JP2000174204A - Ｒｆ回路モジュール - Google Patents

Ｒｆ回路モジュール

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JP2000174204A JP10350265A JP35026598A JP2000174204A JP 2000174204 A JP2000174204 A JP 2000174204A JP 10350265 A JP10350265 A JP 10350265A JP 35026598 A JP35026598 A JP 35026598A JP 2000174204 A JP2000174204 A JP 2000174204A
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dielectric
substrate
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英征 大橋
Moriyasu Miyazaki
守▲泰▼ 宮▲崎▼
Masatoshi Arai
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 第１の誘電体基板および第２の誘電体基板上
の半導体デバイスを容易に電気的にシールドできるとと
もに気密封止でき、小形化、高性能化したＲＦ回路モジ
ュールを得る。 【解決手段】 金属カバー１２が、第２のＲＦ半導体デ
バイス２９が上面に実装された第２の誘電体基板２を覆
い、キャビティ４内で第１のＲＦ半導体デバイス１９が
実装された第１の誘電体基板１と接続され、第２のＲＦ
半導体デバイスを電気的にシールドするとともに第１お
よび第２のＲＦ半導体デバイスを気密封止する。金属カ
バーは板状、第１の誘電体基板は高温焼成基板、第２の
誘電体基板は低温焼成基板、誘電体基板間の接続は半田
バンプ、異方性導電性シートでもよい。キャビティに金
属ベース１１が露出し、第１の誘電体基板に送信系回路
を、第２の誘電体基板に受信系回路を実装してもよい。
気密封止不要な高周波回路デバイスを金属カバーの外部
に配置してもよい。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、ＲＦ回路モジュ
ール、主にＶＨＦ帯、ＵＨＦ帯、マイクロ波帯、および
ミリ波帯で用いられるＲＦ回路モジュールに関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】従来のＲＦ回路モジュールの例として、
特開平８−１４８８００号公報に示されたものが知られ
ている。図１１は特開平８−１４８８００号公報に示さ
れている従来のＲＦ回路モジュールを示す断面図であ
る。図１１において、３１は多層の第１の誘電体基板、
３２は多層の第２の誘電体基板、３３は接続部材である
ビアホール、３４は第１のＲＦ半導体デバイスである高
周波回路素子、３５は第２のＲＦ半導体デバイスである
表面実装用部品、３６はＤＣ線路、３７はグランド導体
であるグランドパターン、３８は第１の誘電体基板のＤ
Ｃ線路と第２の誘電体基板のＤＣ線路を接続するために
第１の誘電体基板に設けられた接続部、３９はキャビテ
ィである。キャビティ３９には高周波回路素子３４が搭
載されるとともに、第２の誘電体基板３２がキャビティ
３９上面に配置され、第２の誘電体基板３２の裏面のグ
ランドパターン３７とキャビティ３９の周囲のビアホー
ル３３とが接続されている。また、第２の誘電体基板３
２には表面実装用部品３５が搭載されている。第１の誘
電体基板３１のＤＣ線路３１ａと第２の誘電体基板３２
のＤＣ線路３２ａとは接続部３８において、それぞれの
ＤＣ線路を重ね合わせることにより接続されている。
【０００３】この図に示すＲＦ回路モジュールの構造で
は、第２の誘電体基板３２の裏面のグランドパターン３
７とキャビティ周囲のビアホール３３を接続することに
