WO1997024402A1 - Composition de resine epoxy - Google Patents

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WO1997024402A1
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epoxy resin
resin composition
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weight
compound
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PCT/JP1996/003865
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Ken Shimizu
Atsuto Tokunaga
Masayuki Tanaka
Original Assignee
Toray Industries, Inc.
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293Organic, e.g. plastic
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/01Use of inorganic substances as compounding ingredients characterized by their specific function
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
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    • C08K5/52Phosphorus bound to oxygen only
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    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Definitions

  • the present invention relates to an epoxy resin composition having excellent flame retardancy, high-temperature reliability, and solder heat resistance, and more particularly to an epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and a semiconductor device.
  • the sealing method using an epoxy resin, a curing agent, and a sealing resin composed of an inorganic filler is mainly used in terms of balance between economy, productivity, and physical properties. Has become. Due to the recent trend toward thinner and higher density semiconductor devices, demands for semiconductor devices such as solder heat resistance, high-temperature reliability, and humidity resistance are increasing, and accordingly, the requirements for sealing resins are increasing. .
  • the present invention provides a flame-retardant, high-temperature reliability, solder heat resistance, and package filling property without necessarily using conventional flame-retardant halide-based flame retardants and antimony compounds. It is an object of the present invention to provide an epoxy resin composition having excellent moldability, and in the case where moisture resistance reliability is required, providing an epoxy resin composition having improved properties. Is what you do. Disclosure of the invention
  • the proportion of the epoxy resin (A) is 0.05 to 15% by weight, and the proportion of the curing agent (B) is such that the hardening of the component (B) with respect to the epoxy group of the component (A).
  • the chemical equivalent ratio of the functionalizing functional group is 0.5 to: L5
  • the ratio of the phosphoric ester compound (D) is the phosphorus atom contained therein
  • the phosphoric acid atom is 0.01 to 10 of the component excluding the inorganic filler.
  • X may be the same or different and means a monovalent or higher valent aromatic group.
  • R1 to R8 in the formula represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or a halogen atom.
  • m is an integer of 0 or more; X is a divalent aromatic group which may be the same or different; Y may be the same or different, and is a monovalent or divalent aromatic group having a phenol group.
  • a method for producing an epoxy resin composition comprising melt-mixing an epoxy resin (A), a curing agent (B), an inorganic filler (C), and an ester phosphate compound (D) (however, (The blending amount of the inorganic filler (C) is 80% by weight or more based on the composition.)
  • An epoxy resin for semiconductor encapsulation characterized by melt-mixing an epoxy resin (A), a curing agent (B), an inorganic filler (C), an ester phosphate compound (D) and an ion scavenger.
  • a method for producing the composition (However, the amount of the inorganic filler (C) is more than 80% by weight based on the composition)
  • the inorganic filler (C) in an amount of 80% by weight or more and adding a phosphoric acid ester, flame retardancy is imparted, and furthermore, moldability represented by the filling property is provided.
  • the semiconductor device is further sealed and sealed to form a semiconductor device, it has excellent moisture resistance reliability and excellent solder heat resistance. Also, by blending a hydrotalcite compound, the moisture resistance reliability is improved.
  • the epoxy resin (A) in the present invention is not particularly limited as long as it has a plurality of epoxy groups in a molecule, and specific examples thereof include, for example, a cresol novolak epoxy resin, a phenol novolak epoxy resin, and a biphenyl type.
  • epoxy resins (A) those which are particularly preferably used in the present invention have a skeleton represented by the following general formula (II) in that they have excellent solder heat resistance. It contains a biphenyl type epoxy resin as an essential component.
  • R1 to R8 in the formula may be the same or different and represent a ⁇ atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or a halogen atom).
  • the epoxy resin (II) preferably contains 50% by weight or more, particularly 70% by weight or more, of a biphenyl type epoxy resin having a skeleton represented by the chemical formula (I).
