WO2002083424A1 - Tete d'injection de liquide, dispositif d'injection de liquide et procede de fabrication d'une tete d'injection de liquide - Google Patents

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liquid
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Takaaki Miyamoto
Minoru Kohno
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Sony Corporation
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Definitions

  • Liquid ejecting head Description Liquid ejecting head, liquid ejecting apparatus, and method of manufacturing liquid ejecting head
  • the present invention relates to a liquid ejecting head, a liquid ejecting apparatus, and a method of manufacturing a liquid ejecting head, and particularly applies to a liquid ejecting apparatus using a thermal head, and creates a wiring pattern using a wiring material with enhanced electromigration resistance. Even in such cases, sufficient reliability should be ensured.
  • liquid jet systems such as a sublimation type thermal transfer system, a fusion heat transfer system, and an ink jet system, and a color hard copy system such as an electrophotographic system and a thermally developed silver salt system have been proposed.
  • the liquid jet method ejects a droplet of a liquid, for example, a recording liquid (ink) from a nozzle provided in a recording head, and adheres to a recording target to form a dot.
  • a high-quality image can be output with a simple configuration.
  • the liquid ejecting method is classified into an electrostatic attraction method, a continuous vibration generating method (piezo method), a thermal method, and the like, depending on a method of ejecting a liquid such as ink.
  • the thermal method is a method in which bubbles are generated by local heating of a liquid such as an ink and the bubbles are used to push out the liquid such as an ink from a discharge port to fly to a printing target. Color images can be printed.
  • the printer using the thermal method is configured by using a so-called printer head.
  • the printer head includes a heating element for heating a liquid such as ink, a driving circuit including a mouthpiece integrated circuit for driving the heating element, and the like. It is formed on semiconductor substrates using manufacturing technology. That is, in the thermal head, a logic integrated circuit including a MOS transistor or a bipolar transistor, and a driving transistor driven by the logic integrated circuit are formed on a silicon substrate. Further, a thin film of Ta, Ta2N, TaA1, etc. is formed by a sputtering method, and a heating element is formed by the thin film.
  • a protective layer such as a silicon nitride film, and a cavitation prevention layer using a Ta film. Is formed.
  • a liquid chamber for holding a liquid such as an ink, a flow path for guiding the liquid such as an ink to the liquid chamber, and the like are formed corresponding to each heating element. This allows the thermal head to drive the heating element by the driving transistor under the control of the logic drive circuit, and to eject the ink droplet from the nozzle.
  • the thermal head it is required to arrange the heating elements at a high density in order to obtain a high-resolution printing result.
  • the heating resistance elements are 42.3. 3 [im] They are arranged at intervals.
  • a wiring material that has enhanced electromigration resistance that has enhanced electromigration resistance. That is, in this case, for example, as shown in FIG. After forming an insulating layer and the like on a semiconductor substrate 1 on which transistors and the like are formed, a heating element 2 and a wiring layer 3 of a wiring material such as Al—Si or Al—Cu are sequentially formed. It is considered that the resistance to electromigration can be enhanced by patterning the wiring layer by jet etching.
  • Si, Cu, etc. which are additives to the wiring material, have the disadvantage that they do not dissolve in the etching agent, and in this case, residues 4, such as Si, Cu, etc., remain at the site where the wiring layer was removed by the agent. Will be. Thus, when applied to a thermal head, the portion from which the wiring layer is removed becomes a very harmful dust source in the semiconductor manufacturing process.
  • the present invention has been made in view of the above points, and is capable of ensuring sufficient reliability even when a wiring pattern is formed from a wiring material having enhanced electromigration resistance.
  • An object of the present invention is to propose a method of manufacturing an injection device and a liquid injection head.
  • a protective layer is formed on the side of the liquid chamber of the heating element to protect the heating element by dry etching at the time of forming a wiring pattern.
  • a printer head in which liquid droplets ejected from a predetermined nozzle when applied to a liquid jet head are ink droplets, various dye droplets, droplets for forming a protective layer, and the like.
  • the present invention can be applied to a microdispenser in which the droplet is a reagent or the like, various measuring devices, various test devices, and a pattern drawing device in which this liquid is a chemical that protects a member from etching.
  • a protective layer on the side of the liquid chamber of the heating element to protect the heating element by dry etching at the time of forming the wiring pattern, the heating element is affected by the dry etching at the time of forming the wiring pattern by the protective layer. You can avoid receiving it.
  • a wiring pattern is formed from a wiring material having enhanced electromigration resistance, it is possible to effectively avoid a decrease in the reliability of the heating element, and to thereby ensure sufficient reliability. be able to.
  • a protective layer is formed on the side surface of the liquid chamber of the heating element in the liquid ejection head to protect the heating element by dry etching when forming a wiring pattern.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view for explaining a residue due to wet etching of a wiring pattern.
  • 2 (A) and 2 (B) are cross-sectional views for explaining a manufacturing process of the printer head according to the embodiment of the present invention.
  • FIGS. 3 (C) and (D) are cross-sectional views provided for the continuation of FIG. 4 (E) and 4 (F) are cross-sectional views provided for the continuation of FIG.
  • FIGS. 5 (G) and (H) are cross-sectional views provided for the continuation of FIG. 4.
  • FIG. 6 is a characteristic curve diagram showing a change in the resistance value of the heating element.
  • FIG. 7 is a characteristic curve diagram showing a change in the resistance value of the heating element under conditions different from those in FIG. BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
  • the present invention is applied to a liquid ejecting apparatus, a liquid ejecting head used therein, and a method of manufacturing a liquid ejecting head.
