WO2001069597A1 - Substrat pour tete optique et son procede de fabrication - Google Patents

Description

明 細 書

光へッ ド装置用基板ュニ ッ ト と その製造方法

技術分野

こ の発明は、 例えばデジタルビデオディ スク （ D V D ) あ るレ、はコ ンパク トディ スク （ C D ) 等の光ディ スク を駆動す るディ スク ドライブ機器において、 情報の記録または再生を 担 う 光ヘッ ド装置に係 り 、 特にそ の レーザーダイオー ド （以 下 L D と称する） 、 フォ ト ダイ オー ド （以下 P D と称する） 及び偏光素子 （以下 H O E と称する） 等を一体化した、 いわ ゆるイ ンテ グ レーテ ツ ド光学ュ ニ ッ ト （以下 I O U と 称す る） に適用 して好適する光へッ ド装置用基板ュニッ ト とその 製造方法に関する。

背景技術

周知のよ う に、 従来よ り 、 光ヘッ ド装置に使用 される L D 及び P Dは、 いずれも、 シ リ コ ン （ S i ) 基板あるいはガ リ ゥム砒素 （ G a A s ) 基板上に、 半導体の素子パター ンを形 成するの と 同 じよ う な製造方法によって作られる。

この場合、 L Dは、 それが形成される基板の面と略平行に レーザー光を放射する よ う に構成される。 また、 P Dは、 そ れが形成される基板の面に垂直に入射される光を受光する よ う に構成される。

このため、 従来の光へッ ド装置において、 L Dからの レー ザ一光を光ディ スク に照射し、 その反射光を P Dで受光する 構成とするためには、 L D と P D と を隣接させて配置し、 P Dの形成された基板面と L D の形成された基板面と を略直角 に設定する と レヽ う 、 立体的な構造を と る必要がある。

なお、 こ のよ う に、 L D と P D と を立体的な位置関係で配 置 した構造を有する光へッ ド装置の具体的な構成例は、 例え ば特開平 1 1 一 1 1 0 7 9 6 号公報等に示 されている。

と こ ろで、 光ディ ス ク に対 して信頼性の高い記録や再生を 行な う ためには、 特に ト ラ ッ キングやフォーカス等の各サー ボ系を正確に駆動させる こ と が重要であ り 、 L D と P D と の 相互の位置関係を、 1 Ο μ ιη以下と い う 高い精度で設定する 必要がある。

また、 L Dの形成された基板 と P Dの形成された基板 と の 相互間は、 ワイ ヤーボンディ ングによ って電気的に接続され る こ と になるが、 こ の場合、 立体的な ワイ ヤーボンディ ング を行な う こ と が必要 と なる。

し力 しなが ら、 L D と P D と に対 して、 こ の よ う な高い精 度で、 しかも、 立体的な次元で相互間の位置調整やワイ ヤー ボンディ ング等を行な う こ と は、 その作業が非常に困難で煩 雑にな り 、 作業能率が低下する と い う 問題が生 じる。

そ こ で、 こ の発明は上記事情を考慮 してな されたもので、 L D と P D と を同一二次元面上に配置可能と する こ と で、 L D と P D と の位置決め作業を容易化する と と も に、 ワイ ヤー ボンディ ングの作業性も 向上させる こ と を可能 と する光へッ ド装置用基板ュニ ッ ト を提供する こ と を 目 的 と する。

また、 この発明は、 上記の よ う な光ヘッ ド装置用基板ュ - ッ ト を、 高精度で量産性よ く 製造する こ と を可能とする光へ ッ ド装置用基板ュニ ッ ト の製造方法を提供する こ と を 目 的 と する。

発明の開示

こ の発明に係る光へッ ド装置用基板ュニ ッ トは、

取り 付け られる面に対して略平行に レーザー光を発する発 光素子を取 り 付けるための発光素子取付面と 、

こ の発光素子取付面に取り 付け られた発光素子から発せら れる レーザー光の光軸の方向を、 反射によ り 所定の角度変更 するための光反射面と 、

発光素子取付面と 同一二次元平面上に形成され、 外部から 入射される光を受光する光検出素子を取 り 付けるための光検 出素子取付面と が形成された基板ュニ ッ ト を有している。

上記のよ う な構成によれば、 発光素子と光検出素子と を同 一二次元面上に配置可能とする よ う に したので、 発光素子と 光検出素子と の位置決め作業を容易化する こ と ができ る よ う になる と と もに、 ワイ ヤーボンディ ングの作業性も向上させ る こ とが可能と なる。

また、 こ の発明に係る光ヘッ ド装置用基板ユニ ッ ト の製造 方法は、

略直方体状に形成された第 1 の被加工部材の一方の平面に 複数の光反射面を形成する第 1 の工程と 、

この第 1 の工程で複数の光反射面が形成された第 1 の被加 ェ部材の平面に、 略直方体状に形成された第 2 の被加工部材 の一方の平面を当て付け、 光反射面を除く 部分に接着媒体を 介在させる こ と によ って、 第 1 及び第 2 の被加工部材同士を 結合させた接合プロ ック を形成する第 2 の工程と、 こ の第 2 の工程で形成された接合プロ ッ ク を、 それぞれに 1 つの光反射面が含まれる よ う に、 該光反射面に対 して所定 の角度で切断する こ と によ り 、 複数のブロ ッ ク に分割する第

3 の工程と 、

この第 3 の工程で得られたブロ ッ ク を、 その切断面を加工 の基準面 と して設置する こ と によ り 、 該ブロ ッ ク から、 光反 射面に向けて レーザー光を発する発光素子を取 り 付けるため の発光素子取付面 と 、 この発光素子取付面 と 同一二次元平面 上に形成され、 外部から入射される光を受光する光検出素子 を取 り 付ける ための光検出素子取付面 と を備えた基板ュニ ッ ト を形成する第 4 の工程と を有する よ う に している。

上記の よ う な製造方法によれば、 複数の光反射面の形成さ れた第 1 の被加工部材に第 2 の被加工部材を結合させた接合 ブロ ッ ク を、 光反射面に対して所定の角度で切断して複数の プロ ッ ク に分割 し、 該ブロ ッ ク をその切断面を加工の基準面 と して設置する こ と によ り 、 該ブロ ッ ク 力ゝら、 発光素子取付 面と 光検出素子取付面 と を備えた基板ュニ ッ ト を形成する よ う に したので、 上記 した光ヘッ ド装置用基板ユニ ッ ト を、 高 精度で量産性よ く 製造する こ と が可能と なる。

