JP2001130007A - プリンタ及びプリンタヘッドの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、プリンタ及びプリンタヘッドの製
造方法に関し、特にサーマルヘッドによるインクジェッ
トプリンタと、このサーマルヘッドの製造工程に適用し
て、生産性の低下を有効に回避して、十分にキャビテー
ション腐食を防止することができるようにする。 【解決手段】 本発明は、発熱素子２５を構成する抵抗
膜より耐キャビテーション層３１、絶縁層を順次配置
し、また発熱素子２５と駆動素子２４とを接続する配線
パターンのコンタクト３０と同時に、耐キャビテーショ
ン層３１を発熱素子の上に作成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、プリンタ及びプリ
ンタヘッドの製造方法に関し、特にサーマルヘッドによ
るインクジェットプリンタと、このサーマルヘッドの製
造工程に適用することができる。本発明は、発熱素子を
構成する抵抗膜より耐キャビテーション層、絶縁層を順
次配置することにより、また発熱素子と駆動素子とを接
続する配線パターンのコンタクトと同時に、耐キャビテ
ーション層を発熱素子の上に作成することにより、生産
性の低下を有効に回避して、十分にキャビテーション腐
食を防止することができるようにする。

【０００２】

【従来の技術】近年、画像処理等の分野においては、ハ
ードコピーのカラー化に対するニーズが高まっている。
このようなニーズに対して、従来、昇華型熱転写方式、
溶融熱転写方式、インクジェット方式、電子写真方式、
熱現像銀塩方式等のカラーハードコピー方式が提案され
ている。

【０００３】これらの方式のうちインクジェット方式
は、記録ヘッドに設けられたノズルから記録液（イン
ク）の小滴を飛翔させ、記録対象に付着してドットを形
成するのもであり、簡単な構成により高画質の画像を出
力することができる。このインクジェット方式は、イン
クを飛翔させる方式の相違により、静電引力方式、連続
振動発生方式（ピエゾ方式）、サーマル方式（バブルジ
ェット方式）等に分類される。

【０００４】これらの方式のうちサーマル方式は、イン
クの局所的な加熱により気泡を発生し、この気泡により
インクを吐出口から押し出して印刷対象に飛翔させる方
式であり、簡易な構成によりカラー画像を印刷すること
ができる。

【０００５】このサーマル方式によるプリンタは、いわ
ゆるサーマルヘッドを用いて構成され、このサーマルヘ
ッドには、インクを加熱する発熱素子と、発熱素子を駆
動する駆動回路とが搭載されるようになされている。

【０００６】図５は、このサーマルヘッドを部分的に示
す断面図である。サーマルヘッド１は、Ｐ型シリコン基
板２にトランジスターを分離する素子分離領域（ＬＯＣ
ＯＳ：Local oxidation of silicon）３が形成され、こ
の素子分離領域３間に残されたトランジスターの形成領
域にゲート酸化膜等が作成されてＭＯＳ（Metal Oxide
Semiconductor ）型のスイッチイングトランジスタ４が
形成される。

【０００７】さらにサーマルヘッド１は、素子分離領域
３の所定箇所に、スパッタリング法によりＨｆＢ₂ 、Ｔ
ａＡｌ等が堆積され、又はＣＶＤ法によりポリシリコン
等の発熱素子材料が堆積され、これにより局所的に抵抗
膜が形成されて、この抵抗膜によりインクを加熱する発
熱素子５が作成される。

【０００８】サーマルヘッド１は、これらスイッチイン
グトランジスタ４、発熱素子５にＳｉＯ₂ 、ＳｉＮ等の
絶縁物が堆積された後、エッチング処理によりコンタク
トホールが作成され、このコンタクトホールにタングス
テン（Ｗ）によるコンタクト７が作成される。なおこの
コンタクト７においては、オーミックコンタクトを形成
するためのチタン、窒化チタンバリアメタルが事前に堆
積される。サーマルヘッド１は、これら所望のコンタク
ト７間を接続するように、Ａｌ等による配線パターン８
が作成され、これにより発熱素子５とこの発熱素子５を
駆動するスイッチイングトランジスタ４が接続される。

