JPS59109030A - 全固体型エレクトロクロミツク素子の製造方法 - Google Patents
全固体型エレクトロクロミツク素子の製造方法Info
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- JPS59109030A JPS59109030A JP57218731A JP21873182A JPS59109030A JP S59109030 A JPS59109030 A JP S59109030A JP 57218731 A JP57218731 A JP 57218731A JP 21873182 A JP21873182 A JP 21873182A JP S59109030 A JPS59109030 A JP S59109030A
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- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電気化学的発消色現象すなわちエレクトロクロ
ミ、り現象を利用したエレクトロクロミ、り素子の製造
方法に関するものである。
ミ、り現象を利用したエレクトロクロミ、り素子の製造
方法に関するものである。
エレクトロクロミ、り現象とは、電圧を加えた時に酸化
還元反応により物質に色が付く現象を指す。このような
エレクトロクロミック現象を利用する電気化学的発消色
素子すなわちエレクトロクロミック素子は、例えば、数
字表示素子、Ｘ−Ｙマトリクスディスプレイ、光学シャ
ッタ、絞９機構等に応用できるもので、その材料で分類
すると液体型と固体型に分けられるが、本発明は特に全
固体型のエレクトロクロミック素子に関するものである
。
還元反応により物質に色が付く現象を指す。このような
エレクトロクロミック現象を利用する電気化学的発消色
素子すなわちエレクトロクロミック素子は、例えば、数
字表示素子、Ｘ−Ｙマトリクスディスプレイ、光学シャ
ッタ、絞９機構等に応用できるもので、その材料で分類
すると液体型と固体型に分けられるが、本発明は特に全
固体型のエレクトロクロミック素子に関するものである
。
エレクトロクロミ、り現象を利用した全固体型エレクト
ロクロミ、り素子の２つの例をＭ１図および第２図に示
す。
ロクロミ、り素子の２つの例をＭ１図および第２図に示
す。
第１図に示すエレクトロクロミック素子は、透明な基板
１の上に、透明導電体膜よシなる第１′電極２、陽極側
発色層であるエレクトロクロミック層３、誘電体膜から
なる絶縁層４、導電体膜より成る第２電極５を順次積層
してなるものである。
１の上に、透明導電体膜よシなる第１′電極２、陽極側
発色層であるエレクトロクロミック層３、誘電体膜から
なる絶縁層４、導電体膜より成る第２電極５を順次積層
してなるものである。
また、第２図に示すエレクトロクロミック素子は、第１
図に示す構造における絶縁層４と第２電極５との間に、
さらに、陰極側発色層である第２のエレクトロクロミッ
ク層６を積層したものである。
図に示す構造における絶縁層４と第２電極５との間に、
さらに、陰極側発色層である第２のエレクトロクロミッ
ク層６を積層したものである。
上記の構造において、基板１は一般的にガラス板によっ
て形成されるが、これはガラス板に限らず、プラスチッ
ク板またはアクリル板等の透明な板ならばよく、まだ、
その位置に関しても、第１電極２の下ではなく、第２電
極５の上にあってもよいし、目的に応じて（例えば、保
