JPS59104626A - 全固体型エレクトロクロミツク素子の製造方法 - Google Patents
全固体型エレクトロクロミツク素子の製造方法Info
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- JPS59104626A JPS59104626A JP57214286A JP21428682A JPS59104626A JP S59104626 A JPS59104626 A JP S59104626A JP 57214286 A JP57214286 A JP 57214286A JP 21428682 A JP21428682 A JP 21428682A JP S59104626 A JPS59104626 A JP S59104626A
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- Japan
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- electrochromic
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/15—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect
- G02F1/1514—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect characterised by the electrochromic material, e.g. by the electrodeposited material
- G02F1/1523—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect characterised by the electrochromic material, e.g. by the electrodeposited material comprising inorganic material
- G02F1/1524—Transition metal compounds
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電気化学的発消色現象すなわちエレクトロクロ
ミック現象を利用したエレクトロクロミック素子の製造
方法に関するものである。
ミック現象を利用したエレクトロクロミック素子の製造
方法に関するものである。
エレクトロクロミック現象とは、電圧を加えた時に酸化
還元反応によシ物質に色が付く現象を指す。このような
エレクトロクロミック現象を利用する市、気化学的発消
色素子すなわちエレクトロクロミック素子は、例えば数
字表示素子、ｘ−ｙマトリックスディスプレイ、光学シ
ャッタ、絞）機構等に応用できるもので、その材料で分
類すると液体型と固体型に分けられるが、本発明は特に
全固体型のエレクトロクロミック素子に関するものであ
る〇 エレクトロクロミック現象を利用した全固体型エレクト
ロクロミック素子の２つの例を第１図および第２図に示
す。
還元反応によシ物質に色が付く現象を指す。このような
エレクトロクロミック現象を利用する市、気化学的発消
色素子すなわちエレクトロクロミック素子は、例えば数
字表示素子、ｘ−ｙマトリックスディスプレイ、光学シ
ャッタ、絞）機構等に応用できるもので、その材料で分
類すると液体型と固体型に分けられるが、本発明は特に
全固体型のエレクトロクロミック素子に関するものであ
る〇 エレクトロクロミック現象を利用した全固体型エレクト
ロクロミック素子の２つの例を第１図および第２図に示
す。
第１図に示すエレクトロクロミック素子は透明な基板１
の上に、透明導電体腔よシなる第１の電極２と、陽極側
発色層であるエレクトロクロミック層３と、誘電体膜よ
シなる絶縁層４と、誘電体膜よシなる第２の電極５とを
順次に積層することによって構成されたものである。