  • a liquid ejected from the liquid ejecting apparatus will be described. This will be described using ink. Therefore, the liquid ejected from the liquid ejecting apparatus is not limited to ink, but may be a fixing liquid of ink, a diluting liquid of ink, droplets of various dyes, droplets for forming a protective layer, or the like.
  • Micro dispensers various measuring devices, various testing devices, etc., when this droplet is a reagent, etc., and when this liquid is a chemical that protects members from etching, such as a pattern drawing device, etc. Of course, it does not matter.
  • FIG. 2 (A) to 5 (H) are cross-sectional views for explaining the steps of manufacturing the printer head according to the embodiment of the present invention.
  • a silicon nitride film is deposited.
  • the silicon substrate 11 is subsequently processed by a lithography process and a reactive ion etching process, thereby removing the silicon nitride film from a region other than a predetermined region for forming a transistor.
  • a silicon nitride film is formed in a region on the silicon substrate 11 where a transistor is to be formed.
  • a thermal oxidation process is followed by forming a thermal silicon oxide film in the region from which the silicon nitride film has been removed, and using the thermal silicon oxide film to isolate transistors in a device isolation region (LOCOS: (Local oxidation of silicon) 1 2 is formed.
  • LOCS Low oxidation of silicon
  • a gate having a tungsten silicon thermal oxide film structure is formed in the transistor formation region.
  • the silicon substrate 11 is processed by an ion implantation process and a heat treatment process for forming source and drain regions to form MS ⁇ S switching transistors 14 and 15.
  • the switching transistor 14 is a MOS transistor driver transistor having a light withstand voltage of 30 [V], and is used for driving the heating element.
  • the transistor 15 is a transistor constituting an integrated circuit that controls this driver transistor, and operates at a voltage of 5 [V].
  • a BPSG (BoroPhosepho Silicate Glass) film 16 is deposited by a CVD (Chemical Vapor Deposition) method to form an interlayer insulating film.
  • a contact hole is created on the silicon semiconductor diffusion layer (source 'drain) by a photolithography step and a reactive ion etching method using a CFX-based gas.
  • the silicon substrate 11 is washed with dilute hydrofluoric acid, and a titanium film having a thickness of 20 [nm] and a titanium nitride barrier metal having a thickness of 50 [nm] are sequentially deposited by a sputtering method.
  • an aluminum layer containing 1 [at%] of silicon is deposited to a thickness of 600 [nm].
  • a photolithography step and a dry etching step are performed, thereby forming a first-layer wiring pattern 18.
  • a logic integrated circuit is formed by connecting MOS type transistors 15 constituting a drive circuit with a wiring pattern 18 made of a wiring material having enhanced electromigration resistance. .
  • a silicon oxide film (so-called TEOS) 19 as an interlayer insulating film is deposited by a CVD method, and this is deposited by a CMP (Chemical Mechanical Polishing) step or a resist etch back method.
  • the silicon oxide film 19 is smoothed.
  • a heating resistance element material such as Ta, Ta2N, TaAl, etc. is formed at a predetermined thickness by a sputtering method.
  • the heating element 20 is formed by removing excess heating resistance element material by a photolithography step and a dry etching step.
  • SiN or SiC is deposited with a predetermined film thickness by a CVD method, thereby protecting the heating element 20 from dry etching of the wiring material.
  • the protective layer 22 is formed.
  • this protective layer 22 is formed with a sufficient film thickness (100 [nm] or more).
  • the protection layer 22 is processed by a dry etching step using plasma mainly composed of a CFX-based gas, and connection is made by a wiring pattern. Except for the part, the protective layer 22 is locally arranged on the heating element 20.
  • a contact hole is formed by a photolithography step and a reactive ion etching method using a CFX-based gas. Further, the silicon substrate 11 is washed with diluted hydrofluoric acid, and a titanium film having a thickness of 20 [nm] and a titanium nitride barrier metal having a thickness of 50 [nm] are sequentially deposited by a sputtering method. Further, in this step, a predetermined film thickness of aluminum to which 1 [at%] of silicon is added is deposited by a sputtering method. Thus, in this step, a wiring material film 24 is formed by connecting the first-layer wiring pattern to the contact hole and connecting the heating element 20 at a portion where the heating element 20 is exposed. It has been made like that.
  • this step is performed by anisotropic dry etching using plasma mainly containing chlorine-based gas after the photoresist step.
  • a second-layer wiring pattern 25 is created.
  • a wiring pattern for power supply and a wiring pattern for ground are created from the wiring pattern 25 of the second layer, and the drive transistor 14 is connected to the heating element 20.
  • the etching time is set so that the wiring material film 24 is sufficiently over-etched, and the wiring material is not left behind at the steps due to the over-etching. A short circuit between the wiring patterns due to the remaining wiring material is sufficiently prevented.
  • this step functions as an ink protective layer, as shown in FIG. 5 (G).
  • a silicon nitride film 27 is deposited to a thickness of 300 [nm].
  • a tantalum film having a thickness of 200 [nm] is deposited by a sputtering method, and a cavitation-resistant layer 28 is formed from the tantalum film.
  • a dry film 29 and a nozzle sheet 3 are sequentially laminated.
  • the dry film 29 is made of, for example, a carbon-based resin, and is formed by being cured in a predetermined shape and a predetermined thickness so that the partition walls of the ink liquid chamber and the ink flow path have a predetermined height.
