JPS59119331A - エレクトロクロミツク素子 - Google Patents
エレクトロクロミツク素子Info
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- JPS59119331A JPS59119331A JP57234819A JP23481982A JPS59119331A JP S59119331 A JPS59119331 A JP S59119331A JP 57234819 A JP57234819 A JP 57234819A JP 23481982 A JP23481982 A JP 23481982A JP S59119331 A JPS59119331 A JP S59119331A
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- film
- electrode
- electrochromic
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/15—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect
- G02F1/1514—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect characterised by the electrochromic material, e.g. by the electrodeposited material
- G02F1/1523—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect characterised by the electrochromic material, e.g. by the electrodeposited material comprising inorganic material
- G02F1/1524—Transition metal compounds
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電気化学的発消色現象すなわちエレクトロクロ
ミック現象を利用したエレクトロクロミック素子に関す
るものである。
ミック現象を利用したエレクトロクロミック素子に関す
るものである。
エレクトロクロミック現象とは、電圧を加えた時に酸化
還元反応によシ物質に色が付く現象を指す。このような
エレクトロクロミック現象を利用する電気化学的発消色
素子すなわちエレクトロクロミック素子は、例えば数字
表示素子、Ｘ−Ｙマトリックスディスプレイ、光学シャ
ッタ、絞シ機構等に応用できるもので、その材料で分類
すると液体型と固体型に分けられるが、本発明は特に全
固体型のエレクトロクロミック素子に関するものである
。
還元反応によシ物質に色が付く現象を指す。このような
エレクトロクロミック現象を利用する電気化学的発消色
素子すなわちエレクトロクロミック素子は、例えば数字
表示素子、Ｘ−Ｙマトリックスディスプレイ、光学シャ
ッタ、絞シ機構等に応用できるもので、その材料で分類
すると液体型と固体型に分けられるが、本発明は特に全
固体型のエレクトロクロミック素子に関するものである
。
エレクトロクロミック現象を利用した全固体型エレクト
ロクロミック素子の従来例を第１図に示す。
ロクロミック素子の従来例を第１図に示す。
第１図に示すエレクトロクロミック素子は透明な基板１
の上に、透明導電体膜よシなる第１の電極２と、陰極側
発色層であるエレクトロクロミックＲ３と、誘電体膜よ
りなる絶縁層４と、導電体膜よりなる第２の電極５とを
順次に積層することによって構成されたものである。
の上に、透明導電体膜よシなる第１の電極２と、陰極側
発色層であるエレクトロクロミックＲ３と、誘電体膜よ