  • Preferred specific examples of the epoxy resin skeleton represented by the above formula (I) include 4,4'-bis (2,3-epoxypropoxy) biphenyl,
  • the amount of the epoxy resin ( ⁇ ) is usually 0.05 to 15% by weight, more preferably, in the epoxy resin composition from the viewpoint of moldability and adhesiveness. It is preferably 2 to 15% by weight, more preferably 2 to 9% by weight. If the amount is too small, the moldability and adhesiveness will be insufficient. If the amount is too large, the coefficient of linear expansion of the cured product tends to be large, and it tends to be difficult to reduce the stress of the cured product.
  • the curing agent (B) in the present invention is not particularly limited as long as it is cured by reacting with the epoxy resin (A).
  • compounds having a phenolic hydroxyl group, compounds having an acid anhydride, and amines are used, and compounds having a phenolic hydroxyl group are preferable.
  • Specific examples of such a compound, that is, a compound having two or more phenolic hydroxyl groups in the molecule include, for example, phenol novolak resin, cresol novolak resin, and phenol p-xylylene coco represented by the following formula (VI).
  • phenol aralkyl resins various novolak resins synthesized from bisphenol A, resorcin, etc., various polyhydric phenol conjugates such as tris (hydroxyphenyl) methane, dihydrobiphenyl, polyvinyl Phenol is exemplified.
  • m is an integer of 0 or more; X is a divalent aromatic group which may be the same or different; Y may be the same or different, and is a monovalent or divalent aromatic group having a phenol group.
  • Examples of the compound having an acid anhydride include maleic anhydride, phthalic anhydride, and pyromellitic anhydride.
  • Examples of the amines include aromatic amines such as metaphenylenediamine, di (aminophenyl) methane (commonly called diaminodiphenylmethane), and diaminodiphenylsulfone.
  • a phenol-based curing agent is preferably used in view of heat resistance, moisture resistance and storage stability, and two or more curing agents may be used in combination depending on the application.
  • the phenolic curing agent may contain a phenol aralkyl resin having a structure represented by the following formula (III) in that the resulting semiconductor device has low water absorption and excellent solder heat resistance.
  • the compounding amount is 50% or more of the curing agent.
  • R in the formula may be the same or different and represents a 7j element atom or an organic group.
  • An arsenic atom or a methyl group is preferred.
  • m is an integer of 0 or more.
  • the compounding amount of the curing agent (B) is usually 0.1% based on the whole resin composition.
  • the content is 5 to 20% by weight, preferably 1 to 10% by weight, and more preferably 1 to 9% by weight.
  • the mixing ratio of the epoxy resin (A) and the curing agent (B) is determined based on the mechanical properties and the reliability of moisture resistance, with respect to the epoxy group of (A) and the curable functional group of (B). It is preferable that the equivalent ratio is in the range of 0.5 to 1.5, particularly 0.8 to 1.2.
  • a curing catalyst may be used to accelerate the curing reaction between the epoxy resin (A) and the curing agent (B).
  • the curing catalyst is not particularly limited as long as it accelerates the curing reaction. Examples thereof include 2-methylimidazole, 2,4-dimethylimidazole, 2-ethyl-14-methylimidazole, 2-phenylimidazole, and 2-phenylimidazole.
  • 20-Iumidazole compounds such as 4-methylimidazole and 2-heptadecylimidazole, triethylamine, benzyldimethylamine, ⁇ -methylbenzyldimethylamine, 2- (dimethylaminomethyl) phenol, 2,4,6- Tertiary amine compounds such as tris (dimethylaminomethyl) phenol, 1,8-diazabicyclo (5,4,0) indene-17, zirconium tetramethoxide, jill
  • Organometallic compounds such as conidium tetrapropoxide, tetrakis (acetyl acetate) zirconium, tri (acetyl acetate) aluminum and triphenylphosphine, trimethylphosphine, triethylphosphine, tributylphosphine, tri ( ⁇ - Methylphenyl) phosphine, tri (nonylphenyl) phosphine
  • Organic phosphine compounds such as Among them, from the viewpoint of moisture resistance, organic Sphin compounds are preferably used. Two or more of these curing catalysts may be used in combination depending on the application, and the amount added is preferably in the range of 0.1 to 10 parts by weight based on 100 parts by weight of the epoxy resin (A).
  • Examples of the inorganic filler (C) in the present invention include amorphous silica, crystalline silica, calcium carbonate, magnesium carbonate, alumina, magnesia, clay, talc, calcium gayate, titanium oxide, antimony oxide, asbestos, glass fiber, and the like.
