KR101158916B1 - 액체 토출 헤드, 액체 토출 장치 및 액체 토출 헤드의제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 액체 토출 헤드, 액체 토출 장치 및 액체 토출 헤드의 제조 방법에 관한 것으로, 특히 발열 소자와 발열 소자를 구동하는 트랜지스터를 일체로 기판 상에 형성한 서멀 방식에 의한 잉크젯 프린터에 적용하여 SOG막에 의해 단차의 발생을 방지하는 경우라도 발열 소자의 열화를 방지할 수 있도록 한다.
본 발명은 도포형의 절연 재료막을 퇴적하는 처리와, 에칭에 의해 발열 소자의 작성 영역에 있어서의 절연 재료막을 대략 제거하는 처리를 적어도 복수회 반복한다.
액체 토출 헤드, 트랜지스터, 잉크젯 프린터, 프린터 헤드, 라인 프린터

Description

액체 토출 헤드, 액체 토출 장치 및 액체 토출 헤드의 제조 방법 {LIQUID EJECTING HEAD, A LIQUID EJECTING APPARATUS AND A MANUFACTURING METHOD OF THE LIQUID EJECTING HEAD}
도1은 본 발명의 제1 실시예에 관한 라인 프린터에 적용되는 헤드 어셈블리의 층간 절연막의 작성 공정의 설명에 이용하는 단면도.
도2는 본 발명의 제1 실시예에 관한 라인 프린터를 도시하는 사시도.
도3은 도2의 헤드 어셈블리의 잉크 액적의 토출에 관한 부분을 확대하여 도시하는 사시도.
도4는 도2의 헤드 어셈블리의 잉크 액적의 토출에 관한 부분을 도시하는 단면도.
도5는 도4의 헤드 칩의 작성 공정의 설명에 이용하는 단면도.
도6은 도5에 이어서 도시하는 단면도.
도7은 도1에 이어서 도시하는 단면도.
도8은 도7에 이어서 도시하는 단면도.
도9는 도1의 작성 공정에 의한 층간 절연막의 단차에 관한 부분을 도시하는 단면도.
도10은 도1의 작성 공정에 의한 층간 절연막의 발열 소자 근방의 설명에 이 용하는 단면도.
도11은 종래의 프린터 헤드에 있어서의 트랜지스터 근방의 구성을 도시하는 단면도.
도12는 발열 소자의 열화의 설명에 이용하는 평면도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1, 18 : 프린터 헤드
2, 31 : 기판
3, 42, 43 : 트랜지스터
4, 6, 47, 63 : 배선 패턴
5, 48 : 층간 절연막
11 : 라인 프린터
20 : 헤드 어셈블리
24 : 헤드 칩
27 : 발열 소자
51, 54, 57 : TEOS막
53, 56 : SOG막
본 발명은 액체 토출 헤드, 액체 토출 장치 및 액체 토출 헤드의 제조 방법에 관한 것이다.
최근, 화상 처리 등의 분야에 있어서 하드 카피의 컬러화에 대한 필요성이 높아지고 있다. 이 필요성에 대해 종래 승화형 열전사 방식, 용융 열전사 방식, 잉크젯 방식, 전자 사진 방식 및 열 현상 은염 방식 등의 컬러 복사 방식이 제안되어 있다.
이들 방식 중 잉크젯 방식은 액체 토출 헤드인 프린터 헤드에 설치된 노즐로부터 기록액(잉크)의 액적을 비상시켜 기록 대상물에 부착하여 도트를 형성하는 것으로, 간이한 구성에 의해 고화질의 화상을 출력할 수 있다. 이 잉크젯 방식은 노즐로부터 잉크 액적을 비상시키는 방법의 차이에 의해 정전 인력 방식, 연속 진동 발생 방법(피에조 방식) 및 서멀 방식으로 분류된다.
이들 방식 중 서멀 방식은 잉크의 국소적인 가열에 의해 기포가 발생하고, 이 기포에 의해 잉크를 노즐로부터 밀어 내어 인쇄 대상물에 비상시키는 방식으로, 간이한 구성에 의해 컬러 화상을 인쇄할 수 있도록 되어 있다.
이와 같은 서멀 방식에 의한 프린터 헤드는 잉크를 가열하는 발열 소자가 발열 소자를 구동하는 로직 집적 회로에 의한 구동 회로와 함께 일체로 반도체 기판 상에 형성된다. 이에 의해 이러한 종류의 프린터 헤드에 있어서는, 발열 소자를 고밀도로 배치하여 확실하게 구동할 수 있도록 되어 있다.
즉, 이 서멀 방식의 프린터에 있어서 고화질의 인쇄 결과를 얻기 위해서는 발열 소자를 고밀도로 배치할 필요가 있다. 구체적으로, 예를 들어 600[DPI] 상당의 인쇄 결과를 얻기 위해서는 발열 소자를 42.333[㎛] 간격으로 배치하는 것이 필요해지지만, 이와 같이 고밀도로 배치한 발열 소자에 개별 구동 소자를 배치하는 것은 매우 곤란하다. 이에 의해 프린터 헤드에서는 반도체 기판 상에 스위칭 트랜지스터 등을 작성하여 집적 회로 기술에 의해 대응하는 발열 소자와 접속하고, 또한 마찬가지로 반도체 기판 상에 작성한 구동 회로에 의해 각 스위칭 트랜지스터를 구동함으로써 간이하고 또한 확실하게 각 발열 소자를 구동할 수 있도록 되어 있다.
즉, 도11은 이러한 종류의 프린터 헤드에 있어서의 스위칭 트랜지스터 근방의 구성을 도시하는 단면도이다. 이 프린터 헤드(1)는 실리콘 기판(2) 상에 MOS(Metal Oxide Semiconductor)형 전계 효과형 트랜지스터를 절연 분리하는 소자 분리 영역이 형성된 후, 이 소자 분리 영역 사이에 MOS형 트랜지스터(3) 등이 형성되고, 이에 의해 발열 소자의 구동에 이용하는 스위칭 트랜지스터, 이 스위칭 트랜지스터를 구동하는 구동 회로가 반도체 제조 공정에 의한 M0S형 트랜지스터에 의해 구성되도록 되어 있다.
