WO2003080762A1

WO2003080762A1 - Film mince fonctionnel

Info

Publication number: WO2003080762A1
Application number: PCT/JP2003/003670
Authority: WO
Inventors: Tamotsu Takahashi; Kiyoshi Musha; Koichi Sakamaki; Yoshikazu Shoji
Original assignee: Japan Science And Technology Agency; Asahi Denka Co., Ltd.
Priority date: 2002-03-26
Filing date: 2003-03-26
Publication date: 2003-10-02
Also published as: JP4188616B2; CA2480553A1; EP1493796A4; EP1493796A1; CN1643106A; KR20040104524A; KR100960212B1; US20050240061A1; AU2003221150A1; CA2480553C; CN100387681C; TW200305631A; JP2003277742A; TWI312364B

Description

明細書機能性薄膜技術分野

本発明は、有機電界発光素子用材料及び有機電界発光素子に関する。背景技術

従来、無機電界発光素子は、例えば、バックライ卜などのパネル型光源として使用されてきたが、該発光素子を駆動させるには、交流の高電圧が必要である。最近になり、発光材料に有機材料を用いた有機電界発光素子（有機エレクトロルミネッセンス素子：有機 E L素子）が開発された〔Appl. Phys. Let t. , 51 、 913 (1987)〕。有機電界発光素子は、蛍光性有機化合物を含む薄膜を、陽極と陰極間に挟持された構造を有し、該薄膜に電子および正孔（ホール）を注入して、再結合させることにより励起子（エキシトン）を生成させ、この励起子が失活する際に放出される光を利用して発光する素子である。有機電界発光素子は、数 V 〜数十 V程度の直流の低電圧で、発光が可能であり、また蛍光性有機化合物の種類を選択することにより、種々の色（例えば、赤色、青色、緑色）の発光が可能である。このような特徴を有する有機電界発光素子は、種々の発光素子、表示素子等への応用が期待されている。しかしながら、一般に、有機電界発光素子は、安定性、耐久性に乏しいなどの難点がある。さらに、発光輝度が低く、実用上充分ではない。

正孔注入輸送材料として、 4， 4，一ビス〔N—フエ二ルー N— （3 ' '—メチルフエ二ル）ァミノ〕ビフエニルを用いることが提案されている〔Jpn. J. Appl. Phys. , 27、 L269 (1988) 〕。しかしながら、この有機電界発光素子も、安定性、耐久性に乏しいなどの難点がある。発光輝度を向上させる方法として、発光層として、例えば、トリス ( 8—キノリノラー卜) アルミニウムをホスト化合物、クマリン誘導体、ピラン誘導体をゲスト化合物（ドーパント）として用いた有機電界発光素子が提案されている〔 J. Appl. Phys. , 65 、 3610 (1989) 〕。また、発光層として、ビス（2—メチル一 8—キノリノラート）（4一フエニルフエノラート）アルミニウムをホスト化合物、ァクリドン誘導体（例えば、 N—メチル一 2—メトキシァクリドン）をゲスト化合物として用いた有機電界発光素子が提案されている（特開平 8— 6 7 8 7 3号公報）。しかしながら、これらの発光素子も充分な発光輝度を有しているとは言い難い。現在では、一層改良された有機電界発光素子が望まれている。

また電子注入輸送材料も満足いくものがなく、一層改良された有機電界発光素子が望まれている。発明の開示

本発明の課題は、安定性、耐久性、発光輝度、発光効率に優れた有機電界発光素子用材料及び有機電界発光素子を提供することである。

本発明者らは有機電界発光素子用材料に関して鋭意検討を重ねた結果、本発明を完成させるに至った。

すなわち本発明は、下記一般式（I ) で示されるポリアセン誘導体から選ばれる有機電界発光素子用材料を提供するものである。

(I)

[式中、 R ¹ R ²、 R ³、 R ⁴、 R ⁵、 R ⁶、 R ⁷、 R ⁸、 R ⁹及び R¹⁰は、それぞれ互いに独立し、同一または異なって、水素原子；置換基を有していてもよいじ丄〜C_4D炭化水素基；置換基を有していてもよいェ〜じアルコキシ基、置換基を有していてもよい C ₆〜C₄。ァリールォキシ基；置換基を有していてもよいァミノ基、水酸基又は置換基を有していてもよいシリル基であり、但し、 R ⁶及び R ⁷は、互いに架橋して C ₄〜C_4Q飽和又は不飽和環を形成してもよく、前記飽和又は不飽和環は、酸素原子、硫黄原子、又は式一 N (R ¹¹) 一で示される基（式中 R¹¹は水素原子又は炭化水素基である。）で中断されていてもよく、かつ、置換基を有していてもよく；

A¹及び A²は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、水素原子；ハロゲン原子；置換基を有していてもよい ^〜炭化水素基；置換基を有していてもよい。〜じアルコキシ基；置換基を有していてもよい C₆〜C₄。ァリールォキシ基；置換基を有していてもよい C₇〜C₄。アルキルァリールォキシ基；置換基を有していてもよい C₂〜C_4Dアルコキシ力ルポニル基；置換基を有していてもよい C₇〜C₄₀ァリールォキシカルボニル基；シァノ基（― CN) ；力ルバモイル基（一 C (=0) NH₂) ；ハロホルミル基（一 C (=0) 一 X、式中、 Xはハロゲン原子を示す。）ホルミル基 (-C (=0) 一 H) ；イソシァノ基；イソシアナト基、チオシアナト基又はチォイソシアナト基であり、但し、 A¹及び A²は、互いに架橋して、式— C (=0) -B-C (=〇） —で示される環を形成してもよく（式中、 Bは、酸素原子又は式— N (B¹) 一で示される基（式中、 B¹は、水素原子、（^〜じ炭化水素基、又は、ハロゲン原子である）である）、

nは、 1以上の整数である、

但し、 R¹ R²、 R³、 R⁴、 R⁵、 R⁶、 R⁷、 R⁸、 R⁹、 R^1D、 A¹及び A²が全て水素原子である場合を除き、

R⁷及び A¹がメトキシ基であるか、又は、 A²及び R⁶がメトキシ基である場合を除き、

nが 1である場合には、

少なくとも R¹, R²、 R ⁴及び R ⁹が水素原子以外の基であるか、又は少なくとも R³、 R⁵、 R⁸及び R^1Qが水素原子以外の基であり、

R³及び R^1Q、又は、 R⁴及び R⁹が、置換基を有していてもよいァリール基である場合を除き、

また、 nが 2である場合には、上記式（I) は、下記式（I a) で示されるで示されるペン夕セン誘導体であって、

(式中、 A¹及び A²は、上記の.意味を有し、 R¹ R²、 R³、 R⁴、 R^5a、 R^5b、 R⁶、 R⁷、 R^8a、 R^8b、 R⁹及び R^1Qは、それぞれ互いに独立し、同一または異なって、水素原子；置換基を有していてもよい (^〜(：₄₍₎炭化水素基；置換基を有していてもよい ^ C アルコキシ基、置換基を有していてもよい C₆〜C₄₀ ァリールォキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基、水酸基又は置換基を有していてもよいシリル基であり、但し、 R⁶及び R⁷は、互いに架橋して C₄〜C ₄₍₎飽和又は不飽和環を形成してもよく、前記飽和又は不飽和環は、酸素原子、硫黄原子、又は式 _N (R") 一で示される基（式中 R ¹¹は水素原子又は炭化水素基である。）で中断されていてもよく、かつ、置換基を有していてもよい。） R R²、 R³、 R⁴、 R^5a、 R^5b、 R⁶、 R⁷、 R^8a、 R^8b、 R⁹、 R^1Q、 A¹及び A²の 1つ以上がジァリ一ルァミン基である場合を除く。 ]

また本発明は、一般式（I) で示され、 n=l又は 2であり、

nが 1である場合には、

R R²、 R³、 R⁴、 R⁵、 R⁶、 R⁷、 R⁸、 R⁹、 R^1Q、 A¹及び A²が全てメチル基である場合と、 R³、 R⁴、 R⁹及び R¹⁽⁾が全てァリ一ル基であり、かつ、 R R²、 R⁵、 R⁶、 R⁷、 R⁸、 A¹及び A²が全て水素原子である場合と、 R R²、 R⁴及び R⁹が全てアルコキシ基又はァリールォキシ基であり、かつ、 R³、 R⁵、 R⁶、 R⁷、 R⁸、 R^1Q、 A¹及び A²が全て水素原子である場合と、 R³、 R 5、 R ⁸及び R^1Qが全てァルコキシ基又はァリールォキシ基であり、かつ、 R R²、 R⁴、 R⁶、 R⁷、 R⁹、 A¹及び A²が全て水素原子である場合とを除き、また、 nが 2である場合には、前記式（l a) で示されるペン夕セン誘導体であって、

式（I a) 中、 R¹ R²、 R³、 R⁴、 R^5a、 R^5b、 R⁶、 R⁷、 R^8a、 R^8b、 R⁹、 R^lfl、 A¹及び A²が全てメチル基である、又は、 R¹ R²、 R³、 R⁴、 R^5a、 R ^5b、 R^8a、 R^8b、 R ⁹及び R ¹⁽¹が全て水素原子であり、かつ、 R⁶、 R⁷、 A¹及び A²の 1つ以上がァリール基である、又は、 R R R³、 R⁴、 R^5a、 R^5b、 R⁶、 R⁷、 R^8a、 R^8b、 R⁹、 R^1Q、 A¹及び A²の 6つ以下が水素原子以外の基である場合に前記水素原子以外の基のいずれかがメトキシ基である場合、

下記式（l b) で示されるペン夕セン誘導体である場合、

[式中、 R¹ R²、 R^5b及び R^8bが全てアルコキシ基又はァリールォキシ基である。 ]

下記式（I c) で示されるペン夕セン誘導体である場合、並びに、

[式中、 R³、 R^5a、 R^8a及び R^1Dの 2つ以上がァリール基又はァリールアルキニル基であるか、 R³、 R^5a、 R^8a及び R^lflの 1つ以上がァリ一ルァルケニル基であるか、又は、 R³、 R^5a、 R^8a及び R^1Qが全てアルコキシ基又はァリールォキシ基である。 ]

下記式（I d) で示されるペン夕セン誘導体である場合

[式中、 R⁴及び R⁹が水素原子、炭化水素基、アルコキシ基、ァリールォキシ基、ハロゲン原子又は水酸基である。 ]

を除く、前記の有機電界発光素子用材料を提供するものである。

また本発明は、式（I) 中、 R¹ R²、 R³、 R⁴、 R⁵、 R⁶、 R⁷、 R⁸、 R R^ID、 A¹及び A²の 5つ以上が、水素原子以外の基である前記のポリアセン誘導体から選ばれた有機電界発光素子用材料を提供するものである。また本発明は、式（I ) 中、 R¹ R²、 R³、 R⁴、 R⁵、 R⁶、 R⁷、 R⁸、 R ⁹、 R^1D、 A¹及び A²の 6つ以上が水素原子以外の基である前記のポリアセン誘導体から選ばれた有機電界発光素子用材料を提供するものである。

また本発明は、前記ポリアセン誘導体が、前記式（I a) で示されるペンタセン誘導体であり、 R R²、 R³、 R⁴、 R⁵ R^5b、 R⁶、 R⁷、 R^8a、 R^8b、 R⁹、 R^1Q、 A¹及び A²の 5つ以上が、水素原子以外の基である前記のポリアセン誘導体から選ばれた有機電界発光素子用材料を提供するものである。

また本発明は、式（I a) 中、 R¹ R²、 R³、 R⁴、 R^5a、 R^5b、 R⁶、 R⁷、 R^s\ R^8b、 R R^1Q、 A¹及び A²の 6つ以上が、水素原子以外の基である前記のポリアセン誘導体から選ばれた有機電界発光素子用材料を提供するものである。また本発明は、式（I a) 中、 R R²、 R³、 R⁴、 R^5a、 R^5b、 R⁶、 R⁷、 R⁸\ R^8b、 R R^1Q、 A¹及び A²の 7つ以上が、水素原子以外の基である前記のポリアセン誘導体から選ばれた有機電界発光素子用材料を提供するものである。また本発明は、式（I a) 中、 R R²、 R³、 R⁴、 R^5a、 R^5b、 R⁶、 R⁷、 R⁸\ R^8b、 R⁹、 R^1Q、 A¹及び A²の 8つ以上が、水素原子以外の基である前記のポリァセン誘導体から選ばれた有機電界発光素子用材料を提供するものである。また本発明は、式（I a) 中、 R¹ R²、 R³、 R R^5a、 R^5b、 R⁶、 R⁷、 R^8a、 R^8b、 R R^l A¹及び A²の 9つ以上が、水素原子以外の基である前記のポリアセン誘導体から選ばれた有機電界発光素子用材料を提供するものである。また本発明は、式（I a) 中、 R R²、 R³、 R⁴、 R^5a、 R^5b、 R⁶、 R⁷、 R^8a、 R^8b、 R⁹、 R^1D、 A¹及び A²の 1 0以上が、水素原子以外の基である前記のポリアセン誘導体から選ばれた有機電界発光素子用材料を提供するものである。また本発明は、式（I ) 中、！^及び ²、 1^³及び ¹⁽⁾、 ⁴及び ⁹、 R⁵及び R⁸、 ⁶及び ⁷、並びに、 A ¹及び A²のいずれかの組合せが同一の置換基である前記のポリアセン誘導体から選ばれた有機電界発光素子用材料を提供するものである。

また本発明は、式（I a) 中、 R¹及び R²、 R³及び R^1Q、 R⁴及び R⁹、 R^5a 及び R^8a、 R^5b及び R^8b、尺⁶及び ⁷、並びに、 A¹及び A ²のいずれかの組合せが同一の置換基である前記のポリアセン誘導体から選ばれた有機電界発光素子用材料を提供するものである。

また本発明は、式（I ) 中、 R R²、 R³、 R⁴、 R⁵、 R⁶、 R⁷、 R⁸、 R ⁹及び R^1Dの何れかが、置換基を有していてもよい Ci Cw炭化水素基；置換基を有していてもよい (^〜（ ₄₍₎アルコキシ基、又は置換基を有していてもよい C₆ 〜C_4Qァリールォキシ基である前記のポリァセン誘導体から選ばれた有機電界発光素子用材料を提供するものである。

また本発明は、式（I a) 中、 R¹, R²、 R³、 R⁴、 R^5a、 R^5b、 R⁶、 R⁷、 R^8a、 R^8b、 R⁹及び R^1Qの何れかが、置換基を有していてもよい (：ェ〜じ炭化水素基；置換基を有していてもよい c₁〜c₄₍₎アルコキシ基、又は置換基を有していてもよい C₆〜C_4Qァリールォキシ基である前記のポリアセン誘導体から選ばれた有機電界発光素子用材料を提供するものである。

また本発明は、式（I ) 中、 R R²、 R⁴及び R⁹は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、置換基を有していてもよい ^〜じアルキル基又は置換基を有していてもよい C₆〜C₁₈ァリール基であり； A¹及び A²は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、置換基を有していてもよい c₂〜c₄₀ アルコキシカルポニル基であり； nは 1である前記のポリアセン誘導体から選ばれた有機電界発光素子用材料を提供するものである。

