WO2000035015A1 - Module de circuit rf - Google Patents

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WO2000035015A1
WO2000035015A1 PCT/JP1999/003236 JP9903236W WO0035015A1 WO 2000035015 A1 WO2000035015 A1 WO 2000035015A1 JP 9903236 W JP9903236 W JP 9903236W WO 0035015 A1 WO0035015 A1 WO 0035015A1
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dielectric substrate
dielectric
circuit module
circuit
semiconductor device
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PCT/JP1999/003236
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English (en)
French (fr)
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Moriyasu Miyazaki
Hidenori Yukawa
Hideyuki Oh-Hashi
Masatoshi Nii
Original Assignee
Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha
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Description

明 細 書
R F回路モジュール 技術分野
この発明は、 R F回路モジュール、 主に VH F帯、 U H F帯、 マイクロ波帯 およびミリ波帯で用いられる R F回路モジュールに関するものである。 背景技術
図 1 1には、 従来の R F回路モジュールの例として特開平 8— 1 4 8 8 0 0 号公報に示されている R F回路モジュールを示す。 図 1 1において、 3 1は多 層の第 1の誘電体基板、 3 2は多層の第 2の誘電体基板、 3 3は接続部材であ るビアホール、 3 4は第 1の R F半導体デバイスである高周波回路素子、 3 5 は第 2の R F半導体デバイスである表面実装用部品、 3 6は D C線路、 3 7は グランド導体であるグランドパターン、 3 8は第 1の誘電体基板 3 1の D C線 路 3 1 aと第 2の誘電体基板 3 2の D C線路 3 2 aとを接続するために第 1の 誘電体基板 3 1に設けられた接続部、 3 9はキヤビティである。 キヤビティ 3 9には高周波回路素子 3 4が搭載されるとともに、 第 2の誘電体基板 3 2がキ ャビティ 3 9上面に配置され、 第 2の誘電体基板 3 2の裏面のグランドパター ン 3 7とキヤビティ 3 9の周囲のビアホール 3 3とが接続されている。 また、 第 2の誘電体基板 3 2には表面実装用部品 3 5が搭載されている。 第 1の誘電 体基板 3 1の D C線路 3 1 aと第 2の誘電体基板 3 2の D C線路 3 2 aとは接 続部 3 8において、 それそれの D C線路 3 1 aおよび 3 2 aを重ね合わせるこ とにより接続されている。
この図に示す R F回路モジュールの構造では、 第 2の誘電体基板 3 2の裏面 のグランドパターン 3 7とキヤビティ 3 9の周囲のビアホール 3 3とを接続す ることにより、 キヤビティ 3 9を電気的にシールドするとともに気密封止する ことができる。 また、 第 2の誘電体基板 3 2に表面実装用部品 3 5を搭載する ことができるため、 回路の実装密度を高めることができるという特徴を有する。 しかしながら、 従来の R F回路モジュールは以上のように構成されているた め、 キヤビティ 3 9内に搭載された高周波回路素子 3 4については気密封止す ることができるものの、 第 2の誘電体基板 3 2上の回路については気密封止で きないため、 第 2の誘電体基板 3 2上に搭載した表面実装用部品 3 5について は個別に封止するしかなかった。
また、 第 1の誘電体基板 3 1の D C線路 3 1 aと第 2の誘電体基板 3 2の D C線路 3 2 aとを接続するために接続部 3 8を設ける必要があるため、 回路が 大きくなるとともに製造コストが高くなるという問題があった。
