JPS59121026A - 全固体型エレクトロクロミツク素子の製造方法 - Google Patents
全固体型エレクトロクロミツク素子の製造方法Info
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- JPS59121026A JPS59121026A JP57231423A JP23142382A JPS59121026A JP S59121026 A JPS59121026 A JP S59121026A JP 57231423 A JP57231423 A JP 57231423A JP 23142382 A JP23142382 A JP 23142382A JP S59121026 A JPS59121026 A JP S59121026A
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/15—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect
- G02F1/1514—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect characterised by the electrochromic material, e.g. by the electrodeposited material
- G02F1/1523—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect characterised by the electrochromic material, e.g. by the electrodeposited material comprising inorganic material
- G02F1/1524—Transition metal compounds
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電気化学的発消色現象すなわちエレクトロクロ
ミック現象を利用したエレクトロクロミック素子の製造
方法に関するものである。
ミック現象を利用したエレクトロクロミック素子の製造
方法に関するものである。
エレクトロクロｉ、り現象とは、電圧を加えた
□時に酸化還元反応によ多物質に色が付く現象を指す。
□時に酸化還元反応によ多物質に色が付く現象を指す。
このようなエレクトロクロミック現象を利用する電気化
学的発消色素子すなわちエレクトロクロミック素子は、
例えば、数字表示素子、Ｘ−Ｙマトリクスディスプレイ
、光学シャッタ、絞り機構等に応用できるもので、その
材料で分類すると液体型と固体型に分けられるが、本発
明は特に全固体型のエレクトロクロミック素子に関する
ものである。
学的発消色素子すなわちエレクトロクロミック素子は、
例えば、数字表示素子、Ｘ−Ｙマトリクスディスプレイ
、光学シャッタ、絞り機構等に応用できるもので、その
材料で分類すると液体型と固体型に分けられるが、本発
明は特に全固体型のエレクトロクロミック素子に関する
ものである。
エレクトロクロミック現象を利用した全固体型エレクト
ロクロミック素子の２つの例を第１図および第２図に示
す。
ロクロミック素子の２つの例を第１図および第２図に示
す。
第１図に示すエレクトロクロミック素子は、透明な基板
１の上に、透明導電体膜よシなる第１電極２、陽極側発
色層であるエレクトロクロミック層３、誘電体膜からな
る絶縁層４、導電体膜よシ成る第２電極５を順次積層し
てなるものである。
１の上に、透明導電体膜よシなる第１電極２、陽極側発
色層であるエレクトロクロミック層３、誘電体膜からな
る絶縁層４、導電体膜よシ成る第２電極５を順次積層し
てなるものである。
