膜型青色ＥＬ素子を提供しようとす
るものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明に係わる薄膜型青
色ＥＬ素子は、ツリウムを青色発光中心とする発光層の
片面もしくは両面に誘電体層を有する薄膜型エレクトロ
ルミネッセンス素子において、常温で波長４６０±１０
ｎｍのピークおよび波長８００±１０ｎｍのピークのス
ペクトルを有し、かつ前記波長４６０±１０ｎｍのピー
ク強度（ＩB ）と波長８００±１０ｎｍのピーク強度
（ＩIR）とのピーク強度比（ＩB ／ＩIR）が１．０以上
であるエレクトロルミネッセンスが発生ことを特徴とす
るものである。
色ＥＬ素子は、ツリウムを青色発光中心とする発光層の
片面もしくは両面に誘電体層を有する薄膜型エレクトロ
ルミネッセンス素子において、常温で波長４６０±１０
ｎｍのピークおよび波長８００±１０ｎｍのピークのス
ペクトルを有し、かつ前記波長４６０±１０ｎｍのピー
ク強度（ＩB ）と波長８００±１０ｎｍのピーク強度
（ＩIR）とのピーク強度比（ＩB ／ＩIR）が１．０以上
であるエレクトロルミネッセンスが発生ことを特徴とす
るものである。
【０００６】このような薄膜型青色ＥＬ素子は、例えば
発光層の母体としてイットリウム、ランタンおよびガド
リウムから選ばれるいずれか一つの元素のオキシ硫化物
からなり、かつ硫黄（Ｓ）と酸素（Ｏ）との原子数比
（Ｓ／Ｏ）が０．５〜１．５である材料を選択すること
により実現できる。特に、前記母体はイットリウム硫化
物からなることが好ましい。
発光層の母体としてイットリウム、ランタンおよびガド
リウムから選ばれるいずれか一つの元素のオキシ硫化物
からなり、かつ硫黄（Ｓ）と酸素（Ｏ）との原子数比
（Ｓ／Ｏ）が０．５〜１．５である材料を選択すること
により実現できる。特に、前記母体はイットリウム硫化
物からなることが好ましい。
【０００７】前記硫化物の原子数比（Ｓ／Ｏ）を規定し
たのは、次のような理由によるものである。Ｓ／Ｏを
０．５未満にすると、電気抵抗が高くなってＥＬ自体の
発生が減少することにになる。Ｓ／Ｏが１．５を越える
と前記ピーク強度比（ＩB ／ＩIR）が１．０未満になっ
て高輝度の薄膜型青色ＥＬ素子が実現できなくなる。よ
り好ましいＳ／Ｏは、０．７〜１．０の範囲である。
たのは、次のような理由によるものである。Ｓ／Ｏを
０．５未満にすると、電気抵抗が高くなってＥＬ自体の
発生が減少することにになる。Ｓ／Ｏが１．５を越える
と前記ピーク強度比（ＩB ／ＩIR）が１．０未満になっ
て高輝度の薄膜型青色ＥＬ素子が実現できなくなる。よ
り好ましいＳ／Ｏは、０．７〜１．０の範囲である。
【０００８】前記誘電体層は、例えばＴａ2 Ｏ5 、Ｙ2
Ｏ3 、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｓｉ3 Ｎ4 、ＳｉＡｌＯＮ、ＳｉＯ
Ｎ、ＳｉＯ2 またはＴａ2 Ｏ5 −ＳｉＯ2 複合物等によ
り形成される。
Ｏ3 、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｓｉ3 Ｎ4 、ＳｉＡｌＯＮ、ＳｉＯ
Ｎ、ＳｉＯ2 またはＴａ2 Ｏ5 −ＳｉＯ2 複合物等によ
り形成される。
【０００９】前記発光層と前記誘電体層との間には、例
えばＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＣａＳまたはＳｒＳのようなII
−VI族の半導体層が介在されることを許容する。特に、
ＺｎＳからなる半導体層を前記発光層と前記誘電体層と
の間に介在させることが好ましい。
えばＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＣａＳまたはＳｒＳのようなII
−VI族の半導体層が介在されることを許容する。特に、
ＺｎＳからなる半導体層を前記発光層と前記誘電体層と
の間に介在させることが好ましい。
【００１０】
【作用】本発明によれば、ツリウムを青色発光中心と
し、母体がイットリウム、ランタンおよびガドリウムか
ら選ばれるいずれか一つの元素のオキシ硫化物からな
り、かつ硫黄（Ｓ）と酸素（Ｏ）との原子数比（Ｓ／
Ｏ）が０．５〜１．５である発光層を備えることによっ
て、Ｔ3+からの波長４６０ｎｍにおけるＥＬの効率を大
