JPS5990821A - エレクトロクロミツク素子 - Google Patents
エレクトロクロミツク素子Info
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- JPS5990821A JPS5990821A JP57200911A JP20091182A JPS5990821A JP S5990821 A JPS5990821 A JP S5990821A JP 57200911 A JP57200911 A JP 57200911A JP 20091182 A JP20091182 A JP 20091182A JP S5990821 A JPS5990821 A JP S5990821A
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
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- G02F1/1514—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect characterised by the electrochromic material, e.g. by the electrodeposited material
- G02F1/1523—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect characterised by the electrochromic material, e.g. by the electrodeposited material comprising inorganic material
- G02F1/1524—Transition metal compounds
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、′１Ｌ気化学的発消色現象即ち、エレクトロ
クロミンク現象を応用した装置を製造する際のＩＩ！、
） 極側発色層とじ一〇エレクトロクロミック層ケ形成
する際に、蒸発材料にＣｏＯやＣＯ２Ｏ３の様なコバル
ト酸化物を用いた時の製造方法に関するものであり、さ
らに詳しくは、蒸着方法及びその条件に間するものであ
る。
クロミンク現象を応用した装置を製造する際のＩＩ！、
） 極側発色層とじ一〇エレクトロクロミック層ケ形成
する際に、蒸発材料にＣｏＯやＣＯ２Ｏ３の様なコバル
ト酸化物を用いた時の製造方法に関するものであり、さ
らに詳しくは、蒸着方法及びその条件に間するものであ
る。
従来のエレクトロクロミック素子は、１対の′＃１１、
極板の間に絶縁層と陰極側発色層として二酸化タングス
テン（ＷＯ２）、三酸化タングステン（ＷＯ５）、二酸
化モリブデン（Ｍｏ Ｏ２）、三酸化モリブデン（ＭＯ
Ｏ，）、五酸化バナジウム（ｖ２０．）などの゛被膜を
形成することによって作成されていた。
極板の間に絶縁層と陰極側発色層として二酸化タングス
テン（ＷＯ２）、三酸化タングステン（ＷＯ５）、二酸
化モリブデン（Ｍｏ Ｏ２）、三酸化モリブデン（ＭＯ
Ｏ，）、五酸化バナジウム（ｖ２０．）などの゛被膜を
形成することによって作成されていた。
又、陽極側発色層として水酸化イリジウム（工ｒ（ＯＲ
）２）、水酸化ニッケル（Ｎｉ（ＯＨ）２）や三酸化ク
ロム（Ｃｒ２０３）などの被膜を単独であるいは前述の
陰極側発色層と組合せて用いることが提案されている。
）２）、水酸化ニッケル（Ｎｉ（ＯＨ）２）や三酸化ク
ロム（Ｃｒ２０３）などの被膜を単独であるいは前述の
陰極側発色層と組合せて用いることが提案されている。
しかし、この様な従来の全固体型エレク］・ロクロミン
ク素子は、一般に応答速度が遅いこと、着色効率が悪い
ことや寿命が短かいなどの問題点を有しており、エレク
トロクロミンク素子を実用化する上でこれらの問題点が
大きな欠点となっている。
ク素子は、一般に応答速度が遅いこと、着色効率が悪い
ことや寿命が短かいなどの問題点を有しており、エレク
トロクロミンク素子を実用化する上でこれらの問題点が
大きな欠点となっている。
本発明の目的は、前述の欠点を解消したエレクトロクロ
ミック素子を提供するこ吉にある。
ミック素子を提供するこ吉にある。
本発明の別の目的は、応答速度、着色効率および寿命が
改善されたエレクトロクロミック素子を提供することに
ある。
改善されたエレクトロクロミック素子を提供することに
ある。
