WO2004065510A1 - 粘着シート、半導体ウエハの表面保護方法およびワークの加工方法 - Google Patents

粘着シート、半導体ウエハの表面保護方法およびワークの加工方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2004065510A1
WO2004065510A1 PCT/JP2004/000450 JP2004000450W WO2004065510A1 WO 2004065510 A1 WO2004065510 A1 WO 2004065510A1 JP 2004000450 W JP2004000450 W JP 2004000450W WO 2004065510 A1 WO2004065510 A1 WO 2004065510A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
adhesive sheet
sensitive adhesive
semiconductor wafer
pressure
film
Prior art date
Application number
PCT/JP2004/000450
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Katsuhiko Horigome
Tatsuya Izumi
Kazuhiro Takahashi
Original Assignee
Lintec Corporation
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lintec Corporation filed Critical Lintec Corporation
Priority to JP2005508098A priority Critical patent/JP4804921B2/ja
Priority to US10/542,423 priority patent/US20060134406A1/en
Priority to DE602004013920T priority patent/DE602004013920D1/de
Priority to EP04703878A priority patent/EP1589085B1/en
Publication of WO2004065510A1 publication Critical patent/WO2004065510A1/ja

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/29—Laminated material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C09J7/35—Heat-activated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/10—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive tape or sheet
    • C09J2301/16—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive tape or sheet by the structure of the carrier layer
    • C09J2301/162—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive tape or sheet by the structure of the carrier layer the carrier being a laminate constituted by plastic layers only
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/30—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier
    • C09J2301/302—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier the adhesive being pressure-sensitive, i.e. tacky at temperatures inferior to 30°C
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/19—Delaminating means
    • Y10T156/1911—Heating or cooling delaminating means [e.g., melting means, freezing means, etc.]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/28—Web or sheet containing structurally defined element or component and having an adhesive outermost layer

Abstract

本発明は、加熱処理または発熱を伴う処理を含む加工プロセスに適用されても、他の装置等に密着することがない粘着シートが提供することを目的としている。特に、本発明は、回路面の保護機能やエキスパンド性などの特性を付与して、表面保護シートやダイシングシートあるいはピックアップシートとして使用可能な、従来にない高温耐熱性を備えた半導体ウエハ加工用の粘着シートを提供すること目的としている。本発明に係る粘着シートは、第１の硬化性樹脂を製膜・硬化して得られた基材と、その上に第２の硬化性樹脂が塗布形成され硬化したトップコート層およびその反対面に形成された粘着剤層とからなることを特徴としている。

