JP2001212995A - プリンタ及びプリンタ用ヘッド - Google Patents
プリンタ及びプリンタ用ヘッドInfo
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- JP2001212995A JP2001212995A JP2000027240A JP2000027240A JP2001212995A JP 2001212995 A JP2001212995 A JP 2001212995A JP 2000027240 A JP2000027240 A JP 2000027240A JP 2000027240 A JP2000027240 A JP 2000027240A JP 2001212995 A JP2001212995 A JP 2001212995A
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- heating element
- group iva
- heating resistor
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- Electronic Switches (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、プリンタ及びプリンタ用ヘッドに
関し、例えばサーマルヘッドを用いたプリンタに適用し
て、発熱抵抗体材料を集積回路の配線用電極に適用する
場合の各種問題を解決して、簡易な工程により同一シリ
コン基板上に発熱素子と駆動集積回路とを形成すること
ができるようにする。 【解決手段】 本発明は、トランジスタ２４等を形成し
た半導体基板２２上に、IVＡ族の金属層、IVＡ族の金属
窒化物層、発熱抵抗体材料層を順次積層して発熱素子２
５、配線用電極２６を形成する。
関し、例えばサーマルヘッドを用いたプリンタに適用し
て、発熱抵抗体材料を集積回路の配線用電極に適用する
場合の各種問題を解決して、簡易な工程により同一シリ
コン基板上に発熱素子と駆動集積回路とを形成すること
ができるようにする。 【解決手段】 本発明は、トランジスタ２４等を形成し
た半導体基板２２上に、IVＡ族の金属層、IVＡ族の金属
窒化物層、発熱抵抗体材料層を順次積層して発熱素子２
５、配線用電極２６を形成する。
Description
【０００１】
【発明の族する技術分野】本発明は、プリンタ及びプリ
ンタ用ヘッドに関し、例えばサーマルヘッドを用いたプ
リンタに適用することができる。本発明は、トランジス
タ等を形成した半導体基板上に、IVＡ族の金属層、IVＡ
族の金属窒化物層、発熱抵抗体材料層を順次積層して発
熱素子、配線電極を形成することにより、発熱抵抗体材
料を集積回路の配線電極に適用する場合の各種問題を解
決して、簡易な工程により同一シリコン基板上に発熱素
子と駆動集積回路とを形成することができるようにす
る。
ンタ用ヘッドに関し、例えばサーマルヘッドを用いたプ
リンタに適用することができる。本発明は、トランジス
タ等を形成した半導体基板上に、IVＡ族の金属層、IVＡ
族の金属窒化物層、発熱抵抗体材料層を順次積層して発
熱素子、配線電極を形成することにより、発熱抵抗体材
料を集積回路の配線電極に適用する場合の各種問題を解
決して、簡易な工程により同一シリコン基板上に発熱素
子と駆動集積回路とを形成することができるようにす
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、画像処理等の分野においては、ハ
ードコピーのカラー化に対するニーズが高まっている。
このようなニーズに対して、従来、昇華型熱転写方式、
溶融熱転写方式、インクジェット方式、電子写真方式、
熱現像銀塩方式等のカラーハードコピー方式が提案され
ている。
ードコピーのカラー化に対するニーズが高まっている。
このようなニーズに対して、従来、昇華型熱転写方式、
溶融熱転写方式、インクジェット方式、電子写真方式、
熱現像銀塩方式等のカラーハードコピー方式が提案され
ている。
【０００３】これらの方式のうちインクジェット方式
は、記録ヘッドに設けられたノズルから記録液（イン
ク）の小滴を飛翔させ、記録対象に付着してドットを形
成するものであり、簡単な構成により高画質の画像を出
力することができる。このインクジェット方式は、イン
クを飛翔させる方式の相違により、静電引力方式、連続
振動発生方式（ピエゾ方式）、サーマル方式（バブルジ
ェット方式）等に分類される。
は、記録ヘッドに設けられたノズルから記録液（イン
ク）の小滴を飛翔させ、記録対象に付着してドットを形
成するものであり、簡単な構成により高画質の画像を出
力することができる。このインクジェット方式は、イン
クを飛翔させる方式の相違により、静電引力方式、連続
振動発生方式（ピエゾ方式）、サーマル方式（バブルジ
ェット方式）等に分類される。
【０００４】これらの方式のうちサーマル方式は、イン
クの局所的な加熱により気泡を発生し、この気泡により
吐出口からインクを押し出して印刷対象に飛翔させる方
式であり、簡易な構成によりカラー画像を印刷すること
ができる。
クの局所的な加熱により気泡を発生し、この気泡により
吐出口からインクを押し出して印刷対象に飛翔させる方
式であり、簡易な構成によりカラー画像を印刷すること
ができる。
【０００５】このサーマル方式によるプリンタは、いわ
ゆるサーマルヘッドを用いて構成され、このサーマルヘ
ッドには、インクを加熱する発熱素子と、発熱素子を駆
動する駆動回路とが搭載されるようになされている。
ゆるサーマルヘッドを用いて構成され、このサーマルヘ
ッドには、インクを加熱する発熱素子と、発熱素子を駆
動する駆動回路とが搭載されるようになされている。
【０００６】このうち発熱素子は、スパッタリング法に
よりＨｆＢ2 、ＴａＡｌ等の発熱素子材料を堆積した
後、又はＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition ）法によ
りポリシリコン等の発熱素子材料を堆積した後、この発
熱素子材料にＡｌ電極、ＳｉＯ2 、ＳｉＮ等の絶縁物に
よる保護層を順次形成して作成される。これに対して駆
