WO1999020374A1 - Procede et appareil de traitement de gaz d'echappement issus de la fabrication de semiconducteurs - Google Patents

Procede et appareil de traitement de gaz d'echappement issus de la fabrication de semiconducteurs Download PDF

Info

Publication number
WO1999020374A1
WO1999020374A1 PCT/JP1998/004666 JP9804666W WO9920374A1 WO 1999020374 A1 WO1999020374 A1 WO 1999020374A1 JP 9804666 W JP9804666 W JP 9804666W WO 9920374 A1 WO9920374 A1 WO 9920374A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
gas
exhaust gas
stirring tank
liquid
water
Prior art date
Application number
PCT/JP1998/004666
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Hiroshi Ikeda
Yasuhiro Kubota
Takashi Kyotani
Original Assignee
Ebara Corporation
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ebara Corporation filed Critical Ebara Corporation
Priority to DE69833030T priority Critical patent/DE69833030T2/de
Priority to US09/463,961 priority patent/US6953557B1/en
Priority to KR1020007000917A priority patent/KR100592579B1/ko
Priority to JP2000516759A priority patent/JP3893023B2/ja
Priority to EP98947890A priority patent/EP1027918B1/en
Publication of WO1999020374A1 publication Critical patent/WO1999020374A1/ja

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
    • B01D53/34—Chemical or biological purification of waste gases
    • B01D53/46—Removing components of defined structure
    • B01D53/68—Halogens or halogen compounds
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
    • B01D53/34—Chemical or biological purification of waste gases
    • B01D53/74—General processes for purification of waste gases; Apparatus or devices specially adapted therefor
    • B01D53/75—Multi-step processes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
    • B01D53/34—Chemical or biological purification of waste gases
    • B01D53/74—General processes for purification of waste gases; Apparatus or devices specially adapted therefor
    • B01D53/77—Liquid phase processes
    • B01D53/78—Liquid phase processes with gas-liquid contact

