JPH1121644A - Ni粉末およびそれを用いたNiペースト - Google Patents

Ni粉末およびそれを用いたNiペースト

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JPH1121644A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 酸化が少く焼成時収縮開始温度が高い特性を
持ったNiペースト原料として使用することが可能な、
Ni粉末および該Ni粉末を用いたNiペーストを提供
する。 【解決手段】 Nil00モルに対し、Al、Co、C
rおよびMnのうちの1種または2種以上の元素を0.
01モル以上で1モル以下含有させてなるNi粉末と、
該Ni粉末と樹脂バインダーとからなり、前記Ni粉末
を30重量%以上で85重量%以下の範囲で含有させて
なるNiペーストとを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はセラミック積層電子
部品、特にセラミックコンデンサー(以下、MLCCと
いう)の内部電極形成に用いられるNiペーストに関す
るものである。
【0002】
【従来の技術】近年、電子部品の軽薄短小化が進むに従
い、これに使用されるチップ部品であるMLCCの低コ
スト化が要求されている。そこで従来、MLCCの内部
電極および外部電極としてPd、Agに代表される貴金
属が使用されていたものが、最近では大幅なコストダウ
ンを計るためにNiに代表される卑金属が広く使用され
るようになった。
【0003】一般にNi内部電極用のNiペーストは、
電極形成成分としてのNi粉末と、セルローズ系樹脂や
アクリル系樹脂などの樹脂、およびその溶剤としてのト
リメチルベンゼン、ターピネオールなどからなる有機バ
インダー成分とからなり、これらをスリーロールミルな
どの機械的混練手段によって混練し混合分散させること
により製造されている。
【0004】次に、上記したNiペーストを用いたML
CCの製造について説明すると、先ずチタン酸バリウム
(BaTiO)などで代表される誘電体粉末と、ポリ
ビニルブチラールなどの有機バインダーからなる誘電体
グリーンシートに該Niペーストを所定のパターンで印
刷し、乾燥する。次にNiペーストが印刷された誘電体
グリーンシートを内部金属電極が交互に重なるように積
層し、熱圧着する。次いでこの積層体を切断し、酸化性
雰囲気中で500℃以下の温度で加熱して脱バインダー
を行い、その後Ni内部電極が酸化しないように還元性
雰囲気中で、約1300℃程度の温度に加熱して内部電
極および誘電体を焼結させる。その後焼成チップの側面
に内部電極と接続するように外部電極ペーストを塗布し
て再焼成し、最後に外部電極上にNiめっきなどを施し
てMLCCは完成する。
【0005】上述したようにMLCCはセラミック誘電
体と、金属内部電極とを同時焼成することにより得られ
るが、その際に誘電体と電極の焼成による収縮特性のマ
ッチングを行うことが重要である。特に酸化性雰囲気中
の脱バインダー工程では、Ni粉末が酸化し膨張するの
に対して、誘電体グリーンシートはほとんど寸法変化が
ない。したがって、Ni粉末の酸化膨張が大きい程誘電
体グリーンシートと電極層との間には大きな応力が発生
し、チップにクラックを生じたり、積層構造が破壊(以
下、この現象をデラミネーションという)したりすると
いう問題が発生する。
【0006】また還元性雰囲気での焼成工程では、Ni
粉末の還元反応による内部電極の収縮と高温での焼成収
縮とが起こり、このとき電極層の収縮挙動と誘電体の収
縮挙動が大幅に異なると、電極層と誘電体層との界面に
応力が発生して先の脱バインダー工程の場合と同様にク
ラックやデラミネーションが発生する。なお、一般にM
LCC製造に際し、常法で得られた純粋なNi粉末を使
用した内部電極を用いるときには、誘電体シートの焼成
による収縮が約1100℃で起こるのに対し、内部電極
の焼成による収縮はこれより低温側の700℃近辺から
始まるといわれている。
【0007】以上説明したように、MLCCの製造にお
いては、脱バインダー工程および焼成工程でのクラック
やデラミネーションの発生防止が克服すべき最重要課題
であると考えられる。そして、クラックおよびデラミネ
ーションの発生防止を計るためにNi粉末に要求される
特性をまとめると以下のようになる。 酸化性雰囲気による脱バインダー工程において耐酸化
収縮性が高いこと。 還元性雰囲気による焼成工程において焼成による収縮
