WO1998045879A1 - Support de plaquette de silicium - Google Patents

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WO1998045879A1
WO1998045879A1 PCT/JP1997/001171 JP9701171W WO9845879A1 WO 1998045879 A1 WO1998045879 A1 WO 1998045879A1 JP 9701171 W JP9701171 W JP 9701171W WO 9845879 A1 WO9845879 A1 WO 9845879A1
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silicon wafer
polyester
wafer carrier
ppm
weight
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PCT/JP1997/001171
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French (fr)
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En Lai Zhang
Satoshi Yamamoto
Takayoshi Numata
Kiyoshi Sugie
Original Assignee
Teijin Limited
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L67/00Compositions of polyesters obtained by reactions forming a carboxylic ester link in the main chain; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L67/02Polyesters derived from dicarboxylic acids and dihydroxy compounds
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L77/00Compositions of polyamides obtained by reactions forming a carboxylic amide link in the main chain; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L77/12Polyester-amides
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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    • Y10T428/13Hollow or container type article [e.g., tube, vase, etc.]
    • Y10T428/1352Polymer or resin containing [i.e., natural or synthetic]

Definitions

  • the present invention relates to a silicon wafer carrier and a method for manufacturing the same, and more particularly, to a silicon wafer carrier having a small surface contamination and a permanent antistatic property, and a method for manufacturing the same.
  • Polyester is widely used because of its excellent moldability, mechanical properties, heat resistance, chemical resistance, creep resistance, impact resistance, and rigidity.
  • Silicon wafer carriers made of polytetramethylene terephthalate (hereinafter sometimes referred to as PBT) have already been used.
  • Polyester is remarkably easily charged due to friction, peeling, and the like.
  • static electricity accumulates in the molding due to charging, various obstacles occur. For example, an impact due to discharge occurs during use, and dust adheres to the surface of the molded product.
  • an antistatic method by adding an antistatic agent there are a coating type and an internal addition type. A separate step is required for the coating type, and the internal addition type is preferable in the manufacturing process.
  • a method of the internal addition type a method of kneading a low molecular weight ionic surfactant such as an alkyl sulfonate or an alkyl benzene sulfonate into a polymer has been known.
  • Japanese Patent Application Laid-Open No. 62-232035 discloses a method using a phosphonium salt.
  • the surfactant oozes out onto the surface of the molded product, so the initial antistatic effect is high, but it has been wiped or washed. If this occurs, there is a problem in that the antistatic effect is lost.
  • Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-82862 / 66 discloses a silicon wafer carrier composed of polytetramethylene terephthalate and carbon fiber. It describes that it has an electrostatic dissipative property, that is, an antistatic property, and that the generation of particulate contaminants due to friction is small.
  • the silicon wafer carrier has an annealing process for removing the distortion of the silicon wafer carrier, a degassing process for removing the remaining volatile components, a cleaning process for removing surface impurities and attached substances, and a subsequent drying process. After that, it is used as a silicon wafer carrier.
  • the silicon wafer carrier provided for use is used for transport and storage in a silicon wafer heating process, a cleaning process, and the like under various conditions.
  • polyetheresteramide has good antistatic properties.
  • delamination occurs, and it has been difficult to obtain a molded product having favorable mechanical properties.
  • Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-112844 discloses a polyester composition comprising a polyester, a polyetheresteramide and a modified vinyl polymer as a composition having excellent impact resistance. Disclosure of the invention
  • PBT Ordinary polytetramethylene terephthalate
  • compatibility problem is improved, but the addition of a large amount of the compatibilizer increases the amount of impurities in the resin composition. This causes problems such as surface contamination when used as a silicon wafer carrier.
  • An object of the present invention is to reduce the amount of impurity bleeding to the surface of a silicon wafer carrier upon heat treatment, particularly the bleeding of alkaline metal, to such an extent that the surface bleeding of the silicon wafer is not hindered, and to be permanent.
  • An object of the present invention is to provide a silicon wafer carrier having excellent antistatic properties.
  • Another object of the present invention is to provide a silicon wafer carrier having a small amount of impurity bleeding so as not to hinder the surface contamination of the silicon wafer and having excellent permanent antistatic properties.
  • surface resistivity is to provide a 1 X 1 0 1 4 ⁇ 1 X 1 ⁇ ⁇ ⁇ / ⁇ silicon wafer primary carrier is a (measurement voltage 5 0 0 V) permanently antistatic.
  • Another object of the present invention is to provide a silicon wafer carrier having hydrolysis resistance in addition to the above characteristics.
  • Another object of the present invention is to provide a method for manufacturing a silicon wafer carrier having the above characteristics.
  • Another object of the present invention is to melt blend a polyetheresteramide and a polyester. It is an object of the present invention to provide a manufacturing method that suppresses the ballast effect at the time of extrusion during kneading and improves the productivity of silicon wafer carriers when a large amount of polyetheresteramide is blended.
  • the present invention has the following configurations.
  • a composition comprising (a) 100 parts by weight of polyester, (b) 5 to 30 parts by weight of polyester ester amide, and (c) 10 to 2500 ppm of alkali metal with respect to polyether ester amide.
  • a polyester phase within a range of 20 m from the surface of a silicon wafer carrier has a polyetheresteramide phase with an aspect ratio of 3 or more and a minor axis of 1 m or less and a major axis of 1 or more.
  • the amount of volatile gas generated when heat-treated for 60 minutes in water is 10 ppm or less, and the amount of alkaline metal eluted when immersed in pure water at 80 ° C for 120 minutes is 10 ppm or less Silicon wafer carrier.
  • the amount of volatile gas generated by heat treatment at 150 ° C for 60 minutes is 1
  • a silicon wafer carrier that has an alkaline metal content of 0 ppm or less and eluted when immersed in pure water at 80 ° C for 120 minutes for 50 minutes or less.
  • a polyetheresteramide (b) having a melt viscosity ratio of 0.01 to 1 is defined as a polyetheresteramide (b) having a melt viscosity ratio of 0.01 to 1 with respect to the polyester (a) melt viscosity.
  • Item 2 The method for producing a silicon wafer carrier according to Item 1, wherein the method comprises forming.
  • the present invention will be described in detail.
  • the polyester used as the component (a) in the present invention contains terephthalic acid or 2,6-naphthalenedicarboxylic acid as an acid component, and contains fatty acids such as ethylene glycol, trimethylene glycol, tetramethylene glycol, hexamethylene glycol, and neopentyl glycol.
  • An aromatic polyester containing an aromatic diol as a diol component is an aromatic diol component.
  • Polyester (a) allows for copolymerization of up to 30 mole%, preferably up to 20 mole%, more preferably up to 10 mole%, of the copolymer components based on the total dicarboxylic acid component.
  • Polyester (a) is preferably polytetramethylene terephthalate, polypropylene terephthalate, polyethylene / terephthalate, or polytetramethylene mono 2,6-naphthalate.
  • the polyester (a) may be a copolymerized polyester in which a part of the above-mentioned polyester is replaced by a copolymerization component.
  • Such copolymerization components include, as acid components, isophthalic acid, phthalic acid; alkyl-substituted phthalic acids such as methyl terephthalic acid and methyl isophthalic acid; 2,6-naphthalene dicarboxylic acid, 2,7-naphthalene dicarboxylic acid, 1 Diphthalic dicarboxylic acids such as 4,5-naphthalene dicarboxylic acid; diphenyl dicarboxylic acids such as 4,4'-diphenyl dicarboxylic acid and 3,4'-diphenyl dicarboxylic acid; 4,4'-diphenoxyethane dica Aromatic dicarboxylic acids such as rubonic acid and diphenoxyethane dicarboxylic acids; aliphatic or alicyclic dicarboxylic acids such as succinic acid, adipic acid, sebacic acid, azelaic acid, decanedicarboxylic acid, and cyclohexanedicar
  • Such copolymerization components include, as diol components, alicyclic diols such as 1,4-cyclohexanedimethanol; dihydroxybenzenes such as hydroquinone and resorcin; 2,2-bis (4-hydroxyphenyl) -propane and bis ( 4-hydroxyphenyl) bisphenols such as monosulfone; and aromatic diols such as ether diols obtained from bisphenols and dalicol such as ethylene daryl.
  • diol components such as 1,4-cyclohexanedimethanol
  • dihydroxybenzenes such as hydroquinone and resorcin
  • 2,2-bis (4-hydroxyphenyl) -propane and bis ( 4-hydroxyphenyl) bisphenols such as monosulfone
  • aromatic diols such as ether diols obtained from bisphenols and dalicol such as ethylene daryl.
  • the polyester (a) may contain a branching component of 1.0 mol% or less, preferably 0.5 mol% or less, more preferably 0.3 mol% or less as a copolymer component.
  • Examples of such a branched component include acids having an ester forming ability of a polyfunctional group such as trimesic acid and trimellitic acid; and alcohols having an ester forming ability of a polyfunctional group such as glycerin, trimethylolpropane, and pentaerythritol. be able to.
  • the polyester used in the present invention preferably has an intrinsic viscosity of 0.6 to 1.20. It is. If the intrinsic viscosity is within this range, it is possible to obtain high rigidity as a silicon wafer carrier molded product and sufficient fluidity of the resin at the time of molding, and short-circuit a large carrier, for example, a carrier for a 12-inch diameter wafer. It can be obtained without generating shots.
  • the intrinsic viscosity is a calculated value based on the value measured in orthochlorophenol at 35 ° C.
  • the concentration of the terminal lipoxyl group is preferably 10 equivalents or less, more preferably 5 equivalents or less. Where ton is 10 6 g. When the concentration of the terminal lipoxyl group is within this range, the silicon wafer carrier has a sufficiently small amount of volatile gas generated during heat treatment and has excellent hydrolysis resistance.
  • Terminal power Rupokishiru group (COOH) concentration method TA Konikkusu (A. Con i X) ⁇ Mak r omo l. Ch em, 26, 226 (1958) ⁇ is the number of equivalents of polymer 10 per 6 g as measured by .
  • the polyester used in the present invention is preferably one obtained by polycondensation in at least one solid phase polymerization step.
  • the polyester used in the present invention is obtained by subjecting a dicarboxylic acid mainly composed of terephthalic acid or an ester-forming derivative thereof and a dihydroxy compound mainly composed of tetramethylene glycol or an ester-forming derivative thereof to liquid phase polycondensation in the presence of a catalyst. After being combined, the mixture can be obtained by performing a solid-phase polycondensation reaction in a nitrogen atmosphere at 180 ° C. to 225 t under normal pressure for 2 to 24 hours.
  • the polyetheresteramide of the component (b) used in the present invention is a polyetheresteramide derived from a polyamido (b1) having carboxyl groups at both terminals and an alkylene oxide adduct of a bisphenol (b2). is there.
  • both ends of the polyetheresteramide (b) The polyamide (bl) having a boxyl group is (1) a lactam ring-opening polymer, (2) a polycondensate of an aminocarboxylic acid, or (3) a polycondensate of a dicarboxylic acid and diamine.
  • the lactams in (1) include kyprolactam, enantholactam, laurolactam, pendecanolacum and others.
  • the aminoamino acids of (2) include ⁇ -aminocaproic acid, ⁇ -aminoenanthic acid, ⁇ -aminoforce prillic acid, ⁇ -aminobergonic acid, ⁇ -aminocapric acid, 11-aminoundecanoic acid, and 12-amino Dodecanoic acid and the like.
  • Examples of the dicarboxylic acid (3) include adipic acid, azelaic acid, sebacic acid, undecandioic acid, dodecandioic acid, and isofuroic acid.
  • diamines include hexamethylene diamine and heptamethylene diamine. And octamethylenediamine, decamethylenediamine and the like.
  • amide-forming monomers Two or more of the above-mentioned amide-forming monomers may be used. Preferred among these are hydrprolactam, 12-aminododecanoic acid, and adipic acid-hexamethylene diamine, and particularly preferred is hydrprolactam.
  • (bl) can be obtained by using a dicarboxylic acid component having 4 to 20 carbon atoms as a molecular weight modifier and subjecting the amide-forming monomer to ring-opening polymerization or polycondensation in a conventional manner in the presence of the dicarboxylic acid component.
  • dicarboxylic acids having 4 to 20 carbon atoms examples include aliphatic carboxylic acids such as succinic acid, daltaric acid, adipic acid, pimelic acid, suberic acid, azelaic acid, sebacic acid, pendecanedic acid, dodecanediic acid, terephthalic acid, Aromatic dicarboxylic acids such as isophthalic acid, phthalic acid, and naphthalene dicarboxylic acid; and alicyclic dicarboxylic acids such as 1,4-cyclohexanedicarboxylic acid and dicyclohexyl-4,4'-dicarboxylic acid; Examples include alkali metal salts of 3-sulfoisophthalic acid such as sodium sulfoisophthalate and sodium 3-sulfoisophthalic acid.