Definitions

  • the present invention relates to exhaust gas treatment, and more particularly, to a method and an apparatus for removing harmful components from exhaust gas discharged from a semiconductor manufacturing apparatus.
  • TEOS tetraethoxy Sila down the CVD process a silicon wafer (hereinafter, referred to as TEOS), NH 3, S i H 2 C 1 2 or the like is used.
  • the abatement equipment is roughly classified into a dry type using a solid adsorbent and a wet type using a chemical solution.
  • the treatment performance is high, and the concentration of harmful components at the detoxification outlet can be made lower than the allowable concentration in the working environment.
  • An object of the present invention is to provide a method and apparatus for treating semiconductor manufacturing exhaust gas, which solves the above problems, maintains a high removal rate of harmful components in exhaust gas, suppresses blockage by solid products, and has a low running cost. As an issue.
  • the removing step preferably includes a step of bringing the gas discharged from the ventilation stirring tank into contact with an aqueous liquid.
  • the removing step includes a step of introducing a gas discharged from the ventilation stirring tank into a packed tower filled with the drug.
  • a step of contacting a gas discharged from the ventilation stirring tank with an aqueous liquid, and a step of charging the gas discharged from the ventilation stirring tank to a packed tower filled with a drug a step of introducing.
  • the aqueous liquid is preferably an aqueous solution containing no metallic element, and the aqueous solution preferably has a pH of 7.1 to 10.
  • the gas discharged from the ventilation stirring tank is moved by a gas moving device.
  • the gas transfer device include a gas-liquid contact device or a gas suction device provided downstream of the packed tower.
  • a gas transfer device a gas-liquid contact device or a fan or the like may be provided upstream of the packed tower.
  • the method further includes a step of discharging exhaust gas from the semiconductor device manufacturing apparatus, and that the exhaust gas be introduced into the alkaline aqueous liquid in the introducing step.
  • a ventilating agitating tank for introducing exhaust gas into the alkaline aqueous liquid while agitating the alkaline aqueous liquid, and a gas-liquid for bringing gas discharged from the ventilating agitator into contact with the aqueous liquid
  • An exhaust gas treatment device comprising: a contact device; and at least one of a packed tower filled with a drug for passing gas exhausted from the ventilation stirring device.
  • the gas-liquid contact device it is preferable to have the gas-liquid contact device.
  • a gas moving device for moving the gas that has passed through the ventilation stirring tank.
  • an acidic gas such as HC1, HF, tetra :? : Tokishishiri organosilicon compound such as Con, BC 1 3, S i C 1 inorganic halogen compounds such as 4 are removed.
  • noxious gases that can not be removed by the aeration stirring tank for example, ammonium Nia, alkaline gas such as Amin, ethanol, water-soluble organic compound such as ⁇ acetaldehyde, halogenated such as S i C 1 4 silicon compounds, halogen such as F 2, C l 2 Gases and the like can be removed by a gas-liquid contacting device or a packed tower at a later stage.
  • a small amount of acidic gas for example, HC1, HF, etc. may pass through the alkaline aqueous liquid, such a small amount of acidic gas can be removed at a later stage.
  • Gas-liquid contactors are particularly suitable for removing water-soluble organic compounds, acid gases and alkaline gases.
  • packed columns filled with chemicals are particularly suitable for removing halogenated silicon compounds, halogen gas, and the like.
  • the present invention does not aim at removing organic fluorine compounds such as CF 4 , CHF 3 and C 2 F 6 . This is because these organic fluorine compounds are chemically stable and do not significantly hinder semiconductor production.
  • the exhaust gas and the alkaline solution are contacted in a ventilation stirring tank, and the gas after the contact is removed. Further, the gas may be brought into contact with water, and the gas may be brought into contact with the solution by gas suction at a later stage.
  • an exhaust gas treatment device for removing a harmful component by bringing a semiconductor manufacturing exhaust gas into contact with an alkaline solution, wherein the exhaust gas is brought into contact with the alkaline solution;
  • a gas-liquid contacting device for contacting with water may be provided, and a gas suction device for sucking gas may be provided at a stage subsequent to the device.
  • the exhaust gas before or after contacting the exhaust gas with water, the exhaust gas can be contacted with the drug in a packed tower filled with the drug, and the alkaline solution contains an alkali metal element such as ammonia or an amine.
  • the pH value should be 7.1 to: L0, especially 8.0 to 9.5.
  • FIG. 1 is an overall configuration diagram showing an example of the processing apparatus of the present invention.
  • FIG. 2 is an overall configuration diagram showing another example of the processing apparatus of the present invention.
  • FIG. 3 is an overall configuration diagram showing another example of the processing apparatus of the present invention.
  • FIG. 4 is an overall configuration diagram showing another example of the processing apparatus of the present invention. Preferred embodiments of the invention
  • 1 to 3 show the overall configuration of an apparatus for treating exhaust gas for semiconductor production according to the present invention.
  • 1 is the exhaust gas for semiconductor production
  • 2 is the overflow pipe
  • 3 is the alkaline liquid
  • 4 is the cleaning liquid (alkaline solution)
  • 5 is the aeration and agitation tank
  • 6 is the alkali treatment exhaust gas
  • 7 is the gas-liquid.
  • Contact device, 8 is water
  • 9 and 16 are demi-sun
  • 10 is a drain pipe
  • 11 is a packed tower
  • 12 is an aspirator
  • 13 is a process gas
  • 14 is a pH meter
  • 15 is water .
  • Fig. 1 shows an example in which the packed tower 11 is not provided.
  • the semiconductor manufacturing exhaust gas 1 was first adjusted to pH 7.1 to 10 with water 15 or an alkaline solution 3, preferably pH 8.0 to 9.5.
  • the cleaning liquid 4 having a strong force is brought into contact with the aeration and stirring tank 5.
  • most of the removed components are absorbed and removed by the cleaning solution.
  • the compound is hydrolyzed by the following reaction.
  • the ventilation stirring tank has a tank for holding the alkaline liquid, a stirring means for stirring the alkaline liquid, and an exhaust gas introduction part for introducing the exhaust gas into the alkaline liquid.
  • the stirring means has, for example, a motor, a shaft rotatably connected to the motor, and a blade fixed to the shaft.
  • the exhaust gas is introduced into the alkaline liquid from the outlet of the exhaust gas introduction section.
  • the outlet of the exhaust gas introduction section is preferably located near the blade of the stirring means.
  • FIGS. 4 (a), 4 (b), 5 (a) and 5 (b) 17 is a motor, 18 is a stirring blade, 18 is a gas introduction straight pipe, and 20 is a baffle plate.
  • Reference numeral 21 denotes a perforated tube, 22 denotes a packing, 23 denotes a spray nozzle, 24 denotes exhaust gas washed with water, and 25 denotes air.
  • Fig. 4 (a) shows a high-speed rotation of the stirring blade 18 (disk turbine blade) directly connected to the motor 17 in which two or more right-angle turbine blades are attached to the disk-shaped circumference.
  • the gas is introduced directly below the stirring blade by a straight pipe 19 to form fine bubbles by the shearing force of the stirring blade and disperse the gas in the liquid.
  • it is preferable to install them in upper and lower stages and rotate them at high speed.
  • Fig. 4 (b) shows a high-speed rotation of the stirring blade 18 (disk turbine blade) in the liquid, which is directly connected to the motor 17 and has a number of right angle bin bottles attached to the disk-shaped circumference.
  • a gas is introduced from just below the stirring blade in a finely divided state with a porous tube 21 and is further formed into finer bubbles by the shearing force of the stirring blade installed directly above the gas to disperse the gas in the liquid.
  • It is. 20 is a baffle.
  • mist containing salts generated by the neutralization reaction is generated.
  • a mist containing NH 4 C 1 is generated.
  • sodium hydroxide is used for the neutralizing solution
  • mist containing NaC1 is generated.
  • BC 1 3 Ya i F 4 to a wet process the mist containing B 2 0 3 and S i 0 2 is these hydrolysis products occurs. These products may accumulate at the later stage of the treatment equipment and cause troubles such as clogging.
  • mist are generated by the reaction of the components to be treated with the fine particles of the cleaning liquid present in the absorber and the components (for example, water molecules and ammonia molecules) volatilized from the cleaning liquid.
  • the diffusion coefficient of gas molecules is on the order one 1 0 5 m 2 Z sec
  • diffusion counting of such mist 1 0 3 to 1 0 1 1 mV sec order one It is said that the diffusion rate is extremely slow.
  • the concentration of the gas phase at the gas-liquid interface decreases, and a concentration gradient occurs in the nearby gas phase.
  • the component to be treated is diffused and transported by this concentration gradient, and the dissolution of the component to be treated in the liquid is promoted.
  • the transport by diffusion is proportional to the diffusion coefficient of the component to be treated.
  • the diffusion coefficient of the mist is much smaller than that of gas molecules, so that the transport amount by diffusion is much smaller. For this reason, the dissolution rate of the mist component in the liquid film is low, and sufficient removal performance cannot be obtained.
  • the bubbles in the liquid are broken by the stirring blade to promote the renewal of the gas-liquid interface, and the mist concentration of the gas phase at the gas-liquid interface is kept high, so that the dissolution is promoted and high removal performance is obtained. It is a device that can perform
  • the gas 6 that has exited the ventilation stirring tank 5 mainly contains the target component that could not be removed, and when volatile alkaline liquid is used, ammonia, amine, etc.