また、第２図に示すエレクトロクロミック素子は、第１
図に示す構造における絶縁層４と第２電極５との間に、
さらに、陰極側発色層である第２のエレクトロクロミッ
ク層６を積層したものである。
図に示す構造における絶縁層４と第２電極５との間に、
さらに、陰極側発色層である第２のエレクトロクロミッ
ク層６を積層したものである。
上記の構造において、基板１は一般的にガラス板によっ
て形成されるが、これはガラス板に限らず、プラスチッ
ク板またはアクリル板等の透明な板ならばよく、また、
その位置に関しても、第１電極２の下ではなく、第２電
極５の上にあってもよいし、目的に応じて（例えば、保
護カバーとするなどの目的で）両側に設けてもよい。た
だし、これらの場合に応じて、第２電極５を透明導電膜
にしたシ、両側の電極とも透明導電膜にする必要がある
。
て形成されるが、これはガラス板に限らず、プラスチッ
ク板またはアクリル板等の透明な板ならばよく、また、
その位置に関しても、第１電極２の下ではなく、第２電
極５の上にあってもよいし、目的に応じて（例えば、保
護カバーとするなどの目的で）両側に設けてもよい。た
だし、これらの場合に応じて、第２電極５を透明導電膜
にしたシ、両側の電極とも透明導電膜にする必要がある
。
両方の電極を透明電極とすれば、素子を透明型として使
用できる。この様な透明導電膜としては、ＩＴＯ膜（酸
化インゾウムエｎ２０３中に酸化錫Ｓ ｎＯ２を５チ前
後含む）やネサ膜等が用いられる。
用できる。この様な透明導電膜としては、ＩＴＯ膜（酸
化インゾウムエｎ２０３中に酸化錫Ｓ ｎＯ２を５チ前
後含む）やネサ膜等が用いられる。
上記の構造において、陽極側発色層である第１のエレク
トロクロミック層３は、酸化クロム（Ｃｒ２Ｏ３）、水
酸化イリジウム（Ｉｒ（ＯＨ）ｚ ）、水酸化ニッケル
（Ｎ１（０Ｈ）２）等を用いて形成する。
トロクロミック層３は、酸化クロム（Ｃｒ２Ｏ３）、水
酸化イリジウム（Ｉｒ（ＯＨ）ｚ ）、水酸化ニッケル
（Ｎ１（０Ｈ）２）等を用いて形成する。
誘電体からなる絶縁層４は、二酸化ジルコン（Ｚｒ０２
）、酸化ケイ素（８１０）、二酸化ケイ素（８１０２）
、五酸化タンタル（Ｔａ２０５）等に代表される酸化物
、あるいはフッ化リチウム（ＬＩＦ ）、フッ化マグネ
シウム（ＭｇＦ２）等に代表されるフッ化物を用いて形
成する。
）、酸化ケイ素（８１０）、二酸化ケイ素（８１０２）
、五酸化タンタル（Ｔａ２０５）等に代表される酸化物
、あるいはフッ化リチウム（ＬＩＦ ）、フッ化マグネ
シウム（ＭｇＦ２）等に代表されるフッ化物を用いて形
成する。
また、陰極側発色層であるエレクトロクロミック層３は
、二酸化タングステン（ＷＯ２）、三酸化タングステン
（ＷＯ５） 、二酸化モリプデ／（ＭｏＯ２）、三酸化
モリブデン（Ｍｏ０３）、五酸化バナジウム（Ｖ２Ｏ３
）＃を用いて形成する。
、二酸化タングステン（ＷＯ２）、三酸化タングステン
（ＷＯ５） 、二酸化モリプデ／（ＭｏＯ２）、三酸化
モリブデン（Ｍｏ０３）、五酸化バナジウム（Ｖ２Ｏ３
）＃を用いて形成する。
この様な構造をもつ全固体型エレクトロクロミック素子
は、第１電極２と第２電極５の間に電圧を印加すること
により電気化学的反応が起き、発色、消色をする。この
発色機構は、例えば、エレクトロクロミック層６へのカ
チオンと電子のダブルインジェクションによるブロンズ
形成にあると一般的に言われている。例えば、エレクト
ロクロミック物質として、ＷＯ３を用いる場合には、次
の（１）式で表わされる酸化還元反応が起き発色する。
は、第１電極２と第２電極５の間に電圧を印加すること
により電気化学的反応が起き、発色、消色をする。この
発色機構は、例えば、エレクトロクロミック層６へのカ
チオンと電子のダブルインジェクションによるブロンズ