  • the amorphous silicon force is preferably used because it has a great effect of lowering the coefficient of linear expansion and is effective in reducing the stress.
  • Amorphous silica can be produced by any production method. For example, there are a method of melting crystalline silica and a method of synthesizing from various raw materials.
  • the shape and particle size of the amorphous silicon force in the present invention are not particularly limited. Spherical particles having an average particle diameter of 3 m or more and 40 m or less are contained in the inorganic filler in an amount of 60% by weight or more, and more preferably 90% by weight. % Is preferable from the viewpoint of fluidity.
  • the average particle size here means the particle size (median mystery) at which the cumulative weight becomes 50%.
  • the base of the inorganic filler (C) is preferably 80 to 98% by weight, more preferably 85 to 9% by weight of the whole resin composition in view of flame retardancy, moldability and low stress. 8% by weight.
  • the phosphate compound as the component (D) of the present invention refers to a compound having a chemical structure having a bond of “P-0—R” (R is an organic group), usually having a trivalent phosphorus atom or 5-valent ones are used.
  • Trivalent compounds include phosphite (Phosphite) compounds, phosphonite (Phosphonite) compounds, and phosphinate (Phosphinite) compounds.
  • those having a pentavalent phosphorus atom include a phosphate (Phosphate) compound, a phosphonate (Phosphonate) compound, and a phosphinate (Phosphinate) compound.
  • a phosphate compound having a pentavalent phosphorus atom is preferably used from the viewpoint of storage stability and flame retardancy.
  • phosphate ester compounds those having an aromatic group as an organic group forming an ester are preferred from the viewpoint of flame retardancy, moisture resistance reliability and solder heat resistance.
  • Such phosphate ester compounds include triphenyl phosphate, Examples thereof include lucinol bis (diphenol) phosphate, 2-ethylhexyldiphenyl phosphate, and compounds described later.
  • the molecule contains a skeleton represented by the following formula (I).
  • X may be the same or different and represents a monovalent or higher valent aromatic group.
  • X may be the same or different and represents a monovalent or higher valent aromatic group.
  • R represents the same or different hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms.
  • Ar is the same or different aromatic group
  • Y is a direct bond, an alkylene group, a phenylene group.
  • Ar represents the same or a different phenyl group or a phenyl group substituted with an organic group
  • k and m each represent an integer of 0 or more and 2 or less.
  • k + m is an integer of 0 or more and 2 or less.
  • You. n is an integer of 0 or more. Among them, those having the structure of IV are preferably used.
  • the phosphate compound in the present invention may be a compound having a different chemical structure or a mixture of compounds having different molecular weights.
  • the amount of the phosphoric acid ester compound is determined based on the amount of phosphorus atoms in the phosphoric acid ester compound relative to the components excluding the inorganic filler in the epoxy resin composition.
  • the lower amount is preferably 0.01% by weight, more preferably 0.1% by weight, and the upper amount is preferably 10% by weight to 5% by weight.
  • the molecular weight of the phosphate ester compound is preferably at least 300, more preferably at least 500, and at least 50% by weight in the phosphate ester. Is preferred.
  • a phosphate ester having a pentavalent phosphorus atom may be obtained by oxidizing the composition by mixing a phosphate ester having a trivalent phosphorus atom in the composition. Similar effects can be obtained.
  • the phosphate ester compound may be a compound in which an ester bond is hydrolyzed and further bonded to another phosphorus atom to have a P 10 -P bond, that is, a condensate.
  • the ion trapping agent has a function of trapping ions, and examples thereof include an ion exchanger and a hydrotalcite compound.
  • An ion exchanger refers to a substance that has the function of exchanging ions.For example, when a solution containing ions comes into contact, ions in the substance come out into the solution, while ions in the solution are taken into the substance. That have the function of
  • the hydrotalcite-based compound generally means a nonstoichiometric composite metal compound represented by the following formula (VII), and a compound from which water and An— groups have been partially or completely eliminated by calcination.
