JPS5990821A - エレクトロクロミツク素子 - Google Patents
エレクトロクロミツク素子Info
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- JPS5990821A JPS5990821A JP57200911A JP20091182A JPS5990821A JP S5990821 A JPS5990821 A JP S5990821A JP 57200911 A JP57200911 A JP 57200911A JP 20091182 A JP20091182 A JP 20091182A JP S5990821 A JPS5990821 A JP S5990821A
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/15—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect
- G02F1/1514—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect characterised by the electrochromic material, e.g. by the electrodeposited material
- G02F1/1523—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect characterised by the electrochromic material, e.g. by the electrodeposited material comprising inorganic material
- G02F1/1524—Transition metal compounds
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、′1L気化学的発消色現象即ち、エレクトロ
クロミンク現象を応用した装置を製造する際のII!、
) 極側発色層とじ一〇エレクトロクロミック層ケ形成
する際に、蒸発材料にCoOやCO2O3の様なコバル
ト酸化物を用いた時の製造方法に関するものであり、さ
らに詳しくは、蒸着方法及びその条件に間するものであ
る。
クロミンク現象を応用した装置を製造する際のII!、
) 極側発色層とじ一〇エレクトロクロミック層ケ形成
する際に、蒸発材料にCoOやCO2O3の様なコバル
ト酸化物を用いた時の製造方法に関するものであり、さ
らに詳しくは、蒸着方法及びその条件に間するものであ
る。
従来のエレクトロクロミック素子は、1対の′#11、
極板の間に絶縁層と陰極側発色層として二酸化タングス
テン(WO2)、三酸化タングステン(WO5)、二酸
化モリブデン(Mo O2)、三酸化モリブデン(MO
O,)、五酸化バナジウム(v20.)などの゛被膜を
形成することによって作成されていた。
極板の間に絶縁層と陰極側発色層として二酸化タングス
テン(WO2)、三酸化タングステン(WO5)、二酸
化モリブデン(Mo O2)、三酸化モリブデン(MO
O,)、五酸化バナジウム(v20.)などの゛被膜を
形成することによって作成されていた。
又、陽極側発色層として水酸化イリジウム(工r(OR
)2)、水酸化ニッケル(Ni(OH)2)や三酸化ク
ロム(Cr203)などの被膜を単独であるいは前述の
陰極側発色層と組合せて用いることが提案されている。
)2)、水酸化ニッケル(Ni(OH)2)や三酸化ク
ロム(Cr203)などの被膜を単独であるいは前述の
陰極側発色層と組合せて用いることが提案されている。
しかし、この様な従来の全固体型エレク]・ロクロミン
ク素子は、一般に応答速度が遅いこと、着色効率が悪い
ことや寿命が短かいなどの問題点を有しており、エレク
トロクロミンク素子を実用化する上でこれらの問題点が
大きな欠点となっている。
ク素子は、一般に応答速度が遅いこと、着色効率が悪い
ことや寿命が短かいなどの問題点を有しており、エレク
トロクロミンク素子を実用化する上でこれらの問題点が
大きな欠点となっている。
本発明の目的は、前述の欠点を解消したエレクトロクロ
ミック素子を提供するこ吉にある。
ミック素子を提供するこ吉にある。