図面の簡単な説明

第 1 A図乃至第 1 C 図は、 それぞれ、 こ の発明に係る光へ ッ ド装置用基板ュニ ッ ト と その製造方法の第 1 の実施例を説 明するために示す正面図、 上面図及び側面図、 第 2 図は、 同 第 1 の実施例における基板ュニ ッ ト を配線基板上に固定した 状態を説明するために示す上面図、 第 3 図は、 同第 1 の実施 例における基板ュニッ トの製造方法の一工程を説明するため に示す斜視図、 第 4 図は、 同第 1 の実施例における基板ュニ ッ トの製造方法の他の工程を説明するために示す斜視図、 第 5 図は、 同第 1 の実施例における基板ユニッ トの製造方法の さ らに他の工程を説明するために示す斜視図、 第- 6 図は、 同 第 1 の実施例における基板ュニ ッ トの製造方法のさ らに他の 工程を説明するために示す図、 第 7 図は、 同第 1 の実施例に おける変形例を説明するために示す斜視図、 第 8 A図乃至第 8 C図は、 それぞれ、 こ の発明に係る光ヘッ ド装置用基板ュ ニ ッ ト とその製造方法の第 2 の実施例を説明するために示す 正面図、 上面図及び側面図、 第 9 図は、 同第 2 の実施例にお ける基板ユニ ッ トの製造方法の一工程を説明するために示す 斜視図、 第 1 0 図は、 同第 2 の実施例における基板ユニッ ト の製造方法の他の工程を説明するために示す斜視図、 第 1 1 図は、 同第 2 の実施例における基板ュニッ トの製造方法の さ らに他の工程を説明するために示す斜視図、 第 1 2 図は、 同 第 2 の実施例における基板ュニ ッ トの製造方法のさ らに他の 工程を説明するために示す斜視図、 第 1 3 図は、 同第 1 及び 第 2 の実施例における変形例の一工程を説明するために示す 斜視図、 第 1 4 図は、 同第 1 及び第 2 の実施例における変形 例の他の工程を説明するために示す斜視図、 第 1 5 図は、 同 第 1 及び第 2 の実施例における変形例を説明するために示す 側面図、 第 1 6 図は、 この発明に係る光ヘッ ド装置用基板ュ ニ ッ ト とその製造方法の第 3 の実施例を説明するために示す 正面図である。 発明を実施する ための最良の形態

以下、 こ の発明の第 1 の実施例について図面を参照 して詳 細に説明する。 第 1 A図乃至第 1 C 図は、 それぞれ、 こ の第 1 の実施例で説明する光へッ ド装置 1 1 の基板ュ - ッ ト 1 2 を示 してレヽる。

すなわち、 第 1 A図は、 基板ユニ ッ ト 1 2 を正面方向から 見た状態を、 H O E 1 3 、 対物 レ ンズ 1 4 及び光ディ ス ク 1 5 と と も に示 している。 第 1 B 図は、 基板ユニ ッ ト 1 2 を上 面方向、 つま り 、 光ディ ス ク 1 5 に対 して レーザー光が出入 する方向から見た状態を示 している。 第 1 C 図は、 基板ュ - ッ ト 1 2 を側面方向から見た状態を示 している。

光へッ ド装置 1 1 は、 取付基体と しての基板ュニ ッ ト 1 2 を有 し、 こ の基板ュニ ッ ト 1 2 に発光素子と しての L D 1 6 と 、 光検出素子 と しての P D 1 7 と が取 り 付け られている。 基板ュニ ッ ト 1 2 は、 熱伝導率が高い絶縁物であるセラ ミ ッ ク 、 ガラス あるいはサフ ァイ ア等の素材で形成された第 1 の 部材 1 8 と 第 2 の部材 1 9 と カゝ ら構成されている。

第 1 の部材 1 8 は、 断面が略直角三角形状に形成され、 そ の斜面 1 8 a の中央部から一方の先端部側にかけて、 金属あ るいは金属酸化物の薄膜によ っ て形成される反射膜面 2 0 が 設け られてレヽる。

こ の反射膜面 2 0 は、 それを形成するための第 1 の部材 1 8 の表面が、 予めラ ップ、 ポ リ シング等の手段で鏡面加工さ れてお り 、 その鏡面加工面に金属あるいは金属酸化物の薄膜 が形成されて構成される もので、 L D 1 6 の発光波長を全反 射する機能を有する。

また、 第 2 の部材 1 9 には、 その端部に第 1 の部材 1 8 の 斜面 1 8 a に対応する傾斜を有する斜面 1 9 a が形成されて いる。 こ の第 2 の部材 1 9 の斜面 1 9 a が、 第 1 の部材 1 8 の斜面 1 8 a に、 ガラス、 銀ろ う 、 半田、 有機接着剤等の接 着媒体 2 1 で接着される こ と によ り 、 第 1 の部材 1 8 と第 2 の部材 1 9 と が結合される。 あるいは、 加熱、 加圧によ る拡 散接合によ っ て、 第 1 の部材 1 8 と 第 2 の部材 1 9 と が結合 される。

こ の と き、 第 1 の部材 1 8 と 第 2 の部材 1 9 と は、 その底 面 1 8 b , 1 9 b が同 じ平面 と なる よ う に結合される力 、 あ るいは、 結合後に、 切断等の加工によ り 、 同一平面 と なる よ う に形成される。

第 1 の部材 1 8 の斜面 1 8 a には、 第 2 の部材 1 9 と の結 合部端部に沿って溝 2 2 が形成され、 さ ら に、 こ の溝 2 2 と 反対側の反射膜面 2 0 の縁に も 、 溝 2 3 が形成 されている。 こ の う ち、 溝 2 2 は、 第 1 の部材 1 8 と 第 2 の部材 1 9 と を 接着する際に、 接着媒体 2 1 が反射膜面 2 0 の上に侵入する のを阻止する機能を有する。

第 2 の部材 1 9 には、 L D取 り 付け面 2 4 が形成され、 こ の L D取 り 付け面 2 4 の表面に、 スパ ッ ター、 蒸着、 鍍金等 の手段によ り 金 （ A u ) 等を素材とする導電膜 2 5 が形成さ れる。 L D 1 6 は、 導電膜 2 5 上に半田等に よ り 貼 り 付け ら れる。

また、 第 2 の部材 1 9 には、 L D取 り 付け面 2 4 カゝら突出 する突部 2 6 が設け られ、 こ の突部 2 6 の L D取 り 付け面 2 4 から立ち上がる端面が、 L D 1 6 を取 り 付ける際の基準面 2 7 と なる。 さ ら に、 この基準面 2 7 に沿っ て、 底面 1 9 b 方向に溝 2 8 が形成されている。

第 1 の部材 1 8 の反射膜面 2 0 に隣接して、 第 2 の部材 1 9 に延びる P D取 り 付け面 2 9 が形成されている。 この P D 取 り 付け面 2 9 は、 L D取 り 付け面 2 4 から底面 1 9 b 方向 に下がっ た位置に、 L D取 り 付け面 2 4 と 略平行になる よ う に設け られる。

こ のため、 上面方向から L D取 り 付け面 2 4 と P D取 り 付 け面 2 9 と を見た場合、 2 つの面 2 4 , 2 9 は、 同一二次元 平面内に存在する こ と になる。

こ こ で、 2 つの面 2 4 ， 2 9 が同一二次元平面内に存在す る と は、 面 2 4 と 面 2 9 と が平行ではある が異なる高さ で存 在する場合 と 、 面 2 4 と 面 2 9 と が同 じ高 さ で全く 同一平面 と して存在する場合と を含むも の とする。

P D取 り 付け面 2 9 によ って、 L D取 り 付け面 2 4 と の境 界に壁 3 0 が形成され、 こ の壁 3 0 力 、 ？ 0 1 7 を 0取 り 付け面 2 9 に取 り 付ける際の基準面と なる。 さ らに、 P D取 り 付け面 2 9 には、 壁 3 0 に沿って底面 1 9 b 方向に溝 3 1 が形成されている。

