JPS59101624A - 全固体型エレクトロクロミツク素子の製造方法 - Google Patents
全固体型エレクトロクロミツク素子の製造方法Info
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- JPS59101624A JPS59101624A JP57210784A JP21078482A JPS59101624A JP S59101624 A JPS59101624 A JP S59101624A JP 57210784 A JP57210784 A JP 57210784A JP 21078482 A JP21078482 A JP 21078482A JP S59101624 A JPS59101624 A JP S59101624A
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- Japan
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- electrochromic
- electrode
- vapor
- electrochromic layer
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/15—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect
- G02F1/153—Constructional details
- G02F1/1533—Constructional details structural features not otherwise provided for
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
トロクロミック現象を利用したエレクトロクロミック素
子の製造方法に関するものである。
子の製造方法に関するものである。
エレクトロクロミック現象とは、電圧を加えた時に酸化
還元反応によシ物質に色が付く現象を指す。このような
エレクトロクロミック現象を利用する電気化学的発消色
素子すなわちエレクトロクロミック素子は、例えば数字
表示素子，Ｘ−Ｙマトリックスディスプレイ，光学シャ
ッタ，絞シ機構等に応用できるもので、その材料で分類
すると液体型と固体型に分けられるが、本発明は特に全
固体型のエレクトロクロミック素子に関するものである
。
還元反応によシ物質に色が付く現象を指す。このような
エレクトロクロミック現象を利用する電気化学的発消色
素子すなわちエレクトロクロミック素子は、例えば数字
表示素子，Ｘ−Ｙマトリックスディスプレイ，光学シャ
ッタ，絞シ機構等に応用できるもので、その材料で分類
すると液体型と固体型に分けられるが、本発明は特に全
固体型のエレクトロクロミック素子に関するものである
。
エレクトロクロミック現象を利用した全固体型エレクト
ロクロミック素子の２つの例を第１図および第２図に示
す。
ロクロミック素子の２つの例を第１図および第２図に示
す。
第１図に示すエレクトロクロミック素子社透明な基板１
の上に、透明導電体膜よシなる第１の電極２と、陽極側
発色層であるエレクトロクロミック層３と、誘電体膜よ
シなる絶縁層４と、導電体膜よシなる第２の電極５とを
順次に積層することによって構成されたものである。
の上に、透明導電体膜よシなる第１の電極２と、陽極側
発色層であるエレクトロクロミック層３と、誘電体膜よ
シなる絶縁層４と、導電体膜よシなる第２の電極５とを
順次に積層することによって構成されたものである。
また、第２図に示すエレクトロクロミック素子は、第１
図に示すエレクトロクロミック層３の外に、さらに、陰
極側発色層であるエレクトロクロミック層６を設けたも
ので、透明な基板１の上に、透明導電体膜よシなる第１
の電極２と、陽極側発色層である第１エレクトロクロミ
ック層３と、誘電体膜よシなる絶縁層４と、陰極側発色
層である第２エレクトロクロミック層６と、導電体膜よ
シなる第２の′電極５とを順次に積層することによって
構成される。
図に示すエレクトロクロミック層３の外に、さらに、陰