護カバーとするなどの目的で）両側に設けてもよい。た
だし、これらの場合に応じて、第２電極５を透明４電膜
にしたり、両側の電極とも透明導電膜にする必要がある
。両方の電極を透明電極とすれば素子を透明型として使
用できる。この様な透ＦｉＡ導電膜としては、ＩＴＯ膜
（酸化インジウムＩｎ２Ｏ，中に酸化錫Ｓ ｎ Ｏ２を
５％前後含む）やネサ膜等が用いられる。
て形成されるが、これはガラス板に限らず、プラスチッ
ク板またはアクリル板等の透明な板ならばよく、まだ、
その位置に関しても、第１電極２の下ではなく、第２電
極５の上にあってもよいし、目的に応じて（例えば、保
護カバーとするなどの目的で）両側に設けてもよい。た
だし、これらの場合に応じて、第２電極５を透明４電膜
にしたり、両側の電極とも透明導電膜にする必要がある
。両方の電極を透明電極とすれば素子を透明型として使
用できる。この様な透ＦｉＡ導電膜としては、ＩＴＯ膜
（酸化インジウムＩｎ２Ｏ，中に酸化錫Ｓ ｎ Ｏ２を
５％前後含む）やネサ膜等が用いられる。
上記の構造において、陽極側発色層である第１のエレク
トロクロミ、り層３は、酸化クロム（０，２０５） 、
水酸化イリジウム（Ｉｒ（ＯＨ）２）Ｓ水酸化二、ケル
（Ｎｉ （ＯＨ） ２）等を用いて形成する。誘電体か
らなる絶縁ｒ＠４は、二酸化ジルコン（ｚｒＯ２）、酸
化ケイ素（Ｓｉｎ） 、二酸化ケイ素（Ｓｉｎ２） 、
五酸化タンタル（Ｔａ２ｏｓ）等に代表される酸化物、
あるいはフッ化リチウム（ＬｉＦ） 、フッ化マグネシ
ウム（ＭｇＦ２）等に代表されるフ、化物を用いて形成
する。また、陰極側発色層であるエレクトロクロミック
層３は、二酸化タングステン（ＷＯ２）、三酸化タング
ステン（ＷＯ５）、二酸化モリブデン（ＭＯＯ２）、三
酸化モリブデン（ＭｏＯ３） 、五酸化バナジウム（■
２０５）等を用いて形成する。
トロクロミ、り層３は、酸化クロム（０，２０５） 、
水酸化イリジウム（Ｉｒ（ＯＨ）２）Ｓ水酸化二、ケル
（Ｎｉ （ＯＨ） ２）等を用いて形成する。誘電体か
らなる絶縁ｒ＠４は、二酸化ジルコン（ｚｒＯ２）、酸
化ケイ素（Ｓｉｎ） 、二酸化ケイ素（Ｓｉｎ２） 、
五酸化タンタル（Ｔａ２ｏｓ）等に代表される酸化物、
あるいはフッ化リチウム（ＬｉＦ） 、フッ化マグネシ
ウム（ＭｇＦ２）等に代表されるフ、化物を用いて形成
する。また、陰極側発色層であるエレクトロクロミック
層３は、二酸化タングステン（ＷＯ２）、三酸化タング
ステン（ＷＯ５）、二酸化モリブデン（ＭＯＯ２）、三
酸化モリブデン（ＭｏＯ３） 、五酸化バナジウム（■
２０５）等を用いて形成する。
この様な構造をもつ全固体型エレクトロクロミック素子
は、第１電極２と第２電極５の間に電圧を印加すること
により電気化学的反応が起き、発色、消色をする。この
発色機構は、例えば、エレクトロクロミック層６へのカ
チオンと電子のダブル９ンジエクシヨンによるブロンズ
形成にあると一般的に言われている。例えば、エレクト
ロクロミック物質として、ＷＯ３を用いる場合には、次
の（１）式で表わされる酸化還元反応が起き発色する。
は、第１電極２と第２電極５の間に電圧を印加すること
により電気化学的反応が起き、発色、消色をする。この
発色機構は、例えば、エレクトロクロミック層６へのカ
チオンと電子のダブル９ンジエクシヨンによるブロンズ
形成にあると一般的に言われている。例えば、エレクト
ロクロミック物質として、ＷＯ３を用いる場合には、次
の（１）式で表わされる酸化還元反応が起き発色する。
ＷＯ５＋ｘＨ＋ｘｅ−＃ ＨｘＷＯ５（１）（１）式に