P D 1 7 は、 再生のみでな く 、 光ディ ス ク 1 5 の記録ノ タ —ンを正確に ト レースするための、 いわゆるサーボ信号も読 み取る機能を有するため、 複数 （図示の場合は 4 つ） の受光 部 1 Ί a 乃至 1 7 d を備えてレ、る。 また、 こ の P D 1 7 には、 各受光部 1 7 a 乃至 1 7 d にそ れぞれ対応させて、 外部回路と 電気的に接続する ための端子 1 7 e 乃至 1 7 h が形成 されている。

L D 1 6 及び P D 1 7 が取 り 付け られた基板ュニ ッ ト 1 2 は、 第 2 図に示すよ う に、 配線基板 3 2 上に固定される。 こ の配線基板 3 2 には、 P D 1 7 の各端子 1 7 e 乃至 1 7 h に それぞれ対応 して端子 3 2 a 乃至 3 2 d が設け られる と と も に、 L D 1 6 及び導電膜 2 5 にそれぞれ対.応 して端子 3 2 e 3 2 f が設け られてレヽる。

そ して、 P D 1 7 の各端子 1 7 e 乃至 1 7 h が端子 3 2 a 乃至 3 2 d と それぞれワイ ヤーボンディ ング 3 2 g によ って 接続され、 L D 1 6 が端子 3 2 e と ワイ ヤーボンディ ング 3 2 h によ って接続され、 導電膜 2 5 が端子 3 2 f と ワイ ヤー ボンディ ング 3 2 i によ って接続されている。

以上のよ う に構成 された光ヘ ッ ド装置 1 1 では、 L D 1 6 から照射された レーザー光が、 反射膜面 2 0 で全反射されて 略直角に光軸が変更 された後、 H O E 1 3 を通って対物 レ ン ズ 1 4 に入射される こ と によ り 、 光ディ ス ク 1 5 の記録パタ ーン上に集光される。 そ して、 記録パター ンで反射された レ 一ザ一光は、 対物 レ ンズ 1 4 を逆行 し、 H O E 1 3 によ り 偏 向 されて P D 1 7 に受光 される。

こ のよ う な光ヘッ ド装置 1 1 によれば、 一体的に結合され る第 1 の部材 1 8 と 第 2 の部材 1 9 と に、 L D取 り 付け面 2 4 と P D取 り 付け面 2 9 と を、 取 り 付け時の基準と なる面 2 7 , 3 0 を伴なつて同一二次元平面内に形成する よ う に した ので、 L D 1 6 と P D 1 7 と の取 り 付けを精度よ く 簡単に行 なえる よ う になる。

また、 ワイ ヤーボンディ ング接続についても、 立体的な接 続箇所がな く な り 、 平面的な接続のみで済むため、 簡単な設 備で簡単な作業で行な う こ と が可能になる。

次に、 上記基板ユニッ ト 1 2 の製造方法について、 第 3 図 乃至第 7 図を参照 して説明する。 まず、 第 3 図において、 第 1 の被加工部材 3 3 は、 窒化アルミ ニウム （ A 1 N ) 等の熱 伝導の良好なセラ ミ ッ ク を素材と して直方体に形成され、 そ の一方の平面の全域に反射膜面が形成される。

この反射膜面は、 第 1 の被加工部材 3 3 の一方の平面全域 に、 ラ ップ、 ポ リ シング等で鏡面加工を施した上に、 金属あ るいは金属酸化物の薄膜を、 蒸着、 スパ ッ ター、 鍍金等のい わゆる光学膜形成手段によ り 形成する こ と で設け られる。

こ のよ う に第 1 の被加工部材 3 3 の一方の平面全域に形成 された反射膜面は、 該第 1 の被加工部材 3 3 の長手方向に対 して直交する方向に所定の幅で残すよ う に、 所定間隔で削除 される こ と によ り 、 複数の反射膜面 2 0 と して残存する。 また、 第 1 の被加工部材 3 3 の各反射膜面 2 0 が形成され た面には、 各反射膜面 2 0 の両側に、 それぞれ反射膜面 2 0 に沿 う よ う に溝 2 2 , 2 3 が形成される。

さ らに、 第 1 の被加工部材 3 3 の各反射膜面 2 0 が形成さ れた面と反対側の平面には、 各反射膜面 2 0 にそれぞれ対応 する位置に、 反射膜面 2 0 に沿 う よ う に溝 3 4 が形成されて いる。 また、 第 2 の被加工部材 3 5 も、 窒化アル ミ ニ ウム （ A 1 N ) 等の熱伝導の良好なセ ラ ミ ッ ク を素材と して直方体に形 成され、 その一方の平面に、 第 1 の被加工部材 3 3 と 同様な 間隔で溝 3 4 が形成されている。

さ ら に、 上記 した第 1 及び第 2 の被加工部材 3 3 ， 3 5 と 同 じ素材で成型された第 3 の被加工部材 3 6 が設け られ、 そ の一方の平面には、 第 1 の被加工部材 3 3 と 同様に して形成 された反射膜面 2 0 と溝 2 2 , 2 3 と が設け られている。

こ こで、 第 1 及び第 2 の被加工部材 3 3 , 3 5 に形成され た各溝 3 4 内に、 それぞれ接着媒体と してガラ ス材 2 1 を装 填する。

そ して、 第 1 乃至第 3 の被加工部材 3 3 ， 3 5 , 3 6 を、 同一平面内で隣接する各反射膜面 2 0 同士の中央部に、 溝 3 4 が位置する よ う な関係 と なる よ う に相互に当て付け、 その 後、 全体を加熱 してガラ ス材 2 1 を溶融する。

こ の場合、 反射膜面 2 0 に よ って、 第 1 の被加工部材 3 3 と第 2 の被加工部材 3 5 と の間、 及び、 第 1 の被加工部材 3 3 と 第 3 の被加工部材 3 6 と の間には、 それぞれ空隙が生 じ ている。

このため、 加熱によ って溶けたガラ ス材 2 1 は、 毛細管現 象によ って空隙内に拡散 し、 その後、 全体を冷却する こ と に よ り 、 第 1 乃至第 3 の被加工部材 3 3 , 3 5 ， 3 6 がガラ ス 材 2 1 を介 して互いに接着接合され、 こ こ に、 接合ブロ ッ ク が形成される。

ガラ ス材 2 1 の拡散は、 反射膜面 2 0 の両側の溝 2 2 ， 2 3 によ って阻止 される ため、 ガラ ス材 2 1 が反射膜面 2 0 の 表面にまで浸透する こ と がな く 、 ガラ ス材 2 1 が反射膜面 2 0 の表面に付着する こ と が防止 される。

なお、 第 3 図では、 第 1 の被加工部材 3 3 の両面に、 第 2 及び第 3 の被加工部材 3 5 , 3 6 をそれぞれ当て付ける よ う に した例を示 したが、 例えば、 第 1 の被加工部材 3 3 と 第 3 の被加工部材 3 6 と の間に、 第 1 の被加工部材 3 3 と 同様に 構成された被加工部材を 1 つまたは複数個介在させて、 接合 ブロ ッ ク を形成する よ う に して も ょレヽものである。

次に、 上記の よ う に して形成された接合ブロ ッ ク を、 第 3 図に一点鎖線 Aで示すよ う に、 第 1 の被加工部材 3 3 の 1 つ の反射膜面 2 0 と 、 第 3 の被加工部材 3 6 の 1 つの反射膜面 2 0 と が含まれる よ う に、 側面側から所定の角度で反射膜面 2 0 の長手方向に沿って切断 し、 ブロ ッ ク 3 7 を得る。 この 場合、 反射膜面 2 0 に対 して、 例えば 4 5 ° の角度 と なる よ う に、 切断角度が選択される。