りなる絶縁層４と、導電体膜よりなる第２の電極５とを
順次に積層することによって構成されたものである。
上記の構造において、透明な基板１は一般的にガラス板
によって形成されるが、これはガラス板に限らず、プラ
スチック板、アクリル板等の透明な板ならばよく、また
、その位置に関しても、第１の電極２０丁でなく、第２
の電極５の上にあってもよいし、目的に応じて（例えば
保護カバーとなるなどの目的で）、両側に設けてもよい
。ただし、これらの場合に応じて第２の電極を透明導電
膜にしたシ、両側の電極とも透明導電膜とする必要があ
る。
によって形成されるが、これはガラス板に限らず、プラ
スチック板、アクリル板等の透明な板ならばよく、また
、その位置に関しても、第１の電極２０丁でなく、第２
の電極５の上にあってもよいし、目的に応じて（例えば
保護カバーとなるなどの目的で）、両側に設けてもよい
。ただし、これらの場合に応じて第２の電極を透明導電
膜にしたシ、両側の電極とも透明導電膜とする必要があ
る。
上記の全固体型エレクトロクロミック素子に一般的に用
いられる材料の代表例を列挙する。
いられる材料の代表例を列挙する。
第１の電極２を形成する透明導電膜は、ＩＴＯ膜（Ｉｎ
、０．中に５％のＳｎαを含むもの）等である。
、０．中に５％のＳｎαを含むもの）等である。
陰極側発色層であるエレクトロクロミック層３は、二酸
化タングステン（ＷＯ，） 、三酸化タングステン、
（ＷＯｓ ） ％三酸化モリブデン （Ｍｏｂ、 ）、
三酸化モリブデン（Ｍｏｂ、 ） 、五酸化バナジウム
（■へ）等を用いて形成する。誘電体膜である絶縁層４
は、二酸化ジルコン（ＺｒＯ，） 、酸化’１イ素（Ｓ
ｉＯ）、二酸化ケイ素（Ｓｉｎ、）、五酸化タンタル（
Ｔａ、０．）等に代表される酸化物、あるいは７ツ化リ
チウム（ＬｉＦ ） 、フッ化マグネシウム（ＭｇＦり
等に代表されるフッ化物によって構成される。第２の電
極５には、例えば、Ａｕの半透明導電膜が使用される。
化タングステン（ＷＯ，） 、三酸化タングステン、
（ＷＯｓ ） ％三酸化モリブデン （Ｍｏｂ、 ）、
三酸化モリブデン（Ｍｏｂ、 ） 、五酸化バナジウム
（■へ）等を用いて形成する。誘電体膜である絶縁層４
は、二酸化ジルコン（ＺｒＯ，） 、酸化’１イ素（Ｓ
ｉＯ）、二酸化ケイ素（Ｓｉｎ、）、五酸化タンタル（
Ｔａ、０．）等に代表される酸化物、あるいは７ツ化リ
チウム（ＬｉＦ ） 、フッ化マグネシウム（ＭｇＦり
等に代表されるフッ化物によって構成される。第２の電
極５には、例えば、Ａｕの半透明導電膜が使用される。
この様な構造をもつ全固体型エレクトロクロミック素子
は、第１電極２と第２電極５の間に電圧を印加すること
によＦ） ％ｆ気化学的反応が起き、発色、消色をする
。この発色機構は、例えば、エレクト１０クロミンク層
３へのカチオンと電子のダブルインジェクションによる
ブロンズ形成にあると一般的に言われている。例えば、
エレクトロクロミック物質として、Ｗ、を用いる場合に
は、次の（１）式で表わされる酸化還元反応が起き発色
する。
は、第１電極２と第２電極５の間に電圧を印加すること
によＦ） ％ｆ気化学的反応が起き、発色、消色をする
。この発色機構は、例えば、エレクト１０クロミンク層
３へのカチオンと電子のダブルインジェクションによる
ブロンズ形成にあると一般的に言われている。例えば、
エレクトロクロミック物質として、Ｗ、を用いる場合に
は、次の（１）式で表わされる酸化還元反応が起き発色
する。
ＷＯｓ ＋ ｘＨ＋＋ｘｅ ｐ ＨｘＷＯ，ｆｌ）（１
１式に従って、タングステンブロンズＨｘＷＯ。
１式に従って、タングステンブロンズＨｘＷＯ。
が形成され発かするが、ここで印加電圧を逆転すれば消
色状態となる。
色状態となる。
この様な構造の全固体型エレクトロクロミック素子は、
所望の着色濃度が得られないなどの欠点を持っているが
、本発明は、上記の様な欠点を改良し、所望の着色濃度
を得るとともに、応答速度および寿命を向上させたエレ