  • the nozzle sheet 30 is a sheet material processed into a predetermined shape so as to form the nozzle 33 which is a minute ink discharge port on the heating element 20. Is held by bonding.
  • the ink film chamber 31, the flow path for guiding the ink to the ink liquid chamber 31, and the nozzle 33 are formed by the dry film 29 and the nozzle sheet 30.
  • the semiconductor substrate 11 on which the transistors 14 and 15 are arranged by processing the semiconductor substrate 11 is created (second (A) Figure), Interlayer insulating film 19, wiring patterns 18, 25, dry film 29, nozzle sheet 30, etc. are sequentially laminated on this semiconductor substrate 11 to manufacture a printer head (2nd (B) ) Figure to Figure 5 (H)).
  • the heating element 20 is formed with the insulating layer 19 interposed therebetween. Further, a silicon nitride film 22 as a protective layer against dry etching is formed on the heating element 20 with a sufficient film thickness to enhance the migration resistance of an electoric port. After the wiring material film 24 is formed, the wiring material film 24 is removed by dry etching to form a second-layer wiring pattern 25.
  • the printer head created by this process when the second wiring pattern is formed by dry etching, the portion of the heating element 20 is exposed to chlorine-based plasma related to dry etching. Become.
  • the printer head according to the present embodiment even if a wiring pattern made of a wiring material that enhances the ejection port migration resistance is formed, the reliability of the heating element is effectively reduced. Can be avoided and sufficient reliability can be ensured accordingly.
  • the heating element 20 is disposed at a position away from the ink liquid chamber 31 in the printer head by the thickness of the protective layer 22.
  • S i N and S i C constituting the protection layer 22 have better thermal conductivity than the silicon oxide film (S i 02). Even in this case, the ink in the ink liquid chamber can be heated sufficiently efficiently to eject the ink droplets.
  • FIGS. 6 and 7 show the results of tests performed to confirm the reliability of the protective layer 22 thus prepared. These are the results of forming heating elements in a square shape with one side of 18 im) and repeatedly applying pulses with each power.
  • a head chip was formed by depositing a SiN layer as an ink barrier layer at a thickness of 300 inm], and further depositing a tantalum anti-cavitation layer at a thickness of 200 C nm).
  • FIG. 6 shows a case where the protective layer 22 was formed such that the protective layer 22 was left behind at a thickness of 30 C nm] at the portion where the film thickness became the thinnest by dry etching.
  • the wiring pattern is formed of a wiring material having enhanced electromigration resistance. Even when creating a document, sufficient reliability can be ensured.
  • the protective layer from silicon nitride or silicon carbide, even when the ink in the ink liquid chamber is heated with such a protective layer interposed, the ink can be efficiently heated.
  • the protective layer is made of silicon nitride or silicon carbide.
