WO2001078632A1 - Laser a usage therapeutique - Google Patents

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WO2001078632A1
WO2001078632A1 PCT/JP2001/003037 JP0103037W WO0178632A1 WO 2001078632 A1 WO2001078632 A1 WO 2001078632A1 JP 0103037 W JP0103037 W JP 0103037W WO 0178632 A1 WO0178632 A1 WO 0178632A1
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laser
treatment
wavelength
light
irradiation
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PCT/JP2001/003037
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Inventor
Soichi Owa
Tomoko Ohtsuki
Original Assignee
Nikon Corporation
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Definitions

  • the present invention relates to a treatment apparatus using laser light, and more particularly, to abrasion of the surface by irradiating the cornea with laser light (PRK: Photorefractive Keratectomy) or abrasion inside the incised cornea (LASIK: Laser Intrastromal). Keratomileusis), a laser treatment device suitable for correcting curvature or irregularities of the cornea and performing treatments such as myopia and astigmatism.
  • PRK Photorefractive Keratectomy
  • LASIK Laser Intrastromal
  • Keratomileusis a laser treatment device suitable for correcting curvature or irregularities of the cornea and performing treatments such as myopia and astigmatism.
  • Laser light has been used in various applications in recent years. For example, it is used for cutting and processing metals, photolithography in semiconductor manufacturing equipment, used as a light source for equipment, used for various measurement equipment, and used in surgical equipment. It is often used in surgery and treatment equipment such as ophthalmology and dentistry. Particularly recently, laser light is applied to the cornea to perform abrasion (PRK) on the surface of the cornea or abrasion (LASIK) inside the incised cornea to correct the curvature and unevenness of the cornea to treat myopia, hyperopia, and astigmatism.
  • PRK abrasion
  • LASIK abrasion
  • a corneal treatment device there is known a device that irradiates the cornea with an ArF excimer laser beam (wavelength: 193 nm) to perform abrasion (sharpening) of the corneal surface (for example, Japanese Patent No. 2809959, Japanese Patent Publication No. 7-121628, Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-220189, etc.).
  • the application of the corneal surface using the A r F excimer laser light is as follows:
  • the method utilizes the fact that peptides can be decomposed, and irradiates laser light to the corneal surface to decompose and evaporate the peptides, thereby performing surface abrasion.
  • the absorption spectrum of DNA tends to be larger at shorter wavelengths in the ultraviolet region, the effective mutagenicity depends on the amount of light that penetrates the cytoplasm to reach the nucleus and the nucleus. Determined by absorption, the mutagenicity is maximal at wavelengths between 240 and 280 nm, and is lower at shorter and longer wavelengths.
  • the light absorption in the cytoplasm increases rapidly as the wavelength becomes shorter, so that the light reaching the nucleus decreases sharply as the wavelength becomes shorter, and the light reaching the nucleus decreases at 193 nm. It becomes almost 0.
  • the ArF excimer laser oscillating device is configured by enclosing an argon gas, a fluorine gas, a neon gas, or the like in a chamber, and it is necessary to seal these gases.
  • the ArF excimer laser oscillation device also has a problem that it is necessary to periodically exchange the internal gas or perform overhaul in order to maintain a predetermined laser light generation performance. Disclosure of the invention
  • the present invention has been made in view of such a problem, and an object of the present invention is to provide a laser treatment apparatus using a solid-state laser apparatus that is easy to maintain and has a small and lightweight configuration.
  • the present invention provides a laser light generator having a solid-state laser that generates laser light of a predetermined wavelength, an optical amplifier that amplifies the laser light generated by the laser light generator, and an optical amplifier.
  • a laser device comprising a wavelength converter that converts the laser light amplified by the above into a therapeutic laser light having a wavelength of approximately 193 nm using a nonlinear optical crystal, and a laser device generated by the laser device.
  • an irradiation optical device for guiding the irradiated treatment laser beam to the treatment site and irradiating the treatment laser beam.
  • the laser treatment device of the present invention is suitable for use in treating a cornea.
  • the laser treatment apparatus having such a configuration is configured using a laser light generator having a solid-state laser, it does not need to be as large as a gas laser such as an excimer laser. It has a feature that it can be made small and light in weight, does not need to exchange gas regularly as in an excimer laser device, and can maintain the expected performance for a long time without overhaul. Low maintenance and easy maintenance It is. Furthermore, the operation control of the laser light generator is easy, and the control of the irradiation position and the irradiation intensity of the laser light are also easy.
  • the corneal curvature and unevenness can be effectively corrected by the transpiration through the material bond cutting.
  • the occurrence of heat transpiration is low, the transparency of the cornea after treatment can be ensured, and the wavelength is about 193 nm, so that intracellular DNA is not damaged.
  • the solid-state laser is used for 1.5 1! It is composed of a DF semiconductor laser, semiconductor laser, or fiber laser having an oscillation wavelength within the range of ⁇ 1.59 / m. It is preferable to convert to the 8th harmonic within the range of 111 to 1991111. With this, a laser beam having a very high frequency can be applied to the treatment site, and the laser beam can be used to cut the material bond at the treatment site with high efficiency, thereby performing a treatment with less heat evaporation.
  • the laser treatment apparatus of the present invention it is desirable to provide a treatment site observation device capable of observing the state of irradiation of the treatment laser beam onto the treatment site. This allows accurate laser irradiation control while observing the treatment site. Further, it is preferable to provide an irradiation control device for controlling a state of irradiation of the treatment laser beam to the treatment site by the irradiation optical device.
  • the irradiation optical device may be configured to irradiate the treatment laser beam as spot light to the treatment region, and the irradiation control device may be configured to scan the treatment region with the spot light. it can.
  • the irradiation laser device is configured to irradiate the treatment laser beam over a predetermined range of the treatment site, and the irradiation control device is disposed between the treatment site and the irradiation optical device and used for treatment. Laser light The irradiation area for the treatment site may be variably adjusted.
  • the irradiation optical device is configured to irradiate the treatment laser beam over a predetermined range of the treatment site, and the irradiation control device is disposed between the treatment site and the irradiation optical device to be used for treatment.
  • the irradiation intensity of the laser beam to the treatment site may be modulated and adjusted.
  • a shape measuring device for measuring the shape of the treatment site is provided, and irradiation control of the treatment laser light by the irradiation control device is performed based on the shape of the treatment site measured by the shape measuring device.
  • treatments such as myopia, hyperopia, and astigmatism can be accurately treated according to the degree.
  • the laser device may be provided with an intensity adjuster for adjusting the intensity of the therapeutic laser light generated from the laser device.
  • a laser beam intensity measuring device for measuring the intensity of the therapeutic laser beam generated from the laser device, and a laser beam for calibrating the intensity of the therapeutic laser beam measured by the laser beam intensity measuring device to a predetermined intensity.
  • An intensity calibrator may be provided.
  • pulsed light is used as the treatment laser light generated by the laser device, and the pulse width of the pulsed light at this time is preferably 0.5 ns to 3 ns. Further, it is preferable that the repetition frequency is 10 kHz to 100 kHz.
  • FIG. 1 is a front view showing the overall configuration of a laser treatment apparatus according to the present invention.
  • FIG. 2 is an explanatory diagram showing an internal configuration of a laser device constituting the laser treatment device.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view showing a configuration of a double clad fiber used in a third-stage fiber-optic amplifier constituting the laser device.
  • FIG. 4 is a side view showing an output end shape of a third-stage fiber-optic amplifier constituting the laser device.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view showing the shape of the output end of a third-stage fiber-optic amplifier constituting the laser device.
  • FIG. 6 is an explanatory diagram showing the internal configuration of a laser device constituting the above laser treatment device in a different embodiment.
  • FIG. 7 is an explanatory diagram showing a first embodiment of a wavelength conversion section constituting the laser treatment apparatus.
  • FIG. 8 is an explanatory view showing a second embodiment of the wavelength conversion section constituting the laser treatment apparatus.
  • FIG. 9 is an explanatory view showing a third embodiment of the wavelength conversion section constituting the laser treatment apparatus.
  • FIG. 10 is an explanatory diagram showing a configuration of a first embodiment of an irradiation optical device and an observation optical device that constitute the laser treatment apparatus.
  • FIG. 11 is an explanatory diagram showing a configuration of a second embodiment of the irradiation optical device and the observation optical device that constitute the laser treatment device.
  • FIG. 12 is an explanatory view showing a surface shape of a cornea to be treated by the laser treatment apparatus according to the present invention.
  • FIG. 13 is an explanatory diagram showing a configuration of a third embodiment of the irradiation optical device and the observation optical device that constitute the laser treatment device.
  • FIG. 14 is an explanatory diagram showing the structure around the filter and the filter performance of the irradiation optical device according to the third embodiment.
  • BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings, but the description of these embodiments does not limit the contents of the present invention.
  • FIG. 1 shows an overall configuration example of a laser treatment apparatus according to the present invention.
  • the laser treatment apparatus basically includes a laser apparatus 10 inside the apparatus housing 1.
  • An irradiation optical device 60 for guiding and irradiating the surface (treatment site) of the cornea HC of the eyeball EY with the laser light generated from the eyeball EY, and an observation optical device 80 for observing the treatment site.
  • the base 2 of the device housing 1 is disposed on the XY moving table 3, and the entire device housing 1 is moved by the XY moving table 3 in the direction of the arrow X in FIG. And in the Y direction perpendicular to the paper.
  • the laser device 10 includes a laser light generator 11 for generating laser light, a fiber-optical amplifier 20 for amplifying the laser light generated from the laser light generator 11, and a fiber-optical amplifier 2 And a wavelength converter 40 for converting the laser light amplified at 0 to laser light having a wavelength of about 193 nm.
  • the laser light generating section 11 has a laser 12 oscillating at a desired wavelength.
  • the laser 12 is, for example, an oscillation wavelength of 1.544 zm, which is obtained by pulse driving an InGaAsP or DFB semiconductor laser. Be composed.
  • the oscillation wavelength of laser light for example, when a DFB semiconductor laser is used as a laser, this can be achieved by controlling the temperature of the DFB semiconductor laser.
  • the output wavelength can be controlled or the output wavelength can be finely adjusted.
  • a DFB semiconductor laser or the like is provided on a heat sink, and these are housed in a housing. Therefore, in this example, the temperature adjustment provided on the heat sink attached to the oscillation laser (DFB semiconductor laser, etc.)
  • the oscillation wavelength is adjusted by controlling the temperature using a device (for example, a Peltier element).
  • a device for example, a Peltier element.
  • the temperature of a DFB semiconductor laser or the like can be controlled in units of 0.001 ° C.
  • the oscillation wavelength of the DFB semiconductor laser has a temperature dependence of about 0.1 nm / ° C. For example, if the temperature of the DFB semiconductor laser is changed by 1 ° C, the wavelength of the fundamental wave (wavelength: 1544 nm) changes by 0.1 nm, so that the wavelength of the 8th harmonic wave (wavelength: 193 nm) becomes 0 °. 0125 ⁇ m will change.
  • the oscillation wavelength of the DFB semiconductor laser is used as one monitor wavelength of the feedback control when controlling the oscillation wavelength to a predetermined wavelength.