の上に、透明導電体腔よシなる第１の電極２と、陽極側
発色層であるエレクトロクロミック層３と、誘電体膜よ
シなる絶縁層４と、誘電体膜よシなる第２の電極５とを
順次に積層することによって構成されたものである。
また、第２図に示すエレクトロクロミック素子は、第１
図に′示すエレクトロクロミック層３の外に、さらに、
陰極側発色層であるエレクトロクロミックｗｉ６を設け
たもので、透明な基板１の上に、透明導電体膜よりなる
第１の電極２と、陽極側発色層である第１エレクトロク
ロミック層３と、誘雷１体膜よりなる絶縁層４と、陰極
側発色層である第２エレクトロクロミック層６と、導電
体膜よシなる第２の電極５とを順次に積層することによ
りて構成される。
図に′示すエレクトロクロミック層３の外に、さらに、
陰極側発色層であるエレクトロクロミックｗｉ６を設け
たもので、透明な基板１の上に、透明導電体膜よりなる
第１の電極２と、陽極側発色層である第１エレクトロク
ロミック層３と、誘雷１体膜よりなる絶縁層４と、陰極
側発色層である第２エレクトロクロミック層６と、導電
体膜よシなる第２の電極５とを順次に積層することによ
りて構成される。
上記の構造において、基板１は一般的にガラス板によっ
て形成されるが、これはガラス板に限らず、シラスチッ
ク板またはアクリル板等の透明な板ならばよく、また、
その位置に関しても、第１電極２の下ではなく、第２電
極５の上に設けてもよいし、目的に応じて（例えば、保
護力・ぐ−とするなどの目的で）両側に設けてもよい。
て形成されるが、これはガラス板に限らず、シラスチッ
ク板またはアクリル板等の透明な板ならばよく、また、
その位置に関しても、第１電極２の下ではなく、第２電
極５の上に設けてもよいし、目的に応じて（例えば、保
護力・ぐ−とするなどの目的で）両側に設けてもよい。
ただし、これらの場合には、第２電極５を透明導電膜と
したり、両方の電極とも透明導電膜にする必要がある。
したり、両方の電極とも透明導電膜にする必要がある。
第２電極も透明電極とすれば、素子を透明型として使用
できる。このような透、明導電膜としては、■ＴＯ膜（
酸化インジウムＩ ｎ ２０’ｓ中に酸化錫Ｓ ｎＯ２
を５幅程度含むもの）やネサ膜等が使用される。
できる。このような透、明導電膜としては、■ＴＯ膜（
酸化インジウムＩ ｎ ２０’ｓ中に酸化錫Ｓ ｎＯ２
を５幅程度含むもの）やネサ膜等が使用される。
陽極側発色層である第１のエレクトロミック層３は、酸
化クロム（Ｃｒ ２０３ ） 、水酸化イリジウム（Ｉ
ｒ（ｏＨ）２）、水酸化＝ｙケル（Ｎｉ （ＯＨ）２
）等を用いて形成する。誘電体膜である絶縁層４には、
二酸化ジルコン（Ｚ ｒＯ２） 、酸化ケイ素（Ｓｉｎ
）、五酸化タンタル（ＴＩＬ２０ｓ）等に代表される酸
化物、あるいはフッ化リチウム（ＬｉＦ） 、フッ化マ
グネシウム（ＭｇＦ２）等に代表されるフッ化物が用い
られる。また、陰極側発色層であるエレクトロクロミッ
ク層６は、二酸化タングステン（Ｗｏ□）、三酸化タン
グステン（ＷＯ３）、二酸化モリブデン（Ｍｏ Ｏ２）
、三酸化モリブデン（ＭｏＯｓ ）、五酸化バナジウ
ム（ｖ２０５）、等を用いて形成する。
化クロム（Ｃｒ ２０３ ） 、水酸化イリジウム（Ｉ
ｒ（ｏＨ）２）、水酸化＝ｙケル（Ｎｉ （ＯＨ）２
）等を用いて形成する。誘電体膜である絶縁層４には、
二酸化ジルコン（Ｚ ｒＯ２） 、酸化ケイ素（Ｓｉｎ
）、五酸化タンタル（ＴＩＬ２０ｓ）等に代表される酸
化物、あるいはフッ化リチウム（ＬｉＦ） 、フッ化マ
グネシウム（ＭｇＦ２）等に代表されるフッ化物が用い
られる。また、陰極側発色層であるエレクトロクロミッ
ク層６は、二酸化タングステン（Ｗｏ□）、三酸化タン
グステン（ＷＯ３）、二酸化モリブデン（Ｍｏ Ｏ２）
、三酸化モリブデン（ＭｏＯｓ ）、五酸化バナジウ
ム（ｖ２０５）、等を用いて形成する。
この様な構造をもつ全固体型エレクトロクロミック素子
は、第１電極２と第２電極５０間に電圧を印加すること
により電気化学的反応が起き、発色、消色をする。この