  • the present invention is not limited to this, and the ink in the ink liquid chamber can be heated sufficiently efficiently in practical use.
  • the protective layer may be made of silicon oxide.
  • the wiring pattern is formed by the wiring material having enhanced electromigration resistance.
  • the present invention is not limited to this, and the wiring pattern is formed by dry etching using various wiring materials. It can be widely applied when creating.
  • printer heads which are droplets of dyes, droplets for forming a protective layer, etc., as well as microdispensers, in which droplets are reagents, various measuring devices, various testing devices, and agents in which droplets protect members from etching. It can be widely applied to various types of pattern drawing apparatuses.
  • the heating element has a liquid chamber side surface of a liquid such as ink,
  • a protective layer that protects the heating element by dry etching when forming a wiring pattern, sufficient reliability can be ensured even when a wiring pattern is made of a wiring material with enhanced electromigration resistance.
  • the present invention relates to a liquid ejecting head, a liquid ejecting apparatus, and a method for manufacturing a liquid ejecting head, and is particularly applicable to a liquid ejecting apparatus using a thermal head.

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Description

明細書 液体噴射へッド、 液体噴射装置及び液体噴射へッ ドの製造方法 発明の背景
技術分野
本発明は、 液体噴射ヘッド、 液体噴射装置及び液体噴射ヘッ ドの製造方法に 関し、 特にサ一マルヘッドによる液体噴射装置に適用して、 エレク トロマイダ レーション耐性を強化した配線材料により配線パターンを作成する場合でも、 十分な信頼性を確保することができるようにする。 背景技術
近年、 画像処理等の分野においては、 ハードコピーのカラー化に対するニー ズが高まっている。 このようなニーズに対して、 従来、 昇華型熱転写方式、 溶 融熱転写方式、 インクジェッ ト方式等の液体噴射方式、 電子写真方式、 熱現像 銀塩方式等のカラーハ一ドコピー方式が提案されている。
これらの方式のうち液体噴射方式は、 記録へッドに設けられたノズルから液 体、 例えば記録液 （インク） の小滴を飛び出させ、 記録対象に付着してドット を形成するのもであり、 簡単な構成により高画質の画像を出力することができ る。 この液体噴射方式は、 インク等の液体を飛び出させる方式の相違により、 静電引力方式、 連続振動発生方式 （ピエゾ方式）、 サーマル方式等に分類される。 これらの方式のうちサーマル方式は、 ィンク等の液体の局所的な加熱により 気泡を発生させ、 この気泡により吐出口からィンク等の液体を押し出して印刷 対象に飛翔させる方式であり、 簡易な構成によりカラー画像を印刷することが できる。
このサーマル方式によるプリンタは、 いわゆるプリンタへッドを用いて構成 され、 このプリンタヘッドには、 インク等の液体を加熱する発熱素子、 発熱素 子を駆動する口ジック集積回路による駆動回路等が半導体製造技術を利用して 半導体基板上に形成されるようになされている。 すなわちサーマルへッドは、 シリ コン基板上に MO S型トランジスタ又はバ ィポーラトランジスタによるロジック集積回路、 このロジック集積回路により 駆動される駆動用トランジスタが作成される。 さらにスパッタリング法により T a、 T a 2 N、 T a A 1等による薄膜が作成され、 この薄膜により発熱素子 が作成される。 さらにアルミニューム等の配線材料が堆積された後、 ウエッ ト エッチングによりパターンニングされ、 これにより各トランジスタ、 発熱素子 が接続され、 さらにシリコン窒化膜等による保護層、 T a膜によるキヤビテ一 シヨン防止層が形成される。 さらにサーマルへッドは、各発熱素子に対応して、 ィンク等の液体を保持する液室、 この液室にィンク等の液体を導く流路等が作 成される。 これによりサ一マルヘッドは、 ロジック駆動回路による制御により 駆動用トランジスタで発熱素子を駆動して、 ノズルよりィンク液滴を飛び出さ せることができるようになされている。
サ一マルへッ ドでは、 高解像度による印刷結果を得るために発熱素子を高密 度で配置することが求められ、 6 0 0 〔D P I〕 相当のプリンターヘッドでは、 発熱抵抗素子を 4 2 . 3 3 3 〔 i m〕 間隔で配置するようになされている。
ところで駆動用トランジスタと対応する発熱素子との接続において、 純粋な アルミニュームを配線材料として使用する場合、 燐酸等を主成分とした薬液を 用いたウエッ トエッチングにより、 何ら発熱素子に影響を与えることなく、 簡 易かつ確実にアルミニュームをパターンニングすることができる。
しかしながらアルミニュームは、 電流を流すと、 電子がアルミニューム原子 と衝突してアルミニューム原子が移動し、 これにより配線の一部に欠損が発生 する場合があり、 さらにこの欠損により断線する恐れがある （いわゆるエレク トロマイグレーション不良である）。 これにより半導体製造工程においては、純 粋なアルミニュームに代えて、 アルミニュームにシリコン、 銅等を添加するこ とによりアルミニューム粒界をこれら添加物で補強し、 エレク ト口マイグレー シヨン耐性を強化するようになされている。