この発明は、 このような課題を解決するためになされたもので、 その目的は 第 1の誘電体基板および第 2の誘電体基板上の R F半導体デバイスである高周 波回路素子を容易に電気的にシールドできるとともに気密封止でき、 小形化、 高性能化を実現する R F回路モジュールを得ることである。 発明の開示
この発明に係る R F回路モジュールは、 ウォールに囲繞されたキヤビティが 上層に形成された多層の第 1の誘電体基板と、 キヤビティ内で第 1の誘電体基 板に実装された第 1の R F半導体デパイスと、 ウォールの上面で第 1の誘電体 基板と接続され、 裏面にグランド導体を有する少なくとも 1層以上の第 2の誘 電体基板と、 第 2の誘電体基板の上面に実装された第 2の R F半導体デバイス と、 第 2の誘電体基板および第 2の R F半導体デバイスを覆い、 ウォールで第 1の誘電体基板と接続され、 第 2の R F半導体デバイスを電気的にシールドす るとともに第 1および第 2の R F半導体デパイスを気密封止する金属力パーと を備えたものである。
また、 この発明に係る R F回路モジュールは、 第 1の誘電体基板が、 第 2の 誘電体基板を囲繞する誘電体を備え、 金属カバーが板状であることを特徴とす るものである。
更に、 この発明によれば、 R F回路モジュールは、 第 1面にウォールに囲ま れ、 配線されたキヤビティを持つ第 1の誘電体回路基板と、 第 1の誘電体回路 基板のキヤビティ内に実装された第 1の R F半導体デバイスと、 第 1の誘電体 回路基板のウォールに載置された第 2の誘電体回路基板と、 第 2の誘電体回路 基板に実装された第 2の R F半導体デパイスと、 第 1の誘電体回路基板の第 2 面に設けられた金属ベースと、 それそれ一端で金属ベースに電気的に接続され、 他端で第 1面に露出されてウォール内に埋設され、 キヤビティを囲むように配 置された多数の埋設導体と、 第 1の誘電体回路基板に封止接着されて、 第 2の 誘電体基板および第 2の R F半導体デバイスを覆い、 ウォールの上面で多数の 埋設導体に電気的に接続され、 もって第 1および第 2の R F半導体デバイスを それそれ電気的にシールドするとともに第 1および第 2の R F半導体デバイス を気密封止する金属カバーとを備えたものである。
また、 ウォールが、 第 2の誘電体基板および第 2の R F半導体デバイスを囲 み収容する第 2のキヤビティを形成する延長部を備え、 金属カバ一を平板状と しても良い。
また、 この発明に係る R F回路モジュールは、 第 1の誘電体基板が高温焼成 基板であり、 第 2の誘電体基板が低温焼成基板であることを特徴とするもので あ^？ o
また、 この発明に係る R F回路モジュールは、 第 1の誘電体基板と第 2の誘 電体基板とが半田バンプにより接続されていることを特徴とするものである。 また、 この発明に係る R F回路モジュールは、 第 1の誘電体基板と第 2の誘 電体基板とが異方性導電性シートにより接続されていることを特徴とするもの である。
また、 この発明に係る R F回路モジュールは、 金属カバーの外側であって、 第 1の誘電体基板上に実装された、 気密封止する必要のない高周波回路デバィ スを備えたことを特徴とするものである。
また、 この発明に係る R F回路モジュールは、 第 1の誘電体基板が、 高周波 回路デバイスを実装する段付き部を備えたことを特徴とするものである。
また、 この発明に係る R F回路モジュールは、 第 1の誘電体基板が、 金属べ ースを備え、 キヤビティの底面に金属ペースが露出していることを特徴とする ものである。
また、 この発明に係る R F回路モジュールは、 第 1の誘電体基板に送信系回 路を、 第 2の誘電体基板に受信系回路をそれそれ実装していることを特徴とす るものである。 図面の簡単な説明
図 1はこの発明の実施の形態 1の R F回路モジュールの構成を示す組立図で あ 。
図 2はこの発明の実施の形態 1の R F回路モジュールを示す断面図である。 図 3はこの発明の実施の形態 2の R F回路モジュ一ルを示す断面図である。 図 4はこの発明の実施の形態 3の R F回路モジュールを示す断面図である。 図 5はこの発明の実施の形態 4の R F回路モジユールを示す断面図である。 図 6はこの発明の実施の形態 5の R F回路モジュールを示す断面図である。 図 7はこの発明の実施の形態 6の R F回路モジュールを示す断面図である。 図 8はこの発明の実施の形態 7の R F回路モジュールを示す断面図である。 図 9はこの発明の実施の形態 8の R F回路モジュールを示す断面図である。 図 1 0はこの発明の実施の形態 9の R F回路モジュールの回路を示す回路構 成図である。
図 1 1は従来の R F回路モジュールを示す断面図である。 発明を実施するための最良の形態 実施の形態 1 .