動回路は、発熱素子の電流をオンオフ制御するための例
えばＭＯＳ（Metal-Oxide-Semiconductor ）型トランジ
スタによるスイッチングトランジスタと、このスイッチ
ングトランジスタを制御する論理回路とによる集積回路
により構成される。
よりＨｆＢ2 、ＴａＡｌ等の発熱素子材料を堆積した
後、又はＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition ）法によ
りポリシリコン等の発熱素子材料を堆積した後、この発
熱素子材料にＡｌ電極、ＳｉＯ2 、ＳｉＮ等の絶縁物に
よる保護層を順次形成して作成される。これに対して駆
動回路は、発熱素子の電流をオンオフ制御するための例
えばＭＯＳ（Metal-Oxide-Semiconductor ）型トランジ
スタによるスイッチングトランジスタと、このスイッチ
ングトランジスタを制御する論理回路とによる集積回路
により構成される。
【０００７】サーマルヘッドにおいては、これら発熱素
子と駆動回路とをそれぞれ別工程により作成してプリン
ト基板上で一体化するものと、同一シリコン基板上に発
熱素子と駆動集積回路とを一体に形成する方法が採用さ
れている。この後者の方法は、ヒューレットパカードジ
ャーナル（Hewlett-Pagkard Journal February 1994頁
４１〜４５）に記載の方法であり、前者の方法では不可
欠な発熱素子と駆動回路とをプリント基板上で一体化す
る工程を省略できることにより、その分簡易な工程によ
りサーマルヘッドを作成することができる。
子と駆動回路とをそれぞれ別工程により作成してプリン
ト基板上で一体化するものと、同一シリコン基板上に発
熱素子と駆動集積回路とを一体に形成する方法が採用さ
れている。この後者の方法は、ヒューレットパカードジ
ャーナル（Hewlett-Pagkard Journal February 1994頁
４１〜４５）に記載の方法であり、前者の方法では不可
欠な発熱素子と駆動回路とをプリント基板上で一体化す
る工程を省略できることにより、その分簡易な工程によ
りサーマルヘッドを作成することができる。
【０００８】この同一シリコン基板上に発熱抵抗素子と
駆動集積回路とを一体に形成する方法においては、Ｔａ
Ａｌ層とＡｌ層との積層構造により配線電極を構成する
と共に、この配線電極からＡｌ層を取り除いた構成によ
り発熱抵抗素子を形成することにより、作成工程を簡略
化するようになされている。
駆動集積回路とを一体に形成する方法においては、Ｔａ
Ａｌ層とＡｌ層との積層構造により配線電極を構成する
と共に、この配線電極からＡｌ層を取り除いた構成によ
り発熱抵抗素子を形成することにより、作成工程を簡略
化するようになされている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながらこのよう
な発熱抵抗体材料においては、発熱素子を構成する上で
は適しているものの、集積回路の配線電極に適用する場
合には、実用上未だ不十分な問題があった。
な発熱抵抗体材料においては、発熱素子を構成する上で
は適しているものの、集積回路の配線電極に適用する場
合には、実用上未だ不十分な問題があった。
【００１０】すなわち図６（Ａ）に示すように、スイッ
チングトランジスタにおいては、ＳｉによるＰ型半導体
基板１の所定位置にｎ+ によるドレイン、ソースの領域
が形成され、これらドレイン、ソースの領域間にゲート
構造が形成される。ＴａＡｌ層とＡｌ層との積層構造に
より配線電極を構成する場合、図６（Ｂ）に示すよう
に、これらゲート、ドレイン、ソースの領域にＴａＡｌ
層が形成されることになる。
チングトランジスタにおいては、ＳｉによるＰ型半導体
基板１の所定位置にｎ+ によるドレイン、ソースの領域
が形成され、これらドレイン、ソースの領域間にゲート
構造が形成される。ＴａＡｌ層とＡｌ層との積層構造に
より配線電極を構成する場合、図６（Ｂ）に示すよう
に、これらゲート、ドレイン、ソースの領域にＴａＡｌ
層が形成されることになる。
【００１１】このようにしてシリコン半導体上にＴａＡ
ｌ層を形成する場合、ＴａＡｌ中のＡｌがシリコンと容
易に反応することにより、ＴａＡｌ層中のＡｌがスパイ
ク状にシリコン半導体中に進入し、シリコン半導体の拡
散層接合をつき抜ける恐れがある。このようにしてＡｌ
のスパイクが拡散層接合をつき抜けると、スイッチング
トランジスタにおいては、リーク電流が著しく増大する
問題がある。
ｌ層を形成する場合、ＴａＡｌ中のＡｌがシリコンと容
易に反応することにより、ＴａＡｌ層中のＡｌがスパイ
ク状にシリコン半導体中に進入し、シリコン半導体の拡
散層接合をつき抜ける恐れがある。このようにしてＡｌ
のスパイクが拡散層接合をつき抜けると、スイッチング
トランジスタにおいては、リーク電流が著しく増大する
問題がある。
【００１２】この問題を解決する１つの方法として、図
６（Ｃ）に示しように、ＨｆＢ2 を発熱抵抗体材料に適
用して、配線電極をＨｆＢ2 層とＡｌ層等の積層構造に
より構成することが考えられる。しかしながらシリコン
半導体上にＨｆＢ2 層を形成すると、３価の不純物であ
るＢが５価の不純物がドープされているｎ+ の領域に拡
散するようになり、結局この領域でｎ型不純物濃度が低
下し、接触抵抗が上昇する問題がある。
６（Ｃ）に示しように、ＨｆＢ2 を発熱抵抗体材料に適
用して、配線電極をＨｆＢ2 層とＡｌ層等の積層構造に
より構成することが考えられる。しかしながらシリコン
半導体上にＨｆＢ2 層を形成すると、３価の不純物であ
るＢが５価の不純物がドープされているｎ+ の領域に拡
散するようになり、結局この領域でｎ型不純物濃度が低
下し、接触抵抗が上昇する問題がある。
【００１３】また大気中に放置してシリコン半導体の表
面に形成される自然シリコン酸化膜に対して、これらＴ
ａＡｌ、ＨｆＢ2 の何れもが還元する能力に欠けること
により、図６（Ｄ）に示すように、シリコン半導体上に
ＴａＡｌ又はＨｆＢ2 層を形成すると、自然シリコン酸
化膜が界面に取り残されることになり、これにより接触
抵抗が増大する問題がある。
面に形成される自然シリコン酸化膜に対して、これらＴ