第 4 図は、 上記のよ う に切断分割 されたブロ ッ ク 3 7 に対 して、 L D 1 6 を取 り 付ける ための L D取 り 付け面 2 4 を得 るための加工を施 した状態を示 している。 ただ し、 こ の第 4 図に示す例では、 第 1 の被加工部材 3 3 が、 第 2 の被加工部 材 3 5 と 第 3 の被加工部材 3 6 と の間に、 2 個介在されてい る。

第 4 図において、 ブロ ッ ク 3 7 の底面 3 7 a と 上面 3 7 b と が、 第 3 図に示 した一点鎖線 Aに沿って切断 した切断面で ある。 そ して、 ブロ ッ ク 3 7 の底面 3 7 a を、 以後のブロ ッ ク 3 7 に対する加工の基準面 と して水平に設置 した状態で、 その上面 3 7 b 側から底面 3 7 a に向かって垂直方向に、 砥 石加工によ り 切 り 欠き部 3 7 c を形成 し、 その切 り 欠き部 3 7 c の底面に L D取 り 付け面 2 4 を形成する。 こ の と き 、 同 時に、 L D取 り 付け面 2 4 の端部に沿って溝 2 8 が形成され る。

そ して、 L D取 り 付け面 2 4 の表面には、 ス パ ッ ター、 蒸 着、 鍍金等の方法で、 金 （ A u ) 等の導電膜 2 5 が形成され る。

次に、 第 4 図に示す位置に設置されたプロ ッ ク 3 7 に対し て、 その一方の側面から所定距離を置いた位置で、 上記切 り 欠き部 3 7 c に直交する方向に、 砥石加工によ り 、 ブロ ッ ク 3 7 の上面 3 7 b 側から底面 3 7 a に向カゝ ぅ 切 り 欠き部を形 成 し、 その切 り 欠き部の底面に P D取 り 付け面 2 9 を形成す る。 この と き 、 同時に、 P D取 り 付け面 2 9 の端部に沿って 溝 3 1 が形成される （第 6 図参照） 。

同様に、 P D取 り 付け面 2 9 が形成された位置から、 さ ら に所定距離を置いた位置で、 切 り 欠き部 3 7 c に直交する方 向に切 り 欠き部を形成する よ う に して、 P D取 り 付け面 2 9 を形成する。 つま り 、 第 4 図に示 したブロ ッ ク 3 7 の奥行き 方向 （矢印方向） に、 所定間隔で P D取 り 付け面 2 9 が順次 形成されてい く こ と になる。

以上の砥石加工工程において、 反射膜面 2 0 は、 接着結合 している被加工部材 3 3 , 3 5 によ って覆われている ため、 損傷される こ と がな く 、 反射率が劣化する こ と が防止 されて いる。

なお、 第 4 図に示した導電膜 2 5 の形成は、 P D取り付け 面 2 9 を形成 した後に行な う よ う に しても良い。

第 5 図は、 第 4 図に示した位置に設置されたブロ ッ ク 3 7 に対して、 さ らに砥石加工を施して、 反射膜面 2 0 を露出さ せる工程を示 している。

すなわち、 回転する砥石 3 8 を、 第 2 の被加工部材 3 5 の 切 り 欠き部 3 7 c と 、 第 1 及び第 2 の被加工部材 3 3 , 3 5 同士の接着結合部と の間の位置に当て、 その角部が溝 2 2付 近に到達するまで、 底面 3 7 a に対して垂直方向に移動させ る。

また、 回転する砥石 3 9 を、 第 1 の被加工部材 3 3 の切 り 欠き部 3 7 c と 、 第 1 及び第 2 の被加工部材 3 3 ， 3 5 同士 の接着結合部と の間の位置に当て、 その角部が溝 2 3付近に 到達するまで、 底面 3 7 a に垂直方向に移動させる。

このよ う な、 砥石 3 8 , 3 9 によ る加工によ って、 反射膜 面 2 0 を覆っている第 2 の被加工部材 3 5 が除去され、 反射 膜面 2 0 が露出される。

そ して、 砥石 3 8 によって削 られた平面を含む部分が突部 2 6 と な り 、 溝 2 8 に続く 壁が、 L D 1 6 の取 り 付けの基準 面 2 7 と なる。

上記のよ う な工程を、 第 1 乃至第 3 の被加工部材 3 3 , 3 5 , 3 6 に対応して実施する こ と によ り 、 各反射膜面 2 0 を 露出させる こ と ができ る。

次に、 こ のブロ ッ ク 3 7 を、 L D取 り 付け面 2 4 の溝 2 8 と は反对側の端部で、 第 5 図に点線 B に示すよ う に切断する こ と によ り 、 ブロ ッ ク 4 0 を得る。

第 6 図は、 以上の よ う に して形成されたブロ ッ ク 4 0 を示 している。 P D取 り 付け面 2 9 の形成された部分と 、 反射膜 面 2 0 、 突部 2 6 、 L D取 り 付け面 2 4 、 導電膜 2 5 、 各溝 2 2 , 2 3 , 2 8 等よ り なる部分と が、 明確に区分されてい る こ と が理解 される。

また、 P D取 り 付け面 2 9 の形成された部分と 、 L D取 り 付け面 2 4 の形成された部分と の境界には、 溝 3 1 が形成さ れ、 この溝 3 1 に続く 、 L D取 り 付け面 2 4 の形成された部 分の垂直な壁 3 0 が、 P D 1 7 を取 り 付ける ための基準面 と なる。

そ して、 こ の よ う なブロ ッ ク 4 0 を、 P D取 り 付け面 2 9 の溝 3 1 と は反対側の端部で、 第 6 図に点線 C に示すよ う に 切断する こ と に よ り 、 前記基板ュニ ッ ト 1 2 が得られる。

以上のよ う な製造工程と する こ と に よ り 、 製造が簡単で量 産性に優れ、 高精度の基板ュニ ッ ト 1 2 を形成する こ と がで き る ものである。

第 7 図は、 上記 した基板ュニ ッ ト の変形例を示 している。 この変形例に示す基板ュニ ッ ト 4 1 では、 L D取 り 付け面と P D取 り 付け面 と が、 同一平面 4 2 と して形成され、 こ の平 面 4 2 の上に導電膜 4 3 が形成されている。

この よ う な基板ュ - ッ ト 4 1 によ って光へッ ド装置を構成 する場合には、 例えば L D を平面 4 2 に取 り 付けた後、 この L D を発光 させ、 その発光点を基準に して P Dの平面 4 2 上 における位置合わせを行な う よ う にする。

以上に述べた第 1 の実施例では、 反射膜面 2 0 を、 基板ュ ニ ッ ト 1 2 に形成された溝 3 1 の片側に配置する よ う に した が、 光学系、 L D 1 6及び P D 1 7 の配置設計に応じては、 溝 3 1 を跨いだ基板ユニ ッ ト 1 2 の中央部、 溝 3 1 を挟んで L D と反対側、 基板ュニッ ト 1 2 の幅方向の全体に形成する よ う に しても良レ、ものである。

