JP3486378B2 - 光電素子を製造するための方法 - Google Patents

光電素子を製造するための方法

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光送信器としての
レーザーチップ(Laserchip）と、該レーザーチップ内で
生ぜしめられた光学的な光線を規定して放射するための
レンズ結合光学系若しくはレンズカプラー光学系(Linse
nkoppeloptik）とを備えた光電素子若しくはオプトエレ
クトロニクス素子(optelektronisches Bauelement)を製
造するための方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】このような形式の光電素子は、特に、光
学式のデータ・及び情報技術において、発生されたレー
ザー光線を光導波路に結合するための光送信素子として
使用される。
【０００３】ヨーロッパ特許第０６６０４６７号明細書
には、Ｓｉ担体(Si-Traeger)を使用して、このＳｉ担体
上にレーザーチップを取り付けた光電素子について記載
されている。レーザーチップからＳｉ担体の表面に対し
て平行に発信されたレーザー光線は、レンズカプラー光
学系に入射して、このレンズカプラー光学系によって９
０゜偏光され、集束される。レンズカプラー光学系は、
担体上に取り付けられた偏光プリズムと、光路内で偏光
プリズムの後ろに設けられたレンズチップとを有してい
る。
【０００４】このような光電素子の製造はディスク複合
体(Scheibenverbund）で行われる。まず、共通の担体と
して使用されるＳｉディスク(Si-Scheibe)に適当な金属
表面構造を設ける。次いで、Ｓｉディスクに、互いに間
隔を保って平行な凹部をエッチングによって設ける。こ
の凹部内に、台形プロフィールを有するプリズムストリ
ップをもたらして、陽極又ははんだ技術によってボンデ
ィングする。次いで、レーザーチップを、プリズムスト
リップから所定の間隔を保ってＳｉディスク上に配置し
て固定する。別個の素子を分離させることは、レーザー
チップの取付け前又は後に、プリズムストリップに対し
て横方向に延びる分離ラインに沿ってＳｉディスクを鋸
引きによって切断することによって行われる。最後に、
鋸引きによって生ぜしめられた偏光プリズム上にレンズ
チップを固定する。
【０００５】このような方法は、光学的な画像の対物幅
つまり発信されたレーザーエッジとレンズの主平面との
間の光路の長さが、常に必要な精度で調節可能ではな
い、という欠点がある。構造的に予め与えられる、レン
ズと偏光プリズムとの間の定置の間隔において、対象物
幅は、レーザーチップとプリズムストリップとの間の間
隔によって規定される。実際には、この間隔は、この時
に提供可能な位置決め装置によって十分な精度で常に前
もって調節可能ではない。さらにまた、レンズの焦点距
離は製造に制限されて変化する。従って、レーザーチッ
プの避けられない位置決めエラーを補償するために、位
置決め段階で、レーザーチップと偏光プリズムとの間の
間隔も、また使用されるレンズの焦点距離も個別に測定
し、次いでレーザー光線を所定の画像平面内で所望に焦
点合わせ（フォーカシング）するために、それぞれ適合
したレンズをそれぞれのレーザーチップに配属しなけれ
ばならない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】そこで本発明の課題
は、レーザーチップと、レーザー光線を偏光（偏向）さ
せるためのレンズカプラー光学系とを備えた光電素子を
製造するための方法で、このような光電素子を安価に製
造することができるような方法を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この課題を解決した本発
明の方法によれば、光送信器としてのレーザーチップ
と、該レーザーチップ内で生ぜしめられた光学的な光線
を所定に発信するためのレンズカプラー光学系とを備え
た光電素子を製造するための方法において、次の方法段
階つまり、 ａ）半導体ディスクに、多数のレーザーチップを電気的