  • the water is brought into contact with the water 8 by the contact device 7, and then the droplet is removed in the evening 9.
  • Any known gas-liquid contact device can be used here, for example, those shown in FIGS. 5 (a) and 5 (b) may be used.
  • FIG. 5 (a) shows a packed tower filled with Raschig rings 22 therein. Water 8 is sprayed from the upper part of the lashing ring 22 onto the upper surface of the packing, and the gas 6 is brought into gas-liquid contact when passing through the filling zone.
  • Fig. 5 (b) shows a shower tower with a spray nozzle 23 installed inside. Water 8 is sprayed from the tip of the spray nozzle 23 into a water film, and the gas is brought into gas-liquid contact when passing through the water film.
  • the processing gas is discharged 13 from the apparatus through the suction device 12.
  • the suction device 12 examples include an ejector-type suction device, a fan, a water ring pump, and the like, in which high-pressure air or water is jetted from a nozzle, and the suction force generated there is used to make the secondary side a suction negative pressure.
  • the suction device is not essential, and the primary side may be set to a positive pressure instead of the secondary side being set to a negative pressure.
  • a gas may be supplied by providing a fan on the primary side.
  • the cleaning liquid 4 is consumed by the treatment and the removal efficiency is reduced. Therefore, if necessary, the pH is constantly measured with the pH electrode 14, and when the pH falls below the specified pH, it is preferable to inject the alkaline liquid 3 into the cleaning liquid using a chemical pump.
  • reaction product of the components in the exhaust gas with water or an alkaline solution may accumulate in the cleaning solution, resulting in a decrease in the removal rate or precipitation of the product. Therefore, it is preferable to prevent the accumulation of products by discharging the washing liquid from the overflow pipe 2 while adding a certain amount of water 15.
  • the disk and the bin type blades are rotated, the gas is dispersed by the shearing force, and the blades are installed in two upper and lower stages to further apply a shearing force, and A description has been given of a method for increasing the residence time in the washing liquid, but any other stirring blade may be used as long as sufficient gas-liquid contact efficiency can be obtained.
  • the gas-liquid contact device 7 can obtain sufficient gas-liquid contact efficiency, and the suction device 12 Any type other than the above may be used as long as the pressure state of the inflowing exhaust gas 1 is always maintained at a negative pressure.
  • FIGS. 2 and 3 show a packing column 11 further filled with a drug in FIG. 1, and FIG. 2 shows a gas-liquid contact device 7 at a later stage, and FIG. A packing tower 11 is provided at the front stage.
  • the components to be treated that could not be completely removed by the treatment in FIG. 1 remain, they are adsorbed and removed to below the working environment allowable concentration in the packed tower 11 filled with an appropriate chemical.
  • the gas 6 that has left the aeration and stirring tank 5 and has been subjected to droplet removal at the demist 16 is mainly the component to be treated that could not be removed, and ammonia and amine when volatile alkaline liquid was used.
  • the gas 6 is first passed through a packed tower 11 filled with an appropriate chemical to adsorb and remove the components to be treated to a concentration below the working environment allowable concentration.
  • the chemicals to be packed into the packed tower include (A) activated carbon such as alkali-impregnated activated carbon, (B) one or more metal oxides selected from oxides of metal elements such as Cu, Mn, Fe, and Zn; (C) anion exchange resin and (D) soda lime can be used.
  • (A) alkali impregnated activated carbon is effective in removing such S i F 4, N0 2, C 1 2, NH 4 C 1
  • the metal oxide e.g., Cu- Mn complex oxide, F e 2 ⁇ 3 oxides of transition metals or the like is preferably used.
  • (C) Anion-exchange resins are effective in removing such S i F 4, C l 2 , NH 4 C 1.
  • the anion exchange resin preferably has a quaternary ammonium group.
  • the resin is not limited to the anion exchange resin, and if desired, the cation exchange resin alone or both the cation exchange resin and the anion exchange resin may be used.
  • the soda lime for example, those coatings consisting of N A_ ⁇ _H the powder of N a 2 C_ ⁇ 3 is formed is used.
  • FIG. 6 shows an apparatus having an aeration-stirring tank 5 and a packed column 11 filled with a drug, which is arranged downstream of the tank.
  • the gas-liquid contact device 7 is not provided in the device of FIG. In the apparatus shown in FIG.
  • ammonia is preferable to use an alkaline solution other than ammonia for the aeration and stirring tank 5. This is because ammonia removal may be limited when chemicals are used. However, ammonia can also be removed if a suitable cation exchange resin is used in the packed column.
  • the packed tower filled with the drug it is possible to remove the S i F halogenated Kei-containing compounds such as 4, F 2, C 1 2 and halogen gas.
  • a conventional packed tower can be used as the packed tower filled with the drug.
  • a packed packed tower can also be used.
  • the disclosures of International Application PCT Z JP 98 8 0 1653 and Japanese Patent Application No. 10-166857 are incorporated herein by reference.
  • Exhaust gas discharged from the A1 etching equipment for semiconductor manufacturing was processed using the processing equipment shown in FIG.
  • the flow rate of semiconductor exhaust gas is 40 liter in.
  • the semiconductor exhaust gas 1 is first introduced into a ventilation stirring tank 5 filled with water 4 adjusted to pH 8.5 to 9.5 with ammonia water 3, and the stirring blades 18 rotating at a time 17 And is brought into contact with water 4.
  • the rotation speed of the stirring blade 18 was 600 rpm.
  • 3 liters / min of water 15 was introduced into the ventilation agitation tank, and the same amount of blowdown wastewater 2 was drained.
  • the pH of the blowdown water was constantly monitored with a pH electrode 14, and when the pH was lower than 9, ammonia water 3 was injected.
  • Outlet gas 6 from the aeration-stirring tank that exited the aeration-stirring tank was passed through a water shower 7 and was brought into contact with 5 liter / min water 8 sprayed from a spray nozzle 23.
  • the water after contact was discharged as a water shower drain 10.
  • a Demys 9 was installed at the outlet of the water shower.
  • the outlet gas 24 of the water shower that exited the water shower was introduced into the packed tower 11.
  • the packed tower 11 was packed with 10 liters of an anion exchange resin.
  • the gas at the outlet of the packed tower exiting the packed tower is introduced into an air ejector 112 driven by air 29 and discharged as a treated gas 13.
  • the introduced amount of air 25 was 40 liter / min.
  • the leak concentrations of B 2 ⁇ 3 and NH 4 C 1 are 1 SmgZm 3 and 2 Omg / m 3 , respectively, which is one order of magnitude compared to the packed tower scrubber. It was lower.
  • the treatment was continued for one month, but no troubles such as blockage or heat generation in the equipment due to solid matter contained in the semiconductor exhaust gas occurred. Although it was also inspected in the duct after the treatment completion apparatus outlet, B 2 0 3 and NH 4 C 1 or the like of the powder deposition of either a recognized ivy.
  • Table 2 shows changes in the apparatus inlet pressure when the flow rate of the air 25 introduced into the air ejector 12 is changed in the configuration as shown in the first embodiment. As the amount of air introduced was increased, the inlet pressure decreased, and when 40 liter min was introduced, the inlet pressure reached —15 OmmAci. Table 2 Air volume introduced into the air ejector
  • semiconductor exhaust gas discharged from the A1 etching apparatus for semiconductor manufacturing was processed.
  • the flow rate of the exhaust gas is 120 liters Zmin.
  • the semiconductor exhaust gas 1 is first introduced into a ventilation stirring tank 5 filled with water 4 adjusted to a pH of 8.5 to 9.5 with ammonia water 3, and is refined by a stirring blade 18 rotated by a motor 17. And contacted with water 4.
  • the rotation speed of the stirring blade 18 was set at 600 rpm.
  • 3 liters of Zmin water 15 was introduced into the aeration stirred tank, and the same amount of blowdown wastewater 2 was drained.
  • the pH of the blow-down water was constantly monitored with a pH electrode 14, and when the pH was lower than 9, ammonia water 3 was injected.
  • the gas 6 at the outlet of the aeration-stirring tank that exited the aeration-stirring tank was introduced into the packed tower 11.
  • the packed tower was packed with 10 liters of anion exchange resin.
  • the gas at the outlet of the packed tower exiting the packed tower was passed through a water shower 7 and was brought into contact with 5 liters of Zmin water 8 sprayed from a spray nozzle 23.
  • the water after the contact was discharged as a water shower drain 10.
  • a demister 9 was installed at the outlet of the water shower.
  • the outlet gas 24 of the water shower exiting the water shower is introduced into the air ejector 112 driven by the air 25 and discharged as the treated gas 13.
  • the amount of air 25 introduced was 90 liters Zmin.
  • Gas treatment was performed with the above configuration, and semiconductor exhaust gas 1, gas at the outlet of the ventilation stirrer tank 6, gas at the outlet of the packed tower, and treated gas 13 were analyzed. Table 3 shows the results.
  • Table 3 Semiconductor exhaust gas Vent agitation tank Packing tower outlet Treated gas
  • a 1 C 1 3 is the process of each stage, the concentration of these components in the treated gas, were all below the detection limit . Further, components such as NH 3, B 2 0 3, NH 4 C 1 generated in the course of the process is also water shower and are processed to below the detection field of vision by a packed column.
  • the aeration and agitation tank is used in the first stage to prevent the reaction product of the component to be treated and water or alkaline solution from leaking to the second stage, and to prevent troubles caused by the product. Can be reduced.