形成にあると一般的に言われている。例えば、エレクト
ロクロミック物質として、ＷＯ３を用いる場合には、次
の（１）式で表わされる酸化還元反応が起き発色する。
ＷＯ＋ｘＨ” ＋ ｘｅ″′″ＨｘＷ０５（１）５
← （１）式に従って、タングステンブロンズＨｘＷＯｓが
形成され発色するが、ここで印加電圧を逆転すれば消色
状態となる。
← （１）式に従って、タングステンブロンズＨｘＷＯｓが
形成され発色するが、ここで印加電圧を逆転すれば消色
状態となる。
本発明は、上述のように、導電体膜よシなる第１電極２
、陽極側発色層であるエレクトロクロミック層３、誘電
体膜からなる絶縁層４、導電体膜より成る第２電極５を
順次積層しく第１図）、或いは導電体膜よりなる第１電
極２、陽極側発色層であるエレクトロクロミック層３、
誘電体膜からなる絶縁層４、陰極側発色層である第２の
エレクトロクロミック層６、導電体膜より成る第２電極
５を順次積層しく第２図）てなる全固体型エレクトロク
ロミック素子を製造する際の、陽極側発色層であるエレ
クトロクロ？、／り層３を形成する際に、蒸発材料に炭
酸ニッケルを用いた時の製造方法に関するものであシ、
さらに詳しくは、蒸着方法及びその条件に関するもので
ある。
、陽極側発色層であるエレクトロクロミック層３、誘電
体膜からなる絶縁層４、導電体膜より成る第２電極５を
順次積層しく第１図）、或いは導電体膜よりなる第１電
極２、陽極側発色層であるエレクトロクロミック層３、
誘電体膜からなる絶縁層４、陰極側発色層である第２の
エレクトロクロミック層６、導電体膜より成る第２電極
５を順次積層しく第２図）てなる全固体型エレクトロク
ロミック素子を製造する際の、陽極側発色層であるエレ
クトロクロ？、／り層３を形成する際に、蒸発材料に炭
酸ニッケルを用いた時の製造方法に関するものであシ、
さらに詳しくは、蒸着方法及びその条件に関するもので
ある。
（５）
従来、上述のようなエレクトロクロミック素子を製造す
る際、陽極側エレクトロクロミック層であるエレクトロ
クロミック層３は、イリジウムＩｒやニッケルＮｌある
いはこれらの酸化物をターグットにした反応性ス・母ツ
タや陽極酸化膜方法で形成されることが報告されている
。
る際、陽極側エレクトロクロミック層であるエレクトロ
クロミック層３は、イリジウムＩｒやニッケルＮｌある
いはこれらの酸化物をターグットにした反応性ス・母ツ
タや陽極酸化膜方法で形成されることが報告されている
。
本発明は、上記の様な方法を用いず、別な方法でよシ性
能の良い膜を形成することを図ったもので、即ち、装置
として、反応性イオンブレーティング装置を用い、蒸着
材料に炭酸ニッケルを用いて、雰囲気をＨ２０蒸気また
はＨ２０蒸気と０２ガスで満たすことにより、所望のエ
レクトロクロＺ、り物質の膜を形成することを特徴とす
るものである。
能の良い膜を形成することを図ったもので、即ち、装置
として、反応性イオンブレーティング装置を用い、蒸着
材料に炭酸ニッケルを用いて、雰囲気をＨ２０蒸気また
はＨ２０蒸気と０２ガスで満たすことにより、所望のエ
レクトロクロＺ、り物質の膜を形成することを特徴とす
るものである。
本発明による方法を実施するのに使用される反応性イオ
ンブレーティング装置の一例を第３図に示す。図中、１
０は反応性イオンプレーティング装置本体、１１は拡散
ポンプ、１２は電子銃（ＥＢガン）、１３は傘、１４は
ＤＣバイアスを印加するＤＣバイアス源、１５は高周波
コイル（ＲＦコイル）、１６は■２０蒸気を供給するＨ
２Ｏ（６） 蒸気供給源、１７は０２ガ゛スを供給するガスデンベ、
１８および１９は二−ドルノ々ルプを示す。
ンブレーティング装置の一例を第３図に示す。図中、１
０は反応性イオンプレーティング装置本体、１１は拡散
ポンプ、１２は電子銃（ＥＢガン）、１３は傘、１４は
ＤＣバイアスを印加するＤＣバイアス源、１５は高周波