に接触させ、機械的に固定するためのメタル構造部を設
け、 ｂ）前記半導体ディスクに対してほぼ平行に配列された
光路を備えたレーザーチップをメタル構造部に固定し、 ｃ）各レーザーチップに対して、所属のレーザーチップ
の光路を偏光させるレンズカプラー光学系を、半導体デ
ィスク上で又は、この半導体ディスクを分割することに
よって得られた半導体ディスクの部分上で位置決めし、 ｄ）レーザーチップを駆動し、 ｅ）レーザーチップとレンズカプラー光学系との間の間
隔を変え、それによってレンズカプラー光学系を通過す
る偏光されたレーザー光線が、光学画像面の位置に関連
して所定の光線条件を満たすように、調節し、 ｆ）レンズカプラー光学系を調節された位置で、半導体
ディスク上又は半導体ディスクの部分上に固定する、よ
うにした。
【０００８】
【発明の効果】本発明の方法においては、まずレーザー
チップを半導体ディスク上に正しく位置決めして固定す
る。次いで所望の対物幅の調節を、レンズカプラー光学
系を相応に調整することによって行う。このために、レ
ーザーチップを駆動して、レンズカプラー光学系を半導
体ディスク上で、光学画像の焦点面の位置に関連して所
定の光線条件が得られるまで、適切に移動させる。
【０００９】このような形式で、光電素子の所望の焦点
的な調節が、レーザーチップと偏光プリズムとの間の間
隔並びにしようしたレンズの焦点距離を測定することな
しに、行うことができる。本発明によるその他の主要な
利点は、前もって完成されたレンズカプラー光学系を使
用することができる、という点にある。
【００１０】あらかじめ与えられた光線条件は、例えば
レンズカプラー光学系を通過したレーザー光線が視準さ
れている(kollimieren）か又は半導体ディスクの表面に
対して所定の間隔を保って位置する画像面に集束（焦点
合わせ）されているかという点にある。
【００１１】レーザーチップに対するレンズカプラー光
学系の所望の位置が見いだされると、レンズカプラー光
学系は半導体ディスク上若しくはその部分上に固定され
る。こうして光電素子は、直ちに作動可能な状態にな
る。
【００１２】半導体ディスクを、それぞれレーザーチッ
プを備えた個別の部分（担体）に分離することは、レン
ズカプラー光学系を調整する（方法段階ｃからｆ）前に
行われる。この調整段階を各レンズカプラー光学系に関
連してディスク複合体で行うことも可能である。この場
合、調整完成された光電素子を個別に分離させる作業
は、半導体ディスク上でレンズカプラー光学系を固定し
た（方法段階ｆ）後で、この製造方法の最後に行う。
【００１３】本発明による方法を実現する可能性は、レ
ーザーチップをディスク側に固定し（方法段階ｂ）、レ
ンズカプラー光学系のディスク側の固定（方法段階ｄ）
をはんだ付けによって行い、レンズカプラー光学系を固
定するためのはんだ付け段階時に局所的に熱を供給す
る。局所的な熱の供給は例えばレーザー光線によって行
われる。
【００１４】局所的な熱を供給する際に、有利にはメタ
ル構造部を熱絶縁層に設ける前に、熱絶縁層特にＳｉＯ
２層を半導体ディスク上に被着し、熱絶縁層を、少なく
ともレーザーチップのために設けられた位置で領域的
（つまり部分的）に再び取り除く。熱絶縁層は、加熱さ
れたレンズカプラー光学系からレーザーチップへの熱の
伝導を減少し、従ってはんだ付けが解除されることは避
けられる。レーザーチップの下側に熱絶縁層が設けられ
ているので、レーザーチップをさらに良好に半導体ディ
スクに熱結合することが保証される。
【００１５】レーザーチップ及びレンズカプラー光学系
を半導体ディスク上に固定するためにはんだ付け技術を
用いる際に、レンズカプラー光学系を固定するためのは
んだ付け時に、レーザーチップを固定するために使用さ
れるはんだ付け層の固定のための温度よりも低い溶融温
度を有するはんだ層を用いれば、有利である。このよう
な手段によって、レンズカプラー光学系を後ではんだ付
けする際にレーザーチップのはんだが溶けることは避け
られる。
【００１６】本発明の特に有利な手段は、使用されたレ
ンズカプラー光学系の製造にある。
【００１７】本発明の第１の有利な方法変化実施例によ
れば、レンズ担体基板の表面に互いに並んで列状に配置