Description

明細書 半導体製造排ガスの処理方法及び装置 発明の属する技術分野
本発明は、 排ガスの処理に係り、 特に、 半導体製造装置から排出される排ガス から有害成分を除去する方法及び装置に関する。
従来の技術
現在の半導体製造産業では、 シリコンウェハのドライエッチング及びチャンバ —クリーニング等の工程で C F4 、 CHF3 、 C2F6 、 C l 2 、 HB r、 HC 1、 B C 13 、 C 1 F3 等、 またシリコンウェハの CVD工程でテトラエトキシシラ ン （以下、 TEOSという） 、 NH3 、 S i H2C 12等が使用されている。 これ らの工程の排ガスには、 上記の末反応ガスの他、 S i F4、 F2、 HF、 S i C 14、 CH3CH〇、 CH3OH、 C2H5OH等の分解生成物も含まれており、 そ のまま排出できないものなので、 除害装置により有害成分を除去した後に排出さ れている。
除害装置には大きく分けて、 固形吸着剤を用いる乾式のものと、 薬液を用いる 湿式のものとがある。
従来の半導体製造排ガスの除害装置には次のような問題点がある。
(乾式の場合）
一般的に処理性能が高く、 除害出口の有害成分濃度を作業環境許容濃度以下に することができるが以下の問題点がある。
( 1) 固形吸着剤が消耗するたびに交換する必要があり、 ランニングコストが高 い。
(2) 固形反応生成物を含む排ガスの場合、 閉塞が生じる場合がある。
(3) 使用済吸着剤は有害成分を高濃度に濃縮しているので、 処理に手間とコス トがかかる。 また、 高濃度に濃縮しているので、 発熱等のトラブルが起こる場合 がある。
(湿式の場合）
一般的にランニングコストは安価であるが、 以下の問題点がある。
( 1 ) 一般の湿式の場合、 処理性能が低く、 除害出口で有害成分を作業環境許容 濃度以下にすることが難しい。 また、 処理対象成分が少ない。
( 2 ) 一般の湿式の場合、 処理装置の後段で固体の反応生成物 （N H4 C し S i〇2、 B 20 3等） が生成され、 閉塞を起こす場合がある。
( 3 ) 一般の気泡塔の場合、 排ガス流入側が正圧になり、 上流側真空ポンプ等に 高負荷を与える場合がある。
( 4 ) ジェットスクラバ式の場合、 循環ポンプにて固形生成物に上るトラブルを 起こす場合がある。
そして、 これらの除害装置は、 クリーンルームの内部に設けられることがある ので、除害装置がクリーンルームの汚染源になってはならないという制約もある。 本発明の概要
本発明は、 上記問題点を解消し、 排ガス中の有害成分の除去率を高く保ち、 固 形生成物による閉塞を抑制でき、 ランニングコストが安価な半導体製造排ガスの 処理方法と装置を提供することを課題とする。
本発明の一側面では、 通気攪拌槽中のアルカリ性水性液を攪拌しつつ、 排ガス をアルカリ性水性液に導入する工程と、 通気攪拌槽から排出されるガスから更に 有害ガスを除去する工程と、 を有することを特徴とする排ガスの処理方法が提供 される。
本発明において、 前記除去工程が、 通気攪拌槽から排出されるガスを水性液に 接触させる工程を有することが好ましい。 あるいは、 前記除去工程が、 通気攪拌 槽から排出されるガスを薬剤を充填した充填塔に導入させる工程を有することが 好ましい。 あるいは、 前記除去工程が、 通気攪拌槽から排出されるガスを水性液 に接触させる工程と、 通気攪拌槽から排出されるガスを薬剤を充填した充填塔に 導入させる工程と、 を有することが好ましい。
前記アル力リ性水性液がアル力リ金属元素を含まない水溶液であり、 前記水溶 液の p Hが 7 . 1〜 1 0であることが好ましい。
また、 通気攪拌槽から排出されるガスが、 ガス移動装置により移動させられる ことが好ましい。 ガス移動装置としては、 気液接触装置又は充填塔の下流に設け られるガス吸引器が挙げられる。 しかし、 ガス移動装置として、 気液接触装置又 は充填塔の上流にファン等を設けても良い。
半導体デバイス製造装置から排ガスを放出する工程を更に有し、 この排ガスを 上記導入工程で上記アル力リ性水性液に導入することが好ましい。
本発明の他の側面では、 アルカリ性水性液を攪拌しつつ、 排ガスをアルカリ性 水性液に導入するための通気攪拌槽と、 前記通気攪拌装置から排出されたガスを 水性液に接触させるための気液接触装置、 及び、 前記通気攪拌装置から排出され たガスを通すための、 薬剤を充填した充填塔の少なくとも一方と、 を有する排ガ スの処理装置が提供される。
本発明において、 前記気液接触装置を有することが好ましい。 あるいは、 本発 明において、 前記充填塔を有することが好ましい。 あるいは、 前記気液接触装置 及び前記充填塔を有することが好ましい。
また、 通気攪拌槽を通過したガスを移動させるための、 ガス移動装置を更に有 することが好ましい。
更に、 半導体デバイスの製造装置から排出される排ガスを前記通気攪拌槽に導 入するための通路を有することが好ましい。
本発明では、 通気攪拌槽で、 H C 1、 H F等の酸性ガス、 テトラ:？：トキシシリ コン等の有機シリコン化合物、 B C 1 3、 S i C 1 4等の無機ハロゲン化合物が 除去される。
そして、 本発明では、 通気攪拌槽で除去しきれない有害ガス、 例えば、 アンモ ニァ、 ァミン等のアルカリ性ガス、 エタノール、 ァセトアルデヒド等の水溶性有 機化合物、 S i C 1 4等のハロゲン化シリコン化合物、 F 2、 C l 2等のハロゲン ガス等を後段の気液接触装置又は充填塔で除去することができる。 また、 微量の 酸性ガス、 例えば、 HC 1、 HF等がアルカリ性水性液を通過する場合があるの で、 このような微量の酸性ガスも後段で除去することができる。
気液接触装置は、 特に、 水溶性有機化合物、 酸性ガス、 アルカリ性ガスを除去 するのに適している。 一方、 薬剤を充填した充填塔は、 特に、 ハロゲン化シリコ ン化合物、 ハロゲンガス等を除去するのに適している。
なお、 本発明では、 CF4 、 CHF3 、 C2F6 等の有機フッ素化合物を除去す ることを目的としていない。 これらの有機フッ素化合物は、化学的に安定であり、 半導体製造を格別に阻害しないからである。
本発明では、 半導体製造排ガスを、 アルカリ性溶液と接触させて有害成分を除 去する排ガスの処理方法において、 前記排ガスとアルカリ性溶液の接触を通気撹 拌槽で行い、 該接触させた後のガスを更に水と接触させると共に、 これらのガス と溶液との接触を後段でのガス吸引によって行ってもよい。
また、 本発明では、 半導体製造排ガスを、 アルカリ性溶液と接触させて有害成 分を除去する排ガスの処理装置において、 前記排ガスとアルカリ性溶液を接触さ せる通気撹拌槽と、 該撹拌槽からの排ガスを水と接触させる気液接触装置とを設 置し、 それらの装置の後段にガスを吸引するガス吸引器を設けてもよい。
前記本発明においては、 排ガスを水と接触させる前又は後に、 薬剤を充填した 充填塔で排ガスを薬剤と接触させることができ、 また、 前記アルカリ性溶液は、 アンモニア又はアミン等のアルカリ金属元素を含まない水溶液を用い、 その pH 値は 7. 1〜： L 0、 特に 8. 0〜9. 5とするのが良い。 図面の簡単な説明
図 1は、 本発明の処理装置の一例を示す全体構成図である。
図 2は、 本発明の処理装置の他の例を示す全体構成図である。
図 3は、 本発明の処理装置の別の例を示す全体構成図である。
図 4 (a) 及び図 4 (b) は、 本発明で用いる通気撹拌槽の断面図である。 図 5 (a) 及び図 5 (b) は、 本発明で用いる気液接触装置の断面図である。 図 6は、 本発明の処理装置の別の例を示す全体構成図である。 発明の好ましい実施態様
次に、 本発明を図面を用いて詳細に説明する。
図 1〜図 3に、 本発明の半導体製造排ガスの処理装置の全体構成図を示す。 図 1〜3において、 1は半導体製造排ガス、 2はオーバフロー管、 3はアル力 リ液、 4は洗浄液 （アルカリ性溶液） 、 5は通気撹拌槽、 6はアルカリ処理排ガ ス、 7は気液接触装置、 8は水、 9及び 1 6はデミス夕、 1 0は排水管、 1 1 は充填塔、 12は吸引器、 1 3は処理ガス、 14は pH測定器、 1 5は水である。 先ず、 図 1を用いて本発明を説明する。
図 1は、 充填塔 1 1を設けていない例であり、 半導体製造排ガス 1は、 まず水 1 5又はアルカリ溶液 3で pH 7. 1から 1 0望ましくは pH8. 0から 9. 5 に調整したアル力リ性の洗浄液 4と通気撹拌槽 5において接触される。 ここで大 部分の除去成分は洗浄液に吸収除去される。
アルカリ性水性液では、 例えば、 下記の反応により、 化合物が加水分解する。
Figure imgf000007_0001