  • aliphatic carboxylic acids such as succinic acid, daltaric acid, adipic acid, pimelic acid, suberic
  • D aliphatic dicarboxylic acids, aromatic dicarboxylic acids, and 3-sulfoisophthalates.
  • acidic metal salts particularly preferred are adipic acid, sebacic acid, terephthalic acid, Full evening you Lumpur acid And 3-sulfoisofuroic acid sodium.
  • the number average molecular weight of the above (b1) is from 500 to 5,000, preferably from 500 to 3,000. If the number average molecular weight of (b1) is less than 500, the heat resistance of the polyesteresteramide itself decreases, and if it exceeds 5,000, the reactivity decreases, so that a great amount of time is required for the production of polyetheresteramide.
  • the bisphenols of the alkylene oxide adduct of bisphenols (b 2) which is the other component constituting (b), include bisphenol A (4,4'-dihydroxydiphenyl-1,2,2-propane). , Bisphenol F (4,4'dihydroxydiphenylmethane), bisphenol S (4,4'dihydroxydiphenylsulfone), 4,4'-dihydroxydiphenyl 2,2-butane, etc. Of these, particularly preferred is bisphenol A.
  • Examples of the alkylene oxide of (b 2) include ethylene oxide, propylene oxide, 1,2- or 1,4-butylene oxide, and a mixture of two or more of these. Of these, ethylene oxide is preferred.
  • the ethylene oxide adduct (b2) of bisphenols has a number average molecular weight of usually 300 to 5,000, preferably 1,000 to 3,000, particularly preferably 1,600 to 3,000. More preferably, the number of moles of ethylene oxide is 30 to 60. When the number average molecular weight is less than 300, the antistatic property becomes insufficient, and when the number average molecular weight exceeds 5,000, the reactivity decreases, so that it takes a lot of time to produce polyetheresteramide.
  • the polyetheresteramide of the component (b) used in the present invention is derived from a polyamide having a hydroxyl group at both ends and a high-molecular weight bisphenol-containing ethylene oxide as a polyether component.
  • Polyether ester amides are preferred, and polyether ester amides derived from ethylene oxide adducts of bisphenols having an ethylene oxide mole number of 30 to 60 are particularly preferred. Good.
  • the amount of (b2) in the component (b) is preferably from 20 to 80% by weight, more preferably from 25 to 75% by weight, based on the total weight of (bl) and (b2). is there. If the amount of (b 2) is less than 20% by weight, the antistatic property of the component (b) is inferior, and if it exceeds 80% by weight, the heat resistance of the component (b) itself deteriorates, which is not preferable.
  • the method for producing the component (b) is not particularly limited, and examples thereof include the following method (1) or method (2).
  • Production method II A method in which (b1) is formed by reacting an amide-forming monomer and a dicarboxylic acid, and (b2) is added thereto, and a polymerization reaction is carried out under high temperature and reduced pressure.
  • a known esterification catalyst is usually used.
  • the catalyst include an antimony-based catalyst such as antimony trioxide, a tin-based catalyst such as monobutyl tin oxide, a titanium-based catalyst such as tetrabutyl titanate, a zirconium-based catalyst such as tetrabutyl zirconate, and an metal acetate such as zinc acetate. And the like. These are usually used in an amount of 0.1 to 5% by weight based on the total weight of (b1) and (b2).
  • the polyetheresteramide (b) has a melt viscosity of 10 to 1000 Pa ⁇ S at a shear rate of 1000 sec- 1 at 260 ° C. and a melt viscosity ratio to polyester under the above conditions of 0. It is preferably a polyester amide which is 01 to 1.
  • the ratio of the melt viscosities of the two is 0.01 to 1, more preferably 0.1 to 1 kneading Is preferred. If this ratio is greater than 1 or less than 0.01, it is difficult to finely disperse the polyester ester amide, and it is difficult to exhibit an antistatic effect.
  • the polyetheresteramides (b) are surprisingly well dispersed in a polyester matrix, and the melt mixture exhibits great flow in injection molding with high shear fields. Even more surprisingly, in the injection molding of a silicon wafer carrier consisting of polyester and polyetheresteramide, both of which satisfy the above conditions in terms of melt viscosity, polyetheresteramide is distorted on the surface layer during the filling process into the mold. However, the carrier shows excellent permanent antistatic properties and good reproducibility.
  • the blending amount of the polyetheresteramide (b) in the present invention is 5 to 100 parts by weight based on 100 parts by weight of the polyester (a). Further, when the modified polyolefin (c) is not contained in the composition, the amount of the polyetheresteramide (b) is preferably 5 to 30 parts by weight based on 100 parts by weight of the polyester (a). Preferably it is 10 to 20 parts by weight. When the modified polyolefin (c) is contained in the composition, the amount of the polyetheresteramide (b) is preferably 31 to 100 parts by weight based on 100 parts by weight of the polyester (a). Department.
  • the amount of the polyetheresteramide is less than the above range, sufficient permanent antistatic properties cannot be imparted. If the amount is more than the above range, the mechanical strength and productivity are undesirably reduced.
  • the alkaline metal (c) in the present invention is an element belonging to the group Ia alkali metal or the group IIa alkaline earth metal of the periodic table, and specifically, lithium, sodium, potassium, rubidium and cesium. , Francium, Beryllium, Ma Gnesium, calcium, strontium, barium, and radium. These may be used in combination.
  • the alkaline metal is preferably added as an alkaline metal compound and present in the composition.
  • alkaline metal compound examples include a hydroxide, an inorganic acid salt, an organic acid salt, for example, an acetate, a carbonate, and an ammonium salt. These may be used in combination.
  • Specific examples of the compounds include lithium hydroxide, sodium hydroxide, potassium hydroxide, rubidium hydroxide, cesium hydroxide, and furanium hydroxide; beryllium hydroxide, magnesium hydroxide, calcium hydroxide, strontium hydroxide, and hydroxide. Lithium acetate, sodium acetate, potassium acetate, magnesium acetate, calcium acetate; lithium carbonate, sodium carbonate, and lithium carbonate are exemplified.
  • the compounding amount of the alkaline metal (c) is 10 to 2500 ppm, more preferably 200 to 2500 ppm, based on the polyetheresteramide. If it is less than 10 ppm, the antistatic effect is insufficient, and if it exceeds 2500 ppm, the amount of metal eluted when using a silicon wafer and a carrier increases, and it cannot be used as a silicon wafer carrier.
  • the modified polyolefin (d) in the present invention is a copolymer obtained by copolymerizing an unsaturated epoxy compound (d1) and one or more ethylenically unsaturated compounds (d2).
  • the modified polyolefin (d) contains 0.1 to 50% by weight, preferably 1 to 30% by weight, of the unsaturated epoxy compound (d1) as a copolymer component.
  • the unsaturated epoxy compound (dl) is a compound having an epoxy group in the molecule and having an unsaturated f-opening group capable of copolymerizing with the ethylenically unsaturated compound.
  • the following general formulas (1) ( Unsaturated glycidyl ester and unsaturated glycidyl ether represented by 2) can be mentioned.
  • R is a hydrocarbon group having 2 to 18 carbon atoms and having an ethylenically unsaturated bond.
  • R is a hydrocarbon group having an ethylenically unsaturated bond and having 2 to 18 carbon atoms
  • X is —CH 2 —O—, or It is.
  • unsaturated epoxy compound (dl) examples include glycidyl acrylate, glycidyl methacrylate, glycidyl itaconate, aryl glycidyl ether, 2-methylaryl glycidyl ether, and styrene-P-glycidyl ether. You.
  • Examples of the ethylenically unsaturated compound (d 2) include olefins, vinyl esters of saturated carboxylic acids having 2 to 6 carbon atoms, esters of saturated alcohol components having 1 to 8 carbon atoms and acids, vinyl halides, and styrene. , Nitriles, vinyl ethers and acrylamides.
  • Examples of the acid in esters of a saturated alcohol component having 1 to 8 carbon atoms and an acid include acrylic acid, methacrylic acid, maleic acid, methacrylic acid, and fumaric acid.
  • ethylenically unsaturated compound (d 2) examples include ethylene, propylene, 1-butene, vinyl acetate, methyl acrylate, ethyl acrylate, methyl methacrylate, getyl maleate, getyl fumarate, vinyl chloride, and chloride.
  • examples include vinylidene, styrene, acrylonitrile, isobutyl vinyl ether, and acrylamide, and are preferably ethylene, biel acetate, and methyl acrylate.
  • the modified polyolefin can be made by various methods. Either a random copolymerization method in which the unsaturated epoxy compound is introduced into the main chain of the copolymer or a graft copolymerization method in which the unsaturated epoxy compound is introduced as a chain in the copolymer can be adopted. .
  • the compounding amount of the modified polyolefin of the component (d) is preferably 1 to 40 parts by weight, more preferably 3 to 10 parts by weight, based on 100 parts by weight of the polyester (a).
  • the content of the modified polyolefin is less than 1 part by weight, the effect of suppressing the balun effect at the time of extrusion and increasing the productivity is small. Conversely, if it exceeds 40 parts by weight, the mechanical strength decreases, which is not preferable.
  • the silicon wafer carrier of the present invention is obtained from the surface of the silicon wafer-carrier.
  • the polyester phase in the range of 20 m has a polyetheresteramide phase having an aspect ratio of 3 or more and a minor axis of 1 or less and a major axis of 1 or more.
  • the major axis of the polyetheresteramide phase is parallel to the surface of the silicon wafer carrier. From the viewpoint of obtaining excellent antistatic properties, it is preferable that the polyetherester amide phases are in contact with each other or exist close to a distance of 0.5 m or less.
  • polyether ester amide phase If the polyether ester amide phase) ratio is less than 3, good antistatic properties cannot be obtained. If the minor axis of the polyetheresteramide phase exceeds 1 m or the major axis of the polyetheresteramide phase is less than 1 im, sufficient band Antistatic properties cannot be imparted.
  • the silicon wafer carrier of the present invention has a surface resistivity of 1 ⁇ 10 14 to 1 ⁇ 10 11 ⁇ / ⁇ , preferably 1 ⁇ 10 13 to 1 ⁇ 10 11 ⁇ / ⁇ , more preferably, at a measurement voltage of 500 V.
  • 1 X 10 12 to 1 X 10 units with permanent antistatic properties Within this range, it has sufficient antistatic properties as a silicon wafer carrier.
  • the amount of volatile gas generated when heat-treated at 150 ° C. for 60 minutes needs to be 10 ppm or less, and preferably 5 ppm or less.
  • the amount of volatile gas generated by the silicon wafer carrier is a value measured for 10 g of a sample obtained by pulverizing a silicon wafer carrier into flake-shaped particles of 5 mm square, and is a value detected by head space gas chromatography. . If the amount of volatile gas generated exceeds 1 ppm, the surface contamination of the silicon wafer by the volatile gas impairs the quality of the silicon wafer, and the product defects of electronic devices such as LSIs obtained by processing the silicon wafer later. Cause.
  • Volatile gases generated by heat treatment of silicon wafer carriers are mainly organic gases, for example, acetoaldehyde, acetone, tetrahydrofuran, and 3-butanol. These volatile gases condense on the silicon wafer and condense on the silicon wafer carrier and are transferred to the silicon wafer, contaminating the silicon wafer surface.
  • the silicon wafer carrier of the present invention needs to have an alkaline metal elution amount of 10 ppm or less when immersed in pure water of 80 for 120 minutes, preferably 50 ppb or less, particularly preferably 10 ppb or less. It is as follows.
  • the amount of metal eluted from a silicon wafer carrier was determined by immersing 10 g of a sample obtained by grinding a silicon wafer carrier into 5 mm square flake-like particles in 8 Oml of pure water at 80 for 120 minutes.
  • the amount of alkaline metal eluted in pure water This is a value measured by an atomic absorption spectrometer.
  • the amount of alkaline metal eluted exceeds 10 ppm, surface contamination of the silicon wafer by the alkaline metal impairs the quality of the silicon wafer and causes defects in electronic device products such as LSIs obtained by processing the silicon wafer later.
  • the amount of the alkaline metal eluted is 50 ppb or less, preferably 10 ppb or less. If the amount of alkaline metal eluted is within this range, surface contamination of the silicon wafer by the alkaline metal will not substantially occur, and this may cause defects in electronic device products such as LSIs obtained by processing the silicon wafer later. No.