また本発明は、式（I ) 中、 A A²、 RK R²、 R⁴及び R⁹は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、置換基を有していてもよい〜じアルキル基又は置換基を有していてもよい C₆〜C₁₈ァリール基であり； nは 1である前記のポリアセン誘導体から選ばれた有機電界発光素子用材料を提供するものである。

また本発明は、式（I ) 中、 R³、 R⁵、 R⁶、 R⁷、 R⁸及び R¹⁽⁾は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、置換基を有していてもよい ~(：₄₍₎アルキル基又は置換基を有していてもよい C₆〜C₁₈ァリール基であり； A¹及び A² は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、ハロゲン原子であり； nは 1である前記のポリアセン誘導体から選ばれた有機電界発光素子用材料を提供するものである。また本発明は、前記ポリアセン誘導体が、前記式（I a) で示されるペン夕セン誘導体である塲合に、 A¹及び A²が置換基を有していてもよい C₂〜C_4Qアルコキシカルポニル基であり、かつ、 R¹ R²、 R⁴、 R^5b、 R⁶、 R⁷、 R^8b、 R⁹が置換基を有していてもよい（^〜（ ₄₍₎アルキル基又は置換基を有していてもよい C ₆〜 C i ₈ァリール基である前記のポリァセン誘導体から選ばれた有機電界発光素子用材料を提供するものである。

また本発明は、前記ポリアセン誘導体が、前記式（I a) で示されるペン夕セン誘導体である場合に、 k}、 AK R R²、 R⁴、 R^5b、 R⁶、 R⁷、 R^8b、 R⁹ が置換基を有していてもよい〜。アルキル基又は置換基を有していてもよい C ₆〜 C_{∑ 8}ァリール基である前記のポリアセン誘導体から選ばれた有機電界発光素子用材料を提供するものである。

また本発明は、前記ポリアセン誘導体が、上記式（I a) で示されるペンタセン誘導体である場合に、 A¹及び A²がハロゲン原子であり、かつ、 R³、 R^5a、及び RIGが置換基を有していてもよい（^〜(：₄₍₎アルキル基又は置換基を有していてもよい C₆〜C₁₈ァリ一ル基である前記のポリアセン誘導体から選ばれた有機電界発光素子用材料を提供するものである。

また本発明は、一対の電極間に、上述したポリアセン誘導体を少なくとも 1種含有する層を、少なくとも一層挟持してなる有機電界発光素子を提供するものである。

また本発明は、上述したポリアセン誘導体を少なくとも 1種含有する層が、発光層である前記の有機電界発光素子を提供するものである。

また本発明は、上述したポリアセン誘導体を少なくとも 1種含有する層が、正孔注入輸送層である前記の有機電界発光素子を提供するものである。

また本発明は、上述したポリアセン誘導体を少なくとも 1種含有する層が、電子注入輸送層である前記の有機電界発光素子を提供するものである。

また本発明は、さらに、多環芳香族化合物、発光性有機金属錯体またはトリァリールアミン誘導体を少なくとも 1種含有する前記の有機電界発光素子を提供するものである。

また本発明は、少なくとも 1層中に、上述したポリアセン誘導体を 0. 1〜4 含有する前記有機電界発光素子を提供するものである < 図面の簡単な説明

図 1は、有機電界発光素子の一例（A) の概略構造図である _c

図 2は、有機電界発光素子の一例（B) の概略構造図である _c

図 3は、有機電界発光素子の一例（C) の概略構造図である _c

図 4は、有機電界発光素子の一例（D) の概略構造図である _c

図 5は、有機電界発光素子の一例（E) の概略構造図である _c

図 6は、有機電界発光素子の一例（F) の概略構造図である _c

図 7は、有機電界発光素子の一例（G) の概略構造図である

図 8は、有機電界発光素子の一例（H) の概略構造図である _c 発明を実施するための最良の形態

以下、本発明に関して詳細に説明する。

本発明の有機電界発光素子材料は一般式（I) で示されるポリアセン誘導体である。また本発明の有機電界発光素子は一般式（I) で示されるポリアセン誘導体を、一対の電極間に、少なくとも一種挟持してなるものである。本発明の有機電界発光素子材料である、一般式（I) で表されるポリアセン誘導体（以下、単にポリアセン誘導体とも称する）は、一般式（I) で示されるポリアセン構造を有する。

[式中、 R R²、 R³、 R⁴、 R⁵、 R⁶、 R⁷、 R⁸、 R⁹、 R¹⁰, A¹及び A²は、上記の意味を有する。 ]

上記式（I) 中、 R¹ R²、 R³、 R⁴、 R⁵、 R⁶、 R⁷、 R⁸、 R⁹及び R^1Qは、それぞれ互いに独立し、同一または異なって、水素原子；置換基を有していてもよい C C 炭化水素基；置換基を有していてもよい（^〜じアルコキシ基、置換基を有していてもよい C₆〜C_4Qァリールォキシ基；アミノ基、水酸基又はシリル基である。

本明細書では、（^〜(:₄₍₎炭化水素基は、飽和若しくは不飽和の非環式であつてもよいし、飽和若しくは不飽和の環式であってもよい。〜(^炭化水素基が非環式の場合には、線状でもよいし、枝分かれでもよい。（^〜炭化水素基には、 c!〜c₄。アルキル基、 C₂〜C_4Qアルケニル基、 C₂〜C_4Qアルキニル基、 C₃〜C_4Qァリル基、 C₄〜C_4Qアルキルジェニル基、 C₄〜C_4Qポリェニル基、 c₆〜c₁₈ァリール基、 c₆〜c₄。アルキルァリール基、 c₆〜c₄。ァリールアルキル基、 C₄〜C_4Qシクロアルキル基、 C₄〜C_4Dシクロアルケニル基などが含まれる。

(：！〜。アルキル基、 C₂〜C_4Qアルケニル基、 C₂〜C_4Gアルキニル基、 c₃〜 c₄₀ァリル基、 c₄〜c₄₀アルキルジェニル基、及び、 c₄〜c₄₀ポリェニル基は、それぞれ、アルキル基、 C₂〜C_2Qアルケニル基、 C₂〜C_2Dアルキニル基、 C₃〜C₂₀ァリル基、 C₄〜C₂₀アルキルジェニル基、及び、 C₄〜C₂₀ポリエニル基であることが好ましく、〜。アルキル基、〇₂〜。アルケニル基、 C₂〜C_1Qアルキニル基、 C₃〜C_1Qァリル基、 c₄〜c₁₍₎アルキルジェニル基、及び、 C ₄〜 c _1Qポリェニル基であることがさらに好ましい。

本発明の実施において有用な、置換基を有していてもよいアルキル基の例には、制限するわけではないが、メチル、ェチル、プロピル、 n—ブチル、 t—プチル、ドデカニル、トリフルォロメチル、ペルフルオロー n_プチル、 2, 2, 2 —トリフルォロェチル、ベンジル、 2—フエノキシェチル等がある。

本発明の実施において有用な、置換基を有していてもよいァリール基の例には、制限するわけではないが、フエニル、 2—トリル、 3—トリル、 4一トリル、ナフチル、ビフエニル、 4—フエノキシフエニル、 4一フルオロフェニル、 3—力ルポメトキシフエ二ル、 4—カルポメトキシフエニル等がある。

本発明の実施において有用な、置換基を有していてもよいアルコキシ基の例には、制限するわけではないが、メ卜キシ、エトキシ、 2—メ卜キシエトキシ、 t ーブ卜キシ等がある。本発明の実施において有用な、置換基を有していてもよいァリールォキシ基の例には、制限するわけではないが、フエノキシ、ナフトキシ、フエニルフエノキシ、 4—メチルフエノキシ等がある。

本発明の実施において有用な、置換基を有していてもよいアミノ基の例には、制限するわけではないが、ァミノ、ジメチルァミノ、メチルァミノ、メチルフエニルァミノ、フエニルァミノ等がある。

置換基を有していてもよいシリル基としては、式一 S i ( R ¹²) ( R ¹³) ( R ¹⁴) で示される基 [式中、 R ¹²、 R ¹³及び R ¹⁴は、それぞれ、互いに独立し、同一又は異なって、ハロゲン原子で置換されていてもよい〜（ ₄₍₎アルキル基；ノ、ロゲン原子で置換されていてもよい C ₆〜C _4Qァリールアルキル基；ハロゲン原子で置換されていてもよい C C^アルコキシ基；ハロゲン原子で置換されていてもよい C ₆〜(： _4ϋァリールアルキルォキシ基である。 ] を挙げることができる。

本発明の実施において有用な、置換基を有していてもよいシリル基の例には、制限されるわけではないが、トリメチルシリル、トリエヂルシリル、トリメトキシシリル、トリエトキシシリル、ジフエニルメチルシリル、トリフエニルシリル、卜リフエノキシシリル、ジメチルメトキシシリル、ジメチルフエノキシシリル、メチルメトキシフエ二ル等がある。

炭化水素基、〜( ₄₀アルコキシ基、 c₆〜c₄₀ァリールォキシ基、アミノ基、シリル基などには、置換基が導入されていてもよく、この置換基としては、例えば、ハロゲン原子、水酸基、アミノ基などが挙げられる。

ハロゲン原子には、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が含まれる。〜。炭化水素基、（^〜(：₄₀アルコキシ基、 c₆〜c₄₀ァリールォキシ基などの水素原子が、フッ素原子で置換されている場合には、ポリアセン誘導体の溶角?度が増大するので好ましい。

R ⁶及び R⁷は、互いに架橋して C ₄〜C _4D飽和又は不飽和環を形成してもよい。不飽和環は、ベンゼン環等の芳香族環であってもよい。 R ⁶及び R ⁷が互いに架橋して形成する環は、 4〜1 6員環であることが好ましく、 4〜1 2員環であることが更に好ましい。この環は、芳香族環あってもよいし、脂肪族環であってもよレこの環には、（^〜（：₂₍₎炭化水素基、 Ci C^アルコキシ基、 c₆〜c₂。ァリールォキシ基、アミノ基、水酸基又はシリル基などの置換基が導入されていてもよい。

前記飽和又は不飽和環は、酸素原子、硫黄原子、又は式一 N (R") 一で示される基 [式中、 R¹¹は水素原子又は炭化水素基である。 ] で中断されていてもよレ^ R¹¹は水素原子又は〜アルキル基であることが好ましく、水素原子又は〜アルキル基であることがさらに好ましい。

上記式（I ) 中、 A¹及び A²は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なつて、水素原子；ハロゲン原子；置換基を有していてもよい (：〜炭化水素基；置換基を有していてもよい c₁〜c₄。アルコキシ基、置換基を有していてもよい c₆〜c₄。ァリ一ルォキシ基；置換基を有していてもよい C₇〜C_4Qアルキルァリールォキシ基；置換基を有していてもよい C₂〜C_4Qアルコキシカルポニル基；置換基を有していてもよい c₇〜c₄。ァリールォキシ力ルポニル基；シァノ基（一 CN) ；カルバモイル基（― C (=0) NH₂) ；ハロホルミル基 (-C (=〇）一 X、式中、 Xはハロゲン原子を示す。）ホルミル基（_C (=0) 一 H) ；イソシァノ基；イソシァナト基、チオシアナト基又はチオイソシアナ卜基である。

シァノ基 (-CN) ；カルバモイル基（一 C (=0) NH₂) ；八口ホルミル基（一 C (=0) — X、式中、 Xはハロゲン原子を示す。）；ホルミル基（― C (=〇）一 H) 、イソシァノ基、イソシアナ卜基、チオシアナト基又はチォイソシアナト基は、たとえば、アルコキシカルボニル基から通常の有機化学の手法により変換することができる。また、力ルバモイル基（_C (=0) NH₂) 、ハ口ホルミル基（― C (=0) 一 X、式中、 Xはハロゲン原子を示す。）、ホルミル基（一 C (=〇） ― H) などは、シァノ基、アルコキシカルポニル基と互いに変換することができる。

A¹及び A²は、互いに架橋して、式— C (=0) -B-C (=0) —で示される環を形成してもよい [式中、 Bは、酸素原子又は式一 N (B¹) 一で示される基（式中、 B¹は、水素原子、（^〜(：₄₍₎炭化水素基、又は、ハロゲン原子である）である] 。たとえば、 A¹及び A²が、アルコキシカルボニル基である場合には、通常の有機化学の手法により、カルポキシ基に変換することができる。そして、隣接する力ルポキシル基は、脱水することにより、無水カルボン酸、即ち、式 _ C (=o ) -o - c (=o) 一で示される環に変換することができる。同様にして、無水カルボン酸は、通常の有機化学の手法により、イミド、式一 C (= 0) 一 N ( B ¹) — C (= 0) 一で示される環（B ¹は上記の意味を有する。）に変換することができる。

nは、 1以上の整数である。 nが 1及び 2の場合には、それぞれ、 4環式及び、 5環式、即ち、ナフ夕セン誘導体、及び、ペン夕セン等誘導体となる。

従来は、縮合多環芳香族化合物中の芳香族環の数が増大するにつれて、溶解度が減少する傾向にあった。しかし、後述する製造方法によれば、縮合多環芳香族化合物中の芳香族環の数が増大しても、適切な様々な置換基を導入することにより、溶解度を維持することができる。従って、 nは 1〜2に限られることなく、 3以上の整数であってもよいし、 4以上の整数であってもよいし、 5以上の整数であってもよい。たとえば、ベンゼン環が 7つ縮合したポリアセン誘導体（nが 4に相当する。 ) が得られている。

nは、 2 0 0以下であってもよく、 1 0 0以下であってもよく、 8 0以下であつてもよく、 5 0以下であってもよく、 3 0以下であってもよく、 2 0以下であつてもよく、 1 5以下であってもよく、 1 0以下であってもよい。例えば、下記に説明する製造方法を適用することにより、 nの数は 2つずつ増加していくので、このスキームを繰り返せばよい。そして、上述したように、置換基を適切に導入することにより、 nの数が増大しても溶解度は維持することができるので、 n の数を増加させていくことができる。

本発明において、上記式（I ) 中、 R R ²、 R ³、 R⁴、 R ⁵、 R ⁶、 R⁷、 R ⁸、 R R ^l A¹及び A²が全て水素原子であるポリアセン誘導体から選ばれる有機電界発光素子用材料を対象としていない。また、上記式（I ) 中、 R ⁷及び A ¹ がメトキシ基であるか、又は、 A ²及び R ⁶がメトキシ基であるポリアセン誘導体から選ばれる有機電界発光素子用材料を対象としていない。

また、本発明において、上記式（I ) 中、 nが 1である場合には、少なくとも R RK R⁴及び； ⁹が水素原子以外の基であるか、又は少なくとも R³、 R⁵、 R⁸及び R^1Dが水素原子以外の基である。また、本発明において、上記式（I) 中、 nが 1である場合には、 R³及び R^1Q、又は、 R⁴及び R⁹が、置換基を有していてもよいァリール基であるポリアセン誘導体から選ばれる有機電界発光素子用材料は対象としていない。