S i (OC2H5) 4 + 2 H20 → S i 02 + 4C2H5〇H S i C l 4 + 2H20 → S i 02 + 4HC 1 また、 HF、 HC 1、 HB r等の酸性ガスはアルカリ性水性液に吸収される。 アルカリ溶液としては、 通常のアルカリ性物質の水溶液が使用できるが、 水酸 化ナトリゥムゃ水酸化力リゥムに含まれる N aや K等のアル力リ金属元素は半導 体製造において極く微量でも有害成分として作用するので、 できれば、 アンモニ ァ、 アンモニアの炭酸塩、 アンモニアの燐酸塩、 ァミン等のアルカリ金属元素を 含まないアルカリ液を使用するのが好ましい。 通気撹拌槽 5としては、 図 4 ( a ) 及び図 4 ( b ) に記載のような、 液中で撹 拌羽根を高速回転させてガスを分散させるものが使用できる。 通気攪拌槽は、 ァ ルカリ性液を保持するための槽と、 アルカリ性液を攪拌するための攪拌手段と、 排ガスをアルカリ性液中に導入するための排ガス導入部とを有することが好まし い。 攪拌手段は、 例えば、 モータと、 モータに回転可能に連結する軸と、 軸に固 定される羽根とを有する。 排ガスは、 排ガス導入部の出口からアルカリ性液中に 導入される。 この排ガス導入部の出口は、 攪拌手段の羽根の近傍であることが好 ましい。
図 4 ( a ) 、 図 4 ( b ) 、 図 5 ( a ) 及び図 5 ( b ) において、 1 7はモータ 一、 1 8は撹拌羽根、 1 9はガス導入直管、 2 0は邪魔板、 2 1は多孔管、 2 2 は充填物、 2 3はスプレーノズル、 2 4は水洗浄された排ガス、 2 5は空気であ る。
図 4 ( a ) は、 モータ一 1 7に直結された、 円盤状の円周部に直角タービン羽 根を 2枚以上付けた撹拌羽根 1 8 (ディスクタービン羽根） を液中で高速回転さ せ、 その撹拌羽根のすぐ直下より直管 1 9にてガスを導き、 撹拌羽根のせん断力 にて微細気泡にし液中にガス分散させるものであり、 また、 その撹拌羽根は液中 での気泡の滞留時間と撹拌羽根のせん断力を増すため、 上下 2段に設置し高速回 転させることが好ましい。
図 4 ( b ) は、 モータ一 1 7に直結された、 円盤状の円周部に直角夕一ビン羽 根を数枚付けた撹拌羽根 1 8 (ディスクタービン羽根） を液中で高速回転させ、 その撹拌羽根のすぐ直下よりガスを多孔管 2 1にて微細化した状態で導き、 さら にその真上に設置の撹拌羽根のせん断力にてより微細気泡にし液中にガス分散さ せるものである。 なお、 2 0は邪魔板である。
このように、 本発明で通気撹拌槽を用いている理由を以下に説明する。
一般に広く使用されている充填塔等の液分散型湿式吸収装置で、 高濃度の酸性 ガスをアル力リ液で処理した場合には、 中和反応によって生成した塩を含むミス トが発生する。 たとえば、 H C 1含有ガスをアンモニア水を中和液に用いて処理 すると、 N H4 C 1を含むミストが発生する。 また、 水酸化ナトリウムを中和液 に用いた場合には、 N a C 1を含むミストが発生する。また、 B C 1 3ゃ i F 4を 湿式処理した場合には、 これらの加水分解生成物である B 203 や S i 02 を含む ミストが発生する。 これらの生成物は、 処理装置後段に堆積し、 閉塞等のトラブ ルを起こす場合があるので、 発生を加える必要がある。
これらのミストは、 吸収装置内に存在する洗浄液の微粒子や、 洗浄液から揮発 する成分 （たとえば水分子やアンモニア分子） と、 処理対象成分が反応すること によって生成すると考えられる。 一般に、 気体分子の拡散係数が 1 0— 5m2Z s e cのオーダ一であるのに対して、 このようなミストの拡散計数は 1 0—3〜 1 0— 1 1 mV s e cのオーダ一であると言われており、 拡散速度が極めて遅い。
一般に湿式吸収装置では、 処理対象成分が液に溶解する結果、 気液界面の気相 濃度が低下し、 近傍の気相に濃度勾配が生じる。 この濃度勾配によって処理対象 成分が拡散輸送され、 処理対象成分の液への溶解が促進される。 拡散による輸送 量は、 処理対象成分の拡散係数に比例する。 ところが、 上述のようにミストの拡 散係数は、 気体分子に比べて格段に小さいため、 拡散による輸送量が格段に小さ くなる。 このため、 ミスト成分の液膜への溶解速度が遅く、 十分な除去性能が得 られない。
したがって、 発生したミストを液への溶解によって十分に除去するためには、 拡散輸送以外の機構でミストの溶解を促進する必要がある。
このため本発明では、 液中の気泡を撹拌羽根で破碎して気液界面の更新を促進 し、 気液界面気相のミスト濃度を高く保つことにより、 溶解を促進し高い除去性 能を得ることのできる装置としたものである。
次いで、 通気撹拌槽 5を出たガス 6には、 主に除去しきれなかった処理対象成 分、 また揮発性アルカリ液を使用した場合にはアンモニア、 ァミン等が含まれる ので、 適当な気液接触装置 7で水 8と接触させ、 続いてデミス夕 9で液滴が除去 される。
ここで使用される気液接触装置としては、公知のものがいずれも使用できるが、 例えば図 5 ( a ) 、 図 5 ( b ) に記載のようなもので良い。
図 5 ( a ) は、 内部にラシヒリング 2 2を充填した充填塔を示す。 ラシヒリン グ 2 2の上部より水 8を充填物の上面に噴射させ、 ガス 6はその充填ゾーンを通 過する際、 気液接触される。
図 5 ( b ) は、 内部にスプレーノズル 2 3を設置したシャワー塔を示す。 スプ レーノズル 2 3の先端から水 8が水膜状に噴射されガスはその水膜を通過する際、 気液接触される。
気液接触後の水は排水管 1 0から排出される。 ここでアンモニア、 アミン等は ほとんど吸収され、 作業環境許容濃度以下になる。
処理ガスは、 吸引器 1 2を通り装置から排出 1 3される。 使用できる吸引器 1 2としては、 高圧空気又は水をノズルより噴射させ、 そこで発生する吸引力にて 2次側を吸引負圧にするェジェクタ式の吸引器、 ファン、 水封ポンプ等がある。 なお、 吸引器は必須ではなく、 2次側を負圧にする代わりに、 1次側を正圧に してもよい。 例えば、 1次側にファンを設けて、 ガスを送気してもよい。
洗浄液 4は、 処理により消費され除去効率が低下する。 そこで必要に応じて、 p H電極 1 4で常時 p Hを測定し、 規定の p Hを下回った場合には、 薬注ポンプ によりアル力リ液 3を洗浄液に注入することが好ましい。
また、排ガス中の成分と水又はアルカリ液との反応生成物が洗浄液中に蓄積し、 除去率の低下や生成物の析出を起こすことがある。 そこで、 一定量の水 1 5を添 加しながらオーバ一フロー管 2から洗浄液を排出して、 生成物の蓄積を防ぐこと が好ましい。
通気撹拌槽 5としては、 前記において、 ディスク夕一ビン型羽根を回転させ、 そのせん断力にてガスを分散化し、 その羽根を上下 2段に設置することにより更 にせん断力をつけ、 かつガスの洗浄液中での滞留時間を長くさせるものについて 説明したが、それ以外でも、充分な気液接触効率を得ることができるものならば、 いかなる撹拌羽根でもかまわない。
気液接触装置 7は、 充分な気液接触効率が得ることができ、 また吸引器 1 2は 流入排ガス 1の圧力状態が常時負圧に保たれるものであれば、 前記以外のいかな る形式のものでもかまわない。
図 2及び図 3は、図 1にさらに薬剤を充填した充填塔 1 1を設けたものであり、 図 2では、 気液接触装置 7の後段に、 また、 図 3では気液接触装置 7の前段に充 填塔 1 1を設けたものである。
図 2では、 図 1の処理で除去しきれなかった処理対象成分が残存する場合、 適 当な薬剤を充填した充填塔 1 1で作業環境許容濃度以下に吸着除去させている。 図 3では、 通気撹拌槽 5を出てデミス夕 16で液滴除去されたガス 6には、 主 に除去しきれなかった処理対象成分、 また揮発性アルカリ液を使用した場合には アンモニア、 ァミン等が含まれるので、 このガス 6を、 まず適当な薬剤を充填し た充填塔 1 1に通し、 処理対象成分を作業環境許容濃度以下に吸着除去させる。 ここで殆どの通気撹拌槽 5で除去しきれなかった処理対象成分は除去されるが、 アンモニア、 ァミン等が残存する場合がある。 そこで、 つぎにガスは適当な気液 接触装置 7で水 8と接触され、 アンモニア、 アミン等はほとんど水に吸収され、 処理ガスは吸引器 12を通り装置から排出 13される。