されたレンズを構成し、この際に、これらのレンズの列
を所定の間隔を保って配置する。これとは無関係に、偏
光プリズム基板に、列の間隔を保って配置された、平行
に延びる溝を形成し、溝の長手方向側面を少なくとも部
分面的に鏡面処理する。次いで、レンズ担体基板と偏光
プリズム基板とを、そのレンズとは反対側でしかも溝に
向いた側の表面に正しく位置決めして結合し、この際
に、レンズ担体基板と偏光プリズム基板とから成る複合
体を一緒に、各レンズカプラー光学系に分離する。
【００１８】レンズカプラー光学系は、レンズ担体とし
てもまた偏光プリズム担体としても働く単独の基板から
製造することができる。この場合、基板の第１の表面
に、互いに並んで列状に配置されたレンズを形成し、第
１の表面とは反対側の第２の表面に対して平行に延びる
溝を形成する。この際にレンズの列及び溝を、それぞれ
同じ間隔を保って、しかも互いに所定の相対位置で配置
する。溝の長手方向側面を少なくとも部分面的に鏡面処
理し、基板を各レンズカプラー光学系に分離する。
【００１９】偏光プリズム基板又は基板が、単結晶材料
特にシリコンより製造されていれば、溝は有利な形式
で、前記単結晶材料の結晶学的な配列に関連して、異方
性エッチング工程によって形成することができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を図面
を用いて詳しく説明する。
【００２１】図１に示した光電素子は、光発信器として
のレーザーチップ１を有しており、このレーザーチップ
１は、有利にはシリコンより成る担体２（シリコン・サ
ブマウント；Silizium-Submount)上に配置されている。
担体２とレーザーチップ１との間には、例えばＡｕ
（金）より成るメタル層１３が設けられており、このメ
タル層１３は、底部側でレーザーチップ１の電気的な接
触のために用いられる。
【００２２】担体２はさらに２つの偏光プリズム３，４
を有していて、これらの偏光プリズム３，４は、レーザ
ーチップ１の両側に配置されている。偏光プリズム３，
４は、有利にはガラスより成っていて、レーザーチップ
１に向けられたそれぞれ１つのミラー面５，６を有して
いる。２つのミラー面５，６は、レーザーチップ１のア
クティブなゾーンに対して４５゜の角度で配列されてい
る。１つの偏光プリズム３上には、有利な形式でレンズ
チップ８内に組み込まれたレンズ７が固定されている。
【００２３】レーザーチップ１から、その正面側でｘ方
向に発せられたレーザー光線１１は、第１の偏光プリズ
ム３のミラー面５で、ｚ方向に９０゜の角度で偏光さ
れ、レンズチップ８のレンズ７を通過する。
【００２４】第１の偏光プリズム３と、レンズ７を備え
たレンズチップ８とは、一緒に１つのレンズカプラー光
学系９を形成しており、このレンズカプラー光学系９に
よって、発信されたレーザー光線１１は光導波路１２内
に結合される。この光導波路１２は、担体２に対して所
定の高さＨを保って、図示していないケーシングに固定
されており、このケーシング内に光電素子が組み込まれ
ている。
【００２５】第２の偏光プリズム４上にはモニターチッ
プ１０が配置されている。モニターチップ１０はレーザ
ー光線を受信する。レーザー光線はレーザーチップ１の
後ろ側を通過して、第２の偏光プリズム４のミラー面６
で偏光される。モニターチップ１０は、レーザー効率を
測定若しくは調整するために使用することができる。
【００２６】以下に、このような光電素子を製造するた
めの本発明による方法について説明する。
【００２７】まず、図示していない形式で半導体ディス
ク特にＳｉディスク上に周期的にメタル構造（導体路、
ボンドパッド;Bondpad）を被着する。メタル構造は、
（分離させるために）レーザーチップ１に両側で接触さ
せるためのメタル層１３を形成する。
【００２８】次いで、半導体ディスクにレーザーチップ
１を装着する。このために、レーザーチップ１はその、
半導体ディスク側に向いた下側で、ＡｕＳｎ、ＡｕＧ
ｅ、ＡｕＳｉ、ＰｂＳｎより成るはんだ層１７又はその
他の、約１μｍ乃至１０μｍの厚さを有する、はんだ付
け可能な層を備えていて、メタル構造の周期性によって