より、キャビティ３９を電気的にシールドするとともに
気密封止することができる。また、第２の誘電体基板３
２に表面実装用部品３５を搭載することができるため、
回路の実装密度を高めることができるという特長を有す
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ＲＦ回路モジュールは以上のように構成されているた
め、キャビティ３９内に搭載された高周波回路素子３４
については気密封止することができるものの、第２の誘
電体基板３２上の回路については気密封止できないた
め、第２の誘電体基板３２には表面実装用部品３５を搭
載して個別に封止するしかなかった。また、第１の誘電
体基板３１のＤＣ線路３１ａと第２の誘電体基板３２の
ＤＣ線路３２ａを接続するために接続部３８を設ける必
要があり、回路が大きくなるとともに製造コストが高く
なるという問題があった。
【０００５】この発明は、このような課題を解決するた
めになされたもので、第１の誘電体基板および第２の誘
電体基板上のＲＦ半導体デバイスである高周波回路素子
を容易に電気的にシールドできるとともに気密封止で
き、小形化、高性能化を実現するＲＦ回路モジュールを
得ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明に係るＲＦ回路
モジュールは、ウォールに囲繞されたキャビティが上層
に形成された多層の第１の誘電体基板と、キャビティ内
で第１の誘電体基板に実装された第１のＲＦ半導体デバ
イスと、ウオールの上面で第１の誘電体基板と接続さ
れ、裏面にグランド導体を有する少なくとも１層以上の
第２の誘電体基板と、第２の誘電体基板の上面に実装さ
れた第２のＲＦ半導体デバイスと、第２の誘電体基板お
よび第２のＲＦ半導体デバイスを覆い、ウオールで第１
の誘電体基板と接続され、第２のＲＦ半導体デバイスを
電気的にシールドするとともに前記第１および第２のＲ
Ｆ半導体デバイスを気密封止する金属カバーとを備えた
ものである。
【０００７】また、この発明に係るＲＦ回路モジュール
は、第１の誘電体基板が、第２の誘電体基板を囲繞する
誘電体を備え、金属カバーが板状であることを特徴とす
るものである。
【０００８】また、この発明に係るＲＦ回路モジュール
は、第１の誘電体基板が高温焼成基板であり、第２の誘
電体基板が低温焼成基板であることを特徴とするもので
ある。
【０００９】また、この発明に係るＲＦ回路モジュール
は、第１の誘電体基板と第２の誘電体基板とが半田バン
プにより接続されていることを特徴とするものである。
【００１０】また、この発明に係るＲＦ回路モジュール
は、第１の誘電体基板と第２の誘電体基板とが異方性導
電性シートにより接続されていることを特徴とするもの
である。
【００１１】また、この発明に係るＲＦ回路モジュール
は、金属カバーの外側であって、第１の誘電体基板上に
実装された、気密封止する必要のない高周波回路デバイ
スを備えたことを特徴とするものである。
【００１２】また、この発明に係るＲＦ回路モジュール
は、第１の誘電体基板が、高周波回路デバイスを実装す
る段付き部を備えたことを特徴とするものである。
【００１３】また、この発明に係るＲＦ回路モジュール
は、第１の誘電体基板が、金属ベースを備え、キャビテ
ィの底面に金属ベースが露出していることを特徴とする
ものである。
【００１４】また、この発明に係るＲＦ回路モジュール
は、第１の誘電体基板に送信系回路を、第２の誘電体基
板に受信系回路をそれぞれ実装していることを特徴とす
るものである。
【００１５】
【発明の実施の形態】実施の形態１．図１は、この発明
の実施の形態であるＲＦ回路モジュール１００の構成を
示す組立図であり、図２はＲＦ回路モジュール１００を
示す断面図である。
【００１６】図２において、セラミックからなる多層の
誘電体からなる第１の誘電体基板１は、導電体である平
板状の金属ベース１１上に形成されている。第１の誘電