図 1は、 この発明の実施の形態である R F回路モジュール 1 0 0の構成を示 す組立図であり、 図 2は R F回路モジュール 1 0 0を示す断面図である。 図 1および図 2において、 セラミックからなる多層の誘電体からなる第 1の 誘電体基板 1は、 上面である第 1面と下面である第 2面とを持ち、 第 2面上に 導電体である平板状の金属ベース 1 1が設けられている。 第 1の誘電体基板 1 には、 金属ペース 1 1の上に積層された部分を残して、 中層から上層にかけて の誘電体を部分的に除去することにより、 くぼみであるキヤビティ 4が形成さ れている。 このキヤビティ 4の周囲にはキヤビティ 4を囲繞するように第 1の 誘電体基板 1による壁であるウォール 3が形成されている。 このウォール 3に は底部の金属ペース 1 1からウォール 3の上端にまで延びた多数のビアホール 1 3が全周に亘つて設けられている。
キヤビティ 4の内部には、 第 1の誘電体基板 1上に第 1の R F半導体デパイ ス 1 9が実装され、 キヤビティ 4内の第 1の誘電体基板 1上に設けられた D C 線路 1 7と第 1の R F半導体デバイス 1 9とがワイヤ 1 0により電気的に接続 されている。 ウォール 3の上面には、 グランド導体 5を裏面である底部に持つ 多層の第 2の誘電体基板 2が載置され接続されている。 第 2の誘電体基板 2上 には D C線路 2 7が配設され、 第 1の誘電体基板 1の D C線路 1 7と、 接続材 であるビアホール 8を介して電気的に接続されている。 第 2の誘電体基板 2上 にも、 第 2の R F半導体デバイス 2 9が実装され、 第 2の誘電体基板 2上に設 けられた D C線路 2 7と第 2の R F半導体デバイス 2 9とがワイヤ 2 0により 電気的に接続されている。 このように、 第 1および第 2の誘電体基板 1および 2は、 第 1および第 2の誘電体回路基板である。
第 1の誘電体基板 1上に設けられて第 2の誘電体基板 2を覆っているものは、 底部が開口した直方体形状で、 金属製の板状体からなる箱形の金属カバー 1 2 である。 金属力パー 1 2はその端部 1 2 aで第 1の誘電体基板 1に導電性接着 剤等によりウォール 3の上面に固着されると共に、 第 1の誘電体基板 1のゥォ ール 3に設けられて金属ベース 1 1に接続された多数のビアホール 1 3と電気 的に接続されている。
したがって、 第 1および第 2の R F半導体デバイス 1 9および 2 9は、 互い に電気的に接続された金属ペース 1 1、 ビアホール 1 3および金属力パー 1 2 により電気的にシールドされており、 また、 第 1および第 2の R F半導体デバ イス 1 9および 2 9は互いに気密封着された第 1及び第 2の誘電体基板 1およ び 2ならびに金属カバー 1 2により封止されている。
なお、 R F回路モジュール 1 0 0の組立は、 図 1に示すように、 第 1の R F 半導体デバイス 1 9を実装した第 1の誘電体基板 1上に、 第 2の R F半導体デ パイス 2 9を実装した第 2の誘電体基板 2を載置し接続した後、 金属カバ一 1 2を第 1の誘電体基板 1に接続する。 この実施の形態における R F回路モジュール 1 0 0は以上のように構成され、 第 1の R F半導体デバイス 1 9が実装された第 1の誘電体基板 1と、 第 2の R F半導体デバイス 2 9が実装された第 2の誘電体基板 2とが積層され、 金属力 パ一 1 2を第 1の誘電体基板 1のウォール 3上面に封止接着すると共に、 第 2 の誘電体基板 2のキヤビティ 4周囲のビアホール 1 3を介して金属べ一ス 1 1 に電気的に接続してあるため、 第 1の R F半導体デバイス 1 9および第 2の R F半導体デバイス 2 9が電気的にシールドされるのと同時に気密封止される。 実施の形態 2 .