本発明のかかる目的は、１対の電極板の間にエレクトロ
クロミック屑としてコバルト酸化物（ａｏｏ 、 ｃｏ
２ｏ３）を酸素（０２）カスおよび／又は水蒸気（Ｈ
２０蒸気）の存在Ｆでイオンブレーティングすることに
よって形成したコバルト水酸化物（ｃ ｏ （ｏＨ）
２ ）の被膜を有する全固体型エレクトロクロミック素
子によって達成される。
クロミック屑としてコバルト酸化物（ａｏｏ 、 ｃｏ
２ｏ３）を酸素（０２）カスおよび／又は水蒸気（Ｈ
２０蒸気）の存在Ｆでイオンブレーティングすることに
よって形成したコバルト水酸化物（ｃ ｏ （ｏＨ）
２ ）の被膜を有する全固体型エレクトロクロミック素
子によって達成される。
以下、本発明を図面に従って詳細に説明する。
第１図および第２図は、本発明のエレクトロクロミック
素子の断面図を示し、第５図は本発明で用いるイオンブ
レーティング装置の模式的説明図を示している。
素子の断面図を示し、第５図は本発明で用いるイオンブ
レーティング装置の模式的説明図を示している。
第１図および第２図において、１はガラス板などの基体
、２は第１の電極を形成する透明導電膜、３は陰極側発
色層である第１エレクトロクロミック層、４ｅ′Ｊ誘電
体からなる絶縁層、５は陽極側発色層であるＭ２エレク
トロクロミック層、６は第２の電極を形成する導電膜で
ある。
、２は第１の電極を形成する透明導電膜、３は陰極側発
色層である第１エレクトロクロミック層、４ｅ′Ｊ誘電
体からなる絶縁層、５は陽極側発色層であるＭ２エレク
トロクロミック層、６は第２の電極を形成する導電膜で
ある。
第１図および２図中の１は、ガラス板だけではなく、プ
ラスデック板、またはアクリル板等のプラスチック板の
、いわゆる無色７７ｆ’Ｊｌである板ならばよく、位置
に関しても、＠極のどちら側か一方で良いし、両側にあ
っても良い。電極も第２の電極６が透明電極を使用すれ
ば、素子を透明型として使用できる。この様な透明導電
膜としでは、工ＴＯＪＩＮ（酸化インジウノ、工ｎ２０
．中に酸化錫ＳｎＯ２を５％前後含む）やネサ膜等々が
用いられる。陰極側発色層６である第１エレクトロクロ
ミック層は、二酸化タングステン（ＷＯ２）三酸化タン
グステン（ＷＯ，）、二酸化モリブデン（Ｍｏ Ｏ２）
、三酸化モリブデン（ＭＯＯ３）や五酸化バナジウム
（Ｖ２Ｏ，、）の被膜によって作成される。誘電体から
なる絶縁層４は、二酸化ジルコン（Ｚ ｒ Ｏ２） ｒ
酸化ケイ素（Ｓｉｎ） 、二酸化ケイ素（Ｓｉｎ２）や
五酸化タンタル（Ｔａ２ｏ、）等に代表される酸化物や
フッ化マクネシウム（ＭｒＦ２）等に代表されるソツ化
物の被膜によって形成されることができる。
ラスデック板、またはアクリル板等のプラスチック板の
、いわゆる無色７７ｆ’Ｊｌである板ならばよく、位置
に関しても、＠極のどちら側か一方で良いし、両側にあ
っても良い。電極も第２の電極６が透明電極を使用すれ
ば、素子を透明型として使用できる。この様な透明導電
膜としでは、工ＴＯＪＩＮ（酸化インジウノ、工ｎ２０
．中に酸化錫ＳｎＯ２を５％前後含む）やネサ膜等々が
用いられる。陰極側発色層６である第１エレクトロクロ
ミック層は、二酸化タングステン（ＷＯ２）三酸化タン
グステン（ＷＯ，）、二酸化モリブデン（Ｍｏ Ｏ２）
、三酸化モリブデン（ＭＯＯ３）や五酸化バナジウム
（Ｖ２Ｏ，、）の被膜によって作成される。誘電体から
なる絶縁層４は、二酸化ジルコン（Ｚ ｒ Ｏ２） ｒ
酸化ケイ素（Ｓｉｎ） 、二酸化ケイ素（Ｓｉｎ２）や
五酸化タンタル（Ｔａ２ｏ、）等に代表される酸化物や
フッ化マクネシウム（ＭｒＦ２）等に代表されるソツ化
物の被膜によって形成されることができる。
陽極側発色層である第２エレクトロクロミック層５は、
コバルト酸化物（ｃｏｏ、ｃｏ２ｏ３）を酸素（０２）
ガスおよび／又は水蒸気（Ｈ２０カス）の存在下でイオ
ンブレーティングすることによって形成したコバルト水
酸化物（Ｏｏ （ＯＨ） ２ ）の被膜によって形成さ
れるこＬができる。イオンブレーティング法によりコバ
ルト水酸化物を蒸着する際の水蒸気および／又は酸素ガ
ス導入後の真空度を２．０〜５．Ｕ Ｘ １０−’Ｔｏ
ｒｒとすることが奸才しく、又蒸着速度を０．６〜２．
ＯＡ／ｅθＣとすることが適しでいる。
コバルト酸化物（ｃｏｏ、ｃｏ２ｏ３）を酸素（０２）
ガスおよび／又は水蒸気（Ｈ２０カス）の存在下でイオ
ンブレーティングすることによって形成したコバルト水
酸化物（Ｏｏ （ＯＨ） ２ ）の被膜によって形成さ
れるこＬができる。イオンブレーティング法によりコバ