体基板１内には、金属ベース１１の上に積層された部分
を残して、中層から上層にかけての誘電体を部分的に除
去することにより、くぼみであるキャビティ４が形成さ
れている。このキャビティ４の周囲にはキャビティ４を
囲繞するように第１の誘電体基板１による壁であるウオ
ール３が形成される。
【００１７】キャビティ４の内部には、第１の誘電体基
板１上に第１のＲＦ半導体デバイス１９が実装され、キ
ャビティ４内の第１の誘電体基板１上に設けられたＤＣ
線路１７と第１のＲＦ半導体デバイス１９とはワイヤ１
０により電気的に接続されている。ウォール３の上面に
は、グランド導体５を裏面である底部に設けた多層の第
２の誘電体基板２が積層されている。第２の誘電体基板
上にはＤＣ線路２７が配設され、第１の誘電体基板１の
ＤＣ線路１７と、接続材であるビアホール８を介して電
気的に接続されている。第２の誘電体基板２上にも、第
２のＲＦ半導体デバイス２９が実装され、第２の誘電体
基板２上に設けられたＤＣ線路２７と第２のＲＦ半導体
デバイス２９がワイヤ２０により電気的に接続されてい
る。
【００１８】第２の誘電体基板２を覆うように、底部が
開口した直方体形状で、金属製の板状体からなる金属カ
バー１２が設けられている。金属カバー１２の端部１２
ａがウォール３の上面で第１の誘電体基板１に設けられ
たビアホール１３と接続され、金属カバー１２が第１の
誘電体基板１に導電性接着剤等を用いて接続されてい
る。したがって、金属カバー１２が第２のＲＦ半導体デ
バイス２９を電気的にシールドし、第１および第２のＲ
Ｆ半導体デバイス１９、２９を気密封止している。
【００１９】なお、ＲＦ回路モジュール１００の組立
は、図１に示すように、第１のＲＦ半導体デバイス１９
を実装した第１の誘電体基板１上に、第２のＲＦ半導体
デバイス２９を実装した第２の誘電体基板２が接続した
後、金属カバー１２が第１の誘電体基板１に接続される
ようになっている。
【００２０】この実施の形態におけるＲＦ回路モジュー
ル１００は以上のように構成され、第１の誘電体基板１
と第２の誘電体基板２が積層され、第２の誘電体基板２
に実装された第２のＲＦ半導体デバイス２９が第１の誘
電体基板１のウォール３上面に設けられた金属カバー１
２により遮蔽されるため、第２のＲＦ半導体デバイス２
９を容易に電気的にシールドできる。また、金属カバー
１２により、第１のＲＦ半導体デバイス１９および第２
のＲＦ半導体デバイス２９を同時に気密封止することも
できる。
【００２１】実施の形態２．図３はこの発明の別の実施
の形態であるＲＦ回路モジュール２００を示す断面図で
ある。以降、図１および２と同一もしくは同等の部材お
よび部位には、同一符号を付し、重複する説明は省略す
る。
【００２２】図において、第１の誘電体基板１がウォー
ル３上にセラミックからなる誘電体１ａを備え、金属カ
バー１１２が平らな板状である点が図１と異なる。ウォ
ール３上には、誘電体１ａが第２の誘電体基板２を囲繞
して形成されている。誘電体１ａ上には金属カバー１１
２が設けられ、導電性接着剤等を用いて誘電体１ａと接
続されている。誘電体１ａの内部には、ビアホール１３
が延伸して設けられており、金属ベース１１と金属カバ
ー１１２が電気的に接続されている。
【００２３】この実施の形態におけるＲＦ回路モジュー
ル２００は以上のように構成されているので、図１およ
び２に示すＲＦ回路モジュールと同様の利点を有すると
ともに、金属カバー１１２が板状であるので、金属カバ
ー１１２の取り付けの作業性を向上させることができ
る。
【００２４】実施の形態３．図４はこの発明の別の実施
の形態であるＲＦ回路モジュール３００を示す断面図で
ある。第１の誘電体基板１０１と第２の誘電体基板１０
２のみが図２と異なる。
【００２５】第１の誘電体基板１０１は多層の高温焼成
基板で、熱伝導率の高い、例えば窒化アルミニウムを基
板材料として用いている。第２の誘電体基板１０２は多