ａＡｌ、ＨｆＢ2 の何れもが還元する能力に欠けること
により、図６（Ｄ）に示すように、シリコン半導体上に
ＴａＡｌ又はＨｆＢ2 層を形成すると、自然シリコン酸
化膜が界面に取り残されることになり、これにより接触
抵抗が増大する問題がある。
【００１４】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、発熱抵抗体材料を集積回路の配線電極に適用して発
生する各種問題を解決して、簡易な工程により同一シリ
コン基板上に発熱素子と駆動集積回路とを形成すること
ができるプリンタ及びプリンタ用ヘッドを提案しようと
するものである。
で、発熱抵抗体材料を集積回路の配線電極に適用して発
生する各種問題を解決して、簡易な工程により同一シリ
コン基板上に発熱素子と駆動集積回路とを形成すること
ができるプリンタ及びプリンタ用ヘッドを提案しようと
するものである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め請求項１又は請求項３の発明においては、プリンタ又
はプリンタ用ヘッドに適用して、トランジスタを形成し
た半導体基板に、IVＡ族の金属層、IVＡ族の金属窒化物
層、発熱抵抗体材料層を順次積層して発熱素子を形成
し、またIVＡ族の金属層、IVＡ族の金属窒化物層、発熱
抵抗体材料層の上層に導電層を形成して発熱素子及びト
ランジスタを接続する配線電極を形成する。
め請求項１又は請求項３の発明においては、プリンタ又
はプリンタ用ヘッドに適用して、トランジスタを形成し
た半導体基板に、IVＡ族の金属層、IVＡ族の金属窒化物
層、発熱抵抗体材料層を順次積層して発熱素子を形成
し、またIVＡ族の金属層、IVＡ族の金属窒化物層、発熱
抵抗体材料層の上層に導電層を形成して発熱素子及びト
ランジスタを接続する配線電極を形成する。
【００１６】請求項１又は請求項３の構成に係るIVＡ族
の金属においては、生成熱がシリコン酸化物より小さい
ことにより、半導体基板上にIVＡ族の金属層を生成すれ
ば、基板表面に生成される自然シリコン酸化膜を還元す
ることができ、自然シリコン酸化膜が界面に取り残され
ることによる接触抵抗の増大を防止することができる。
またIVＡ族の金属窒化物層により発熱抵抗体材料層を構
成する発熱抵抗体材料の半導体基板側への進入等を防止
することができ、これにより例えば発熱抵抗体材料層を
ＴａＡｌにより構成した場合のＡｌのスパイクを防止で
き、また発熱抵抗体材料層をＨｆＢ2 により構成した場
合の不純物の拡散を防止することができる。
の金属においては、生成熱がシリコン酸化物より小さい
ことにより、半導体基板上にIVＡ族の金属層を生成すれ
ば、基板表面に生成される自然シリコン酸化膜を還元す
ることができ、自然シリコン酸化膜が界面に取り残され
ることによる接触抵抗の増大を防止することができる。
またIVＡ族の金属窒化物層により発熱抵抗体材料層を構
成する発熱抵抗体材料の半導体基板側への進入等を防止
することができ、これにより例えば発熱抵抗体材料層を
ＴａＡｌにより構成した場合のＡｌのスパイクを防止で
き、また発熱抵抗体材料層をＨｆＢ2 により構成した場
合の不純物の拡散を防止することができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、適宜図面を参照しながら本
発明の実施の形態を詳述する。
発明の実施の形態を詳述する。
【００１８】（１）第１の実施の形態 （１−１−１）第１の実施の形態の構成 図１は、サーマルヘッドの作成過程を示す断面図であ
る。この第１の実施の形態に係るプリンタにおいては、
このサーマルヘッド２１を用いて構成される。
る。この第１の実施の形態に係るプリンタにおいては、
このサーマルヘッド２１を用いて構成される。
【００１９】このサーマルヘッド２１は、始めに洗浄し
たＰ型シリコン基板２２にトランジスターを分離する素
子分離領域（ＬＯＣＯＳ：Local oxidation of silico
n）２３が形成される。ここでこの素子分離領域２３
は、Ｐ型シリコン基板２２上にシリコン窒化膜を椎積し
た後、リソグラフィー工程、リアクティブイオンエッチ
ング工程によりシリコン窒化膜を部分的に取り除いてパ
ターニングし、このパターンニングによるパターンを用
いて熱酸化処理することにより作成される。
たＰ型シリコン基板２２にトランジスターを分離する素
子分離領域（ＬＯＣＯＳ：Local oxidation of silico
n）２３が形成される。ここでこの素子分離領域２３
は、Ｐ型シリコン基板２２上にシリコン窒化膜を椎積し
た後、リソグラフィー工程、リアクティブイオンエッチ
ング工程によりシリコン窒化膜を部分的に取り除いてパ
ターニングし、このパターンニングによるパターンを用
いて熱酸化処理することにより作成される。
【００２０】続いてサーマルヘッド２１は、素子分離領
域２３間に残されたトランジスターの形成領域にゲート
酸化膜等が作成されてＭＯＳ型のスイッチングトランジ
スタ２４が形成される。このスイッチングトランジスタ
２４の作成工程では、ＣＶＤ法によりシリコン酸化膜を
所望の厚さまで堆積した後、エッチング法にてシリコン
酸化膜を部分的に除去してパターニングする。さらに洗
浄工程の後、このパターンニングによるパターンを用い
てゲート酸化膜を形成し、ソースドレイン領域を形成す
るためのイオン注入工程、熱処理工程を経てスイッチン
グトランジスタ２４が形成される。なおサーマルヘッド
２１は、このスイッチングトランジスタ２４に加えて、
スイッチングトランジスタ２４を駆動する集積回路も併
せてこの工程でＰ型シリコン基板２２上に作成される
（図１（Ａ））。
域２３間に残されたトランジスターの形成領域にゲート
酸化膜等が作成されてＭＯＳ型のスイッチングトランジ
スタ２４が形成される。このスイッチングトランジスタ
２４の作成工程では、ＣＶＤ法によりシリコン酸化膜を
所望の厚さまで堆積した後、エッチング法にてシリコン
酸化膜を部分的に除去してパターニングする。さらに洗
浄工程の後、このパターンニングによるパターンを用い
てゲート酸化膜を形成し、ソースドレイン領域を形成す
るためのイオン注入工程、熱処理工程を経てスイッチン
グトランジスタ２４が形成される。なおサーマルヘッド