  • the surface contamination of the silicon wafer by the alkaline metal is mainly caused by the adhesion of the alkaline metal eluted from the silicon wafer carrier to the silicon wafer in the silicon wafer cleaning process.
  • the silicon wafer carrier of the present invention does not contain polyester ester amide, that is, when it is composed of only polytetramethylene terephthalate, the amount of generated volatile gas is 10 ppm or less, and the alkali metal The elution amount is 50 ppb or less. As described above, it is necessary to satisfy this condition for a 5 mm square flake-like pulverized silicon wafer carrier.However, such a silicon wafer carrier has a pellet state of 150 °. The amount of volatile gas generated when heat-treated with C for 60 minutes is 10 ppm or less, preferably 5 ppm or less, and when pellets are immersed in pure water at 80 ° C for 120 minutes.
  • polyester pellets having an alkaline metal elution amount of 50 ppb or less, preferably 10 ppb or less.
  • the amount of volatile gas generated from the pellet and the amount of alkaline metal eluted were measured by the same method as that used for the pulverized silicon wafer carrier.
  • the resin composition used in the present invention has a gas composition within a range that does not impair the object of the present invention.
  • Fibrous reinforcing agents represented by lath fiber, powdery and granular, plate-like fillers, flame retardants, release agents, lubricants, lubricants, nucleating agents, coloring agents, antioxidants, heat stabilizers, light resistance (weather) stability
  • additives such as a thermoplastic resin other than the other components, and a modifier such as an impact modifier.
  • the resin composition used in the present invention can be obtained by using any mixing method. It is preferable that the components of the present invention are finely dispersed more effectively, and all or a part of the components are mixed simultaneously or separately, for example, using a blender such as a blender, a kneader, a Banbury mixer, a roll, or an extruder. After the formation, it is preferable to form the silicon wafer into a single carrier.
  • a blender such as a blender, a kneader, a Banbury mixer, a roll, or an extruder.
  • composition that has been previously dry-blended can be melt-kneaded with a heated extruder, homogenized, extruded into a wire, cut into a desired length, granulated, and then formed into a silicon wafer carrier.
  • the resin composition used in the present invention may be prepared by blending various components by a known method, for example, dry blending, and then using a twin screw extruder with a screw diameter of 44 mm and a cylinder temperature of 200 ° C. : Melting and kneading at ⁇ 280 ° C, preferably 220 ° C ⁇ 250 ° C, screw rotation speed 160 ⁇ 300 rpm, discharge rate 30 ⁇ 60 kg Zh, After cooling the thread discharged from the die, the thread can be cut into a molding bellet.
  • a general thermoplastic resin molding machine can be used for molding the silicon wafer carrier of the present invention.
  • the silicon wafer carrier of the present invention is injection-molded by using an injection molding machine under the conditions of an injection pressure of 600 to 100 kg / cm 2 and an injection rate of 60 to 90 cmVsec. Obtainable.
  • the ratio of the melt viscosity of the polyetheresteramide (b) to the melt viscosity of the polyester (a) is 0.01-1.
  • the melt viscosity ratio can be adjusted by adjusting the cylinder temperature, injection speed, and injection pressure.
  • the cylinder temperature is 230 ° C to 260 ° C
  • the mold temperature is 40 ° C to 80 ° C
  • the injection speed is 40% to 60%
  • the injection is It is desirable to mold at a pressure of 40 to 60%.
  • the silicon wafer carrier obtained in this manner has excellent permanent antistatic properties.
  • a polyetheresteramide phase with a aspect ratio of 3 or more and a minor axis of 1 ⁇ or less and a major axis of 1 im or more can be converted into a polyester phase in the range of 20 / m from the silicon wafer carrier surface.
  • Shirikonu E c primary carrier is IX 10 14 ⁇ 1 X 1 ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ , preferably more preferably 1 X 10 13 ⁇ 1 X 1 0 1 X 1 0 12 ⁇ : the surface resistivity of the LX 1 Noro Is shown.
  • the silicon wafer carrier of the present invention has permanent antistatic properties due to the segregation of polyetheresteramide on the surface of the silicon wafer and the surface of the silicon wafer. On the one hand, no surface contamination due to transfer is caused. Such segregation phenomena and permanent antistatic properties are exhibited with good reproducibility in a silicon wafer carrier composed of polyester, alkaline metal and polyetheresteramide satisfying the conditions shown in the present invention. Further, in a silicon wafer carrier comprising a polyester, an alkali metal, a polyetheresteramide, and a modified polyolefin satisfying the conditions described in the present invention, the segregation phenomenon and the permanent antistatic property are exhibited with higher reproducibility.
  • the surface resistivity (sometimes referred to as surface resistivity) was measured using a super insulation meter (SM-10E, manufactured by Toa Denpa Kogyo Co., Ltd.).
  • the half-decay time of the charged voltage decay time was measured with a honest meter (Sushitic H-0110 manufactured by Shisido Electrostatic Co., Ltd.).
  • the amount of alkaline metal eluted was evaluated by immersing 10 g of a sample (5 mm square flakes of a silicon wafer carrier) in 80 ml of pure water at 80 ° C for 120 minutes, and then using an atomic absorption spectrometer (manufactured by Hitachi, Ltd.). Z 8100) was used to analyze the amount of alkaline metal eluted in pure water after the immersion treatment.
  • the amount of volatile gas generated was evaluated by using a gas chromatograph to determine the amount of volatile gas generated when 10 g of a sample (a 5 mm square flaked material of a silicon wafer carrier) was heat-treated at 150 ° C for 60 minutes. By measuring.
  • Headspace gas chromatography (HS-GC: GC-9A, HS-9A and CR-4A, manufactured by Shimadzu Corporation) was used for gas chromatography.
  • the analysis conditions are as follows.
  • the deflection temperature under load was measured in accordance with ASTMD 648 (4.6 kg / cm 2 ).
  • Polytetramethylene terephthalate (QK) used in the experimental example was obtained by the following method.
  • PEEA Polyetheresteramide
  • Copolymer consisting of 64% by weight of ethylene, 6% by weight of a rate and 30% by weight of methyl acrylate as monomer components
  • Terminal carboxyl group concentration 47 equivalents t on
  • Terminal lipoxyl group concentration 52 equivalents t on
  • Terminal carboxyl group concentration 42 equivalents Z t on
  • 80-310t Melting and mixing at a screw speed of 160 rpm and a discharge rate of 40 kgZh After kneading and cooling the thread discharged from the die, the thread was cut to obtain molding pellets. Next, using this pellet, a silicon wafer carrier was prepared by injection molding under the conditions of an injection pressure of 750 kgZcm 2 , an injection speed of 70 cm Vsec, a cooling time of 15 seconds, and a total molding cycle of 25 seconds. Further, the side surface of the carrier was cut into a required size to obtain a test piece.
  • the melt viscosity of the polyetheresteramide at 260 ° C. at a shear rate of 1000 sec- 1 was 65 (Pa ⁇ S) during molding of this silicon wafer carrier.
  • the ratio of the polyetheresteramide to the melt viscosity of the polyester was 0.65 (shear rate 1000 sec—, cylinder temperature 250 ° C.).
  • melt viscosity ratio is defined by the following equation.
  • a single silicon wafer carrier was formed by the above-described forming method. Extrudability was good.
  • a test piece was prepared according to the above method, and the above evaluation was performed.
  • the surface resistivity of a single silicon wafer carrier exhibited antistatic properties of 10 12 ⁇ / square or less. This is the surface resistivity that could not be achieved conventionally.
  • Tables 1 and 2 show the results.
  • test piece was prepared by molding a silicon wafer carrier in the same manner as in Experimental Example 1 and evaluated.
  • test piece was prepared by molding a silicon wafer carrier in the same manner as in Experimental Example 1 and evaluated. Tables 1 and 2 show the results.
  • the polyetheresteramide content was 18 to 15% by weight, and the surface resistivity was 1 ⁇ 10 13 ⁇ or less.
  • test piece was prepared by molding a silicon wafer carrier in the same manner as in Experimental Example 1 and evaluated. Tables 1 and 2 show the results. This was the case where only PBT was used, and extrusion was possible as usual. Experimental example 10 to 1 2
  • test piece was prepared by molding a silicon wafer carrier in the same manner as in Experimental Example 1 and evaluated. Table 3 shows the results. Table 3
  • test pieces were prepared by the following method.
  • PBT (QK) was blended with polyetheresteramide in the proportions shown in Table 2-1 and mixed. The mixture was extruded using an extruder. The screw speed was 240 rpm. m, and melt-kneaded at a discharge rate of 50 kgZh. The thread discharged from the die was cooled, and then cut to obtain a pellet for molding. Using these pellets, a silicon wafer carrier was obtained by injection molding under the conditions of an injection pressure of 750 kg / cm 2 and an injection rate of 68 cm 3 / sec.
  • test specimens were prepared by injection molding under the conditions of an injection pressure of 750 kgZcm 2 , an injection rate of 70 cm 3 / sec, a cooling time of 15 seconds, and a total molding cycle of 25 seconds.
  • melt viscosity ratio is defined by the following equation.
  • Test pieces were prepared according to the above-described method using the component ratios shown in Table 4, and the evaluation was performed. Table 4 shows the results. Table 4
  • Test pieces were prepared in the same manner as in Experimental Example 13 with the component ratios shown in Table 4 and evaluated as described above. Table 4 shows the results.
  • a silicon-based carrier was prepared according to the above method.
  • a test piece was prepared by cutting out a portion of the silicon wafer and the carrier in contact with the silicon wafer.
  • Experimental Examples 18 to 22 are cases using only PBT (QK), and silicon wafer carriers were formed by the following method.
  • the test piece was prepared by the following method.
  • PBT (QK) is melt-kneaded with an extruder at 260 ° C, screw rotation speed 160 rpm, discharge rate 50 kg / h, and after cooling the thread discharged from the die, cut and cut pellets for molding. Obtained.
  • injection molding was performed at a cylinder temperature of 250 ° C and a mold temperature of 60 ° C to obtain an 8-inch silicon wafer carrier.
  • This silicon wafer carrier was pulverized into flakes of 5 mm square to prepare samples for analysis of volatile gases and eluted alkaline metals.
  • test piece was prepared by injection molding from the molding pellet, and this test piece was used as a test piece for evaluation of mechanical strength and heat resistance (load deflection temperature).
  • Experiment 18 PBT (QK) was used as the PBT to form a silicon wafer carrier.
  • Samples were prepared for analysis of volatile gases and eluted alkaline metals. When the amount of volatile gas was measured, the amount of volatile gas generated was 3 ppm. The main component of the volatile gas was THF. When the amount of dissolved metal was measured, it was 2.2 ppb or less. Both the amount of generated volatile gas and the amount of eluted alkaline metal are extremely small, and are excellent as silicon wafer carriers.
  • a silicon wafer carrier was prepared and evaluated in the same manner as in Experimental Example 18, except that PBT (C 7000 manufactured by Teijin Limited) was used instead of PBT (QK) in Experimental Example 18. The results are shown in FIG. Experimental Example 20
  • a single silicon wafer carrier was prepared and evaluated in the same manner as in Experimental Example 18, except that PBT (QK) in Experimental Example 18 was replaced with polypropylene (BJS-G manufactured by Mitsui Toatsu Chemicals, Inc.). Table 5 shows the results.
  • Experimental example 2 A silicon wafer carrier was prepared and evaluated in the same manner as in Experimental Example 18, except that PBT (TRB-J manufactured by Teijin Limited) was used instead of PBT (QK) in Experimental Example 18. The main component of the volatile gas was THF. Table 6 shows the results. Experimental Example 22
  • a silicon wafer carrier was prepared and evaluated in the same manner as in Experimental Example 18, except that PBT (TRB-K manufactured by Teijin Limited) was used instead of PBT (QK) in Experimental Example 18.
  • the main component of the volatile gas was THF. Table 6 shows the results.
  • the amount of alkaline metal present in PEEA was adjusted with potassium chloride.
  • Five types of DPEEA shown below were prepared.
  • test pieces were prepared in the same manner as in Experimental Example 13 with the compositions shown in Table 8. However, the unit of PBT and PEE A in the table is% by weight.
  • test piece was prepared in the same manner as in Experimental Example 24.
  • test piece was prepared in the same manner as in Experimental Example 24.
  • test piece was prepared in the same manner as in Experimental Example 24.
  • Experimental example 2 8 with small amount of eluted metal and sufficient antistatic properties
  • Test pieces were prepared in the same manner as in Experimental Example 24.