発色機構は、例えば、エレクトロクロミック層６へのカ
チオンと電子のダブルインジェクションによるブロンズ
形成にあると一般的に言われている。例えば、そのエレ
クトロクロミック物質として、ＷＯ３を用いる場合には
、次の（１）式で表わされる酸化還元反応が起き発色す
る。
は、第１電極２と第２電極５０間に電圧を印加すること
により電気化学的反応が起き、発色、消色をする。この
発色機構は、例えば、エレクトロクロミック層６へのカ
チオンと電子のダブルインジェクションによるブロンズ
形成にあると一般的に言われている。例えば、そのエレ
クトロクロミック物質として、ＷＯ３を用いる場合には
、次の（１）式で表わされる酸化還元反応が起き発色す
る。
ＷＯ＋ ｘＨ＋＋ ｘｅ−″ ＨｘＷＤ （１
）３ ←
３（１）式に従って、タングステンブロンズＨｘＷＯ
ｓ １１’形成され発色するが、ここで印加電圧を逆転
すれば消色状態となる。
）３ ←
３（１）式に従って、タングステンブロンズＨｘＷＯ
ｓ １１’形成され発色するが、ここで印加電圧を逆転
すれば消色状態となる。
（１）式のこの様ガ反応は、全固体型エレクトロクロミ
ック素子においては、素子内部の絶縁層によってゾロト
ン肋が供給され着色する。
ック素子においては、素子内部の絶縁層によってゾロト
ン肋が供給され着色する。
本発明は、上述のように導電体膜よシなる第１の電極２
と、陽極側発色層であるエレクトロクロミック層３と、
お電体膜よシなる絶縁層４と、導電体膜よシなる第２の
電！！！、５とを順次に積層しく第１図）、或いは導電
体膜よりなる第１の電極２と、陽極側発光層である第１
のエレクトロクロミック層３と、誘電体膜よりなる絶縁
層４と、陰極側発光層である第２のエレクトロクロミッ
ク層６と、導電体膜よシなる第２の電極５とを順次に積
層してなる全固体型エレクトロクロミック素子を製造す
る際における、陽極側発色層でおるエレクトロクロミッ
ク□層３を形成する際に、蒸着材料に金属Ｎｉを用いた
時の製造方法に関するものであり、さらに詳しくはその
蒸着方法及びその条件に関するものである。
と、陽極側発色層であるエレクトロクロミック層３と、
お電体膜よシなる絶縁層４と、導電体膜よシなる第２の
電！！！、５とを順次に積層しく第１図）、或いは導電
体膜よりなる第１の電極２と、陽極側発光層である第１
のエレクトロクロミック層３と、誘電体膜よりなる絶縁
層４と、陰極側発光層である第２のエレクトロクロミッ
ク層６と、導電体膜よシなる第２の電極５とを順次に積
層してなる全固体型エレクトロクロミック素子を製造す
る際における、陽極側発色層でおるエレクトロクロミッ
ク□層３を形成する際に、蒸着材料に金属Ｎｉを用いた
時の製造方法に関するものであり、さらに詳しくはその
蒸着方法及びその条件に関するものである。
従来、上述のようなエレクトロクロミック素子を製造す
る際には、陽極側発色層であるエレクトロクロミック層
３は、ＩｒやＮｉあるいは、これらの酸化物をターダッ
トにした反応性スフ９ツタや陽極酸化膜方法で形成され
るがこれらの膜板外のものは、蒸着機を特に電子銃（Ｅ
Ｂがン）を用いて蒸着させることによって形成されるこ
とが多い。
る際には、陽極側発色層であるエレクトロクロミック層
３は、ＩｒやＮｉあるいは、これらの酸化物をターダッ
トにした反応性スフ９ツタや陽極酸化膜方法で形成され
るがこれらの膜板外のものは、蒸着機を特に電子銃（Ｅ
Ｂがン）を用いて蒸着させることによって形成されるこ
とが多い。
この為、素子を製造する過程において、エレクトロクロ
ミック層３を形成する為には、わざわざ被蒸着物をスパ
ッタ等の機器に移動しなければならず、この際にゴミ等
の不純物が付着する可能性が高く寿り、歩留り等に悪影
響を及はす。
ミック層３を形成する為には、わざわざ被蒸着物をスパ
ッタ等の機器に移動しなければならず、この際にゴミ等
の不純物が付着する可能性が高く寿り、歩留り等に悪影
響を及はす。
本発明は、上述のような従来の全固体型エレクトロクロ
ミック素子の製造方法における欠点を改善し、性能を安
定化し向上させた全固体型エレクトロクロミック素子を