極側発色層であるエレクトロクロミック層６を設けたも
ので、透明な基板１の上に、透明導電体膜よシなる第１
の電極２と、陽極側発色層である第１エレクトロクロミ
ック層３と、誘電体膜よシなる絶縁層４と、陰極側発色
層である第２エレクトロクロミック層６と、導電体膜よ
シなる第２の′電極５とを順次に積層することによって
構成される。
上記の構造において、基板１は一般的にガラス板によっ
て形成されるが、これはガラス板に限らず、プラスチッ
ク板またはアクリル板等の透明な板ならばよく、また、
その位置に関しても、第１電極２の下ではなく、第２電
極５の上に設けてもよいし、目的に応じて（例えば、保
護カバーとするなどの目的で）両側に設けてもよい。た
だし、これらの場合には、第２電極５を透明導電膜とし
たシ、両方の電極とも透明導電膜にする必要がある。第
２電極も透明電極とすれば素子を透明型として使用でき
る。このような透明導電膜としては、ＩＴＯ膜（酸化イ
ンジウムＩｎ２Ｏ３中に酸化錫Ｓ ｎＯ２を５チ程度含
むもの）やネサ膜等が使用される。
て形成されるが、これはガラス板に限らず、プラスチッ
ク板またはアクリル板等の透明な板ならばよく、また、
その位置に関しても、第１電極２の下ではなく、第２電
極５の上に設けてもよいし、目的に応じて（例えば、保
護カバーとするなどの目的で）両側に設けてもよい。た
だし、これらの場合には、第２電極５を透明導電膜とし
たシ、両方の電極とも透明導電膜にする必要がある。第
２電極も透明電極とすれば素子を透明型として使用でき
る。このような透明導電膜としては、ＩＴＯ膜（酸化イ
ンジウムＩｎ２Ｏ３中に酸化錫Ｓ ｎＯ２を５チ程度含
むもの）やネサ膜等が使用される。
陽極側発色層である第１のエレクトロクロミック層３は
、酸化クロム（ｃｒ２ｏ３） 、水酸化イリジウム（Ｉ
ｒ（ｏｎ）２）、水酸化ニッケル（Ｎｉ （ＯＨ）２
）等を用いて形成する。誘電体膜である絶縁層４には、
二酸化ジルコン（ＺｒＯ２）、酸化ケイ素（８，ｉｏ）
、二酸化ケイ素（ＳｉＯ□）、五酸化タンタル（Ｔａ
２０ｓ ）等に代表される酸化物、あるいはフッ化リチ
ウム（ＬｉＦ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）等に
代表されるフッ化物が用いられる。また、陰極側発色層
であるエレクトロクロミック層６は、二酸化タングステ
ン（ＷＯ２）、三酸化タングステン（ＷＯ３）、二酸化
モリブデン（ＭｏＯ２）、三酸化モリブデン（Ｍｏ５ｓ
）、五酸化バナジウム（Ｖ２Ｏ５） 、等を用いて形
成する。
、酸化クロム（ｃｒ２ｏ３） 、水酸化イリジウム（Ｉ
ｒ（ｏｎ）２）、水酸化ニッケル（Ｎｉ （ＯＨ）２
）等を用いて形成する。誘電体膜である絶縁層４には、
二酸化ジルコン（ＺｒＯ２）、酸化ケイ素（８，ｉｏ）
、二酸化ケイ素（ＳｉＯ□）、五酸化タンタル（Ｔａ
２０ｓ ）等に代表される酸化物、あるいはフッ化リチ
ウム（ＬｉＦ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）等に
代表されるフッ化物が用いられる。また、陰極側発色層
であるエレクトロクロミック層６は、二酸化タングステ
ン（ＷＯ２）、三酸化タングステン（ＷＯ３）、二酸化
モリブデン（ＭｏＯ２）、三酸化モリブデン（Ｍｏ５ｓ
）、五酸化バナジウム（Ｖ２Ｏ５） 、等を用いて形
成する。
この様な構造をもつ全固体型エレクトロクロミック素子
は、第１電極２と第２電極５の間に電圧を印加すること
によシミ気化学的反応が起き、発色、消色をする。この
発色機構は、例えば、エレクトロクロミック層６へのカ
チオンと電子のダブルインジェクションによるブロンズ
形成にあると一般的に言われている。例えば、そのエレ
クトロクロミック物質として、ＷＯ５を用いる場合には
、次の（１）式で表わされる酸化還元反応が起き発色す
る。
は、第１電極２と第２電極５の間に電圧を印加すること
によシミ気化学的反応が起き、発色、消色をする。この
発色機構は、例えば、エレクトロクロミック層６へのカ
チオンと電子のダブルインジェクションによるブロンズ
形成にあると一般的に言われている。例えば、そのエレ
クトロクロミック物質として、ＷＯ５を用いる場合には
