JP2016079294A - 液晶表示装置及び液晶組成物 - Google Patents

Abstract

【課題】高速応答が可能であり、しかも、電圧保持率が時間と共に低下するといった問題の発生を抑制することができる液晶表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置は、一対の基板の対向面側に設けられた一対の配向膜と、一対の配向膜の間に設けられ、正の誘電異方性を有する液晶分子を含む液晶組成物から構成された液晶層とを有する液晶表示素子を備え、液晶層を構成する液晶組成物は、一般式（ＡＮ−１）で示されるアルケニル化合物−１及び一般式（ＡＮ−２）で示されるアルケニル化合物−２を含み、液晶組成物中のアルケニル化合物−１の質量百分率はアルケニル化合物−２の質量百分率よりも高い。


（環Ａ〜Ｅは各々独立に２価のシクロアルキレン又はフェニレン；Ｒ_ＡＮ１１〜Ｒ_ＡＮ２２は各々独立にＣ１〜８のアルケニル基、アルキル基又はアルコキシ基）
【選択図】なし

Description

本開示は、液晶組成物、及び、対向面に配向膜を有する一対の基板の間に係る液晶組成物から成る液晶層が封止された液晶表示素子を備えた液晶表示装置に関する。

近年、液晶表示素子を駆動することによって画像表示を行う液晶表示装置が、薄型で軽量、且つ、消費電力が少ないことから、テレビジョン受像機や各種モニター等の画像表示装置、デジタルカメラ、携帯電話等の情報端末等に広く活用されている。このような液晶表示装置では、液晶表示方式として、ネマチック液晶を用いたツイステッドネマチック（ＴＮ；Twisted Nematic）モード、垂直配向（ＶＡ；Vertical Alignment）モード、横電界（ＩＰＳ：In Plane Switching）モード、フリンジフィールドスイッチング（ＦＦＳ：Fringe Field Switching）モード等が知られている。

そして、これらの液晶表示方式に応じて液晶材料としても種々の特性が要求されているが、中でも高速応答性と高い信頼性は、殆どの場合に共通して非常に重要な特性である。応答を高速化するために液晶材料に求められる物性として、直接的には、低粘性及び高弾性定数を挙げることができる。しかしながら、弾性定数を高くした場合、閾値電圧が上昇することが多く、好ましくない。従って、応答を高速化するためには、液晶材料の粘性を低くすることが望まれる。

液晶材料において、二重結合を導入したアルケニル基を用いることによって粘性の低下が得られる場合があることが知られており、アルケニル化合物を含む液晶組成物を用いることが検討されている（例えば、特開２００９−１４９６６７を参照）。

特開２００９−１４９６６７

しかしながら、アルケニル化合物を含む液晶組成物を用いると、電圧保持率が時間と共に低下するという問題がある。電圧保持率（Voltage Holding Ratio，ＶＨＲ）とは、電極間に充電された電荷が、所定の時間の間（例えば１フレーム、１６．７ミリ秒）、どの程度、保持されるかを示す値である。電圧保持率が時間と共に低下するといった現象は、駆動電圧の上昇、コントラストの低下等の液晶表示装置の表示特性の低下、液晶表示装置の信頼性低下をもたらす。

従って、本開示の目的は、高速応答が可能であり、しかも、電圧保持率が時間と共に低下するといった問題の発生を抑制することができる液晶組成物、及び係る液晶組成物を用いた液晶表示装置を提供することにある。

上記の目的を達成するための本開示の液晶表示装置は、
一対の基板の対向面側に設けられた一対の配向膜と、一対の配向膜の間に設けられ、正の誘電異方性を有する液晶分子を含む液晶組成物から構成された液晶層とを有する液晶表示素子を備え、
液晶層を構成する液晶組成物は、下記の一般式（ＡＮ−１）で示されるアルケニル化合物−１及び下記の一般式（ＡＮ−２）で示されるアルケニル化合物−２を含み、
液晶組成物中のアルケニル化合物−１の質量百分率はアルケニル化合物−２の質量百分率よりも高い。

上記の目的を達成するための本開示の液晶組成物は、下記の一般式（ＡＮ−１）で示されるアルケニル化合物−１及び下記の一般式（ＡＮ−２）で示されるアルケニル化合物−２を含み、
アルケニル化合物−１の質量百分率はアルケニル化合物−２の質量百分率よりも高い。

但し、Ｒ_AN11，Ｒ_AN12は、それぞれ、独立に、炭素数１乃至８のアルケニル基、アルキル基又はアルコキシ基であり、且つ、Ｒ_AN11，Ｒ_AN12の少なくとも一方はアルケニル基であり、
は、それぞれ、独立に、
であり、
但し、Ｒ_AN21，Ｒ_AN22は、それぞれ、独立に、炭素数１乃至８のアルケニル基、アルキル基又はアルコキシ基であり、且つ、Ｒ_AN21，Ｒ_AN22の少なくとも一方はアルケニル基であり、
は、それぞれ、独立に、
である。

本開示の液晶表示装置あるいは液晶組成物において、液晶層を構成する液晶組成物はアルケニル化合物−１及びアルケニル化合物−２を含み、液晶組成物中のアルケニル化合物−１の質量百分率はアルケニル化合物−２の質量百分率よりも高い。それ故、液晶層あるいは液晶組成物の粘性の低下を図ることができ、高速応答が可能となる。しかも、アルケニル化合物−１は、アルケニル化合物−２よりも電圧保持率の低下が少ないといった特性を有するので、電圧保持率が時間と共に低下するといった問題の発生を回避することができる。尚、本明細書に記載された効果はあくまで例示であって限定されるものでは無く、また、付加的な効果があってもよい。

図１は、本開示の液晶表示装置の模式的な一部断面図である。 図２Ａ及び図２Ｂは、本開示の液晶表示装置の断面の一部を示す概念図であり、電極間への電圧の印加の有無による液晶分子の挙動を説明するための図である。 図３Ａ及び図３Ｂは、本開示の液晶表示装置の平面の一部を示す概念図であり、電極間への電圧の印加の有無による液晶分子の挙動を説明するための図である。 図４は、図１に示した液晶表示装置の回路構成図である。 図５Ａ及び図５Ｂは、ＴＦＴ等及び第１電極が形成された第１基板の模式的な一部端面図である。

以下、図面を参照して、実施の形態及び実施例に基づき本開示を説明するが、本開示は実施の形態及び実施例に限定されるものではなく、実施の形態及び実施例における種々の数値や材料は例示である。尚、説明は、以下の順序で行う。
１．本開示の液晶表示装置及び液晶組成物、全般に関する説明
２．本開示の液晶表示装置での使用に適した配向膜の組成に関する説明
３．実施例に基づく本開示の液晶表示装置及び液晶組成物の説明
４．その他

［本開示の液晶表示装置及び液晶組成物、全般に関する説明］
本開示の液晶表示装置あるいは液晶組成物において、アルケニル化合物−１は、下記の一般式（ＡＮ−３）で示されるアルケニル化合物から成る形態とすることができる。

但し、Ｒ_AN31は、炭素数１乃至８のアルケニル基であり、Ｒ_AN32は、炭素数１乃至８のアルキル基又はアルコキシ基である。

あるいは又、本開示の液晶表示装置あるいは液晶組成物において、アルケニル化合物−１は、下記の一般式（ＡＮ−４）で示されるアルケニル化合物から成る形態とすることができる。

但し、Ｒ_AN41は、炭素数１乃至８のアルケニル基であり、Ｒ_AN42は、炭素数１乃至８のアルキル基又はアルコキシ基である。

一般式（ＡＮ−３）、（ＡＮ−４）の構造とすることで、液晶相の温度範囲を広くすることができ、特に、高温側に液晶相の温度範囲を広げることができる。また、粘性の上昇を抑制することができる。