層の低温焼成基板である。低温焼成基板とは、通常の基
板に対して低い温度で焼成したものであり、焼成温度が
低いために基板に配線する配線材料として、金や銅など
の融点の低い材料を使用できる。
【００２６】このように、この実施の形態におけるＲＦ
回路モジュール３００は、図１および２に示すＲＦ回路
モジュールと同様の利点を有するほかに、高温焼成基板
は熱伝導率がよいため、第１の誘電体基板１０１に実装
するＲＦ半導体デバイス１９として発熱量の大きいデバ
イスを使用しても、放熱を容易に行える。また、第２の
誘電体基板１０２に低温焼成基板を使用すると、第２の
誘電体基板１０２のＤＣ線路２７に金や銅の配線材料を
使用でき、これらの配線材料は抵抗率が低いため、ＤＣ
線路２７の電気抵抗を小さくできる。したがって、第２
の誘電体基板１０２のＤＣ線路２７による電圧降下を抑
制できる。
【００２７】実施の形態４．図５はこの発明の別の実施
の形態であるＲＦ回路モジュール４００を示す断面図で
ある。図において、第１の誘電体基板１と第２の誘電体
基板２との間には、半田バンプ１１８が挿入されている
点が図２と異なる。第１の誘電体基板１のウォール３の
上面と第２の誘電体基板２の裏面のグランド導体５との
間には、ボール状の半田である半田バンプ１１８が挿入
されている。
【００２８】このように、この実施の形態におけるＲＦ
回路モジュール４００は、図１および２に示すＲＦ回路
モジュールと同様の利点を有するほか、さらに、第１の
誘電体基板１のＤＣ線路１７と第２の誘電体基板２のＤ
Ｃ線路２７との接続、および第１の誘電体基板１と第２
の誘電体基板２のグランド導体５の接続を、ビアホール
８および半田バンプ１１８を介して行うため、ＤＣ線路
１７および２７を重ね合わせる接続部を加工する場合に
比べてＲＦ回路モジュールを小形化できる。
【００２９】実施の形態５．図６はこの発明の別の実施
の形態であるＲＦ回路モジュール５００を示す断面図で
ある。図において、第１の誘電体基板１と第２の誘電体
基板２との間には、異方性導電性シート１１９が挿入さ
れている点が図２と異なる。異方性導電シートとは、シ
ート材料の方向によって性質が異なるものであり、第１
の誘電体基板１と第２の誘電体基板２が対向する方向の
導電粒子の移動を容易にし、導電率を高くしたものであ
る。
【００３０】このように、この実施の形態におけるＲＦ
回路モジュール５００は、図５に示すＲＦ回路モジュー
ルと同様の利点を有するほか、第１の誘電体基板１のＤ
Ｃ線路１７と第２の誘電体基板２のＤＣ線路２７との接
続、および第１の誘電体基板１と第２の誘電体基板２の
グランド導体５の接続を、異方性導電性シート１１９を
介して行うことができるので、第１の誘電体基板１と第
２の誘電体基板２を接続するのに、はんだリフローを必
要としないため、組立作業性が向上するとともに、第２
の誘電体基板２の取り替え作業が容易になる。
【００３１】実施の形態６．図７はこの発明の別の実施
の形態であるＲＦ回路モジュール６００を示す断面図で
ある。図において、チップコンデンサなど気密封止の必
要のない高周波回路デバイス１２０が金属カバー１２の
外側の第１の誘電体基板１上に配置されている点が図２
と異なる。
【００３２】このように、この実施の形態におけるＲＦ
回路モジュール６００は、図２に示すＲＦ回路モジュー
ルと同様の利点を有するほか、キャビティ４の占有面積
を小さくすることができ、不要な導波管モードの抑制が
容易になる。すなわち、キャビティ４の周辺には、金属
ベース１１、ビアホール１３、グランド導体５があるた
め、近似的に四方を金属壁に囲まれた導波管のような構
造が形成されている。したがって、キャビティ４内にチ
ップコンデンサなど気密封止の必要のない高周波回路デ
バイス１２０を配置すると、キャビティ４の占有面積が
大きくなり、この近似的な導波管の横幅が大きくなるの
で、さらに周波数が低い（波長が長い）電波を伝搬させ