幅に向上でき、青色ＥＬ輝度を高めることができる。ま
た、前記オキシ硫化物のＯとＳの原子数比（Ｓ／Ｏ）を
前記範囲内で任意に変えても、その化学的安定性が維持
されるため、発光層の経時変化を抑制できる。したがっ
て、このような発光層を備えた薄膜型青色ＥＬ素子は、
常温で波長４６０±１０ｎｍのピークおよび波長８００
±１０ｎｍのピークのスペクトルを有し、かつ前記波長
４６０±１０ｎｍのピーク強度（ＩB ）と波長８００±
１０ｎｍのピーク強度（ＩIR）とのピーク強度比（ＩB
／ＩIR）が１．０以上であるエレクトロルミネッセンス
発光がなされ、高輝度の青色ＥＬを実現できる。また、
前記発光層と誘電体層の間に例えばＺｎＳのようなII−
VI族の半導体層を介在させることによって青色ＥＬ強度
を一層高めることができる。
し、母体がイットリウム、ランタンおよびガドリウムか
ら選ばれるいずれか一つの元素のオキシ硫化物からな
り、かつ硫黄（Ｓ）と酸素（Ｏ）との原子数比（Ｓ／
Ｏ）が０．５〜１．５である発光層を備えることによっ
て、Ｔ3+からの波長４６０ｎｍにおけるＥＬの効率を大
幅に向上でき、青色ＥＬ輝度を高めることができる。ま
た、前記オキシ硫化物のＯとＳの原子数比（Ｓ／Ｏ）を
前記範囲内で任意に変えても、その化学的安定性が維持
されるため、発光層の経時変化を抑制できる。したがっ
て、このような発光層を備えた薄膜型青色ＥＬ素子は、
常温で波長４６０±１０ｎｍのピークおよび波長８００
±１０ｎｍのピークのスペクトルを有し、かつ前記波長
４６０±１０ｎｍのピーク強度（ＩB ）と波長８００±
１０ｎｍのピーク強度（ＩIR）とのピーク強度比（ＩB
／ＩIR）が１．０以上であるエレクトロルミネッセンス
発光がなされ、高輝度の青色ＥＬを実現できる。また、
前記発光層と誘電体層の間に例えばＺｎＳのようなII−
VI族の半導体層を介在させることによって青色ＥＬ強度
を一層高めることができる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細
に説明する。 （実施例１）図１は、本実施例１の青色ＥＬ素子を示す
断面図である。ガラス基板１上には、ＩＴＯからなる厚
さ１７００オングストローム（以下、Ａと称す）の透明
導電膜２が被覆されている。例えば厚さ４０００〜５０
００ＡのＹ2 Ｏ3 からなる第１誘電体層３は、前記透明
導電膜２上に形成されている。例えば厚さ１０００Ａの
ＺｎＳからなる第１半導体層４は、前記第１誘電体層３
上に形成されている。イットリウムオキシ硫化物からな
る母体に発光中心としてＴｍを０．２原子％含有させた
組成を有する厚さ５２００Ａの発光層５は、前記第１半
導体層４上に形成されている。例えば厚さ１０００Ａの
ＺｎＳからなる第２半導体層６は、前記発光層５上に形
成されている。なお、前記第１半導体層４、発光層５お
よび第２半導体層６はほぼ同じ面積を有する。例えば厚
さ４０００〜５０００ＡのＹ2 Ｏ3 からなる第２誘電体
層７は、前記第２半導体層６を含む前記第１誘電体層３
上に被覆されている。Ａｌからなる背面電極８は、前記
第２誘電体層７上に選択的に形成されている。駆動電源
９は、前記透明電極２と前記背面電極８に接続されてい
る。
に説明する。 （実施例１）図１は、本実施例１の青色ＥＬ素子を示す
断面図である。ガラス基板１上には、ＩＴＯからなる厚
さ１７００オングストローム（以下、Ａと称す）の透明
導電膜２が被覆されている。例えば厚さ４０００〜５０
００ＡのＹ2 Ｏ3 からなる第１誘電体層３は、前記透明
導電膜２上に形成されている。例えば厚さ１０００Ａの
ＺｎＳからなる第１半導体層４は、前記第１誘電体層３
上に形成されている。イットリウムオキシ硫化物からな
る母体に発光中心としてＴｍを０．２原子％含有させた
組成を有する厚さ５２００Ａの発光層５は、前記第１半
導体層４上に形成されている。例えば厚さ１０００Ａの
ＺｎＳからなる第２半導体層６は、前記発光層５上に形
成されている。なお、前記第１半導体層４、発光層５お
よび第２半導体層６はほぼ同じ面積を有する。例えば厚
さ４０００〜５０００ＡのＹ2 Ｏ3 からなる第２誘電体
層７は、前記第２半導体層６を含む前記第１誘電体層３
上に被覆されている。Ａｌからなる背面電極８は、前記
第２誘電体層７上に選択的に形成されている。駆動電源