ルト水酸化物を蒸着する際の水蒸気および／又は酸素ガ
ス導入後の真空度を２．０〜５．Ｕ Ｘ １０−’Ｔｏ
ｒｒとすることが奸才しく、又蒸着速度を０．６〜２．
ＯＡ／ｅθＣとすることが適しでいる。
本発明は、第２図に示す如く第１図における陰極側発色
層３を省略することができ、これによるエレクトロクロ
ミック素子も、従来のものと比較し゛（°応答速度、着
色効率および寿命の点で改善することかできる。
層３を省略することができ、これによるエレクトロクロ
ミック素子も、従来のものと比較し゛（°応答速度、着
色効率および寿命の点で改善することかできる。
本発明で用いうるイオンブレーティング装置ｔ」１、第
６図で示す様にＪＥ、空槽３０の中に配置し３ま た傘ｒ１高周波」イル３２と電子銃３３で構成１ されており、又傘２イと電子銃３６にＤＣバイアスそ印
加する霜、源３４と高周波コイル３２に高周波を印加す
る高周波電源３５が真空槽３０の外に配置（”ｔされ、
さらに真空１’ａ ３ ｏＡ内に酸素ガスおよび／又は
水蒸気を導入するための酸素カスボンベ５６と水槽３７
がそれぞれニードルバルブ３８と３９を介して真空［３
０に接続されている。コバルト水酸化物を蒸着する際に
は、コバルト酸化、物４０を電子銃６３の上に配置イル
、？ｌ 被蒸着体４１（電極板など）を傘肘の上に配置すること
によってイオンブレーティングを行なうこ々ができる。
６図で示す様にＪＥ、空槽３０の中に配置し３ま た傘ｒ１高周波」イル３２と電子銃３３で構成１ されており、又傘２イと電子銃３６にＤＣバイアスそ印
加する霜、源３４と高周波コイル３２に高周波を印加す
る高周波電源３５が真空槽３０の外に配置（”ｔされ、
さらに真空１’ａ ３ ｏＡ内に酸素ガスおよび／又は
水蒸気を導入するための酸素カスボンベ５６と水槽３７
がそれぞれニードルバルブ３８と３９を介して真空［３
０に接続されている。コバルト水酸化物を蒸着する際に
は、コバルト酸化、物４０を電子銃６３の上に配置イル
、？ｌ 被蒸着体４１（電極板など）を傘肘の上に配置すること
によってイオンブレーティングを行なうこ々ができる。
又、イオンブレーティングを行なう際には、高周波電源
３５による周波数は１３．５６ ＭＨ２とし、電源３４
によるＤＣバイアスは０，２〜３．＋ＳＫＶとすること
が適している。
３５による周波数は１３．５６ ＭＨ２とし、電源３４
によるＤＣバイアスは０，２〜３．＋ＳＫＶとすること
が適している。
この様にして作成した全固体エレクトロクロミック素子
杖、第１の電極２と第２の霜、（ペロの間に所定の電圧
を印加することにより′ｉ１．気化学反応が起きて着色
と消色現象が現われる。
杖、第１の電極２と第２の霜、（ペロの間に所定の電圧
を印加することにより′ｉ１．気化学反応が起きて着色
と消色現象が現われる。
以下、本発明を実施例に従って説明する。
実施例１
厚み０．８ｎのＯｏｒｎｉｎｇ ７０５９ カラス基板
上に、適肖な引き出し電極部およびリード部を備えたＩ
ＴＯ膜上に、蒸着材料にＯｏＯを用い、ｊｉｎ３図に示
す装置４を用いた反応性イオンブレーティング方法にに
す、陽極側発色層である第２エレクトロク［コミツク層
を形成した。Ｈ２０蒸気を５．０×１０’−’ Ｔｏｒ
ｒ才で導入し、蒸着速度を２．ＯＸ／ｓｅｃとした。膜
）引よ＋５ｏｏＸ であった。さらに、この膜の上に
１．真空蒸着方法により、絶縁層であるＴ ａ ２ Ｑ
ｓの層を３０００Ｘの膜厚に形成し、度を２．ＯＸ
ｌ Ｏ”−５Ｔｏｒｒとし、蒸着速度を１０Ａ／θｅｃ
とした。これらのＪ＋％上に、第２電極である手透ＱＩ
ノ＃’ｐ ’１４ ＡＵ膜を３ ｏ ｏ Ｘの膜厚で形
成した。
上に、適肖な引き出し電極部およびリード部を備えたＩ
ＴＯ膜上に、蒸着材料にＯｏＯを用い、ｊｉｎ３図に示
す装置４を用いた反応性イオンブレーティング方法にに
す、陽極側発色層である第２エレクトロク［コミツク層
を形成した。Ｈ２０蒸気を５．０×１０’−’ Ｔｏｒ
ｒ才で導入し、蒸着速度を２．ＯＸ／ｓｅｃとした。膜
）引よ＋５ｏｏＸ であった。さらに、この膜の上に
１．真空蒸着方法により、絶縁層であるＴ ａ ２ Ｑ
ｓの層を３０００Ｘの膜厚に形成し、度を２．ＯＸ
ｌ Ｏ”−５Ｔｏｒｒとし、蒸着速度を１０Ａ／θｅｃ
とした。これらのＪ＋％上に、第２電極である手透ＱＩ
ノ＃’ｐ ’１４ ＡＵ膜を３ ｏ ｏ Ｘの膜厚で形
成した。
この様にしで製作した全固体型エレクトロクロミック素
子を、第１電極を第２電極の間に、２、ＯＶの霜、圧を
印加チして駆動したところ、着色濃度かΔＱ、Ｄで０．