てしまう不要な導波管モードの発生が起こりやすい。し
かし、気密封止の必要のない高周波回路デバイス１２０
を金属カバー１２の外側に配置することで、キャビティ
４の占有面積を小さくすることができ、不要な導波管モ
ードの抑制が容易になる。
【００３３】実施の形態７．図８はこの発明の別の実施
の形態であるＲＦ回路モジュール７００を示す断面図で
ある。図において、第１の誘電体基板２０１の高周波回
路デバイス１２０を実装する部位の形状が図７と異な
る。
【００３４】第１の誘電体基板２０１は、金属カバー１
２の外側において、中層から上層にかけて誘電体が部分
的に除去され、段付き部２０１ａが形成されている。こ
の段付き部２０１ａの第１の誘電体基板２０１の高さが
低くなった部位にチップコンデンサなど気密封止の必要
のない高周波回路デバイス１２０が配置されている。
【００３５】このように、この実施の形態におけるＲＦ
回路モジュール７００は、図７に示すＲＦ回路モジュー
ルと同様の利点を有するほか、チップコンデンサなど気
密封止の必要のない高周波回路デバイス１２０は、金属
カバー１２の外側において、第１の誘電体基板２０１の
高さが低くなった部位に、高周波回路デバイス１２０を
配置できるので、ＲＦ回路モジュール７００全体の高さ
を低減できる。
【００３６】実施の形態８．図９はこの発明の別の実施
の形態であるにＲＦ回路モジュール８００を示す断面図
である。図において、第１の誘電体基板３０１のＲＦ半
導体デバイス１９を実装する部位の形状が図２と異な
る。
【００３７】第１の誘電体基板３０１の一部を下層から
上層にかけて除去して、キャビティ４の底面に金属ベー
ス１１を露出させ、キャビティ４内の金属ベース１１上
に第１のＲＦ半導体デバイス１９が実装されている。
【００３８】このように、この実施の形態におけるＲＦ
回路モジュール８００は、図２に示すＲＦ回路モジュー
ルと同様の利点を有するほか、熱伝導性のよい金属ベー
ス１１上に第１のＲＦ半導体デバイス１９が実装されて
いるので、第１のＲＦ半導体デバイス１９からの放熱が
容易に行われる。
【００３９】実施の形態９．図１０はこの発明の別の実
施の形態であるＲＦ回路モジュールの回路を示す回路構
成図である。
【００４０】図において、１２１はスイッチ、１２２は
ハイパワーアンプ、１２３はローノイズアンプ、１２４
は送信系回路、１２５は受信系回路、１２６はＲＦ線
路、１２７はＤＣ線路、１２８は制御回路側端子、１２
９はアンテナ側端子、１３０は入出力端子である。この
回路を含んだＲＦ回路モジュールを説明するために、便
宜上図１を用いる。図１０に示すハイパワーアンプ１２
２、スイッチ１２１を含む送信系回路１２４は第１の誘
電体基板１に実装されている。ローノイズアンプ１２３
を含む受信系回路１２５は第２の誘電体基板２に実装さ
れている。また、送信系回路１２４のハイパワーアンプ
１２２を制御するためのＤＣ線路１７、受信系回路１２
５のローノイズアンプ１２３を制御するためのＤＣ線路
２７は接続されており、第２の誘電体基板２を介して制
御回路側端子１２８に接続されている。アンテナ側端子
１２９、入出力端子１３０は、第１の誘電体基板１を介
して接続されている。
【００４１】このように、この実施の形態におけるＲＦ
回路モジュールは、送信系回路１２４および受信系回路
１２５ごとに分離して実装するので、ＲＦ回路モジュー
ルの回路構成を容易にできる。
【００４２】
【発明の効果】この発明に係るＲＦ回路モジュールによ
れば、ウォールに囲繞されたキャビティが上層に形成さ
れた多層の第１の誘電体基板と、キャビティ内で第１の
誘電体基板に実装された第１のＲＦ半導体デバイスと、
ウォールの上面で第１の誘電体基板と接続され、裏面に
グランド導体を有する少なくとも１層以上の第２の誘電
体基板と、第２の誘電体基板の上面に実装された第２の
ＲＦ半導体デバイスと、第２の誘電体基板および第２の
ＲＦ半導体デバイスを覆い、ウォールで第１の誘電体基