また、上記式（I) 中、 nが 2であり、上記式（I) が下記式（I a) で示されるペン夕セン誘導体である場合に、

[式中、 R¹ R²、 R³、 R⁴、 R^5a、 R^5b、 R⁶、 R⁷、 R^8a、 R 8b R⁹、 R ^lfl、 A¹及び A²は、それぞれ上記の意味を有する。 ]

R¹, R²、 R³、 R⁴、 R^5a、 R^5b、 R⁶、 R⁷、 R^8a、 R^8b， R⁹、 R¹⁰、 A: 及び A ²の 1つ以上がジァリールアミン基であるペン夕セン誘導体から選ばれる有機電界発光素子用材料を対象としていない。

本発明において、上記式（I) で示されるポリアセン誘導体は、 n=lの場合には、 R R²、 R³、 R⁴、 R⁵、 R⁶、 R⁷、 R⁸、 R⁹、 R^1D、 A¹及び A²が全てメチル基である場合と、 R³、 R⁴、 R⁹及び R¹⁽⁾が全てァリール基であり、かつ、 R R²、 R⁵、 R⁶、 R⁷、 R⁸、 A¹及び A²が全て水素原子である場合と、 R\ R²、 R⁴及び R⁹が全てアルコキシ基又はァリールォキシ基であり、かつ、 R³、 R⁵、 R⁶、 R⁷、 R⁸、 R^1Q、 A¹及び A²が全て水素原子である場合と、 R ³、 R⁵、 R ⁸及び R^1Gが全てアルコキシ基又はァリールォキシ基であり、かつ、 R R²、 R⁴、 R⁶、 R⁷、 R⁹、 A¹及び A²が全て水素原子である場合以外のものであることが好ましい。

また、本発明において、上記式（I) で示されるポリアセン誘導体は、 nが 2 である場合に、以下の（a' ) 、（b' ) 、 (c' ) 及び（d' ) の場合以外のものであることが好ましい。

(a' ) 上記式（I a) 中、 R¹, R²、 R³、 R⁴、 R^5a、 R^5b、 R⁶、 R⁷、 R^8a、 R^8b R⁹ R^1Q A¹及び A²が全てメチル基である、又は、 R¹ R² R³ R 4 R^5a、 R^5b R^8a R^8b R ⁹及び R^1Qが全て水素原子であり、かつ、 R⁶ R⁷ A¹及び A²の 1つ以上がァリール基である、又は、 R¹ R²、 R³ R⁴、 R⁵ R^5b R⁶ R⁷ R^8a R^8b、 R⁹ R¹⁰, A¹及び A²の 6つ以下が水素原子以外の基である場合に前記水素原子以外の基のいずれかがメトキシ基である場合。

(b' ) 下記式（l b) で示されるペン夕セン誘導体であって、

式中、 R¹ R² R^5b及び R^8bが全てアルコキシ基又はァリールォキシ基である

(c， ) 下記式 (I c) で示されるペン夕セン誘導体であって、

つ以上がァリール基又はァリールアルキニル基であるか、 R³、 R^5a、 R^8a及び R¹⁽⁾の 1つ以上がァリールアルケニル基であるか、又は、 R³、 R^5a、 R^8a及び R^1Qが全てアルコキシ基又はァリールォキシ基である場合。

(d' ) 下記式 (I d) で示されるペン夕セン誘導体であって、

式中、 R⁴及び R⁹が水素原子、炭化水素基、アルコキシ基、ァリールォキシ基、ハロゲン原子又は水酸基である場合。

本発明において、上記式（I ) で示されるポリアセン誘導体は、 R¹ R² R³、 R⁴、 R⁵、 R⁶、 R⁷、 R⁸、 R⁹、 R^1Q、 A¹及び A²の 5つ以上が、水素原子以外の基であることが好ましく、 6つ以上が水素以外の基であることが更に好ましく、 8つ以上が水素以外の基であることが更になお好ましい。後述するように、リチウム化剤及び脱リチウム試薬の組合せで脱水素化をする場合には、 R¹ R²、 R³、 R⁴、 R⁵、 R⁶、 R⁷、 R⁸、 R⁹、 R^1Q、 A¹及び A²中に水素原子が多く含まれるにつれて、収率が低下する場合があるからである。

本発明において、上記式（I) で示されるポリアセン誘導体が、下記式（I a ) で.示されるペン夕セン誘導体である場合に、

[式中、 R R²、 R³、 R⁴、 R^5a、 R^5b、 R⁶ R⁷、 R^8a、 R^8b、 R⁹、 R^1Q、 A¹及び A²は、上記の意味を有する。 ] R R² R³, R⁴、 R^5£ R^5b、 R⁶、 R⁷、 R^s\ R^8b、 R⁹、 R¹⁰, A¹及び A²の 5つ以上が水素原子以外の基であるものが好ましく、さらに 6つ以上が水素原子以外のものであるものが好ましく、 7っ以上が水素原子以外のものがより好ましく、 8つ以上が水素原子以外のものがより好ましく、 9つ以上が水素原子以外のものがより好ましく、 10以上が水素原子以外のものがより好ましい。

また、上記式 (I) で示されるポリアセン誘導体において、 R¹及び R²、 R³ 及び R^1G、 R⁴及び R⁹、 R⁵及び R⁸、 R⁶及び R⁷、並びに、 A¹及び A²のいずれかの組合せが同一の置換基であるポリァセン誘導体が好ましく、いずれの組合せもそれぞれが同一の置換基であることが更に好ましい。かかるポリアセン誘導体の合成が容易であり、収率が向上するからである。

同様の理由から、上記式（I a) で示されるポリアセン誘導体において、 R¹ 及び R²、 R³及び R^1D、 R⁴及び R⁹、 ⁵³及び1 ⁸³、 R^5b及び R^8b、 1^⁶及び1^⁷ 並びに、 A¹及び A²のいずれかの組合せが同一の置換基であるポリアセン誘導体が好ましく、いずれの組合せもそれぞれが同一の置換基であることが更に好ましい。本発明の一実施形態では、上記式（I) で示されるポリアセン誘導体において、 nが 1である場合に、 A¹及び A²がアルコキシカルポニル基であり、かつ、 R R²、 R⁴及び R⁹がアルキル基又はァリール基であってもよい。また、 nが 1 である場合に、 AK AK R\ R²、 R⁴及び R⁹がアルキル基又はァリール基であってもよい。また、 nが 1である場合に、 A¹及び A²がハロゲン原子であり、かつ、 R³、 R⁵、 R⁶、 R⁷、 R ⁸及び R^1Gがアルキル基又はァリール基であってもよい。

また、本発明の一実施形態では、前記ポリアセン誘導体が、上記式（I a) で示されるペン夕セン誘導体である場合に、 A¹及び A²がアルコキシ力ルポニル基であり、かつ、 R R²、 R⁴、 R^5b、 R⁶、 R⁷、 R^8b、 R ⁹がアルキル基又はァリール基であってもよい。また、前記ポリアセン誘導体が、上記式（I a) で示されるペン夕セン誘導体である場合に、 A A²、 R R²、 R⁴、 R^5b、 R⁶、 R⁷、 R^8b、 R⁹がアルキル基又はァリール基であってもよい。また、前記ポリァセン誘導体が、上記式 (I a) で示されるペン夕セン誘導体である場合に、 A ¹及び A²がハロゲン原子であり、かつ、 R³、 R^5a、 ⁸³及び11¹⁽⁾がァルキル基又はァリール基であってもよい。

本発明の有機電界発光素子用材料である一般式（I) のポリアセン誘導体の具体例を以下に挙げる。

(化合物 1)

(化合物 2)

合物 9) 合物 10)

(化合物 11)

(化合物 12)

本発明の有機電界発光用材料である一般式（I) のポリアセン誘導体の製造方法としては、例えば、下記式（I I) で示される炭化水素縮合環が脱水素試薬の存在下、芳香族化することにより、上記式（I) で示されるポリアセン誘導体を得る方法を挙げることができる。

[式中、 R^! R² R³ R⁴ R⁵ R⁶ R⁷ R⁸ R⁹ R¹⁰, A A²、及び nは上記の意味を有する。下記式に示される結合は、単結合又は 2重結合を示す。上記式（I I) で示される炭化水素縮合環には、たとえば、結合の種類によつて、下記式（I I a) 、（I I b) 及び（I I c) で示される炭化水素縮合環が含まれる。

[式中、 R R²、 R³、 R⁴、 R⁵、 R^5a、 R^5b、 R⁶、 R⁷、 R⁸、 R^8a、 R 8b 、 R^1Q、 A A²、及び nは上記の意味を有する。 ]

nが奇数であり、上記式（I I) で示される炭化水素縮合環が上記式（l i b ) で示される炭化水素縮合環である場合、 kは、（n+ 1) /2で示される整数であり、 nが偶数であり、上記式（I I) で示される炭化水素縮合環が上記式（ I I c) で示される炭化水素縮合環である場合、 mは、 nZ2で示される整数である。

式（I I a) で示される炭化水素縮合環の場合には、一つの環が芳香族化されることになる。一方、式（I l b) 及び式 (l i e) で示される炭化水素縮合環の場合には、 2以上の環が芳香族化されることになる。

もっとも、上記式（I I) で示される炭化水素縮合環には、繰り返し単位中の環が、芳香族環である場合と、芳香族環でない場合がランダムに繰り返される場合も含まれる。

上記の一般式（I) のポリアセン誘導体の製造方法において、脱水素試薬がリチウム化剤と脱リチウム試薬との組合せであり、まず、前記炭化水素縮合環にリチウム化剤を添加し、ついで、脱リチウム試薬を添加することが好ましい。このスキームについて、下記式（I I a) （I I b) 及び（I I c) で示される炭化水素縮合環の場合で例示する。

[式中、 RK R² R³ R⁴ R⁵ R⁶ R⁷ R⁸ R⁹ R¹⁰ A¹, A²、及び nは上記の意味を有する。 D¹は、〜アルキル基等の求核基を意味する。 D²は Ci C_sアルキル基等の (^〜 ^炭化水素基を意味する。 Z¹は、ハロゲン原子等の脱離基を意味する。 ]

この際、ポリアセン誘導体の合成が容易になる観点から、式（I I a) 中、 R ³ .R^1Qは、水素原子であることが好ましい。

[式中、 R R²、 R³、 R⁴、 R⁵、 R⁶、 R⁷、 R⁸、 R⁹、 R¹⁰, A A²、及び kは上記の意味を有する。 D¹は、〜アルキル基等の求核基を意味する。 D²は、〜（：₆アルキル基等の (^〜(：₂₍₎炭化水素基を意味する。 Z¹は、ハロゲン原子等の脱離基を意味する。 ]

この際、ポリアセン誘導体の合成が容易になる観点から、式（I l b) 中、 R ³、 R⁵、 R⁸、 R¹⁽⁾は、水素原子であることが好ましい。

[式中、 R R²、 R³、 R⁴、 R⁵、 R⁶、 R⁷、 R R⁹、 R¹⁰, A¹, A²、及び mは上記の意味を有する。 D¹は、（^〜 ₆アルキル基等の求核基を意味する。 D²は、〜アルキル基等の〜(：_2[)炭化水素基を意味する。 Ζ¹は、ハロゲン原子等の脱離基を意味する。 ]

この際、ポリアセン誘導体の合成力容易になる観点から、式（I I c) 中、 R ³、 R R R^1Dは、水素原子であることが好ましい。

上記スキームでは、 L i一 D¹で示されるリチウム化剤（I V) が作用する炭素原子を明確にするという説明の便宜上、式（I I a) , 式（I I b) 又は式（ I I c) で示される炭化水素縮合環が用いられている。脱水素試薬がリチウム化剤と脱リチウム試薬との組合せが、上記式（I I) で示される炭化水素縮合環に広く適用することができることはいうまでもない。

式（I I a) 、式（I I b) 及び式 (I I c) で示される炭化水素縮合環にリチウム化剤（I V) を反応させ、それぞれ、式 (Va) 、 (Vb) 及び (Vc) で示されるリチウム化された炭化水素縮合環が得られる。リチウム化剤としては、アルキルリチウム、ァリールリチウムのような〜。炭化水素リチウムが好ましい。たとえば、ブチルリチウム等の C^ Ceアルキルリチウム、フエニルリチウムのような C₆〜C₂₍₎ァリ一ルリチウムが好適に用いられる。

リチウム化剤（I V) とともに、リチウム化剤の活性化剤を共存させることが好ましい。活性化剤としては、 3級ァミンが好ましく、たとえば、 N， N, N' 、 N'—テトラメチルエチレンジァミン (TMEDA) のような N， N, N，、 N 'ーテトラアルキルアルキレンジアミンが用いられる。アルキルリチウムは、溶液中では、四量体のようなオリゴマーとして存在していると思われる。そして、 3級ァミンが共存するときには、ァミンの窒素原子がアルキルリチウムのリチウム原子に配意し、オリゴマー構造を壊すと思われる。これにより、アルキルリチゥムのリチウム原子が溶液中に晒され、反応性が向上すると思われる。

溶媒としては、有機溶媒が好ましく、特に、無極性有機溶媒が用いられる。たとえば、へキサン等のアルカン、ベンゼン等の芳香族化合物が好ましい。

反応温度としては、 0〜 200 °Cが好ましく、 20〜 100 °Cがさらに好ましく、 30〜80°Cが更になお好ましい。

式（Va) 、 (Vb) 及び（Vc) で示される炭化水素縮合環に脱リチウム試薬（V I) を反応させ、これにより、それぞれ、式（V I l a) 、（VI l b) 及び（V I I c) で示される中間体が生成すると推定され、この中間体が分解し、式（I) 、 (I b) 又は（I c) で示されるポリアセン誘導体が得られる。脱リチウム試薬（VI) としては、たとえば、ハロゲン化アルキルを好適に用いることができる。ハロゲン化アルキルとしては、たとえば、ヨウ化メチル、臭化工チル等の炭素原子が 6個以下のハロゲン化アルキルが好ましい。

この反応では、リチウム化剤（IV) 及び脱リチウム試薬（VI) として、炭素数の少ないものを用いた場合には、たとえば、リチウム化剤（IV) 及び脱リチウム試薬（VI) として、ブチルリチウム及びヨウ化メチルを用いた場合には、ヨウ化リチウム及びへキサンが脱離することになる。へキサンは溶媒を除去するときに同時に除去できる。ヨウ化リチウムについては、得られた反応混合物を水で洗浄することにより、除去できる。従って、リチウム化剤と脱リチウム試薬との組合せは、反応混合物の精製がきわめて容易であり、好ましい。

式（I I a) で示される炭化水素縮合環から式（I) で示されるポリアセン誘導体までの収率は、 R R²、 R³、 R⁴、 R⁵、 R⁶、 R⁷、 R⁸、 R⁹、 R¹⁰, A 及び A²に水素原子が多く導入されている場合には、たとえば、これらのうち、 8 以上が水素原子である場合には、 50%ぐらいである。一方、 R R²、 R³、 R 4、 R⁵、 R⁶、 R⁷、 R⁸、 R⁹、 R^1D、 A 及び A²の 6以上、特に 8以上に水素原子以外の基が導入されている場合には、収率が向上する傾向にある。たとえば、収率は 90%以上になることもあり、 95%以上になることもある。