２１は、このスイッチングトランジスタ２４に加えて、
スイッチングトランジスタ２４を駆動する集積回路も併
せてこの工程でＰ型シリコン基板２２上に作成される
（図１（Ａ））。
【００２１】続いてサーマルヘッド２１は、発熱素子２
５及び配線電極２６が作成される（図１（Ｂ））。ここ
で素子分離領域２３をその近傍領域と共に拡大して図２
に示すように（図１（Ｂ）において符号Ａによる示す範
囲）、この工程では、Ｐ型シリコン基板２２を希フッ酸
により洗浄した後、スパッタリング法によりIVＡ族の金
属であるＴｉ膜を膜厚１０〜２０〔nm〕により形成し、
続いてIVＡ族金属の窒化物であるＴｉＮ膜を膜厚５０〜
１００〔nm〕により形成する。さらに続いてＣＶＤ法に
よりポリシリコンを膜厚１５０〔ｎｍ〕により堆積す
る。さらにイオン注入法により、Ｐ又はＡｓをポリシリ
コン中に導入した後、８００〜１０００度により熱処理
してポリシリコン中のＰ又はＡｓを活性化させ、ポリシ
リコン層のシート抵抗値を０．２〜５ｋΩ／□に設定す
る。なおこの熱処理により下層のＴｉは、下地であるＰ
型シリコン基板２２の表面に形成された自然シリコン酸
化膜を還元し、その結果、界面に接触抵抗を安定化する
Ｔｉシリサイドが形成される。この工程では、さらにス
パッタリング法により、順次、膜厚５〔nm〕によるＴｉ
膜、膜厚５０〔nm〕によるＴｉＮ膜、膜厚４００〔nm〕
によるＡｌ−０．５％Ｃｕ膜を形成する。
５及び配線電極２６が作成される（図１（Ｂ））。ここ
で素子分離領域２３をその近傍領域と共に拡大して図２
に示すように（図１（Ｂ）において符号Ａによる示す範
囲）、この工程では、Ｐ型シリコン基板２２を希フッ酸
により洗浄した後、スパッタリング法によりIVＡ族の金
属であるＴｉ膜を膜厚１０〜２０〔nm〕により形成し、
続いてIVＡ族金属の窒化物であるＴｉＮ膜を膜厚５０〜
１００〔nm〕により形成する。さらに続いてＣＶＤ法に
よりポリシリコンを膜厚１５０〔ｎｍ〕により堆積す
る。さらにイオン注入法により、Ｐ又はＡｓをポリシリ
コン中に導入した後、８００〜１０００度により熱処理
してポリシリコン中のＰ又はＡｓを活性化させ、ポリシ
リコン層のシート抵抗値を０．２〜５ｋΩ／□に設定す
る。なおこの熱処理により下層のＴｉは、下地であるＰ
型シリコン基板２２の表面に形成された自然シリコン酸
化膜を還元し、その結果、界面に接触抵抗を安定化する
Ｔｉシリサイドが形成される。この工程では、さらにス
パッタリング法により、順次、膜厚５〔nm〕によるＴｉ
膜、膜厚５０〔nm〕によるＴｉＮ膜、膜厚４００〔nm〕
によるＡｌ−０．５％Ｃｕ膜を形成する。
【００２２】続いてこの工程では、フォトリソグラフィ
ー工程によりインク吐出部をパターニングし、このパタ
ーンニングによるＢＣｌ3 ／Ｃｌ2 ／Ａｒ系ガスを用い
たリアクティブイオンエッチング法により、順次、Ａｌ
−０．５％Ｃｕ膜、ＴｉＮ膜、Ｔｉ膜を部分的に除去す
る。これによりこの工程では、部分的にポリシリコンを
露出させ、インク吐出部を形成する。
ー工程によりインク吐出部をパターニングし、このパタ
ーンニングによるＢＣｌ3 ／Ｃｌ2 ／Ａｒ系ガスを用い
たリアクティブイオンエッチング法により、順次、Ａｌ
−０．５％Ｃｕ膜、ＴｉＮ膜、Ｔｉ膜を部分的に除去す
る。これによりこの工程では、部分的にポリシリコンを
露出させ、インク吐出部を形成する。
【００２３】さらにこの工程では、フォトリソグラフィ
ー工程によりパターニングし、このパターンによるＣ１
2 系ガスを用いたリアクティブイオンエッチング法によ
り、ポリシリコン、ＴｉＮ膜、Ｔｉ膜を部分的に除去す
る。これらによりこの工程では、図２に示すように、Ｐ
型シリコン基板２２側より、ＴｉによるIVＡ族金属層、
ＴｉＮによるIVＡ族金属窒化物層、ポリシリコンによる
発熱抵抗体材料層、ＴｉによるIVＡ族金属層、ＴｉＮに
よるIVＡ族金属窒化物層、Ａｌ−０．５％Ｃｕによる導
電層を順次積層してなる積層構造により配線電極２６を
形成する。また図３に示すように、Ｐ型シリコン基板２
２側より、ＴｉによるIVＡ族金属層、ＴｉＮによるIVＡ
族金属窒化物層、ポリシリコンによる発熱抵抗体材料層
を順次積層してなる積層構造により発熱素子２５を形成
する。
ー工程によりパターニングし、このパターンによるＣ１
2 系ガスを用いたリアクティブイオンエッチング法によ
り、ポリシリコン、ＴｉＮ膜、Ｔｉ膜を部分的に除去す
る。これらによりこの工程では、図２に示すように、Ｐ
型シリコン基板２２側より、ＴｉによるIVＡ族金属層、
ＴｉＮによるIVＡ族金属窒化物層、ポリシリコンによる
発熱抵抗体材料層、ＴｉによるIVＡ族金属層、ＴｉＮに
よるIVＡ族金属窒化物層、Ａｌ−０．５％Ｃｕによる導
電層を順次積層してなる積層構造により配線電極２６を
形成する。また図３に示すように、Ｐ型シリコン基板２
２側より、ＴｉによるIVＡ族金属層、ＴｉＮによるIVＡ
族金属窒化物層、ポリシリコンによる発熱抵抗体材料層
を順次積層してなる積層構造により発熱素子２５を形成
する。
【００２４】この工程では（図１（Ｃ））、続いてＳｉ
Ｏ2 、ＳｉＮ等の絶縁物が堆積されて絶縁層２７が作成
され、続いて発熱素子２５の上にＴａ膜が設けられて耐
キャビテーション層３２が作成される。さらに続いて例
えば炭素系樹脂によるドライフィルム２８、オリフィス
プレート２９が順次積層され、これらドライフィルム２
８、オリフィスプレート２９により、発熱素子２５の上
に、オリフィスプレート２９側に微小な吐出口であるオ
リフィス３０を有してなるインク液室３１、このインク
液室３１にインクを導く流路等が作成される。
Ｏ2 、ＳｉＮ等の絶縁物が堆積されて絶縁層２７が作成
され、続いて発熱素子２５の上にＴａ膜が設けられて耐
キャビテーション層３２が作成される。さらに続いて例
えば炭素系樹脂によるドライフィルム２８、オリフィス
プレート２９が順次積層され、これらドライフィルム２
８、オリフィスプレート２９により、発熱素子２５の上
に、オリフィスプレート２９側に微小な吐出口であるオ
リフィス３０を有してなるインク液室３１、このインク
液室３１にインクを導く流路等が作成される。
【００２５】サーマルヘッド２１は、このインク液室３