本発明の別の目的は、応答速度、着色効率および寿命が
改善されたエレクトロクロミック素子を提供することに
ある。
改善されたエレクトロクロミック素子を提供することに
ある。
本発明のかかる目的は、1対の電極板の間にエレクトロ
クロミック屑としてコバルト酸化物(aoo 、 co
2o3)を酸素(02)カスおよび/又は水蒸気(H
20蒸気)の存在Fでイオンブレーティングすることに
よって形成したコバルト水酸化物(c o (oH)
2 )の被膜を有する全固体型エレクトロクロミック素
子によって達成される。
クロミック屑としてコバルト酸化物(aoo 、 co
2o3)を酸素(02)カスおよび/又は水蒸気(H
20蒸気)の存在Fでイオンブレーティングすることに
よって形成したコバルト水酸化物(c o (oH)
2 )の被膜を有する全固体型エレクトロクロミック素
子によって達成される。
以下、本発明を図面に従って詳細に説明する。
第1図および第2図は、本発明のエレクトロクロミック
素子の断面図を示し、第5図は本発明で用いるイオンブ
レーティング装置の模式的説明図を示している。
素子の断面図を示し、第5図は本発明で用いるイオンブ
レーティング装置の模式的説明図を示している。
第1図および第2図において、1はガラス板などの基体
、2は第1の電極を形成する透明導電膜、3は陰極側発
色層である第1エレクトロクロミック層、4e′J誘電
体からなる絶縁層、5は陽極側発色層であるM2エレク
トロクロミック層、6は第2の電極を形成する導電膜で
ある。
、2は第1の電極を形成する透明導電膜、3は陰極側発
色層である第1エレクトロクロミック層、4e′J誘電
体からなる絶縁層、5は陽極側発色層であるM2エレク
トロクロミック層、6は第2の電極を形成する導電膜で
ある。
第1図および2図中の1は、ガラス板だけではなく、プ
ラスデック板、またはアクリル板等のプラスチック板の
、いわゆる無色77f’Jlである板ならばよく、位置
に関しても、@極のどちら側か一方で良いし、両側にあ
っても良い。電極も第2の電極6が透明電極を使用すれ
ば、素子を透明型として使用できる。この様な透明導電
膜としでは、工TOJIN(酸化インジウノ、工n20
.中に酸化錫SnO2を5%前後含む)やネサ膜等々が
用いられる。陰極側発色層6である第1エレクトロクロ
ミック層は、二酸化タングステン(WO2)三酸化タン
グステン(WO,)、二酸化モリブデン(Mo O2)
、三酸化モリブデン(MOO3)や五酸化バナジウム
(V2O,、)の被膜によって作成される。誘電体から
なる絶縁層4は、二酸化ジルコン(Z r O2) r
酸化ケイ素(Sin) 、二酸化ケイ素(Sin2)や
五酸化タンタル(Ta2o、)等に代表される酸化物や
フッ化マクネシウム(MrF2)等に代表されるソツ化
物の被膜によって形成されることができる。
ラスデック板、またはアクリル板等のプラスチック板の
、いわゆる無色77f’Jlである板ならばよく、位置
に関しても、@極のどちら側か一方で良いし、両側にあ
っても良い。電極も第2の電極6が透明電極を使用すれ
ば、素子を透明型として使用できる。この様な透明導電
膜としでは、工TOJIN(酸化インジウノ、工n20
.中に酸化錫SnO2を5%前後含む)やネサ膜等々が
用いられる。陰極側発色層6である第1エレクトロクロ
ミック層は、二酸化タングステン(WO2)三酸化タン
グステン(WO,)、二酸化モリブデン(Mo O2)
、三酸化モリブデン(MOO3)や五酸化バナジウム
(V2O,、)の被膜によって作成される。誘電体から
なる絶縁層4は、二酸化ジルコン(Z r O2) r
酸化ケイ素(Sin) 、二酸化ケイ素(Sin2)や
五酸化タンタル(Ta2o、)等に代表される酸化物や
フッ化マクネシウム(MrF2)等に代表されるソツ化
物の被膜によって形成されることができる。
陽極側発色層である第2エレクトロクロミック層5は、
コバルト酸化物(coo、co2o3)を酸素(02)
ガスおよび/又は水蒸気(H20カス)の存在下でイオ
ンブレーティングすることによって形成したコバルト水
酸化物(Oo (OH) 2 )の被膜によって形成さ
れるこLができる。イオンブレーティング法によりコバ
ルト水酸化物を蒸着する際の水蒸気および/又は酸素ガ
ス導入後の真空度を2.0〜5.U X 10−’To
rrとすることが奸才しく、又蒸着速度を0.6〜2.