６に達するまでに５００ｍ８θＣであった。
子を、第１電極を第２電極の間に、２、ＯＶの霜、圧を
印加チして駆動したところ、着色濃度かΔＱ、Ｄで０．
６に達するまでに５００ｍ８θＣであった。
実施例２
ノ９みＩＪ、８２１１ＩｌｌのＯｏｒｎｉｎｇ ７０５
９ ガラス基板上に、適当な引き出し電極部およびリー
ド部を備えたＩＴＯ膜−ヒに、蒸着材料にＣｏｏを用い
、第３図の装置を用いた反応性イオンブレーティング方
法により、陽極側発色層である第２エレクトロクロミッ
ク層を形成した。Ｈ３０蒸気を６．０×１０ Ｔｏｒ
ｒ ｉで導入し、そのＰｅＯ２を５．ＯＸ １０−’Ｔ
ｏｒｒまで導入し、蒸Ｍ速度を２．ＯＸ／ｓθｃ （！
： Ｌ。
９ ガラス基板上に、適当な引き出し電極部およびリー
ド部を備えたＩＴＯ膜−ヒに、蒸着材料にＣｏｏを用い
、第３図の装置を用いた反応性イオンブレーティング方
法により、陽極側発色層である第２エレクトロクロミッ
ク層を形成した。Ｈ３０蒸気を６．０×１０ Ｔｏｒ
ｒ ｉで導入し、そのＰｅＯ２を５．ＯＸ １０−’Ｔ
ｏｒｒまで導入し、蒸Ｍ速度を２．ＯＸ／ｓθｃ （！
： Ｌ。
た。片１Ｊｖは１５００Ｘであった。さらに、この膜の
上に、真空蒸着方法により、絶り、層である２、ＯＸ
＋ ＯＴｏｒｒ 、５し、蒸着速度を１ （」′Ａ／秒
Ｊ＝シた。これらの膜上に、４２電極である半透８導箪
ＡＵ膜を３ｏｏＸの膜厚で形成し７た。
上に、真空蒸着方法により、絶り、層である２、ＯＸ
＋ ＯＴｏｒｒ 、５し、蒸着速度を１ （」′Ａ／秒
Ｊ＝シた。これらの膜上に、４２電極である半透８導箪
ＡＵ膜を３ｏｏＸの膜厚で形成し７た。
この様にして製作した、全固体型エレクトロクロミック
素子を、ｇｌＴ Ｉ ＺＪ：極と第２ ’）ｔ＋１極の
間に２、ＯＶの血圧を印加グして駆動したところ、着色
濃度が△Ｏ，Ｄで０．３に達するまでに６［］００ｍ５
ｅであった。
素子を、ｇｌＴ Ｉ ＺＪ：極と第２ ’）ｔ＋１極の
間に２、ＯＶの血圧を印加グして駆動したところ、着色
濃度が△Ｏ，Ｄで０．３に達するまでに６［］００ｍ５
ｅであった。
実施例３
Ｊ９゜み０，８ＦＩＩ＋の（シｏｒｎ１．ｎｑ ７０５
９ ガラス基板上に、適当な引き出し１ｉ１、極部およ
びリード部を備えたＩＴＯ膜土に、蒸着イ］料にＣｏ２
Ｏ３を用い、第３図の４Ｕ置イ；、・用いた反応１生イ
オンブレーテインク方法により、ｌ’ｎへ側へ１色層で
ある第２エレクトロクｒ」ミック層を形成した。Ｈ２０
蒸気を５．ＯＸ １０ ’ Ｔｏｒｒ ’；ｌ：で導入
し、蒸着速度を３．０ス／θｅＣ（！ニジた。膜Ｊ７は
１５［ＪＯＸであった。さらに、この膜の」二に、へ突
蒸着方法により、絶縁層であるＴａ２０５の層を３ｏｏ
ｏＸの膜厚で形成中度を２．ＯＸ １０−’ Ｔｏｒｒ
とし、蒸着速度を１０１／秒とした。これらの膜上に、
第２電極である半透明導’ｉｆｉ Ａ Ｕ膜を３０ （
］ Ａの膜厚で形成した。
９ ガラス基板上に、適当な引き出し１ｉ１、極部およ
びリード部を備えたＩＴＯ膜土に、蒸着イ］料にＣｏ２
Ｏ３を用い、第３図の４Ｕ置イ；、・用いた反応１生イ
オンブレーテインク方法により、ｌ’ｎへ側へ１色層で
ある第２エレクトロクｒ」ミック層を形成した。Ｈ２０
蒸気を５．ＯＸ １０ ’ Ｔｏｒｒ ’；ｌ：で導入
し、蒸着速度を３．０ス／θｅＣ（！ニジた。膜Ｊ７は
１５［ＪＯＸであった。さらに、この膜の」二に、へ突
蒸着方法により、絶縁層であるＴａ２０５の層を３ｏｏ
ｏＸの膜厚で形成中度を２．ＯＸ １０−’ Ｔｏｒｒ
とし、蒸着速度を１０１／秒とした。これらの膜上に、
第２電極である半透明導’ｉｆｉ Ａ Ｕ膜を３０ （
］ Ａの膜厚で形成した。
この様にして贋作した、全固体型エレクトロク「コミツ
ク素子を、第１由′、極と第２電極の間に２、ＬＩ Ｖ
の１χ圧を印加ｌして駆動したところ、着色ｉｉ＋＋度
かへＪＤで０．３に達するまでに４８０ｍ５ｅｃであっ
た。
ク素子を、第１由′、極と第２電極の間に２、ＬＩ Ｖ
の１χ圧を印加ｌして駆動したところ、着色ｉｉ＋＋度
かへＪＤで０．３に達するまでに４８０ｍ５ｅｃであっ
た。
実施例４
厚み０．８ｍＩｎのＯｏｒｎｌｎｇ ７０５９ ガラ
ス基板」二に１適尚な引き出し電極部およびリート部を
備えたｉＴｏ膜上に、蒸着材４′Ｆに００２０３を用い
、第３図の装置Ｕを用いた反応性イオンプレーテインク
方法により、陽４１×側発色層である第２１−レフトロ
クロミック層を形成した。Ｈ２ｏ蒸気を３．ＯＸ １０
Ｔｏｒｒまで導入し、ぞの後、０２ダ・５゜ＯＸ
１０Ｔｏｒｒ−７で導入し、Ｆ、４ Ｍ速度ヲ３．ＯＡ