【０００９】サーマルヘッド１は、続いてＳｉＯ₂ 、Ｓ
ｉＮ等の絶縁物が堆積されて絶縁層９が作成され、続い
て発熱素子５の上に、局所的にＴａ膜が設けられ、この
Ｔａ膜により耐キャビテーション層１０が作成される。
サーマルヘッド１は、続いて例えば炭素系樹脂によるド
ライフィルム１１、オリフィスプレート１２が順次積層
され、これらドライフィルム１１、オリフィスプレート
１２により発熱素子５の上に、オリフィスプレート１２
側に微小な吐出口であるオリフィス１３を有してなるイ
ンク液室１４、このインク液室１４にインクを導く流路
等が作成される。

【００１０】サーマルヘッド１は、このインク液室１４
にインクが導かれ、スイッチイングトランジスタ４のス
イッチイング動作により発熱素子５が発熱し、インクを
局所的に加熱する。サーマルヘッド１は、この加熱によ
り、このインク液室１４の発熱素子５側面に核気泡が発
生し、核気泡が合体して膜気泡となって成長する。サー
マルヘッド１は、この気泡による圧力の増大により、オ
リフィス１３よりインクを押し出して印刷対象に飛翔さ
せる。これによりサーマルヘッド１によるプリンタにお
いては、発熱素子５の間欠的な加熱により、順次インク
を印刷対象に付着して所望の画像を作成するようになさ
れている。

【００１１】ところでサーマルヘッド１においては、発
熱素子５による加熱を停止すると、このようにして発生
した気泡が潰れ、このとき高い圧力が発生する。この高
い圧力は、発熱素子５に大きな衝撃力を与え、これが繰
り返されると発熱素子５は、激しい損傷を受け、最終的
には断線する（すなわちキャビテーション腐食であ
る）。このためサーマルヘッド１は、耐キャビテーショ
ン層１０により発熱素子５へのこのような衝撃力の伝搬
を防止し、発熱素子５のキャビテーション腐食を防止す
るようになされている。なお、耐キャビテーション層と
しては質量が重く、内部圧縮応力が残留しており、かつ
材料疲労寿命が長い金属材料が有用であり、例えばＷ、
Ｍｏ膜が使用される場合もある。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】ところで耐キャビテー
ション層１０は、スパッタリング法により成膜され、こ
のスパッタリング法においては、ターゲットから飛来す
る粒子を基板に堆積して所望の膜が形成される。これに
よりスパッタリング法による成膜においては、基板の奥
まった箇所でターゲットから飛来する粒子が少なく、そ
の分他の部分に比して基板の奥まった箇所で膜厚が薄く
なる。特に、このような奥まった箇所で、かつコーナー
の部分にあっては、コーナーの壁面より成長する膜と、
奥まった底面より成長する膜とがぶつかり合い、これら
２つの膜による縫い目（シーム）が形成される。

【００１３】これらにより従来のサーマルヘッド１にお
ける耐キャビテーション層１０においては、奥まったコ
ーナー近傍で他の部分に比して膜厚が薄くなり、さらに
コーナーの部分ではシームが形成されることになる。こ
のように膜厚が薄くなり、さらにシームが形成されてな
る場合、耐キャビテーション層１０は、他の部分に比し
てこのコーナーの部分で十分にキャビテーション腐食を
防止することが困難になり、結局、サーマルヘッド１に
おいては、このシームの部分を起点として発熱素子５が
断線破壊する問題がある。

【００１４】この場合、耐キャビテーション層１０の膜
厚の増大によりキャビテーション腐食を防止することが
可能となるが、これでは膜厚を増大した分、成膜に時間
を要すことになり、その分サーマルヘッドの生産性が劣
化することになる。

【００１５】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、生産性の低下を有効に回避して、十分にキャビテー
ション腐食を防止することができるサーマルヘッドによ
るプリンタと、プリンタヘッドの製造方法を提案しよう
とするものである。