  • Experimental Example 28 is a case where the alkaline metal content with respect to PEEA is 300 ppm, but the amount of eluted metal is too large to be used as a silicon wafer carrier. The invention's effect
  • a silicon wafer carrier in which the amount of volatile gas generated and the amount of eluted metal are suppressed to such an extent that the surface contamination of the silicon wafer is not substantially caused, and further high mechanical properties and heat resistance It is possible to provide a silicon wafer carrier having a property.
  • the present invention is a silicon wafer carrier in which the amount of volatile gas generated and the amount of eluted metal are suppressed so as not to substantially cause the surface contamination of the silicon wafer, and has excellent permanent antistatic properties.
  • a silicon wafer carrier can be provided.

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Description

明細書
シリコンウェハ一キャリア 技術分野
本発明はシリコンウェハーキャリアとその製造方法に関し、 さらに詳しくは、 表面汚れが少なく、 永久的な帯電防止性を備えたシリコンウェハ一キヤリアと その製造方法に関する。 背景技術
ポリエステルは、 成形性、 機械的特性、 耐熱性、 耐薬品性、 耐クリープ性、 耐衝撃性、 剛性等に優れているので広く使われている。 ポリテトラメチレンテ レフタレ一ト (以下、 P B Tと称する場合がある) からなるシリコンウェハ一 キャリアは既に用いられている。
ポリエステルは摩擦、 剥離などによって著しく帯電し易い。 帯電によって静 電気が成形物に蓄積されると、 種種の障害が発生する。 例えば、 使用時に放電 による衝撃が発生したり、 成形物表面に埃が付着する。
ポリエステルに帯電防止性を付与する方法として、 帯電防止剤を添加する方 法が知られている。
帯電防止剤の添加による帯電防止方法として塗布型と内部添加型とがある。 塗布型では別工程が必要であり、 製造プロセス上、 内部添加型の方が好ましい。 内部添加型による方法では、 これまでアルキルスルホン酸塩やアルキルベン ゼンスルホン酸塩等の低分子量のイオン性界面活性剤をポリマー中に練り込む 方法が知られている。 例えば、 ホスホニゥム塩を用いるものとして特開昭 6 2 - 2 3 0 8 3 5号公報がある。
低分子量のイオン性界面活性剤を用いる方法では、 界面活性剤が成形品の表 面に滲み出すために、 当初の帯電防止効果は高いものの、 拭いたり、 洗浄した りすると帯電防止効果がなくなる点で問題がある。
帯電防止性を備えるシリコンウェハーキャリアとして特開平 8— 8 8 2 6 6 号公報にはポリテトラメチレンテレフ夕レート及びカーボン繊維からなるシリ コンウェハ一キャリアが開示されており、 該シリコンウェハ一キャリアが、 静 電気消散性すなわち帯電防止性を備え、 摩擦による粒子状汚染物質の発生が少 ないことが記載されている。
ところで、 シリコンウェハ一キヤリアはシリコンウェハーキヤリアの歪み除 去のためのァニール工程、 残存揮発成分を除去するための脱ガス工程、 表面の 不純物、 付着物を除去するための洗浄工程及びそれに続く乾燥工程を経てシリ コンウェハ一キャリアとして使用に供せられる。
使用に供せられたシリコンウェハーキャリアは、 様々な条件でシリコンゥェ ハーの加熱処理工程、 洗浄工程での搬送用、 保管用に用いられる。
ポリエーテルエステルアミドは帯電防止性が良好であることが知られている。 しかし、 他の熱可塑性樹脂と共に用いると層状剥離が起こり、 好ましい機械的 性質を有する成形物を得ることは困難であった。
特開平 9一 1 2 8 4 4号公報には、 耐衝撃性に優れる組成物として、 ポリエ ステル、 ポリエーテルエステルアミド及び変性ビニル系重合体からなるポリェ ステル組成物が開示されている。 発明の開示
通常のポリテトラメチレンテレフタレート (以下、 P B Tと略する場合があ る) 樹脂製シリコンウェハーキヤリァをシリコンウェハ一の運搬や保管に使用 する場合、 シリコンウェハーの運搬、 保管において、 有機ガスからなる揮発ガ スが多量に発生し、 これがシリコーンウェハ一上で凝縮してシリコンウェハー表 面を汚染する。 このような場合、 シリコンウェハーキャリア表面の不純物がシ リコンウェハーに転写し、 シリコンウェハーの表面汚れが発生する。 さらに、 シリコンウェハーの洗浄工程において、 シリコンウェハ一キャリア から金属が溶出し、 シリコンウェハーの表面に付着してシリコンウェハー表面 を汚染する。
これらの汚れはシリコンウェハーを用いた半導体デバイスの欠如や電気特性 の低下などの原因となり、 シリコンウェハーは品質上使用に供し得ない状態に なる。
シリコンウェハ一キャリアに帯電防止性を付与するために、 相溶化剤を使用 した場合、 相溶性の問題は改良されるものの、 多量の相溶化剤の添加によって 樹脂組成物中の不純物の量が多くなり、 シリコンウェハーキャリアとして用い た場合に表面汚れ等の問題が発生する。
本発明の目的は、 熱処理した時のシリコンウェハーキャリア表面への、 不純 物の滲みだし、 特にアルカリ性金属の滲みだしが、 シリコンウェハ一の表面汚 れとして支障を及ぼさない程度にまで少なく、 かつ永久帯電防止性に優れるシ リコンウェハーキャリアを提供することにある。
本発明の他の目的は、 不純物の滲みだしがシリコンウェハ一の表面汚れとし て支障を及ぼさない程度にまで少なく、 かつ永久帯電防止性に優れるシリコン ウェハーキヤリァであり、 該永久帯電防止性が表面抵抗率で 1 X 1 0 1 4〜 1 X 1 Ο ^ Ω /Π (測定電圧 5 0 0 V) の永久帯電防止性であるシリコンウェハ一 キャリアを提供することにある。
本発明の他の目的は、 不純物の滲みだし及び揮発ガスの発生が特に少ないシ リコンウェハ一キャリアを提供することにある。
本発明の他の目的は、 上記特性に加えて耐加水分解性を備えたシリコンゥェ ハーキャリアを提供することにある。
本発明の他の目的は、 上記の性 を備えるシリコンウェハーキャリアの製造 方法を提供することにある。
本発明の他の目的は、 ポリエーテルエステルアミドとポリエステルを溶融混 練するときに起こる押出時のバラス効果を押さえ、 ポリエーテルエステルアミ ド多量配合時のシリコンウェハーキヤリアの生産性を向上した製造方法を提供 することにある。
本発明のさらに他の目的及び利点は以下の説明から明らかになろう。
本発明は下記の構成からなる。
1. (a) ポリエステル 100重量部、 (b) ポリエーテルエステルアミド 5〜 100重量部、 (c) ポリエーテルエステルアミドに対して 1 0〜250 0 p pmのアルカリ性金属及び (d) 変性ポリオレフイン 0〜40重量部から 組成される組成物からなり、 1 50°Cで 60分間熱処理したときに発生する揮 発ガスの量が 10 p pm以下であり、 '80°Cの純水の中で 1 20分間浸漬処理 したときに溶出するアルカリ性金属の量が 1 0 p pm以下であるシリコンゥェ ハーキャリア。
2. (a) ポリエステル 100重量部、 (b) ポリエ一テルエステルアミド 5〜30重量部、 (c) ポリエーテルエステルアミドに対して 10〜2500 p pmのアルカリ性金属から組成される組成物からなり、 シリコンウェハ一キ ャリア表面から 20 mの範囲のポリエステル相に、 ァスぺクト比 3以上の形 状で短径 1 m以下、 長径 1 以上のポリエーテルエステルアミド相を有し、 1 50でで 60分間熱処理したときに発生する揮発ガスの量が 1 0 p pm以下 であり、 80°Cの純水の中で 120分間浸漬処理したときに溶出するアルカリ 性金属の量が 10 p pm以下であるシリコンウェハーキャリア。
3. (a) ポリエステル 100重量部、 (b) ポリエーテルエステルアミド 3 1〜 1 00重量部、 (c) ポリエーテルエステルアミドに対して 1 0〜25 00 p pmのアルカリ性金属及び (d) 変性ポリオレフイン 1〜40重量部か ら組成される組成物からなり、 リコンウェハ一キャリア表面から 20 imの 範囲のポリエステル相に、 アスペクト比 3以上の形状で短径 1 以下、 長径 1 m以上のポリエーテルエステルアミド相を有し、 1 50でで 60分間熱処 理したときに発生する揮発ガスの量が 10 p pm以下であり、 80°Cの純水の 中で 120分間浸漬処理したときに溶出するアルカリ性金属の量が 10 p pm 以下であるシリコンウェハ一キャリア。
4. ポリテ卜ラメチレンテレフタレ一卜のみからなるシリコンウェハ一キヤ リアであり、 150°Cで 60分間熱処理したときに発生する揮発ガスの量が 1
0 p pm以下であり、 80°Cの純水の中で 120分間浸漬処理したときに溶出 するアルカリ性金属の量が 50 ppb以下であるシリコンウェハーキャリア。
5. 固有粘度が 0. 6〜1. 2であるポリエステル (a) と、 260°Cでの 剪断速度 1000 s e c—1における溶融粘度が 10〜 1000 P a ' Sであり 且つ該条件におけるポリエステルに対する溶融粘度の比が 0. 01〜1である ポリエーテルエステルアミド (b) を、 ポリエステル (a) の溶融粘度に対す るポリエーテルエステルアミド (b) の溶融粘度の比を 0. 01〜1として成 形することを特徴とする項 1に記載のシリコンウェハ一キヤリァの製造方法。 以下、 本発明を詳細に説明する。
《ポリエステル》
本発明で用いられる (a) 成分のポリエステルは、 テレフタル酸または 2, 6 —ナフタリンジカルボン酸を酸成分とし、 エチレングリコール、 トリメチレン グリコール、 テトラメチレングリコール、 へキサメチレングリコール、 ネオペ ンチルダリコール等の脂肪族ジオールをジオール成分としてなる芳香族ポリエ ステルである。
ポリエステル (a) は全ジカルボン酸成分に対して 30モル%、 好ましくは 20モル%、 更に好ましくは 10モル%までの共重合成分の共重合を許容する。 ポリエステル (a) として、 ポリテトラメチレンテレフ夕レート、 ポリプロ ピレンテレフ夕レート、 ポリェチ] /ンテレフ夕レート、 ポリテトラメチレン一 2, 6—ナフタレートが好ましく、 結晶化速度の速いポ
レートが特に好ましい。 またポリエステル (a ) として上述のポリエステルの一部を共重合成分で置 換した共重合ポリエステルでもよい。
かかる共重合成分は酸成分として、 イソフタル酸、 フ夕ル酸; メチルテレフ タル酸、 メチルイソフタル酸等のアルキル置換フ夕ル酸類; 2, 6—ナフタリンジ カルボン酸、 2, 7—ナフタリンジカルボン酸、 1, 5—ナフタリンジカルボン酸等 のナフタリンジカルボン酸類; 4, 4'ージフエニルジカルボン酸、 3, 4'—ジフエ二 ルジカルボン酸等のジフエ二ルジカルボン酸類; 4, 4'_ジフエノキシエタンジカ ルボン酸、 ジフエノキシエタンジカルボン酸類等の芳香族ジカルボン酸; コハ ク酸、 アジピン酸、 セバチン酸、 ァゼライン酸、 デカンジカルボン酸、 シクロ へキサンジカルボン酸等の脂肪族または脂環族ジカルボン m類; ε —ォキシ力 プロオン酸、 ヒドロキシ安息香酸、 ヒドロキシエトキシ安息香酸等のォキシ力 ルボン酸類を挙げることができる。
かかる共重合成分はジオール成分として、 1, 4ーシクロへキサンジメタノ一ル 等の脂環族ジオール;ハイドロキノン、 レゾルシン等のジヒドロキシベンゼン 類; 2, 2—ビス (4—ヒドロキシフエニル) 一プロパン、 ビス (4—ヒドロキシフ ェニル) 一スルホン等のビスフエノール類; ビスフエノール類とエチレンダリ コールなどのダリコールとから得られるエーテルジオールなどの芳香族ジォ一 ル類を挙げることができる。