９は、前記透明電極２と前記背面電極８に接続されてい
る。
【００１２】前述した各膜の形成は、ＲＦマグネトロン
スパッタにより行った。特に、前記発光層５はＹ2 Ｓ
3 ：Ｔｍからなるターゲットを用い、アルゴンと酸素の
混合ガス雰囲気中でＲＦマグネトロンスパッタにより形
成した。この時、前記アルゴンと酸素の混合ガスの比率
を調節することによりＳ／Ｏ＝１．０のイットリウムオ
キシ硫化物を母体とし、Ｔｍを０．２原子％含有させた
組成を有する発光層が形成された。また、前記第１、第
２の誘電体層３、７はイットリウムからなるターゲット
を用い、アルゴンと酸素の混合ガス雰囲気中でＲＦマグ
ネトロンスパッタ蒸着を行うことによって形成した。さ
らに、前記第２誘電体層７を形成した後、１．２×１０
-4Ｐａの真空度、５９０〜６１０℃の温度で１時間熱処
理し、その後前記Ａｌの背面電極８を形成した。
スパッタにより行った。特に、前記発光層５はＹ2 Ｓ
3 ：Ｔｍからなるターゲットを用い、アルゴンと酸素の
混合ガス雰囲気中でＲＦマグネトロンスパッタにより形
成した。この時、前記アルゴンと酸素の混合ガスの比率
を調節することによりＳ／Ｏ＝１．０のイットリウムオ
キシ硫化物を母体とし、Ｔｍを０．２原子％含有させた
組成を有する発光層が形成された。また、前記第１、第
２の誘電体層３、７はイットリウムからなるターゲット
を用い、アルゴンと酸素の混合ガス雰囲気中でＲＦマグ
ネトロンスパッタ蒸着を行うことによって形成した。さ
らに、前記第２誘電体層７を形成した後、１．２×１０
-4Ｐａの真空度、５９０〜６１０℃の温度で１時間熱処
理し、その後前記Ａｌの背面電極８を形成した。
【００１３】（参照例１）Ｓ／Ｏ＝１．７のイットリウ
ムオキシ硫化物を母体とし、Ｔｍを０．２原子％含有し
た組成を有する発光層を備える以外、実施例１と同様で
図１に示す構造の青色ＥＬ素子を作製した。
ムオキシ硫化物を母体とし、Ｔｍを０．２原子％含有し
た組成を有する発光層を備える以外、実施例１と同様で
図１に示す構造の青色ＥＬ素子を作製した。
【００１４】実施例１および参照例１の青色ＥＬ素子に
ついて、駆動条件として高周波電源９から透明電極２と
背面電極８に周波数５ｋＨｚ、１８０ＶO-P の交流電圧
を印加し、発光スペクトルを測定した。実施例１の青色
ＥＬ素子の発光スペクトルを図２に、参照例１の青色Ｅ
Ｌ素子の発光スペクトルを図３にそれぞれ示す。
ついて、駆動条件として高周波電源９から透明電極２と
背面電極８に周波数５ｋＨｚ、１８０ＶO-P の交流電圧
を印加し、発光スペクトルを測定した。実施例１の青色
ＥＬ素子の発光スペクトルを図２に、参照例１の青色Ｅ
Ｌ素子の発光スペクトルを図３にそれぞれ示す。
【００１５】図２から明らかなようにＳ／Ｏ＝１．０の
イットリウムオキシ硫化物を母体とし、Ｔｍを０．２原
子％含有した組成を有する発光層を備えた実施例１の青
色ＥＬ素子は波長４６０ｎｍのピーク強度（ＩB ）と波
長８００ｎｍのピーク強度（ＩIR）とのピーク強度比
（ＩB ／ＩIR）が５．０になり、高輝度の青色発光を実
現できることがわかる。これに対し、Ｓ／Ｏ＝１．７の
イットリウムオキシ硫化物を母体とし、Ｔｍを０．２原
子％含有した組成を有する発光層を備えた参照例１の青
色ＥＬ素子は前記ピーク強度比（ＩB ／ＩIR）が０．４
と青色の発光効率が低くなる。
イットリウムオキシ硫化物を母体とし、Ｔｍを０．２原
子％含有した組成を有する発光層を備えた実施例１の青
色ＥＬ素子は波長４６０ｎｍのピーク強度（ＩB ）と波
長８００ｎｍのピーク強度（ＩIR）とのピーク強度比
（ＩB ／ＩIR）が５．０になり、高輝度の青色発光を実
現できることがわかる。これに対し、Ｓ／Ｏ＝１．７の
イットリウムオキシ硫化物を母体とし、Ｔｍを０．２原
子％含有した組成を有する発光層を備えた参照例１の青
色ＥＬ素子は前記ピーク強度比（ＩB ／ＩIR）が０．４
と青色の発光効率が低くなる。
【００１６】また、図２および従来の青色ＥＬ素子のス
ペクトルを示す既述した図５から本実施例１の青色ＥＬ
素子は、波長４６０ｎｍのピークを有し、従来の青色Ｅ
Ｌ素子が波長約４８０ｎｍのピークを有する場合に比べ
て純青色の波長（４３０ｎｍ）側にシフトしていること
がわかる。
ペクトルを示す既述した図５から本実施例１の青色ＥＬ