クトロクロミック素子を提供することを目的とするもの
である。
所望の着色濃度が得られないなどの欠点を持っているが
、本発明は、上記の様な欠点を改良し、所望の着色濃度
を得るとともに、応答速度および寿命を向上させたエレ
クトロクロミック素子を提供することを目的とするもの
である。
本発明の特徴とするところは、第２図に示すような全固
体型エレクトロクロミック素子において、絶縁層と第２
電極との間に形成する陽極側発色層であるエレクトロク
ロミック層が水酸化コバルトＣＣ，（ＯＨ）、）又は炭
酸コバルト〔Ｃ，Ｃｏ、）を蒸発材として形成されたこ
とにある。この際に形成されるエレクトロクロミック層
の正確な組成については未だに判明していない点がある
が、水酸化コバルトを主成分とした組成によって形成さ
れているものと推考されている。
体型エレクトロクロミック素子において、絶縁層と第２
電極との間に形成する陽極側発色層であるエレクトロク
ロミック層が水酸化コバルトＣＣ，（ＯＨ）、）又は炭
酸コバルト〔Ｃ，Ｃｏ、）を蒸発材として形成されたこ
とにある。この際に形成されるエレクトロクロミック層
の正確な組成については未だに判明していない点がある
が、水酸化コバルトを主成分とした組成によって形成さ
れているものと推考されている。
本発明の一実施態様を第２図に示す。第２図中、１，２
，３，４．５は、それぞれ第１図に示すものと同様な基
板、第１電極、エレクトロクロミック層、絶縁層、第２
電極を示す。６は陽極側発色層である第２エレクトロク
ロミック層で、蒸発材として水酸化コバルト又は炭酸コ
バルトを用いて形成された層である。
，３，４．５は、それぞれ第１図に示すものと同様な基
板、第１電極、エレクトロクロミック層、絶縁層、第２
電極を示す。６は陽極側発色層である第２エレクトロク
ロミック層で、蒸発材として水酸化コバルト又は炭酸コ
バルトを用いて形成された層である。
すなわち、本発明は、従来のエレクトロクロミック素子
において所望の濃度や応答速度を得ることが困難である
という欠点を改善するために、水酸化コバルト又は炭酸
コバルトを蒸発源とした第２エレクトロクロミック層６
を第２図の様に加えることによシ着色濃度、応答速度、
寿命の点について性能向上をはかるものである。
において所望の濃度や応答速度を得ることが困難である
という欠点を改善するために、水酸化コバルト又は炭酸
コバルトを蒸発源とした第２エレクトロクロミック層６
を第２図の様に加えることによシ着色濃度、応答速度、
寿命の点について性能向上をはかるものである。
着色濃度および応答速度は発消色層が２層になることに
よって改善される。
よって改善される。
本発明で用いるエレクトロクロミック層は、蒸発材に水
酸化コバルト又は炭酸コバルトを用いた反応性イオング
レーティング装置によって成膜されることができる。反
応性イオンプレーティング装置としては、例えば第３図
に示す態様のものを用いることができる。図中、３０は
真空槽、３１は傘、３２は高周波コイル、３３は電子銃
、３４はＤＣバイアス電源、３５は高周波電源、３６は
水槽、３７は酸素ガスボンベ、３８と３９はニードルパ
ルプ、４０は水酸化コバルト又は炭酸コバルト蒸発材、
４１は被蒸着体を示している。
酸化コバルト又は炭酸コバルトを用いた反応性イオング
レーティング装置によって成膜されることができる。反
応性イオンプレーティング装置としては、例えば第３図
に示す態様のものを用いることができる。図中、３０は
真空槽、３１は傘、３２は高周波コイル、３３は電子銃
、３４はＤＣバイアス電源、３５は高周波電源、３６は
水槽、３７は酸素ガスボンベ、３８と３９はニードルパ
ルプ、４０は水酸化コバルト又は炭酸コバルト蒸発材、
４１は被蒸着体を示している。
次に、本発明を実施例に従って説明する。
実施例１・
厚み０．８ ｙｒｒｍのＣｏｒｎｉｎｇ ７０５９ガラ
ス基板上ニ適当な引き出し電極部およびリード電極部を