／ＢθＣとした。膜厚は＋５ｏｏＸであった。さらに
、この膜の上に１．真空蒸着方法により、絶縁層である
’１ ａ ２０ ｓの層を３０００″Ａの膜ノｖで形成
中度を２．Ｄ Ｘ ＋ ０−’ Ｔｏｒｒ 、５シ、
蒸オｉ速度５Ｈ１ｏ Ｘ７秒とした。これらの膜上に、
第２ ’四極である半透８Ａ導箪ＡＵ膜を３００大付け
た。
ス基板」二に１適尚な引き出し電極部およびリート部を
備えたｉＴｏ膜上に、蒸着材４′Ｆに００２０３を用い
、第３図の装置Ｕを用いた反応性イオンプレーテインク
方法により、陽４１×側発色層である第２１−レフトロ
クロミック層を形成した。Ｈ２ｏ蒸気を３．ＯＸ １０
Ｔｏｒｒまで導入し、ぞの後、０２ダ・５゜ＯＸ
１０Ｔｏｒｒ−７で導入し、Ｆ、４ Ｍ速度ヲ３．ＯＡ
／ＢθＣとした。膜厚は＋５ｏｏＸであった。さらに
、この膜の上に１．真空蒸着方法により、絶縁層である
’１ ａ ２０ ｓの層を３０００″Ａの膜ノｖで形成
中度を２．Ｄ Ｘ ＋ ０−’ Ｔｏｒｒ 、５シ、
蒸オｉ速度５Ｈ１ｏ Ｘ７秒とした。これらの膜上に、
第２ ’四極である半透８Ａ導箪ＡＵ膜を３００大付け
た。
この様にして製作した、全固体型エレクトロクロミック
素子を、第１電極と第２電極の間に２、Ｏｖの電圧を印
加豪して駆動したところ、着色濃度かへｏ、ｆ） ’Ｃ
［］ｊに達する韮でに７００ｍ８ｅＱであった。
素子を、第１電極と第２電極の間に２、Ｏｖの電圧を印
加豪して駆動したところ、着色濃度かへｏ、ｆ） ’Ｃ
［］ｊに達する韮でに７００ｍ８ｅＱであった。
実施例５
厚み０．８闘のｅａｒｎｉｎｇ ７０５９ カラス基
板上に、適当な引き出し電極部およびリード部を備えた
ＩＴＯ膜上に、蒸着材料にＣｏｏを用い、第３図の装ｆ
ｆｊを用いた反応性イオンブレーティング方法により、
陽極側発色層である第２エレクトロクロミック層を形成
した。０２ガスを５．０×粍−４Ｔｏｒｒまで４大し、
蒸着速度を４．０Ａ／８＠Ｃとした。１１（４厚は１５
［］ ＯＡであった。さらに、この膜の上に、真空蒸
着方法により、絶縁層であるＴａ ２０５ ノＩＮを３
ｎ ｏ ｏ、ＸのｒＩＰｉ厚で形成し、第１Ｘ１０’
Ｔｏｒｒとし、蒸着速度を１０Ｘ／秒とした。これらの
Ｉｎ’に上に、第２１ｒｊ、極である半透明尋１ｏ、
Ａ Ｕ膜＋：６００＾の膜厚で形成した。
板上に、適当な引き出し電極部およびリード部を備えた
ＩＴＯ膜上に、蒸着材料にＣｏｏを用い、第３図の装ｆ
ｆｊを用いた反応性イオンブレーティング方法により、
陽極側発色層である第２エレクトロクロミック層を形成
した。０２ガスを５．０×粍−４Ｔｏｒｒまで４大し、
蒸着速度を４．０Ａ／８＠Ｃとした。１１（４厚は１５
［］ ＯＡであった。さらに、この膜の上に、真空蒸
着方法により、絶縁層であるＴａ ２０５ ノＩＮを３
ｎ ｏ ｏ、ＸのｒＩＰｉ厚で形成し、第１Ｘ１０’
Ｔｏｒｒとし、蒸着速度を１０Ｘ／秒とした。これらの
Ｉｎ’に上に、第２１ｒｊ、極である半透明尋１ｏ、
Ａ Ｕ膜＋：６００＾の膜厚で形成した。
この様にしζ−ｉ、ｖ作した、全固体型エレクトロクロ
ミック素子”：’ ％ ｆ’ｉＴ １電極と第２電極の
間に２、Ｏｖの電圧で印加をして駆動したきころ、着色
濃度が△Ｏ，Ｄで〔Ｊ、２に達する才でに６００ｍ８θ
Ｃであった。
ミック素子”：’ ％ ｆ’ｉＴ １電極と第２電極の
間に２、Ｏｖの電圧で印加をして駆動したきころ、着色
濃度が△Ｏ，Ｄで〔Ｊ、２に達する才でに６００ｍ８θ
Ｃであった。
実施例６
厚み０．８７ＲｍのＯｏｒｎｉｎｇ ７０５９ ガラ
ス基板上に、適当な引き出し電極部およびリード部を備
えたＩＴＯｐ上に、蒸着材料にＯＯ２０ｓを用い、第３
図の装置を用いた反応性イオンプレーテインク方法によ
り、陽極側発色層である第２エレクトロクロミック層を
形成した。０２ガスを５．ＯＸ １０−” Ｔｏｒｒま
で導入し、蒸着速度を４゜ｏＸ／ｅｅｃとした。月へ厚
しよ１５００Ａであった。さらに、この膜の上に、真空
蒸着方法により、絶縁層であるＴａ２Ｏ，の層を３００
０＾の膜厚で形成９度を２．ＯＸ １０−５Ｔｏｒｒと
し、蒸着速度＞−１０Ａ／秒とした。これらの膜上に、
第２′ｒｔ４４ＮＧである牛透明導電ＡＵ膜を３００大
の膜厚で形成した。
ス基板上に、適当な引き出し電極部およびリード部を備
えたＩＴＯｐ上に、蒸着材料にＯＯ２０ｓを用い、第３
図の装置を用いた反応性イオンプレーテインク方法によ
り、陽極側発色層である第２エレクトロクロミック層を
形成した。０２ガスを５．ＯＸ １０−” Ｔｏｒｒま
で導入し、蒸着速度を４゜ｏＸ／ｅｅｃとした。月へ厚
