JPS60151616A - エレクトロクロミツク素子 - Google Patents
エレクトロクロミツク素子Info
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- JPS60151616A JPS60151616A JP59007773A JP777384A JPS60151616A JP S60151616 A JPS60151616 A JP S60151616A JP 59007773 A JP59007773 A JP 59007773A JP 777384 A JP777384 A JP 777384A JP S60151616 A JPS60151616 A JP S60151616A
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/15—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect
- G02F1/1514—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect characterised by the electrochromic material, e.g. by the electrodeposited material
- G02F1/1523—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect characterised by the electrochromic material, e.g. by the electrodeposited material comprising inorganic material
- G02F1/1524—Transition metal compounds
- G02F1/15245—Transition metal compounds based on iridium oxide or hydroxide
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、全固体薄膜積層型エレクトロクロミック素子
（以下、「ＥＣＤ」という）に関し、詳しくは改善され
た透明性を有する酸化発色層を用いた］１８ＣＤに関す
るものである。
（以下、「ＥＣＤ」という）に関し、詳しくは改善され
た透明性を有する酸化発色層を用いた］１８ＣＤに関す
るものである。
ＥＣＤは、例えば数字表示素子、Ｘ−Ｙマトリクス表示
素子、光学シャッタや絞夛機構等に応用することができ
るもので、例えば第１図に示す全固体薄膜積層構造０Ｅ
ＣＤが知られてｂる。すなわち、第１図に示すＥＣＤは
、１対の電極１２と１６間に還元発色層１３、中間層１
４と酸化発色層１５の薄膜積層構造が配置されている。
素子、光学シャッタや絞夛機構等に応用することができ
るもので、例えば第１図に示す全固体薄膜積層構造０Ｅ
ＣＤが知られてｂる。すなわち、第１図に示すＥＣＤは
、１対の電極１２と１６間に還元発色層１３、中間層１
４と酸化発色層１５の薄膜積層構造が配置されている。
このＥＣＤは、可逆的な電気化学反応によシ発色状態と
消色状態の光学変化が得られ、例えば還元発色層１３の
側の電極１２に負極性とし、酸化発色層１５の側の電極
１６に正極性とした電圧を印加することによって、還元
発色層１３と酸化発色層１５を発色状態とすることがで
き、又この電圧の極性をそれぞれ逆極性とすることによ
り発色状態から消色状態へと光学変化を生じさせること
ができる。
消色状態の光学変化が得られ、例えば還元発色層１３の
側の電極１２に負極性とし、酸化発色層１５の側の電極
１６に正極性とした電圧を印加することによって、還元
発色層１３と酸化発色層１５を発色状態とすることがで
き、又この電圧の極性をそれぞれ逆極性とすることによ
り発色状態から消色状態へと光学変化を生じさせること
ができる。
ところで、米国特許第４，１９１，４５３号公報には酸
化イリジウムがアノード反応で発色するＥＣＤのアノー
ド材料となることが提案されておル、又特開昭５６−４
６７９号公報には酸化イリジウムを前述の如き全固体薄