特性が誘電体シートのそれに近いこと。具体的には誘電
体シートの収縮開始温度の約1100℃程度の温度近辺
で焼成収縮が始まるようにすること。
【0008】脱バインダー工程でのNi粉末に耐酸化性
を付与するためには、Ni粉末を高温に熱処理して結晶
性を付与する方法が考えられる。しかし、この方法によ
るときは、熱処理によってNi粉末自体が凝集を起こ
し、粒子の粗大化を招くためにペースト化が困難になっ
たり、塗布面の表面粗度を悪化させるなどの問題を生
じ、コンデンサーの耐電圧特性を著しく劣化させてしま
うという欠点がある。
【0009】また、脱バインダー工程における加熱雰囲
気を低酸素分圧側にシフトさせる方法も考えられるが、
この方法では工程管理が煩雑になりコスト高を招くだけ
でなく、バインダーが不完全燃焼するためにチップ中の
残留カーボン濃度が高くなり、焼成工程時に誘電体自体
を還元させコンデンサー特性を劣化させるという問題が
生ずる。
【0010】また、さらに焼成工程におけるNi粉末の
収縮開始時点を遅らせる方法としては、ペースト中に誘
電体グリーンシートと同組成の誘電体セラミックの微粉
末を混合する方法が考えられる。しかし、この方法では
ペーストがゲル化するという問題が起こしたり、誘電体
シートの品種毎にこれに適合するNiペーストをその都
度製造する必要があるため、工数の増加と材料管理の煩
雑化を招く欠点がある。したがって、単にNi粉末自体
の耐酸化特性や収縮特性を変えるだけで上記した2つの
課題を克服できるようなNi粉末の開発が強く要望され
ている。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の問題
点を解決するためになされたものであり、脱ペースト工
程時における酸化が少く、焼成工程時における収縮開始
温度が高い特性を持ったNiペースト原料として使用す
ることが可能なNi粉末および該Ni粉末を用いたNi
ペーストを提供することを目的とするものである。
【0012】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め本発明の第1の実施態様に係るNi粉末は、Niが1
00モルに対し、Al、Co、CrおよびMnのうちの
1種または2種以上の元素を0.01モル以上で1モル
以下含有させてなることを特徴とするものであり、本発
明のNi粉末においては、該Ni粉末の平均粒径を1μ
m以下とすることが好ましい。さらに本発明の第2の実
施態様に係るNiペーストは、上記したNi粉末と樹脂
バインダーとからなり、該Ni粉末を30重量%以上で
85重量%以下の範囲で含有させてなることを特徴とす
るものである。
【0013】
【発明の実施の形態】本発明のNi粉末を製造する方法
については、上記各金属を塩化物蒸気から水素ガス中で
気相から直接還元析出させる方法、各金属を溶融状態に
して該溶融金属からアトマイズする方法、各金属の混合
水溶液を噴霧熱分解する方法などがあり、その製造方法
は特に限定されない。
【0014】例えば、塩化物蒸気からNi粉末を直接析
出させてNi粉末を製造する装置を図1について説明す
る。この装置は、塩化物蒸気発生のための第1の加熱部
2および塩化物蒸気の還元反応のための第2の加熱部3
を設けた環状加熱炉1内に所定の配合の各金属塩化物混
合物を装入した坩堝4を設置し、該環状加熱炉1内の第
1の加熱部2に開口する不活性(搬送)ガス流通管5と
第2の加熱部3に開口する水素ガス流通管6を設けてな
るものである。そして、各加熱部を所定温度に加熱しつ
つ、各ガスを環状加熱炉1内に流通させると、第1の加
熱部2において発生し、搬送ガスによって炉内を進行す
る各金属塩化物蒸気は第2の加熱部3において水素ガス
によって還元されて所定の組成のNi粉末を生成する。
該Ni粉末を含む気流を環状加熱炉1の排出端に設けた
排出管7から取出し、サイクロン装置などの気体分離装
置8にかけることにより所望のNi粉末を気相から分離
取得することができる。
【0015】いずれの製造方法を採るにしてもNi粉末
中におけるNiが100モルに対して、Al、Co、C
r、Mnのうちの1種または2種以上の元素の1モル以
下を含有させるようにすれば本発明の効果を発揮するこ
とができる。Al、Co、Cr、Mnの含有量が1モル
を超えると本発明のNi粉末の製造が困難になるととも
に誘電体との相互作用によってコンデンサーの電気特性
を劣化させる。また、0.01モル未満であるとこれら
の元素の効果はほとんど期待できない。またこれらの元
素を含むNi粉末の平均粒径が1μmを超えると内部電
極表面の凹凸が激しくなり、コンデンサーの電気的特性