また、上記の一般式（I) のポリアセン誘導体の製造方法において、前記脱水素試薬が、下記式 (I I I) で示される化合物であることが好ましい。

[式中、 X¹、 X²、 X³、及び、 X⁴は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、ハロゲン原子又はシァノ基である。 ]

上記式（I I I) で示されるキノンは、上記式（I I) で示される化合物と反応して、 1， 4—ジヒドロキシーシクロへキサン誘導体に変換する。

上記式（I I I) で示されるキノンの場合には、ハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子が好ましく、塩素原子又は臭素原子がさらに好ましく、塩素原子がさらになお好ましい。たとえば、 X¹、 X²、 X³、及び、 X⁴が全て塩素原子であってもよい。即ち、クロラニルであってもよい。あるいは、 X '及び X ²がシァノ基であり、 X³及び X⁴が塩素原子であってもよい。即ち、 2, 3—ジクロ口 _ 5， 6—ジシァノキノンであってもよい。 X¹、 X²、 X³、及び、 X⁴が全てシァノ基であってもよい。即ち、 2, 3, 5, 6—テトラシァノキノンであってもよい。

上記式（I I I) で示されるキノンを用いた場合には、上記式（I I I) で示されるキノンが更に生成物のポリアセン誘導体と Diels-Alder反応をして、副生成物を生じる場合がある。所望より、カラムクロマトグラフィー等により、副生成物を除去する。

上記式（I I I) で示されるキノンは、このような副生成物の生成を防止するために、上記式（I I) で示される化合物の 0. 9〜1. 2当量用いることが好ましく、 0. 9〜1. 15当量用いることが更に好ましく、 0. 95〜1. 05 当量用いることが更になお好ましい。

溶媒としては、有機溶媒が好ましく、特に、ベンゼン等の芳香族化合物が好ましい。

反応温度としては、一 80〜 200 °Cが好ましく、 0〜 100 °Cがさらに好ましく、 10〜80°Cが更になお好ましい。所望により、光を遮断して反応を進行させてもよい。

また、上記の一般式（I) のポリアセン誘導体の製造方法において、前記脱水素試薬が、パラジウムを含むことが好ましい。たとえば、活性炭のような炭素に担持されたパラジウム、いわゆるパラジウムカーボンとして市販されているものを好適に用いることができる。 PdZCは、脱水素化に広く用いられている触媒であり、本発明においても従来と同様に用いることができる。反応温度は、たとえば、 200〜500°Cである。もっとも、反応温度は、出発物質等の様々な条件に依存して、適宜、設定すればよい。

炭化水素縮合環は、たとえば、下記のようなスキームで得ることができる。

[式中、 R R²、 R⁴、 R⁵、 R⁶、 R⁷、 R⁸、 R⁹、及び nは、上記の意味を有する。 A^la及び A^2aは、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、ハロゲン原子を含む置換基を有していてもよい C ₆〜C₄₍₎アルコキシ力ルポニル基又はハロゲン原子を含む置換基を有していてもよい C ₆〜C_4Qァリールォキシ力ルポ二ル基である。 Xはハロゲン原子等の脱離基である。下記式に示される結合は、単結合又は 2重結合を示す。

Mは、周期表の第 3〜 5族又はランタニド系列の金属を示し；

L ¹及び L ²は、互いに独立し、同一又は異なって、ァニオン性配位子を示し、ただし、 L ¹及び L²は、架橋されていてもよく；

Y¹及び Y²は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、脱離基である o ]

次に、有機電界発光素子について説明する。有機電界発光素子は、通常、一対の電極間に、少なくとも 1種の発光成分を含有する発光層を、少なくとも一層挟持してなるものである。発光層に使用する化合物の正孔注入および正孔輸送、電子注入および電子輸送の各機能レベルを考慮し、所望に応じて、正孔注入輸送成分を含有する正孔注入輸送層および/または電子注入輸送成分を含有する電子注入輸送層を設けることもできる。例えば、発光層に使用する化合物の正孔注入機能、正孔輸送機能および Zまたは電子注入機能、電子輸送機能が良好な場合には、発光層が正孔注入輸送層および/または電子注入輸送層を兼ねた型の素子の構成とすることができる。勿論、場合によっては、正孔注入輸送層および電子注入輸送層の両方の層を設けない型の素子（一層型の素子）の構成とすることもできる。また、正孔注入輸送層、電子注入輸送層および発光層のそれぞれの層は、一層構造であっても多層構造であってもよく、正孔注入輸送層および電子注入輸送層は、それぞれの層において、注入機能を有する層と輸送機能を有する層を別々に設けて構成することもできる。

本発明の有機電界発光素子において、本発明の一般式（I ) で示されるポリアセン誘導体は、正孔注入輸送成分、発光成分または電子注入輸送成分に用いることが好ましく、正孔注入輸送成分または発光成分に用いることがより好ましい。本発明の有機電界発光素子においては、本発明のポリアセン誘導体は、単独で使用してもよく、あるいは複数併用してもよい。

本発明の有機電界発光素子の構成としては、特に限定するものではなく、例えば、（A) 陽極ノ正孔注入輸送層発光層/電子注入輸送層ノ陰極型素子（図 1 ) 、 (B) 陽極ノ正孔注入輸送層/発光層/陰極型素子（図 2 ) 、 (C) 陽極 /発光層/電子注入輸送層/陰極型素子 (図 3 ) 、 (D) 陽極/発光層/陰極型素子（図 4 ) などを挙げることができる。さらには、発光層を電子注入輸送層で挟み込んだ型の素子である（E) 陽極/正孔注入輸送層 Z電子注入輸送層/発光層/電子注入輸送層 Z陰極型素子（図 5 ) とすることもできる。（D) 型の素子構成としては、発光成分を一層形態で一対の電極間に挟持させた型の素子は勿論であるが、さらには、例えば、（F) 正孔注入輸送成分、発光成分および電子注入輸送成分を混合させた一層形態で一対の電極間に挟持させた型の素子（図 6 ) 、 (G) 正孔注入輸送成分および発光成分を混合させた一層形態で一対の電極間に挟持させた型の素子（図 7 ) 、 (H) 発光成分および電子注入輸送成分を混合させた一層形態で一対の電極間に挟持させた型の素子（図 8 ) がある。

本発明の有機電界発光素子においては、これらの素子構成に限るものではなく、それぞれの型の素子において、正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層を複数層設けたりすることができる。また、それぞれの型の素子において、正孔注入輸送層と発光層との間に、正孔注入輸送成分と発光成分の混合層および/または発光層と電子注入輸送層との間に、発光成分と電子注入輸送成分の混合層を設けることもできる。

より好ましい有機電界発光素子の構成は、（A) 型素子、（B ) 型素子、 ( C) 型素子、（E) 型素子、（F) 型素子、（G) 型素子または（H) 型素子であり、さらに好ましくは、（A) 型素子、（B ) 型素子、（C ) 型素子、 ( F) 型素子または（G) 型素子である。本発明の有機電界発光素子としては、例えば、（図 1 ) に示す（A) 陽極/正孔注入輸送層 Z発光層 Z電子注入輸送層 Z陰極型素子について説明する。（図 1 ) において、 1は基板、 2は陽極、 3は正孔注入輸送層、 4は発光層、 5は電子注入輸送層、 6は陰極、 7は電源を示す。本発明の有機電界発光素子は、基板 1に支持されていることが好ましく、基板としては、特に限定するものではないが、透明ないし半透明であることが好ましく、例えば、ガラス板、透明プラスチックシート (例えば、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリスルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリプロピレン、ポリエチレンなどのシート）、半透明プラスチックシート、石英、透明セラミツクスあるいはこれらを組み合わせた複合シートからなるものを挙げることができる。さらに、基板に、例えば、カラーフィルター膜、色変換膜、誘電体反射膜を組み合わせて、発光色をコントロールすることもできる。

陽極 2としては、比較的仕事関数の大きい金属、合金または電気電導性化合物を電極物質として使用することが好ましい。陽極に使用する電極物質としては、例えば、金、白金、銀、銅、コバルト、ニッケル、パラジウム、バナジウム、夕ングステン、酸化錫、酸化亜鉛、 I T O (ィンジゥム ·ティン 'ォキサイド）、ポリチォフェン、ポリピロ一ルなどを挙げることができる。これらの電極物質は、単独で使用してもよく、あるいは複数併用してもよい。陽極は、これらの電極物質を、例えば、蒸着法、スパッタリング法等の方法により、基板の上に形成することができる。また、陽極は一層構造であってもよく、あるいは多層構造であつてもよい。陽極のシート電気抵抗は、好ましくは、数百 Ω /口以下、より好ましくは、 5〜5 0 Ω /口程度に設定する。陽極の厚みは、使用する電極物質の材料にもよるが、一般に、 5〜： L O O O nm程度、より好ましくは、 1 0〜5 0 0 n m程度に設定する。

正孔注入輸送層 3は、陽極からの正孔（ホール）の注入を容易にする機能、および注入された正孔を輸送する機能を有する化合物を含有する層である。正孔注入輸送層は、本発明のポリァセン誘導体および Zまたは他の正孔注入輸送機能を有する化合物（例えば、フタロシアニン誘導体、トリァリールメタン誘導体、卜リアリールァミン誘導体、ォキサゾール誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、ピラゾリン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリフエ二レンビニレンおよびその誘導体、ポリチォフェンおよびその誘導体、ポリ一 N—ビニルカルバゾール誘導体など）を少なくとも 1種用いて形成することができる。尚、正孔注入輸送機能を有する化合物は、単独で使用してもよく、あるいは複数併用してもよい。本発明において用いる他の正孔注入輸送機能を有する化合物としては、トリアリールァミン誘導体（例えば、 4 , 4， —ビス〔N—フエ二ルー N— （4 ' '—メチルフエニル）ァミノ〕ビフエニル、 4， 4，一ビス〔N—フエ二ルー N— ( 3 ' '一メチルフエニル）ァミノ〕ビフエニル、 4 , 4，一ビス〔N—フエニル一N - (3' '—メトキシフエニル）ァミノ〕ビフエ二ル、 4, 4' 一ビス〔N—フエ二ルー N— （Γ'—ナフチル）ァミノ〕ビフエ二ル、 3, 3 ' 一ジメチルー 4, 4， —ビス〔Ν—フエニル一 Ν— (3"一メチルフエニル) ァミノ〕ビフエニル、 1, 1一ビス〔4，一 [ Ν， Ν—ジ（4' '一メチルフエニル）ァミノ] フエ二ル〕シクロへキサン、 9， 10—ビス〔Ν— （4，一メチルフエニル）一Ν— (4''— η_ブチルフエニル）ァミノ〕フエナントレン、 3, 8—ビス（Ν， Ν —ジフエニルァミノ）一6—フエニルフエナントリジン、 4ーメチルー Ν, Ν— ビス [4", 4" ' —ビス [ Ν， , Ν，ージ (4一メチルフエニル) ァミノ] ビフエ二ルー 4—ィル〕ァニリン、 Ν, N' —ビス〔4— (ジフエニルァミノ) フェニル〕一 Ν， Ν，一ジフエ二ルー 1, 3—ジァミノベンゼン、 Ν, Ν，一ビス〔4一（ジフエニルァミノ）フエニル〕一 Ν, Ν，一ジフエ二ルー 1, 4—ジァミノベンゼン、 5， 5 ' '—ビス〔4一 (ビス [ 4 _メチルフエニル] ァミノ）フェニル〕一 2, 2，： 5，， 2' '—ターチォフェン、 1， 3， 5—トリス（ジフェニルァミノ）ベンゼン、 4， 4' , 4' '—卜リス (Ν—力ルバゾリィル) トリフエニルァミン、 4, 4， , 4''—トリス〔Ν— (3" ' 一メチルフエニル）一 Ν—フエニルァミノ）トリフエニルァミン、 4， 4， , 4''ートリス〔Ν， Ν— ビス (4" ' —tert—ブチルビフエ二ルー 4'"'一ィル）ァミノ〕トリフエニルァミン、 1， 3， 5—トリス CN- (4，一ジフエニルァミノフエニル）一 N— フエニルァミノ〕ベンゼンなど）、ポリチォフェンおよびその誘導体、ポリ一 N -ビニルカルバゾール誘導体がより好ましい。

本発明のポリアセン誘導体と他の正孔注入輸送機能を有する化合物を併用する場合、正孔注入輸送層中に占める本発明のポリアセン誘導体は、好ましくは、 0. 1重量％以上、より好ましくは、 0. 1〜99. 9重量％程度、さらに好ましくは、 1〜99重量％程度、特に好ましくは、 5〜95重量％程度に調製する。発光層 4は、正孔および電子の注入機能、それらの輸送機能、正孔と電子の再結合により励起子を生成させる機能を有する化合物を含有する層である。発光層は、本発明のポリアセン誘導体および/または他の発光機能を有する化合物（例えば、ァクリドン誘導体、キナクリドン誘導体、ジケトピロ口ピロ一ル誘導体、多環芳香族化合物〔例えば、ルブレン、アントラセン、テトラセン、ピレン、ぺリレン、クリセン、デカシクレン、コロネン、テトラフエニルシクロペンタジェン、ペン夕フエニルシクロペン夕ジェン、 9， 10ージフエ二ルアントラセン、 9, 10—ビス（フエ二ルェチニル）アントラセン、 1, 4_ビス（9，ーェチ二ルアントラセニル) ベンゼン、 4, 4， —ビス (9 '' _ェチニルアン卜ラセ二ル）ビフエ二ル〕、 1、リアリールアミン誘導体〔例えば、正孔注入輸送機能を有する化合物として前述した化合物を挙げることができる〕、有機金属錯体〔例えば、トリス（8—キノリノラート）アルミニウム、ビス（10—ベンゾ [h] キノリノラート）ベリリウム、 2— （2' —ヒドロキシフエニル）ベンゾォキサゾールの亜鉛塩、 2- (2 ' ーヒドロキシフエニル）ベンゾチアゾールの亜鉛塩、 4 —ヒドロキシァクリジンの亜鉛塩、 3—ヒドロキシフラボンの亜鉛塩、 5—ヒド口キシフラボンのベリリウム塩、 5—ヒドロキシフラボンのアルミニウム塩〕、スチルベン誘導体〔例えば、 1, 1, 4， 4—テトラフエニル— 1, 3_ブタジェン、 4， 4， —ビス (2， 2ージフエ二ルビニル) ビフエニル、 4， 4， —ビス [ (1， 1, 2—トリフエニル）ェテニル] ビフエニル〕、クマリン誘導体〔例えば、クマリン 1、クマリン 6、クマリン 7、クマリン 30、クマリン 10 6、クマリン 138、クマリン 151、クマリン 152、クマリン 153、クマリン 307、クマリン 311、クマリン 314、クマリン 334、クマリン 33 8、クマリン 343、クマリン 500〕、ピラン誘導体〔例えば、 DCM1、 D CM2〕、ォキサゾン誘導体〔例えば、ナイルレッド〕、ベンゾチアゾ一ル誘導体、ベンゾォキサゾール誘導体、ベンゾイミダゾ一ル誘導体、ピラジン誘導体、ケィ皮酸エステル誘導体、ポリ一 N—ビニルカルバゾールおよびその誘導体、ポリチォフェンおよびその誘導体、ポリフエ二レンおよびその誘導体、ポリフルォレンおよびその誘導体、ポリフエ二レンビニレンおよびその誘導体、ポリビフエ二レンビニレンぉよびその誘導体、ポリ夕一フエ二レンビニレンおよびその誘導体、ポリナフチレンピニレンおよびその誘導体、ポリチェ二レンビニレンおよびその誘導体など）を少なくとも 1種用いて形成することができる。

