WO2001056047A1 - Reseau conducteur integre a une carte multicouche, carte multicouche a reseau conducteur integre et procede de fabrication de carte multicouche - Google Patents

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manganese
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Hiroshi Tsuyuki
Osamu Hirose
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Tdk Corporation
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Definitions

  • the present invention relates to a conductor pattern embedded in a multilayer substrate, a multilayer substrate having the conductor pattern embedded therein, and a method of manufacturing the multilayer substrate.
  • Such a laminated component is prepared by mixing ceramic powder with an organic binder, printing a conductor paste on a dullin molded body produced by a sheet method, a printing method, or the like, laminating, pressing, cutting, and firing. It is manufactured by forming external electrodes.
  • the conductor paste generally consists of a metal powder dispersed in an organic binder and an organic solvent.
  • the addition of glass powder has the effect of suppressing sintering of silver, so that cracks and the like can be prevented.
  • an object of the present invention is to provide a conductor pattern embedded in a multilayer substrate such as a laminated LC component, which has a low electric resistance, has excellent adhesion to the substrate, and has a crack on the substrate at the time of plating.
  • An object of the present invention is to provide a conductor pattern which does not cause any increase and does not increase dielectric loss, a multilayer substrate having such a conductor pattern built therein, and a method of manufacturing the multilayer substrate. Disclosure of the invention
  • the present inventors have conducted intensive research on multilayer ceramic components that suppress cracks and warpage and do not reduce electrical characteristics. It has been found that the reason for the increase in dielectric loss due to the addition of the chromium is that chromium diffuses into the substrate and reacts with the glass component of the substrate to form glass having a large dielectric loss. Further, as a result of intensive studies conducted by the present inventors, it has been found that addition of manganese to the conductor composition is effective for suppressing excessive diffusion of chromium.
  • such an object of the present invention is a conductor pattern embedded in a multilayer substrate, characterized in that it contains silver as a main component, chromium and chromium or a chromium compound, and manganese and Z or a manganese compound. This is achieved by the conductor pattern that is used.
  • silver which is the main component of the conductor pattern, contains chromium and chromium or a chromium compound, the electric resistance is low, the adhesion to the substrate is excellent, and Cracks do not occur in the steel, and manganese and / or manganese compounds are contained, thereby suppressing an increase in dielectric loss.
  • the content of the cup and Z or the chromium compound is 0.1 to 2.0% by mass in terms of Cr 2 O 3 with respect to the silver.
  • the content of the manganese and Roh or manganese compound is 0.1 to 5.0 mass% in M n O 2 in terms relative to the silver.
  • the composition further comprises an aluminum and / or anolemmin compound.
  • adhesion to a substrate is further improved.
  • the conductive pattern is a capacitor. It is a pole.
  • the object of the present invention is also a multilayer substrate including a plurality of substrates, and a conductor pattern embedded in the plurality of substrates, wherein the conductor pattern includes silver as a main component, chromium and Z or This is achieved by a multilayer substrate comprising a chromium compound and manganese and Z or a manganese compound.
  • the content of the glass component and the ceramic component is 50:50 to 80:20 by volume.
  • the glass component S i O 2 - RO - A 1 2 0 3 - B 2 0 3 (R is alkaline earth metal) containing.
  • the ceramic box component comprises A 1 2 ⁇ 3, T i 0 2 and compound T i 0 1 or 2 or more ingredients selected from 2 made from the group.
  • the conductor pattern further includes an aluminum compound and an aluminum or aluminum compound.
  • the conductor pattern is a capacitance electrode.
  • the content of the click opening arm and / or click port beam compound is 0.1 to 2.0% by weight C r 2 0 3 in terms relative to the metal powder .
  • the content of the manganese and Z or manganese compound is 0.1 to 5.0 mass% in M N_ ⁇ 2 equivalent relative to the metal powder.
  • the conductor composition further includes aluminum and / or an aluminum compound.
  • the average particle diameter of the metal powder is from 0 :! to 10 / m.
  • the step of baking is performed at 75 ° C. to 940 ° C.
  • the technique described in this publication relates to a conductor paste for a wiring pattern formed on the surface of a multilayer substrate after firing, and the technology is incorporated in the multilayer substrate and fired at the same time. It does not relate to the conductor composition.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a multilayer substrate according to a preferred embodiment of the present invention.
  • the conductor composition used in the preferred embodiment of the present invention comprises a metal powder as a main component, a sintering inhibitor for controlling sintering characteristics, and a dielectric loss improver for preventing diffusion of the sintering inhibitor.
  • the metal powder containing,, and the vehicle is not particularly limited as long as it has a low resistance in order to obtain a high Q value, but it may be a silver powder, which is a metal having the lowest resistivity in practical use. preferable. Further, as long as it is a metal powder mainly composed of silver, an alloy powder of silver-copper, silver-palladium, silver-platinum or the like may be used. At this time, silver is preferably contained in an amount of 95% by mass or more.
  • the average particle diameter of these metal powders is preferably about 0.1 to 10 ⁇ m in consideration of sinterability, characteristics of paste, and the like.
  • Manganese and / or manganese compounds are used as the dielectric loss improver added to the metal powder. Add this manganese and / or manganese compound As a result, excessive diffusion of chromium is suppressed, and a multilayer ceramic component that does not cause cracks or warpage even when co-fired with the substrate and does not deteriorate in electrical characteristics can be manufactured. MnO 2 or the like can be used as the manganese compound. Manganese may be added as an organometallic compound. Amount of dielectric loss improvements agent is preferably 0.1 to 5.0% by weight M n 0 2 converted to the metal powder. M n O content of 2 effects added less than the above range does not appear sufficiently. In addition, when the value exceeds the upper limit of the above range, a problem occurs that the specific resistance increases.