  • the semiconductor laser 12 is provided with a pulse control means 13 for performing a pulse oscillation by controlling the current.
  • the pulse width of the generated pulse light can be controlled in the range of 0.5 ns to 3 ns, and the repetition frequency can be controlled in the range of 100 kHz or less (for example, in the range of 10 kHz to 100 kHz).
  • pulse light having a pulse width of l ns and a repetition frequency of 100 kHz is generated by the pulse control means 13.
  • the pulse laser light output obtained in this way is guided to the fiber-optical amplifier section 20 through the optical isolator 14, and is amplified in the fiber-optical amplifier section 20.
  • the fiber-optical amplifier 20 first, amplification is performed by the first-stage fiber-optical amplifier 21.
  • This first-stage fiber optical amplifier 21 is composed of an erbium (Er) 'doped' fiber optical amplifier (EDFA), and the output from the pumping semiconductor laser 21a is wavelength-division multiplexed (Wavelength). Division Multiplexei ': WDM)
  • the doped fiber is excited through 21b, and the first-stage fiber optical amplifier 21 amplifies the light.
  • the output of the first-stage fiber-optic amplifier 21 passes through the narrow-band filter 22a and the optical isolator 22b and is guided to the optical splitter 23.
  • ⁇ 3 are divided in parallel into four outputs.
  • a second-stage fiber-optic amplifier 25 is connected to each of these four divided channels.
  • FIG. 2 shows only one channel as a representative.
  • the narrow-band filter 22 a cuts the ASE light generated by the fiber-optic amplifier 21 and transmits the output wavelength of the DFB semiconductor laser 12 (the wavelength width is about 1 pm or less). This is to substantially narrow the wavelength width of transmitted light. As a result, it is possible to prevent the ASE light from being incident on the subsequent fiber-optic amplifier and reducing the amplification gain of the laser light.
  • the transmission wavelength width of the narrow band filter is about 1 pm, but since the wavelength width of the ASE light is about several + nm, the transmission wavelength width obtained at present is about 100 pm. ASE light can be cut to such an extent that there is no practical problem even if a narrow-band filter is used.
  • the narrow-band filter When the output wavelength of the DFB semiconductor laser 12 is positively changed, the narrow-band filter may be replaced in accordance with the output wavelength.
  • the variable width of the output wavelength It is preferable to use a narrow-band filter having a transmission wavelength width (about the same as or more than the variable width) according to ( ⁇ 20 pm).
  • a DFB semiconductor laser was used as the laser
  • a flat waveguide type splitter was used as the branching element of the optical branching unit.
  • an erbium (Er) -doped fiber laser can produce the same effect.
  • the branching element of the optical branching means may be any element that branches light in parallel, as in the case of a flat waveguide splitter. The same effect can be obtained even in a reverse split or a beam split using a partially transmitting mirror.
  • the second-stage fiber-optic amplifier 25 also consists of an erbium (E ⁇ ) -doped fiber optical amplifier (EDFA), and the output from the pumping semiconductor laser 25a is equal to the WDM 25b.
  • the doped fiber is pumped, and the second-stage fiber-optical amplifier 25 performs optical amplification.
  • the output of the second-stage fiber-optic amplifier 25 is guided to the third-stage fiber-optic amplifier 30 through a narrow-band filter 26 a and an optical isolator 26 b.
  • the third-stage fiber-optical amplifier 30 is a device for performing optical amplification in the final stage and is a high-beak-output optical amplifier. For this reason, in order to avoid an increase in the spectrum width of the amplified light due to the non-linear effect in the fiber, the fiber mode diameter is wider than that used in normal communication (5 to 6 m). For example, it is desirable to use a large-mode fiber-optic amplifier of 15 to 25 zm.
  • a large-diameter fiber 35 instead of a large-mode fiber 35 is used instead of a double-cloud fiber having a double structure.
  • One 38 may be used.
  • Fig. 3 shows an example of a cross-sectional view of the fiber 38.
  • ions contributing to the amplification of the laser beam are doped in the core 38a, and the amplified laser beam (signal) propagates in the core.
  • a semiconductor laser for excitation is coupled to the first cladding 38 b surrounding the core.
  • the first clad 38b is multimode and has a large cross-sectional area, which facilitates the transmission of high-power pumping semiconductor laser light, efficiently couples a multimode oscillation semiconductor laser, and uses a pumping light source. It can be used efficiently.
  • a second clad 38c for forming a waveguide of the first clad is formed on the outer periphery of the first clad 38b.
  • the laser light amplified by the third-stage fiber optical amplifier 30 using the large-mode diameter fiber enters the wavelength conversion unit 40, where the wavelength is about 193 nm, which is the same as the wavelength of the excimer laser light.
  • the laser light (signal) to be amplified which propagates through this large-mode diameter fiber is desirably mainly in the fundamental mode, which is a single mode or a mode. In a low-order multimode fiber, this can be achieved mainly by selectively exciting the basic mode. The effect of the return light is reduced by the isolator 26 b provided on the input side of the large mode diameter fiber-optical amplifier 30.
  • a third-stage fiber optical amplifier 30 between the two-stage fiber single optical amplifier 25 with a standard mode diameter and the large mode diameter (third stage) fiber single optical amplifier 30 A narrow band filter 26a is provided to remove ASE light.
  • connection between the fiber-optic amplifier 25 at the preceding stage having a standard mode diameter and the fiber-optic amplifier 30 at the final stage having the above-mentioned mode diameter is large using a fiber whose mode diameter increases in a tapered shape. Do it.
  • Ishige fiber or silicate fiber can be used as an optical fiber for the above-mentioned fiber-optical amplifiers 21, 25, and 30, Ishige fiber or silicate fiber can be used.
  • a fluoride fiber such as ZBLAN fiber is used. It may be.
  • the erbium-doping concentration can be increased as compared with quartz or silicate-based fibers, thereby shortening the length of the fiber required for amplification.
  • This fluoride-based fiber is preferably applied to the last-stage fiber-optic optical amplifier 30. Due to the shortened length of the fiber, light scattering due to non-linear effects during fiber propagation of pulsed light (for example, Stimulated Raman Scattering) can be suppressed, and the optical peak Can be amplified.
  • pulsed light for example, Stimulated Raman Scattering
  • the ion to be doped is not only erbium but also tribium. It is preferable to dope together. This is because there is an effect of improving the pumping efficiency by the semiconductor laser.
  • the strong absorption wavelength of itbium spreads around 915 to 975 nm, and a plurality of wavelengths having different oscillation wavelengths at wavelengths near this range.
  • the design of the fiber-optic fiber doping fiber is such that in a device operating at a predetermined fixed wavelength as in the present invention, the gain of the fiber-optical amplifier at a desired wavelength is increased.
  • Select the material for. In the present invention the same output wavelength (193 to 194 nm) as that of an ArF excimer laser is obtained.
  • a desired wavelength for example, 1.548 m It is desirable to select a material that increases the gain at the same time.
  • the output end 36 of the third-stage or final-stage fiber-optic amplifier 30 has all four channels collected and bundled, as shown in FIG. 4, in a rectangular or linear shape (FIG. 4 (a) or (See Fig. 4 (b)).
  • FIG. 5 at the output end 36 of each fiber-35 at the final stage in the optical amplifier, the diameter of the core 35a in the fiber 35 is gradually tapered toward the output end. It is preferable to dispose them so as to reduce the light power density (light intensity per unit area) at the output end face 36.
  • the taper shape increases the core diameter toward the output end face 36.
  • the power density of the light at the fiber output end surface 36 can be reduced, and the laser output damage at the fiber output end, which is the most problematic in damage to the fiber, is greatly reduced. Effect can be obtained. This effect is more significant as the power density of the laser light emitted from the output end of the fiber-optic amplifier is higher (for example, as the light intensity is higher and the core diameter for the same power is smaller).
  • an isolator or the like is appropriately inserted into each connection part in order to avoid the influence of return light, and a narrow-band filter is inserted in order to obtain good EDFA amplification characteristics. Examples have been given.
  • the location of the isolator or the narrow-band filter or the number thereof is not limited to the above-described embodiment, and may be appropriately determined according to, for example, the required accuracy of the laser treatment apparatus according to the present invention. In some cases, at least one of the isolator and the narrow band filter may not be provided.
  • a narrow-band filter In the case of a narrow-band filter, it is sufficient that a high transmittance is obtained only for a desired wavelength, and a transmission wavelength width of 1 pm or less is sufficient.
  • noise due to ASE (Amplified Spontaneous Emission) generated by the fiber optical amplifier can be reduced, and the fundamental wave generated by the ASE from the preceding fiber-optical amplifier can be reduced. It is possible to suppress a decrease in the amplification factor of the output.
  • FIG. 6 the splitting between the optical isolator 22b and the WDM 25b in the fiber-optic amplifier 120 is shown. Not installed.
  • the pulse light having a wavelength of 1.544 ⁇ m which is amplified by the fiber-optic amplifiers 20 and 120 and output from the output terminal 36, is converted by the wavelength conversion unit 40 using the nonlinear optical crystal into a light beam. It is converted to an ultraviolet light pulse output with a narrow line width.
  • the configuration of the wavelength converter 40 will be described below.
  • FIG. 7 shows a first embodiment of the wavelength conversion unit 40
  • Wavelength emitted from the output end 36 of 35 1.
  • the fundamental wave of 544 ⁇ m is converted to the 8th harmonic wave (harmonic) using a nonlinear optical crystal, and has the same wavelength as the Ar F excimer laser.
  • An example of a configuration that generates 193 nm ultraviolet light is shown.
  • the fundamental wave of wavelength 1544 / m (frequency ⁇ ) output from the output end 36 of the fiber 135 passes through the nonlinear optical crystal 41, 42, 43 from left to right in the figure and is output. Is done.
  • Condensing lenses 44 and 45 are provided between the reference numerals 43 as shown.
  • these fundamental waves pass through the nonlinear optical crystal 41, they are twice the frequency ⁇ of the fundamental wave due to the second harmonic generation, that is, the second harmonic of the frequency 2 ⁇ (the wavelength is 1/2 of 772 nm). Occurs.
  • the generated second harmonic travels rightward and enters the next nonlinear optical crystal 42.
  • second harmonic generation is performed again, and a fourth harmonic having a frequency 4 ⁇ (wavelength is 1/4 of 386 nm) that is twice the frequency of the incident wave 2 ⁇ , that is, 4 times the fundamental wave is obtained. appear.
  • the generated fourth harmonic further proceeds to the right nonlinear optical crystal 43, where the second harmonic is generated again, and has a frequency of 8 ⁇ which is twice the frequency of the incident wave 4 ⁇ , that is, 8 times the fundamental wave.
  • 8th harmonic wavelength is 1/8 of 193 nm.
  • the nonlinear optical crystal used for the wavelength conversion for example, the nonlinear optical crystal 4 1 for conversion from the fundamental wave to the second harmonic of LiB 3 0 5 (LB 0) crystal, the second harmonic to the fourth harmonic LiB 3 0 5 Sr 2 Be 2 B 2 O 7 (SBB 0) crystal is used as the nonlinear optical crystal 43 for converting the (LBO) crystal from the fourth harmonic to the eighth harmonic.
