WO1998017664A1 - Derives de dioxane, compositions de cristaux liquides contenant ces derives, et dispositif d'affichage a cristaux liquides fabrique a partir de ces derniers - Google Patents

Derives de dioxane, compositions de cristaux liquides contenant ces derives, et dispositif d'affichage a cristaux liquides fabrique a partir de ces derniers Download PDF

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WO1998017664A1
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liquid crystal
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hhb
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PCT/JP1997/002257
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Yasuhiro Haseba
Tomoyuki Kondou
Shuichi Matsui
Kazutoshi Miyazawa
Hiroyuki Takeuchi
Yasusuke Hisatsune
Fusayuki Takeshita
Etsuo Nakagawa
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Chisso Corporation
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Definitions

  • Dioxane derivative liquid crystal composition containing the same, and
  • the present invention relates to a liquid crystal compound effective as a component of a liquid crystal composition, particularly a dioxane derivative suitable for use as a component of a liquid crystal composition for TFT, a liquid crystal composition containing the same, and a liquid crystal composition containing the same.
  • the present invention relates to a configured liquid crystal display device.
  • a liquid crystal display device uses the optical anisotropy and dielectric anisotropy of a liquid crystal material.
  • Force ⁇ depending on the display method, TN type (twisted nematic type), DS type (dynamic scattering type), G.
  • TN type twisted nematic type
  • DS type dynamic scattering type
  • G G
  • H type guest's host type
  • DAP type alignment phase change type
  • STN type super twisted nematic type
  • the liquid crystal material used in any display element must be stable to moisture, air, heat, light, etc., exhibit a liquid crystal phase over as wide a temperature range as possible around room temperature, and have low viscosity. It has good compatibility with liquid crystal compounds and liquid crystal compounds, has a large dielectric anisotropy value (A s), has an optimum refractive index anisotropy value ( ⁇ ⁇ ), and is chemically and electrically stable Must. In particular, a high voltage holding ratio is required for an active matrix type display element represented by a TFT type. At present, no single compound satisfies all of these conditions, and a liquid crystal composition obtained by mixing several types of liquid crystal compounds and liquid crystal compounds is used. is the current situation.
  • Patent Publication No. 01-044966 discloses a compound (10) of the following formula.
  • the compound (10) has a higher voltage holding ratio than a liquid crystal compound having a cyano group, and is therefore mainly used as a component of a liquid crystal composition for TFT.
  • the extrapolation As (extrapolation) of the compound (10) dissolves the compound (10) in a mother liquid crystal having a nematic phase, and the value of ⁇ of the composition and ⁇ Is the compound (10) calculated from the values and the mixing ratio, and the following ⁇ indicates this extrapolation ⁇ .) Is as small as 8.5. It cannot be used as a representative liquid crystal material for low voltage driving.
  • the compound (11) has a value of 11.0, which is larger than that of the compound (10), but is still inadequate and is not a material that can meet the demand for lowering the voltage of the market as described above.
  • Published Patent Application No. 04-5066361 discloses a trifluoromethylphenyl derivative (12) and a trifluoromethoxyphenyl derivative (13).
  • ⁇ ⁇ of these compounds still cannot meet the demand for lowering the voltage of the market as in the case of the compounds (10) and (11).
  • ⁇ of (for example, compound U 3) is about 5 (I DY (Television Technical Report) 95).
  • a dioxane derivative represented by the following formula (14) is disclosed in Japanese Patent Laid-Open Publication No. H02-233336.
  • This compound has a large ⁇ of 15.7, but it is impossible to sufficiently reduce the driving voltage to the required level with this size, and furthermore, a fluorine-based liquid crystal compound that does not have a conventional dioxane ring Therefore, the voltage holding ratio is lower than that of the above, and a large ratio cannot be included in a material for a liquid crystal display element which requires a high voltage holding ratio.
  • the voltage holding ratio of the compound (11) is 98% at 25 ° C and 96% at 100
  • the voltage holding ratio of the compound (14) is 25 ° C at 25 ° C. They are 98% and 92% at 100 ° C.
  • the present inventors have studied diligently, and found that a liquid crystalline compound having an SP 3 carbon bonded to the 2-position of a 3-dioxane 2,5-diyl group and having a fluorine-based or chlorine-based electron-withdrawing group at the molecular terminal is obtained.
  • the inventors have found that they have a specific large ⁇ s, a high voltage holding ratio, and are most suitable as a liquid crystal material for TFT low voltage driving represented by 2.5 V driving, and have completed the invention.
  • An object of the present invention is to provide a liquid crystal material for a low voltage drive TFT type liquid crystal display element having a remarkably large ⁇ s value, a high voltage holding ratio, and a good compatibility with existing liquid crystal compounds.
  • An object of the present invention is to provide a liquid crystal composition that combines the above, and a liquid crystal display device configured using the same.
  • R represents an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms or a hydrogen atom
  • n 1 and n 2 are each independently an integer from 0 to 2, and n 1 + n 2 ⁇ 2
  • Q, and Q 2 each independently represent a hydrogen atom or a fluorine atom,, represents a chlorine atom,
  • A indicates (a), (b) or (c),
  • ⁇ AO and A 1 represent a 1,4-cyclohexylene group or a 1,4-phenylene group in which one or more hydrogen atoms may be replaced by a fluorine atom or a chlorine atom, but A, ring A 0 And one or two carbon atoms in the 1,4-cyclohexylene group in ring A 1 may be substituted with a gayne atom,
  • Z a and Z b are independently a single bond, respectively, - CH 2 CH 2 -, one CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 -, One ⁇ _CH 2 - one CH 2 ⁇ one one C_ ⁇ _ ⁇ mono- or One CF 20 —
  • Y represents a hydrogen atom, a halogen atom, or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and one or more non-adjacent methylene groups in the group may be substituted with an oxygen atom or a sulfur atom;
  • ring A 1 is strong, 1,4-phenylene and Z a and Z b are single bonds
  • Q and Q 2 represents a fluorine atom or a chlorine atom
  • Y is a fluorine atom or a chlorine atom
  • Q 2 Each is independently a fluorine atom or a chlorine atom.
  • A (c), or Z b is one CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 —, or Za when n 1 is not 0 is —CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 — (1)
  • a liquid crystal composition comprising at least one kind of the derivative according to any one of the above items (1) to (8).
  • 1 to 3 are alkyl groups having 1 to 10 carbon atoms.
  • any hydrogen atom may be replaced by a fluorine atom.
  • Is a fluorine atom, a chlorine atom, OCF 3 , OCF 2 H, CF 3 , CF 2 H, CFH 2 , ⁇ CF 2 CF 2 H Or ⁇ CF 2 C FHC F 3 , L and L 2 each independently represent a hydrogen atom or a fluorine atom, and Z!
  • ring B is xylene trans one 1, 4 Shikuro, 1, 3
  • ring C is trans-1,4-cyclohexylene or hydrogen Represents 1,4-phenylene in which the atom may be substituted by a fluorine atom, and in the compound of each formula, each atom constituting them may be substituted by an isotope thereof.
  • a liquid crystal composition comprising at least one selected compound.
  • Y 2 represents one CN or one C ⁇ C—CN
  • —Ring E represents trans-1,4-cyclohexylene, 1,4-phenylene, 1,3-dioxane-1,5 —
  • ring G represents trans-1,4-cyclohexylene, pyrimidine-1,2,5-diyl, or a hydrogen atom in which a hydrogen atom may be replaced by a fluorine atom
  • 4 represents 1-phenylene
  • ring H represents trans-1,4-cyclohexylene or 1,4-phenylene
  • Z 3 represents one CH 2 CH 2 —, one COO— or a single bond
  • L 3 , L 4 and L 5 each independently represent a hydrogen atom or a fluorine atom
  • b, c and d each independently represent 0 or 1
  • in the compound of each formula, each atom constituting them May be substituted with their isotopes.
  • a liquid crystal composition comprising
  • each element constituting them may be substituted with their isotope atom.
  • a liquid crystal composition comprising at least one compound selected from the group consisting of:
  • a liquid crystal composition comprising one type.
  • the general formula (2) It contains at least one compound selected from the compound group consisting of (3) and (4), and is selected from the compound group consisting of the general formulas (5) and (6) as the other part of the second component.
  • a liquid crystal composition comprising at least one compound and at least one compound selected from the group consisting of the general formulas (7), (8) and (9) as the third component. object.
  • liquid crystal composition according to any one of the above items (9) to (14), further comprising an optically active compound.
  • a liquid crystal display device comprising the liquid crystal composition according to any one of the above items (9) to (14).
  • a liquid crystal display device comprising the liquid crystal composition according to (15).
  • the compound represented by the general formula (1) of the present invention has a core of 3 to 5 rings including a dioxane ring, a force, a 2-position of the dioxane ring is bonded to the Sp 3 carbon, and It is a liquid crystalline compound having a fluorine-based or chlorine-based electron-withdrawing group at the end. With such a structure, a high voltage holding ratio and a specifically large voltage are obtained.
  • the compound of the present invention (No. 21) has the same alkyl chain and substituent of the terminal benzene ring as the compound (14), but has a specifically large ⁇ and a high voltage holding ratio as follows.
  • the voltage holding ratio of the compound (14) was 98% at 25 ° C. and 92% at 100 ° C., whereas the compound of the present invention (No. 21) was 25%. At 98% and 100 at 94%.
  • the compound (14) and the compound of the present invention (No. 21) should have approximately the same ⁇ ⁇ . It can be considered by those skilled in the art that the compound of the present invention (No. 21) has a ⁇ s 50% larger than that of the compound (14). This is a surprising and unexpected property.
  • the compound of the present invention specifically has a large ⁇ is shown below.
  • the compound (11) has ⁇ of 1 to 0, whereas the compounds (15) and (16), in which ethylene is introduced as a linking group, have a value of 9.7. Usually, ⁇ s is small.
  • the compound of the present invention (No. 98) is obtained.
  • the ⁇ of the compound (17) is 25.7.
  • that of the compound ( ⁇ 0.98) is surprisingly larger than that of the compound (17), 28.3.
  • Compounds having a Sp 3 carbon atom bonded to the 2-position of the dioxane ring and having a fluorine-based or chlorine-based electron withdrawing group at the molecular terminal have a high voltage holding ratio, It has a specifically large ⁇ .
  • the liquid crystal composition prepared using the compound represented by the general formula (1) of the present invention has a large voltage and a high voltage holding ratio, and is very useful for lowering the voltage of a TFT type liquid crystal display device. .
  • R is an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms or a hydrogen atom.
  • the alkyl group preferably has 1 to 7 carbon atoms from the viewpoint of balance between viscosity and liquid crystal phase temperature range, and more preferably 2 to 5 carbon atoms.
  • the linking groups Za and Zb each independently represent a single bond, one CH 2 CH 2 —, —CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 —, one CH 20 —, one OCH 2 —, one C 0 Alternatively Taking an CF 2 0- in which the force of each Toku ⁇ as follows.
  • linking groups Za and Zb are both single bonds have a relatively high clearing point, low viscosity, excellent compatibility with other liquid crystal compounds or liquid crystal compositions, and chemical and electrical properties. Stable. Compounds in which one of the linking groups Z a and Z b is a single bond and the other is one CH 2 CH 2 — are slightly inferior in viscosity but more excellent in compatibility than those in which both are single bonds. A compound in which at least one of a and Z b is one CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 — is compared with a compound in which one of the linking groups Za and Z b is a single bond and the other is one CH 2 CH 2 —.
  • the compound is slightly inferior in viscosity but more excellent in compatibility, and a compound in which at least one of the linking groups Za and Zb is one CO 0- is more chemically and It has a somewhat poorer electrical stability but a larger ⁇ .
  • a compound in which at least one of the linking groups Za and Zb is —CF 20 — has low viscosity and is chemically and electrically stable.
  • terminal substituent Y The preferred structure of the terminal substituent Y and the characteristics of the compound having the substituent are shown below.
  • Compounds in which Y is fluorine have a relatively large ⁇ , have low viscosity, and have excellent compatibility with other liquid crystal compounds or liquid crystal compositions.
  • Compounds where ⁇ is CF 3 have a very large ⁇ .
  • Compounds in which ⁇ is OCF 3 or 0CF 2 H have low viscosity.
  • Y is C—OCF 2 CF 2 H, —OCF 2 C FHC F 3 have a large ⁇ and a high clearing point.
  • the compound of the present invention may have a fluorine or chlorine-substituted fuylene group
  • a compound having a larger number of fluorine or chlorine atoms in the lateral position of the fuylene group has a larger ⁇ ⁇ .
  • compounds having a small number thereof have a high clearing point and low viscosity.
  • Some of the compounds of the present invention have an 11-sila 1,4-cyclohexylene group and a 4-sila 1,4-cyclohexylene group.
  • the compounds having these groups in the present invention have a higher compatibility with other liquid crystal compounds and liquid crystal compositions at low temperatures than those having 1,4-cyclohexylene groups in the present invention. Excellent.
  • the compound of the present invention has a high voltage holding ratio and the above-mentioned characteristics due to its partial structure, but the compounds represented by the general formulas U-—) to (11S) have more preferable characteristics. .
  • the compound represented by the formula (1-B) is a compound represented by the general formula (1):
  • the compound represented by the formula (111) is represented by the general formula (1)
  • the compound represented by the formula (111) is a compound represented by the general formula (1)
  • the compound in which Z c 2 is a single bond is represented by the following general formula (1): 111 1 is 0,: 12 is 1, ring 1 is 1,4-cyclohexylene, Za is a single bond,
  • A is a compound wherein A is (a).
  • the compound in which Z c 2 is a single bond is represented by the general formula (1) in which n 1 is 1, n 2 is 0, ring A 0 is 1,4-cyclohexylene, and A is The compound is
  • the compound represented by the formula (1—H) is a compound represented by the general formula (1)
  • n 1 is 2, n 2 is 0, ring A 0 is 1,4-cyclohexylene, Za and Z b are A compound in which A is (b).
  • the compound represented by the formula (111) is a compound represented by the general formula (1)
  • the compound represented by the formula (111) is represented by the general formula (1)
  • n 1 and n 2 are both 1; ring A 0 is 1,4-cyclohexylene; ring A 1 is substituted or unsubstituted 1,4-phenylene; Za and Z b are each a single bond; ).
  • the compound represented by the formula (1-1K) is represented by the general formula (1)
  • ring A 1 is substituted or unsubstituted 1,4-phenylene,
  • n 1 and n 2 are both 0, Za and Z b are both single bonds, and k is (c).
  • n 1 is 0, n 2 is 1, ring A 1 is 4-cyclohexylene, Za and Z b are both single bonds, and A is (c).
  • Za is a single bond
  • Z b is —CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 —
  • A is (a).
  • the compound represented by the formula (1-0) is a compound represented by the general formula (1):
  • the compound represented by the formula (1-1P) is represented by the general formula (1):
  • ring A 1 is substituted or unsubstituted 1,4-phenylene,
  • Z a is a single bond
  • Z b is one C00- or single CF 2 0-, a compound which is A Chikaraku (b).
  • n 2 is 1
  • ring A 1 is substituted or unsubstituted 1,4-olefin
  • Z a is a single bond
  • Z b is —COO— or one CF 20 —
  • the compound is A (a).
  • the compound represented by the formula (1—R) is a compound represented by the general formula (1):
  • R, Qi, Q 2 and Y are as defined above, Q 3 and Q 4 is a hydrogen atom or a fluorine atom independently of, respectively therewith, Z ci ⁇ Z c 3 are each a single bond or One CH 2 CH 2 —, and Z d indicates one CF 2 or one C.
  • the compounds of the general formulas (110), (111P) and (111S) in which Zd is -C00- are other compounds of the present invention.
  • the benzene ring is bonded to the 2-position of the conventional dioxane ring, and the voltage holding ratio is higher than that of the compound having a force and a single CO 0—.
  • All other compounds also have a high voltage holding ratio.
  • all of the compounds of the present invention have a specific large size, and thus can be driven at a low voltage.
  • the compound represented by the general formula (1-A) has a very low viscosity and very good compatibility. This compound is useful as a component of liquid crystal materials for high-speed response and liquid crystal materials that can be displayed even at low temperatures.
  • the compound represented by the general formula U- ⁇ ) has a high clearing point and low viscosity.
  • the compounds represented by the general formulas (1-C) and (1-D) have relatively high clearing points and are excellent in compatibility.
  • the compounds represented by the general formulas (1-B) to (1-D) are a group of compounds having a high clearing point, a good balance of viscosity and compatibility.
  • the compound represented by the general formula (11) has a relatively low viscosity and a large ⁇ . By using this compound, the value of ⁇ n of the liquid crystal composition can be easily adjusted to a required value, and low-voltage driving becomes possible.
  • the compounds represented by the general formulas (111) to (1-K) and (1-R) have high clearing points and large ⁇ . In particular, ⁇ of (1 ⁇ K) is very large. These compounds are also useful as components of liquid crystal materials that can be displayed at high temperatures.
  • All the compounds represented by the general formulas U-L) to (1-0) have a linking group of CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 —, but this group of compounds is excellent in compatibility.
  • the compound of the present invention can facilitate low-voltage driving in a liquid crystal display element that requires a particularly high voltage holding ratio.
  • the compound of the present invention is a liquid crystal compound particularly suitable for a liquid crystal composition for TFT, but can be suitably used for other uses.
  • liquid crystal composition for TN liquid crystal composition for guest-host mode
  • liquid crystal composition for polymer dispersed liquid crystal display device liquid crystal composition for dynamic scattering mode
  • liquid crystal composition for STN ferroelectricity Liquid crystal composition
  • antiferroelectric liquid crystal composition liquid crystal composition for in-plane switching
  • the liquid crystal compound is a compound having a liquid crystal phase or a compound which does not impair the liquid crystal phase when mixed with another liquid crystal.
  • the liquid crystal composition of the present invention comprises at least one compound represented by the general formula U) of 0.1 to
  • the liquid crystal composition provided by the present invention includes, in addition to the first component containing at least one compound represented by the general formula U), and a compound represented by any of the general formulas (2) to (2) depending on the purpose of the liquid crystal composition. 9) Compounds arbitrarily selected from the compound group represented by are mixed and completed.
  • the compounds represented by the general formulas (2) to (4) preferably include the following compounds. (R 3 and Y have the same meanings as described above.)
  • the compounds represented by the general formulas (2) to (4) have a positive dielectric anisotropy value, are excellent in thermal stability and chemical stability, and have a high voltage holding ratio (or a specific resistance). This is a useful compound when preparing a liquid crystal composition for TFT, which requires high reliability (high value).
  • the amount of the compounds represented by the general formulas (2) to (4) depends on the amount of the liquid crystal composition for TFT. When it is prepared, it can be used arbitrarily in the range of 1 to 99% by weight based on the total weight of the liquid crystal composition, but is preferably 10 to 97% by weight, more preferably 40 to 95% by weight. You. In that case, compounds represented by general formulas (7) to (9) may be contained.
  • the compounds represented by the general formulas (2) to (4) can also be used for preparing an STN display mode and a liquid crystal composition for the TN display mode.
  • the compounds represented by the general formulas (5) and (6) have a positive and large dielectric anisotropy value, and are used particularly for the purpose of reducing the threshold voltage. It is also used for adjusting the refractive index anisotropy value and expanding the nematic range such as increasing the clearing point. Furthermore, it is also used for the purpose of improving the steepness of the "transmittance and voltage curves" of the liquid crystal compositions for the STN display method and the TN display method.
  • the compounds represented by the general formulas (5) and (6) are particularly useful when preparing an STN display system and a liquid crystal composition for the TN display system.
  • the amount of the compounds represented by the general formulas (5) and (6) may be in the range of 0.1 to 99.9% by weight when preparing a liquid crystal composition of the STN display mode or the TN display mode. 10-97% by weight, more preferably 40-95% %.
  • the compounds represented by the general formulas (7) to (9) preferably include the following compounds. (R 6 and R 7 have the same meaning as described above.)
  • the compounds represented by the general formulas (7) to (9) have a small absolute value of the dielectric anisotropy and are close to zero.
  • the compound represented by the general formula (7) is mainly used for the purpose of adjusting the viscosity or adjusting the refractive index anisotropy value.
  • the compound represented by) is used for the purpose of extending the nematic range such as increasing the clearing point or adjusting the value of the refractive index anisotropy.
  • the amount of the compounds represented by any of the general formulas (7) to (9) is increased, the viscosity at which the threshold voltage of the liquid crystal composition increases becomes smaller. Therefore, it is desirable to use a large amount as long as the threshold voltage of the liquid crystal composition satisfies the required value.
  • the amount of the compounds represented by the general formulas (7) to (9) is preferably 40% by weight or less, more preferably 35% by weight or less when a liquid crystal composition for a TFT display system is prepared. It is. When preparing a liquid crystal composition for STN display mode or TN display mode, the content is 70% by weight or less, more preferably 60% by weight or less.
  • the necessary twist angle is usually adjusted by inducing a helical structure of the liquid crystal composition.
  • An optically active compound is added for the purpose of preventing reverse twist. Any known optically active compound used for such a purpose can be used in the liquid crystal composition of the present invention. Preferably, the following optically active compounds (Op-l) to (0P- 8).
  • the liquid crystal composition of the present invention generally adjusts the pitch length of the twist by adding these optically active compounds. What is the pitch length of the twist? In the case of a liquid crystal composition for a tablet, it is preferable to adjust the liquid crystal composition to a range of 40 to 200 ⁇ m. If it is a liquid crystal composition for STN, it is preferable to adjust the liquid crystal composition to a range of 6 to 20 m. In the case of the bistable TN (Bistab 1 e TN) mode, it is preferable to adjust the temperature to a range of 1.5 to 4 _ (m. In order to adjust the temperature dependence of the pitch length, Two or more optically active compounds may be added.
  • the liquid crystal composition prepared according to the present invention is prepared by a conventional method. Generally, a method is used in which various components are dissolved at a high temperature.
  • the liquid crystal composition of the present invention may be added to a guest host (GH) by adding a dichroic dye such as a merocyanine-based, styryl-based, azo-based, azomethine-based, azoxy-based, quinophthalone-based, anthraquinone-based, or tetrazine-based dye. ) It can also be used as a liquid crystal composition for mode.
  • polymer-dispersed liquid crystal display devices such as NCAPs made by microencapsulating nematic liquid crystals and polymer network liquid crystal display devices (PNLCDs) made up of three-dimensional network polymers in liquid crystals. It can also be used as a liquid crystal composition. In addition, it can be used as a liquid crystal composition for birefringence control (ECB) mode and dynamic scattering (DS) mode.
  • ECB birefringence control
  • DS dynamic scattering
  • the compounds represented by the general formula (1) can be obtained from any known literature, for example, the 4th edition Experimental Chemistry Lecture (Maruzen), J. Org. Chem.,, 1821 (1977) ), J. Chem. Soc. Perkin Trans. 2, 2041 (19989).
  • a benzaldehyde derivative (23) is allowed to act on a solution of sodium hydride on ethyl acetyl acetyl phosphonoacetate to obtain a compound (24).
  • the compound (24) is hydrogenated using 0-valent palladium or the like as a catalyst, and the obtained ester derivative (25) is reduced using diisobutylaluminum hydride (hereinafter abbreviated as DI BAL) to obtain an aldehyde derivative (26 ).
  • DI BAL diisobutylaluminum hydride
  • the aldehyde derivative (26) and 2-alkyl-11,3-propanediol are dehydrated in the presence of an acidic catalyst such as para-toluenesulfonic acid (hereinafter abbreviated as PTS) or an acidic ion exchange resin (Amberlyst R). While refluxing, the compound represented by the general formula (1-A) can be obtained.
  • PTS para-toluenesulfonic acid
  • Amberlyst R acidic ion exchange resin
  • Cyclohexanedione monoethylene ketal (28) is allowed to act on the Grignard reagent (27) to give a tertiary alcohol (29). This is dehydrated, hydrogenated and then deprotected under acidic conditions to give the cyclohexanone derivative (31). This is treated with methoxymethyltriphenylphosphonium chloride and then deprotected under acidic conditions to obtain the aldehyde derivative (32).
  • the compound represented by the general formula (1-B) can be obtained by reacting 2-alkyl-1,3-propanediol under acidic conditions.
  • a compound represented by the general formula (1—C) is obtained in the same manner as in the synthesis of the compound represented by the general formula (1—A) except that the aldehyde derivative (23) is replaced with (32). be able to.
  • a compound represented by the general formula (1-D) is obtained in the same manner as in the synthesis of the compound represented by the general formula (1-B) except that the Grignard reagent (27) is replaced by (34). Can be.
  • a compound represented by the general formula U-L) is obtained in the same manner as in the synthesis of the compound represented by the general formula (1-A) except that the aldehyde derivative (23) is replaced by (26). Can be.
  • a compound represented by the general formula (1-M) is obtained in the same manner as in the synthesis of the compound represented by the general formula (1-A) except that the aldehyde derivative (23) is replaced by (33). be able to.