また、 基板ュュッ ト 1 2 を形成する部材と しては、 熱伝導 性が高く 絶縁性のセラ ミ ッ ク を使用する例で説明 したが、 L D 1 6 、 P D 1 7及び配線基板 3 2 の接地設計によっては、 熱伝導性が高く 導電性の例えば銅 （ C u ) 等の金属を素材と して形成する こ と も可能である。

そ して、 こ のよ う にすれば、 金 （ A u ) 等の金属膜を付加 する こ と によ り 、 導電膜 2 5 を必要とせずに、 直接 L D 1 6 を基板ュ -ッ ト 1 2 に貼 り 付ける こ と が可能と なる。

さ らに、 前述したよ う に、 第 2 の被加工部材 3 5 と第 3 の 被加工部材 3 6 と の間に積層される第 1 の被加工部材 3 3 の 数は、 必要に応じて適当に選択する こ と が可能である。

また、 第 1 乃至第 3 の被加工部材 3 3 , 3 5 ， 3 6 に形成 される反射膜面 2 0や溝 2 2 , 2 3 ， 3 4 の数も、 必要に応 じて適宜増減する こ と が可能である。

さ らに、 第 1 乃至第 3 の被加工部材 3 3 ， 3 5 ， 3 6 の結 合には、 ガラス材 2 1 の他、 銀ろ う 、 半田、 有機接着剤等に よ る接着結合や、 加熱 · 加圧によ る拡散接合を用いる こ と が 可能である。 また、 第 3 図乃至第 7 図で説明 した基板ユニ ッ ト 1 2 の製 造方法は効率的ではあるが、 こ の発明に係る基板ュニッ ト 1 2 の製造方法は、 必ずしも こ の手順に限定される ものではな レヽ

例えば、 第 4 図に示したブロ ッ ク 3 7 を、 まず、 反射膜面

2 0 を横切る方向に切断し、 切断したブロ ッ ク に対して、 P D取 り 付け面 2 4 を形成してから、 反射膜面 2 0 を露出させ る と と もに、 突部 2 6 を形成する加工を施し、 その後、 基板 ュニッ ト 1 2 の寸法に切断しても良い。

また、 反射膜面 2 0 と導電膜 2 5 ， 4 3 と を、 金 （ A u ) あるいは銀 （ A g ) 等の同 じ素材で形成する こ と も可能であ る。 この場合は、 反射膜面 2 0 を予め形成する こ と なく 、 そ の反射膜面 2 0 を形成する部分に鏡面加工のみを施しておき 砥石加工によ り 反射膜面 2 0 を形成する部分を露出させた後 に、 反射膜面 2 0 と導電膜 2 5 , 4 3 と を同時に形成すれば 良い。 この場合には、 第 1 乃至第 3 の被加工部材 3 3 , 3 5

3 6 の結合体でなく 、 単体の部材から加工する よ う に構成し ても良い。

上記した基板ユニッ ト 1 2 によれば、 反射膜面 2 0 、 L D 取り 付け面 2 4及ぴ P D取 り 付け面 2 9 を、 一体的に結合さ れた部材に形成する こ と が可能であ り 、 組み立ての際の L D 1 6 及び P D 1 7 の取 り 付け位置精度を容易に向上させる こ と ができ る。

さ らに、 L D取 り 付け面 2 4 と P D取り付け面 2 9 と を同 一二次元平面内に設ける こ と ができ るため、 配線のためのヮ ィ ヤーボンディ ングが簡単に行なえる よ う になる。

また、 上記 した基板ユニ ッ ト 1 2 の製造方法によれば、 反 射膜面 2 0 を一方の面に設けた第 3 の被加工部材 3 6 と 、 接 着媒体 2 1 用の溝 3 4 を一方の面に設けた第 2 の被加工部材 3 5 と 、 反射膜面 2 0 及び溝 3 4 を各面に設けた第 1 の被加 ェ部材 3 3 と を、 積層 して接合 し、 こ の接合ブロ ッ ク に切削 加工、 切断加工等を施 して基板ュニ ッ ト 1 2 を製造する よ う に したため、 途中の工程で反射膜面 2 0 を損傷する こ と がな く 、 多量に高品質の基板ユニ ッ ト 1 2 を製造する こ と ができ る。

次に、 この発明の第 2 の実施例について図面を参照 して説 明する。 第 8 A図乃至第 8 C 図において、 第 1 A図乃至第 1 C 図 と 同一部分には同一符号を付 して示 している。

すなわち、 第 1 の部材 1 8 は、 その斜面 1 8 a の反射膜面 2 0 が形成される部分から、 該斜面 1 8 a に対 して略直交す る方向に、 鉄 （ F e ) あるいは銅 （ C u ) 等でなる熱伝導率 の高い金属部材 4 4 を挟持 している。

そ して、 この金属部材 4 4 の斜面 1 8 a 側に露出 されてい る表面が、 予めラ ッ プ、 ポ リ シング等の手段で鏡面加工され てお り 、 その鏡面加工面に金属あるいは金属酸化物の薄膜が 形成されて反射膜面 2 0 と な されている。

こ のよ う な構成によれば、 反射膜面 2 0 を金属部材 4 4 の 露出表面に形成する よ う に したので、 上述 した第 1 の実施例 で説明 した基板ュニ ッ ト 1 2 の効果に加えて、 高反射率の ミ ラーを形成する こ と が可能 と なる。 また、 金属部材 4 4 の熱伝導率が高いために、 よ り 大きな 放熱効果が期待され、 ヒ ー ト シンク と しての役目 も担わせる こ とができ るため、 基板ュュッ ト 1 2 の形状を小型化、 薄型 化する こ とができ る。

次に、 この第 2 の実施例に係る上記基板ユニ ッ ト 1 2 の製 造方法について、 第 9 図乃至第 1 2 図を参照 して説明する。 まず、 第 9 図において、 第 1 の被加工部材 4 5 は、 窒化アル ミ ニゥム （ A 1 N ) 等の熱伝導率の高いセラ ミ ッ ク部材と、 鉄あるいは銅の金属部材 4 4 と を交互に複数重ねて、 接着あ るいは加熱 · 加圧によって互いに結合して一体化し、 表面に 金属部材 4 4 が所定間隔おき に帯状に露出する よ う な直方体 に成形したものである。

そ して、 この第 1 の被加工部材 4 5 の一方の平面に露出 し ている各金属部材 4 4 の表面に、 反射膜面 2 0 がそれぞれ形 成される。 こ の反射膜面 2 0 は、 金属部材 4 4 の表面にラ ッ プ、 ポリ シング等で鏡面加工を施した上に、 金属あるいは金 属酸化物の薄膜を、 蒸着、 スパッター、 鍍金等のいわゆる光 学膜形成手段によ り 形成する こ と で設け られる。

また、 第 1 の被加工部材 4 5 の各反射膜面 2 0 が形成され た面には、 各反射膜面 2 0 の両側に、 それぞれ反射膜面 2 0 に沿 う よ う に溝 2 2 ， 2 3 が形成される。

第 1 の被加工部材 4 5 の各反射膜面 2 0 が形成された面に 対向する よ う に、 第 2 の被加工部材 4 6 が配置される。 この 第 2 の被加工部材 4 6 も、 窒化アルミ ニ ウム （ A 1 N ) 等の 熱伝導率の高いセラ ミ ッ ク を素材と して直方体に形成されて いる。