계속해서 MOS형 트랜지스터(3)를 절연하는 층간 절연막 등이 적층된 후, 이 층간 절연막에 개구(콘택트 홀)가 형성되어, 1층째의 배선 패턴(4), 발열 소자가 차례로 형성된다. 여기서 발열 소자는 탄탈(Ta), 질화탄탈(TaNX),탄탈알루미늄(TaAl)에 의해 작성되도록 되어 있다. 계속해서 1층째의 배선 패턴(4)에 이어지는 2층째의 배선 패턴을 절연하는 층간 절연막(5) 등이 적층된 후, 이 층간 절연막(5)에 개구(비아 홀)를 형성하여 2층째의 배선 패턴(6)이 형성되고, 이들 2층 구조에 의한 배선 패턴(4, 6)에 의해 MOS형 트랜지스터(3)에 발열 소자가 접속된다. 또한 계속해서 발열 소자 상에 질화실리콘(Si3N4)에 의한 절연 보호층(7), β-탄탈에 의한 내캐비테이션층이 차례로 형성된다.
프린터 헤드(1)는 계속해서 이와 같이 하여 발열 소자 등이 형성된 기판 상의 전체면에 감광성의 수지 재료가 도포되고, 노광 현상 공정에 의해 도포된 감광성 수지의 남은 부위가 제거된다. 또한 이 상층에 니켈과 코발트의 합금(Ni-Co)에 의한 노즐 플레이트가 부착되고, 이들에 의해 잉크 액실, 잉크 액실로 잉크를 유도하는 잉크 유로 및 노즐이 작성된다. 프린터 헤드(1)는 MOS형 트랜지스터(3)에 의해 펄스형의 전압을 발열 소자에 인가하여 발열 소자를 구동하고, 이에 의해 잉크 액적을 튀어 나오게 하도록 되어 있다.
이와 같이 구성되는 프린터 헤드(1)에 있어서는, 단순히 구성 부재를 적층한 것만으로는 절연 보호층(7)의 표면에 배선 패턴(4) 등에 의한 단차의 발생을 피할 수 없고, 이에 의해 절연 보호층(7)의 상층에 형성되는 수지층의 표면에도 단차가 나타나 이 수지층에 접착되는 노즐 시트와 수지층 표면 사이에 간극이 발생한다. 프린터 헤드(1)에 있어서는, 이와 같은 간극이 발생하면 수지층과 노즐 시트의 밀착성이 열화될 우려가 있다.
이에 의해 예를 들어 미국 특허 제6450622호 명세서에 개시한 방법을 적용하여 SOG(Spin On Glass)막에 의해 이러한 종류의 단차를 없애도록 하여 충분히 견고하게 노즐 시트를 보유할 수 있다고 생각된다. 여기서 SOG막은 알코올 성분을 용매로 하여 실록산 성분을 포함하여 이루어지는 도포형의 절연 재료가 스핀 코팅법에 의해 기판 표면에 도포됨으로써 단차에 관한 부위를 매립하도록 퇴적된 후, 습윤 에칭 또는 드라이 에칭에 의한 에치백법에 의해 이 퇴적된 절연 재료막의 표면 전체가 에치백되어 형성되는 것이다.
그러나 단순히 SOG막에 의해 단차를 없애도록 하면, 프린터 헤드(1)에 있어서는 발열 소자의 구동에 의해 발열 소자가 열화되는 문제가 있다. 구체적으로 잉크 액실에 잉크를 보유하지 않은 상태에서 발열 소자를 구동한 것(소위 비어 있는 상태임), 프린터 헤드(1)에 있어서는 발열 소자의 저항치가 현저히 상승하고, 또한 도12에 있어서 파선 a에 의해 영역을 나타낸 바와 같이 내캐비테이션층의 표면이 검게 변색하는 것이 확인되었다.
또 도12에 나타내는 예는 소정의 간격을 두어 직사각형 형상의 저항체막(8, 9)을 병설하고, 이들 저항체막(8, 9)의 일단부를 배선 패턴(6a)에 의해 접속하는 동시에, 이들 저항체막(8, 9)의 타단부에 배선 패턴(6b, 6c)에 의해 구동 전압을 인가하고, 이에 의해 이들 저항체막(8, 9)의 직렬 접속에 의해 발열 소자를 형성한 경우이다. 또한 이와 같은 발열 소자의 부위가 잉크 액실측으로부터 보아 막 두께 200[㎚]에 의한 내캐비테이션층, 막 두께 300[㎚]에 의한 절연 보호층(7), 막 두께 100[㎚]에 의한 발열 소자, 막 두께 400[㎚]에 의한 실리콘 산화막과 막 두께 450[㎚]에 의한 SOG막과 막 두께 250[㎚]에 의한 실리콘 질화막과 막 두께 1130[㎚]에 의한 실리콘 산화막에 의해 층간 절연막(5) 등을 형성한 경우이고, 이 발열 소자를 정격 구동 전력 0.8[W]에 의해 구동한 예이다.
그러나 이러한 면을 상세하게 검토한 결과, 발열 소자의 구동에 의한 열이 바로 아래의 SOG막에 전파되고, 이 열에 의해 SOG막 성분 자체가 분해됨으로써, 또한 SOG막 중에 잔존하고 있는 용매 성분이 이탈함으로써 발열 소자가 산화하여, 또는 탄화하여 저항치가 현저히 상승하는 것을 알 수 있었다.
또, 발열 소자의 형성 부위에 대해 예를 들어 습윤 에칭에 의해 선택적으로 SOG막을 제거함으로써 이와 같은 발열 소자의 열화를 방지할 수 있다고 생각할 수 있다. 그러나 SOG막의 습윤 에칭에 있어서는, 소위 오버행이 현저해지고, 이 오버행의 부위에 2층째의 배선 패턴 형성시의 잔사가 남게 되고, 이 잔사에 의해 배선 패턴 등이 쇼트하게 된다.
[특허 문헌 1]
미국 특허 제6450622호 명세서
본 발명은 이상의 점을 고려하여 이루어진 것으로, SOG막에 의해 단차의 발생을 방지하는 경우라도 발열 소자의 열화를 방지할 수 있는 액체 토출 헤드, 액체 토출 장치 및 액체 토출 헤드의 제조 방법을 제안하고자 하는 것이다.