  • the aldehyde derivative (23) was reacted with an aldehyde derivative (23) on an ylide prepared from a base such as 1,3-dioxane-12-ylethyltriphenylphosphonium bromide and potassium 1-butoxide.
  • the product is hydrogenated and deprotected with acid to give the aldehyde derivative (40).
  • the resulting alcohol derivative is brominated with hydrobromic acid or the like to obtain a compound (41), which is then reacted with magnesium to cause a Grignard reagent (42).
  • a compound (43) in which Y is a hydrogen atom in the general formula (1-L) is synthesized.
  • a compound represented by the general formula (1-0) is converted in the same manner as in the synthesis of the compound represented by the general formula (11-E) except that the compound (35) is replaced by (43).
  • Cyclohexanone-4 monoethyl rubynate (50) can be synthesized from pentane-1,3,3,5-tetracarboxylate tetraethyl ester (49) by the following method.
  • methoxymethyltriphenylphosphonium chloride is allowed to act on cyclohexanedione monoethylene ketal, followed by deprotection under acidic conditions to obtain the aldehyde derivative (51). This is oxidized using the method described in Vol. 2, pp. 3-4 of Experimental Chemistry Course, 4th Edition (Maruzen), to give a carboxylic acid derivative (52).
  • the compounds represented by the general formulas (1-F) to U-K) and (1-Q), (1-R), which are four-ring compounds, can be easily produced by utilizing the above-mentioned three-ring compound synthesis method.
  • the compound having a 1-sila 1,4-cyclohexylene group and a 4-sila 1,4-cyclohexylene group may be obtained by applying the method described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-71048. Can be manufactured.
  • composition examples 1 to 49 can be shown as examples of the liquid crystal composition containing the compound of the present invention.
  • the compounds are shown in the symbol column according to the rules shown in Table 1 below, and the groups shown in the respective columns of the left terminal group, the bonding group, the ring structure, and the right terminal group. I went by making it correspond.
  • the transformer one 1, _4--cyclohexylene and trans is a hydrogen atom hexane one 4, 4 'single Jiiru to trans-bicyclo, J!, Position of J 2, J 3
  • the symbol H [ID, 2D, 3D] is used.
  • the symbol H [5 D, [6 D, 7 D] indicates the deuterium substitution position by the number in [].
  • T N1 nematic isotropic liquid transition temperature or clearing point
  • ⁇ n reffractive index anisotropy: measurement temperature. 2 5. Ot
  • ⁇ ⁇ 1 dielectric anisotropy value: measurement temperature 25.0 ° C
  • V th threshold S threshold voltage: measurement temperature 25.0 ° C. 7
  • 3 -HHB- 1 5.0% 3 -HHB- 39.0% 3 -H2 BTB- 24.0% 3 -H2 BTB- 34.0%
  • V 2 -HB-C 1 0.0% 1
  • V 2 -HB-C 1 0.0% 3 -HB-C 1 1.0% 3 -H [1 D, 2 D, 3 D] BC 9.0%
  • V TH 0.86 (V)
  • V 2 -HHB- 1 1 5.0% 3 -HHB- 19.0% 1 V 2 -HBB- 2 7.0% 3 -HHEBH- 35.0%
  • Composition example 10 3 -D 2 B (F, F) B (F) — OC F 3 0%
  • Composition example 1 4 / JP97 / 02257
  • V th 0.9.8 (V)
  • V th 1.99 (V)
  • V th 1.46 (V)
  • V th 2.25 (V)
  • V 2 7 8 (m P a, s)
  • V 3 3 (m P a )
  • V 21.5 (m P a ⁇ s)
  • V 23.1 (m P a 's)
  • V th 1.83 (V)
  • V th 11.00 33 (V)
  • 3 -HHB- 1 8.0% 3 -HHB-F 4 negligence0% 3— HHB— 0 1 5.0% 3 -HHB- 3 1 4.0% 3 -HHEB-F 4.0% 5 -HHEB -F 4.0%
  • V 2 2 0 (m P as)
  • C represents a crystal
  • SX1 and SX2 each represent a different smectic phase
  • N represents a nematic phase
  • I represents an isotropic liquid phase.
  • the extract was washed with water, saturated aqueous sodium hydrogen carbonate and water in this order, dried over anhydrous magnesium sulfate, and the solvent was distilled off under reduced pressure.
  • 5 g of paratoluenesulfonic acid (abbreviated as TFPTS) and 600 ml of toluene were added to the residue, and the mixture was heated under reflux for 3 hours while removing generated ice using GeneStark.
  • the reaction solution was washed with water, saturated aqueous sodium hydrogen carbonate and water in this order, dried over magnesium sulfate, and the solvent was distilled off under reduced pressure.

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Description

明細書 一
ジォキサン誘導体、 これを含有する液晶組成物、 および
これを用いた液晶表示素子
技術分野
本発明は、 液晶組成物の成分として有効な液晶性化合物、 特に T F T用液晶組 成物の成分として用いるのに好適なジォキサン誘導体、 これを含有する液晶組成 物および、 この液晶組成物を用いて構成した液晶表示素子に関する。
背景技術
液晶表示素子は液晶物質がもつ光学異方性および誘電率異方性を利用したもの である力 <、 その表示方式によって T N型 （ねじれネマチック型） 、 D S型 （動的 散乱型） 、 G . H型 （ゲスト ' ホス ト型） 、 D A P型 （配向相変型） 、 S T N型 (超ねじれネマチック型） など各種の方式に分けられ、 それぞれの使用に適する 液晶物質の性質は異なる。 最近は特に液晶表示素子の表示品位のより高いものが 要求されており、 その要求に応えるために薄膜トランジスタ型 （T F T型） に代 表されるァクティブマトリックス方式の表示素子に対する需要が高まっている。 いずれの表示素子に用いられる液晶物質も水分、 空気、 熱、 光等に安定である ことが必要である上、 室温を中心としてできるだけ広い温度範囲で液晶相を示し 、 低粘性であり、 他の液晶化合物および液晶性化合物との相溶性がよく、 大きな 誘電率異方性値 （A s ) を持ち、 最適な屈折率異方性値 （Δ η ) を有し、 化学的 、 電気的に安定でなければならない。 特に T F T型に代表されるアクティブマト リックス方式の表示素子には高い電圧保持率が要求されている。 し力、し、 現在の ところ単一化合物ではこのような条件をすベて満たす物質はなく、 数種の液晶化 合物や液晶性化合物を混合して得られる液晶組成物を使用しているのが現状であ る。
最近は T F Τ型液晶表示素子に低電圧駆動が求められており、 この要求に応え るため、 従来 T F T型液晶表示素子に用いられていた液晶材料よりも大きな△ ε を持つ液晶性化合物、 液晶組成物が必要となってきた。 このため高い電圧保持率 を示しながらも大きな△ εを有する液晶材料の開発が活発に行われている。 従来 フッ素系の液晶材料が高い電圧保持率を示すことが一般的に知られており、 公告 特許公報平 0 1— 0 4 4 9 6号には次式の化合物 （ 1 0 ) が開示されている。
Figure imgf000004_0001
上記化合物 （ 1 0) はシァノ基を有する液晶性化合物に比べ高い電圧保持率を 有するため主として TFT用液晶組成物の成分として使用されている。 しかしな がら化合物 （ 1 0) の外揷 A s (外挿 とは、 ネマチック相を有する母液晶に 化合物 （ 1 0 ) を溶解し、 その組成物の Δ εの値、 母液晶の Δ £の値および混合 比から算出した化合物 （ 1 0) の△ £であり、 以下の Δ εはこの外挿 Δ εを指す 。 ） は 8. 5と小さく、 現在要求されている 2. 5 V駆動を代表する低電圧駆動 用液晶材料としては使用できない。
また化合物 （ 1 0) より大きな を有する化合物として公開特許公報平 0 2 - 2 3 3 6 2 6号に次式のトリフルオロフヱニル誘導体 （ 1 1 ) が開示されてい る。
Figure imgf000004_0002
化合物 （ 1 1 ) の△ £は 1 1. 0と化合物 （ 1 0 ) より大きいが、 いまだ不十 分な大きさで前述と同様に市場の低電圧化への要求に応えられる材料ではない。 公開特許公報平 0 4— 5 0 6 3 6 1号にトリフルォロメチルフヱニル誘導体 （ 1 2) 、 トリフルォロメ トキシフエニル誘導体 （ 1 3 ) が開示されている。
Figure imgf000004_0003
しかしながらこれらの化合物の△ εもまだ化合物 （ 1 0 ) 、 （ 1 1 ) と同様に 市場の低電圧化への要求には応えることができない。 （例えば化合物 U 3) の △ εは約 5である （I DY (テレビ学技報） 9 5) 。 さらに、 △ £の大きな化合物として、 公開特許公報平 0 2— 2 3 3 6 2 6中 次式 （ 1 4 ) で表されるジォキサン誘導体が開示されている。
Figure imgf000005_0001
この化合物の Δ εは 1 5 . 7と大きいが、 この大きさでは駆動電圧を要求され ているレベルに十分下げることは不可能であり、 さらに従来のジォキサン環を舍 まないフッ素系液晶性化合物に比し、 電圧保持率が低くなっており高い電圧保持 率が要求される液晶表示素子用の材料中に多くの割合を含めることができない。 その 1例を示すと化合物 （ 1 1 ) の電圧保持率は 2 5 °Cで 9 8 %、 1 0 0 で 9 6 %であるのに対し、 化合物 （ 1 4 ) のは 2 5 °Cで 9 8 %、 1 0 0 °Cで 9 2 %で ある。
このため大きな△ £を有しながらも高い電圧保持率を有する液晶化合物および 液晶性化合物が嘱望されていた。
本発明者等は鋭意検討し、 し 3—ジォキサン 2 , 5 ジィル基の 2位に S P 3炭素が結合し、 かつ分子末端にフッ素系あるいは塩素系の電子吸引基を有す る液晶性化合物が特異的に大きな Δ sを有すると共に、 高い電圧保持率を有し、 2 . 5 V駆動に代表される T F T低電圧駆動用液晶材料として最適であることを 見い出し、 発明を完成させるに至った。
発明の開示
本発明の目的は、 低電圧駆動 T F T型液晶表示素子用の液晶材料として Δ s値 が著しく大きく、 高い電圧保持率を有し、 かつ既存の液晶性化合物との相溶性も 良好な液晶性化合物、 これを合む液晶組成物、 およびこれを用いて構成した液晶 表示素子を提供することにある。
かかる目的を達成するために鋭意努力した結果、 発明者等は本発明を見い出す に至った。 すなわち本発明は以下の通りである。 ( 1 ) 一般式 （ 1 )
Figure imgf000006_0001
(式中、 Rは炭素数 1〜2 0のアルキル基あるいは水素原子を示し、
n 1および n 2はそれぞれ独立して 0〜 2の整数であり、 n 1 + n 2≤ 2であり
Q ,および Q 2はそれぞれに独立して水素原子、 フッ素原子ある 、 は塩素原子を示し、
. Aは （a) , (b) あるいは （c) を示し、
Figure imgf000006_0002
璟 AOおよび A 1は 1, 4ーシクロへキシレン基あるいは 1個以 上の水素原子がフッ素原子あるいは塩素原子で置換されてもよい 1 , 4一フエ二 レン基を示すが、 A、 環 A 0および環 A 1中の 1 , 4—シクロへキシレン基中の 1個あるいは 2個の炭素原子はゲイ素原子で置換されていてもよく、
Z aおよび Z bはそれぞれに独立して単結合、 — CH2CH2—、 一 CH2CH2CH2CH2—、 一〇CH2—、 一 CH2〇一、 一 C〇〇一あるいは一 C F20—を示し、
Yは水素原子、 ハロゲン原子、 あるいは炭素数 1〜5のハロゲン 化アルキル基を示すが、 該基中の隣接しない 1つ以上のメチレン基は、 酸素原子 あるいは硫黄原子で置換されていてもよく、
ただし n 1 = 0かつ n 2 = 1かつ Aが （b) かつ環 A 1力く 1 , 4—フエ二レン かつ Z aおよび Z bが単結合である場合、 および n 1 =n 2 = 0かつ Aが （a) かつ Z bが単結合である場合は、 と Q2の少なくとも一方はフッ素原子あるい は塩素原子を示すが、 Yがフッ素原子あるいは塩素原子の場合は および Q2が それぞれに独立してフッ素原子あるいは塩素原子である。
なお、 化合物を構成する各元素はその同位体元素で置換されていてもよい。 ） で表されるジォキサン誘導体。
( 2 ) n 1 = n 2 = 0であり、 Z aが単結合であり、 かつ A= (b) である （ 1 ) 項に記載のジォキサン誘導体。
( 3 ) n 1 = n 2 = 0であり、 Z aが単結合であり、 かつ A (a) である （ 1 ) 項に記載のジォキサン誘導体。
( 4 ) n 1 + n 2 = 1であり、 かつ A= ( b) である （ 1 ) 項に記載のジォキサ ン誘導体。
( 5 ) n 1 + n 2 = 1であり、 かつ A (a) である （ 1 ) 項に記載のジォキサ ン誘導体。
( 6 ) n 1 + n 2 = 2であり、 かつ A= ( b) である （ 1 ) 項に記載のジォキサ ン誘導体。
( 7 ) A= ( c) 、 あるいは Z bが一 CH2CH2CH2CH2—、 あるいは n 1が 0でない場合の Z aがー CH2CH2CH2CH2—である （ 1 ) 項に記載のジォキ サン誘導体。
( 8 ) および Q2が共にフッ素原子である （ 1 ) 項に記載のジォキサン誘導体
( 9 ) ( 1 ) 項から （ 8 ) 項のいずれか 1項に記載の誘導体を少なくとも 1種類 舍有することを特徴とする液晶組成物。
( 1 0 ) 第一成分として、 （ 1 ) 項から （8 ) 項のいずれか 1項に記載のジォキ サン誘導体を少なくとも 1種類含有し、 第二成分として、 一般式 （2 ) ( 3 ) および （4 )
Figure imgf000007_0001
(各式中、 1?3は炭素数1〜1 0のアルキル基であり、 このアルキル基中、 相 隣合わな 、一つ以上のメチレン基は酸素原子または一 CH = CH—で置換されて いてもよく、 また任意の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよく、 は フッ素原子、 塩素原子、 OCF3、 OCF2H、 CF3、 CF2H、 CFH2、 〇C F2C F2Hまたは〇C F2C FHC F3を示し、 L ,および L 2は各々独立して水素 原子またはフッ素原子を示し、 Z！および Z2は各々独立して一 CH2CH2—、 - CH2CH2CH2CH2 -、 一 COO -、 一 CF20—、 一 OCF2—、 — CH = C H—または単結合を示し、 環 Bはトランス一 1 , 4ーシクロへキシレン、 1, 3 一ジォキサン一 2, 5—ジィル、 または水素原子がフッ素原子で置換されていて もよい 1, 4—フエ二レンを示し、 環 Cはトランス一 1 , 4—シクロへキシレン または水素原子がフッ素原子で置換されていてもよい 1 , 4一フヱニレンを示し 、 各式の化合物において、 それらを構成する各原子はそれらの同位体で置換され ていてもよい。 ） からなる化合物群から選択される化合物を少なくとも 1種類含 有することを特徵とする液晶組成物。
( 1 1) 第一成分として、 （ 1 ) 項から （8) 項のいずれか 1項に記載のジォキ サン誘導体を少なくとも 1種類含有し、 第二成分として、 一般式 （5) および （ 6)
Figure imgf000008_0001
" Ο·ο^ (6)
(各式中、 R4および Rsは各々独立して炭素数 1〜 1 0のアルキル基を示すが、 このアルキル基中の相隣合わない一つ以上のメチレン基は酸素原子または一 C H = C H—で置換されていてもよく、 また任意の水素原子はフッ素原子で置換され ていてもよく、 Y2は一 CNまたは一 C≡C— CNを示し、—環 Eはトランス一 1 , 4ーシクロへキシレン、 1 , 4—フエ二レン、 1 , 3—ジォキサン一 2, 5— ジィル、 またはピリミジン一 2, 5—ジィルを示し、 環 Gはトランス一 1 , 4— シクロへキシレン、 ピリミジン一 2 , 5—ジィル、 または水素原子がフッ素原子 で置換されていてもよい 1 , 4一フエ二レンを示し、 環 Hはトランス一 1 , 4一 シクロへキシレンまたは 1 , 4—フエ二レンを示し、 Z3は一 CH2CH2—、 一 COO—または単結合を示し、 L3、 L4および L5は各々独立して水素原子また はフッ素原子を示し、 b、 cおよび dは各々独立して 0または 1であり、 各式の 化合物において、 それらを構成する各原子はそれらの同位体で置換されていても よい。 ） からなる化合物群から選択される化合物を少なくとも 1種類含有するこ とを特徴とする液晶組成物。
( 1 2) 第一成分として、 （ 1 ) 項から （8) 項のいずれか 1項に記載のジォキ サン誘導体を少なくとも 1種類含有し、 第二成分として、 前記一般式 （2) 、 ( 3) および （4) からなる化合物群から選択される化合物を少なくとも 1種類含 有し、 第三成分として、 一般式 （7) 、 (8) および （9)
Figure imgf000009_0001
R6-(-I^-Z4~(J-}-Z5-( )-R7 (8) 6- l-)-Z4-fj-HK— R7 (9)
(各式中、 R6および R7は各々独立して炭素数 1〜 1 0のアルキル基であって、 該アルキル基中、 相隣合わない一つ以上のメチレン基は酸素原子または一 CH = CH—で置換されていてもよく、 また任意の水素原子はフッ素原子で置換されて いてもよく、 I、 Jおよび Kは各々独立して、 トランス一 1 , 4ーシクロへキシ レン、 ピリ ミジン一 2 , 5—ジィルまたは水素原子がフッ素原子で置換されてい てもよい 1 , 4—フエ二レンを示し、 Z 4および Z 5は各々独立して、 一 C三 C— 、 —C OO―、 一 CH2CH2—、 — CH = CH—または共有結合を示す。 各式の 化合物において、 それらを構成する各元素はそれらの同位体原子で置換されてい てもよい。 ） からなる化合物群から選択される化合物を少なくとも 1種類含有す ることを特徴とする液晶組成物。
( 1 3 ) 第一成分として、 （ 1 ) 項から （8 ) 項のいずれか 1項に記載のジォキ サン誘導体を少なくとも 1種類含有し、 第二成分として、 前記一般式 （5 ) およ び （6 ) からなる化合物群から選択される化合物を少なくとも 1種類含有し、 第 三成分として、 前記一般式 （7 ) 、 (8 ) および （9 ) からなる化合物群から選 択される化合物を少なくとも 1種類含有することを特徴とする液晶組成物。
( 1 4 ) 第一成分として、 （ 1 ) 項から （8 ) 項のいずれか 1項に記載のジォキ サン誘導体を少なくとも 1種類含有し、 第二成分の一部分として、 前記一般式 （ 2 ) 、 （ 3 ) および （4 ) からなる化合物群から選択される化合物を少なくとも 1種類含有し、 第二成分の他の部分として、 前記一般式 （5 ) および （6 ) から なる化合物群から選択される化合物を少なくとも 1種類含有し、 第三成分として 、 前記一般式 （7) 、 ( 8 ) および （9 ) からなる化合物群から選択される化合 物を少なくとも 1種類含有することを特徴とする液晶組成物。
( 1 5 ) 光学活性化合物をさらに含有することを特徴とする （9 ) 項から （ 1 4 ) 項のいずれか 1項に記載の液晶組成物。
( 1 6 ) ( 9 ) 項から （ 1 4 ) 項のいずれか 1項に記載の液晶組成物を用いて構 成した液晶表示素子。
( 1 7 ) ( 1 5 ) 項記載の液晶組成物を用いて構成した液晶表示素子。
本発明の一般式 （ 1 ) で示される化合物はジォキサン環を含めて 3環から 5環 のコアを有し、 力、つこのジォキサン環の 2位は S p 3炭素と結合し、 かつ分子末 端にフッ素系あるいは塩素系電子吸引基を有する液晶性化合物である。 このよう な構造とすることにより、 高い電圧保持率と特異的に大きな△ £を有するものと なる。
例えば本発明化合物 （N o. 2 1 ) は化合物 （ 1 4 ) とアルキル鎖、 末端のベ ンゼン環の置換基を同じくするが以下のように特異的に大きな△ εと高い電圧保 持率を有する。 化合物 （ 1 4 ) の A sは 1 5. 7であるのに対し、 本発明化合物 (N o. 2 1 ) の A sは 2 3. 7である。 また電圧保持率 関しては化合物 （ 1 4 ) が 2 5 °Cで 9 8%、 1 0 0 °Cで 9 2 %であるのに対し、 本発明化合物 （N o . 2 1 ) は 2 5 で 9 8 %、 1 0 0でで 9 4 %である。
分子の各部分構造の双極子、 および双極子と慣性主軸とのなす角を考慮した場 合、 化合物 （ 1 4 ) と本発明化合物 （N o. 2 1 ) は同程度の△ εを有すること が当業者にとっては常識的に考えられるが、 本発明の化合物 （N o. 2 1 ) の△ sは （ 1 4 ) のそれに比し 5 0 %も大きい。 これは予見し得ない驚くべき特性で ある。
さらに、 本発明の化合物が特異的に大きな Δ εを有するもう 1例を次に示す。 例えば化合物 （ 1 1 ) の Δ εは 1 し 0であるのに対し、 結合基としてェチレ ンを導入した化合物 （ 1 5 ) および （ 1 6 ) の△ £はどちらも 9. 7であるよう に△ sが小さくなるのが通常である。