  • the preferred average particle size of the sintering inhibitor and the dielectric loss improver depends on the average particle size of the metal powder, but for uniform dispersion, the average particle size of the metal powder must be smaller than the average particle size. Is preferred.
  • This conductor paste is particularly suitable for being used as an electrode (capacitance electrode) of the capacitance portion of a multilayer substrate with capacitance, and can also be used for internal conductors and via holes.
  • the conductor composition is prepared by adding a sintering inhibitor and a dielectric loss improver to metal powder and dispersing them in an organic vehicle.
  • the sintering inhibitor and the dielectric loss improver may be added after dispersing in the vehicle.
  • it is prepared by adding an organic vehicle to a metal powder, a sintering inhibitor, and a dielectric loss improver, and thoroughly mixing them with, for example, a three-roll mill.
  • the organic vehicle used contains an organic binder and an organic solvent.
  • the organic binder include various known organic binders such as ethyl cellulose, acrylic resin, and butyral resin. It is possible to use The content of the organic binder is 1 to 10 mass. / 0 is preferred.
  • organic solvent for example, various known organic solvents such as butyl carbitol, terbineol, and kerosene can be used.
  • the content of the organic solvent is preferably about 22 to 55% by mass.
  • a dispersant such as sorbitan fatty acid ester and glycerin fatty acid ester and a plasticizer such as octyl phthalate, dibutyl phthalate and butyl butyl glycolate are added in a range of about 10% by mass or less in total. You may.
  • the conductor composition having such a composition is formed on a green molded body described below.
  • such a green molded body is made of a glass ceramic material.
  • the glass ceramic material contains glass powder (glass component) and oxide aggregate powder (ceramic component).
  • glass powder glass component
  • oxide aggregate powder ceramic component
  • the type and content of the glass powder and the oxide aggregate are not particularly limited as long as the mixture can be fired at a temperature equal to or lower than the melting point of silver, but the content of the glass powder and the oxide aggregate is preferably a volume ratio. And preferably 50:50 to 80:20.
  • a 1 2 0 content of 3 and less feldspars not sufficient Pobbingu is likely to occur. If the content of A 1 2 0 3 is too large, or become difficult to form a glass, it increases the softening point of the glass, sintering at below the melting point of silver is difficult. Further, the content of B 2 0 3 is preferably 1 ⁇ 1 0 mo 1%. B 2 0 3-strength by sintering insufficient glass ceramic box material softening point ends up rising of the content is too small glass of weakens. B 2 0 3 glass softening point when the content is too large for decreases, problems will be caused such silver may become degreasing insufficient diffuse.
  • oxide aggregate A 1 2 ⁇ 3, T i 0 2, compound T i 0 2 (B a T i 0 3, S r T i O 3 and C a T i ⁇ 3 like Bae Robusukai DOO compounds, B a O- 4 T i 0 2, B a O- N d 2 0 3 - T i ⁇ 2, etc.), Kojierai bets, one to such two or more such Murai bets, various known It is possible to use oxide aggregate.
  • the content of A 1 2 0 3 in the glass may be no less, but even in this case, 5 mol% or more O 01/56047
  • the multilayer substrate according to the present embodiment can be manufactured by the following manufacturing method.
  • glass ceramic powder composed of glass powder and oxide aggregate powder is mixed with an organic vehicle or the like using a porcelain ball mill pot or the like.
  • This mixing method may be any method as long as it is a commonly used method, as long as it is sufficiently mixed and the respective components are uniformly dispersed. Further, there is no particular limitation on the organic vehicle or the like to be used as long as it is generally used.
  • polyvinyl butyral PVB
  • ethylcellulose ethylcellulose
  • an acryl resin or the like may be used alone or in combination of two or more, usually with respect to 100 parts by mass of glass ceramic powder. About 7 to 20 parts by mass.
  • alcohols such as methanol, ethanol, propanol and butanol, tonolenene, xylene, methyl / methyl ketone, and acetone are used alone or in combination of two or more. It is sufficient to add about 40 to 60 parts by mass to 100 parts by mass of the powder mix.
  • getyl phthalate (DEP), dibutyl phthalate (DBP), octyl phthalate (DOP), n-butylphthalyl n-butyl dalicholate (BPBG) or the like can be used alone or in combination. More than one kind may be usually added in an amount of about 3 to 7 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the glass ceramic powder.
  • additives such as organic vehicles usually used for such purposes are not limited, and can be used as needed.
  • the green sheet forming method, the circuit forming method, and the laminating method are not particularly limited, and are not particularly limited as long as they are commonly used methods.
  • a green sheet is formed by a doctor blade method or the like, and an electric sheet is formed by a screen printing method or the like. After the poles are formed, they may be pressed and laminated.
  • the laminate is baked at a temperature of about 750 ° C. to 940 ° C., usually for about 15 minutes to 5 hours, to form a multilayer substrate having a built-in conductor pattern. If the firing temperature is too high, the internal conductor composition will diffuse, and if it is too low, the sintered density of the obtained substrate will be low, which is not preferable. Further, external electrodes are formed on the laminated body after firing, and plating is performed as necessary.
  • Example 1 Example 1
  • the composition of the glass is SiO 2 : 62 mol 0 /. , A 1 2 O a: 8 Monore 0/0, S r O: 2 0 mole 0/0, C a O: 4 mole 0 /. , B 2 ⁇ 3: 3 mole 0/0, M g O: a 3 mol% was used A 1 2 0 3 as the oxide aggregate.
  • the mixing ratio between the oxide aggregate and the glass was 30:70 by volume.