さらにポリエステル (a ) は 1 . 0モル%以下、 好ましくは 0 . 5モル%以 下、 更に好ましくは 0 . 3モル%以下の分岐成分を共重合成分として含有して fcよい。
かかる分岐成分として、 トリメシン酸、 トリメリット酸の等の多官能基のェ ステル形成能を有する酸; グリセリン、 トリメチロールプロパン、 ペン夕エリ スリトール等の多官能基のエステル形成能を有するアルコールを挙げることが できる。
本発明で用いられるポリエステルは好ましくは固有粘度が 0 . 6〜1 . 2 0 である。 固有粘度がこの範囲であれば、 シリコンウェハーキャリア成形品とし ての高い剛性と成形時の樹脂の十分な流動性性を得ることができ、 大型キヤリ ァ、 例えば 12インチ径ウェハ一用キャリアをショートショットを発生させる ことなく得ることができる。 ここで固有粘度は 35 °Cにおけるオルトクロルフ ェノール中での測定値をもとにした計算値である。
本発明に用いられるポリエステルは、 ポリエーテルエステルアミドと併用さ れない場合には、 その末端力ルポキシル基濃度が好ましくは 10当量 Z t o n 以下、 更に好ましくは 5当量 on以下である。 ここで t onは 106gであ る。 末端力ルポキシル基濃度がこの範囲にあれば、 シリコンウェハーキャリア は熱処理時の揮発ガス発生量が十分に少なく、 また、 優れた耐加水分解性を備 えたものとなる。
末端力ルポキシル基 (COOH) 濃度はエイ ·コニックス (A. Con i X) の方法 {Mak r omo l . Ch em, 26, 226 ( 1958) } によって 測定したポリマー 106 g当りの当量数である。
本発明に用いられるポリエステルは少なくとも 1段の固相重合工程で重縮合 されたものが好ましい。
本発明に用いられるポリエステルは、 テレフタル酸を主とするジカルボン酸 またはそのエステル形成性誘導体とテトラメチレングリコールを主とするジヒ ドロキシ化合物またはそのエステル形成性誘導体とを触媒の存在下に液相重縮 合させた後、 ペレット化して 180°C〜225t:、 常圧の条件で窒素雰囲気下 で 2〜 24時間固相重縮合反応を行うことにより得ることができる。
《ポリエーテルエステルアミド》
本発明に用いられる (b) 成分のポリエーテルエステルアミドは、 両末端に カルボキシル基を有するポリアミ (b 1) とビスフエノール類のアルキレン ォキシド付加物 (b 2) から誘導されるポリエーテルエステルアミドである。 本発明においてポリエーテルエステルアミド (b) を構成する両末端にカル ボキシル基を有するポリアミド (b l ) は、 (1 ) ラクタム開環重合体、 (2 ) ァミノカルボン酸の重縮合体もしくは (3 ) ジカルボン酸とジァミンの重縮合 体である。 (1 ) のラクタムとしては、 力プロラクタム、 ェナントラクタム、 ラウロラクタム、 ゥンデカノラク夕ム等が挙げられる。 (2 ) のァミノカルボ ン酸としては、 ω—アミノカプロン酸、 ω—アミノエナント酸、 ω—ァミノ力 プリル酸、 ω—アミノベルゴン酸、 ω—アミノカプリン酸、 1 1一アミノウン デカン酸、 1 2—アミノドデカン酸等が挙げられる。 (3 ) のジカルボン酸と しては、 アジピン酸、 ァゼライン酸、 セバシン酸、 ゥンデカンジ酸、 ドデカン ジ酸、 イソフ夕ル等酸が挙げられ、 またジァミンとしては、 へキサメチレンジ ァミン、 ヘプタメチレンジァミン、 ォクタメチレンジァミン、 デカメチレンジ ァミン等が挙げられる。 上記アミド形成性モノマ一として例示したものは二種 以上使用してもよい。 これらのうち好ましいものは、 力プロラクタム、 1 2— アミノドデカン酸、 及びアジピン酸一へキサメチレンジァミンであり、 特に好 ましいものは、 力プロラクタムである。
( b l ) は、 炭素数 4〜2 0のジカルボン酸成分を分子量調整剤として使用 し、 これの存在下に上記アミド形成性モノマーを常法により開環重合あるいは 重縮合させることによって得られる。 炭素数 4〜2 0のジカルボン酸としては、 コハク酸、 ダルタル酸、 アジピン酸、 ピメリン酸、 スベリン酸、 ァゼライン酸、 セバシン酸、 ゥンデカンジ酸、 ドデカンジ酸等の脂肪族ジカルボン酸や、 テレ フタル酸、 イソフタル酸、 フ夕ル酸、 ナフ夕レンジカルボン酸等の芳香族ジカ ルボン酸や、 1, 4ーシクロへキサンジカルボン酸、 ジシクロへキシルー 4, 4 ' —ジカルボン酸等の脂環族ジカルボン酸および 3—スルホイソフタル酸ナ トリゥム、 3—スルホイソフタル酸力リゥム等の 3—スルホイソフタル酸アル カリ性金属塩が挙げられ、 これら Dうち好ましいものは脂肪族ジカルボン酸、 芳香族ジカルボン酸および 3—スルホイソフタル酸アル力リ性金属塩であり、 特に好ましいものはアジピン酸、 セバシン酸、 テレフタル酸、 イソフ夕ル酸お よび 3—スルホイソフ夕ル酸ナトリゥムである。
上記 (b 1) の数平均分子量は、 500〜 5, 000、 好ましくは 500〜 3, 000である。 (b 1) の数平均分子量が 500未満ではポリエ一テルエ ステルアミド自体の耐熱性が低下し、 5, 000を超えると反応性が低下する ためポリエーテルエステルアミド製造時に多大な時間を要する。
( b ) を構成するもう一方の成分であるビスフエノール類のアルキレンォキ シド付加物 (b 2) のビスフエノール類としては、 ビスフエノール A (4, 4 ' —ジヒドロキシジフエニル一 2, 2—プロパン) 、 ビスフエノール F (4, 4 ' ージヒドロキシジフエニルメタン) 、 ビスフエノール S (4, 4'ージヒドロ キシジフエニルスルホン) 、 4, 4 '——ジヒドロキシジフエ二ルー 2, 2—ブ タンなどが挙げられ、 これらのうち特に好ましいものはビスフエノール Aであ る。 また (b 2) のアルキレンォキシドとしては、 エチレンォキシド、 プロピ レンォキシド、 1, 2—もしくは 1, 4ーブチレンォキシドおよびこれらの二 種以上の混合物が挙げられる。 これらのうち好ましいものはエチレンォキシド である。
ビスフエノール類のエチレンォキシド付加物 (b 2) は数平均分子量が通常 300〜 5, 000、 好ましくは 1, 000〜 3, 000、 特に好ましくは 1, 600〜3, 000である。 さらに好ましくはエチレンォキシドモル数が 30 〜60のものである。 数平均分子量が 300未満では帯電防止性が不十分とな り、 5, 000を超えると反応性が低下するためポリエーテルエステルアミド 製造時に多大な時間を要する。
本発明に用いられる (b) 成分のポリエーテルエステルアミドは両末端に力 ルポキシル基を有するポリアミドとポリエーテル成分として高分子量のビスフ ェノ一ル類のエチレンォキシド付カ g物から誘導されるポリエーテルエステルァ ミドが好ましく、 特にエチレンォキシドモル数が 30〜60のビスフエノール 類のエチレンォキシド付加物から誘導されるポリエーテルエステルアミドが好 ましい。
(b) 成分の中の (b 2) の量は、 前記 (b l) と (b 2) の合計重量に基 づいて好ましくは 20〜80重量%、 更に好ましくは 25〜75重量%の範囲 である。 (b 2) の量が 20重量%未満では (b) 成分の帯電防止性が劣り、 80重量%を超えると (b) 成分自体の耐熱性が低下するために好ましくない。
(b) 成分の製法は特に限定されないが、 例えば下記製法①または製法②を 例示することができる。
製法①:アミド形成性モノマ一およびジカルボン酸を反応させて (b l) を 形成せしめ、 これに (b 2) を加えて、 高温、 減圧下で重合反応を行う方法。 製法②:アミド形成性モノマーおよびジカルボン酸と (b 2) を同時に反応 槽に仕込み、 水の存在下または不存在下に、 高温で加圧反応させることによつ て中間として (b l) を生成させ、 その後減圧下で (b l) と (b 2) との重 合反応を行う方法。
また、 上記の重合反応には、 通常、 公知のエステル化触媒が使用される。 該 触媒としては、 例えば三酸化アンチモンなどのアンチモン系触媒、 モノブチル スズォキシドなどのスズ系触媒、 テトラブチルチタネートなどのチタン系触媒、 テトラプチルジルコネートなどのジルコニゥム系触媒、 酢酸亜鉛などの酢酸金 属塩系触媒などが挙げられる。 これらの使用量は、 (b l) と (b 2) の合計 重量に対して通常 0. 1〜5重量%.でぁる。
本発明においてポリエーテルエステルアミド (b) は、 260°Cでの剪断速 度 1000 s e c—1における溶融粘度が 10〜1000 P a · Sであり且つ該 条件におけるポリエステルに対する溶融粘度の比が 0. 01〜1であるポリエ 一テルエステルアミドであることが好ましい。
本質的に相溶性が小さく溶融粘寧特性の異なるポリエステルとポリエーテル エステルアミドを溶融混合して永久制電性などの諸特性を発現させるためには、 両者の溶融粘度の比が 0. 01〜1、 更に好ましくは 0. 1〜1の範囲で混練 することが好ましい。 この比が 1より大、 あるいは 0. 01未満ではポリエ一 テルエステルアミドの微分散化が難しくなり、 制電効果の発現が困難となる。
260°Cにおける剪断速度 l O O O s e c- 1 での溶融粘度が 10〜: L 000 (P a ' S) の範囲にありかつポリエステル (a) の溶融粘度に対する比が 0. 01〜1の範囲にあるポリエーテルエステルアミド (b) は驚くべきことに好 適にポリエステルマトリックス中に分散し、 この溶融混合物は、 高い剪断場の 得られる射出成形において大きな流動性を示す。 さらに驚くべきことにポリエ ステルとポリエーテルエステルアミドからなり両者が溶融粘度において前記の 条件を満たすシリコンウェハ一キャリアの射出成形において、 金型内への充填 過程で表層にポリエーテルエステルアミドが偏折し、 キャリアは優れた永久帯 電防止性再現性よく示す。
本発明におけるポリエーテルエステルアミド (b) の配合量は、 ポリエステ ル (a) 100重量部に対して 5〜 100重量部である。 さらに、 変性ポリオ レフイン (c) が組成物中に含有されない場合には、 ポリエーテルエステルァ ミド (b) の配合量はポリエステル (a) 100重量部に対して好ましくは 5 〜 30重量部、 さらに好ましくは 10〜 20重量部である。 また、 変性ポリオ レフイン (c) が組成物中に含有される場合には, ポリエーテルエステルアミ ド (b) の配合量は、 ポリエステル (a) 100重量部に対して好ましくは 3 1〜 100重量部である。
ポリエーテルエステルアミドが上記の範囲より少ないと十分な永久帯電防止 性を付与できず、 上記の範囲より多いと機械強度及び生産性が低下し好ましく ない。
《アルカリ性金属》
本発明におけるアルカリ性金属 (c) は、 周期率表 I a族のアルカリ金属又 〖ま I I a族のアルカリ土類金属に属する元素であり、 具体的にはリチウム、 ナ トリウム、 カリウム、 ルビジウム、 セシウム、 フランシウム、 ベリリウム、 マ グネシゥム、 カルシウム、 ストロンチウム、 バリウム、 ラジウムである。 これ らは併用されてもよい。 アルカリ性金属はアルカリ性金属化合物として添加さ れて組成物中に存在することが好ましい。
アルカリ性金属化合物として、 例えば水酸化物、 無機酸塩、 有機酸塩、 例え ば酢酸塩、 炭酸塩、 アンモニゥム塩が例示される。 これらは併用されてもよい。 化合物の具体例として、 水酸化リチウム、 水酸化ナトリウム、 水酸化カリウム、 水酸化ルビ.ジゥム、 水酸化セシウム、 水酸化フランシウム;水酸化ベリリウム、 水酸化マグネシウム、 水酸化カルシウム、 水酸化ストロンチウム、 水酸化バリ ゥム、 水酸化ラジウム;酢酸リチウム、 酢酸ナトリウム、 酢酸カリウム、 酢酸 マグネシウム、 酢酸カルシウム;炭酸リチウム、 炭酸ナトリウム、 炭酸力リウ ムが例示される。
アルカリ性金属 (c) の配合量は、 ポリエーテルエステルアミドに対して 1 0〜2500 ppm、 さらに好ましくは 200 p pm〜2500 p pである。 10 p pm未満では帯電防止効果が不十分であり、 2500 p pmを超えると シリコンウェハ一キヤリァ使用時の溶出アル力リ性金属量が多くなり、 シリコ ンウェハ一キャリアとして使用できない。
《変性ポリオレフイン》
本発明における変性ポリオレフイン (d) とは、 不飽和エポキシ化合物 (d 1) と一種類以上のエチレン系不飽和化合物 (d 2) とが共重合されてなる共 重合体である。
変性ポリオレフイン (d) は不飽和エポキシ化合物 (d l) 0. 1〜50重 量%、 好ましくは 1〜30重量%を共重合成分として含有する。