Figure imgf000011_0001
ところが化合物 （ 1 7 ) のジォキサン環の 2位に結合基としてエチレン基を導 入すると本発明化合物 （N o. 9 8 ) となるが、 化合物 （ 1 7 ) の Δ εは 2 5. 7であるのに対し、 化合物 （Ν 0. 9 8 ) のそれは驚くべきことに 2 8. 3と化 合物 （ 1 7 ) のそれより大きい。
( ）
Figure imgf000011_0002
このような効果はジォキサン環の 2位に S ρ 3炭素が結合し、 かつ分子末端に フッ素系あるいは塩素系電子吸弓 1基を有する液晶性化合物にのみ発現するもので ある。 これまでジォキサン環を含む液晶性化合物は以下に示すように公表特許公 報平 4一 5 0 3 6 7 8号および公表特許公報平 4一 5 0 1 2 7 2号に開示されて いる o
Figure imgf000012_0001
Figure imgf000012_0002
本発明の化合物は形式上、 上記 2つの先行技術のクレームに一部包含されるが 、 それらの明細書中に本願の化合物の記述を具体的に見い出すことはできない。 さらに、 上述の優れた特性すなわち、 特異的に大きな△ £有しかつ高い電圧保持 率を有することを予見させる記述は一切なく、 かつ上記化合物の物性値は示され ていない。
またアルキル基の末端にハロゲン原子が置換したジォキサン誘導体について U
S 0 0 5 4 9 4 6 0 6 Aに記載がある力^ この記述からも本発明化合物の優れた 特性を予見することはできない。
一般式 （ 1 ) に示す化合物のようにジォキサン環の 2位に S p 3炭素が結合し かつ分子末端にフッ素系あるいは塩素系電子吸引基を有するものは、 高い電圧保 持率を有し、 特異的に大きな Δ εを有する。 本発明の一般式 （ 1 ) に示す化合物 を用いて調製される液晶組成物は大きな△ £と高い電圧保持率を有し T F T型液 晶表示素子の低電圧化に非常に有用なものとなる。
本発明の一般式 （ 1 ) に示す化合物はいずれも高い電圧保持率を示すと共に特 異的に大きな△ sを有することは既に述べたが、 ここでさらに詳しく本発明の化 合物を説明する。 ただし化合物を構成する元素がその同位体元素で置換されたも のは以下では言及しないが、 同位体元素で置換された化合物も £ί下の説明で示す 特性と何ら変わらない。
Rは炭素数が 1〜20のアルキル基または水素原子であるが、 このアルキル基 は炭素数 1〜 7が粘性と液晶相温度範囲のバランスという観点からみて好ましく 、 2〜5がさらに好ましい。
連結基 Z aおよび Z bはそれぞれに独立して単結合、 一 CH2CH2—、 -CH 2CH2CH2CH2—、 一 CH20—、 一 OCH2—、 一 C 0〇一あるいは一 C F2 0—である力 それぞれの特徵を示すと次のようになる。
連結基 Z aおよび Z bがともに単結合である化合物は比較的高い透明点を有し 、 低粘性であり、 なおかつ他の液晶化合物あるいは液晶組成物との相溶性に優れ 、 化学的、 電気的に安定である。 連結基 Z a、 Z bの一方が単結合で他方が一 C H2CH2—である化合物は共に単結合であるものに比し、 粘性面でやや劣るが相 溶性ではより優れ、 連結基 Z a, Z bの少なくとも一方が一 CH2CH2CH2C H2—である化合物は、 連結基 Z a、 Z bの一方が単結合で他方が一 CH2CH2 —であるものに比し粘性ではやや劣るが相溶性ではさらに優れ、 連結基 Z a、 Z bの少なくとも一方が一 CO 0—である化合物は前記の他の 5種類の結合基であ るものに比し、 化学的、 電気的安定性でやや劣るがより大きな△ εを有する。 連 結基 Z a、 Z bの少なくとも一方が— CF20—である化合物は低粘性で、 化学 的、 電気的にも安定である。
末端置換基 Yについて、 好ましい構造と、 その置換基を有する化合物の特徴を 次に示す。 Yがフッ素である化合物は比較的大きな△ εを有し、 低粘性であり、 他の液晶化合物あるいは液晶組成物との相溶性に優れる。 Υが C F3である化合 物は非常に大きな Δεを有する。 Υが OCF3、 0CF2Hである化合物は低粘性 である。 Yが Cし — OCF2CF2H、 — OC F2C FHC F3である化合物は大 きな Δηと、 高い透明点を有する。 Υがー OCH2CF2H、 —OCH2CF3、 ま たは一 OCFHCF 3である化合物は高い透明点を有し、 比較的低粘性である。 これらの置換基はそれぞれ上記の特長を有し、 非常に有用である。 さらに上記に 示した置換基の他、 一 CF2H、 -CF2C K 一 CH2CF3、 — CH2CH2F、 一 CH2CH2CH2F、 — CH2CH2CH2CH2F、 — OC— FH2、 -OC F2C 1、 一 OC F2CF3、 および一 OC F2C F2C F3も好ましい。
本発明の化合物はフッ素あるいは塩素置換フユ二レン基を有してもよいが、 フ 二レン基のラテラル位にフッ素原子あるいは塩素原子が数多く置換している化 合物ほど大きな△ εを有し、 逆にその数が少ない化合物は高い透明点と低粘性を 本発明の化合物の中には 1一シラー 1 , 4ーシクロへキシレン基および 4—シ ラー 1 , 4—シクロへキシレン基を有するものもある力く、 本発明中のこれらの基 を有する化合物は該基が 1 , 4ーシクロへキシレン基であるものに比し、 低温に おいて他の液晶性化合物および液晶組成物との相溶性に優れる。
本発明の化合物は高い電圧保持率を有すると共に、 その部分構造によって上記 のような特長を有するが、 一般式 U— Α) 〜 （ 1一 S) で表される化合物がよ り好ましい特性を有する。
Figure imgf000015_0001
LSZZ0/L6d£/∑Od W9"/86 OAV
Figure imgf000016_0001
（ 1— A) で表される化合物は、 一般式 （ 1 ) において
n 1と n 2がともに 0、 Z aと Z bがともに単結合、 Aが （b) である化合 物である。
式 （ 1—B) で表される化合物は、 一般式 （ 1 ) において
n 1と n 2がともに 0、 Z aと Z bがともに単結合、 A力く (a) である化合 物である。
式 （ 1一 C) で表される化合物は、 一般式 （ 1 ) において
n 1が 0、 n 2が 1、 環 A 1が 1 , 4ーシクロへキシレン、 Z aと Z bがと もに単結合、 Aが （b) である化合物である。
式 （ 1—D) で表される化合物は、 一般式 （ 1 ) において
11 1と11 2がともに0、 Z aが単結合、 Z bがー C H 2 C H 2—、 A力く （ a ) である化合物である。
式 （ 1一 E) で表される化合物は、 一般式 （ 1 ) において
11 1が0、 n 2が 1、 環 A 1が置換あるいは無置換の 1 , 4一フヱニレン、 Z aと Z bがともに単結合、 A力く (b) である化合物である。
式 （ 1一 F) において Z c 2が単結合である化合物は、 一般式 （ 1 ) において 11 1が0、 ：12が1、 環 1が1, 4ーシクロへキシレン、 Z aが単結合、
Aが （a) である化合物である。
式 （ 1—F) において Z c 2がー CH2CH2—である化合物は、 一般式 （ 1 ) において
n 1が 0、 n 2が 2、 環 A 1が 1 , 4ーシクロへキシレン、 Z aが単結合、 Aが （b) である化合物である。
式 （ 1—G) において Z c 2が単結合である化合物は、 一般式 （ 1 ) において n 1力く 1、 n 2が 0、 環 A 0が 1， 4ーシクロへキシレン、 A力く ) であ る化合物である。
式 （ 1— G) において Z c 2が— CH2CH2—である化合物は、 一般式 （ 1 ) において
n 1と n 2がともに 1、 環 A 0と環 A 1がともに 1 , 4—シクロへキシレン 、 Aが （b) である化合物である。
式 （ 1—H) で表される化合物は、 一般式 （ 1 ) において
n 1が 2、 n 2が 0、 環 A 0が 1 , 4ーシクロへキシレン、 Z aと Z bがと もに単結合、 Aが （b) である化合物である。
式 （ 1一 I ) で表される化合物は、 一般式 （ 1 ) において
11 1が0、 n 2が 1、 環 A 1が置換あるいは無置換の 1 , 4—フヱニレン、 Z a、 Z bがともに単結合、 Aが （a) である化合物である。
式 （ 1一 J) で表される化合物は、 一般式 （ 1 ) において
n 1と n 2がともに 1、 環 A 0が 1 , 4ーシクロへキシレン、 環 A 1が置換 あるいは無置換の 1 , 4—フヱニレン、 Z a、 Z bがともに単結合、 A力く (b) である化合物である。
式 （ 1 一 K) で表される化合物は、 一般式 （ 1 ) において
11 1が0、 n 2が 2、 環 A 1が置換あるいは無置換の 1 , 4一フヱニレン、
Z a、 Z bがともに単結合、 が (b) である化合物である。
式 （ 1—L) で表される化合物は、 一般式 （ 1 ) において
n 1と n 2がともに 0、 Z aと Z bがともに単結合、 kが ( c) である化合 物である。
式 （ 1 —M) で表される化合物は、 一般式 （ 1 ) において
n 1力く 0、 n 2が 1、 環 A 1力 , 4—シクロへキシレン、 Z aと Z bがと もに単結合、 Aが （c) である化合物である。
式 （ 1 一 N) で表される化合物は、 一般式 U ) において
11 1と11 2がともに0、 Z aが単結合、 Z bがー C H2C H2C H2C H2—、 Aが （a) である化合物である。
式 （ 1ー0) で表される化合物は、 一般式 （ 1 ) において
1が0、 n 2が 1、 環 A 1が置換あるいは無置換の 1 , 4一フヱニレン、 Z aと Z bがともに単結合、 Aが （c) である化合物である。
式 （ 1 一 P) で表される化合物は、 一般式 （ 1 ) において
11 1が0、 n 2が 1、 環 A 1が置換あるいは無置換の 1 , 4—フヱニレン、
Z aが単結合、 Z bが一 C00—あるいは一 C F20—、 A力く (b) である化合 物である。
式 （ 1—Q) で表される化合物は、 一般式 （ 1 ) において
11 1が0、 n 2が 1、 環 A 1が置換あるいは無置換の 1 , 4ーフ； 二レン、 Z aが単結合、 Z bがー COO—あるいは一 C F20—、 A力く (a) である化合 物である。
式 （ 1— R) で表される化合物は、 一般式 （ 1 ) において
11 1が1、 n 2が 0、 環 A 0が置換あるいは無置換の 1 , 4一フヱニレン、 Z aと Z bがともに単結合、 A力く (a) である化合物である。
式 （ 1一 S) で表される化合物は、 一般式 （ 1 ) において
11 1と：12がともに0、 Z aが単結合、 Z bがー C 00—または C F 20— 、 Aが （a) である化合物である。
ただし R、 Qi, Q2および Yは前述と同様の意味を示し、 Q3および Q4はそれ ぞれに独立して水素原子あるいはフッ素原子を示し、 Z c i〜Z c 3はそれぞれ単 結合または一 CH2CH2—を示し、 Z dは一C F2〇一あるいは一C〇〇一を示 す。
ここで好ましい化合物の一般式 （ 1— A) 〜 U— S) について、 その特性を 説明する。 まず、 これらすベてを総括すると、 電圧保持率に関しては、 一般式 （ 1一 0) 、 （ 1一 P) および （ 1一 S) において Z dがー C00—である化合物 が他の本発明の化合物に比し若干劣るが、 これでも従来のジォキサン環の 2位に ベンゼン環が結合し、 力、つ一 CO 0—を有する化合物に比して電圧保持率は高い 。 またその他の化合物はすべて同様に高い電圧保持率を有する。 また本発明の化 合物はいずれも特異的に大きな△ £を有するため低電圧駆動を可能にする。
以下、 電圧保持率および△ ε以外の特性について示す。
一般式 （ 1—A) で表される化合物は極めて低粘性であり、 相溶性は極めて良 好である。 本化合物は高速応答用液晶材料および低温でも表示可能な液晶材料の 構成成分として有用である。
一般式 U— Β) で表される化合物は透明点が高く、 低粘性である。
一般式 （ 1—C) 、 （ 1— D) で表される化合物は比較的透明点が高く、 相溶 性に優れる。
一般式 （ 1—B) 〜 （ 1—D) で表される化合物は、 透明点の高さ、 粘性およ び相溶性のバランスに優れる化合物群である。
一般式 （ 1一 Ε) で表される化合物は比較的低粘性で、 大きな Δηを有する。 本化合物を用いることにより、 液晶組成物の Δ nの値を容易に要求値に調整でき 、 かつ低電圧駆動も可能となる。
一般式 （ 1—F) 〜 （ 1—H) で表される化合物は非常に高い透明点を有する ため、 高温での表示可能な液晶材料の構成成分として有用である。
—般式 （ 1一 I) 〜 （ 1—K) および （ 1— R) で表される化合物は高い透明 点と大きな Δηを有する。 特に （ 1—K) の Δηは非常に大きい。 これらの化合 物群も、 高温での表示可能な液晶材料の構成成分として有用である。
一般式 U—L) 〜 （ 1ー0) で表される化合物はいずれも連結基一 CH2C H2CH2CH2—を有するが、 この化合物群は相溶性に優れる。
一般式 （ 1— P) 、 （ 1一 Q) 、 および （ 1一 S) で表される化合物で、 Z d がー COO—であるものは高い透明点を有し、 — C F20—であるものは低粘性 を有する。 ，
本発明の化合物ほど電圧保持率が高くかつ Δ £が大きい化合物はこれまでに例 がない。
本発明の化合物は、 上記の特長を有するので特に高い電圧保持率が必要な液晶 表示素子においての低電圧駆動をより容易にするものである。
本発明の化合物は特に T F T用液晶組成物に好適な液晶性化合物であるが、 他 の用途にも好適に活用できる。 例えば TN用液晶組成物、 ゲストホストモ一ド用 の液晶組成物、 ポリマー分散型液晶表示素子用の液晶組成物、 動的散乱モード用 の液晶組成物、 STN用の液晶組成物、 強誘電性液晶組成物、 反強誘電性液晶組 成物、 インプレーンスイッチング用の液晶組成物、 OCBモード用の液晶組成物
、 R— 0 C Bモ一ド用の液晶組成物である。
本発明において液晶性化合物とは液晶相を有する化合物または、 他の液晶と混 合しても液晶相を損なわない化合物のことである。
本発明の液晶組成物は一般式 U ) で表される化合物の 1種類以上を 0. 1〜
9 9. 9重量％、 好ましくは 1〜 5 0重量％、 より好ましくは 3〜 2 0重量％含 有することが、 優良な特性を発現するために好ましい。
本発明で提供される液晶組成物は、 一般式 U ) で表される化合物を少なくと も 1種類含有する第一成分に加え、 液晶組成物の目的に応じて一般式 （2) 〜 （ 9) で表される化合物群から任意に選択される化合物を混合し完成する。
一般式 （2 ) 〜 （4) で表わされる化合物として、 好ましくは 下の化合物を 挙げることができる。 （R3、 Y,は前記と同一の意味を示す。 ）
Figure imgf000021_0001
02
、 ！ヽ
A'
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,SZZ0/,6df/XDd P99L\m OAV
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LSZZ0IL6JU/13d W9Z,l/86 OAV
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(n
CD
99 ϊ/86 OMZZ0fc6A:l LS.dTI;>< >
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(6ε)9-
¾6
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-U-
Figure imgf000028_0002
Figure imgf000029_0001
一般式 （2) 〜 （4) で表される化合物は誘電率異方性値が正でありまた、 熱 的安定性や化学的安定性に優れており、 電圧保持率が高い （あるいは比抵抗値が 大きい） といった高信頼性が要求される T FT用の液晶組成物を調製する場合に 有用な化合物である。
一般式 （2) 〜 （4) で表される化合物の使用量は、 T FT用の液晶組成物を 調製する場合、 液晶組成物の全重量に対して 1〜9 9重量％の範囲で任意に使用 できるが、 好ましくは 1 0〜9 7重量％、 より好ましくは 4 0〜9 5重量％であ る。 また、 その際には一般式 （7) 〜 （9 ) で表される化合物を含有してもよい 。 S TN表示方式、 TN表示方式用の液晶組成物を調製する場合にも一般式 （2 ) 〜 （4 ) で表される化合物を使用できる。
一般式 （5 ) 、 ( 6) で表される化合物として、 好ましくは以下の化合物を挙 げることができる。 （R4、 R5、 Y2は前記と同一の意味を示す。 ）
Figure imgf000030_0001
/8 i6 O,3di. , s
ό
Figure imgf000031_0001
Figure imgf000032_0001
Figure imgf000033_0001
Figure imgf000033_0002
一般式 （5) 、 (6) で表される化合物は誘電率異方性値が正でその値が大き く、 特にしきい値電圧を小さくする目的で使用される。 また、 屈折率異方性値の 調整、 透明点を高くする等のネマチックレンジを広げる目的にも使用される。 さ らに、 STN表示方式用および TN表示方式用の液晶組成物の 「透過率 電圧曲 線の急峻性を改良する目的にも使用される。
一般式 （5) 、 (6) で表される化合物は、 特に S TN表示方式および TN表 示方式用の液晶組成物を調製する場合に有用な化合物である。
一般式 （5) 、 (6) で表される化合物の使用量を増加させると、 液晶組成物 のしきい値電圧が小さくなり、 粘度が上昇する。 したがって、 液晶組成物の粘度 が要求特性を満足する限り多量に使用した方が低電圧駆動できるので有利である 。 一般式 （5) 、 (6) で表される化合物の使用量は、 STN表示方式または T N表示方式の液晶組成物を調製する場合には 0. 1〜 9 9. 9重量％の範囲で任 意に使用できる力 好ましくは 1 0〜9 7重量％、 より好ましくは 4 0〜 9 5重 量％である。
一般式 （7 ) 〜 （9 ) で表される化合物として、 好ましくは以下の化合物を挙 げることができる。 （R6、 R 7は前記と同一の意味を示す。 ）
Figure imgf000034_0001
εε
(Ζ1·8) O o
( - 8) y/~
<
Figure imgf000035_0001
LSZZ0IL6d£fLDd
Figure imgf000036_0001
" ~0"0~ "R7 (9"1)
Figure imgf000036_0002
一般式 （7) 〜 （9) で表される化合物は、 誘電率異方性の絶対値が小さく、 ゼロに近い化合物である。 一般式 （7) で表される化合物は主として粘度調整ま たは屈折率異方性値の調整の目的で使用される。 また、 一般式 （8) および （9
) で表される化合物は透明点を高くする等のネマチックレンジを広げる目的また は屈折率異方性値の調整の目的で使用される。 一般式 （7) 〜 （9) で表される化合物の使用量を増加させると液晶組成物の しきい値電圧が大きくなる力 粘度が小さくなる。 したがつて、 液晶組成物のし きい値電圧が要求値を満足している限り、 多量に使用することが望ましい。 一般 式 （7) 〜 （9) で表される化合物の使用量は、 T FT表示方式用の液晶組成物 を調製する場合には 4 0重量％以下、 より好ましくは 3 5重量％以下が好適であ る。 また、 STN表示方式または TN表示方式用の液晶組成物を調製する場合に は 7 0重量％以下、 より好ましくは 6 0重量％以下である。
また、 本発明では、 OCB (O p t i c a l 1 y C omp e n s a t e d B i r e f r i n g e n c e) モード用液晶組成物等の特別な場合を除き、 通常 、 液晶組成物のらせん構造を誘起して必要なねじれ角を調整し、 逆ねじれ （ r e v e r s e t w i s t) を防ぐ目的で、 光学活性化合物を添加する。 本発明の 液晶組成物には、 このような目的で使用される公知のいずれの光学活性化合物も 使用することができるが、 好ましくは以下の光学活性化合物 （O p— l ) 〜 （0 P- 8) を挙げることができる。
Figure imgf000038_0001
本発明の液晶組成物は、 通常、 これらの光学活性化合物を添加して、 ねじれの ピッチ （p i t c h) 長を調整する。 ねじれのピッチ長は、 丁？丁用ぉょび丁 用の液晶組成物であれば 4 0〜2 0 0 umの範囲に調整するのが好ましい。 ST N用の液晶組成物であれば 6〜 2 0 mの範囲に調整するのが好ましい。 また、 双安定 TN (B i s t a b 1 e TN) モード用の場合は、 1. 5〜4 _(mの範 囲に調整するのが好ましい。 また、 ピッチ長の温度依存性を調整する目的で、 2 種以上の光学活性化合物を添加しても良い。
本発明に従い調製される液晶組成物は、 慣用な方法で調製される。 一般には、 種々の成分を高い温度で互いに溶解させる方法がとられている。 また、 本発明の液晶組成物は、 メロシアニン系、 スチリル系、 ァゾ系、 ァゾメ チン系、 ァゾキシ系、 キノフタロン系、 アントラキノン系、 およびテトラジン系 等の二色性色素を添加してゲストホスト （GH) モード用の液晶組成物としても 使用できる。 あるいは、 ネマチック液晶をマイクロカプセル化して作製した NC A Pや液晶中に三次元網目状高分子を作製したポリマーネッ トワーク液晶表示素 子 （PNLCD) に代表されるポリマ—分散型液晶表示素子 （PDLCD) 用の 液晶組成物としても使用できる。 その他、 複屈折制御 （ECB) モードや動的散 乱 （DS) モード用の液晶組成物としても使用できる。
一般式 （ 1 ) で表される化合物は、 いずれも公知の文献、 例えば第 4版実験化 学講座 （丸善） 、 J. O r g. Ch em. , , 1 8 2 1 ( 1 9 7 7 ) 、 J. Ch em. S o c. P e r k i n T r a n s. 2 , 2 0 4 1 ( 1 9 8 9 ) に記 載されているような公知の方法によつて製造することができる。
ここに代表的化合物の好ましい合成手順を示す。
一般式 U— A) で表される化合物の合成法。
Figure imgf000039_0001
ジェチルホスホノ酢酸ェチルに水素化ナトリゥムを作用した溶液にベンズアル デヒド誘導体 （2 3) を作用させ化合物 （2 4) を得る。 化合物 （2 4) を 0価 のパラジウムなどを触媒として水素添加し、 得られたエステル誘導体 （2 5) を ジイソブチルアルミニウムヒドリ ド （以下 D I BALと略す） を用いて還元しァ ルデヒド誘導体 （2 6) を得る。 このアルデヒド誘導体 （2 6) と 2—アルキル 一 1、 3—プロパンジオールをパラ一トルエンスルホン酸 （以下 PTSと略す） あるいは酸性イオン交換樹脂 （アンバーリスト R) などの酸性触媒存在下、 脱水 しながら還流して一般式 （ 1— A) で表される化合物を得ることができる。 一般式 （ 1—B) で表される化合物の合成法。
C
Figure imgf000040_0001
-OH
,PTS
-OH
(1-B)
グリニャール試薬 （2 7) にシクロへキサンジオンモノエチレンケタール （2 8) を作用させ 3級アルコール （2 9 ) を得る。 これを脱水、 水素添加し次いで 酸性条件下で、 脱保護するとシクロへキサノ ン誘導体 （3 1 ) を得る。 これにメ トキシメチルトリフエニルホスホニゥムクロリ ドを作用させ、 次いで酸性条件下 で脱保護して、 アルデヒド誘導体 （3 2) を得る。 これに酸性条件下で 2—アル キル一 1、 3—プロパンジオールを作用させて一般式 （ 1— B) で表される化合 物を得ることができる。
—般式 （ 1—C) で表される化合物の合成法。
(32) (EtO)2POCH2C02Et. NaH ― DIBAL
Figure imgf000040_0002
アルデヒド誘導体 （2 3 ) を （3 2 ) に代える以外は一般式 （ 1— A) で表さ れる化合物を合成するのと同様にして一般式 （ 1 —C) で表される化合物を得る ことができる。
一般式 （1— D) で表される化合物の合成法。
Figure imgf000041_0001
グリニャール試薬 （2 7) を （3 4) に代える以外は一般式 （ 1— B) で表さ れる化合物を合成するのと同様にして一般式 （ 1— D) で表される化合物を得る ことができる。
一般式 （ 1—E) で表される化合物の合成法。
Figure imgf000041_0002
—般式 （ l—A) において Yが水素原子である化合物 （3 5) を合成する。 化 合物 （3 5) にブチルリチウムを作用ざせてリチォ化し、 このリチォ化物に塩化 亜鉛、 Pd (0) および化合物 （3 6) をこの順に作用させて一般式 （ 1— E) で表される化合物を得ることができる。 この方法は J . O r g. Ch em. , 丄 , 1 8 2 1 ( 1 9 7 7 ) に記載されている方法を適用したものである。 また J . C h em. S o c. P e r k i n T r a n s. 2, 2 04 1 (1 9 8 9) に 記載の方法も適用できる。
一般式 （1一 L) で表される化合物の合成法。
H2 DIBAL