  • glass ceramic box B That of the second composition (hereinafter referred to as glass ceramic box B) is set formed of the glass is the same as the glass ceramic box A, as the oxide aggregate, A 1 2 0 3 and T i O 2 A mixture having a mixing ratio of 1: 1 by volume was used. The mixing ratio between the oxide aggregate and the glass was 30:70 by volume. A green sheet having a thickness of 30 ⁇ m was obtained by the same method as described above.
  • Conductor paste is the A g (average particle size 1. ⁇ ⁇ ⁇ ) main component consisting of 1 00mo l%, amount showing the C r 2 0 3, A 1 2 0 3, Mn 0 2 in Table 1 Then, the vehicle was added, and the mixture was kneaded with a three-roll mill to form a paste. Ethylcellulose-based resin was used as a binder, and tvneol and butylcarbitol acetate were used as solvents. Wherein A 1 2 0 3 is an aluminum coupling agent as the organometallic compound (Purenaku preparative ALM: Ajinomoto Co., Ltd.) was used. O 01/56047
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view schematically showing a multilayer substrate manufactured as described above.
  • 101 indicates an external electrode
  • 102 indicates a glass ceramic A
  • 103 indicates a glass ceramic B
  • 104 indicates a conductor pattern. The presence or absence of a defect inside the laminate was determined from the presence or absence of cracks and delamination after firing.
  • the insulation resistance is measured at 50 V DC using YHP (Yokogawa Hewlett Packard) 4 32 9 A, and the dielectric loss is measured at 1 V rms and 1 MHz using YHP 4 285 A. It was measured.
  • Table 2 shows the evaluation results for each sample. The measurement results show that the effect of the present invention is clear.
  • the substrate also be added A 1 2 0 3 1. 0 wt% or more as in Sample No. 2 0, and the specific resistance increases undesirably.
  • the silver is a major component, AI 2 0 3, C r 2 0 3, Mn 0 2 a low electric resistance by adding and, in adhesion to the substrate Excellent, it is possible to provide a conductor pattern that does not cause cracks in the substrate at the time of plating and does not increase dielectric loss, a multilayer substrate having such a conductor pattern incorporated therein, and a method of manufacturing the multilayer substrate. Becomes Industrial applicability
  • the conductor pattern according to the present invention can be used as a conductor pattern incorporated in a multilayer substrate such as a laminated LC component. Further, the multilayer substrate according to the present invention and the multilayer substrate manufactured by the method according to the present invention can be used as a laminated LC component or the like.

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Description

明細書 多層基板に内蔵された導体パターン及び導体パターンが内蔵された多層基板 、 並びに、 多層基板の製造方法 技術分野
本発明は、 積層 L C部品等の多層基板に内蔵された導体パターンであって 、 電気抵抗が低く、 且つ、 基板との密着性に優れ、 メ ツキ時において基板に クラックを生じさせず、 且つ、 誘電損失を増大させない導体パターン及びこ のような導体パターンが内蔵された多層基板、 並びに、 多層基板の製造方法 に関する。 従来の技術
近年、 電子機器の小型化に伴い、 これらに用いられる電子部品もまた小型 化が要求されている。 なかでもセラミ ックスを使用したインダクタ、 コンデ ンサ、 フィルタ一等の機能部品及び配線基板は、 多層構造に積層され、 小型 化が図られるようになつてきた。 このような積層部品は、 セラミ ックス粉末 を有機バインダーと混合し、 シート法、 印刷法等の手段で作製されたダリー ン成形体に導体ペース トを印刷し、 積層、 圧着、 切断後、 焼成し、 外部電極 を形成することにより製造される。 ここで、 導体ペース トは一般に金属粉末 を有機バインダー及び有機溶剤中に分散させたものからなる。
高い品質係数 （Q値） を要求される L C部品やフィルタ一類、 及び配線基 板などで使用される低抵抗の導体ペース ト中の導電材料と しては、 低い抵抗 率を持つ銀が用いられている。 そのために、 基板材料に使用するセラミ ック スと導電材料を同時焼成する場合に使用するセラミ ックス材料は、 銀の融点 (純銀の融点は 9 6 0 . 5 °C ) 以下で焼結が可能でなければならない。 この ようなセラミ ックス材料の一つと して、 焼結助剤たる役割のあるガラスを含 有したセラミ ックスである、 いわゆる、 ガラスセラミックスが広く用いられ ている。 .