膜積層型ＥＣＤの酸化発色層として適用したＥＣＤが提
案されている。
化イリジウムがアノード反応で発色するＥＣＤのアノー
ド材料となることが提案されておル、又特開昭５６−４
６７９号公報には酸化イリジウムを前述の如き全固体薄
膜積層型ＥＣＤの酸化発色層として適用したＥＣＤが提
案されている。
しかし、この様な従来で用いられている酸化イリジウム
の酸化発色層は、応答速度が遅い点や透過率が低いなど
実用上の点で十分な性能をもっていない欠点を有してい
る。
の酸化発色層は、応答速度が遅い点や透過率が低いなど
実用上の点で十分な性能をもっていない欠点を有してい
る。
このため、例えば米国特許第４．２５８．９８４号公報
に記載されている様に、スパッタリングニよシ形成した
酸化イリジウムの薄膜あるいは金属イリジウムの薄膜を
硫酸水溶液中で低周波駆動による陽極酸化するウェット
プロセスにより、前述の欠点を解消する方法が提案され
ているが、この方法で形成した酸化イリジウム薄膜の透
過率はせいぜい７０チ程度で、十分な透明性を有してお
らず、又この方法は薄膜積層構造体を作成する時のピン
ホール発生の原因となっていて、適当なものではない。
に記載されている様に、スパッタリングニよシ形成した
酸化イリジウムの薄膜あるいは金属イリジウムの薄膜を
硫酸水溶液中で低周波駆動による陽極酸化するウェット
プロセスにより、前述の欠点を解消する方法が提案され
ているが、この方法で形成した酸化イリジウム薄膜の透
過率はせいぜい７０チ程度で、十分な透明性を有してお
らず、又この方法は薄膜積層構造体を作成する時のピン
ホール発生の原因となっていて、適当なものではない。
又、反応性スパッタリングにょ９作製した酸化イリジウ
ム薄膜もやはシ透明性の高いものが得られず、しかも十
分なＥＣ特性（可逆的な電気化学反応特性）を得るため
には、この酸化イリジウム薄膜に前述の陽極酸化処理を
施す必要がある。
ム薄膜もやはシ透明性の高いものが得られず、しかも十
分なＥＣ特性（可逆的な電気化学反応特性）を得るため
には、この酸化イリジウム薄膜に前述の陽極酸化処理を
施す必要がある。
本発明者らは、ＥＣＤの酸化発色層として酸化イリジウ
ム薄膜を適用する際に生じていた前述の如き諸問題を解
決すべく、鋭意検討を重ねたところ、特に反応性スパッ
タリングにより酸化イリジウム又は水酸化イリジウムの
薄膜を形成する除の反応ガスとして酸素ガスと水素ガス
を含有する混合ガス、場合によっては水蒸気をも混合さ
せた混合ガスを用いることによって、前述の如き陽極酸
化処理（ウェットプロセス）を用いることなく全くのド
ライプロセスで良好なＥＣ特性が得られる点、しかも高
い透明性を有する酸化イリジウム又は水酸化イリジウム
の薄膜が得られる点を見い出した。
ム薄膜を適用する際に生じていた前述の如き諸問題を解
決すべく、鋭意検討を重ねたところ、特に反応性スパッ
タリングにより酸化イリジウム又は水酸化イリジウムの
薄膜を形成する除の反応ガスとして酸素ガスと水素ガス
を含有する混合ガス、場合によっては水蒸気をも混合さ
せた混合ガスを用いることによって、前述の如き陽極酸
化処理（ウェットプロセス）を用いることなく全くのド
ライプロセスで良好なＥＣ特性が得られる点、しかも高
い透明性を有する酸化イリジウム又は水酸化イリジウム
の薄膜が得られる点を見い出した。
従って、本発明の目的は酸化発色層として用いた酸化イ
リジウム（ＩｒＯｘ ； ０．５（ｘ≦２、好ましくは
１＜ ｘ り２ ）又は水酸化イリジウム（Ｉｒ （Ｏ
Ｈ）ｎ％ ； ｎ≦２）の薄膜をドライプロセスで形成
し、しかもピンホールの発生していない電気化学的反応
性積層構造体を有するＥＣＤを提供することにある。
リジウム（ＩｒＯｘ ； ０．５（ｘ≦２、好ましくは
１＜ ｘ り２ ）又は水酸化イリジウム（Ｉｒ （Ｏ
Ｈ）ｎ％ ； ｎ≦２）の薄膜をドライプロセスで形成
し、しかもピンホールの発生していない電気化学的反応
性積層構造体を有するＥＣＤを提供することにある。
本発明の別の目的は、高い透Ｊ率特性をもっＥＣＤを提
供することにある。
供することにある。
すなわち、本発明は反応性スパッタリングによｊ）Ｉｒ
Ｏｘ膜又はｘｒ（ｏｉｏｎ膜を形成する際の反応ガスと
して酸素ガスと水素ガスを含有する混合ガスを用いる点