与えられる間隔を保って、これらの層にはんだ付けされ
ている。
【００２９】この製造方法の次の段階で、半導体ディス
ク上に取り付けられたレーザーチップ１に、共通の機能
検査（”burn-in“）が行われる。この検査は、採算の
合う時間で各レーザーチップ１の耐用年数保証を維持す
るために、高電流条件下で行われる。
【００３０】機能検査後に、半導体ディスクは、粘着性
のシート上にはり付けられて、のこびき又は裂断によっ
て、図１に示された、はんだ付けされたレーザーチップ
１を備えた担体２に分離される。機能検査時に使用不能
であると認識された担体２はレーザーチップ１と共に選
別される。
【００３１】続いて、レンズカプラー光学系９を各担体
２上に取り付ける作業が行われる。この際に、それぞれ
次の調整段階が行われる。
【００３２】レーザーチップ１は、担体２の表面に対し
て平行に（つまりｘ方向に）延びるレーザー光線１１を
発信する。光学的な画像の対象幅、つまり発信されたレ
ーザーチップ縁部とミラー面５との間の間隔、並びにミ
ラー面５とレンズ７の主平面１４との間の間隔の合計
は、レンズカプラー光学系９を担体２上にｘ方向にずら
すことによって変えることができる。この際に、調節さ
れた対象物幅は、レンズ７の主平面１４と画像面１５と
の間に間隔としての画像幅を規定する。図示の実施例で
は、レーザー光線は、光導波体１２の端面１６に集束さ
れる。調節条件は、担体に固定されたレーザーチップ１
に対する、しゅう動可能なレンズカプラ光学系９の間隔
が、光学画像の画像面１５と光導波路１２の端面１６の
平面とが合致するように、変えられ、調節されるという
点にある。
【００３３】また調節条件は選択的に、レンズの後ろ側
の光路内に視準化された(kollimierter)レーザー光線が
供給されるようにすることであってもよい。この場合、
対象物幅は、画像面１５が無限になるように調節され
る。対象物幅は、レンズ７の焦点距離に相当する。
【００３４】レンズカプラー光学系を担体２上でｙ方向
にしゅう動させることによって、ｚｙ平面内で光線方向
に影響を与えることができる。このような形式で、集束
された光線は、ｙ方向に関連して、光導波体１２の端面
１６上で中央に位置決めされる。しかしながらこのよう
な方法では、前記調節段階で調節された光線集束に対し
て影響を与えることはできない。
【００３５】次いでレンズカプラー光学系９は、調整完
成した位置でレーザーはんだ付けによって、担体２上に
配置されたＡｕメタル層に固定されている。このため
に、偏光プリズム３の下側にははんだ層１８が設けられ
ており、このはんだ層１８は、レーザーチップ１におけ
るはんだ層１７と同じ材料より成っている。熱供給のた
めに使用されたレーザー光線は、レンズカプラー光学系
９に向けられ、この際にレーザーチップ１の熱負荷は比
較的小さく維持される。つまりレーザーチップ１のはん
だ付けが溶解することはない。
【００３６】図示していない形式で、レンズカプラー光
学系９の下側の領域内には、担体２とＡｕメタル層１３
との間に延びる、例えばＳｉＯ２より成る熱絶縁層を設
けることができる。
【００３７】第１の偏光プリズム３とレンズチップ８と
の間の結合は、レーザーはんだ付け時に頑丈でなければ
ならない。そのためにこの第１の偏光プリズム３とレン
ズチップ８との間の結合は、陽極ボンディングによって
実現される。
【００３８】また、第２の偏光プリズム４とモニターチ
ップ１０とから成るユニットは、担体２に同様にレーザ
ーはんだ付けによって固定される。このために、第２の
偏光プリズム４はその下側でえ例えば、第１の偏光プリ
ズム３と同じはんだ層１８を有している。場合によって
は存在するＳｉＯ２熱絶縁層は、第２の偏光プリズム４
の下側にも延びている。
【００３９】図２には、別の光電技術的な素子を用いた
変化実施例が記載されており、この図２の変化実施例で
は、図１の実施例と同じ部分には同じ符号が記されてい
る。
【００４０】図２に示された素子は、図１に示された素
子とは、担体２、レーザーチップ１、偏光プリズム３，
４′の別のメタル層連続１３′，１７′，１８′が使用
されている点で主に相違している。さらにまた、このた
めに使用されたレンズカプラー光学系９′は、光線を２