本発明の有機電界発光素子においては、発光層に本発明のポリァセン誘導体を含有していることが好ましい。本発明のポリアセン誘導体と他の発光機能を有する化合物を併用する場合、発光層中に占める本発明のポリアセン誘導体の割合は、好ましくは、 0. 001〜99. 999重量％程度、より好ましくは、 0. 01 〜99. 99重量％程度、さらに好ましくは、 0. 1〜99. 9重量％程度に調製する。

本発明において用いる他の発光機能を有する化合物としては、多環芳香族化合物、発光性有機金属錯体、トリアリールァミン誘導体がより好ましい。例えば、 J. Appl. P ys. , 65、 3.610 (1989) 、特開平 5— 214332号公報に記載のように、発光層をホスト化合物とゲスト化合物（ドーパント）とより構成すること ' もできる。本発明のポリアセン誘導体を、ホスト化合物として用いて発光層を形成することができ、さらには、ゲスト化合物として用いて発光層を形成することもできる。本発明のポリアセン誘導体を、ホスト化合物として用いて発光層を形成する場合、ゲスト化合物としては、例えば、前記の他の発光機能を有する化合物を挙げることができ、中でも、多環芳香族化合物は好ましい。この場合、本発明のポリアセン誘導体に対して、他の発光機能を有する化合物を、好ましくは、 0. 001〜40重量％程度、より好ましくは、 0. 01〜30重量％程度、特に好ましくは、 0. 1〜20重量％程度使用する。

本発明のポリアセン誘導体と併用する多環芳香族化合物としては、特に限定するものではないが、例えば、リレブレン、アントラセン、テ卜ラセン、ピレン、ぺリレン、クリセン、デカシクレン、コロネン、テトラフエニルシクロペン夕ジェン、ペン夕フエニルシクロペン夕ジェン、 9， 10—ジフエ二ルアントラセン、 9， 10 -ビス (フエ二ルェチニル) アントラセン、 1， 4—ビス (9 ' —エヂ二ルアントラセニル) ベンゼン、 4, 4， —ビス (9， —ェチ二ルアン卜ラセ二ル）ビフエニルなどを挙げることができる。勿論、多環芳香族化合物は単独で使用してもよく、あるいは複数併用してもよい。

本発明のポリアセン誘導体を、ゲスト化合物として用いて発光層を形成する場合、ホスト化合物としては、例えば、前記の他の発光機能を有する化合物を挙げることができ、例えば、発光性有機金厲錯体またはトリァリールアミン誘導体はより好ましい。この場合、発光性有機金属錯体またはトリァリ一ルァミン誘導体に対して、本発明のポリアセン誘導体を、好ましくは、 0. 001〜40重量％程度、より好ましくは、 0. 01〜30重量％程度、特に好ましくは、 0. 1〜 20重量％程度使用する。

本発明のポリァセン誘導体と併用する発光性有機金属錯体としては、特に限定するものではないが、発光性有機アルミニウム錯体が好ましく、置換または未置換の 8—キノリノラート配位子を有する発光性有機アルミニウム錯体がより好ましい。好ましい発光性有機金属錯体としては、例えば、一般式（a) 〜一般式 (c) で表される発光性有機アルミニウム錯体を挙げることができる。

(Q) 3 -A 1 (a)

[式中、 Qは置換または未置換の 8—キノリノラ一ト配位子を表す]

(Q) 2 — A 1 -O-L (b)

[式中、 Qは置換 8—キノリノラート配位子を表し、 O— Lはフエノラ一ト配位子であり、 Lはフエニル部分を含む炭素数 6〜 24の炭化水素基を表す]

(Q) 2 -A 1 -0-A 1 - (Q) 2 (c)

[式中、 Qは置換 8—キノリノラート配位子を表す]

発光性有機金属錯体の具体例としては、例えば、トリス（8—キノリノラート）アルミニウム、トリス（4—メチル一8—キノリノラート）アルミニウム、トリス（5—メチル _8—キノリノラート）アルミニウム、トリス（3, 4_ジメチル _ 8—キノリノラート) アルミニウム、トリス（4, 5—ジメチルー 8— キノリノラート）アルミニウム、トリス（4， 6ージメチル一 8—キノリノラート）アルミニウム、ビス（2—メチル一8—キノリノラート）（フエノラ一ト）アルミニウム、ビス（2—メチル一8—キノリノラート）（2—メチルフエノラ一卜）アルミニウム、ビス（2—メチルー 8—キノリノラート）（3—メチルフエノラート）アルミニウム、ビス（2—メチルー 8—キノリノラート）（4—メチルフエノラート）アルミニウム、ビス（2—メチル一 8—キノリノラート） (2—フエニルフエノラート）アルミニウム、ビス（2—メチルー 8—キノリノラート）（3—フエニルフエノラート）アルミニウム、ビス（2—メチルー 8— キノリノラート）（4一フエニルフエノラート）アルミニウム、ビス（2—メチルー 8—キノリノラート）（2， 3—ジメチルフエノラート）アルミニウム、ビス（2—メチル〜 8—キノリノラート）（2， 6—ジメチルフエノラート）アルミニゥム、ビス（2—メチル一8—キノリノラート）（3， 4ージメチルフエノラート）アルミニウム、ビス（2—メチルー 8—キノリノラート）（3， 5—ジメチルフエノラ一卜) アルミニウム、ビス ( 2—メチルー 8—キノリノラート) ( 3， 5—ジー tert—プチルフエノラート) アルミニウム、ビス（2—メチルー 8—キノリノラート）（2， 6—ジフエニルフエノラ一ト）アルミニウム、ビス ( 2—メチルー 8—キノリノラート）（2， 4 , 6—トリフエニルフエノラ一ト）アルミニウム、ビス（2—メチル一 8—キノリノラート）（2 , 4 , 6—トリメチルフエノラート）アルミニウム、ビス（2—メチルー 8—キノリノラート）（2， 4， 5 , 6—テトラメチルフエノラート）アルミニウム、ビス（2— メチル一 8—キノリノラート）（1—ナフトラ一ト）アルミニウム、ビス（2— メチル一 8—キノリノラート）（2—ナフトラート）アルミニウム、ビス（2， 4—ジメチル一 8—キノリノラート）（2 _フエニルフエノラート）アルミニゥム、ビス（2， 4—ジメチル一 8—キノリノラート）（3—フエニルフエノラ一卜）アルミニウム、ビス（2， 4—ジメチルー 8—キノリノラート）（4—フエニルフエノラート）アルミニウム、ビス（2 , 4—ジメチル一 8—キノリノラ一ト）（3 , 5—ジメチルフエノラート）アルミニウム、ビス（2， 4—ジメチル —8—キノリノラート）（3 , 5—ジ一 tert—プチルフエノラート）アルミニゥム、ビス（2—メチルー 8—キノリノラート）アルミニウム一 X—ォキソ一ビス ( 2—メチルー 8—キノリノラート）アルミニウム、ビス（2 , 4—ジメチルー 8—キノリノラート）アルミニウム一 —ォキソ一ビス（2， 4一ジメチルー 8 —キノリノラート）アルミニウム、ビス（2—メチルー 4—ェチルー 8—キノリノラート）アルミニウム一 X—ォキソ一ビス（2—メチルー 4—ェチルー 8—キノリノラ一ト）アルミニウム、ビス（2—メチル一 4—メトキシ一 8—キノリノラート）アルミニウム一 —ォキソ一ビス（2—メチルー 4ーメトキシ一 8—キノリノラート）アルミニウム、ビス（2—メチル _ 5—シァノ一 8—キノリノラート）アルミニウム一 —ォキソ一ビス（2—メチルー 5—シァノ一 8—キノリノラ一ト）アルミニウム、ビス（2—メチル—5—トリフルォロメチルー 8—キノリノラ一ト）アルミニウム一一ォキソ一ビス（2—メチルー 5—トリフルォロメチルー 8—キノリノラート）アルミニウムなどを挙げることができる。勿論、発光性有機金属錯体は、単独で使用してもよく、あるいは複数併用してもよい。電子注入輸送層 5は、陰極からの電子の注入を容易にする機能、そして注入された電子を輸送する機能を有する化合物を含有する層である。電子注入輸送層は、本発明のポリアセン誘導体および Zまたは他の電子注入輸送機能を有する化合物 (例えば、有機金属錯体〔例えば、トリス（8—キノリノラート）アルミニウム、ビス（1 0—ベンゾ [h] キノリノラート）ベリリウム、 5—ヒドロキシフラボンのベリリウム塩、 5—ヒドロキシフラボンのアルミニウム塩〕、ォキサジァゾ一ル誘導体〔例えば、 1， 3—ビス [ 5， - ( p _ tert _ブチルフエニル) _ 1， 3 , 4一ォキサジァゾ一ルー 2 ' —ィル] ベンゼン〕、トリァゾール誘導体〔例えば、 3— （4， —tert—ブチルフエニル）一 4一フエニル— 5— （4 ' '—ビフェニル）一 1， 2， 4—トリァゾール〕、トリアジン誘導体、ペリレン誘導体、キノリン誘導体、キノキサリン誘導体、ジフエ二ルキノン誘導体、ニトロ置換フルォレノン誘導体、チォピランジォキサイド誘導体など）を少なくとも 1種用いて形成することができる。

本発明のポリアセン誘導体と他の電子注入輸送機能を有する化合物を併用する塲合、電子注入輸送層中に占める本発明のポリアセン誘導体の割合は、好ましくは、 0 . 1〜4 0重量％程度に調製する。本発明においては、本発明のポリアセン誘導体と有機金属錯体〔例えば、前記一般式（a ) 〜一般式（c ) で表される化合物〕を併用して、電子注入輸送層を形成することは好ましい。

陰極 6としては、比較的仕事関数の小さい金属、合金または電気電導性化合物を電極物質として使用することが好ましい。陰極に使用する電極物質としては、例えば、リチウム、リチウム一インジウム合金、ナトリウム、ナトリウム一カリゥム合金、カルシウム、マグネシウム、マグネシウム—銀合金、マグネシウム一インジウム合金、インジウム、ルテニウム、チタニウム、マンガン、イットリウム、アルミニウム、アルミニウム一リチウム合金、アルミニウム一カルシウム合金、アルミニウム一マグネシウム合金、グラフアイト薄膜等を挙げることができる。これらの電極物質は、単独で使用してもよく、あるいは複数併用してもよい。陰極は、これらの電極物質を、例えば、蒸着法、スパッタリング法、イオン化蒸着法、イオンプレーティング法、クラス夕一イオンビーム法等の方法により、電子注入輸送層の上に形成することができる。また、陰極は一層構造であってもよく、あるいは多層構造であってもよい。尚、陰極のシート電気抵抗は、数百 Ω 以下に設定するのが好ましい。陰極の厚みは、使用する電極物質の材料にもよるが、一般に、 5〜： L O O O n m程度、より好ましくは、 1 0〜5 0 0 n m程度に設定する。尚、有機電界発光素子の発光を効率よく取り出すために、陽極または陰極の少なくとも一方の電極が、透明ないし半透明であることが好ましく、一般に、発光光の透過率が 7 0 %以上となるように陽極の材料、厚みを設定することがより好ましい。

また、本発明の有機電界発光素子においては、その少なくとも一層中に、一重項酸素クェンチヤ一が含有されていてもよい。一重項酸素クェンチヤ一としては、特に限定するものではなく、例えば、ルブレン、ニッケル錯体、ジフエニルイソベンゾフランなどが挙げられ、特に好ましくは、ルブレンである。一重項酸素クェンチヤ一が含有されている層としては、特に限定するものではないが、好ましくは、発光層または正孔注入輸送層であり、より好ましくは、正孔注入輸送層である。尚、例えば、正孔注入輸送層に一重項酸素クェンチヤ一を含有させる場合、正孔注入輸送層中に均一に含有させてもよく、正孔注入輸送層と隣接する層（例えば、発光層、発光機能を有する電子注入輸送層）の近傍に含有させてもよい。一重項酸素クェンチヤ一の含有量としては、含有される層（例えば、正孔注入輸送層）を構成する全体量の 0 . 0 1〜5 0重量％、好ましくは、 0 . 0 5〜3 0 重量％、より好ましくは、 0 . 1〜2 0重量％でぁる。

正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層の形成方法に関しては、特に限定するものではなく、例えば、真空蒸着法、イオン化蒸着法、溶液塗布法（例えば、スピンコート法、キャスト法、ディップコート法、バーコ一ト法、ロールコート法、ラングミュア ·ブロゼッ卜法、インクジエツ卜法など）により薄膜を形成することにより作製することができる。真空蒸着法により、各層を形成する場合、真空蒸着の条件は、特に限定するものではないが、 1 0 _⁵ Torr程度以下の真空下で、 5 0〜6 0 0 °C程度のポート温度（蒸着源温度）、一 5 0〜3 0 0 °C程度の基板温度で、 0 . 0 0 5〜 5 0 n m/sec 程度の蒸着速度で実施することが好ましい。この場合、正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層等の各層は、真空下で、連続して形成することにより、諸特性に一層優れた有機電界発光素子を製造することができる。真空蒸着法により、正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層等の各層を、複数の化合物を用いて形成する場合、化合物を入れた各ポートを個別に温度制御して、共蒸着することが好ましい。

溶液塗布法により、各層を形成する場合、各層を形成する成分あるいはその成分とバインダー樹脂等を、溶媒に溶解、または分散させて塗布液とする。正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層の各層に使用しうるバインダー樹脂としては、例えば、ポリ— N—ビニルカルバゾール、ポリアリレート、ポリスチレン、ポリエステル、ポリシロキサン、ボリメチルァクリレー卜、ポリメチルメタクリレート、ポリエーテル、ポリ力一ポネート、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドィミド、ポリパラキシレン、ポリエチレン、ポリエチレンエーテル、ポリプロピレンエーテル、ポリフエ二レンオキサイド、ポリエーテルスルフォン、ポリアニリンおよびその誘導体、ポリチォフェンおよびその誘導体、ポリフエ二レンビニレンおよびその誘導体、ポリフルオレンおよびその誘導体、ポリチェ二レンビニレンおよびその誘導体等の高分子化合物が挙げられる。バインダー樹脂は、単独で使用してもよく、あるいは複数併用してもよい。