充填塔に充填する薬剤としては、 （A) アルカリ添着活性炭等の活性炭、 （B) Cu、 Mn、 F e、 Z nなどの金属元素の酸化物から選ばれた 1種以上の金属酸 化物、 （C) 陰イオン交換樹脂、 （D) ソ一ダライムが使用できる。 （A) アル カリ添着活性炭は S i F4、 N02、 C 12、 NH4C 1などの除去に効果があり、 (B) 金属酸化物は S i F4、 N02 、 NH4C 1などの除去に効果がある。 金属 酸化物としては、 例えば、 Cu— Mn複合酸化物、 F e 2〇3等の遷移金属の酸 化物が好適に用いられる。 （C) 陰イオン交換樹脂は S i F4 、 C l 2、 NH4C 1などの除去に効果がある。 陰イオン交換樹脂は、 第四アンモニゥム基を有する ことが好ましい。 また、 陰イオン交換樹脂に限られず、 所望により陽イオン交換 樹脂単独、又は陽イオン交換樹脂と陰イオン交換樹脂との双方を使用してもよい。 ソーダライムとしては、 例えば、 N a 2C〇3からなる粉体に N a〇Hからなる 被膜が形成されたものが用いられる。 W 図 6は、 通気攪拌槽 5と、 その下流に配置された、 薬剤を充填した充填塔 1 1 とを有する装置を示す。 図 6の装置には、 気液接触装置 7が設けられていない。 図 6の装置では、 通気攪拌槽 5には、 アンモニア以外のアルカリ性溶液を用いる ことが好ましい。 薬剤を用いるときには、 アンモニアの除去に限界がある場合が あるからである。 もっとも、 充填塔に適当な陽イオン交換樹脂を使う場合には、 アンモニアも除去することができる。
薬剤を充填した充填塔により、 S i F 4等のハロゲン化ケィ素化合物、 F 2、 C 1 2等のハロゲンガスを除去することができる。
薬剤を充填した充填塔としては、従来の充填塔を用いることができる。例えば、 1 9 9 8年 4月 1 0日に出願された国際出願、 P C T Z J P 9 8ノ0 1 6 5 3、 「排ガス中の窒素酸化物の除去方法」に記載された充填塔を用いることができる。 また、 1 9 9 8年 6月 1 6日に日本国特許庁に出願された特願平 1 0— 1 6 8 5 7 2号、 「無機ハロゲン化ガスを含有する排ガスの処理方法」 に記載された充填 塔も用いることができる。 国際出願 P C T Z J P 9 8 Z 0 1 6 5 3、 及び、 日 本国特許出願 特願平 1 0— 1 6 8 5 7 2号の開示は、 本願に援用される。
実施例
以下、 本発明を実施例により具体的に説明する。
実施例 1
図 2に示す処理装置を用いて、 半導体製造用 A 1エッチング装置から排出され る排ガスを処理した。 半導体排ガスの流量は 4 0リットル i nである。
半導体排ガス 1は、 まずアンモニア水 3で p H 8 . 5〜9 . 5に調整された水 4が満たされた通気撹拌槽 5に導入され、 モ一夕一 1 7で回転する撹拌羽根 1 8 によって微細化されて水 4と接触される。 撹拌羽根 1 8の回転速度は 6 0 0 r p mとした。 水 4内に生成物が蓄積するのを防ぐために 3リットル/ m i nの水 1 5を通気撹拌槽内に導入し、 同量のブローダウン排水 2を排水した。 このブロー ダウン排水の p Hを p H電極 1 4で常にモニタ一し、 p Hが 9を下回った時点で アンモニア水 3を注入した。 通気撹拌槽を出た通気撹拌槽出口ガス 6は、 水シャワー 7に通され、 スプレー ノズル 2 3から噴霧される 5リットル/ m i nの水 8と接触させた。 接触後の水 は、 水シャワー排水 1 0として排出した。 スプレーノズル 2 3から噴霧される水 が、 後段へ飛散するのを防止するために、 水シャワーの出口にはデミス夕一 9を 設置した。 水シャワーを出た水シャワーの出口ガス 2 4は、 充填塔 1 1へ導入し た。 充填塔 1 1には 1 0リットルの陰イオン交換樹脂を充填した。 充填塔を出た 充填塔出口ガスは、 空気 2 9によって駆動される空気ェジェクタ一 1 2に導入さ れ、 処理済ガス 1 3として排出される。 空気 2 5の導入量は 4 0リットル/ m i nとした。
以上のような構成でガス処理を行い、半導体排ガス 1、通気撹拌槽出口ガス 6、 水シャワー出口ガス 2 4、 処理済ガス 1 3を分析した。 この結果を表 1に示す。 比較のために、 p H調整のためにアンモニア水を用い、 ラシヒリングを充填剤 に用いた充填塔式スクラバーで同じ排ガスを処理した。 その他の条件は実施例と 同じである。 この処理結果を表に示す。
Figure imgf000013_0001
排ガスに含まれていた、 B C 13、 C 1 2、 A 1 C 13 は各段の処理を受ける ことによって、 処理済ガス中のこれらの成分の濃度は、 いずれも検出限界以下で あった。 また、 処理の過程で発生する NHa 、 B2〇3 、 NH4C 1のような成分 も、 水シャワーや、 吸着塔によって検出限界以下まで処理されている。
充填塔スクラバーで処理した場合、 B2〇3 、 NH4C 1がそれぞれ 30 Omg Zm3 、 40 OmgZm3リークした。 これに対して、 通気撹拌槽で処理した場 合には B2〇3 、 NH4C 1のリーク濃度はそれぞれ 1 SmgZm3 、 2 Omg/ m3であり、 充填塔スクラバ一に比べて 1オーダー以上低かった。
実施例 2
処理を、 継続して 1ヶ月間行ったが、 半導体排ガスに含まれる固形物による装 置内の閉塞や発熱等のトラブルは起こらなかった。 また、 処理終了後装置出口の ダクト内の点検も行ったが、 B203 や NH4C 1等の粉体の付着は認められなか つた。
実施例 3
実施例 1に示したような構成において、 空気ェジェクタ 12に導入する空気 2 5の流量を変化させた場合の装置入口圧力の変化を表 2に示す。 空気導入量を増 すにしたがって、 入口圧力は低下し、 40リットル m i n導入すると入口圧力 は— 1 5 OmmAciに達した。 表 2 空気ェジェクタへの導入空気量 装置入口圧力
_ (リツトル Zm i n) ― (mmA q ) _
0 + 600
1 0 + 300
20 + 100
30 - 50
40 - 1 50 実施例 4
図 3に示す処理装置を用いて、 半導体製造用 A 1エッチング装置から排出され る半導体排ガスの処理を行った。排ガスの流量は 1 2 0リツトル Zm i nである。 半導体排ガス 1は、 まずアンモニア水 3で p H 8 . 5〜9 . 5に調整された水 4が満たされた通気撹拌槽 5に導入され、 モーター 1 7で回転する撹拌羽根 1 8 によって微細化されて水 4と接触される。 撹拌羽根 1 8の回転速度は 6 0 0 r p mとした。 水 4内に生成物が蓄積するのを防ぐために 3リットル Zm i nの水 1 5を通気撹拌槽内に導入し同量のブローダウン排水 2を排水した。 このブローダ ゥン排水の p Hを p H電極 1 4で常にモニターし、 p Hが 9を下回った時点でァ ンモニァ水 3を注入した。
通気撹拌槽を出た通気撹拌槽出口ガス 6を、 充填塔 1 1へ導入した。 充填塔に は 1 0リットルの陰イオン交換樹脂を充填した。充填塔を出た充填塔出口ガスは、 水シャワー 7に通され、 スプレーノズル 2 3から噴霧される 5リットル Zm i n の水 8と接触させた。 接触後の水は水シャワー排水 1 0として排出した。 スプレ 一ノズル 2 3から噴霧される水が後段へ飛散するのを防止するために、 水シャヮ —の出口にはデミスター 9を設置した。 水シャワーを出た水シャワーの出口ガス 2 4は、 空気 2 5によって駆動される空気ェジェクタ一 1 2に導入され、 処理済 ガス 1 3として排出される。 空気 2 5の導入量は 9 0リットル Zm i nとした。 以上のような構成でガス処理を行い、半導体排ガス 1、通気撹拌槽出口ガス 6、 充填塔出口ガス、 処理済ガス 1 3を分析した。 この結果を表 3に示す。 表 3 半導体排ガス 通気撹拌槽 充填塔出口 処理済ガス
1 出口ガス 6 ガス 1 3
B C 1 3 5 0 0 0 < 1 < 1
(単位： ppm) < 1
C 1 2 3 0 0 0 2 < 0 . 5 < 0 . 5 (単位： ppm)
A 1 C 1 a 10 <1 < 1 <1
(単位： ppm)
NHa <1 80 1 00 <1
(単位： ppm)
B 2Oa <1 40 1 0 <1
(単位：顏）
NH4C 1 <1 80 1 5 <1
(mg/m3)
排ガスに含まれていた、 BC 13 、 C 12 、 A 1 C 13 は各段の処理を受ける ことによって、 処理済ガス中のこれらの成分の濃度は、 いずれも検出限界以下で あった。 また、 処理の過程で発生する NH3、 B203、 NH4C 1のような成分も、 水シャワーや、 充填塔によって検出眼界以下まで処理されている。
本発明によれば、 次のような効果を奏することができる。
( 1 ) 上述のように本処理方法では、 通気撹拌槽を初段に採用することにより、 処理対象成分と水又はアルカリ液との反応生成物が後段にリークすることを防止 し、 生成物によるトラブルを低減できる。
(2) 後段に充填塔を装備すれば、 処理性能は乾式並みになる。
(3) 充填塔を装備する場合でも、 処理対象成分の大部分は湿式処理段で除去さ れる為、 充填塔は非常に小型で済み、 かつライフも長いので、 交換にかかる手間 やランニングコス卜が著しく低減される。
(4) 充填塔に濃縮される有害物は少量であるため、 発熱等のトラブルが起こり にくく、 使用済み薬剤の安定化も容易である。
(5) 通気撹拌槽のガス流入圧力は正圧となるが、 後段に吸引器を設置すること で、 上流側の真空ポンプの負荷を低減できる。