  • the A "- means a negative ion of valence n, OH-, B r-, F-, C 1 _, N0 3 -,, C 0 3 2 -,, S04-,, F e (CN) 6 3 —, CHCOO—, C 6 H (OH) C ⁇ 0—, tartrate ion, oxalate ion, salicylate ion and the like.
  • is usually more than 0 and not more than 0.33 in order to obtain a chemical structure having an ion-capturing property.
  • m indicates a number of 0 or more.
  • M 3 ⁇ as aluminum ions, as a Alpha [pi one C0 3 2 - ones may be used.
  • the hydrotalcite-based compound from which water and negative ions have been eliminated can be obtained by calcining the hydrotalcite-based compound represented by (VII) at 400 to 900 ° C, preferably 500 to 700 ° C. be able to.
  • the amount of the compound added is 0.01 to 5% by weight, preferably 0.02 to 3% by weight, particularly preferably 0.03 to 1% by weight of the whole composition. % By weight. If the amount is small, there is no effect due to the addition, and if the amount is large, the solder heat resistance tends to decrease.
  • the epoxy resin composition of the present invention preferably contains a silane coupling agent.
  • silane coupling agent those in which a hydrolyzable group such as an alkoxy group, a halogen atom, an amino group and the like and an organic group are directly bonded to a gay atom, and a partially hydrolyzed condensate thereof are generally used.
  • hydrolyzable group an alkoxy group, especially, a methoxy group and an ethoxy group are preferably used.
  • S a hydrocarbon group or a hydrocarbon group substituted by a nitrogen atom, an oxygen atom, a halogen atom, a sulfur atom, or the like can be used.
  • an organic group having an amino group A silane coupling agent having PT / JP96 / 03865 and a silane coupling agent having an organic group having an epoxy group are preferably used, and a silane coupling agent having a secondary amino group is more preferable.
  • the epoxy resin composition of the present invention may further include, in addition to the above, colorants such as carbon black and iron oxide, silicone rubber, olefin copolymer, modified nitrile rubber, modified polybutadiene rubber, and modified silicone oil.
  • colorants such as carbon black and iron oxide, silicone rubber, olefin copolymer, modified nitrile rubber, modified polybutadiene rubber, and modified silicone oil.
  • Elastomers, thermoplastic resins such as polyethylene, long-chain fatty acids, metal salts of long-chain fatty acids, esters of long-chain fatty acids, amides of long-chain fatty acids, mold release agents such as paraffin wax, and cross-linking of organic peroxides An agent can be optionally added.
  • a flame retardant such as a halogen compound such as a halogenated epoxy resin and various flame retardant aids such as antimony trioxide can be blended.
  • Atoms and antimony atoms are 0.2% by weight or less, 0.1% by weight or less, further 0.01% by weight or less, and furthermore, are not substantially blended with the resin composition. preferable.
  • the oxygen index of the epoxy resin after curing is 42% or more from the viewpoints of flame retardancy, high-temperature reliability, and moldability.
  • the epoxy resin composition of the present invention is preferably mixed and melted after mixing the above-mentioned raw materials.
  • a known kneading method such as a Banbury mixer, a kneader, a roll, a single-screw or twin-screw extruder, and a kneader. It is manufactured by melt-kneading using The melting temperature is preferably in the range of 60 to 130 ° C.
  • the semiconductor element is sealed with the epoxy resin composition of the present invention to obtain a semiconductor device.
  • the semiconductor device g refers to an electronic circuit (integrated circuit) made by integrating transistors, diodes, resistors, capacitors, and the like on a semiconductor element or substrate, and is widely referred to as the epoxy resin composition of the present invention. Refers to an electronic component sealed by Example
  • Table 1 The components shown in Table 1 were dry-blended by a mixer at the composition ratios shown in Table 2. This was heated and kneaded for 5 minutes using a mixing roll having a roll surface temperature of 90 ° C., and then cooled and pulverized to produce an epoxy resin composition for semiconductor encapsulation.
  • Solder heat resistance Molded 20 pieces of 160 pin QFP (Quad Flat Package) with chip size 12 1201: 11 mounted with simulated semiconductor with A1 wiring deposited on the surface and humidified at 85 ° CZ 85% RT for a predetermined time After that, heat treatment was performed in an IR reflow furnace at a maximum temperature of 245 ° C, and the number of external cracks generated was examined.