そ して、 第 1 の被加工部材 4 5 と第 2 の被加工部材 4 6 と の間には、 接着部材 2 1 と して働く ガラス材が、 第 1 の被加 ェ部材 4 5 の各反射膜面 2 0 の部分を除いて配設される。

また、 第 1 の被加工部材 4 5 の反射膜面 2 0 が設け られて いる面と反対側の面に、 第 1 の被加工部材 4 5 と 同一構成の 第 3 の被加工部材 4 7 が配置される。 こ の第 3 の被加工部材 4 7 は、 第 1 の被加工部材 4 5 に隣接して配置された金属部 材 4 4 同士の中央部に、 自 らの金属部材 4 4 が位置する よ う に配置される。

そ して、 第 1 の被加工部材 4 5 と第 3 の被加工部材 4 7 と の間にも、 接着部材 2 1 と して働く ガラス材が、 第 3 の被加 ェ部材 4 7 の各反射膜面 2 0 の部分を除いて配設される。

なお、 第 3 の被加工部材 4 7 の反射膜面 2 0 が設け られて いる面と反対側の面に、 第 1 の被加工部材 4 5 と 同一構成の 被加工部材を さ らに配置する こ と も可能である。

上記のよ う に配置された第 1 乃至第 3 の被加工部材 4 5 ， 4 6 , 4 7 の全体を加熱して、 ガラス材 2 1 を溶融する。

この場合、 反射膜面 2 0 によって、 第 1 の被加工部材 4 5 と第 2 の被加工部材 4 6 と の間、 及び、 第 1 の被加工部材 4 5 と第 3 の被加工部材 4 7 と の間には、 それぞれ空隙が生じ てレヽる。

こ のため、 加熱によって溶けたガラス材 2 1 は、 毛細管現 象によって空隙内に拡散し、 その後、 全体を冷却する こ と に よ り 、 第 1 乃至第 3 の被加工部材 4 5 , 4 6 ， 4 7 がガラス 材 2 1 を介 して互いに接着接合され、 こ こ に、 接合ブロ ッ ク が形成される。

ガラ ス材 2 1 の拡散は、 反射膜面 2 0 の両側の溝 2 2 , 2 3 に よ って阻止 されるため、 ガラ ス材 2 1 が反射膜面 2 0 の 表面にまで浸透する こ と がな く 、 ガラ ス材 2 1 が反射膜面 2 0 の表面に付着する こ と が防止 される。

次に、 上記の よ う に して形成 された接合ブロ ッ ク を、 第 9 図に一点鎖線 Aで示すよ う に、 第 1 の被加工部材 4 5 の 1 つ の反射膜面 2 0 と 、 第 3 の被加工部材 4 7 の 1 つの反射膜面 2 0 と が含まれる よ う に、 側面側から所定の角度で反射膜面 2 0 の長手方向に沿って切断 し、 ブロ ッ ク 4 8 を得る。 こ の 場合、 反射膜面 2 0 に対 して、 例えば 4 5 ° の角度と なる よ う に、 切断角度が選択される。

第 1 0 図は、 上記のよ う に切断分割 されたブロ ッ ク 4 8 に 対 して、 L D 1 6 を取 り 付けるための L D取 り 付け面 2 4 を 得る ための加工を施 した状態を示 している。 ただ し、 こ の第 1 0 図に示す例では、 第 1 の被加工部材 4 5 と 第 3 の被加工 部材 4 7 と が、 それぞれ 2 個含まれている。

第 1 0 図において、 ブロ ッ ク 4 8 の底面 4 8 a と 上面 4 8 b と が、 第 9 図に示 した一点鎖線 Aに沿って切断した切断面 である。 そ して、 ブロ ッ ク 4 8 の底面 4 8 a を、 以後のブロ ッ ク 4 8 に対する加工の基準面 と して水平に設置し、 この状 態で、 上面 4 8 b 側カゝら底面 4 8 a に向かっ て垂直方向に、 砥石加工によ り 切 り 欠き部 4 8 c を形成 し、 その切 り 欠き部 4 8 c の底面に L D取 り 付け面 2 4 を形成する。 この と き 、 同時に、 L D取 り 付け面 2 4 の端部に沿って溝 2 8 が形成さ れる。

そ して、 L D取 り 付け面 2 4 の表面には、 ス ノ、。 ッ ター、 蒸 着、 鍍金等の方法で、 金 （ A u ) 等の導電膜 2 5 が形成され る。

次に、 第 1 0 図に示す位置に設置されたブロ ッ ク 4 8 に対 して、 その一方の側面から所定距離を置いた位置で、 上記切 り 欠き部 4 8 c に直交する方向に、 砥石加工に よ り 、 ブロ ッ ク 4 8 の上面 4 8 b 側から底面 4 8 a に向カゝ ぅ 切 り 欠き部 4 8 d を形成 し、 その切 り 欠き部 4 8 d の底面に P D取 り 付け 面 2 9 を形成する。 この と き 、 同時に、 P D取 り 付け面 2 9 の端部に沿って溝 3 1 が形成される （第 1 2 図参照） 。

同様に、 P D取 り 付け面 2 9 が形成された位置から、 さ ら に所定距離を置いた位置で、 切 り 欠き部 4 8 c に直交する方 向に切 り 欠き部 4 8 d を形成する よ う に して、 P D取 り 付け 面 2 9 を形成する。 つま り 、 第 1 0 図に示 したブロ ッ ク 4 8 の奥行き方向 （矢印方向） に、 所定間隔で P D取 り 付け面 2 9 が順次形成されてい く こ と になる。

以上の砥石加工工程において、 反射膜面 2 0 は、 接着結合 している被加工部材 4 5 , 4 6 ， 4 7 によ っ て覆われている ため、 損傷される こ と がな く 、 反射率が劣化する こ と が防止 されている。

なお、 第 1 0 図に示 した導電膜 2 5 の形成は、 P D取 り 付 け面 2 9 を形成 した後に行な う よ う に しても 良い。

第 1 1 図は、 第 1 0 図に示 した位置に設置されたブロ ッ ク 4 8 に対して、 さ らに砥石加工を施して、 反射膜面 2 0 を露 出 させる工程を示している。

すなわち、 回転する砥石 4 9 を、 第 2 の被加工部材 4 6 の 切 り 欠き部 4 8 c と 、 第 1 及び第 2 の被加工部材 4 5 , 4 6 同士の接着結合部と の間の位置に当て、 その角部が溝 2 2付 近に到達するまで、 底面 4 8 a に対して垂直方向に移動させ る。

また、 回転する砥石 5 0 を、 第 1 の被加工部材 4 5 の切 り 欠き部 4 8 c と、 第 1 及び第 2 の被加工部材 4 5 , 4 6 同士 の接着結合部との間の位置に当て、 その角部が溝 2 3 付近に 到達するまで、 底面 4 8 a に垂直方向に移動させる。

このよ う な、 砥石 4 9 ， 5 0 によ るカ卩ェによって、 反射膜 面 2 0 を覆っている第 2 の被加工部材 4 6 が除去され、 反射 膜面 2 0 が露出される。

そ して、 砥石 4 9 によって削 られた平面を含む部分が突部 2 6 と な り 、 溝 2 8 に続く 壁が、 L D 1 6 の取 り 付けの基準 面 2 7 と なる。

上記のよ う な工程を、 第 1 乃至第 3 の被加工部材 4 5 , 4 6 , 4 7 に対応して実施する こ と によ り 、 各反射膜面 2 0 を 露出 させる こ と ができ る。