不飽和エポキシ化合物 (d l) とは分子中にエポキシ基を有し、 エチレン系 不飽和化合物と共重合し得る不飽 f口基を有する化合物であり、 例えば、 下記一 般式 (1) 、 (2) で表わされる不飽和グリシジルエステル、 不飽和グリシジ ルエーテルを挙げることができる。
Figure imgf000015_0001
但し、 上記一般式 (1 ) において、 Rはエチレン系不飽和結合を有する炭素 数 2〜1 8の炭化水素基である。
Figure imgf000015_0002
但し、 上記一般式 (2 ) において、 Rはエチレン系不飽和結合を有する炭素 数 2〜1 8の炭化水素基であり、 Xは— C H 2— O—、 または
Figure imgf000015_0003
である。
不飽和エポキシ化合物 (d l ) として、 具体的にはグリシジルァクリレート、 グリシジルメ夕クリレート、 ィタコン酸グリシジルエステル類、 ァリルグリシ ジルエーテル、 2—メチルァリルグリシジルエーテル、 スチレン一 P _グリシ ジルエーテルが例示される。
前記エチレン系不飽和化合物 (d 2 ) として、 ォレフィン類、 炭素数 2〜6 の飽和カルボン酸のビニルエステル、 炭素数 1〜 8の飽和アルコール成分と酸 とのエステル類、 ハロゲン化ビニル類、 スチレン類、 二トリル類、 ビニルェ一 テル類及びアクリルアミド類を挙ばることができる。 炭素数 1〜8の飽和アル コール成分と酸とのエステル類における酸として、 アクリル酸、 メタクリル酸、 マレイン酸、 メタクリル酸、 フマル酸を挙げることができる。 エチレン系不飽和化合物 (d 2 ) として、 具体的にはエチレン、 プロピレン、 1—ブテン、 酢酸ビニル、 アクリル酸メチル、 アクリル酸ェチル、 メタクリル 酸メチル、 マレイン酸ジェチル、 フマル酸ジェチル、 塩化ビニル、 塩化ビニリ デン、 スチレン、 アクリロニトリル、 イソブチルビ二ルェ一テル及びアクリル アミドが例示され、 好ましくはエチレン、 酢酸ビエル、 アクリル酸メチルであ る。
変性ポリオレフィンは種々の方法でつくることができる。 不飽和エポキシ化 合物が共重合体の主鎖中に導入されるランダム共重合方法及 ¾不飽和エポキシ 化合物が共重合体の測鎖として導入されるグラフト共重合方法のいずれをも採 りうる。
本発明において (d ) 成分の変性ポリオレフインの配合量は、 ポリエステル ( a ) 1 0 0重量部に対して好ましくは 1〜4 0重量部、 さらに好ましくは 3 〜1 0重量部である。 変性ポリオレフインが 1重量部未満であると押出時のバ ラス効果を押さえ生産性を上げる効果が小さい。 逆に 4 0重量部を超えると機 械的強度が低下し好ましくない。
《シリコンウェハーキヤリァ》
本発明のシリコンウェハーキヤリァは、 シリコンウェハ一キヤリァ表面から
2 0 mの範囲のポリエステル相にァスぺクト比 3以上の形状で短径 1 以 下、 長径 1 以上のポリエーテルエステルアミド相を有することが好ましい。 該ポリエーテルエステルアミド相はその長径がシリコンウェハーキャリア表面 と平行に存在する。 優れた帯電防止性を得る観点から、 ポリエーテルエステル アミド相は相互に接触しているか、 0 . 5 m以下の距離に接近して存在して いることが好ましい。
ポリエーテルエステルアミド相^)ァスぺクト比が 3未満では良好な帯電防止 性を得ることができない。 ポリエーテルエステルアミド相の短径が 1 mを超 えるか、 ポリエーテルエステルアミド相の長径が 1 i mに満たないと十分な帯 電防止性を付与することができない。
本発明のシリコンウェハ一キャリアは測定電圧 500Vでの測定において、 表面抵抗率 1 X 1014〜1 X 1011Ω/Π, 好ましくは 1 X 1013〜 1 X 10 11Ω/Π, さらに好ましくは 1 X 1012〜1 X 10 口の永久帯電防止性 を備える。 この範囲であればシリコンウェハーキャリアとして十分な帯電防止 性を備える。
本発明のシリコンウェハーキャリアは 150°Cで 60分間熱処理したときの 揮発ガスの発生量が 10 p pm以下であることが必要であり、 5 pm以下で あることが好ましい。
シリコンウェハーキャリアの揮発ガス発生量は、 シリコンウェハ一キャリア を 5mm角のフレークス状粒子に粉碎して得た試料 10 gについて測定した値 であり、 へッドスペース ·ガス ·クロマトグラフにより検出した値である。 揮発ガスの発生量が 1 O ppmを超えると、 揮発ガスによるシリコンウェハ 一の表面汚染がシリコンウェハ一の品質を害し、 後にシリコンウェハーを加工 して得られる LS I等の電子デバイスの製品欠陥の原因となる。
シリコンウェハーキヤリァの熱処理により発生する揮発ガスは主に有機ガス であり、 例えばァセトアルデヒド、 アセトン、 テトラヒドロフラン、 3—ブテ ンー 1一オールである。 これらの揮発ガスはシリコンウェハ一上に凝縮し、 ま たシリコンウェハ一キャリア上に凝縮してシリコンウェハ一に転写され、 シリ コンウェハ一表面を汚染する。
本発明のシリコンウェハ一キャリアは 80 の純水に 120分間浸漬処理し たときのアルカリ性金属の溶出量が 10 p pm以下であることが必要であり、 好ましくは 50 p p b以下、 特に好ましくは 10 p p b以下である。
シリコンウェハ一キヤリァのアール力リ性金属溶出量は、 シリコンウェハーキ ャリアを 5 mm角のフレークス状粒子に粉砕して得た試料 10 gを 80での純 水 8 Omlに 120分間浸潰した後、 純水中に溶出したアルカリ性金属の量を 原子吸光 度計により測定した値である。
アルカリ性金属の溶出量が 1 0 p p mを越えるとアルカリ性金属によるシリ コンウェハ一の表面汚染がシリコンウェハ一の品質を害し、 後にシリコンゥェ ハーを加工して得られる L S I等の電子デバイスの製品の欠陥の原因となる。 シリコンウェハ一キヤリァが帯電防止性を備えない場合にはアル力リ性金属 の溶出量は 5 0 p p b以下、 好ましくは 1 0 p p b以下である。 アルカリ性金 属の溶出量がこの範囲であればアルカリ性金属によるシリコンウェハーの表面 汚染が実質的には発生せず、 後にシリコンウェハーを加工して得られる L S I 等の電子デバイスの製品の欠陥の原因とならない。
アルカリ性金属によるシリコンウェハーの表面汚染は、 主にシリコンウェハ 一洗浄処理工程においてシリコンウェハーキャリアから溶出したアルカリ性金 属がシリコンウェハ一へ付着することによって起こる。
本発明のシリコンウェハ一キャリアは、 ポリエ一テルエステルアミドを含有 しない場合、 すなわち、 ポリテトラメチレンテレフ夕レートのみから構成され る場合、 揮発ガスの発生量が 1 0 p p m以下であり、 アルカリ性金属の溶出量 が 5 0 p p b以下である。 この条件は、 シリコンウェハーキャリアの 5 mm角 のフレークス状粉砕物について満足することが必要であることは既述のとおり であるが、 このようなシリコンウェハーキャリアは、ペレットの状態で 1 5 0 °C で 6 0分間熱処理したときの揮発ガスの発生量が 1 0 p p m以下、 好ましくは 5 p p m以下であり、 ペレットの状態で 8 0 °Cの純水に 1 2 0分間浸漬処理し たときのアルカリ性金属の溶出量が 5 0 p p b以下、 好ましくは 1 0 p p b以 下であるポリエステルペレットを用いて成形することにより得ることができる。 ペレツトの揮発ガスの発生量及びアルカリ性金属の溶出量はシリコンウェハー キヤリァの粉砕物についての測定方法と同様の方法による測定値である。
《添加剤》
本発明に用いられる樹脂組成物には、 本発明の目的を損なわない範囲で、 ガ ラス繊維で代表される繊維状強化剤、 粉粒状、 板状充填剤、 難燃剤、 離型剤、 潤滑剤、 滑剤、 核剤、 着色剤、 酸化防止剤、 熱安定剤、 耐光 (候) 安定剤、 そ の他成分以外の熱可塑性樹脂、 衝撃改良剤等の改質剤など、 添加剤を含有する ことができる。
《成形》
本発明に用いられる樹脂組成物は任意の配合方法を用いて得ることができる。 本発明の配合成分はより効果的に微分散化させることが好ましく、 その全部も しくは一部を同時にあるいは別々に、 例えばプレンダー、 ニーダー、 バンバリ 一ミキサー、 ロール、 押出機等の混合機で混合させた後シリコンウェハ一キヤ リアに成形することが好ましい。
予めドライブレンドされた組成物を加熱した押出機で溶融混練して均質化し た後針金状に押出し、 次いで所望の長さに切断して粒状化した後シリコンゥェ ハーキャリアに成形することもできる。
本発明に用いられる樹脂組成物は、 各種成分を公知の方法でブレンド、 例え ば、 ドライブレンドした後、 スクリユー径 4 4 mmのベント付き 2軸押出機を 用いてシリンダ一温度 2 0 0 ° (:〜 2 8 0 °C、 好ましくは 2 2 0 °C〜2 5 0 °C、 スクリユー回転数 1 6 0〜3 0 0 r p m、 吐出量 3 0〜6 0 k g Z hにて溶融 混練し、 ダイスから吐出するスレッドを冷却後、 切断することにより成形用べ レットとすることができる。
本発明シリコンウェハーキャリアの成形には一般の熱可塑性樹脂の成形機を 用いることができる。 本発明のシリコンウェハ一キャリアは上記ペレツトを用 いて射出成形機にて射出圧力 6 0 0〜1 0 0 0 k g / c m2、 射出率 6 0〜9 0 c mV s e cの条件で射出成形して得ることができる。
このとき、 ポリエステル (a ) の溶融粘度に対するポリエーテルエステルァ ミド (b ) の溶融粘度の比が 0 . 0 1〜1であることが必要である。 溶融粘度 の比はシリンダ一温度、 射出速度、 射出圧力の調整により行なうことができる。 本発明のシリコンウェハーキャリアを得るためには、 通常用いられるポリエ ステル成形時の条件より高速、 高圧で成形することが必要である。 例えば、 三 菱 8 OMS P射出成形機を用いた場合、 シリンダー温度 2 3 0°C〜2 6 0°C、 金型温度 40°C〜8 0°C、 射出速度 40〜 6 0 %、 射出圧力 40〜6 0 %で成 形することが望ましい。 このようにして得られたシリコンウェハ一キャリアは 優れた永久帯電防止性を備える。
このような条件を選ぶことによって、 シリコンウェハ一キャリア表面から 2 0 / mの範囲のポリエステル相に、 アスペクト比 3以上の形状で短径 1 μπι以 下、 長径 1 im以上のポリエーテルエステルアミド相が形成され、 シリコンゥ ェハ一キャリアは I X 1014〜1 X 1 Ο ^ Ω Π, 好ましくは 1 X 1013〜 1 X 1 0 さらに好ましくは 1 X 1 012〜: L X 1 ノロの表面抵抗 率を示す。
本発明のシリコンウェハーキャリアはポリエーテルエステルアミドのシリコ ンウェハ一キャリア表面への偏析によって永久帯電防止性を備えるとともに、 熱処理した時の金属不純物のシリコンウェハ一キヤリア表面への滲出が極めて 少なく、 シリコンウェハ一に転写による表面汚れを生じさせることがない。 このような偏析現象及び永久帯電防止性は、 本発明において示された条件を 満たすポリエステル、 アルカリ性金属及びポリエーテルエステルアミドからな るシリコンウェハーキャリアにおいて、 再現性よく発現する。 さらに、 本発明 において示された条件を満たすポリエステル、 アルカリ性金属、 ポリエーテル エステルアミド、 変性ポリオレフィンからなるシリコンウェハーキヤリアにお いて、 偏析現象及び永久帯電防止性はさらに再現性よく発現する。 実施例
以下、 実験例により本発明を説明する。
なお、 特性の評価は下記の評価方法による。 (1) 表面固有抵抗
表面固有抵抗(表面抵抗率という場合がある)は超絶縁計(東亜電波工業(株) 製 SM— 10E) を用いて測定した。
測定条件
環境温度: 23 °C
相対湿度: 50%RH
測定電圧: 500V
(2) 帯電圧減衰時間
帯電圧減衰時間はォネストメータ (シシド静電気 (株) 製 ス夕チック H— 0110) により半減衰時間を測定した。
測定条件
環境温度: 23で
相対湿度: 50 %RH
印加電圧: 10. 0 k V
(3) 押出性
前述のスクリュー径 44誦のベント付き 2軸押出機 (日本製鉄所 (株) TE
X44S-3 OAW-2 V) を用い、 仕込み量 10 K gの引き取り性を評価し た。
〇:通常どおり押し出し可能
X :スレツド切れが多くカッターによる引き取り不可
(4) アルカリ性金属溶出量
アルカリ性金属溶出量の評価は、 試料 (シリコンウェハーキャリアの 5mm 角フレークス状粉碎物) 10 gを 80°Cの純水 80m l中に 120分間浸漬処 理した後、 原子吸光光度計 (日立製作所製 Z 8100) を用いて、 浸漬処理 後の純水中の溶出アルカリ性金属の量を分析することにより行った。