【００１６】

【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め請求項１の発明においては、プリンタに適用して、こ
のプリンタのサーマルヘッドにおいて、発熱素子を構成
する抵抗膜よりインクが保持される側に向かって、気泡
による発熱素子への損傷を低減する耐キャビテーション
層と、絶縁層とが順次形成されてなるようにする。

【００１７】また請求項４の発明においては、サーマル
ヘッドの製造方法に適用して、発熱素子と駆動素子とを
接続する配線パターンのコンタクトを作成する際に、気
泡による発熱素子への損傷を低減する耐キャビテーショ
ン層を発熱素子の上に作成する。

【００１８】請求項１の構成によれば、発熱素子を構成
する抵抗膜よりインクが保持される側に向かって、耐キ
ャビテーション層と、絶縁層とが順次形成されてなるこ
とにより、この耐キャビテーション層にあっては、配線
用のコンタクトを発熱素子に作成する際に、同時に作成
することができる。従って、その分、改めて発熱素子を
作成する場合に比して工程数を低減でき、これにより生
産性の低下を有効に回避することができる。また、この
耐キャビテーション層にあっては、絶縁層の下層、発熱
素子の上に作成されていることにより、必要に応じて第
２の耐キャビテーション層を絶縁層の上に作成する等に
より、従来に比して格段的にキャビテーション腐食を防
止することができ、この場合には従来のように改めて耐
キャビテーション層を作成する場合と同一の工程数で生
産することができる。また発熱素子の上に形成したこの
耐キャビテーション層だけで実用上十分にキャビテーシ
ョン腐食を防止することができる場合もあり、この場合
には、生産性の向上を優先することもできる。

【００１９】また請求項４の構成によれば、発熱素子と
駆動素子とを接続する配線パターンのコンタクトを作成
する際に、耐キャビテーション層を発熱素子の上に作成
することにより、改めて発熱素子を作成する場合に比し
て工程数を低減でき、これにより生産性の低下を有効に
回避することができる。また、この耐キャビテーション
層にあっては、発熱素子の上に作成されていることによ
り、必要に応じて例えば絶縁層を介して耐キャビテーシ
ョン層を２層構造とする等により、従来に比して格段的
にキャビテーション腐食を防止することができ、この場
合には従来のように改めて耐キャビテーション層を作成
する場合と同一の工程数で生産することができる。また
発熱素子の上に形成したこの耐キャビテーション層だけ
で実用上十分にキャビテーション腐食を防止することが
できる場合もあり、この場合には生産性の向上を優先す
ることもできる。

【００２０】

【発明の実施の形態】以下、適宜図面を参照しながら本
発明の実施の形態を詳述する。

【００２１】（１）第１の実施の形態 （１−１−１）第１の実施の形態の構成 図１及び図２は、サーマルヘッドの作成過程を示す断面
図である。この第１の実施の形態に係るプリンタにおい
ては、このサーマルヘッド２１を用いて構成される。

【００２２】このサーマルヘッド２１は、始めに洗浄し
たＰ型シリコン基板２２にトランジスターを分離する素
子分離領域２３が形成される。ここでこの素子分離領域
２３は、Ｐ型シリコン基板２２上にシリコン窒化膜を椎
積した後、リソグラフィー工程、リアクティブイオンエ
ッチング工程によりシリコン窒化膜を部分的に取り除い
てパターニングし、このパターンニングによるパターン
を用いて熱酸化処理することにより作成される。

【００２３】続いてサーマルヘッド２１は、素子分離領
域２３間に残されたトランジスターの形成領域にゲート
酸化膜等が作成されてＭＯＳ型のスイッチイングトラン
ジスタ２４が形成される。このスイッチイングトランジ
スタ２４の作成工程では、ＣＶＤ法によりシリコン酸化
膜を所望の厚さまで堆積した後、エッチング法にてシリ
コン酸化膜を部分的に除去してパターニングする。さら
に洗浄工程の後、このパターンニングによるパターンを
用いてゲート酸化膜を形成し、ソースドレイン領域を形
成するためのイオン注入工程、熱処理工程を経てスイッ
チイングトランジスタ２４が形成される。なおサーマル
ヘッド２１は、このスイッチイングトランジスタ２４に
加えて、スイッチイングトランジスタ２４を駆動する集
積回路も併せてこの工程でシリコン基板２２上に作成さ
れる。

【００２４】続いてサーマルヘッド２１は、発熱素子２
５が作成される。こので発熱素子２５の作成工程では、
基板２２を希フッ酸により洗浄した後、ＣＶＤ法により
ポリシリコンを膜厚１５０〔ｎｍ〕により堆積する。続
いてイオン注入法により、Ｐ又はＡｓをポリシリコン中
に導入した後、８００〜１０００度により熱処理してポ
リシリコン中のＰ又はＡｓを活性化させ、ポリシリコン
層のシート抵抗値を０．２〜５ｋΩ／□に設定する。続
いてこの製造工程では、Ｃ１₂ 系ガスを用いたリアクテ
ィブイオンエッチング法により、余剰のポリシリコンを
除去し、これによりポリシリコンによる発熱素子２５を
作成する。

【００２５】続いてサーマルヘッド２１は、コンタクト
及び耐キャビテーション層が同時に作成される。この製
造工程では、始めにＣＶＤ法によりシリコン酸化膜２６
を堆積し、研磨処理によりシリコン酸化膜を平坦化する
（図１（Ａ））。

【００２６】続いてこの製造工程では、フォトリソグラ
フィー工程、ＣＦｘ系ガスを用いたリアクティブイオン
エッチングにより、シリコン半導体拡散層（ソース、ド
レイン）上に接続孔（コンタクトホール）２７、発熱素
子２５上のシリコン酸化膜に耐キャビテーション層を形
成するための溝孔２８、さらにこのポリシリ発熱素子を
配線パターンに接続するためのコンタクトホール２９が
作成される（図１（Ｂ））。

【００２７】続いてこの製造工程では、希フッ酸により
基板２２を洗浄した後、スパッタリング法により、オー
ミックコンタクトを形成するためのチタンを膜厚２０
〔ｎｍ〕、窒化チタンバリアメタルを膜厚５０〔ｎｍ〕
により順次堆積する。続いてＷＦ６とＨ２ガスを主に用
いたＣＶＤ（化学気相成長）法によりコンタクトホール
２７、２９及び溝孔２８が完全に埋まるまで膜厚４００
〜８００〔ｎｍ〕によりタングステン膜を堆積する。続
いてＳＦ６系ガスによるエッチングによりシリコン酸化
膜上の余剰タングステン膜を除去し、さらに塩素系ガス
を用いたエッチングにより余剰の窒化チタン膜及びチタ
ン膜を除去し、コンタクトホール２７、２９及び溝孔２
８内のみにタングステン膜が残るようにする（図１
（Ｃ））。サーマルヘッド２１は、これによりコンタク
トホール２７、２９にコンタクト３０が作成され、また
発熱素子２５の真上に形成された溝孔２８に発熱素子２
５に接するように第２の耐キャビテーション層３１が作
成される。

【００２８】サーマルヘッド２１は、続いてこれらコン
タクト３０を接続する配線パターンが作成される。この
配線パターンの製造工程では、スパッタリング法によ
り、膜厚１０〔ｎｍ〕のＴｉ膜、膜厚５０〔ｎｍ〕のＴ
ｉＮ膜、膜厚４００〔ｎｍ〕のＡｌ−０．５％Ｃｕ膜を
順次堆積する。続いてこの工程では、フォトリソグラフ
ィーによりパターニングし、ＢＣ１３／Ｃ１２／Ａｒ系
ガスを用いたリアクティブイオンエッチングにより、Ａ
ｌ−０．５％Ｃｕ膜、ＴｉＮ膜、Ｔｉ膜を順次エッチン
グする。サーマルヘッド２１は、これらの処理により配
線パターン３２が作成され、スイッチイングトランジス
タ２４と発熱素子２５とが接続される（図２（Ｄ））。