更には、以上に説明した各種の好ましい形態を含む本開示の液晶表示装置あるいは液晶組成物において、アルケニル化合物−２は、下記の一般式（ＡＮ−５）で示されるアルケニル化合物から成る形態とすることができる。

但し、Ｒ_AN51は、炭素数１乃至８のアルケニル基であり、Ｒ_AN52は、炭素数１乃至８のアルキル基である。

一般式（ＡＮ−２）で示される構造とすることで、液晶相の温度範囲を広くすることができ、特に、低温側に液晶相の温度範囲を広げることができる。また、粘性の上昇を抑制することができる。

更には、以上に説明した各種の好ましい形態を含む本開示の液晶表示装置あるいは液晶組成物において、液晶層を構成する液晶組成物は、一般式（ＡＮ−２）で示される化合物−２’（但し、Ｒ_AN21，Ｒ_AN22は、それぞれ、独立に、炭素数１乃至８のアルキル基又はアルコキシ基である）を含み、
液晶組成物中のアルケニル化合物−２の質量百分率は化合物−２’の質量百分率よりも高い形態とすることができる。このような形態とすることで、応答特性の向上を図ることができる。

液晶組成物中におけるアルケニル化合物は、例えば、ガスクロマトグラフィー装置を用いることで検出することができる。

更には、以上に説明した各種の好ましい形態を含む本開示の液晶表示装置において、
一方の基板に、第１電極及び第２電極が設けられており、第１電極と第２電極との間に電圧を印加することで、一方の基板に略平行な横電界を形成する形態とすることができる。尚、このような液晶表示装置の液晶表示方式として、横電界（ＩＰＳ）モード、あるいは、フリンジフィールドスイッチング（ＦＦＳ）モードを挙げることができる。そして、この場合、第１電極及び第２電極は櫛型電極から成る構成とすることができる。即ち、第１電極を構成する櫛型電極と第２電極を構成する櫛型電極とは、所定の間隔で、平行して、交互に配置されている。

［本開示の液晶表示装置に関する説明］
以下、本開示の液晶表示装置を説明する。

本開示の液晶表示装置において、液晶表示装置が有する一対の基板は、第１電極（画素電極）及び第２電極（対向電極）を有する第１基板、及び、第２基板から構成されている。第２基板側にカラーフィルター層が形成されており、あるいは又、第１基板側にカラーフィルター層が形成されている。第１基板には、画素を制御、駆動するためのＴＦＴ等から成る制御回路が設けられている。尚、画素を駆動するためのＴＦＴ等から成る制御回路を含む層を、『ＴＦＴ層』と呼ぶ場合がある。

第２基板側にカラーフィルター層が形成されている場合、第１基板に設けられたＴＦＴ層の上には層間絶縁層から成る平滑化膜が形成されており、平滑化膜上に第１電極及び第２電極が形成されている。一方、第１基板側にカラーフィルター層が形成されている場合、第１基板に設けられたＴＦＴ層の上にはカラーフィルター層が形成されており、カラーフィルター層上に、あるいは又、カラーフィルター層の上の形成されたオーバーコート層の上に、若しくは、無機材料から成るパシベーション膜の上に、第１電極及び第２電極が形成されている。尚、第１基板に設けられたカラーフィルター層、オーバーコート層、パシベーション膜を総称して、便宜上、『パシベーション膜等』と呼ぶ場合がある。但し、このように、第１電極と第２電極とは同じ平面内に設けられている構成に限定するものではなく、平滑化膜の上あるいはパシベーション膜等の上に第１電極を形成し、平滑化膜やパシベーション膜等の内部に第２電極を形成してもよい。即ち、第１電極と第２電極との間には、平滑化膜やパシベーション膜等の一部（即ち、絶縁材料層）が介在する形態とすることもできる。云い換えれば、第１電極と第２電極とは異なる平面に設けられていてもよい。第１電極及び第２電極は、例えば、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）やＩＺＯ、ＺｎＯ、ＳｎＯ等の透明性を有する透明導電材料から構成すればよい。

また、第１基板の外面に第１の偏光板を貼り付け、第２基板の外面に第２の偏光板を貼り付ける。第１の偏光板と第２の偏光板とは、それぞれの吸収軸が直交するように配置する。尚、液晶表示装置において、画素が複数の副画素から構成される場合、画素を副画素と読み替えればよい。

以下、具体的に、本開示の液晶表示装置（液晶表示素子）における共通の構成、構造を説明する。本開示の液晶表示装置（あるいは液晶表示素子）の模式的な一部断面図を図１に示す。また、電極間への電圧の印加の有無による液晶分子の挙動を説明するために、本開示の液晶表示装置の断面の一部を示す概念図を図２Ａ及び図２Ｂに示し、平面の一部を示す概念図を図３Ａ及び図３Ｂに示す。更には、図１に示した液晶表示装置の回路構成図を図４に示し、ＴＦＴ等及び第１電極が形成された第１基板の模式的な一部端面図を図５Ａ及び図５Ｂに示す。ここで、図示した液晶表示装置において、液晶表示方式は横電界（ＩＰＳ）モードである。また、液晶表示装置は透過型液晶表示装置である。また、図１において、第１電極を個々別々に表示しているが、これらの第１電極は図１の紙面外で接続されている。同様に、第２電極を個々別々に表示しているが、これらの第２電極も図１の紙面外で接続されている。

この液晶表示装置は、一対の基板（第１基板２０，第２基板５０）の対向面側に設けられた一対の配向膜２１，５１と、一対の配向膜２１，５１の間に設けられ、正の誘電率異方性を有する液晶分子６１を含む本開示の液晶組成物から構成された液晶層６０とを有する液晶表示素子を備えている。ＴＦＴ（Thin Film Transistor；薄膜トランジスタ）基板とも呼ばれる第１基板２０には、第１電極（画素電極）３１及び第２電極（対向電極）３２が設けられている。尚、第２基板５０は、ＣＦ（Color Filter；カラーフィルタ）基板とも呼ばれる。そして、第１基板２０の外側面には偏光板２２が取り付けられており、第２基板５０の外側面には偏光板５２が取り付けられている。これらの偏光板２２，５２は、入射光に対して特定の偏光成分を透過させる機能を有する光学部材であり、光の振動方向を制御するものである。

第１基板２０及び第２基板５０は、例えば、ガラスやプラスチック等の透明な材料（光透過性材料）から構成されている。第２基板５０には、例えば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のカラーフィルター（図示せず）が、例えば、ストライプ状に配置されている。配向膜２１，５１は、液晶層６０に含まれる液晶分子６１を所定の配向状態となるように配向させる。配向膜２１，５１は、例えば、ポリイミド等の有機材料から構成されており、液晶分子６１を基板面に対して水平方向に配向させる水平配向膜である。配向膜２１，５１には、更に、ラビング処置等の配向方向を規制する処理が施されていてもよい。

第１電極３１と第２電極３２は櫛型電極から成る。即ち、第１電極３１を構成する櫛型電極と第２電極３２を構成する櫛型電極とは、所定の間隔で、平行して、交互に配置されている。第１電極３１及び第２電極３２は、液晶層６０に電圧を印加するための電極であり、光透過性を有する透明電極、例えば、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）等の透明電極材料から構成されている。第２電極３２は、画素に共通の電極であり、例えば、接地されている。

液晶層６０は、正の誘電異方性（誘電率異方性）を有すると共に、ネマチック液晶相を示す液晶材料から構成されている。液晶層６０にあっては、図２Ａ及び図３Ａに示すように、駆動電圧が印加されていない状態において、液晶分子６１は、第１電極３１及び第２電極３２に対して斜め（４５度程度）に配向されており、しかも、第１電極３１及び第２電極３２の表面に対して略水平である。尚、液晶層６０に含まれるネマチック液晶相を示す液晶分子６１として正の誘電異方性を有する液晶分子を用いたＩＰＳモードについて説明したが、ＴＮモードやＦＦＳモードとすることもできる。誘電異方性（Δε）は、
Δε＝ε₁−ε₂
で求めることができる。ここで、ε₁は液晶分子の長軸方向の誘電率であり、ε₂は液晶分子の単軸方向の誘電率である。誘電率εは、一般に、
ε＝Ｃ_p・ｄ／Ｓ
で表すことができる。ここで、Ｃ_pは液晶の静電容量を表し、ｄは液晶層の厚さを表し、Ｓは第１電極と第２電極の重なり部分の面積を表す。