回偏光させるための別の偏光プリズム１９を有してい
て、モニタチップとして、組み込まれたフォトエレメン
ト２０を備えた第２の偏光プリズム４′が使用されてい
る。
【００４１】担体２のメタル層１３′及び偏光プリズム
３，４′のはんだ付け層１８′は、ＡｕＳｎより成って
いる。これに対してレーザーチップ１の下側におけるは
んだ層１７′はＡｕが配合されていて、これによってそ
の溶融温度は高められる。従って、まず行われるレーザ
ーチップ１のはんだ付け、及びその後で行われるレンズ
カプラー光学系９′並びに第２の偏光プリズム４′のは
んだ付けのためのはんだ付け温度の段階付けは、組み込
まれた光電素子２０によって行われる。これによて、レ
ンズカプラー光学系９′と第２の偏光プリズム４′との
はんだ付けは、レーザーチップ１のはんだ付けのはんだ
付け温度よりも低い温度で行うことができる。またこれ
によって局部的な熱供給技術を使用することなしでも、
レーザーチップ１のはんだ結合が溶融して解除される危
険性はない。レンズカプラー光学系９′と偏光プリズム
４′とのはんだ付けとは、一回のプロセス段階で一緒に
行われる。
【００４２】前記２つの方法の変化実施例（局所的な熱
供給及び、はんだ温度の段階付け）は組み合わせること
ができる。
【００４３】レンズカプラー光学系９′を２回の光線偏
光によって調整することは、図１で説明した調整経過に
従って行われる。
【００４４】多数のレンズカプラー光学系９，９′を製
造するために、図３のａ及び図３のｂに従って、例えば
ガラスより成る偏光プリズム基板３０内に、平行に延び
るＶ字形の溝３１が形成される。これらの溝３１は、偏
光プリズム基板３０の第１の表面３２に、等しい間隔Ａ
で配置されている。
【００４５】これらの溝３１は、それぞれ２つの長手方
向側面３１ａ，３１ｂを有している。少なくとも長手方
向側面３１ｂは、偏光プリズム３０の第１の表目縁３２
に対して４５゜の角度で傾けられている。
【００４６】溝３１の長手方向側面３１ｂは、ミラー層
５（図１及び図２参照）を備えている。
【００４７】（図示していない）レンズ担体基板の表面
には、一般的な形式で互いに並んで列状に配置されたレ
ンズ７が形成されている。列間の間隔は、偏光プリズム
基板３０内の溝３１の間隔Ａと同じである。
【００４８】次の段階で、レンズ支持体基板は、そのレ
ンズから遠い方の平らな表面が偏光プリズム基板３０の
表面３２上に載せられ、それによって、溝３１がレンズ
列に対して平行に延びるように、整列されている。
【００４９】次いでレンズ担体基板は、レンズ／溝が延
びる方向に対して横方向で偏光プリズム基板３０に関連
して適当な形式でずらされる。この調整プロセスにおい
て、レンズカプラー光学系９，９′内に生じる光線方向
がｚｘ平面で固定される。調整は有利な形式で、発信さ
れたレーザー光線１１が、ミラー層５で反射された時に
それぞれレンズ７の中心軸線を通過するように、行われ
る。この調整段階も、光線方向に影響を与えるだけであ
って、光学的画像の画像面１５の位置に影響を与えるも
のではない。
【００５０】調整後にレンズ担体基板と偏光プリズム基
板３０とは、陽極ボンディングプロセスによって互いに
結合される。溝３１を鏡面処理する際に、陽極ボンディ
ングのために設けられた、偏光プリズム基板３０の表面
も、ボンディングの前に、不都合なコーティングを、研
削又は研磨によって取り除かなければならない。
【００５１】ボンディングプロセス後に、偏光プリズム
基板３０と（図示していない）レンズ担体基板とから成
る複合体は、偏光プリズム基板３０の、溝とは反対側の
表面３３が所望の厚さだけ研削され、次いでこの偏光プ
リズム基板３０上に粘着性のシートが張られて、分離ラ
イン３４，３５に沿って長手方向若しくは横方向に鋸引
きされる。この際に、図１に示した各レンズカプラー光
学系９が得られる。
【００５２】レンズカプラー光学系９′を２回のレーザ
ー光線偏光によって製造するために、同様の形式で、別
の偏光プリズムを使用して行うことができる。
【００５３】図４のａ乃至図４のｃには、別のレンズカ
プラー光学家栄９″を製造するための方法の変化実施例
が示されている。同時にレンズ・及び偏光プリズム担体