コイル（ＲＦコイル）、１６は■２０蒸気を供給するＨ
２Ｏ（６） 蒸気供給源、１７は０２ガ゛スを供給するガスデンベ、
１８および１９は二−ドルノ々ルプを示す。
次に、全固体型エレクトロクロミック素子を製造する本
発明の実施例について説明する。
発明の実施例について説明する。
実施例１
厚さ０．８順のガラス（Ｃｏｒｎｉｎｇ ７０５９ ）
の板よυなる基板１の上に、適当な引き出し電極部およ
びリード部を備えたＩＴＯ膜の第１電極２を形成し、こ
れを第３図に示す反応性イオンブレーティング装置１０
内に２０で示す如く設置し、蒸着材料にＮ％Ｃｏ３−４
Ｈ２０を用い、反応性イオンブレーティング方法によシ
、上記の第１電極２の上に、陽極側発色層であるエレク
トロクロミック層３の膜を形成した。
の板よυなる基板１の上に、適当な引き出し電極部およ
びリード部を備えたＩＴＯ膜の第１電極２を形成し、こ
れを第３図に示す反応性イオンブレーティング装置１０
内に２０で示す如く設置し、蒸着材料にＮ％Ｃｏ３−４
Ｈ２０を用い、反応性イオンブレーティング方法によシ
、上記の第１電極２の上に、陽極側発色層であるエレク
トロクロミック層３の膜を形成した。
反応性イオンブレーティング装置の使用条件は次の通シ
であった。
であった。
ＥＢガン１２ ６〜９ｋｖＲＦコイル１５
（５巻） １００〜３００ＷＤＣバイアス源１４
０．２〜１．ＯｋＶ蒸着条件は次の通シであった。
（５巻） １００〜３００ＷＤＣバイアス源１４
０．２〜１．ＯｋＶ蒸着条件は次の通シであった。
反応性イオンシレーティング装置内を真空とし、ニード
ルパルプ１８を開いてＨ２０蒸気供給源１６からＨ２０
蒸気を５．０ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒまで導入し、蒸着
速度を４．ＯＶｓｅｅとした。これによｐ １５００Ｘ
厚のエレクトロクロミック層３が形成された。このエレ
クトロクロミック層３は陽極側エレクトロクロばツク層
として作用するもので、Ｎｉ（ＯＨ）２の膜より成るも
のと考えられる。
ルパルプ１８を開いてＨ２０蒸気供給源１６からＨ２０
蒸気を５．０ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒまで導入し、蒸着
速度を４．ＯＶｓｅｅとした。これによｐ １５００Ｘ
厚のエレクトロクロミック層３が形成された。このエレ
クトロクロミック層３は陽極側エレクトロクロばツク層
として作用するもので、Ｎｉ（ＯＨ）２の膜より成るも
のと考えられる。
さらに、上記のエレクトロクロ＜ツク層３の膜の上に、
真空蒸着方法によシ、絶縁層４としてＴａ２０５の層を
３０００Ｘ１陰極側工レクトロクロミツク層６としてＷ
Ｏ３層を３０００１付けた。蒸着条件は真空度２．ＯＸ
１０−５Ｔｏｒｒ、蒸着速度１０ＶＢ ｅｅであった
。これらの膜上に、第２電極５として半透明導電Ａｕ膜
を３００Ｘ付けた。
真空蒸着方法によシ、絶縁層４としてＴａ２０５の層を
３０００Ｘ１陰極側工レクトロクロミツク層６としてＷ
Ｏ３層を３０００１付けた。蒸着条件は真空度２．ＯＸ
１０−５Ｔｏｒｒ、蒸着速度１０ＶＢ ｅｅであった
。これらの膜上に、第２電極５として半透明導電Ａｕ膜
を３００Ｘ付けた。
この様にして製作した、全固体型エレクトロクロミック
素子を第１電極と第２電極の間に、２．０■の電圧を印
加して駆動したところ、着色濃度が△０．０で０．４に
達するまでに７００ ｍ５ｅｃであった。
素子を第１電極と第２電極の間に、２．０■の電圧を印
加して駆動したところ、着色濃度が△０．０で０．４に
達するまでに７００ ｍ５ｅｃであった。
実施例２
実施例１と同様に、厚さ０，８ ｗｒｍのガラス（Ｃｏ
ｒｎｌｎｇ ７０５９ ）の板よりなる基板１の上に、
適当な引き出し電極部およびリード部を備えたＩＴＯ膜