(5) 揮発ガス発生量 揮発ガス発生量の評価は、 試料 (シリコンウェハ一キャリアの 5 mm角フレ —クス状粉砕物) 10 gを 150°Cで 60分間熱処理したときの揮発ガスの発 生量をガスクロマトグラフィ一を用いて測定することにより行つた。
ガスクロマトグラフィーにはヘッドスペースガスクロマトグラフィー ( (株) 島津製作所製 HS—GC: GC— 9 A HS S— 2 Aと CR— 4 A) を用いた。 分析条件は以下のとおりである。
1) カラム
シリコン 0V— 1701, I d O.25腿 X50匪, d f 0.3 m
2) キャリアガス He 1. 5 kg/cm2 G
3) スプリッ卜比 スフ。リット/カラム =60ノ 0. 75 = 80
4) セプタムパージ流量 1. 5 ml/min
5) カラム INI. Temp 50°C
6) カラム INI. Time 2 min
7) カラム P. RATE 10°C/min
8) カラム FINE. Te即 25 Ot
9) カラム FINE. Time 1.0 min
0) INJ. Te即 300。C
1) DET. RANGE 10X 1
2 ) CR-4A WIDTH 5 s e c
3) ATTEN 2
4) MIN. AREA 100
5) STOP. TM .33 min
6) SPEED 10 mm/min
(6) シリコンウェハ一キヤリ―ァ中のアル力リ性金属元素量
シリコンウェハーキャリア中のアルカリ性金属元素量の評価は、 試料 (シリ コンウェハーキヤリアの 5 mm角フレークス状粉砕物) 20 Omgを湿式分解 し、 理学電機製 JY1700L トレース (TRACE) を用いて I C P分析により測定した。
(7) 引張強度
引張強度は AS TMD 638に準拠して測定した。
(8) 熱変形温度
熱変形温度は ASTMD 648 (4. 6 kg/cm2) に準拠して荷重撓み温 度を測定した。
(9) PBT (QK) の重合
実験例に用いたポリテトラメチレンテレフタレ一ト (QK) は、 下記の方法 で得た。
ジメチルテレフ夕レート 3500部、 ブタンジオール 2560部、 チタン酸 テトラブトキサイド 26部を反応器に入れ、 エステル交換反応を行った。
理論量の約 85%のメタノールが留出した時点で重合反応器に移し、 徐々に 減圧し 246でで減圧重合反応を実施した。 反応終了後、 反応器より吐出、 冷 却してチップ化した。 このチップは固有粘度が 0. 69であった。 このチップ を結晶化させた後、 190°Cで固相重合を行った。 得られたチップの固有粘度 は 0. 92、 末端カルボキシル基は 3. 5当量 Z t o nであった。
(10) 原料
実験例において使用した各種樹脂及びアルカリ性金属化合物は以下のとおり である。
· PBT (QK)
上記方法で得たポリテトラメチレンテレフ夕レート (QK)
•ポリエーテルエステルアミド (以下、 PEEAと略する場合がある) 三洋化成 (株) 製 ペレスタツト 6321
•アルカリ性金属化合物
和光純薬 (株) 製 塩化カリウム
•グリシジル変性ポリオレフィンアクリル酸エステル 住友化学工業 (株) 製 BF-7M:
モノマー成分としてエチレン 64重量%、 レート 6重量% 及びアクリル酸メチル 30重量%からなる共重合体
• PBT
帝人 (株) 製 商品名 C 7000
末端カルボキシル基濃度: 47当量 t o n
固有粘度 : 1. 07
• PBT
溶液重合により得た PBT
帝人 (株) 製 商品名 TRB— J
末端力ルポキシル基濃度: 52当量ノ t o n
• PBT
溶液重合により得た PBT
帝人 (株) 製 商品名 TRB— K
末端カルボキシル基濃度: 42当量 Z t o n
•ポリプロピレン (P P)
三井東圧化学 (株) 製 商品名 B J S— G 実験例 1〜 12
《シリコンゥェ八一キャリア成形及び試験片の作成 (組成物の場合) 》 ポリエーテルエステルァミド及び変性ポリオレフィンを含有する P B T組成 物を用いる場合であり、 シリコンウェハーキャリアは下記の方法で成形した。 試験片は下記の方法で作成した。
表 1に記載の各種原料を表 1 記載の量割合で予め均一にドライブレンドし た後、 スクリュ一径 44 mmのベント付き二軸押出機を用いてシリンダー温度 1
80〜310t:、 スクリユー回転数 160 rpm, 吐出量 40 kgZhにて溶融混 練し、 ダイスから吐出するスレッドを冷却後、 切断して成形用ペレットを得た。 次いでこのペレツトを用いて射出圧力 750 k gZcm2、 射出速度 70 cm Vs e c, 冷却時間 15秒、 及び全成形サイクル 25秒の条件で射出成形によ -りシリコンウェハ一キャリアを作成した。 さらに、 このキャリアの側面部を必 要な大きさに切断して試験片とした。
このシリコンウェハ一キャリアの成形の際の、 ポリエーテルエステルアミド の 260°Cにおける剪断速度 1000 s e c—1での溶融粘度は 65 (P a · S) であった。 また、 ポリエーテルエステルアミドのポリエステルの溶融粘度に対 する比は 0. 65 (剪断速度 1000 s e c— 、 シリンダー温度 250 °Cで あった。
なお、 表 2において溶融粘度比は下記式で定義される。
(溶融粘度比) = (PEE Aの溶融粘度) / (PBTの溶融粘度)
但し、 測定条件は、 温度条件 250 、 剪断速度 1000 s e c— 1である。 実験例 1
上記の成形方法でシリコンウェハ一キャリアを成形した。 押出性は良好であ つた。
上記方法に従い試験片を作成し、 上記の評価を行った。 シリコンウェハ一キ ャリアの表面抵抗率は 1012ΩΖ口以下の帯電防止性を示した。 これは、 従来 達成することのできなかった表面抵抗率である。 結果を表 1、 表 2に示す。
Figure imgf000026_0001
Figure imgf000026_0002
■fz-
TZ.nO/L6df/I3d 表 2
Figure imgf000027_0001
実験例 2、 3
実験例 1と同様にシリコンウェハーキャリアを成形して試験片を作成し、 評 価した。
結果を表 1、 表 2に示す。 実験例 4、 5
実験例 1と同様にシリコンウェハーキャリアを成形して試験片を作成し、 評 価した。 結果を表 1、 表 2に示す。
ポリエーテルエステルアミド含有量が 1 8〜1 5重量%の例であり、 表面抵 抗率は 1 X 1 0 1 3 ΩΖ口以下であった。 実験例 6〜 8
単にポリエーテルエステルアミドの含有率を上げた例であり、 2軸押出機の ダイスから溶融樹脂が出る際、 ノ、ラス効果のためスレッドを引き取ることが非 常に困難であり、 樹脂ペレツトを得ることができなかった。 実験例 9
実験例 1と同様にシリコンウェハーキャリアを成形して試験片を作成し、 評 価した。 結果を表 1、 表 2に示す。 P B Tのみを用いた場合であり、 通常どお り押し出し可能であった。 実験例 1 0〜 1 2
実験例 1と同様にシリコンウェハ一キヤリアを成形して試験片を作成し、 評 価した。 結果を表 3に示す。 表 3
Figure imgf000028_0001
ポリエーテルエステルアミドと変性ポリオレフィンの添加系において、 溶出 アルカリ金属量は、 ポリエーテルエステルアミド 1 5重量%の例における値と 同程度であった。 実験例 1 3〜: L 6
《シリコンウェハーキャリアの成形 2 (組成物の場合) 》
ポリエーテルエステルアミドを含有する P B T組成物を用いる場合であり、 シリコンウェハ一キャリアは下記の方法で成形した。 試験片は下記の方法で作 成した。
P B T (Q K) にポリエーテルエステルアミドを表 2— 1に示す割合で配合 し、 混合したのち、 押出機を用いて、 2 6 0 :、 スクリュー回転数 2 4 0 r p m、 吐出量 50 k gZhにて溶融混練し、 ダイスから吐出するスレッドを冷却 後、 切断して成形用ペレット状を得た。 このペレットを使用して、 射出圧力 7 50 kg/cm2, 射出率 68 c m3/ s e cの条件で射出成形によりシリコン ゥェ八一キャリアを得た。
また、 上記ペレットを用いて射出圧力 750 kgZcm2、 射出率 70 cm3 /s e c, 冷却時間 15秒、 および全成形サイクル 25秒の条件で射出成形に より試験片を作成した。
なお、 表 4において溶融粘度比は下記式で定義される。
(溶融粘度比) = (PEE Aの溶融粘度) / (PBTの溶融粘度)
但し、 測定条件は、 温度条件 260°C, 剪断速度 1000 s e c— 1である。 実験例 13
表 4に記載の成分割合で上記方法によって試験片を作成し、 前記評価を行つ た。 結果を表 4に示す。 表 4
Figure imgf000029_0001
実験例 14〜: L 6
実験例 13と同様に表 4に記載 成分割合で上記方法で試験片を作成し、 前 記評価を行った。 結果を表 4に示す。 実験例 17
実験例 13と同様の成分割合で、 上記方法に従いシリコンゥエーハーキヤリ ァを作成した。 シリコンウェハ一キヤリアのシリコンゥェ一ハーに接する部分 を切り出して試験片を作成した。
この試験片の帯電防止性を上記方法に従い評価したところ、 半減衰時間が 3 秒であり、 シリコンゥエーハーキヤリアとして優れた帯電防止性を備えていた。 この試験片を 160°Cで 5時間の熱処理を行った後に、 同様に帯電防止性を 評価したところ、 半減衰時間は 2秒であり、 優れた帯電防止性を保持していた。 また、 このシリコンゥエーハーキャリアからの溶出アルカリ金属量を上記方 法に従い評価したところ 0. 9 ppmであり、 極めて低いレベルであった。 実験例 18〜 22
《シリコンウェハ一キャリアの成形 3 (PBT単独の場合) 》
実験例 18〜22は PBT (QK) のみを用いる場合であり、 シリコンゥェ ハーキヤリァは下記の方法で成形した。 試験片は下記の方法で作成した。
PBT (QK) を押出機で、 260°C、 スクリユー回転数 160 r pm、 吐 出量 50 kg/hにて溶融混練し、 ダイスから吐出するスレッドを冷却後、 切 断して成形用ペレットを得た。
この成形用ペレツトを用いてシリンダー温度 250°C、 金型温度 60°Cで射 出成形を行い、 8インチサイズのシリコンウェハーキャリアを得た。 このシリ コンウェハ一キヤリアを 5 mm角のフレークス状に粉砕して揮発ガス、 溶出ァ ルカリ性金属の分析に供する試料を作成した。
また、 上記成形用ペレットから射出成形により試験片を作成し、 この試験片 を機械的強度、 耐熱性 (荷重撓み温度) の評価用の試験片とした。 実験例 18 PBTとして PBT (QK) を用いてシリコンウェハ一キャリアを成形した。 揮発ガス、 溶出アルカリ性金属の分析に供する試料を作成した。 揮発ガス量 を測定したところ揮発ガス発生量が 3 p p mであった。 揮発ガスの主な成分は T H Fであった。 溶出アル力リ性金属量を測定したところ 2. 2 p p b以下で あった。 揮発ガス発生量、 溶出アルカリ性金属量とも極めて少なくシリコンゥ ェハーキャリアとして優れている。
またシリコンウェハー製造工程で必須とされる強度、 耐熱性を備えている。 評価結果を表 5に示す。 表 5
Figure imgf000031_0001
実験例 19
実験例 18の PBT (QK) に代えて PBT (帝人 (株) 製 C 7000) を 用いて、 実験例 18と同様にシリコンウェハーキャリアを作成し、 評価した。 結果を 5に示す。 実験例 20
実験例 18の PBT (QK) に代えてポリプロピレン (三井東圧化学 (株) 製 B J S— G) を用いて、 実験例 18と同様にシリコンウェハ一キャリアを作 成し、 評価した。 結果を表 5に示す。 実験例 2 実験例 18の PBT (QK) に代えて PBT (帝人 (株) 製 TRB— J) を 用いて、 実験例 18と同様にシリコンウェハーキャリアを作成し、 評価を行つ た。 揮発ガスの主な成分は THFであった。 結果を表 6に示す。 実験例 22
実験例 18の PBT (QK) に代えて PBT (帝人 (株) 製 TRB— K) を 用いて、 実験例 18と同様にシリコンウェハーキャリアを作成し、 評価を行つ た。 揮発ガスの主な成分は THFであった。 結果を表 6に示す。
表 6
Figure imgf000032_0001
実験例 23
実験例 1〜 16のシリコンウェハーキヤリア中のアル力リ性金属元素存在量 を測定した。 結果を表 7に示す。 表 7
Figure imgf000033_0001
実験例 24〜28
P E E A中に存在するアル力リ性金属の量を塩化力リウムによつて調整し . 下記に示す 5種類D PEEAを作成した。
PEEAぐ 10 :
PEEAに対するアル力リ性金属含有量 10 p p m未満の PEEA
PEEA 120 : .