  • the conversion from the fundamental wave to the second harmonic wave using the LB 0 crystal uses the method of temperature adjustment of the LB ⁇ crystal for phase matching for wavelength conversion, Non-Critical Phase Matching: NCPM.
  • NCPM enables high-efficiency conversion to the second harmonic wave because there is no walk-off between the fundamental wave and the second harmonic in the nonlinear optical crystal. This is advantageous because beam deformation due to walk-off is not received.
  • the wavelength conversion unit is not limited to the above configuration, and has various configurations.
  • FIG. 8 shows a configuration of a wavelength conversion unit 140 according to the second embodiment.
  • the fundamental wave (wavelength: 1.544 m) 2nd harmonic (wavelength 772 nm)-3rd harmonic (wavelength 5 15 nm) ⁇ 4th harmonic (wavelength 386 nm) 7th harmonic ( The wavelength is converted in the order of 221 nm) ⁇ 8th harmonic (193 nm).
  • the L B0 crystal is used in the above-described N CMP for conversion of the generation of the second harmonic from the fundamental wave to the second harmonic.
  • the first wavelength converter (LB0 crystal) 14 1 transmits a part of the fundamental wave without converting the wavelength, converts the wavelength of the fundamental wave to generate a second harmonic, and doubles this fundamental wave.
  • the waves are both incident on the second wavelength converter 142.
  • the second wavelength converter 142 obtains a third harmonic (wavelength 5 15 nm) from the second harmonic generated by the first wavelength converter 141 and the fundamental wave transmitted without conversion by sum frequency generation.
  • the LB0 crystal is used as the wavelength conversion crystal, it is used in the NCPM having a different temperature from the first wavelength conversion section (LB0 crystal) 141.
  • the third harmonic obtained in this way, the second harmonic transmitted without wavelength conversion, and the fundamental wave are separated by the first dichroic mirror 151 and reflected by the first dichroic mirror 151.
  • 3rd harmonic wave lens After passing through and being reflected by the total reflection mirror 161, it enters the third dichroic mirror 153.
  • the second harmonic and the fundamental wave that passed through the first dichroic mirror 151 are separated at the second dichroic mirror 152, and the second harmonic reflected by the second dichroic mirror 152 is LB.
  • the third wavelength converter using crystal 1 4 3 has twice the frequency 2 ⁇ of the incident wave, that is, 4 times the frequency of the fundamental wave 4 ⁇ (the wavelength is 1/4, 3886 nm) 4 It is converted to a harmonic.
  • This fourth harmonic is reflected by the third dichroic mirror 15 3, reflected by the total reflection mirror 16 1, and combined with the third harmonic passed through the third dich opening mirror 15 3 BB 0 crystal
  • the light enters the fourth wavelength conversion unit 144 using.
  • the fourth wavelength conversion unit 144 forms a seventh harmonic by generating a sum frequency of the third harmonic and the fourth harmonic incident as described above, and the seventh harmonic is generated by the fourth dichroic mirror. Is incident on.
  • the fundamental wave that has passed through the second dichroic mirror 152 is reflected by the second total reflection mirror 162 and enters the fourth dichroic mirror 154.
  • the seventh harmonic and the fundamental wave that have been incident as described above are incident on the fifth wavelength converter 15 using a CLB0 crystal.
  • an eighth harmonic is formed by generating a sum frequency of the fundamental wave and the seventh harmonic thus input, and the eighth harmonic is output as output laser light.
  • FIG. 9 shows a configuration of a wavelength conversion section 240 according to the third embodiment.
  • fundamental wave (wavelength 1.544 ⁇ m) 2nd wave (wavelength 772 nm) ⁇ 3rd wave (wavelength 5 15 nm) ⁇ 6th wave (wavelength 2 577 nm) Wavelength conversion is performed in the order of harmonic (wavelength 2 21 nm) ⁇ 8th harmonic (wavelength 1933 nm).
  • the first wavelength converter 2 41 generates the second harmonic from the fundamental wave to the second harmonic.
  • the LB0 crystal is used in the NCPM described above for the conversion.
  • the first wavelength converter (LB0 crystal) 2 4 1 transmits a part of the fundamental wave without converting the wavelength and converts the wavelength of the fundamental wave to generate a second harmonic. Both harmonic waves enter the second wavelength conversion section 242.
  • the second wavelength converter 2 42 generates a third harmonic (wavelength 5 15 nm) from the second harmonic generated by the first wavelength converter 21 and the fundamental wave transmitted without conversion by sum frequency generation. obtain.
  • the wavelength conversion crystal an LBO crystal is used, but it is used in an NCPM having a temperature different from that of the first wavelength conversion unit (LBO crystal) 21.
  • the third harmonic obtained in this manner and the fundamental wave transmitted without wavelength conversion are separated by the first dichroic mirror 251 and the third harmonic reflected by the first dichroic mirror 251 Is incident on a third wavelength converter 243 using a BB0 crystal, where it is converted into a sixth harmonic.
  • This sixth harmonic is reflected by the first total reflection mirror 261, and enters the second dichroic mirror 2532.
  • the fundamental wave that has passed through the first dichroic mirror 251 is reflected by the second total reflection mirror 2622, and enters the second dichroic mirror 2532.
  • the sixth harmonic and the fundamental wave incident on the second dichroic mirror 252 are combined in the second dichroic mirror 252, and then are combined into the fourth wavelength converter 244 using the CLB0 crystal.
  • the fourth wavelength converter 244 the sixth harmonic and the fundamental wave thus input are combined to form a seventh harmonic, and a part of the fundamental wave is allowed to pass through as it is.
  • the seventh harmonic output from the fourth wavelength converter 244 in this way is reflected by the dichroic mirror 254, and the fundamental wave passes through the dichroic mirror 254, and is collected by the lens. Thereafter, they are merged in the third dichroic mirror 253, incident on the fifth wavelength conversion unit 245 using the CLB0 crystal, and are synthesized.
  • an eighth harmonic is formed, and this eighth harmonic is output. It is output as one light.
  • an optical lens is provided as shown.
  • a wavelength plate may be appropriately provided to adjust the polarization direction to a desired direction.
  • the configuration of the wavelength conversion section is not limited to the above-described configuration, and may be a configuration that generates an eighth harmonic of 1.544 ⁇ m, which is a fundamental wave.
  • fundamental wave (wavelength 1.544 m) 2nd harmonic (wavelength 772 nm) ⁇ 3rd harmonic (wavelength 5 15 nm) ⁇ 4th harmonic (wavelength 386 nm) ⁇ 6th harmonic (wavelength
  • the same effect can be obtained by performing wavelength conversion in the order of 7th harmonic (wavelength 2 21 nm) ⁇ 8th harmonic (wavelength 1933 nm).
  • the nonlinear optical crystal used for the wavelength conversion for example, an LB0 crystal is used for a conversion crystal from a fundamental wave to a second harmonic, and an LB0 crystal is used for a conversion crystal from a second harmonic to a fourth harmonic.
  • the BB0 crystal is used to generate the sixth harmonic by summing the second and fourth harmonics, and the BB0 crystal is used to generate the seventh harmonic by generating the sum of the fundamental and sixth harmonics.
  • Generation of the 8th harmonic by sum frequency generation of the 7th and 7th harmonics can be achieved by using an LBO crystal. Also in this case, since the LB0 crystal can be used to generate the eighth harmonic, there is an advantage in that damage to the crystal is not a problem.
  • the solid-state laser is a DFB semiconductor laser or a fiber laser having an oscillation wavelength in the range of 1.5 ⁇ m to 1.59 ⁇ . Therefore, the laser light of the above-mentioned wavelength from the solid-state laser is converted into 18.9 ⁇ ⁇ ! The laser light is converted into laser light having the 8th harmonic within the range of 1199 nm and output.
  • this laser light is a laser light having substantially the same wavelength as the ArF excimer laser light, but the repetition frequency of the pulse oscillation is as high as 100 kHz.
  • the irradiation optical device 60 includes a condenser lens 61 for condensing the laser beam with a wavelength of 193 nm emitted from the laser device 10 into a thin beam, and a beam-shaped laser beam condensed in this manner. And a dichroic mirror 62 that reflects the light to irradiate the surface of the cornea HC of the eye EY to be treated. As a result, the surface of the cornea HC is irradiated with laser light as spot light, and the portion is evaporated.
  • the entire device housing 1 is moved in the X and Y directions by the XY movement table 3 to scan and move the laser light spot irradiated on the surface of the cornea HC, and the corneal surface is ablated. Treatment of myopia, astigmatism, hyperopia, etc.
  • the observation optical device 80 includes an illumination lamp 85 for illuminating the surface of the cornea HC of the eye EY to be treated, and a dichroic mirror 62 for transmitting light from the cornea HC illuminated by the illumination lamp 85. It is composed of an objective lens 8 1 that receives and transmits light, a prism 8 2 that reflects light from the objective lens 8 1, and an eyepiece 8 3 that receives this light, and an enlarged image of the cornea HC through the eyepiece 8 3. Can be observed.
  • the movement control of the XY movement table 3 is performed by manual control.
  • a shape measuring device for measuring the shape of the cornea HC is provided, and the movement is automatically controlled based on the shape of the corneal surface measured by the shape measuring device.
  • Laser light irradiation a device for automatically controlling the operation of the XY moving table 3, that is, an irradiation position adjusting device may be provided.
  • the laser beam spot irradiated on the surface of the cornea HC is operated by moving the entire apparatus two-dimensionally by the X- ⁇ moving table 3, but scanning of the laser beam irradiation position is performed. It may be performed optically.
  • An example of this is shown in FIG. 11, in which the irradiation optical device 60 f condenses the laser beam having a wavelength of 193 nm emitted from the laser device 10 into a narrow beam shape.
  • the laser beam condensed in this manner is reflected by the first reflecting mirror 63 and made incident on the first servo mirror 64, and further, by the first servo mirror 64.
  • the laser beam reflected from the second servo mirror 65 is reflected by the second servo mirror 65, and the laser light reflected from the second servo mirror 65 is reflected by the second reflection mirror 66 to be incident on the dichroic mirror 62 to be diced. It is configured to irradiate the surface of the cornea HC of the eye EY to be treated from the Loic Mira 1-62.
  • the same parts as those of the apparatus of FIG. 10 are denoted by the same reference numerals, and the description thereof will not be repeated.
  • the first and second servo mirrors 64, 65 have respective servos 64a, 65a for adjusting the angle of the mirror surface, and are provided by servomotors 64a, 65a.
  • servomotors 64a, 65a By moving the mirror angle, the laser light spot irradiated on the surface of the cornea HC is scanned and moved, abrasion of the corneal surface is performed, and treatment such as myopia, astigmatism, and hyperopia is performed.
  • an operator such as an ophthalmologist controls the operation of the servo motors 64a and 65a while visually observing the surface of the cornea HC via the observation optical device 80.
  • a shape measuring device for measuring the shape of the cornea HC is provided, and the laser beam is automatically irradiated based on the shape of the corneal surface measured by the shape measuring device.
  • a device that automatically controls the operation of 4a and 65a, that is, the irradiation position An alignment device may be provided.