備えたＩＴＯ膜上に、蒸発材に水酸化コバルトを用いた
反応性イオンブレーティング法により陽極側発色層であ
る第２エレクトロクロミック層を形成した。この際、水
蒸気（Ｈ，０）を５．０．Ｘ １Ｏ−Ｔｏｒｒまヤ導入
し、蒸着速度を１． ＯＡ ／ ｓｅｅとした。こうし
て成膜した第２エレクトロクロミック層の膜厚は１５０
０Ａであった。さらに、この膜の上に真空蒸着法にょシ
、絶縁層であるＴａ、α層を３０００にで、第１エレク
トロクロミック層であるＷＯ２層を３００ＯＡで設けた
。
ス基板上ニ適当な引き出し電極部およびリード電極部を
備えたＩＴＯ膜上に、蒸発材に水酸化コバルトを用いた
反応性イオンブレーティング法により陽極側発色層であ
る第２エレクトロクロミック層を形成した。この際、水
蒸気（Ｈ，０）を５．０．Ｘ １Ｏ−Ｔｏｒｒまヤ導入
し、蒸着速度を１． ＯＡ ／ ｓｅｅとした。こうし
て成膜した第２エレクトロクロミック層の膜厚は１５０
０Ａであった。さらに、この膜の上に真空蒸着法にょシ
、絶縁層であるＴａ、α層を３０００にで、第１エレク
トロクロミック層であるＷＯ２層を３００ＯＡで設けた
。
この際、真空度２．ＯＸ １０ Ｔｏｒｒ 、蒸着速
度１０Ａ／ｓｅｃとした。この膜の上に第２電極である
半透明の導電膜としてＡｕ膜を３０ＯＡで形成した。
度１０Ａ／ｓｅｃとした。この膜の上に第２電極である
半透明の導電膜としてＡｕ膜を３０ＯＡで形成した。
この様にして作成した全固体型エレクトロクロミック素
子の第１電極と第２電極の間に２ＤＶを印加することに
よシ駆動させたところ、着色濃度が△０．Ｄ（濃度変化
）で０．３に達するまでに６００ ｍ５ｅｃであった。
子の第１電極と第２電極の間に２ＤＶを印加することに
よシ駆動させたところ、着色濃度が△０．Ｄ（濃度変化
）で０．３に達するまでに６００ ｍ５ｅｃであった。
実施例２
厚み０．８ ｍｍのＣｏｒｎｉｎｇ ７０５９ ／ｌ’
／ ５ ス基Ｗ上に適当な引き出し電極部およびリード
電極部を備えたＩＴＯ膜上に、蒸発材に水酸化コバルト
を用いた反応性イオンブレーティング法にょシ陽極側発
色層である第２エレクトロクロミック層を形成した。こ
の際、水蒸気（Ｈ，０）を５．０Ｘ１０ ’Ｔｏｒｒま
で導入し、その後Ｏ３を５．０Ｘ１０ ’ Ｔｏｒｒま
で導入し、蒸着速度を１．５ Ａ ／ ｓｅｃとした。
／ ５ ス基Ｗ上に適当な引き出し電極部およびリード
電極部を備えたＩＴＯ膜上に、蒸発材に水酸化コバルト
を用いた反応性イオンブレーティング法にょシ陽極側発
色層である第２エレクトロクロミック層を形成した。こ
の際、水蒸気（Ｈ，０）を５．０Ｘ１０ ’Ｔｏｒｒま
で導入し、その後Ｏ３を５．０Ｘ１０ ’ Ｔｏｒｒま
で導入し、蒸着速度を１．５ Ａ ／ ｓｅｃとした。
こうして成膜した第２エレクトロクロミック層の膜厚は
１５００Ａであった。さらに、この膜の上に真空蒸着法
によシ、絶縁層である１３２６層を３００ＯＡで、第１
エレクトロクロミック層であるＷＯ，層を３００ＯＡで
設けたつこの際、真空度２．０ Ｘ １０ ’Ｉ”ｏ
ｒｒ、蒸着速度１０ Ａ／ ｓ ｅｃととした。この膜
の上に第２Ｍ、極である半透明の導電膜としてＡｕ膜を
３０ＯＡで形成した。
１５００Ａであった。さらに、この膜の上に真空蒸着法
によシ、絶縁層である１３２６層を３００ＯＡで、第１
エレクトロクロミック層であるＷＯ，層を３００ＯＡで
設けたつこの際、真空度２．０ Ｘ １０ ’Ｉ”ｏ
ｒｒ、蒸着速度１０ Ａ／ ｓ ｅｃととした。この膜
の上に第２Ｍ、極である半透明の導電膜としてＡｕ膜を
３０ＯＡで形成した。
この様にして作成した全固体型エレクトロクロミック素
子の第１電極と第２電極の間に２，０■を印加すること
によシ駆動させたところ、着色濃度が△０．Ｄ（濃度変
化）で０．３に達するまでに７（’ｌｏｍｓｅｃであっ
た。
子の第１電極と第２電極の間に２，０■を印加すること
によシ駆動させたところ、着色濃度が△０．Ｄ（濃度変