図 3はこの発明の別の実施の形態である R F回路モジュール 2 0 0を示す断 面図である。 以降、 図 1および 2と同一もしくは同等の部材および部位には、 同一符号を付し、 重複する説明は省略する。
図 3の R F回路モジュール 2 0 0が図 1に示す R F回路モジュール 1 0 0と 異なる点は、 第 1の誘電体基板 1のウォール 3上に、 セラミックからなり、 ビ ァホール 1 3に対応して電気的に接続された多数のビアホールを持ち、 第 2の 誘電体基板 2および第 2の R F半導体デバイス 2 9を囲んで収容する第 2のキ ャビティを形成する延長部 1 aを備えていることと、 金属カバー 1 1 2が平ら な板状であることである。 その他の構成は同じである。
ウォール 3上には、 延長部分 1 aが第 2の誘電体基板 2を囲繞して形成され ている。 延長部分 1 a上には金属カバー 1 1 2が設けられ、 導電性接着剤等を 用いて延長部分 1 aと接続されている。 延長部分 l aの内部には、 ビアホール 1 3が延伸して設けられており、 金属べ一ス 1 1と金属カバー 1 1 2が電気的 に接続されている。
この実施の形態における R F回路モジュール 2 0 0は以上のように構成され ているので、 図 1および 2に示す R F回路モジュールと同様の利点を有すると ともに、 金属カバー 1 1 2が板状であるので、 金属カバー 1 1 2の取り付けの 作業性を向上させることができる。 実施の形態 3 . 図 4はこの発明の別の実施の形態である R F回路モジュール 3 0 0を示す断 面図である。 第 1の誘電体基板 1 0 1と第 2の誘電体基板 1 0 2の材質が図 2 と異なる。 第 1の誘電体基板 1 0 1は多層の高温焼成基板で、 熱伝導率の高い、 例えば窒化アルミニウムを基板材料として用いている。 第 2の誘電体基板 1 0 2は多層の低温焼成基板である。 低温焼成基板とは、 通常の基板に対して低い 温度で焼成したものであり、 焼成温度が低いために基板に配線する配線材料と して、 金や銅などの融点の低い材料を使用できる。
このように、 この実施の形態における R F回路モジュール 3 0 0は、 図 1お よび 2に示す R F回路モジュールと同様の利点を有するほかに、 高温焼成基板 は熱伝導率がよいため、 第 1の誘電体基板 1 0 1に実装する R F半導体デバイ ス 1 9として発熱量の大きいデバイスを使用しても、 放熱を容易に行える。 ま た、 第 2の誘電体基板 1 0 2に低温焼成基板を使用すると、 第 2の誘電体基板 1 0 2の D C線路 2 7に金や銅の配線材料を使用でき、 これらの配線材料は抵 抗率が低いため、 D C線路 2 7の電気抵抗を小さくできる。 したがって、 第 2 の誘電体基板 1 0 2の D C線路 2 7による電圧降下を抑制できる。 実施の形態 4 .