に特徴を有している。
Ｏｘ膜又はｘｒ（ｏｉｏｎ膜を形成する際の反応ガスと
して酸素ガスと水素ガスを含有する混合ガスを用いる点
に特徴を有している。
以下、本発明を図面に従って説明する。
本発明のＥＣＤは、第１図に示す薄膜積層構造体を用い
ることができ、図中の酸化発色層１５として前述のＩ’
ｒＯＸ膜又はＩｒ（ｏＨ）ｎ膜を設けたものである。又
、図中の還元発色層１３は、省略することも可能である
。
ることができ、図中の酸化発色層１５として前述のＩ’
ｒＯＸ膜又はＩｒ（ｏＨ）ｎ膜を設けたものである。又
、図中の還元発色層１３は、省略することも可能である
。
本発明０ＥＣＤで用いうる還元発色層１３としては、例
えば二酸化タングステン（ｗｏ２）、三酸化タングステ
ン（ｗｏ、二酸化七リブデン（ＭＯＯり 、三酸化モリ
ブデン（ＭＯＯａ）や五酸化バナジウムｆｆ２０＋）な
どの薄膜を用いることができる。中間層１４は、二酸化
ジルコン（ｚｒＯ□）、酸化ケイ素（８３０） 、二酸
化ケイ素（Ｓｉｎｇ）五酸化タンタル（Ｔａ、Ｏ，）な
どの酸化物あるいはフッ化リチウム（ＬｉＦ） 、フッ
化マグネシウム（ＭｇＦ、）などのフッ化物で代表され
る誘電体からなる絶縁膜である。
えば二酸化タングステン（ｗｏ２）、三酸化タングステ
ン（ｗｏ、二酸化七リブデン（ＭＯＯり 、三酸化モリ
ブデン（ＭＯＯａ）や五酸化バナジウムｆｆ２０＋）な
どの薄膜を用いることができる。中間層１４は、二酸化
ジルコン（ｚｒＯ□）、酸化ケイ素（８３０） 、二酸
化ケイ素（Ｓｉｎｇ）五酸化タンタル（Ｔａ、Ｏ，）な
どの酸化物あるいはフッ化リチウム（ＬｉＦ） 、フッ
化マグネシウム（ＭｇＦ、）などのフッ化物で代表され
る誘電体からなる絶縁膜である。
この様な酸化発色層１５／中間層１４／還元発色層１３
からなる可逆的な電気化学反応性構造体は、電極１２と
１６の間に挾持され、電極１２は基体１１によって支持
されている。との基体１１は一般的にガラス板によって
形成されるが、これはガラス板に限らず、プラスチック
板を用いることもでき、又その位置に関しても電極１６
の側に設けてもよいし目的に応じて（例えば、採機カバ
ーとするなどの目的）両側に設けてもよい０又、電極１
２と１６とじては酸化インジウム、酸化錫やＩ ＴＯ（
Ｉｎｄｉｎｍ ＴｉｎＱｘｉｄｅ ）などの透明導電膜
を用いることがアきるが、必要に応じて電極１２と１６
のうち何れか１万を適当な金属膜とすることもできる。
からなる可逆的な電気化学反応性構造体は、電極１２と
１６の間に挾持され、電極１２は基体１１によって支持
されている。との基体１１は一般的にガラス板によって
形成されるが、これはガラス板に限らず、プラスチック
板を用いることもでき、又その位置に関しても電極１６
の側に設けてもよいし目的に応じて（例えば、採機カバ
ーとするなどの目的）両側に設けてもよい０又、電極１
２と１６とじては酸化インジウム、酸化錫やＩ ＴＯ（
Ｉｎｄｉｎｍ ＴｉｎＱｘｉｄｅ ）などの透明導電膜
を用いることがアきるが、必要に応じて電極１２と１６
のうち何れか１万を適当な金属膜とすることもできる。
本発明で用いる酸化発色層１５は、第２図に示すＩｒＯ
ｘ又はＩｒ（ＯＨ）ｎ薄膜作成スパッタリング装置によ
り形成することができる。
ｘ又はＩｒ（ＯＨ）ｎ薄膜作成スパッタリング装置によ
り形成することができる。
第２図に示すスパッタリング装置は、真空槽２０１の内
部にＩＴＯ膜を設けたガラス板などの被蒸着体２０２（
図中では２つの被蒸着体２０２ａと２０２ｂを配置）と
ターゲットなる金属イリジウム（Ｉｒ ）パレット２０
３がそれぞれ所定の位置に配置され、被蒸着体２０２は
冷却水循環バイブ２０４によって冷却されている支持体
２０５によって支えられており、スパッタリングの際に
は被蒸着体を室温程度に保つことができる。又金属イリ
ジウムパレット２０３はＩＮ、硬体２０６ステンレスな
どの上に配置されている。又、この金属イリジウムパレ
ット２０３に代えて、他のイリジウム例えばイリジウム
酸化物、イリジウム水酸化物を用いることもできる。こ
の電極体２０６は高周波電源２０７に接続されたマツチ
ングボックス２０８とｉ＆している。又、真空槽２１に
はそれぞれ反応カスとＬ７て酸素ガスを導入する酸素ガ