そして、第１電極３１及び第２電極３２に電圧を印加すると、液晶分子６１は、図１、図２Ｂ及び図３Ｂに示すように、第１電極３１及び第２電極３２に対して略直交するように配向する。尚、第１電極３１及び第２電極３２の表面に対して略水平である。

図４に示すように、液晶表示装置は、表示領域８０内に設けられた複数の画素１０を有する液晶表示素子を含んで構成されている。この液晶表示装置では、表示領域８０の周囲には、ソースドライバ８１及びゲートドライバ８２と、ソースドライバ８１及びゲートドライバ８２を制御するタイミングコントローラ８３と、ソースドライバ８１及びゲートドライバ８２に電力を供給する電源回路８４とが設けられている。

表示領域８０は、画像が表示される領域であり、複数の画素１０がマトリクス状に配列されることにより画像を表示可能に構成された領域である。尚、図４では、複数の画素１０を含む表示領域８０を示しているほか、４つの画素１０に対応する領域を別途拡大して示している。

表示領域８０では、行方向に複数のソース線９１が配列されていると共に、列方向に複数のゲート線９２が配列されており、ソース線９１及びゲート線９２が互いに交差する位置に画素１０がそれぞれ配置されている。各画素１０は、第１電極３１及び液晶層６０と共に、ＴＦＴ４０及びキャパシタ９３を含んで構成されている。各ＴＦＴ４０では、ソース電極がソース線９１に接続され、ゲート電極がゲート線９２に接続され、ドレイン電極がキャパシタ９３及び第１電極（画素電極）３１に接続されている。各ソース線９１は、ソースドライバ８１に接続されており、ソースドライバ８１から画像信号が供給される。各ゲート線９２は、ゲートドライバ８２に接続されており、ゲートドライバ８２から走査信号が順次供給される。

ソースドライバ８１及びゲートドライバ８２は、複数の画素１０の中から特定の画素１０を選択する。

タイミングコントローラ８３は、例えば、画像信号（例えば、赤、緑、青に対応するＲＧＢの各画像信号）と、ソースドライバ８１の動作を制御するためのソースドライバ制御信号とを、ソースドライバ８１に出力する。また、タイミングコントローラ８３は、例えば、ゲートドライバ８２の動作を制御するためのゲートドライバ制御信号をゲートドライバ８２に出力する。ソースドライバ制御信号として、例えば、水平同期信号、スタートパルス信号あるいはソースドライバ用のクロック信号等が挙げられる。ゲートドライバ制御信号として、例えば、垂直同期信号や、ゲートドライバ用のクロック信号等が挙げられる。

第１電極（画素電極）３１と第２電極（対向電極）３２との間に駆動電圧を印加することによって画像が表示される。即ち、タイミングコントローラ８３からのソースドライバ制御信号の入力に基づき、併せて、タイミングコントローラ８３から入力された画像信号に基づいて、ソースドライバ８１が、所定のソース線９１に個別の画像信号を供給する。一方、タイミングコントローラ８３からのゲートドライバ制御信号の入力に基づき、所定のタイミングで、ゲートドライバ８２がゲート線９２に走査信号を順次供給する。これにより、画像信号が供給されたソース線９１と走査信号が供給されたゲート線９２との交差部に位置する画素１０が選択され、その画素１０に駆動電圧が印加される。選択された画素１０では、駆動電圧が印加されると、液晶層６０に含まれる液晶分子６１の配向状態が、第１電極３１と第２電極３２との間の電位差に応じて図２Ａ、図３Ａの状態から図３Ｂ、図３Ｂに示す状態へと変化する。これによって、液晶層６０の光学的特性が変化し、液晶層６０への入射光が変調された出射光となり、出射光に基づいて階調表現されることで画像が表示される。

図５Ａに示すように、ＴＦＴ４０を形成するために、第１基板２０上に形成された絶縁膜２０’の上にゲート電極４１及びゲート線（図示せず）を形成し、ゲート電極４１、ゲート線及び絶縁膜２０’の上にゲート絶縁層４２を形成する。ゲート絶縁層４２は、例えば、ＳｉＯ₂やＳｉＮ、ＳｉＯＮ、金属酸化物から成る。次いで、ゲート絶縁層４２上にチャネル形成領域となる半導体層４３を形成した後、半導体層４３上にソース／ドレイン電極４４Ａ，４４Ｂ及びソース線（図示せず）を形成する。半導体層４３は、例えば、ポリシリコンやアモルファスシリコンから成り、ソース／ドレイン電極４４Ａ，４４Ｂ、ソース線は、例えば、チタン、クロム、アルミニウム、モリブデン、タンタル、タングステン、銅等の金属膜や、これらの合金膜又は積層膜から成る。こうして、ＴＦＴ層４０’を得ることができる。以上のＴＦＴ層４０’の形成は、周知の方法に基づき行うことができる。尚、ＴＦＴ４０は、このような所謂ボトムゲート／トップコンタクト型に限定されず、ボトムゲート／ボトムコンタクト型とすることもできるし、トップゲート／トップコンタクト型とすることもできるし、トップゲート／ボトムコンタクト型とすることもできる。

その後、全面に層間絶縁層４６を形成した後、他方のソース／ドレイン電極４４Ｂの上方の層間絶縁層４６に接続孔４５を形成する。接続孔４５の底部には、他方のソース／ドレイン電極４４Ｂが露出している。その後、全面に、所定の厚さを有するＩＴＯから成る透明導電材料層を形成し、透明導電材料層をパターニングすることで、第１電極３１及び第２電極３２を形成する。

そして、第１基板２０、第２基板５０のそれぞれに配向膜２１，５１を形成した後、配向膜２１，５１にラビング処理を施す。次に、第１基板２０と第２基板５０とを配向膜２１と配向膜５１とが対向するように配置し、配向膜２１と配向膜５１との間に、液晶分子６１を含む液晶層６０を封止する。具体的には、第１基板２０あるいは第２基板５０のどちらか一方の、配向膜２１，５１の形成されている面に、４μｍのセルギャップを確保するためのプラスチックビーズを散布する一方、例えば、スクリーン印刷法に基づき第２基板５０上の外縁に粒径４μｍのシリカ粒子を含む紫外線硬化樹脂を塗布することで、シール部を形成する。そして、シール部に囲まれた部分に、正の誘電異方性を有すると共にネマチック液晶相を示す本開示の液晶組成物を滴下注入する。その後、第１基板２０と第２基板５０とを貼り合わせ、シール部を硬化させる。以上によって、液晶層６０が封止される。

その後、偏光板２２，５２をその吸収軸が直交するように第１基板２０、第２基板５０の外側、即ち、配向膜２１，５１を形成した面と対向する面に貼り付ける。こうして、本開示の透過型の液晶表示素子を得ることができる。

第１基板２０にカラーフィルター層を形成してもよい。具体的には、上述したとおり、第１基板２０にＴＦＴ層４０’を形成した後、周知の方法に基づき、ＴＦＴ層４０’の上にカラーフィルター層２３を形成する。こうして、ＣＯＡ（Color Filter On Array）構造を得ることができる。そして、他方のソース／ドレイン電極４４Ｂの上方のカラーフィルター層２３に接続孔３５を形成した後、第１電極３１、第２電極３２を形成すればよい（図５Ｂ参照）。

尚、液晶分子の配向状態によっては、面状光源装置からの光が液晶層を抜け、画像のコントラスト（液晶層における光透過率）が不均一になる画素の部分が生じる場合がある。このような場合には、画素の係る部分に光が入射しないように遮光領域を設けることが好ましい。場合によっては、配線層が遮光領域を兼ねる形態とすることもできる。

液晶表示装置は、周知の面状光源装置（バックライト）によって照明される。面状光源装置は、直下型の面状光源装置としてもよいし、エッジライト型（サイドライト型とも呼ばれる）の面状光源装置とすることもできる。ここで、直下型の面状光源装置は、例えば、筐体内に配置された光源と、光源の下方に位置する筐体の部分に配置され、光源からの出射光を上方に反射する反射部材と、光源の上方に位置する筐体開口部に取り付けられ、光源からの出射光及び反射部材からの反射光を拡散させながら通過させる拡散板とから構成されている。一方、エッジライト型の面状光源装置は、例えば、導光板と、導光板の側面に配置された光源から構成されている。導光板の下方には反射部材が配置されており、導光板の上方には拡散シート及びプリズムシートが配置されている。光源は、例えば冷陰極線型の蛍光ランプから成り、白色光を出射する。あるいは又、例えば、ＬＥＤや半導体レーザ素子といった発光素子から成る。面状光源装置（バックライト）からの光の通過を液晶表示装置によって制御することで、液晶表示装置において画像を表示することができる。

［本開示の液晶表示装置での使用に適した配向膜の組成］
以下、本開示の液晶表示装置での使用に適した配向膜の組成に関する説明を行う。

ところで、本開示の液晶表示装置において、一対の基板の対向面側には配向膜が形成されており、一対の配向膜の内、少なくとも一方の配向膜は、光反応性の高分子化合物を含む。ここで、『光反応性』とは、光分解性、光架橋性、光重合性、又は、光変形性を意味する。具体的には、配向膜２１，５１は、光分解性官能基を有する高分子化合物が分解した化合物を含むことが好ましい。配向膜２１を構成する高分子化合物と配向膜５１を構成する高分子化合物とは、同じ高分子化合物であることが好ましい。尚、光反応を生じた後の高分子化合物を、便宜上、『配向処理後・化合物』と呼ぶ場合があるし、光反応が生じる前の高分子化合物を便宜上、『配向処理前・化合物』と呼ぶ場合がある。

配向処理前・化合物は、主鎖として耐熱性が高い構造を含むことが好ましい。これにより、液晶表示装置（液晶表示素子）では、高温環境下に曝されても、配向膜２１，５１中の配向処理後・化合物が液晶分子６１に対する配向規制能を維持するため、応答特性と共にコントラスト等の表示特性が良好に維持され、信頼性が確保される。ここで、主鎖は、繰り返し単位中にイミド結合を含むことが好ましい。主鎖中にイミド結合を含む配向処理前・化合物として、例えば、式（１）で表されるポリイミド構造を含む高分子化合物が挙げられる。式（１）に示すポリイミド構造を含む高分子化合物は、式（１）に示すポリイミド構造のうちの１種から構成されていてもよいし、複数種がランダムに連結して含まれていてもよい。あるいは又、式（１）に示す構造とは別の構造を含んでいてもよい。また、柔軟性を有するポリイミド構造と剛直なポリイミド構造との混合物で構成されていてもよい。柔軟性を有するポリイミド構造と剛直なポリイミド構造との混合物で配向膜を構成することで、配向膜の配向秩序性を向上させることができる。柔軟性を有するポリイミド構造としては、主鎖にアルキル鎖を有するものが好ましい。

ここで、Ｒ１は４価の有機基であり、Ｒ２は２価の有機基であり、ｎ１は１以上の整数である。

式（１）におけるＲ１及びＲ２は、炭素を含んで構成された４価あるいは２価の基であれば任意であるが、Ｒ１及びＲ２のうちのいずれか一方に、光反応性官能基が含まれていることが好ましい。配向処理後、十分な配向規制能が得られ易いからである。

配向膜の高分子化合物前駆体として、例えば、ポリアミック酸を挙げることができる。高分子化合物前駆体としてのポリアミック酸は、例えば、ジアミン化合物とテトラカルボン酸二無水物とを反応させて合成される。

テトラカルボン酸二無水物として、例えば、以下の式（ａ−１）〜式（ａ−5）を挙げることができる。あるいは又、テトラカルボン酸二無水物として、ベンゼン環を有さない化合物を挙げることもできる。ベンゼン環を有さないテトラカルボン酸二無水物として、例えば、式（ａ−6）〜式（ａ−8）を挙げることができる。

また、式（２）に示す１,３−ジメチルシクロブタンテトラカルボン酸二無水物の脱水縮合物又は脱水縮合物をエステル化した材料を含んでいてもよい。

ジアミン化合物として、例えば、脂肪族ジアミン、脂環式ジアミン、芳香族ジアミン、ジアミノオルガノシロキサン等を挙げることができる。

脂肪族ジアミンとして、具体的には、例えば、１，１−メタキシリレンジアミン、１，３−プロパンジアミン、テトラメチレンジアミン、ペンタメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン等を挙げることができる。脂環式ジアミンとして、例えば、１，４−ジアミノシクロヘキサン、４，４’−メチレンビス（シクロヘキシルアミン）、１，３−ビス（アミノメチル）シクロヘキサン等を挙げることができる。芳香族ジアミンとして、例えば、ｐ−フェニレンジアミン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルスルフィド、１，５−ジアミノナフタレン、２，２’−ジメチル−４，４’−ジアミノビフェニル、４，４’−ジアミノ−２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ビフェニル、２，７−ジアミノフルオレン、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、９，９−ビス（４−アミノフェニル）フルオレン、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパンや、下記の式（Ｄ−１）で表される化合物を挙げることができる。

ここで、Ｘ¹は、炭素数１〜３のアルキル基、＊−Ｏ−、＊−ＣＯＯ−、又は、＊−ＯＣＯ−（但し、「＊」を付した結合手がジアミノフェニル基と結合する）であり、ｈは０又は１であり、ｉは０〜２の整数であり、ｊは１〜２０の整数である。尚、式（Ｄ−１）において、ｈとｉとは同時には０にならないことが好ましい。

式（Ｄ−１）で表される化合物の具体例としては、例えば、式（Ｄ−１−１）〜（Ｄ−１−４）を挙げることができる。

ここで、これらのジアミンは、単独又は２種以上を組み合わせて使用することができる。特に好ましいジアミン化合物として、ｐ−フェニレンジアミン化合物を挙げることができ、更には、スルホン酸基又はカルボキシ基を含むジアミン化合物が一層好ましい。ジアミン化合物として、式（Ｂ−１）〜式（Ｂ−６）で表される化合物を用いてもよい。これらのジアミンは、単独又は２種以上を組み合わせて使用することができる。

また、配向膜の高分子化合物前駆体として、ポリアミド酸エステルを含んでいてもよい。ポリアミド酸エステルは、光分解性の部位を有していてもよい。例えば、下記の式（３）で示される構造を挙げることができる。

但し、式（３）において、Ｒ¹¹，Ｒ¹²は、それぞれ独立に、炭素数１〜８のアルキル基であり、Ｒ²¹，Ｒ²²，Ｒ²³，Ｒ²⁴は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、フェニル基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、（−（ＣＨ₂）_m−ＣＨ＝ＣＨ₂、但し、ｍ＝０，１，２）で示される基、又は、（−（ＣＨ₂）_m−Ｃ≡ＣＨ、但し、ｍ＝０，１，２）で示される基であり、Ａｒは芳香族化合物である。

光配向性の優れたポリアミド酸エステルは光分解性の部位を有しており、このポリアミド酸エステルを前駆体とするポリイミドに偏光された紫外線を照射すると、紫外線の偏光方向に平行なポリイミドの光分解性部位が分解され、配向膜が一軸異方性を持つようになり、液晶分子の配向制御に好ましい。

配向膜材料には、必要に応じて、光重合開始剤等を混合してもよい。

配向処理前・化合物が有する主鎖は、ポリイミド構造を含むものに限定されない。例えば、主鎖が、ポリシロキサン構造、ポリアクリレート構造、ポリメタクリレート構造、マレインイミド重合体構造、スチレン重合体構造、スチレン／マレインイミド重合体構造、ポリサッカライド構造又はポリビニルアルコール構造等を含んでいてもよく、中でも、ポリシロキサン構造を含む主鎖を有する配向処理前・化合物が好ましい。上記したポリイミド構造を含む高分子化合物と同様の効果が得られるからである。ポリシロキサン構造を含む主鎖を有する配向処理前・化合物として、例えば、式（４）で表されるポリシラン構造を含む高分子化合物が挙げられる。式（４）におけるＲ１０及びＲ１１は、炭素を含んで構成された１価の基であれば任意であるが、光反応性官能基を含んでいることが好ましい。配向処理後・化合物において、十分な配向規制能が得られ易いからである。この場合における光反応性官能基として、式（Ａ１’）及び（Ａ２’）に示す基等を挙げることができる。

ここで、Ｒ１０及びＲ１１は１価の有機基であり、ｍ１は１以上の整数である。

式（Ａ１’）中、Ｒは、水素原子、炭素数１〜３のアルキル基、フッ素原子又はシアノ基であり、Ｒ¹は、フェニレン基又はシクロヘキシレン基であり（但し、フェニレン基又はシクロヘキシレン基の水素原子の一部又は全部はフッ素原子又はシアノ基で置換されてもよい）、Ｒ²は、単結合、メチレン基、炭素数２〜３のアルキレン基、酸素原子、硫黄原子、−ＣＨ＝ＣＨ−又は−ＮＨ−であり、ａは０〜３の整数であり、ａが２又は３である場合に複数存在するＲ¹及びＲ²は、それぞれ、同一であっても異なっていてもよく、Ｒ³はフッ素原子又はシアノ基であり、ｂは０〜４の整数であり、「＊」は結合手であることを示す。

また、式（Ａ２’）中、Ｒ’は、水素原子、炭素数１〜３のアルキル基、フッ素原子又はシアノ基であり、Ｒ⁴は、フェニレン基又はシクロヘキシレン基であり（但し、フェニレン基又はシクロヘキシレン基の水素原子の一部又は全部はフッ素原子又はシアノ基で置換されてもよい）、Ｒ⁵は、単結合、メチレン基、炭素数２〜３のアルキレン基、酸素原子、硫黄原子又は−ＮＨ−であり、ｃは１〜３の整数であり、ｃが２又は３である場合に複数存在するＲ⁴及びＲ⁵は、それぞれ、同一であっても異なっていてもよく、Ｒ⁶は、フッ素原子又はシアノ基であり、ｄは０〜４の整数であり、Ｒ⁷は、酸素原子、−ＣＯＯ−＋又は−ＯＣＯ−＋（但し、以上において「＋」を付した結合手がＲ⁸と結合する）であり、Ｒ⁸は、２価の芳香族基、２価の脂環式基、２価の複素環式基又は２価の縮合環式基であり、Ｒ⁹は、単結合、＋−ＯＣＯ−（ＣＨ₂）_f−又は又は＋−Ｏ−（ＣＨ₂）_g−〈但し、以上において「＋」を付した結合手が−（Ｒ⁷−Ｒ⁸）_e−側である〉であり、ｆ及びｇは、それぞれ、１〜１０の整数であり、ｅは０〜３の整数であり、「＊」は結合手であることを示す。

式（Ａ１’）におけるＲ及び式（Ａ２’）におけるＲ’の炭素数１〜３のアルキル基は、それぞれ、メチル基、エチル基又はｎ−プロピル基であることが好ましい。式（Ａ１’）におけるＲ¹及び式（Ａ２’）におけるＲ⁴のフェニレン基及びシクロへキシレン基は、それぞれ、１，４−フェニレン基又は１，４−シクロへキシレン基であることが好ましい。上記式（Ａ１’）におけるＲ²は、単結合、酸素原子又は−ＣＨ＝ＣＨ−であることが好ましい。式（Ａ２’）におけるＲ⁸の２価の芳香族基として、例えば、１，４−フェニレン基又は４，４’−ビフェニレン基等を挙げることができるし、２価の脂環式基として、例えば、１，４−シクロへキシレン基、４，４’−ビシクロヘキシレン基等を挙げることができるし、２価の複素環式基として、例えば、フラン−２，５−ジイル基、チオフェン−２，５−ジイル基、２，２’−ビチオフェン−５，５’−ジイル基等を挙げることができるし、２価の縮合環式基として、例えば、アントラキノン−２，６−ジイル基、ナフタレン−１，４−ジイル基、ナフタレン−１，５−ジイル基、ナフタレン−２，６−ジイル基、ナフタレン−２，７−ジイル基、アントラセン−９，１０−ジイル基、カルバゾール−３，６−ジイル基、ジベンゾチオフェン−２，８−ジイル基等を挙げることができる。式（Ａ２’）におけるｅは０であることが好ましい。

本開示において、液晶配向剤に含有される感放射線性ポリオルガノシロキサンが有する基の具体例としては、上記式（Ａ１’）で表される基として、例えば下記の式のそれぞれで表される基を挙げることができる。

実施例１は、本開示の液晶表示装置に関する。液晶表示装置は、上述した構成、構造の液晶表示装置から成る。配向膜材料として、式（５）で示される１,２−ビス（４−アミノフェニル）エタンと、式（２）で示される１,３−ジメチルシクロブタンテトラカルボン酸二無水物の脱水縮合物をエステル化した配向材料、並びに、式（６）で示されるパラフェニルジアミンと式（２）で示される１,３−ジメチルシクロブタンテトラカルボン酸二無水物の脱水縮合物をエステル化した配向材料を重量比で１：１の割合で含むものを用いた。

そして、調製した配向膜材料を、第１電極３１、第２電極３２を覆うように、あるいは又、カラーフィルターを覆うように、塗布あるいは印刷した後、加熱処理をする。加熱処理の温度は８０゜Ｃ以上が好ましく、１５０゜Ｃ以上、２５０゜Ｃ以下とすることがより好ましい。また、加熱処理は、加熱温度を段階的に変化させてもよい。これにより、塗布あるいは印刷された配向膜材料に含まれる溶剤が蒸発する。実施例１では、２３０゜Ｃで焼成して配向膜のイミド化を行った。このとき、式（６）で示されるパラフェニルジアミンと式（７）で示される１,３−ジメチルシクロブタンテトラカルボン酸二無水物の脱水縮合物をエステル化した配向材料は剛構造となり、式（５）で示される１,２−ビス(４−アミノフェニル)エタンと式（７）で示される１,３−ジメチルシクロブタンテトラカルボン酸二無水物の脱水縮合物をエステル化した配向材料は柔構造となる。その後、配向膜に対して光配向のために、直線偏光された紫外線を照射する。直線偏光された紫外線によって、高分子の配向膜が当該偏光方向で主鎖が切断されることによって一軸性が付与される。これにより、配向膜２１，５１が形成される。また、その後、ラビング処理を施してもよい。

実施例１Ａにおいては、以下の表１に示す液晶組成物を使用した。尚、〈アルケニル化合物−１〉の質量％／〈アルケニル化合物−２〉の質量％＝２８／２６である。また、〈アルケニル化合物−２〉の質量％／〈化合物−２’〉の質量％＝２６／６である。

尚、化合物−１’とは、一般式（ＡＮ−３）で示される化合物（但し、Ｒ_AN31，Ｒ_AN32は、それぞれ、独立に、炭素数１乃至８のアルキル基又はアルコキシ基である）を指す。また、化合物−２’とは、一般式（ＡＮ−２）で示される（但し、Ｒ_AN21，Ｒ_AN22は、それぞれ、独立に、炭素数１乃至８のアルキル基又はアルコキシ基である）を指す。

［表１］実施例１Ａ
〈アルケニル化合物−１〉
一般式（ＡＮ−３）：２８質量％
Ｒ_AN31：炭素数２のアルケニル基
Ｒ_AN32：炭素数５のアルキル基
〈アルケニル化合物−２〉
一般式（ＡＮ−５）：１６質量％
Ｒ_AN51：炭素数２のアルケニル基
Ｒ_AN52：炭素数５のアルキル基
一般式（ＡＮ−５）：１０質量％
Ｒ_AN51：炭素数３のアルケニル基
Ｒ_AN52：炭素数３のアルキル基
〈化合物−２’〉
一般式（ＡＮ−２）：６質量％
Ｒ_AN21：炭素数１のアルコキシ基
Ｒ_AN22：炭素数５のアルキル基

実施例１Ｂにおいては、以下の表２に示す液晶組成物を使用した。尚、〈アルケニル化合物−１〉の質量％／〈アルケニル化合物−２〉の質量％＝３０／２５である。また、〈アルケニル化合物−２〉の質量％／〈化合物−２’〉の質量％＝２５／５である。

［表２］実施例１Ｂ
〈アルケニル化合物−１〉
一般式（ＡＮ−３）：２７質量％
Ｒ_AN31：炭素数２のアルケニル基
Ｒ_AN32：炭素数３のアルキル基
一般式（ＡＮ−４）：３質量％
Ｒ_AN41：炭素数２のアルケニル基
Ｒ_AN42：炭素数４のアルキル基
〈アルケニル化合物−２〉
一般式（ＡＮ−５）：１６質量％
Ｒ_AN51：炭素数２のアルケニル基
Ｒ_AN52：炭素数３のアルキル基
一般式（ＡＮ−５）：９質量％
Ｒ_AN51：炭素数３のアルケニル基
Ｒ_AN52：炭素数３のアルキル基
〈化合物−２’〉
一般式（ＡＮ−２）：５質量％
Ｒ_AN21：炭素数１のアルコキシ基
Ｒ_AN22：炭素数３のアルキル基

実施例１Ｃにおいては、以下の表３に示す液晶組成物を使用した。尚、〈アルケニル化合物−１〉の質量％／〈アルケニル化合物−２〉の質量％＝１９／１６である。また、〈アルケニル化合物−２〉の質量％／〈化合物−２’〉の質量％＝１６／７である。

［表３］実施例１Ｃ
〈アルケニル化合物−１〉
一般式（ＡＮ−３）：１３質量％
Ｒ_AN31：炭素数２のアルケニル基
Ｒ_AN32：炭素数１のアルキル基
一般式（ＡＮ−４）：６質量％
Ｒ_AN41：炭素数２のアルケニル基
Ｒ_AN42：炭素数４のアルキル基
〈アルケニル化合物−２〉
一般式（ＡＮ−５）：１６質量％
Ｒ_AN51：炭素数２のアルケニル基
Ｒ_AN52：炭素数４のアルキル基
〈化合物−２’〉
一般式（ＡＮ−２）：７質量％
Ｒ_AN21：炭素数１のアルコキシ基
Ｒ_AN22：炭素数３のアルキル基

比較例１Ａ−１として、以下の表４に示す液晶組成物を使用した。尚、〈アルケニル化合物−１〉の質量％／〈アルケニル化合物−２〉の質量％＝２２／３２である。

［表４］比較例１Ａ−１
〈アルケニル化合物−１〉
一般式（ＡＮ−３）：２２質量％
Ｒ_AN31：炭素数２のアルケニル基
Ｒ_AN32：炭素数５のアルキル基
〈化合物−１’〉
一般式（ＡＮ−３）：６質量
Ｒ_AN31：炭素数１のアルコキシ基
Ｒ_AN32：炭素数３のアルキル基
〈アルケニル化合物−２〉
一般式（ＡＮ−５）：２２質量％
Ｒ_AN51：炭素数２のアルケニル基
Ｒ_AN52：炭素数５のアルキル基
一般式（ＡＮ−５）：１０質量％
Ｒ_AN51：炭素数３のアルケニル基
Ｒ_AN52：炭素数３のアルキル基

比較例１Ａ−２として、以下の表５に示す液晶組成物を使用した。尚、〈アルケニル化合物−１〉の質量％／〈アルケニル化合物−２〉の質量％＝２２／２６である。

［表５］比較例１Ａ−２
〈アルケニル化合物−１〉
一般式（ＡＮ−３）：２２質量％
Ｒ_AN31：炭素数２のアルケニル基
Ｒ_AN32：炭素数５のアルキル基
〈化合物−１’〉
一般式（ＡＮ−３）：６質量％
Ｒ_AN31：炭素数１のアルコキシ基
Ｒ_AN32：炭素数３のアルキル基
〈アルケニル化合物−２〉
一般式（ＡＮ−５）：１６質量％
Ｒ_AN51：炭素数２のアルケニル基
Ｒ_AN52：炭素数５のアルキル基
一般式（ＡＮ−５）：１０質量％
Ｒ_AN51：炭素数３のアルケニル基
Ｒ_AN52：炭素数３のアルキル基
〈化合物−２’〉
一般式（ＡＮ−２）：６質量％
Ｒ_AN21：炭素数１のアルコキシ基
Ｒ_AN22：炭素数５のアルキル基

比較例１Ｂとして、以下の表６に示す液晶組成物を使用した。尚、〈アルケニル化合物−１〉の質量％／〈アルケニル化合物−２〉の質量％＝２５／３０である。

［表６］比較例１Ｂ
〈アルケニル化合物−１〉
一般式（ＡＮ−３）：２２質量％
Ｒ_AN31：炭素数２のアルケニル基
Ｒ_AN32：炭素数３のアルキル基
一般式（ＡＮ−４）：３質量％
Ｒ_AN41：炭素数２のアルケニル基
Ｒ_AN42：炭素数４のアルキル基
〈化合物−１’〉
一般式（ＡＮ−３）：５質量％
Ｒ_AN31：炭素数３のアルキル基
Ｒ_AN32：炭素数１のアルコキシ基
〈アルケニル化合物−２〉
一般式（ＡＮ−５）：２０質量％
Ｒ_AN51：炭素数２のアルケニル基
Ｒ_AN52：炭素数３のアルキル基
一般式（ＡＮ−５）：１０質量％
Ｒ_AN51：炭素数３のアルケニル基
Ｒ_AN52：炭素数３のアルキル基

比較例１Ｃとして、以下の表７に示す液晶組成物を使用した。尚、〈アルケニル化合物−１〉の質量％／〈アルケニル化合物−２〉の質量％＝１５／２３である。

［表７］比較例１Ｃ
〈アルケニル化合物−１〉
一般式（ＡＮ−３）：１１質量％
Ｒ_AN31：炭素数２のアルケニル基
Ｒ_AN32：炭素数１のアルキル基
一般式（ＡＮ−４）：４質量％
Ｒ_AN41：炭素数２のアルケニル基
Ｒ_AN42：炭素数４のアルキル基
〈化合物−１’〉
一般式（ＡＮ−３）：４質量％
Ｒ_AN31：炭素数３のアルキル基
Ｒ_AN32：炭素数１のアルコキシ基
〈アルケニル化合物−２〉
一般式（ＡＮ−５）：２３質量％
Ｒ_AN51：炭素数２のアルケニル基
Ｒ_AN52：炭素数４のアルキル基

応答特性及び電圧保持率の測定結果を、以下の表８に示す。応答特性を測定した結果、実施例１Ａと比較例１Ａ−１で同様な結果が得られたが、比較例１Ａ−２では応答時間が長かった。一方、電圧保持率に関しては、実施例１Ａと比較例１Ａ−２で同様な結果が得られたが、比較例１Ａ−１は低い値を示した。また、応答特性を測定した結果、実施例１Ｂと比較例１Ｂ、実施例１Ｃと比較例１Ｃで同様な結果が得られたが、電圧保持率に関しては、比較例１Ｂ、比較例１Ｃは低い値を示した。つまり、アルケニル化合物−１の質量百分率がアルケニル化合物−２の質量百分率よりも高い液晶組成物を用いることで、液晶組成物の粘性が低く、良好なる応答時間を得ることができ、しかも、高い電圧保持率を得ることができた。

ここで、電圧保持率とは、所定期間中（例えば１フレーム）に充電された電荷が保持される割合で表される。尚、液晶表示装置におけるバックライトを、常時、点灯状態とした。電圧保持率の減少の要因としては、不純物イオンの増加が考えられる。つまり、電圧保持率の高い液晶表示素子は、不純物イオンが少ない液晶表示素子と考えられる。電圧保持特性の悪化は、駆動電圧の変化やコントラストの悪化を及ぼすため、好ましくはない。電圧保持特性に優れた液晶表示素子は、優れた特性を有する液晶表示装置であると云える。また、応答時間とは、第１電極３１と第２電極３２との間に、駆動電圧（７．５ボルト）を印加した状態から、印加しない状態（０ボルト）としたときの、輝度９０％から１０％の輝度となるまでの時間を意味する。測定装置としてＬＣＤ５２００（大塚電子株式会社製）を用いた。電圧保持率は液晶表示装置における５００時間経過後の測定結果とした。

［表８］
電圧保持率（％） 応答時間（ミリ秒）
実施例１Ａ ９６ ８．６
比較例１Ａ−１ ９４ ８．６
比較例１Ａ−２ ９６ ８．９

実施例１Ｂ ９５ ８．３
比較例１Ｂ ９３ ８．３

実施例１Ｃ ９７ ９．３
比較例１Ｃ ９６ ９．３

以上のとおり、本開示の液晶表示装置あるいは液晶組成物において、液晶層を構成する液晶組成物はアルケニル化合物−１及びアルケニル化合物−２を含み、液晶組成物中のアルケニル化合物−１の質量百分率はアルケニル化合物−２の質量百分率よりも高いので液晶層あるいは液晶組成物の粘性の低下を図ることができ、高速応答が可能となる。しかも、アルケニル化合物−１は、アルケニル化合物−２よりも電圧保持率の低下が少ないといった特性を有するので、電圧保持率が時間と共に低下するといった問題の発生を回避することができる。

以上、実施の形態及び実施例を挙げて本開示の液晶表示装置を説明したが、本開示の液晶表示装置は、上記実施の形態又は実施例に限定するものではなく、上述した液晶組成物を用いることにより、応答速度を向上させながら、電圧保持率の低下を抑制することが可能な限り、液晶表示装置の構成、構造、使用する液晶材料は、適宜、変更可能である。実施の形態及び実施例では、ＩＰＳモードの液晶表示装置を説明したが、これに限られるものではなく、ＴＮモードやＦＦＳモード、ＳＴＮ（Super Twisted Nematic）モード等に適用することもでき、実施の形態及び実施例と同様の効果を得ることができる。また、実施の形態及び実施例では、液晶表示装置として、透過型液晶表示装置に基づき説明を行ったが、これに限られるものではなく、例えば、反射型の液晶表示装置に適用することも可能である。反射型の液晶表示装置では、第１電極、第２電極がアルミニウム等の光反射性を有する電極材料によって構成される。この場合においても、実施の形態及び実施例と同様の効果を得ることができる。また、透過型と反射型を組み合わせた半透過型の液晶表示装置にも適用可能である。

更には、液晶層を構成する液晶組成物は、少なくとも、電気的にポジティブなアルケニル化合物と、電気的にニュートラルなアルケニル化合物との混合物を含む形態とすることができる。ここで、電気的にポジティブなアルケニル化合物とは、アルケニル基を含み、正の誘電異方性を有する化合物と定義することができる。また、液晶表示装置の液晶表示方式として、横電界（ＩＰＳ）モード、あるいは、フリンジフィールドスイッチング（ＦＦＳ）モードを採用する場合、場合によっては、液晶組成物を、負の誘電異方性を有する液晶分子を含む液晶組成物から構成することもできる。

尚、本開示は、以下のような構成を取ることもできる。
［Ａ０１］《液晶表示装置》
一対の基板の対向面側に設けられた一対の配向膜と、一対の配向膜の間に設けられ、正の誘電異方性を有する液晶分子を含む液晶組成物から構成された液晶層とを有する液晶表示素子を備え、
液晶層を構成する液晶組成物は、下記の一般式（ＡＮ−１）で示されるアルケニル化合物−１及び下記の一般式（ＡＮ−２）で示されるアルケニル化合物−２を含み、
液晶組成物中のアルケニル化合物−１の質量百分率はアルケニル化合物−２の質量百分率よりも高い液晶表示装置。
但し、Ｒ_AN11，Ｒ_AN12は、それぞれ、独立に、炭素数１乃至８のアルケニル基、アルキル基又はアルコキシ基であり、且つ、Ｒ_AN11，Ｒ_AN12の少なくとも一方はアルケニル基であり、
は、それぞれ、独立に、
であり、
但し、Ｒ_AN21，Ｒ_AN22は、それぞれ、独立に、炭素数１乃至８のアルケニル基、アルキル基又はアルコキシ基であり、且つ、Ｒ_AN21，Ｒ_AN22の少なくとも一方はアルケニル基であり、
は、それぞれ、独立に、
である。
［Ａ０２］アルケニル化合物−１は、下記の一般式（ＡＮ−３）で示されるアルケニル化合物から成る［Ａ０１］に記載の液晶表示装置。
但し、Ｒ_AN31は、炭素数１乃至８のアルケニル基であり、Ｒ_AN32は、炭素数１乃至８のアルキル基又はアルコキシ基である。
［Ａ０３］アルケニル化合物−１は、下記の一般式（ＡＮ−４）で示されるアルケニル化合物から成る［Ａ０１］に記載の液晶表示装置。
但し、Ｒ_AN41は、炭素数１乃至８のアルケニル基であり、Ｒ_AN42は、炭素数１乃至８のアルキル基又はアルコキシ基である。
［Ａ０４］アルケニル化合物−２は、下記の一般式（ＡＮ−５）で示されるアルケニル化合物から成る［Ａ０１］乃至［Ａ０３］のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
但し、Ｒ_AN51は、炭素数１乃至８のアルケニル基であり、Ｒ_AN52は、炭素数１乃至８のアルキル基である。
［Ａ０５］液晶層を構成する液晶組成物は、一般式（ＡＮ−２）で示される化合物−２’（但し、Ｒ_AN21，Ｒ_AN22は、それぞれ、独立に、炭素数１乃至８のアルキル基又はアルコキシ基である）を含み、
液晶組成物中のアルケニル化合物−２の質量百分率は化合物−２’の質量百分率よりも高い［Ａ０１］乃至［Ａ０４］のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
［Ａ０６］一方の基板に、第１電極及び第２電極が設けられており、
第１電極と第２電極との間に電圧を印加することで、一方の基板に略平行な横電界を形成する［Ａ０１］乃至［Ａ０５］のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
［Ａ０７］第１電極及び第２電極は、櫛型電極から成る［Ａ０６］に記載の液晶表示装置。
［Ａ０８］第１電極を構成する櫛型電極と第２電極を構成する櫛型電極とは、所定の間隔で、平行して、交互に配置されている［Ａ０７］に記載の液晶表示装置。
［Ａ０８］一対の基板の対向面側には配向膜が形成されており、一対の配向膜の内、少なくとも一方の配向膜は、架橋性官能基を有する高分子化合物が架橋した化合物を含む［Ａ０１］乃至［Ａ０７］のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
［Ａ０９］架橋性官能基を有する高分子化合物が架橋した化合物は、ポリイミド構造を有する主鎖、又は、ポリシロキサン構造を有する主鎖、又は、ポリアミック酸から成る主鎖を有する［Ａ０８］に記載の液晶表示装置。
［Ｂ０１］《液晶組成物》
下記の一般式（ＡＮ−１）で示されるアルケニル化合物−１及び下記の一般式（ＡＮ−２）で示されるアルケニル化合物−２を含み、
アルケニル化合物−１の質量百分率はアルケニル化合物−２の質量百分率よりも高い液晶組成物。
但し、Ｒ_AN11，Ｒ_AN12は、それぞれ、独立に、炭素数１乃至８のアルケニル基、アルキル基又はアルコキシ基であり、且つ、Ｒ_AN11，Ｒ_AN12の少なくとも一方はアルケニル基であり、
は、それぞれ、独立に、
であり、
但し、Ｒ_AN21，Ｒ_AN22は、それぞれ、独立に、炭素数１乃至８のアルケニル基、アルキル基又はアルコキシ基であり、且つ、Ｒ_AN21，Ｒ_AN22の少なくとも一方はアルケニル基であり、
は、それぞれ、独立に、
である。
［Ｂ０２］アルケニル化合物−１は、下記の一般式（ＡＮ−３）で示されるアルケニル化合物から成る［Ｂ０１］に記載の液晶組成物。
但し、Ｒ_AN31は、炭素数１乃至８のアルケニル基であり、Ｒ_AN32は、炭素数１乃至８のアルキル基又はアルコキシ基である。
［Ｂ０３］アルケニル化合物−１は、下記の一般式（ＡＮ−４）で示されるアルケニル化合物から成る［Ｂ０１］に記載の液晶組成物。
但し、Ｒ_AN41は、炭素数１乃至８のアルケニル基であり、Ｒ_AN42は、炭素数１乃至８のアルキル基又はアルコキシ基である。
［Ｂ０４］アルケニル化合物−２は、下記の一般式（ＡＮ−５）で示されるアルケニル化合物から成る［Ｂ０１］乃至［Ｂ０３］のいずれか１項に記載の液晶組成物。
但し、Ｒ_AN51は、炭素数１乃至８のアルケニル基であり、Ｒ_AN52は、炭素数１乃至８のアルキル基である。
［Ｂ０５］一般式（ＡＮ−２）で示される化合物−２’（但し、Ｒ_AN21，Ｒ_AN22は、それぞれ、独立に、炭素数１乃至８のアルキル基又はアルコキシ基である）を含み、
アルケニル化合物−２の質量百分率は化合物−２’の質量百分率よりも高い［Ｂ０１］乃至［Ｂ０４］のいずれか１項に記載の液晶組成物。

１０・・・画素、２０・・・第１基板、２０’・・・絶縁膜、２１・・・配向膜、２２・・・偏光板、２３・・・カラーフィルター層、３１・・・第１電極（画素電極）、３２・・・第２電極（対向電極）、４０・・・ＴＦＴ、４０’・・・ＴＦＴ層、４１・・・ゲート電極、４２・・・ゲート絶縁層、４３・・・半導体層（チャネル形成領域）、４４Ａ，４４Ｂ・・・ソース／ドレイン電極、４５・・・接続孔（コンタクトホール）、４６・・・層間絶縁層、５０・・・第２基板、５１・・・配向膜、５２・・・偏光板、６０・・・液晶層、６１・・・液晶分子、８０・・・表示領域、８１・・・ソースドライバ、８２・・・ゲートドライバ、８３・・・タイミングコントローラ、８４・・・電源回路、９１・・・ソース線、９２・・・ゲート線、９３・・・キャパシタ

Claims (9)

1. 一対の基板の対向面側に設けられた一対の配向膜と、一対の配向膜の間に設けられ、正の誘電異方性を有する液晶分子を含む液晶組成物から構成された液晶層とを有する液晶表示素子を備え、
   液晶層を構成する液晶組成物は、下記の一般式（ＡＮ−１）で示されるアルケニル化合物−１及び下記の一般式（ＡＮ−２）で示されるアルケニル化合物−２を含み、
   液晶組成物中のアルケニル化合物−１の質量百分率はアルケニル化合物−２の質量百分率よりも高い液晶表示装置。
   但し、Ｒ_AN11，Ｒ_AN12は、それぞれ、独立に、炭素数１乃至８のアルケニル基、アルキル基又はアルコキシ基であり、且つ、Ｒ_AN11，Ｒ_AN12の少なくとも一方はアルケニル基であり、
   は、それぞれ、独立に、
   であり、
   但し、Ｒ_AN21，Ｒ_AN22は、それぞれ、独立に、炭素数１乃至８のアルケニル基、アルキル基又はアルコキシ基であり、且つ、Ｒ_AN21，Ｒ_AN22の少なくとも一方はアルケニル基であり、
   は、それぞれ、独立に、
   である。
2. アルケニル化合物−１は、下記の一般式（ＡＮ−３）で示されるアルケニル化合物から成る請求項１に記載の液晶表示装置。
   但し、Ｒ_AN31は、炭素数１乃至８のアルケニル基であり、Ｒ_AN32は、炭素数１乃至８のアルキル基又はアルコキシ基である。
3. アルケニル化合物−１は、下記の一般式（ＡＮ−４）で示されるアルケニル化合物から成る請求項１に記載の液晶表示装置。
   但し、Ｒ_AN41は、炭素数１乃至８のアルケニル基であり、Ｒ_AN42は、炭素数１乃至８のアルキル基又はアルコキシ基である。
4. アルケニル化合物−２は、下記の一般式（ＡＮ−５）で示されるアルケニル化合物から成る請求項１に記載の液晶表示装置。
   但し、Ｒ_AN51は、炭素数１乃至８のアルケニル基であり、Ｒ_AN52は、炭素数１乃至８のアルキル基である。
5. 液晶層を構成する液晶組成物は、一般式（ＡＮ−２）で示される化合物−２’（但し、Ｒ_AN21，Ｒ_AN22は、それぞれ、独立に、炭素数１乃至８のアルキル基又はアルコキシ基である）を含み、
   液晶組成物中のアルケニル化合物−２の質量百分率は化合物−２’の質量百分率よりも高い請求項１に記載の液晶表示装置。
6. 一方の基板に、第１電極及び第２電極が設けられており、
   第１電極と第２電極との間に電圧を印加することで、一方の基板に略平行な横電界を形成する請求項１に記載の液晶表示装置。
7. 第１電極及び第２電極は、櫛型電極から成る請求項６に記載の液晶表示装置。
8. 一対の基板の対向面側には配向膜が形成されており、一対の配向膜の内、少なくとも一方の配向膜は、架橋性官能基を有する高分子化合物が架橋した化合物を含む請求項１に記載の液晶表示装置。
9. 下記の一般式（ＡＮ−１）で示されるアルケニル化合物−１及び下記の一般式（ＡＮ−２）で示されるアルケニル化合物−２を含み、
   液晶組成物中のアルケニル化合物−１の質量百分率はアルケニル化合物−２の質量百分率よりも高い液晶組成物。
   但し、Ｒ_AN11，Ｒ_AN12は、それぞれ、独立に、炭素数１乃至８のアルケニル基、アルキル基又はアルコキシ基であり、且つ、Ｒ_AN11，Ｒ_AN12の少なくとも一方はアルケニル基であり、
   は、それぞれ、独立に、
   であり、
   但し、Ｒ_AN21，Ｒ_AN22は、それぞれ、独立に、炭素数１乃至８のアルケニル基、アルキル基又はアルコキシ基であり、且つ、Ｒ_AN21，Ｒ_AN22の少なくとも一方はアルケニル基であり、
   は、それぞれ、独立に、
   である。