素子は、波長４６０ｎｍのピークを有し、従来の青色Ｅ
Ｌ素子が波長約４８０ｎｍのピークを有する場合に比べ
て純青色の波長（４３０ｎｍ）側にシフトしていること
がわかる。
【００１７】実施例２ Ｙ2 Ｓ3 ：Ｔｍからなるターゲットを用い、アルゴンと
酸素の混合ガス雰囲気中でＲＦマグネトロンスパッタに
より成膜する際、前記アルゴンと酸素の混合ガスの比率
を調節することによりＳ／Ｏ＝０．７のイットリウムオ
キシ硫化物を母体とし、Ｔｍを０．２原子％含有させた
組成を有する発光層を備える以外、実施例１と同様で図
１に示す構造の青色ＥＬ素子を作製した。
酸素の混合ガス雰囲気中でＲＦマグネトロンスパッタに
より成膜する際、前記アルゴンと酸素の混合ガスの比率
を調節することによりＳ／Ｏ＝０．７のイットリウムオ
キシ硫化物を母体とし、Ｔｍを０．２原子％含有させた
組成を有する発光層を備える以外、実施例１と同様で図
１に示す構造の青色ＥＬ素子を作製した。
【００１８】実施例２の青色ＥＬ素子について、駆動条
件として高周波電源９から透明電極２と背面電極８に周
波数５ｋＨｚ、１８０ＶO-P の交流電圧を印加し、発光
スペクトルを測定した。その結果を図４に示す。
件として高周波電源９から透明電極２と背面電極８に周
波数５ｋＨｚ、１８０ＶO-P の交流電圧を印加し、発光
スペクトルを測定した。その結果を図４に示す。
【００１９】図４から明らかなようにＳ／Ｏ＝０．７の
イットリウムオキシ硫化物を母体とし、Ｔｍを０．２原
子％含有した組成を有する発光層を備えた実施例２の青
色ＥＬ素子は、波長８００ｎｍのピーク強度（ＩIR）が
ほとんどゼロになるため、前記ピーク強度比（ＩB ／Ｉ
IR）が無限大になり、より一層高輝度の青色発光を実現
できることがわかる。
イットリウムオキシ硫化物を母体とし、Ｔｍを０．２原
子％含有した組成を有する発光層を備えた実施例２の青
色ＥＬ素子は、波長８００ｎｍのピーク強度（ＩIR）が
ほとんどゼロになるため、前記ピーク強度比（ＩB ／Ｉ
IR）が無限大になり、より一層高輝度の青色発光を実現
できることがわかる。
【００２０】なお、前記実施例では発光層の母体として
イットリウムオキシ硫化物を用いたが、ランタンオキシ
硫化物またはガドリウムオキシ硫化物を用いても実施例
１とほぼ同様な結果を得ることが可能である。
イットリウムオキシ硫化物を用いたが、ランタンオキシ
硫化物またはガドリウムオキシ硫化物を用いても実施例
１とほぼ同様な結果を得ることが可能である。
【００２１】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によればＴ
ｍ3+のＥＬスペクトルにおいて赤外の発光を減少させて
青色ＥＬ効率を高めることができ、ひいてはフルカラー
ＥＬ表示装置に必要な薄膜型青色ＥＬ素子を提供でき
る。
ｍ3+のＥＬスペクトルにおいて赤外の発光を減少させて
青色ＥＬ効率を高めることができ、ひいてはフルカラー
ＥＬ表示装置に必要な薄膜型青色ＥＬ素子を提供でき
る。
【図１】本発明の実施例１における薄膜型青色ＥＬ素子
を示す断面図。
を示す断面図。
【図２】実施例１の薄膜型青色ＥＬ素子の発光スペクト
ル図。
ル図。
【図３】参照例１の薄膜型青色ＥＬ素子の発光スペクト
ル図。
ル図。
【図４】実施例２の薄膜型青色ＥＬ素子の発光スペクト
ル図。
ル図。
【図５】従来の薄膜型青色ＥＬ素子の発光スペクトル
図。
図。
１…ガラス基板、２…透明電極、３、７…誘電体層、
４、６…半導体層、５…発光層。
４、６…半導体層、５…発光層。
Claims (4)
- 【請求項１】 ツリウムを青色発光中心とする発光層の
片面もしくは両面に誘電体層を有する薄膜型エレクトロ
ルミネッセンス素子において、 常温で波長４６０±１０ｎｍのピークおよび波長８００
±１０ｎｍのピークのスペクトルを有し、かつ前記波長
４６０±１０ｎｍのピーク強度（ＩB ）と波長８００±
１０ｎｍのピーク強度（ＩIR）とのピーク強度比（ＩB
／ＩIR）が１．０以上であるエレクトロルミネッセンス
が発生することを特徴とする薄膜型青色エレクトロルミ
ネッセンス素子。 - 【請求項２】 前記発光層は、母体がイットリウム、ラ
ンタンおよびガドリウムから選ばれるいずれか一つの元
素のオキシ硫化物からなり、かつ硫黄（Ｓ）と酸素
（Ｏ）との原子数比（Ｓ／Ｏ）が０．５〜１．５である