化）で０．３に達するまでに７（’ｌｏｍｓｅｃであっ
た。
実施例３
厚み０．８ ｖｍのＣｏｒｎｉｎｇ７０５９ カラス基
板上に適当な引き出し電極部およびリード電極部を備え
たＩＴＯ膜上ム蒸上材蒸発材化コバルトを用いた反応性
イオンブレーティング法によシ陽極側発色１８である第
２エレクトロクロミック層を形成した。この際、０！ガ
スを５．ＯＸ １０ ’Ｔｏｒｒまで導入し、蒸着速
度を３．０λ／ｓｅｃとした。こうして成膜した第２エ
レクトロクロルツク層の膜厚は］ ５００Ａであった。
板上に適当な引き出し電極部およびリード電極部を備え
たＩＴＯ膜上ム蒸上材蒸発材化コバルトを用いた反応性
イオンブレーティング法によシ陽極側発色１８である第
２エレクトロクロミック層を形成した。この際、０！ガ
スを５．ＯＸ １０ ’Ｔｏｒｒまで導入し、蒸着速
度を３．０λ／ｓｅｃとした。こうして成膜した第２エ
レクトロクロルツク層の膜厚は］ ５００Ａであった。
さらに、この膜の上に真空蒸着法によシ、絶縁層である
Ｔａ、０．層を３００ＯＡで、第１エレクトロクロミツ
ク膚であるＷＯ，層を３００ ’ＯＡで設けた。この際
、真空度２．０Ｘ１０ Ｔｏｒｒ、蒸着速度１０ Ａ
／ ｓｅｃとしだ。この膜の上に第２電極である半透
明の導電膜としてＡｕ膜を３０ＯＡで形成した。
Ｔａ、０．層を３００ＯＡで、第１エレクトロクロミツ
ク膚であるＷＯ，層を３００ ’ＯＡで設けた。この際
、真空度２．０Ｘ１０ Ｔｏｒｒ、蒸着速度１０ Ａ
／ ｓｅｃとしだ。この膜の上に第２電極である半透
明の導電膜としてＡｕ膜を３０ＯＡで形成した。
この様にして作成した全固体型エレクトロクロミック素
子の第１電極と第２ｆｆＬ極の間に２．ＯＶを印加する
ことによシ駆動させたところ、着色濃度がΔＱ、Ｄ（濃
度変化）で０．３に達するまでに７５ Ｑ ｍ ｓｅｃ
であった。
子の第１電極と第２ｆｆＬ極の間に２．ＯＶを印加する
ことによシ駆動させたところ、着色濃度がΔＱ、Ｄ（濃
度変化）で０．３に達するまでに７５ Ｑ ｍ ｓｅｃ
であった。
実施例４
厚み０．８朋のＣｏｒｎｉｎｇ ７０５９ガ−７Ｘ基板
上に適当な引き出し電極部およびリード電極部を備えた
ＩＴＯ膜上に、蒸発材に炭酸コバルトを用いた反応性イ
オングレーティング法により１陽極側発色層である第２
エレクトロクロミック層を形成した。この際、水蒸気（
Ｈ，０）を５．ＯＸ ｌ詩ｏｒｒまで導入し、蒸着速度
を１． ＯＡ ／ ｓｅｃとした０こうして成膜した第
２エレクトロクロミック層の膜厚は１５００Ａであった
。さらに、この膜の上に真空蒸着法によシ、絶縁層であ
るＴａｔＯｇ層を３００ＯＡで、第１エレクトロクロミ
ック層である（７）１層を３００ＯＡで設けた。この際
、真空度２．ＯＸ １０ ”Ｔｏｒｒ 、蒸着速度１０
Ａ／ ｓ ｅｃとした。この膜の上に第２電極である
半透明の導電膜としてＡｕ膜を３００Ａで形成した。
上に適当な引き出し電極部およびリード電極部を備えた
ＩＴＯ膜上に、蒸発材に炭酸コバルトを用いた反応性イ
オングレーティング法により１陽極側発色層である第２
エレクトロクロミック層を形成した。この際、水蒸気（
Ｈ，０）を５．ＯＸ ｌ詩ｏｒｒまで導入し、蒸着速度
を１． ＯＡ ／ ｓｅｃとした０こうして成膜した第
２エレクトロクロミック層の膜厚は１５００Ａであった
。さらに、この膜の上に真空蒸着法によシ、絶縁層であ
るＴａｔＯｇ層を３００ＯＡで、第１エレクトロクロミ
ック層である（７）１層を３００ＯＡで設けた。この際
、真空度２．ＯＸ １０ ”Ｔｏｒｒ 、蒸着速度１０
Ａ／ ｓ ｅｃとした。この膜の上に第２電極である
半透明の導電膜としてＡｕ膜を３００Ａで形成した。
この様にして作成した全固体型エレクトロクロミック素
子の第１電極と第２電極の間に２０Ｖを印加することに
より駆動させたところ、着色濃度が△０．Ｄ（濃度変化
）で０．３に達するまでに８００ ｍ ｓｅｃであった
。
子の第１電極と第２電極の間に２０Ｖを印加することに