１にインクが導かれ、スイッチングトランジスタ２４の
スイッチング動作により発熱素子２５が発熱し、インク
を局所的に加熱する。サーマルヘッド２１は、この加熱
により、このインク液室３１の発熱素子２５側面に核気
泡が発生し、核気泡が合体して膜気泡となって成長す
る。サーマルヘッド２１は、この気泡による圧力の増大
により、オリフィス３０よりインクを押し出して印刷対
象に飛翔させる。これによりこの実施の形態に係るプリ
ンタにおいては、発熱素子２５の間欠的な加熱により、
順次インクを印刷対象に付着して所望の画像を作成する
ようになされている。
１にインクが導かれ、スイッチングトランジスタ２４の
スイッチング動作により発熱素子２５が発熱し、インク
を局所的に加熱する。サーマルヘッド２１は、この加熱
により、このインク液室３１の発熱素子２５側面に核気
泡が発生し、核気泡が合体して膜気泡となって成長す
る。サーマルヘッド２１は、この気泡による圧力の増大
により、オリフィス３０よりインクを押し出して印刷対
象に飛翔させる。これによりこの実施の形態に係るプリ
ンタにおいては、発熱素子２５の間欠的な加熱により、
順次インクを印刷対象に付着して所望の画像を作成する
ようになされている。
【００２６】（１−１）実施の形態の動作 以上の構成において、サーマルヘッド２１は、Ｐ型シリ
コン基板２２にスイッチングトランジスタ２４が作成さ
れた後（図１（Ａ））、発熱素子２５、配線電極２６が
同一工程により形成され（図１（Ｂ））、その後、絶縁
層２７、インク液室３１、流路等が作成される（図１
（Ｃ）。
コン基板２２にスイッチングトランジスタ２４が作成さ
れた後（図１（Ａ））、発熱素子２５、配線電極２６が
同一工程により形成され（図１（Ｂ））、その後、絶縁
層２７、インク液室３１、流路等が作成される（図１
（Ｃ）。
【００２７】サーマルヘッド２１では、この配線電極２
６が、Ｐ型シリコン基板２２側より、ＴｉによるIVＡ族
金属層、ＴｉＮによるIVＡ族金属窒化物層、ポリシリコ
ンによる発熱抵抗体材料層、ＴｉによるIVＡ族金属層、
ＴｉＮによるIVＡ族金属窒化物層、Ａｌ−０．５％Ｃｕ
による導電層を順次積層してなる積層構造により形成さ
れる。また発熱素子２５が、配線電極２６の積層構造か
ら上層側の金属層、金属窒化物層、導電層を取り除いて
なる、Ｐ型シリコン基板２２側からＴｉによるIVＡ族金
属層、ＴｉＮによるIVＡ族金属窒化物層、ポリシリコン
による発熱抵抗体材料層を順次積層してなる積層構造に
より作成される。
６が、Ｐ型シリコン基板２２側より、ＴｉによるIVＡ族
金属層、ＴｉＮによるIVＡ族金属窒化物層、ポリシリコ
ンによる発熱抵抗体材料層、ＴｉによるIVＡ族金属層、
ＴｉＮによるIVＡ族金属窒化物層、Ａｌ−０．５％Ｃｕ
による導電層を順次積層してなる積層構造により形成さ
れる。また発熱素子２５が、配線電極２６の積層構造か
ら上層側の金属層、金属窒化物層、導電層を取り除いて
なる、Ｐ型シリコン基板２２側からＴｉによるIVＡ族金
属層、ＴｉＮによるIVＡ族金属窒化物層、ポリシリコン
による発熱抵抗体材料層を順次積層してなる積層構造に
より作成される。
【００２８】ここでIVＡ族金属においては、図４に示す
ように、ＳｉＯ2 に比して生成熱が小さい特徴がある。
これによりこのようにＰ型シリコン基板２２側にＴｉに
よるIVＡ族金属層を形成した積層構造により配線電極２
６、発熱素子２５を作成した場合、Ｐ型シリコン基板２
２上に発生するシリコン酸化膜を作成過程における熱処
理により還元することができる。これによりこの実施の
形態では、自然シリコン酸化膜が界面に取り残されるこ
とによる接触抵抗の増大を防止することができる。
ように、ＳｉＯ2 に比して生成熱が小さい特徴がある。
これによりこのようにＰ型シリコン基板２２側にＴｉに
よるIVＡ族金属層を形成した積層構造により配線電極２
６、発熱素子２５を作成した場合、Ｐ型シリコン基板２
２上に発生するシリコン酸化膜を作成過程における熱処
理により還元することができる。これによりこの実施の
形態では、自然シリコン酸化膜が界面に取り残されるこ
とによる接触抵抗の増大を防止することができる。
【００２９】またこの実施の形態では、発熱抵抗体材料
にポリシリコンを適用したことにより、発熱抵抗体材料
の半導体基板側への進入を防止することができ、これに
より例えば発熱抵抗体材料層をＴａＡｌにより構成した
場合のＡｌのスパイクを防止でき、また発熱抵抗体材料
層をＨｆＢ2 により構成した場合の不純物の拡散を防止
することができる。
にポリシリコンを適用したことにより、発熱抵抗体材料
の半導体基板側への進入を防止することができ、これに
より例えば発熱抵抗体材料層をＴａＡｌにより構成した
場合のＡｌのスパイクを防止でき、また発熱抵抗体材料
層をＨｆＢ2 により構成した場合の不純物の拡散を防止
することができる。
【００３０】これらによりこの実施の形態に係るサーマ
ルヘッド２１においては、発熱抵抗体材料を集積回路の
配線電極に適用する場合の、スイッチングトランジスタ
におけるリーク電流の増大、接触抵抗の上昇等の問題を
解決することができる。
ルヘッド２１においては、発熱抵抗体材料を集積回路の
配線電極に適用する場合の、スイッチングトランジスタ
におけるリーク電流の増大、接触抵抗の上昇等の問題を
解決することができる。
【００３１】さらにこの実施の形態では、発熱抵抗体材
料層とIVＡ族金属層との間にＴｉＮによるIVＡ族金属窒
化物層が形成されていることにより、発熱抵抗体材料層
を構成するポリシリコンとIVＡ族金属層を構成するＴｉ
との反応が抑制され、発熱抵抗体材料層の抵抗値の変化
を防止することができる。
料層とIVＡ族金属層との間にＴｉＮによるIVＡ族金属窒
化物層が形成されていることにより、発熱抵抗体材料層
を構成するポリシリコンとIVＡ族金属層を構成するＴｉ
との反応が抑制され、発熱抵抗体材料層の抵抗値の変化
を防止することができる。
【００３２】また発熱抵抗体材料層の上層側において
も、金属層、金属窒化物層を介して導電層が配置されて
いることにより、導電層を構成するＡｌのポリシリコン
への進入を防止することができ、これにより配線電極の
劣化を防止することができる。
も、金属層、金属窒化物層を介して導電層が配置されて