이러한 과제를 해결하기 위해 청구항 1의 발명에 있어서는, 액실에 보유한 액체를 가열하는 발열 소자와, 상기 발열 소자를 구동하는 반도체 소자를 기판 상에 일체로 형성하고, 상기 반도체 소자에 의한 상기 발열 소자의 구동에 의해 소정의 노즐로부터 상기 액체의 액적을 튀어 나오게 하는 액체 토출 헤드로서, 상기 반도체 소자와 상기 발열 소자 사이의 층간 절연막이, 화학 기상 성장법에 의한 절연막의 퇴적과, 도포형의 절연막의 퇴적과, 상기 발열 소자를 작성하는 부위에서 상기 화학 기상 성장법에 의한 절연막이 노출할 때까지의 에칭 처리가 적어도 복수회 반복되어, 상기 반도체 소자 상의 부위에서는, 상기 화학 기상 성장법에 의한 절연막과 상기 도포형의 절연막의 적층에 의해 형성되고, 상기 발열 소자를 작성하는 부위에서는, 상기 화학 기상 성장법에 의한 절연막의 적층에 의해 작성되도록 한다.
또한 청구항 3의 발명에 있어서는, 액체 토출 헤드로부터 튀어 나오는 액적을 대상물에 공급하는 액체 토출 장치로서, 상기 액체 토출 헤드가, 액실에 보유한 액체를 가열하는 발열 소자와, 상기 발열 소자를 구동하는 반도체 소자를 기판 상에 형성하고, 상기 반도체 소자에 의한 상기 발열 소자의 구동에 의해 액실에 보유한 액체를 가열하여 상기 액체의 액적을 노즐로부터 튀어 나오게 하고, 상기 반도체 소자와 상기 발열 소자 사이의 층간 절연막이, 화학 기상 성장법에 의한 절연막의 퇴적과, 도포형의 절연막의 퇴적과, 상기 발열 소자를 작성하는 부위에서 상기 화학 기상 성장법에 의한 절연막이 노출할 때까지의 에칭 처리가 적어도 복수회 반복되어, 상기 반도체 소자 상의 부위에서는, 상기 화학 기상 성장법에 의한 절연막과 상기 도포형의 절연막의 적층에 의해 형성되고, 상기 발열 소자를 작성하는 부위에서는, 상기 화학 기상 성장법에 의한 절연막의 적층에 의해 작성되도록 한다.
또한 청구항 4의 발명에 있어서는, 액실에 보유한 액체를 가열하는 발열 소자와, 상기 발열 소자를 구동하는 반도체 소자를 기판 상에 일체로 형성하고, 상기 반도체 소자에 의한 상기 발열 소자의 구동에 의해 소정의 노즐로부터 상기 액체의 액적을 튀어 나오게 하는 액체 토출 헤드의 제조 방법으로서, 상기 반도체 소자와 상기 발열 소자 사이의 층간 절연막을, 화학 기상 성장법에 의한 절연막을 퇴적하는 처리와, 도포형의 절연막을 퇴적하는 처리와, 상기 발열 소자를 작성하는 부위에서 상기 화학 기상 성장법에 의한 절연막이 노출할 때까지의 에칭 처리를 적어도 복수회 반복하여 작성함으로써, 상기 반도체 소자 상의 부위에서는, 상기 층간 절연막을, 상기 화학 기상 성장법에 의한 절연막과 상기 도포형의 절연막의 적층에 의해 형성하고，상기 발열 소자를 작성하는 부위에서는, 상기 층간 절연막을, 상기 화학 기상성장법에 의한 절연막의 적층에 의해 작성한다.
청구항 1의 구성에 의해, 액실에 보유한 액체를 가열하는 발열 소자와, 발열 소자를 구동하는 반도체 소자를 기판 상에 일체로 형성하고, 반도체 소자에 의한 발열 소자의 구동에 의해 소정의 노즐로부터 액체의 액적을 튀어 나오게 하는 액체 토출 헤드에 적용하여 반도체 소자 상에 배치되는 층간 절연막의 일부가 도포형의 절연막에 의해 형성되도록 하면, SOG막에 의해 단차의 발생을 방지할 수 있고, 수지층과 노즐 시트의 밀착성을 증대시킬 수 있다. 또한 청구항 1의 구성에 의해, 도포형의 절연막은 기판 표면에의 도포에 의해 도포형의 절연 재료막을 퇴적하는 처리와, 기판 표면의 에칭에 의해 발열 소자의 작성 영역에 있어서의 도포형의 절연 재료막을 대략 제거하는 처리가 적어도 복수회 반복되어 형성되어 이루어지도록 하면, SOG막에 의해 단차의 발생을 방지하는 경우라도 발열 소자의 열화를 방지할 수 있다.
이에 의해 청구항 3 및 청구항 4의 구성에 따르면, SOG막에 의해 단차의 발생을 방지하는 경우라도 발열 소자의 열화를 방지할 수 있는 액체 토출 장치 및 액체 토출 헤드의 제조 방법을 제공할 수 있다.
이하, 적절하게 도면을 참조하면서 본 발명의 실시예를 상세하게 서술한다.
[제1 실시예]
(1) 실시예의 구성
도2는 본 발명에 관한 라인 프린터를 도시하는 사시도이다. 이 라인 프린터(11)는 풀라인 타입의 라인 프린터이고, 대략 직사각형 형상에 의해 프린터 본체(12)가 형성된다. 이 라인 프린터(11)는 인쇄 대상물인 용지(13)를 수납한 용지 트레이(14)를 이 프린터 본체(12)의 정면에 형성된 트레이 출입구로부터 장착함으로써 용지(13)를 급지할 수 있도록 되어 있다.
라인 프린터(11)는 이와 같이 트레이 출입구로부터 프린트 본체(12)에 용지 트레이(14)가 장착되면, 이 프린터 본체(12)에 설치된 급지 롤러의 회전에 의해 프린터 본체(12)의 배면측을 향해 용지 트레이(14)로부터 용지(13)가 송출되고, 프린터 본체(12)의 배면측에 설치된 반전 롤러에 의해 이 용지(13)의 이송 방향이 정면 방향으로 절환된다. 라인 프린터(11)는 이와 같이 하여 용지 이송 방향이 정면 방향으로 절환되어 이루어지는 용지(13)가 용지 트레이(14) 상을 가로지르도록 반송되어 라인 프린터(11)의 정면측에 배치된 배출구로부터 트레이(15)로 배출된다.
라인 프린터(11)는 상측 단부면에 상부 덮개(16)가 설치되고, 이 상부 덮개(16)의 내측, 정면 방향에의 용지 반송 도중에 화살표 A에 의해 나타낸 바와 같이 헤드 카트리지(18)가 교환 가능하게 배치된다.