し力、し、 導電材料に銀を使用した場合、 収縮の開始温度がガラスセラミ ツ クス材料の場合 7 0 0 °C〜 9 4 0 °Cであるのに対し、 銀は 3 0 0〜 5 0 0で と低い。 そのために、 それぞれの収縮量が同一とならず導体層とセラミック ス層の間に応力が生じ、 クラックゃデラミネ一ション等の欠陥の原因となつ ていた。 よって、 導体ペース ト中に含まれる銀粉末の焼結性とセラミ ックス 材料の焼結性とをほぼ同一に、 すなわち、 焼成時の各温度におけるセラミツ クス層と導体層の収縮量をほぼ同一にする必要がある。 このため、 何らかの 方法で銀の焼結の進行を抑制する必要があった。 銀の焼結の進行を抑制する 方法の一つに、 導体ペース ト中に S i 〇2 - A 1 2 0 3系などのガラス粉末を添 加する方法がある。 この方法では、 ガラス粉末の添加により銀の焼結を抑制 する効果があるのでクラックの発生などを防止することができる。 また、 別 の方法として、 例えば特開平 6 - 2 0 5 1 6では銀や銀とパラジウムの導体 組成物に焼結制御剤と してク ロムゃクロム化合物、 無機結合剤と して A 1 2 0 3や P b O等の各種セラミ ックスを添加することで基板との反りやクラッ クの等の外観不良が生じず基板との接着強度も高い導体組成物が提案されて いる。
しかしながら反りやクラックを生じないようにするには多量のガラスを添 加する必要がある。 このような導体組成物を容量付き （コンデンサ内蔵） 多 層基板の内部導体と して使用すると導体抵抗が高くなったり誘電損失が大き くなるなどの問題が生じる。 また、 クロムやクロム化合物を添加した導体組 成物も容量用の電極と して用いると誘電損失が大きくなるという問題がある ことが発明者による実験により確かめられた。
したがって、 本発明の目的は、 積層 L C部品等の多層基板に内蔵された導 体パターンであって、 電気抵抗が低く、 且つ、 基板との密着性に優れ、 メ ッ キ時において基板にクラックを生じさせず、 且つ、 誘電損失を増大させない 導体パターン及びこのよ うな導体パターンが内蔵された多層基板、 並びに、 多層基板の製造方法を提供することである。 発明の開示
本発明者は、 クラックや反りを押さえ、 かつ、 電気特性が低下しないよう な積層セラ ミ ックス部品について鋭意研究を重ねた結果、 導体組成物にクロ ムを添加することで誘電損失が増大する原因は、 クロムが基板中に拡散して 基板のガラス成分と反応して誘電損失の大きいガラスが形成されるためであ ることが分かった。 さらに、 本発明者が鋭意研究を重ねた結果、 クロムの過 剰拡散を抑えるためには、 導体組成物にマンガンを添加することが有効であ ることが分かった。
かかる技術的知見に基づき、 本発明の上記目的は、 次に述べる手段によつ て達成されることが解明された。
すなわち、 本発明のかかる目的は、 多層基板に内蔵された導体パターンで あって、 主成分である銀と、 クロム及びノ又はクロム化合物と、 マンガン及 び Z又はマンガン化合物とを含むことを特徴とする導体パターンによって達 成される。
本発明によれば、 導体パターンの主成分である銀に、 クロム及びノ又はク ロム化合物が含まれていることから、 電気抵抗が低く、 且つ、 基板との密着 性に優れ、 メツキ時において基板にクラックを生じさせないとともに、 マン ガン及び 又はマンガン化合物が含まれていることから、 誘電損失の増大が 抑制される。
本発明の好ましい実施態様においては、 前記ク口ム及び Z又はクロム化合 物の含有率が、 前記銀に対して C r 2 O 3換算で 0 . 1〜 2 . 0質量％である 本発明のさらに好ましい実施態様においては、 前記マンガン及びノ又はマ ンガン化合物の含有率が、 前記銀に対して M n O 2換算で 0 . 1 〜 5 . 0質 量％である。
本発明のさらに好ましい実施態様においては、 アルミニゥム及び 又はァ ノレミニゥム化合物をさらに含んでいる。
本発明のさらに好ましい実施態様によれば、 基板との密着性がより向上す る。
本発明のさらに好ましい実施態様においては、 前記アルミニゥム及び z又 はアルミニウム化合物の含有率が、 前記銀に対して A 1 2 0 3換算で 0 . 1〜 1 . 0質量％である。
本発明のさらに好ましい実施態様においては、 前記導体パターンが容量電 極である。
本発明の前記目的はまた、 複数の基板と、 前記複数の基板に内蔵された導 体パターンとを備える多層基板であって、 前記導体パターンが、 主成分であ る銀と、 クロム及び Z又はクロム化合物と、 マンガン及び Z又はマンガン化 合物とを含むことを特徴とする多層基板によって達成される。
本発明によれば、 導体パターンの主成分である銀に、 クロム及びノ又はク ロム化合物が含まれていることから、 電気抵抗が低く、 且つ、 基板との密着 性に優れ、 メ ツキ時において基板にクラックを生じさせないとともに、 マン ガン及び/又はマンガン化合物が含まれていることから、 誘電損失の増大が 抑制される。
本発明の好ましい実施態様においては、 前記基板が、 ガラス成分及びセラ ミックス成分からなるガラスセラミ ックスによつて構成される。
本発明のさらに好ましい実施態様においては、 前記ガラス成分と前記セラ ミックス成分の含有量が、 体積比で 5 0 : 5 0〜 8 0 : 2 0である。
本発明のさらに好ましい実施態様においては、 前記ガラス成分が、 S i O 2 - R O - A 1 2 0 3 - B 2 0 3 ( Rはアルカ リ土類金属） を含む。
本発明のさらに好ましい実施態様においては、 前記セラミ ックス成分が、 A 1 2〇3、T i 0 2及び化合物 T i 0 2からなる群より選ばれた 1又は 2以上 の成分を含む。
本発明のさらに好ましい実施態様においては、 前記導体パターンが、 アル ミニゥム及びノ又はアルミニゥム化合物をさらに含む。