Description

明 細 書 粘着シート、半導体ウェハの表面保護方法およびワークの加工方法 技術分野
本発明は粘着シートに関し、特に半導体ウェハ等に対する表面保護シート、ダイ シングシートあるいはピックアップシートとして使用でき、半導体ウェハに貼付後、 加熱処理または発熱を伴う処理を含む加工プロセスの実施に好ましく適用される粘 着シートに関する。 背景技術
半導体装置の製造工程においては、表面保護シートやダイシングシートな どの粘着シートを用いて裏面研削工程やダイシング工程を行つている。従来、 半導体ウェハに粘着シートが貼付されている状態では、洗浄水を利用して加 ェ時に温度が上がらないようにしているため、これらの用途に用いられる粘着 シートには耐熱性は特に必要とされていなかった。
ところで近時、半導体ウェハの両面に回路を形成し、それによつて集積率を向上 することが検討されている。この場合、裏面研削終了後に、ウェハを表面保護シー ト上に保持した状態で、ウェハの研削面において回路形成等の加工を施す。回路 形成には、エッチングなどの加熱を伴う各種の処理が行なわれる。このため、表面 保護シートにも熱が加えられることになる。
しかし、軟質基材を用いるような従来の表面保護シートでは、加熱により基材が 融解または軟化し、エッチング装置の保持部に基材が密着することがあった。
このため、加熱によっても基材が他の装置に密着することがなレ、、表面保護シー トが求められる。
このような加熱による密着という不具合を解消するため、ポリエチレンテレフタレ ートゃポリエチレンナフタレ一トのように高融点で硬質のフィルムを用いることが提 案されるが、このような硬質のフィルムでは、回路面の保護性能に劣る。さらに、こ のような高融点のフィルムであっても、加熱による収縮が起こり、加工後のウェハに 反りが発生してしまうことがあった。
また、半導体ウェハの裏面研削の後、ウェハの裏面や回路面に絶縁膜ゃ異方 導電接着剤層など、種々の機能性を有する膜を形成することも考えられるようにな つてきた。このような機能性を有する膜は、加熱接着性のフィルムからなる機能性膜 を加熱圧着によりウェハに形成する方式がとられる。この際、ウェハの厚みが薄く加 圧により破損しやすくなつている場合には、ウェハの反対面に表面保護シートゃダ イシングシートなどの粘着シートが貼付され、ウェハが補強された状態で膜の形成 を行うことが考えられる。
しかし、半導体ウェハを高温下で加工する際に使用するための粘着シートは、現 在まで知られていない。本発明者らは、鋭意検討の結果、粘着シートに使用される 基材をポリオレフイン等の熱可塑性フィルムではなぐ高度に架橋されたフィルムを 使用することにより、耐熱性が向上することを見いだした。このような粘着シートの構 成は、例えば本出願人より特開平 9— 253964号公報、特開平 10— 337823号公 報、特開 2002— 141306号公報に開示されてレヽる。
ところ力 これらの粘着シートであっても、回路面の保護性やエキスパンド性を付 与するために基材を軟質に調整すると、加熱されたテーブル（ウェハ保持部）に熱 密着するという問題が残った。
本発明は、上記のような従来技術に鑑みてなされたものであって、加熱処理また は発熱を伴う処理を含む加工プロセスに適用されても、他の装置等に密着すること 力 い粘着シートが提供することを目的としている。し力も回路面の保護機能ゃェ キスパンド性などの特性を付与して、表面保護シート、ダイシングシートあるいはピ ックアップシートとして使用可能な、従来にない高温耐熱性を備えた半導体ウェハ 加工用等の粘着シートを提供することを目的としている。 発明の開示
本発明に係る粘着シートは、第 1の硬化性樹脂を製膜'硬化して得られた 基材と、その上に第 2の硬化性樹脂が塗布形成され硬化したトップコート層 およびその反対面に形成された粘着剤層とからなることを特徴としている。 上記粘着シートにおいて、トップコート層を形成する硬化後の樹脂力 50 〜200°Cにおける DSC測定において、 0. lJZg以上のピークを有しないこと が好ましい。
また、上記基材のヤング率が 50〜5000MPaであることが好ましい。
本発明に係る半導体ウェハの表面保護方法は、上記粘着シートを、表面 に回路が形成された半導体ウェハの回路面に貼付し、半導体ウェハの裏面 を研削することを特徴としている。
本発明の半導体ウェハの表面保護方法においては、 粘着シートが貼 付された半導体ウェハに対し、 半導体ウェハを研削する前または後で 加熱処理または発熱を伴う処理を行うことができる。
ここで、 加熱処理としては、 たとえば、 半導体ウェハの研削面に熱 接着性フィルムを熱圧着する処理があげられる。 また、 発熱を伴う処 理としては、 たとえば、 半導体ウェハの研削面に対して施される真空 蒸着、 スパッタリング、 プラズマエッチングから選択される処理があ げられる。
本発明に係るワークの加工方法は、 上記粘着シートによってワーク を固定し、 ワークをピックアップすることを特徴としている。
また、 ここで、 粘着シートが貼付されたワークに対し、 加熱処理ま たは発熱を伴う処理を行つた後、 ワークをピックアップしてもよい。 特に、 本発明によれば、 粘着シートに固定されたワークに対し、 熱 接着性フィルムを熱圧着し、 熱接着性フィルムとともにワークをダイ シングした後、 ダイシングされたワークをピックアップし、 熱接着性 フィルムを介して基板に熱接着するワークの加工方法が可能になる。 発明を実施するための最良の形態 以下、 本発明についてさらに具体的に説明する。
本発明に係る粘着シートは、 基材と、 その上に形成されたトップコ ート層およびその反対面に形成された粘着剤層とからなる。 以下、 基 材、 トップコート層および粘着剤層について具体的に説明する。
(基材) 基材としては、後述する第 1の硬化性樹脂を製膜 ·硬化して得られたフィノレ ムよりなり、そのヤング'率力 50〜5000MPa、好ましく ίま 60〜400〇MPa、特 に好ましくは 80〜 3000MP aのものが用いられる。また、基材の厚みは特に は限定されないが、好ましくは 1〜： L 000 ^ m、さらに好ましくは 10〜800 μ m、 特に好ましくは 20〜500 μ πι程度である。
基材の原材料となる第 1の硬化性樹脂としては、エネルギー線硬化型樹脂、 熱硬化型樹脂等が用いられ、好ましくはエネルギー線硬化型樹脂が用いら れる。基材が硬化性樹脂を使用して硬化がされていれば、基材は加熱溶融 など温度による形態変化が起こりにくくなり、耐熱性が向上する。
エネルギー線硬化型樹脂としては、たとえば、エネルギー線重合性のウレタ ンアタリレート系オリゴマーを主剤とした樹脂組成物が好ましく用いられる。本 発明で好ましく用いられるウレタンアタリレート系オリゴマーの分子量は、 100 0〜50000、さらに好ましくは 2000〜30000の範囲にある。上記のウレタン アタリレート系オリゴマーは一種単独で、または二以上を組み合わせて用いる ことができる。
上記のようなウレタンアタリレート系オリゴマーのみでは、成膜が困難な場合 が多いため、通常は、エネルギー線重合性のモノマーで希釈して成膜した後、 これを硬化してフィルムを得る。エネルギー線重合性モノマーは、分子内にェ ネルギ一線重合性の二重結合を有し、特に本発明では、イソボルニル（メタ) アタリレート、ジシクロペンテニル（メタ）アタリレート、フエニルヒドロキシプロピル ァクリレート等の比較的嵩高い基を有するアクリルエステル系化合物が好まし く用いられる。
上記エネルギー線重合性モノマーは、ウレタンアタリレート系オリゴマー 100 重量部に対して、好ましくは 5〜900重量部、さらに好ましくは 10〜500重量 部、特に好ましくは 30〜200重量部の割合で用いられる。
基材を、上記のエネルギー線硬化型樹脂から形成する場合には、該樹脂 に光重合開始剤を混入することにより、エネルギー線照射による重合硬化時 間ならびに照射量を少なくすることができる。
光重合開始剤の使用量は、樹脂の合計 100重量部に対して、好ましくは 0. 05〜1 5重量部、さらに好ましくは 0. 1〜： L 0重量部、特に好ましくは 0. 5·〜5 重量部である。
上記のような硬化性樹脂は、オリゴマーまたはモノマーを前述のヤング率と なるよう種々の組み合わせの配合より選択することができる。
また、上述の樹脂中に、炭酸カルシウム、シリカ、雲母などの無機フィラー、 鉄、鉛等の金属フィラー、顔料や染料等の着色剤等の添加物が含有されて いてもよい。
基材の成膜方法としては、第 1の硬化性樹脂を液状状態で工程フィルム上 に薄膜状にキャストした後に、これを所定の手段によりフィルム化し、工程フィ ルムを除去することで基材を製造できる。このような製法によれば、成膜時に 樹脂にかかる応力が少な 経時あるいは加熱による寸法変化が起こりにくく なる。また、固形の不純物を取り除きやすいので、製膜したフィルムはフイツシ ュアイの形成が少なくなり、これにより、膜厚の均一性が向上し、厚み精度は 通常 2%以内になる。
さらに、基材の両面、すなわちトップコート層が形成される面および粘着剤 層が設けられる面には、これらの層との密着性を向上するために、コロナ処理 を施したりプライマー処理等の他の層を設けてもよい。
上記のような原材料及び方法により製膜されたフィルムは、応力緩和性に 優れた性質を示す場合がある。応力緩和性に優れたフィルムを粘着シートの 基材として使用した場合は、被着体に貼付した際に発生する残留応力が速 やかに解消でき、その後の加工に悪影響を及ぼさない。従って、極薄に研削 加工を施す半導体ウェハの保護用に粘着シートを使用した場合は、応力緩 和により半導体ウェハに反りを発生させない。
基材の応力緩和性は、具体的には引張試験における 10 %伸長時の 1分 後における応力緩和率で示され、好ましくは 40 %以上、さらに好ましくは 5