여기서 헤드 카트리지(18)는 옐로우, 마젠타, 시안, 블랙의 4색에 의한 풀라인 타입의 프린터 헤드이고, 상측에 각 색의 잉크 탱크(19Y, 19M, 19C, 19K)가 설치되도록 되어 있다. 헤드 카트리지(18)는 이들 잉크 탱크(19Y, 19M, 19C, 19K)에 관한 프린터 헤드의 어셈블리인 헤드 어셈블리(20)와, 이 헤드 어셈블리(20)의 용지(13)측에 설치되어, 사용하지 않을 때 헤드 어셈블리(20)에 설치된 노즐열을 막아 잉크의 건조를 방지하는 헤드 캡(21)에 의해 구성된다. 이에 의해 라인 프린터(11)에 있어서는 이 헤드 카트리지(18)에 설치된 헤드 어셈블리(20)의 구동에 의해 각 색의 잉크 액적을 용지(13)에 부착시켜 원하는 화상 등을 컬러에 의해 인쇄할 수 있도록 되어 있다.
도3은 이 헤드 어셈블리(20)를 용지(13)측으로부터 보아 잉크 액적(D)의 토출에 관한 부분을 확대하여 일부 단면을 취하여 도시하는 사시도이다. 헤드 어셈블리(20)는 잉크 액실(22)의 격벽(23) 등을 작성한 헤드 칩(24)을 차례로 헤드 프레임에 부착한 후, 본딩 단자(26)를 거쳐서 헤드 칩(24)을 배선하여 형성된다.
헤드 칩(24)은 복수의 발열 소자(27), 이 복수의 발열 소자(27)를 구동하는 구동 회로, 이 구동 회로의 구동에 이용하는 전원 등을 입력하는 패드(28) 등이 형성된 것이고, 노즐 시트(25)측으로부터 보아 전체가 직사각형 형상에 의해 형성되고, 이 직사각형 형상의 긴 변 중 일변을 따라 복수의 발열 소자(27)가 소정 피치에 의해 배치된다.
헤드 칩(24)은 이 일변측이 개방되어 이루어지도록 빗살 형상에 의해 잉크 액실(22)의 격벽(23)이 형성되고, 이에 의해 이 일변측에 잉크 유로를 형성하여 이 잉크 유로로부터 각각 대응하는 잉크 탱크(19Y, 19M, 19C, 19K)의 잉크를 각 잉크 액실(22)로 유도할 수 있도록 이루어지고, 또한 이와 같이 하여 잉크 액실(22)로 유도된 잉크를 발열 소자(27)의 구동에 의해 가열할 수 있도록 되어 있다.
헤드 칩(24)은 반도체 웨이퍼의 단계에서 노광 경화형의 드라이 필름 레지스트를 발열 소자(27) 측면에 적층한 후, 포토리소프로세스에 의해 이 드라이 필름 레지스트로부터 잉크 액실의 부위 등을 제거함으로써 격벽(23)이 형성되도록 되어 있다.
이에 대해 노즐 시트(25)는 옐로우, 마젠타, 시안, 블랙의 잉크에 각각 대응하는 용지 폭에 의한 노즐(20)의 열이 병설된 시트형 부재이고, 전기 주조 기술에 의해 형성된다. 노즐 시트(25)는 각 노즐(29)의 열을 사이에 두어 지그재그로 각 헤드 칩(24)을 각각 본딩 단자(26)에 와이어 본딩할 때의 작업용 개구(30)가 형성되도록 되어 있다.
도4는 이 헤드 어셈블리(20)에 배치되는 헤드 칩 근방의 구성을 도시하는 단면도이다. 헤드 칩(24)은 반도체 제조 공정에 의해 복수 칩만큼이 실리콘 기판에 의한 반도체 웨이퍼 상에 합쳐져 형성된 후, 각 칩으로 스크라이빙되어 형성된다.
즉, 도5의 (a)에 도시한 바와 같이, 헤드 칩(24)은 웨이퍼에 의한 실리콘 기판(31)이 세정된 후, 실리콘 질화막(Si3N4)이 퇴적된다. 계속해서 헤드 칩(24)은 포토리소그래피 공정, 리액티브 이온 에칭 공정에 의해 실리콘 기판(31)이 처리되고, 이에 의해 트랜지스터를 형성하는 소정 영역 이외의 영역으로부터 실리콘 질화막이 제거된다. 이들에 의해 헤드 칩(24)은 실리콘 기판(31) 상의 트랜지스터를 형성하는 영역에 실리콘 질화막이 형성된다.
계속해서 헤드 칩(24)은 열 산화 공정에 의해 실리콘 질화막이 제거된 영역 에 열 실리콘 산화막이 막 두께 500[㎚]에 의해 형성되고, 이 열 실리콘 산화막에 의해 트랜지스터를 분리하기 위한 소자 분리 영역(LOCOS : Local Oxidation Of Silicon)(32)이 형성된다. 또 이 소자 분리 영역(32)은 그 후의 처리에 의해 최종적으로 막 두께 260[㎚]으로 형성된다.
또한 계속해서 헤드 칩(24)은 실리콘 기판(31)이 세정된 후, 트랜지스터 형성 영역에 게이트용 열 산화막이 형성된 후, 세정 처리되고, CVD(Chemical Vapor Deposition)법에 의해 막 두께 100[㎚]에 의해 폴리실리콘이 퇴적된다. 또한 계속해서, WF6 ＋ SiH4계의 가스 또는 WF6 ＋ SiH2Cl2계의 가스를 이용한 CVD법에 의해 텅스텐 실리사이드막이 막 두께 100[㎚]에 의해 퇴적된다. 또 텅스텐 실리사이드막에 있어서는 스퍼터링법에 의해 형성하는 것도 가능하다. 또한 리소그래피 공정에 의해 게이트 영역이 노광 처리된 후, SF6 ＋ HBr계의 혼합 가스를 이용한 드라이 에칭에 의해 남은 열산화막, 폴리실리콘막, 텅스텐 실리사이드막이 제거되고, 이에 의해 게이트 산화막(33), 폴리실리콘막(34), 텅스텐 실리사이드막(35)에 의한 폴리사이드 구조에 의해 게이트의 전극이 형성되고, 본 실시예에서는 게이트 길이가 2[㎛] 이하에 의해 형성된다.
