WO2004034521A1

WO2004034521A1 - コネクタ用コンタクト及びはんだ付けされる部品の製造方法

Info

Publication number: WO2004034521A1
Application number: PCT/JP2003/013094
Authority: WO
Inventors: Yasunori Miki; Hiroshi Yanagida; Shouichi Nagata; Shin Sato; Yoshiyuki Uchinono; Kenji Jonen; Masaharu Ishikawa; Hiroshi Iwano; Syunichi Nakayama
Original assignee: Matsushita Electric Works, Ltd.
Priority date: 2002-10-10
Filing date: 2003-10-10
Publication date: 2004-04-22
Also published as: EP1551081A1; KR20040101217A; US20050103761A1; TW200414617A; KR100597068B1; US8294063B2; EP1551081A4; TWI227579B; EP1551081B1

Description

明細書コネクタ用コンタクト及びはんだ付けされる部品の製造方法技術分野

本発明は、コネクタ用のコンタクト及びコンタクトなどのはんだ付けされる部品の製造方法に関するものである。背景技術

一般的に、コネクタなどに使用されるコンタクトなどのはんだ付けされる部品は、例えば銅などの金属素材の上にニッケル（N i ) の下地めつきが施され、さらにその上から金（A u ) めっきが施されている。このように、部品の表面に金めっきを施すことにより、部品の表面の酸化を防止することができると共に、金とはんだのぬれ性（wetting property)の高さにより、部品の端子部とプリント配線基板上の配線パターンとのはんだ付けが容易になる。

ところで、携帯電話やディジタルカメラなどのモパイル機器に使用される微小なコネクタは、ソケットとヘッダを結合したコネクタ自体のスタツキング高さが l mm程度である。また、コンタクトも、配列ピッチは 0 . 4 mm程度、高さは 0 . 7 mm程度である。そのため、金とはんだのぬれ性の高さに起因して、溶融されたはんだが端子部からコンタクトの表面に沿って拡散し、本来はんだが付着すべきでない箇所、例えば接点部などに付着する可能性がある。また、はんだの拡散に伴い、本来はんだ付けされるべき端子部及びプリント配線基板上の配線パターン付近に付着するはんだの量が不足し、十分な接合強度が得られない可能性力 Sある。

そこで、例えば特開平 2— 1 5 6 6 2号公報ゃ特開平 6— 2 0 4 3 7 7号公報などに記載されているように、コンタクトのうち、表面を金めつきで被覆することが必要な端子部及び接点部にのみ金めつきを施し、端子部と接点部の間の部分には金めつきが施されないように、部分金めつきを行なうことが提案されている。このように端子部と接点部の間の部分に金めつきを施さず、ュッケルの下地めつきを露出させたままにしておけば、ニッケルとはんだのぬれ性が低いことにより、端子部から接点部に向かってはんだが拡散することを防止することができる。しかしながら、モパイル機器用のコネクタのコンタクトは非常に小さいので、コンタクトを 1つ 1つ成形し、各コンタクトの全体にめつきを施すこと自体が困難である。そのため、帯状の金属板の側部を櫛歯状に成形し、さらに櫛歯状部分を所定形状に曲げ加工して、多数のコンタクトが所定ピッチで配列された半加工品（blank)を形成する。そして、半加工品を、その長手方向に搬送させながら、めっき浴に浸漬させることにより、コンタクトの表面全体にニッケルめっき及び金めつきを施している。従って、コンタクトに部分金めつきを施すことは非常に困難である。また、敢えてコンタクトに部分金めつきを施そうとすれば、金めつき工程及び装置が非常に複雑になると共に、半加工品の搬送速度が非常に遅くなり、生産性に問題が生じる。発明の開示

本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、全面に金めつきを施しているにもかかわらず、溶融されたはんだが端子部から接点部へ拡散することを防止することが可能なコネクタ用コンタクト及びはんだ付けされる部品の製造方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するため、本発明の一態様に係るコネクタ用コンタクトは、金属材料を所定形状に加工することにより形成され、一端の近傍に設けられた端子部及び他端の近傍に設けられた接点部と、前記端子部及び接点部を含むほぼ全表面に形成された下地めつき層及ぴ金めつき層又は金を含む合金めつき層と、前記端子部と接点部の間の前記金めつき層又は金を含む合金めつき層の上から処理を施されることにより形成され、前記はんだとのぬれ性が低く、溶融されたはんだが拡散しにくい拡散防止領域を備える。

また、本発明の一態様に係るはんだ付けされる部品の製造方法は、一端の近傍にはんだ付けされる端子部を形成するように、金属材料を所定形状に加工するェ程と、前記端子部を含むほぼ全表面に下地めつき層及び金めつき層又は金を含む合金めつき層を形成する工程と、前記端子部とはんだ付けされない非はんだ付け部の間の前記金めつき層又は金を含む合金めつき層に対してレーザビームを照射することにより、はんだとのぬれ性が低く、溶融されたはんだが拡散しにくい拡散防止領域を形成する工程とを備える。

このような構成によれば、端子部から金めつき層又は金を含む合金めつき層の表面に沿って進行してきた溶融されたはんだの拡散が、金めつき層又は金を含む合金めつき層の表面と拡散防止領域との境界で停止し、それ以上は進行しない。そのため、溶融されたはんだの拡散が接点部にまで達する可能性はほとんどなくなる。また、溶融されたはんだの拡散が拡散防止領域の境界で停止されるため、端子部の近傍に、一定量の残存するはんだを確保することができ、端子部及びプリント配線基板上の配線パターンとの十分な接合強度が保証される。さらに、金めっき層又は金を含む合金めつき層として部分めつきを施す必要がないので、コンタクトなどのはんだ付けされる部品の製造工程における半加ェ品の搬送速度を低下させることなく、生産性を維持することができる。

拡散防止領域は、金めつき層又は金を含む合金めつき層の表面にレーザビームを照射することによって形成される。レーザビームが照射された部分の金めつき層又は金を含む合金めつき層の一部又は全部を蒸発させて除去させた場合、下地めっき層が露出される。また、金と下地めつき層の材料を合金化させた場合、合金層が露出される。あるいは、金を含む合金材料のうち、金以外の材料を表面に拡散させてた場合、拡散層が露出される。これら下地めつき層、合金層又は拡散層は、それぞれ金に比べてはんだとのぬれ性が低いので、端子部から金めつき層又は金を含む合金層の表面を進行してきた溶融されたはんだの拡散は、これら拡散防止領域との境界で停止する。図面の簡単な説明