板と接続され、第２のＲＦ半導体デバイスを電気的にシ
ールドするとともに前記第１および第２のＲＦ半導体デ
バイスを気密封止する金属カバーとを備えているので、
第１の誘電体基板および第２の誘電体基板上のＲＦ半導
体デバイスを容易に電気的にシールドできるとともに気
密封止でき、小形化、高性能化を実現するＲＦ回路モジ
ュールを提供できる。
【００４３】また、この発明に係るＲＦ回路モジュール
によれば、第１の誘電体基板が、第２の誘電体基板を囲
繞する誘電体を備え、金属カバーが板状であるので、金
属カバーの取り付けの作業性が向上する。
【００４４】また、この発明に係るＲＦ回路モジュール
によれば、第１の誘電体基板が高温焼成基板であるの
で、熱伝導率がよいため、第１の誘電体基板に実装する
ＲＦ半導体デバイスの放熱を容易に行える。また、第２
の誘電体基板が低温焼成基板であるので、基板の配線材
料として低融点でかつ電気抵抗が小さい材料を使用でき
電圧降下を抑制できる。
【００４５】また、この発明に係るＲＦ回路モジュール
によれば、第１の誘電体基板と第２の誘電体基板とが半
田バンプにより接続されているので、第１の誘電体基板
と第２の誘電体基板の接続を簡単な構造で行うことがで
き、ＲＦ回路モジュールをさらに小形化できる。
【００４６】また、この発明に係るＲＦ回路モジュール
によれば、第１の誘電体基板と第２の誘電体基板とが異
方性導電性シートにより接続されているので、第１の誘
電体基板と第２の誘電体基板２を接続するのに、はんだ
リフローを必要とせず、組立作業性が向上する。また、
第２の誘電体基板の取り替え作業も容易になる。
【００４７】また、この発明に係るＲＦ回路モジュール
によれば、気密封止する必要のない高周波回路デバイス
を金属カバーの外側であって、第１の誘電体基板上に実
装しているので、キャビティの占有面積を小さくでき、
不要な導波管モードを抑制できる。
【００４８】また、この発明に係るＲＦ回路モジュール
によれば、第１の誘電体基板が、高周波回路デバイスを
実装する段付き部を備えているので、ＲＦ回路モジュー
ル全体の高さを低減できる。
【００４９】また、この発明に係るＲＦ回路モジュール
によれば、第１の誘電体基板が、金属ベースを備え、キ
ャビティの底面に金属ベースが露出しているので、第１
のＲＦ半導体デバイスを金属ベースに直接実装でき、第
１のＲＦ半導体デバイスからの放熱性が向上する。
【００５０】また、この発明に係るＲＦ回路モジュール
によれば、第１の誘電体基板に送信系回路を、第２の誘
電体基板に受信系回路をそれぞれ実装しているので、Ｒ
Ｆ回路モジュールの回路構成が容易になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 この発明の実施の形態１のＲＦ回路モジュー
ルの構成を示す組立図である。
【図２】 この発明の実施の形態１のＲＦ回路モジュー
ルを示す断面図である。
【図３】 この発明の実施の形態２のＲＦ回路モジュー
ルを示す断面図である。
【図４】 この発明の実施の形態３のＲＦ回路モジュー
ルを示す断面図である。
【図５】 この発明の実施の形態４のＲＦ回路モジュー
ルを示す断面図である。
【図６】 この発明の実施の形態５のＲＦ回路モジュー
ルを示す断面図である。
【図７】 この発明の実施の形態６のＲＦ回路モジュー
ルを示す断面図である。
【図８】 この発明の実施の形態７のＲＦ回路モジュー
ルを示す断面図である。
【図９】 この発明の実施の形態８のＲＦ回路モジュー
ルを示す断面図である。
【図１０】 この発明の実施の形態９のＲＦ回路モジュ
ールの回路を示す回路構成図である。
【図１１】 従来のＲＦ回路モジュールを示す断面図で
ある。
【符号の説明】
１、１０１、２０１ 第１の誘電体基板、１ａ 誘電
体、２、１０２ 第２の誘電体基板、３ ウォール、４
キャビティ、５ グランド導体、１１ 金属ベース、
１２、１１２ 金属カバー、１９ 第１のＲＦ半導体デ