製造する方法を提供しようとするものである。
ミック素子の製造方法における欠点を改善し、性能を安
定化し向上させた全固体型エレクトロクロミック素子を
製造する方法を提供しようとするものである。
本発明による全固体型エレクトロクロミック素子の製造
方法における特徴は、上記の陽極側発色層であるエレク
トロクロミック層３を積層するにあたり、蒸着材料とし
て金属Ｎｉ、導入ガスとしてＨ２０蒸気および０２ガス
を用いてイオンブレーティング装置によりエレクトロク
ロミック層を形成することにある。
方法における特徴は、上記の陽極側発色層であるエレク
トロクロミック層３を積層するにあたり、蒸着材料とし
て金属Ｎｉ、導入ガスとしてＨ２０蒸気および０２ガス
を用いてイオンブレーティング装置によりエレクトロク
ロミック層を形成することにある。
本発明による方法を実施するのに使用されるイオンシレ
ーティング装置の一例を第３図に示す。
ーティング装置の一例を第３図に示す。
図中、１０はイオンシレーティング装置の本体、１１は
拡散ポンプ、１２は電子銃（ＥＢガン）、１３は傘、１
４はＤＣバイアスを印加するＤ Ｃ−Ｊイアス源、１５
は高周波コイル（ＲＦコイル）、１６はＨ２０蒸気を供
給するＨ２０蒸気供給源、１７は０□ガスを供給するガ
スゼンペ、１８．１９はニードルバルブを示す。
拡散ポンプ、１２は電子銃（ＥＢガン）、１３は傘、１
４はＤＣバイアスを印加するＤ Ｃ−Ｊイアス源、１５
は高周波コイル（ＲＦコイル）、１６はＨ２０蒸気を供
給するＨ２０蒸気供給源、１７は０□ガスを供給するガ
スゼンペ、１８．１９はニードルバルブを示す。
次に、全固体型エレクトロクロミック素子を製造する本
発明方法の実施例について説明する。
発明方法の実施例について説明する。
実施例１
厚さ０８ｍのガラス（Ｃｏｒｎｉｎｇ ７０５９ ）の
板よシなる基板１の上に、適当な引き出し電極部および
リード部を備えたＩＴＯＭの第１電極２を形成し、これ
を第３図に示すイオンシレーティング装置１０内に２０
で示す如く設置しＮｉを蒸着材としてイオンシレーティ
ング方法によシ第１電極２の上に、陽極側発色層である
エレクトロクロミック層３の約１５００又の厚さ′の膜
を形成した。
板よシなる基板１の上に、適当な引き出し電極部および
リード部を備えたＩＴＯＭの第１電極２を形成し、これ
を第３図に示すイオンシレーティング装置１０内に２０
で示す如く設置しＮｉを蒸着材としてイオンシレーティ
ング方法によシ第１電極２の上に、陽極側発色層である
エレクトロクロミック層３の約１５００又の厚さ′の膜
を形成した。
イオンブレーティング装置の使用の条件は次のとおシで
あった。
あった。
ＥＢガン１２ ６〜９ｋｖＲＦコイル（
５巻）１５ １００〜３００ＷＤＣバイアス源１４
、 ０．２〜１．０ｋＶ蒸着条件は次の通シであった
。イオンシレーティング装置１０内を真空とし、先ず、
Ｈ２０蒸気供給源１６からＨ２０蒸気を３． ＯＸ’Ｉ
Ｏ−’ Ｔｏｒｒまで導入し、次に０２がス？ンペ１
７から０２ガスを５．０×１０” Ｔｏｒｒまで導入し
た。蒸着速度は１．２Ｘ／ ｓｅｔであった。これによ
シ、約１５００Ｘの水酸化ニッケル（Ｎ ｉ （ＯＨ）
２ ）のエレクトロクロミック層３が形成された。こ
の膜の上に、絶縁層４としてＴａ ２０ ｓをＥＢガン
により３０００人付けた。さらにこの上に第２電極５と
して、半透明導電ＡｕＣ膜を３００又付けた。
５巻）１５ １００〜３００ＷＤＣバイアス源１４
、 ０．２〜１．０ｋＶ蒸着条件は次の通シであった
。イオンシレーティング装置１０内を真空とし、先ず、
Ｈ２０蒸気供給源１６からＨ２０蒸気を３． ＯＸ’Ｉ
Ｏ−’ Ｔｏｒｒまで導入し、次に０２がス？ンペ１
７から０２ガスを５．０×１０” Ｔｏｒｒまで導入し
た。蒸着速度は１．２Ｘ／ ｓｅｔであった。これによ
シ、約１５００Ｘの水酸化ニッケル（Ｎ ｉ （ＯＨ）
２ ）のエレクトロクロミック層３が形成された。こ
の膜の上に、絶縁層４としてＴａ ２０ ｓをＥＢガン
により３０００人付けた。さらにこの上に第２電極５と