図 1 A〜図 1 Cは、それぞれ本発明の各実施の形態に共通するコネクタを構成するソケットの平面図、正面図及び側面図である。

図 2は、本発明に係るコネクタ用コンタクトの基本構成を示す側面図である。図 3は、上記ソケットがプリント配線基板に実装された状態を示す側面断面図である。

図 4 A〜図 4 Cは、それぞれ各実施の形態に共通するコンタクトの半加工品の形状を示す平面図、側面図及び正面図である。'

図 5は、本発明の第 1の実施の形態における拡散防止領域を形成するための方法を示す側面図である。

図 6 Aは、第 1の実施の形態において、コンタクトにレーザビームが照射されている状態を示す断面図である。

図 6 Bは、第 1の実施の形態において、コンタクトの表面の金めつき層が除去された状態を示す断面図である。

図 7は、第 1の実施の形態において、コンタクトを配列した半加工品に対するレーザビームの照射方向を示す図である。

図 8は、別の方向から観察されたレーザビームの照射方向を示す図である。図 9は、レーザビームのスポット径が拡散防止領域の幅よりも小さい場合のレ一ザビームの照射方法を示す図である。

図 1 0は、レーザビームのスポット径が拡散防止領域の幅よりも大きい場合のレーザビームの照射方法を示す図である。

図 1 1 〜図 1 1 Eは、それぞれレーザビームが照射される際のビームスポットのずらし幅を変化させたときのナゲット（レーザビームの照射跡）の重なり状態を示す図である。

図 1 2は、ビームスポットの直径、ビームスポットのずらし幅及ぴナゲットの重複幅の関係を示す図である。

図 1 3 Aは、本発明の第 2の実施の形態における拡散防止領域を形成するための方法において、コンタクトにレーザビームが照射されている状態を示す断面図である。

図 1 3 Bは、第 2の実施の形態において、コンタクトの表面の金とニッケルを合金化させて合金層が形成された状態を示す断面図である。

図 1 4は、第 2の実施の形態の方法の変形例により、コンタクトの表面の金めつき層が部分的に除去されると共に、部分的に金とニッケルの合金化させて合金層が形成された状態を示す断面図である。

図 1 5 Aは、本発明の第 3実施の形態における拡散防止領域を形成するための方法を示す断面図であり、コンタクトが治具に装着される前の状態を示す。図 1 5 Bは、上記第 3の実施の形態の方法を示す断面図であり、コンタクトが治具に装着された後の状態を示す。

図 1 6 Aは、本発明の第 4の実施の形態における拡散防止領域を形成するための方法を示す断面図である。

図 1 6 Bは、第 4の実施の形態の方法により形成された拡散防止領域を示す断面図である。

図 1 7は、第 4の実施の形態の方法の変形例により形成された拡散防止領域を示す断面図である。

図 1 8は、第 4の実施の形態の方法の別の変形例により形成された拡散防止領域を示す断面図である。

図 1 9 Aは、本発明の第 5の実施の形態における拡散防止領域を形成するための方法を示す断面図である。

図 1 9 Bは、第 5の実施の形態の方法により形成された拡散防止領域を示す断面図である。

図 2 0は、第 5の実施の形態の方法の変形例により形成された拡散防止領域を示す断面図である。

図 2 1は、第 5の実施の形態の方法の別の変形例により形成された拡散防止領域を示す断面図である。発明を実施するための最良の形態

各実施の形態に共通する説明

本発明の各実施の形態に共通する部分について、例えば携帯電話やディジタルカメラなどのモパイル機器に用いられるスタツキング高さが 1 mm程度のコネクタを例にして説明する。また、はんだ付けされる部品としては、コネクタ用のコンタクトを例にして説明するが、この実施の形態に限定されるものではなく、その他のはんだ付けされる部品に応用できることは言うまでもない。

コネクタを構成するソケットの構成を図 1 A〜図 1 Cに示す。ソケット 1 0 0 は、絶縁性樹脂により略長方形の枠体に形成されたソケットベース 1 0 1と、ソケットベース 1 0 1の長辺 1 0 2にそれぞれ圧入又はィンサートされた複数対の -

コンタクト 1などで構成されている。

コンタクト 1の側面を図 2に示す。各コンタクト 1は、それぞればね性を有する、例えば銅などの帯状の金属板を所定形状に折り曲げて形成され、一端部にはんだ付け用の端子部 2が設けられ、他端部に接点部 3が設けられている。コンタクト 1の表面には、全体的にニッケルめっきによる下地めつきが施されている。さらに、下地めつき層の上には、金めつきが施された端子部 2側の金めつき領域 4及び接点部 3側の金めつき領域 5と、金めつき領域 4と 5の間に形成された溶融されたはんだの拡散（はんだ上がり）を防止するための拡散防止領域 6が形成されている。

ソケット 1 0 0をプリント配線基板 1 .1 0に実装した状態を図 3に示す。端子部 2は、ソケットベース 1 0 1の下面よりも下側に突出されており、端子部 2がプリント配線基板 1 1 0上の配線パターンにはんだ付けされることにより、ソケット 1 0 0がプリント配線基板 1 1 0上に固定される。その際、端子部 2の表面には金めつきが施されており、また、プリント配線基板 1 1 0上の配線パターンにも同様に金めつきが施されているので、金とはんだのぬれ性の高さにより、溶融されたはんだが端子部 2の表面とプリント配線基板 1 1 0上の配線パターンの表面との間に流れ込み、速やかに付着する。一方、端子部 2の表面に付着したはんだは、金めつき領域 4の上を拡散するが、拡散防止領域 6の存在により他の金めっき領域 5までは拡散できない。その結果、接点部 3にはんだが付着することはなくなる。なお、ソケット 1 0 0と共にコネクタを構成するヘッダ（図示せず）についても同様である。