OA/eθCとすることが適しでいる。
コバルト酸化物(coo、co2o3)を酸素(02)
ガスおよび/又は水蒸気(H20カス)の存在下でイオ
ンブレーティングすることによって形成したコバルト水
酸化物(Oo (OH) 2 )の被膜によって形成さ
れるこLができる。イオンブレーティング法によりコバ
ルト水酸化物を蒸着する際の水蒸気および/又は酸素ガ
ス導入後の真空度を2.0〜5.U X 10−’To
rrとすることが奸才しく、又蒸着速度を0.6〜2.
OA/eθCとすることが適しでいる。
本発明は、第2図に示す如く第1図における陰極側発色
層3を省略することができ、これによるエレクトロクロ
ミック素子も、従来のものと比較し゛(°応答速度、着
色効率および寿命の点で改善することかできる。
層3を省略することができ、これによるエレクトロクロ
ミック素子も、従来のものと比較し゛(°応答速度、着
色効率および寿命の点で改善することかできる。
本発明で用いうるイオンブレーティング装置t」1、第
6図で示す様にJE、空槽30の中に配置し3ま た傘r1高周波」イル32と電子銃33で構成1 されており、又傘2イと電子銃36にDCバイアスそ印
加する霜、源34と高周波コイル32に高周波を印加す
る高周波電源35が真空槽30の外に配置(”tされ、
さらに真空1’a 3 oA内に酸素ガスおよび/又は
水蒸気を導入するための酸素カスボンベ56と水槽37
がそれぞれニードルバルブ38と39を介して真空[3
0に接続されている。コバルト水酸化物を蒸着する際に
は、コバルト酸化、物40を電子銃63の上に配置イル
、?l 被蒸着体41(電極板など)を傘肘の上に配置すること
によってイオンブレーティングを行なうこ々ができる。
6図で示す様にJE、空槽30の中に配置し3ま た傘r1高周波」イル32と電子銃33で構成1 されており、又傘2イと電子銃36にDCバイアスそ印
加する霜、源34と高周波コイル32に高周波を印加す
る高周波電源35が真空槽30の外に配置(”tされ、
さらに真空1’a 3 oA内に酸素ガスおよび/又は
水蒸気を導入するための酸素カスボンベ56と水槽37
がそれぞれニードルバルブ38と39を介して真空[3
0に接続されている。コバルト水酸化物を蒸着する際に
は、コバルト酸化、物40を電子銃63の上に配置イル
、?l 被蒸着体41(電極板など)を傘肘の上に配置すること
によってイオンブレーティングを行なうこ々ができる。
又、イオンブレーティングを行なう際には、高周波電源
35による周波数は13.56 MH2とし、電源34
によるDCバイアスは0,2〜3.+SKVとすること
が適している。
35による周波数は13.56 MH2とし、電源34
によるDCバイアスは0,2〜3.+SKVとすること
が適している。
この様にして作成した全固体エレクトロクロミック素子
杖、第1の電極2と第2の霜、(ペロの間に所定の電圧
を印加することにより′i1.気化学反応が起きて着色
と消色現象が現われる。
杖、第1の電極2と第2の霜、(ペロの間に所定の電圧
を印加することにより′i1.気化学反応が起きて着色
と消色現象が現われる。
以下、本発明を実施例に従って説明する。
実施例1
厚み0.8nのOorning 7059 カラス基板
上に、適肖な引き出し電極部およびリード部を備えたI
TO膜上に、蒸着材料にOoOを用い、jin3図に示
す装置4を用いた反応性イオンブレーティング方法にに
す、陽極側発色層である第2エレクトロク[コミツク層
を形成した。H20蒸気を5.0×10’−’ Tor
r才で導入し、蒸着速度を2.OX/secとした。膜
)引よ+5ooX であった。さらに、この膜の上に
1.真空蒸着方法により、絶縁層であるT a 2 Q
sの層を3000Xの膜厚に形成し、度を2.OX
l O”−5Torrとし、蒸着速度を10A/θec
とした。これらのJ+%上に、第2電極である手透QI
ノ#’p ’14 AU膜を3 o o Xの膜厚で形
成した。
上に、適肖な引き出し電極部およびリード部を備えたI
TO膜上に、蒸着材料にOoOを用い、jin3図に示
す装置4を用いた反応性イオンブレーティング方法にに
す、陽極側発色層である第2エレクトロク[コミツク層
を形成した。H20蒸気を5.0×10’−’ Tor
r才で導入し、蒸着速度を2.OX/secとした。膜
)引よ+5ooX であった。さらに、この膜の上に
1.真空蒸着方法により、絶縁層であるT a 2 Q
sの層を3000Xの膜厚に形成し、度を2.OX
l O”−5Torrとし、蒸着速度を10A/θec
とした。これらのJ+%上に、第2電極である手透QI
ノ#’p ’14 AU膜を3 o o Xの膜厚で形
成した。
この様にしで製作した全固体型エレクトロクロミック素
子を、第1電極を第2電極の間に、2、OVの霜、圧を
印加チして駆動したところ、着色濃度かΔQ、Dで0.