サーマルへッ ドにおいても、 このようにエレク トロマイグレーション耐十生を 強化してなる配線材料を使用することにより、 さらに一段と信頼性を向上でき ると考えられる。 すなわちこの場合、 例えば第 1図に示すように、 駆動用トラ ンジスタ等を作成してなる半導体基板 1上に、 絶縁層等を作成した後、 発熱素 子 2、 A l— S i又は A l— C u等の配線材料による配線層 3を順次作成し、 この配線層をゥエツトエッチングによりパターニングすることにより、 エレク トロマイグレーシヨン耐性を強化することができると考えられる。
しかしながら配線材料の添加物である S i 、 C u等は、 エッチングの薬剤に 溶解しない欠点があり、 この場合、 薬剤により配線層を取り除いた部位に、 S i、 C u等の残渣 4が残ることになる。 これによりサーマルヘッドに適用した 場合、 配線層を取り除いた部位が、 半導体製造工程にて極めて有害な発塵源と なる。
この問題を解決する 1つの方法として、 ウエッ トエッチングに代えて、 ハロ ゲン系ガスのプラズマを利用して A 1 _ S i配線、 A 1— C u配線をパター二 ングする方法 （すなわちドライエッチング法である） が考えられる。 しかしな がらこのようなハロゲン系ガスによるドライエッチングにおいては、 発熱素子 材料である T a、 T a 2 N、 T a A 1もエッチングしてしまう欠点があり、 こ れにより発熱素子の信頼性が著しく劣化する。
これらによりサーマルへッドにおいて 、 エレク トロマイグレーション耐性 を強化した配線材料を使用して、 十分な信頼性を確保することが困難な問題が めった。 発明の開示
本発明は以上の点を考慮してなされたもので、 エレク トロマイグレーション 耐性を強化した配線材料により配線パターンを形成する場合でも、 十分な信頼 性を確保することができる液体噴射へッド、 液体噴射装置及び液体噴射へッ ド の製造方法を提案しようとするものである。
かかる課題を解決するため本発明においては、 液体噴射ヘッドに適用して、 発熱素子の液室側面に、 配線パターン形成時のドライエッチングより発熱素子 を保護する保護層を形成する。
すなわち液体噴射へッドに適用して、 所定のノズルより飛び出させる液滴が インク液滴、 各種染料の液滴、 保護層形成用の液滴等であるプリンタヘッド、 この液滴が試薬等であるマイクロディスペンサー、 各種測定装置、 各種試験装 置、 この液体がエッチングより部材を保護する薬剤であるパターン描画装置等 に適用することができる。 ここで発熱素子の液室側面に、 配線パターン形成時 のドライエッチングより発熱素子を保護する保護層を形成することにより、 こ の保護層によって配線パターン形成時のドライエッチングにより発熱素子が影 響を受けないようにすることができる。 これによりエレク トロマイグレーショ ン耐性を強化した配線材料により配線パターンを形成する場合でも、 発熱素子 の信頼性の低下を有効に回避することができ、 その分、 十分な信頼性を確保す ることができる。
また本発明においては、液体噴射装置に適用して、液体噴射へッドにおいて、 発熱素子の液室側面に、 配線パターン形成時のドライエッチングより発熱素子 を保護する保護層を形成する。
すなわちこの構成によれば、 エレク トロマイグレーション耐性を強化した配 線材料により液体噴射へッドの配線パターンを形成する場合でも、 十分な信頼 性を確保してなる液体噴射装置を提供することができる。
また本発明においては、 液体噴射ヘッドの製造方法に適用して、 発熱素子の 液室側面に、 配線パターン形成時のドライエッチングより発熱素子を保護する 保護層を形成する保護層形成のステップを有するようにする。
すなわちこの構成によれば、 エレク トロマイグレーション耐性を強化した配 線材料により配線パターンを形成する場合でも、 十分な信頼性を確保してなる 液体噴射へッドを生成することができる液体噴射へッドの製造方法を提供する ことができる。 図面の簡単な説明
第 1図は、 配線パターンのウエットェチングによる残渣の説明に供する断面 図である。
第 2図 （A) 及び （B ) は、 本発明の実施例に係るプリンタヘッ ドの製造ェ 程の説明に供する断面図である。
第 3図 （C ) 及び （D ) は、 第 2図の続きの説明に供する断面図である。 第 4図 （E ) 及び （F ) は、 第 3図の続きの説明に供する断面図である。 第 5図 （G ) 及び （H) は、 第 4図の続きの説明に供する断面図である。 第 6図は、 発熱素子の抵抗値の変化を示す特性曲線図である。
第 7図は、 第 6図の場合とは異なる条件による発熱素子の抵抗値の変化を示 す特性曲線図である。 発明を実施するための最良の形態
以下、 適宜図面を参照しながら本発明の実施例を詳述する。 尚、 本発明は、 液体噴射装置、 これに用いられる液体噴射へッド及び液体噴射へッドの製造方 法に適用されるが、 以下の説明では、 液体噴射装置から吐出される液体の例と してインクを用いて説明する。 よって、 液体噴射装置から吐出される液体は、 インクに限定されるものではなく、 インクの定着液、 又はインクの希釈液、 各 種染料の液滴、 保護層形成用の液滴等である場合、 マイクロディスペンサー、 各種測定装置、 各種試験装置等の様に、 この液滴が試薬等である場合、 パター ン描画装置等の様に、 この液体がエッチングより部材を保護する薬剤である場 合等であっても無論構わない。
( 1 ) 実施例の構成
第 2 (A) 図〜第 5 (H) 図は、 本発明の実施例に係るプリンタヘッ ドの製 造工程の説明に供する断面図である。 この製造工程は、 第 2 (A) 図に示すよ うに、 P型シリコン基板 1 1を洗浄した後、 シリ コン窒化膜を堆積する。 この 製造工程は、 続いてリソグラフィー工程、 リアクティブイオンエッチング工程 によりシリコン基板 1 1を処理し、 これにより トランジスタを形成する所定領 域以外の領域よりシリコン窒化膜を取り除く。 これらによりこの製造工程は、 シリコン基板 1 1上のトランジスタを形成する領域にシリコン窒化膜を形成す る。
この製造工程は、 続いて熱酸化工程により、 シリコン窒化膜が除去されてい る領域に熱シリコン酸化膜を形成し、 この熱シリ コン酸化膜により トランジス タを分離するための素子分離領域 （L O C O S ： Local oxidation of silicon) 1 2を形成する。 この製造工程は、 続いてシリ コン基板 1 1を洗浄した後、 トラ ンジスタ形成領域にタングステンシリサイ ドノポリシリコンノ熱酸化膜構造の ゲートを形成する。 さらにソース ' ドレイン領域を形成するためのイオン注入 工程、 熱処理工程によりシリコン基板 1 1を処理し、 M〇S型によるスィッチ ングトランジスタ 14、 1 5等を形成する。 なおここでスイッチングトランジ スタ 14は、 30 〔V〕 軽度の耐圧を.有する MO S型ドライバートランジスタ であり、 発熱素子の駆動に供するものである。 これに対してトランジスタ 1 5 は、 このドライバ一トランジスタを制御する集積回路を構成するトランジスタ であり、 5 〔V〕 の電圧により動作するものである。 この工程は、 続いて CV D (Chemical Vapor Deposition ) 法により B P S G (BoroPhosepho Silicate Glass ) 膜 1 6を堆積し、 層間絶縁膜を作成する。