スボンベ２０９、水素ガスを導入する水素ガスボンベ３
１３と真空ポンプ３１０に接続され、それぞれにパルプ
３１１．３１４と３１２が取シ付けられている。
部にＩＴＯ膜を設けたガラス板などの被蒸着体２０２（
図中では２つの被蒸着体２０２ａと２０２ｂを配置）と
ターゲットなる金属イリジウム（Ｉｒ ）パレット２０
３がそれぞれ所定の位置に配置され、被蒸着体２０２は
冷却水循環バイブ２０４によって冷却されている支持体
２０５によって支えられており、スパッタリングの際に
は被蒸着体を室温程度に保つことができる。又金属イリ
ジウムパレット２０３はＩＮ、硬体２０６ステンレスな
どの上に配置されている。又、この金属イリジウムパレ
ット２０３に代えて、他のイリジウム例えばイリジウム
酸化物、イリジウム水酸化物を用いることもできる。こ
の電極体２０６は高周波電源２０７に接続されたマツチ
ングボックス２０８とｉ＆している。又、真空槽２１に
はそれぞれ反応カスとＬ７て酸素ガスを導入する酸素ガ
スボンベ２０９、水素ガスを導入する水素ガスボンベ３
１３と真空ポンプ３１０に接続され、それぞれにパルプ
３１１．３１４と３１２が取シ付けられている。
本発明の酸化発色層となるＩｒＯｘ膜を形成するに際し
て、真空Ｎ２０１の内部を真空ポンプ３１０の作動によ
シ真空状態（ｌｏ Ｔｏｒｒ ）とした後に、パルプ３
１２を閉じて真空状態を維持する。しかる後に、パルプ
３１１と３１４を開放して酸素ガスボンベ２０９と水素
カスボンベ３１３よシ貞空槽２０１の内部に酸素ガスと
水素ガスを導入し、そのガス圧が０．ＩＴｏｒｒ以上、
好ましくは０． Ｉ Ｔｏｒｒ〜Ｉ Ｔｏｒｒとなる様
にする。
て、真空Ｎ２０１の内部を真空ポンプ３１０の作動によ
シ真空状態（ｌｏ Ｔｏｒｒ ）とした後に、パルプ３
１２を閉じて真空状態を維持する。しかる後に、パルプ
３１１と３１４を開放して酸素ガスボンベ２０９と水素
カスボンベ３１３よシ貞空槽２０１の内部に酸素ガスと
水素ガスを導入し、そのガス圧が０．ＩＴｏｒｒ以上、
好ましくは０． Ｉ Ｔｏｒｒ〜Ｉ Ｔｏｒｒとなる様
にする。
その後、高周波電力（周波数１３．５６■Ｉｚ；電力Ｉ
Ｗ ／ ｃｉ以下、好ましくは０．４Ｗ／ｍ以下）を
電極体２０６に付写し、グロー放電を生じさせてスパッ
タリングを行なうことによって、−Ｉｒ Ｏｘ膜を被蒸
着体２０２ａと２０２ｂの上に形成することができる。
Ｗ ／ ｃｉ以下、好ましくは０．４Ｗ／ｍ以下）を
電極体２０６に付写し、グロー放電を生じさせてスパッ
タリングを行なうことによって、−Ｉｒ Ｏｘ膜を被蒸
着体２０２ａと２０２ｂの上に形成することができる。
この際に形成されるＩｒＯｘ膜は一般的に３００Ａ〜１
０００人の膜厚にすることによｆｉ、ＥＣＤの酸化発色
層として有効に機能することができる。
０００人の膜厚にすることによｆｉ、ＥＣＤの酸化発色
層として有効に機能することができる。
この際に用いる混合ガスは、水素ガスと酸素ガスの容積
比、すなわちＶＨ２（水素ガス容積）／Ｖｏ、（酸素ガ
ス容積）が０．１〜１．５で、好ましくは０．５〜１．
５の時が有効である。
比、すなわちＶＨ２（水素ガス容積）／Ｖｏ、（酸素ガ
ス容積）が０．１〜１．５で、好ましくは０．５〜１．
５の時が有効である。
第３図（Ａｌは、発振波長６３３ｎｍのヘリウム・ネオ
ンレーザに対する３５０λのＩｒ０ｘｆＮの透過率と０
．４ Ｗ／ｍの高周波（１３，５６ＭＨｚ ） ＴｉＣ
力で且つ０．１ Ｔｏｒｒのガス圧下、での酸素ガスと
水素ガスの混合比の関係を明らかにしている。すなわち
、スパッタリングの際の混合ガスの混合比（ＶＨ。
ンレーザに対する３５０λのＩｒ０ｘｆＮの透過率と０
．４ Ｗ／ｍの高周波（１３，５６ＭＨｚ ） ＴｉＣ
力で且つ０．１ Ｔｏｒｒのガス圧下、での酸素ガスと
水素ガスの混合比の関係を明らかにしている。すなわち
、スパッタリングの際の混合ガスの混合比（ＶＨ。
／Ｖｏ、）を０．０．５．１．０，１．５オよび２．０
と変化させた時に形成された３５０人のＩｒＯｘ膜の透
過率をヘリウム・ネオンレーザを用いて測定したところ
、第３図（５）で示す良好な透過率特性の曲線３１が得
られた。
と変化させた時に形成された３５０人のＩｒＯｘ膜の透