6に達するまでに500m8θCであった。
子を、第1電極を第2電極の間に、2、OVの霜、圧を
印加チして駆動したところ、着色濃度かΔQ、Dで0.
6に達するまでに500m8θCであった。
実施例2
ノ9みIJ、8211IllのOorning 705
9 ガラス基板上に、適当な引き出し電極部およびリー
ド部を備えたITO膜−ヒに、蒸着材料にCooを用い
、第3図の装置を用いた反応性イオンブレーティング方
法により、陽極側発色層である第2エレクトロクロミッ
ク層を形成した。H30蒸気を6.0×10 Tor
r iで導入し、そのPeO2を5.OX 10−’T
orrまで導入し、蒸M速度を2.OX/sθc (!
: L。
9 ガラス基板上に、適当な引き出し電極部およびリー
ド部を備えたITO膜−ヒに、蒸着材料にCooを用い
、第3図の装置を用いた反応性イオンブレーティング方
法により、陽極側発色層である第2エレクトロクロミッ
ク層を形成した。H30蒸気を6.0×10 Tor
r iで導入し、そのPeO2を5.OX 10−’T
orrまで導入し、蒸M速度を2.OX/sθc (!
: L。
た。片1Jvは1500Xであった。さらに、この膜の
上に、真空蒸着方法により、絶り、層である2、OX
+ OTorr 、5し、蒸着速度を1 (」′A/秒
J=シた。これらの膜上に、42電極である半透8導箪
AU膜を3ooXの膜厚で形成し7た。
上に、真空蒸着方法により、絶り、層である2、OX
+ OTorr 、5し、蒸着速度を1 (」′A/秒
J=シた。これらの膜上に、42電極である半透8導箪
AU膜を3ooXの膜厚で形成し7た。
この様にして製作した、全固体型エレクトロクロミック
素子を、glT I ZJ:極と第2 ’)t+1極の
間に2、OVの血圧を印加グして駆動したところ、着色
濃度が△O,Dで0.3に達するまでに6[]00m5
eであった。
素子を、glT I ZJ:極と第2 ’)t+1極の
間に2、OVの血圧を印加グして駆動したところ、着色
濃度が△O,Dで0.3に達するまでに6[]00m5
eであった。
実施例3
J9゜み0,8FII+の(シorn1.nq 705
9 ガラス基板上に、適当な引き出し1i1、極部およ
びリード部を備えたITO膜土に、蒸着イ]料にCo2
O3を用い、第3図の4U置イ;、・用いた反応1生イ
オンブレーテインク方法により、l’nへ側へ1色層で
ある第2エレクトロクr」ミック層を形成した。H20
蒸気を5.OX 10 ’ Torr ’;l:で導入
し、蒸着速度を3.0ス/θeC(!ニジた。膜J7は
15[JOXであった。さらに、この膜の」二に、へ突
蒸着方法により、絶縁層であるTa205の層を3oo
oXの膜厚で形成中度を2.OX 10−’ Torr
とし、蒸着速度を101/秒とした。これらの膜上に、
第2電極である半透明導’ifi A U膜を30 (
] Aの膜厚で形成した。
9 ガラス基板上に、適当な引き出し1i1、極部およ
びリード部を備えたITO膜土に、蒸着イ]料にCo2
O3を用い、第3図の4U置イ;、・用いた反応1生イ
オンブレーテインク方法により、l’nへ側へ1色層で
ある第2エレクトロクr」ミック層を形成した。H20
蒸気を5.OX 10 ’ Torr ’;l:で導入
し、蒸着速度を3.0ス/θeC(!ニジた。膜J7は
15[JOXであった。さらに、この膜の」二に、へ突
蒸着方法により、絶縁層であるTa205の層を3oo
oXの膜厚で形成中度を2.OX 10−’ Torr
とし、蒸着速度を101/秒とした。これらの膜上に、
第2電極である半透明導’ifi A U膜を30 (
] Aの膜厚で形成した。
この様にして贋作した、全固体型エレクトロク「コミツ
ク素子を、第1由′、極と第2電極の間に2、LI V
の1χ圧を印加lして駆動したところ、着色ii++度
かへJDで0.3に達するまでに480m5ecであっ
た。
ク素子を、第1由′、極と第2電極の間に2、LI V
の1χ圧を印加lして駆動したところ、着色ii++度
かへJDで0.3に達するまでに480m5ecであっ
た。
実施例4
厚み0.8mInのOornlng 7059 ガラ
ス基板」二に1適尚な引き出し電極部およびリート部を
備えたiTo膜上に、蒸着材4′Fに00203を用い
、第3図の装置Uを用いた反応性イオンプレーテインク
方法により、陽41×側発色層である第21−レフトロ
クロミック層を形成した。H2o蒸気を3.OX 10
Torrまで導入し、ぞの後、02ダ・5゜OX