本発明のさらに好ましい実施態様においては、 前記導体パターンが容量電 極である。
本発明の前記目的はまた、 銀を 9 5質量％以上含有する金属粉末と、 クロ ム及び/又はクロム化合物を含有する焼結抑制剤と、 マンガン及びノ又はマ ンガン化合物を含有する誘電損失改良剤と、 ビヒクルとを含む導体組成物を 作製するステップと、 前記導体組成物によって複数のグリーンシート上に電 極を形成するステップと、 前記電極が形成された複数のグリ一ンシ一トを積 層し積層体を形成するステップと、 前記積層体を焼成するステップとを備え る多層基板の製造方法によって達成される。 本発明によれば、 導体組成物の主成分である銀に、 焼結抑制剤であるクロ ム及び/又はクロム化合物が含まれていることから、 電気抵抗が低く、 且つ 、 基板との密着性に優れ、 メツキ時において基板にクラックを生じさせない とともに、 誘電損失改良剤であるマンガン及び //又はマンガン化合物が含ま れていることから、 誘電損失の増大が抑制される。
本発明の好ましい実施態様においては、 前記ク口ム及び/ 又はク口ム化合 物の含有率が、 前記金属粉末に対して C r 2 0 3換算で 0 . 1 〜 2 . 0質量％ である。
本発明のさらに好ましい実施態様においては、 前記マンガン及び Z又はマ ンガン化合物の含有率が、 前記金属粉末に対して M n〇 2換算で 0 . 1 〜 5 . 0質量％である。
本発明のさらに好ましい実施態様においては、 前記導体組成物が、 アルミ ニゥム及び 又はアルミニゥム化合物をさらに含む。
本発明のさらに好ましい実施態様においては、 前記アルミニゥム及び 又 はアルミニウム化合物の含有率が、 前記金属粉末に対して A 1 2 0 3換算で 0 . 1〜 1 . 0質量％である。
本発明のさらに好ましい実施態様においては、 前記金属粉末の平均粒子径 、 0 . ：! 〜 1 0 / mである。
本発明のさらに好ましい実施態様においては、 前記焼成するステップが、 7 5 0 °C〜 9 4 0 °Cで行われる。
ここで、 特開平 5 - 4 1 1 1 0には、 A g粉末、 P t粉末を用いた導体べ —ス トにガラスフリ ッ トおよび C r 2〇3、 M n O 2を添加する方法が提案さ れているが、 同公報に記載された技術は、 多層基板の焼成後においてその表 面に形成する配線パターン用の導体ペース 卜に関わり、 多層基板に内蔵され てこれらと同時に焼成される導体組成物に関するものではない。 図面の簡単な説明
図 1は、 本発明の好ましい実施態様にかかる多層基板を模式的に示す断面 図である。 O 01/56047
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発明の実施の形態
本発明の好ましい実施態様において用いられる導体組成物、 すなわち導体 ペース トは、 主成分である金属粉末、 焼結特性を制御する焼結抑制剤、 焼結 抑制剤の拡散を防止する誘電損失改良剤、 及びビヒクルを含んで構成される 金属粉末は、 高い Q値を得るために低抵抗のものであれば特に限定されな いが、 実用上最も抵抗率の低い金属である銀粉末であることが好ましい。 ま た、 銀を主体にする金属粉末であれば、 銀一銅、 銀一パラジウム、 銀一白金 等の合金粉末であっても良い。 このとき、 銀は 9 5質量％以上含有されてい ることが好ましい。 これら金属粉末の平均粒子径は、 焼結性、 ペース トの特 性等を考慮すれば、 0 . 1〜 1 0 μ m程度が望ましい。
金属粉末に添加する焼結抑制剤と しては、 クロム及び/またはクロム化合 物とアルミニゥム及びノまたはアルミニウム化合物を用いる。 これらを添加 することで基板との接着強度が上がり、 デラミネーションゃ、 焼成 · メツキ 後のクラックを無くすことができる。 クロム化合物と しては C r 2 0 3、 C r F 3等を用いることができる。 アルミニゥム化合物と しては A 1 2 0 3を用い ることができる。 また、 クロムやアルミニウムを有機金属化合物と して添加 しても良い。 さらに、 焼結抑制剤と しては、 アルミニウム及び/またはアル ミ二ゥム化合物を用いることなく、 クロム及びクロム化合物の少なく とも一 方のみを用いても構わない。 但し、 クロム及び Zまたはクロム化合物とアル ミニゥム及びノまたはアルミニゥム化合物の両方を用いた方が、 焼結抑制剤 としてより効果的に機能する。
焼結抑制剤の添加量は、 ク口ム及び またはク口ム化合物については金属 粉末に対して C r 2 0 3換算で 0 . 1〜 2 . 0質量0/。、 アルミニウム及び ま たはアルミニウム化合物については A 1 2 0 3換算で 0 . 1〜 1 . 0質量％で あることが好ましい。 C r 2 0 3、 A 1 2 O 3の含有量が上記範囲より少ないと デラミネーシヨ ンやクラックが生じ易くなる。 また、 上記範囲の上限値を越 えると誘電損失や比抵抗が大きくなるという不具合が生じる。
金属粉末に添加する誘電損失改良剤と しては、 マンガン及び/またはマン ガン化合物を用いる。 このマンガン及び/またはマンガン化合物を添加する ことによりクロムの過剰拡散が抑えられ、 基板と同時焼成してもクラックや 反りを生じず、 かつ電気特性が低下しないような積層セラミ ックス部品を作 製することができる。 マンガン化合物と しては M n O 2等を用いることがで きる。 また、 マンガンを有機金属化合物と して添加しても良い。 誘電損失改 良剤の添加量は、 金属粉末に対して M n 0 2換算で 0 . 1 〜 5 . 0質量％で あることが好ましい。 M n O 2の含有量が上記範囲より少ないと添加した効 果が十分に現れない。 また、 上記範囲の上限値を越えると比抵抗が大きくな るという不具合が生じる。