Figure imgf000042_0001
アルデヒ ド誘導体 （2 3 ) を （2 6) に代える以外は一般式 （ 1— A) で表さ れる化合物を合成するのと同様にして一般式 U—L) で表される化合物を得る ことができる。
一般式 （ 1—M) で表される化合物の合成法。
Figure imgf000042_0002
アルデヒ ド誘導体 （2 3 ) を （3 3 ) に代える以外は一般式 （ 1—A) で表さ れる化合物を合成するのと同様にして一般式 （ 1 —M) で表される化合物を得る ことができる。
一般式 （ 1 —N) で表される化合物の合成法。
Figure imgf000042_0003
1 , 3 _ジォキサン一 2—ィルェチルトリフヱニルホスホニゥムブロミ ドとカ リウム一 t一ブトキシドなどの塩基から調製したイリ ドにアルデヒド誘導体 （2 3) を作用させて、 得られた生成物を水素添加した後、 酸により脱保護してアル デヒ ド誘導体 （4 0) を得る。 これに水素化ホウ素ナトリウムなどの還元剤を作 用させて、 得られたアルコール誘導体を臭化水素酸などにより臭素化し化合物 （ 4 1 ) を得、 次いでマグネシウムを作用させてグリニャール試薬 （4 2) を調製 する。 グリニャール試薬 （2 7 ) を （4 2 ) に代える以外は一般式 （1— B) で 表される化合物を合成するのと同様にして一般式 （ 1 —N) で表される化合物を 得ることができる。
一般式 （ 1 _0) で表される化合物の合成法。
Figure imgf000043_0001
一般式 （ 1—L) において Yが水素原子である化合物 （4 3) を合成する。 化 合物 （3 5 ) を （4 3) に代える以外は一般式 （ 1 一 E) で表される化合物を合 成するのと同様にして一般式 （ 1 ー0) で表される化合物を得ることができる。 一般式 （ 1—P) で表される化合物の合成法。
Figure imgf000043_0002
化合物 （3 5) にプチルリチウムを作用させてリチォ化し、 このリチォ化物に 第 4版実験化学講座 （丸善） 2 2巻の 1 6頁に記載されているように、 二酸化 炭素を作用させることで、 カルボン酸誘導体 （4 4) を得ることができる。 この カルボン酸誘導体 （4 4) に、 同実験化学講座 2 2巻の 4 6頁に記載されている 方法を用いて、 4—ジメチルァミノピリジンと 1、 3—ジシクロへキシルカルボ ジイミ ド （以下 DC Cと略す） の共存下にフ ノール誘導体 （4 5) を作用させ 、 エステル体 （4 6) を得ることができる。 これは一般式 （ 1一 P) において Z dが一 C 00—である化合物である。
Figure imgf000044_0001
Bu i 1. S o c. C h i m. B e 1 g. , J_ , 2 9 3 ( 1 9 7 8 ) に記載 されているようにエステル体 （4 6) にローソン試薬を作用させ、 得られたチォ ンエステル （4 7) に塩化メチレンあるいはグライム溶媒中、 ジェチルアミノサ ルファートリフルオリ ド （以下 DASTと略す） を作用させるか、 特開平 6— 2 6 3 6 7 9号に記載されているように塩化メチレン、 1 , 2—ジクロロェタン中 で二氷素三フッ化テトラプチルアン乇ニゥム （£1下 TB AH 2 F 3と略す） と N 一ヨウ化こはく酸イミ ド （以下 N I Sと略す） とを作用させてジフルォロメチル エーテル （4 8) を得ることができる。 これは一般式 （ 1—P) において Z dが 一 C F20—である化合物である。
Figure imgf000045_0001
(49)
Figure imgf000045_0002
(52)
Figure imgf000045_0003
(54)
Figure imgf000045_0004
(55)
Figure imgf000045_0005
H e l v. Ch i m. Ac t a. , 2 7, 7 9 3 ( 1 944 ) に記載されてい る方法を用いてペンタン一 1 , 3, 3, 5—テトラカルボン酸テトラェチルエス テル （4 9) からシクロへキサノンー 4一力ルボン酸ェチルエステル （ 5 0 ) を 合成することができる。 あるいはシクロへキサンジオンモノエチレンケタールに メ トキシメチルトリフヱニルホスホニゥムクロリ ドを作用させ、 次いで酸性条件 下で脱保護して、 アルデヒド誘導体 （5 1 ) を得る。 これを第 4版実験化学講座 (丸善） 2 2巻の 3〜4頁に記載されている方法を用いて酸化し、 カルボン酸誘 導体 （5 2) とし、 次いでこれを第 4版実験化学講座 （丸善） 2 2巻の 44〜4 7頁に記載されている方法を用いてエステル化し、 化合物 （5 0) を合成するこ ともできる。 これにメ トキシメチルトリフヱニルホスホニゥムクロリ ドを作用さ せ、 次いで酸性条件下で脱保護して、 アルデヒ ド誘導体 （5 3) を得る。 化合物 (26) を化合物 （5 3) に代える以外は一般式 （ 1—A) で表される化合物を 合成するのと同様にして化合物 （54) を得ることができる。 これを第 4版実験 化学講座 （丸善） 2 2巻の 8〜1 1頁に記載されているアルカリ性条件下あるい は中性条件下での加水分解の方法を用いて化合物 （5 5) を合成し、 次いで第 4 版実験化学講座 （丸善） 2 2巻の 4 5〜4 7頁に記載されている方法を用いてェ ステル化して化合物 （5 6) を合成することができる。 これは一般式 （ 1一 S) において Z dがー CO 0—である化合物である。
化合物 （4 6) を化合物 （5 6) に代える以外は化合物 （4 8) を得る方法と 同様にして一般式 （ 1一 S) おいて Z dがー C F 2〇一である化合物を得ること ができる。
4環化合物である一般式 （ 1—F) 〜 U—K) および （ 1— Q) 、 (1 -R ) で表される化合物は上記 3環化合物の合成法を活用し容易に製造できる。 本発明中の 1—シラー 1, 4ーシクロへキシレン基および 4一シラー 1 , 4一 シクロへキシレン基を有する化合物は公開特許公報平 7— 7 0 1 4 8に記載の方 法を適用することにより製造できる。
さらに本発明化合物を含有する液晶組成物の例として以下の組成物例 （組成物 例 1〜4 9) を示すことができる。 なお、 各組成物例中において、 化合物の表示 は下記表 1に示す取り決めに従い、 左末端基、 結合基、 環構造および右末端基の 各欄に示された基を記号の欄に示されたそれに対応させることにより行つた。 ま た、 例えば、 下記の部分構造式において、 トランス一 1 , _4—シクロへキシレン およびトランス， トランスービシクロへキサン一 4， 4 ' 一ジィルの水素原子が 、 J !、 J 2, J 3の位置で置換された場合には、 記号 H [ I D, 2 D, 3 D] と し、 また J5、 Js、 J 7の位置で重水素原子によって置換された場合は、 記号 H [5 D, 6 D, 7 D] として [ ] 内の番号で重水素置換位置を示した。
Figure imgf000047_0001
3-HHB(F)-[lD,2D,3D,4D] 0Ϊ 本発明化合物に付した化合物 N 0. は後述の実施例中に示されるそれと同一で あり、 化合物の含有量は特に規定のない限り重量％を意味する。
また、 使用例の特性データは、 TN1 (ネマチック一等方性液体転移温度または 透明点） 、 ? (粘度：測定温度 2 0. 0 °C) 、 Δ n (屈折率異方性：測定温度 2 5. O t) , Δ ε 1 (誘電率異方性値：測定温度 2 5. 0 °C) および Vth (しき S い値電圧：測定温度 2 5. 0 °C) により示した。 7
【表 1】 表 1 記号を用いた化合物の表記方法
Figure imgf000048_0001
1 ) 左末端基 R - 3) 結合基 Z，—，一 Zn— 記号
II― -C2H 2 nOm- -COO- E
"CF20- CF20
2) 環構造~ ，>~,"^八 記号 4) 右末端基 一 X 記
- F - F
B
-C! -Cし
B(F) OCF, -OCF3 — CnH2n+1 一 n B(F,F)
H
厂 N
f>ト P
Γ o
D
o
Ch
5) 表記例
例 1 3-H2B
Figure imgf000048_0002
例 2 3~HB(F)TB-2
F
C3H7~^_)~(^ ~C≡C"<@ C2H5 組成物例 1
3 - DHB (F, F) 一 F 3, 0%
(化合物 N o. 2 1 )
3 -D 2 B (F, F) B (F) -OC F 3 3. 0%
(化合物 N C 9 8 ) 1 V 2 -B E B (F, F) 一 C 5. 0 % 3 -HB-C 2 5. 0 % 1 -BT B- 3 5. 0 %
2— BTB— 1 1 0. 0 % 3 -HH- 4 1 1. 0 %
3 -HHB- 1 5. 0 % 3 -HHB- 3 9. 0 % 3 -H 2 BTB- 2 4. 0 % 3 -H 2 BTB- 3 4. 0 %
3一 H 2 BTB - 4 4. 0 %
3 - HB (F) TB- 2 6. 0 % 3 -HB (F) TB - 3 6. 0 % 0 p - 4 0. 8部
Figure imgf000049_0001
8 3. 5 (。C)
? = 1 7. 5 (m P a · s)
Δ n = 0. 1 5 9
Δ ε 1 = 8. 1
Figure imgf000049_0002
P = 1 1 μτη
組成物例 2
3— D 2 B-C F 3 2. 0 %
(化合物 N o. 1 1
3 -D 4 B-C F 3 2， 0
(化合物 N o. 2 6 1 )
3 -DHB (F, F) B (F) 一 C L 4. 0 %
(化合物 N o. 1 7 5 )
V 2 -HB-C 1 0. 0 % 1 V 2 -HB-C 1 0. 0 % 3 -HB-C 1 1. 0 % 3 -H [ 1 D, 2 D, 3 D] B-C 9. 0%
3 -HB (F) 一 C 5. 0%
2 -BTB- 1 2. 0%
3 -HH- 4 8. 0%
3 -HH-V F F 6. 0%
2 -H [ 1 D, 2 D, 3 D] H B-C 3. 0%
3 -HHB-C 6. 0% 3 - HB (F) TB- 2 8. 0% 3 -H 2 B TB- 2 5. 0% 3一 H 2 B TB - 3 5. 0% 3 -H 2 B TB- 4 4. 0%
Figure imgf000050_0001
?7 = 1 9. 0 (mP a · s)
△ n = 0. 1 5 1
Δ ε 1 = 8. 8
Figure imgf000050_0002
組成物例 3
3 -DHB (F) -O C F 3 5. 0 %
(化合物 N o. 2 2 )
2 0 1 -B E B (F) -C 5. 0%
3 0 1 —B E B (F) - C 1 5. 0%
4 0 1 - B E B (F) - C 1 3. 0%
5 0 1 -B E B (F) -C 1 0. 0%
2一 HHB (F) 一 C 1 5. 0%
3 - HHB (F) 一 C 1 5. 0% 3 -HB (F) T B - 2 4. 0% 3 -HB (F) T B- 3 4. 0% 3 - HB (F) TB - 4 4. 0% 3 -HHB- 1 6. 0% 3一 HHB -〇 1 4. 0%
Figure imgf000051_0001
7? = 8 6. 5 (m P a · s)
△ n = 0. 1 4 8
Δ ε 1 = 3 1. 2
VTH= 0. 8 6 (V)
組成物例 4
3 -DHB (F， F) -F 3. 0 %
(化合物 N o. 2 1 )
3 -DHB (F) -OC F 3 3. 0
(化合物 N o. 2 2
5 -P y B-F 4 0 % 3 - P y B (F) -F 4 0 % 2 -BB-C 5 0 % 4 -BB-C 4 0 %
5 - BB-C 5 0 %
2 - P y B- 2 2 0 % 3— P y B— 2 2 0% 4 -P y B- 2 , 0 % 6 -P y B-05 3. 0 %
6 - P y B-06 3. 0 % 6 -P y B-07 3 , 0 %
3 - P y BB-F 6. 0 %
4 - P y BB-F 6. 0 % 5 -P y BB-F 3. 0 %
3 -HHB- 1 6. 0 % 3一 HHB - 3 8. 0 % 2 -H 2 BTB- 2 4. 0 % 2 -H 2 BTB- 3 4. 0 % 2 - H 2 BTB- 4 —5. 0%
3 - H 2 BTB- 2 5. 0 % 3 -H 2 BTB- 3 5. 0 % 3 -H 2 BTB- 4 5. 0%
Figure imgf000052_0001
9 1. 7 ）
7? = 3 5. 1 (mP a · s)
Δ n= 0. 1 9 5
Δ ε 1 = 7. 6
Figure imgf000052_0002
組成物例 5
3 -D 2 B (F, F) B (F) C F 3 5. 0%
(化合物 N o. 9 8)
3 -D 2 B-C F 3 3. 0%
(化合物 N◦. 1 1 )
3 -D 4 B-C F 3 44466355528 85 2. 0
(化合物 N o. 2 6 1
3 -DB-C 0%
4一 DB - C 0%
2 - BEB-C 0%
3 - BEB-C 0%
3 -P y B (F) — F 0%
3 - HEB-04 0%
4 - HEB-02 0%
5 - HEB-01 0% 3 -HEB-02 0% 5 -HEB-02 0%
5一 HEB - 5 0%
4一 HEB - 5 0%
1 O-BEB- 2 0% 3 -HHB- 1 —6. 0 %
3 -HHEBB-C 3. 0%
3 -HBEBB-C 3. 0 %
5 -HBEBB-C 3. 0 %
Figure imgf000053_0001
6 7. 4 ）
7? = 3 9. 9 (mP a · s)
Δ n = 0. 1 1 9
Δ ε 1 = 1 1. 1
Figure imgf000053_0002
組成物例 6
3 - DHB (F, F) -F 3. 0 %
(化合物 N o. 2 1 )
3 -D 2 B (F, F) B (F) -OC F 3 3. 0 %
(化合物 N o. 9 8 )
3 - DHB (F) -OC F 3 3. 0 %
(化合物 N o. 2 2 )
3一 HB - C 1 3. 0 %
7 -HB-C 3. 0%
1 0 1 -HB-C 6. 0 %
3 -HB (F) — C 1 0. Q %
2 -P y B- 2 2. 0%
3 -P y B- 2 2. 0 %
4一 P y B— 2 2. 0 % 1 0 1 一 HH - 3 7. 0 %
2 - BTB - 0 1 7. 0 %
3 -HHB- 1 7. 0 % 3 -HHB-F 4. 0 % 3 - HHB - 0 1 4. 0% 3 -HHB- 3 8. 0% CT/JP97/02257
3— H 2 BTB - 2 3. 0%
3 -H 2 BTB- 3 3. 0 %
2一 P y BH- 3 4. 0 %
3 -P y BH- 3 3. 0%
3 - P y BB - 2 3. 0 %
TNI= 7 9. 6 (°C)
7? = 2 1. 1 (mP a · s)
Δ η= 0. 1 3 7
Δ ε 1 = 8. 5
Figure imgf000054_0001
組成物例 7
3 - D 2 B-C F 3 4. 0
(化合物 N o 1 1
3一 DHB (F) -OC F 3 5. 0%
(化合物 N o 2 2
20 1 -BEB (F) — C 5. 0%
30 1 —BEB (F) -C 1 0. 0%
1 V 2 -BEB (F, F) 一 C 1 0. 0%
3一 HH - EM e 1 0. 0%
3 -HB-02 1 8. 0%
7 -HEB-F 2. 0%
3 -HHEB-F 2. 0%
5 -HHEB-F 2. 0%
3一 HBEB - F 4. 0%
20 1 - HBEB (F) —C 2. 0%
3 - HB (F) EB (F) — C 2. 0%
3 - HBEB (F, F) -C 2. 0%
3 -HHB-F 4. 0%
3 -HHB-0 1 4. 0% 3 -HHB- 3 1—0, 0 % 3一 HEBEB - F 2. Q%
3 - HEBEB- 1 2. 0 % TN1= 7 4. 5 (。C)
?? = 3 3. 7 (mP a - s)
△ n= 0. 1 1 0
Δ ε 1 = 2 2. 9
Figure imgf000055_0001
組成物例 8
3 - DHB (F, F) — F 3. 0 %
(化合物 N o, 2 1
3 - DHB (F, F) B (F) 一 C L 3. 0 %
(化合物 N o, 1 7 5 )
5 -BEB (F) 一 C 5. 0 % V-HB-C 1 1. 0% 5 -P y B-C 6. 0%
4 - BB- 3 1 1. 0 %
3一 HH - 2 V 1 0. 0 %
5 - HH-V 8. 0 % V - HHB - 1 7. 0%
V 2 -HHB- 1 1 5. 0% 3 -HHB- 1 9. 0 % 1 V 2 -HBB- 2 7. 0 % 3 -HHEBH- 3 5. 0 %
Figure imgf000055_0002
??= 1 9. 2 (mP a ♦ s)
△ n= 0. 1 1 6
△ ε 1 = 6. 1
Figure imgf000055_0003
組成物例 9
3 - D 2 B (F, F) B (F) -OC F 3 5. 0
(化合物 N 0. 9 8)
3 - D 2 B-C F 3 2. 0
(化合物 N 0. 1 1 )
3 - D 4 B-C F 3 3. 0
(化合物 N 0 , 2 6 1 )
3— DHB (F, F) B (F) -C L 5. 0
(化合物 N 0. 1 7 5)
2〇 1一 BEB (F) 一 C 0% 301 - BEB (F) 一 C 0% 1 V 2 -BEB (F, F) 一 C 1 6 0% 3 -HB-02 1 0 0% 3 -HH- 4 3 0% 3 -HHB-F 3 0% 3 -HHB- 1 5 0% 3 -HHB-01 4 0% 3 -HBEB-F 4 0% 3 -HHEB-F 7 0% 5 -HHEB-F 7 0% 3 -H 2 BTB- 3 4 ΰ% 3一 H 2 BTB- 4 4 0% 3 -HB (F) TB- 2 5 0%
Figure imgf000056_0001
8 7. 5 ）
?? = 4 1. 7 (mP a · s)
Figure imgf000056_0002
Δ ε 1 = 2 8. 2
Figure imgf000056_0003
組成物例 1 0 3 -D 2 B (F, F) B (F) — OC F 3 0%
(化合物 N o. 9 8)
3 -DHB (F) -OC F 3 5. 0%
(化合物 N o. 2 2)
2 -BEB-C 1 2 0%
4 -BEB-C 6 0% 3 -HB-C 2 2 0%
3 - HEB-04 1 2 0%
4 - HEB-02 0% 5 -HEB-01 0%
3 -HEB-0 6 0%
5 - HEB-02 5 0% 3 -HHB- 1 7 0%
3一 HHB - 01 4 0%
Figure imgf000057_0001
?? = 2 9. 0 (mP a · s)
Δη= 0. 1 0 7
Δ ε 1 = 1 0. 3
Figure imgf000057_0002
組成物例 1 1
3— D 4 B - C F 3 4. 0%
(化合物 N o. 2 6 1 )
3 - DHB (F， F) B (F) -CL 4. 0
(化合物 N o. 1 7 5)
2 -BEB-C 1 0 0%
5 - BB - C 0% 7 -BB-C 7 0%
1 - BTB- 3 7 0%
2 - BTB- 1 1 0 0% 1 O-BEB- 2 1—0 0%
1 O-BEB- 5 1 2 0%
2 - HHB- 1 4 0%
3 - HHB - F 4 0% 3 -HHB- 1 7, 0% 3 - HHB - 01 4 , 0% 3 -HHB- 3 9, 0% TNI= 6 4. 9 (°C)
?? = 2 0. 8 (mP a · s)
△ n = 0. 1 5 5
Δ ε 1 = 6. 9
Figure imgf000058_0001
組成物例 1 2
3 -DHB (F， F) 一 F 5. 0%
(化合物 N o. 2 1 )
3 -D 2 B (F， F) B (F) —〇C F 3 5. 0 %
(化合物 N o. 9 8)
I V 2 - BEB (F, F) — C 6. 0% 3 -HB-C 1 0. 0 %
V 2 V-HB-C 1 4. 0 % V 2 V-HH- 3 1 9. 0% 3 -HB-02 4. 0 % 3 -HHB- 1 7. 0% 3—HHB— 3 1 0, 0 % 3 -HB (F) TB- 2 4. 0 % 3 -HB (F) TB- 3 4. 0% 3 - H 2 BTB - 2 4. 0% 3 -H 2 BTB - 3 4. 0% 3 -H 2 BTB— 4 4. 0% TNI= 9 2. 6 (V)
y] = 2 \ . 4 (m P a · s)
Δ n= 0. 1 2 6
Δ ε 1 = 8. 9
Figure imgf000059_0001
組成物例 1 3
3 -D 2 B (F, F) B (F) ~OC F 3 5. 0
(化合物 N o. 9 8
3 - DHB (F) 一 OC F 3 5. 0
(化合物 N o. 2 2
5 - BTB (F) TB - 3 1 0 0 %
V 2 -HB-TC 1 0 0 %
3 -HB-TC 1 0 0 %
3 -HB-C 1 0 0 %
5 -HB-C 7 0 %
5 -BB-C 3 0 %
2 - BTB- 1 1 0 0 %
2 - BTB - 0 1 5 0 %
3 - HH- 4 5 0 %
3一 HHB - 3 1 1 0 %
3 -H 2 BTB- 2 3 0 % 3 -H 2 BTB- 3 3 , 0 % 3 -HB (F) TB- 2 3 , 0%
Figure imgf000059_0002
8 9. 4 (。C)
??= 1 8. 6 (m P a · s)
△ n = 0. 2 0 1
Δ ε 1 = 8. 7
Figure imgf000059_0003
組成物例 1 4 /JP97/02257
3 - DHB (F， F) -F 0 %
(化合物 N o. 2 1 )
3 -D 4 B-C F 3 3. 0
(化合物 N o. 2 6 1 )
Figure imgf000060_0001
??= 1 5. 6 (m P a ♦ s)
Δ n = 0. 1 2 5
Δ £ 1 = 7. 9
Figure imgf000060_0002
組成物例 1 5
3 - DHB (F, F) 一 F 4. 0 %
(化合物 N o. 2 1 )
3 - D 2 B-C F 3 4. 0%
(化合物 N o. 1 1 )
3 -DHB (F) 一 OC F 3 4. 0 %
(化合物 N o. 2 2 )
3 -DHB (F， F) B (F) 一 C L 4. 0 %
(化合物 N o. 1 7 5 ) 97
2 - HB-C —5, 0 %
3 - HB-C 7. 0 %
3 -HB-02 1 5. 0%
2 - BTB - 1 3. 0% 3 -HHB- 1 8. 0。 ',ο 3 -HHB-F 4 0 %
3一 HHB - 0 1 5 0 % 3 -HHB- 3 1 4 0 %
3 -HHEB-F 4 0 %
2 -HHB (F) 一 F 7 0 %
3 -HHB (F) -F 7 0%
3 -HHB (F, F) 一 F 5 0 %
Figure imgf000061_0001
8 6. 6 C)
77 = 2 3. 9 (mP a · s)
△ n = 0. 0 9 2
△ ε 1 = 6. 9
Figure imgf000061_0002
組成物例 1 6
3 -D 2 B-C F 3 5. 0 %
(化合物 N o. 1 1 )
3— D 4 B-C F 3 5. 0%
(化合物 N o. 2 6 1 )
3 - DHB (F, F) -F 1 0. 0%
(化合物 N o. 2 1 )
3— D 2 B (F, F) B (F) 一 OC F 3 1 0. 0%
(化合物 N o. 9 8 )
3 -DHB (F) — OC F 3 1 0. 0%
(化合物 N o. 2 2)
3— DHB (F, F) B (F) — C L 5. 0% (化合物 N o. 1 7 5)
201 -BEB (F) 一 C 5 0%
301 -BEB (F) 一 C 1 0% 1 V 2 -BEB (F， F) 一 C 7 0% 3 -HB-02 1 0 0% 3 -HHB-F 3 0% 3 -HBEB-F 4 0% 3 -HHEB-F 7, 0% 5 -HHEB-F 7 0%
Figure imgf000062_0001
??= 5 0. 4 (m P a · s)
△ n = 0. 0 9 5
Δ ε 1 = 2 8. 9
Vth= 0. 9 8 (V)
組成物例 1 7
3 -D 2 B (F, F) B (F) —〇C F 3 5. 0%
(化合物 N o. 9 8)
3 -DHB (F) -OCF 3 5. 0
(化合物 N o. 2 2)
2一 HHB (F) - F 1 7 0%
3 -HHB (F) -F 1 7 0% 5一 HHB (F) -F 1 6 0%
2 -H 2 HB (F) — F 6 0%
3 -H 2 HB (F) 一 F 5 0% 5 -H 2 HB (F) -F 1 0 0% 3 - HBB (F) 一 F 6 0% 5 -HBB (F) - F 1 3 0% 0 p - 8 0 3部
Figure imgf000062_0002
7? = 2 8. 3 (mP a · s)
Δ n = 0. 0 9 4
Δ ε 1 = 6. 8
Vth= 1. 9 9 (V)
Figure imgf000063_0001
組成物例 1 8
3 -D 2 B-C F 3 4. 0%
(化合物 N o. 1 1 )
3 - DHB (F) -O C F 3 4. 0
