JPH03242215A - 水素化物系廃ガスの乾式処理装置 - Google Patents
水素化物系廃ガスの乾式処理装置Info
- Publication number
- JPH03242215A JPH03242215A JP2040549A JP4054990A JPH03242215A JP H03242215 A JPH03242215 A JP H03242215A JP 2040549 A JP2040549 A JP 2040549A JP 4054990 A JP4054990 A JP 4054990A JP H03242215 A JPH03242215 A JP H03242215A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- waste gas
- hydride
- tank
- liquid
- treatment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000002912 waste gas Substances 0.000 title claims abstract description 62
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 title claims abstract description 13
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 49
- 239000000428 dust Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 8
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 claims abstract description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 11
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 11
- 239000000346 nonvolatile oil Substances 0.000 claims description 5
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 claims description 3
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 claims description 3
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 claims description 3
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims 1
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 claims 1
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 abstract description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 10
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 abstract description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 abstract description 5
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000012286 potassium permanganate Substances 0.000 abstract description 2
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 abstract 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 8
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 4
- 239000010687 lubricating oil Substances 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 235000019353 potassium silicate Nutrition 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 1
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、例えば半導体製造過程からのシラン等の水素
化物系廃ガスの処理装置に関する。
化物系廃ガスの処理装置に関する。
（従来技術）
水素化物系の廃ガスは、有毒であったり、発火性が強か
ったりすることから、処理塔で無害化してから放出され
るのであるが、半導体製造過程からの廃ガス中には、ケ
イ素、二酸化ケイ素、−酸化ケイ素等の微粒子が混入し
ており、この微粒子が直接処理塔に入り込むと、圧損の
増大、閉塞等により、処理塔での処理能力に影響を与え
、また、危険性も増大する。
ったりすることから、処理塔で無害化してから放出され
るのであるが、半導体製造過程からの廃ガス中には、ケ
イ素、二酸化ケイ素、−酸化ケイ素等の微粒子が混入し
ており、この微粒子が直接処理塔に入り込むと、圧損の
増大、閉塞等により、処理塔での処理能力に影響を与え
、また、危険性も増大する。
このため、従来では、処理塔に廃ガスを供給する廃ガス
供給路に水酸化ナトリウム水溶液光のアルカリ性水溶液
を貯溜した前処理槽を配置し、廃ガスを水酸化ナトリウ
ム水溶液中でバブリングすることにより、廃ガス中から
微粒子を除去し、微粒子を含まない状態での廃ガスを処
理塔に送り込むようにしていた。
供給路に水酸化ナトリウム水溶液光のアルカリ性水溶液
を貯溜した前処理槽を配置し、廃ガスを水酸化ナトリウ
ム水溶液中でバブリングすることにより、廃ガス中から
微粒子を除去し、微粒子を含まない状態での廃ガスを処
理塔に送り込むようにしていた。
（解決しようとする課題）
ところが、半導体製造過程からの廃ガスを水酸化ナトリ
ウム水溶液中でバブリングさせると、前処理槽から導出
される廃ガスが過度に加湿されることになり、加湿され
た廃カスか処理塔に流入すると、処理塔内に充填されて
いる処理剤の表面を７ランとアルカリ水溶液との反応で
生成した水ガラスでコーティングすることになり、処理
剤の寿命が短くなる、また、処理剤の固着による閉塞等
の問題かあった。
ウム水溶液中でバブリングさせると、前処理槽から導出
される廃ガスが過度に加湿されることになり、加湿され
た廃カスか処理塔に流入すると、処理塔内に充填されて
いる処理剤の表面を７ランとアルカリ水溶液との反応で
生成した水ガラスでコーティングすることになり、処理
剤の寿命が短くなる、また、処理剤の固着による閉塞等
の問題かあった。
また、廃ガス発生源から真空ポンプで廃ガスを引いて、
前処理槽に送り出すようにしていたのであるが、この場
合、真空ポンプの停止直後にポンプ本体及び半導体製造
装置の負圧により、前処理槽に貯溜されている水酸化ナ
トリウム水溶液を吸い戻し、ポンプ本体及び半導体製造
装置を汚損したり損傷させたりすることがあった。
前処理槽に送り出すようにしていたのであるが、この場
合、真空ポンプの停止直後にポンプ本体及び半導体製造
装置の負圧により、前処理槽に貯溜されている水酸化ナ
トリウム水溶液を吸い戻し、ポンプ本体及び半導体製造
装置を汚損したり損傷させたりすることがあった。
本発明はこのような点に着目してなされたもので、廃ガ
スから微粒子を除去しながらも、廃ガスを加湿しない前
処理を行なえ、しかも、真空ポンプの停止直後でも前処
理槽に貯溜されている処理液を吸い戻さない処理装置を
提供することを目的とする。
スから微粒子を除去しながらも、廃ガスを加湿しない前
処理を行なえ、しかも、真空ポンプの停止直後でも前処
理槽に貯溜されている処理液を吸い戻さない処理装置を
提供することを目的とする。
（課題を解決するための手段）
上記目的を達成するために本発明は、処理塔へ廃ガスを
供給する廃ガス供給路に配置した前処理槽に硫酸等の難
揮発性無機酸液、難揮発性有機酸液、あるいは難揮発注
油からなる除塵液を貯溜［２、廃ガスを難揮発性液内で
バブリングすることにより、廃ガス中に含まれている微
粒子を除去するように構成するとともに、真空ポンプと
前処理槽との間に逆流液溜め槽を形成し、逆流液溜め槽
と前処理槽とを連通ずるガス通路中に逆止弁を配置した
ことを特徴としている。
供給する廃ガス供給路に配置した前処理槽に硫酸等の難
揮発性無機酸液、難揮発性有機酸液、あるいは難揮発注
油からなる除塵液を貯溜［２、廃ガスを難揮発性液内で
バブリングすることにより、廃ガス中に含まれている微
粒子を除去するように構成するとともに、真空ポンプと
前処理槽との間に逆流液溜め槽を形成し、逆流液溜め槽
と前処理槽とを連通ずるガス通路中に逆止弁を配置した
ことを特徴としている。
（作 用）
本発明では、処理塔へ廃ガスを供給する廃ガス供給路に
配置した前処理槽に難揮発性酸液あるいは難揮発注油を
貯溜し、廃ガスを難揮発性液体内でバブリングすること
により、廃ガス中に含まれている微粒子を除去するよう
に構成しているので、廃ガス中に含まれていた微粒子が
難揮発性液体内で除去され、しかも、前処理槽から導出
された廃ガスは過度に加湿されることがなくなる。
配置した前処理槽に難揮発性酸液あるいは難揮発注油を
貯溜し、廃ガスを難揮発性液体内でバブリングすること
により、廃ガス中に含まれている微粒子を除去するよう
に構成しているので、廃ガス中に含まれていた微粒子が