既述のように、モパイル機器用のコネクタのコンタクト 1は非常に小さいので、図 4 A〜図 4 Cに示すように、帯状の金属板の側部を櫛歯状に成形し、さらに櫛歯状部分を所定形状に曲げ加工することにより、多数のコンタクト 1が所定ピッチで配列された半加工品（blank) 1 2が形成される。そして、半加工品 1 2を、その長手方向に搬送させながら、ニッケル浴に浸漬させることにより、まずコンタクト 1の表面の全面にニッケルの下地めつき層が形成される。さらに、半加工品 1 2を長手方向に搬送させながら、金めつき浴に浸漬させることにより、下地めっき層の上から、コンタクト 1の表面の全面に金めつき層が形成される。このようにして、端子部 2と接点部 3を含むコンタクト 1の表面に全面に金めっき層が形成された後、端子部 2と接点部 3の間の所定の領域の金めつき層に、後述する各実施の形態による処理を施すことにより、拡散防止領域 6が形成される。拡散防止領域 6の位置は、端子部 2と接点部 3との間であればいずれの位置であってもよく、特に限定されない。しかしながら、端子部 2とプリント配線基板 1 1 0上の配線パターンとの接合強度などを考慮すると、はんだの拡散は少なくされるべきであり、端子部 2に近い箇所に拡散防止領域 6を設けることが好ましい。

このように端子部 2と接点部 3の間に拡散防止領域 6を形成した後、半加工品 1 2は、その状態でソケットベース 1 0 1に圧入又はインサートされ、ソケットベース 1 0 1に各コンタクト 1が固定された後、各コンタクト 1が半加工品 1 2 から切り離される。その結果、ソケット 1 0 0が完成される。そして、図 3に示すように、プリント配線基板 1 1 0の上にソケット 1 0 0が配置され、コンタクト 1の端子部 2がプリント配線基板 1 1 0にはんだ付けされることにより、ソケット 1 0 0がプリント配線基板 1 1 0上に実装される。

はんだ付けの際に、溶融されたはんだが端子部 2の金めつき領域 4の表面を上方に拡散したとしても、拡散防止領域 6の表面とはんだのぬれ性が低いので、拡散防止領域 4と金めつき領域 4の境界で溶融されたはんだの拡散が停止する。その結果、溶融されたはんだが接点部 3にまで拡散することが防止されると共に、端子部 2に残るはんだの量が少なくなることが防止される。また、プリント配線基板 1 1 0への端子部 2のはんだ接合強度が高く維持される。第 1の実施の形態

次に、本発明の第 1の実施の形態について説明する。第 1の実施の形態では、コンタクト 1の金めつき層の表面にレーザビームを照射して、部分的に金めつき層を除去させている。

図 5に示すように、端子部 2と接点部 3との間の部分において、コンタクト 1 の表面にレーザビーム Lが照射される。レーザビーム Lが照射される箇所は、端子部 2と接点部 3との間であれば特に限定されないが、端子部 2に近い箇所が好ましい。他の実施の形態においても同様である。

図 6 Aに示すように、端子部 2及び接点部 3を含む全面に二ッケルめっき層 7及び金めつき層 8が形成されたコンタクト 1の端子部 2と接点部 3の間の所定の位置に、例えば半導体レーザ装置などを用いて、レーザビーム Lが照射される。レーザビーム Lのエネルギーにより、レーザビーム Lが照射された部分が局部的に加熱され、表面の金めつき層 8が溶融され、蒸発される。その結果、図 6 Bに示すように、レーザビーム Lが照射された部分の金めつき層 8が部分的に除去される。表面の金めつき層 8が除去されると、下地めつきである-ッケルめっき層 7が露出される。前述のように、ニッケルとはんだのぬれ性が低いので、表面の金めつき層 8が除去された部分が、溶融されたはんだの拡散防止領域 6として機能する。

このように、レーザビーム Lを金めつき層 8の除去に用いることにより、微小領域にエネルギーを集中させることができるので、コンタクト 1が微小であっても、精度良く拡散防止領域 6を形成することができる。また、レーザビームのパワーを制御することが可能であるので、金めつき層 8の厚さなどに応じてエネルギ一条件を適宜選択することにより、下地めつきであるニッケルめっき層 7を除去することなく、拡散防止層 6を精度良く、かつ、短時間に形成することができる。

レーザビーム Lとしては、例えば波長 1 1 0 0 n m以下であり、 1パルス当りのエネルギーが 0 . 5〜 5 m J /pu l se の範囲で、かつ、単位面積当りのエネルギーが 1 0 0〜2 0 0 O m J /mm ²の範囲のものを用いるのが好ましレ、。より好ましくは、 1パルス当りのエネルギーが 3 m j Zpul se 以下で、かつ、単位面積当りのエネルギーが 1 2 0 O m J Zmm²以下であるものを用いるのが好ましい。

レーザビーム Lのエネノレギ一が大きすぎると、金めつき層 8の下のニッケノレめつき層 7も除去されたり、さらにコンタクト 1の素材をも溶融させる可能性がある。例えば、コンタクト 1の素材が銅である場合、過剰なエネルギーを有するレーザビーム Lが照射されると、ニッケルめっき層 7の下の銅が露出される。ところが、銅とはんだのぬれ性が高いため、銅が露出された部分では、溶融されたはんだの拡散を防止することができない。さらに、銅は耐食性が悪いため、銅が露出されることによって耐食性も低下する。従って、上記のようにレーザビーム Lのエネルギーを制御して金めつき層 8のみを除去させ、ニッケルめっき層 7を露出させることが好ましい。

次に、レーザビーム Lの照射方法について説明する。前述のように、コンタクト 1は、半加工品 1 2の側部に所定のピッチで配列されている。従って、半加工品 1 2の状態で全てのコンタクト 1の全周にわたって、もれなく、かつ、均一にレーザビーム Lを照射する必要がある。そこで、図 7に示すように、半加工品 1 2の搬送方向 Xに対して所定の角度 Φをなすようにレーザビーム Lを走査させながら、コンタクト 1の略矩形断面をなす 4辺 1 a〜l dのうち、互いに略直角する 2辺 1 a及ぴ 1 bに同時にレーザビーム Lを照射させる。

半加工品 1 2の一方の側から 2辺 1 a及び 1 bに対するレーザビーム Lの照射が完了すると、半加工品 1 2を裏返し又はレーザビーム Lを逆方向から走査させながら、半加工品 1 2の反対側の 2辺 1 c及ぴ 1 dに対するレーザビーム Lの照射を行う。

また、図 8に示すように、各コンタクト 1の形状から、コンタクト 1の他の部分、例えば屈曲部 2◦の陰となって、レーザビーム Lが照射されない部分が生じないようにするため、レーザビーム Lの照射方向を、半加工品 1 2の板状部分に対しても所定の角度 Θだけ傾斜させる。