、次の（１）式で表わされる酸化還元反応が起き発色す
る。
ＷＯ３＋ｘＨ＋ｘｅ 、−Ｈ，６ＷＯ６（１）（１）
式に従って、タングステンブロンズＨｚＷＯ３が形成さ
れ発色するが、ここで印加電圧を逆転すれば消色状態と
なる。
式に従って、タングステンブロンズＨｚＷＯ３が形成さ
れ発色するが、ここで印加電圧を逆転すれば消色状態と
なる。
（１）式のこの様な反応は一全固体型エレクトロクロ）
ミック素子においては、素子内部の絶縁層によってプロ
トンＨが供給され着色する。
ミック素子においては、素子内部の絶縁層によってプロ
トンＨが供給され着色する。
本発明は、上述のように導電体膜よシなる第１の電極２
と、陽極側発色層であるエレクトロクロミック層３と、
誘電体膜よシなる絶縁層４と、導電体膜よシなる第２の
電極５とを順次に積層しく第１図）、或いに導電体膜よ
りなるＭｌの電極２と、陽極側発光層である第１のエレ
クトロクロミック層３と、誘電体膜よシなる絶縁層４と
、陰極側発光層である第２のエレクトロクロミック層６
と、導電体膜よシなる第２の電極５とを順次に積層して
なる全固体型エレクトロクロミック素子を製造する際に
おける１陽極側発色層であるエレクトロクロミック層３
を形成する際に、蒸発材料に金属Ｎｉを用いた時の製造
方法に関するものであシ、さらに詳しくはその蒸着方法
及びその条件に関するものである。
と、陽極側発色層であるエレクトロクロミック層３と、
誘電体膜よシなる絶縁層４と、導電体膜よシなる第２の
電極５とを順次に積層しく第１図）、或いに導電体膜よ
りなるＭｌの電極２と、陽極側発光層である第１のエレ
クトロクロミック層３と、誘電体膜よシなる絶縁層４と
、陰極側発光層である第２のエレクトロクロミック層６
と、導電体膜よシなる第２の電極５とを順次に積層して
なる全固体型エレクトロクロミック素子を製造する際に
おける１陽極側発色層であるエレクトロクロミック層３
を形成する際に、蒸発材料に金属Ｎｉを用いた時の製造
方法に関するものであシ、さらに詳しくはその蒸着方法
及びその条件に関するものである。
従来、上述のようなエレクトロクロミック素子を製造す
る際には、陽極側発色層であるエレクトロクロミック層
３は、ＩｒやＮｉあるいは、これらの酸化物をターグッ
トにした反応性スノ々ツタや陽極酸化膜方法で形成され
るがこれらの膜板外のものは、蒸着機を特に電子銃（Ｅ
Ｂガン）を用いて蒸着させることによって形成されるこ
とが多い。この為、素子を製造する過程において、エレ
クトロクロミック層３を形成する為には、わざわざ被蒸
着物をス／４’ツタ等の機器に移動しなければならず、
この際にゴミ等の不純物が付着する可能性が高ぐなシ、
歩留シ等に悪影響を及ぼす。
る際には、陽極側発色層であるエレクトロクロミック層
３は、ＩｒやＮｉあるいは、これらの酸化物をターグッ
トにした反応性スノ々ツタや陽極酸化膜方法で形成され
るがこれらの膜板外のものは、蒸着機を特に電子銃（Ｅ
Ｂガン）を用いて蒸着させることによって形成されるこ
とが多い。この為、素子を製造する過程において、エレ
クトロクロミック層３を形成する為には、わざわざ被蒸
着物をス／４’ツタ等の機器に移動しなければならず、
この際にゴミ等の不純物が付着する可能性が高ぐなシ、
歩留シ等に悪影響を及ぼす。
本発明は、上述のような従来の全固体型エレクトロクロ
ミック素子の製造方法における欠点を改善し、性能を安
定化し向上させた全固体型エレクトロクロミック素子を
ｉ造する方法を提供しようとするものである。
ミック素子の製造方法における欠点を改善し、性能を安
定化し向上させた全固体型エレクトロクロミック素子を
ｉ造する方法を提供しようとするものである。
本発明による全固体型エレクトロクロミック素子の製造
方法における特徴は、上記の陽極側発色層であるエレク
トロクロミック層３を積層するにあたシ、蒸発材として
金属Ｎｉ、導入ガスとしてＨ２０蒸気を用いて、イオン
ブレーティング装置によ広エレクトロクロミック層を形
成することにある。
方法における特徴は、上記の陽極側発色層であるエレク
トロクロミック層３を積層するにあたシ、蒸発材として
金属Ｎｉ、導入ガスとしてＨ２０蒸気を用いて、イオン
ブレーティング装置によ広エレクトロクロミック層を形