  • the corneal surface is irradiated with the pulse laser beam generated from the laser device 10 to perform abrasion on the corneal surface, thereby performing treatment such as myopia, hyperopia, and astigmatism.
  • the laser beam generated from the laser device 10 is a pulsed laser beam having a very high frequency of 100 kHz (pulse width Ins)
  • a pulsed light spot is generated on the corneal surface. Smooth scanning is possible even with scanning, and the pulse width is very small. Therefore, most of the pulse energy is used for material bond cutting, and the occurrence of heat evaporation is suppressed.
  • the pulse width of the pulsed light (pulsed laser light) and the repetition frequency thereof can be controlled, and the pulse width (ie, the pulse width (ie, the pulse width of the pulsed laser light) that can favorably suppress the occurrence of heat evaporation) 0.5 iis to 3 ns pulse width) and repetition frequency (ie, 10 kHz to 100 kHz repetition frequency).
  • the myopia treatment using such a laser treatment apparatus involves, for example, causing the hatched portion A in FIG. 12 on the surface of the cornea HC to evaporate by laser light irradiation from the laser apparatus 10 to cause abrasion. More done.
  • the laser beam spot irradiated on the corneal surface is moved by scanning to perform the ablation of the hatching portion A.
  • Ablation by a laser treatment apparatus as shown in FIG. 13 may be performed.
  • the device shown in FIG. 13 includes an irradiation optical device 160 and an observation optical device 80.
  • the observation optical device 80 has the same configuration as that described above, and a description thereof will be omitted.
  • the irradiation optical device 160 condenses the laser beam with a wavelength of 193 nm emitted from the laser device 10 into a cylindrical beam of a predetermined size.
  • the cylindrical laser beam produced by the condenser lens 16 1 is a cylindrical laser beam having a diameter d enough to cover the area to be treated on the surface of the cornea HC.
  • the filter 163 has the property of transmitting the laser light well in the center and lowering the transmittance in the peripheral part.
  • the laser The light intensity has a distribution as shown in FIG. 14 (b).
  • the surface of the cornea HC is irradiated with a laser beam having such an intensity distribution, the abrasion of the high intensity portion increases, and the ablation for removing the hatching portion A shown in FIG. 12 is performed. Will be This corresponds to the irradiation control device defined in the claims, and this irradiation control device adjusts the irradiation intensity of the laser light to the treatment site.
  • a plurality of light shielding members having openings of a predetermined shape may be used instead of the filter 163.
  • a plurality of light-shielding members with different diameters are prepared on concentric circles, and the central part of the cornea HC is first assembled using a light-shielding member with a small opening, and the light-shielding member is replaced so that the opening area gradually increases. It is also possible to repeat the abrasion while performing the abrasion of the hatching part A shown in FIG. This corresponds to the irradiation control device defined in the claims, and this irradiation control device adjusts the irradiation area of the laser beam to the treatment site.
  • the intensity of the laser light applied to the surface of the cornea HC is greatly related to the size of the abrasion, it is necessary to adjust the intensity of the laser light.
  • the oscillation frequency can be easily adjusted by adjusting the oscillation frequency from the laser 12 and controlling the amount of light generated from the semiconductor lasers 31a and 31b in the third-stage fiber-optic amplifier 30.
  • a laser light intensity measuring device for measuring the actual laser light intensity is provided, and whether or not the actual laser light intensity measured by the laser light intensity measuring device is a desired intensity is determined. It must be calibrated if it is out of the desired intensity.
  • This intensity calibration can be performed by controlling the operation of the intensity adjuster.
  • a laser light intensity calibrator defined in the claims is used.
  • the DFB semiconductor laser 12 and the fiber amplifier are used as the laser light sources in the laser light generation unit 11, but instead, the Q switch pulse Er: the YAG laser or the Q switch pulse Er: G A 1 ass laser may be used.
  • the Q switch pulse Er the YAG laser or the Q switch pulse Er: G A 1 ass laser
  • a laser beam having a wavelength of about 550 nm is output, and this is wavelength-converted to obtain a laser beam of 194 nm which is an eightfold harmonic.
  • the laser treatment apparatus irradiates the cornea with a laser beam to perform abrasion on the surface (PRK: Photorefractive Keratectomy) or an abrasion on the incised cornea (LASIK: Laser).
  • PRK Photorefractive Keratectomy
  • LASIK Laser
  • Intrastromal keratomileusis can be used to correct the curvature or unevenness of the cornea and treat myopia and astigmatism.
  • the field of application of the present invention is not limited to the above-mentioned treatment of the cornea, but can be used for other treatments.

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Description

明 細 鲁 レーザ治療装置 技術分野
本発明は、 レーザ光を用いた治療装置に関し、 より詳しくは、 レーザ 光を角膜に照射して表面のアブレ一ション ( P R K: Photorefractive Keratectomy) あるいは切開した角膜内部のアブレ一シヨン (L A S I K: Laser Intrastromal Keratomileusis) を行い、 角膜の曲率もしくは 凹凸を矯正して近眼、 乱視などの治療を行うのに適したレ一ザ治療装置 に関するものである。 背景技術