  • QFP Quad Flat Package
  • High-temperature reliability Using a 16-pin DIP (dual in-line package) equipped with a simulated semiconductor device, the high-temperature reliability at 200 was evaluated, and the time at which the cumulative failure rate reached 63% was determined as the high-temperature characteristic life.
  • Flame retardancy test A 5 ⁇ 1/2 ”X 1/16” flame test specimen was molded and post-cured, and the flame retardancy was evaluated according to UL 94 standard.
  • Oxygen index A test piece of 5 'X 1/2 * X 18 "was molded and post-cured, and the volume concentration of each gas at the combustion limit point was determined according to JIS K7201.
  • Oxygen index (%) [Oxygen] / ([Oxygen] + [Nitrogen])
  • PKG fillability 160 pin QFP used in the solder heat resistance test was observed visually and using a microscope after molding to check for unfilled and voided parts. Table 3 shows the results.
  • the epoxy resin composition of the present invention is excellent in flame retardancy, solder heat resistance, high temperature reliability, and package filling.
  • PCBT characteristic life measurement a moisture resistance reliability test (PCBT characteristic life measurement).
  • the measurement method uses a 16-pin, DIP (dual-in-line package) equipped with a simulated element, evaluates the presence or absence of disconnection at 140 ° C, 85% RH. The time required for the failure (disconnection) rate to be 63% is calculated. Table 4 shows the results. Table 4
  • An epoxy resin composition for semiconductor encapsulation having excellent flame retardancy, moldability, reliability, and soldering heat resistance can be obtained without necessarily using a halogen-based flame retardant and an antimony-based flame retardant. As a result, the performance of the obtained semiconductor device can be improved.

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Description

明 細 書 エポキシ樹脂組成物 技術分野