0 %以上、特に好ましくは 60%以上を示すものである。基材の応力緩和率は 高いほど好まし その上限は、理論的に 100%であり、場合によっては 99.
9%、 99%あるいは 95%であってもよい。
(トップコート層） トップコート層は、基材の片面に被覆され、基材の耐熱性をさらに向上させ る。トップコート層は、第 2の硬化性樹脂を製膜、硬化して得られる。
このトップコート層の硬化後の 50〜200°Cにおける DS C (示差走査熱量） 測定において、 0. lJZg 以上のピークを有しないことが好ましレ、。 DSC測定 でピークがある（発熱または吸熱が起きる）場合は、加熱によりトップコート層 が変形しやすくなり、接触面積が増大してヒータープレート等に密着してしまう おそれが出てくる。
また、トップコート層の表面が粗面であれば、ヒータープレートとの接触面積 を減らすことができ、加熱時の密着をさらに抑制できるので好ましレ、。トップコ ート層の表面粗さ Rz は、好ましくは、 0. 05〜：！ . Ο μ ιηであり、さらに好ましく は 0. 1〜0. 5 mである。トップコート層が粗すぎれば滑りやすくなるため、各 種ウェハ加工での作業性が悪くなるおそれがある。
このようなトップコート層を形成する第 2の硬化性樹脂としては、基材に使用 する第 1の硬化性樹脂と同様に、エネルギー線硬化型樹脂、熱硬化型樹脂 等が用いられ、好ましくはエネルギ一線硬化型樹脂が用いられる。 第 2の硬 化性樹脂は、第 1の硬化性樹脂よりも硬化後の架橋密度が高くなるように選 択することが好ましレ、。このようにすることにより、 DSC測定で発熱または吸熱 が起きにくくなる。
第 2の硬化性樹脂をエネルギー線硬化型樹脂とする場合、低分子量で多 官能のエネルギー線硬化性化合物を成分中に含まれる率を多くすることが 好ましレ、。このようなエネルギー線硬化性化合物としては、たとえば、トリメチロ 一ノレプロノ ントリアタリレート、ペンタエリスリトーノレトリアタリレート、ペンタエリス リトーノレテトラアタリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタァクリレー ト、ジペンタエリスリトールへキサアタリレートなどが用いられる。
第 2の硬化性樹脂を低分子量で多官能のエネルギー線硬化性化合物で 構成すると基材との密着性が低下する場合がある。基材との密着を向上させ るため、第 2の硬化性樹脂の成分中にバインダー成分を添加してもよレ、。バイ ンダ一成分を使用すると、バインダー中のポリマーに起因して、 D S C測定で 発熱または吸熱が起きる可能性がある。しかし、バインダー成分とエネルギー 線硬化性化合物が充分に相溶していれば、硬化後ではバインダー成分のミ クロ分子運動が抑制され、発熱または吸熱の量は少なくすることができ、ヒー タープレート等との密着を抑えることができる。このようなバインダー成分として は、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂、ポリアミド樹脂等が挙げら れる。
また、第 2の硬化性樹脂は側鎖にエネルギー線硬化性の官能基を有する ポリマーであってもよい。このようなポリマーを第 2の硬化性樹脂として使用す れば、架橋密度を下げることなく基材との密着性を向上させることができる。こ のようなポリマーとしては、例えば、主鎖がアクリルポリマーであり、側鎖にエネ ルギ一線硬化性二重結合やエポキシ基を官能基として有するものが使用で さる。
トップコート層の表面粗さは、添加されるフイラ一の量によって適宜に調整で きる。ここでフイラ一としては、たとえば炭酸カルシウム、シリカ、雲母などの無 機フイラ一、鉄、鉛等の金属フィラーが用いられる。フィラーの量を多くすること で、表面粗さは増加する。添加されるフイラ一の量は、フィラーの種類により 様々であるが、一般的には、硬化性樹脂 100重量部に対して、 0〜200重量 部、さらに好ましくは 5〜100重量部程度が適当である。
前記した基材上に直接、第 2の硬化性樹脂を製膜、硬化することでトップコ 一ト層を形成できる。また、第 2の硬化性樹脂を液状状態で工程フィルム上 に薄膜状にキャストし、さらにその上に第 1の硬化性樹脂をキャストすることに より、トップコート層付きの基材を製膜できる。このときの硬化を行う手順は、そ れぞれの製膜の直後でもよいし、基材の製膜の後一括で行ってもよい。トップ コート層をキャストにより製膜する場合は、その表面粗さは工程フィルム面の 粗さに対しても依存するようになるので、適当な粗さを有する工程フィルムを 選択することが好ましい。
トップコート層の厚みは特には限定されなレ、が、好ましくは 0. 2〜20 μ πι、 特に好ましくは 0. 5〜5 μ ιη程度である。
(粘着剤層）
本発明の粘着シートにおいては、トップコート層が形成された面と反対側の 基材面には、 粘着剤層が形成されている。
粘着剤層は、 汎用の強粘着剤から形成されていてもよく、 またゥェ ハ加工に良く用いられているエネルギー線硬化型粘着剤あるいは汎用 の再剥離粘着剤から形成されていてもよい。 特に本発明では、 ェネル ギ一線硬化型粘着剤で粘着剤層を形成することが好ましい。
このよ うなエネルギー線硬化型粘着剤は、 一般的には、 アク リル系 粘着剤と、 エネルギー線硬化性化合物とを主成分としてなる。
エネルギー線硬化型粘着剤に用いられるエネルギー線硬化性化合物とし ては、たとえば、特開昭 60— 1 96 , 956号公幸 および特開日召 60— 223， 1 39 号公報に開示されているような光照射によって三次元網状化しうる分子内に エネルギー線重合性炭素一炭素二重結合を少なくとも 2個以上有する低分 子量化合物が広く用いられ、具体的には、トリメチロールプロパントリアタリレ ート、ペンタエリスリトーノレトリァクリレート、ペンタエリスリトールテトラァクリレート ジペンタエリスリトーノレモノヒドロキシペンタアタリレート、ジペンタエリスリトーノレ へキサアタリレート、 1 , 4—ブチレングリコールジアタリレート、 1 , 6—へキサン ジオールジァクリレート、ポリエチレングリコールジアタリレート、あるいはオリゴ エステルアタリレート、ウレタンアタリレート等のオリゴマーが用いられる。
エネルギー線硬化型粘着剤中のアクリル系粘着剤とエネルギー線重合性 化合物との配合比は、アクリル系粘着剤 100重量部に対してエネルギー線 重合性化合物は 50〜200重量部の量で用いられることが好ましレ、。この場 合には、得られる粘着シートは初期の接着力が大きく、しかもエネルギー線照 射後には粘着力は大きく低下する。したがって、エネルギー線照射により、粘 着シートを、被着体から容易に剥離できるようになる。
また、エネルギー線硬化型粘着剤層は、側鎖にエネルギー線重合性基を 有するエネルギー線硬化型共重合体から形成されていてもよレ、。このようなェ ネルギ一線硬化型共重合体は、粘着性とエネルギー線硬化性とを兼ね備え る性質を有する。側鎖にエネルギー線重合性基を有するエネルギー線硬化 型共重合体は、たとえば、特開平 5— 32946号公報、特開平 8— 27239号 公報にその詳細が記載されている。 粘着剤層の厚さは、その材質にもよるが、通常は 3〜100 μ ΐτι 程度であり、 好ましくは 10〜50 μ πι程度である。
本発明の粘着シートは、上記の粘着剤をロールコーター、ナイフコーター、 ローノレナイフコーター、リバースコーター、ダイコーターなど一般に公知の塗 ェ機を用いて、基材のトップコート層の反対面に適宜厚さとなるように塗布乾 燥して粘着剤層を形成したり、剥離シートに粘着剤層を形成して基材表面に 転写することによって得られる。
次に、本発明に係るワークの加工方法について、特に半導体ウェハを加工 する場合の、表面保護方法、ダイシング法、ピックアップ方法を例にとって説 明する力 本発明においては、加工対象であるワークは半導体ウェハに限定 されるものではなレ、。たとえば、各種のセラミックや、ガラス、金属等の加工に も本発明は適用される。
(表面保護方法）
本発明に係る粘着シートは、上述したように、基材の一方の面に特定のトツ プコート層が形成されている。このトップコート層は、高い耐熱性を有する。し たがって粘着シートを、熱処理を伴う処理を含むプロセスに適用した場合で あっても、トップコート層を装置等の高温となる部材（エッチングにおける試料 台や、オーブンの底面）に接するように配置すれば、粘着シートがこれらの他 の装置類に密着することがなくなる。
このような粘着シートは、従来適用不能であった加熱処理または発熱を伴 う処理を有する半導体ウェハの加工プロセスにおいても使用が可能となる。 より具体的には、半導体ウェハ用の表面保護シートとして、下記（1)、 (2) のような加工プロセスに好ましく適用できる。
( 1 )半導体ウェハの研削面に対し、プラズマエッチングなどの発熱を伴う処理 での表面保護シート。
半導体ウェハは裏面研削の後、パッケージクラックの要因となる破砕層を除 去するためにプラズマエッチングを行う場合がある。プラズマエッチングを行う 場合は、半導体ウェハは極めて薄く研削される場合が多いので、搬送時の 破損が起きないように表面保護用の粘着シートが貼付されたままプラズマエツ チング装置に送られる。エッチングに際しては、半導体ウェハは、 180°C程度 まで発熱し、粘着シートも加熱される。通常の粘着シートを表面保護シートと して用いたのでは、基材が溶融または軟化して、エッチング装置の試料台に 粘着シートが密着してしまうことがある。しかし、本発明の粘着シートを表面保 護シートとして使用すると、基材もトップコート層も溶融せず、さらにトップコー ト層は軟化しにくいので、エッチング装置の試料台に粘着シートが融着も密 着も起こすことがない。