レーザ光は近年において種々の用途に用いられており、 例えば、 金属 の切断や加工を行ったり、 半導体製造装置におけるフォ トリソグラフィ —装置の光源として用いられたり、各種測定装置に用いられたり、外科、 眼科、 歯科等の手術および治療装置に角いられたりしている。 特に最近 において、 レーザ光を角膜に照射して角膜表面のアブレ一シヨン (P R K )あるいは切開した角膜内部のアブレーシヨン(L A S I K )を行い、 角膜の曲率および凹凸を矯正して近視、 遠視、 乱視の治療を行うことが 注目されており、 一部実用化されつつある。 このような角膜治療装置と しては、 A r Fエキシマレ一ザ光(波長 1 9 3 n m )を角膜に照射して、 角膜表面のアブレーシヨン (削り取り) を行うものが知られている (例 えば、 特許第 2 8 0 9 9 5 9号公報、 特公平 7 - 1 2 1 2 6 8号公報、 特開平 5— 2 2 0 1 8 9号公報等)。
A r Fエキシマレーザ光を用いた角膜表面のァプレーシヨンは、 A r Fレーザ光を構成する波長 193 nmの光子が C— N,C— C,C—〇, C-H, C = C結合等の物質結合を切断するエネルギーを持っており、 蛋白質の基本単位であるべプチドを分解できるということを利用するも ので、 レーザ光を角膜表面に照射じてぺプチドを分解させて蒸散させる ことにより表面のアブレ一シヨンを行うものである。
但し、 この場合に、 角膜の透明性を保っため、 熱凝固層のない精密な 蒸散を行う必要があり、 このような観点から物質結合切断による蒸散が 主として生じ、 熱蒸散の発生の少ない波長 1 93 nmの Ar Fエキシマ レーザ光が用いられている。 なお、 波長がこれより長い K r Fレーザ光 (波長 248 nm) や、 Xe C lレーザ光 (波長 308 nm) によって も角膜表面の蒸散を行わせることが可能であるが、 物質結合切断による 蒸散のみならず熱蒸散の発生率が高くなり、 熱凝固層が発生しやすいと いう問題がある。
また、レーザ光の照射を受けると細胞内において: D N Aが損傷を受け、 突然変異を誘発するおそれがあるという問題がある。 DN Aの吸収スぺ ク トルは紫外領域の光で波長が短いものほど大きくなるという傾向があ るが、 実効的な突然変異誘発性は細胞質を透過して核に到達する光量と 核での吸収により決まり、 波長 240〜280 nmで突然変異誘発性が 極大となり、 これより短波長側でも長波長側でも低くなる。 特に短波長 側では細胞質での光吸収が波長が短くなるに従い急激に増加するため、 短波長になるほど核に到達する光は急激に減少し、 波長 19 3 nmの光 では核に到達する光量はほとんど 0になる。 また、 波長が 1 93 nmよ り短い光は空気中を伝播中に吸収されて伝播効率が低くなるという問題 がある。 このような事情から、 K r Fレーザ光や X e C 1レーザ光では なく、 波長 1 9 3 nmの A r Fエキシマレーザ光が角膜治療用として最 も適していると考えられている。 ところが、 A r Fエキシマレ一ザ発振装置は、 チャンバ一内にアルゴ ンガス、 フッ素ガス、 ネオンガス等を封入して構成されるものであり、 これらガスを密封する必要があり、 さらに、 各ガスの充填、 回収を行う 必要もあり、 装置が大型化且つ複雑化しやすいという問題がある。 A r Fエキシマレーザ発振装置はまた、 所定のレ一ザ光発生性能を保持する ために、 定期的に内部ガスの交換を行ったり、 オーバーホールを行った りする必要があるという問題もある。 発明の開示
本発明はこのような問題に鑑みたもので、メンテナンスが容易であり、 且つ小型軽量な構成となる固体レーザ装置を用いたレーザ治療装置を提 供することを目的とする。
このような目的達成のため、 本発明においては、 所定の波長のレーザ 光を発生させる固体レーザを有するレーザ光発生器、 このレーザ光発生 器によって発生されたレーザ光を増幅する光増幅器および光増幅器によ り増幅されたレーザ光を非線形光学結晶を用いて波長が略 1 9 3 n mの 治療用レーザ光に波長変換する波長変換器を備えて構成されるレーザ装 置と、 このレーザ装置により発生された治療用レーザ光を、 治療部位に 導いて照射させる照射光学装置とを有してレーザ治療装置が構成される ( なお、 本発明のレーザ治療装置は角膜の治療に用いるのが適している。 このような構成のレーザ治療装置は、 固体レーザを有するレーザ光発 生器を用いて構成されるため、 エキシマレーザのような気体レーザのよ うに大型化することなく、 小型 ·軽量な装置構成とすることができ、 ェ キシマレーザ装置のように定期,的にガスを交換する必要が無く、 オーバ 一ホールなしに長期にわたって所期の性能を維持できるという特徴を有 しており、 メンテナンスをあま り必要とせず、 且つメンテナンスが容易 である。 さらに、 レーザ光発生器の作動制御が容易であり、 レーザ光の 照射位置制御、 照射強度制御等も容易である。
さらに、 波長が約 1 9 3 n mという A r Fエキシマレ一ザ光とほぼ同 —の波長のレーザ光を発生する'ため、 このレ一ザ光を角膜表面に照射す ることにより、 角膜表面を物質結合切断により蒸散させて角膜の曲率お よび凹凸の矯正を効果的に行うことができる。 このとき、 熱蒸散の発生 は低く、 治療後の角膜の透明性を確保でき、 且つ波長が約 1 9 3 n mで あるので、 細胞内の D N Aに損傷を与えることがない。
なお、 本発明に係るレーザ治療装置において、 固体レーザを 1 . 5 1 !〜 1 . 5 9 / mの範囲内に発振波長を持つ D F Β半導体レーザ、 半 導体レーザもしくはファイバーレーザから構成し、 波長変換器により、 固体レーザからの上記波長のレーザ光を 1 8 9 ]1 111〜 1 9 9 11 111の範囲 内となる 8倍高調波に変換させるように構成するのが好ましい。 これに より非常に周波数の高いレーザ光を治療部位に照射することができ、 こ のレーザ光により高い効率で治療部位の物質結合切断を行って熱蒸散の 発生の少ない治療を行うことができる。
本発明のレーザ治療装置において、 治療部位への治療用レ一ザ光の照 射状況を観察可能な治療部位観察装置を設けるのが望ましい。 これによ り、治療部位を観察しながらレーザ照射制御を正確に行うことができる。 また、 照射光学装置による治療用レーザ光の治療部位への照射状態を 制御する照射制御装置を設けるのが好ましい。 この場合に、 照射光学装 置により治療用レーザ光がスポッ ト光として治療部位に照射されるよう に構成し、 照射制御装置はスポッ ト光を治療部位に対して走査させるよ うに構成することができる。 もしくは、 照射光学装置により治療用レ一 ザ光が治療部位の所定範囲に広がって照射されるように構成し、 照射制 御装置は治療部位と照射光学装置との間に配設されて治療用レーザ光の 治療部位に対する照射領域を可変調整するように構成してもよい。 さら に、 照射光学装置により治療用レーザ光が治療部位の所定範囲に広がつ て照射されるように構成し、 照射制御装置は治療部位と照射光学装置と の間に配設されて治療用レーザ光の治療部位に対する照射強度を可変調 整するように構成してもよい。
本発明においては、 治療部位の形状を測定する形状測定装置を設け、 形状測定装置により測定された治療部位の形状に基づいて照射制御装置 による治療用レーザ光の照射制御を行うように構成することができる。 これにより、 近視、 遠視、 乱視等の治療をその程度に応じて正確に治療 することができる。
本発明においてはまた、 上記レーザ装置に、 レーザ装置から発生され る治療用レーザ光の強度を調整する強度調整器を設けてもよい。さらに、 レーザ装置から発生される治療用レーザ光の強度を測定するレーザ光強 度測定器と、 レーザ光強度測定器により測定された治療用レーザ光の強 度を所定の強度に較正するレーザ光強度較正器とを設けてもよい。 これ により、 レーザ光強度を常に適正に保って正確な治療を担保できる。 なお、 レーザ装置により発生される治療用レーザ光としてはパルス光 を用いるのが好ましく、 このときのパルス光のパルス幅を 0 . 5 n s〜 3 n sとすることが好ましい。 又、 その繰り返し周波数は 1 0 k H z〜 1 0 0 k H zとするのが好ましい。 図面の簡単な説明
第 1図は、 本発明に係るレーザ治療装置の全体構成を示す正面図であ る。
第 2図は、 上記レーザ治療装置を構成するレーザ装置の内部構成を示 す説明図である。 第 3図は、 上記レーザ装置を構成する第 3段ファイバ一光増幅器に用 いられるダブル · クラッ ド · フアイバーの構成を示す断面図である。 第 4図は、 上記レーザ装置を構成する第 3段ファイバ一光増幅器の出 力端部形状を示す側面図である。
第 5図は、 上記レーザ装置を構成する第 3段ファイバ一光増幅器の出 力端部形状を示す断面図である。
第 6図は、 上記レーザ治療装置を構成するレーザ装置の異なる実施形 態の内部構成を示す説明図である。
第 7図は、 上記レーザ治療装置を構成する波長変換部の第 1の実施形 態を示す説明図である。
第 8図は、 上記レーザ治療装置を構成する波長変換部の第 2の実施形 態を示す説明図である。
第 9図は、 上記レーザ治療装置を構成する波長変換部の第 3の実施形 態を示す説明図である。
第 1 0図は、 上記レーザ治療装置を構成する照射光学装置および観察 光学装置の第 1の実施形態の構成を示す説明図である。
第 1 1図は、 上記レーザ治療装置を構成する照射光学装置および観察 光学装置の第 2の実施形態の構成を示す説明図である。
第 1 2図は、 本発明に係るレーザ治療装置により治療される対象とな る角膜の表面形状を示す説明図である。
第 1 3図は、 上記レーザ治療装置を構成する照射光学装置および観察 光学装置の第 3の実施形態の構成を示す説明図である。
第 1 4図は、 上記第 3の実施形態における照射光学装置を構成するフ ィル夕周辺構造とフィル夕性能を示す説明図である。 発明を実施するための最良の形態 以下、図面を参照して本発明の好ましい実施形態について説明するが、 これらの実施の形態の説明は、 本発明の内容を制限するものではない。 本発明に係るレーザ治療装置の全体構成例を第 1図に示しており、 こ のレーザ治療装置は、基本的には、装置筐体 1内に、 レーザ装置 1 0ど、 このレーザ装置 1 0から発生したレーザ光を眼球 E Yの角膜 H Cの表面 (治療部位) に導いて照射させる照射光学装置 6 0と、 治療部位の観察 を行う観察光学装置 8 0とを備えて構成される。 装置筐体 1のベース部 2は X— Y移動テーブル 3の上に配設されており、 X— Y移動テーブル 3により装置筐体 1全体が、 第 1図において矢印 X方向すなわち図面左 右方向と、紙面に垂直な Y方向とに移動させることが可能となっている。
まず、 レーザ装置 1 0について第 2図を参照して説明する。 レーザ装 置 1 0は、 レーザ光を発生するレーザ光発生部 1 1 と、 レーザ光発生部 1 1から発生されたレーザ光を増幅するファイバ一光増幅器部 2 0と、 ファイバ一光増幅器部 2 0において増幅されたレーザ光を波長が約 1 9 3 n mのレーザ光に変換する波長変換部 4 0とから構成される。
レーザ光発生部 1 1は、 所望の波長で発振するレーザ 1 2を有し、 こ のレーザ 1 2は、 例えば、 発振波長 1 . 5 4 4 z m、 InGaAsP, D F B 半導体レーザをパルス駆動したものから構成される。
レーザ光の発振波長制御手段としては、 例えば、 レーザとして D F B 半導体レーザを用いる場合には、 D F B半導体レーザの温度制御を行う ことにより達成することができ、 この方法により発振波長をさらに安定 化して一定の波長に制御したり、 あるいは出力波長を微調整することが できる。
通常、 D F B半導体レーザなどはヒートシンクの上に設けられ、 これ らが筐体内に収納されている。 そこで本例では、 発振レーザ (D F B半 導体レーザなど) 1 2に付設されるヒートシンクに設けられた温度調整 器 (例えばペルチェ素子など) を用いてその温度を制御して発振波長を 調整する。 ここで、 D F B半導体レーザなどではその温度を 0.001 °C単 位で制御することが可能である。