このように、 2回のレーザビーム Lの走査により、半力 til品 1 2の各コンタクト

1の 4辺 l a〜l dの全て（すなわち全周）に対して、もれなく、かつ、ほぼ均一にレーザビーム Lを照射させることができる。

次に、溶融されたはんだの拡散防止領域 6として機能するために必要な幅 W (図

2参照）とレーザビーム Lの直径について説明する。拡散防止領域 6として、第 1 では、表面の金めつき層を除去させ、下地めつきであるニッケルめっき層を露出させている。ところが、ニッケルとはんだのぬれ性が低いとしても、溶融されたはんだがニッケルめっき領域に若干拡散する。そのため、溶融されたはんだの拡散を防止するために必要な幅 Wの下限値が存在する。上記モバイル機器用の微小なコネクタ用のコンタクトでは、拡散防止領域 6として機能するために必要な幅 Wを実験により求めたところ、下限値は 0 . 1 3 mmであった。従って、 0 . 1 3 mm以上の幅にわたってレーザビーム Lを照射し、金めつき層を除去させなければならない。レーザビーム Lとしては、様々なビームスポット径のものが入手可能である。拡散防止領域 6として必要な幅 Wよりも小さいビームスポット径（図 9に示す例では、例えば 0 . 0 5 mni) のものを用いるときは、ナゲット径が約 0 . 0 5 mmのナゲット（レーザビームの照射跡）が形成され、図 9に示すように、拡散防止領域 6の幅方向に少しずつずらしながら、レーザビーム Lを複数回（図 9に示す例では 5回）走査させて照射させなければならない。そのため、半加工品 1 2の一方の側からだけでも 2回以上レーザビーム Lを走查させなければならず、金めつきの除去に時間がかかり、コストが高くなる。また、レーザビーム Lの走査を拡散防止領域 6の幅方向にずらせる必要があり、レーザビーム Lの走査又は半加工品 1 2の搬送の精度が要求される。これに対して、図 1 0に示すように、拡散防止領域 6として必要な幅 Wよりも大きいビームスポット径（図 1 0に示す例では、例えば 0 . 1 5 mm) のものを用いれば、ナゲット径が約 0 . 1 5 mmのナゲットが形成され、半加工品 1 2の片面に対してレーザビーム Lを 1回だけ、全体として両側に合計 2回だけ走査させることにより、コンタクト 1の全周に対して、もれなく、かつ、ほぼ均一にレーザビーム Lを照射することができる。また、レーザビーム Lの走査を拡散防止領域 6の幅方向にずらす必要がないので、金めつきの除去に時間がかからず、コストの低減も可能である。さらに、レーザビーム Lの走査又は半加工品 1 2の搬送に対してさほど精度は要求されない。

次に、レーザビーム L走査させながら照射させる際のレーザビーム Lのずらし量 Bと連続して照射された 2回のレーザビーム Lの重複する部分の幅（重複幅） Hとの関係について検討する。レーザビーム Lのビームスポット径を 0 . 1 5 mmとすると、形成されるナゲット径はほぼ 0 . 1 5 mmとなり、ずらし量 Bを少しずつ変化させ、重複幅 Hを求めた。その変化を园1 1 〜図1 1 Eに示すと共に、ずらし量 Bと重複幅 Hの値を表 1に示す（単位は、いずれも πιπι)。

ここで、図 1 2に示すように、ナゲット径を Dとすると、重複幅 Ηは以下の式で与えられる。

Η = ΛΙΌ² ~ Β² (表 1 )

レーザビーム Lの 1回の照射により金めつき層の除去が可能であると仮定して、表 1から分かるように、図 1 1 Εに示すように、ずらし量 Βをナゲット径 Dの 1 Z 2としても、拡散防止領域 6として機能させるために必要な幅 Wである 0 . 1 3 m mを確保することができる。逆に、レーザビーム Lのパワーが小さく、 1回の照射により金めつきの除去ができないときは、図 1 1 Aや図 1 1 Bなどに示すように、ずらし量 Bを少なくし、レーザビーム Lの照射回数を多くして、金めつき層の除去に必要なエネルギーを確保すればよい。なお、いずれの場合でも、ビームスポットの中心部が通過する領域ではエネルギーの照射量が多く、金めつき層だけでなく下地めつきであるニッケルめっき層も除去され、銅などのコンタクト 1の素材が露出される可能性が高い。そのため、レーザビーム Lのパワー及び照射回数などを、実験などにより最適な条件に設定することが好ましい。第 2の実施の形態

次に、本発明の第 2の実施の形態について説明する。第 2の実施の形態では、コンタクト 1の端子部 2と接点部 3との間の部分に、上記第 1の実施の形態におけるレーザビーム Lよりも小さなエネルギーを有するレーザビーム Lを照射させることにより、レーザビーム Lが照射された部分の金とニッケルを合金化させて拡散防止領域 6を形成させている。

図 1 3 Aに示すように、コンタクト 1の端子部 2と接点部 3との間の部分に所定のパワーを有するレーザビーム Lを照射させると、金めつき層 8の下側のニッケルめっき層 9のニッケルが金めつき層 8に拡散され、図 1 3 Bに示すように金めつき層 8のレーザビーム Lが照射された部分に、金とニッケル（A u— N i ) の合金層 8 aが形成される。この合金層 8 aとはんだのぬれ性は、ニッケルとはんだのぬれ性と同様に、金とはんだのぬれ性に比べて低い。そのため、この合金層 8 aを端子部 2と接点部 3の間に形成させることにより、溶融されたはんだが端子部 2から金めつき層 8の表面に沿って拡散してきたとしても、合金層 8 aと金めつき層 8 との境界の箇所ではんだの拡散が停止し、それ以上はんだは合金層 8 aの表面には拡散しなくなる。すなわち、金とニッケルの合金層 8 aは、溶融されたはんだの拡散防止領域 6として機能する。

なお、上記第 1の実施の形態で説明したように、レーザビーム Lのビームスポットの重なり具合によっては、場所によってレーザビーム L力ら受けるエネルギーにばらつきが生じる。そこで、図 1 4に示すように、レーザビーム Lから受けるエネルギ一の高い部分では、表面の金めつき層 8を蒸発させてニッケルめっき層 7が出された部分 9を形成させ、レーザビーム Lから受けるエネルギーの低い部分では、金とニッケルの合金層 8 aを形成させるように構成してもよい。このようにすれば、下地めつきであるュッケルめっき層 7まで蒸発されることはなく、銅などのコンタクト 1の素材が露出されることを防止することができる。その一方で、ニッケルめつき層 7が露出された部分 9及び金とニッケルの合金層 8 aは共に、はんだとのぬれ性が低いので、拡散防止領域 6として機能し、溶融されたはんだの拡散を防止することができる。第 3の実施の形態