本発明は、 難燃性、 高温信頼性および半田耐熱性に優れるエポキシ樹脂組成物、 詳しくは半導体封止用エポキシ樹脂組成物および半導体装置に関するものである。 背景技術
半導体装置などの電子回路部分の封止方法としては、 経済性、 生産性、 物性 のバランスの点からエポキシ樹脂、 硬化剤、 無機質充填剤からなる封止用樹脂を 用いた封止方法が中心になっている。 近年の半導体装置の薄型 ·高密度化により、 半導体装置に対する半田耐熱性 ·高温信頼性 ·耐湿信頼性などの要求は高まつて おり、 それに従つて封止用樹脂への要求もより高まっている。
これら半導体装置などの電子部品には安全性確保のために、 U L規格により難 燃性の付与が義務づけられている。 このため、 これまで封止用樹脂には、 難燃剤 として臭素化エポキシ樹脂などのハロゲン化物系難燃剤が、 また難燃助剤として 三酸化ァンチモンなどのアンチモン化合物が添加されていた。
近年、 環境問題に対する意識が高まってきており、 半導体封止用樹脂に難燃剤 として使用される種々の化合物に対しても課題が指摘されている。
一方、 ハロゲン化物難燃剤が配合されたェポキシ樹脂組成物で封止された半導体 装置を高温環境においた場合に、 半導体装置の信頼性が低下するという問題があ つた。
またアンチモン化合物を含有させた場合、 樹脂の廃棄物の処理の手間が憂慮さ れている。
さらに半導体装置の半田耐熱性および高温信頼性、 また半導体素子を封止する 際のパッケ一ジ充填性に対して、 さらなる改良が要望されていた。
本発明は、 従来の難燃剤であるハロゲン化物系難燃剤、 アンチモン化合物を必 ずしも使用しなくとも難燃性、 高温信頼性、 半田耐熱性、 パッケージ充填性に代 表される成形性に優れたエポキシ樹脂組成物の提供を課題とするものであり、 さ らに耐湿信頼性が要求される場合には、 その特性を向上させるェポキシ樹脂組成 物の提供を課題ともするものである。 発明の開示
すなわち本発明は、
(1) エポキシ樹脂 (A) 、 硬化剤 (B) 、 無機質充填剤 (C) 、 リン酸エス テル化合物 (D) を含有し、 無機質充填剤 (C) の含有量が組成物に対して 80 重量%以上であるェポキシ樹脂組成物であり、 さらに詳しくは
(2) エポキシ樹脂組成物中の、 エポキシ樹脂 (A) の割合が 0. 05〜15重 量%、 硬化剤 (B) の割合が、 (A) 成分のエポキシ基に対する (B) 成分の硬 化性官能基の化学当量比が 0. 5〜: L 5となる量、 リン酸エステル化合物 (D) の割合が、 それが有するリン原子が、 無機質充填剤を除く成分の 0. 01 ~ 10 重量%となる量である前記 (1) 記載のエポキシ樹脂組成物、
(3) リン酸エステル化合物のリン原子が 5価のものである前記 (1) または (2) 記載のエポキシ樹脂組成物、
(4) リン酸エステル化合物が、 芳香族基を有するものである前記 (1) 〜 (3) いずれ力、に記載のェポキシ樹脂組成物、
(5) リン酸エステル化合物 (D) が下記化学式 (I) の構造を分子中に有する ものである前記 (1) 〜 (4) いずれかに記載のエポキシ樹脂組成物、
Figure imgf000004_0001
(式中、 Xは同一でも異なっていてもよく、 1価以上の芳香族基を意味する。 )
(6) エポキシ樹脂組成物がイオン捕捉剤を含有するものである前記 (1) 〜 (5) いずれかに記載のエポキシ樹脂組成物、 (7) イオン捕捉剤がハイ ドロタルサイ ト系化合物である前記 (6)記載のェポ キシ樹脂組成物、
(8) エポキシ樹脂 (A) が下記化学式 (II) の構造を有するビフヱ二ル型ェ ポキシ成分を必須成分とする前記 (1) 〜(7) いずれかに記載のエポキシ樹脂 組成物。
Figure imgf000005_0001
… ( π )
(ただし、 式中の Rl〜R8 は、 水素原子、 炭素数 1〜4のアルキル基またはハ ロゲン原子を示す)
(9)硬化剤が下式に示されるフエノール化合物 (VI)を必須成分とする前記 (1) 〜 (8) いずれかに記載のエポキシ樹脂組成物、
Y - C Hz- X - C Ηζ-{ Y - C Hr- X - C Y cvi)
(式 VIにおいて mは 0以上の整数、 Xは同一でも異なっていてもよい 2価の芳香 族基、 Yは同一でも異なっていてもよく、 フヱノール基を有する 1価または 2価 の芳香族基) 、
(10)
リン酸エステル化合物の 50重量%以上が分子量 300以上のものである前記
(I) ~ (9) いずれかに記載のエポキシ樹脂組成物、