焼結抑制剤及び誘電損失改良剤の平均粒子径は、 金属粉末の平均粒子径に よって好ましい平均粒子径が異なるが、 均一に分散させるためには、 金属粉 末の平均粒子径ょり小さいことが好ましい。
この導体ペース トは特に容量付き多層基板の容量部の電極 （容量電極） と して使用するのに適している他、 内部導体やビアホールにも使用することが できる。
導体組成物 （導体ペース ト） は、 金属粉末に焼結抑制剤、 誘電損失改良剤 を添加し、 これを有機ビヒクル中に分散させて作製する。 焼結抑制剤、 誘電 損失改良剤の添加はビヒクルへの分散後であっても良い。 具体的には、 金属 粉末、 焼結抑制剤及び誘電損失改良剤に有機ビヒクルを添加し、 例えば 3本 ロールなどで十分に混合させることにより作製する。 ここで、 使用する有機 ビヒクルは、 有機バインダー及び有機溶剤を含有するものであり、 有機バイ ンダ一と しては、 ェチルセルロース、 アク リル樹脂、 ブチラール樹脂等、 公 知である種々の有機バインダーを使用することが可能である。 有機バインダ 一の含有量は、 1〜 1 0質量。 /0程度が好ましい。 有機溶剤と しては、 たとえ ばブチルカルビ トール、 テルビネオール、 ケロシン等、 公知である種々の有 機溶剤を使用することが可能である。 有機溶剤の含有量は 2 2〜 5 5質量％ 程度が好ましい。 その他、 必要に応じ、 総計 1 0質量％程度以下の範囲で、 ソルビタン脂肪酸エステル、 グリセリン脂肪酸エステル等の分散剤、 ジォク チルフタレー ト、 ジブチルフタ レー ト、 ブチルフタルグリ コール酸ブチル等 の可塑剤を添加してもよい。
このような組成からなる導体組成物は、 以下に説明するグリーン成形体上 O 01/56047
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に印刷される。 そして、 かかる導体組成物が印刷されたグリーン成形体が積 層 ·圧着 · 切断された後、 導体組成物とグリ一ン成形体とが同時に焼成され る。 本実施態様においては、 かかるグリーン成形体は、 ガラスセラッミ ック ス材料からなる。
ガラスセラッミ ックス材料は、 ガラス粉末 （ガラス成分） と酸化物骨材の 粉末 （セラミックス成分） を含有する。 ガラス粉末、 酸化物骨材の種類、 含 有量はその混合物が銀の融点以下の温度で焼成することができれば特に限定 されないが、 好ましくはガラス粉末と酸化物骨材の含有量が、 体積比で 5 0 ： 5 0〜 8 0 ： 20であることが好ましい。
ガラス粉末の組成は、 S i O 2を主成分と し、 副成分と して S r 0、 B a ◦、C a O等のアル力リ土類金属を一種以上及び A 1 2〇3と B 203を含有す るものがさらに好ましい。 副成分の含有量は 1 0〜 40モル％含有すること が好ましく、 さらには 1 5〜4 0モル。 /0含有することが特に好ましい。 副成 分の含有量が少ないと長石類の生成が十分でなくなり、 ポッビングが発生し やすくなる。 副成分の含有量が多すぎると、 ガラスの形成が困難になったり 、 ガラスセラミ ックス材料の強度が低下したりする。 また、 A 1 203の含有 量は、 5〜 1 0モル％であることが好ましい。 A 1 203の含有量が少ないと 長石類の生成が十分でなくなり、 ポッビングが発生しやすくなる。 A 1 203 の含有量が多すぎると、 ガラスの形成が困難になったり、 ガラスの軟化点が 上昇し、 銀の融点以下での焼結が困難になる。 さらに、 B 203の含有量は、 1〜 1 0 m o 1 %であることが好ましい。 B 203の含有量が少なすぎるとガ ラスの軟化点が上昇してしまいガラスセラミ ックス材料の焼結不足により強 度が弱くなる。 B 203の含有量が多すぎるとガラスの軟化点が低下し、 脱脂 が不十分となったり銀が拡散するといった不具合が生じる。
一方、 酸化物骨材としては、 A 1 2〇 3、 T i 02、 化合物 T i 02 ( B a T i 03、 S r T i O 3及び C a T i 〇 3等のぺロブスカイ ト化合物、 B a O— 4 T i 02、 B a O— N d 203— T i 〇2等）、 コージエライ ト、 ムライ ト等 の 1種ないし 2種以上等、 公知である種々の酸化物骨材を使用することが可 能である。 酸化物骨材と して A 1 2〇 3を使用する場合は、 ガラス中の A 1 2 03の含有量を少くなく しても良いが、 その場合であっても、 5モル％以上 O 01/56047
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含有することが好ましい。
本実施態様にかかる多層基板は、 以下の製造方法により作製することがで さる。
まず、 ガラス粉末と酸化物骨材の粉末からなるガラスセラミ ックス粉末を 、 例えば磁器製のボールミルポッ ト等を用いて有機ビヒクル等と混合する。 この混合方法は通常用いられる方法であればどのような方法でも良く、 十分 混合して各成分が均一に分散されればよい。 さらに、 用いる有機ビヒクル等 についても、 通常用いられるものであれば特に限定はない。
例えば、 有機ビヒクルを構成する結合剤と しては、 ポリ ビニルプチラール ( P V B )、 ェチルセルロース、 アタ リル系樹脂などを単独または 2種類以上 を、 通常ガラスセラミツクス粉末 1 0 0質量部に対して 7〜 2 0質量部程度 添加すればよい。
また、 有機ビヒクルを構成する溶剤と しては、 メタノール、 エタノール、 プロパノーノレ、 ブタノーノレ等のアルコール類、 ト ノレエン、 キシレン、 メチ /レ ェチルケトン、 アセ トン等を単独または 2種類以上を、 通常ガラスセラミ ツ クス粉末 1 0 0質量部に対して 4 0〜 6 0質量部程度添加すればよい。