いることにより、導電層を構成するＡｌのポリシリコン
への進入を防止することができ、これにより配線電極の
劣化を防止することができる。
【００３３】（１−３）第１の実施の形態の効果 以上の構成によれば、トランジスタ等を形成した半導体
基板上に、IVＡ族の金属層、IVＡ族の金属窒化物層、発
熱抵抗体材料層を順次積層して発熱素子、配線電極を形
成することにより、発熱抵抗体材料を集積回路の配線電
極に適用する場合の各種問題を解決して、簡易な工程に
より同一シリコン基板上に発熱素子と駆動集積回路とを
形成することができる。
基板上に、IVＡ族の金属層、IVＡ族の金属窒化物層、発
熱抵抗体材料層を順次積層して発熱素子、配線電極を形
成することにより、発熱抵抗体材料を集積回路の配線電
極に適用する場合の各種問題を解決して、簡易な工程に
より同一シリコン基板上に発熱素子と駆動集積回路とを
形成することができる。
【００３４】また発熱抵抗体材料層の上層に、さらにIV
Ａ族の金属層、IVＡ族の金属窒化物層を順次積層した
後、導電層を形成して配線電極を形成することにより、
この導電層と発熱抵抗体材料層との反応を防止すること
ができ、配線電極の劣化を防止することができる。
Ａ族の金属層、IVＡ族の金属窒化物層を順次積層した
後、導電層を形成して配線電極を形成することにより、
この導電層と発熱抵抗体材料層との反応を防止すること
ができ、配線電極の劣化を防止することができる。
【００３５】（２）第２の実施の形態 図５は、図１（Ｃ）及び図３との対比により本発明の第
２の実施の形態に係るプリンタに適用されるサーマルヘ
ッドを示す断面図である。この実施の形態では、ポリシ
リコンに代えてＴａＡｌが発熱抵抗体材料層に適用され
る。
２の実施の形態に係るプリンタに適用されるサーマルヘ
ッドを示す断面図である。この実施の形態では、ポリシ
リコンに代えてＴａＡｌが発熱抵抗体材料層に適用され
る。
【００３６】すなわちこのサーマルヘッド４１は、第１
の実施の形態について上述したと同様にして素子分離領
域２３が形成され、さらにＭＯＳ型トランジスタ２４が
形成される。
の実施の形態について上述したと同様にして素子分離領
域２３が形成され、さらにＭＯＳ型トランジスタ２４が
形成される。
【００３７】その後このサーマルヘッド４１は、希フッ
酸により洗浄された後、スパッタリング法によりIVＡ族
の金属であるＴｉ膜が膜厚１０〜２０〔nm〕により形成
され、続いてIVＡ族金属の窒化物であるＴｉＮ膜が膜厚
５０〔nm〕により形成される。さらに続いてスパッタリ
ングによりＴａＡｌを膜厚１００〜１５０〔ｎｍ〕によ
り堆積した後、６００〜７００度により熱処理により、
下地シリコン半導体拡散層（ソース、ドレイン）の表面
に形成された自然シリコン酸化膜をＴｉ膜により還元し
て取り除く。なおこれによりこの下地シリコン半導体拡
散層との界面にはＴｉシリサイドが形成される。
酸により洗浄された後、スパッタリング法によりIVＡ族
の金属であるＴｉ膜が膜厚１０〜２０〔nm〕により形成
され、続いてIVＡ族金属の窒化物であるＴｉＮ膜が膜厚
５０〔nm〕により形成される。さらに続いてスパッタリ
ングによりＴａＡｌを膜厚１００〜１５０〔ｎｍ〕によ
り堆積した後、６００〜７００度により熱処理により、
下地シリコン半導体拡散層（ソース、ドレイン）の表面
に形成された自然シリコン酸化膜をＴｉ膜により還元し
て取り除く。なおこれによりこの下地シリコン半導体拡
散層との界面にはＴｉシリサイドが形成される。
【００３８】続いてこの工程では、さらにスパッタリン
グ法により、順次、膜厚５〔nm〕によるＴｉ膜、膜厚５
０〔nm〕によるＴｉＮ膜、膜厚４００〔nm〕によるＡｌ
−０．５％Ｃｕ膜を形成する。
グ法により、順次、膜厚５〔nm〕によるＴｉ膜、膜厚５
０〔nm〕によるＴｉＮ膜、膜厚４００〔nm〕によるＡｌ
−０．５％Ｃｕ膜を形成する。
【００３９】続いてこの工程では、フォトリソグラフィ
ー工程によりインク吐出部をパターニングし、このパタ
ーンニングによるＢＣｌ3 ／Ｃｌ2 ／Ａｒ系ガスを用い
たリアクティブイオンエッチング法により、順次、Ａｌ
−０．５％Ｃｕ膜、ＴｉＮ膜、Ｔｉ膜を部分的に除去す
る。これによりこの工程では、局所的にＴａＡｌ膜を露
出させ、インク吐出部を形成する。
ー工程によりインク吐出部をパターニングし、このパタ
ーンニングによるＢＣｌ3 ／Ｃｌ2 ／Ａｒ系ガスを用い
たリアクティブイオンエッチング法により、順次、Ａｌ
−０．５％Ｃｕ膜、ＴｉＮ膜、Ｔｉ膜を部分的に除去す
る。これによりこの工程では、局所的にＴａＡｌ膜を露
出させ、インク吐出部を形成する。
【００４０】さらにこの工程では、フォトリソグラフィ
ー工程によりパターニングし、このパターンによるＢＣ
ｌ3 ／Ｃｌ2 ／Ａｒ系ガスを用いたエッチングにより、
ＴａＡｌ膜、ＴｉＮ膜、Ｔｉ膜を部分的に除去する。こ
れらによりこの工程では、Ｐ型シリコン基板２２側よ
り、ＴｉによるIVＡ族金属層、ＴｉＮによるIVＡ族金属
窒化物層、ＴａＡｌによる発熱抵抗体材料層、Ｔｉによ
るIVＡ族金属層、ＴｉＮによるIVＡ族金属窒化物層、Ａ
ｌ−０．５％Ｃｕによる導電層を順次積層してなる積層
構造により配線電極４６を形成する。またＰ型シリコン
基板２２側より、ＴｉによるIVＡ族金属層、ＴｉＮによ
るIVＡ族金属窒化物層、ＴａＡｌによる発熱抵抗体材料
層を順次積層してなる積層構造により発熱素子４５を形
成する。
ー工程によりパターニングし、このパターンによるＢＣ
ｌ3 ／Ｃｌ2 ／Ａｒ系ガスを用いたエッチングにより、
ＴａＡｌ膜、ＴｉＮ膜、Ｔｉ膜を部分的に除去する。こ
れらによりこの工程では、Ｐ型シリコン基板２２側よ
り、ＴｉによるIVＡ族金属層、ＴｉＮによるIVＡ族金属
窒化物層、ＴａＡｌによる発熱抵抗体材料層、Ｔｉによ
るIVＡ族金属層、ＴｉＮによるIVＡ族金属窒化物層、Ａ
ｌ−０．５％Ｃｕによる導電層を順次積層してなる積層
構造により配線電極４６を形成する。またＰ型シリコン
基板２２側より、ＴｉによるIVＡ族金属層、ＴｉＮによ
るIVＡ族金属窒化物層、ＴａＡｌによる発熱抵抗体材料
層を順次積層してなる積層構造により発熱素子４５を形
成する。
【００４１】これによりこのサーマルヘッド４１では、