次に、本発明の第 3の実施の形態について説明する。第 3の実施の形態では、コンタクト 1の端子部 2と接点部 3との間の部分に金の剥離液 4 0を作用させた後又は作用させる前に、この部分にレーザビーム Lを照射させ、拡散防止領域 6を形成させる。従って、上記各実施の形態と共通する部分については、その説明を省略する。

第 3の実施の形態における拡散防止領域を形成するための方法では、図 1 5 A 及び図 1 5 Bに示すように、第 1のコンタクト 1の端子部 2と接点部 3との間の屈曲部 1 9が金の剥離液 4 0に浸漬され、その部分の金めつき層が除去（剥離）される。治具 1 4の一側部には、上方へ開口した浴槽 1 5が設けられており、浴槽 1 5には金の剥離液 4 0が充填されている。また、治具 1 4の上面には位置決め突起 1 6が設けられている。さらに、治具 1 4の上方には、位置決め突起 1 6 に対応して位置決め凹部 1 8が形成された押え板 1 7が配設されている。さらに、浴槽 1 5に隣接して上端に開口を有する空洞部 2 1が形成されている。

下地めつき及ぴ金めつきが施されたコンタクト 1は、上記半加工品 1 2の状態で治具 1 4に装着される。半加工品 1 2には、その長手方向に沿って一定間隔で多数のガイド孔 2 0が形成されているので、ガイド孔 2 0を位置決め突起 1 6に嵌合させることにより、半加工品 1 2が治具 1 4に位置決めされ、固定される。浴槽 1 5は、端子部 2と接点部 3の間の U字状に屈曲された屈曲部 1 9のみが嵌り、接点部 3は嵌らないような寸法に設定されている。そして、屈曲部 1 9を下向きにした状態で、コンタクト 1の端子部 2が治具 1 4の上面に載置されると、屈曲部 1 9が浴槽 1 5内の剥離液 4 0に浸漬される。

コンタクト 1の端子部 2と接点部 3の間の屈曲部 1 9が剥離液 4 0に浸漬されると、金めつき層の金が剥離液 4 0と酸化反応して錯体化した状態で溶解される。従って、コンタクト 1の剥離液 4 0に浸漬された部分の金めつき層が除去され、下地めつき層が露出される。

その際、剥離液 4 0が表面張力により浴槽 1 5の内壁を伝って上昇しても、治具 1 4に隣接する空洞部 2 1の開口によって、剥離液 4 0が端子部 2に到達するのを阻止される。その結果、端子部 2の金めつき層が除去されるのを防止することができる。一方、接点部 3は、図 1 5 Bに示すように、治具 1 4に接触していないので、接点部 3の金めつき層が除去されることはない。

剥離液 4 0中に溶解された金は、錯体化した状態で剥離液 4 0から回収される。なお、コンタクト 1を半加工品 1 2の状態のまま、剥離液 4 0による金めつき層の除去処理を行ったが、場合によっては、コンタクト 1を半加工品 1 2から切り離した後、剥離液 4 0による金めつき層の除去の処理を行なうことも可能である。剥離液 4 0の種類は特に限定されないが、シアン化カリウム、ニトロ化合物、酸化鉛等を主成分とするものを用いることができる。また、剥離液 4 0にコンタクト 1を浸漬させる時間は、数秒から数分程度の範囲に設定される。具体的には、剥離液 4 0として、メルテックス（M e 1 t e X ) 社製「エンストリップ A u 7 8 VI.. を用い、これに 1 5秒程度浸漬させる。

このようにして、コンタクト 1の端子部 2と接点部 3の間の屈曲部 1 9の金めつき層が除去された後、上記第 1又は第 2の実施の形態の方法により、金めつき層

8が除去された部分にレーザビーム Lを照射させることにより、レーザビームが照射された部分に残った金を蒸発させたり、あるいはニッケルと合金化させる。このように、剥離液 4 0とレーザビーム Lの照射を併用することにより、仮に剥離液 4 0により金めつき層 8が完全に除去されなかったとしても、残った金をレーザビーム Lの照射によりほぼ完全に除去させたり、あるいはニッケルと合金化させることができ、はんだとのぬれ性が低い拡散防止領域 6を形成させることができる。また、その結果として、溶融されたはんだが端子部 2から接点部 3に拡散することを防止することができる。

なお、レーザビーム Lの 1パノレス当りのエネノレギーゃ単位面積当りのエネノレギーは、下地めつきであるニッケルめっき層 7やその下のコンタクト 1の素材（銅など）を溶融させない範囲内で適宜に設定することができる。

また、上記とは逆に、先にコンタクト 1の端子部 2と接点部 3の間の屈曲部 1 9 の一部分にレーザビーム Lを照射し、その後レーザビーム Lが照射された部分を金の剥離液 4 0に浸漬させるようにしてもよい。すなわち、まず、端子部 2と接点部 3との間の部分において、コンタクト 1の表面に施された金めつき層 8の表面にレ一ザビーム Lを照射させることにより、その部分の金の一部を除去させて下地めつきであるニッケルめっき層 7を部分的に露出させたり、あるいは上記部分の金の一部をニッケルと合金化させる。次に、コンタクト 1の端子部 2と接点部 3の間の屈曲部 1 9を金の剥離液 4 0に浸漬させ、レーザビーム Lの照射によって残った金を除去させる。なお、エッケルと合金化された金は、剥離液 4 0による処理では除去されにくいので、金とュッケルの合金層 8 a (図 1 3 B参照）は、そのまま拡散防止領域 6として露出される。

このように、剥離液 4 0とレーザビーム Lを併用することにより、拡散防止領城 6からほぼ完全に金めつき層 8を除去させることができ、残った金めつき層 8を伝わつて溶融されたはんだが拡散するのを防止することができる。第 4の実施の形態