계속해서 이온 주입 공정, 열처리 공정에 의해 실리콘 기판(31)이 처리되어 저농도의 확산층(37)이 형성되고, 또한 소스 및 드레인 영역을 형성하기 위한 이온 주입 공정, 열처리 공정에 의해 실리콘 기판(31)이 처리되고, 이들에 의해 MOS형에 의한 트랜지스터(43, 44) 등이 작성된다. 여기서 이 저농도의 확산층(37)은 게이 트 드레인간의 내압을 확보하는 전계 완화층이다. 또한 스위칭 트랜지스터(43)는 25[V] 정도까지의 내압을 갖는 M0S형 드라이버 트랜지스터로, 발열 소자의 구동에 이용하는 것이다. 이에 대해 스위칭 트랜지스터(44)는 이 드라이버 트랜지스터(43)를 제어하는 집적 회로를 구성하는 트랜지스터로, 5[V]의 전압에 의해 동작하는 것이다.
헤드 칩(24)은 계속해서 도5의 (b)에 도시한 바와 같이 계속해서 CVD법에 의해 실리콘 산화막인 NSG(Non-doped Silicate Glass)막, 보론과 인이 첨가된 실리콘 산화막인 BPSG(Boron Phosphorus Silicate Glass)막이 차례로 막 두께 100[㎚], 500[㎚]에 의해 작성되고, 이에 의해 전체적으로 막 두께가 600[㎚]에 의한 1층째의 층간 절연막(45)이 작성된다.
계속해서 포토리소그래피 공정 후, C4F8/CO/O2/Ar계 가스를 이용한 리액티브 이온 에칭법에 의해 실리콘 반도체 확산층(소스 드레인) 상에 콘택트 홀(46)이 작성된다.
또한 헤드 칩(24)은 희박 불산 세정에 의해 콘택트 홀(46)에 의해 노출된 실리콘 반도체 확산층의 표면으로부터 자연 산화막이 제거된 후, 스퍼터링법에 의해 막 두께 30[㎚]에 의한 티탄, 막 두께 70[㎚]에 의한 질화산화티탄 배리어 메탈, 막 두께 30[㎚]에 의한 티탄, 실리콘이 1[at ％] 첨가된 알루미늄, 또는 구리가 0.5[at ％] 첨가된 알루미늄이 막 두께 500[㎚]에 의해 차례로 퇴적된다. 계속해서 헤드 칩(24)은 반사 방지막인 질화산화티탄이 막 두께 25[㎚]에 의해 퇴적되어 이들에 의해 배선 패턴 재료가 성막된다.
또한 계속해서 포토리소그래피 공정, 드라이 에칭 공정에 의해 성막된 배선 패턴 재료가 선택적으로 제거되어 1층째의 배선 패턴(47)이 작성된다. 헤드 칩(24)은 이와 같이 하여 작성된 1층째의 배선 패턴(47)에 의해 구동 회로를 구성하는 MOS형 트랜지스터(43)를 접속하여 로직 집적 회로가 형성된다.
헤드 칩(24)은 계속해서 도6의 (c)에 도시한 바와 같이 TEOS[테트라에톡시 실란 : Si(OC2H5)4]를 원료 가스로 한 CVD법에 의해 층간 절연막인 실리콘 산화막(이하, TEOS막이라 부름)이 퇴적되고, 또한 배선 패턴(47)에 의해 생기는 단차의 부분에 SOG막이 형성되어, 이들에 의해 1층째의 배선 패턴(47)과 계속되는 2층째의 배선 패턴을 절연하는 2층째의 층간 절연막(48)이 형성된다.
여기서 본 실시예에서는 TEOS막의 퇴적과, SOG막의 작성이 복수회 반복되어 층간 절연막(48)이 형성된다. 또한 SOG막의 작성에 있어서는, 발열 소자를 작성하는 영역에 SOG막이 잔존하지 않도록 하층의 TEOS막이 노출될 때까지 드라이 에칭에 의해 에칭된다. 또 본 실시예에 있어서, 도포형의 절연 재료에는 실리카 글라스를 주성분으로 하는 무기 SOG, 알킬실록산폴리머를 주성분으로 하는 유기 SOG, 알킬실세스퀴옥산폴리머를 주성분으로 하는 유기 SOG 또는 수소화실세스퀴옥산폴리머를 주성분으로 하는 무기 SOG 중 어느 하나를 적용하고, 드라이 에칭에는 CHF3/CF4/Ar 가스를 적용한다. 또한 도포형의 절연 재료에는 폴리아릴에테르를 주성분으로 하는 저유전율 재료를 적용하는 것도 가능하다.
구체적으로 도1의 (a)에 도시한 바와 같이 헤드 칩(24)은 1층째의 TEOS막(51)이 막 두께 400[㎚]에 의해 퇴적된다. 또한 스핀 코팅법에 의한 도포형 절연 재료의 도포에 의해 막 두께로 환산하여 590[㎚]에 의한 1층째의 절연 재료막(52)이 퇴적되고, 이에 의해 단차의 부분에 퇴적된 절연 재료막(52)의 막 두께가 단차를 제외한 부분의 막 두께에 비해 두껍게 퇴적된다.
계속해서 도1의 (b)에 도시한 바와 같이, 혼합 가스 플라즈마를 이용한 드라이 에칭법에 의해 실리콘 기판(31)의 표면 전체가 막 두께 340[㎚] 에칭되고, 이에 의해 도7의 (c)에 도시한 바와 같이 단차에 관한 부분에 대해서는 퇴적된 절연 재료막(52)이 남겨져 1층째의 SOG막(53)이 형성되는 데 반해, 단차에 관한 부분을 제외한 부분에 대해서는 퇴적된 절연 재료막(52)이 모두 제거되어 하층의 TEOS막(51)이 노출된다.
계속해서 2층째의 TEOS막(54)이 막 두께 300[㎚]에 의해 퇴적되고, 또한 도7의 (d)에 도시한 바와 같이 2층째의 절연 재료막(55)이 막 두께 환산치로서 590[㎚]에 의해 퇴적된다. 또한 계속해서 도8의 (e)에 도시한 바와 같이, 혼합 가스 플라즈마를 이용한 드라이 에칭법에 의해 실리콘 기판(31)의 표면 전체가 막 두께 540[㎚] 에칭되고, 이에 의해 도8의 (f)에 도시한 바와 같이 1층째의 SOG막(53)에 의해 남는 단차의 부분에 2층째의 SOG막(56)이 형성된다.
헤드 칩(24)은 계속해서 3층째의 TEOS막(57)이 막 두께 300[㎚]에 의해 퇴적되고, 이에 의해 TEOS막(51, 54, 57)의 일부가 SOG막(53, 56)에 의해 평탄화되어 이루어지는 층간 절연막(48)이 전체적으로 막 두께 440[㎚]에 의해 형성된다.