続いてこの工程は、 フォトリソグラフィー工程、 C F x系ガスを用いたリア クティブイオンエッチング法により、 シリコン半導体拡散層 （ソース ' ドレイ ン） 上に接続孔 （コンタク トホール） を作成する。 さらにシリコン基板 1 1を 希フッ酸により洗浄し、 スパッタリング法にて順次、 膜厚 20 [nm] のチタ ン膜、 膜厚 50 [nm] の窒化チタンバリアメタルを椎積する。 さらにこのェ 程は、 シリ コンを 1 〔a t%〕 添加してなるアルミニュームを 600 [nm] 堆積する。 さらに続いてフォトリソグラフィー工程、 ドライエッチング工程を 経、 これにより 1層目の配線パターン 1 8を作成する。 これによりこの工程は、 エレク トロマイグレーション耐性を強化してなる配線材料による配線パターン 1 8により、 駆動回路を構成する MOS型トランジスタ 1 5を接続してロジッ ク集積回路を形成するようになされている。
続いてこの工程は、 CVD法により層間絶縁膜であるシリ コン酸化膜 （いわ ゆる T EOSである） 1 9を堆積し、 C M P (Chemical Mechanical Polishing ) 工程により、 またはレジス トエッチバック法により、 このシリ コン酸化膜 1 9 を平滑化する。
この工程は、 続いて第 2 (B) 図に示すように、 層間絶縁膜を形成した後、 スパッタリング法により所定膜厚で T a、 T a2 N、 T a A l等による発熱抵 抗素子材料を堆積し、 フォ トリソグラフィー工程、 ドライエッチング工程によ り余剰な発熱抵抗素子材料を除去することにより、 発熱素子 20を作成する。 続いてこの工程は、 第 3 ( C ) 図に示すように、 C V D法により所定膜厚で S i N又は S i Cを堆積し、 これにより配線材料のドライエッチングから発熱 素子 2 0を保護する保護層 2 2を作成する。 ここでこの保護層 2 2は、 十分な 膜厚 （1 0 0 〔n m〕 以上） により作成される。
この工程は、 続いて第 3 ( D ) 図に示すように、 リソグラフィー工程の後、 C F X系ガスを主体としたプラズマによるドライエッチング工程によりこの保 護層 2 2を処理し、 配線パターンにより接続する部位を除いて、 保護層 2 2が 発熱素子 2 0上に局所的に配置されなるようにする。
続いてこの工程は、 第 4 ( E ) 図に示すように、 フォトリ ソグラフィー工程、 C F X系ガスを用いたリアクティブイオンエッチング法により接続孔 （コンタ ク トホール） を作成する。 さらにシリコン基板 1 1を希フッ酸により洗浄し、 スパッタリング法にて順次、 膜厚 2 0 〔n m〕 のチタン膜、 膜厚 5 0 〔n m〕 の窒化チタンバリアメタルを堆積する。 さらにこの工程は、 シリコンを 1 〔a t %〕 添加してなるアルミニュームをスパッタリング法により所定膜厚だけ堆 積する。 これによりこの工程は、 1層目の配線パターンとコンタク トホールに より接続して、 また発熱素子 2 0が露出してなる部位で発熱素子 2 0と接続し て、 配線材料膜 2 4を作成するようになされている。
このようにして配線材料膜 2 4を作成すると、 この工程は、 第 4 ( F ) 図に 示すように、 フォ トレジスト工程の後、 塩素系ガス主体のプラズマを利用した 異方性ドライエッチングにより、 2層目の配線パターン 2 5を作成する。 この 工程はこの 2層目の配線パターン 2 5により、 電源用の配線パターン、 アース 用の配線パターンを作成し、 またドライブトランジスタ 1 4を発熱素子 2 0に 接続する。
この処理において、 この工程は、 配線材料膜 2 4を十分にオーバーエツチン グするように、エッチングの時間が設定され、 このオーバーエッチングにより、 段差の部分に、 配線材料が取り残されないようにし、 このような配線材料が取 り残されてなることによる配線パターン間のショートを十分に防止するように なされている。
続いてこの工程は、 第 5 ( G ) 図に示すように、 インク保護層として機能す るシリコン窒化膜 2 7を膜厚 3 0 0 〔n m〕 により堆積する。 続いて第 5 (H) 図に示すように、 スパッタ法により膜厚 2 0 0 〔n m〕 のタンタル膜を堆積し、 このタンタル膜により耐キヤビテーション層 2 8を形成する。 続いてこの工程 は、 ドライフィルム 2 9、 ノズルシート 3◦が順次積層される。 ここでドライ フィルム 2 9は、 例えば炭素系樹脂により構成され、 インク液室、 インク流路 の隔壁を所定の高さにより構成するように、 所定形状、 所定膜厚により硬化し て作成される。 これに対してノズルシート 3 0は、 発熱素子 2 0の上に微小な インク吐出口であるノズル 3 3を形成するように、 所定形状に加工されたシー ト材であり、 ドライフィルム 2 9上に接着により保持される。 これによりこの 工程は、 これら ドライフィルム 2 9、 ノズルシート 3 0によりインク液室 3 1、 このィンク液室 3 1にィンクを導く流路、 ノズル 3 3が形成されるようになさ れている。
( 2 ) 実施例の動作
以上の構成において、 この実施例に係るプリンタヘッ ドの製造工程では、 半 導体基板 1 1を処理してトランジスタ 1 4、 1 5を配置してなる半導体基板 1 1が作成され （第 2 (A) 図）、 この半導体基板 1 1に層間絶縁膜 1 9、 配線パ ターン 1 8、 2 5、 ドライフィルム 2 9、 ノズルシート 3 0等を順次積層して プリンタヘッドを製造する （第 2 ( B ) 図〜第 5 (H) 図）。
この製造工程では、 このようにして順次積層材料を積層する際に、 第 1層目 の配線パターン 1 8が、 エレク ト口マイグレーション耐性を強化してなる A 1 一 S iにより作成された後、 絶縁層 1 9を間に挟んで発熱素子 2 0が形成され る。 さらにこの発熱素子 2 0の上層に、 ドライエッチングに対する保護層であ るシリコン窒化膜 2 2が十分な膜厚により作成され、 エレク ト口マイグレーシ ョン耐性を強化してなる A 1 - S iによる配線材料膜 2 4が形成された後、 こ の配線材料膜 2 4がドライエッチングにより除去されて 2層目の配線パターン 2 5が作成される。
これによりこの工程により作成されるプリンタへッドにおいては、 2層目の 配線パターンをドライエッチングにより作成する際に、 発熱素子 2 0の部位が ドライエッチングに係る塩素系プラズマに暴露されることになる。 しかしなが らこの実施例においては、 この暴露される部位に、 ドライエッチングに対する 保護層である窒化シリ コン （又は炭化シリ コン） による保護層 2 2が十分な膜 厚により作成されていることにより、 塩素系プラズマによる発熱素子 2 0への 直接の影響を防止することができる。 これによりこの実施例に係るプリンタへ ッドにおいては、 エレク ト口マイグレーション耐性を強化してなる配線材料に よる配線パタ一ンを形成するようにしても、 発熱素子における信頼性の低下を 有効に回避することができ、 その分十分な信頼性を確保することができる。 さらにこの実施例においては、 この第 2層目の配線パターンを作成するドラ ィエッチングの処理において、 十分にオーバエッチングし、 これにより段差部 等に配線残量が取り残されないようになされる。 これによりこのプリンタへッ ドにおいては、 このような配線材料の取り残しによる配線パターン間のショー トを有効に回避することができ、 これによつても信頼性を向上することができ る。