次に、本発明の第 4の実施の形態について説明する。上記第 1の実施の形態から -

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第 3の実施の形態では、コンタクト 1のほぼ全表面に、下地めつきとしてニッケルめっき層 7が形成され、さらにニッケルめっき層 7の上に金めつき層 8が形成されている。第 4の実施の形態では、図 1 6 Aに示すように、下地めつきである二ッケルめっき層 7の上に金一ニッケル（A u— N i ) 合金めつき層 8 0が形成されている点が異なる。

図 4 A〜図 4 Cに示すように加工された半加工品 1 2を、その長手方向に搬送させながら、ニッケル浴に浸漬させることにより、まずコンタクト 1の表面の全面に下地めつきであるニッケルめっき層 7が形成される。さらに、半加工品 1 2 を、その長手方向に搬送させながら、金一ニッケル合金めつき浴に浸漬することにより、二ッケルめっき層 7の上に金ーェッケル合金めつき層 8 0が形成される。ュッケルめっき浴の種類は特に限定されないが、例えばスルフアミン酸ニッケルめっき浴を用いると、電流密度を上げやすく、生産性を高めることができる。ュッケルめっき層 7は、膜厚が 0 . 3 ~ 1 の範囲となるように形成される。また、金—ニッケル合金めつき浴の種類も特に限定されないが、例えば共析比率が金：二ッケル = 7 0 : 3 0— 9 9 . 9〜 0 . 1の範囲のものを用いる。金一ニッケル合金めっき浴の具体例としては、日鉱メタルプレーティング株式会社の製品を使用することができる。金一ニッケル合金めつき層 8 0は、膜厚が 0 . 0 1〜0 . 5 πιの範囲となるように形成される。

コンタクト 1のほぼ全表面にニッケルめっき層 7及び金一ニッケル合金めつき層 8 0が形成された後、図 1 6 Αに示すように、溶融されたはんだの拡散防止領域 6 を形成する部分にレーザビーム Lが照射される。レーザビーム Lが照射された部分の金一ニッケル合金めつき層 8 0は溶融され、蒸発する。その結果、図 1 6 Bに示すように、金一ニッケル合金めつき層 8 0が除去され、下地めつきであるニッケルめっき層 7が露出された拡散防止領域 6が形成される。

ュッケルめっき層 7は、金一ニッケル合金めつき層 8 0に比べてはんだのぬれ性が非常に低いので、コンタクト 1の端子部 2と接点部 3の間の部分においてニッケルめっき層 7が露出された拡散防止領域 6が形成されることにより、溶融されたはんだが端子部 2から金一ニッケル合金めつき層 8 0の表面を拡散してきても、拡散防止領域 6の部分、すなわち、露出されたニッケルめっき層 7と金一ニッケル合金めっき層 8 0との境界で、はんだの拡散が停止し、それ以上はんだが拡散しない。その結果、はんだが接点部 3にまで拡散したり、端子部 2に十分な量のはんだが残らなくなることを防止することができる。また、プリント配線基板 1 1 0への端子部 2のはんだ接合強度を高く維持することができる。

例えば上記第 2の実施の形態では、図 1 3 Bに示すように、金めつき層 8にレーザビーム Lを照射することにより、金とニッケルの合金層 8 aを形成させている。その場合、金とニッケルの割合はニッケルの方が金よりもはるかに多いので、合金層 8 aとはんだのぬれ性は、ニッケルとはんだのぬれ性と同程度に低い。そのため、合金層 8 aは、溶融されたはんだの拡散防止領域 6として機能する。これに対して、本実施の形態の金一ニッケル合金めつき層 8 0では、上記のように金とニッケルの割合は金の方がニッケルよりも多い。そのため、金一-ッケル合金めつき層 8 0とはんだのぬれ性は、金とはんだのぬれ性と同程度に高い。そのため、金一ニッケル合金めつき層 8 0は、金めつき層 8と同様に、コンタクト 1などのはんだ付けされる部品の表面処理として好適である。

また、レーザビーム Lのパワーを調節することにより、図 1 7に示すように、金 —エッケル合金めつき層 8 0のうちレーザビーム Lが照射された部分で、金一 -ッケル合金のニッケルを表面へ拡散させて拡散層 8 1を形成させてもよい。その場合、拡散層 8 1の表面近傍では、金とニッケルの割合はニッケルの方が金よりも多くなるので、拡散層 8 1とはんだのぬれ性は非常に低くなり、拡散層 8 1が溶融されたはんだの拡散防止領域 6として機能する。

さらに、図 1 8に示すように、レーザビーム Lから受けるエネルギーの高い部分 9では、表面の金一ニッケル合金めつき層 8 0を蒸発させてニッケルめっき層 7を露出させ、レーザビーム Lから受けるエネルギーの低い部分では、金一ニッケル合金のニッケルを表面へ拡散させて拡散層 8 1を形成させてもよい。このようにすれば、下地めつきであるニッケルめっき層 7まで蒸発されることはなく、銅などのコンタクト 1の素材が露出されることを防止することができる。その一方で、エッケルめっき層 7が露出した部分 9及び拡散層 8 1は共にはんだとのぬれ性が低いので、拡散防止領域 6として機能し、溶融されたはんだの拡散を防止することができる。第 5の実施の形態

次に、本宪明の第 5の実施の形態について説明する。上記第 4の実施の形態では、コンタクト 1のほぼ全表面に、下地めつきとしてニッケルめっき層 7が形成され、さらにニッケルめっき層 7の上に金一ニッケル（Au— N i ) 合金めつき層 8 が形成されている。第 5の実施の形態では、下地めつきとして、ニッケルめっき層 7の上に、さらにパラジウム一ニッケル（P d—N i ) 合金めつき層 70が形成され、パラジウム一ニッケル合金層 70の上に金一ニッケル（Au— N i) 合金めつき層 80が形成されている。

多数のコンタクト 1が所定ピッチで配列された半加工品 12を、その長手方向に搬送させながら、ニッケル浴に浸漬させることにより、まずコンタクト 1の表面の全面に下地めつきとしてニッケルめっき層 7を形成させる。次に、パラジウム一二ッケル合金めつき浴に浸漬させることにより、ニッケルめっき層 7の上にパラジゥムーニッケル合金めつき層 70を形成させる。そして、半加工品 12を長手方向に搬送させながら、金一ニッケル合金めつき浴に浸漬させることにより、パラジウム一ニッケル合金めつき層 70の上のコンタクト 1の表面の全面に金一ニッケル合金めっき層 80を形成させる。