10Torr−7で導入し、F、4 M速度ヲ3.OA
/BθCとした。膜厚は+5ooXであった。さらに
、この膜の上に1.真空蒸着方法により、絶縁層である
’1 a 20 sの層を3000″Aの膜ノvで形成
中度を2.D X + 0−’ Torr 、5シ、
蒸オi速度5H1o X7秒とした。これらの膜上に、
第2 ’四極である半透8A導箪AU膜を300大付け
た。
ス基板」二に1適尚な引き出し電極部およびリート部を
備えたiTo膜上に、蒸着材4′Fに00203を用い
、第3図の装置Uを用いた反応性イオンプレーテインク
方法により、陽41×側発色層である第21−レフトロ
クロミック層を形成した。H2o蒸気を3.OX 10
Torrまで導入し、ぞの後、02ダ・5゜OX
10Torr−7で導入し、F、4 M速度ヲ3.OA
/BθCとした。膜厚は+5ooXであった。さらに
、この膜の上に1.真空蒸着方法により、絶縁層である
’1 a 20 sの層を3000″Aの膜ノvで形成
中度を2.D X + 0−’ Torr 、5シ、
蒸オi速度5H1o X7秒とした。これらの膜上に、
第2 ’四極である半透8A導箪AU膜を300大付け
た。
この様にして製作した、全固体型エレクトロクロミック
素子を、第1電極と第2電極の間に2、Ovの電圧を印
加豪して駆動したところ、着色濃度かへo、f) ’C
[]jに達する韮でに700m8eQであった。
素子を、第1電極と第2電極の間に2、Ovの電圧を印
加豪して駆動したところ、着色濃度かへo、f) ’C
[]jに達する韮でに700m8eQであった。
実施例5
厚み0.8闘のearning 7059 カラス基
板上に、適当な引き出し電極部およびリード部を備えた
ITO膜上に、蒸着材料にCooを用い、第3図の装f
fjを用いた反応性イオンブレーティング方法により、
陽極側発色層である第2エレクトロクロミック層を形成
した。02ガスを5.0×粍−4Torrまで4大し、
蒸着速度を4.0A/8@Cとした。11(4厚は15
[] OAであった。さらに、この膜の上に、真空蒸
着方法により、絶縁層であるTa 205 ノINを3
n o o、XのrIPi厚で形成し、第1X10’
Torrとし、蒸着速度を10X/秒とした。これらの
In’に上に、第21rj、極である半透明尋1o、
A U膜+:600^の膜厚で形成した。
板上に、適当な引き出し電極部およびリード部を備えた
ITO膜上に、蒸着材料にCooを用い、第3図の装f
fjを用いた反応性イオンブレーティング方法により、
陽極側発色層である第2エレクトロクロミック層を形成
した。02ガスを5.0×粍−4Torrまで4大し、
蒸着速度を4.0A/8@Cとした。11(4厚は15
[] OAであった。さらに、この膜の上に、真空蒸
着方法により、絶縁層であるTa 205 ノINを3
n o o、XのrIPi厚で形成し、第1X10’
Torrとし、蒸着速度を10X/秒とした。これらの
In’に上に、第21rj、極である半透明尋1o、
A U膜+:600^の膜厚で形成した。
この様にしζ−i、v作した、全固体型エレクトロクロ
ミック素子”:’ % f’iT 1電極と第2電極の
間に2、Ovの電圧で印加をして駆動したきころ、着色
濃度が△O,Dで〔J、2に達する才でに600m8θ
Cであった。
ミック素子”:’ % f’iT 1電極と第2電極の
間に2、Ovの電圧で印加をして駆動したきころ、着色
濃度が△O,Dで〔J、2に達する才でに600m8θ
Cであった。
実施例6
厚み0.87RmのOorning 7059 ガラ
ス基板上に、適当な引き出し電極部およびリード部を備
えたITOp上に、蒸着材料にOO20sを用い、第3
図の装置を用いた反応性イオンプレーテインク方法によ
り、陽極側発色層である第2エレクトロクロミック層を
形成した。02ガスを5.OX 10−” Torrま
で導入し、蒸着速度を4゜oX/eecとした。月へ厚
しよ1500Aであった。さらに、この膜の上に、真空
蒸着方法により、絶縁層であるTa2O,の層を300
0^の膜厚で形成9度を2.OX 10−5Torrと
し、蒸着速度>−10A/秒とした。これらの膜上に、
第2′rt44NGである牛透明導電AU膜を300大
の膜厚で形成した。
ス基板上に、適当な引き出し電極部およびリード部を備
えたITOp上に、蒸着材料にOO20sを用い、第3
図の装置を用いた反応性イオンプレーテインク方法によ
り、陽極側発色層である第2エレクトロクロミック層を
形成した。02ガスを5.OX 10−” Torrま