従って、タングステンブロンズＨＸＷ０３が形成され発
色するが、ここで印加電圧を逆転すれば消色状態となる
。
従って、タングステンブロンズＨＸＷ０３が形成され発
色するが、ここで印加電圧を逆転すれば消色状態となる
。
本発明は、上述のように、導電体膜よりなる第１電極２
、陽極側発色層であるエレクトロクロミック層３、透電
体膜からなる絶縁層４、導電体膜よシ成る第２電極５を
順次積層しく第１図）、或いは導電体膜よりなる第１電
極２、陽極側発色層であるエレクトロクロミック層３、
誘電体膜からなる絶縁層４、陰極側発色層である第２の
エレクトロクロミック層６、導電体膜よシ成る第２電極
５を順次積層しく第２図）てなる全固体型エレクトロク
ロミック素子を製造する際の、陽極側発色層であるエレ
クトロクロミック層３を形成する際に、蒸発材料にＩｒ
Ｏや工ｒ２０３等のイリジウム酸化物を用いた時の製造
方法に関するものであり、さらに詳しくは、蒸着方法及
びその条件に関するものである。
、陽極側発色層であるエレクトロクロミック層３、透電
体膜からなる絶縁層４、導電体膜よシ成る第２電極５を
順次積層しく第１図）、或いは導電体膜よりなる第１電
極２、陽極側発色層であるエレクトロクロミック層３、
誘電体膜からなる絶縁層４、陰極側発色層である第２の
エレクトロクロミック層６、導電体膜よシ成る第２電極
５を順次積層しく第２図）てなる全固体型エレクトロク
ロミック素子を製造する際の、陽極側発色層であるエレ
クトロクロミック層３を形成する際に、蒸発材料にＩｒ
Ｏや工ｒ２０３等のイリジウム酸化物を用いた時の製造
方法に関するものであり、さらに詳しくは、蒸着方法及
びその条件に関するものである。
従来、上述のようなエレクトロクロミック素子を製造す
る際、陽極側エレクトロクロミック層であるエレクトロ
クロミック層３は、Ｉｒ−？Ｎｉ あるいはこれらの酸
化物をターゲットにした反応性スバ、りや陽極酸化膜方
法で形成されることが報告されている。
る際、陽極側エレクトロクロミック層であるエレクトロ
クロミック層３は、Ｉｒ−？Ｎｉ あるいはこれらの酸
化物をターゲットにした反応性スバ、りや陽極酸化膜方
法で形成されることが報告されている。
本発明は、上記の様な方法を用いず、別な方法でよシ性
能の良い膜を形成することを図ったもので、即ち、装置
として、反応性イオンブレーティング装置を用い、蒸着
材料にＩｒ０１Ｉ ｒ ２０３等のイリジウム酸化物を
用い、雰囲気をＨ２０蒸気またはＨ２０蒸気および０２
ガスで満たすことにより、所望のエレクトロクロミック
物質の膜を形成することを特徴とするものである。
能の良い膜を形成することを図ったもので、即ち、装置
として、反応性イオンブレーティング装置を用い、蒸着
材料にＩｒ０１Ｉ ｒ ２０３等のイリジウム酸化物を
用い、雰囲気をＨ２０蒸気またはＨ２０蒸気および０２
ガスで満たすことにより、所望のエレクトロクロミック
物質の膜を形成することを特徴とするものである。
本発明による方法を実施するのに使用される反応性イオ
ンブレーティング装置の一例を第３図に示す。図中、ｌ
Ｏは反応性イオングレーティング装置本体、１１は拡散
ポンプ、１２は電子銃（ＥＢガン）、１３は傘、１４は
ＤＣバイアスを印加するＤＣバイアス源、１５は高周波
コイル（ＲＦコイル）、１６はＨ２０蒸気を供給するＨ
２０蒸気供給源、１７は０２ガスを供給する０ウガスボ
ンベ、１８および１９ｔｊニードルバルブを示ｆ。
ンブレーティング装置の一例を第３図に示す。図中、ｌ
Ｏは反応性イオングレーティング装置本体、１１は拡散