過率をヘリウム・ネオンレーザを用いて測定したところ
、第３図（５）で示す良好な透過率特性の曲線３１が得
られた。
又、第３図（Ｂ）は、ホール移動度（μＨ）と混合カス
の混合比の関係を表わしている。このホーファン デル
バク ル移動度の測定は、Ｖａｎ ｄｅｒ Ｐａｕｗ法で行な
った□ Ｖａｎ ｄｅｒ Ｐａｕｗ法は、Ｌ、Ｊ−Ｖａ
ｎ ｄｅｒフイリプス リサーチ レポート Ｐａｕｗ！ ”Ｐｈ１ｌｉｐｓ、 Ｒｅｓ、 Ｒｅｐｔ
、 １３（１９５８） １”に詳述されているが、その
概要を説明する。すなわちＶａｎ ｄｅｒ Ｐａｕｗ法
は１ｇ４図（Ｎに示す四角形のＩｒＯｘ膜の西端をそれ
ぞれ４１．４２．４３．４４として、針電極を接触させ
て、電極４１−４２間に電流Ｉを流した時に、電極４３
−４４間に電圧Ｖ４３−４４が生じ、式（’ｌ ； Ｒ
（４１−４２＊４３−４４） ＝ Ｖ４３−４４／Ｉが
成立し、式（１）を定義すればシート抵抗は となる。
の混合比の関係を表わしている。このホーファン デル
バク ル移動度の測定は、Ｖａｎ ｄｅｒ Ｐａｕｗ法で行な
った□ Ｖａｎ ｄｅｒ Ｐａｕｗ法は、Ｌ、Ｊ−Ｖａ
ｎ ｄｅｒフイリプス リサーチ レポート Ｐａｕｗ！ ”Ｐｈ１ｌｉｐｓ、 Ｒｅｓ、 Ｒｅｐｔ
、 １３（１９５８） １”に詳述されているが、その
概要を説明する。すなわちＶａｎ ｄｅｒ Ｐａｕｗ法
は１ｇ４図（Ｎに示す四角形のＩｒＯｘ膜の西端をそれ
ぞれ４１．４２．４３．４４として、針電極を接触させ
て、電極４１−４２間に電流Ｉを流した時に、電極４３
−４４間に電圧Ｖ４３−４４が生じ、式（’ｌ ； Ｒ
（４１−４２＊４３−４４） ＝ Ｖ４３−４４／Ｉが
成立し、式（１）を定義すればシート抵抗は となる。
また、ホール係は第４図に示す四角形に紙面から垂直方
向に向けて磁場Ｂを印加したとすると、入京められる。
向に向けて磁場Ｂを印加したとすると、入京められる。
ここでΔＲ（４１−４３、４２−４４）はＲ（４１−４
３，４２−４４）の磁場Ｂによる変化である。ここで％
ｆ（Ｘ）はＯ＜ｘ≦１で定義される関数で、次の超越方
程式の解である。
３，４２−４４）の磁場Ｂによる変化である。ここで％
ｆ（Ｘ）はＯ＜ｘ≦１で定義される関数で、次の超越方
程式の解である。
ρｓ トＲｓから、キャリアのホール移動度はからめら
れることになる。
れることになる。
従って、ホール移動度（μＨ）は、第４図（ＦＳ）に示
１す様に、四端４１，４２．４３と４４に相当するＩｒ
Ｏｘ膜に針電極を接触させて測定値をめることによって
得ることができる０図中、４５はスイッチングボックス
である０ 第３図但）から判る様にホール移動度（μＩｒ）は、曲
線３２で示されているとおりどの場合も２０〜６０ａｔ
／ｖ−３ｅＣ程度で、良好なものであった。
１す様に、四端４１，４２．４３と４４に相当するＩｒ
Ｏｘ膜に針電極を接触させて測定値をめることによって
得ることができる０図中、４５はスイッチングボックス
である０ 第３図但）から判る様にホール移動度（μＩｒ）は、曲
線３２で示されているとおりどの場合も２０〜６０ａｔ
／ｖ−３ｅＣ程度で、良好なものであった。
又、ホール係数のサインがプラスであることから、この
膜はＰ型の透明導電膜としての応用も可能である。
膜はＰ型の透明導電膜としての応用も可能である。
又、本発明の好ましい具体例ではスパッタリング時の酸
素ガスと水素ガスを含有する混合ガスのガス圧を０、Ｉ
Ｔｏｒｒ以上、好ましくは０．１〜ＩＴｏｒｒとするこ
とによって高い透過率のＩｒ Ｏｘ膜又はＩｒ（ＯＨ）
Ｈ膜を得ることができる。又、混合ガス圧の上限値は、
均一なグロー放電を発生することができるまでの値に設
定すべきである。
素ガスと水素ガスを含有する混合ガスのガス圧を０、Ｉ
Ｔｏｒｒ以上、好ましくは０．１〜ＩＴｏｒｒとするこ
とによって高い透過率のＩｒ Ｏｘ膜又はＩｒ（ＯＨ）
Ｈ膜を得ることができる。又、混合ガス圧の上限値は、
均一なグロー放電を発生することができるまでの値に設
定すべきである。
又、前述のスパッタリングの際酸素ガスに代えて水蒸気
を用いることによってＩｒ（ＯＨ）ｙｌ膜を形成するこ
とができ、さらに酸素ガス、水素ガスと水蒸気の混合ガ
スを用いることもでき、何れの場合において前述と同様
の効果が得られる。