成することにある。
本発明による方法を実施するのに使用されるイオンブレ
ーティング装置の一例を第３図に示す。
ーティング装置の一例を第３図に示す。
図中、１０はイオンブレーティング装置の本体、１１は
拡散ポンプ、１２は電子銃（ＥＢガン）、１３は傘、１
４はＤＣバイアスを印加するＤＣ−？イアス源、１５は
高周波コイル（ＲＦコイル）、１６はＨ２０蒸気を供給
するＨ２０蒸気供給源、１７はニードルバルブを示す。
拡散ポンプ、１２は電子銃（ＥＢガン）、１３は傘、１
４はＤＣバイアスを印加するＤＣ−？イアス源、１５は
高周波コイル（ＲＦコイル）、１６はＨ２０蒸気を供給
するＨ２０蒸気供給源、１７はニードルバルブを示す。
次に、全固体型エレクトロクロミック素子を製造する本
発明方法の実施例について説明する。
発明方法の実施例について説明する。
実施例１
厚さ０．８ ｔｒａのガラス（Ｃｏｒｎｉｎｇ ７０５
’１ ）の板よシなる基板１の上に、適当な引き出し
電極部およびリード部を備えたＩＴＯ膜の第１電極２を
形成し、これを第３図に示すイオンシレーティング装置
１０内に１８で示す如く設置した。装置内部を真空度５
．ＯＸ １０ Ｔｏｒｒの真空となし、金属、Ｎｉを
蒸着材とし、Ｈ２０蒸気供給源１６からＨ２０蒸気を導
入しつつ、第１電極２の上に陽極側発色層であるエレク
トロクロミック層３の膜を形成した。その際、ＥＢ！７
１２は６〜９ ｋＶ 、 ＲＦ コイｙｌ ５ （５巻
）はｉｏｏ〜３００Ｗ、ＤＣバイアス源１４は０．２〜
１、 ＯｋＶであった。導入されるＨ２０蒸気の量はニ
ードルパルプ１７によって真空度に応じて調整され、１
−ＯＶ＠＠Ｃの蒸着速度で約１５００．ｌの水酸化ニッ
ケル（Ｎｔ （ＯＨ）２）の膜を形成した。
’１ ）の板よシなる基板１の上に、適当な引き出し
電極部およびリード部を備えたＩＴＯ膜の第１電極２を
形成し、これを第３図に示すイオンシレーティング装置
１０内に１８で示す如く設置した。装置内部を真空度５
．ＯＸ １０ Ｔｏｒｒの真空となし、金属、Ｎｉを
蒸着材とし、Ｈ２０蒸気供給源１６からＨ２０蒸気を導
入しつつ、第１電極２の上に陽極側発色層であるエレク
トロクロミック層３の膜を形成した。その際、ＥＢ！７
１２は６〜９ ｋＶ 、 ＲＦ コイｙｌ ５ （５巻
）はｉｏｏ〜３００Ｗ、ＤＣバイアス源１４は０．２〜
１、 ＯｋＶであった。導入されるＨ２０蒸気の量はニ
ードルパルプ１７によって真空度に応じて調整され、１
−ＯＶ＠＠Ｃの蒸着速度で約１５００．ｌの水酸化ニッ
ケル（Ｎｔ （ＯＨ）２）の膜を形成した。
上記のエレクトロクロミック層３の上に、絶縁層４とし
て、Ｔ ａ２０５をＥＢガン１２によシ、厚さ２５００
Ｘに形成した。この膜の蒸着条件はＨ２０ガスを真空度
２．ＯＸ １０ Ｔｏｒｒまで導入し、蒸着速度１０
Ｖｓｅｃで蒸着した。蒸着方法はＥＢガンによる。
て、Ｔ ａ２０５をＥＢガン１２によシ、厚さ２５００
Ｘに形成した。この膜の蒸着条件はＨ２０ガスを真空度
２．ＯＸ １０ Ｔｏｒｒまで導入し、蒸着速度１０
Ｖｓｅｃで蒸着した。蒸着方法はＥＢガンによる。
さらに、これらの膜の上に第２電極５として半透明Ａｕ
導電膜を形成した。
導電膜を形成した。
この様にして製造した全固体型エレクトロクロミック素
子は△Ｏ，Ｄで０゜４４に達するまでに８００ｍＢｅｅ
であった。駆動電圧は２．Ｏｖである。これは従来のこ
の種のタイプに比べ約１．５倍性能向上したことになる
。
子は△Ｏ，Ｄで０゜４４に達するまでに８００ｍＢｅｅ
であった。駆動電圧は２．Ｏｖである。これは従来のこ
の種のタイプに比べ約１．５倍性能向上したことになる
。
害ＪＩ鮮」
実施例１と同様に、イオンシレーティング装置によりて
、基板１、第１電極２、エレクトロクロミック層３、絶
縁層４の積層体を形成し、さらに、その上に、陰極側発
色層であるエレクトロクロミック層６を形成した。エレ
クトロクロミック層６の形成の際真空度２．０Ｘ１０＝
、蒸着速度１５ＶｓｅｃでＥＢガンによシ、膜厚４００
０Ｘのエレクトロクロミック層をつけた。さらに、これ
らの膜の上に第２電極５として、半透明Ａｕ導電膜を３
００Ｘ形成した。
、基板１、第１電極２、エレクトロクロミック層３、絶
縁層４の積層体を形成し、さらに、その上に、陰極側発