として使用される基板４０（例えばガラス又はＳｉより
成っている）内に、図３のａに関する説明に従って下側
４２に平行に延びる溝４１が形成され、長手方向側面４
１ｂが鏡面処理される。次いで、基板４０の上側４５
に、前記位置関係（図３のａ、図３のｂ）を考慮しなが
ら、互いに並んで列状に配置されたレンズ７が形成され
る（図４のｂ参照）。
【００５４】次いで、基板４０の下側４２に、はんだ層
１８若しくは１８′に相当するはんだ層４３が設けら
れ、粘着性のシートが張られ、分離ライン４４に沿って
並びに図示していない横方向の分離ライン（分離ライン
３５に応じた）に沿って各レンズカプラー光学系９″に
分離される。
【００５５】図４のｃは、レンズカプラー光学系９″に
使用される光電素子が示されている。前記図面に相当す
る部分には、同じ符号が使用されている。レンズカプラ
ー光学系絵９″は、前記形式でレーザーチップ１に対し
て調節され、担体２とはんだ付けされる。モニターチッ
プとしてはやはり、組み込まれたフォトエレメント２０
を備えた偏光プリズム４′が使用されている。この実施
例は、特に、光電素子が密閉した気密のケーシング内に
組み込まれない場合に、レーザーチップ１を周囲の影響
に対して保護するために、レーザーダイオード（レーザ
ーチップ）１とレンズカプラー光学系９″の端面との間
のギャップに充填材が満たされ実施例に適している。
【図面の簡単な説明】
【図１】１回の光線偏光が行われる光電素子の概略的な
断面図である。
【図２】２回の光線偏光が行われる光電素子の概略的な
断面図である。
【図３】ａは、部分面状に鏡面処理された溝を備えた偏
光プリズム基板の概略的な断面図、ｂは、図３のａに示
した偏光プリズム基板の平面図である。
【図４】ａは、溝が形成されているレンズ担体基板の概
略的な断面図、ｂは、ａに示したレンズ担体基板の、レ
ンズ体を形成した後の図、ｃは、ａ及びｂに従って形成
されたレンズカプラー光学系を使用した光電素子の概略
的な断面図である。
【符号の説明】
１ レーザーチップ、 ２ 担体、 ３，４ 偏光プリ
ズム、 ５，６ ミラー面、 ７ レンズ、 ８ レン
ズチップ、 ９ レンズカプラー光学系、 １０ モニ
ターチップ、 １１ レーザー光線、 １２ 光導波
路、 １３ メタル層、 １４ 主平面、 １５ 画像
面、 １６ 端面、 １７，１８ はんだ層、 ２０
フォトエレメント、 ３０ 偏光プリズム基板、 ３１
溝、 ３１ａ，３１ｂ 長手方向側面、 ３２，３３
表面、 ３４，３５ 分離ライン、 ４０ 基板、
４１ 溝、 ４１ｂ 長手方向側面、 ４２ 下側、
４３はんだ層、 ４５ 上側
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平７−202350（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−196816（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−316568（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−27374（ＪＰ，Ａ) 特表 平10−506723（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01S 5/00 - 5/50

Claims (7)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 光送信器としてのレーザーチップ（１）
    と、該レーザーチップ（１）内で生ぜしめられた光学的
    な光線（１１）を規定して放射するためのレンズカプラ
    ー光学系（９，９′，９″）とを備えた光電素子を製造
    するための方法において、次の方法段階つまり、 ａ）半導体ディスク（２）に、多数のレーザーチップ
    （１）を電気的に接触させ、機械的に固定するためのメ
    タル構造部を設け、 ｂ）前記半導体ディスク（２）に対してほぼ平行に配列
    された光路を備えたレーザーチップ（１）をメタル構造