Ｐ型シリコン基板２２上に発生するシリコン酸化膜をＴ
ｉ膜により還元して、自然シリコン酸化膜が界面に取り
残されることによる接触抵抗の増大を防止することがで
きる。
Ｐ型シリコン基板２２上に発生するシリコン酸化膜をＴ
ｉ膜により還元して、自然シリコン酸化膜が界面に取り
残されることによる接触抵抗の増大を防止することがで
きる。
【００４２】また、発熱抵抗体材料であるＴａＡｌから
半導体基板側へのＡｌの進入をＴｉＮ層により防止する
ことができ、このＡｌの進入によるスパイクを防止する
ことができる。
半導体基板側へのＡｌの進入をＴｉＮ層により防止する
ことができ、このＡｌの進入によるスパイクを防止する
ことができる。
【００４３】これらによりこの実施の形態に係るサーマ
ルヘッド２１においては、発熱抵抗体材料を集積回路の
配線電極に適用する場合の、スイッチングトランジスタ
におけるリーク電流の増大、接触抵抗の上昇等の問題を
解決することができる。
ルヘッド２１においては、発熱抵抗体材料を集積回路の
配線電極に適用する場合の、スイッチングトランジスタ
におけるリーク電流の増大、接触抵抗の上昇等の問題を
解決することができる。
【００４４】また発熱抵抗体材料層の上層側において
も、金属層、金属窒化物層を介して導電層が配置されて
いることにより、導電層を構成するＡｌと発熱抵抗体材
料との反応を防止することができ、これにより配線電
極、発熱抵抗体材料層の劣化を防止することができる。
も、金属層、金属窒化物層を介して導電層が配置されて
いることにより、導電層を構成するＡｌと発熱抵抗体材
料との反応を防止することができ、これにより配線電
極、発熱抵抗体材料層の劣化を防止することができる。
【００４５】この工程では、続いてＳｉＯ2 、ＳｉＮ等
の絶縁物による絶縁層２７、Ｔａ膜による耐キャビテー
ション層３２、インク液室３１、このインク液室３１に
インクを導く流路等が作成される。
の絶縁物による絶縁層２７、Ｔａ膜による耐キャビテー
ション層３２、インク液室３１、このインク液室３１に
インクを導く流路等が作成される。
【００４６】図５に示す構成によれば、発熱抵抗体材料
層をＴａＡｌにより構成しても、半導体基板上に、IVＡ
族の金属層、IVＡ族の金属窒化物層、発熱抵抗体材料層
を順次積層して発熱素子、配線電極を形成することによ
り、第１の実施の形態と同様の効果を得ることができ
る。
層をＴａＡｌにより構成しても、半導体基板上に、IVＡ
族の金属層、IVＡ族の金属窒化物層、発熱抵抗体材料層
を順次積層して発熱素子、配線電極を形成することによ
り、第１の実施の形態と同様の効果を得ることができ
る。
【００４７】（３）他の実施の形態 なお上述の実施の形態においては、Ｔｉを用いて金属
層、金属窒化物層を作成する場合について述べたが、本
発明はこれに限らず、他のIVＡ族元素であるＺｒ、Ｈｆ
を用いて金属層、金属窒化物層を作成しても、上述の実
施の形態と同様の効果を得ることができる。
層、金属窒化物層を作成する場合について述べたが、本
発明はこれに限らず、他のIVＡ族元素であるＺｒ、Ｈｆ
を用いて金属層、金属窒化物層を作成しても、上述の実
施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００４８】また上述の実施の形態においては、配線電
極において、発熱抵抗体材料層の上層側にも金属層、金
属窒化物層を作成する場合について述べたが、本発明は
これに限らず、例えば金等の安定な材料により導電層を
形成する場合には、これら上層側の金属層、金属窒化物
層を省略してもよい。
極において、発熱抵抗体材料層の上層側にも金属層、金
属窒化物層を作成する場合について述べたが、本発明は
これに限らず、例えば金等の安定な材料により導電層を
形成する場合には、これら上層側の金属層、金属窒化物
層を省略してもよい。
【００４９】また上述の実施の形態においては、発熱抵
抗体材料としてポリシリコン、ＴａＡｌを、導電層材料
としてＡｌ−０．５％Ｃｕを適用する場合について述べ
たが、本発明はこれに限らず、これら発熱抵抗体材料、
導電層材料は必要に応じて種々の材料を広く適用するこ
とができる。
抗体材料としてポリシリコン、ＴａＡｌを、導電層材料
としてＡｌ−０．５％Ｃｕを適用する場合について述べ
たが、本発明はこれに限らず、これら発熱抵抗体材料、
導電層材料は必要に応じて種々の材料を広く適用するこ
とができる。
【００５０】また上述の実施の形態においては、インク
を局所的に加熱して印刷する構成のサーマルヘッドに本
発明を適用する場合について述べたが、本発明はこれに
限らず、例えば感熱型のサーマルヘッド等、発熱素子の
駆動により印刷する種々のプリンタ用ヘッド、さらには
これらのプリンタ用ヘッドを使用したプリンタに広く適
用することができる。
を局所的に加熱して印刷する構成のサーマルヘッドに本
発明を適用する場合について述べたが、本発明はこれに
限らず、例えば感熱型のサーマルヘッド等、発熱素子の
駆動により印刷する種々のプリンタ用ヘッド、さらには
これらのプリンタ用ヘッドを使用したプリンタに広く適
用することができる。
【００５１】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、トランジ
スタ等を形成した半導体基板上に、IVＡ族の金属層、IV
Ａ族の金属窒化物層、発熱抵抗体材料層を順次積層して
発熱素子、配線電極を形成することにより、発熱抵抗体
材料を集積回路の配線電極に適用する場合の各種問題を
解決して、簡易な工程により同一シリコン基板上に発熱
素子と駆動集積回路とを形成することができる。
スタ等を形成した半導体基板上に、IVＡ族の金属層、IV
Ａ族の金属窒化物層、発熱抵抗体材料層を順次積層して
発熱素子、配線電極を形成することにより、発熱抵抗体
材料を集積回路の配線電極に適用する場合の各種問題を
解決して、簡易な工程により同一シリコン基板上に発熱
素子と駆動集積回路とを形成することができる。
【図１】本発明の第１の実施の形態に係るサーマルヘッ
ドを示す断面図である。
ドを示す断面図である。
【図２】図１のサーマルヘッドのトランジスタを部分的
に拡大して示す断面図である。
に拡大して示す断面図である。
【図３】図１のサーマルヘッドの発熱素子の部分を部分