で導入し、蒸着速度を4゜oX/eecとした。月へ厚
しよ1500Aであった。さらに、この膜の上に、真空
蒸着方法により、絶縁層であるTa2O,の層を300
0^の膜厚で形成9度を2.OX 10−5Torrと
し、蒸着速度>−10A/秒とした。これらの膜上に、
第2′rt44NGである牛透明導電AU膜を300大
の膜厚で形成した。
この様にして製作した、全固体型エレクトロクロミック
素子を、第11tlI:極と第21に極の間に2゜Ov
の’1−/、圧を印加がして駆動したところ、着色濃1
fEがi\O、J−)で1〕、2に達4−るまでに70
0m日θCであつブ、二。
素子を、第11tlI:極と第21に極の間に2゜Ov
の’1−/、圧を印加がして駆動したところ、着色濃1
fEがi\O、J−)で1〕、2に達4−るまでに70
0m日θCであつブ、二。
実施例/
Flみ0.8711RのOorning 7059
カラス基板上に、適当な引き出し電(へ部およびリード
部を備えたITO膜上に、蒸着材料に00203を用い
、第6図の装置う[用いた反応性イオレプレーテイング
方法により、l!i′I4@側発色層である第2エレク
トロクロミック層を形成した。H20蒸気を3.OX
I U−’ TorrまC23人し、その後、02を5
.OX 10−’ Torrまで導入し蒸着速度+:3
.OX/seaとした。月1厚は1500Xであった。
カラス基板上に、適当な引き出し電(へ部およびリード
部を備えたITO膜上に、蒸着材料に00203を用い
、第6図の装置う[用いた反応性イオレプレーテイング
方法により、l!i′I4@側発色層である第2エレク
トロクロミック層を形成した。H20蒸気を3.OX
I U−’ TorrまC23人し、その後、02を5
.OX 10−’ Torrまで導入し蒸着速度+:3
.OX/seaとした。月1厚は1500Xであった。
さらに、この11゛算の上に、!(空蒸着方法により、
絶り層で速度を10ス/秒とし/、:。これらの膜上に
、第21”T、4’に−rある介l′:+今明dハ1充
AIJ月作を300χの膜厚で形成した。
絶り層で速度を10ス/秒とし/、:。これらの膜上に
、第21”T、4’に−rある介l′:+今明dハ1充
AIJ月作を300χの膜厚で形成した。
この様にしで製作した、全固体型エレクトロクロミック
素子を、第111L極と第2五1、極の間に2、Ovの
電圧を印加孕して駆動したLころ、着色濃度かへJDで
0.3に達するすてに800m日ocであった。
素子を、第111L極と第2五1、極の間に2、Ovの
電圧を印加孕して駆動したLころ、着色濃度かへJDで
0.3に達するすてに800m日ocであった。
実施例8
厚み0.8朋のOorning 7059 ガラス基
板上に、適当な引き出し電極部およびリード部をイクN
えたITO膜上に、蒸着材料にC0703を用い、第3
図の装置を用いた反応性イオンプレーテインク方法によ
り、陽極側発色層である第2工l/クトロクロミンク層
を形成した。02ガスを580×10= Torrまで
導入し、蒸着速度i−4,LI X/sec吉した。膜
厚は1sooXであった。さらに、この膜の上に、真空
蒸着方法により、絶縁層で着速度10^/秒とした。こ
れらのfi(i−にに、l゛5252電極半透明導電A
U膜を500A(づけた。
板上に、適当な引き出し電極部およびリード部をイクN
えたITO膜上に、蒸着材料にC0703を用い、第3
図の装置を用いた反応性イオンプレーテインク方法によ
り、陽極側発色層である第2工l/クトロクロミンク層
を形成した。02ガスを580×10= Torrまで
導入し、蒸着速度i−4,LI X/sec吉した。膜
厚は1sooXであった。さらに、この膜の上に、真空
蒸着方法により、絶縁層で着速度10^/秒とした。こ
れらのfi(i−にに、l゛5252電極半透明導電A
U膜を500A(づけた。
このfAにしt’ 9.’!作した、全固体型エレクト
ロクo ミック素子を、第1電極と第2電極の間に2
、11 V tD ’+:(、川を印加−I L、 ’
C駆動したとこ/)、着色σ1゛(度が/\0,1)で
0.2に達する丈でに800m5eeであつ/こ。
ロクo ミック素子を、第1電極と第2電極の間に2
、11 V tD ’+:(、川を印加−I L、 ’
C駆動したとこ/)、着色σ1゛(度が/\0,1)で
0.2に達する丈でに800m5eeであつ/こ。
2111図および;iT 2図t」、、本発明のエレク
トロクロミック素子の断面図で、第3図は本発明の工1