が低下するので1μm以下にとどめる必要がある。そし
てNi粉末の平均粒径は小さいほど好ましいが現行の粉
末金属の製造技術によれば0.05μm以下とすること
は困難であるため、この0.05μmが下限となる。
【0016】またペースト中に含まれる本発明のNi粉
末の量が30重量未満であるときはペーストとしての塗
布性が不十分であり、一方85重量%を超えるとペース
トの作製が困難になるので、Ni粉末量を30重量%以
上で85重量%以下の範囲とする必要がある。
【0017】本発明のNi粉末が脱バインダー時におい
て耐酸化性を有し、かつ焼成時における収縮開始温度が
高くなる詳細なメカニズムについては定かでないが、N
i粉末中に含まれるAl、Co、Cr、Mnが表面に緻
密な酸化物保護被膜を形成し、これが酸化性雰囲気での
脱バインダー工程におけるNi粉末の酸化を防止すると
ともに、還元性雰囲気中での焼成に際して焼結を遅延し
収縮開始温度を遅らせることができるものと推定され
る。
【0018】
【実施例】以下に本発明の実施例を比較例とともに説明
する。 実施例1〜21:本発明の実施例においては、Ni粉末
を図1の装置を使用し塩化物を直接還元する方法を使用
して製造した。
【0019】無水塩化Ni、無水塩化Al、無水塩化C
o、無水塩化Cr、無水塩化Mnを表1に示す塩化物配
合比にしたがって配合混合し、実施例1〜21の原料と
した。なお表中の塩化物配合比におけるA1、Co、C
rおよびMnの各塩化物配合比は、塩化Ni100モル
に対して配合した各塩化物のモル数で表した。混合塩化
物原料100gを環状加熱炉1における第1の加熱部2
に設置した坩堝4内に装入し、500℃に加熱して塩化
物蒸気を発生させた。この蒸気を不活性ガス流通管5か
らのアルゴンガスで搬送して1000℃に加熱した第2
の加熱部3に導入した。第2加熱部3においては、水素
ガス流通管6からの水素ガスと塩化物蒸気とが混合し、
還元反応によって各金属粒子粉末が還元され、次いで気
流排出端に設置された排出管7を経て環状加熱炉1から
取出され、気体分離装置8に設けられたサイクロンによ
ってAl、Co、Cr、Mnなどを含むNi粉末を気相
から分離補集して取得することができた。
【0020】得られたNi粉末は水中に投入してデカン
テーションを3回行った後、濾過を行って平均粒径、酸
化特性(酸化開始温度)および収縮特性(収縮開始温
度)についての評価用試料とし、測定結果を表1に示し
た。なお表中Ni粉末組成におけるAl、Co、Crお
よびMnの含有量およびこれらの元素の含有量の合計は
ICP分析法で定量し、Ni100モルに対するモル数
で表した。Ni粉末の平均粒径は走査型電子顕微鏡によ
りランダムに選んだ50個の粒子の測定値の平均により
求めた。
【0021】Ni粉末試料の酸化特性は、熱重量分析装
置(TG−DTA)により、試料の10%が酸化したと
きの温度を酸化開始温度として求めた。この温度が高い
ほど耐酸化性が高いといえる。酸化特性を求めたTG−
DTAにおける測定条件は以下の通りである。すなわち
試料量は20mg、昇温速度は20℃/min、温度範
囲は25℃から100℃、空気流量は100cc/mi
nとした。
【0022】また、Ni粉末試料の収縮特性は、直径
0.5cm、高さ0.2cmの樹脂含有Ni粉末円柱状
ペレットを作製し、これを熱膨張計を使用して測定し
た。熱膨張計の測定条件はNが98%、Hが2%の
混合ガス気流中で昇温速度5℃/minで室温から13
00℃まで試料温度を昇温させ、その間で5%収縮した
ときの温度を収縮開始温度とした。なお円柱状ペレット
試料は、Ni粉末100部に対して、3部のエチルセル
ローズと50部のエチルアルコールを自動乳鉢に入れ混
合してスラリー状にし、その後該スラリーを80℃の乾
燥器中で30分乾燥し、乾燥体を再度乳鉢で粉砕し、樹
脂とNi粉末の混合粒子を得、該混合粒子を上記所定寸
法の金型に入れて100kg/cmの圧力で圧縮成形
して得た。これらの測定結果を表1に示す。
【0023】比較例1〜3:表1に示すようにAl等の
添加金属元素を使用しない(比較例1)こと、およびA
l、Co、CrおよびMnなどの添加量を本発明で定め
た量を逸脱した量含有させた(比較例2および比較例
3)こと以外は実施例と同様の手順でNi粉末性能評価
試料を作製し、実施例と同様の評価試験を行った。その
結果を表1に併せ示す。
【0024】
【表1】
【0025】表1の結果から、本発明による実施例1〜
実施例2lのNi粉末試料は、比較例1の添加金属元素
を含有させていない従来のNi粉末に比べて酸化開始温