ニッケルめっき浴の種類は特に限定されないが、例えばスルファミン酸ニッケルめっき浴を用いると、電流密度を上げやすく、生産性を高めることができる。ニッケルめっき層 7は、その膜厚が 0. 3~10 //inの範囲となるように形成される。また、パラジウム一ニッケル合金めつき浴の種類も特に限定されず、電流密度を上げやすく生産性を高めることができるものを用いるのが好ましい。パラジウム一- ッケル合金めつき層 70は、その膜厚が 0. 01〜1. Ο μπιの範囲となるように形成される。さらに、金ーュッケル合金めつき浴の種類も特に限定されないが、例えば共析比率が金：ニッケル = 70 ： 30〜99. 9〜0. 1の範囲のものを用いる。金一ニッケル合金めつき浴の具体例としては、日鉱メタルプレーティング株式会社の製品を使用することができる。金一ニッケル合金めつき層 80は、その膜厚が 0. 01〜0. 5 mの範囲となるように形成される。

コンタクト 1のほぼ全表面にニッケルめっき層 7及び金一ニッケノレ合金めつき層 80が形成された後、図 19 Aに示すように、溶融されたはんだの拡散防止領域 6 を形成する部分にレーザビーム Lが照射される。レーザビーム Lが照射された部分の金一ニッケル合金めつき層 8 0は溶融され、蒸発される。その結果、図 1 9 Bに示すように、金一ニッケル合金めつき層 8 0が除去され、パラジウム一-ッケル合金めっき層 7 0が露出された拡散防止領域 6が形成される。

パラジウム一ニッケル合金めつき層 7 0は、金一ュッケル合金めつき層 8 0に比ベてはんだのぬれ性が非常に低いので、コンタクト 1の端子部 2と接点部 3の間の部分においてパラジウム一ニッケル合金めつき層 7 0を露出させることにより、拡散防止領域 6が形成される。仮に、溶融されたはんだが端子部 2から金一ニッケル合金めつき層 8 0の表面を拡散してきても、拡散防止領域 6の部分、すなわち、露出されたパラジウム一ュッケル合金めつき層 7 0と金一ニッケル合金めつき層 8 0 との境界ではんだの拡散が停止し、それ以上はんだが拡散しない。その結果、はんだが接点部 3にまで拡散したり、端子部 2に十分な量のはんだが残らなくなることを防止することができる。また、プリント配線基板 1 1 0への端子部 2のはんだ接合強度を高く維持することができる。

さらに、パラジウム一ニッケル合金めつき層 7 0は、下地めつきであるニッケルめっき層 7に比べて耐食性が優れているので、めっき工程が増えるものの、ニッケルめっき層 7を露出させておくよりも、耐腐食性を向上させることができる。

また、レーザビーム Lのパワーを調節することにより、図 2 0に示すように、金一ニッケル合金めつき層 8 0のうちレーザビーム Lが照射された部分において、金 —ニッケル合金のニッケルを表面へ拡散させて拡散層 8 1を形成させてもよい。その場合、拡散層 8 1の表面近傍では、金とニッケルの割合はニッケルの方が金よりも高くなるので、拡散層 8 1とはんだのぬれ性は非常に低くなり、拡散層 8 1が溶融されたはんだの拡散防止領域 6として機能する。

さらに、図 2 1に示すように、レーザビーム Lから受けるエネルギーの高い部分では、表面の金一ニッケル合金めつき層 8 0を蒸発させてパラジウム一ニッケル合金めつき層 7 0が露出された部分 9を形成させ、レーザビーム Lから受けるェネルギ一の低い部分では、金一ニッケル合金のニッケルを表面へ拡散させて拡散層 8 1 を形成させてもよい。このようにすれば、下地めつきであるニッケルめっき層 7まで蒸発されることはなく、銅などのコンタクト 1の素材が露出されることを防止することができる。その一方で、パラジウム一ニッケル合金めつき層 7 0が露出され部分 9及び拡散層 8 1は共にはんだとのぬれ性が低いので、拡散防止領域 6として機能し、溶融されたはんだの拡散を防止することができる。その他の実施の形態

上記の各実施の形態において、レーザビーム Lを照射する工程を含む場合、レーザビーム Lの照射後に、コンタクト 1の端子部 2と接点部 3の間の部分の表面に炭化物などの汚れが付着している場合がある。そのような汚れを放置しておくと、その後の処理に支障を来したり、信頼性の高いコンタクト 1を得ることが困難となる。そこで、端子部 2と接点部 3の間の部分にレーザビーム Lを照射したときは、例えば図 1 5 A及び図 1 5 Bに示す治具 1 4を用いて、その部分を洗浄液 2 3に浸漬させてもよい。洗浄液 2 3としては、上記の汚れを除去できるものであれば、特に限定されるものではないが、例えばアルコール系などの洗浄液を用いることができる。なお、端子部 2と接点部 3の間の部分以外の部分に汚れが付着している場合には、その部分を洗浄液 2 3に浸漬させて、汚れを除去すればよい。コンタクト 1の表面に付着した汚れを除去することにより、製造工程が増えるものの、コンタクト 1のその後の処理に支障を来すようなことがなくなり、最終的に信頼性の高いコンタクト 1を得ることができる。

また、上記各実施の形態では、コネクタ用のコンタクトに溶融されたはんだの拡散防止領域を形成する場合について説明したが、本発明はこの用途に限定されるものではなく、例えば表面実装型半導体装置のパッケージに設けられたリ一ドなどにも応用することができる。すなわち、表面実装型半導体装置のパッケージも、コネクタと同様にプリント配線板に実装して使用されるものであり、プリント配線板の上方にパッケージを配置して、このパッケージに設けられたリ一ドの先端部をプリント配線板にはんだ付けすることによって、表面実装型半導体装置のパッケージの実装が行われる。その場合、リードの先端部からリードの基部（根元）に溶融されたはんだが拡散するのを防止することができる。本願は曰本国特許出願 2 0 0 2— 2 9 7 8 8 0、 2 0 0 3— 1 1 4 7 5 9及び 200 3 - 1 8 5 748に基づいており、その内容は、上記特許出願の明細書及び図面を参照することによって結果的に本願発明に合体されるべきものである。

また、本願発明は、添付した図面を参照した実施の形態により十分に記載されているけれども、さまざまな変更や変形が可能であることは、この分野の通常の知識を有するものにとって明らかであろう。それゆえ、そのような変更及び変形は、本願発明の範囲を逸脱するものではなく、本願発明の範囲に含まれると解釈されるべきである。