ノクトロクロミツク素子を製造する際に用いたイオンブ
レーテインク4’T fiの模式的説明図である。 1・・・基板 2・・・h7 1の11f,梠 3・・・第1エレクトロクロミンク層 4・・・絶縁層 5・・・ff% 2工レクトI]クロミツク層6・・・
第2の電極 特許出願人 キヤノン株式会社 第1置 第2圃
トロクロミック素子の断面図で、第3図は本発明の工1
ノクトロクロミツク素子を製造する際に用いたイオンブ
レーテインク4’T fiの模式的説明図である。 1・・・基板 2・・・h7 1の11f,梠 3・・・第1エレクトロクロミンク層 4・・・絶縁層 5・・・ff% 2工レクトI]クロミツク層6・・・
第2の電極 特許出願人 キヤノン株式会社 第1置 第2圃
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1対のiH44板の間にエレクトロクロミック層を有す
るエレクトロクロミック素子において、前記エレクトロ
クロミック層がコバルト酸化物を酸素ツノスおよび/又
は水蒸気の存在下にイオンブレーテインクすることによ
り形成したコバ化 ルト水酸物の被Il!′yからなることを特徴とするエ
ム レクトロク1」ミンク素子。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57200911A JPS5990821A (ja) | 1982-11-16 | 1982-11-16 | エレクトロクロミツク素子 |
US06/549,427 US4508792A (en) | 1982-11-16 | 1983-11-07 | Electrochromic element |
DE19833341384 DE3341384A1 (de) | 1982-11-16 | 1983-11-15 | Elektrochromatisches element |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57200911A JPS5990821A (ja) | 1982-11-16 | 1982-11-16 | エレクトロクロミツク素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5990821A true JPS5990821A (ja) | 1984-05-25 |
Family
ID=16432314
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57200911A Pending JPS5990821A (ja) | 1982-11-16 | 1982-11-16 | エレクトロクロミツク素子 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4508792A (ja) |
JP (1) | JPS5990821A (ja) |
DE (1) | DE3341384A1 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59119331A (ja) * | 1982-12-25 | 1984-07-10 | Canon Inc | エレクトロクロミツク素子 |
US5082760A (en) * | 1987-11-10 | 1992-01-21 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Method for preparing an electrophotographic photoreceptor having a charge transporting layer containing aluminum oxide |
US5086351A (en) * | 1989-07-13 | 1992-02-04 | M&T Chemicals, Inc. | Electrochromic elements, materials for use in such element, processes for making such elements and such materials and use of such element in an electrochromic glass device |