また、 D F B半導体レーザの発振波長は 0. l nm/°C程度の温度依 存性を持つ。 例えば、 D F B半導体レーザの温度を 1 °C変化させると、 基本波 (波長 1 544 nm) ではその波長が 0. 1 nm変化するので、 8倍波 (波長 19 3 nm)ではその波長が 0·0125η m変化することにな る。
そして、 この発振波長を所定の波長に制御する際のフィ一ドバック制 御のモニタ一波長としては、 D F B半導体レーザの発振波長で行う。 こ の半導体レーザ 1 2においては、 その電流制御を行うことなどによりパ ルス発振させるパルス制御手段 13を備えている。 これにより、 作り出 すパルス光のパルス幅を 0. 5 ns〜 3 nsの範囲で制御可能であり、 その繰り返し周波数を 1 00 kH z以下の範囲 (例えば、 10 kH z〜 100 kH zの範囲) で制御可能である。 本構成例では一例として、 パ ルス制御手段 13によりパルス幅 l ns、 繰り返し周波数 1 00 kH z のパルス光を作り出す。
このようにして得たパルスレ一ザ光出力が、 光アイソレータ 14を通 つてファイバ一光増幅器部 20に導かれ、 ファイバ一光増幅器部 20に おいて増幅される。 このファイバ一光増幅部 20においては、 まず、 第 1段ファイバ一光増幅器 2 1による増幅が行われる。 この第 1段フアイ バ一光増幅器 2 1はエルビウム(E r)'ドープ'ファイバ一光増幅器(E D F A) から構成され、 励起用の半導体レーザ 2 1 aからの出力が波長 分割多重化装置 (Wavelength Division Multiplexei':W D Mと称する) 2 1 bを通して ドープ ' ファイバーが励起され、 第 1段ファイバ一光増 幅器 2 1による光増幅を行う。 第 1段ファイバ一光増幅器 2 1の出力は、 狭帯域フィル夕 2 2 aおよ ぴ光アイソレー夕 2 2 bを通って光スプリヅ夕 2 3に導かれ、 光スプリ ッ夕 2 3によりチャンネル 0〜 3の四つの出力に並列分割される。 これ ら四つに分割されだ各チャンネル毎に第 2段ファイバ一光増幅器 2 5が 接続されている。 但し、 第 2図においては、 一つのチャンネルのみ代表 して示している。
なお、 狭帯域フィル夕 2 2 aは、 ファイバ一光増幅器 2 1で発生する A S E光をカツ トし、 かつ D F B半導体レーザ 1 2の出力波長 (波長幅 は l p m程度以下) を透過させることで、 透過光の波長幅を実質的に狭 帯化するものである。 これにより、 A S E光が後段のファイバ一光増幅 器に入射してレーザ光の増幅利得を低下させるのを防止することができ る。 ここで、 狭帯域フィル夕はその透過波長幅が 1 p m程度であること が好ましいが、 A S E光の波長幅は数 + n m程度であるので、 現時点で 得られる透過波長幅が 1 0 0 p m程度の狭帯域フィル夕を用いても実用 上問題がない程度に A S E光をカッ トすることができる。 D F B半導体 レーザ 1 2の出力波長を積極的に変化させる場合、 その出力波長に応じ て狭帯域フィル夕を交換するようにしてもよいが、 その出力波長の可変 幅 (露光装置では一例として前述した ± 2 0 p m程度) に応じた透過波 長幅 (可変幅と同程度以上) を持つ狭帯域フィル夕を用いておくことが 好ましい。
以上の構成では、 レーザとして D F B半導体レーザを用い、 光分岐手 段の分岐要素として平板導波路型スプリッ夕を用いた例について説明し たが、レーザ光源としては、所望の波長で発振するレーザであれば良く、 例えばエルビウム ( E r ) · ド一プ ' ファイバー■ レ一ザであっても同様 の効果を奏する。 また、 光分岐手段の分岐要素としては、 平板導波路ス プリツ夕と同様に、 光を並列に分岐するものであれば良く、 例えばファ ィバースプリ ッ夕や、 部分透過鏡を用いたビームスプリ ッ夕であっても 同様の効果を奏する。
第 2段ファイバ一光増幅器 2 5もエルビウム (E Γ· ) · ドープ ' フアイ バー光増幅器 (ED FA) から構成され、 励起用の半導体レーザ 2 5 a からの出力が WDM 2 5 bを等して ドープ ' ファイバーが励起され、 第 2段ファイバ一光増幅器 2 5による光増幅を行う。 第 2段ファイバ一光 増幅器 2 5の出力は、 狭帯域フィル夕 2 6 aおよび光アイソレー夕 2 6 bを通って第 3段ファイバ一光増幅器 3 0に導かれる。
この第 3段ファイバ一光増幅器 3 0は、 最終段の光増幅を行う装置で あり高ビーク出力光増幅器となる。 このため、 ファイバ一中での非線形 効果による増幅光のスぺク トル幅の増加を避けるべく、 ファイバーモ一 ド径が通常通信で用いられているもの ( 5〜 6 m) よりも広い、 例え ば 1 5〜 2 5 zmの大モ一ド径ファイバ一光増幅器を使用することが望 ましい。
また、第 3段ファイバ一光増幅器 3 0において高出力を得るためには、 大モ一ド径フアイバー 3 5に代えて、 ファイバ一 ' クラッ ドが二重構造 となったダブル 'クラッ ド 'フアイバ一 3 8を用いるようにしてもよい。 このファイバ一 3 8の断面図の一例を第 3図に示す。 この構造では、 コ ァ 3 8 aの部分にレーザ光の増幅に寄与するイオンがド一プされており、 増幅されるレーザ光 (信号) がこのコア内を伝搬する。 コアを取り巻く 第 1クラッ ド 3 8 bに励起用半導体レーザを力ップリングする。 この第 1クラッ ド 3 8 bはマルチモードであり、 断面積も大きいため高出力の 励起用半導体レーザ光の伝導が容易であり、 マルチモード発振の半導体 レーザを効率よくカツプリングし、 励起用光源を効率よく使用すること ができる。 第 1クラッ ド 3 8 bの外周には第 1クラヅ ドの導波路を形成 するための第 2クラヅ ド 3 8 cが形成されている。 この大モード径ファイバーを用いた第 3段フアイバー光増幅器 3 0で 増幅されたレーザ光は波長変換部 4 0に入射し、 ここで波長がエキシマ レーザ光の波長と同一の略 1 9 3 n mの紫外レーザ光に波長変換される c この大モ一ド径ファイバ一を伝播する増幅されるべきレーザ光 (信号) は、 主に基本モードであることが望ましく、 これは、 シングルモードあ るいはモード次数の低いマルチモ一ドファイバ一において、 主に基本モ ―ドを選択的に励起することにより実現できる。 大モード径ファイバ一 光増幅器 3 0の入射側に設けられたアイソレー夕 2 6 bによって、 戻り 光の影響が低減される。
また、 標準的なモード径を持つ筚 2段ファイバ一光増幅器 2 5 と大モ ード径 (第 3段) ファイバ一光増幅器 3 0との間に、 第 3段ファイバー 光増幅器 3 0から発生する A S E光を除去するために狭帯域フィル夕 2 6 aが設けられている。
標準的なモード径を持つ前段のファイバ一光増幅器 2 5と、 上記モー ド径の広い最終段のファイバ一光増幅器 3 0 との接続は、 テーパ状にモ 一ド径が増加するフアイバーを用いて行う。
上記ファイバ一光増幅器 2 1 , 2 5, 3 0用の光ファイバ一として石 英ファイバ一、 又はシリケィ ト系ファイバーを用いることができるが、 これらの他にフッ化物系ファイバー、 例えば Z B L A Nファイバーを用 いるようにしてもよい。 このフヅ化物系ファイバ一では、 石英やシリケ ィ ト系などに比べてエルビウム · ドープ濃度を大きくすることができ、 これにより増幅に必要なファイバ一長を短縮することができる。
このフッ化物系ファイバ一は、 特に最終段のファイバ一光増幅器 3 0 に適用することが望ましく、 ファイバ一長の短縮により、 パルス光のフ アイバー伝播中の非線形効果による光散乱(例えば、 Stimulated Raman Scattering) を抑えることができ、 所望の波長を保った光ピークパヮ一 のパルス増幅が可能となる。
ところで、 前述のように二重構造のクラッ ドを持つファイバ一光増幅 器の出力波長として 1. 5 1〜 1. 59 mを使用する場合には、 ドー プするイオンとしてエルビウムに加えィ ヅ トリビゥムを共にド一プする ことが好ましい。 これは半導体レーザによる励起効率を向上させる効果 があるためである。 すなわち、 エルビゥムとイ ツ ト リピウムの両方をド —プする場合、 イツ トリビゥムの強い吸収波長が 9 1 5〜 9 75 n m付 近に広がっており、 この近傍の波長で各々異なる発振波長を持つ複数の 半導体レーザを WD により結合させて第 1クラッ ドにカツプリングす ることで、 その複数の半導体レーザを励起光として使用できるため大き な励起強度を実現することができる。
また、 フアイバ一光増幅器のド一プ · ファイバ一の設計については、 本発明のようにあらかじめ定められた一定の波長で動作する装置では、 所望の波長におけるファイバ一光増幅器の利得が大きくなるように材質 を選択する。 本発明では、 Ar Fエキシマレーザと同じ出力波長 ( 1 9 3〜 1 94 nm) を得るものであり、 このような装置において、 光増幅 器用ファイバ一を用いる場合には所望の波長、 例えば 1.548 mで利得 が大きくなる材質を選ぶことが望ましい。
第 3段すなわち最終段のファイバ一光増幅器 30の出力端 36は四つ のチャンネル全てが集められて束ねられ、 第 4図に示すように、 矩形状 もしくは直線状 (第 4図 (a) もしくは第 4図 (b) 参照) に成形され る。 なお、 第 5図に示すように、 光増幅器における最終段の各ファイバ -35の出力端部 36では、 そのフアイバ一 35内のコア 3 5 aの径を 出力端に向けてテーパ状に徐々に広げて配設し、 出力端面 3 6での光の パワー密度 (単位面積当たりの光強度) を小さくしてやることが好まし い。 このとき、 テーパの形状はコア径の広がりが出力端面 3 6に向けて 十分緩やかに増加し、 増幅されたレーザ光がテーパ部を伝搬する際にフ アイバ—中での伝搬横モードが保存され、 他の横モードの励起が十分無 視できる程度 (例えば数 mrad程度) となるように設定する。
このように設定することにより、 ファイバーの出力端面 3 6における 光のパワー密度を低下させることができ、 ファイバ一の損傷において最 も問題であるファイバー出力端部のレーザ光による損傷を大幅に抑制す る効果が得られる。 この効果は、 ファイバ一光増幅器の出力端から射出 されるレーザ光のパワー密度が高いほど (例えば光強度が高いほど、 ま た同一パワーに対するコァ径が小さいほど) 大きな効果が得られる。 なお、 以上の各実施形態では、 戻り光の影響を避けるため、 各接続部 に適宜アイソレー夕等を揷入し、 また良好な E D F A増幅特性を得るた めに狭帯域フィル夕を揷入する構成例を示した。 但し、 アイソレータ又 は狭帯域フィル夕を配置する箇所、 あるいはその数は前述の実施形態に 限定されるものではなく、 例えば本発明によるレーザ治療装置の要求精 度などに応じて適宜決定すればよく、 アイソレータと狭帯域フィル夕と の少なく とも一方を一切設けないこともある。
なお狭帯域フィル夕は、 所望の波長のみに対して高透過率が得られれ ばよく、 フィル夕の透過波長幅は 1 p m以下で十分である。 このように 狭帯域フィル夕を用いることにより、 フアイバー光増幅器で発生する自 然放出光 A S E (Amplified Spontaneous Emission) によるノイズを軽 減でき、 また、 前段のファイバ一光増幅器からの A S Eによる、 基本波 出力の増幅率低下を押さえることができる。
以上の構成ではスプリ ヅ夕によって 4列に分岐する例を示したが、 こ れをスプリ ッ夕を用いずに第 6図に示すように 1列のフアイバ一増幅器 を用いて構成することもできる。 第 6図では、 ファイバ一光増幅器 1 2 0において光アイソレー夕 2 2 bと W D M 2 5 bとの間にスプリ ツ夕は 設置されていない。
以上のようにしてファイバ一光増幅器 20, 12 0において増幅され て出力端 3 6から出力される波長 1. 544〃mのパルス光は、 非線形 光学結晶を用いた波長変換部 40において、 スぺク トル線幅の狭い紫外 光パルス出力に変換される。 この波長変換部 40の構成について以下に 説明する。
第 7図に波長変換部 40の第 1の実施形態を示しており、 ファイバー