より駆動させたところ、着色濃度が△０．Ｄ（濃度変化
）で０．３に達するまでに８００ ｍ ｓｅｃであった
。
実施例５
厚み０．８ ｍｍのＣｏｒｎｉｎｇ ７０５９ ｉ ラ
ス基板上ｆｃ適当な引き、出し電極部およびリード電極
部を備えだＩＴＯ膜上に、蒸発材に炭酸コバルトを用い
た反応性イオンブレーティング法により陽極側発色層で
ある第２エレクトロクロミック層を形成した。仁の際、
水蒸気（、Ｈ，０）を３．０ ＸＩ ０Ｔｏｒｒまで導
入し、その後ｏ、ガスを５．０ ’７１０ ’Ｔｏｒｒ
まで導入し、蒸着速度をｌ、 Ｑ Ａ ／ ｓｅｃとし
た。
ス基板上ｆｃ適当な引き、出し電極部およびリード電極
部を備えだＩＴＯ膜上に、蒸発材に炭酸コバルトを用い
た反応性イオンブレーティング法により陽極側発色層で
ある第２エレクトロクロミック層を形成した。仁の際、
水蒸気（、Ｈ，０）を３．０ ＸＩ ０Ｔｏｒｒまで導
入し、その後ｏ、ガスを５．０ ’７１０ ’Ｔｏｒｒ
まで導入し、蒸着速度をｌ、 Ｑ Ａ ／ ｓｅｃとし
た。
こうして成膜した第２エレクトロクロミック層の膜厚は
１．５０ ＯＡであった。さらに、この膜の上に真空蒸
着法によシ、絶縁層であるＴａ・０゜層を３００ＯＡで
、第１エレクトロクロミック真空度２．０ Ｘ ］、
ＯＴｏｒｒ 、蒸着速度１０ Ａ／ ｓ ｅｃとした。
１．５０ ＯＡであった。さらに、この膜の上に真空蒸
着法によシ、絶縁層であるＴａ・０゜層を３００ＯＡで
、第１エレクトロクロミック真空度２．０ Ｘ ］、
ＯＴｏｒｒ 、蒸着速度１０ Ａ／ ｓ ｅｃとした。
この膜の上に＠２電極である半透明の導電膜としてＡｕ
膜を３０ＯＡで形成した。
膜を３０ＯＡで形成した。
この様にして作成した全固体型エレクトロクロミック素
子の第１電極と第２電極の間に２．ＯＶを印加すること
により駆動させたところ、着色ｍ１度が△０．Ｄ（濃度
変化）で０．３に達するまでに３５Ｑｍｓｅｃであった
。
子の第１電極と第２電極の間に２．ＯＶを印加すること
により駆動させたところ、着色ｍ１度が△０．Ｄ（濃度
変化）で０．３に達するまでに３５Ｑｍｓｅｃであった
。
実施例６
厚み０．８ ｍｍのＣｏｒｎｉｎｇ ７０５９ガラス基
板上ニ適当な引き出し電極部およびリード電極部を備え
たＩＴＯ膜上に、蒸発材に炭酸コバルトを用いた反応性
イオンブレーティング法によシ陽極側発色層である第２
エレクトロクロミック層を形成した。この際、０１ガス
を５．ＯＸ １０ Ｔｏｒｒまで導入し、蒸着速度を
１．ＯＡ／ ｓｅｃとした。こうして成膜した第２エレ
クトロクロミック層の膜厚は１５００大であった。さら
に、この膜の上に真空蒸着法によシ、絶縁層であるＴａ
ｔＯ＠層を３００ＯＡで、第１エレクトロクロミック層
であるＷＯ２層を３００ＯＡで設けた。この際、真空度
２．０Ｘ１０ ”Ｔｏｒｒ、蒸着速度１０Ａ／＋ｅｃ
とした。この膜の上に第２電極である半透明の導電膜と
してＡｕ膜を３０ＯＡで形成した。
板上ニ適当な引き出し電極部およびリード電極部を備え
たＩＴＯ膜上に、蒸発材に炭酸コバルトを用いた反応性
イオンブレーティング法によシ陽極側発色層である第２
エレクトロクロミック層を形成した。この際、０１ガス
を５．ＯＸ １０ Ｔｏｒｒまで導入し、蒸着速度を
１．ＯＡ／ ｓｅｃとした。こうして成膜した第２エレ
クトロクロミック層の膜厚は１５００大であった。さら
に、この膜の上に真空蒸着法によシ、絶縁層であるＴａ
ｔＯ＠層を３００ＯＡで、第１エレクトロクロミック層
であるＷＯ２層を３００ＯＡで設けた。この際、真空度
２．０Ｘ１０ ”Ｔｏｒｒ、蒸着速度１０Ａ／＋ｅｃ
とした。この膜の上に第２電極である半透明の導電膜と
してＡｕ膜を３０ＯＡで形成した。
この様にして作成した全固体型エレクトロクロミック素
子の第１電極と第２電極の間に２．０Ｖを印加すること
によシ駆動させたところ、着色濃度が△０．Ｄ（濃度変
化）で０．３に達するまでにｌ、Ｑｓｅｃであった。