を用いることによってＩｒ（ＯＨ）ｙｌ膜を形成するこ
とができ、さらに酸素ガス、水素ガスと水蒸気の混合ガ
スを用いることもでき、何れの場合において前述と同様
の効果が得られる。
又、本発明の酸化発色層を形成する際に用いた前のスパ
ッタリング装置の他に反応性高周波イオンブレーティン
グ法や反応性アーク放電イオンブレーティング法を用い
ることができ、この場合でも前述と同様の効果が得られ
る。
ッタリング装置の他に反応性高周波イオンブレーティン
グ法や反応性アーク放電イオンブレーティング法を用い
ることができ、この場合でも前述と同様の効果が得られ
る。
従来のスパッタリングで得たＩｒＯｘ膜は、透過性が悪
く、陽極酸化等の後処理を必要としておシ、シかもこの
方法で形成した膜にはピンホールを発生して、好ましい
ものではなかったが、本発明によれば水素ガスを含有さ
せた混合ガスを反応ガスとしたスパッタリングを用いる
ことによって、高速応答性を有し、しかも高透過率を有
するＥＣＤを得ることができる。
く、陽極酸化等の後処理を必要としておシ、シかもこの
方法で形成した膜にはピンホールを発生して、好ましい
ものではなかったが、本発明によれば水素ガスを含有さ
せた混合ガスを反応ガスとしたスパッタリングを用いる
ことによって、高速応答性を有し、しかも高透過率を有
するＥＣＤを得ることができる。
以下、本発明を実施例に従って説明する。
建施例Ｉ
ＩＴＯ膜を設けた０、 ８ ｖｒ＊のガラス基板と金属
イリジウムを用意し、それぞれ第２図に示すスパッタリ
ング装置に取シ付けた。しかる後、スパッタリング装置
の真空槽中の空気を真空ポンプにより排気し、水素ガス
と酸素ガスの導入管よシ水素ガスと酸素ガスを真空槽内
に導入し、０、１ Ｔｏｒｒの混合ガス圧状態とした。
イリジウムを用意し、それぞれ第２図に示すスパッタリ
ング装置に取シ付けた。しかる後、スパッタリング装置
の真空槽中の空気を真空ポンプにより排気し、水素ガス
と酸素ガスの導入管よシ水素ガスと酸素ガスを真空槽内
に導入し、０、１ Ｔｏｒｒの混合ガス圧状態とした。
次いで、周波数１３．５６ ＭＨｚの高周波を０．４Ｗ
／ｄの電力下で電極体に付与して、スパッタリングを行
い、■Ｔｏ膜上に３５０λのＩｒＯｘ膜を形成した。こ
の際、混合ガスの比率（ＶＨ，／Ｖｏ、）を０．０．５
．１．０．１，５および２，０と変化させた。
／ｄの電力下で電極体に付与して、スパッタリングを行
い、■Ｔｏ膜上に３５０λのＩｒＯｘ膜を形成した。こ
の際、混合ガスの比率（ＶＨ，／Ｖｏ、）を０．０．５
．１．０．１，５および２，０と変化させた。
コラして作成した５つのサンプルについて、それぞれＩ
ｒＯｘ膜の上に、真空蒸着法によシＴａ２Ｏ，，膜を３
０００人の膜厚で設けた。この時の真空度は２． Ｉ
Ｘ １０４Ｔｏｒｒ 、蒸着速度は８λ／ｓｅｅであっ
た。さらに、この膜の上に還元発色層となるＷＯ１膜を
真空蒸着法によシ４０００スの膜厚で設け、さらに半透
明Ａｕ膜を３０ＯＡの膜厚で設けた。
ｒＯｘ膜の上に、真空蒸着法によシＴａ２Ｏ，，膜を３
０００人の膜厚で設けた。この時の真空度は２． Ｉ
Ｘ １０４Ｔｏｒｒ 、蒸着速度は８λ／ｓｅｅであっ
た。さらに、この膜の上に還元発色層となるＷＯ１膜を
真空蒸着法によシ４０００スの膜厚で設け、さらに半透
明Ａｕ膜を３０ＯＡの膜厚で設けた。
この様にして作成した５種のＥＣＤの特性（発消色特性
）を測定したところ、第５図（３）および第５図（Ｂ）
中のプロットで示す結果が得られた。第５図ｔＡ）は、
混合ガスの混合比率に対する消色時の透過率（ａＡにお
ける変化を表わしている。
）を測定したところ、第５図（３）および第５図（Ｂ）
中のプロットで示す結果が得られた。第５図ｔＡ）は、
混合ガスの混合比率に対する消色時の透過率（ａＡにお
ける変化を表わしている。
第５図（Ｂ）は、消色時の透過率（イ）を１００として
、ＥＣＤの電極（ＩＴＯ膜と半透明Ａｕ膜）間に２，２
Ｖの直流電圧（ＩＴＯ膜電極を正極性にし、半透明Ａｕ
膜電極を負極性にした）を０．２秒間印加した時の透過
率（イ）の変化率（１）を表わしたものでおる。
、ＥＣＤの電極（ＩＴＯ膜と半透明Ａｕ膜）間に２，２
Ｖの直流電圧（ＩＴＯ膜電極を正極性にし、半透明Ａｕ