【００２９】サーマルヘッド２１は、続いて絶縁層が作
成された後、第２の耐キャビテーション層が作成され
る。この工程は、シリコン窒化膜／シリコン酸化膜を堆
積し、これにより絶縁層である保護層３３を作成する。
さらに続いて、スパッタリングによりタングステン膜を
作成し、これによりインク液室１４の底の部分を覆うよ
うに第２の耐キャビテーション層３４が作成される（図
２（Ｅ））。

【００３０】サーマルヘッド２１は、続いて炭素系樹脂
によるドライフィルム３５、オリフィスプレート３６が
順次積層され、これらドライフィルム３５、オリフィス
プレート３６により発熱素子２５の上に、オリフィス３
７を有してなるインク液室３８、このインク液室３８の
インクを導く流路等が作成される。

【００３１】（１−２）第１の実施の形態の動作 以上の構成において、サーマルヘッド２１は、Ｐ型シリ
コン基板２２にスイッチイングトランジスタ２４が作成
された後、発熱素子２５が作成される（図１（Ａ））。
さらにスイッチイングトランジスタ２４と発熱素子２５
とを接続する配線パターン３２のコンタクト３０を作成
する際に、コンタクトホール２７、２９の作成と同時
に、発熱素子２５の真上のシリコン酸化膜に溝孔２８が
作成され（図１（Ｂ））、さらにこのコンタクトホール
２７、２９にコンタクト３０を作成する際に、併せて溝
孔２８に第１の耐キャビテーション層３１が作成される
（図１（Ｃ））。これによりこの第１の耐キャビテーシ
ョン層３１にあっては、従来におけるサーマルヘッド２
１の製造工程に対して、何ら工程を増大することなく作
成される。

【００３２】サーマルヘッド２１は、その後、保護層３
３が作成された後、第２の耐キャビテーション層３４が
作成され、インク液室３８、このインク液室３８のイン
クを導く流路等が作成される（図１（Ｄ）及び
（Ｅ））。これによりサーマルヘッド２１は、従来と同
一の工程数により作成される。

【００３３】このようにして作成されたサーマルヘッド
２１は、スイッチイングトランジスタ２４の動作により
発熱素子２５が発熱すると、インク液室３８に保持され
たインクが加熱されて気泡が発生し、この気泡によりオ
リフィス３７からインクが押し出され、このインクが印
刷対象に飛翔してドットが印刷される。

【００３４】サーマルヘッドでは、このようにして発生
した気泡が潰れる際に発生する高い圧力による衝撃力が
キャビテーション腐食を招くことになる。ところがこの
実施の形態に係るサーマルヘッド２１では、発熱素子２
５の上に第１の耐キャビテーション層３１が作成され、
さらに保護層３３を間に挟んで、第２の耐キャビテーシ
ョン層３４が作成されていることにより、結局、耐キャ
ビテーション層が２層構造により作成されていることに
なる。これにより第２の耐キャビテーション層３４がキ
ャビテーション腐食により破壊されたとしても、第１の
耐キャビテーション層３１によりキャビテーション腐食
を防止することができ、これにより従来に比してキャビ
テーション腐食を格段的に防止することができる。従っ
てその分、発熱素子２５の寿命を従来に比して格段的に
延長することができる。

【００３５】なおこのように第２の耐キャビテーション
層３４がキャビテーション腐食により破壊された場合、
結果的に、第１の耐キャビテーション層３１だけでキャ
ビテーション腐食を防止することになる。この点につい
て検討すると、第１の耐キャビテーション層３１におい
ては、コンタクト３０と同時に作成されることにより、
コンタクト３０の作成に適用されるＣＶＤ（化学気相成
長）法により作成されることになる。ここでＣＶＤ法の
場合、スパッタリングによる場合に比して、短い時間で
膜厚を確保することができる。これによりこのサーマル
ヘッド２１においては、従来のように改めて耐キャビテ
ーション層を作成する場合に比して、第１の耐キャビテ
ーション層３１の膜厚を厚くすることができ、これによ
り第１の耐キャビテーション層３１だけでも十分にキャ
ビテーション腐食を防止することができる。