溶液塗布法により、各層を形成する場合、各層を形成する成分あるいはその成分とバインダー樹脂等を、適当な有機溶媒（例えば、へキサン、オクタン、デカン、トルエン、キシレン、ェチルベンゼン、 1—メチルナフタレン等の炭化水素系溶媒、例えば、アセトン、メチルェチルケトン、メチルイソプチルケトン、シク口へキサノン等のケ卜ン系溶媒、例えば、ジクロロメタン、クロ口ホルム、テトラクロロメタン、ジクロロェタン、トリクロロェタン、テトラクロロェタン、クロ口ベンゼン、ジクロロベンゼン、クロ口トルエン等のハロゲン化炭化水素系溶媒、例えば、酢酸ェチル、酢酸プチル、酢酸アミル等のエステル系溶媒、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、ペン夕ノール、へキサノール、シクロへキサノール、メチルセ口ソルブ、ェチルセ口ソルブ、ェチレングリコール等のアルコール系溶媒、例えば、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジォキサン、ァニソール等のエーテル系溶媒、例えば、 N, N—ジメチルホルムアミド、 N, N—ジメチルァセトアミド、 1一メチル—2—ピロリドン、 1 , 3一ジメチルー 2—イミダゾリジノン、ジメチルスルフォキサイド等の極性溶媒）および/または水に溶解、または分散させて塗布液とし、各種の塗布法により、薄膜を形成することができる。

尚、分散する方法としては、特に限定するものではないが、例えば、ポールミル、サンドミル、ペイントシエ一力一、アトライ夕一、ホモジナイザー等を用いて微粒子状に分散することができる。塗布液の濃度に関しては、特に限定するものではなく、実施する塗布法により、所望の厚みを作製するに適した濃度範囲に設定することができ、一般には、 0 . 1〜5 0重量％程度、好ましくは、 1〜3 0重量％程度の溶液濃度である。尚、ノインダ一樹脂を使用する場合、その使用量に関しては、特に限定するものではないが、一般には、各層を形成する成分に対して（一層型の素子を形成する場合には、各成分の総量に対して）、 5〜9 9 . 9重量％程度、好ましくは、 1 0〜9 9重量％程度、より好ましくは、 1 5〜9 0重量％程度に設定する。

正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層の膜厚に関しては、特に限定するものではないが、一般に、 5 n m〜 5 x m程度に設定することが好ましい。尚、作製した素子に対し、酸素や水分等との接触を防止する目的で、保護層（封止層）を設けたり、また素子を、例えば、パラフィン、流動パラフィン、シリコンオイル、フルォロカーボン油、ゼォライト含有フルォロカーボン油などの不活性物質 - 中に封入して保護することができる。

保護層に使用する材料としては、例えば、有機高分子材料（例えば、フッ素化樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、エポキシシリコーン樹脂、ポリスチレン、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリパラキシレン、ポリエチレン、ボリフエ二レンォキサイド) 、無機材料（例えば、ダイヤモンド薄膜、アモルファスシリカ、電気絶縁性ガラス、金属酸化物、金属窒化物、金属炭素化物、金属硫化物）、さらには光硬化性樹脂などを挙げることができ、保護層に使用する材料は、単独で使用してもよく、あるいは複数併用してもよい。保護層は、一層構造であってもよく、また多層構造であってもよい。

また、電極に保護膜として、例えば、金属酸化膜（例えば、酸化アルミニウム膜）、金属フッ化膜を設けることもできる。また、例えば、陽極の表面に、例えば、有機リン化合物、ポリシラン、芳香族ァミン誘導体、フタロシアニン誘導体 (例えば、銅フタロシアニン）、カーボンから成る界面層（中間層）を設けることもできる。さらに、電極、例えば、陽極はその表面を、例えば、酸、アンモニァ /過酸化水素、あるいはプラズマで処理して使用することもできる。

本発明の有機電界発光素子は、一般に、直流駆動型の素子として使用されるが、パルス駆動型または交流駆動型の素子としても使用することができる。尚、印加電圧は、一般に、 2〜3 0 V程度である。本発明の有機電界発光素子は、例えば、パネル型光源、各種の発光素子、各種の表示素子、各種の標識、各種のセンサーなどに使用することができる。実施例

以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明する力勿論、本発明はこれらに限定されるものではない。

参考化合物 1の調製

ジメチル 1, 4-ジプロピルナフタレン- 2, 3-ジカルポキシレー卜

2, 3 -ジクロロ- 5, 6-ジシァノベンゾキノン（1. 362 g, 6. 0 mmol) をジメチル 1, 4-ジプロピル— 5， 6 , 7 , 8ーテトラヒドロナフ夕レン- 2， 3-ジカルポキシレート（0. 665 g， 2. 0 mmol)のベンゼン溶液（2 0 m l ) に添加した。次いで、混合物を 2 4時間、リフラックスした。濾過後、混合物中の溶媒を真空下、除去した。シリカゲルを用いたカラムクロマトグラフィー (酢酸ェチル /へキサン， 1/20)により、 0. 464 の標題化合物が無色結晶として得られた。 GC収率 87% 。単離収率 71 %。参考化合物 2の調製

2, 3-ビス（ヒドロキシメチル) - 1， 4 -ジプロピルナフ夕レン

参考化合物 1で得られたジメチル 1， 4 -ジプロピルナフ夕レン _2， 3-ジカルポキシレートのジェチルエーテル溶液に、 0 °Cにて、水素化リチウムアルミニウムを添加し、次いで、室温に暖め、 1時間、攪拌した。室温にて水を添加し、反応を終了させた。これにより、 0. 219 g (0. 898 imol)の標題化合物が白色固体として得られた。エーテル Zへキサンからの再結晶により、少量の標題化合物が得られた。単離収率 90%。参考化合物 3の調製

2, 3-ビス (ブロモメチル) - 1， 4 -ジプロピルナフタレン

参考化合物 2で得られた 2， 3-ビス（ヒド口キシメチル) - 1， 4 -ジプロピルナフ夕レンのクロ口ホルム溶 ΐ夜に、室温にて、三臭化リン（l e g ) を添加し、次いで、室温にて 1時間、攪拌した。次いで、エーテルで抽出し、飽和食塩水で洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を除去した後、残渣についてシリカゲルを用いたカラムクロマトグラフィー（酢酸ェチル /へキサン， 1/50) により 0. 115 g (0. 4 nuno l)の標題化合物が白色固体として得られた。単離収率 72%。参考化合物 4の調製

2, 3-ビス（2-へキシニル) - 1, 4-ジプロピルナフ夕レン

参考化合物 3で得られた 2, 3 -ビス (プロモメチル) - 1， 4-ジプロピルナフ夕レンの T H F溶液に、 N, N'—ジメチルプロピレンゥレア (D M P U) 及び 1—ぺンチェルリチウムを添加した。反応混合物を室温にて 1時間、攪拌した。 3 N塩酸を添加して、反応を終了させた。次いで、ェ一テルで抽出し、炭酸水素ナトリゥム水溶液及び飽和食塩水で洗浄し、そして、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下で濃縮し、シリカゲルを用いたカラムクロマトグラフィー（酢酸ェチル / へキサン， 1/50) により 1. 661 g (4. 787 匪 ol)の標題化合物が白色固体として得られた。単離収率 93%。参考化合物 5の調製

5, 12—ジヒドロ- 1, 4， 6, 1トテトラプロピルナフタセン _2, 3-ジェトキシメチル参考化合物 4で得られた 2, 3-ビス（2-へキシニル) - 1， 4-ジプロピルナフタレンを、一 7 8 °Cにて、ビス（ ⁵—シクロペンタジェニル）ジブチルジルコニウムの TH F溶液に添加し、次いで、室温にまで暖め、 1時間、放置した。次いで、この反応物のまま、室温にて、 NiCl₂ (PPh₃) ₂及び 1 , 4ージエトキシ _ 2—プチンを添加し、さらに、室温にて 1時間、攪拌した。次いで、 3 N塩酸を添加し、反応を終了させた。次いで、エーテルで抽出し、炭酸水素ナトリウム水溶液及び飽和食塩水で洗浄し、そして、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下で濃縮した後、残澄について、シリカゲルを用いたカラムクロマトグラフィー（酢酸ェチル /へキサン， 1/10)により、標題化合物が得られた。本発明化合物 1の調製

(化合物 1 )

, 4 , 6， 1 1—テトラプロピルナフ夕セン

参考化合物 5で得られた 5, 12-ジヒドロ- 1, 4, 6, "テトラプロピルナフタセノ、 - 、 3-ジェ卜キシメチルを用いた。 2, 3 -ジクロ口- 5， 6 -ジシァノベンゾキノン (0. 050 g, 0. 22 腿 ol)を 1， 4一ジォキサン（5 m 1 ) の 5， 12-ジヒドロ- 1, 4, 6, 1卜テトラプロピルナフタセン- 2， 3-ジエトキシメチル（0. 2 mmol)溶液に添加した。次いで、混合物を 3時間、リフラックスした。濾過後、混合物中の溶媒を真空下、除去した。クロ口ホルムを添加し、再度、濾過した。クロ口ホルム Z メタノールからの再結晶により、標題化合物が得られた。参考化合物 6の調製

ジメチル 5, 12 -ジヒドロ- 1， 4Λ "テトラプロピルナフタセン - 2， 3 -ジカルポキシレー卜

参考化合物 4で得られた 2, 3 -ビス (2-へキシニル) -1, 4 -ジプロピルナフタレンを、一 7 8 °Cにて、ビス（ ⁵—シクロペンタジェニル）ジブチルジルコニウムの T H F溶液に添加し、次いで、室温にまで暖め、 1時間、放置した。次いで、この反応物のまま、室温にて、 C u C 1及びジメチルアセチレンジカルポキシレートを添加し、さらに、室温にて 1時間、攪拌した。次いで、 3 N塩酸を添加し、反応を終了させた。次いで、エーテルで抽出し、炭酸水素ナトリウム水溶液及び飽和食塩水で洗浄し、そして、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下で濃縮した後、残渣について、シリカゲルを用いたカラムクロマトグラフィー（酢酸ェチル /へキサン， 1/10)により、 1. 790 g (4. 458 廳 ol)の標題化合物が淡黄色固体として得られた。単離収率 78%。本発明化合物 2の調製 (化合物 2)

2 , 3 -ビス (メトキシカルポニル) — 1 4 , 6 1 1ーテトラプロピルナフタセン

参考化合物 6で得られたジメチル 5 12 -ジヒドロ- 1 4 6, 11 -テトラプロピルナフ夕セン- 2 3 -ジカルボキシレートを用いた。 2, 3-ジクロロ- 5 6 -ジシァノベンゾキノン（0. 050 g, 0. 22 讓 ol)を 1 4—ジォキサン ( 5 m l ) のジメチル 5, 12-ジヒドロ -1, 4, 6 11-テトラプロピルナフ夕セン- 2 3-ジカルポキシレート (0. 103 g, 0. 2 讓 ol)溶液に添加した。次いで、混合物を 3時間、リフラックスした。濾過後、混合物中の溶媒を真空化、除去した。クロ口ホルムを添加し、再度、濾過した。クロ口ホルム/メタノールからの再結晶により、 0. 076 gの標題化合物が赤色針状結晶として得られた。参考化合物 7の調製

ジメチル 3, 4, 5 6-テトラプロピルフタレート

ビス ( 7? ⁵—シクロペン夕ジェニル) ジクロロジルコニウム（7. 016 g, 24. 0 腿 ol)及び n—ブチルリチウム（31. 6 ml, 48. 0 mmol, 1. 52 M)とから調製したビス (り⁵—シクロペン夕ジェニル) ジブチルジルコニウムの THF溶液 70 ml に、 4 -才クチン（5. 9 ml, 40. 0 匪 ol)を- 78 °Cにて加えた。反応混合物を室温まで昇温させ、 1時間攪拌した。 DMAD (ジメチルアセチレンジカルポキシレート） (7. 4 ml, 60. 0 mmol) 及び CuCl (3. 96 g, 40. 0 mmol)を反応混合物に室温にて加えた。 1時間攪拌後、 3N HCI で加水分解し、混合物をへキサンで抽出した。次いで、炭酸水素ナトリウム水溶液及び飽和食塩水の順で洗浄した。無水硫酸マグネシゥムで乾燥し、シリカゲルを充填剤として、カラムクロマトグラフィーを行い、淡黄色油の標題化合物 (4. 917 g) を得た。 GC収率 82¾₀ 単離収率 74%。参考化合物 8の調製

1， 2-ビス（ヒドロキシメチル) -3, 4, 5, 6-テトラプロピルベンゼン

LiAlH₄ (1. 20 g, 31. 7 腿 ol)の 50 ml THF溶液に、参考化合物 7で得られたジメチル 3, 4, 5， 6-テトラプロピルフタレート（5. 22 g, 14. 4 讓 ol)を 0 °Cにて加えた。室温にて 1時間攪拌した後、水で加水分解をした。混合物を 2N H₂S0₄で処理し、ジェチルエーテルで抽出した。次いで、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。シリカゲルを充填剤として、カラムクロマ卜グラフィ一を行い、白色固体の標題化合物（3. 67 g) を得た。単離収率 91%。参考化合物 9の調製

1, 2 -ビス (プロモメチル) - 3, 4, 5, 6-：

トリブロモホスフィン（0. 54 ml, 5. 70 腿 ol)を、参考化合物 8で得られた 1, 2 -ビス（ヒドロキシメチル) -3, 4, 5, 6-テトラプロピルベンゼン（1. 75 g， 5. 70 雇 ol) の 20 mlクロ口ホルム溶液に、室温にて滴下した。 1時間攪拌後、混合物を水で処理し、クロ口ホルムで抽出した。次いで、炭酸水素ナトリウム水溶液及び飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。シリカゲルを充填剤として、カラムクロマトグラフィーを行い、白色固体の標題化合物（1. 866 g) を得た。 GC収率 100%。単離収率 87%。参考化合物 1 0の調製

1, 2 -ビス (2 -へキシニル) -3, 4， 5, 6- 卜ペンチン（1. 67 ml, 17. 12 匪 ol)の 30 ml THF溶液に、 n_ブチルリチウム (9. 7 ml, 15. 56 匪 ol, 1. 6 M)を- 78 °Cにて加え、混合物を 1時間室温にて攪拌した。参考化合物 9で得られた 1, 2-ビス（プロモメチル) -3， 4， 5， 6-テトラプロピルベンゼン（1. 68 g, 3. 89 删01) 及び DMPU (1. 9 ml, 15. 56 讓 ol) を室温にて加えた。 1時間攪拌後、 3N HC1 で反応を終了させ、へキサンで抽出した。次いで、炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水の順で洗浄し、無水硫酸マグネシゥムで乾燥した。シリカゲルを充填剤として、カラムクロマトグラフィーを行い、白色固体の標題化合物（1. 520 g) を得た。 GC収率 100%。単離収率 97%。参考化合物 1 1の調製