図 5はこの発明の別の実施の形態である R F回路モジュール 4 0 0を示す断 面図である。 図において、 第 1の誘電体基板 1と第 2の誘電体基板 2との間に は、 半田バンプ 1 1 8が挿入されている点が図 2と異なる。 第 1の誘電体基板 1のウォール 3の上面と第 2の誘電体基板 2の裏面のグランド導体 5との間に は、 ポール状の半田である半田バンプ 1 1 8が揷入されている。
このように、 この実施の形態における R F回路モジュール 4 0 0は、 図 1お よび 2に示す R F回路モジュールと同様の利点を有するほか、 さらに、 第 1の 誘電体基板 1の D C線路 1 7と第 2の誘電体基板 2の D C線路 2 7との接続、 および第 1の誘電体基板 1と第 2の誘電体基板 2のグランド導体 5の接続を、 ビアホール 8および半田バンプ 1 1 8を介して行うため、 D C線路 1 7および 2 7を重ね合わせる接続部を加工する場合に比べて R F回路モジュールを小形 化できる。 実施の形態 5 .
図 6はこの発明の別の実施の形態である R F回路モジュール 5 0 0を示す断 面図である。 図において、 第 1の誘電体基板 1と第 2の誘電体基板 2との間に は、 異方性導電性シート 1 1 9が挿入されている点が図 2と異なる。 異方性導 電シートとは、 シート材料の方向によって性質が異なるものであり、 第 1の誘 電体基板 1と第 2の誘電体基板 2が対向する方向の導電粒子の移動を容易にし、 導電率を高くしたものである。
このように、 この実施の形態における R F回路モジュール 5 0 0は、 図 5に 示す R F回路モジュールと同様の利点を有するほか、 第 1の誘電体基板 1の D C線路 1 7と第 2の誘電体基板 2の D C線路 2 7との接続、 および第 1の誘電 体基板 1と第 2の誘電体基板 2のグランド導体 5の接続を、 異方性導電性シ一 ト 1 1 9を介して行うことができるので、 第 1の誘電体基板 1と第 2の誘電体 基板 2を接続するのに、 はんだリフローを必要としないため、 組立作業性が向 上するとともに、 第 2の誘電体基板 2の取り替え作業が容易になる。 実施の形態 6 .
図 7はこの発明の別の実施の形態である R F回路モジュール 6 0 0を示す断 面図である。 図において、 チヅプコンデンサなど気密封止の必要のない高周波 回路デバィス 1 2 0が金属力パー 1 2の外側の第 1の誘電体基板 1上に配置さ れている点が図 2と異なる。
このように、 この実施の形態における R F回路モジュール 6 0 0は、 図 2に 示す R F回路モジュールと同様の利点を有するほか、 キヤビティ 4の占有面積 を小さくすることができ、 不要な導波管モードの抑制が容易になる。 すなわち、 キヤビティ 4の周辺には、 金属ペース 1 1、 ビアホール 1 3、 グランド導体 5 があるため、 近似的に四方を金属壁に囲まれた導波管のような構造が形成され ている。 したがって、 キヤビティ 4内にチップコンデンサなど気密封止の必要 のない高周波回路デバイス 1 2 0を配置すると、 キヤビティ 4の占有面積が大 きくなり、 この近似的な導波管の横幅が大きくなるので、 さらに周波数が低い (波長が長い） 電波を伝搬させてしまう不要な導波管モードの発生が起こりや すい。 しかし、 気密封止の必要のない高周波回路デバイス 1 2 0を金属カバ一 1 2の外側に配置することで、 キヤビティ 4の占有面積を小さくすることがで き、 不要な導波管モードの抑制が容易になる。 実施の形態 7 .