【００３６】（１−３）第１の実施の形態の効果 以上の構成によれば、発熱素子と駆動素子であるスイッ
チイングトランジスタとを接続する配線パターンのコン
タクトと同時に、耐キャビテーション層を発熱素子の上
に作成することにより、生産性の低下を有効に回避し
て、十分にキャビテーション腐食を防止することができ
る。

【００３７】またこれにより抵抗膜よりインクが保持さ
れる側に向かって、耐キャビテーション層、絶縁層とを
順次形成することにより、生産性の低下を有効に回避し
て、十分にキャビテーション腐食を防止することができ
る。

【００３８】また絶縁層を間に挟んでさらに第２の耐キ
ャビテーション層が形成されて耐キャビテーション層が
２層構造となっていることにより、一段と確実にキャビ
テーション腐食を防止することができる。

【００３９】（２）第２の実施の形態 図３は、図２（Ｅ）との対比により本発明の第２の実施
の形態に係るプリンタに適用されるサーマルヘッドを示
す断面図である。この実施の形態ではタングステン
（Ｗ）に代えて、タンタルＴａによりコンタクト、第１
及び第２の耐キャビテーション層が作成される。

【００４０】すなわちこのサーマルヘッド４１は、第１
の実施の形態について上述したと同様にしてスイッチイ
ングトランジスタ２４、発熱素子２５、コンタクトホー
ル、溝孔が作成される。

【００４１】その後このサーマルヘッド４１は、希フッ
酸により洗浄された後、スパックリングによりオーミッ
ク性コンタクトを形成するためのチタン膜が膜厚２０
〔ｎｍ〕により作成され、続いて窒化チタン膜が膜厚５
０〔ｎｍ〕により作成される。続いてサーマルヘッド４
１は、イオン化スパッタ装置に配置され、このイオン化
スパッタ装置を用いたイオン化スパッタにより、コンタ
クトホール及び溝孔が完全に埋まるまでタンタル膜が堆
積される。

【００４２】なおここでイオン化スパッタ法は、成膜し
たい材料粒子をイオン化させて基板に堆積させるスパッ
タリング法である。イオン化スパッタ法は、通常のスパ
ッタリング法による構成に加えて、別途、放電用コイル
が配置され、この放電用コイルにより生成される高密度
アルゴンプラズマ中をターゲットから飛び出したスパッ
タ粒子が通過する際に、このアルゴンプラズマとスパッ
タ粒子との衝突によりスパッタ粒子を電離させ、スパッ
タ粒子のイオン種を多数生成する。イオン化スパッタ法
は、このイオン種を電界により基板に垂直入射させるこ
とにより、基板の垂直方向の膜付着率を大幅に向上させ
るものである。

【００４３】これにより図４（Ａ）に示すように、サー
マルヘッド４１は、基板の凹部であるコンタクトホール
及び溝孔が完全に埋まるようにタンタル膜が堆積され、
また他の部分についても同様にタンタル膜が堆積され
る。

【００４４】続いてサーマルヘッド４１は、所定のスラ
リーを用いた化学機械研磨（ＣＭＰ）法による研磨によ
り、シリコン酸化膜上に堆積した余剰のタンタルが除去
され、これによりコンタクトホール、及び溝孔内のみに
タンタル膜が取り残される（図４（Ｂ））。これにより
サーマルヘッド４１は、タンタルによるコンタクト４２
及び第１の耐キャビテーション層４５が作成される。

【００４５】サーマルヘッド４１は、続いて第１の実施
の形態について上述したと同様にして配線パターン３
２、絶縁層である保護層３３が作成される。さらにサー
マルヘッド４１は、スパッタリング法によりタンクルを
堆積して第２の耐キャビテーション層４７が作成された
後、第１の実施の形態について上述したと同様にしてイ
ンク液室３８、流路等が作成される。