6, 11 -ジヒドロ- 2, 3 -ジョード -5, 7, 8, 9, 10, 12-へキサプロピルナフタセン

n -プチルリチウム（3. 0 ml, 4. 8 mmol, 1. 6 mol/1)を、 Cp₂ZrCl₂ (0. 702 g, 2. 4 謹 ol)の THF (20 ml)溶液に— 78 °Cにて加えた。混合物を 1時間攪拌した後、参考化合物 1 0で得られた 1， 2-ビス (2 -へキシニル) -3, 4, 5, 6-テトラプロピルべンゼン（0. 813 g， 2. 0 mmol)を加えた。クーリングバスを取り外し、混合物を 1 時間攪拌した。テトラョードベンゼン（1. 16 g, 2. 0 mmol) 及び DMPU (0. 73 ml, 6. 0 mmol) , CuCl (0. 416 g, 4. 2 mmol) を混合物中に添加した。 1時間、 50 °C にて攪拌した後、 3N HC1 を加えて反応を終了させ、クロ口ホルムで抽出した。次いで、炭酸水素ナトリウム水溶液及び飽和食塩水で洗浄し、減圧した後、シリ力ゲルを充填剤として、カラムクロマトグラフィーを行い、桃色固体の標題化合物（0. 477 g) を得た。 33%単離収率。本発明化合物 3の調製

(化合物 3)

8 , 9—ジョ一ド— 1 , 2 , 3， 4 , 6 , 1 1 _へキサプロピルナフタセン参考化合物 1 1で得られた 6, 11 -ジヒドロ- 5, 7, 8, 9, 10, 12-へキサプロピル- 2, 3-ジョードナフタセン (0. 238 g, 0. 324 讓 ol)及び % 3 -ジクロロ- 5, 6 -ジシァノベンゾキノン（0. 081 g, 0. 35 mmol) , 1, 4_ジォキサン（2 ml)を反応器に添加した。混合物を 3時間、リフラックスした。冷却後、析出物を濾過により除去した。混合物中の溶媒を真空下で除去し、クロ口ホルム/メタノールから再結晶した。橙赤色の表題化合物（0. 081 g)を得た。単離収率 34%。参考化合物 1 2の調製

ジメチル 1, 4-ジプロピル -5, 6, 7, 8-テトラヒドロナフタレン -2, 3-ジカルボキシレー卜

ビス（ ⁵—シクロペンタジェニル）ジクロロジルコニウム（16. 849 g, 57. 64 讓 ol)及び n—ブチルリチウム（75. 8 ml, 115. 3 匪 ol, 1. 52 M)とから調製したビス ( ?? ⁵—シクロペン夕ジェニル) ジブチルジルコニウムの 200 ml THF溶液に、 4, 10-テトラドデカジイン（9. 14 g, 48. 03 mmol) を- 78 °Cにて添加した。反応混合物を室温まで昇温させ、 1 時間攪拌した。 DMAD (17. 4 ml, 144. 01 mmol) 及び CuCl (9. 51 g, 96. 06皿 ol)を反応混合物に室温にて加えた。 1 時間攪拌後、 3N HC1 で加水分解を行い、へキサンで抽出した。炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水の順で洗浄し、そして、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。シリカゲルを充填剤として、カラムクロマトグラフィーを行い、メタノールから再結晶させた。無色結晶の表題化合物 (8. 133 g) を得た。 GC収率 58%。単離収率 51%。参考化合物 1 3の調製

ジメチル 1, 4-ジプロピルナフ夕レン -2, 3-ジカルボキシレート

2, 3-ジクロロ- 5， 6-ジシァノベンゾキノン (1. 362 g, 6. 0 ramol) を、参考化合物 1 2で得られたジメチル 1， 4 -ジプロピル -5, 6, 7, 8 -テトラヒドロナフタレン -2, 3-ジカルポキシレー卜のベンゼン溶液（20ml) (0. 665 g, 2. 0 匪 ol)に加えた。混合物を 2 4時間、リフラックスした。濾過後、混合物を真空中で減圧した。シリカゲルを充填剤として、カラムクロマトグラフィーを行い、無色結晶の表題化合物（0. 464 g)を得た。 GC収率 87%。単離収率 71%。参考化合物 1 4の調製

2, 3 -ビス (ヒドロキシメチル 4-ジプロピルナフタレン

LiAl¾ (0. 075 g， 1. 98 腿 ol)の 5 ml THF溶液に、参考化合物 1 3で得られたジメチル 1， 4-ジプロピルナフタレン - 1, 3-ジカルボキシレート (0. 295 &

0. 898 腿 ol)を 0 にて加えた。室温にて、 1 時間攪拌した後、水で加水分解を行った。混合物を 2N ¾S0₄で処理しジェチルエーテルで抽出した。抽出物を飽和食塩水で洗浄し、そして、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下で濃縮した。白色固体の標題化合物 (0. 219 g)を得た。単離収率 90%。参考化合物 5の調製

2, 3 -ビス（ブロモメチル) -1, 4-ジプロピルナフタレン

トリプロモホスフィン（0. 04 ml, 0. 42 mmol)を、参考化合物 1 4で得られた 2, 3-ビス（ヒドロキシメチル）_1， 4-ジプロピルナフタレン（0. 109 g， 0. 40 mmol) の 5 ml クロ口ホルム溶液に室温にて滴下した。 1時間攪拌した後、混合物を水で処理し、クロ口ホルムで抽出した。炭酸水素ナトリウム水溶液及び飽和食塩水で洗浄し、そして、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。シリカゲルを充填剤として、カラムクロマトグラフィ一を行い、白色固体の標題化合物（0. U5 g ) を得た。単離収率 72%。参考化合物 1 6の調製

2， 3-ビス（2-へキシニル) - 1, 4-ジプロピルナフ夕レン

卜ペンチン（2. 05 ml, 21. 06 mmol)の 30 ml THF溶液に、 n-ブチルリチウム (7. 6 ml, 19. 1 顏 ol， 2. 52 M)を -78 °Cにて加え、混合物を 1時間室温にて攪拌した。参考化合物 1 5で得られた 2, 3 -ビス (プロモメチル) -1, 4-ジプロピルナフタレン（1. 91 g， 4. 79 顧 ol) 及び DMPU (2. 3 ml, 19. 1 mmol) を室温にて加えた。 1時間攪拌後、 3N HC1 で処理し、へキサンで抽出した。炭酸水素ナトリゥム水溶液及び飽和食塩水で洗浄し、そして、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。シリカゲルを充填剤として、カラムクロマトグラフィーを行い、白色固体の標題化合物（1. 66 g) を得た。単離収率 93%。参考化合物 1 7の調製

2, 3-ビス (エトキシカルポニルフエニル) - 5， 12-ジヒドロ- 1， 4, 6, 1卜テトラプロピルナフタセン

ビス（ ⁵—シクロペン夕ジェニル）ジクロロジルコニウム（0· 351 g, 1. 2 Mio l)及び n _ブチルリチウム（1. 5 ml, 2. 4 醒 ol, 1. 6 M)とから調製したビス ( 7? ⁵—シクロペンタジェニル）ジブチルジルコニウムの 20 ml THF溶液に、参考化合物 1 6で得られた 2, 3 -ビス (2-へキシニル) -1， 4-ジプロピルナフ夕レン (0. 373 g， 1. 0 匪 ol)を- 78 °Cにて加えた。反応混合物を室温まで昇温させ、 1 時間攪拌した。ビス（エトキシカルボニルフエニル）アセチレン（1. 5 匪 ol) 及び NiBr₂ (PPh₃) ₂ (0. 892 g, 1. 2 匪 ol)を反応混合物に、室温にて加えた。 24 時間攪拌した後、 3N HC1 で加水分解を行い、へキサンで抽出した。炭酸水素ナトリウム水溶液及び飽和食塩水で洗浄し、そして、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。シリカゲルを充填剤として、カラムクロマトグラフィーを行い、標題化合物を得た。本発明化合物 4の調製

2 , 3 -ビス ( 4—エトキシカルポニルフエニル) 一 1， 4， 6， 1 1—テトラプロピルナフ夕セン

参考化合物 1 7で得られた 2, 3 -ビス (エトキシカルボニルフエニル) -5, 12 -ジヒドロ- 1, 4， 6， 11 -テトラプロピルナフタセン（1. 04 腿 ol) 及び 2, 3-ジクロロ- 5， 6-ジシァノベンゾキノン（0. 260 g, 1. 14 腿 ol)、 1, 4 -ジォキサン（3 ml)を、反応器に添加した。混合物を 2 4時間、リフラックスし、冷却後、析出物を濾過により除去した。混合物中の溶媒を真空下、除去し、クロ口ホルム/メタノールから再結晶化し、標題化合物を得た。参考化合物 1 8の調製

5, 12 -ジヒドロ -1, 2, 3, 4， 6, 11-へキサプロピルナフタセン

ビス ( ⁵—シクロペン夕ジェニル) ジクロロジルコニウム（0. 351 g， 1. 2 薩 ol)及び n—ブチルリチウム（1. 5 ml, 2. 4 腿 ol, 1. 6 M)とから調製したビス ( 7? ⁵—シクロペン夕ジェニル）ジブチルジルコニウムの 20 ml THF溶液に、参考化合物 1 6で得られた 2, 3-ビス (2 -へキシニル) -1， 4-ジプロピルナフタレン (0. 373 g, 1. 0 讓 ol)を- 78 Xにて加えた。反応混合物を室温まで昇温させ、 1 時間攪拌した。 4-ォクチン (0. 22 ml, 1. 5 讓 ol) 及び NiBr₂ (ΡΡ1ι₃) ₂ (0. 892 g, 1. 2 mmol)を反応混合物に、室温にて加えた。 24時間攪拌した後、 3N HC1で加水分解を行い、へキサンで抽出した。炭酸水素ナトリウム水溶液及び飽和食塩水で洗浄し、そして、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。シリカゲルを充填剤として、カラムクロマトグラフィーを行い、エタノールで粉末化することにより、やや橙色の粉末の標題化合物（0. 224 g) を得た。単離収率 46%。本発明化合物 5の調製

(化合物 5)

， 2 , 3， 4， 6， 1 1一へキサプロピルナフ夕セン参考化合物 1 8で得られた 5， 12 -ジヒドロ- 1, 2, 3, 4, 6, 1卜へキサプロピルナフ夕セン（0. 503 g, 1. 04 iMol) 及び 2， 3 -ジクロロ- 5， 6 -ジシァノベンゾキノン (0. 260 g, 1. 14 腿 ol)、 1, 4-ジォキサン（3 ml)を、反応器に添加した。混合物を 2 4時間、リフラックスし、冷却後、析出物を濾過により除去した。混合物中の溶媒を真空下、除去し、クロ口ホルム/メタノールから再結晶化し、橙赤色の標題化合物 (0. 112 g)を得た。 NMR収率 36 %。単離収率 22%。参考化合物 1 9の調製

9, 10-ジプロピル- 2, 3-ジョード- 5， 6, 7, 8-：

ビス (？? ⁵—シクロペン夕ジェニル) ジクロロジルコニウム（0. 175 g, 0. 6 蘭 ol)の T H F ( 2 5 m l ) 溶液に、一 7 8 tにて、 n—ブチルリチウム（0. 75 ml, 1. 2 腿 ol, 1. 6 mol/1)を添加した。この溶液を 1時間、攪拌し、 4, 10-テトラドデカジイン（0. 095 ml, 0. 5 匪 ol)を加えた。クーリングバスを取り外し、混合物を 1時間攪拌した。テトラョ一ドベンゼン（0. 582 g， 1. 0 .mmol)及び MPU (0. 18 ml, 1. 5 mmol) , CuCl (0. 104 g, 1. 1 mmol)を混合物に加えた。 50 °C 1時間攪拌した後、 3 N塩酸を添加して、反応を終了させた。次いで、エーテルで抽出し、炭酸水素ナトリウム水溶液及び飽和食塩水で洗浄した。減圧下で濃縮した後、残渣について、シリカゲルを充填剤として、カラムクロマトグラフィ —を行い、無色固体の標題化合物（0. 148 g) を得た。 57%単離収率。参考化合物 2 0の調製

9, 10 -ジプロピル - 2， 3 -ジョードアントラセン参考化合物 1 9で得られた 9, 10-ジプロピル- 2, 3-ジョ一ド- 5， 6， 7, 8-テトラヒドロアントラセン（0. 259 g, 0. 5 讓 ol)及び 2, 3 -ジクロロ- 5, 6 -ジシァノベンゾキノン（0. 341 g, 1. 5 腿 ol)、 1, 4-ジォキサン（3 ml) を反応器に添加した。次いで、混合物を 1時間、リフラックスし、冷却後、析出物を濾過により除去した。混合物中の溶媒を真空化、除去した。カラムクロマトグラフィー（へキサン）を行い、淡黄色固体の標題化合物（0. 109 g) を得た。単離収率 42 。本発明化合物 6の調製

(化合物 6)

5 , 1 4一ビス（4一ブロモフエニル）一 1 , 2 , 3 , 4ーテトラヒドロー 7， 1 2ージプロピルペン夕セン

ビス ( 7? ⁵—シクロペンタジェニル) ジクロロジルコニウム（0. 161 g, 0. 551 ■ol)及び n—プチルリチウム（0. 7 ml, 1. 6 M， 1. 1 匪 ol)とから調製したビス ( 7? ⁵ _シクロペン夕ジェニル) ジブチルジルコニウムの THF溶液に、 1, 8 -ビス (p -ブロモフエニル) - 1, 7 -才クタジイン（0· 191 g, 0. 459 顧 ol)を、 - 78 °Cにて添加した。続いて室温で 1時間放置した。 CuCl (0. 095 g, 0. 964 imol)及び DMPU (0. 17 ml, 1. 38 蘭 ol)、参考化合物 2 0で得られた 2， 3_ジョ一ド - 9, 10- ジプロピルアントラセン（0. 236 g 0. 459 腿 ol) を混合物に添加した。 50 °Cで 1 時間加熱した後、混合物中の溶媒を真空下で除去した。カラムクロマトグラフィー（クロロフオルム）を行った。クロロフオルム /メタノールからの再結晶により、橙赤色の表題化合物（0. 177 g)が得られた。単離収率 57%。比較化合物 1

(比較化合物 1 )

標題化合物をアルドリツチ社から購入し、そのまま用いた。比較化合物 2

(比較化合物 2)

標題化合物をエキシトン社から購入し、そのまま用いた比較化合物 3

(比較化合物 3)

標題化合物をアルドリツチ社から購入し、そのまま用いた。実施例 1

厚さ 1 3 0 nmの I T O透明電極（陽極）を有するガラス基板を、

基板洗浄剤、蒸留水、イソプロピルアルコールの順に超音波洗浄した。更に、 U VZオゾン洗浄した後、蒸着装置のホルダーに固定した。蒸着槽は 1 0— ⁶ Torr 程度に減圧し、 I T O透明電極上に、 T P D [N, N，一ビス（3—メチルフエエル) — N， N，ージフエ二ルペンジジン] を膜厚約 3 0 nm蒸着した後に、上記のように調製した表 1記載の化合物及び A 1 q . [卜リス（8—ヒドロキシキノリナト] アルミニウム] を 1 ： 100の重量比で膜厚約 40 nmに蒸着した。更に、 A I Q. を単独で膜厚約 2 Onm蒸着した。次いで、有機薄膜上にパターニングしたマスク（発光面積は 5mm X 5mm) を設置し、マグネシウムと銀を膜厚約 15 Onmに共蒸着（重量比 10 ： 1) して陰極とし、有機 EL素子を作製した。この有機 EL素子を KE I THLEY社製ソースメータ 2400型を用い直流電圧を印加して発光させ、その輝度を TOP CON社の輝度計 BM— 9 型、発光波長を浜松ホトニクス社製マルチチャンネル検出器 PMA— 11型を用いて測定した。結果を表 1に示す。

実施例 2

実施例 1と同様に、 I TO透明電極を洗浄後、蒸着装置の基板ホルダーに固定した。蒸着槽は 10— ⁶ Torr程度に減圧し、 I TO透明電極上に、 TPD [N, N， —ビス (3—メチルフエニル） -N, N，ージフエ二ルペンジジン] を膜厚約 30 nm、上記のように調製した表 2記載の化合物を膜厚約 40 nm、 A 1 q.