次に、 このブロ ッ ク 4 8 を、 L D取り 付け面 2 4 の溝 2 8 と は反対側の端部で、 第 1 0 図に点線 B に示すよ う に切断す る こ と によ り 、 ブロ ッ ク 5 1 を得る。

第 1 2 図は、 以上のよ う に して形成されたブロ ッ ク 5 1 を 示している。 P D取 り 付け面 2 9 の形成された部分と 、 反射 膜面 2 0 、 突部 2 6 、 L D取り 付け面 2 4 、 導電膜 2 5 、 各 溝 2 2 , 2 3 , 2 8 等よ り なる部分と が、 明確に区分されて いる こ と が理解される。

また、 P D取 り 付け面 2 9 の形成された部分と 、 L D取り 付け面 2 4 の形成された部分と の境界には、 溝 3 1 が形成さ れ、 こ の溝 3 1 に続く 、 L D取 り 付け面 2 4 の形成された部 分の垂直な壁 3 0 が、 P D 1 7 を取り 付けるための基準面と なる。

そ して、 このよ う なブロ ック 5 1 を、 P D取 り 付け面 2 9 の溝 3 1 と は反対側の端部で、 すなわち、 第 1 0 図に点線 C に示す位置で切断する こ と によ り 、 前記基板ユニッ ト 1 2 が 得られる。

以上のよ う な製造工程とする こ と によ り 、 製造が簡単で量 産性に優れ、 高精度の基板ュニ ッ ト 1 2 を形成する こ と がで き る ものである。

上記した第 2 の実施例によれば、 第 1 の実施例と 同様な効 果が得られるばかり でなく 、 反射膜面 2 0 を金属部材 4 4 の 露出表面に形成する よ う に したため、 高反射率の ミ ラーを形 成する こ とが可能と なる。

しかも、 金属部材 4 4 の熱伝導率が高いために、 よ り 大き な放熱効果も期待でき、 ヒ ー ト シンク と しての役目 も担わせ る こ と ができ るため、 基板ユニ ッ ト 1 2 の形状、 ひいては、 光ヘッ ド装置 1 1 の形状を小型化、 薄型化する こ と に寄与し 得る。

また、 こ の第 2 の実施例において、 第 1 の実施例で説明 し た各種の変形事項は、 適宜適用する こ とが可能である。

次に、 以上に述べた第 1 及び第 2 の実施例の変形例につい て説明する。 こ の変形例は、 第 1 及ぴ第 2 の実施例に共通に 適用可能なものであるが、 こ こ では、 第 1 の実施例に適用 し た場合について説明する。

すなわち、 第 1 3 図及び第 1 4 図において、 第 3 図及び第 4 図 と 同一部分には同一符号を付して説明する と、 複数の反 射膜面 2 0 が形成された第 1 及び第 3 の被加工部材 3 3 ， 3 6 に、 各反射膜面 2 0 の両側に沿った溝 2 2 , 2 3 を形成し ない。

そ して、 第 2及び第 1 の被加工部材 3 5 , 3 3 の う ち、 第 1 乃至第 3 の被加工部材 3 3 ， 3 5 , 3 6 を積層 した状態で 第 1 及び第 3 の被加工部材 3 3 ， 3 6 の各反射膜面 2 0 と対 向する部分に、 反射膜面 2 0 と略同 じ幅を有する溝 5 2 を形 成する。 こ の溝 5 2 は、 第 1 乃至第 3 の被加工部材 3 3 , 3 5 ， 3 6 が積層 された状態で、 その底面が反射膜面 2 0 に接 触しない深さに形成される。

こ こ で、 第 1 及び第 2 の被加工部材 3 3 , 3 5相互間 と 、 第 1 及び第 3 の被加工部材 3 3 ， 3 6相互間と に、 接着部材 2 1 と して働く ガラス材を、 各反射膜面 2 0 の部分を除いて 配設し、 全体を加熱して、 ガラス材 2 1 を溶融する。

この場合、 反射膜面 2 0 によって、 第 1 の被加工部材 3 3 と第 2 の被加工部材 3 5 と の間、 及び、 第 1 の被加工部材 3 3 と第 3 の被加工部材 3 6 と の間には、 それぞれ空隙が生じ ている。 こ のため、 加熱によ って溶けたガラ ス材 2 1 は、 毛細管現 象によ っ て空隙内に拡散し、 その後、 全体を冷却する こ と に よ り 、 第 1 乃至第 3 の被加工部材 3 3 , 3 5 , 3 6 がガラ ス 材 2 1 を介 して互いに接着接合され、 こ こ に、 接合ブロ ッ ク が形成される。

こ の と き 、 拡散されたガラ ス材 2 1 は、 第 1 5 図に示すよ う に、 反射膜面 2 0 に対応 して形成された溝 5 2 内に入 り 込 むため、 ガラ ス材 2 1 が反射膜面 2 0 の表面にまで浸透する こ と がな く 、 ガラ ス材 2 1 が反射膜面 2 0 の表面に付着する こ と が防止 される。

こ のよ う に、 第 1 及び第 3 の被加工部材 3 3 , 3 6 に形成 された反射膜面 2 0 に対応する第 2 及び第 1 の被加工部材 3 5 , 3 3 に溝 5 2 を形成する手段によれば、 各反射膜面 2 0 の両側に溝 2 2， 2 3 を形成する手段に比 して、 製造作業を 容易 と する こ と ができ る。

次に、 こ の発明の第 3 の実施例について図面を参照 して説 明する。 第 1 6 図において、 第 8 A図 と 同一部分には同一符 号を付 して示 している。

すなわち、 金属部材 4 4 に代えてガラ ス等の光を透過 させ る透光部材 5 3 を用い、 反射膜面 2 0 をハーフ ミ ラーと して いる。 そ して、 基板ユニ ッ ト 1 2 の反射膜面 2 0 の裏側に対 応する部分に、 モニタ P D 5 4 を配置するためのモニタ P D 取 り 付け面 5 5 が形成されている。

こ こで、 L D 1 6 から照射された レーザー光の一部を、 ハ 一フ ミ ラー （反射膜面 2 0 ) 及び透光部材 5 3 を通過させて モニタ P D 5 4 に導く よ う にする。 このモニタ P D 5 4 によ つて、 L D 1 6 の出力光量を監視 し、 L D 1 6 の発光出力が 一定と なる よ う に、 図示 しない L D駆動回路を制御する。

ハーフ ミ ラー （反射膜面 2 0 ) は、 周知の技術に よ り 形成 する こ と ができ る。 つま り 、 鏡面加工された面に、 金属ある いは金属酸化物の薄膜を、 蒸着、 スパッ ター、 鍍金等の、 い わゆる光学膜形成手段によ っ て形成する こ と で得られる。

光ディ ス ク 1 5 への情報の書き込み時には、 L D 1 6 の出 力を一定に保つ必要があ り 、 モニタ P D 5 4 に よ って L D 1 6 の動作状態を監視 し制御する こ と は広く 行なわれている が こ の第 3 の実施例によれば、 L D 1 6 に対するモニタ P D 5 4 の位置精度を高める こ と ができ 、 L D 1 6 の制御を確実に 効率よ く 行な う こ と ができ る。