3 5の出力端 3 6から射出される波長 1. 544〃mの基本波を、 非線 形光学結晶を用いて 8倍波 (高調波) に波長変換して、 Ar Fエキシマ レーザと同じ波長である 1 93 nmの紫外光を発生する構成例を示して いる。 ファイバ一 3 5の出力端 36から出力される波長 1 · 544 /m (周波数 ω) の基本波は、 非線形光学結晶 4 1 , 42, 43を図中左か ら右に向かって透過して出力される。なお、非線形光学結晶 4 1 , 42 ,
43の間には、 図示のように集光レンズ 44 , 45が配設されている。 これら基本波が非線形光学結晶 4 1を通る際に、 2次高調波発生によ り基本波の周波数 ωの 2倍、 すなわち周波数 2 ω (波長は 1/2の 77 2 nm) の 2倍波が発生する。 発生した 2倍波は右方向へ進み、 次の非 線形光学結晶 42に入射する。 ここで再び第 2次高調波発生を行い、 入 射波の周波数 2 ωの 2倍、 すなわち基本波に対し 4倍の周波数 4ω (波 長は 1/4の 386 nm) をもつ 4倍波が発生する。 発生した 4倍波は さらに右の非線形光学結晶 43に進み、 ここで再び第 2次高調波発生を 行い、 入射波の周波数 4ωの 2倍、 すなわち基本波に対し 8倍の周波数 8 ωを有する 8倍波 (波長は 1 / 8の 1 93 nm) を発生する。
前記波長変換に使用する非線形光学結晶としては、 例えば基本波から 2倍波への変換を行う非線形光学結晶 4 1には LiB305 (L B 0) 結晶 を、 2倍波から 4倍波への変換を行う非線形光学結晶 42には LiB305 (LBO) 結晶を、 4倍波から 8倍波への変換を行う非線形光学結晶 4 3には Sr2Be2B2O7 ( S B B 0 ) 結晶を使用する。 ここで、 L B 0結晶 を使用した基本波から 2倍波への変換には、 波長変換のための位相整合 に LB〇結晶の温度調節による方法、 Non-Critical Phase Matching: NCPMを使用する。 NCPMは、 非線形光学結晶内での基本波と第二 高調波との角度ずれ (Walk-off)が起こらないため高効率で 2倍波への変 換を可能にし、また発生した 2倍波は Walk-offによるビームの変形も受 けないため有利である。
波長変換部は上記の構成に限られず、 種々の構成があり、 例えば、 第 8図に第 2の実施形態に係る波長変換部 140の構成を示している。 こ の波長変換部においては、 基本波 (波長 1. 544 m) 2倍波 (波 長 772 nm)—3倍波 (波長 5 1 5 n m)→ 4倍波 (波長 386 n m) 7倍波 (波長 22 1 nm) →8倍波 (波長 1 93 nm) の順に波長変 換する。
第 1の波長変換部 14 1では、 基本波から 2倍波への 2次高調波発生 の変換に L B 0結晶が前述した N C PMで使用される。 第 1波長変換部 (LB 0結晶) 14 1は、 基本波の一部を波長変換せずに透過させると ともに、 基本波を波長変換して 2倍波を発生し、 この基本波と 2倍波は ともに第 2波長変換部 142に入射する。
第 2波長変換部 142では、 第 1波長変換部 14 1で発生した 2倍波 と、 変換せずに透過した基本波とから和周波発生により 3倍波 (波長 5 1 5 nm) を得る。 波長変換結晶としては L B 0結晶が用いられるが、 第 1波長変換部 (LB0結晶) 14 1とは温度が異なる NCPMで使用 される。 このようにして得られた 3倍波と、 波長変換されずに透過した 2倍波および基本波は、 第 1ダイクロイ ツクミラー 1 5 1により分離さ れ、 第 1ダイクロイ ツクミラ一 1 5 1で反射された 3倍波は、 レンズを 通って全反射ミラー 1 6 1で反射された後、 第 3ダイクロイ ツクミラー 1 5 3に入射する。
—方、 第 1ダイクロイ ツクミラ一 1 5 1を通過した 2倍波および基本 波は、 第 2ダイクロイ ツクミラー 1 5 2において分離され、 第 2ダイク ロイ ヅクミラー 1 5 2により反射された 2倍波は L B 0結晶を用いた第 3波長変換部 1 4 3において入射波の周波数 2 ωの 2倍、 すなわち基本 波に対し 4倍の周波数 4 ω (波長は 1/4の 3 8 6 nm) をもつ 4倍波 に変換される。 この 4倍波は第 3ダイクロイ ツクミラー 1 5 3において 反射され、 全反射ミラー 1 6 1 により反射されるとともに第 3ダイク口 イ ツクミラー 1 5 3を通過した 3倍波と一緒になつて B B 0結晶を用い た第 4波長変換部 1 44に入射する。第 4波長変換部 1 44においては、 このように入射された 3倍波と 4倍波との和周波発生により 7倍波を形 成し、 この 7倍波は第 4ダイクロィ ヅクミラ一 1 5 4に入射される。
また、 第 2ダイクロイ ツクミラー 1 5 2を通過した基本波は、 第 2全 反射ミラ一 1 6 2により反射されて第 4ダイクロイ ツクミラー 1 5 4に 入射する。 第 4ダイクロイ ツクミラー 1 5 4においては、 上記のように 入射された 7倍波と基本波とを、 C L B 0結晶を用いた第 5波長変換部 1 5に入射させる。 第 5波長変換部 1 4 5においては、 このように入 射された基本波と 7倍波との和周波発生により 8倍波を形成し、 この 8 倍波が出力レーザ光として出力される。
第 9図には、 第 3の実施形態に係る波長変換部 2 4 0の構成を示して いる。 この波長変換部においては、 基本波 (波長 1 . 5 44〃m) 2 倍波 (波長 7 7 2 nm) →3倍波 (波長 5 1 5 nm) → 6倍波 (波長 2 5 7 nm) 倍波 (波長 2 2 1 nm) →8倍波 (波長 1 9 3 nm) の 順に波長変換する。
第 1の波長変換部 2 4 1では、 基本波から 2倍波への 2次高調波発生 の変換に L B 0結晶が前述した N C P Mで使用される。 第 1波長変換部 ( L B 0結晶) 2 4 1は、 基本波の一部を波長変換せずに透過させると ともに、基本波を波長変換して 2倍波を発生し、この基本波と 2倍波は、 ともに第 2波長変換部 2 4 2に入射する。
第 2波長変換部 2 4 2では、 第 1波長変換部 2 1で発生した 2倍波 と、 変換せずに透過した基本波とから和周波発生により 3倍波 (波長 5 1 5 n m ) を得る。 波長変換結晶としては L B 0結晶が用いられるが、 第 1波長変換部 (L B O結晶) 2 1 とは温度が異なる N C P Mで使用 される。 このようにして得られた 3倍波と、 波長変換されずに透過した 基本波は、 第 1ダイクロイ ツクミラ一 2 5 1により分離され、 第 1ダイ クロイ ツクミラー 2 5 1で反射された 3倍波は、 B B 0結晶を用いた第 3波長変換部 2 4 3に入射され、 ここで 6倍波に変換される。 この 6倍 波は第 1全反射ミラー 2 6 1で反射されて第 2ダイクロイ ツクミラー 2 5 2に入射する。
—方、 第 1ダイクロイ ツクミラー 2 5 1を通過した基本波は、 第 2全 反射ミラー 2 6 2で反射されて第 2ダイクロイ ックミラー 2 5 2に入射 する。 このようにして第 2ダイクロイ ヅクミラ一 2 5 2に入射された 6 倍波および基本波は、 第 2ダイクロイ ツクミラー 2 5 2において合流し て C L B 0結晶を用いた第 4波長変換部 2 4 4に入射される。 第 4波長 変換部 2 4 4においては、 このように入射された 6倍波と基本波とを合 成して 7倍波を形成するとともに基本波の一部はそのまま通過させる。 このようして第 4波長変換部 2 4 4から出力された 7倍波はダイクロイ ックミラー 2 5 4で反射され、 基本波はダイクロイ ツクミラ一 2 5 4を 透過し、 それぞれ、 レンズで集光された後、 第 3ダイクロイ ツクミラー 2 5 3において合流されて C L B 0結晶を用いた第 5波長変換部 2 4 5 に入射されて合成され、 ここで 8倍波が形成され、 この 8倍波が出カレ 一ザ光として出力される。
なお、 以上説明した第 7図〜第 9図の各例において図示の如く光学レ ンズが配設されている。 また、 偏光方向を所望の方向に合わせるため、 波長板を適宜配設してもよい。 また、 波長変換部の構成は上記のものに 限られず、 基本波である 1. 5 44〃mの 8倍波を発生させる構成であ れぱよい。 例えば、 基本波 (波長 1. 5 44 m) 2倍波 (波長 7 7 2 nm) →3倍波 (波長 5 1 5 nm) →4倍波 (波長 3 8 6 nm) →6 倍波 (波長 2 5 7 nm) 7倍波 (波長 2 2 1 nm) →8倍波 (波長 1 9 3 nm) の順に波長変換することによつても同様の効果を奏する。 このとき、 この波長変換に使用する非線形光学結晶としては、 例えば 基本波から 2倍波への変換結晶には L B 0結晶を、 2倍波から 4倍波へ の変換結晶には LB 0結晶を、 2倍波と 4倍波との和周波発生による 6 倍波発生には B B 0結晶を、 基本波と 6倍波との和周波発生による 7倍 波発生には B B 0結晶を、 基本波と 7倍波との和周波発生による 8倍波 発生には L B O結晶を使用することで達成できる。 この場合にも 8倍波 発生に LB 0結晶を使用できるため結晶の損傷が問題とならない点で有 利である。
以上、 1列のファイバーを用いて波長変換する場合の例を示したが、 バンドルの場合も同様の方法で行い、 レンズ部分にバンドルの波長変換 が可能なレンズアレイ等を用いる。
次に、 以上のように構成されたレーザ装置 1 0から発生した、 波長が A r Fエキシマレーザ光の波長 1 9 3 nmと同一となるレーザ光を、 眼 球 E Yの角膜 H Cの表面に導いてここに照射させる照射光学装置 6 0お よび観察光学装置 8 0について、 説明する。 なお、 前述したように、 レ —ザ装置 1 0においては、 固体レーザを 1. 5 1〃m〜 l . 5 9〃 の 範囲内に発振波長を持つ D F B半導体レーザもしくはファイバーレ一ザ から構成しているので、 波長変換器により、 固体レーザからの上記波長 のレーザ光は、 1 8 9 η π!〜 1 9 9 n mの範囲内となる 8倍高調波を有 したレーザ光に変換されて出力される。 このようにこのレーザ光は A r Fエキシマレ一ザ光と略同一の波長のレーザ光であるが、 そのパルス発 振の繰り返し周波数は 1 0 0 k H z と非常に高いものとなっている。
この照射光学装置 6 0および観察光学装置 8 0の第 1実施形態を第 1 0図に示している。 照射光学装置 6 0は、 上記レーザ装置 1 0から射出 される波長 1 9 3 n mのレーザ光を細いビーム状に集光する集光レンズ 6 1 と、 このように集光されたビーム状レーザ光を反射させて治療対象 となる眼球 E Yの角膜 H Cの表面に照射させるダイクロイツクミラー 6 2 とを有して構成される。 これにより、 角膜 H Cの表面にレーザ光がス ポッ ト光として照射され、 この部分の蒸散を行わせる。 このとき、 X— Y移動テーブル 3により、 装置筐体 1全体を X方向および Y方向に移動 させて角膜 H Cの表面上に照射されるレーザ光スポッ トを走査移動させ、 角膜表面のアブレーシヨンを行い、 近視、 乱視、 遠視等の治療を行う。
このような治療は、 眼科医等の術者が観察光学装置 8 0を介して目視 観察しながら X— Y移動テーブル 3の作動を制御して行われる。 この観 察光学装置 8 0は、 治療対象となる眼球 E Yの角膜 H Cの表面を照明す る照明ランプ 8 5 と、 照明ランプ 8 5により照明された角膜 H Cからの 光をダイクロイ ツクミラ一 6 2を透過して受ける対物レンズ 8 1 と、 対 物レンズ 8 1からの光を反射させるプリズム 8 2 と、 この光を受ける接 眼レンズ 8 3 とから構成され、 接眼レンズ 8 3を通して角膜 H Cの拡大 像を観察できるようになっている。
なお、 この例では X— Y移動テーブル 3の移動制御は手動制御による が、 角膜 H Cの形状を測定する形状測定装置を設け、 形状測定装置によ り測定された角膜表面の形状に基づいて自動的にレーザ光の照射を行う ように X— Y移動テーブル 3の作動を自動制御する装置、 すなわち照射 位置調整装置を設けてもよい。