(化合物 N o. 2 2 )
7 -HB (F) — F 3 0 % 5 -H 2 B (F) -F 3 0 % 3一 HB - 02 1 0 0 % 3 -HH- 4 2 0%
3— HH [5 D, 6 D, 7 D] - 4 3 0 %
2 -HHB (F) 一 F 6 0%
3 -HHB (F) 一 F 1 0 0 %
5 -HH [5 D, 6 D, 7 D] B (F) F 1 0, 0 % 3 -H 2 HB (F) 一 F 5 , 0 %
2 -HBB (F) 一 F 3. 0 %
3 -HBB (F) 一 F 3. 0% 5 - HBB (F) 一 F 6. 0 %
2 -H 2 BB (F) 一 F 5. 0%
3 -H 2 BB (F) 一 F 6. 0 % 3 -HHB- 1 8 · 0 %
3一 HHB 〇 1 5. 0 % 3 -HHB- 3 4. 0 % 8 8. 4 (。C)
7? = 1 9. 3 (mP a · s) Δ n = 0. 0 9 4
Δ ε 1 =4. 0
Figure imgf000064_0001
組成物例 1 9
3 -D 2 B-C F 3 5. 0%
(化合物 N 0. 1 1 )
3 -D 4 B-C F 3 5. 0
(化合物 N 0. 2 6 1 )
3 -DHB (F, F) B (F) -C L 4， 0
(化合物 N 0. 1 7 5)
7一 HB (F, F) - F 3 0% 3 -HB-02 7 0% 3 -HHB (F) 一 F 1 0 0% 5 -HHB (F) 一 F 1 0 0%
2 -HBB (F) 一 F 9 0%
3 - HBB (F) 一 F 9 0% 5 - HBB (F) 一 F 1 6 0%
2 - HBB-F 4 0%
3 - HBB-F 4 0% 5 -HBB-F 3 0% 3 -HBB (F, F) -F 5 0% 5 - HBB (F, F) 一 F 6, 0%
Figure imgf000064_0002
7 8. 8 ( ）
??= 2 4. 3 (mP a · s)
Δ n= 0. I l l
Δ ε 1 = 6. 6
Figure imgf000064_0003
組成物例 2 0
3 -D 2 B (F, F) B (F) -OCF 3 5. 0% (化合物 N o. 9 8)
3— DHB (F, F) B (F) 一 C L 3. 0%
(化合物 N o. 1 7 5)
7— HB (F, F) -F 3. 0% 3 -H 2 HB (F, F) -F 1 2, 0% 4 -H 2 HB (F, F) -F 1 0. 0% 5 -H 2HB (F, F) — F 1 0. 0%
3 -HHB (F, F) 一 F 5. 0%
4—HHB (F, F) — F 5. 0% 3一 HH 2 B (F, F) — F 7. 0%
5 -HH 2 B (F, F) -F 1 0. 0% 3一 HBB (F, F) - F 1 2, 0% 5 -HBB (F, F) — F 1 2. 0% 3 -HBC F 2 OB (F, F) - F 6, 0%
Figure imgf000065_0001
??- 2 8. 9 (mP a · s)
△ n = 0. 0 8 9
△ ε 1 = 1 0. 0
Vth= 1. 4 6 (V)
組成物例 2 1
3 -D 4 B-C F 3 5. 0%
(化合物 N o. 2 6 1 )
3 -DHB (F) -OC F 3 5. 0%
(化合物 N o. 2 2)
3— DHB (F, F) B (F) -CL 5. 0%
(化合物 N o. 1 7 5)
7 -HB (F, F) 一 F 5 0%
3 -H 2 HB (F, F) 一 F 1 2 0%
4 -H 2 HB (F, F) — F 1 0 0% 3一 HHB (F, F) -F 1 0. 0% 3 - HBB (F, F) 一 F 1 0. 0 %
3 - HHEB (F, F) 一 F 1 0. 0%
4 -HHEB (F, F) - F 3. 0% 5— HHEB (F, F) 一 F 3. 0 %
2 -HBEB (F, F) 一 F 3, 0 %
3 -HBEB (F, F) — F 5. 0 %
5 -HBEB (F, F) 一 F 3. 0 % 3 -HDB (F, F) 一 F 5. 0 % 3 -HHBB (F, F) 一 F 6. 0 %
Figure imgf000066_0001
?7 = 3 6. 0 (mP a * s)
△ n = 0. 0 8 8
Δ ε 1 = 1 3. 7
Figure imgf000066_0002
組成物例 2 2
3 -D 2 B-C F 3 5. 0 %
(化合物 N o. 1 1 )
3 -DHB (F, F) B (F) -C L 5. 0
(化合物 N o, 1 7 5 )
3 - HB-C L 1 0 0% 5 -HB-C L 4 0 % 7 -HB-C L 4 0 % 1 0 1 - HH - 5 5 0 % 2— HBB (F) — F 3 0%
3 -HBB (F) -F 8 0% 5 -HBB (F) - F 1 4 0%
4 - HHB-C L 8 0 %
5 - HHB-C L 3 0% 3 -H 2 HB (F) -CL 4. 0% 3一 HBB (F, F) - F 1 0. 0% 5 - H 2 BB (F, F) - F 9. 0% 3 - HB (F) VB- 2 4. 0% 3 - HB (F) VB- 3 4. 0%
Figure imgf000067_0001
77 = 2 1. 3 (mP a · s)
△ n= 0. 1 2 6
Δ ε 1 = 5. 9
Figure imgf000067_0002
組成物例 2 3
3 -D 2 B (F, F) B (F) -OC F 3 7, 0%
(化合物 N o. 9 8)
3 -D 2 B - C F 3 5. 0%
(化合物 N o 1 1 )
3一 D 4 B-C F 3 5. 0%
(化合物 N o. 2 6 1 )
3 -DHB (F) 一 O C F 3 8. 0 %
(化合物 N◦. 2 2)
3 DHB (F, F) B (F) -C L 5. 0%
(化合物 N o. 1 7 5)
3 -HHB (F, F) — F 9. 0%
3 -H 2 HB (F, F) — F 8. 0 %
4一 H 2 HB (F, F) — F 8. 0% 3 -HBB (F, F) -F 1 3. 0%
5 -HBB (F, F) -F 1 0. 0% 3 - H 2 BB (F， F) — F 1 0. 0% 5 - HHBB (F, F) -F 3. 0% 5 -HHEBB-F 2. 0% 3 -HH 2 BB (F, F) 一 F —3. 0% 1〇 1 -HBBH- 4 4. 0 % TNI- 8 2. 4 (。C)
? = 3 7. 5 (mP a · s)
Figure imgf000068_0001
Δ ε 1 = 1 2. 2
Figure imgf000068_0002
組成物例 2 4
3 - D 2 B (F, F) B (F) -OC F 3 5. 0%
(化合物 N ο· 9 8)
5 - HB-F 1 2 0%
6 - HB-F 9 0%
7 - HB-F 7 0%
2 - HHB-OCF 3 7 0% 3 -HHB-OCF 3 7 0%
4 - HHB-OCF 3 7 , 0%
5 - HHB-OCF 3 5 , 0%
3 - HH 2 B-OC F 3 4 , 0% 5 -HH 2 B-OC F 3 4. 0% 3 -HHB (F, F) -OC F 3 5. 0%
3 -HBB (F) 一 F 5. 0%
5 - HBB (F) 一 F 1 0 , 0%
3 -HH 2 B (F) 一 F 3. 0%
3一 HB (F) BH - 3 3. 0% 5 -HBBH- 3 3. 0%
3 -HHB (F， F) —〇CF 2 H 4. 0%
TNI= 84. 2 (。C)
??= 1 6. 5 (m P a ♦ s)
△ n = 0. 0 9 0 △ ε 1 = 5. 5
Vth= 2. 2 5 (V)
組成物例 2 5
3 -DHB (F) -OC F 3 5. 0%
(化合物 N 0 2 2 )
3 -DHB (F, F) B (F) -C L 3. 0 %
(化合物 N 0 1 7 5
5 - H 4 HB (F, F) 一 F 7 0 % 5 -H 4 HB-OC F 3 7 0% 3 -H 4 HB (F, F) 一 C F 3 8 0% 5— H 4 HB (F, F) -C F 3 1 0 0 % 3 -HB-C L 6 0 % 5 -HB-C L 4 0 %
2 -H 2 BB (F) -F 5 0 %
3 -H 2 BB (F) 一 F 1 0 , 0 %
5 -HVHB (F, F) 一 F 5 , 0 % 3 -HHB-OC F 3 5, 0% 3 -H 2 HB-OC F 3 5. 0 % V-HHB (F) 一 F 5. 0 % 3 -HHB (F) 一 F 5. 0 % 5 -HHEB-OC F 3 2. 0% 3 -HBEB (F, F) 一 F 5■ 0% 5 -HH-V 2 F 3 · 0%
Figure imgf000069_0001
?7 = 2 8. 1 (mP a · s)
Δ η = 0. 0 9 6
Δ ε 1 = 9. 5
Figure imgf000069_0002
組成物例 2 6 3 ~D 2 B (F, F) B (F) -OC F 3 0%
(化合物 N◦. 9 8 )
3 - D 4 B-C F 3 4. 0%
(化合物 N◦. 2 6 1 )
3 - DHB (F, F) B (F) 一 CL 4. 0%
(化合物 N o. 1 7 5)
2 HHB (F) 一 F 2 0%
3 -HHB (F) 一 F 2 0% 5 -HHB (F) 一 F 2 0%
2 -HBB (F) 一 F 6 0%
3—HBB (F) 一 F 6 0% 5 -HBB (F) 一 F 4 , 0%
2 -H 2 BB (F) — F 9 , 0%
3 -H 2 BB (F) 一 F 3 , 0% 3 -HBB (F, F) 一 F 2 5. 0% 5 -HBB (F, F) -F 1 9 , 0% 1 01 -HBBH- 4 5. 0% 101 -HBBH- 5 5. 0% TNI= 9 1. 6 (°C)
?7 = 3 6. 5 (mP a · s)
Δη = 0. 1 2 9
Δ ε 1 = 9. 0
Figure imgf000070_0001
組成物例 2 7
3 -D 2 B (F, F) B (F) — OC F 3 3. 0%
(化合物 N o, 9 8)
3 -D 2 B-C F 3 3. 0%
(化合物 N o. 1 1 )
3— DHB (F) -OC F 3 3. 0 /JP97/02257
(化合物 N o 2 2 )
5 -HB-C L 8 0 %
3一 HH - 4 7 0%
3 -HB-02 2 0 0%
3 -H 2 HB (F， F) — F 8 0%
3一 HHB (F, F) - F 8 0%
3 -HBB (F, F) - F 6 0%
3 - HHB (F) 一 F 5 0 %
5一 HHB (F) 一 F 5 0%
2 -H 2 HB (F) 一 F 2 0%
3 -H 2 HB (F) 一 F 1 0 %
5 -H 2 HB (F) 一 F 2 , 0 %
3 -HHBB (F, F) - F 4 , 0 %
3 -HBC F 2 OB - OC F 3 4 , 0%
5 -HBC F 2 OB (F, F) -C F 3 4. 0%
3 -HHB- 1 3. 0 %
3一 HHB - 0 1 4. 0%
T NI = 6 9. 5 (°C)
7? = 1 8. 0 (mP a · s)
Δ n= 0. 0 8 4
Δ ε 1 - 5. 4
Figure imgf000071_0001
組成物例 2 8
3— D 2 B (F, F) B (F) 一〇C F 3 5. 0%
(化合物 N o. 9 8 )
3 -BEB (F) 一 C 0 %
3 -HB-C 0 %
V-HB-C 0%
1 V-HB-C 0 % 3— HB - 02 3 0% 3 -HH- 2 V 1 4 0%
3一 HH - 2 V 1 7 0% V 2 -HHB- 1 1 5 0%
3 -HHB- 1 5 0% 3 -HHEB-F 7 0% 3 -H 2 BTB- 2 6 0% 3一 H 2 BTB - 3 6 0% TNI= 9 1. 9 (°C)
? = 1 8. 7 (mP a · s)
△ n= 0. 1 2 6
Δ ε 1 = 9. 6
Figure imgf000072_0001
組成物例 2 9
3 -D 4 B-C F 3 4. 0
(化合物 N o. 2 6 1 )
3 -DHB (F) -OC F 3 5. 0 %
(化合物 N o. 2 2)
3 - DHB (F, F) B (F) -C L 3. 0
(化合物 N o. 1 7 5)
3 -H 2 HB (F, F) -F 7. 0% 5 -H 2 HB (F, F) — F 8. 0% 3 -HHB (F, F) - F 1 0, 0% 3一 HH 2 B (F, F) - F 9, 0% 5一 HH 2 B (F, F) - F 9. 0%
3 -HBB (F, F) -F 1 5, 0% 5 -HBB (F, F) - F 1 0, 0%
4 -HBEB (F, F) — F 2, 0%
5 -HBEB (F, F) — F 2, 0% 3 -HHEB (F, F) - F 1— 0. 0%
4 -HHEB (F, F) — F 3. 0%
5 -HHEB (F, F) - F 3. 0%
Figure imgf000073_0001
7 = 3 3. 4 (mP a · s)
△ n = 0. 0 9 0
Δ ε 1 = 1 2. 0
Figure imgf000073_0002
組成物例 3 0
2 -DH 2 B (F) 一 F 5. 0
(化合物 N o. 5 1 )
2 -D 2 BEB-C L 5. 0%
(化合物 N 0. 3 1 1
2 -HHB (F) -F 1 7 0%
3 -HHB (F) 一 F 1 7 0% 5— HHB (F) 一 F 1 6 0% 3 -H 2 HB (F) 一 F 5 0% 5 - H 2 HB (F) -F 1 0 0%
2 -HBB (F) 一 F 6 0%
3一 HBB (F) 一 F 6 0% 5 - HBB (F) 一 F 1 3 , 0% 組成物例 3 1
2一 HD 2 B (F) -C F 3 5. 0
(化合物 N o. 4 6 )
3 -D 2 B (F) C F 2 OB (F) -C F 3 5. 0%
(化合物 N o. 3 1 7)
7 -HB (F) 一 F 5 0% 5 -H2 B (F) -F 5 0% 3一 HB— 02 1 0 0% 3 -HH- 4 2. 0 %
3— HH [5 D, 6 D, 7 D] — 4 3. 0 % 3 -HHB (F) 一 F 1 0. 0% 5 -HH [5 D, 6 D, 7 D] B (F) F 1 0. 0 % 3 -H 2 HB (F) 一 F 5. 0%
2 -HBB (F) 一 F 3. 0%
3 -HBB (F) -F 3. 0% 5 -HBB (F) 一 F 6. 0 %
2 - H 2 BB (F) 一 F 5. 0%
3 -H 2 BB (F) 一 F 6. 0% 3一 HHB - 1 8. 0 %
3一 HHB - 01 5. 0% 3一 HHB - 3 4. 0 % 組成物例 3 2
2 -DH 2 B (F) — F 5. 0 %
(化合物 N 0. 5 1 )
3 - D 2 HB (C L) OC F 2 H 5. 0%
(化合物 N 0. 4 0)
7 -HB (F, F) 一 F 3. 0% 3 -HB-02 7. 0%
2 -HHB (F) -F 1 0. 0%
3 -HHB (F) -F 1 0. 0% 5 - HHB (F) 一 F 1 0. 0%
2 -HBB (F) — F 9. 0%
3 -HBB (F) -F 9. 0% 5 -HBB (F) — F 1 6. 0%
2 - HBB-F 4. 0%
3 - HBB-F 4. 0% 5 -HBB-F 3. 0% 3 -HBB (F, F) -F 0% 組成物例 3 3
2 -HD 2 B (F) 一 C F 3 5. 0°A
(化合物 N o. 4 6)
2 -D 2 BEB-C L 5. 0%
(化合物 N o. 3 1 1 )
3 -D 2 HB (C D -OC F 2 H 5. 0%
(化合物 N o. 4 0)
7一 HB (F, F) -F 3 0%
3 -H 2 HB (F, F) 一 F 1 2 0%
4 -H 2 HB (F, F) 一 F 1 0 0%
3 -HHB (F, F) - F 5 0%
4 -HHB (F, F) - F 5 0%
3一 HH 2 B (F, F) -F 1 5 0%
5 -HH 2 B (F, F) - F 1 0 0% 3 -HBB (F, F) 一 F 1 2 0%
5一 HBB (F, F) - F 7 0% 3 -HBC F 2 OB (F, F) 一 F 6 0% 組成物例 3 4
3 - D 2 B (F) C F 2 OB (F) — C F 3 5. 0 %
(化合物 N o. 3 1 7 )
1 -HD 2 B (F) B (F, F) -OC F 2 C FHC F 3
(化合物 N o. 2 3 6 )
3. 0%
7 -HB (F, F) -F 5. 0%
3 -H 2 HB (F， F) 一 F 1 2. 0%
4 -H 2 HB (F, F) 一 F 1 0. 0%
3 -HHB (F, F) - F 1 0. 0 %
4一 HHB (F, F) 一 F 5. 0% 3— HBB (F, F) - F 1—0 0%
3 -HHEB (F, F) - F 1 0 0%
4一 HHEB (F, F) 一 F 3 0%
5 -HHEB (F, F) -F 3 0%
2 -HBEB (F, F) 一 F 3 0%
3 -HBEB (F， F) — F 5 0% 5 - HBEB (F, F) 一 F 3 0% 3 -HDB (F, F) - F 1 0 0% 3 -HHBB (F, F) - F 3 , 0% 組成物例 3 5
2 -DH 2 B (F) - F 5. 0%
(化合物 N o. 5 1 )
3 - HB-C L 1 0 0% 5 -HB-C L 4 0% 7 -HB-C L 4 0% 1〇 1一 HH 5 5 0%
2 - HBB (F) — F 8 0%
3 -HBB (F) -F 8 0% 5 -HBB (F) 一 F 9 0%
4 - HHB-CL 8 0%
5 - HHB-CL 8 0% 3 -H 2HB (F) -CL 4 0% 3一 HBB (F, F) — F 1 0 0% 5 -H 2 BB (F, F) — F 9 0% 3 -HB (F) VB- 2 4, 0% 3一 HB (F) VB- 3 4, 0% 組成物例 3 6
2 -HD 2 B (F) — C F 3 4. 0%
(化合物 N o. 4 6) 1 -HD 2 B (F) B (F, F) — 0C F 2 C F— HCF 3
(化合物 N o. 2 3 6 )
3. 0%
3 -D 2 B (F, F) B (F) B (F) -OC F 2 H
(化合物 N o. 2 2 8 )
3. 0%
3 -HHB (F, F) - F 9. 0%
3— H 2 HB (F, F) - F 8. 0%
4 -H 2 HB (F, F) -F 8. 0% 5 -H 2 HB (F, F) — F 4. 0%
3—HBB (F, F) — F 1 9. 0%
5—HBB (F, F) —F 2 0. 0 % 3 - H 2 BB (F, F) - F 1 0. 0% 5 - HHBB (F, F) 一 F 3. 0% 5 -HHEBB-F 2. 0%
3 -HH 2 BB (F, F) - F 3. 0%
101 -HBBH- 5 4. 0% 組成物例 3 7
3 - D 2 B (F) C F 2 OB (F) -C F 3 5. 0 %
(化合物 N o. 3 1 7)
3 - D 2 HB (CD -OCF 2 H 5. 0%
(化合物 N o. 4 0)
5 -HB-F 1 2. 0%
6 -HB-F 9. 0 % · 7 -HB-F 7. 0%
2 -HHB-OC F 3 7. 0%
3-HHB-OC F 3 7. 0%
4—HHB - OCF 3 7. 0%
5 -HHB-OC F 3 5. 0% 3 -HH 2 B-OC F 3 A 0% 5 -HH 2 B-OC F 3 4 0% 3一 HHB (F， F) — OC F 3 5 0% 3一 HBB (F) - F 1 0 0% 3 -HH 2 B (F) -F 3 0% 3一 HB (F) BH - 3 3 0% 5 -HBBH- 3 3 0% 3 -HHB (F, F) -OC F 2 H 4 0% 組成物例 3 8
' 2 -DH 2 B (F) - F 5, 0%
(化合物 N o. 5 1 )
2 -HD 2 B (F) - C F 3 5. 0%
(化合物 N o. 4 6 )
2 -D 2 BEB-C L 5. 0%
(化合物 N o. 3 1 1 )
3 -D 2 B (F) C F 2 OB (F) -C F 3 5. 0 %
(化合物 N o. 3 1 7)
3 -D 2 HB (CD -OC F 2 H 5. 0%
(化合物 N o. 4 0 )
1 -HD 2 B (F) B (F， F) -OC F 2 C FHC F 3
(化合物 N o. 2 3 6 )
3. 0%
3 -D 2 B (F, F) B (F) B (F) -OC F 2 H
(化合物 N o. 2 2 8 )
0%
2 -HHB (F) — F 0%
3 -HHB (F) 一 F 0% 5 - HHB (F) 一 F 0% 3 -HBB (F) 一 F 0% 5 -HBB (F) -F 1 0. 0% 3 -H 2 BB (F) -F 9. 0 % 3 -HBB (F, F) -F 2 0. 0 % 5 -HBB (F, F) 一 F 1 4. 0% 101 -HBBH- 5 4. 0% 組成物例 3 9
3 -D 2 B-C F 3 (化合物 N o. 1 1 ) 0% 3 -D 4 B-C F 3 (化合物 N o. 2 6 1 ) 0% 3 -DHB (F) — OC F 3
(化合物 N o. 2 2) 8 0%
2 -HHB (F) 一 F 1 1 0%
3 HHB (F) 一 F 1 1 Q% 5 - HHB (F) 一 F 1 0 0%
2 -H 2 HB (F) 一 F 1 0 0%
3 -H 2 HB (F) 一 F 5 0% 5 -H 2 HB (F) 一 F 1 0 0%
2 -HBB (F) 一 F 6 0%
3 -HBB (F) 一 F 6 0% 5 - HBB (F) 一 F 1 3 0%
Figure imgf000079_0001
7 7. 3 ）
V = 2 7 8 (m P a ， s)
Δ n = 0 0 8 5
Δ ε 1 = 6 6
Figure imgf000079_0002
組成物例 4 0
3 -DHB (F) OC F 3
(化合物 N o. 2 2) 6. 0% 3 -DHB (F, F) B (F) — C 1
(化合物 N o. 1 7 5) 1 0. 0 7 -HB (F, F) — F 3. 0% 3一 HB - 02 7. 0%
2一 HHB (F) 一 F 8. 0%
3 - HHB (F) 一 F 8. 0 % 5一 HHB (F) 一 F 8. 0%
2 -HBB (F) 一 F 8. 0%
3一 HBB (F) — F 8. 0% 5 - HBB (F) -F 8. 0 %
2 - HBB-F 4. 0%
3 - HBB-F 4. 0% 5 -HBB-F 3. 0 %
3 - HBB (F, F) 一 F 5. 0% 5 -HBB (F, F) - F 1 0. 0% TNI= 8 9. 2 (°C)
■η = 3 5. 8 (mP a · s)
Δ n= 0. 1 1 9
Δ ε 1 = 9. 0
Figure imgf000080_0001
組成物例 4 1
3 -D 2 B-C F 3 (化合物 N ο· 1 1 ) 3. 0% 3 -D 4 B-C F 3 (化合物 N o. 2 6 1 3. 0 % 3 - DHB (F, F) B (F) 一 C 1
(化合物 N o 1 7 5) 9. 0%
3 -HB-CL 6. 0% 5 -HB-C L 4. 0% 7 -HB-CL 4. 0% 101 -HH- 5 5. 0% 2 -HBB (F) 一 F 7 0%
3 - HBB (F) 一 F 7 0% 5 - HBB (F) -F 7 0%
4 - HHB-C L 8 0%
5 - HHB-C L 8 0%
3 -H 2 HB (F) -C L 4 0% 3 - HBB (F, F) 一 F 0% 5 - H 2 BB (F, F) 一 F 9 0% 3 - HB (F) VB- 2 4 0% 3 -HB (F) VB- 3 4 0%
Figure imgf000081_0001
V = 3 3 (m P a · s)
Δ n = 0 1 2 7
Δ e 1 = 6 9
Figure imgf000081_0002
組成物例 4 2
3 - D 2 B - C F 3 (化合物 N o 1 1 ) 5. 0% 3 - D 4 B - C F 3 (化合物 N o 2 6 1 ) 5. 0% 3 - DHB (F) -OC F 3
(化合物 N o 2 2 1 0. 0% 3 -DHB (F, F) B (F) — C 1
(化合物 N o. 1 7 5) 1 0. 0% 3— HHB (F, F) 一 F 9. 0%
3 -H 2 HB (F, F) 一 F 6. 0%
4 -H 2 HB (F, F) 一 F 6. 0%
5 -H 2 HB (F, F) — F 6. 0% 3 -HBB (F, F) 一 F 1 1. 0%
5 -HBB (F， F) 一 F 8. 0% 3 -H 2 BB (F, F) - F 8. 0 % 5 - HHBB (F, F) - F 3. 0 % 5一 HHEBB - F 2. 0 % 3一 HH 2 BB (F, F) F 3. 0% 101 -HBBH- 4 4. 0 % 101 -HBBH- 5 4. 0%
Figure imgf000082_0001