구분짓는 것에 대해 본 실시예에서는 도포형의 절연 재료막을 퇴적하는 처리와, 에칭에 의해 발열 소자의 작성 영역에 있어서의 절연 재료막을 대략 제거하는 처리를 2회 반복함으로써, 배선 패턴(47)에 관한 단차의 두께가 두꺼운 경우라도 SOG막에 의해 단차의 발생을 방지하도록 이루어지고, 또한 발열 소자의 작성 영역에 있어서의 절연 재료막(52, 55)을 확실하게 제거하여 발열 소자의 열화를 방지하도록 되어 있다.
또한 이와 같은 SOG막의 작성에 이용하는 에칭에 있어서는, 드라이 에칭을 이용함으로써 습윤 에칭을 이용한 경우에 생기는 오버행에 의한 배선 패턴 등의 쇼트를 유효하게 회피하도록 되어 있다.
또 본 실시예에 관한 헤드 어셈블리(20)에 있어서는, 발열 소자의 작성 영역에 형성되어 이루어지는 막 두께 440[㎚]에 의한 층간 절연막(48), 막 두께 600[㎚]에 의한 층간 절연막(45), 막 두께 260[㎚]에 의한 소자 분리 영역(32)이 발열 소자의 열을 축열하는 막 두께 1.3[㎛]에 의한 축열층으로서 이용되고, 이에 의해 효율적으로 잉크를 가열하도록 되어 있다.
이와 같이 하여 층간 절연막(48)이 형성되면, 계속해서 헤드 칩(24)은 스퍼터링 장치에 의해 막 두께 50 내지 100[㎚]에 의한 β-탄탈막이 퇴적되고, 이에 의해 실리콘 기판(31) 상에 저항체막이 성막된다. 또 스퍼터링의 조건은 웨이퍼 가열 온도 200 내지 400도, 직류 인가 전력 2 내지 4[㎾], 아르곤 가스 유량 25 내지 40[sccm]으로 설정하였다. 또한 계속해서 헤드 칩(24)은 포토리소그래피 공정, BCl3/Cl2 가스를 이용한 드라이 에칭 공정에 의해 정사각형 형상에 의해, 또는 일단부를 배선 패턴에 의해 접속하는 되접힘 형상에 의해 저항체막이 선택적으로 제거되어 40 내지 100[Ω]의 저항치를 갖는 발열 소자(27)가 형성된다.
헤드 칩(24)은 계속해서 도4에 도시한 바와 같이 CVD법에 의해 막 두께 300[㎚]에 의한 실리콘 질화막이 퇴적되어 발열 소자(27)의 절연 보호층(61)이 형성된다. 계속해서 포토레지스트 공정, CHF3/CF4/Ar 가스를 이용한 드라이 에칭 공정에 의해 소정 부위의 실리콘 질화막이 제거되고, 이에 의해 발열 소자(27)를 배선 패턴에 접속하는 부위가 노출된다. 또한 CHF3/CF4/Ar 가스를 이용한 드라이 에칭 공정에 의해 층간 절연막(48)에 개구를 형성하여 비아 홀(62)이 작성된다.
또한 헤드 칩(24)은 스퍼터링법에 의해 막 두께 200[㎚]에 의한 티탄, 실리콘을 1[at ％] 첨가한 알루미늄, 또는 구리를 0.5[at ％] 첨가한 알루미늄이 두께 600[㎚]에 의해 차례로 퇴적된다. 계속해서 헤드 칩(24)은 막 두께 25[㎚]에 의한 질화산화티탄이 퇴적되고, 이에 의해 반사 방지막이 형성된다. 이들에 의해 헤드 칩(24)은 실리콘 또는 구리를 첨가한 알루미늄에 의한 배선 패턴 재료층이 형성된다.
계속해서 포토리소그래피 공정, BCl3/Cl2 가스를 이용한 드라이 에칭 공정에 의해 배선 패턴 재료층이 선택적으로 제거되고, 2층째의 배선 패턴(63)이 작성된다. 헤드 칩(24)은 이 2층째의 배선 패턴(63)에 의해 전원용 배선 패턴, 어스용 배선 패턴이 작성되고, 또한 드라이버 트랜지스터(42)를 발열 소자(27)에 접속하는 배선 패턴이 작성된다. 또 발열 소자(27) 상에 남겨진 실리콘 질화막(61)에 있어서는, 이 배선 패턴 작성시의 에칭 공정에 있어서 에칭에 이용하는 염소 래디컬로부터 발열 소자(27)를 보호하는 보호층으로서 기능한다. 또한 이 실리콘 질화막(61)에 있어서는, 이 에칭 공정에 있어서 염소 래디컬에 노출되는 부위가 막 두께 300[㎚] 내지 막 두께 100[㎚]으로 감소한다.
계속해서 헤드 칩(24)은 잉크 보호층, 절연층으로서 기능하는 실리콘 질화막(64)이 플라즈마 CVD법에 의해 막 두께 200 내지 400[㎚]에 의해 퇴적된다. 또한 열처리로에 있어서, 4[％]의 수소를 첨가한 질소 가스의 분위기 속에서, 또는 100[％]의 질소 가스 분위기 속에서 400도, 60분간의 열처리가 실시된다. 이에 의해 헤드 칩(24)은 트랜지스터(43, 44)의 동작이 안정화되고, 또한 1층째의 배선 패턴(47)과 2층째의 배선 패턴(63)의 접속이 안정화되어 콘택트 저항이 저감된다.
헤드 칩(24)은 계속해서 내캐비테이션 재료층이 막 두께 100 내지 300[㎚]에 의해 퇴적된 후, 이 내캐비테이션 재료층이 BCl3/Cl2 가스를 이용한 패터닝에 의해 내캐비테이션층(65)이 형성된다. 본 실시예에서는 탄탈을 타겟으로 이용한 DC 마그네트론 스퍼터링 장치에 의해 β 탄탈에 의한 내캐비테이션층(65)이 형성된다. 또 여기서 내캐비테이션층(65)은 발열 소자(27)의 구동에 의해 잉크 액실(22)에 발생한 기포가 소멸될 때의 물리적 손상(캐비테이션)을 흡수하여 발열 소자(27)를 보호하고, 또한 발열 소자(27)의 구동에 의해 고온이 된 잉크의 화학 작용으로부터 발열 소자(27)를 보호하는 보호층이다.