上記の例では、 X— Υ移動テーブル 3により装置全体を平面的に移動 させて角膜 H Cの表面へ照射されるレーザ光スポッ トを操作するように しているが、 レーザ光照射位置の走査を光学的に行わせてもよい。 この 例を第 1 1図に示しており、 照射光学装置 6 0 f は、 上記レーザ装置 1 0から射出される波長 1 9 3 n mのレーザ光を細いビーム状に集光する 集光レンズ 6 1を有し、 このように集光されたビーム状レーザ光を第 1 反射ミラ一 6 3により反射させて第 1サ一ボミラ一 6 4に入射させ、 さ らに、 第 1サーボミラ一 6 4により反射させて第 2サーボミラー 6 5に 入射させ、 第 2サ一ボミラー 6 5から反射したレ一ザ光を第 2反射ミラ 一 6 6により反射させてダイクロイツクミラ一 6 2に入射させ、 ダイク ロイックミラ一 6 2から治療対象となる眼球 E Yの角膜 H Cの表面に照 射させるように構成される。 なお、 第 1 1図の装置において、 第 1 0図 の装置と同一部分には同一番号を付しており、 その説明は重複するため 省略する。
第 1および第 2サ一ボミラー 6 4 , 6 5はそれぞれミラー面の角度を 調整するサ一ボ乇一夕 6 4 a , 6 5 aを有し、 サーボモ一夕 6 4 a , 6 5 aにより ミラ一面角度を移動させて、 角膜 H Cの表面に照射されるレ —ザ光スポッ トを走査移動させ、 角膜表面のアブレーシヨンを行い、 近 視、 乱視、 遠視等の治療を行う。 なお、 このときにも、 眼科医等の術者 が観察光学装置 8 0を介して角膜 H Cの表面を目視観察しながらサーボ モー夕 6 4 a , 6 5 aの作動を制御する。 さらに、 上記と同様に、 角膜 H Cの形状を測定する形状測定装置を設け、 形状測定装置により測定さ れた角膜表面の形状に基づいて自動的にレーザ光の照射を行うようにサ ーボモー夕 6 4 a , 6 5 aの作動を自動制御する装置、 すなわち照射位 置調整装置を設けてもよい。
以上のようにして、 レーザ装置 1 0から発生するパルスレーザ光を角 膜表面に照射して角膜表面のアブレーシヨンを行い、 近視、 遠視、 乱視 等の治療が行われる。 このとき、 レーザ装置 1 0から発生するレーザ光 は、 1 0 0 k H z (パルス幅 I n s ) という非常に高い周波数のパルス 状レ一ザ光であるため、 パルス光スポヅ トを角膜表面で走査してもスム —ズな走査が可能であり、 且つパルス幅が非常に小さいため、 パルスェ ネルギ一のほとんどが物質結合切断に用いられて熱蒸散の発生が抑えら れる。 なお、 本発明によるレーザ治療装置では、 パルス光 (パルス状レ —ザ光) のパルス幅およびその繰り返し周波数を制御可能であり、 熱蒸 散の発生を良好に抑えることができるパルス幅 (すなわち、 0 . 5 ii s 〜 3 n sのパルス幅) および繰り返し周波数 (すなわち、 1 0 k H z〜 1 0 0 k H zの繰り返し周波数) を実現している。
このようなレーザ治療装置による近視治療は、 例えば、 角膜 H Cの表 面における第 1 2図においてハッチングした部分 Aを、 レーザ装置 1 0 からのレーザ光の照射により蒸散させてアブレ一ションさせることによ り行われる。第 1 0図および第 1 1図に示すレーザ治療装置の場合には、 角膜表面に照射されるレーザ光スポッ 卜位置を走査移動させてハツチン グ部 Aのアブレーシヨンを行わせるものであるが、 第 1 3図に示すよう なレーザ治療装置によるアブレ一シヨンを行わせてもよい。 なお、 第 1
3図に示すレーザ治療装置において、 第 1 0図および第 1 1図に示す装 置と同一部分には同一番号を付して説明する。
第 1 3図に示す装置は、 照射光学装置 1 6 0 と観察光学装置 8 0とを 有して構成される。観察光学装置 8 0は上記のものと同一の構成であり、 その説明は省略する。 照射光学装置 1 6 0は、 レーザ装置 1 0から射出 される波長 1 9 3 n mのレーザ光を所定の大きさの円筒ビーム状に集光 する集光レンズ 1 6 1 と、 このように集光された円筒ビーム状レーザ光 を反射させて治療対象となる眼球 E Yの角膜 H Cの表面に照射させるダ ィクロイ ツクミラー 1 6 2 と、 眼球 E Yに近接する位置に配設されたフ ィル夕 1 6 3 とを有して構成される。
集光レンズ 1 6 1により作られる円筒ビーム状レーザ光は、 第 1 4図 に示すように、 角膜 H Cの表面における治療対象となる領域をカバーす る程度の直径 dを有した円筒状のレーザ光である。 フィルタ 1 6 3は中 央部においてレーザ光を良く透過させ、 周辺部での透過率が低くなる性 能を有しており、円筒ビーム状レーザ光がフィル夕 1 6 3を通過すると、 そのレーザ光強度が第 1 4図 (b ) に示すような分布となる。 このよう な強度分布を有したレーザ光を角膜 H Cの表面に照射すると、 強度の大 きな部分のアブレ一シヨンが大きくなり、 第 1 2図に示すハツチング部 Aを除去するアブレ一ションが行われる。 これが特許請求の範囲に規定 する照射制御装置に該当し、 この照射制御装置は治療部位に対するレ一 ザ光の照射強度を調整する。
また、 フィル夕 1 6 3に代えて所定形状の開口を有した複数の遮光部 材を用いてもよい。 例えば、 同心円上に径が異なる複数の遮光部材を準 備し、 小さな開口の遮光部材を用いて角膜 H Cの中央部をまずアブレ一 シヨンし、 開口面積を徐々に大きくなるように遮光部材を交換しながら アブレーシヨンを繰り返して第 1 2図に示すハツチング部 Aのアブレ一 シヨンを行わせることも可能である。 これが特許請求の範囲に規定する 照射制御装置に該当し、 この照射制御装置は治療部位に対するレーザ光 の照射領域を調整する。
上述のレーザ治療装置において、 角膜 H Cの表面に照射されるレーザ 光の強度がアブレーシヨンの大きさに大きく関係するため、 レーザ光強 度調整が必要であるが、 この強度調整は、 レーザ装置 1 0内における、 レーザ 1 2からの発振周波数調整、 第 3段ファイバ一光増幅器 3 0にお ける半導体レーザ 3 1 a, 3 1 bからの発生光量制御等により簡単に行 うことができる。 これが特許請求の範囲に規定するレーザ光の強度を調 整する強度調整器に該当する。 なお、 このような強度調整のためには実 際のレーザ光強度を測定するレーザ光強度測定器を設け、 このレーザ光 強度測定器により測定された実レーザ光強度が所望の強度であるか否か を判断し、 所望強度から外れているときには、 これを較正する必要があ る。 この強度較正は、 上記強度調整器の作動制御を行うことにより可能 であり、 このように強度調整器の作動制御を行うために特許請求の範囲 に規定するレーザ光強度較正器が用いられる。
以上においては、 レーザ光発生部 1 1においてレーザ光源として D F B半導体レーザ 1 2とファイバー増幅器を用いているが、これに代えて、 Qスイ ッチパルス E r : Y A Gレーザや、 Qスイ ッチパルス E r : G 1 a s s レーザを用いてもよい。 この場合には、 波長が約 1 5 5 0 n mの レ一ザ光が出力され、 これを波長変換して 8倍の高調波となる 1 9 4 n mのレーザ光を得ることができる。 産業状の利用可能性
以上説明したように、 本発明に係るレーザ治療装置は、 レーザ光を角 膜に照射して表面のアブレ一シ ヨ ン ( P R K: Photorefractive Keratectomy) あるいは切開した角膜内部のアブレ一シヨン (L A S I K : Laser Intrastromal Keratomileusis) を行い、 角膜の曲率もしくは 凹凸を矯正して近眼、 乱視などの治療を行うことに利用することができ る。 もちろん、 本発明の利用分野は、 上記角膜の治療のみに限られるも のではなく、 他の治療にも利用可能なものである。

Claims

請 求 の 範 囲
1 . 所定の波長のレーザ光を発生させる固体レーザを有するレーザ光 発生器、 前記レーザ光発生器によって発生された前記レーザ光を増幅す る光増幅器および前記光増幅器により増幅されたレーザ光を非線形光学 結晶を用いて波長が略 1 9 3 n mの治療用レーザ光に波長変換する波長 変換器を備えて構成されるレーザ装置と、 前記レーザ装置により発生さ れた前記治療用レーザ光を、 治療部位に導いて照射させる照射光学装置 とを有することを特徴とするレーザ治療装置。
2 . 前記固体レーザは、 1 . 5 1〃m〜 l . 5 9 z mの範囲内に発振 波長を持つ D F B半導体レーザもしくはファイバ一レーザからなり、 前 記波長変換器は、 前記固体レ一ザからのレーザ光を 1 8 9 n m〜 1 9 9 n mの範囲内となる 8倍高調波に変換させることを特徴とする請求の範 囲第 1項に記載のレーザ治療装置。
3 . 前記治療部位が角膜であることを特徴とする請求の範囲第 1項又 は第 2項に記載のレーザ治療装置。
4 . 前記治療部位への前記治療用レーザ光の照射状況を観察可能な治 療部位観察装置を有することを特徴とする請求の範囲第 1項から第 3項 のうちいずれか 1項に記載のレーザ治療装置。
5 . 前記照射光学装置による前記治療用レ一ザ光の治療部位への照射 状態を制御する照射制御装置を有することを特徴とする請求の範囲第 1 項から第 4項のうちいずれか 1項に記載のレーザ治療装置。
6 . 前記照射光学装置により前記治療用レーザ光がスポッ ト光として 治療部位に照射され、 前記照射制御装置が前記スポッ ト光を治療部位に 対して走査させるようにされていることを特徴とする請求の範囲第 5項 に記載のレーザ治療装置。
7 . 前記照射光学装置により前記治療用レーザ光が治療部位の所定範 囲に広がって照射され、 前記照射制御装置は前記治療部位と前記照射光 学装置との間に配設されて前記治療用レーザ光の前記治療部位に対する 照射領域を可変調整するようにされていることを特徴とする請求の範囲 第 5項に記載のレーザ治療装置。
8 . 前記照射光学装置により前記治療用レーザ光が治療部位の所定範 囲に広がって照射され、 前記照射制御装置は前記治療部位と前記照射光 学装置との間に配設されて前記治療用レーザ光の前記治療部位に対する 照射強度を可変調整するようにされていることを特徴とする請求の範囲 第 5項に記載のレーザ治療装置。
9 . 治療部位の形状を測定する形状測定装置を有し、 前記形状測定装 置により測定された前記治療部位の形状に基づいて前記照射制御装置に よる前記治療用レーザ光の照射制御を行うことを特徴とする請求の範囲 第 5項から第 8項のうちいずれか 1項に記載のレーザ治療装置。
1 0 . 前記レーザ装置が、 前記レーザ装置から発生される前記治療用 レーザ光の強度を調整する強度調整器を有することを特徴とする請求の 範囲第 1項から第 9項のうちいずれか 1項に記載のレーザ治療装置。
1 1 . 前記レーザ装置から発生される前記治療用レーザ光の強度を測 定するレーザ光強度測定器と、 前記レーザ光強度測定器により測定され た前記治療用レーザ光の強度を所定の強度に較正するレーザ光強度較正 器とを備えることを特徴とする請求の範囲第 1項から第 1 0項のうちい ずれか 1項に記載のレーザ治療装置。 ·
1 2 . 前記レーザ装置により発生される前記治療用レーザ光がパルス 光であり、 前記パルス光のパルス幅が 0 . 5 n s〜 3 n sであることを 特徴とする請求の範囲第 1項から第 1 1項のうちいずれか 1項に記載の レーザ治療装置。
1 3. 前記レーザ装置により発生される前記治療用レーザ光がパルス 光であり、 前記パルス光の繰り返し周波数が 1 0 kHz〜 1 00 kH z であることを特徴とする請求の範囲第 1項から第 1 2項のうちいずれか
1項に記載のレーザ治療装置。
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WO2003077383A1 (fr) * 2002-03-13 2003-09-18 Nikon Corporation Dispositif d'amplification lumineuse, son procede de fabrication, source de lumiere mettant ce dispositif en application, dispositif de traitement lumineux utilisant la source de lumiere et dispositif d'exposition utilisant cette source de lumiere

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