の第１電極２を形成し、その膜上に、蒸着材料にＮｉＣ
Ｏ３・４Ｈ２０を用い、第３図に示す反応性イオンシレ
ーティング装置を使用して、第１電極２の上に陽極側発
色層であるエレクトロクロミック１３の膜を形成した。
ｒｎｌｎｇ ７０５９ ）の板よりなる基板１の上に、
適当な引き出し電極部およびリード部を備えたＩＴＯ膜
の第１電極２を形成し、その膜上に、蒸着材料にＮｉＣ
Ｏ３・４Ｈ２０を用い、第３図に示す反応性イオンシレ
ーティング装置を使用して、第１電極２の上に陽極側発
色層であるエレクトロクロミック１３の膜を形成した。
反応性イオンシレーティング装置の使用条件ハ実施例１
と同様であるが、蒸着条件は次の通りであったＯ 反応性イオンシレーティング装置内を真空とし、先ず、
ニードルパルプ１８を開いて、Ｈ２０蒸気供給源１６か
らＨ２０蒸気を３．ＯＸ １０−’Ｔｏｒｒまで導入シ
、ソの後、ニードルバルブ１８を閉じ、ニードルバルブ
１９を開いて０□Ｉス？／べ１７かう０□ガスを５．０
Ｘ ｌ Ｏ−’Ｔｏｒｒまで導入し、蒸着速度を４．
０ ’）７ｓｅｃとした。これによ凱約１５００１厚の
エレクトロクロミック層３が形成された。この（９） エレクトロクロミック層は陽極側発色層として作用する
もので、Ｎｉ（ＯＨ）２よシ成るものと考えられる。
と同様であるが、蒸着条件は次の通りであったＯ 反応性イオンシレーティング装置内を真空とし、先ず、
ニードルパルプ１８を開いて、Ｈ２０蒸気供給源１６か
らＨ２０蒸気を３．ＯＸ １０−’Ｔｏｒｒまで導入シ
、ソの後、ニードルバルブ１８を閉じ、ニードルバルブ
１９を開いて０□Ｉス？／べ１７かう０□ガスを５．０
Ｘ ｌ Ｏ−’Ｔｏｒｒまで導入し、蒸着速度を４．
０ ’）７ｓｅｃとした。これによ凱約１５００１厚の
エレクトロクロミック層３が形成された。この（９） エレクトロクロミック層は陽極側発色層として作用する
もので、Ｎｉ（ＯＨ）２よシ成るものと考えられる。
さらに、このエレクトロクロミック層３の膜の上に、真
空蒸着方法により、絶縁層であるＴａ２０５の層を３ｏ
ｏｏＬ第２工レクトロクロミツク層であるＷＯ３層を３
０００Ｘ付けた。蒸着条件は真空度２．ＯＸ １０−５
Ｔｏｒｒ ％蒸着速度１０Ｘ／ｓｅＣであった。これら
の膜上に、第２電極である半透明導電Ａｕ膜を３００１
付けた。
空蒸着方法により、絶縁層であるＴａ２０５の層を３ｏ
ｏｏＬ第２工レクトロクロミツク層であるＷＯ３層を３
０００Ｘ付けた。蒸着条件は真空度２．ＯＸ １０−５
Ｔｏｒｒ ％蒸着速度１０Ｘ／ｓｅＣであった。これら
の膜上に、第２電極である半透明導電Ａｕ膜を３００１
付けた。
この様にして製作した、全固体型エレクトロクロミック
素子を、第１電極と第２電極の間に、２、Ｏｖの電圧を
印加して駆動したところ、着色濃度が△ＯＤで０．４に
達するまでに７８０ ｍ５ｅｃであった。
素子を、第１電極と第２電極の間に、２、Ｏｖの電圧を
印加して駆動したところ、着色濃度が△ＯＤで０．４に
達するまでに７８０ ｍ５ｅｃであった。
実施例３
実施例１，２と同様にして、Ｎ ｉ ＣＯ５・４Ｈ２０
を蒸発材として、陽極側発色層であるエレクトロクロミ
ック層３を１００ＯＸ形成し、その上に絶縁層４として
Ｔａ２０５層を３０００１つけ、さらにその上ｔ１ｏ′
Ｘ に第２電極５として半透明Ａｕ膜を３００Ｘ付けた。
を蒸発材として、陽極側発色層であるエレクトロクロミ
ック層３を１００ＯＸ形成し、その上に絶縁層４として
Ｔａ２０５層を３０００１つけ、さらにその上ｔ１ｏ′
Ｘ に第２電極５として半透明Ａｕ膜を３００Ｘ付けた。
この様にして製作した、全固体型エレクトロクロミック
素子に２．２ｖの電圧を印加して駆動したところ、着色
濃度が△０．Ｄで０．３に達するまで７００ｍａａｏで
あった０
素子に２．２ｖの電圧を印加して駆動したところ、着色