계속해서 헤드 칩(24)은 감광성 유기계 수지가 도포되고, 노광 현상 공정에 의해 잉크 액실(22), 잉크 유로에 대응하는 부위가 제거되고, 그 후 경화되어 이에 의해 잉크 액실(22)의 격벽(23), 잉크 유로의 격벽(23) 등이 작성된다. 헤드 칩(24)은 이와 같이 하여 실리콘 기판(31) 상에 작성된 복수 헤드 칩만큼이 스크라이빙되어 작성된다.
(2) 실시예의 동작
이상의 구성에 있어서, 이 라인 프린터(11)에 있어서는(도2) 인쇄에 이용하는 화상 데이터, 텍스트 데이터 등에 의한 헤드 카트리지(18)의 구동에 의해 인쇄 대상물인 용지(13)를 소정의 용지 이송 기구에 의해 반송하면서, 헤드 카트리지(18)에 설치된 헤드 어셈블리(20)로부터 잉크 액적이 토출되고, 이 잉크 액적이 반송 중의 용지(13)에 부착하여 화상, 텍스트 등이 인쇄된다. 이에 대응하여 헤드 카트리지(18)의 헤드 어셈블리(20)에 있어서는(도2, 도3), 잉크 탱크(19Y, 19M, 19C, 19K)의 잉크가 각 헤드 칩(24)에 형성된 잉크 액실(22)로 유도되고, 발열 소자(27)의 구동에 의한 이 잉크 액실(22)의 잉크의 가열에 의해 노즐 시트(25)에 설치된 노즐(29)로부터 잉크 액적(D)이 토출된다. 이들에 의해 이 라인 프린터(11)에 있어서는 원하는 화상 등을 인쇄할 수 있도록 되어 있다.
그러나 이 헤드 어셈블리(20)에 있어서는, 복수의 발열 소자(27), 이 복수의 발열 소자(27)를 구동하는 트랜지스터(43), 이 트랜지스터(43)를 제어하는 집적 회로를 구성하는 트랜지스터(44) 등을 형성하여 이루어지는 헤드 칩(24)과(도4 내지 도6), 잉크 액적을 토출하는 노즐(29)에 의한 노즐열, 개구(30)를 전기 주조 처리 에 의해 작성하여 이루어지는 시트형의 부재인 노즐 시트(25)를 배치하여 형성된다(도3). 또한 이와 같은 노즐(29)에 의한 노즐열이 인쇄 대상의 용지 폭에 의해 형성되고, 이에 의해 풀라인 타입의 라인 헤드가 구성되어 직렬 헤드의 프린터 헤드에 의한 경우에 비해 고속도로 원하는 화상 등을 인쇄할 수 있다.
이와 같은 헤드 어셈블리(20)에 있어서는, 도9에 도시한 바와 같이 트랜지스터(43)의 상층에 배치되는 층간 절연막(48)의 일부인 배선 패턴(47)에 의한 단차에 관한 부분이 SOG막에 의해 형성되고, 이 SOG막에 의해 층간 절연막(48)의 표면이 평탄화되어 수지층과 노즐 시트(25)의 밀착성을 증대시킬 수 있게 되어 있다.
헤드 어셈블리(20)에 있어서는, 이와 같이 SOG막이 이용되면 발열 소자(27)의 열화가 배려된다. 즉 라인 프린터(11)에 있어서는, 발열 소자(27)의 하층에 SOG막(53, 56)이 잔존해 있으면, 소위 비어 있는 상태에 의해서도 발열 소자(27)의 저항치가 상승하여 잉크 액적(D)을 안정적으로 토출할 수 없게 된다.
그러나 본 실시예에서는 TEOS막(51)이 퇴적된 후, 도포형 절연 재료의 기판 표면에의 도포에 의해 절연 재료막(52)이 퇴적되고, 발열 소자(27)의 작성 영역에 있어서의 TEOS막(51)이 노출될 때까지 기판(31)의 표면 전체가 에칭되고, 이에 의해 발열 소자(27)의 작성 영역에 있어서의 절연 재료막(52)이 확실히 제거된다. 또한 이들 공정이 복수회 반복되어 TEOS막(54), SOG막(56), TEOS막(57)이 차례로 형성되고, 이에 의해 배선 패턴(47)에 의한 단차의 두께가 두꺼운 경우라도 표면이 평탄화되어 이루어지는 층간 절연막(48)이 형성된다(도1, 도7 내지 도8). 이들에 의해 헤드 어셈블리(20)에 있어서는, SOG막에 의해 단차의 발생을 방지하는 경우라 도 발열 소자(27)의 열화를 방지할 수 있다.
실제로, 이와 같은 헤드 어셈블리(20)를 구동하여 발열 소자(27)의 저항치를 실측한 결과에 따르면, 저항치의 변화가 거의 보이지 않고, 또한 도10에 도시한 바와 같이 발열 소자(27) 근방을 주사형 전자 현미경(SEM)에 의해 관찰한 결과, 층간 절연막(48)에 있어서는 TEOS막(51, 54, 57)만을 볼 수 있고, 이들에 의해 SOG막(53, 56)을 확실히 제거하여 발열 소자(27)의 열화를 방지할 수 있는 것이 확인되었다.
또한 이와 같은 SOG막(53, 56)의 작성에 이용하는 에칭에 있어서는, 드라이 에칭을 이용함으로써 습윤 에칭을 이용한 경우에 발생하는 오버행에 의한 배선 패턴 등의 쇼트를 유효하게 회피할 수 있다.
(3) 실시예의 효과
이상의 구성에 따르면, 도포형의 절연 재료막을 퇴적하는 처리와, 에칭에 의해 발열 소자의 작성 영역에 있어서의 절연 재료막을 대략 제거하는 처리를 적어도 복수회 반복함으로써, SOG막에 의해 단차의 발생을 방지하는 경우라도 발열 소자의 열화를 방지할 수 있다.
또한 SOG막의 작성에 이용하는 에칭이 드라이 에칭인 것에 의해 습윤 에칭을 이용한 경우에 생기는 오버행에 의한 배선 패턴 등의 쇼트를 유효하게 회피 할 수 있다.
[제2 실시예]
또 상술한 실시예에 있어서는, 도포형 절연 재료막의 도포 및 에칭을 2회 반 복함으로써 SOG막에 의해 단차의 발생을 방지하는 경우에 대해 서술하였지만, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 예를 들어 도포형 절연 재료막의 도포 및 에칭을 3회 반복하는 경우 등, 반복하는 횟수에 있어서는 적어도 복수회 반복하도록 하여 상술한 실시예와 같은 효과를 얻을 수 있다.