具体的な加工プロセスとしては、回路が形成された半導体ウェハの回路面 に表面保護用の粘着シートを貼付し、所定の厚みまで研削装置で研削を行 う。粘着シートは剥離せずにプラズマエッチング装置に設置し、研磨面に生 成した破砕層をエッチングして除去する。その後半導体ウェハをプラズマエツ チング装置から取り出し、所定の工程でダイシングし、パッケージングを行い、 半導体装置を製造する。
発熱を伴う処理としては、プラズマエッチングの他に真空蒸着やスパッタリン グなどの物理蒸着法あるいは CVD法による膜形成のためのプロセスがある。 ( 2)熱接着性樹脂フィルムの積層における表面保護シート
ウェハ（最終的にはチップ）に充分な強度を付与し、またモールド樹脂との 密着性を向上するために、あるいはリードフレームとの接着に使用するために. ウェハ裏面に樹脂フィルムが設けられる場合がある。樹脂フィルムはスピンコ 一ターでウェハに形成するほ力、熱接着性を有するフィルムをウェハにヒータ 一ローラー等で熱圧着することにより積層することができる。熱接着性の樹脂 フイノレムは、例えば耐熱性を有する熱可塑性ポリイミドなどが用いられるため、 その熱圧着条件には 1 80°C程度の加熱が施される。熱圧着の際、固定テー プル面に接する回路面は表面保護用の粘着シートが貼付され保護される。 通常の粘着シートを表面保護シートとして用いたのでは、基材が溶融または 軟化して、固定テーブルに粘着シートが密着してしまうことがある。しかし、本 発明の粘着シートを表面保護シートとして使用すると、基材もトップコート層も 溶融せず、さらにトップコート層は軟化しにくいので、固定テーブルに粘着シ 一トが融着も密着も起こすことがない。 具体的な加工プロセスとしては、回路が形成された半導体ウェハの回路面 に表面保護用の粘着シートを貼付し、所定の厚みまで研削装置で研削を行 う。粘着シートは剥離せず加熱処理の可能なラミネーターに搭載し、所望の 熱接着性樹脂フィルムを半導体ウェハの所望の箇所に加熱圧着する。その 後半導体ウェハをラミネーターから取り出し、所定の工程でダイシングし、パッ ケージングを行い、半導体装置を製造する。
(ダイシング方法、ピックアップ方法）
さらに、本発明の粘着シートは、ダイシングシートまたはピックアップシートと して下記のような加工プロセス（3)、 （4)にも好ましく適用できる。
( 3 )異方導電性接着フィルムの形成プロセスにおけるダイシングシート。
半導体チップをフリップチップボンド方式でチップ用基板に搭載する際、チ ップと基板との導通を異方導電性接着フィルムで行う方法がある。このような 場合、基板側に異方導電膜を形成していてもよいが、ウェハ側に設けておけ ば、異方導電接着フィルムをチップサイズに切断することが、ダイシング工程 でのチップダイシングと同時にできるため好ましい。
ウェハの厚さが薄い場合はウェハが破損しないように、ウェハの裏面研削 の後ダイシングシートが研削面に貼付されてから、保護シートがウェハ回路面 力 ら剥離される。異方導電性接着フィルムは、ダイシングシートが貼付された 状態でウェハ回路面に形成される。異方導電性接着フィルムをウェハ回路 面に形成する際は、回路面の凹凸との界面に空気溜まり（ボイド）が生成する ことがないように、加熱により凹凸に追従するようにして圧着する。加熱圧着 の際、ダイシングシート側が加熱テーブルに接するため、従来のダイシングシ ートでは、基材が溶融または軟化して、加熱テーブルに粘着シートが密着し てしまうことがある。
し力 し、本発明の粘着シートをダイシングシートとして使用した場合は、基 材もトップコート層も溶融せず、さらにトップコート層は軟化しにくいので、加熱 テーブルに粘着シートが融着も密着も起こすことがない。
具体的な加工プロセスとしては、半導体ウェハの回路面に表面保護用粘 着シートを貼付して裏面側を所定の厚みまで研削し、研削面側にダイシング 用の粘着シートを貼付する。ウェハの回路面側から表面保護用粘着シートを 剥離し、この状態で加熱処理の可能なラミネーターに搭載し、異方導電性接 着フィルムをウェハの回路面に加熱圧着する。その後半導体ウェハをラミネ 一ターから取り出し、異方導電性接着フィルムとともにウェハをダイシングしチ ップ化する。この異方導電性接着フィルムを介してチップを基板にフリツプチ ップボンドを行レ、、さらにパッケージングを行って半導体装置を製造する。
なお、本発明においては異方導電接着性フィルムに限らず、絶縁性の加 熱接着性フィルムを設ける際の工程に使用可能である。この場合は、フリップ チップボンドを行う際、加熱接着性フィルムを流動化させて、チップと基板の 電極を接触させて導通させる。
( 4 )加熱剥離性シートを用いたウェハ（チップ）の転写プロセスにおけるダイシ ングシート（ピックアップシート）。
半導体ウェハを極薄にまで研削する際には、ガラスのような硬質板にゥェ ハを固定することで、厚み精度が向上し、破損が防止できる。この際、通常は 両面粘着シートにより、ウェハを硬質板上に固定された状態にする。研削終 了後に、ウェハを硬質板から剥離することを容易にするため、両面粘着シート として、加熱変形性の粘着シートが用いられる。加熱変形性粘着シートとは、 基材の熱収縮性を利用して加熱により粘着シートを変形させてウェハとの接 着面積を低下してウェハの剥離を容易にするもの（例えば、リンテック社製 Adw i l l シリーズ）や、粘着剤層として加熱膨張型粘着剤を用いた両面粘 着シート（例えば、 日東電工社製リバアルファ）で、加熱によって粘着剤層を 膨張させることで、ウェハとの接着面積を低下してウェハの剥離を容易にする ものなど種々考案されている。
硬質板からウェハを直接剥離するとウェハが破損する可能性が大きいため、 硬質板から剥離する前に、次工程で使用するダイシングシートを貼付し破損 を防止する方法が考えられている（特開 2001— 217212号公報）。
剥離の際の加熱はオーブン中などで行なわれ、その際にダイシングシート はオープンの底面に接触する。このため、従来の軟質基材を用いたダイシン グシートでは、加熱により基材が融解または軟化し、オーブンの底面に基材 が密着することがあった。
し力し、本発明の粘着シートをダイシングシートとして使用すると、基材もトツ プコート層も溶融せず、さらにトップコート層は軟化しにくいので、オーブンの 底面に粘着シートが融着も密着も起こすことがない。
具体的なプロセスとしては、半導体ウェハを加熱変形性の両面粘着シート を用いてガラス板等の硬質板に貼付固定する。硬質板に固定された状態で、 裏面研削を行い、その後、本発明の粘着シートからなるダイシングシートをゥ ェハ面に貼付する。この状態のウェハをオーブンに投入し加熱すると、両面 粘着シートが変形し、ウェハが両面粘着シートから剥離し、ウェハはダイシン グシートにのみ貼着した状態となる。このウェハをオーブンから取り出し、ダイ シングを行レ、、さらに所定のパッケージングプロセスにより半導体装置が製造 される。
上記の方法においては、硬質板上で裏面研削工程のみを行う加工プロセ スについて説明したが、硬質板上でダイシング工程を裏面研削工程に引き 続いて行ってもよい。この場合、本発明の粘着シートは、ダイシングシートでは なく、ピックアップ工程に専用の粘着シート（ピックアップシート）であってもよレ、。 ピックアップシートとは、チップ化済みのウェハに貼付されチップのピックアツ プの機能に特化した粘着シートをいう。 産業上の利用の可能性
このような本発明によれば、加熱処理または発熱を伴う処理を含む加工プロセ スに適用されても、他の装置等に密着することがない粘着シートが提供される。 しかも回路面の保護機能やエキスパンド性などの特性を付与させることにより、 表面保護シートやダイシングシートあるいはピックアップシートとして用いられ る従来にない高温耐熱性を備えた半導体ウェハ加工用の粘着シートが提供 される。 以下本発明を実施例により説明するが、本発明はこれら実施例に限定さ れるものではない。なお、以下の実施例および比較例では、 「ヤング率」、 「表 面粗さ」、 「応力緩和率」、 「DS Cピーク量」、 「高温密着性」および「ウェハの 反り」についての評価を下記のように行なった。
「ヤング率」
実施例または比較例で作成した粘着シートの基材を、試験速度 200 m m / 分で JIS K— 7127 に準拠して測定した。
「表面粗さ」
実施例または比較例で作成した粘着シートのトップコート層の面を、 J I S B 0601に準じて、平均粗さ（Rz)を測定した。なお、比較例 1及び比較例 3は、 基材面を測定した。
「応力緩和率」
実施例および比較例で作成した基材とトップコート層との積層体を幅 1 5 mm,長さ 100mmに切り出し試験片を得る。この試験片を、オリエンテック社 製 TENSILON RTA- 100を用いて速度 200mm/minで引っ張り、 10%伸 張時の応力 Aと、伸張停止の 1分後の応力 Bとから（A— 8)ノ 100 ( % ) により算出する。
「DS Cピーク量」
実施例または比較例 2で作成した粘着シートのトップコート層のコート剤と同 じ配合を乾燥し紫外線硬化して、 DSC測定用のサンプルを作成した。約 10 mgのサンプルを示差走査熱量計（Perkin Elmei'社製 Pyris 1)を用いて、 昇温速度 l CTCZminで常温から 220°Cまで測定した。 50〜200°Cに現れる 最大の吸熱または発熱のエネルギー量を DSCピーク量とした。
「高温密着性」
実施例または比較例の粘着シート（ 50mmx5 Omm)のトップコート層側を、 鏡面処理した SUS板に戴置し、重量 100gの荷重を加えた状態で 180°Cの ホットプレート上に 5分間搭載し加熱した。 1時間室温に冷却した後 SUS板を ひっくり返し粘着シートが自然落下したものを密着無しとし、 自然落下できな 力つたものを密着有りとした。なお、比較例 1及び比較例 3は、粘着シートの 基材側を SUS板に戴置した。