9 3. 6 (。C)
7 = 4 4 1 (m P a · s)
Δ n = 0 1 1 2
Δ ε 1 = 1 2 3
Figure imgf000082_0002
組成物例 4 3
3 -D 2 B-C F 3 (化合物 N 0. 1 1 ) 5. 0% 3 -D 4 B-C F 3 (化合物 N o. 2 6 1 ) 5. 0 %
3— DHB (F) 一〇 C F 3
(化合物 N 0. 2 2 1 2. 0%
5 - HB-F 7. 0%
6 - HB-F 4. 0 %
7 - HB-F 7. 0 % 2 -HHB-O C F 3 7. 0% 3 - HHB - OC F 3 7. 0%
3一 HH 2 B-OC F 3 4. 0%
5一 HH 2 B-OC F 3 4. 0 %
3 -HHB (F, F) -O C F 3 5. 0 %
3 - HB B (F) - F 1 0. 0 %
5 - HBB (F) 一 F 1 0. 0 %
3一 HH 2 B (F) — F 3. 0 %
3 -HB (F) BH- 3 3. 0 %
5一 HBBH— 3 3. 0% 3 -HHB (F, F) OC F 2 H 4. 0%
Figure imgf000083_0001
6 5. 0 (。C)
V = 2 1. 5 (m P a ♦ s)
△ n = 0. 0 8 9
Δ ε 1 - 7. 2
Figure imgf000083_0002
組成物例 4 4
3— DHB (F) OC F 3
(化合物 N o. 2 2) 1 0. 0 % 3 -DHB (F, F) B (F) 一 C 1
(化合物 N o. 1 7 5) 5 0%
2 -HHB (F) 一 F 2 0%
3 -HHB (F) 一 F 2 0% 5一 HHB (F) 一 F 2 0%
2 - HBB (F) 一 F 6 0%
3 - HBB (F) 一 F 6 0% 5 - HBB (F) 一 F 1 0 0%
2 -H 2 BB (F) 一 F 9. 0%
3 -H 2 BB (F) 一 F 9 , 0%
3— HBB (F, F) 一 F 1 5. 0%
5 -HBB (F, F) F 1 9. 0% 101 -HBBH- 4 5. 0%
TNI= 9 1. 1
V = 3 9. 8 (m P a · s)
Δ n= 0. 1 3 0
Δ ε 1 = 9. 4
Figure imgf000083_0003
組成物例 4 5
3— DHB (F) -OC F 3 (化合物 N ο. 2 2 1 5 0% 3 -H 2 HB (F, F) — F 7 0% 5 -H 2 HB (F, F) 一 F 8 0%
3 -HHB (F, F) -F 1 0 0%
4 -HHB (F， F) 一 F 5 0%
3一 HH 2 B (F, F) F 9 0%
5 -HH 2 B (F, F) -F 9 0% 3 - HBB (F, F) — F 1 5 , 0%
3 - HBEB (F, F) 一 F 2 , 0%
4一 HBEB (F, F) 一 F 2. 0%
5 - HBEB (F, F) 一 F 2. 0%
3 -HHEB (F, F) 一 F 1 0. 0%
4 -HHEB (F, F) — F 3 , 0%
5 -HHEB (F， F) 一 F 3. 0%
Figure imgf000084_0001
8 1. 0 (。C)
7j = 3 3. 4 (mP a · s)
Δ n= 0. 0 8 6
Δ £ 1 = 1 2. 4
Vth= 1. 6 9 (V)
組成物例 4 6
3 - DHB (F) — OC F 3
(化合物 N o. 2 2) 1 0. 0% 1 V 2 -BEB (F, F) 一 C 5. 0% 3 -HB-C 1 5. 0% 1 -BTB- 3 5. 0% 2 - BTB - 1 1 0. 0% 3 -HH-4 1 1. 0% 3 -HHB- 1 1 1. 0% 3 -HHB- 3 9. 0% 3 - H 2 BTB - 2 4 0% 3 -H 2 BTB - 3 4 0% 3— H 2 BTB - 4 4 0% 3 -HB (F) TB - 6 0% 3 -HB (F) TB - 6 0 %
Figure imgf000085_0001
V = 2 3. 1 (m P a ' s)
Δ n= 0. 1 6 1
Δ ε 1 = 9. 4
Vth= 1. 8 3 (V)
組成物例 4 7
3 -D 2 B-C F 3 (化合物 N o. 1 1 ) 5. 0 % 3 -D 4 B-C F 3 (化合物 N o. 2 6 1 5. 0 %
3—DHB (F) 一 OC F 3
(化合物 N o. 2 2 ) 4. 0 % 30 1 -BEB (F) 一 C 1 2. 0% 1 V 2 -BEB (F, F) -C 1 6. 0% 3 -HB-02 5. 0% 3 -HH- 4 3. 0 % 3一 HHB - F 3. 0% 3 -HHB- 1 8. 0% 3一 HHB - 0 1 4. 0% 3 -HBEB-F 4. 0% 3 -HHEB-F 7. 0 % 5 -HHEB-F 7. 0% 3 -H 2 BTB- 2 4. 0% 3一 H 2 BTB- 3 4. Q% 3 H 2 BTB - 4 4. 0% 3 -HB (F) TB- 2 5. 0% /JP97/02257
Figure imgf000086_0001
8 0 6 ）
= 3 9 6 ： m P a · s)
Δ n = 0 1 3 1
Δ ε 1 = 2 6 8
Vth= 11. 00 33 (V)
組成物例 4 8
3 -D 2 B-C F 3 (化合物 N o. 1 1 ) 5. 0% 3 -DHB (F， F) B (F) — C 1
(化合物 N 0. 1 7 5 ) 7. 0%
2 -HB-C 5. 0%
3 -HB-C 1 2. 0%
3 -HB-02 1 0. 0%
2— BTB— 1 3. 0 %
3 -HHB- 1 8. 0% 3 -HHB-F 4„ 0% 3— HHB— 0 1 5. 0% 3 -HHB- 3 1 4. 0% 3 -HHEB-F 4. 0% 5 -HHEB-F 4. 0%
2 - HHB (F) — F 7. 0%
3 - HHB (F) — F 7. 0% 3 -HHB (F, F) -F 5. 0% TNI= 9 6. 8 (で）
77 = 2 5 7 (m P a · s)
Δ n ^ 0 0 9 7
Δ ε 1 = 7 0
1 9 8 (V)
組成物例 4 9
3 -DHB (F) -OC F 3 (化合物 N o. 2 2) 4. 0%
3 - DHB (F, F) B (F) 一 C 1
(化合物 N o. 1 7 5 ) 5 0%
3 - BEB (F) 一 C 8 0% 3 -HB-C 4 0% V-HB-C 8 0% 1 V-HB-C 0% 3 -HB-02 3 0% 3一 HH— 2 V 1 4 0% 3一 HH - 2 V 1 7 0% V 2一 HHB - 1 1 5 0% 3 -HHB- 1 5 0% 3 -HHEB-F 7 0% 3 -H 2 BTB- 2 6 0% 3— H 2 BTB— 3 6 0 %
TNI = 9 8 7 (°C)
V = 2 2 0 (m P a · s)
△ n = 0 1 2 8
Δ ε 1 = 1 0 0
Figure imgf000087_0001
発明を実施するための最良の形態
£1下実施例により本発明をさらに詳しく説明する。 なお各実施例中において、 Cは結晶、 S X 1および S X 2はそれぞれ互いに異なるスメクチック相、 Nはネ マチック相、 Iは等方性液体相を示す。
実施例 1
5—プロピル一 2— (4— (3, 4 , 5—トリフルオロフェニル） 一シクロへ キシル） 一 1 , 3—ジォキサン （ （ 1 ) 式において、 R = n—プロピル基、 n l =n 2 = 0. A- (a) 、 Z a = Z b=単結合、 C = Q2=フッ素原子、 Y = 7 ッ素原子である化合物 （N o. 2 1 ) の製造。 (第一段）
乾燥したテトラヒドロフラン （以下 THFと略す） 3 6 O m l中で 3, 4, 5 一トリフルォ口ブロモベンゼン 1 0 0 g ( 4 7 4 mm o 1 ) とマグネシウムとか ら室温で調製したグリニヤール試薬に、 室温でシクロへキサンジオンモノェチレ ンケタール 7 4. 0 g ( 4 7 4 mmo 1 ) の THF ( 5 0 0 m l ) 溶液を滴下し 、 室温で 5時間撹拌した。 反応液を 6 N—塩酸 1 1に加え、 生成物をジェチルェ —テルで抽出した。 抽出液を水、 飽和重曹水、 水でこの順に洗浄した後、 無水硫 酸マグネシウムで乾燥した後、 溶媒を減圧にて留去した。 残分にパラトルエンス ルホン酸 （ TFPTSと略す） 5 gおよびトルエン 6 0 0 m lを添加し、 生成す る氷をジーンスタークを用いて除去しながら、 3時間加熱還流した。 反応液を水 、 飽和重曹水、 水でこの順に洗浄し、 硫酸マグネシウムで乾燥した後、 溶媒を減 圧にて留去した。 残分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー （展開溶媒：ヘプ タン //酢酸ェチル = 4/ 1 ) により精製した。 かく して得られた精製物を 5 %パ ラジウムカーボン 5 gを触媒として用いてエタノール 3 0 0 m l中で水素添加し た。 触媒をろ別した後、 溶媒を減圧にて留去し、 残分をシリカゲルカラムクロマ トグラフィ一 （展開溶媒：ヘプタン/酢酸ェチル = 3/ 1 ) により精製し、 4一 ( 3, 4 , 5 _トリフルオロフヱニル） シクロへキサノン 5 2 g ( 2 2 8 mm o 1 ) を得た。 このものの 3, 4, 5—トリフルォロブ口モベンゼンからの収率は 4 8. 1 %であった。
(第二段）
乾燥したメ トキシメチルトリフヱニルホスホニゥムクロリ ド （以下 MTPと略 す） 2 5 g ( 7 2. 9 mmo 1 ) に、 THF 3 0 0 m 1を加え、 次いで室温で力 リウム一 t—ブトキシド 8. 2 g (7 3. 1 mmo 1 ) を加え、 約 1時間撹拌し た。 この反応液に室温で上記の 4一 （ 3 , 4 , 5—トリフルオロフヱニル） シク 口へキサノン 1 4. 8 g ( 6 4. 9 mmo 1 ) の THF ( 1 5 0 m l ) 溶液を滴 下し、 2時間撹拌した後、 反応液に水 3 0 0 m lを加え、 生成物をトルエンで抽 出した。 抽出液を食塩水で洗浄した後、 無水硫酸マグネシウムで乾燥し、 次いで 溶媒を留去した。 残分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー （展開溶媒： トル ェン） により精製した。 得られた精製物を室温で 3 N—塩酸 2 0 0 m lと THF 2 0 0 m l との混合溶媒中で 5時間撹拌した後、 生成物をトルエンで抽出した。 抽出液を飽和重曹水と氷で順次洗浄し、 無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、 ト ルェンを留去して、 4— ( 3, 4, 5—トリフルオロフェニル） シクロへキサン カルボアルデヒ ド 1 0. 5 g (4 3. 3 mmo 1 ) を得た。 このものの 4一 （ 3 , 4, 5— トリフルオロフヱニル） シクロへキサノンからの収率は 6 6. 7 %で あった o
(第三段）
2—プロピル一 1 , 3—プロパンジオール 5. 2 g (4 . 0 m 0 1 ) と 4一 (3, 4 , 5—トリフルオロフェニル） シクロへキサン力ルポアルデヒ ド 1 0. 5 g (4 3. 3 mm 0 1 ) をトルエン 1 0 0 m 1 に溶解し、 P T S 1 gを加え、 生成する水をジーンスタークを用いて除去しながら、 3時間加熱還流した。 反応 液を飽和重曹氷、 飽和食塩氷でこの順に洗浄し、 次いで無水硫酸マグネシゥムで 乾燥した後、 溶媒を留去した。 残分をヘプタンを用いて 2回再結晶して、 5—プ 口ピル一 2— (4— （ 3, 4, 5— トリフルオロフヱニル） シクロへキシルー 1 , 3—ジォキサン 2. 0 g ( 5. 8 mm 0 1 ) を得た。 このものの 4一 （3, 4 , 5—トリフルオロフヱニル） シクロへキサンカルボアルデヒ ドからの収率は 1
3 %であった。
'H-NMR (CDC 1 3) δ (p pm) ： 6. 8 8〜6. 7 1 (m, 2 H) , 4. 2 3〜4. 0 0 (m, 3 Η) , 3. 4 2〜3. 1 7 (m, 2 Η) , 2. 4 8 〜0. 8 2 (rn、 1 8 Η)
C一 I点 9 2. 8
実施例 2
5—プロピル一 2— ( 2 - (4一 （3—フルオロー 4—トリフルォロメ トキシ フエニル） 一 3, 5—ジフルオロフェニル） ェチル） 一 1 , 3—ジォキサン （一 般式 （ 1 ) において、 R = n—プロピル基、 n l = 0、 n 2 = K A= (b) 、 Z a = Z b=単結合、 環 A 1 = 3, 5—ジフルオロー 1 , 4—フエ二レン、 =フッ素原子、 Q2=水素原子、 Y=トリフルォロメ トキシ基である化合物 （Ν 0. 9 8) ) の製造。
(第一段） 6 0 %水素化ナトリウム 1 4 · 4 g ( 3 6 0 mm o 1 ) にジメ トキシエタン 3 5 O m lを加え、 これを室温で撹拌しながらジェチルホスホノ酢酸ェチル 8 0. 7 g (3 6 O mmo 1 ) のジメ トキエタン （ 5 0 m l ) 溶液を滴下した。 水素ガ スの発生終了後、 溶液を 1 5 tまで冷却し、 3, 5—ジフルォロベンズアルデヒ ド 5 0. 0 g ( 3 5 2 mm 0 1 ) のジメ トキシェタン （5 0 m l ) 溶液を液温が
2 5 °Cを越えないように滴下した。 滴下終了後室温で 3 0分撹拌し、 反応液を氷
3 0 0 m lに加え、 生成物をジェチルエーテルで抽出した。 抽出液を食塩水で洗 浄後、 硫酸マグネシウムで乾燥し、 溶媒を減圧にて留去した。 残分をシリカゲル カラムクロマ トグラフィー （展開溶媒：ヘプタン Z酢酸ェチル = 3ノ1 ) により 精製した。 かく して得られた精製物を、 5 %パラジウムカーボンを触媒として用 いてエタノール 3 0 0 m 1中で水素添加した。 水素添加終了後触媒を濾別し、 溶 媒を減圧にて留去して、 3— （3 , 5—ジフルオロフヱニル） プロピオン酸 ェ チルエステル 5 3. 0 g ( 2 4 7 mm 0 1 ) を得た。 このものの 3， 5ージフル ォ口べンズアルデヒドからの収率は 7 0. 2%であった。
(第二段）
上記の 3— （3, 5—ジフルオロフェニル） プロピオン酸ェチルエステル 5 3 . 0 g ( 2 4 7 mm 0 1 ) をトルエン 5 0 0 m 1中で撹拌しながら、 一 5 8 °Cま で冷却し、 これに D I B ALの 1. 0 1 Mトルエン溶液 2 5 5 m 1 ( 2 5 8 mm o 1 ) を滴下した後、 — 5 5 °Cで 1 5分間撹拌した。 そのままの温度で反応液に 飽和塩化アンモニゥム水 2 0 0 m lを滴下し、 室温まで加温し 3 0分間撹拌した 。 反応液にジェチルエーテル 1 0 0 m lを加え室温で 1時間撹拌した後、 硫酸マ グネシゥムを加え、 この懸濁液をセライ トを用いて濾過した。 濾液を水洗し、 有 機層を硫酸マグネシウムで乾燥し、 溶媒を減圧にて留去して、 3— （3, 5—ジ フルオロフェニル） プロパナール 4 1. 5 gを得た。 このものの 3— ( 3, 5— ジフルオロフヱニル） プロピオン酸 ェチルエステルからの収率は 9 8. 8%で めつた。
(第三段）
2—プロピル一 1 , 3—プロパンジオール 2 2. 0 g ( 1 8 6 mmo l ) と上 記の 3— ( 3 , 5—ジフルオロフェニル） プロパナール 3 0. 0 g ( 1 7 6 mm o 1 ) をトルエン 3 0 0 m l に溶解し、 PT S 1 gを加え、生成する水をジーン スタークを用いて除去しながら、 3時間加熱還流した。 反応液を飽和重曹水、 飽 和食塩水でこの順に洗浄し、 次いで無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、 溶媒を 留去した。 残分をヘプタンを用いて 2回再結晶して、 5—プロピル一 2— （4一 (3, 5—ジフルオロフェニル） ェチル） 一 1 , 3—ジォキサン 7. 5 0 g ( 2 7. 7 mm 0 1 ) を得た。 このものの 3— （ 3 , 5—ジフルオロフヱニル） プロ パナールからの収率は 1 5. 7%であった。
(第四段）
上記の 5—プロピル一 2— （4一 （3, 5—ジフルオロフェニル） ェチル） 一
1 , 3—ジォキサン 7. 5 0 g ( 7. 7 mm 0 1 ) を THF 7 0 m 1に溶解し 、 窒素雰囲気下一 6 0 °Cに冷却した。 この溶液に n—ブチルリチウムの 1. 6 0 Mへキサン溶液 2 1. 0 m l ( 3 3. 6 mm o 1 ) を液温が— 5 0 °Cを越えない ように保って滴下し、 そのままの温度で 1時間撹拌した。 次いでこの反応液に塩 化亜鉛の 0 · 5 M THF溶液6 7. 2 m l ( 3 3. 6 mmo l ) を液温が一 5
0 °Cを越えないように保って滴下した後、 室温まで加温し 3 0分撹拌した。 この 溶液にテトラキストリフエニルホスフィ ンパラジウム 0. 5 gと 3—フルオロー
4— トリフルォロメ トキシブロモベンゼン 8. 7 0 g ( 3 3. 6 mm o l ) を加 え、 3時間加熱還流した。 得られた反応液に水 1 0 0m 1を加え、 生成物をトル ェンで抽出した。 抽出液を 3 N—塩酸、 飽和重曹水および飽和食塩水で順次洗浄 し、 硫酸マグネシウムで乾燥した後、 溶媒を留去した。 残分をシリカゲルカラム クロマトグラフィ一 （展開溶媒： トルエン） により精製し、 さらにヘプタン 酢 酸ェチル = 1ノ1の混合溶媒を用いて 2回再結晶して 5—プロピル一 2— （2— (4— (3—フルオロー 4一 トリフルォロメ トキシフヱ二ル） 一 3 , 5—ジフル オロフェニル） ェチル） 一 1 , 3—ジォキサン 1. 6 0 g ( 3. 5 7 mm 0 1 ) を得た。 このものの 5—プロピル一 2— ( 4 - ( 3， 5—ジフルオロフェニル） ェチル） ー 1 , 3—ジォキサンからの収率は 1 2. 9 %であった。
'H-NMR (CDC 1 3) δ (p pm) ：
7. 4 5〜7. 2 4 (m， 3 H) , 6. 9 0〜6. 8 0 (m, 2 Η) , 4. 4 6 ( t , 1 Η) , 4. 1 9〜4. 0 1 (m, 2 Η) , 3. 4 4〜3. 1 9 (m、 2 H) , 2. 8 5〜2. 1 6 (m, 2 H) , 1. 2 8〜0. 8 2 (m、 9 H) 。
C— I点 5 7. 8で
実施例 3
5—プロピル一 2— （4— ( 3—フルオロー 4一 トリフルォロメ トキシフエ二 ル） シクロへキシル） 一 1 , 3—ジォキサン （一般式 （ 1 ) において、 R = n— プロピル基、 n l =n 2 = 0、 A= (a) 、 Z a = Z b =単結合、 Q , =フッ素 原子、 Q2 =水素原子、 Y=トリフルォロメ トキシ基である化合物 （N o. 2 2 ) ) の製造。
(第一段）
乾燥した T H F 3 0 0 m 1中で 3—フルォロ一 4—トリフルォロメ トキシブロ モベンゼン 7 0. 0 g ( 2 7 0 mm 0 1 ) とマグネシウムとから室温で調製した グリニャール試薬に、 室温でシクロへキサンジオンモノエチレンケタール 4 2. 1 g ( 2 7 0 mmo 1 ) の THF ( 2 0 0 m l ) 溶液を滴下し、 室温で 3時間撹 拌した。 反応液を 6 N—塩酸 1 1に加え、 生成物をジェチルエーテルで抽出した 。 抽出液を氷、 飽和重曹氷、 水でこの順に洗浄し、 無水硫酸マグネシウムで乾燥 した後、 溶媒を減圧にて留去した。 残分をパラトルエンスルホン酸 5 g存在下、 生成する氷をジーンスタークを用いて除去しながら、 トルエン 5 0 0 m 1中で 3 時間加熱還流した。 反応液を氷、 飽和重曹水、 水でこの順に洗浄し、 硫酸マグネ シゥムで乾燥した後、 溶媒を減圧にて留去した。 残分をシリカゲルカラムクロマ トグラフィ一 （展開溶媒：ヘプタン 酢酸ェチル = 4/ 1 ) により精製した。 か く して得られた精製物を、 5 %パラジウム力一ボン 5 gを触媒として用いてエタ ノール 3 0 0 m l中で水素添加した。 触媒をろ別した後、 溶媒を減圧にて留去し 、 これに蟻酸 2 0 gとトルエン 2 0 0 m 1を加え 3時間還流した。 冷却後、 反応 液に氷 3 0 0 m lを加え、 有機層を分取し、 水、 飽和重曹水、 氷でこの順に洗浄 し、 無水硫酸マグネシウムで乾燥し、 溶媒を留去した。 残分をシリカゲルカラム クロマトグラフィー （展開溶媒：ヘプタンノ酢酸ェチル = 3ノ1 ) により精製し 、 4一 （ 3—フルオロー 4一トリフルォロメ トキシフヱニル） シクロへキサノン 2 2. 0 g ( 8 4. 5 mmo 1 ) を得た。 このものの 3—フルオロー 4一 トリフ ルォロメ トキシブロモベンゼンからの収率は 3 1. 3%であった。 (第二段）
乾燥した MTP 1 0. 0 g (2 9. 2 mmo 1 ) に、 THF 1 0 0 m 1を加え 、 次いで室温でカリウム— t—ブトキシド 3. 3 0 g ( 2 9. 4 mmo l ) を加 え、 約 1時間撹拌した。 この反応液に室温で上記の 4一 （ 3—フルオロー 4ート リフルォロメ トキシフエニル） シクロへキサノン 6. 0 g ( 2 3. 1 mm 0 1 ) の THF ( 5 O m 1 ) 溶液を滴下し、 2時間撹拌した。 反応液に水 1 5 0 m 1を 加え、 生成物をジェチルエーテル抽出した。 抽出液を食塩水で洗浄し、 無水硫酸 マグネシウムで乾燥した後、 溶媒を留去した。 残分をシリカゲルカラムクロマト グラフィ一 （展開溶媒： トルエン） により精製した。 かく して得られた精製物を 室温で 3 N—塩酸 2 0 O m 1 とアセトン 2 0 0 m 1の混合溶媒中で 5時間撹拌し た後、 生成物をトルエンで抽出した。 抽出液を飽和重曹氷と水で順次洗浄し、 無 水硫酸マグネシウムで乾燥した後、 トルエンを留去して、 4一 （ 3—フルオロー 4— トリフルォロメ トキシフエ二ル） シクロへキサンカルボアルデヒ ド 3. 6 g ( 1 3. 3 mm o 1 ) を得た。 このものの 4— ( 3—フルオロー 4— トリフルォ ロメ トキシフヱニル） シクロへキサノンからの収率は 5 7. 6%であった。
(第三段）
2—プロピル一 1， 3—プロパンジオール 2. 2 g ( 1 8. 5 m o l ) と 4— ( 3一フルオロー 4—トリフルォロメ トキシフヱニル） シクロへキサンカルボア ルデヒ ド 3. 6 g ( 1 3. 3 mm 0 1 ) をトルエン 5 0 m 1 に溶解し、 PT S 0 . 5 gを加え、 生成する水をジーンスタークを用いて除去しながら、 3時間加熱 還流した。 反応液を飽和重曹氷、 飽和食塩水でこの順に洗浄し、 無水硫酸マグネ シゥムで乾燥した後、 溶媒を留去した。 残分をヘプタンを用いて 2回再結晶して 、 5—プロピル一 2— （4一 （3—フルオロー 4— トリフルォロメ トキシフエ二 ル） シクロへキシル一 1， 3—ジォキサン 1. 2 2 g ( 3. 1 2 mmo 1 ) を得 た。 このものの 4— ( 3—フルオロー 4一トリフルォロメ トキシフヱニル） シク 口へキサンカルボアルデヒ ドからの収率は 2 3. 5 %であった。
'H-NMR (C DC 1 3) δ (p pm) ： 7. 1 8〜6. 8 2 (m, 3 H) ， 4. 1 4-3. 9 0 (m, 3 H) , 3. 2 3〜3. 0 7 (m， 2 H) , 2. 3 8 (m、 1 H) , 1. 9 2〜0. 7 2 (m、 1 6 H) C— S x l点 5 2. 0 °C， 3 1ー3 2点 8 3.— 2 °C, S x 2— I点 1 1 7. 5 。
実施例 4
5—プロピル一 2— （2— ( 4—トリフルォロメチルフエニル） ェチルー 1 , 3—ジォキサン （一般式 （ 1 ) において、 R = n—プロピル基、 n l =n 2 = 0 、 A= (b) 、 Z a Z b-単結合、 Ch-C :水素原子、 Y=トリフルォロメ チル基である化合物 （N o. 1 1 ) ) の製造。
(第一段）
6 0 %水素化ナトリウム 2 4 · 8 g ( 6 2 0 rnm 0 1 ) にジメ トキシエタン 7 0 Om lを加え、 これを室温で撹拌しながらジェチルホスホノ酢酸ェチル 1 3 9 g ( 6 2 0 mm 0 1 ) のジメ トキエタン （ 1 0 0 m l ) 溶液を滴下した。 水素ガ スの発生終了後、 溶液を 1 0 °Cまで冷却し、 4— トリフルォロメチルベンズアル デヒド 1 0 0 g ( 5 7 4 mm 0 1 ) のジメ トキシエタン （ 1 0 0 m l ) 溶液を液 温が 2 5 °Cを越えないように滴下した。 滴下終了後室温で 3 0分間撹拌した後、 反応液を水 1 1に加え、 生成物をジェチルェ—テルで抽出した。 抽出液を食塩水 で洗浄し、 硫酸マグネシウムで乾燥した後、 溶媒を減圧にて留去した。 残分をシ リカゲルカラムクロマトグラフィ一 （展開溶媒：ヘプタンノ酢酸ェチル = 3ノ 1 ) により精製した。 かく して得られた精製物を、 5%パラジウムカーボンを触媒 として用いてエタノール 3 0 0 m 1中で水素添加した。 触媒を濾別し、 溶媒を減 圧にて留去して、 3— （4一トリフルォロメチルフエニル） プロピオン酸ェチル エステル 8 1. 0 g ( 3 2 9 mm 0 1 ) を得た。 このものの 4一 トリフルォロメ チルベンズアルデヒドからの収率は 5 7. 3%であった。
(第二段）