度が少くとも約30℃は高く、また収縮開始温度も少く
とも約90℃は高くなり優れた耐酸化特性ならびに収縮
特性を有していることが分かる。また、比較例2および
比較例3に示されるように、Al、Co、CrおよびM
nなどの添加金属元素を含有させるにしてもこれらの元
素の含有量が本発明で定めた範囲を逸脱する量である場
合には、収縮開始温度は本発明のそれにほぼ匹敵する温
度を示すものの,酸化開始温度は比較例1の場合よりも
さらに低いこと、つまり収縮特性は良好であるが、耐酸
化特性は本発明のNi粉末に比べて著しく劣っているこ
とがわかる。
【0026】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によるNi粉
末は、樹脂によりペースト状にして誘電体グリーンシー
トに塗布して焼成するに際し、脱バインダー工程での耐
酸化性が良好で、かつ焼結工程での焼結を遅延させて収
縮開始温度を高めることができるので、該Ni粉末をM
LCC内部電極用Niペーストとして使用した場合に該
MLCCの最大の欠陥であるとされる内部電極と誘電体
との界面で生ずるクラックやデラミネーションの発生を
ほとんど完全に防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のNi粉末の製造に用いる装置の一例を
示すものの概略側断面図である。
【符号の説明】
1 環状加熱炉 2 第1加熱部 3 第2加熱部 4 坩堝 5 不活性ガス流通管 6 水素ガス流通管 7 排出管 8 気体分離装置

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 Ni100モルに対して、Al、Co、
    CrまたはMnのうちの少なくとも1種の元素を0.0
    1モル以上で1モル以下含有させてなることを特徴とす
    るNi粉末。
  2. 【請求項2】 Ni粉末の平均粒径が1μm以下である
    ことを特徴とする請求項1記載のNi粉末。
  3. 【請求項3】 請求項1または2記載のNi粉末と樹脂
    バインダーとからなり、該Ni粉末を30重量%以上で
    85重量%以下の範囲で含有させてなることを特徴とす
    るNiペースト。
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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001056047A1 (fr) * 2000-01-28 2001-08-02 Tdk Corporation Reseau conducteur integre a une carte multicouche, carte multicouche a reseau conducteur integre et procede de fabrication de carte multicouche
US6403218B1 (en) 1998-10-06 2002-06-11 Shoei Chemical Inc. Nickel composite particle and production process therefor
JP2002348603A (ja) * 2001-05-24 2002-12-04 Murata Mfg Co Ltd 金属粉末の製造方法、金属粉末、導電性ペーストおよび積層セラミック電子部品
JP2005129425A (ja) * 2003-10-27 2005-05-19 Murata Mfg Co Ltd 導電性ペーストおよび積層セラミック電子部品
JP2006332572A (ja) * 2004-06-28 2006-12-07 Kyocera Corp 積層セラミックコンデンサの製法および積層セラミックコンデンサ
KR100835477B1 (ko) 2005-10-19 2008-06-04 소에이 가가쿠 고교 가부시키가이샤 레늄함유 합금분말의 제조방법, 레늄함유 합금분말, 및도체 페이스트
JP2009013490A (ja) * 2007-07-09 2009-01-22 Sumitomo Metal Mining Co Ltd ニッケル粉末およびその製造方法
JP2010059467A (ja) * 2008-09-03 2010-03-18 Sumitomo Metal Mining Co Ltd ニッケル粉末およびその製造方法
WO2021210455A1 (ja) * 2020-04-13 2021-10-21 昭栄化学工業株式会社 Niペーストおよび積層セラミックコンデンサ