膜電極を負極性にした）を０．２秒間印加した時の透過
率（イ）の変化率（１）を表わしたものでおる。
実施例２
実施例１で用いた酸素ガスに代えて水蒸気を用いた以外
は、実施例１と同様の方法でＥＣＤを作成し、さらにそ
れの評価を行なったところ、実施例１と同様の結果が得
られた。
は、実施例１と同様の方法でＥＣＤを作成し、さらにそ
れの評価を行なったところ、実施例１と同様の結果が得
られた。
第１図は、エレクトロクロミック素子の断面図である。
第２図は、本発明で用いたスパッタリング装置を模式的
に表わす断面図である。第３図＋Ａ）は、混合ガスの混
合比とＩｒＯｘ膜の透過率との関係を表わす説明図であ
る。第３図ｔＢ）は、混合ガスの混合比とＩｒＯｘ膜の
ホール移動度との関係を表わす説明図である。第４図（
Ｎは、ホール移動度を測定する際に用いたＩｒＯｘ膜め
四角形を表わす平面図である。第４図（Ｂｌは、ホール
移動度の測定法を示す装置の説明図である。 第５図ｔＡ）は、ＥＣＤの消色時の透過率と混合ガスの
混合比との関係を示す説明図である。第５図（Ｂｌは、
ＥＣＤの消色時の透過率を１００とし、０．２秒間通電
時の透過率の変化率と混合ガスの混合比との関係を表わ
す説明図である。 ｌｌ；基板、１２，１６；電極、１３；還元発色層、１
４；中間層、１５；酸化発色層、２０１ ；真空槽、２
０２；被蒸着体、２０３；金属イリジウムパレット、２
０４；冷却水循環バイブ、２０５：支持体、２０６；電
極、２０７；高周波電源、２０８；マツチングボックス
、２０９；ｄＥＥガスボンベ、３１０；真空ポンプ、３
１３；水素カスボンベ、３１１，３１２゜３１４；パル
プ。 特許出願人 キャノン株式会社 ＶＨ２／ Ｖｏｚ ＊ ’ｈｔｚ ／ Ｖｏｔｅ ０、Ｅ １．０ １．５ ？！、（Ｉ ＶＨ−／ Ｖｏ２Ｄ ＶＨ２／Ｖｏｔ比
に表わす断面図である。第３図＋Ａ）は、混合ガスの混
合比とＩｒＯｘ膜の透過率との関係を表わす説明図であ
る。第３図ｔＢ）は、混合ガスの混合比とＩｒＯｘ膜の
ホール移動度との関係を表わす説明図である。第４図（
Ｎは、ホール移動度を測定する際に用いたＩｒＯｘ膜め
四角形を表わす平面図である。第４図（Ｂｌは、ホール
移動度の測定法を示す装置の説明図である。 第５図ｔＡ）は、ＥＣＤの消色時の透過率と混合ガスの
混合比との関係を示す説明図である。第５図（Ｂｌは、
ＥＣＤの消色時の透過率を１００とし、０．２秒間通電
時の透過率の変化率と混合ガスの混合比との関係を表わ
す説明図である。 ｌｌ；基板、１２，１６；電極、１３；還元発色層、１
４；中間層、１５；酸化発色層、２０１ ；真空槽、２
０２；被蒸着体、２０３；金属イリジウムパレット、２
０４；冷却水循環バイブ、２０５：支持体、２０６；電
極、２０７；高周波電源、２０８；マツチングボックス
、２０９；ｄＥＥガスボンベ、３１０；真空ポンプ、３
１３；水素カスボンベ、３１１，３１２゜３１４；パル
プ。 特許出願人 キャノン株式会社 ＶＨ２／ Ｖｏｚ ＊ ’ｈｔｚ ／ Ｖｏｔｅ ０、Ｅ １．０ １．５ ？！、（Ｉ ＶＨ−／ Ｖｏ２Ｄ ＶＨ２／Ｖｏｔ比
Claims (9)
- （１）一対の電極間に酸化発色層を備えたエレクトロク
ロミック素子において、前記酸化発色ノーが水素ガスを
有する混合ガスの存在下でイリジウムをスパッタリング
することにより形成した薄膜となっていることを特徴と
するエレクトロクロミック素子。 - （２） 前記イリジウムが金属イリジウムである特許請
求の範囲第１項記載のエレクトロクロミック素子。 - （３） 前記混合ガスが０．１Ｔｏｒｒ以上のガス圧を
有している特許請求の範囲第１項記載のエレクトロクロ
ミック素子。 - （４） 前記混合ガスが水素ガスと酸素ガスを含有する
混合ガスである特許請求の範囲第１項記載のエレクトロ
クロミック素子。 - （５） 前記混合ガスが酸素ガスの１容積に対して０．
１〜１．５容積の割合で含有している特許請求の範囲第
４項記載のエレクトロクロミック素子０ - （６） 前記混合ガスが酸素ガスの１容積に対して０．
５〜１．５容積の割合で含有している特許請求の範囲第
４項記載のエレクトロクロミック素子。 - （７） 前記混合ガスが酸素ガスの１容積に対してほぼ
１容積の割合で含有している特許請求の範囲第４項記載