しよ１５００Ａであった。さらに、この膜の上に、真空
蒸着方法により、絶縁層であるＴａ２Ｏ，の層を３００
０＾の膜厚で形成９度を２．ＯＸ １０−５Ｔｏｒｒと
し、蒸着速度＞−１０Ａ／秒とした。これらの膜上に、
第２′ｒｔ４４ＮＧである牛透明導電ＡＵ膜を３００大
の膜厚で形成した。
この様にして製作した、全固体型エレクトロクロミック
素子を、第１１ｔｌＩ：極と第２１に極の間に２゜Ｏｖ
の’１−／、圧を印加がして駆動したところ、着色濃１
ｆＥがｉ＼Ｏ、Ｊ−）で１〕、２に達４−るまでに７０
０ｍ日θＣであつブ、二。
素子を、第１１ｔｌＩ：極と第２１に極の間に２゜Ｏｖ
の’１−／、圧を印加がして駆動したところ、着色濃１
ｆＥがｉ＼Ｏ、Ｊ−）で１〕、２に達４−るまでに７０
０ｍ日θＣであつブ、二。
実施例／
Ｆｌみ０．８７１１ＲのＯｏｒｎｉｎｇ ７０５９
カラス基板上に、適当な引き出し電（へ部およびリード
部を備えたＩＴＯ膜上に、蒸着材料に００２０３を用い
、第６図の装置う［用いた反応性イオレプレーテイング
方法により、ｌ！ｉ′Ｉ４＠側発色層である第２エレク
トロクロミック層を形成した。Ｈ２０蒸気を３．ＯＸ
Ｉ Ｕ−’ ＴｏｒｒまＣ２３人し、その後、０２を５
．ＯＸ １０−’ Ｔｏｒｒまで導入し蒸着速度＋：３
．ＯＸ／ｓｅａとした。月１厚は１５００Ｘであった。
カラス基板上に、適当な引き出し電（へ部およびリード
部を備えたＩＴＯ膜上に、蒸着材料に００２０３を用い
、第６図の装置う［用いた反応性イオレプレーテイング
方法により、ｌ！ｉ′Ｉ４＠側発色層である第２エレク
トロクロミック層を形成した。Ｈ２０蒸気を３．ＯＸ
Ｉ Ｕ−’ ＴｏｒｒまＣ２３人し、その後、０２を５
．ＯＸ １０−’ Ｔｏｒｒまで導入し蒸着速度＋：３
．ＯＸ／ｓｅａとした。月１厚は１５００Ｘであった。
さらに、この１１゛算の上に、！（空蒸着方法により、
絶り層で速度を１０ス／秒とし／、：。これらの膜上に
、第２１”Ｔ、４’に−ｒある介ｌ′：＋今明ｄハ１充
ＡＩＪ月作を３００χの膜厚で形成した。
絶り層で速度を１０ス／秒とし／、：。これらの膜上に
、第２１”Ｔ、４’に−ｒある介ｌ′：＋今明ｄハ１充
ＡＩＪ月作を３００χの膜厚で形成した。
この様にしで製作した、全固体型エレクトロクロミック
素子を、第１１１Ｌ極と第２五１、極の間に２、Ｏｖの
電圧を印加孕して駆動したＬころ、着色濃度かへＪＤで
０．３に達するすてに８００ｍ日ｏｃであった。
素子を、第１１１Ｌ極と第２五１、極の間に２、Ｏｖの
電圧を印加孕して駆動したＬころ、着色濃度かへＪＤで
０．３に達するすてに８００ｍ日ｏｃであった。
実施例８
厚み０．８朋のＯｏｒｎｉｎｇ ７０５９ ガラス基
板上に、適当な引き出し電極部およびリード部をイクＮ
えたＩＴＯ膜上に、蒸着材料にＣ０７０３を用い、第３
図の装置を用いた反応性イオンプレーテインク方法によ
り、陽極側発色層である第２工ｌ／クトロクロミンク層
を形成した。０２ガスを５８０×１０＝ Ｔｏｒｒまで
導入し、蒸着速度ｉ−４，ＬＩ Ｘ／ｓｅｃ吉した。膜
厚は１ｓｏｏＸであった。さらに、この膜の上に、真空
蒸着方法により、絶縁層で着速度１０＾／秒とした。こ
れらのｆｉ（ｉ−にに、ｌ゛５２５２電極半透明導電Ａ
Ｕ膜を５００Ａ（づけた。
板上に、適当な引き出し電極部およびリード部をイクＮ
えたＩＴＯ膜上に、蒸着材料にＣ０７０３を用い、第３
図の装置を用いた反応性イオンプレーテインク方法によ
り、陽極側発色層である第２工ｌ／クトロクロミンク層
を形成した。０２ガスを５８０×１０＝ Ｔｏｒｒまで
導入し、蒸着速度ｉ−４，ＬＩ Ｘ／ｓｅｃ吉した。膜
厚は１ｓｏｏＸであった。さらに、この膜の上に、真空
蒸着方法により、絶縁層で着速度１０＾／秒とした。こ
れらのｆｉ（ｉ−にに、ｌ゛５２５２電極半透明導電Ａ
Ｕ膜を５００Ａ（づけた。
このｆＡにしｔ’ ９．’！作した、全固体型エレクト
ロクｏ ミック素子を、第１電極と第２電極の間に２
、１１ Ｖ ｔＤ ’＋：（、川を印加−Ｉ Ｌ、 ’
Ｃ駆動したとこ／）、着色σ１゛（度が／＼０，１）で
０．２に達する丈でに８００ｍ５ｅｅであつ／こ。
ロクｏ ミック素子を、第１電極と第２電極の間に２
、１１ Ｖ ｔＤ ’＋：（、川を印加−Ｉ Ｌ、 ’
Ｃ駆動したとこ／）、着色σ１゛（度が／＼０，１）で
０．２に達する丈でに８００ｍ５ｅｅであつ／こ。
２１１１図および；ｉＴ ２図ｔ」、、本発明のエレク
トロクロミック素子の断面図で、第３図は本発明の工１
ノクトロクロミツク素子を製造する際に用いたイオンブ
レーテインク４’Ｔ ｆｉの模式的説明図である。 １・・・基板 ２・・・ｈ７ １の１１ｆ，梠 ３・・・第１エレクトロクロミンク層 ４・・・絶縁層 ５・・・ｆｆ％ ２工レクトＩ］クロミツク層６・・・
第２の電極 特許出願人 キヤノン株式会社 第１置 第２圃
トロクロミック素子の断面図で、第３図は本発明の工１
ノクトロクロミツク素子を製造する際に用いたイオンブ
レーテインク４’Ｔ ｆｉの模式的説明図である。 １・・・基板 ２・・・ｈ７ １の１１ｆ，梠 ３・・・第１エレクトロクロミンク層 ４・・・絶縁層 ５・・・ｆｆ％ ２工レクトＩ］クロミツク層６・・・
第２の電極 特許出願人 キヤノン株式会社 第１置 第２圃
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １対のｉＨ４４板の間にエレクトロクロミック層を有す
るエレクトロクロミック素子において、前記エレクトロ
クロミック層がコバルト酸化物を酸素ツノスおよび／又
は水蒸気の存在下にイオンブレーテインクすることによ
り形成したコバ化 ルト水酸物の被Ｉｌ！′ｙからなることを特徴とするエ
ム レクトロク１」ミンク素子。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57200911A JPS5990821A (ja) | 1982-11-16 | 1982-11-16 | エレクトロクロミツク素子 |
| US06/549,427 US4508792A (en) | 1982-11-16 | 1983-11-07 | Electrochromic element |
| DE19833341384 DE3341384A1 (de) | 1982-11-16 | 1983-11-15 | Elektrochromatisches element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57200911A JPS5990821A (ja) | 1982-11-16 | 1982-11-16 | エレクトロクロミツク素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5990821A true JPS5990821A (ja) | 1984-05-25 |
Family
ID=16432314
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57200911A Pending JPS5990821A (ja) | 1982-11-16 | 1982-11-16 | エレクトロクロミツク素子 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4508792A (ja) |
| JP (1) | JPS5990821A (ja) |
| DE (1) | DE3341384A1 (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59119331A (ja) * | 1982-12-25 | 1984-07-10 | Canon Inc | エレクトロクロミツク素子 |
| US5082760A (en) * | 1987-11-10 | 1992-01-21 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Method for preparing an electrophotographic photoreceptor having a charge transporting layer containing aluminum oxide |
| US5086351A (en) * | 1989-07-13 | 1992-02-04 | M&T Chemicals, Inc. | Electrochromic elements, materials for use in such element, processes for making such elements and such materials and use of such element in an electrochromic glass device |
| US5157540A (en) * | 1990-07-11 | 1992-10-20 | Toray Industries, Inc. | Electrochromic display device with improved absorption spectrum and method of producing it |