子の第１電極と第２電極の間に２．０Ｖを印加すること
によシ駆動させたところ、着色濃度が△０．Ｄ（濃度変
化）で０．３に達するまでにｌ、Ｑｓｅｃであった。
第１図は従来の全固体型エレクトロクロミック素子の例
を示す構造断面図、第２図は本発明による全固体型エレ
クトロクロミック素子の一実施態様を示す構造断面図で
ある。第３図は、本発明の実施例で用いた反応性イオン
ブレーティング装置の模式的説明図である。 １：基板 ２：第１電極 ３：＠１エレクトロクロミック層（陰極側発色層） ４：絶縁層 ５：第２電極 ６：第２エレクトロクロミック層（陽極側発色層） ４−＼− づ−＼−６° 、、゛、°、゛、゛、°。
を示す構造断面図、第２図は本発明による全固体型エレ
クトロクロミック素子の一実施態様を示す構造断面図で
ある。第３図は、本発明の実施例で用いた反応性イオン
ブレーティング装置の模式的説明図である。 １：基板 ２：第１電極 ３：＠１エレクトロクロミック層（陰極側発色層） ４：絶縁層 ５：第２電極 ６：第２エレクトロクロミック層（陽極側発色層） ４−＼− づ−＼−６° 、、゛、°、゛、゛、°。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１１導電体膜よシなる第１電極と第２電極の間に水酸
化コバルト又は炭酸コバルトを蒸発材として形成したエ
レクトロクロミック層を有することを特徴とするエレク
トロクロミック素子。 （２） 導電体膜よシなる第１電極と第２電極の間に
水酸化コバルト又は炭酸コバルトを蒸発材として形成し
たエレクトロクロミック層と誘電体膜よりなる絶縁層を
有することを特徴とするエレクトロクロミック素子。 （３） 導電体膜よりなる第１電極と第２電極の間に
陽極側発色層として水酸化コバルト又は炭酸コバルトを
蒸発材として形成した第２のエレクトロクロミック層を
有し、且つ陰極側発色層である第１のエレクトロクロミ
ック層と誘電体膜からなる絶縁層を有することを特徴と
するエレクトロクロミック素子。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57234819A JPS59119331A (ja) | 1982-12-25 | 1982-12-25 | エレクトロクロミツク素子 |
| US06/563,827 US4632516A (en) | 1982-12-25 | 1983-12-21 | Electrochromic element |
| DE19833346847 DE3346847A1 (de) | 1982-12-25 | 1983-12-23 | Elektrochromes bauelement |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57234819A JPS59119331A (ja) | 1982-12-25 | 1982-12-25 | エレクトロクロミツク素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59119331A true JPS59119331A (ja) | 1984-07-10 |
Family
ID=16976878
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57234819A Pending JPS59119331A (ja) | 1982-12-25 | 1982-12-25 | エレクトロクロミツク素子 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4632516A (ja) |
| JP (1) | JPS59119331A (ja) |