難揮発性液体内で除去され、しかも、前処理槽から導出
された廃ガスは過度に加湿されることがなくなる。
また、真空ポンプと前処理槽との間に逆流液溜め槽を形
成し、ガス溜め槽と前処理槽とを連通ずるガス通路中に
逆止弁を配置しているので、かりに、真空ポンプの停止
直後にポンプ本体及び半導体製造装置内の負圧力がガス
通路に作用しても、逆流液溜め槽と前処理槽との間の通
路に逆止弁が配置されていることから、前処理槽に貯溜
されている除塵液がガス通路を逆流することを防止する
。
成し、ガス溜め槽と前処理槽とを連通ずるガス通路中に
逆止弁を配置しているので、かりに、真空ポンプの停止
直後にポンプ本体及び半導体製造装置内の負圧力がガス
通路に作用しても、逆流液溜め槽と前処理槽との間の通
路に逆止弁が配置されていることから、前処理槽に貯溜
されている除塵液がガス通路を逆流することを防止する
。
さらに、真空ポンプ停止時に逆止弁から除塵液が漏洩す
ることがあっても、その漏洩除塵液は逆流液溜め槽にト
ラップされることになり、ポンプ本体及び半導体製造装
置に除塵液が逆流することがなくなる。
ることがあっても、その漏洩除塵液は逆流液溜め槽にト
ラップされることになり、ポンプ本体及び半導体製造装
置に除塵液が逆流することがなくなる。
（実施例）
図面は水素化物系廃ガスの処理系を示す流れ図である。
図中符号（１）は半導体製造装置等の水素化物系廃ガス
発生源であり、この水素化物系廃ガス発生源（１）は廃
ガス排出路（２）で処理塔（３）に連通している。処理
塔（３）内にはアルミナ等の固形担体に水酸化ナトリウ
ムと過マンガン酸カリウムとを含浸させてなる処理剤（
４）が充填しである。
発生源であり、この水素化物系廃ガス発生源（１）は廃
ガス排出路（２）で処理塔（３）に連通している。処理
塔（３）内にはアルミナ等の固形担体に水酸化ナトリウ
ムと過マンガン酸カリウムとを含浸させてなる処理剤（
４）が充填しである。
水素化物系廃ガス発生源（］）と処理塔（３）との間の
廃ガス排出路（２）には、廃ガス発生源（１）側から真
空ポンプ（５）、逆流液溜め槽（６）、前処理槽（７）
が順に配置しである。また、逆流液溜め槽（６）と前処
理槽（７）との間の廃ガス排出路（２）には逆流液溜め
槽（６）側から前処理槽（７）への廃ガス流通を許す逆
止弁（８）が配置しである。そして、前処理槽（７）に
は濃硫酸やリン酸に代表される難揮発性強酸液からなる
除塵液（９）が貯溜してあり、廃ガスはこの除塵液（９
）内に吹き込まれてバブリングするようにしである。そ
して、このバブリング中に廃ガスに含まれているケイ素
、二酸化ケイ素、−酸化ケイ素等の微粒子が除塵液（９
）で除去されることになるから、微粒子が処理塔（３）
内に流入することがなくなるうえ、除塵液（９）に難揮
発性強酸を使用しているから、この除塵液成分が処理塔
（３）に流れ込むことがなく、処理塔（３）内の処理剤
（４）に影響を与えることかない。また、難揮発性強酸
液は脱水作用が大きいから、処理塔（３）に流入する廃
ガスは乾燥状態になっており、処理剤（４）の表面に水
力ラスが生成することがなくなる。
廃ガス排出路（２）には、廃ガス発生源（１）側から真
空ポンプ（５）、逆流液溜め槽（６）、前処理槽（７）
が順に配置しである。また、逆流液溜め槽（６）と前処
理槽（７）との間の廃ガス排出路（２）には逆流液溜め
槽（６）側から前処理槽（７）への廃ガス流通を許す逆
止弁（８）が配置しである。そして、前処理槽（７）に
は濃硫酸やリン酸に代表される難揮発性強酸液からなる
除塵液（９）が貯溜してあり、廃ガスはこの除塵液（９
）内に吹き込まれてバブリングするようにしである。そ
して、このバブリング中に廃ガスに含まれているケイ素
、二酸化ケイ素、−酸化ケイ素等の微粒子が除塵液（９
）で除去されることになるから、微粒子が処理塔（３）
内に流入することがなくなるうえ、除塵液（９）に難揮
発性強酸を使用しているから、この除塵液成分が処理塔
（３）に流れ込むことがなく、処理塔（３）内の処理剤
（４）に影響を与えることかない。また、難揮発性強酸
液は脱水作用が大きいから、処理塔（３）に流入する廃
ガスは乾燥状態になっており、処理剤（４）の表面に水
力ラスが生成することがなくなる。
なお、上記実施例では前処理槽（７）に貯溜する除塵液
（９）を難揮発性酸液で形成しているが、除塵液（９）
を真空ポンプ用潤滑油（例えばフオンブリング）等の難
揮発注油で構成するようにしてもよい。
（９）を難揮発性酸液で形成しているが、除塵液（９）
を真空ポンプ用潤滑油（例えばフオンブリング）等の難
揮発注油で構成するようにしてもよい。
（効 果）
本発明では、処理塔へ廃ガスを供給する廃ガス供給路に
配置した前処理槽に難揮発性酸液あるいは難揮発注油を
貯溜し、廃ガスを難揮発性液体内でバブリングすること
により、廃ガス中に含まれている微粒子を除去するよう
に構成しているので、廃ガス中に含まれていた微粒子が
難揮発性液体内で除去され、しかも、前処理槽から導出
された廃ガスは過度に加湿されることがなくなるから、
処理塔内で処理剤の表面をンランとアルカリとの反応で