US11488782B2 (en) 2019-07-25 2022-11-01 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Multilayer ceramic electronic component and method of manufacturing the same
WO2024142821A1 (ja) * 2022-12-27 2024-07-04 太陽誘電株式会社 積層セラミックコンデンサ

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6403218B1 (en) 1998-10-06 2002-06-11 Shoei Chemical Inc. Nickel composite particle and production process therefor
US6738251B2 (en) 2000-01-28 2004-05-18 Tdk Corporation Conductive pattern incorporated in a multilayered substrate, multilayered substrate incorporating a conductive pattern, and a method of fabricating a multilayered substrate
WO2001056047A1 (fr) * 2000-01-28 2001-08-02 Tdk Corporation Reseau conducteur integre a une carte multicouche, carte multicouche a reseau conducteur integre et procede de fabrication de carte multicouche
JP2002348603A (ja) * 2001-05-24 2002-12-04 Murata Mfg Co Ltd 金属粉末の製造方法、金属粉末、導電性ペーストおよび積層セラミック電子部品
JP2005129425A (ja) * 2003-10-27 2005-05-19 Murata Mfg Co Ltd 導電性ペーストおよび積層セラミック電子部品
JP4686270B2 (ja) * 2004-06-28 2011-05-25 京セラ株式会社 積層セラミックコンデンサ
JP2006332572A (ja) * 2004-06-28 2006-12-07 Kyocera Corp 積層セラミックコンデンサの製法および積層セラミックコンデンサ
KR100835477B1 (ko) 2005-10-19 2008-06-04 소에이 가가쿠 고교 가부시키가이샤 레늄함유 합금분말의 제조방법, 레늄함유 합금분말, 및도체 페이스트
MY138324A (en) * 2005-10-19 2009-05-29 Shoei Chemical Ind Co Method for manufacturing rhenium-containing alloy powder, rhenium-containing alloy powder, and conductor paste
JP2009013490A (ja) * 2007-07-09 2009-01-22 Sumitomo Metal Mining Co Ltd ニッケル粉末およびその製造方法
JP2010059467A (ja) * 2008-09-03 2010-03-18 Sumitomo Metal Mining Co Ltd ニッケル粉末およびその製造方法
US11488782B2 (en) 2019-07-25 2022-11-01 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Multilayer ceramic electronic component and method of manufacturing the same
WO2021210455A1 (ja) * 2020-04-13 2021-10-21 昭栄化学工業株式会社 Niペーストおよび積層セラミックコンデンサ
WO2024142821A1 (ja) * 2022-12-27 2024-07-04 太陽誘電株式会社 積層セラミックコンデンサ

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