かくするにっきこのようにして保護層 2 2を配置すると、 保護層 2 2の厚み '分、 プリンタヘッドにおいては、 インク液室 3 1から遠ざかった位置に発熱素 子 2 0が配置されることになる。 しかしながら保護層 2 2を構成する S i N、 S i Cにおいては、 シリコン酸化膜 （S i 02 ) に比して熱伝導性が良く、 こ れによりこのように保護層 2 2を配置した場合であっても、 十分に効率良くィ ンク液室のィンクを加熱してインク液滴を飛び出させることができる。
かくするにっき第 6図及び第 7図は、 このようにして作成した保護層 2 2の 信頼性を確認するために実施した試験結果である。 これらは 1辺 1 8 i m) による正方形形状に発熱素子を形成し、 各電力によるパルスを繰り返し印加し た結果である。 なお試験には、 インクバリア層としての S i N層を 3 0 0 i n m] 堆積し、 さらにタンタル耐キヤビテーシヨン層を 2 0 0 C n m) 堆積させ てヘッドチップを形成した。 第 6図は、 ドライエッチングにより最も膜厚が薄 くなった部位で、 保護層 2 2が 3 0 C n m] の膜厚により取り残されるように、 保護層 2 2を作成した場合であり、 0 . 8 [W] のパルスを繰り返し印加した 場合、 発熱素子の抵抗値が著しく上昇し、 1 0 7 回程度の印加により試料の 1 つが断線した。 これに対して第 7図の結果は、 ドライエッチングにより最も膜 厚が薄くなつた部位で、 保護層 2 2が 1 0 0 〔n m〕 の膜厚により取り残され るように、 保護層 2 2を作成した場合であり、 0 . 8 〔W〕 のパルスを繰り返 し印加した場合、 さらには 0 . 9 [W] のパルスを繰り返し印加した場合の双 方において、 抵抗率の変化を初期値の 5 〔％〕 程度に抑えることができた。
( 3 ) 実施例の効果
以上の構成によれば、 発熱素子のインク液室側面に、 配線パターン形成時の ドライエッチングより発熱素子を保護する保護層を形成することにより、 エレ ク トロマイグレーション耐性を強化した配線材料により配線パターンを作成す る場合でも、 十分な信頼性を確保することができる。
また保護層を窒化シリ コン又は炭化シリコンにより形成することにより、 こ のような保護層を介在させてィンク液室のィンクを加熱する場合でも、 効率良 くインクを加熱することができる。
( 4 ) 他の実施例
なお上述の実施例においては、 窒化シリコン又は炭化シリコンにより保護層 を作成する場合について述べたが、 本発明はこれに限らず、 実用上十分に効率 よくインク液室のインクを加熱することができる場合、 例えば酸化シリコン等 により保護層を作成するようにしてもよレ、。
また上述の実施例においては、 エレク トロマイグレーション耐性を強化した 配線材料により配線パターンを作成する場合について述べたが、 本発明はこれ に限らず、 種々の配線材料を用いてドライエッチングにより配線パターンを作 成する場合に広く適用することができる。
また上述の実施の形態においては、 本発明をプリンタへッ ド及びプリンタに 適用してィンク液滴を飛び出させる場合について述べたが、 本発明はこれに限 らず、 インク液滴に代えて各種染料の液滴、 保護層形成用の液滴等であるプリ ンタヘッ ド、 さらには液滴が試薬等であるマイクロディスペンサー、 各種測定 装置、 各種試験装置、 液滴がエッチングより部材を保護する薬剤である各種の パターン描画装置等に広く適用することができる。 上述のように本発明によれば、 発熱素子の、 インク等の液体の液室側面に、 配線パターン形成時のドライエッチングより発熱素子を保護する保護層を形成 することにより、 エレク トロマイグレーション耐性を強化した配線材料により 配線パターンを作成する場合でも、 十分な信頼性を確保することができる。 産業上の利用可能性
本発明は、 液体噴射ヘッド、 液体噴射装置及び液体噴射ヘッ ドの製造方法に 関し、 特にサーマルへッドによる液体噴射装置に適用することができる。

Claims

請求の範囲
1 . 配線パターンを介して半導体基板上に形成された発熱素子を駆動し、 前記 発熱素子の発熱により液室の液体を加熱して所定のノズルより液滴を飛び出さ せる液体噴射へッドにおいて、
前記発熱素子の前記液室側面に、 前記配線パターン形成時のドライエツチン グより前記発熱素子を保護する保護層が形成された
ことを特徵とする液体噴射へッド。
2 . 前記保護層が、
窒化シリコン又は炭化シリ コンにより形成された
ことを特徴とする請求の範囲第 1項に記載の液体噴射へッド。
3 . 前記保護層が、
前記発熱素子の前記液室側面に、 前記配線パターンと接続する部位を除いて 局所的に形成された
ことを特徴とする請求の範囲第 1項に記載の液体噴射へッド。
4 . 液体噴射へッドより飛び出す液滴を印刷対象に付着させて印刷物を形成す る液体噴射装置において、
前記液体噴射ヘッドは、
配線パターンを介して半導体基板上に形成された発熱素子を駆動し、 前記発 熱素子の発熱により液室の液体を加熱して所定のノズルより液滴を飛び出させ、 前記発熱素子の前記液室側面に、 前記配線パターン形成時のドライエツチン グより前記発熱素子を保護する保護層が形成された
ことを特徴とする液体噴射装置。
5 . 配線パターンを介して半導体基板上に形成された発熱素子を駆動し、 前記 発熱素子の発熱により液室の液体を加熱して所定のノズルより液滴を飛び出さ せる液体噴射へッドの製造方法において、
前記半導体基板に、 前記発熱素子を形成する発熱素子作成のステップと、 前記発熱素子の前記液室側面に、 前記配線パターン形成時のドライエツチン グより前記発熱素子を保護する保護層を形成する保護層形成のステップと、 前記保護層の前記液室側に、 前記配線パターンの配線材料による配線材料膜 を形成する配線膜形成のステップと、
前記配線材料膜をドライエッチングによりパターエングして前記配線パタ一 ンを作成するエッチングのステップとを有する
ことを特徴とする液体噴射へッドの製造方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005068166A1 (ja) * 2004-01-13 2005-07-28 Bridgestone Corporation タイヤの製造方法

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7150516B2 (en) * 2004-09-28 2006-12-19 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Integrated circuit and method for manufacturing