| US5268208A (en) * | 1991-07-01 | 1993-12-07 | Ford Motor Company | Plasma enhanced chemical vapor deposition of oxide film stack |
| US5384157A (en) * | 1991-12-20 | 1995-01-24 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Tungsten oxide film, process for producing same and electrochromic device using same |
| DE4225637C1 (de) * | 1992-08-03 | 1993-09-30 | Schott Glaswerke | Elektrochromes Dünnschichtsystem |
| US5777779A (en) * | 1995-09-29 | 1998-07-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrochromic device and method for manufacturing the same |
| WO1998048323A1 (en) * | 1997-04-18 | 1998-10-29 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Electrochromic element, a display device provided with same and a method of manufacturing an electrochromic layer |
| JP3981270B2 (ja) * | 2000-01-28 | 2007-09-26 | Ｔｄｋ株式会社 | 多層基板に内蔵された導体パターン及び導体パターンが内蔵された多層基板、並びに、多層基板の製造方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5446571A (en) * | 1977-09-20 | 1979-04-12 | Ricoh Co Ltd | Heat-sensitive recording meterial |
| JPS5446569A (en) * | 1977-09-20 | 1979-04-12 | Ricoh Co Ltd | Heat-sensitive recording material |
| JPS54111360A (en) * | 1978-02-20 | 1979-08-31 | Ricoh Co Ltd | Electrosensitive recording material and recording method for the same |
| JPS5778519A (en) * | 1980-11-05 | 1982-05-17 | Citizen Watch Co Ltd | Production of electrochromic display element |
| JPS5979225A (ja) * | 1982-10-29 | 1984-05-08 | Canon Inc | 全固体型エレクトロクロミツク素子 |
-
1982
- 1982-11-16 JP JP57200911A patent/JPS5990821A/ja active Pending
-
1983
- 1983-11-07 US US06/549,427 patent/US4508792A/en not_active Expired - Lifetime
- 1983-11-15 DE DE19833341384 patent/DE3341384A1/de active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3341384A1 (de) | 1984-05-17 |
| US4508792A (en) | 1985-04-02 |
| DE3341384C2 (ja) | 1993-04-29 |
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