図 8はこの発明の別の実施の形態である R F回路モジュール 7 0 0を示す断 面図である。 図において、 第 1の誘電体基板 2 0 1の高周波回路デバイス 1 2 0を実装する部位の形状が図 7と異なる。
第 1の誘電体基板 2 0 1は、 金属カバ一1 2の外側において、 中層から上層 にかけて誘電体が部分的に除去され、 段付き部 2 0 1 aが形成されている。 こ の段付き部 2 0 1 aの第 1の誘電体基板 2 0 1の高さが低くなつた部位にチッ プコンデンサなど気密封止の必要のない高周波回路デバイス 1 2 0が配置され ている。
このように、 この実施の形態における R F回路モジュール 7 0 0は、 図 7に 示す R F回路モジュールと同様の利点を有するほか、 チップコンデンサなど気 密封止の必要のない高周波回路デバイス 1 2 0は、 金属カバ一 1 2の外側にお いて、 第 1の誘電体基板 2 0 1の高さが低くなつた部位に、 高周波回路デバィ ス 1 2 0を配置できるので、 R F回路モジュール 7 0 0全体の高さを低減でき る。 実施の形態 8 .
図 9はこの発明の別の実施の形態であるに R F回路モジュール 8 0 0を示す 断面図である。 図において、 第 1の誘電体基板 3 0 1の R F半導体デバイス 1 9を実装する部位の形状が図 2と異なる。
第 1の誘電体基板 3 0 1の一部を下層から上層にかけて除去して、 キヤビテ ィ 4の底面に金属ペース 1 1を露出させ、 キヤビティ 4内の金属ペース 1 1上 に第 1の R F半導体デバイス 1 9が実装されている。
このように、 この実施の形態における R F回路モジュール 8 0 0は、 図 2に 示す R F回路モジュールと同様の利点を有するほか、 熱伝導性のよい金属べ一 ス 1 1上に第 1の R F半導体デバイス 1 9が実装されているので、 第 1の R F 半導体デバイス 1 9からの放熱が容易に行われる。 実施の形態 9 .
図 1 0はこの発明の別の実施の形態である R F回路モジュールの回路を示す 回路構成図である。
図において、 1 2 1はスィッチ、 1 2 2はハイパワーアンプ、 1 2 3はロー ノイズアンプ、 1 2 4は送信系回路、 1 2 5は受信系回路、 1 2 6は11 ?線路、 1 2 7は D C線路、 1 2 8は制御回路側端子、 1 2 9はアンテナ側端子、 1 3 0は入出力端子である。
この回路を含んだ R F回路モジュールを説明するために、 便宜上図 1および 図 2に示す R F回路モジュール 1 0 0を例にとると、 図 1 0に示すハイパワー アンプ 1 2 2、 スィツチ 1 2 1を含む送信系回路 1 2 4は第 1の誘電体基板 1 に実装されている。 ローノイズアンプ 1 2 3を含む受信系回路 1 2 5は第 2の 誘電体基板 2に実装される。 また、 送信系回路 1 2 4のハイパワーアンプ 1 2 2を制御するための D C線路 1 7、 受信系回路 1 2 5の口一ノイズアンプ 1 2 3を制御するための D C線路 2 7は接続され、 第 2の誘電体基板 2を介して制 御回路側端子 1 2 8に接続される。 アンテナ側端子 1 2 9、 入出力端子 1 3 0 は、 第 1の誘電体基板 1を介して接続される。
このように、 この実施の形態における R F回路モジュールは、 送信系回路 1 2 4および受信系回路 1 2 5ごとに分離して実装するので、 R F回路モジユー ルの回路構成を容易にできる。 産業上の利用可能性
この発明に係る R F回路モジュールによれば、 ウォールに囲繞されたキヤビ ティが上層に形成された多層の第 1の誘電体基板と、 キヤビティ内で第 1の誘 電体基板に実装された第 1の R F半導体デパイスと、 ウォールの上面で第 1の 誘電体基板と接続され、 裏面にグランド導体を有する少なくとも 1層以上の第 2の誘電体基板と、 第 2の誘電体基板の上面に実装された第 2の R F半導体デ パイスと、 第 2の誘電体基板および第 2の R F半導体デバイスを覆い、 ウォー ルで第 1の誘電体基板と接続され、 第 2の R F半導体デバイスを電気的にシー ルドするとともに第 1および第 2の R F半導体デバイスを気密封止する金属力 パーとを備えている。