ポンプ、１２は電子銃（ＥＢガン）、１３は傘、１４は
ＤＣバイアスを印加するＤＣバイアス源、１５は高周波
コイル（ＲＦコイル）、１６はＨ２０蒸気を供給するＨ
２０蒸気供給源、１７は０２ガスを供給する０ウガスボ
ンベ、１８および１９ｔｊニードルバルブを示ｆ。
上記の装置を用いて蒸着する際、Ｈ２０蒸気またはＨ２
０蒸気および０２．ｆスを導入した後の真空度は２、０
〜５． ＯＸ Ｉ Ｑ−４Ｔｏｒｒとし、蒸着速度を０
．６〜２、Ｏ’）、／ｓｅｃとするのがよい。
０蒸気および０２．ｆスを導入した後の真空度は２、０
〜５． ＯＸ Ｉ Ｑ−４Ｔｏｒｒとし、蒸着速度を０
．６〜２、Ｏ’）、／ｓｅｃとするのがよい。
次に、全固体型エレクトロクロミック素子を製造する本
発明方法の実施例について説明する。
発明方法の実施例について説明する。
実施例１
厚さ０．８簡のガラス（Ｃｏｒｎｆｎｇ ７０５９）の
板よりなる基板１の上に、適当な引き出し電極部および
リード部を備えたＩｒＯ膜の第１電極２を形成し、これ
を第３図に示す反応性イオンシレーティング装置ｌＯ内
に２０で示す如く設置し、蒸着材料にＩｒＯを用い、反
応性イオンブレーティング方法により、上記の第２電極
２の上に、陽極側発色層であるエレクトロクロミック層
３の１５００Ｘ厚Ｃ膜を形成した。
板よりなる基板１の上に、適当な引き出し電極部および
リード部を備えたＩｒＯ膜の第１電極２を形成し、これ
を第３図に示す反応性イオンシレーティング装置ｌＯ内
に２０で示す如く設置し、蒸着材料にＩｒＯを用い、反
応性イオンブレーティング方法により、上記の第２電極
２の上に、陽極側発色層であるエレクトロクロミック層
３の１５００Ｘ厚Ｃ膜を形成した。
反応性イオンシレーティング装置の使用条件は次の通り
であった。
であった。
ＥＢガン１２ ６〜９ｋｖＲＦコイル１５
＜５巻） １００〜３００ＷＤＣバイアス源１４
０．２〜１．０ｋＶ蒸着条件は次の通りであった。
＜５巻） １００〜３００ＷＤＣバイアス源１４
０．２〜１．０ｋＶ蒸着条件は次の通りであった。
反応性イオンブレーティング装置内を真空とし、ニード
ルバルブ１８を開いてＨ２０蒸気供給源１６ −からＨ
２０蒸気を５．ＯＸ Ｉ ＯＴｏｒｒまで導入し、蒸着
速度を２．０ Ｘ／ｓｅｅとした。これにより約１５０
０１厚のエレクトロクロミック層３が形成された。この
エレクトロクロミック層３は陽極側発色層として作用す
る水酸化イリジウム（Ｉ ｒ （ＯＨ） ２ ）よりな
るものであった。
ルバルブ１８を開いてＨ２０蒸気供給源１６ −からＨ
２０蒸気を５．ＯＸ Ｉ ＯＴｏｒｒまで導入し、蒸着
速度を２．０ Ｘ／ｓｅｅとした。これにより約１５０
０１厚のエレクトロクロミック層３が形成された。この
エレクトロクロミック層３は陽極側発色層として作用す
る水酸化イリジウム（Ｉ ｒ （ＯＨ） ２ ）よりな
るものであった。
さらにこの膜の上に、真空蒸着方法によシ、絶縁層４と
してＴａ２０５の層を３０００ ＸＳ隘極側発色層であ
るエレクトロクロミック層６としてｗＯ５層を３０００
Ｘ付けた。蒸着条件は真空度２、ＯＸ １０−５Ｔｏｒ
ｒ、蒸着速度１０ Ｘ／ ｓｅａ であった。
してＴａ２０５の層を３０００ ＸＳ隘極側発色層であ
るエレクトロクロミック層６としてｗＯ５層を３０００
Ｘ付けた。蒸着条件は真空度２、ＯＸ １０−５Ｔｏｒ
ｒ、蒸着速度１０ Ｘ／ ｓｅａ であった。
これらの膜上に、第２電極５として半透明導電Ａｕ膜を
３００Ｘ付けた。
３００Ｘ付けた。
この様にして製作した全固体型エレクトロクロミック素
子を第１電極と第２電極の間に、２．ＯＶの電圧を印加
して駆動したところ、着色濃度がΔ０．Ｄで０．４に達
するまでに３００ ｍ５ｅｃでおった。
子を第１電極と第２電極の間に、２．ＯＶの電圧を印加
して駆動したところ、着色濃度がΔ０．Ｄで０．４に達
するまでに３００ ｍ５ｅｃでおった。
実施例２
実施例１と同様に厚さｏ、 ｓ 舅のガラス（Ｃｏｒｎ
ｉｎｇ７０５９）の板よりなる基板ｌの上に、適当な引
き出し電極およびリード部を備えたＩｒＯ膜よシなる第
１電極２を形成し、第３図に示す反応性イオンブレーテ
ィング装置を使用し、蒸着材料に工ｒ２０３を用いて第
１電極２上に陽極側発色層であるエレクトロクロミック
層３の膜を形成した。
ｉｎｇ７０５９）の板よりなる基板ｌの上に、適当な引
き出し電極およびリード部を備えたＩｒＯ膜よシなる第
１電極２を形成し、第３図に示す反応性イオンブレーテ
ィング装置を使用し、蒸着材料に工ｒ２０３を用いて第
１電極２上に陽極側発色層であるエレクトロクロミック
層３の膜を形成した。
反応性イオンシレーティング装置の使用条件は実施９Ｉ
ｌｌと同様であるが、蒸着条件は次の通りであった。
ｌｌと同様であるが、蒸着条件は次の通りであった。
反応性イオングレーティング装置内を真空とし、；、−
ドルバルブ１８を開いてＨ２０蒸気供給源１６からＨ２
０蒸気を５．ＯＸ １０ Ｔｏｒｒまで導入し、蒸着
速度を３．０Ｘ／ｓｅａ とした。膜厚は１５００．Ｘ
であった。さらにこの膜の上に、真空蒸着方法によシ、
絶縁層４としてＴａ２Ｏ，の層をａｏｏｏＸ、陰極側発
色層であるエレクトロクロミ、り層６として罰３層をａ
ｏｏｏＸ付けた。蒸着条件は真空度２、ＯＸ １０＝
Ｔｏｒｒ−、蒸着速度１０ Ｘ／ｓｅｅであった。
ドルバルブ１８を開いてＨ２０蒸気供給源１６からＨ２
０蒸気を５．ＯＸ １０ Ｔｏｒｒまで導入し、蒸着
速度を３．０Ｘ／ｓｅａ とした。膜厚は１５００．Ｘ
であった。さらにこの膜の上に、真空蒸着方法によシ、
絶縁層４としてＴａ２Ｏ，の層をａｏｏｏＸ、陰極側発
色層であるエレクトロクロミ、り層６として罰３層をａ
ｏｏｏＸ付けた。蒸着条件は真空度２、ＯＸ １０＝
Ｔｏｒｒ−、蒸着速度１０ Ｘ／ｓｅｅであった。
これらの膜上に、第２電極５として半透明導電Ａｕ膜を
３００Ｘ付けた。
３００Ｘ付けた。
この様にして製作した全固体型エレン）ｏクロミック素
子を第１電極と第２電極の間に、２．Ｏｖの電圧を印加
して駆動したところ、着色濃度がΔＯ，Ｄで０．４に達
するまでに２９０ ｍ５ｅｃであった。
子を第１電極と第２電極の間に、２．Ｏｖの電圧を印加
して駆動したところ、着色濃度がΔＯ，Ｄで０．４に達
するまでに２９０ ｍ５ｅｃであった。
Ｊｕ虹匹１
厚さ０，８纂のガラス（Ｃｏｒｎｉｎｇ ７０５９ ）
の基板１の上に、適当な引き出し電極部およびリード部
を備えたＩｒＯ膜の第１電極２を形成し、これを第３図
に示す反応性イオンブレーティング装置ｌＯ内に２０で
示す如く設置し、蒸着材料にＩｒＯを用いて、反応性イ
オンプレティング方法により、上記の第１電極２の上に
陽極側発色層であるエレクトロクロミ、り層３を形成し
た。
の基板１の上に、適当な引き出し電極部およびリード部
を備えたＩｒＯ膜の第１電極２を形成し、これを第３図
に示す反応性イオンブレーティング装置ｌＯ内に２０で
示す如く設置し、蒸着材料にＩｒＯを用いて、反応性イ
オンプレティング方法により、上記の第１電極２の上に
陽極側発色層であるエレクトロクロミ、り層３を形成し
た。
反応性イオンル−ティング装置の使用条件は実施例１と
同様であるが、蒸着条件は次の通シであった。
同様であるが、蒸着条件は次の通シであった。
反応性イオンシレーティング装置内を真空とし、先ずニ
ードルバルブ１８を開いてＨ２０蒸気供給源１６からＩ
（２０蒸気を３．ＯＸ Ｉ Ｆ’ Ｔｏｒｒまで導入し
、次ニ、ニードルバルブ１９を開いて０２ガスボンベ１
７から０２ガスを５． ＯＸ １０−’ Ｔｏｒｒまで
導入し、蒸着速度を２．０ ’）、／ ｓｅｃとした。
ードルバルブ１８を開いてＨ２０蒸気供給源１６からＩ
（２０蒸気を３．ＯＸ Ｉ Ｆ’ Ｔｏｒｒまで導入し
、次ニ、ニードルバルブ１９を開いて０２ガスボンベ１
７から０２ガスを５． ＯＸ １０−’ Ｔｏｒｒまで
導入し、蒸着速度を２．０ ’）、／ ｓｅｃとした。
膜厚Ｖｉ１５００Ｘであった。さらにこの膜の上に、真
空蒸着力法により、絶縁層４としてＴ ａ ２０５の層
を３０００ Ａ ｓ陰極側発色層であるエレクトロクロ
ミック層６としてＷＯ５層を３０００１付けた。蒸着条
件は真空度２．０ＸＩＯＴｏｒｒ、 蒸着速度１０
Ｘ／ｓｅｅであった。
空蒸着力法により、絶縁層４としてＴ ａ ２０５の層
を３０００ Ａ ｓ陰極側発色層であるエレクトロクロ
ミック層６としてＷＯ５層を３０００１付けた。蒸着条
件は真空度２．０ＸＩＯＴｏｒｒ、 蒸着速度１０
Ｘ／ｓｅｅであった。
これらの膜上に、第２電極５として半透明導電Ａｕ膜を
３０００Ｘ付けた。
３０００Ｘ付けた。
この様にして製作した全固体型エレクトロクロミック素
子を第１電極と第２電極の間に、２．０■の電圧を印加
して駆動したところ、着色濃度がΔ０．Ｄで０．４
に達する壕でに４００ ｍ５ｅｃであった。
子を第１電極と第２電極の間に、２．０■の電圧を印加
して駆動したところ、着色濃度がΔ０．Ｄで０．４
に達する壕でに４００ ｍ５ｅｃであった。
叉産月１
厚み０．８ Ｍのガラス（Ｃｏｒｎｉｎｇ ７０５９
）の基板１の上に、適当な引き出し電極部およびリード
部を備えたＩＴＯ膜の第１電極２を形成し、これを第３
図に示す反応性イオンシレーティン装置ｌＯ内に２０で
示す如く設置し、蒸着材料にＩｒ２Ｏ３を用いて反応性
イオンプレ・ティング方法によシ、第１電極２上に陽極
側発色層であるエレクトロクロミック層３を形成した。
）の基板１の上に、適当な引き出し電極部およびリード
部を備えたＩＴＯ膜の第１電極２を形成し、これを第３
図に示す反応性イオンシレーティン装置ｌＯ内に２０で
示す如く設置し、蒸着材料にＩｒ２Ｏ３を用いて反応性
イオンプレ・ティング方法によシ、第１電極２上に陽極
側発色層であるエレクトロクロミック層３を形成した。
反応性イオンシレーティング装置の使用条件は実施例１
と同様とし、蒸着条件として、Ｈ２０蒸気を３．Ｑ Ｘ
ｌ ＯＴｏｒｒまで導入し、０□ガスをその後５、Ｏ
Ｘ １０”−’ Ｔｏｒｒまで導入、蒸着速度を３．０
Ｘ／ｓｅａとした。膜厚は１５００Ｘであった。さら
にこの膜の上に、真空蒸着方法によシ、絶縁層４として
Ｔａ２０５０層を３０００Ｘ、陰極側発色層であるエレ
クトロクロミック層６として罰６層を３０００２付けた
。蒸着条件は真空度２．ＯＸ １０−５Ｔｏｒｒ 、蒸
着速度１０Ｘ／ｓｅｃであった。これらの膜上に、第２
電極５として半透明導電Ａｕ膜を３００Ｘ付けた。
と同様とし、蒸着条件として、Ｈ２０蒸気を３．Ｑ Ｘ
ｌ ＯＴｏｒｒまで導入し、０□ガスをその後５、Ｏ
Ｘ １０”−’ Ｔｏｒｒまで導入、蒸着速度を３．０
Ｘ／ｓｅａとした。膜厚は１５００Ｘであった。さら
にこの膜の上に、真空蒸着方法によシ、絶縁層４として
Ｔａ２０５０層を３０００Ｘ、陰極側発色層であるエレ
クトロクロミック層６として罰６層を３０００２付けた
。蒸着条件は真空度２．ＯＸ １０−５Ｔｏｒｒ 、蒸
着速度１０Ｘ／ｓｅｃであった。これらの膜上に、第２
電極５として半透明導電Ａｕ膜を３００Ｘ付けた。
この様にして製作した、全固体型エレクトロクロミ、り
素子を、第１電極と第２電極の間に、２．０■の電圧を
印加して駆動したところ、着色濃度がΔ０．０で０．４
に達するまでに４５０ｍ５ｅｃ’″Ｃあった。
素子を、第１電極と第２電極の間に、２．０■の電圧を
印加して駆動したところ、着色濃度がΔ０．０で０．４
に達するまでに４５０ｍ５ｅｃ’″Ｃあった。
実施例５
実施例１と同様に厚さＱ、 １３ Ｋｎのガ゛ラス（Ｃ
ｏｒｎｉｎｇ７０５９）の板よシなる基板ｌの土に、適
当な引き出し電極およびリード部を備えたＩＴＯ膜より
なる第１電極２を形成し、第３図に示す反応性イオンブ
レーティング装置を使用し、蒸着材料にＩｒ２Ｏ３を用
いて第１電極２上に陽極ａ発色層であるエレクトロクロ
ミック層３の膜を形成した。
ｏｒｎｉｎｇ７０５９）の板よシなる基板ｌの土に、適
当な引き出し電極およびリード部を備えたＩＴＯ膜より
なる第１電極２を形成し、第３図に示す反応性イオンブ
レーティング装置を使用し、蒸着材料にＩｒ２Ｏ３を用
いて第１電極２上に陽極ａ発色層であるエレクトロクロ
ミック層３の膜を形成した。
反応性イオンブレーティング装置の使用条件は実施例１
と同様であるが、蒸着条件は次の通９であった。
と同様であるが、蒸着条件は次の通９であった。
反応性イオンブレーティング装置内を真空とし、ニード
ルバルブ１８を開いてＨ２０蒸気供給源１６からＨ２０
蒸気’ｆｔ ５．ＯＸ １０ Ｔｏｒｒ まで導入
し、蒸′着速度を２．０ ｉ／ｓｅｃとした。膜厚は１
００ＯＸであった。さらにこの膜の上に、真空蒸着力法
により、絶縁層４としてＴ＆２０５の層を３０００Ｘ付
けた。蒸着条件は真空度２．ＯＸ １０ Ｔｏｒｒ、
蒸着速度７、５ Ｘ／ ｓｅａであった。これらの膜上
に、第２電極５として半透明導電Ａｕ膜を３００Ｘ付け
た。
ルバルブ１８を開いてＨ２０蒸気供給源１６からＨ２０
蒸気’ｆｔ ５．ＯＸ １０ Ｔｏｒｒ まで導入
し、蒸′着速度を２．０ ｉ／ｓｅｃとした。膜厚は１
００ＯＸであった。さらにこの膜の上に、真空蒸着力法
により、絶縁層４としてＴ＆２０５の層を３０００Ｘ付
けた。蒸着条件は真空度２．ＯＸ １０ Ｔｏｒｒ、
蒸着速度７、５ Ｘ／ ｓｅａであった。これらの膜上
に、第２電極５として半透明導電Ａｕ膜を３００Ｘ付け
た。
この様にして製作した全固体型エレクトロクロミック素
子を、第１電極と第２電極の間に、２．ＯＶの電圧を印
加して駆動したところ、着色濃度がΔ０．Ｄで０．３に
達するまでＫ ２７０ ｍ５ｅｃであった０
子を、第１電極と第２電極の間に、２．ＯＶの電圧を印
加して駆動したところ、着色濃度がΔ０．Ｄで０．３に
達するまでＫ ２７０ ｍ５ｅｃであった０
【図面の簡単な説明】
第１図および第２図は、本発明方法により製造される全
固体エレクトロクロミック素子の２つの例を示す断面図
、第空図は本発明方法を実施するに使用される反応性イ
オンブレーティング装置を示す概略図である。 ｌ・・・基板 ２・・・第１電極３・・・
エレクトロクロミック層 ４・・・絶縁層５・・・第２
電極 ６・・・エレクトロクロミック層ｌ
Ｏ・・・反応性イオンシレーティング装置の本体１１・
・・拡散Ｉンゾ １２・・・電子銃（ＥＢガン
）１３・・・傘１４・・・ＤＣノぐイアス源１５・・・
高周波コイル（ＲＦコイル）１６・・・Ｉ（２０蒸気供
給源 ｌ７・・・０゜ガスボンベ １８．１９・・・二一ドルバルプ
固体エレクトロクロミック素子の２つの例を示す断面図
、第空図は本発明方法を実施するに使用される反応性イ
オンブレーティング装置を示す概略図である。 ｌ・・・基板 ２・・・第１電極３・・・
エレクトロクロミック層 ４・・・絶縁層５・・・第２
電極 ６・・・エレクトロクロミック層ｌ
Ｏ・・・反応性イオンシレーティング装置の本体１１・
・・拡散Ｉンゾ １２・・・電子銃（ＥＢガン
）１３・・・傘１４・・・ＤＣノぐイアス源１５・・・
高周波コイル（ＲＦコイル）１６・・・Ｉ（２０蒸気供
給源 ｌ７・・・０゜ガスボンベ １８．１９・・・二一ドルバルプ
Claims (1)
- 導電体膜より成る第１電極と、陽極側発色層であるエレ
クトロクロミック層と、誘電体膜からなる絶縁層と、導
電体膜よりなる第２電極を順次積層し、或いは上記の絶
縁層と第２電極の間にさらに陰極側発色層でおるエレク
トロクロミック層を積層してなる全固体型エレクトロク
ロミック素子を製造する方法において、上記の陽極側発
色層であるエレクトロクロミック層を積層するにあたり
、蒸発材としてイリノウム酸化物、導入ガスとしてＨ２
０蒸気またはＨ２０蒸気および０２ガスを用いて、イオ
ンシレーティング装置によシエレクトロクロミック層を
形成することを特徴とする全固体型エレクトロクロミッ
ク素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57218731A JPS59109030A (ja) | 1982-12-14 | 1982-12-14 | 全固体型エレクトロクロミツク素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57218731A JPS59109030A (ja) | 1982-12-14 | 1982-12-14 | 全固体型エレクトロクロミツク素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59109030A true JPS59109030A (ja) | 1984-06-23 |
Family
ID=16724547
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57218731A Pending JPS59109030A (ja) | 1982-12-14 | 1982-12-14 | 全固体型エレクトロクロミツク素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59109030A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04121817U (ja) * | 1991-04-18 | 1992-10-30 | 秀雄 宮方 | 化粧用パツク体 |
-
1982
- 1982-12-14 JP JP57218731A patent/JPS59109030A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04121817U (ja) * | 1991-04-18 | 1992-10-30 | 秀雄 宮方 | 化粧用パツク体 |
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