バイス、２９ 第２のＲＦ半導体デバイス、１００、２
００、３００、４００、５００、６００、７００、８０
０ 回路モジュール、１１８ 半田バンプ、１１９ 異
方性導電性シート、１２０ 高周波回路デバイス、１２
４ 送信系回路、１２５ 受信系回路。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｋ 1/18 (72)発明者 宮▲崎▼ 守▲泰▼ 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 新居 眞敏 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 Ｆターム(参考） 5E336 AA04 AA08 AA12 AA14 AA16 BB03 BB18 BC15 BC26 BC34 CC31 CC36 CC58 DD16 EE05 GG11 GG30

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ウォールに囲繞されたキャビティが上層
    に形成された多層の第１の誘電体基板と、 前記キャビティ内で前記第１の誘電体基板に実装された
    第１のＲＦ半導体デバイスと、 前記ウオールの上面で前記第１の誘電体基板と接続さ
    れ、裏面にグランド導体を有する少なくとも１層以上の
    第２の誘電体基板と、 前記第２の誘電体基板の上面に実装された第２のＲＦ半
    導体デバイスと、 前記第２の誘電体基板および前記第２のＲＦ半導体デバ
    イスを覆い、前記ウオールの上面で前記第１の誘電体基
    板と接続され、前記第２のＲＦ半導体デバイスを電気的
    にシールドするとともに前記第１および第２のＲＦ半導
    体デバイスを気密封止する金属カバーとを備えたＲＦ回
    路モジュール。
  2. 【請求項２】 前記第１の誘電体基板が、前記第２の
    誘電体基板を囲繞する誘電体を備え、前記金属カバーが
    板状であることを特徴とする請求項１記載のＲＦ回路モ
    ジュール。
  3. 【請求項３】 前記第１の誘電体基板が高温焼成基板で
    あり、前記第２の誘電体基板が低温焼成基板であること
    を特徴とする請求項１あるいは２のいずれか記載のＲＦ
    回路モジュール。
  4. 【請求項４】 前記第１の誘電体基板と前記第２の誘電
    体基板とが半田バンプにより接続されていることを特徴
    とする請求項１乃至３のいずれか記載のＲＦ回路モジュ
    ール。
  5. 【請求項５】 前記第１の誘電体基板と前記第２の誘電
    体基板とが異方性導電性シートにより接続されているこ
    とを特徴とする請求項１乃至３のいずれか記載のＲＦ回
    路モジュール。
  6. 【請求項６】 前記金属カバーの外側であって、前記第
    １の誘電体基板上に実装された、気密封止する必要のな
    い高周波回路デバイスを備えたことを特徴とする請求項
    １乃至５のいずれか記載のＲＦ回路モジュール。
  7. 【請求項７】 前記第１の誘電体基板が、前記高周波回
    路デバイスを実装する段付き部を備えたことを特徴とす
    る請求項１乃至６のいずれか記載のＲＦ回路モジュー
    ル。
  8. 【請求項８】 前記第１の誘電体基板が、金属ベースを
    備え、前記キャビティの底面に前記金属ベースが露出し
    ていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか記載
    のＲＦ回路モジュール。
  9. 【請求項９】 前記第１の誘電体基板に送信系回路を、
    第２の誘電体基板に受信系回路をそれぞれ実装している
    ことを特徴とする請求項３あるいは８記載のＲＦ回路モ
    ジュール。
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