【００４６】この第２の実施の形態のように、第１及び
第２の耐キャビテーション層をタンタルにより構成して
も、第１の実施の形態と同様の効果を得ることができ
る。

【００４７】（３）他の実施の形態 なお上述の実施の形態においては、タングステン又はタ
ンタルにより耐キャビテーション層を構成する場合につ
いて述べたが、本発明はこれに限らず、Ｍｏにより構成
するようにしてもよい。

【００４８】また上述の実施の形態においては、第１及
び第２の耐キャビテーション層によりキャビテーション
層を２層構造とする場合について述べたが、本発明はこ
れに限らず、膜厚等によっては、第１の耐キャビテーシ
ョン層だけでも実用上十分にキャビテーション腐食を防
止できることにより、第２の耐キャビテーション層を省
略するようにしてもよい。

【００４９】また上述の実施の形態においては、ポリシ
リコンにより発熱素子を構成する場合について述べた
が、本発明はこれに限らず、種々の抵抗膜により発熱素
子を構成する場合に広く適用することができる。

【００５０】

【発明の効果】上述のように本発明によれば、発熱素子
を構成する抵抗膜より耐キャビテーション層、絶縁層を
順次配置することにより、また発熱素子と駆動素子とを
接続する配線パターンのコンタクトと同時に、耐キャビ
テーション層を発熱素子の上に作成することにより、生
産性の低下を有効に回避して、十分にキャビテーション
腐食を防止することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態に係るプリンタに適
用されるサーマルヘッドの作成工程の説明に供する断面
図である。

【図２】図１の続きの工程の説明に供する断面図であ
る。

【図３】本発明の第２の実施の形態に係るプリンタに適
用されるサーマルヘッドを示す断面図である。

【図４】図３のサーマルヘッドにおける耐キャビテーシ
ョン層の生成工程の説明に供する断面図である。

【図５】従来のサーマルヘッドを示す断面図である。

【符号の説明】

１、２１、４１……サーマルヘッド、２、２２……シリ
コン基板、４、２４……スイッチイングトランジスタ、
５、２５……発熱素子、７、３０……コンタクト、１
０、２５、３４、４５、４７……耐キャビテーション層

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】サーマルヘッドに配置された発熱素子の発
   熱によりインクに気泡を発生させ、所定の開口より前記
   インクを押し出して印刷対象に飛翔させるプリンタにお
   いて、 半導体基板上に局所的に形成された抵抗膜により前記発
   熱素子が形成され、 前記抵抗膜より前記インクが保持される側に向かって、
   前記気泡による前記発熱素子への損傷を低減する耐キャ
   ビテーション層と、絶縁層とが順次形成されてなること
   を特徴とするプリンタ。
2. 【請求項２】前記発熱素子を駆動する駆動素子を前記半
   導体基板に搭載し、 前記耐キャビテーション層は、 前記駆動素子のコンタクトと同一の材料により形成され
   たことを特徴とする請求項１に記載のプリンタ。
3. 【請求項３】前記絶縁層の前記インク側に、第２の耐キ
   ャビテーション層が形成されてなることを特徴とする請
   求項１に記載のプリンタ。
4. 【請求項４】発熱素子の発熱によりインクに気泡を発生
   させ、所定の開口より前記インクを押し出して印刷対象
   に飛翔させるサーマルヘッドの製造方法において、 半導体基板上に、前記発熱素子を駆動する駆動素子と前
   記発熱素子とを形成した後、 前記発熱素子と前記駆動素子とを接続する配線パターン
   のコンタクトを作成する際に、前記気泡による前記発熱
   素子への損傷を低減する耐キャビテーション層を前記発
   熱素子の上に作成することを特徴とするサーマルヘッド
   の製造方法。
5. 【請求項５】前記耐キャビテーション層の上に、絶縁
   層、第２の耐キャビテーション層を順次形成することを
   特徴とする請求項４に記載のサーマルヘッドの製造方
   法。