(I I)無機質充填剤 (C) の含有量が、 樹脂組成物の 85〜98重量%である ことを特徵とする前記 (1) 〜 (10) いずれかに記載のエポキシ樹脂組成物、 (12)硬化後の組成物の酸素指数が 42%以上である前記 (1) 〜 (11) い ずれかに記載のェポキシ樹脂組成物、
(13)半導体封止用である前記 (1) 〜(12) いずれかのエポキシ樹脂組成 物、
(14)前記 (13) に記載のエポキシ樹脂組成物で、 半導体素子が封止された 半導体装置、
および製造方法の発明として、
( 1 5 ) エポキシ樹脂 (A) 、 硬化剤 (B) 、 無機質充填剤 (C ) 、 リン酸エス テル化合物 (D) を溶融混合することを特徴とするエポキシ樹脂組成物の製造方 法 (ただし無機質充填剤 (C) の配合量が組成物に対して 8 0重量%以上である)
( 1 6 ) エポキシ樹脂 (A) 、 硬化剤 (B) 、 無機質充填剤 (C) 、 リン酸エス テル化合物 (D) およびイオン捕捉剤を溶融混合することを特徴とする半導体封 止用エポキシ樹脂組成物の製造方法。 (ただし無機質充填剤 (C) の配合量力く組 成物に対して 8 0重量%以上である)
( 1 7 ) イオン捕捉剤がハイドロタルサイ ト系化合物である前記 (1 6 ) の半導 体封止用ェポキシ樹脂組成物の製造方法、
力、らなる。
本発明の組成物では、 無機質充填剤 (C) を 8 0重量%以上含有させ、 かつリ ン酸エステルを配合することによって、 難燃性が付与され、 さらに充填性に代表 される成形性力向上し、 さらに半導体素子を封止して、 半導体装置とした場合に、 耐湿信頼性に優れ、 また半田耐熱性に優れる。 またハイドトタルサイト系化合物 を配合することによって、 耐湿信頼性が向上する。 発明を実施するための最良の形態
以下、 本発明を詳細に説明する。
本発明におけるエポキシ樹脂 (A) は分子内にエポキシ基を複数個もつものな らば特に限定されず、 これらの具体例としては、 例えばクレゾ一ルノボラック型 エポキシ樹脂、 フエノールノボラック型エポキシ樹脂、 ビフヱニル型エポキシ樹 fl旨、 ビスフエノール A型エポキシ樹脂、 ビスフヱノール F型エポキシ樹脂、 線状 脂肪族エポキシ樹脂、 脂環式エポキシ榭脂、 複素環式エポキシ樹脂、 スピロ環含 有エポキシ樹脂およびハロゲン化エポキシ樹脂などが挙げられる。
これらのエポキシ樹脂 (A) のなかで特に本発明において好ましく使用される ものは、 半田耐熱性が優れるという点で、 下記一般式 (II) で表される骨格を有 するビフヱニル型エポキシ樹脂を必須成分として含有するものである。
C.H CH CH - C H2 -
、cr
Figure imgf000007_0001
〇ノ
( π )
(ただし、 式中の Rl 〜R8 は、 同一でも異なっていてもよく、 τΚ素原子、 炭 素数 1〜4のアルキル基またはハロゲン原子を示す) 。
そして、 エポキシ樹脂 (Α) は、 上記化学式 (I) で表される骨格を有するビ フエニル型エポキシ樹脂を 50重量%以上、 特に 70重量%以上含有することが 好ましい。
上記式 (I) で表されるエポキシ樹脂骨格の好ましい具体例としては、 4, 4 ' —ビス (2, 3—エポキシプロボキシ) ビフエニル、
4, 4 '一ビス (2, 3—エポキシプロポキシ) 一3, 3 ', 5, 5 'テトラ メチルビフエニル、
4, 4 '—ビス (2, 3—エポキシプロポキシ) 一3, 3 5, 5 '—テ卜 ラメチル一 2—クロ口ビフヱニル、
4, 4 '—ビス (2, 3—エポキシプロボキシ) 一 3, 3 5, 5 '—テ卜 ラメチルー 2—プロモビフエニル、
4, 4 '一ビス (2, 3—エポキシプロボキシ) 一 3, 3 5, 5 '—テト ラエチルビフユニル、
4, 4 '一ビス (2, 3_エポキシプロボキシ) 一 3, 3 5, 5 '—テ卜 ラブチルビフエニル、
4, 4 '一ビス (2, 3—エポキシプロボキシ) ビフヱニル、 および
4, 4 '一ビス (2, 3—エポキシプロポキシ) 一3, 3 ' , 5, 5 テト ラメチルビフヱニルなどが挙げられ、 それぞれ単独でも、 または混合系で用いる 場合でも十分に効果を発揮する。 また上記エポキシ樹脂においては、 そのェポキ シ基の開環による重合体も範囲に含まれる。