    部（１３，１３′）に固定し、 ｃ）各レーザーチップ（１）に対して、所属のレーザー
    チップ（１）の光路を偏光させるレンズカプラー光学系
    （９，９′，９″）を、半導体ディスク上で又は、この
    半導体ディスクを分割することによって得られた半導体
    ディスクの部分（２）上で位置決めし、 ｄ）レーザーチップ（１）を駆動し、 ｅ）レーザーチップ（１）とレンズカプラー光学系
    （９，９′，９″）との間の間隔を変え、それによって
    レンズカプラー光学系（９，９′，９″）を通過する偏
    光されたレーザー光線（１１）が、光学画像面（１１
    ５）の位置に関連して所定の光線条件を満たすように、
    調節し、 ｆ）レンズカプラー光学系（９，９′，９″）を、調節
    された位置で、半導体ディスク上又は半導体ディスクの
    部分（２）上に固定する、 方法段階で行うことを特徴とする、光電素子を製造する
    ための方法。
  2. 【請求項２】 レーザーチップ（１）のディスク側の固
    定及び、レンズカプラー光学系（９，９′，９″）のデ
    ィスク側の固定を、はんだ付けによって行い、 レンズカプラー光学系（９，９′，９″）を固定するた
    めのはんだ付け段階で、熱を局所的に、特にレーザー光
    線によって供給する、請求項１記載の方法。
  3. 【請求項３】 方法段階ａ）の前に、熱絶縁層特にＳｉ
    Ｏ２層を半導体ディスク（２）上に被着し、 熱絶縁層を、少なくともレーザーチップ（１）のために
    設けられた位置で領域的に再び取り除く、請求項２記載
    の方法。
  4. 【請求項４】 レーザーチップ（１）のディスク側の固
    定、及びレンズカプラー光学系（９，９′，９″）のデ
    ィスク側の固定を、はんだ付けによって行い、 レンズカプラー光学系（９，９′，９″）を固定するた
    めのはんだ付け時に、レーザーチップ（１）を固定する
    ために使用されるはんだ付け層（１７′）の固定のため
    の温度よりも低い溶融温度を有するはんだ層（１８′）
    を使用する、請求項１から３までのいずれか１項記載の
    方法。
  5. 【請求項５】 前記方法段階（ｃ）で必要なレンズカプ
    ラー光学系（９，９′）を製造するために、 レンズ担体基板の表面に互いに並んで列状に配置された
    レンズ（７）を構成し、この際に、これらのレンズの列
    を所定の間隔（Ａ）を保って配置し、 偏光プリズム基板（３０）に、列の間隔（Ａ）を保って
    配置された、平行に延びる溝（３１）を形成し、 溝（３１）の長手方向側面（３１ｂ）を少なくとも部分
    面的に鏡面処理し、 レンズ担体基板と偏光プリズム基板（３０）とを、その
    レンズとは反対側でしかも溝に向いた側の表面に正しく
    位置決めして結合し、 レンズ担体基板と偏光プリズム基板（３０）とから成る
    複合体を一緒に、各レンズカプラー光学系（９，９′）
    に分離する、 請求項１から４までのいずれか１項記載の方法。
  6. 【請求項６】 前記段階（ｃ）で必要なレンズカプラー
    光学系（９″）を製造するために、 基板（４０）の第１の表面（４５）に、互いに並んで列
    状に配置されたレンズ（７）を形成し、第１の表面（４
    ５）とは反対側の第２の表面（４３）に対して平行に延
    びる溝（４１）を形成し、この際にレンズの列及び溝
    （４１）を、それぞれ同じ間隔（Ａ）を保って、しかも
    互いに所定の相対位置で配置し、 溝（４１）の長手方向側面（４１ｂ）を少なくとも部分
    面的に鏡面処理し、 基板（４０）を各レンズカプラー光学系（９″）に分離
    する、 請求項１から４までのいずれか１項記載の方法。
  7. 【請求項７】 偏光プリズム基板（３０）又は基板（４
    ０）を、単結晶材料特にシリコンより製造し、溝（３
    １，４１）を、前記単結晶材料の結晶学的な配列に関連
    して、異方性エッチング工程によって形成する、請求項
    ５又は６記載の方法。
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