生成された水ガラスでコーティングすることかなくなり
、処理剤の性能を十分発揮させることかできる。
配置した前処理槽に難揮発性酸液あるいは難揮発注油を
貯溜し、廃ガスを難揮発性液体内でバブリングすること
により、廃ガス中に含まれている微粒子を除去するよう
に構成しているので、廃ガス中に含まれていた微粒子が
難揮発性液体内で除去され、しかも、前処理槽から導出
された廃ガスは過度に加湿されることがなくなるから、
処理塔内で処理剤の表面をンランとアルカリとの反応で
生成された水ガラスでコーティングすることかなくなり
、処理剤の性能を十分発揮させることかできる。
また、真空ポンプと前処理槽との間に逆流液溜め槽を形
成し、逆流液溜め槽と前処理槽とを連通ずるガス通路中
に逆止弁を配置しているので、かりに、真空ポンプの停
止直後にポンプ本体及び半導体製造装置内の負圧力かガ
ス通路に作用しても、逆流液溜め槽と前処理槽との間の
通路に逆止弁が配置されていることから、前処理槽に貯
溜されている除塵液がガス通路を逆流することを防止す
ることかできる。さらに、真空ポンプ停止時に逆止弁か
ら除塵液が漏洩することがあっても、その漏洩除塵液は
逆流液溜め槽にトラノブされることになり、ポンプ本体
及び半導体製造装置に除塵液が逆流するごとを無くすこ
とができる。
成し、逆流液溜め槽と前処理槽とを連通ずるガス通路中
に逆止弁を配置しているので、かりに、真空ポンプの停
止直後にポンプ本体及び半導体製造装置内の負圧力かガ
ス通路に作用しても、逆流液溜め槽と前処理槽との間の
通路に逆止弁が配置されていることから、前処理槽に貯
溜されている除塵液がガス通路を逆流することを防止す
ることかできる。さらに、真空ポンプ停止時に逆止弁か
ら除塵液が漏洩することがあっても、その漏洩除塵液は
逆流液溜め槽にトラノブされることになり、ポンプ本体
及び半導体製造装置に除塵液が逆流するごとを無くすこ
とができる。
図面は水素化物系廃ガスの処理系を示す流れ図である。
１・・廃ガス発生源、 ２・・・廃ガス排出路、３・
・・廃ガス処理塔、 ５・・・真空ポンプ、６・・・
逆流液溜め槽、 ７１．前処理槽、８・・・逆止弁、
９・・除塵液。
・・廃ガス処理塔、 ５・・・真空ポンプ、６・・・
逆流液溜め槽、 ７１．前処理槽、８・・・逆止弁、
９・・除塵液。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、シラン等の水素化物系廃ガス発生源（１）と廃ガス
処理塔（３）とを連通する廃ガス排出路（２）に真空ポ
ンプ（５）、逆流液溜め槽（６）、前処理槽（７）を順
に配置し、前処理槽（７）に除塵液（９）として難揮発
性無機または有機酸液を貯溜して廃ガスを難揮発性無機
または有機酸液内でバブリングすることにより廃ガス中
に含まれている微粒子を除去するように構成し、逆流液
溜め槽（６）と前処理槽（７）とを連通する廃ガス排出
路（２）に順流方向へのガス流通を許す逆止弁（８）を
配置したことを特徴とする水素化物系廃ガスの乾式処理
装置 ２、シラン等の水素化物系廃ガス発生源（１）と廃ガス
処理塔（３）とを連通する廃ガス排出路（２）に真空ポ
ンプ（５）、逆流液溜め槽（６）、前処理槽（７）を順
に配置し、前処理槽（７）に除塵液（９）として難揮発
性油を貯溜して廃ガスを難揮発性油内でバブリングする
ことにより、廃ガス中に含まれている微粒子を除去する
ように構成し、逆流液溜め槽（６）と前処理槽（７）と
を連通する廃ガス排出路（２）に順流方向へのガス流通
を許す逆止弁（８）を配置したことを特徴とする水素化
物系廃ガスの乾式処理装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2040549A JPH0628690B2 (ja) | 1990-02-20 | 1990-02-20 | 水素化物系廃ガスの乾式処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2040549A JPH0628690B2 (ja) | 1990-02-20 | 1990-02-20 | 水素化物系廃ガスの乾式処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03242215A true JPH03242215A (ja) | 1991-10-29 |
| JPH0628690B2 JPH0628690B2 (ja) | 1994-04-20 |
Family
ID=12583534
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2040549A Expired - Lifetime JPH0628690B2 (ja) | 1990-02-20 | 1990-02-20 | 水素化物系廃ガスの乾式処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0628690B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999020374A1 (fr) * | 1997-10-17 | 1999-04-29 | Ebara Corporation | Procede et appareil de traitement de gaz d'echappement issus de la fabrication de semiconducteurs |