して、半透明導電ＡｕＣ膜を３００又付けた。
この様にして製造した全固体型エレクトロクロミック素
子は着色濃度がΔ０．Ｄで０．４３に達するまでに約８
００ ｍ５ｅｃでおった。駆動電圧は２．ＯＶである。
子は着色濃度がΔ０．Ｄで０．４３に達するまでに約８
００ ｍ５ｅｃでおった。駆動電圧は２．ＯＶである。
上記の方法においては、Ｈ２０蒸気と０２ガスを別別の
導入口から入れたが、０２がスをキャリアとして、Ｈ２
０ガスをペルジャー内に導入しても同様の結果が得られ
た。
導入口から入れたが、０２がスをキャリアとして、Ｈ２
０ガスをペルジャー内に導入しても同様の結果が得られ
た。
実施例２
実施例１と同様に、厚さ０．８ｍのガラス（Ｃｏｒｎｉ
ｎｇ７０５９）の板よシなる基板１の上に適当な引き出
し電極部およびリード部を備えたＩＴＯ膜の第１電極２
を形成し、これを第３図に示すイオンプレーディング装
置１０内に２０で示す如く設置しＮｉを蒸着材としてイ
オンブレーティング方法によシ第１電極２の上に、陽極
側発色層であるエレクトロクロミックス層３の約１５０
０Ｘの厚さの膜を形成した。イオンシレーティング装置
の使用の条件は実施例１と同様であった。
ｎｇ７０５９）の板よシなる基板１の上に適当な引き出
し電極部およびリード部を備えたＩＴＯ膜の第１電極２
を形成し、これを第３図に示すイオンプレーディング装
置１０内に２０で示す如く設置しＮｉを蒸着材としてイ
オンブレーティング方法によシ第１電極２の上に、陽極
側発色層であるエレクトロクロミックス層３の約１５０
０Ｘの厚さの膜を形成した。イオンシレーティング装置
の使用の条件は実施例１と同様であった。
蒸着条件は次のとお一シであった。イオンシレーティン
グ装置１０内を真空とし、先ず、Ｈ２０蒸気供給源１６
からＨ２０蒸気を３．ＯＸ １０ Ｔｏｒｒまで導入
し、次に０□がスデンペ１７から０□がスを５、ＯＸ
Ｉ Ｑ”−’ Ｔｏｒｒまで導入した。蒸着速度はＱ、
９Ｘ／ｓｅＣであった。これによシ、約１５００１の
水酸化ニッケル（Ｎｉ （ＯＨ）２）のエレクトロクロ
ミック層３が形成された。この膜の上に、絶縁層４とし
てＴａ ２０ ｓを３０００Ｘ付け、さらにこの上に第
２霜極５として、半透明導電ＡｕＣ膜を３００Ｘ付けた
。
グ装置１０内を真空とし、先ず、Ｈ２０蒸気供給源１６
からＨ２０蒸気を３．ＯＸ １０ Ｔｏｒｒまで導入
し、次に０□がスデンペ１７から０□がスを５、ＯＸ
Ｉ Ｑ”−’ Ｔｏｒｒまで導入した。蒸着速度はＱ、
９Ｘ／ｓｅＣであった。これによシ、約１５００１の
水酸化ニッケル（Ｎｉ （ＯＨ）２）のエレクトロクロ
ミック層３が形成された。この膜の上に、絶縁層４とし
てＴａ ２０ ｓを３０００Ｘ付け、さらにこの上に第
２霜極５として、半透明導電ＡｕＣ膜を３００Ｘ付けた
。
この様にして製造した全固体型エレクトロクロき
ミック素子は着色濃度がΔＯ，Ｄで０．３に達するまで
に約７８０２ｎａｅｃ であった。駆動電圧は２．ＯＶ
である。
に約７８０２ｎａｅｃ であった。駆動電圧は２．ＯＶ
である。
上記の方法においては、Ｈ２０ガスと０２ガスを別別の
導入口から入れたが、０□ガスをキャリアとして、Ｈ２
Ｏがスをペルジャー内に導入しても同様の結果が得られ
た。
導入口から入れたが、０□ガスをキャリアとして、Ｈ２
Ｏがスをペルジャー内に導入しても同様の結果が得られ
た。
第１図および第２図は、本発明方法により製造される全
固体型エレクトロクロミック素子の２つの例を示す断面
図、第３図は本発明方法に使用されるイオンシレーティ
ング装置を示す概略図である。 １・・・基板 ２・・・第１電極３・・・
エレクトロクロミック層 ４・・・絶縁層 ５・・・第２電極６・・・
エレクトロクロミック層 １０・・・イオングレーティング装置本体１１・・・拡
散ポンプ １２・・・電子銃（ＥＢガン） １３・・・傘 １４・・・ＤＣバイアス源
１５・・・高周波コイル（ＲＦコイル）１６・・・Ｈ２
０蒸気供給源 １７・・・０２がスボンベ１８．１９・
・・ニードルバルブ 新部興悼１ と−二１ 第１β１ 第２図 第３図