「ウェハの反り」 実施例および比較例で作成した粘着シートを 200mm径、厚さ 725 i mの Siウェハに貼付し、 100 μ ιηまで研削した。続いて、粘着シート面を 180。Cの ホットプレート上に 5分間戴置し、ウェハを加熱した。粘着シートを除去しない でウェハを 1時間室温で冷却し、ウェハ定盤上に粘着シート面を上にして乗 せ、ウェハを静置した。ウェハ定盤の上面高さをゼロ地点とし、 17 力所の測 定ポイントでのウェハの高さを測定し、測定値の最大値と最小値の差を反り 量とした。
実施例 1
1- 1) トップコート層を形成するための紫外線硬化型の塗布剤として以下 の配合のものを用いた。
-ウレタンアタリレートオリゴマー（分子量（Mw)約 1000)： 50重量部
'ジペンタエリスリトールへキサアタリレート： 50重量部
'光開始剤（チバスペシャルティケミカルズ社製、ィルガキュア 184)： 4. 0重 量部
'シリカフィラー（日産化学工業社製、スノーテックス UP)： 30重量部
上記塗布剤を、シリコーン樹脂で剥離処理された厚さ 38 μ πι のポリエチレ ンテレフタレートフィルム（以下 PETフィルムという）からなる工程フィルム（リン テック社製、 SP-PET38E)にマイヤーバーを用いて塗布し、紫外線照射 (250mJ/cm2)により硬化して、工程フィルム上に厚み 2 μ m のトップコート層 のみの皮膜を形成させた。
1-2) 続いて、基材を形成するための塗布剤として以下の配合のものを用 いた。
'ウレタンアタリレートオリゴマー（分子量（Mw)約 5000) : 50重量部
'イソボルニルアタリレート： 50重量部
.光開始剤（ィルガキュア 184) 2. 0重量部
この塗布剤を 1-1)で作成した工程フィルム上のトップコート層の上にファゥ ンテンダイコーターを用いて塗布し、紫外線照射（ 250mJ/cm2)により硬化し て、トップコート層上に厚み 157 μ πιの硬化皮膜よりなる基材を形成した。 1-3) 次に、粘着剤層用の塗布剤として次の配合の紫外線硬化型粘着剤 を用いた。
•n—ブチノレアタリレート 6 2重量部、メチノレメタタリレート 1 0重量咅、 2—ヒドロ キシェチルアタリレート 28重量部からなる共重合体（重量平均分子量約 50 0， 000) 100重量部と、メタクリロイノレ才キシェチノレイソシァネート 30重量部 の付加物 100重量部
'ビス（2 , 4 , 6—トリメチルベンゾィル）フエニルフォスフィンォキシドからなる 光重合開始剤 0. 3重量部
'トリレンジイソシアナートとトリメチロールプロパンの付加物からなる架橋剤 0. 3重量部
この塗布剤を、シリコーン樹脂で剥離処理された厚さ 38 μ πι の PETフィ ルムからなる剥離フィルム（リンテック社製、 SP-PET3811 (S) )に塗布乾燥 し、 1-2)で作成した基材のトップコートの未塗工面に転写して粘着剤層の 厚み 20 μ πι を有する、半導体ウェハの回路面保護用の粘着シートを作成 した。
この粘着シートにおける「ヤング率」、 「表面粗さ」、 「応力緩和率」「D S Cピ ーク量」および「高温密着性」を表 1に示す。また、この粘着シートを使用して シリコンウェハを研削し、 「ウェハの反り」を測定した。結果を表 1に示す。
前述の方法で得たシリコンウェハの粘着テープのトップコート層面を加熱テ 一ブル上に戴置し、シリコンウェハの研削面に熱接着性の樹脂フィルム（リン テック社製、 Adwill LP- 3)を 180°Cで熱圧着を行った。室温に冷却した後で も、粘着シートは加熱テーブルに密着せず、シリコンウェハには反りは発生し なかった。また、別途同様に研削を行ったシリコンウェハの研削面に対し、ス ノ ッタリングにより金 (Au)膜を形成したが何ら問題は発生しなかった。
実施例 2
実施例 1で使用したトップコート層に代えて荒川化学社製、ビームセット 37 3A (紫外線硬化性の官能基を有するアクリル系ポリマーよりなるコート剤、固 形分中にシリカフィラーを 20重量％を有する）を使用した以外は、実施例 1と 同様にして粘着シートを作成した。結果を表 1に示す。
また、実施例 1と同様に熱接着性の樹脂フィルムの熱圧着とスパッタリング による Au 膜の形成を行ったが、いずれの場合も何の問題の発生はなかつ た。
比較例 1
実施例 1において、トップコート層を形成しなかった以外は実施例 1と同様 にして粘着シートを作成した。
この粘着シートにおける「ヤング率」、 「表面粗さ」、 「応力緩和率」および「高 温密着性」を表 1に示す。また、この粘着シートを使用してシリコンウェハを研 削し、 「ウェハの反り」を測定した。結果を表 1に示す。
また、実施例 1と同様に熱接着性の樹脂フィルムの熱圧着とスパッタリング による Au膜の形成を行った。いずれもの場合もウェハの反りは発生しなかつ たが、テーブル上に粘着シートが密着し、剥離が困難であった。
比較例 2
実施例 1において、トップコート層用の塗布剤を、非架橋性のポリスチレン 系熱可塑性エラストマ一 100重量部（フイラ一無添加）を溶媒希釈したものに 変更した以外は、実施例 1と同様にして粘着シートを作成した。
この粘着シートにおける「ヤング率」、 「表面粗さ」、 「応力緩和率」「DS Cピ ーク量」および「高温密着性」を表 1に示す。また、この粘着シートを使用して シリコンウェハを研削し、「ウェハの反り」を測定した。結果を表 1に示す。 また、実施例 1と同様に熱接着性の樹脂フィルムの熱圧着とスパッタリング による Au膜の形成を行った。いずれもの場合もウェハの反りは発生しなかつ た力 S、テーブル上に粘着シ一トが密着し、剥離が困難であった。
比較例 3
実施例 1において、基材を厚み 188 z mの熱可塑性のポリエチレンテレフタ レートフィルムに変更し、トップコート層を設けなかった以外は、実施例 1と同 様にして粘着シートを作成した。
この粘着シートにおける「ヤング率」、「表面粗さ」、「応力緩和率」および「高 温密着性」を表 1に示す。また、この粘着シートを使用してシリコンウェハを研 削し、「ウェハの反り」を測定した。結果を表 1に示す。
また、実施例 1と同様に熱接着性の樹脂フィルムの熱圧着とスパッタリング による Au 膜の形成を行った。いずれもの場合もウェハに反りが発生し、ゥェ ハの一部が破損した。
実施例 3
実施例 1において、基材の厚みを 80 m に変更した以外は実施例 1と同 様にして半導体ウェハダイシング用の粘着シートを作成した。この粘着シート における「ヤング率」、 「表面粗さ」、「応力緩和率」「DSCピーク量」および「高 温密着性」を表 1に示す。
また、この粘着シートを用いて厚さ 200 i mに研削した 200mm径のウェハ をウェハ用のフレームに固定し、ダイシング装置を用いて lOmmxlOmmサイ ズにダイシングした。続いて、粘着シートのトップコート層面を 180°Cのホットプ レート上に 5分間戴置し、ウェハを加熱した。ウェハを 1時間室温で冷却した 後、ホットプレートから取り出し、粘着シートのトップコート層側より粘着剤層に 対して紫外線照射（250mJ/cni2)した。この粘着シートをエキスパンド装置に より 10mm引き伸ばしてチップ間隔を広げ、チップを粘着シート側から針で突 き上げてピックアップを行った。粘着シートがホットプレートに密着することもな く、いずれの工程も問題なく行うことができた。
実施例 4
実施例 1で使用した粘着剤層用の塗布剤を、
.2—ェチルへキシルアタリレート 60重量部、 2—ヒドロキシェチルアタリレート 40重量部からなる共重合体（重量平均分子量約 400， 000) 100重量部と、 2—メタクリロイルォキシェチルイソシァネート 48重量部の付加物 100重量部 'ビス（2, 4, 6—トリメチルベンゾィル）フエニルフォスフィンォキシドからなる 光重合開始剤 0. 2重量部
-トリレンジイソシアナートとトリメチロールプロパンの付加物からなる架橋剤 1 重量部
に変えた紫外線硬化型粘着剤を使用した以外は同様の操作を行って粘着 シートを作成した。結果を表 1に示す。
実施例 5
実施例 2で使用した粘着剤層用の塗布剤を、 00
•n—ブチルアタリレート 90重量部、アクリル酸 10重量部からなる共重合体 (重量平均分子量約 600 , 000) 100重量部
'重量平均分子量 760の 6官能ウレタンアタリレートオリゴマー 120重量部、 'ビス（2, 4 , 6—トリメチルベンゾィル）フエニルフォスフィンォキシドからなる 光重合開始剤 0. 2重量部
'トリレンジイソシアナートとトリメチロールプロパンの付加物からなる架橋剤 1 5重量部
に変えた紫外線硬化型粘着剤を使用した以外は同様の操作を行って粘着 シートを作成した。結果を表 1に示す。
実施例 6
実施例 2で使用した粘着剤層用の塗布剤を、
•n—ブチルアタリレート 84重量部
•メチルメタタリレート 10重量部、
•アクリル酸 1重量部、
· 2—ヒドロキシェチルァクリレート 5重量部、
'トリレンジイソシアナートとトリメチロールプロパンの付加物からなる架橋剤 1
5重量部
に変えた再剥離型粘着剤を使用した以外は同様の操作を行って粘着シート を作成した。結果を表 1に示す。
表 1
基材 トップ 卜層 応力緩和率 ウェハの反り ヤング率 表面粗さ DSCピーク量 rs] 密 7目性
(%) (mm) (MP a) (J/g)
実施例 1 200 0. 1 1 <0. 02 87 密着なし 5 実施例 2 200 0. 15 <0. 02 87 密着なし 5 実施例 3 200 0. 15 <0. 02 87 密着なし ― 比較例 1 200 0. 06 一 87 密着あり 5 比較例 2 200 0. 12 0. 35 87 密着あり 5 比較例 3 4900 0. 04 ― 30 密着なし 15 実施例 4 200 0. 1 1 <0. 02 87 密着なし 5 実施例 5 200 0. 1 5 <0. 02 87 密着なし 5 実施例 6 200 0. 1 5 <0. 02 87 密着なし 5