JP6095315B2 (ja) * 2012-10-02 2017-03-15 キヤノン株式会社 液体吐出ヘッドの製造方法
JP6335436B2 (ja) * 2013-04-26 2018-05-30 キヤノン株式会社 液体吐出ヘッドの製造方法
WO2017011011A1 (en) * 2015-07-15 2017-01-19 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Adhesion and insulating layer

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0729834A2 (en) * 1995-03-03 1996-09-04 Canon Kabushiki Kaisha An ink-jet head, a substrate for an ink-jet head, and an ink-jet apparatus
JP2000108355A (ja) * 1998-10-06 2000-04-18 Fuji Xerox Co Ltd 液体噴射記録装置およびその製造方法
EP1078758A2 (en) 1999-08-24 2001-02-28 Canon Kabushiki Kaisha Substrate unit for liquid discharging head, method for producting the same, liquid discharging head, cartridge, and image forming apparatus

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA1127227A (en) * 1977-10-03 1982-07-06 Ichiro Endo Liquid jet recording process and apparatus therefor
US4951063A (en) * 1989-05-22 1990-08-21 Xerox Corporation Heating elements for thermal ink jet devices
US5010355A (en) * 1989-12-26 1991-04-23 Xerox Corporation Ink jet printhead having ionic passivation of electrical circuitry
EP0441635B1 (en) * 1990-02-09 1995-05-24 Canon Kabushiki Kaisha Ink jet recording system
US5122812A (en) * 1991-01-03 1992-06-16 Hewlett-Packard Company Thermal inkjet printhead having driver circuitry thereon and method for making the same
US5420063A (en) * 1994-04-11 1995-05-30 National Semiconductor Corporation Method of producing a resistor in an integrated circuit
JP3069247B2 (ja) * 1994-07-29 2000-07-24 アルプス電気株式会社 サーマルヘッド
JP3454490B2 (ja) 1995-03-03 2003-10-06 キヤノン株式会社 インクジェットヘッド、インクジェットヘッド用基板及びインクジェット装置
DE19515393B4 (de) * 1995-04-26 2004-01-15 Man Roland Druckmaschinen Ag Bedruckstofführende Oberflächenstruktur, vorzugsweise für Druckmaschinenzylinder oder deren Aufzüge
CN1108930C (zh) * 1997-11-26 2003-05-21 罗姆股份有限公司 热敏式打印头及其制造方法
US6299294B1 (en) * 1999-07-29 2001-10-09 Hewlett-Packard Company High efficiency printhead containing a novel oxynitride-based resistor system
US6336713B1 (en) * 1999-07-29 2002-01-08 Hewlett-Packard Company High efficiency printhead containing a novel nitride-based resistor system
US6710525B1 (en) * 1999-10-19 2004-03-23 Candescent Technologies Corporation Electrode structure and method for forming electrode structure for a flat panel display
KR100374204B1 (ko) * 2000-05-03 2003-03-04 한국과학기술원 2차원 노즐배치를 갖는 잉크젯 프린트헤드 및 그 제조방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0729834A2 (en) * 1995-03-03 1996-09-04 Canon Kabushiki Kaisha An ink-jet head, a substrate for an ink-jet head, and an ink-jet apparatus
JP2000108355A (ja) * 1998-10-06 2000-04-18 Fuji Xerox Co Ltd 液体噴射記録装置およびその製造方法
EP1078758A2 (en) 1999-08-24 2001-02-28 Canon Kabushiki Kaisha Substrate unit for liquid discharging head, method for producting the same, liquid discharging head, cartridge, and image forming apparatus

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP1378362A4

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005068166A1 (ja) * 2004-01-13 2005-07-28 Bridgestone Corporation タイヤの製造方法

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