固体型エレクトロクロミック素子の２つの例を示す断面
図、第３図は本発明方法に使用されるイオンシレーティ
ング装置を示す概略図である。 １・・・基板 ２・・・第１電極３・・・
エレクトロクロミック層 ４・・・絶縁層 ５・・・第２電極６・・・
エレクトロクロミック層 １０・・・イオングレーティング装置本体１１・・・拡
散ポンプ １２・・・電子銃（ＥＢガン） １３・・・傘 １４・・・ＤＣバイアス源
１５・・・高周波コイル（ＲＦコイル）１６・・・Ｈ２
０蒸気供給源 １７・・・０２がスボンベ１８．１９・
・・ニードルバルブ 新部興悼１ と−二１ 第１β１ 第２図 第３図
Claims (1)
- 導電体膜よシなる第１の電極と、陽極側発色層であるエ
レクトロクロミック層と、誘電体膜からなる絶縁層と、
導電体膜からなる第２の電極とを順次に積層し、或いは
上記の絶縁層と第２の電極との間に、さらに陰極側発色
層であるエレクトロクロミック層を積層してなる全固体
型エレクトロクロミック素子を製造する方法において、
上記の陽極側発色層でおるエレクトロクロミック層を積
層するにあたシ、蒸発材として金属Ｎｉ 、導入ガスと
してＨ２０蒸気および０゜ガスを用いて、イオンブレー
ティング装置によシエレクトロクロミック層を形成する
ことを特徴とする全固体型エレクトロクロミック素子の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57214286A JPS59104626A (ja) | 1982-12-07 | 1982-12-07 | 全固体型エレクトロクロミツク素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57214286A JPS59104626A (ja) | 1982-12-07 | 1982-12-07 | 全固体型エレクトロクロミツク素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59104626A true JPS59104626A (ja) | 1984-06-16 |
Family
ID=16653209
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57214286A Pending JPS59104626A (ja) | 1982-12-07 | 1982-12-07 | 全固体型エレクトロクロミツク素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59104626A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61250634A (ja) * | 1985-04-30 | 1986-11-07 | Toshiba Corp | パタ−ン形成材料 |
| CN112210754A (zh) * | 2020-08-31 | 2021-01-12 | 基迈克材料科技（苏州）有限公司 | 电致变色膜系的制备方法及电致变色器件的制备方法 |
-
1982
- 1982-12-07 JP JP57214286A patent/JPS59104626A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61250634A (ja) * | 1985-04-30 | 1986-11-07 | Toshiba Corp | パタ−ン形成材料 |
| CN112210754A (zh) * | 2020-08-31 | 2021-01-12 | 基迈克材料科技（苏州）有限公司 | 电致变色膜系的制备方法及电致变色器件的制备方法 |
| CN112210754B (zh) * | 2020-08-31 | 2022-12-06 | 基迈克材料科技（苏州）有限公司 | 电致变色膜系的制备方法及电致变色器件的制备方法 |
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