| CN113362978A (zh) * | 2021-06-23 | 2021-09-07 | 中国核动力研究设计院 | 一种放射性去污废液中有机物的无机化方法及应用 |
-
1990
- 1990-02-20 JP JP2040549A patent/JPH0628690B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999020374A1 (fr) * | 1997-10-17 | 1999-04-29 | Ebara Corporation | Procede et appareil de traitement de gaz d'echappement issus de la fabrication de semiconducteurs |
| US6953557B1 (en) * | 1997-10-17 | 2005-10-11 | Ebara Corporation | Process and apparatus for treating semiconductor production exhaust gases |
| CN113362978A (zh) * | 2021-06-23 | 2021-09-07 | 中国核动力研究设计院 | 一种放射性去污废液中有机物的无机化方法及应用 |
| CN113362978B (zh) * | 2021-06-23 | 2022-02-11 | 中国核动力研究设计院 | 一种放射性去污废液中有机物的无机化方法及应用 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0628690B2 (ja) | 1994-04-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4211227B2 (ja) | 過弗化物の処理方法及びその処理装置 | |
| US20110030722A1 (en) | Cleaning water for electronic material, method for cleaning electronic material and system for supplying water containing dissolved gas | |
| CN101401193A (zh) | 气体溶解洗涤水的制造方法、制造装置和洗涤装置 | |
| US20170309981A1 (en) | A shutdown system for metal-air batteries and methods of use thereof | |
| JP2007209922A (ja) | 排ガス処理方法および排ガス処理装置 | |
| DE102016212576A1 (de) | Excimer-Gasreinigung | |
| JPH03242215A (ja) | 水素化物系廃ガスの乾式処理装置 | |
| KR101553927B1 (ko) | 약액재생식 악취저감장치 | |
| CN211612238U (zh) | 一种酸雾处理装置 | |
| JP2015058430A (ja) | 海水中の泡を制御する方法及び装置 | |
| CN208161354U (zh) | 一种防止氯化氢气体泄漏的盐酸储存系统 | |
| CN212532415U (zh) | 一种废水处理系统 | |
| JP4574782B2 (ja) | アンモニア除害装置 | |
| JPH0422606B2 (ja) | ||
| JP4670160B2 (ja) | 湿式排煙脱硫装置 | |
| KR100315968B1 (ko) | 흡입진공압 해제기능을 구비한 침지형 분리막 폐수처리 장치 및 방법 | |
| JP2005342573A (ja) | 揮発性有機化合物の除去装置 | |
| CN207608345U (zh) | 高浓度含氰废水一体化回收设备 | |
| CN204816194U (zh) | 一种化工尾气除臭设备 | |
| KR102584151B1 (ko) | 선박의 암모니아처리시스템 | |
| JP2002102649A (ja) | ガス処理方法及びガス処理装置 | |
| CN212942252U (zh) | 一种液沫洗涤式的工业废气净化机 | |
| CN117154153B (zh) | 一种氢能燃料电池备用系统及其使用方法 | |
| JP2009044042A (ja) | 被処理物の浸漬型処理装置及び被処理物の処理方法 | |
| CN220276658U (zh) | 一种应用于氯碱罐区的酸性尾气吸收装置 |