上記の 3— （4—トリフルォロメチルフエニル） プロピオン酸ェチルエステル 8 1. 0 g ( 3 2 9 mm 0 1 ) のトルエン （ 5 0 0 m 1 ) 溶液を撹拌しながら― 6 0でまで冷却し、 これに D I B ALの 1. 0 1 Mトルエン溶液 3 2 9 m 1 (3 3 2mmo 1 ) を滴下した後、 一 5 5 °Cで 1 5分間撹拌した。 そのままの温度で 反応液に飽和塩化アンモニゥム氷 2 0 0 m lを滴下した後、 室温まで加温し 3 0 分間撹拌した。 反応液にエーテル 1 0 0 m 1を加え室温で 1時間撹拌した後、 硫 酸マグネシウムを加え、 この懸濁液をセライ トを用いて濾過した。 濾液を水洗し 、 有機層を硫酸マグネシウムで乾燥し、 溶媒を減圧にて留去した。 残分をシリカ ゲルカラムクロマトグラフィー （展開溶媒： トルエン） により精製して、 3— ( 4—トリフルォロメチルフエニル） プロパナール 6 2. 5 g ( 3 0 9 mm 0 1 ) を得た。 このものの 3— （ 4一トリフルオロフヱニル） プロピオン酸ェチルエス テルからの収率は 9 3. 9 %であった。
(第三段）
2—プロピル一 1 , 3—プロパンジオール 1 7. 4 g ( 1 4 7 mmo l ) と上 記の 3— ( 4—トリフルォロメチルフエニル） プロパナール 2 0. 0 g ( 9 8. 9 mmo 1 ) をトルエン 2 0 0 m 1に溶解し、 PT S 1 gを加え、 生成する氷を ジーンスタークを用いて脱水しながら、 3時間加熱還流した。 反応を飽和重曹水 、 飽和食塩氷でこの順に洗浄し、 次いで無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、 溶 媒を留去した。 残分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー （展開溶媒： トルェ ン） により精製し、 さらにエタノールを用いて 2回再結晶して、 5—プロピル一 2 - ( 2 - ( 4一トリフルォロメチルフヱニル） ェチルーし 3—ジォキサン 1 0. 8 g ( 3 5. 7 mm 0 1 ) を得た。 このものの 3— ( 4—トリフルォロメチ ルフヱニル） プロパナールからの収率は 3 6. 1 %であった。
'Η NMR (C DC 1 3) δ (p pm) : 7. 4 1 (d d, 4 H) 、 4. 4 1 ( t , 1 H) 、 4. 1 8〜4. 0 0 (m, 2 H) 、 3. 4 1〜3. 1 6 (m, 2 H) 、 2. 8 8〜2. 7 0 (m, 2 H) 、 2. 1 4〜 8 0 (m, 3 H) 、 1 . 3 5〜0. 8 1 (m, 7 H)
C— I点 7 2. 6 °C
実施例 5
5—プロピル一 4一 （2— （ 4一トリフルォロメチルフエニル） ブチル一 1 , 3—ジォキサン （一般式 （ 1 ) において、 R = n—プロピル基、 n 1 =n 2 = 0 、 A= ( c) 、 Z a = Z b=単結合、 C = Q2 =水素原子、 Y=トリフルォロメ チル基である化合物 （N o. 2 6 1 ) ) の製造。
(第一段）
6 0 %水素化ナトリウム 6. 5 2 g ( 1 6 3 mm 0 1 ) にジメ トキシエタン 1 8 O m lを加え、 これを室温で撹拌しながらジェチルホスホノ酢酸ェチル 3 6. 5 g ( 1 6 3 mmo 1 ) のジメ トキエタン （ 5 0 m l ) 溶液を滴下した。 水素ガ スの発生終了後、 溶液を 5 °Cまで冷却し、 実施例 4の第 3段で得られた 3— （4 — トリフルォロメチルフヱニル） プロパナール 3 0. 0 g ( 1 4 8 mmo 1 ) の ジメ トキシェタン （5 0 m l ) 溶液を液温が 2 5 °Cを越えないように滴下した。 滴下終了後室温で 3 0分間撹拌し、 反応液を水 2 0 0 m lに加え、 生成物をジェ チルェ一テルで抽出した。 抽出液を食塩水で洗浄後、 硫酸マグネシウムで乾燥し 、 溶媒を減圧にて留去した。 残分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー （展開 溶媒：ヘプタン/酢酸ェチル = 3Z 1 ) により精製した。 かく して得られた精製 物を、 5%パラジウムカーボンを触媒として用いてエタノール 3 0 0 m 1中で水 素添加した。 水素添加終了後、 触媒を濾別し、 溶媒を減圧にて留去して、 5— ( 4一 トリフルォロメチルフエニル） ペンタン酸ェチルエステル 1 3. 3 g ( 4 8 . 5 mm 0 1 ) を得た。 このものの 3— （ 4— トリフルォロメチルフエニル） プ 口パナールからの収率は 3 2 , 8 %であった。
(第二段）
上記の 5— （ 4—トリフルォロメチルフエニル） ペンタン酸ェチルエステル 1 2. 2 g (4 4. 5 mm 0 1 ) のトルエン （ 7 0 m 1 ) 溶液を撹拌しながら一 6 0 °Cまで冷却し、 これに D I B ALの 1. 0 1 Mトルェン溶液4 6. 0 m 1 (4 6. 5 mmo 1 ) を滴下した後、 一 6 0 °Cで 1 5分間撹拌した。 そのままの温度 で反応液に飽和塩化アンモニゥム水 4 0 m lを滴下した後、 室温まで加温し 3 0 分間撹拌した。 反応液にジェチルエーテル 1 0 0 m lを加え室温で 1時間撹拌し た後、 硫酸マグネシウムを加え、 この懸濁液をセライ トを用いて濾過した。 濾液 を水洗し、 有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した後、 溶媒を減圧にて留去した。 残分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー （展開溶媒： トルエン） により精製 し、 5— ( 4—トリフルォロメチルフエニル） ペン夕パナール 7. 5 0 g ( 3 2 . 6 mm o 1 ) を得た。 このものの 5— （ 4一 トリフルオロフヱニル） ペン夕ン 酸ェチルエステルからの収率は 7 3. 3 %であった。
(第三段）
2—プロピル一 1 , 3—プロパンジオール 5. 9 0 g (4 9. 9 mm o 1 ) と 上記の 5— （ 4—トリフルォロメチルフエニル） ペンタナール 7. 5 0 g ( 3 2 . 6 mm 0 1 ) をトルエン 7 0 m 1 に溶解し、 P T S 1 gを加え、 生成する水を ジ一ンスタークを用いて除去しながら、 3時間加熱還流した。 反応液を飽和重曹 水、 飽和食塩水でこの順に洗浄し、 次いで無水硫酸マグネシゥムで乾燥した後、 溶媒を留去した。 残分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー （展開溶媒： トル ェン） により精製し、 さらにエタノールを用いて 2回再結晶して、 5—プロピル — 2— （4一 （4—トリフルォロメチルフエニル） ブチル一 1 , 3—ジォキサン 5. 5 5 g ( 1 6. 7 mm 0 1 ) を得た。 このものの 5— （ 4—トリフルォロメ チルフヱニル） ペンタナールからの収率は 5 1. 2 %であった。
Ή-NMR (CDC 1 3) δ (p pm) ： 7. 4 0 (d d, 4 H) , 4. 4 2 ( t , 1 H) , 4. 1 6〜3. 9 8 (m, 2 H) , 3. 4 1〜3. 1 6 (m, 2
H) , 2. 7 6〜2. 5 9 (m, 2 H) , 2. 1 0〜0. 8 1 (m, 1 4 H) C— I点 5 0. 9 °C
実施例 6
5—プロピル一 2— （4一 （4一 （ 3—フルオロー 4一クロ口フエニル） 一 3 , 5—ジフルオロフェニル） シクロへキシル） 一 1 , 3—ジォキサン （一般式 （
I ) において、 R = n—プロピル基、 n 1 = 0、 n 2 = 1、 A= (a) 、 環 A 1 = 3, 5—ジフルオロー 1 , 4一フエ二レン、 2 & =∑ =単結合、 フッ 素原子、 Q2 =水素原子、 および Y=塩素原子である化合物 （N o. 1 7 5 ) ) の製造。
(第一段）
乾燥した THF 3 0 0 m 1中で 3, 5—ジフルォロブロ乇ベンゼン 1 0 0 g ( 5 1 8 mmo 1 ) とマグネシウムとから調製したグリニャール試薬に、 室温でシ ク口へキサンジオンモノエチレンケタール 7 4. 6 g ( 5 1 7 mmo l ) の TH F ( 3 0 O m 1 ) 溶液を滴下し、 3時間撹拌した。 反応液を 2 N—塩酸 1 1 に加 え、 生成物をジェチルェ一テルで抽出した。 抽出液を氷、 飽和重曹水、 水でこの 順に洗浄し、 無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、 溶媒を減圧にて留去した。 残 分をパラトルエンスルホン酸 5 g存在下、 生成する氷をジ一ンスタークを用いて 除去しながら、 トルエン 8 0 0 m l中で加熱還流した。 反応液を水、 飽和重曹水 、 氷でこの順に洗浄し、 硫酸マグネシウムで乾燥した後、 溶媒を減圧にて留去し た。 残分をシリ力ゲル力ラムクロマトグラフィー （展開溶媒：ヘプタン 酢酸ェ チル = 3 1 ) により精製した。 力、く して得られた精製物を 5 %パラジウム力一 ボン 5 gを触媒として用いてエタノール 5 0 0 m l中で水素添加した。 触媒をろ 別した後、 溶媒を減圧にて留去し、 これに蟻酸 4 0 gとトルエン 3 0 0 m 1を加 え 3時間加熱還流した。 反応液を冷却後、 これに水 5 0 0 m lを加えた。 分取し た有機層を氷、 飽和重曹水、 水でこの順に洗浄し、 無水硫酸マグネシウムで乾燥 した後、 溶媒を留去した。 残分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー （展開溶 媒：ヘプ夕ンノ酢酸ェチル = 3ノ 1 ) により精製して、 4一 （3, 5—ジフルォ 口フエニル） シクロへキサノン 2 9. 4 g ( 1 4 0 mm o 1 ) を得た。 このもの の 3, 5—ジフルォロブ口モベンゼンからの収率は 2 7. 0 %であった。
(第二段）
乾燥した MTP 1 0. 0 g ( 2 9. 2 mm 0 1 ) に TH F 1 0 0 m 1を加え、 次いで室温でカリウム一 t—ブトキシド 3. 3 0 g ( 2 9. 4 rnmo l ) を加え 、 約 1時間撹拌した。 この反応液に室温で上記の 4— ( 3 , 5—ジフルオロフヱ ニル） シクロへキサノン 5. 0 g ( 2 3. 8 mmo l ) の THF ( 5 0 m l ) 溶 液を滴下し、 2時間撹拌した後、 反応液に水 1 5 0 m lを加え、 生成物をジェチ ルエーテルで抽出した。 抽出液を食塩水で洗浄し、 無水硫酸マグネシウムで乾燥 した後、 溶媒を留去した。 残分をシリカゲルカラムクロマ トグラフィー （展開溶 媒： トルエン） により精製した。 かく して得られた精製物を 3 N—塩酸 2 0 0 m 1 とアセトン 2 0 0 m 1の混合溶媒中、 室温でで 5時間撹拌した後、 生成物をト ルェンで抽出した。 抽出液を飽和重曹水と水で順次洗浄し、 無水硫酸マグネシゥ ムで乾燥した後、 トルエンを留去して、 4— ( 3， 5—ジフルオロフェニル） シ クロへキサンカルボアルデヒ ド 5. 0 g ( 2 2. 3 mm 0 1 ) を得た。 このもの の 4— ( 3 , 5—ジフルオロフェニル） シクロへキサノンからの収率は 9 3. 7 %であった。
(第三段）
2—プロピル一 1， 3—プロパンジオール 3. 5 g ( 2 9. 6 m 0 1 ) と 4一 ( 3, 5—ジフルオロフェニル） シクロへキサンカルボアルデヒ ド 5. 0 g ( 2 2. 3 mm o 1 ) をトルエン 5 0 m 1 に溶解し、 P T S 0 5 を加え、 生成す る水をジーンスタークを用いて除去しながら、 3時間加熱還流した。 反応液を飽 和重曹水、 飽和食塩水でこの順に洗浄し、 無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、 溶媒を留去した。 残分をヘプタンを用いて 2回再結晶して、 5—プロピル一 2— (4— ( 3, 5—ジフルオロフェニル） シクロへキシルー 1 , 3—ジォキサン 2 . 3 g ( 7. 1 mm o 1 ) を得た。 このものの 4— ( 3, 5—ジフルオロフェニ ル） シクロへキサンカルボアルデヒドからの収率は 2 4. 0 %であった。
(第四段）
上記の 5—プロピル一 2— (4— ( 3, 5—ジフルオロフェニル） シクロへキ シルー 1 , 3—ジォキサン 1. 3 g (4. 0 mm 0 1 ) を THF 1 0 m 1 に溶解 し、 窒素雰囲気下一 6 5 °Cに冷却した。 この溶液に n—ブチルリチウムの 1. 6 8 Mへキサン溶液 3. 0 m l ( 5. 0 mm o 1 ) を液温が一 5 5 °Cを越えないよ うに保って滴下し、 そのままの温度で 1時間撹拌した。 次いでこの反応液に塩化 亜鉛の 0. 5 M THF溶液 1 0 m l ( 5. 0 mm o 1 ) を液温が一 5 0 °Cを越 えないように保って滴下した後、 室温まで加温し 3 0分間撹拌した。 この溶液に テトラキス トリフエニルホスフィ ンパラジウム 0. 5 gと 3—フルオロー 4—ク ロロブロモベンゼン 1. l g ( 5. 3 mm o l ) を加え、 3時間加熱還流した。 得られた反応液に水 3 0 m lを加え、 生成物をトルエンで抽出した。 抽出液を 3 N—塩酸、 飽和重曹水および飽和食塩水で順次洗浄し、 硫酸マグネシウムで乾燥 した後、 溶媒を留去した。 残分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー （展開溶 媒： トルエン） により精製し、 さらにヘプタンノ酢酸ェチル = 1 Z 1混合溶媒を 用いて 2回再結晶して 5—プロピル一 2— （4一 （4— ( 3—フルオロー 4ーク ロロフエニル） 一 3, 5—ジフルオロフェニル） シクロへキシル） 一 1 , 3—ジ ォキサン 1. 7 g ( 3. 8 mm 0 1 ) を得た。 このものの 5—プロピル一 2— （ 4— ( 3 , 5—ジフルオロフヱニル） ェチル） 一 1 , 3—ジォキサンからの収率 は 9 5. 0 %であった。
Ή-NMR (CDC 1 3) δ (p pm) : 7. 5 4〜7. 1 4 (m, 3 H) , 6. 9 5〜6. 7 2 (m, 2 H) , 4. 2 5〜4. 0 1 (m, 3 H) , 3. 4 3 〜3. 1 8 (m， 2 H) , 2. 6 3〜2. 3 7 (m, 1 H) , 2. 0 4〜0. 8 2 (m, 1 7 H)
C一 N点 1 1 0. 1 °C, N— I点 2 2 7. 9 °C
実施例 7
4 - (5—ペンチルー 1 , 3—ジォキサン一 2—ィル） シクロへキサンカルボ ン酸 3, 4, 5—トリフルオロフヱニルエステル （一般式 U ) において、 R =n—ペンチル基、 n l =n 2 = 0、 A= (a) 、 Z a =単結合、 Z b=— CO 0—、 Q, = Q2=フッ素原子、 Y =フッ素原子である化合物 （N o. 3 6 2 ) ) の製造。
(第一段）
乾燥した MTP 5 0. 0 g ( 1 4 6 mm 0 1 ) に、 THF 5 0 0 m 1を加え、 次いで室温でカリウム— t—ブトキシド 1 8. 0 g ( 1 6 0 mmo 1 ) を加え、 1時間撹拌した。 この反応液に室温で 4—ォキソシクロへキサンカルボン酸メチ ルエステル 2 1. 9 g ( 1 4 0 mm o l ) の THF ( 1 0 0 m l ) 溶液を滴下し 、 2時間撹拌した後、 反応液に水 5 0 0 m lを加え、 生成物をジェチルエーテル で抽出した。 抽出液を食塩水で洗浄し、 無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、 溶 媒を留去した。 残分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー （展開溶媒： トルェ ン） により精製した。 かく して得られた精製物を室温で 2 N—塩酸 5 0 0 m 1 と アセトン 5 0 0 m 1の混合溶媒中で 5時間撹袢した後、 生成物をトルエンで抽出 した。 抽出液を飽和重曹水と水で順次洗浄し、 無水硫酸マグネシウムで乾燥した 後、 トルエンを留去して、 4一ホルミルシクロへキサンカルボン酸メチルエステ ル 1 8. 8 g ( 1 1 1 mm 0 1 ) を得た。 このものの 4一ォキソシクロへキサン カルボン酸メチルエステルからの収率は 7 9. 2%であった。
(第二段）
2一ペンチルー 1 , 3—プロパンジオール 1 7. 0 g ( 1 1 6 rn 0 1 ) と 4一 ホルミルシクロへキサンカルボン酸メチルエステル 1 8. 8 g ( 1 1 1 mm o 1 ) をトルエン 1 2 0 m 1に溶解し、 PTS 1. 0 gを加え、 生成する水をジーン スタークを用いて除去しながら、 3時間加熱還流した。 反応液を飽和重曹水、 飽 和食塩水でこの順に洗浄し、 無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、 溶媒を留去し た。 残分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー （展開溶媒： トルエンノ酢酸ェ チル = 4 1 ) により精製して、 4一 （5—ペンチルー 1 ,— 3—ジォキサン一 2 fル） シクロへキサンカルボン酸メチルエステル 2 8. 2 g (9 4. 5 mm o 1 ) を得た。 このものの 4—ホルミルシクロへキサンカルボン酸メチルエステル からの収率は 8 5. 1 %であった。
(第三段）
エタノール 1 0 0 m l中に 4— ( 5—ペンチルー 1 , 3—ジォキサン一 2—ィ ル） シクロへキサンカルボン酸メチルエステル 2 8. 2 g ( 9 4. 5 mm 0 1 ) を加え、 7 °Cまで冷却した後、 2 N—水酸化ナトリウムを 7 0 m 1滴下した。 室 温まで加温し、 1時間撹拌した後、 2 N—水酸化ナトリウムを 7 0 m l滴下した 。 さらに室温で 1時間撹拌した後、 2 N—水酸化ナトリウムを 5 O m l滴下し、 さらに 1時間室温で撹拌した。 反応液に 6 N—塩酸 6 5 m lを滴下し、 生成物を ジェチルェ一テルで抽出した。 抽出液を水、 飽和重曹水、 氷でこの順に洗浄し、 無水硫酸マグネシゥムで乾燥した後、 溶媒を留去した。 残分 2 7. 3 gをシリカ ゲルカラムクロマトグラフィー （展開溶媒： トルエンノ酢酸ェチル = 1 / 1 ) に より精製し、 さらにヘプ夕ン エタノ一ル = 2 0/ 1の混合溶媒を用いて再結晶 して、 4一 （ 5—ペンチルー 1 , 3—ジォキサン一 2—ィルシクロへキサン） 力 ルボン酸 2. 3 g (8. 1 mm 0 1 ) を得た。 このものの 4一 （ 5—ペンチルー 1 , 3—ジォキサン一 2—^ Tル） シクロへキサンカルボン酸メチルエステルから の収率は 8. 6 %であった。
(第四段）
塩化カルシウム管を装着した 2 0 0 m 1三ッロフラスコに塩化メチレン 1 0 m し 上記の 4— ( 5—ペンチル一 1 , 3—ジォキサン一 2—ィル） シクロへキサ ンカルポン酸 1. 5 g (5. 3 mm 0 1 ) , 3, 4 , 5— トリフルオロフエノー ル 1. 0 g ( 6. 9 mm 0 1 ) 、 および 4—ジメチルァミノピリジン 0. 2 g ( 1. 6 mm 0 1 ) を加え、 撹拌しながら 0 °Cに冷却した後、 ジシクロへキシルカ ルポジイミ ド 1. 6 g ( 7. 9 mm 0 1 ) の塩化メチレン （ 8 m l ) 溶液を 2分 間かけて滴下した。 このものを室温まで加温し、 そのままの温度で 3時間撹拌し た。 反応液を濾過し、 濾液を 0. 5 N—塩酸 2 0 m lで洗浄し、 再び濾過した。 濾液を飽和重曹水、 氷でこの順に洗浄し、 無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、 溶媒を減圧にて留去した。 残分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー （展開溶 媒： トルエンノ酢酸ェチル = 4/ 1 ) により精製し、 さらにエタノールを用いて 再結晶し、 次いでエタノール Zヘプタン = 9Z 1の混合溶媒を用いて再結晶処理 して 4一 （5—ペンチル一 （ 1 , 3—ジォキサン） 一 2—ィル） 一シクロへキサ ンカルボン酸 3, 4, 5— トリフルオロフヱニルエステル 1. 3 0 g ( 3. 1 m m o 1 ) を得た。 このものの 4一 （5—ペンチルー （ 1 , 3—ジォキサン） 一 2 —ィル） シクロへキサンカルボン酸からの収率は 5 8 %であった。
Ή-NMR (C DC ") d (p pm) ： 6. 8 9〜6. 6 9 (m, 2 H) , 4. 2 2〜3. 9 9 (m, 3 Η) , 3. 4 卜 3. 1 5 (m, 2 Η) , 2. 6 1 〜 0. 8 1 (m, 2 2 Η)
C— Ν点 6 2. 1 °C, Ν— I点 7 4. 6 °C, (N— SA点 4 9. 3 °C) 実施例 8
1 — ( 2— （ 1 , 3—ジォキサン一 2—ィル） ェチル） シクロへキシルー 3, 4 , 5—トリフルォロベンゼン （一般式 （ 1 ) において、 R=水素原子、 n 1 = 0、 n 2 = Κ λ= (b) 、 環 A l = l , 4—シクロへキシレン、 Z a = Z b = 単結合、
Figure imgf000102_0001
フッ素原子である化合物 （N o. 3 5 2 ) ) の製造。
(第一段）
乾燥した 1 , 3—ジォキサン一 2—ィルェチルトリフヱニルホスホニゥムブロ ミ ド 4 8. 0 g ( 1 0 5 mm 0 1 ) に、 TH F 5 0 0 m 1を加え、 次いで室温で カリウム一 t一ブトキシド 1 1. 8 g ( 1 0 5 mmo 1 ) を加え、 1時間撹拌し た。 この反応液に前記の実施例 6第一段で得られた 4一 ( 3, 5—ジフルオロフ ェニル） シクロへキサノン 2 0. 0 g (8 7. 6 mmo l ) の THF (2 0 0 m 1 ) 溶液を室温で滴下し、 約 2時間撹拌した後、 反応液に水 5 0 0 m lを加え、 生成物をトルエンで抽出した。 抽出液を食塩水で洗浄し、 無水硫酸マグネシウム で乾燥した後、 溶媒を留去した。 残分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー （ 展開溶媒： トルエン） により精製した。 かく して得られた精製物を、 5 %パラジ ゥムカーボンを触媒として用いてエタノール 1 0 0 m l中で水素添加した。 触媒 を濾別し、 濾液を濃縮して得られた残分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー (展開溶媒： トルエン） により精製し、 さらにエタノ一ル—を用いて再結晶して、
1 一 ( 2 - ( 1 , 3—ジォキサン一 2—ィル） ェチル） シクロへキシルー 3, 4 ， 5— トリフルォロベンゼン 1 5. 2 g (4 6. 3 mm o 1 ) を得た。 このもの の 4一 （ 3, 5—ジフルオロフェニル） シクロへキサノンからの収率は 5 2. 9 %であった。
C一 I点 6 9. 8 °C
実施例 9
1— ( 2— ( 5—プロピル一 1 , 3—ジォキサン一 2—ィル） ェチル） シクロ へキシル一 3 , 4 , 5—トリフルォロベンゼン （一般式 （ 1 ) において、 R = n 一プロピル基、 n l = 0、 n 2 = l、 A= (b) 、 環 A 1 = 1 , 4—シクロへキ シレン、 Z a = Z b=単結合、 ς^ = (¾2=フッ素原子、 Υ =フッ素原子である化 合物 （Ν 0. 3 3 ) ) の製造。
(第一段）
実施例 8で得られた 1一 （2— ( 1 , 3—ジォキサン一 2—ィル） ェチル） シ クロへキシル一 3, 4, 5— トリフルォロベンゼン 3. 7 g ( l l mmo l ) と 蟻酸 2 5. 0 g ( 5 4 O mmo 1 ) をトルエン 2 O m 1中に加え、 3時間加熱還 流した。 反応液を室温まで冷却し、 これに水 1 0 O m lを加え、 生成物をトルェ ンで抽出した。 抽出液を水、 飽和重曹水、 水でこの順に洗浄し、 無水硫酸マグネ シゥムで乾燥した後、 溶媒を留去して、 3— （4— ( 3 , 4 , 5—トリフルォロ フヱニル） シクロへキシル） プロパナールの粗精製物 3. 5 gを得た。 このもの と 2—プロピル一 1 , 3—プロパンジオール 2. 3 g ( 2 0 mmo l ) をトルェ ン 2 O m lに溶解し、 PT S 0. 5 gを加え、 生成する氷をジーンスタークを用 いて除去しながら、 3時間加熱還流した。 反応液を飽和重曹氷、 飽和食塩水でこ の順に洗浄し、 次いで無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、 溶媒を留去した。 残 分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー （展開溶媒： トルエン） により精製し 、 さらにエタノールを用いて 2回再結晶して、 1 ー （2— ( 5—プロピル一 1 , 3—ジォキサン一 2—^ Tル） ェチル） シクロへキシルー 3, 4 , 5—トリフルォ 口ベンゼン 1. 4 g ( 3. 8 mm o 1 ) を得た。 このものの 1一 （ 2— ( 1 , 3 —ジォキサン一 2 Tル） ェチル） シクロへキシルー 3， 4 , 5— トリフルォロ ベンゼンからの収率は 3 4. 5%であった。