[トリス（8—ヒドロキシキノリナト] アルミニウム] を膜厚 6 Onmの順に蒸着した。次いで、実施例 1と同様に陰極を蒸着し、評価を行った。その結果を表 2に示す。表 2

PVK [ポリ（N—ビニルカルバゾール） ] 21mg PBD [2 - (4—ビフエ二ルイル） - 5 - (4_ t e r t _ブチルフエニル）一 1 , 3 4—ォキサジァゾール] 9mg、上記のように調製した表 3記載の化合物 lmgを 1 2— ジクロロエタン 3m 1に溶解し、実施例 1と同様に洗浄した I TO基板にスピンコートした。有機薄膜の膜厚は約 6 Onmであった。次いで、実施例 1と同様に陰極（15 Onm) を蒸着し、評価を行った。その結果を表 3に示す。

表 3

本発明によれば、安定性、耐久性、発光輝度、発光効率に優れた有機電界発光素子用材料及び有機電界発光素子を提供することができる。

Claims

1. 下記一般式（I) で示されるポリアセン誘導体から選ばれる有機電界発光素子用材料。

請 (I)

の

[式中、 R¹ R²、 R³、 R⁴、 R⁵、 R⁶、 R⁷、 R⁸、 R⁹及び R^ll)は、それぞれ互いに独立し、同一または異なって、水素原子；置換基を有していてもよい〜C_4Q炭化水素基；置換基を有していてもよい C i C アルコキシ基、置換基を有していてもよい C₆〜C_4Qァリールォキシ基；置換基を有していてもよいァミノ基、水酸基又は置換基を有していてもよいシリル基であり、但し、 R⁶及び R⁷は、互いに架橋して C₄〜C_4D飽和又は不飽和環を形成してもよく、前記飽和又は不飽和環は、酸素原子、硫黄原子、又は式—N (R¹¹) 一で示される基（式中 R¹¹は水素原子又は炭化水素基である。）で中断されていてもよく、かつ、置換基を有していてもよく；

A¹及び A²は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、水素原子；ハロゲン原子；置換基を有していてもよい (^〜じ炭化水素基；置換基を有していてもよい。ェ〜じアルコキシ基、置換基を有していてもよい C₆〜C₄₀ァリ —ルォキシ基；置換基を有していてもよい C₇〜C_4Qアルキルァリールォキシ基；置換基を有していてもよい C₂〜C_4Qアルコキシ力ルポニル基；置換基を有していてもよい C₇〜C₄。ァリールォキシカルポニル基；シァノ基（_CN) ；力ルバモイル基（—C (=0) NH₂) ；ハロホルミル基（― C (=0) —X、式中、 Xはハロゲン原子を示す。）ホルミル基（― C (=0) -H) ；イソシァノ基；イソシアナト基、チオシアナ卜基又はチォイソシアナ卜基であり、但し、 A¹及び A²は、互いに架橋して、式一 C ( = 0) ― B— C (=0) —で示される環を形成してもよく（式中、 Bは、酸素原子又は式— N (B¹) 一で示される基（式中、 B¹は、水素原子、（^〜じ^炭化水素基、又は、ハロゲン原子である）である）、

nは、 1以上の整数である、

但し、 R¹ R²、 R³、 R⁴、 R⁵、 R⁶、 R⁷、 R⁸、 R⁹、 R^1Q、 A¹及び A²が全て水素原子である場合を除き、

nが 1である場合には、

少なくとも R¹ R²、 R⁴及び R⁹が水素原子以外の基であるか、又は少なくとも R³、 R⁵、 R⁸及び R^1Dが水素原子以外の基であり、

！^及び、又は、 R4及び R9が、置換基を有していてもよいァリール基である場合を除き、

(式中、 A¹及び A²は、上記の意味を有し、

R\ R²、 R³、 R⁴、 R^{5 A}、 R^{5 B}、 R⁶、 R⁷、 R^{8 A}、 R^{8 B}、 R⁹及び R¹⁰は、それぞれ互いに独立し、同一または異なって、水素原子；置換基を有していてもよい

〜じアルコキシ基、置換基を有していてもよい C₆〜C_4Qァリールォキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基、水酸基又は置換基を有していてもよいシリル基であり、但し、 R ⁶及び R⁷は、互いに架橋して C₄〜C_4Q飽和又は不飽和環を形成してもよく、前記飽和又は不飽和環は、酸素原子、硫黄原子、又は式一 N (R¹¹) 一で示される基（式中、 R¹¹は水素原子又は炭化水素基である。）で中断されていてもよく、かつ、置換基を有していてもよい。）

R R²、 R³、 R⁴、 R^5A、 R^5B、 R⁶、 R⁷、 R^{8 A}、 R^8B、 R⁹、 R'。、 A¹ 及び A²の 1つ以上がジァリ一ルァミン基である場合を除く。 ]

2. 一般式（I) で示され、 n=l又は 2であり、

nが 1である場合には、

R¹ R²、 R³、 R⁴、 R⁵、 R⁶、 R⁷、 R⁸、 R⁹、 R^1G、 A¹及ぴ A²が全てメチル基である場合と、 R³、 R⁴、 R ⁹及び R^1Dが全てァリール基であり、かつ、 R R²、 R⁵、 R⁶、 R⁷、 R⁸、 A¹及び A²が全て水素原子である場合と、 R¹ R²、 R⁴及び R⁹が全てアルコキシ基又はァリールォキシ基であり、かつ、 R³、 R⁵、 R⁶、 R⁷、 R⁸、 R^1D、 A¹及び A²が全て水素原子である場合と、 R³、 R ⁵、 R ⁸及び R^1Gが全てアルコキシ基又はァリールォキシ基であり、かつ、 R¹ R²、 R⁴、 R⁶、 R⁷、 R⁹、 A¹及び A²が全て水素原子である場合とを除き、また、 nが 2である場合には、前記式（I a) で示されるペン夕セン誘導体であって、

式（I a) 中、 R¹ R²、 R³、 R⁴、 R^5a、 R^5b、 R⁶、 R⁷、 R^Sa、 R^8b、 R⁹、 R¹⁰、 A¹及び A²が全てメチル基である、又は、 R R²、 R³、 R⁴、 R^5a、 R ^5b、 R^8a、 R^8b、 R ⁹及び R^1Dが全て水素原子であり、かつ、 R⁶、 R⁷、 A¹及び A²の 1つ以上がァリール基である、又は、 R¹ R²、 R³、 R⁴、 R^5a、 R^5b、 R⁶、 R⁷、 R^8a、 R^8b、 R⁹、 R^lfl、 A¹及び A²の 6つ以下が水素原子以外の基である場合に前記水素原子以外の基のいずれかがメトキシ基である場合、

下記式（l b) で示されるペン夕セン誘導体である場合、

[式中、 R R²、 R^5b及び R^8bが全てアルコキシ基又はァリールォキシ基である。 ] . .

下記式 (I c) で示されるペン夕セン誘導体である場合、並びに、

[式中、 R³、 R^5a、 R^8a及び R^1Qの 2つ以上がァリール基又はァリールアルキニル基であるか、 R³、 R^5a、 R^8a及び R^lflの 1つ以上がァリールアルケニル基であるか、又は、 R³、 R^5a、 R^8a及び R^1Qが全てアルコキシ基又はァリールォキシ基である。 ]

下記式（I d) で示されるペン夕セン誘導体である場合

[式中、 R⁴及び R ⁹が水素原子、炭化水素基、アルコキシ基、ァリールォキシ基、ハロゲン原子又は水酸基である。 ]

を除く、請求項 1記載の有機電界発光素子用材料。

3. R R²、 R³、 R⁴、 R⁵、 R⁶、 R⁷、 R⁸、 R⁹、 R¹⁰, A¹及び A²の 5 つ以上が、水素原子以外の基である請求項 1又は 2に記載の有機電界発光素子用材料。

4. R R²、 R³、 R⁴、 R⁵、 R⁶、 R⁷、 R⁸、 R⁹、 R¹⁰、 A¹及び A²の 6 つ以上が水素原子以外の基である請求項 1又は 2に記載の有機電界発光素子用材料。

5. 前記ポリアセン誘導体が、前記式（I a) で示されるペン夕セン誘導体であり、

R R²、 R³、 R⁴、 R^5a、 R^5b、 R⁶、 R⁷、 R^8a、 R^8b、 R⁹、 R^l A¹及び A²の 5つ以上が、水素原子以外の基である請求項 1又は 2に記載の有機電界発光素子用材料。

6. R R²、 R³、 R⁴、 R^5a、 R^5b、 R⁶、 R⁷、 R^8a、 R^8b、 R⁹、 R^1Q、 A 1及び A²の 6つ以上が、水素原子以外の基である請求項 5に記載の有機電界発光素子用材料。

7. R\ R²、 R³、 R⁴、 R^5a、 R^5b、 R⁶、 R⁷、 R^8a、 R^8b、 R⁹、 R¹⁰ A ¹及び A²の 7つ以上が、水素原子以外の基である請求項 5に記載の有機電界発光素子用材料。

8. R R²、 R³、 R⁴、 R^5a、 R^5b、 R⁶、 R⁷、 R^8a、 R^8b、 R⁹、 R^1D、 A ¹及び A²の 8つ以上が、水素原子以外の基である請求項 5に記載の有機電界発光素子用材料。

9. R\ R²、 R³、 R⁴、 R^5a、 R^5b、 R⁶、 R⁷、 R^8a、 R^8b、 R⁹、 R¹⁰, A ¹及び A²の 9つ以上が、水素原子以外の基である請求項 5に記載の有機電界発光素子用材料。

10. R R²、 R³、 R⁴、 R^5a、 R^5b、 R⁶、 R⁷、 R^8a、 R^8b、 R⁹、 R¹⁰、 A¹及び A²の 10以上が、水素原子以外の基である請求項 5に記載の有機電界発光素子用材料。

1 1. R¹及び R²、 R³及び R^1Q、 R⁴及び R⁹、 R⁵及び R⁸、 R⁶及び R⁷、並びに、 A¹及び A²のいずれかの組合せが同一の置換基である請求項 1〜4のいずれかに記載の有機電界発光素子用材料。

12. R¹及び R²、 R³及び R^1Q、 R⁴及び R⁹、 R^5a及び R^8a、 R^5b及び R^8b、！^及び尺⁷、並びに、 A¹及び A²のいずれかの組合せが同一の置換基である請求項 5〜 10のいずれかに記載の有機電界発光素子用材料。

13. R\ R²、 R³、 R⁴、 R⁵、 R⁶、 R R⁸、 R ⁹及び R ¹¹¹の何れかが、置換基を有していてもよい。〜炭化水素基；置換基を有していてもよい（丄

〜（： _4Qアルコキシ基、又は置換基を有していてもよい C₆〜C_4Dァリールォキシ基である請求項 1〜4の何れかに記載の有機電界発光素子用材料。

14. R¹, R²、 R³、 R⁴、 R^5a、 R^5b、 R⁶、 R⁷、 R^8a、 R^8b、 R⁹及び R¹⁰ の何れかが、置換基を有していてもよい (^~(:_4ϋ炭化水素基；置換基を有していてもよい C^ C^。アルコキシ基、又は置換基を有していてもよい C₆〜C₄。ァリールォキシ基である請求項 5〜 10の何れかに記載の有機電界発光素子用材料。

15. RK RK 及び R⁹は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なつて、置換基を有していてもよい (^〜( _4ΰアルキル基又は置換基を有していてもよい C₆〜C₁₈ァリール基であり；

A¹及び A²は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、置換基を有していてもよい C₂〜C₄。アルコキシカルポニル基であり；

nは 1である請求項 1に記載の有機電界発光素子用材料。

16. A A²、 R R²、 R⁴及び R⁹は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、置換基を有していてもよい (^〜(：₄₍₎アルキル基又は置換基を有していてもよい C₆〜C₁₈ァリ一ル基であり；

nは 1である請求項 1に記載の有機電界発光素子用材料。

17. R³、 R⁵、 R⁶、 R⁷、 R⁸及び R^iQは、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、置換基を有していてもよい（^〜じアルキル基又は置換基を有していてもよい C₆〜C_1Sァリール基であり；

A¹及び A²は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、ハロゲン原子であり；

nは 1である請求項 1に記載の有機電界発光素子用材料。

18. 前記ポリアセン誘導体が、前記式（I a) で示されるペン夕セン誘導体である場合に、 A¹及び A²が置換基を有していてもよい C₂〜C_4Qアルコキシカルポニル基であり、かつ、 R R²、 R\ R^5b、 R⁶、 R⁷、 R^8b及び R⁹が置換基を有していてもよい ^〜（^アルキル基又は置換基を有していてもよい C₆〜C

1₈ァリール基である請求項 1又は 2に記載の有機電界発光素子用材料。

19. 前記ポリアセン誘導体が、前記式（I a) で示されるペン夕セン誘導体である場合に、 A'、 A²、 RK R²、 R⁴、 R^5b、 R⁶、 R⁷、 R^8b及び R⁹が置換基を有していてもよい

アルキル基又は置換基を有していてもよい C₆〜 C i ₈ァリール基である請求項 1又は 2に記載の有機電界発光素子用材料。

20. 前記ポリアセン誘導体が、上記式（I a) で示されるペン夕セン誘導体である場合に、 A¹及び A²がハロゲン原子であり、かつ、 R³、 R⁵ R^8a及び

R^1Qが置換基を有していてもよい〜。アルキル基又は置換基を有していてもよい C₆〜C₁₈ァリール基である請求項 1又は 2に記載の有機電界発光素子用材料。

21. —対の電極間に、請求項 1〜20何れか 1項に記載のポリアセン誘導体を少なくとも 1種含有する層を、少なくとも一層挟持してなる有機電界発光素子。

2 2 . 前記ポリアセン誘導体を少なくとも 1種含有する層が、発光層である請求項 2 1記載の有機電界発光素子。

2 3 . 前記ポリアセン誘導体を少なくとも 1種含有する層が、正孔注入輸送層である請求項 2 1記載の有機電界発光素子。

2 4. 前記ポリァセン誘導体を少なくとも 1種含有する層が、電子注入輸送層である請求項 2 1記載の有機電界発光素子。

2 5 . さらに、多環芳香族化合物、発光性有機金属錯体またはトリァリールァミン誘導体を少なくとも 1種含有する請求項 2 1〜 2 4のいずれかに記載の有機電界発光素子。

2 6 . 少なくとも 1層中に、請求項 1〜2 0の何れか 1項に記載のポリアセン誘導体を 0 . 1〜 4 0重量％含有する請求項 2 1 - 2 5記載の有機電界発光素子。