| DE (1) | DE3346847A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4712879A (en) * | 1986-04-02 | 1987-12-15 | Donnelly Corporation | Electrochromic mirror |
| US4938571A (en) * | 1987-06-18 | 1990-07-03 | Cogan Stuart F | Solid state electrochromic light modulator |
| USRE34469E (en) * | 1987-06-18 | 1993-12-07 | Eic Laboratories, Inc. | Solid state electrochromic light modulator |
| JP2974520B2 (ja) * | 1991-10-25 | 1999-11-10 | キヤノン株式会社 | 電極基板及び液晶素子 |
| DE19640515A1 (de) * | 1996-10-01 | 1998-04-09 | Flachglas Ag | Elektrochromer Spiegel und Verfahren zum Herstellen eines elektrochromen Spiegels |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3007980A1 (de) * | 1980-03-01 | 1981-10-15 | g e e t Gesellschaft für elektrische & elektronische Technik Krüger & Co (GmbH & Co), 2000 Hamburg | Festkoerperzelle mit elektrochemiechromem effekt zur steuerung der absorption elektromagnetischer strahlung |
| JPS578524A (en) * | 1980-06-19 | 1982-01-16 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Electrochromic display element |
| JPS5778519A (en) * | 1980-11-05 | 1982-05-17 | Citizen Watch Co Ltd | Production of electrochromic display element |
| US4416517A (en) * | 1980-12-22 | 1983-11-22 | Corning Glass Works | Electrochromic devices including a mica layer electrolyte |
| JPS5990821A (ja) * | 1982-11-16 | 1984-05-25 | Canon Inc | エレクトロクロミツク素子 |
-
1982
- 1982-12-25 JP JP57234819A patent/JPS59119331A/ja active Pending
-
1983
- 1983-12-21 US US06/563,827 patent/US4632516A/en not_active Expired - Lifetime
- 1983-12-23 DE DE19833346847 patent/DE3346847A1/de active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3346847C2 (ja) | 1993-09-23 |
| DE3346847A1 (de) | 1984-06-28 |
| US4632516A (en) | 1986-12-30 |
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