Claims

請求の範囲
1 . 第 1の硬化性樹脂を製膜 '硬化して得られた基材と、その上に第 2の硬化 性樹脂が塗布形成され硬化したトップコート層およびその反対面に形成された 粘着剤層とからなることを特徴とする粘着シート。
2. トップコート層を形成する硬化後の樹脂が、 50〜200°Cにおける DS C測 定において、 0. U/g 以上のピークを有しないことを特徴とする請求項 1に記 載の粘着シート。
3. 該基材のヤング率が 50〜5000MPaであることを特徴とする請求項 1また は 2に記載の粘着シート。
4. 請求項 1〜3のいずれかの粘着シートを、表面に回路が形成された半導体 ウェハの回路面に貼付し、半導体ウェハの裏面を研削することを特徴とする半 導体ウェハの表面保護方法。
5. 粘着シートが貼付された半導体ウェハに対し、半導体ウェハを研削する前 または後で加熱処理または発熱を伴う処理を行うことを特徴とする請求項 4に 記載の半導体ウェハの表面保護方法。
6. 前記加熱処理が、半導体ウェハの研削面に熱接着性フィルムを熱圧着す る処理であることを特徴とする請求項 5に記載の半導体ウェハの表面保護方 法。
7. 前記発熱を伴う処理が、半導体ウェハの研削面に対して施される真空蒸 着、スパッタリング、プラズマエッチングから選択される処理であることを特徴とす る請求項 5に記載の半導体ウェハの保護方法。
8. 請求項 1〜3のいずれかの粘着シートによってワークを固定し、ワークをピッ クアップすることを特徴とするワークの加工方法。
9. 粘着シートが貼付されたワークに対し、加熱処理または発熱を伴う処理を 行った後、ワークをピックアップすることを特徴とする請求項 8に記載のワークの 加工方法。
10. 粘着シートに固定されたワークに対し、熱接着性フィルムを熱圧着し、熱 接着性フィルムとともにワークをダイシングした後、ダイシングされたワークをピッ クアップし、熱接着性フィルムを介して基板に熱接着することを特徴とする請求 項 9に記載のワークの加工方法。
PCT/JP2004/000450 2003-01-22 2004-01-21 粘着シート、半導体ウエハの表面保護方法およびワークの加工方法 WO2004065510A1 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005508098A JP4804921B2 (ja) 2003-01-22 2004-01-21 粘着シート、半導体ウエハの表面保護方法およびワークの加工方法
US10/542,423 US20060134406A1 (en) 2003-01-22 2004-01-21 Pressure sensitive adhesive sheet, method of protecting semiconductor wafer surface and method of processing work
DE602004013920T DE602004013920D1 (de) 2003-01-22 2004-01-21 Haftfolie, schutzverfahren für halbleiterwaferoberfläche sowie bearbeitungsverfahren
EP04703878A EP1589085B1 (en) 2003-01-22 2004-01-21 Pressure sensitive adhesive sheet, method of protecting semiconductor wafer surface and method of processing work

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003013462 2003-01-22
JP2003-013462 2003-01-22

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2004065510A1 true WO2004065510A1 (ja) 2004-08-05

Family

ID=32767360

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2004/000450 WO2004065510A1 (ja) 2003-01-22 2004-01-21 粘着シート、半導体ウエハの表面保護方法およびワークの加工方法

Country Status (10)

Country Link
US (1) US20060134406A1 (ja)
EP (1) EP1589085B1 (ja)
JP (1) JP4804921B2 (ja)
KR (1) KR100643450B1 (ja)
CN (1) CN100340625C (ja)
DE (1) DE602004013920D1 (ja)
MY (1) MY136815A (ja)
PT (1) PT1589085E (ja)
TW (1) TWI310230B (ja)
WO (1) WO2004065510A1 (ja)

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006066578A (ja) * 2004-08-26 2006-03-09 Nitto Denko Corp クリーニング機能付き搬送部材と基板処理装置のクリーニング方法
JP2007146104A (ja) * 2005-10-25 2007-06-14 Furukawa Electric Co Ltd:The 耐熱性表面保護テープおよび半導体ウェハの加工方法
JP2008047558A (ja) * 2006-08-10 2008-02-28 Nitto Denko Corp 反り抑制ウエハ研削用粘着シート
JP2008143921A (ja) * 2006-12-05 2008-06-26 Furukawa Electric Co Ltd:The 表面保護テープおよびそれを用いた半導体チップの製造方法
WO2008108119A1 (ja) * 2007-03-01 2008-09-12 Nitto Denko Corporation ダイシング・ダイボンドフィルム
JP2010287819A (ja) * 2009-06-15 2010-12-24 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体ウエハ加工用粘着テープおよびその製造方法
JP2011223013A (ja) * 2011-05-27 2011-11-04 Nitto Denko Corp ダイシング・ダイボンドフィルムの製造方法
US8486608B2 (en) * 2005-06-30 2013-07-16 Lg Display Co., Ltd. Printing substrate for liquid crystal display, and manufacturing method thereof
JP2014082498A (ja) * 2013-11-11 2014-05-08 Nitto Denko Corp ダイシング・ダイボンドフィルムの製造方法
WO2014119426A1 (ja) * 2013-01-29 2014-08-07 日東電工株式会社 多層粘着シート
JP5603453B1 (ja) * 2013-04-26 2014-10-08 古河電気工業株式会社 半導体ウェハ保護用粘着テープ
WO2015076127A1 (ja) * 2013-11-22 2015-05-28 リンテック株式会社 ダイシングシート用基材フィルムおよび基材フィルムの製造方法
JP2015156438A (ja) * 2014-02-20 2015-08-27 リンテック株式会社 半導体チップの製造方法
WO2018168403A1 (ja) * 2017-03-14 2018-09-20 リンテック株式会社 バックグラインドテープ用基材

Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4278653B2 (ja) * 2003-03-17 2009-06-17 リンテック株式会社 表面保護用粘着シート及びその製造方法
DE102006032488B4 (de) * 2006-07-13 2008-09-25 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Bearbeitung von Wafern
JP4850625B2 (ja) * 2006-08-22 2012-01-11 日東電工株式会社 レーザ加工用粘着シート
JP2008060151A (ja) * 2006-08-29 2008-03-13 Nitto Denko Corp 半導体ウエハ裏面加工方法、基板裏面加工方法、及び放射線硬化型粘着シート
KR100910672B1 (ko) * 2007-08-03 2009-08-04 도레이새한 주식회사 내열성 점착시트
US20090137097A1 (en) * 2007-11-26 2009-05-28 United Microelectronics Corp. Method for dicing wafer
JP5504412B2 (ja) * 2008-05-09 2014-05-28 株式会社ディスコ ウェーハの製造方法及び製造装置、並びに硬化性樹脂組成物
KR101027858B1 (ko) * 2009-01-13 2011-04-07 도레이첨단소재 주식회사 반도체 박막 웨이퍼 가공용 웨이퍼 서포트 점착필름
US8940122B2 (en) 2010-03-12 2015-01-27 Wrapsol Acquisition, Llc Protective adhesive film, method of adhering protective adhesive film to a device, and device comprising protective adhesive film
JP2012054431A (ja) * 2010-09-01 2012-03-15 Nitto Denko Corp 半導体ウエハ保護用粘着シート
JP6018730B2 (ja) * 2011-03-14 2016-11-02 リンテック株式会社 ダイシングシートおよび半導体チップの製造方法
JP2012229372A (ja) * 2011-04-27 2012-11-22 Nitto Denko Corp 粘着剤組成物及び粘着シート
KR101670523B1 (ko) * 2011-08-31 2016-10-31 주식회사 엘지화학 반도체 웨이퍼 가공용 점착테이프 및 그의 제조방법
US9210819B2 (en) 2011-09-30 2015-12-08 Otter Products, Llc Electronic devices grip products
KR102103169B1 (ko) * 2012-10-05 2020-04-22 린텍 가부시키가이샤 보호막 형성층이 형성된 다이싱 시트 및 칩의 제조 방법
TWI582208B (zh) * 2012-10-19 2017-05-11 Lintec Corp Manufacturing method for adhesive sheet for electronic component processing and semiconductor device
US20140137794A1 (en) * 2012-11-19 2014-05-22 Memc Singapore, Pte. Ltd (Uen200614797D) Method of Preparing A Directional Solidification System Furnace
US8920895B2 (en) * 2013-03-13 2014-12-30 Brady Worldwide, Inc. Pressure-wash resistant label
JP6378533B2 (ja) * 2013-06-01 2018-08-22 日東電工株式会社 熱伝導性粘着シート
JP7285075B2 (ja) * 2016-04-28 2023-06-01 リンテック株式会社 保護膜形成用フィルム及び保護膜形成用複合シート
JP6174767B1 (ja) * 2016-08-12 2017-08-02 トーヨーカネツソリューションズ株式会社 情報定着装置
JP6386696B1 (ja) 2016-10-03 2018-09-05 リンテック株式会社 半導体加工用粘着テープおよび半導体装置の製造方法
JP7139048B2 (ja) 2018-07-06 2022-09-20 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7143023B2 (ja) * 2018-08-06 2022-09-28 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7154698B2 (ja) * 2018-09-06 2022-10-18 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7171134B2 (ja) * 2018-10-17 2022-11-15 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7199786B2 (ja) * 2018-11-06 2023-01-06 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2020077681A (ja) * 2018-11-06 2020-05-21 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7251898B2 (ja) * 2018-12-06 2023-04-04 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
US10841409B2 (en) 2018-12-21 2020-11-17 Otter Products, Llc Tool for installing a screen protector on an electronic device
US11665269B2 (en) 2018-12-21 2023-05-30 Otter Products, Llc Tool for installing a screen protector on an electronic device
JP7224719B2 (ja) * 2019-01-17 2023-02-20 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7282452B2 (ja) * 2019-02-15 2023-05-29 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7282453B2 (ja) * 2019-02-15 2023-05-29 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7277019B2 (ja) * 2019-03-05 2023-05-18 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7282455B2 (ja) * 2019-03-05 2023-05-29 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2020174100A (ja) * 2019-04-10 2020-10-22 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7313767B2 (ja) * 2019-04-10 2023-07-25 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7269095B2 (ja) * 2019-05-29 2023-05-08 古河電気工業株式会社 ガラス加工用テープ
US11186031B2 (en) 2019-08-12 2021-11-30 Otter Products, Llc Apparatus for installing a screen protector on an electronic device
JP7461118B2 (ja) * 2019-08-19 2024-04-03 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62271451A (ja) * 1986-05-20 1987-11-25 Mitsui Toatsu Chem Inc ウエハ加工用フイルムの貼付け方法
JPH05211234A (ja) * 1991-12-05 1993-08-20 Lintec Corp ウェハ貼着用粘着シートおよびウェハダイシング方法
JP2001348539A (ja) * 2000-06-06 2001-12-18 Nitto Denko Corp 半導体用粘着シート

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4194955A (en) * 1978-11-13 1980-03-25 Celanese Corporation Ultraviolet curable self-pigmented coating composition
JP2546871B2 (ja) * 1988-01-12 1996-10-23 三菱化学株式会社 金属光沢を有する樹脂積層体およびその製造方法
US5085907A (en) * 1988-06-23 1992-02-04 Eastman Kodak Company Abrasion-resistant protective laminates
US5254395A (en) * 1988-08-23 1993-10-19 Thor Radiation Research, Inc. Protective coating system for imparting resistance to abrasion, impact and solvents
US5075348A (en) * 1990-11-01 1991-12-24 Dow Corning Corporation Multifunctional acrylate based abrasion resistant coating composition
JP3523939B2 (ja) * 1995-07-18 2004-04-26 リンテック株式会社 ウェハ加工用粘着シートおよびその製造方法
JP3177149B2 (ja) * 1996-03-15 2001-06-18 リンテック株式会社 粘着テープ用基材、該基材を用いた粘着テープ、および該基材の製造方法
US5820957A (en) * 1996-05-06 1998-10-13 Minnesota Mining And Manufacturing Company Anti-reflective films and methods
JPH10337823A (ja) * 1997-04-11 1998-12-22 Lintec Corp 基材および該基材を用いた粘着テープ
US5965256A (en) * 1997-10-14 1999-10-12 Minnesota Mining And Manufacturing Company Protective films and coatings
TW583033B (en) * 1998-02-18 2004-04-11 Dainippon Printing Co Ltd Method for manufacturing film having hard coating
US6376060B1 (en) * 1998-09-25 2002-04-23 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Hardcoat film
JP3605651B2 (ja) * 1998-09-30 2004-12-22 日立化成工業株式会社 半導体装置の製造方法
US6461709B1 (en) * 1998-10-28 2002-10-08 3M Innovative Properties Company Graffiti and/or environmental protective article having removable sheets, substrates protected therewith, and a method of use
JP3383227B2 (ja) * 1998-11-06 2003-03-04 リンテック株式会社 半導体ウエハの裏面研削方法
CN1137028C (zh) * 1998-11-20 2004-02-04 琳得科株式会社 压敏粘合片及其使用方法
JP4828009B2 (ja) * 1998-11-20 2011-11-30 リンテック株式会社 粘着シートおよびその使用方法
US6777055B2 (en) * 2000-06-27 2004-08-17 3M Innovative Properties Company Protective article having removable sheets and vertically staggered side edge, substrates protected therewith, and a method of use
JP2002141309A (ja) * 2000-11-02 2002-05-17 Lintec Corp ダイシングシートおよびその使用方法
JP2003007649A (ja) * 2001-06-18 2003-01-10 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体ウェーハの分割方法
JP3926117B2 (ja) * 2001-07-17 2007-06-06 リンテック株式会社 ハードコートフィルム
JP4444632B2 (ja) * 2003-11-11 2010-03-31 リンテック株式会社 光学用フィルム
US7935424B2 (en) * 2006-04-06 2011-05-03 Lintec Corporation Adhesive sheet