また、 この発明の R F回路ジュールは、 第 1面にウォールに囲まれ、 配線さ れたキヤビティを持つ第 1の誘電体回路基板と、 第 1の誘電体回路基板のキヤ ビティ内に実装された第 1の R F半導体デパイスと、 第 1の誘電体回路基板の ウォールに載置された第 2の誘電体回路基板と、 第 2の誘電体回路基板に実装 された第 2の R F半導体デバイスと、 第 1の誘電体回路基板の第 2面に設けら れた金属ベースと、 それそれ一端で金属ベースに電気的に接続され、 他端で第 1面に露出されてウォール内に埋設され、 キヤビティを囲むように配置された 多数の埋設導体と、 第 1の誘電体回路基板に封止接着されて、 第 2の誘電体基 板および第 2の R F半導体デバイスを覆い、 ウォールの上面で多数の埋設導体 に電気的に接続され、 もって第 1および第 2の R F半導体デバイスをそれそれ 電気的にシールドするとともに第 1および第 2の R F半導体デバイスを気密封 止する金属力パーとを備えている。
従って、 この発明によれば、 第 1の誘電体基板および第 2の誘電体基板上の R F半導体デパイスを容易に電気的にシールドできるとともに気密封止でき、 小 形化、 高性能化を実現する R F回路モジュールを提供できる。
また、 この発明に係る R F回路モジュールによれば、 第 1の誘電体基板が、 第 2の誘電体基板を囲繞する誘電体を備え、 金属カバーが板状である。 あるい はウォールが、 第 2の誘電体基板および第 2の R F半導体デパイスを囲み収容 する第 2のキヤビティを形成する延長部を備え、 金属カバ一が平板状であるの で、 金属カバーの取り付けの作業性が向上する。
また、 この発明に係る R F回路モジュールによれば、 第 1の誘電体基板が高 温焼成基板であるので、 熱伝導率がよいため、 第 1の誘電体基板に実装する R
F半導体デバイスの放熱を容易に行える。 また、 第 2の誘電体基板が低温焼成 基板であるので、 基板の配線材料として低融点でかつ電気抵抗が小さい材料を 使用でき電圧降下を抑制できる。
また、 この発明に係る R F回路モジュールによれば、 第 1の誘電体基板と第 2の誘電体基板とが半田バンプにより接続されているので、 第 1の誘電体基板 と第 2の誘電体基板の接続を簡単な構造で行うことができ、 R F回路モジユー ルをさらに小形化できる。
また、 この発明に係る R F回路モジュールによれば、 第 1の誘電体基板と第 2の誘電体基板とが異方性導電性シートにより接続されているので、 第 1の誘 電体基板と第 2の誘電体基板 2を接続するのに、 はんだリフローを必要とせず、 組立作業性が向上する。 また、 第 2の誘電体基板の取り替え作業も容易になる。 また、 この発明に係る R F回路モジュールによれば、 気密封止する必要のな い高周波回路デバイスを金属力パーの外側であって、 第 1の誘電体基板上に実 装しているので、 キヤビティの占有面積を小さくでき、 不要な導波管モードを 抑制できる。
また、 この発明に係る R F回路モジュールによれば、 第 1の誘電体基板が、 高周波回路デバイスを実装する段付き部を備えているので、 R F回路モジユー ル全体の高さを低減できる。
また、 この発明に係る R F回路モジュールによれば、 第 1の誘電体基板が、 金属べ一スを備え、 キヤビティの底面に金属ベースが露出しているので、 第 1 の R F半導体デバイスを金属ベースに直接実装でき、 第 1の R F半導体デパイ スからの放熱性が向上する。
また、 この発明に係る R F回路モジュールによれば、 第 1の誘電体基板に送 信系回路を、 第 2の誘電体基板に受信系回路をそれそれ実装しているので、 R F回路モジュールの回路構成が容易になる。