色層であるエレクトロクロミック層６を形成した。エレ
クトロクロミック層６の形成の際真空度２．０Ｘ１０＝
、蒸着速度１５ＶｓｅｃでＥＢガンによシ、膜厚４００
０Ｘのエレクトロクロミック層をつけた。さらに、これ
らの膜の上に第２電極５として、半透明Ａｕ導電膜を３
００Ｘ形成した。
この様にして製造した全固体型ＥＣ素子はΔＯ，Ｄで０
．４に達するまでに１４００ｍ５ｅｃであった０駆動電
圧は２．Ｏｖである。これは従来のＷＯ３型ＥＣに比べ
、約２．５倍性能が向上したことになる。
．４に達するまでに１４００ｍ５ｅｃであった０駆動電
圧は２．Ｏｖである。これは従来のＷＯ３型ＥＣに比べ
、約２．５倍性能が向上したことになる。
第１図および第２図は、本発明方法によシ製造される全
固体型エレクトロクロミック素子の２つの例を示す断面
図、第３図は本発明方法に使用されるイ・オンプレテイ
ング装置を示す概略図である。 １・・・基板 ２・・・第１電極３・・・
エレクトロクロミック層 ４・・・絶縁層５・・・第２
電極 ６・・・エレクトロクロミック
層１０・・・イオンプレティング装置本体１１・・・拡
散ポンプ １２・・・電子銃（ＥＢガン）１３・・
・傘 １４・・・ＤＣバイアス源１５・・
・高周波コイル（ＲＦコイル）１６・・・Ｈ２０蒸気供
給源 １７・・・二一ドルパルプ第１図 第２図 第３図
固体型エレクトロクロミック素子の２つの例を示す断面
図、第３図は本発明方法に使用されるイ・オンプレテイ
ング装置を示す概略図である。 １・・・基板 ２・・・第１電極３・・・
エレクトロクロミック層 ４・・・絶縁層５・・・第２
電極 ６・・・エレクトロクロミック
層１０・・・イオンプレティング装置本体１１・・・拡
散ポンプ １２・・・電子銃（ＥＢガン）１３・・
・傘 １４・・・ＤＣバイアス源１５・・
・高周波コイル（ＲＦコイル）１６・・・Ｈ２０蒸気供
給源 １７・・・二一ドルパルプ第１図 第２図 第３図
Claims (1)
- 導電体膜よシなる第１の電極と、陽極側発色層であるエ
レクトロクロミック層と、誘電体膜からなる絶縁層と、
導電体膜からなる第２の電極とを順次に積層し、或いは
上記の絶縁層と第２の電極との間に）さらに陰極側発色
層であるエレクトロクロミック層を積層してなる全固体
型エレクトロクロミック素子を製造する方法において、
上記の陽極側発色層であるエレクトロクロミック層を積
層するにあたシ、蒸発材として金属Ｎｉ、導入ガスとし
てＨ２０蒸気を用いて、イオンブレーティング装置によ
シ、エレクトロクロミック層を形成することを特徴とす
る全固体型エレクトロクロミック素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57210784A JPS59101624A (ja) | 1982-12-01 | 1982-12-01 | 全固体型エレクトロクロミツク素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57210784A JPS59101624A (ja) | 1982-12-01 | 1982-12-01 | 全固体型エレクトロクロミツク素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59101624A true JPS59101624A (ja) | 1984-06-12 |
Family
ID=16595073
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57210784A Pending JPS59101624A (ja) | 1982-12-01 | 1982-12-01 | 全固体型エレクトロクロミツク素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59101624A (ja) |
-
1982
- 1982-12-01 JP JP57210784A patent/JPS59101624A/ja active Pending
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