또한 상술한 실시예에 있어서는, 발열 소자의 작성 영역에 있어서의 절연 재료막을 확실하게 제거하는 경우에 대해 서술하였지만, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 실용상 발열 소자의 열화가 생기지 않는 범위이면 발열 소자의 작성 영역에 절연 재료막이 잔존하도록 해도 좋고, 이에 의해 절연 재료막의 에칭에 있어서는 대략 제거하는 정도로 상술한 실시예와 같은 효과를 얻을 수 있다.
또한 상술한 실시예에 있어서는, TEOS막의 퇴적과 SOG막의 작성을 복수회 반복하여 층간 절연막을 형성하는 경우에 대해 서술하였지만, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 발열 소자의 작성 영역에 있어서의 절연 재료막을 대략 제거하는 경우에 있어서는, TEOS막을 퇴적한 후 단차의 부분에 SOG막의 작성을 복수회 반복하여 층간 절연막을 형성하는 경우, 단차의 부분에 SOG막의 작성을 복수회 반복한 후 TEOS막을 퇴적하여 층간 절연막을 형성하는 경우 등을 널리 적용할 수 있다. 또 이들과 같이 하면, 상술한 실시예에 비해 층간 절연막의 작성을 간략화할 수 있다.
또한 상술한 실시예에 있어서는, 배선 패턴 사이를 절연하는 층간 절연막의 일부를 SOG막에 의해 형성하는 경우에 대해 서술하였지만, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 실리콘 질화막에 의한 절연 보호층의 일부를 SOG막에 의해 형성하는 경우 등, 트랜지스터 상에 배치되는 층간 절연막의 일부를 SOG막에 의해 형성하는 경우 에 널리 적용할 수 있다.
또한 상술한 실시예에 있어서는, 컬러 인쇄용 풀라인 타입의 프린터 헤드에 본 발명을 적용하여 4개의 노즐열을 작성하는 경우에 대해 서술하였지만, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 예를 들어 흑백 인쇄용 풀라인 타입의 프린터 헤드에 본 발명을 적용하여 노즐열을 1개에 의해 작성하는 경우 등, 다양한 개수에 의해 노즐열을 작성하는 경우에 널리 적용할 수 있다.
또한 상술한 실시예에 있어서는, 용지를 인쇄 대상물로 하여 이루어지는 프린터, 프린터 헤드에 본 발명을 적용하는 경우에 대해 서술하였지만, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 예를 들어 패턴 형성 재료에 의한 액체, 염료 등을 노즐로부터 튀어 나오게 하는 경우 등, 다양한 재료를 인쇄 대상물로 하여 이루어지는 프린터, 프린터 헤드에 널리 적용할 수 있다.
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본 발명에 따르면, SOG막에 의해 단차의 발생을 방지하는 경우라도 발열 소자의 열화를 방지할 수 있다.

Claims (4)

  1. 액실에 보유한 액체를 가열하는 발열 소자와, 상기 발열 소자를 구동하는 반도체 소자를 기판 상에 일체로 형성하고, 상기 반도체 소자에 의한 상기 발열 소자의 구동에 의해 소정의 노즐로부터 상기 액체의 액적을 튀어 나오게 하는 액체 토출 헤드로서,
    상기 반도체 소자와 상기 발열 소자 사이의 층간 절연막이,
    화학 기상 성장법에 의한 절연막의 퇴적과, 도포형의 절연막의 퇴적과, 상기 발열 소자를 작성하는 부위에서 상기 화학 기상 성장법에 의한 절연막이 노출할 때까지의 에칭 처리가 적어도 복수회 반복되어,
    상기 반도체 소자 상의 부위에서는, 상기 화학 기상 성장법에 의한 절연막과 상기 도포형의 절연막의 적층에 의해 형성되고,
    상기 발열 소자를 작성하는 부위에서는, 상기 화학 기상 성장법에 의한 절연막의 적층에 의해 작성된 것을 특징으로 하는 액체 토출 헤드.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 에칭 처리는 드라이 에칭 처리인 것을 특징으로 하는 액체 토출 헤드.
  3. 액체 토출 헤드로부터 튀어 나오는 액적을 대상물에 공급하는 액체 토출 장치로서,
    상기 액체 토출 헤드가,
    액실에 보유한 액체를 가열하는 발열 소자와, 상기 발열 소자를 구동하는 반도체 소자를 기판 상에 형성하고, 상기 반도체 소자에 의한 상기 발열 소자의 구동에 의해 액실에 보유한 액체를 가열하여 상기 액체의 액적을 노즐로부터 튀어 나오게 하고,
    상기 반도체 소자와 상기 발열 소자 사이의 층간 절연막이,
    화학 기상 성장법에 의한 절연막의 퇴적과, 도포형의 절연막의 퇴적과, 상기 발열 소자를 작성하는 부위에서 상기 화학 기상 성장법에 의한 절연막이 노출할 때까지의 에칭 처리가 적어도 복수회 반복되어,
    상기 반도체 소자 상의 부위에서는, 상기 화학 기상 성장법에 의한 절연막과 상기 도포형의 절연막의 적층에 의해 형성되고,
    상기 발열 소자를 작성하는 부위에서는, 상기 화학 기상 성장법에 의한 절연막의 적층에 의해 작성된 것을 특징으로 하는 액체 토출 장치.
  4. 액실에 보유한 액체를 가열하는 발열 소자와, 상기 발열 소자를 구동하는 반도체 소자를 기판 상에 일체로 형성하고, 상기 반도체 소자에 의한 상기 발열 소자의 구동에 의해 소정의 노즐로부터 상기 액체의 액적을 튀어 나오게 하는 액체 토출 헤드의 제조 방법으로서,
    상기 반도체 소자와 상기 발열 소자 사이의 층간 절연막을,
    화학 기상 성장법에 의한 절연막을 퇴적하는 처리와, 도포형의 절연막을 퇴적하는 처리와, 상기 발열 소자를 작성하는 부위에서 상기 화학 기상 성장법에 의한 절연막이 노출할 때까지의 에칭 처리를 적어도 복수회 반복하여 작성함으로써,
    상기 반도체 소자 상의 부위에서는, 상기 층간 절연막을, 상기 화학 기상 성장법에 의한 절연막과 상기 도포형의 절연막의 적층에 의해 형성하고，
    상기 발열 소자를 작성하는 부위에서는, 상기 층간 절연막을, 상기 화학 기상성장법에 의한 절연막의 적층에 의해 작성하는 것을 특징으로 하는 액체 토출 헤드의 제조 방법.
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