Claims

請求の範囲
1 . 通気攪拌槽中のアルカリ性水性液を攪拌しつつ、 排ガスをアルカリ性水性液 に導入する工程と、
通気攪拌槽から排出されるガスから更に有害ガスを除去する工程と、
を有することを特徴とする排ガスの処理方法。
2 . 前記除去工程が、 通気攪拌槽から排出されるガスを水性液に接触させる工程 を有することを特徴とする排ガスの処理方法。
3 . 前記除去工程が、 通気攪拌槽から排出されるガスを薬剤を充填した充填塔に 導入させる工程を有する請求項 1に記載の排ガスの処理方法。
4 . 前記除去工程が、 通気攪拌槽から排出されるガスを水性液に接触させる工程 と、通気攪拌槽から排出されるガスを薬剤を充填した充填塔に導入させる工程と、 を有する請求項 1に記載の排ガスの処理方法。
5 . 前記アルカリ性水性液がアルカリ金属元素を含まない水溶液であり、 前記水 溶液の p Hが 7 . 1〜 1 0である請求項 1〜 4の何れかに記載の排ガスの処理方 法。
6 . 通気攪拌槽から排出されるガスが、 ガス移動装置により移動させられる上記 請求項の何れかに記載の排ガスの処理方法。
7 . 半導体デバイス製造装置から排ガスを放出する工程を更に有し、 この排ガス を上記導入工程で上記アルカリ性水性液に導入する上記請求項の何れかに記載の 排ガスの処理方法。
8 . アルカリ性水性液を攪拌しつつ、 排ガスをアルカリ性水性液に導入するため の通気攪拌槽と、
前記通気攪拌装置から排出されたガスを水性液に接触させるための気液接触装 置、 及び、 前記通気攪拌装置から排出されたガスを通すための、 薬剤を充填した 充填塔の少なくとも一方と、
を有する排ガスの処理装置。
9. 前記気液接触装置を有する請求項 8に記載の排ガスの処理装置。
1 0. 前記充填塔を有する請求項 8に記載の排ガスの処理装置。
1 1. 前記気液接触装置及び前記充填塔を有する請求項 8に記載の排ガスの処理
12. 通気攪拌槽を通過したガスを移動させるための、 ガス移動装置を更に有す る請求項 8〜 1 1の何れかに記載の排ガスの処理装置。
1 3. 半導体デバイスの製造装置から排出される排ガスを前記通気攪拌槽に導入 するための通路を有する請求項 8〜 12の何れかに記載の排ガスの処理装置。
PCT/JP1998/004666 1997-10-17 1998-10-15 Procede et appareil de traitement de gaz d'echappement issus de la fabrication de semiconducteurs WO1999020374A1 (fr)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE69833030T DE69833030T2 (de) 1997-10-17 1998-10-15 Verfahren und vorrichtung zur behandlung von abgasen aus der halbleiterherstellung
US09/463,961 US6953557B1 (en) 1997-10-17 1998-10-15 Process and apparatus for treating semiconductor production exhaust gases
KR1020007000917A KR100592579B1 (ko) 1997-10-17 1998-10-15 반도체제조 배기가스의 처리방법 및 장치
JP2000516759A JP3893023B2 (ja) 1997-10-17 1998-10-15 半導体製造排ガスの処理方法及び装置
EP98947890A EP1027918B1 (en) 1997-10-17 1998-10-15 Method and apparatus for processing exhaust gas of semiconductor fabrication

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9/299671 1997-10-17
JP29967197 1997-10-17

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO1999020374A1 true WO1999020374A1 (fr) 1999-04-29

Family

ID=17875572

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP1998/004666 WO1999020374A1 (fr) 1997-10-17 1998-10-15 Procede et appareil de traitement de gaz d'echappement issus de la fabrication de semiconducteurs

Country Status (7)

Country Link
US (1) US6953557B1 (ja)
EP (1) EP1027918B1 (ja)
JP (1) JP3893023B2 (ja)
KR (1) KR100592579B1 (ja)
DE (1) DE69833030T2 (ja)
TW (1) TW460311B (ja)
WO (1) WO1999020374A1 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002301332A (ja) * 2001-04-05 2002-10-15 Nomura Micro Sci Co Ltd 無機酸を含む気体の処理方法、処理装置、処理システム、及び、洗浄処理装置
US7189865B2 (en) 2002-07-23 2007-03-13 Attenuon, Llc Thiomolybdate analogues and uses thereof
JP2007216229A (ja) * 2007-06-01 2007-08-30 Ebara Corp フッ素含有化合物を含む排ガスの処理装置
CN112755728A (zh) * 2020-12-11 2021-05-07 深圳市星源空间环境技术有限公司 一种污水处理池的除臭装置