US5157540A (en) * | 1990-07-11 | 1992-10-20 | Toray Industries, Inc. | Electrochromic display device with improved absorption spectrum and method of producing it |
US5268208A (en) * | 1991-07-01 | 1993-12-07 | Ford Motor Company | Plasma enhanced chemical vapor deposition of oxide film stack |
US5384157A (en) * | 1991-12-20 | 1995-01-24 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Tungsten oxide film, process for producing same and electrochromic device using same |
DE4225637C1 (de) * | 1992-08-03 | 1993-09-30 | Schott Glaswerke | Elektrochromes Dünnschichtsystem |
US5777779A (en) * | 1995-09-29 | 1998-07-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrochromic device and method for manufacturing the same |
WO1998048323A1 (en) * | 1997-04-18 | 1998-10-29 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Electrochromic element, a display device provided with same and a method of manufacturing an electrochromic layer |
JP3981270B2 (ja) * | 2000-01-28 | 2007-09-26 | Tdk株式会社 | 多層基板に内蔵された導体パターン及び導体パターンが内蔵された多層基板、並びに、多層基板の製造方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5446571A (en) * | 1977-09-20 | 1979-04-12 | Ricoh Co Ltd | Heat-sensitive recording meterial |
JPS5446569A (en) * | 1977-09-20 | 1979-04-12 | Ricoh Co Ltd | Heat-sensitive recording material |
JPS54111360A (en) * | 1978-02-20 | 1979-08-31 | Ricoh Co Ltd | Electrosensitive recording material and recording method for the same |
JPS5778519A (en) * | 1980-11-05 | 1982-05-17 | Citizen Watch Co Ltd | Production of electrochromic display element |
JPS5979225A (ja) * | 1982-10-29 | 1984-05-08 | Canon Inc | 全固体型エレクトロクロミツク素子 |
-
1982
- 1982-11-16 JP JP57200911A patent/JPS5990821A/ja active Pending
-
1983
- 1983-11-07 US US06/549,427 patent/US4508792A/en not_active Expired - Lifetime
- 1983-11-15 DE DE19833341384 patent/DE3341384A1/de active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3341384A1 (de) | 1984-05-17 |
US4508792A (en) | 1985-04-02 |
DE3341384C2 (ja) | 1993-04-29 |
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