濃度が△０．Ｄで０．３に達するまで７００ｍａａｏで
あった０
第１図および第２図は、本発明方法により製造される全
固体型エレクトロクロミック素子の２つの例を示す断面
図、第３図は本発明方法を実施するに使用される反応性
イオンプレーティング装置を示す概略図である。 １・・・基板、 ２・・・第１電極、３・・
・エレクトロクロミック層、 ４・・・絶縁層、 ５・・・第２電極、６・・
・エレクトロクロミック層、 １０・・・反応性イオンブレーティング装置の本体、１
１・・・拡散ポンプ、 １２・・・電子銃（ＥＢガン
）、１３・・・傘、 １４・・・ＤＣバイア
ス源、１５・・・高周波ｌル（ＲＦコイル）、１６・・
・Ｈ２０蒸気供給源、 １７・・・０□ガス？ンペ、 １８．１９・・・ニードルパルプ。 本 多 小 平−゛ （ｋ １６８−
固体型エレクトロクロミック素子の２つの例を示す断面
図、第３図は本発明方法を実施するに使用される反応性
イオンプレーティング装置を示す概略図である。 １・・・基板、 ２・・・第１電極、３・・
・エレクトロクロミック層、 ４・・・絶縁層、 ５・・・第２電極、６・・
・エレクトロクロミック層、 １０・・・反応性イオンブレーティング装置の本体、１
１・・・拡散ポンプ、 １２・・・電子銃（ＥＢガン
）、１３・・・傘、 １４・・・ＤＣバイア
ス源、１５・・・高周波ｌル（ＲＦコイル）、１６・・
・Ｈ２０蒸気供給源、 １７・・・０□ガス？ンペ、 １８．１９・・・ニードルパルプ。 本 多 小 平−゛ （ｋ １６８−
Claims (1)
- 導電体膜より成る第１電極と、陽極側発色層であるエレ
クトロクロミック層と、誘電体膜からなる絶縁層と、導
電体膜よシなる第２電極を順次積層し、或いは上記の絶
縁層と第２電極の間にさらに陰極側発色層であるエレク
トロクロミック層を積層してなる全固体型エレクトロク
ロミック素子を製造する方法において、上記の陽極側発
色層であるエレクトロクロミック層を積層するにあたシ
、蒸発材として炭酸ニッケル、導入ガスとしてに２０蒸
気またはＨ２０蒸気および０２ガスを用いて、イオンル
−ティング装置によシエレクトロクロミック層を形成す
ることを特徴とする全固体型エレクトロクロミック素子
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57231423A JPS59121026A (ja) | 1982-12-27 | 1982-12-27 | 全固体型エレクトロクロミツク素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57231423A JPS59121026A (ja) | 1982-12-27 | 1982-12-27 | 全固体型エレクトロクロミツク素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59121026A true JPS59121026A (ja) | 1984-07-12 |
Family
ID=16923345
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57231423A Pending JPS59121026A (ja) | 1982-12-27 | 1982-12-27 | 全固体型エレクトロクロミツク素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59121026A (ja) |
-
1982
- 1982-12-27 JP JP57231423A patent/JPS59121026A/ja active Pending
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