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4211227B2 (ja) * 2001-03-16 2009-01-21 株式会社日立製作所 過弗化物の処理方法及びその処理装置
DE10229037A1 (de) * 2002-06-28 2004-01-29 Robert Bosch Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Erzeugung von Chlortrifluorid und Anlage zur Ätzung von Halbleitersubstraten mit dieser Vorrichtung
FR2868332B1 (fr) 2004-03-31 2006-05-26 Air Liquide Electronics Sys Appareil de traitement d'effluents gazeux
KR100654922B1 (ko) * 2006-01-26 2006-12-06 주식회사 코캣 반도체 제조공정으로부터 발생하는 배가스 처리장치 및방법
US20080003151A1 (en) * 2006-02-11 2008-01-03 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for pfc abatement using a cdo chamber
US20100112191A1 (en) * 2008-10-30 2010-05-06 Micron Technology, Inc. Systems and associated methods for depositing materials
DE102008058143B4 (de) * 2008-11-20 2012-04-12 Lurgi Gmbh Verfahren und Anlage zur Gewinnung von NH3 aus einem NH3 und Sauergase enthaltenden Gemisch
FR3036976B1 (fr) * 2015-06-05 2017-06-23 Herakles Traitement d'effluents d'hydrolyse de gaz chlores
CN108636066A (zh) * 2018-07-10 2018-10-12 江苏富淼科技股份有限公司 一种尾气处理系统
CN114984738A (zh) * 2022-06-15 2022-09-02 刘六亭 一种水洗式恒压废气处理器

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5144744U (ja) * 1974-09-30 1976-04-02
JPS5322568U (ja) * 1976-08-04 1978-02-25
JPS62125827A (ja) * 1985-11-25 1987-06-08 Seitetsu Kagaku Co Ltd 三塩化ホウ素含有ガスの除害法
JPH03242215A (ja) * 1990-02-20 1991-10-29 Iwatani Internatl Corp 水素化物系廃ガスの乾式処理装置
JPH07148414A (ja) * 1993-11-29 1995-06-13 Toshiaki Maruyama 有害ガスの無害化方法および装置
JPH0857254A (ja) * 1994-08-19 1996-03-05 Kanae Kuze 廃棄物の処理方法と処理装置
JPH08309147A (ja) * 1995-05-22 1996-11-26 Kobe Steel Ltd フロンの燃焼分解方法および装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5222418B2 (ja) * 1974-10-14 1977-06-17
JPS5322568A (en) * 1976-08-12 1978-03-02 Sekisui Chemical Co Ltd Method of producing container
JPS61204022A (ja) * 1985-02-12 1986-09-10 Taiyo Sanso Kk ガス中の酸分の除去方法及び装置
US4990317A (en) * 1989-11-20 1991-02-05 International Technology Corporation Process for the treatment of hot waste gas containing hydrogen chloride
JP2663326B2 (ja) 1993-03-31 1997-10-15 昭和電工株式会社 ドライエッチング排ガスの処理方法
JPH07308538A (ja) 1994-03-24 1995-11-28 Japan Pionics Co Ltd 有害ガスの浄化剤
TW406028B (en) * 1994-05-26 2000-09-21 Toshiba Corp Process for treating acidic exhaust gas
JP3129945B2 (ja) 1995-08-01 2001-01-31 株式会社荏原製作所 半導体製造排ガスの処理方法
JP3716030B2 (ja) 1996-02-29 2005-11-16 日本パイオニクス株式会社 有害ガスの浄化方法
US5851293A (en) 1996-03-29 1998-12-22 Atmi Ecosys Corporation Flow-stabilized wet scrubber system for treatment of process gases from semiconductor manufacturing operations
FR2761896B1 (fr) * 1997-04-11 1999-05-14 Labeille Sa Procede et dispositif pour la realisation de produits chimiques de haute purete pour l'industrie micro-electronique

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5144744U (ja) * 1974-09-30 1976-04-02
JPS5322568U (ja) * 1976-08-04 1978-02-25
JPS62125827A (ja) * 1985-11-25 1987-06-08 Seitetsu Kagaku Co Ltd 三塩化ホウ素含有ガスの除害法
JPH03242215A (ja) * 1990-02-20 1991-10-29 Iwatani Internatl Corp 水素化物系廃ガスの乾式処理装置
JPH07148414A (ja) * 1993-11-29 1995-06-13 Toshiaki Maruyama 有害ガスの無害化方法および装置
JPH0857254A (ja) * 1994-08-19 1996-03-05 Kanae Kuze 廃棄物の処理方法と処理装置
JPH08309147A (ja) * 1995-05-22 1996-11-26 Kobe Steel Ltd フロンの燃焼分解方法および装置

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP1027918A4 *

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002301332A (ja) * 2001-04-05 2002-10-15 Nomura Micro Sci Co Ltd 無機酸を含む気体の処理方法、処理装置、処理システム、及び、洗浄処理装置
US7189865B2 (en) 2002-07-23 2007-03-13 Attenuon, Llc Thiomolybdate analogues and uses thereof
JP2007216229A (ja) * 2007-06-01 2007-08-30 Ebara Corp フッ素含有化合物を含む排ガスの処理装置
CN112755728A (zh) * 2020-12-11 2021-05-07 深圳市星源空间环境技术有限公司 一种污水处理池的除臭装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP1027918A1 (en) 2000-08-16
EP1027918A4 (en) 2003-04-02
DE69833030D1 (de) 2006-02-02
TW460311B (en) 2001-10-21
KR20010022338A (ko) 2001-03-15
US6953557B1 (en) 2005-10-11
DE69833030T2 (de) 2006-08-24
KR100592579B1 (ko) 2006-06-26
JP3893023B2 (ja) 2007-03-14
EP1027918B1 (en) 2005-12-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO1999020374A1 (fr) Procede et appareil de traitement de gaz d&#39;echappement issus de la fabrication de semiconducteurs
KR101876413B1 (ko) 배기가스의 질소산화물과 황산화물 동시 제거장치
WO2014156985A1 (ja) 海水排煙脱硫装置とその運用方法
US8308146B2 (en) Gaseous effluent treatment apparatus
US20200078731A9 (en) Removal of atmospheric pollutants from gas, related apparatuses, processes and uses thereof
CN1429654A (zh) 湿式气体处理方法和湿式气体处理装置
KR101571093B1 (ko) 폐가스 처리 장치
KR101999165B1 (ko) 고도산화공정을 이용한 탈취장치
JP2010063951A (ja) 排ガス処理方法および処理装置
JP3722846B2 (ja) 湿式排ガス処理装置内のスケール生成防止方法
JP5165861B2 (ja) 過弗化物の処理方法及び処理装置
JP3129945B2 (ja) 半導体製造排ガスの処理方法
CN113164865A (zh) 废气净化装置及使用该废气净化装置的废气除害装置
JP3563758B2 (ja) 塩素含有ガスの処理方法
JP2000167342A (ja) 排ガス処理方法
KR101624914B1 (ko) 오염가스 흡수기능을 구비한 이젝터 진공발생장치
KR102281763B1 (ko) 디젤엔진 배기가스 저감장치
CN214552494U (zh) 可电解再生的烟气处理装置
JP2020163385A (ja) 排ガスの処理方法
JP4261868B2 (ja) 排ガス処理装置、並びにこれを用いた排ガス処理方法
JP4430758B2 (ja) 微細気泡発生装置
CN106110847A (zh) 一种光解次氯酸同时脱硫脱硝脱汞的方法及装置
JPH07148414A (ja) 有害ガスの無害化方法および装置
KR20220142152A (ko) 배기 가스 정화 장치 및 방법
JPH0580243B2 (ja)

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): JP KR US

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): DE FR GB

DFPE Request for preliminary examination filed prior to expiration of 19th month from priority date (pct application filed before 20040101)
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1020007000917

Country of ref document: KR

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1998947890

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 09463961

Country of ref document: US

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 1998947890

Country of ref document: EP

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 1020007000917

Country of ref document: KR

WWG Wipo information: grant in national office

Ref document number: 1998947890

Country of ref document: EP

WWG Wipo information: grant in national office

Ref document number: 1020007000917

Country of ref document: KR