ことを特徴とする請求項１記載の薄膜型青色エレクトロ
ルミネッセンス素子。 - 【請求項３】 前記発光層と前記誘電体層との間には、
II−VI族の半導体層が介在されていることを特徴とする
請求項１記載の薄膜型青色エレクトロルミネッセンス素
子。 - 【請求項４】 ツリウムを青色発光中心とし、母体が硫
黄（Ｓ）と酸素（Ｏ）との原子数比（Ｓ／Ｏ）が０．７
〜１．０のイットリウムオキシ硫化物からなる発光層
と、 前記発光層の片面もしくは両面に形成された誘電体層
と、 前記発光層と前記誘電体層との間に介在されたＺｎＳか
らなる半導体層とを具備したことを特徴とする薄膜型青
色エレクトロルミネッセンス素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6134507A JPH088063A (ja) | 1994-06-16 | 1994-06-16 | 薄膜型青色エレクトロルミネッセンス素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6134507A JPH088063A (ja) | 1994-06-16 | 1994-06-16 | 薄膜型青色エレクトロルミネッセンス素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH088063A true JPH088063A (ja) | 1996-01-12 |
Family
ID=15129944
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6134507A Pending JPH088063A (ja) | 1994-06-16 | 1994-06-16 | 薄膜型青色エレクトロルミネッセンス素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH088063A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8829515B2 (en) | 2012-05-16 | 2014-09-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Transistor having sulfur-doped zinc oxynitride channel layer and method of manufacturing the same |
| US9312391B2 (en) | 2013-03-27 | 2016-04-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Solution composition for forming oxide semiconductor, and oxide semiconductor and electronic device including the same |
-
1994
- 1994-06-16 JP JP6134507A patent/JPH088063A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8829515B2 (en) | 2012-05-16 | 2014-09-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Transistor having sulfur-doped zinc oxynitride channel layer and method of manufacturing the same |
| US9312391B2 (en) | 2013-03-27 | 2016-04-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Solution composition for forming oxide semiconductor, and oxide semiconductor and electronic device including the same |
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