PEE Aに対するアルカリ性金属含有量 120 p 111の?5£八
PEEA900 :
PEE Aに対するアルカリ性金属含有量 90 O p 111の?£5八
PEEA2000 :
PEEAに対するアルカリ性金属含有量 200 O.ppmの PEEA
PEEA3000 :
PEEAに対するアルカリ性金属含有量 3000 pmの PEEA 実験例 24
上記の PEE Aを用いて表 8に記載の組成で実験例 13と同様に試験片を作 成した。 但し、 表中の PBTと PEE Aの単位は重量%である。
実験例 24は PEE Aに対するアルカリ性金属含有量が 10 p pm未満の場 合であるが、 十分な帯電防止性能が発揮できなかった。
表 8
Figure imgf000034_0001
実験例 25
実験例 24と同様に試験片を作成した。
溶出金属量は少なく、 かつ、 十分な帯電防止性を有していた 実験例 26
実験例 24と同様に試験片を作成した。
溶出金属量は少なく、 かつ、 十分な帯電防止性を有していた 実験例 27
実験例 24と同様に試験片を作成した < 溶出金属量は少なく、 かつ、 十分な帯電防止性を有していた 実験例 2 8
実験例 2 4と同様に試験片を作成した。
実験例 2 8は P E E Aに対するアルカリ性金属含有量が 3 0 0 0 p p mの場 合であるが、 溶出金属量が多すぎてシリコンウェハーキャリアとして使用する ことはできない。 発明の効果
本発明によれば、 シリコンウェハ一の表面汚れを実質上生じさせることのな い程度に揮発ガス発生量及び溶出金属量が抑えられたシリコンウェハ一キヤリ ァであり、 さらに高い機械的特性、 耐熱性を備えるシリコンウェハーキャリア を提供することができる。
本発明によれば、 シリコンウェハーの表面汚れを実質上生じさせることのな い程度に揮発ガス発生量及び溶出金属量が抑えられたシリコンウェハ一キヤリ ァであり、 且つ優れた永久帯電防止性を備えるシリコンウェハーキヤリアを提 供することができる。

Claims

請求の範囲
1. (a) ポリエステル 100重量部、 (b) ポリエーテルエステルアミド 5 〜 100重量部、 (c) ポリエ一テルエステルアミドに対して 10〜2500 p pmのアルカリ性金属及び (d) 変性ポリオレフイン 0〜40重量部から組 成される組成物からなり、 150でで 60分間熱処理したときに発生する揮発 ガスの量が 10 p pm以下であり、 80°Cの純水の中で 120分間浸漬処理し たときに溶出するアルカリ性金属の量が 10 p pm以下であるシリコンウェハ —キャリア。
2. (a) ポリエステル 100重量部、 (b) ポリエーテルエステルアミド 5 〜30重量部、 (c) ポリエ一テルエステルアミドに対して 10〜2500 p pmのアルカリ性金属から組成される組成物からなり、 シリコンウェハ一キヤ リア表面から 20 の範囲のポリエステル相に、 ァスぺクト比 3以上の形状 で短径 1 m以下、 長径 1 m以上のポリエーテルエステルアミド相を有し、 150°Cで 60分間熱処理したときに発生する揮発ガスの量が 10 p pm以下 であり、 80°Cの純水の中で 120分間浸漬処理したときに溶出するアルカリ 性金属の量が 10 p pm以下であるシリコンウェハ一キャリア。
3. (a) ポリエステル 100重量部、 (b) ポリエーテルエステルアミド 3 ■ 1〜100重量部、 (c) ポリエーテルエステルアミドに対して 10〜250
0 p p mのアル力リ性金属及び ( d ) 変性ポリオレフイン 1〜40重量部から 組成される組成物からなり、 シリコンウェハーキャリア表面から 20 mの範 囲のポリエステル相に、 アスペクト比 3以上の形状で短径 1 m以下、 長径 1 m以上のポリエーテルエステルアミド相を有し、 1 50°Cで 60分間熱処理 したときに発生する揮発ガスの量が 10 p pm以下であり、 80°Cの純水の中 で 120分間浸漬処理したときに溶出するアルカリ性金属の量が 10 p pm以 下であるシリコンウェハ一キャリア。
4. 変性ポリオレフインがエステル又はアミド基と反応し得る官能基を末端又 は側鎖に有する変性ポリオレフィンである請求項 1又は 3に記載のシリコンゥ ェハ一キャリア。
5. ポリテ卜ラメチレンテレフ夕レー卜のみからなるシリコンウェハーキヤリ ァであり、 150°Cで 60分間熱処理したときに発生する揮発ガスの量が 10 p pm以下であり、 8 Ot:の純水の中で 120分間浸漬処理したときに溶出す るアルカリ性金属の量が 50 p b以下であるシリコンウェハ一キャリア。
6. ポリエステル (a) が固有粘度 0. 6〜1. 2であり、 ポリエーテルエス テルアミド (b) が 260°Cでの剪断速度 1000 s e c—1における溶融粘度 が 10〜1000 Pa, Sであり且つ該条件におけるポリエステルに対する溶 融粘度の比が 0. 01〜1であるポリエーテルエステルアミドである請求項 1 に記載のシリコンウェハ一キャリア。
7. 固有粘度が 0. 6〜1. 2であるポリエステル (a) と、 260°Cでの剪' 断速度 1000 s e c—1における溶融粘度が 10〜1000P a ' Sであり且 っ該条件におけるポリエステルに対する溶融粘度の比が 0. 01~1であるポ リエ一テルエステルアミド (b) を、 ポリエステル (a) の溶融粘度に対する ポリエーテルエステルアミド (b) の溶融粘度の比を 0. 01〜1として成形 することを特徴とする請求項 1に記載のシリコンウェハ一キヤリァの製造方法。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005537378A (ja) * 2002-09-02 2005-12-08 呉羽化学工業株式会社 電荷制御部材
JP2010052781A (ja) * 2008-08-29 2010-03-11 Shin Etsu Polymer Co Ltd 収納容器
JP2013023550A (ja) * 2011-07-20 2013-02-04 Wintech Polymer Ltd 樹脂成形体及び自動車内装部品
JPWO2013151022A1 (ja) * 2012-04-04 2015-12-17 信越ポリマー株式会社 基板収納容器

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4054151B2 (ja) * 1999-01-18 2008-02-27 日本ポリペンコ株式会社 帯電防止性ポリエステルアミド樹脂成形体
US6871657B2 (en) * 2001-04-06 2005-03-29 Akrion, Llc Low profile wafer carrier
US6740410B2 (en) * 2001-05-16 2004-05-25 Noveon Ip Holdings Corp. Electrostatic dissipating polymeric multi-layer article or laminate
FI20011360A0 (fi) * 2001-06-26 2001-06-26 Esd Plastics Oy Polymeeri
US8163848B2 (en) * 2009-05-01 2012-04-24 E. I. Du Pont De Nemours And Company Antistatic poly(hydroxyalkanoic acid) compositions
US20110020573A1 (en) * 2009-07-22 2011-01-27 E.I. Du Pont De Nemours And Company Polyamide composition containing ionomer
WO2011080603A2 (en) 2009-12-28 2011-07-07 Koninklijke Philips Electronics N.V. Biofeedback for program guidance in pulmonary rehabilitation
US9916424B2 (en) 2009-12-28 2018-03-13 Koninklijke Philips N.V. Early exacerbation detection using differential temperature monitoring
FI123464B (fi) 2011-06-30 2013-05-31 Ionphase Oy Halogeeniton polymeeriseos

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63120754A (ja) * 1986-11-11 1988-05-25 Toray Ind Inc 熱可塑性ポリエステル組成物
JPH0260957A (ja) * 1988-08-29 1990-03-01 Toray Ind Inc 熱可塑性ポリエステル組成物
JPH03228349A (ja) * 1990-02-02 1991-10-09 Nec Corp 半導体ウェハーケース
JPH04276442A (ja) * 1991-03-04 1992-10-01 Toyo Seikan Kaisha Ltd 制電性ポリエステル容器
JPH04296525A (ja) * 1991-03-26 1992-10-20 Toray Ind Inc ポリエステル樹脂ブロー中空成形品
JPH08288377A (ja) * 1995-04-18 1996-11-01 Sony Corp ウェーハ収納体
JPH0912845A (ja) * 1995-07-04 1997-01-14 Fuji Kasei Kogyo Kk ポリエステル樹脂組成物

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62230835A (ja) 1986-03-31 1987-10-09 Takemoto Oil & Fat Co Ltd 合成高分子材料用帯電防止剤
US4818808A (en) * 1987-04-22 1989-04-04 Kanebo, Ltd. Process for producing polyesters using a niobium compound as a catalyst
US5096995A (en) * 1987-08-13 1992-03-17 Toray Industries, Inc. Polyether-ester amide and permanently antistatic resin composition
JPH0721108B2 (ja) * 1987-08-14 1995-03-08 ポリプラスチックス株式会社 ポリエステル樹脂組成物
US5652326A (en) * 1993-03-03 1997-07-29 Sanyo Chemical Industries, Ltd. Polyetheresteramide and antistatic resin composition
DE69500752T2 (de) * 1994-07-15 1998-03-12 Fluoroware Inc Wafer Träger
JPH0912844A (ja) 1995-07-03 1997-01-14 Fuji Kasei Kogyo Kk ポリエステル樹脂組成物

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63120754A (ja) * 1986-11-11 1988-05-25 Toray Ind Inc 熱可塑性ポリエステル組成物
JPH0260957A (ja) * 1988-08-29 1990-03-01 Toray Ind Inc 熱可塑性ポリエステル組成物
JPH03228349A (ja) * 1990-02-02 1991-10-09 Nec Corp 半導体ウェハーケース
JPH04276442A (ja) * 1991-03-04 1992-10-01 Toyo Seikan Kaisha Ltd 制電性ポリエステル容器
JPH04296525A (ja) * 1991-03-26 1992-10-20 Toray Ind Inc ポリエステル樹脂ブロー中空成形品
JPH08288377A (ja) * 1995-04-18 1996-11-01 Sony Corp ウェーハ収納体
JPH0912845A (ja) * 1995-07-04 1997-01-14 Fuji Kasei Kogyo Kk ポリエステル樹脂組成物

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP0915506A4 *

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005537378A (ja) * 2002-09-02 2005-12-08 呉羽化学工業株式会社 電荷制御部材
JP2010052781A (ja) * 2008-08-29 2010-03-11 Shin Etsu Polymer Co Ltd 収納容器
JP2013023550A (ja) * 2011-07-20 2013-02-04 Wintech Polymer Ltd 樹脂成形体及び自動車内装部品
JPWO2013151022A1 (ja) * 2012-04-04 2015-12-17 信越ポリマー株式会社 基板収納容器

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