また、 他の実施例 と 同様に、 基板ュニ ッ ト 1 2 を量産性良 く 製造する こ と ができ る。 なお、 光ディ ス ク 1 5 からの反射 光は、 第 8 B 図 と 同様に配置された P D 1 7 に よ っ て受光さ れる こ と にな る。

産業上の利用可能性

以上詳述 した よ う にこの発明に よれば、 L D と P D と を同 一二次元面上に配置可能と する こ と で、 L D と P D と の位置 決め作業を容易化する と と も に、 ワイ ヤーボンディ ングの作 業性も 向上させる こ と を可能 と する光へッ ド装置用基板ュニ ッ ト を提供する こ と ができ る。

また、 この発明によれば、 上記のよ う な光ヘ ッ ド装置用基 板ユニ ッ ト を、 高精度で量産性よ く 製造する こ と を可能 と す る光へッ ド装置用基板ュニ ッ ト の製造方法を提供する こ と が でき る。

したがって、 例えばデジタルビデオディ ス ク （ D V D ) ま たはコ ンノ ク トディ ス ク （ C D ) 等の光ディ ス ク に対 して、 情報の記録または再生を行な う ためのディ ス ク記録再生装置 に、 広く 利用可能と なる。

Claims

請 求 の 範 囲

( 1 ) 取 り 付け られる面に対して略平行に レーザー光を発 する発光素子を取 り 付けるための発光素子取付面と、

こ の発光素子取付面に取り 付け られた前記発光素子から発 せられる レーザー光の光軸の方向を、 反射によ り所定の角度 変更するための光反射面と、

前記発光素子取付面と 同一二次元平面上に形成され、 外部 から入射される光を受光する光検出素子を取 り 付けるための 光検出素子取付面と が形成された基板ュニ ッ ト を有する こ と を特徴とする光へッ ド装置用基板ュニ ッ ト。

( 2 ) 前記基板ユニッ トは、 第 1 の部材と第 2 の部材と を 接合させてな り 、

前記光反射面は、 前記第 1 の部材の前記第 2 の部材と の接 合面に沿って形成される こ と を特徴とする請求項 1 記載の光 へッ ド装置用基板ュニッ ト。

( 3 ) 前記光反射面は、 前記第 1 の部材の前記光反射面を 形成する部分を鏡面加工した上に、 金属あるいは金属酸化物 によ る膜を形成してなる こ と を特徴とする請求項 2記載の光 へッ ド装置用基板ュニッ ト。

( 4 ) 前記第 1 の部材は、 絶縁部材で金属部材を挟むよ う に形成され、

前記光反射面は、 前記第 1 の部材から露出する前記金属部 材の表面を鏡面加工した上に、 金属あるいは金属酸化物によ る膜を形成してなる こ と を特徴とする請求項 2記載の光へッ ド装置用基板ュニ ッ ト。

( 5 ) 前記第 1 の部材には、 前記光反射面の縁に沿って溝 が形成される こ と を特徴とする請求項 1 乃至 4 いずれかに記 載の光へッ ド装置用基板ュニ ッ ト。

( 6 ) 前記基板ユニッ ト には、 前記発光素子取付面の近傍 に、 前記発光素子を位置決めするための基準面が形成される こ と を特徴とする請求項 1 記載の光へッ ド装置用基板ュニッ 卜。

( 7 ) 前記基板ュニッ ト には、 前記光検出素子取付面の近 傍に、 前記光検出素子を位置決めするための基準面が形成さ れる こ と を特徴とする請求項 1 記載の光へッ ド装置用基板ュ ニッ 卜。

( 8 ) 前記発光素子取付面と前記光検出素子取付面と は、 それぞれ、 互いに平行で高さの異なる平面と して形成されて いる こ と を特徴とする請求項 1 記載の光へッ ド装置用基板ュ ニ ッ ト。

( 9 ) 前記発光素子取付面と前記光検出素子取付面と は、 同一平面に形成されている こ と を特徴とする請求項 1 記載の 光へッ ド装置用基板ュニッ ト。

( 1 0 ) 前記基板ュニッ ト は、 第 1 の部材と第 2 の部材と を接合させてな り 、

前記光反射面は、 前記第 1 の部材に形成され、

前記発光素子取付面は、 前記第 2 の部材に形成され、 前記光検出素子取付面は、 前記第 1 の部材、 前記第 2 の部 材または前記第 1 及び第 2 の部材に跨って形成される こ と を 特徴とする請求項 1 記載の光へッ ド装置用基板ュニ ッ ト。 ( 1 1 ) 前記基板ユニ ッ ト は、

基準面に対 して所定角度の傾斜を有する斜面が形成され、 該斜面の一部に前記光反射面が形成された第 1 の部材と 、 こ の第 1 の部材の斜面に接合され、 前記発光素子取付面が 形成される第 2 の部材と から形成される こ と を特徴とする請 求項 1 記載の光へッ ド装置用基板ュニ ッ ト。

( 1 2 ) 前記第 1 の部材は、 絶縁部材で透光部材を挟むよ う に形成され、

前記光反射面は、 前記透光部材の表面を鏡面加工 した上に 金属あるいは金属酸化物によ る膜を形成 したハーフ ミ ラーと して形成され、

前記基板ユニ ッ ト には、 前記透光部材に対向 して、 前記光 反射面を通過する レーザー光を前記透光部材を介 して受ける モニタ用受光素子の取 り 付け面が形成される こ と を特徴とす る請求項 2 記載の光へッ ド装置用基板ュニ ッ ト。

( 1 3 ) 略直方体状に形成された第 1 の被加工部材の一方 の平面に複数の光反射面を形成する第 1 の工程と 、

こ の第 1 の工程で複数の光反射面が形成された前記第 1 の 被加工部材の平面に、 略直方体状に形成 された第 2 の被加工 部材の一方の平面を当て付け、 前記光反射面を除く 部分に接 着媒体を介在させる こ と によ って、 前記第 1 及び第 2 の被加 ェ部材同士を結合させた接合プロ ッ ク を形成する第 2 の工程 と 、

こ の第 2 の工程で形成された接合プロ ッ ク を、 それぞれに 1 つの前記光反射面が含まれる よ う に、 該光反射面に対して 所定の角度で切断する こ と によ り 、 複数のブロ ッ ク に分割す る第 3 の工程と 、

こ の第 3 の工程で得られたブロ ック を、 その切断面を加工 の基準面と して設置する こ と によ り 、 該ブロ ッ ク から、 前記 光反射面に向けて レーザー光を発する発光素子を取 り 付ける ための発光素子取付面と 、 こ の発光素子取付面と 同一二次元 平面上に形成され、 外部から入射される光を受光する光検出 素子を取り 付けるための光検出素子取付面と を備えた基板ュ ニ ッ ト を形成する第 4 の工程と を有する こ と を特徴とする光 へッ ド装置用基板ュニッ トの製造方法。

( 1 4 ) 前記第 1 の工程は、 前記第 1 の被加工部材の一方 の平面に、 前記光反射面の縁に沿って溝を形成する工程を含 むこ と を特徴とする請求項 1 3記載の光へッ ド装置用基板ュ ニッ ト の製造方法。

( 1 5 ) 前記第 2 の工程は、 前記第 2 の被加工部材の一方 の平面で、 前記第 1 の被加工部材に形成された複数の光反射 面に対向する部分に、 溝を形成する工程を含むこ と を特徴と する請求項 1 3記載の光へッ ド装置用基板ュニ ッ トの製造方 法。