また、 有機ビヒクルを構成する可塑剤と しては、 ジェチルフタ レート （D E P )、 ジブチルフタレー ト （D B P )、 ジォクチルフタ レー ト （D O P )、 n —ブチルフタリル n—ブチルダリ コラート （B P B G ) などを単独または 2 種類以上を、 通常ガラスセラミ ックス粉末 1 0 0質量部に対して 3〜 7質量 部程度添加すればよい。 その他、 通常このような目的で用いられる有機ビヒ クル等の添加物に制限はなく、 必要に応じて使用することができる。
このようにして有機ビヒクル等とともにボールミル等により均一に混合し たガラスセラミ ックス粉末のスラリーを、 目的に応じて所定の厚さをもつグ リーンシー トに成形する。
さらに、 成形した複数のグリーンシートに上記導体組成物 （導体ペース ト ) によって電極を形成した後、 これらを積層し、 所定の大きさに切断する。 グリーンシート成形法、 回路の形成方法及び積層方法については特に制限 はなく、 通常用いられる方法であれば特に限定されない。 例えば、 ドクター ブレー ド法等によりグリーンシートを成形し、 スク リーン印刷法等により電 極を成形した後、 これらを圧着して積層すればよい。
つづいて、 上記積層体を 7 5 0°C〜 94 0°C程度の温度で通常 1 5分〜 5 時間程度焼成することにより、 導体パターンが内蔵された多層基板が形成さ れる。 焼成温度が上記範囲より高すぎると、 内部の導体組成物が拡散し、 低 すぎると得られた基板の焼結密度が低くなり好ましくない。 さらに、 焼成後 の積層体には外部電極が形成され、 必要に応じてメ ツキが施される。 実施例
ガラスセラミ ックス材料は、 組成が異なる 2種類のものを用意した。
第 1の組成のもの （以下、 ガラスセラミ ックス Aとする） は、 ガラスの組 成が S i O 2 ： 6 2モル0 /。、 A 1 2 O a ： 8モノレ0 /0、 S r O ： 2 0モル0 /0、 C a O ： 4モル0/。、 B 2〇3： 3モル0 /0、 M g O ： 3モル％であり、 酸化物骨材 として A 1 203を使用した。酸化物骨材とガラスの混合比は体積比で 3 0 ： 7 0と した。 以上のような組成を有する原料粉末 1 00質量部に対し、 それ ぞれ結合剤としてァク リル系樹脂を 1 5質量部、 溶剤と して トルエンを 5 0 質量部、 可塑剤として B P BGを 5質量部からなる有機ビヒ クルを加えて混 合し、 ドクターブレード法により厚み 24 0 μ mのダリ一ンシ一トを得た。 第 2の組成のもの （以下、 ガラスセラミ ックス Bとする） は、 ガラスの組 成はガラスセラミ ックス Aと同様であるが、 酸化物骨材としては、 A 1 203 と T i O 2の混合比が体積比で 1 ： 1の混合物を使用した。 酸化物骨材とガ ラスの混合比は体積比で 3 0 ： 70と した。 これを上記と同様の方法により 厚み 3 0 μ mのグリ一ンシートを得た。
導体ペース トは、 A g (平均粒径 1. Ο μ πι) 1 00mo l %よりなる主 成分に、 C r 203、 A 1 203、 Mn 02を表 1で示した添加量で調合し、 ビ ヒクルを添加して 3本ロールミルで混練しぺ一ス ト化した。 ビヒクルにはバ インダと してェチルセルロース系樹脂、 溶剤としてテレビネオールおよびブ チルカルビトールァセテ一 トを用いた。 ここで A 1 203は、 有機金属化合物 としてアルミニウムカップリング剤 （プレンァク ト ALM : 味の素株式会社 製） を用いた。 O 01/56047
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表 1
Figure imgf000013_0001
'比較例 そして、 ガラスセラミ ックス Bからなるグリーンシートに導体ペース トを 約 1 0 μ mの厚さになるようスク リーン印刷を行った。 導体の印刷は焼成後 の寸法で 2 X 3 mmの矩形形状に端部引き出し線を配したコンデンサパター ンで行った。 この印刷されたシートを 7層積層し、 上下にガラスセラミ ック ス Aを 2枚ずつ積層し熱プレスした後、 4. 5 X 3. 2mmのチップサイズ に切断し、 90 0°C、 1 0分で焼成して多層基板試料を得た。 多層基板試料 の側面に A g—ガラス系の外部導体ペース ト （昭栄化学 ： H 2 9 80) を塗 布し、 8 5 0°Cで 1 0分間焼付け後、 ノくレルメ ツキで C u , N i , S nメ ッ キを行って表 2に示す試料番号 1〜 20の測定試料とした。
図 1は、 このよ うにして作製された多層基板を概略的に示す略断面図であ る。 図において、 1 0 1は外部電極、 1 0 2はガラスセラミ ック A、 1 0 3 はガラスセラミ ック B、 1 04は導体パターンをそれぞれ示す。 積層体内部の欠陥の有無は、 焼成後のクラック、 デラミネーシヨンの有無 から判断した。
絶縁抵抗の測定は YH P (横河 H e w l e t t P a c k a r d) 4 3 2 9 Aを使用し D C 5 0 Vで、 誘電損失は YH P 4 2 8 5 Aを使用し 1 V r m s、 1 MH zで測定した。
表 2に各試料の評価結果を示す。 測定結果より、 本発明の効果は明らかで あることがわかる。
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表 2
Figure imgf000015_0001
'比較例 表 2において試料番号 1の A 1 2 O 3及びが M n〇 2が添加されていない試 料、 及び試料番号 2 4の Mn 02が添加されておらず、 C r 203の添加量 が 0. 3質量％以下の試料はデラミネーションが生じたりクラックによる絶 緣不良が生じている。 試料番号 5 7は Mn 02が添加されておらず、 A 1 2 03を 0. 2質量％と C r 203を 0. 5質量％以上添加した試料で、 デラミ ネ一ションゃクラックによる絶縁不良は無くなっているが誘電損失の劣化が 大きく、 試料番号 7では 0. 2 3 %以上と高い値になっている。