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62271451A (ja) * 1986-05-20 1987-11-25 Mitsui Toatsu Chem Inc ウエハ加工用フイルムの貼付け方法
JPH05211234A (ja) * 1991-12-05 1993-08-20 Lintec Corp ウェハ貼着用粘着シートおよびウェハダイシング方法
JP2001348539A (ja) * 2000-06-06 2001-12-18 Nitto Denko Corp 半導体用粘着シート

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP1589085A4 *

Cited By (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006066578A (ja) * 2004-08-26 2006-03-09 Nitto Denko Corp クリーニング機能付き搬送部材と基板処理装置のクリーニング方法
US8486608B2 (en) * 2005-06-30 2013-07-16 Lg Display Co., Ltd. Printing substrate for liquid crystal display, and manufacturing method thereof
JP2007146104A (ja) * 2005-10-25 2007-06-14 Furukawa Electric Co Ltd:The 耐熱性表面保護テープおよび半導体ウェハの加工方法
JP2008047558A (ja) * 2006-08-10 2008-02-28 Nitto Denko Corp 反り抑制ウエハ研削用粘着シート
JP2008143921A (ja) * 2006-12-05 2008-06-26 Furukawa Electric Co Ltd:The 表面保護テープおよびそれを用いた半導体チップの製造方法
WO2008108119A1 (ja) * 2007-03-01 2008-09-12 Nitto Denko Corporation ダイシング・ダイボンドフィルム
US7998552B2 (en) 2007-03-01 2011-08-16 Nittok Denko Corporation Dicing/die bonding film
JP2010287819A (ja) * 2009-06-15 2010-12-24 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体ウエハ加工用粘着テープおよびその製造方法
JP2011223013A (ja) * 2011-05-27 2011-11-04 Nitto Denko Corp ダイシング・ダイボンドフィルムの製造方法
JP2020050880A (ja) * 2013-01-29 2020-04-02 日東電工株式会社 多層粘着シート
WO2014119426A1 (ja) * 2013-01-29 2014-08-07 日東電工株式会社 多層粘着シート
JP2014167099A (ja) * 2013-01-29 2014-09-11 Nitto Denko Corp 多層粘着シート
JP5603453B1 (ja) * 2013-04-26 2014-10-08 古河電気工業株式会社 半導体ウェハ保護用粘着テープ
WO2014175321A1 (ja) * 2013-04-26 2014-10-30 古河電気工業株式会社 半導体ウェハ保護用粘着テープ
JP2014216517A (ja) * 2013-04-26 2014-11-17 古河電気工業株式会社 半導体ウェハ保護用粘着テープ
KR101554458B1 (ko) 2013-04-26 2015-09-18 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 반도체 웨이퍼 보호용 점착 테이프
CN105103273A (zh) * 2013-04-26 2015-11-25 古河电气工业株式会社 半导体晶片保护用粘接带
CN105103273B (zh) * 2013-04-26 2017-04-05 古河电气工业株式会社 半导体晶片保护用粘接带
JP2014082498A (ja) * 2013-11-11 2014-05-08 Nitto Denko Corp ダイシング・ダイボンドフィルムの製造方法
WO2015076127A1 (ja) * 2013-11-22 2015-05-28 リンテック株式会社 ダイシングシート用基材フィルムおよび基材フィルムの製造方法
JP2015156438A (ja) * 2014-02-20 2015-08-27 リンテック株式会社 半導体チップの製造方法
WO2018168403A1 (ja) * 2017-03-14 2018-09-20 リンテック株式会社 バックグラインドテープ用基材
JPWO2018168403A1 (ja) * 2017-03-14 2020-01-16 リンテック株式会社 バックグラインドテープ用基材
JP7069116B2 (ja) 2017-03-14 2022-05-17 リンテック株式会社 バックグラインドテープ用基材

Also Published As

Publication number Publication date
CN1738882A (zh) 2006-02-22
US20060134406A1 (en) 2006-06-22
KR100643450B1 (ko) 2006-11-10
KR20050088251A (ko) 2005-09-02
JP4804921B2 (ja) 2011-11-02
EP1589085A1 (en) 2005-10-26
TW200425380A (en) 2004-11-16
CN100340625C (zh) 2007-10-03
PT1589085E (pt) 2008-06-06
TWI310230B (en) 2009-05-21
EP1589085B1 (en) 2008-05-21
DE602004013920D1 (de) 2008-07-03
MY136815A (en) 2008-11-28
JPWO2004065510A1 (ja) 2006-05-18
EP1589085A4 (en) 2006-03-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2004065510A1 (ja) 粘着シート、半導体ウエハの表面保護方法およびワークの加工方法
TWI385759B (zh) 切割用晶片接合薄膜、固定碎片工件的方法以及半導體裝置
JP4703833B2 (ja) エネルギー線硬化型熱剥離性粘着シート、及びこれを用いた切断片の製造方法
JP4970863B2 (ja) 被加工物の加工方法
KR102169223B1 (ko) 필름상 접착제, 반도체 접합용 접착 시트, 및 반도체 장치의 제조 방법
TWI583759B (zh) 半導體用黏著性樹脂組成物、半導體用黏著膜 以及切割晶粒接合膜
KR102152605B1 (ko) 보호막 형성용 필름
JP5774322B2 (ja) 半導体用接着剤組成物、半導体用接着シートおよび半導体装置の製造方法
WO2008032367A1 (fr) Feuille de decoupage en puces/fixation de puces
JP2011508444A (ja) バリ特性及び信頼性に優れたダイシング・ダイボンディングフィルム及び半導体装置
JP2014011273A (ja) ウェハ加工用粘着テープ
JP2005116610A (ja) 半導体ウエハの加工方法および半導体ウエハ加工用粘着シート
JP2003292916A (ja) 粘着シートを用いた被着体加工方法
TW201938729A (zh) 背面研磨用黏著膠布
TWI595065B (zh) 半導體裝置用膠黏劑組成物、半導體裝置用膠黏薄膜、帶有切割薄膜的膠黏薄膜、半導體裝置的製造方法以及半導體裝置
JP2006342330A (ja) ダイシング用粘着シート、及びそれを用いたダイシング方法
KR20160039197A (ko) 접착제 조성물, 접착 시트 및 반도체 장치의 제조 방법
TWI226084B (en) Adhesive film for protection of semiconductor wafer surface and method of protecting semiconductor wafer with the adhesive film
JP4054219B2 (ja) 半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム及び該粘着フィルムを用いる半導体ウェハ保護方法
JP5351458B2 (ja) ウェハ加工用接着シートおよび半導体装置の製造方法
JP3594581B2 (ja) 半導体ウェハ保護方法及び該保護方法に用いる半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム
JP7252945B2 (ja) 粘着性フィルムおよび電子装置の製造方法
JP2015220377A (ja) 粘接着フィルム一体型表面保護テープおよび粘接着フィルム一体型表面保護テープを用いた半導体チップの製造方法
KR102140470B1 (ko) 칩용 수지막 형성용 시트 및 반도체 장치의 제조 방법
JP4452127B2 (ja) 半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム及び該粘着フィルムを用いる半導体ウェハ保護方法

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AE AG AL AM AT AU AZ BA BB BG BR BW BY BZ CA CH CN CO CR CU CZ DE DK DM DZ EC EE EG ES FI GB GD GE GH GM HR HU ID IL IN IS JP KE KG KP KR KZ LC LK LR LS LT LU LV MA MD MG MK MN MW MX MZ NA NI NO NZ OM PG PH PL PT RO RU SC SD SE SG SK SL SY TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN YU ZA ZM ZW

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): BW GH GM KE LS MW MZ SD SL SZ TZ UG ZM ZW AM AZ BY KG KZ MD RU TJ TM AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IT LU MC NL PT RO SE SI SK TR BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW ML MR NE SN TD TG

DPEN Request for preliminary examination filed prior to expiration of 19th month from priority date (pct application filed from 20040101)
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2005508098

Country of ref document: JP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1020057012873

Country of ref document: KR

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2006134406

Country of ref document: US

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 10542423

Country of ref document: US

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 20048023703

Country of ref document: CN

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1-2005-501349

Country of ref document: PH

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2004703878

Country of ref document: EP

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 1020057012873

Country of ref document: KR

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 2004703878

Country of ref document: EP

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 10542423

Country of ref document: US

WWG Wipo information: grant in national office

Ref document number: 2004703878

Country of ref document: EP