Claims

請 求 の 範 囲
1 . ウォールに囲繞されたキヤビティが上層に形成された多層の第 1の誘電 体基板と、
前記キヤビティ内で前記第 1の誘電体基板に実装された第 1の R F半導体デ バイスと、
前記ウォールの上面で前記第 1の誘電体基板と接続され、 裏面にグランド導 体を有する少なくとも 1層以上の第 2の誘電体基板と、
前記第 2の誘電体基板の上面に実装された第 2の R F半導体デパイスと、 前記第 2の誘電体基板および前記第 2の R F半導体デパイスを覆い、 前記ゥ オールの上面で前記第 1の誘電体基板と接続され、 前記第 2の R F半導体デバ ィスを電気的にシールドするとともに前記第 1および第 2の R F半導体デパイ スを気密封止する金属カバーとを備えた R F回路モジュ一ル。
2 . 前記第 1の誘電体基板が、 前記第 2の誘電体基板を囲む誘電体を備え、 前記金属力 ) ーが板状であることを特徴とする請求項 1記載の R F回路モジュ ール。
3 . 第 1面にウォールに囲まれ、 配線されたキヤビティを持つ第 1の誘電体 回路基板と、
前記第 1の誘電体回路基板の前記キヤビティ内に実装された第 1の R F半導 体デバイスと、
前記第 1の誘電体回路基板の前記ウォールに載置された第 2の誘電体回路基 板と、
前記第 2の誘電体回路基板に実装された第 2の R F半導体デパイスと、 前記第 1の誘電体回路基板の第 2面に設けられた金属ペースと、
それそれ一端で前記金属ベースに電気的に接続され、 他端で前記第 1面に露 出されて前記ウォール内に埋設され、 前記キヤビティを囲むように配置された 多数の埋設導体と、 前記第 1の誘電体回路基板に封止接着されて、 前記第 2の誘電体基板および 前記第 2の R F半導体デパイスを覆い、 前記ウォールの上面で多数の前記埋設 導体に電気的に接続され、 もつて前記第 1および第 2の R F半導体デパイスを それぞれ電気的にシールドするとともに前記第 1および第 2の R F半導体デバ イスを気密封止する金属カバ一とを備えた R F回路モジュール。
4 . 前記ウォールが、 前記第 2の誘電体基板および前記第 2の R F半導体デ パイスを囲み収容する第 2のキヤビティを形成する延長部を備え、 前記金属力 パーが平板状であることを特徴とする請求項 1記載の R F回路モジュール。
5 . 前記第 1の誘電体基板が高温焼成基板であり、 前記第 2の誘電体基板が 低温焼成基板であることを特徴とする請求項 1乃至 4のいずれか記載の R F回 路モジュール。
6 . 前記第 1の誘電体基板と前記第 2の誘電体基板とが半田バンプにより接 続されていることを特徴とする請求項 1乃至 5のいずれか記載の R F回路モジ ユーノレ。
7 . 前記第 1の誘電体基板と前記第 2の誘電体基板とが異方性導電性シート により接続されていることを特徴とする請求項 1乃至 5のいずれか記載の R F 回路モジュール。
8 . 前記金属カバーの外側で前記第 1の誘電体基板上に実装された、 気密封 止する必要のない高周波回路デバイスを備えたことを特徴とする請求項 1乃至 7のいずれか記載の R F回路モジュール。
9 . 前記第 1の誘電体基板が、 前記高周波回路デバイスを実装する段付き部 を備えたことを特徴とする請求項 8記載の R F回路モジュール。
10. 前記第 1の誘電体基板が、 金属ベースを備え、 前記キヤビティの底面 に前記金属ベースが露出していることを特徴とする請求項 1乃至 9のいずれか 記載の RF回路モジュール。
11. 前記第 1の誘電体基板に送信系回路を、 第 2の誘電体基板に受信系回 路をそれそれ実装していることを特徴とする請求項 5あるいは 10記載の RF 回路モジュール。
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