のエレクトロクロミック素子。 - （８） 前記混合ガスが水素ガスと水蒸気を含有する混
合ガスである特許請求の範囲第１項記載のエレクトロク
ロミック素子。 - （９）前記混合ガスが水素ガス、水蒸気と酸素ガスを含
有する混合ガスである特許請求の範囲第１項記載のエレ
クトロクロミック素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59007773A JPS60151616A (ja) | 1984-01-18 | 1984-01-18 | エレクトロクロミツク素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59007773A JPS60151616A (ja) | 1984-01-18 | 1984-01-18 | エレクトロクロミツク素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60151616A true JPS60151616A (ja) | 1985-08-09 |
| JPH0443252B2 JPH0443252B2 (ja) | 1992-07-16 |
Family
ID=11674991
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59007773A Granted JPS60151616A (ja) | 1984-01-18 | 1984-01-18 | エレクトロクロミツク素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60151616A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62267726A (ja) * | 1986-05-16 | 1987-11-20 | Canon Inc | 全固体エレクトロクロミック素子用酸化イリジウム膜の製造方法 |
| FR2629222A1 (fr) * | 1988-03-25 | 1989-09-29 | Saint Gobain Vitrage | Vitrage a transmission variable du type electrochrome |
| US5241411A (en) * | 1987-07-02 | 1993-08-31 | Saint-Gobain Vitrage | Electrochromic variable transmission glazing |
| KR100526640B1 (ko) * | 1996-03-27 | 2006-01-27 | 쌩-고벵 글래스 프랑스 | 전기화학장치 |
-
1984
- 1984-01-18 JP JP59007773A patent/JPS60151616A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62267726A (ja) * | 1986-05-16 | 1987-11-20 | Canon Inc | 全固体エレクトロクロミック素子用酸化イリジウム膜の製造方法 |
| US5241411A (en) * | 1987-07-02 | 1993-08-31 | Saint-Gobain Vitrage | Electrochromic variable transmission glazing |
| FR2629222A1 (fr) * | 1988-03-25 | 1989-09-29 | Saint Gobain Vitrage | Vitrage a transmission variable du type electrochrome |
| KR100526640B1 (ko) * | 1996-03-27 | 2006-01-27 | 쌩-고벵 글래스 프랑스 | 전기화학장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0443252B2 (ja) | 1992-07-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |