WO1998005589A1

WO1998005589A1 - Procede de revetement de peroxyde de titane amorphe

Info

Publication number: WO1998005589A1
Application number: PCT/JP1997/002677
Authority: WO
Inventors: Shiro Ogata; Yoshimitsu Matsui
Original assignee: Tao Inc.; Kabushiki Kaisha Tanaka Tensha
Priority date: 1996-08-06
Filing date: 1997-08-01
Publication date: 1998-02-12
Also published as: CA2233876C; US6344277B1; KR100356933B1; US20010019776A1; EP0854112A4; CA2233876A1; JPH1053437A; EP0854112A1; US6344278B1; KR19990064064A; US6235401B1; TW349981B; JP3863599B2; US6379811B2

Description

明細書アモルファス型過酸化チタンのコ一ティング方法技術分野

この発明は、アモルファス型過酸化チタンの基体へのコーティング方法、特にその表面が撥水性を有する基体であっても優れた接着性を有する粘稠性アモルファス型過酸化チタンの基体へのコーティング方法及びそれをバインダ一として用いた光触媒半導体や誘電体 ·導電体セラミックスの薄層を有する基板に関する。背景技術

光触媒半導体や、誘電体 ·導電体セラミック材を基板にコーティングする方法には、従来からの技術であるスパッタリング法、蒸着法、転写印刷フィルムによる高温焼結法等の技術がある。

光触媒半導体の固定法では、各種有機バインダーや、シリカゲルを加えて熱加工したものが周知であり（特開平 7 - 1 7 1 4 0 8号公報）、また、バインダーに釉薬、無機ガラス、熱可塑性樹脂、ハンダ等を使用することも知られており（特開平 7— 2 3 2 0 8 0号公報）、 S n 0 ₂を凝結材として利用基板に固定する方法も知られている（特開平 7— 1 5 5 5 9 8号公報）。

しかし、スパッタリング法や蒸着法では、コーティング装置が大変コストの髙いものとなり、転写印刷法では、熱加工条件により基板等にかかる熱的ストレスを考慮しなければならず、材料選定に制限があった。

また、光触媒半導体や、誘電体 '導電体セラミック材をバインダーを用いて固定する方法では、その表面が撥水性を有する基体の場合は、基体表面を界面活性剤や苛性ソーダの溶液で前処理する必要があった。さらに、これら光触媒半導体や、誘電体 ·導電体セラミックスの粒子が各種バインダ一類に埋没して酸化還元作用や、誘電 ·導電作用を十分に機能させるのが難しかった。

また、過酸化チタンとしては、特開平 7— 2 8 6 1 1 4号公報に、ペルォキソチタン酸の重合物であるペルォキソポリチタン酸からなる被膜形成用塗布液が記載されている。このペルォキソポリチタン酸は、酸化チタン水和物のゲル、ゾル又はこれらの混合分散液に過酸化水素を加え、常温で又は 9 0 以下に加熱（実施例 1では 8 0 で 1時間加熱）すると得られる旨記載されている。

その他、過酸化水素化チタン水溶液を縮合させた粘ちよう液乃至ゼリ一状のものも知られている（特開昭 6 2 - 2 5 2 3 1 9号公報）。このものは、水素化チタンの微粉に過酸化水素水を加え、黄色の過酸化チタン水溶液を得て、常温で放置し水の蒸発と溶質の縮合を徐々に進めることにより、黄色の膜として得られる旨記載されている。

しかしながら、上記特開平 7— 2 8 6 1 1 4号公報記載のペルォキソポリチタン酸は、酸化チタン水和物のゲル、ゾル又はこれらの混合分散液に過酸化水素を加え、常温で又は 9 0で以下に加熱して得られるものであり、他方、酸化チタン水和物に過酸化水素を加え、 1 5 以下で反応させて得られる本願の「粘稠性アモルファス型過酸化チタン」とは、その製造方法を異にするばかりか、物性、特に粘性においても大きく相違し、バインダ一としての機能に劣り、光触媒半導体や誘電体 ·導電体セラミック材の薄層の形成が困難であるという問題点があった。

また、上記特開昭 6 2— 2 5 2 3 1 9号公報記載の過酸化水素化チタン水溶液を縮合させた粘ちよう液乃至ゼリー状のものは、水素化チタンの微粉に過酸化水素水を加え、黄色の過酸化チタン水溶液から水の蒸発により黄色の膜として得られるものであり、他方、酸化チタン水和物に過酸化水素を加え、 1 5 以下で反応させ、粘稠なゼリー状物として生成させる本願の「粘稠性アモルファス型過酸化チタン」とは、その製造方法を異にするばかり力、、物性においても異なり、前記特開平 7— 2 8 6 1 1 4号公報 (第 2欄）にも記載されているように、極めて希薄濃度でのみ安定で、しかも長期間安定した状態で存在しえないものであり、基材上に形成された被膜は、ヒビ、ハクリが生じやすく、また高温で焼成した場合焼成後の被膜が多孔質になるというという問題点があつた。発明の開示

本発明は、その表面が撥水性を有する基体や熱可塑性を有する基体であつても、界面活性剤等による親水性処理をする必要がない基体の熱可塑性が制限とならないコーティング材を提供することを課題とする。

また、本発明は、光触媒半導体や誘電体 ·導電体セラミック材の薄層の形成及びその厚さ管理が容易で、光触媒半導体等がバインダ一によつて埋没しない造膜工法を提供することを課題とする。

本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意研究した結果、粘稠性ァモルファス型過酸化チタン等を基体に固定し、バインダー層として用い、また、光触媒半導体、誘電体セラミックス又は導電体セラミックスの微粒子を、気体中均一散乱状態で該アモルファス型過酸化チタン層に付着させることにより、また、粘稠性アモルファス型過酸化チタン等を基体に固定し、加熱焼成して光触媒能を有する酸化チタン層とすることにより本発明を完成した。すなわち本発明は、基体にアモルファス型過酸化チタン層を固定する方法であって、アモルファス型過酸化チタンゾルをコーティングし、又は、界面活性剤等を使用する基体表面の親水性処理を行うことなく、粘稠性ァモルファス型過酸化チタンをコーティングし、その後常温〜 2 5 0 未満で乾燥 ·焼成することを特徴とする基板にアモルファス型過酸化チタン層を固定する方法やこの方法により作られるアモルファス型過酸化チタン層を有する基板に関する。

また、基体に酸化チタン層を固定する方法であって、アモルファス型過酸化チタンゾルをコーティングし、又は、界面活性剤等を使用する基体表面の親水性処理を行うことなく、粘稠性ァモルファス型過酸化チタンをコ —ティングし、その後 2 5 0で以上で乾燥 ·焼成することを特徴とする基板に酸化チタン層を固定する方法やこの方法により作られる過酸化チタン層を有する基板に関する。

さらに、基体に、アモルファス型過酸化チタンゾルをコーティングし、又は、界面活性剤等を使用する基体表面の親水性処理を行うことなく、粘稠性アモルファス型過酸化チタンをコ一ティングし、アモルファス型過酸化チタン層を形成し、該アモルファス型過酸化チタン層が付着性を有している間に、光触媒半導体、誘電体セラミックス又は導電体セラミックスの微粒子を、気体中均一散乱状態で該アモルファス型過酸化チタン層に付着させることを特徴とする光触媒半導体、誘電体セラミックス又は導電体セラミックスの薄層を固定する方法やこの方法により作られる、基体と、該基体上に形成されるアモルファス型過酸化チタン層と、該アモルファス型過酸化チタン層上に形成される光触媒半導体、誘電体セラミックス又は導電体セラミックスの薄層とからなる基板に関する。

さらにまた、四塩化チタン溶液と水酸化アンモニゥム溶液とを p H 2〜 6の酸性領域で反応させた後、沈降する淡青味白色のオルトチタン酸を洗浄後、希釈又は濃縮して固形分濃度を 0. 2〜0. 6重量％に調整した水溶液に過酸化水素水を加え、低温下、望ましくは 1 5で以下、特に望ましくは約 5 t：〜 8 で攪拌しながら反応せしめた後、常温で養生することを特徴とする粘稠性アモルファス型過酸化チタンの製造法、及びこの方法で製造された粘稠性アモルファス型過酸化チタンに関する。

本発明における「アモルファス型過酸化チタンゾル」は、例えば次のようにして製造することができる。四塩化チタン T i C 14 のようなチタン塩水溶液に、アンモニア水ないし水酸化ナ卜リゥムのような水酸化アル力リを加え pH 6〜7で反応させる。生じる淡青味白色、無定形の水酸化チタン T i (OH) 4 (オルトチタン酸 H₄T i〇₄とも呼ばれる。 ) を洗浄 - 分離後、過酸化水素水で処理すると、アモルファス形態の過酸化チタンゾルが得られる。

このようにして得られる本発明における「アモルファス型過酸化チタンゾル」は、 pH6〜7、粒子径 8〜20 nmであり、その外観は黄色透明の液体であり、常温で長期間保存しても安定である。また、ゾル濃度は通常 1. 4〜 1. 6重量％に調整されているが、必要に応じてその濃度を調整することができ、低濃度で使用する場合は、蒸留水等で希釈して使用する。

また、このアモルファス型過酸化チタンゾルは、常温ではアモルファスの状態で未だアナ夕一ゼ型酸化チタンには結晶化しておらず、密着性に優れ、成膜性が高く、均一でフラットな薄膜を作成することができ、かつ、乾燥被膜は水に溶けないという性質を有している。

なお、アモルファス型の過酸化チタンのゾルを 1 0 ot:以上で数時間加熱すると、アナターゼ型酸化チタンゾルになり、アモルファス型過酸化チタンゾルを基体にコーティング後乾燥固定したものは、 25 Ot：〜 940 での加熱によりアナタ一ゼ型酸化チタンになる。

本発明における「粘稠性アモルファス型過酸化チタン」は、例えば次のようにして製造することができる。四塩化チタン T i C 14 のようなチタン塩水溶液に、アンモニア水ないし水酸化ナトリゥムのような水酸化アルカリを加え、 pHを酸性領域、望ましくは pH2〜6、特に望ましくは p H2で反応させる。沈降する淡青味白、無定形の水酸化チタン T i (OH) 4 (オルトチタン酸 H₄T i 0₄とも呼ばれる。）を洗浄 ·分離後、過酸化水素水で処理し、低温下、望ましくは 1 5で以下、特に望ましくは 5〜8でで攪拌しながら反応せしめた後、常温で 7〜 1 0日養生することにより得られる。

このようにして得られる本発明の「粘稠性アモルファス型過酸化チタン」は、 pH2〜4、粒子径 8〜2 0 nm程度であり、その外観は黄色透明の少し粘性のあるゾル〜半ゼリー状の、すなわち種々の粘性を有するもので、大変強い付着力を有しており、常温で長期間保存しても安定である。また、その固形分濃度は、通常 0. 2〜0. 6重量％、望ましくは 0. 3重量％に調整されているが、必要に応じてその濃度を調整することができる。この本発明における「粘稠性アモルファス型過酸化チタン」は、その製造過程において、四塩化チタン T i C 14 のようなチタン塩水溶液と、ァンモニァ水ないし水酸化ナ卜リゥムのような水酸化アル力リとの反応時の PHを酸性領域、望ましくは pH2〜6の範囲内で変えることにより、また、固形分濃度を 0. 2〜0. 6重量％の範囲内で変えることにより、種々の粘性を有するものが得られ、その粘性に応じて種々の用途が考えられるが、均一な膜厚の薄膜を形成するという目的からは、均質な半ゼリー状程度の粘性を有するものが望ましい。そして、上記反応の p Hが 6を越えると、粘性が少ないアモルファス型過酸化チタンゾルとなり、撥水性の強い金属及びプラスチック等の基体表面へのコ一ティングに際しては界面活性剤等による親水性処理が必要になり、 p Hが 2未満になるとオルトチ夕ン酸の析出が極端に少なくなるという不都合が生じる。

また、固形分濃度が、 0 . 6重量％を越えると、不均質な半ゼリー状となり均一な膜厚の薄膜の形成が困難となるという問題が生じ、他方 0 . 2 重量％未満であると、基体表面のコーティングに際しては界面活性等による親水性処理が必要になってくるという不都合が生じる。

このように、本発明の粘稠性アモルファス型過酸化チタンは、黄色透明で粘性を有する新規物質であり、常温ではアモルファスの状態で未だアナターゼ型酸化チタンには結晶化しておらず、その密着 ·付着性は、撥水性を有する基体をはじめとしてあらゆる材種の基体において極めて優れている。また、成膜性が高く、均一でフラットな薄膜を容易に作成することができ、かつ、乾燥被膜は水に溶けないという性質を有している。

そして、この粘稠性アモルファス型過酸化チタンは、それを基体にコーティングして、常温〜 2 5 O tで乾燥 ·焼成すると、大変強い付着力を有するアモルファス型過酸化チタン層を形成する。また、 2 5 0 T：〜 9 4 0 で加熱乾燥 '焼成すると、アナターゼ型酸化チタン層を形成し、 9 4 0 で以上で加熱すると、ルチル型酸化チタン層を形成し、光触媒の機能が極端に低下する。

本発明において、「基体」としては、セラミックス、ガラスなどの無機材質、プラスチック、ゴム、木、紙などの有機材質、並びにアルミニウム、鋼などの金属材質のものを用いることができる。これらの中でも特に、ァクリロニトリル樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリカーボネイト樹脂、メチルメタクリレート榭脂（アクリル榭脂）、ポリエステル樹脂、ポリウレ夕ン榭脂等の有機高分子樹脂材への適用が優れた効果を発揮する。

また、その大きさや形には制限されず、フィルム状、ハニカム状、ファィバー状、濾過シート状、ビーズ状、発砲状やそれらが集積したものでもよい。さらに、紫外線を通過する基体であればその内面に適用できるし、また塗装した物品にも適用しうる。

基体にアモルファス型過酸化チタンゾル、粘稠性アモルファス型過酸化チタンを塗布してコーティングするには、例えば、デイツビング、吹付スプレー等の公知の方法が利用できる。

前記のようにして塗布あるいは吹き付けたりしてコーティングした後、 2 5 0で未満で乾燥 ·焼成させ、固化させて本発明のアモルファス型過酸化チタン層を有する基板を製造することができる。

また、コーティング後、 2 5 O t：〜 4 0 0で前後で焼結してアナ夕一ゼ型酸化チタン層を固化坦持させた基板を製造することもできる。かかる基板は光触媒機能を有することになるから、基体として光触媒によって分解を受けやすい有機高分子榭脂、高性能エンプラであるポリ四フッ化工チレン（P T F E ) や、超耐熱性エンプラであるポリアミドイミド（P A I ) やポリイミド（P I ) 等を使用する場合は、酸化チタンの光触媒機能はナトリウムイオンによって低下することを利用して、コーティングに先立つて、水酸化ナトリゥム溶液等ナトリゥムイオンを含有する物質で樹脂表面をクリーニングする等してナトリゥム源を存在させておくのが有利である。アモルファス型過酸化チタンゾル又は粘稠性アモルファス型過酸化チタンからなるコ一ティング組成物は、 1回のコーティングで所定の厚みを得ることが出来るという特色を持っている。そしてコーティングにより形成される、これら過酸化チタン層又は 2 5 0 以上の加熱焼成によって得られる酸化チタン層の薄膜の厚さは、粘稠性アモルファス型過酸化チタンなどの中の過酸化チタンの濃度（重量％) 、粘度及び乾燥前のコーティング厚さによっても調節することができる。なお、必要に応じて上記コ一ティング材を重ねて塗布することもできる。

上記のアモルファス型過酸化チタン層を有する基板は、耐候性に優れ髙分子有機材料等よりなる基体を紫外線等から保護し得る他、該基板の上に光触媒半導体層を設けた場合、光触媒機能により分解されやすい有機高分子材料等の基体を保護しうる。

本発明において、「光触媒半導体」としては、 T i〇₂、 Z n〇、 S r T i 0₃、 C d S、 C d 0、 C a P、 I n P、 l n₂0₃、 C aA s、 B a T i 〇₃、 K N b O 3 , F e ₂〇₃、 T a₂〇₅、 W0₃、 S a〇₂、 B i ₂〇₃、 N i 0、 C u 2 O, S i C, S i〇₂、 M o S 2, Mo S₃、 I n P b、 R u〇₂、 C e〇₂などを挙げることができるが、これらの中でも酸化チタン T i O2 が好ましく、光触媒半導体は、その直径が 0. 00 1 m〜2 0 izm程度の微粒子状又は微粉末状の形態で使用する。

また、光触媒機能の補完用に P t；、 Ag、 Rh、 Ru0₂、 Nb、 C u、 S n、 N i〇などを添加剤として用いることもできる。

本発明において、「誘電体セラミックス」材料としては、 S i〇₂、 T a 2 O 5 , T i 〇₂、 S r T i〇₃、 B aT i〇₃、 P b系ぺロブスカイト化合物を挙げることができる。

また、「導電性セラミックス」材料としては、銅、ニッケル、クロム、チタン、アルミニウムなどの卑金属合金等をそれぞれ挙げることができる。これらセラミックス材料は、その直径が 0. 00 1 //m〜 2 0 m程度の微粒子状又は微粉末状の形態で使用する。このような微粉末は、気体中均一 *分散状態に浮遊させることができる。本発明において、「光触媒半導体、誘電体セラミックス又は導電体セラミックスの薄層を固定する方法」を図 1に基づいて説明すると、界面活性剤等により親水性処理を施した基体 3にアモルファス型過酸化チタンゾルをコーティングするか、又は親水性処理を施すことなく直接基体に粘稠性アモルファス型過酸化チタンをコ一ティングし、アモルファス型過酸化チタン層 2を形成し、該アモルファス型過酸化チタン層が付着性を有している間（通常コーティング後、常温で 1〜 1 0分以内）に、上記光触媒半導体、誘電体セラミックス又は導電体セラミックスの微粒子 1を、密閉，常圧容器を用いて気体中に均一散乱状態とし、自然付着又は気流圧付着によりアモルファス型過酸化チタン層に付着させ、余剰の微粒子を除去する方法が挙げられる。また、光触媒半導体、誘電体セラミックス又は導電体セラミックスの薄層をアモルファス型過酸化チタン層に固定した後、加圧することによって、各層間の付着性が著しく向上する。このようにして、均質な薄膜を作ることができる。

このような光触媒半導体、誘電体セラミックス又は導電体セラミックスの薄層を形成することにより、電子機器等の小型軽量化や小型容量化が達成できる。また光触媒機能基板としては、光触媒半導体の積層薄膜によつて、光触媒半導体の酸化還元時に電子移動による粒子表面の相互干渉による機能の低下や膜厚による経済的ロスをなくす効果がある。図面の簡単な説明

第 1図は、光触媒半導体、誘電体セラミックス又は導電体セラミックスの薄層を固定する方法を示す説明図である。実施の形態以下に、実施例を掲げてこの発明を更に具体的に説明するが、この発明の範囲はこれらの例示に限定されるものではない。参考例 1 (アモルファス型過酸化チタンゾルの製造）

四塩化チタン T i C 1₄の 50 %溶液（住友シティクス株式会社） 1 00 m 1 を蒸留水で 70倍に希釈したものと、水酸化アンモニゥム NH₄OHの 25 %溶液（高杉製薬株式会社）を蒸留水で 1 0倍に希釈したものを、 p H 6. 5〜6. 8に調整し反応を行う。反応後、しばらく放置した後上澄液を捨てる。残った T i (OH) 4のゲル量の約 4倍の蒸留水を加え十分に攪拌し放置する。電導度計で電導度が 2〜 1 0 t Sになるまで水洗を繰り返し、最後に上澄液を捨てて沈殿物のみを残す。場合によっては濃縮機により濃縮処理を行うことができる。この淡青味白色の T i (OH) 4360 0 m 1に、 35 %過酸化水素水 2 1 0 m 1を 30分毎 2回に分けて添加し、約 5 で一晩攪拌すると黄色透明のアモルファス型過酸化チタンゾル約 3 80 0 m lが得られる。

なお、上記の工程において、発熱を抑えないとメタチタン酸等の水に不溶な物質が析出する可能性があるので、すべての工程は発熱を抑えて行うのが望ましい。実施例 1 (粘稠性アモルファス型過酸化チタンの製造）

四塩化チタン T i C 1₄の 50 %溶液（住友シティクス株式会社） 1 00 m 1を蒸留水で 70倍に希釈したものと、水酸化アンモニゥム NH₄OHの 25 %溶液（高杉製薬株式会社）を蒸留水で 1 0倍に希釈したものを、 p H2. 0に調整し反応を行う。反応後、しばらく放置した後上澄液を捨てる。残ったオルトチタン酸 T i (〇H) 4のゲル量の約 4倍の蒸留水を加え十分に擾拌し放置する。電導度計で電導度が 2 ~ 1 になるまで水洗を繰り返し、最後に上澄液を捨てて沈殿物のみを残す。場合によっては濃縮機により濃縮処理を行うことができる。この淡青味白色のオルトチタン酸 T i ( O H ) 4水溶液 2 5 5 0 m l に、 3 5 %過酸化水素水 2 0 0 m 1 を 3 0分毎 2回に分けて添加し、約 5 で一晚攙拌した後、 7〜 1 0日常温で養生すると、黄色透明のゼリー状のアモルファス型過酸化チタンゾル約 2 8 0 0 m lが得られた。実施例 2 (種々の粘性の粘稠性アモルファス型過酸化チタンの製法）実施例 1において、反応時の p Hを 3、 4及び 5とする他は実施例 1と同様に行ったところ、実施例 1で得られた粘稠性アモルファス型過酸化チタンよりも p Hが上昇するにしたがって固いゼリー状のものが得られ、固形分濃度も次第に増加していった。実施例 3

基体として、アクリル樹脂板とメ夕クリル樹脂板とメチルメタクリレ一ト榭脂板を用いた。これら樹脂板の表面を水洗後乾燥し、これら樹脂板に、実施例 1で作った粘稠性過酸化チタン 0 . 3重量％をデッビングにて 1回コーティングした。コーティング表面が湿潤状態のときに、容器中においてアナ夕ーゼ型酸化チタン粉末 S T— 0 1 (石原産業株式会社製）を気体均一浮遊状態で付着させ、 5 0 で乾燥後、加圧下 2 0 0 で加熱し次いで洗浄して光触媒半導体基板を作成した。

これら基板は、光触媒層が薄膜であり、厚膜の従来のものに比べて剥離の危険性はなく、また有機化合物分解性能が全く変わることのないという点で格段に優れていた。実施例 4

基体として、半磁器施釉タイル（ I NAX株式会社製： 1 0 0 X 1 0 0 X 5 mm) 、セラミックコーティングスチール板（2 1 0 X 2 9 6 X 0. 8 mm) ケラミット板（施釉タイプ： 157 X 223 X 4 mm) を用いた。これらの表面を洗浄し、常温で乾燥した後、実施例 1で作った粘稠性過酸化チタン 0. 3重量％をスクイズ板にて、半磁器施釉タイルには 0. 1〜 0. 2 g/ "枚、セラミックコーティングスチール板には 2. 0〜2. 3 g Z枚、ケラミット板には 1. 5〜1. 8 gZ枚、それぞれコーティングした。コーティング表面が湿潤状態のときに、容器中においてアナ夕ーゼ型酸化チタン粉末 ST— 0 1 (石原産業株式会社製）を気体均一浮遊状態で 1分間付着させたところ、半磁器施釉タイルには 0. 0 1〜0. 02 gZ 枚、セラミックコーティングスチール板には 0. 1~0. 2 gZ枚、ケラミット板には 0. l gノ枚、それぞれアナターゼ型酸化チタン粉末が付着しており、これを 50でで乾燥し、 500 で 30分間焼成して光触媒半導体基板を作成した。

これら基板の光触媒機能は、化粧性や付着性の点で格段に優れていた。実施例 5

基体として、ポリエステル · レーヨン系の不織布（300 X 300mm) を使用した。この不織布を水洗いした後乾燥し、実施例 1で作った粘稠性過酸化チタン 0. 3重量％をデッビングにて付着させ、次いでアナ夕ーゼ型酸化チタン粉末 ST— 0 1 (石原産業株式会社製）を気体均一浮遊状態で付着させ 50でで乾燥 ·固定した。その後、この乾燥品を 120〜 15 οτ:でアイロンにて加圧し、各層間の付着性を一層向上せしめた。この基板は、化粧性や付着性ばかりでなく、分解性能が特に優れていた。実施例 6

有機物質の分解試験を次のようにして行った。基体には、縦横 2 1 0 X 2 9 6 mmのパラグラス（クラレ株式会社製メ夕クリル榭脂）を使用した。この基体に実施例 1で作った粘稠性過酸化チタン 0 . 3重量％をデッピングにて付着させ、次いでアナ夕一ゼ型酸化チタン粉末 S T— 0 1 (石原産業株式会社製）を気体均一浮遊状態で付着させ 5 0 で乾燥 · 固定した。その後、この乾燥品を 1 2 0〜 1 5 0ででアイロンにて加圧し、各層間の付着性を一層向上せしめた。光触媒を坦持した光触媒体を得た。これら試験用の光触媒体を試験容器の中に入れ、次いで、容器内に被分解有機物質の着色溶液を深さが 1 c mとなるように注水した。この着色溶液は、モノァゾレッドの水性分散体（赤色液状物）であるポルックスレッド P M— R (住化カラ一株式会社製）を 3 0倍に希釈したものである。次に、容器内の着色溶液の蒸発を防ぐために、容器にフロートグラス（波長 3 0 0 n m 以下をカツト）で蓋をした。該試験容器の上方 5 c m , 基板から 9 . 5 c mのところに紫外線放射器（2 0 wのブルーカラー蛍光管）を 1 3 c m離して 2本設置し、上記光触媒体に照射し、着色溶液の色が消えた時点をもつて有機物の分解が終了したものとした。その結果試験開始から 2日後には色が完全に消え、優れた光触媒機能を有することがわかった。産業上の利用分野

本発明による粘稠性アモルファス型過酸化チタンを用いると、あらゆる基体に界面活性剤等による親水性処理を施すことなく、アモルファス型過酸化チタン層を形成することができ、その優れた付着力により光触媒半導体、誘電体セラミックス又は導電体セラミックスの薄層を固定することが可能となり、それを用いた電子機器等の小型軽量化や小型容量化が達成できる。また光触媒機能基板としては、光触媒半導体の積層薄膜によって、光触媒半導体の酸化還元時に電子移動による粒子表面の相互干渉による機能の低下や膜厚による経済的ロスをなくす効果がある。

Claims

請求の範囲

1 . 基体にアモルファス型過酸化チタン層を固定する方法であって、アモルファス型過酸化チタンゾルをコ一ティングし、その後常温〜 2 5 0 で未満で乾燥 ·焼成することを特徴とする基板にアモルファス型過酸化チタン層を固定する方法。

2 . 基体にアモルファス型過酸化チタン層を固定する方法であって、界面活性剤等を使用する基体表面の親水性処理を行うことなく、粘稠性ァモルファス型過酸化チタンをコ一ティングし、その後常温〜 2 5 0で未満で乾燥 ·焼成することを特徴とする基板にアモルファス型過酸化チタン層を固定する方法。

3 . 請求項 1又は請求項 2記載の方法により作られるアモルファス型過酸化チタン層を有する基板。

4 . 基体に酸化チタン層を固定する方法であって、アモルファス型過酸化チタンゾルをコ一ティングし、その後 2 5 O :以上で焼成することを特徴とする基板に酸化チタン層を固定する方法。

5 . 基体に酸化チタン層を固定する方法であって、界面活性剤等を使用する基体表面の親水性処理を行うことなく、粘稠性アモルファス型過酸化チタンをコ一ティングし、その後 2 5 0で以上で焼成することを特徴とする基板に酸化チタン層を固定する方法。

6 . 請求項 4又は請求項 5記載の方法により作られる酸化チタン層を有する基板。

7 . 基体に、アモルファス型過酸化チタンゾルをコーティングし、アモルファス型過酸化チタン層を形成し、該アモルファス型過酸化チタン層が付着性を有している間に、光触媒半導体、誘電体セラミックス又は導電体セラミックスの微粒子を、気体中均一散乱状態で該アモルファス型過酸化チタン層に付着させることを特徴とする光触媒半導体、誘電体セラミックス又は導電体セラミックスの薄層を固定する方法。

8 . 基体に、界面活性剤等を使用する基体表面の親水性処理を行うことなく、粘稠性アモルファス型過酸化チタンをコーティングし、ァモルファス型過酸化チタン層を形成し、該アモルファス型過酸化チタン層が付着性を有している間に、光触媒半導体、誘電体セラミックス又は導電体セラミックスの微粒子を、気体中均一散乱状態で該アモルファス型過酸化チタン層に付着させることを特徴とする光触媒半導体、誘電体セラミックス又は導電体セラミックスの薄層を固定する方法。

9 . 請求項 7又は請求項 8記載の方法により作られる、基体と、該基体上に形成されるアモルファス型過酸化チタン層と、該アモルファス型過酸化チタン層上に形成される光触媒半導体、誘電体セラミックス又は導電体セラミックスの薄層とからなる基板。

1 0 . 四塩化チタン溶液と水酸化アンモニゥム溶液とを p H 2〜6 の酸性領域で反応させた後、沈降する淡青味白色のオルトチタン酸水和物に過酸化水素水を加え、低温下攪拌しながら反応せしめた後、常温で養生することを特徴とする粘稠性アモルファス型過酸化チタンの製造法。

1 1 . 請求項 1 0記載の方法で製造された粘稠性アモルファス型過酸化チタン。