Ή-NMR (C DC 13) δ (p pm) ： 6. 8 7〜6. 7 0 (m, 2 H) , 4. 4 2 ( t, 1 Η) , 4. 1 7〜3. 9 9 (m, 2 Η) , 3. 4 3〜3. 1 8 (m, 2 Η) , 2. 5 4〜2. 2 5 (m, 1 Η) , 1. 9 3〜0. 8 1 (m, 2 1 Η)
C一 I点 8 8. 6。C
実施例 1〜 9および発明の詳細な説明の欄における記述を基に、 下記の化合物 N o. l〜N o. 3 7 0を製造することができる。 なお実施例 1〜 9の化合物も 再掲した。
εοτ
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ム S 0/厶 6JfAL3d
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90ΐ
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LSZZ0/L6dri∑3d P99LIIS6 OAV
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LSZZ0/L6d£/13d t?99"/86 OAV 80ΐ
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Z.SZZ0/.6df/IDd 9Z /86 ΟΛ 2； 2： O o
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οπ
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LSZZ0IL6d£/lDd f99Z.T/86 OAV Πΐ
乙 S'O
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.SZZ0/.6df/I3d ^99 1/86 OW 2ϊΐ
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f99Ll/86 O . επ
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99Li OAV
L9ZZQIL6d£llOd
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/JP97/02257
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9Π
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LSZZ0/L6d£/lDd
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sO
CO 00 00 GO
o o o O o σ o
2 2 2 2
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LSZZ0IL6d£llDd fr99Ll/86 OAV
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リ ΙΓ0Ν 。N
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LSZZ0/L6drilDd t"99ム 1/86 OAV S2T
6 ·。Ν
8 ' ON
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LSZZ0/L6d£llDd P99Ll/S6 OAV
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LZl
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LSZZ0/L6d£/lDd ム 1/86 OA\
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2 No.^
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Z
8Ν )Γ。
HzdOO- 1Γ\
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LSZZ0/L6d£llDd ^99 1/86 OAV
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LSZZQ/L6d£/JDd 99"/86 OAV

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¾i6di71:>d 9 O96
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一N
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LSZZ0IL6d£/13d 88ΐ
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LSZZO/L6dr/10d
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Z,SZZ0/Z,6df/XDd P99LVS6 OAV 実施例 1 0 (使用例 1 )
4— ( 4一プロビルシクロへキシル） ベンゾニトリル 2 4 %
4一 （ 4—ペンチルシクロへキシル） ベンゾニトリル 3 6 %
4 - ( 4一へプチルシクロへキシル） ベンゾニトリル 2 5 % 4— (4— ( 4一ペンチルシクロへキシル） フエニルベンゾニトリル 1 5 % からなる液晶組成物 （A 1 ) を調製した （以下％は全て重量％である） 。 このネ マチック液晶組成物の透明点は 7 1. 7 °C、 セル厚 9. 2 mでのしきい値電圧 は 1. 7 9 V、 △ s 1は 1 1. 0、 △ nは（K 1 3 7、 2 0 °Cにおける粘度は 2 6. 6 mP a - sであった。
この液晶組成物 8 5 %と実施例 1で得た 5—プロピル一 2— （4— ( 3, 4 , 5— トリフルオロフヱニル） シクロへキシル） 一 1 , 3—ジォキサン （化合物 N 0. 2 1 ) 1 5 %とからなる液晶組成物 （B 1 ) を調製した。 このものの透明点 は 6 5. 3 °C、 セル厚 9. 2 Aimでのしきい値電圧は 1。 4 6 V、 △ ε 1は 1 2 . 9、 Δ ηは 0. 1 2 6、 2 0 °Cにおける粘度は 3 2. 3 mP a ' sであった。 上記液晶組成物の混合比から外挿法で算出した化合物 N o. 2 1の物性値はそれ ぞれ、 透明点は 2 9. 0 、 △ £は 2 3. 7、 △ nは 0. 0 6 4、 2 0 °Cにおけ る粘度は 6 4. 6 mP a ' sであった。
実施例 1 1 (比較例 1 )
上記液晶組成物 （A 1 ) 8 5 %と 5— （4一プロビルシクロへキシル） 一 2— (3， 4， 5— トリフルォロシフェニル） 一 1 , 3—ジォキサン （式 （ 1 4 ) の化 合物） 1 5 %とからなる液晶組成物 （B l — R) を調製した。 このものの透明点 は 6 9. 6 °C、 セル厚 9. 2 umでのしきい値電圧は 1. 6 0 V、 △ ε 1 は 1 1 . 7、 Δ ηは 0. 1 2 7、 2 0 °Cにおける粘度は 2 9. 2 mP a ' sであった。 上記液晶組成物の混合比から外揷法で算出した式 （ 1 4 ) の化合物の物性値はそ れぞれ、 透明点は 5 7. 7 °C、 △ £は 1 5. 7、 △ nは 0. 0 7 0、 2 0 にお ける粘度は 4 3. 9 mP a ' sであった。
この結果から、 式 （ 1 4 ) の化合物のジォキサン環とシクロへキサン環の位置 が逆転している本発明の化合物 （N o. 2 1 ) は、 式 （ 1 4 ) の化合物に比べて 、 透明点が約 2 9 °C低いにも関わらず、 A sは約 1. 5倍に増大していることが わ力、る。
実施例 1 2 (使用例 2 )
上記液晶組成物 （A 1 ) 8 5%と実施例 2で得た 5—プロピル— 2— ( 2 - ( 4一 （ 3—フルオロー 4—トリフルォロメ トキシフエ二ル） 一 3, 5—ジフルォ 口フエニル） ェチル） _ 1 , 3—ジォキサン （化合物 N 0 , 9 8 ) 1 5 %とから なる液晶組成物 （B 2 ) を調製した。 このものの透明点は 6 2. 8 °C、 セル厚 9 . 3〃mでのしきい値電圧は 1. 4 0 V、 △ £ 1は 1 3. 6、 △ nは 0. 1 3 2 、 2 0でにおける粘度は 3 3. 8 mP a ' sであった。 上記液晶組成物の混合比 から外揷法で算出した （化合物 N o. 9 8 ) の物性値はそれぞれ、 透明点は 1 2 . 0 ° 厶 £は2 8, 3、 厶11は0. 1 0 4、 2 0 °Cにおける粘度は 7 4. 6 m P a ' sであった。
実施例 1 3 (比較例 2 )
上記液晶組成物 （A 1 ) 8 5 %と 5—プロピル— 2— (4— （3—フルオロー 4一トリフルォロメ トキシフエニル） 一 3 , 5—ジフルオロフェニル） 一 1 , 3 一ジォキサン （式 （ 1 7 ) の化合物） 1 5 %とからなる液晶組成物 （B 2—R) を調製した。 このものの透明点は 6 5. 1 °C、 セル厚 9. l umでのしきい値電 圧は 1. 4 0 V、 △ ε 1は 1 3. 2、 Δ ηは 0. 1 3 3、 2 0 °Cにおける粘度は 3 0. 8 mP a · sであった。 上記液晶組成物の混合比から外揷法で算出した化 合物 （ 1 7 ) の化合物の物性値はそれぞれ、 透明点は 2 7. 7 °C、 △ £は 2 5. 7、 Δ ηは 0. 1 1 0、 2 0。Cにおける粘度は 5 4. 6 mP a . sであった。 この結果から、 式 （ 1 7 ) の化合物のジォキサン環の 2位にエチレン基を導入 した本発明の化合物 N o. 9 8は、 式 （ 1 7 ) の化合物より が 3. 3増大し ていることがわかる。
実施例 1 4 (使用例 3 )
上記液晶組成物 （A 1 ) 8 5 %と実施例 3で得られた 5—プロピル一 2— （4 ― ( 3—フルオロー 4—トリフルォロメ トキシフエ二ル） シクロへキシル一 1 , 3—ジォキサン （化合物 N o. 2 2) 1 5 %とからなる液晶組成物 （B 3 ) を調 製した。 このものの透明点は 6 9. 2 °C、 セル厚 9. 3〃mでのしきい値電圧は 1. 5 6 V、 △ £ 1は 1 2. 2、 Δ ηは 0. 1 2 8、 2 0 °Cにおける粘度は 3 0 . O mP a · sであった。 上記液晶組成物の混合比から外挿法で算出した （化合 物 N o. 2 2 ) の物性値はそれぞれ、 透明点は 5 5. 0 °C、 △ £は 1 9, 0、 △ nは 0. 0 7 7、 2 0。Cにおける粘度は 4 9. 3 mP a ' sであった。
実施例 1 5 (使用例 4 )
上記液晶組成物 （A 1 ) 8 5 %と実施例 4で得られた 5—プロピル— 2— ( 2 一 （4—トリフルォロメチルフヱニル） ェチルー 1 , 3—ジォキサン （化合物 N 0. 1 1 ) 1 5%とからなる液晶組成物 （B 4 ) を調製した。 このものの透明点 は 4 5. 8 °C、 セル厚 9. 1 でのしきい値電圧は 1 , 3 9 V、 △ s 1は 1 1 . 4、 Δ ηは 0. 1 1 5、 2 0 °Cにおける粘度は 2 6. 9 mP a ' sであった。 上記液晶組成物の混合比から外揷法で算出した （化合物 N o. 1 1 ) の物性値は それぞれ、 透明点は一 1 0 1. 0 、 Δ εは 1 3 , 7 における粘度は 2 8. 5 m P a · sであった o
実施例 1 6 (使用例 5 )
上記液晶組成物 （A 1 ) 8 5 %と実施例 5で得られた 5—プロピル一 4一 （ 2 一 （4一トリフルォロメチルフヱニル） プチルー 1 , 3—ジォキサン （化合物 N 0. 2 6 1 ) 1 5%とからなる液晶組成物 （B 5 ) を調製した。 このものの透明 点は 4 5. 2 °C、 セル厚 9. 0〃mでのしきい値電圧は 1. 4 3 V、 △ ε 1は 1 1. 2、 Δ ηは 0. 1 1 6、 2 0 °Cにおける粘度は 2 7. 9 mP a ' sであった 。 上記液晶組成物の混合比から外揷法で算出した （化合物 N o. 2 6 1 ) の物性 値はそれぞれ、 透明点は一 1 0 5. 0 °C、 △ £は 1 2, 3、 2 0 °Cにおける粘度 は 3 5. 3 mP a ♦ sであった。
実施例 1 7 (使用例 6 )
上記液晶組成物 （A 1 ) 8 5 %と実施例 6で得られた 5—プロピル一 2— （4 — (4— ( 3—フルオロー 4—クロロシフヱニル） 一 3, 5—ジフルオロフェニ ル） シクロへキシル） 一 1 , 3—ジォキサン （化合物 N o. 1 7 5) 1 5 %とか らなる液晶組成物 （B 6 ) を調製した。 このものの透明点は 8 3. 0 °C、 セル厚 8. 9 ;umでのしきい値電圧は 1. 7 0 ν、 Δ ε 1は 1 4. 0、 11は0. 1 4 2、 2 0 °Cにおける粘度は 4 0. 5 m P a * sであった。 上記液晶組成物の混合 比から外揷法で算出した （化合物 N o. 1 7 5 ) の物性値はそれぞれ、 透明点は 1 4 7. 0 、 A sは 3 1. 0、 Δ ηは 0. 1 7 0、 2 0 °Cにおける粘度は 1 1 9. 1 mP a · sであった。
実施例 1 8 (使用例 7 )
上記液晶組成物 （A 1 ) 8 5 %と実施例 7で得られた 4一 （5—ペンチルー 1 , 3—ジォキサン一 2—ィル） シクロへキサンカルボン酸 3, 4 , 5—トリフル オロフヱニルエステル （化合物 N o. 3 6 2 ) 1 5 %とからなる液晶組成物 （B 7 ) を調製した。 このものの透明点は 7 0. 3 °C、 セル厚 8. 9 umでのしきい 値電圧は 1. 4 9 V、 △ £ 1は 1 2. 2、 △ nは 0. 1 2 6、 2 0 °Cにおける粘 度は 3 2. 3 m P a ♦ sであった。 上記液晶組成物の混合比から外揷法で算出し た （化合物 N 0. 3 6 2 ) の物性値はそれぞれ、 透明点は 6 2. 4 ° (：、 △ εは 1 9. 0、 Δ ηは 0. 0 6 4、 2 0 °Cにおける粘度は 6 4. 9 mP a ' sであった o
実施例 1 9 (使用例 8 )
上記液晶組成物 （A 1 ) 8 5 %と実施例 8で得られた 1一 （2— （ 1 , 3—ジ ォキサン一 2—ィル） ェチル） シクロへキシルー 3, 4, 5—トリフルォロベン ゼン （化合物 N o. 3 5 2 ) 1 5 %とからなる液晶組成物 （B 8 ) を調製した。 このものの透明点は 5 0. 0 、 セル厚 8. 9 umでのしきい値電圧は 1. 4 0 V、 △ £ 1は 1 2. 8、 Δ ηは 0. 1 1 4、 2 0 における粘度は 3 7. 6 mP a · sであった。 上記液晶組成物の混合比から外揷法で算出した （化合物 N o. 3 5 2 ) の物性値はそれぞれ、 透明点は一 7 3. ◦で、 A sは 2 3. 0、 2 0 °C における粘度は 1 0 0. 2 mP a ' sであった。
実施例 2 0 (使用例 9 )
上記液晶組成物 （A 1 ) 8 5 %と実施例 9で得られた 1一 （2— （5—プロピ ルー 1 , 3—ジォキサン一 2—^ Tル） ェチル） シクロへキシルー 3, 4, 5—卜 リフルォロベンゼン （化合物 N o. 3 3) 1 5 %とからなる液晶組成物 （B 9) を調製した。 このものの透明点は 6 5. 7 °C、 セル厚 9. O mでのしきい値電 圧は 1. 5 7 V、 Δ ε 1は 1 2. 2、 Δ ηは 0. 1 2 4、 2 0 における粘度は 3 4. 2 mP a · sであった。 上記液晶組成物の混合比から外揷法で算出した （ 化合物 N o. 3 3) の物性値はそれぞれ、 透明点は 3 1. 7 °C、 △ £は 1 9. 0 、 Δ ηは 0. 0 5 0、 2 0 °Cにおける粘度は 7 7. O mP a . sであった。 産業上の利用の可能性
本発明の化合物は、 いずれも高い電圧保持率と特異的に大きな Δ εを有するこ とを特長とする。 本発明の化合物を液晶組成物の構成成分として用いることによ り、 これまで不可能であつた低電圧駆動を T F Τ型液晶表示素子で実現できる。

Claims

請求の範囲
1. 一般式 （ 1 )
Figure imgf000147_0001
(式中、 Rは炭素数 1〜2 0のアルキル基あるいは水素原子を示し、 n 1および n 2はそれぞれに独立して 0〜 2の整数であり、 n 1 + n 2≤ 2であり
および Q2はそれぞれに独立して水素原子、 フッ素原子あるい は塩素原子を示し、
Aは ) , (b) あるいは （c) を示し、
Figure imgf000147_0002
環 AOおよび A1は 1 , 4ーシクロへキシレン基、 あるいは環上の 1個以上の水素 原子がフッ素原子あるいは塩素原子で置換されていてもよい 1 , 4一フヱニレン 基を示すが、 A、 環 AOおよび環 A1中の 1 , 4ーシクロへキシレン基中の 1個あ るいは 2個の炭素原子はゲイ素原子で置換されていてもよく、
Z aおよび Z bはそれぞれに独立して単結合、 — CH2CH2—、 一 CH2CH2CH2CH2—、 一 CH20—、 一〇CH2—、 一COO—あるいは一 CF20—を示し、
Yは水素原子、 ハロゲン原子、 あるいは炭素数 1〜5のハロゲン 化アルキル基を示すが、 該基中の隣接しない 1つ以上のメチレン基は、 酸素原子 あるいは硫黄原子で置換されていてもよく、
ただし n 1 = 0、 n 2 = 1、 A= (b) であり、 かつ環 A 1が 1, 4—フエ二 レンであり、 かつ Z aおよび Z bが単結合である場合、 および n 1 =n 2 = 0、 A= (a) である、 かつ Z bが単結合である場合は、 と Q2の少なくとも一方 はフッ素原子ある L、は塩素原子を示すが、 Yがフッ素原子ある L、は塩素原子の場 合は Q ,および Q 2がそれぞれに独立してフッ素原子ある t、は塩素原子である。 なお、 この化合物を構成する各原子はその同位体で置換されていてもよい。 ） で表されるジォキサン誘導体。
2. n 1 =n 2 = 0であり、 Z aが単結合であり、 かつ A= (b) である 請求項 1に記載のジォキサン誘導体。
3. n 1 =n 2 = 0であり、 Z aが単結合であり、 かつ A= (a) である 請求項 1に記載のジォキサン誘導体。
4. n 1 + n 2 = 1であり、 かつ A= (b) である請求項 1に記載のジォ キサン誘導体。
5. n l +n 2 = lであり、 かつ A= (a) である請求項 1に記載のジォ キサン誘導体。
6. n 1 + n 2 = 2であり、 かつ A= (b) である請求項 1に記載のジォ キサン誘導体。
7. A= (c) 、 あるいは Z bがー CH2CH2CH2CH2—、 あるいは n 1が 0でない場合の Z aが— C H 2 C H 2 C H 2 C H 2—である請求項 1に記載のジ ォキサン誘導体。
8. および Q2が共にフッ素原子である請求項 1に記載のジォキサン誘 導体。
9. 請求項 1から 8のいずれか 1項に記載のジォキサン誘導体を少なくと も 1種類含有することを特徴とする液晶組成物。
1 0. 第一成分として、 請求項 1から 8のいずれか 1項に記載のジォキサ ン誘導体を少なくとも 1種類含有し、 第二成分として、 一般式 （2) 、 （3) お よび （4)
Figure imgf000149_0001
(各式中、 1?3は炭素数1〜1 0のアルキル基であって、 該アルキル基中、 相隣 合わない一つ以上のメチレン基は酸素原子または C H = C Η—で置換されてい てもよく、 また任意の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよく、 はフ ッ素原子、 塩素原子、 OCF3、 OCF2H、 CF3、 C F2H、 CFH2、 OCF2 C F2Hまたは OC F2C FHC F3を示し、 L ,および L 2は各々独立して水素原 子またはフッ素原子を示し、 Z！および Z2は各々独立して— CH2CH2—、 — C H2CH2CH2CH2 、 一 C0〇一、 一 CF20 -、 一 0C F2 -、 -CH = CH —または単結合を示し、 環 Bはトランス一 1 , 4ーシクロへキシレン、 1 , 3— ジォキサン一 2, 5—ジィル、 または水素原子がフッ素原子で置換されていても よい 1 , 4一フエ二レンを示し、 環 Cはトランス一 1 , 4—シクロへキシレン、 または氷素原子がフッ素原子で置換されていてもよい 1 , 4一フヱニレンを示し 、 各式の化合物において、 それらを構成する各原子はそれらの同位体で置換され されていてもよい。 ） からなる化合物群から選択される化合物を少なくとも 1種 類含有することを特徴とする液晶組成物。
1 1. 第一成分として、 請求項 1から 8のいずれか 1項に記載のジォキサ ン誘導体を少なくとも 1種含有し、 第二成分として、 一般式 （5) および （6)
Figure imgf000150_0001
(各式中、 R4および R5は各々独立して炭素数 1〜 1 0のアルキル基を示すが、 該アルキル基中、 相隣合わない一つ以上のメチレン基は酸素原子または一 C H == CH—で置換されていてもよく、 また任意の水素原子はフッ素原子で置換されて いてももよく、 Y2は一 CN基または一 C≡C一 CNを示し、 環 Eはトランス一 1， 4ーシクロへキシレン、 1 , 4一フエ二レン、 1 , 3—ジォキサン一 2, 5 一ジィルまたはピリ ミジン一 2, 5—ジィルを示し、 環 Gはトランス一 1 , 4一 シクロへキシレン、 水素原子がフッ素原子で置換されていてもよい 1 , 4ーフヱ 二レン、 またはピリ ミジン一 2, 5—ジィルを示し、 環 Hはトランス一 1 , 4— シクロへキシレンまたは 1 , 4—フエ二レンを示し、 Z 3は一 CH2CH2—、 - COO—または単結合を示し、 L3、 L4および L5は各々独立して水素原子また はフッ素原子を示し、 b、 cおよび dは各々独立して 0または 1であり、 各式の 化合物において、 それらを構成する各原子はそれらの同位体で置換されていても よい。 ） からなる化合物群から選択される化合物を少なくとも 1種類含有するこ とを特徴とする液晶組成物。
1 2. 第一成分として、 請求項 1から 8のいずれか 1項に記載のジォキサ ン誘導体を少なくとも 1種類含有し、 第二成分として、 一般式 （ 2 ) 、 （ 3 ) お よび （4 ) からなる化合物群から選択される化合物を少なくとも 1種類含有し、 第三成分として、 一般式 （7) 、 （8) および （9) Re- l" -Z4- J") Z5— R7 (7)
R6- l- -Z4-fj-)— Z5-(K-)~R7 (8)
Figure imgf000151_0001
(各式中、 Rsおよび は各々独立して炭素数 1〜 1 0のアルキル基を示すが、 該アルキル基中、 相隣合わない一つ以上のメチレン基は酸素原子または一 C H = CH-で置換されていてもよく、 また任意の水素原子はフッ素原子で置換されて いてもよく、 I、 Jおよび Kは各々独立して、 トランス一 1, 4ーシクロへキシ レン、 ピリ ミジン一 2 , 5—ジィル、 または水素原子がフッ素原子で置換されて いてもよい 1 , 4—フヱニレンを示し、 Z 4および Z 5は各々独立して、 一 C≡ C一、 一 COO—、 — CH2CH2—、 — CH = CH—または単結合を示し、 各式 の化合物において、 それらを構成する各原子はそれらの同位体で置換されていて もよい。 ） からなる化合物群から選択される化合物を少なくとも 1種類含有する ことを特徴とする液晶組成物。
1 3. 第一成分として、 請求項 1から 8のいずれか 1項に記載のジォキサ ン誘導体を少なくとも 1種合有し、 第二成分として、 上記一般式 （5) および （ 6) からなる化合物群から選択される化合物を少なくとも 1種類含有し、 第三成 分として、 上記一般式 （7) 、 (8) および （9) からなる化合物群から選択さ れる化合物を少なくとも 1種類含有することを特徴とする液晶組成物。
1 4. 第一成分として、 請求項 1から 8のいずれか 1項に記載のジォキサ ン誘導体を少なくとも 1種類含有し、 第二成分の一部分として、 上記一般式 （2 ) 、 (3) および （4) からな化合物る群から選択される化合物を少なくとも 1 種類含有し、 第二成分の他の部分として、 上記一般式 （5) および （6) からな る化合物群から選択される化合物を少なくとも 1種類含有し、 第三成分として、 一般式 （7 ) 、 (8 ) および （9 ) からなる化合物群から選択される化合物を少 なくとも 1種類含有することを特徴とする液晶組成物。
1 5. 光学活性化合物をさらに含有することを特徴とする請求項 9〜 1 4 のいずれか 1項に記載の液晶組成物。
1 6. 請求項 9〜 1 4のいずれか 1項に記載の液晶組成物を用いて構成し た液晶表示素子。
1 7. 請求項 1 5に記載の液晶組成物を用いて構成した液晶表示素子。
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