的に拡大して示す断面図である。
的に拡大して示す断面図である。
【図４】各種材料の生成熱を示す特性曲線図である。
【図５】本発明の第２の実施の形態に係るサーマルヘッ
ドを示す断面図である。
ドを示す断面図である。
【図６】従来のサーマルヘッドのトランジスタを部分的
に拡大して示す断面図である。
に拡大して示す断面図である。
２１、４１……サーマルヘッド、２２……Ｐ型シリコン
基板、２３……素子分離領域、２４……スイッチングト
ランジスタ、２５、４５……発熱素子、２６、４６……
配線電極
基板、２３……素子分離領域、２４……スイッチングト
ランジスタ、２５、４５……発熱素子、２６、４６……
配線電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2C057 AF35 AF36 AF66 AF67 AG46 AG83 AG91 BA03 BA13 2C065 JA11 JA13 JA15 5F033 HH04 HH09 HH10 HH17 HH18 HH32 HH33 JJ04 JJ09 JJ10 JJ17 JJ18 JJ32 JJ33 KK26 KK27 MM08 VV09 XX30
Claims (4)
- 【請求項１】半導体基板上に発熱素子と前記発熱素子を
駆動するトランジスタとを形成し、前記発熱素子の発熱
により印刷対象を印刷するプリンタにおいて、 前記トランジスタを形成した半導体基板に、IVＡ族の金
属層、IVＡ族の金属窒化物層、発熱抵抗体材料層を順次
積層して前記発熱素子を形成し、 前記IVＡ族の金属層、前記IVＡ族の金属窒化物層、前記
発熱抵抗体材料層の上層に、導電層を形成して前記発熱
素子及び前記トランジスタを接続する配線電極を形成す
ることを特徴とするプリンタ。 - 【請求項２】前記発熱抵抗体材料層の上層に、さらにIV
Ａ族の金属層、IVＡ族の金属窒化物層を順次積層した
後、前記導電層を形成して前記配線電極を形成すること
を特徴とする請求項１に記載のプリンタ。 - 【請求項３】半導体基板上に発熱素子と前記発熱素子を
駆動するトランジスタとを形成し、前記発熱素子の発熱
により印刷対象を印刷するプリンタ用ヘッドにおいて、 前記トランジスタを形成した半導体基板に、IVＡ族の金
属層、IVＡ族の金属窒化物層、発熱抵抗体材料層を順次
積層して前記発熱素子を形成し、 前記IVＡ族の金属層、前記IVＡ族の金属窒化物層、前記
発熱抵抗体材料層の上層に、導電層を形成して前記発熱
素子及び前記トランジスタを接続する配線電極を形成す
ることを特徴とするプリンタ用ヘッド。 - 【請求項４】前記発熱抵抗体材料層の上層に、さらにIV
Ａ族の金属層、IVＡ族の金属窒化物層を順次積層した
後、前記導電層を形成して前記配線電極を形成すること
を特徴とする請求項３に記載のプリンタ用ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000027240A JP2001212995A (ja) | 2000-01-31 | 2000-01-31 | プリンタ及びプリンタ用ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000027240A JP2001212995A (ja) | 2000-01-31 | 2000-01-31 | プリンタ及びプリンタ用ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001212995A true JP2001212995A (ja) | 2001-08-07 |
Family
ID=18552835
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000027240A Pending JP2001212995A (ja) | 2000-01-31 | 2000-01-31 | プリンタ及びプリンタ用ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001212995A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7293857B2 (en) | 2004-01-29 | 2007-11-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Inkjet printhead and method of manufacturing the same |
| KR101333750B1 (ko) | 2005-06-30 | 2013-11-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 미소 구조체, 마이크로 머신, 유기 트랜지스터, 전자 기기및 그 제조 방법 |
| US9908327B2 (en) | 2014-04-23 | 2018-03-06 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Printhead assembly |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH0768759A (ja) * | 1990-04-02 | 1995-03-14 | Lexmark Internatl Inc | サーマル式インクジェットプリントヘッド及びその製造方法 |
| JPH07195682A (ja) * | 1993-11-26 | 1995-08-01 | Sony Corp | インクジエツトプリントヘツド、インクジエツトプリンタ及びインクジエツトプリントヘツド製造方法 |
| JPH11204747A (ja) * | 1997-10-28 | 1999-07-30 | Fujitsu Ltd | 強誘電体メモリ装置とその駆動方法 |
-
2000
- 2000-01-31 JP JP2000027240A patent/JP2001212995A/ja active Pending
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