Claims

言畲求の範囲

1 . 金属材料を所定形状に加工することにより形成され、一端の近傍に設けられた端子部及び他端の近傍に設けられた接点部と、

前記端子部及び接点部を含むほぼ全表面に形成された下地めつき層及ぴ金めつき層又は金を含む合金めつき層と、

前記端子部と接点部の間の前記金めっき層又は金を含む合金めっき層の上から処理を施されることにより形成され、はんだとのぬれ性が低く、溶融されたはんだが拡散しにくい拡散防止領域を備えたコネクタ用コンタクト。

2 . 前記拡散防止領域は、前記金めつき層又は金を含む合金めつき層に対してレーザビームを照射することにより、レーザビームが照射された部分の少なくとも一部の金又は金を含む合金を蒸発させて除去させ、下地めつき層を露出させたものであることを特徴とする請求項 1に記載のコネクタ用コンタクト。

3 . 前記拡散防止領域は、前記金めつき層に対してレーザビームを照射することにより、レーザビームが照射された部分の少なくとも一部が金と下地めつき層の材料を合金化させて形成された合金層であることを特徴とする請求項 1に記載のコネクタ用コンタクト。

4 . 前記拡散防止領域は、前記金を含む合金めつき層に対してレーザビームを照射することにより、レーザビームが照射された部分の少なくとも一部の表面に金を含む合金材料のうち、以外の材料を拡散させた拡散層であることを特徴とする請求項 1に記載のコネクタ用コンタクト。

5 . 前記拡散防止領域は、レーザビームが照射された部分の一部の金を蒸発により除去すると共に残りの金をニッケルと合金化させて形成された合金層であることを特徴とする請求項 1に記載のコネクタ用コンタクト。

6 . 一端の近傍にはんだ付けされる端子部を形成するように、金属材料を所定形状に加工する工程と、

前記端子部を含むほぼ全表面に下地めつき層及び金めつき層又は金を含む合金めっき層を形成する工程と、

前記端子部とはんだ付けされない非はんだ付け部の間の前記金めつき層又は金を含む合金めつき層に対してレーザビームを照射することにより、はんだとのぬれ性が低く、溶融されたはんだが拡散しにくい拡散防止領域を形成する工程とを備えたはんだ付けされる部品の製造方法。

7 . 前記拡散防止領域は、レーザビームの照射により、レーザビームが照射された部分の少なくとも一部の金又は金を含む合金が蒸発により除去され、下地めつき層が露出されたものであることを特徴とする請求項 6に記載のはんだ付けされる部品の製造方法。

8 . 前記拡散防止領域は、レーザビームの照射により、レーザビームが照射された部分の少なくとも一部の金が下地めつき層に拡散されることにより形成された合金層であることを特徴とする請求項 6に記載のはんだ付けされる部品の製造方法。

9 . 前記拡散防止領域は、レーザビームの照射により、レーザビームが照射された部分の少なくとも一部の表面に金を含む合金材料のうち金以外の材料が拡散されて形成された拡散層であることを特徴とする請求項 6に記載のはんだ付けされる部品の製造方法。

1 0 . 前記拡散防止領域は、レーザビームが照射された部分の一部の金を蒸発により除去すると共に残りの金をニッケルと合金化させて形成された合金層であることを特徴とする請求項 6に記載のはんだ付けされる部品の製造方法。

1 1 . レーザビームを照射する前に、少なくともレーザビームが照射される領域を含む部分の金めつき層又は金を含む合金めつき層に対して、金の剥離液を作用させたことを特徴とする請求項 6に記載のはんだ付けされる部品の製造方法。

1 2 . レーザビームを照射した後に、少なくともレーザビームが照射された領域を含む部分の金めつき層又は金を含む合金めつき層に対して、金の剥離液を作用させることを特徴とする請求項 6に記載のはんだ付けされる部品の製造方法。

1 3 . 前記下地めつき層はニッケルめっき層であることを特徴とする請求項 6 に記載のはんだ付けされる部品の製造方法。

1 4 . 前記下地めつき層は、ニッケルめっき層及ぴその上に形成されたパラジゥム一ニッケル合金めっき層であることを特徴とする請求項 6に記載のはんだ付けされる部品の製造方法。

1 5. 前記金を含む合金は、金一ニッケル合金であることを特徴とする請求項 6に記載のはんだ付けされる部品の製造方法。

1 6. レーザビームは、前記端子部の近傍に照射されることを特徴とする請求項 6に記載のはんだ付けされる部品の製造方法。

1 7. レーザビームとして、 1パノレス当りのエネルギーが 0. 5〜5m jZ pulse の範囲で、かつ、単位面積当りのエネルギーが 1 00~200 Om jZm m²の範囲のものを用いることを特徴とする請求項 6に記載のはんだ付けされる部品の製造方法。

1 8. レーザビームとして、 1パルス当りのエネルギーが 3m J/pulse 以下で、かつ、単位面積当りのエネルギーが 1 20 Om J Zmm²以下であるものを用いることを特徴とする請求項 6に記載のはんだ付けされる部品の製造方法。

1 9. 前記レーザビームは、波長 1 100 nm以下であることを特徴とする請求項 6に記載のはんだ付けされる部品の製造方法。

20. レーザビームは、前記拡散防止領域が溶融されたはんだの拡散を防止しうるために必要な所定の幅よりも大きいビームスポット径を有し、

レーザビームの照射は、所定方向に所定のピッチずつずらしながら、形成される隣り合うナゲットが互いに重複する部分を形成し、該重複した部分の幅は溶融されたはんだの拡散を防止しうるために必要な所定の幅よりも広いことを特徴とする請求項 6に記載のはんだ付けされる部品の製造方法。

2 1. 前記はんだ付けされる部品は、金属帯材の側部に一定のピッチで複数配列された半加工品の状態で搬送され、

レーザビームは、前記半加工品の搬送方向に対して 90度以外の所定の角度をなす方向から、前記はんだ付けされる部品の前記搬送方向に平行な断面における

2辺に照射されることを特徴とする請求項 20に記載のはんだ付けされる部品の製造方法。

22. 前記はんだ付けされる部品はコネクタ用のコンタクトであり、前記端子部とは反対側の端部近傍に接点部が形成されていることを特徴とする請求項 6に記載のはんだ付けされる部品の製造方法。