これに対して本発明であるさらに M n 02を添加した試料番号 8 1 0と 1 2 1 6 1 8 1 9の試料は、 誘電損失が 0. 1 4%以下と誘電損失を 劣化させずに基板のデラミネーションゃ絶縁不良を抑制することができてい る。 特に試料番号 1 4では誘電損失をほとんど劣化させずに基板のデラミネ ーションゃ絶縁不良を抑制している。 し力 し、 試料番号 1 1 と 1 7のように C r 203や Mn O 2を過剰に添加した試料は誘電損失が 0. 1 8 %以上、 抵 抗率は 3. 0 Ω · c m以上となり好ましくない。
また、 試料番号 2 0のように A 1 203を 1. 0質量％以上添加することも 基板に反りが生じたり、 比抵抗が増加するので好ましくない。
以上の結果より、 本発明によれば、 主成分である銀に、 A I 203、 C r 2 03、 Mn 02を添加することで電気抵抗が低く、 且つ、 基板との密着性に優 れ、 メ ツキ時において基板にクラックを生じさせず、 且つ、 誘電損失を増大 させない導体パターン及びこのよ うな導体パターンが内蔵された多層基板、 並びに、 多層基板の製造方法を提供することが可能となる。 産業上の利用可能性
以上のように、 本発明にかかる導体パターンは、 積層 L C部品等の多層基 板に内蔵される導体パターンと して用いることができる。 さらに、 本発明に かかる多層基板及び本発明にかかる方法により製造される多層基板は、 積層 L C部品等と して用いることができる。

Claims

請求の範囲
1. 多層基板に内蔵された導体パターンであって、 主成分である銀と、 クロ ム及び 又はクロム化合物と、 マンガン及びノ又はマンガン化合物とを含む ことを特徴とする導体パターン。
2. 前記ク ロム及び 又はク ロム化合物の含有率が、 前記銀に対して C r 2 03換算で 0. 1〜 2 · 0質量％であることを特徴とする請求項 1に記載の 導体パターン。
3. 前記マンガン及び 又はマンガン化合物の含有率が、 前記銀に対して Μ η 02換算で 0. 1〜 5. 0質量％であることを特徴とする請求項 1に記載 の導体パターン。
4. アルミニウム及び Ζ又はアルミニウム化合物をさらに含むことを特徴と する請求項 1に記載の導体パターン。
5. 前記アルミニウム及び Ζ又はアルミニウム化合物の含有率が、 前記銀に 対して A 1 203換算で 0. 1〜 1. 0質量％であることを特徴とする請求項 4に記載の導体パターン。
6. 前記導体パターンが、 容量電極であることを特徴とする請求項 1に記載 の導体パターン。
7. 複数の基板と、 前記複数の基板に内蔵された導体パターンとを備える多 層基板であって、 前記導体パターンが、 主成分である銀と、 クロム及び 又 はクロム化合物と、 マンガン及び 又はマンガン化合物とを含むことを特徴 とする多層基板。
8. 前記基板が、 ガラス成分及びセラミ ックス成分からなるガラスセラミツ クスによって構成されることを特徴とする請求項 7に記載の多層基板。
9. 前記ガラス成分と前記セラミックス成分の含有量が、 体積比で 5 0 : 5 0〜8 0 ： 20であることを特徴とする請求項 8に記載の多層基板。
1 0. 前記ガラス成分が、 S i O 2 - R O - A 1 203— B 203 (Rはアル力 リ土類金属） を含むことを特徴とする請求項 8に記載の多層基板。
1 1. 前記セラミッタス成分が、 A 1 203、 T i 02及び化合物 T i 02から なる群より選ばれた 1又は 2以上の成分を含むことを特徴とする請求項 8に 記載の多層基板。
1 2. 前記導体パターンが、 アルミニウム及びノ又はアルミニウム化合物を さらに含むことを特徴とする請求項 7に記載の多層基板。
1 3. 前記導体パターンが、 容量電極であることを特徴とする請求項 7に記 載の多層基板。
1 4. 銀を 9 5質量％以上含有する金属粉末と、 クロム及び 又はクロム化 合物を含有する焼結抑制剤と、 マンガン及び/又はマンガン化合物を含有す る誘電損失改良剤と、 ビヒクルとを含む導体組成物を作製するステップと、 前記導体組成物によって複数のグリ一ンシ一ト上に電極を形成するステップ と、 前記電極が形成された複数のグリ一ンシ一トを積層し積層体を形成する ステップと、 前記積層体を焼成するステップとを備える多層基板の製造方法 0
1 5. 前記クロム及び/又はク ロム化合物の含有率が、 前記金属粉末に対し て C r 203換算で 0· 1〜2. 0質量％であることを特徵とする請求項 1 4 に記載の多層基板の製造方法。
1 6. 前記マンガン及びノ又はマンガン化合物の含有率が、 前記金属粉末に 対して Mn 02換算で 0. 1〜 5. 0質量0 /0であることを特徴とする請求項 1 4に記載の多層基板の製造方法。
1 7. 前記導体組成物が、 アルミニウム及び Z又はアルミニウム化合物をさ らに含むことを特徴とする請求項 1 4に記載の多層基板の製造方法。
1 8. 前記アルミニウム及び 又はアルミニウム化合物の含有率が、 前記金 属粉末に対して A 1 203換算で 0. 1〜 1. 0質量0 /0であることを特徴とす る請求項 1 7に記載の多層基板の製造方法。
1 9. 前記金属粉末の平均粒子径が、 0. 1〜 1 0 / mであることを特徴と する請求項 1 4に記載の多層基板の製造方法。
20. 前記焼成するステップが、 7 5 0°C〜 940°Cで行われることを特徴 とする請求項 1 4に記載の多層基板の製造方法。
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