本発明において、 エポキシ樹脂 (Α) の配合量は、 成形性および接着性の観点 から、 エポキシ樹脂組成物において、 通常 0. 05〜15重量%、 さらに好まし くは 2〜1 5重量%、 またさらに好ましくは 2 ~ 9重量%である。 少ないと成形 性や接着性が不十分になったり、 多いと硬化物の線膨張係数が大きくなり、 硬化 物の低応力化が困難となる傾向がある。
本発明における硬化剤 ( B ) は、 エポキシ樹脂 (A) と反応して硬化させるも のであれば特に限定されない。 通常はフヱノール性水酸基を有する化合物、 酸無 水物を有する化合物、 ァミン類が使用され、 フエノール性水酸基を有する化合物 が好ましい。 このような化合物、 すなわちフユノール性水酸基を 2個以上分子内 に有する化合物の具体例としては、 たとえばフヱノールノボラック樹脂、 クレゾ 一ルノボラック榭脂、 下記式 (VI) で示されるフエノール p—キシリレンコポリ マー (いわゆるフヱノールァラルキル樹脂) 、 ビスフエノール Aやレゾルシンな どから合成される各種ノボラック樹脂、 トリス (ヒ ドロキシフヱニル) メタン、 ジヒドロビフヱニルなどの多種多価フヱノール匕合物、 ポリビニルフヱノールが 例示される。
Y ( V I )
Y - C H : X - C H2~ (丫 - C H r X - C H ^
(式 VIにおいて mは 0以上の整数、 Xは同一でも異なっていてもよい 2価の芳香 族基、 Yは同一でも異なっていても良く、 フエノール基を有する 1価または 2価 の芳香族基。 )
また酸無水物を有する化合物としては、 無水マレイン酸、 無水フタル酸、 無水 ピロメリッ ト酸などが例示される。 またアミン類としてはメタフヱニレンジァミ ン、 ジ (ァミノフエニル) メタン (通称ジァミノジフエニルメ夕ン) 、 ジァミノ ジフヱニルスルホンなどの芳香族アミンなどが例示される。 半導体封止用として は耐熱性、 耐湿性および保存性の点から、 フヱノール系硬化剤が好ましく用いら れ、 用途によっては 2種類以上の硬化剤を併用してもよい。
またフ ノール系硬化剤としては、 得られる半導体装置の吸水性が低く半田耐 熱性が優れるという点で、 下記式 (III)で表される構造を有するフエノールァラ ルキル樹脂を含有するものであることが好ましく、 その配合量としては硬化剤の 5 0 %以上であることが好ましい。
Figure imgf000009_0001
, - C m )
o
(式中の Rは同一でも異なっていてもよく、 7j素原子または有機基を表す。 特に
7素原子またはメチル基が好ましい。 mは 0以上の整数である。 )
上記構造式で mが 3以下の構造を 9 0重量%以下もつものがさらに好ましい。
10 本発明において、 硬化剤 (B ) の配合量は、 樹脂組成物全体に対して通常 0.
5〜2 0重量%、 好ましくは 1 ~ 1 0重量%、 さらに好ましくは 1 ~ 9重量%で ある。 さらには、 エポキシ樹脂 (A) と硬化剤 (B ) の配合比は、 機械的性質お よび耐湿信頼性の点から (A) のエポキシ基に対する (B) の硬化性の官能基の ィ匕学当量比が 0. 5〜1 . 5、 特に 0. 8〜1. 2の範囲にあることが好ましい。
15
また本発明においてエポキシ樹脂 (A) と硬化剤 (B) の硬化反応を促進する ために硬化触媒を用いてもよい。 硬化触媒は硬化反応を促進するものならば特に 限定されず、 例えば、 2—メチルイミダゾール、 2 , 4—ジメチルイミダゾール、 2—ェチル一 4ーメチルイミダゾール、 2—フヱニルイミダゾール、 2—フエ二
20 ルー 4ーメチルイミダゾール、 2—ヘプタデシルイミダゾールなどのィミダゾー ル化合物、 トリェチルァミ ン、 ベンジルジメチルァミ ン、 α—メチルベンジルジ メチルァミ ン、 2— (ジメチルアミノメチル) フエノール、 2 , 4, 6—トリス (ジメチルアミノメチル) フエノール、 1, 8—ジァザビシクロ (5 , 4, 0 ) ゥンデセン一 7などの三級アミン化合物、 ジルコニウムテトラメ トキシド、 ジル
25 コニゥムテトラプロポキシド、 テトラキス (ァセチルァセト) ジルコニウム、 ト リ (ァセチルァセト) アルミニウムなどの有機金属化合物およびトリフエニルホ スフイ ン、 トリメチルホスフィ ン、 トリェチルホスフィ ン、 トリブチルホスフィ ン、 トリ (ρ—メチルフエニル) ホスフィ ン、 トリ (ノニルフエニル) ホスフィ
29 ンなどの有機ホスフィ ン化合物があげられる。 なかでも耐湿性の点から、 有機ホ スフィ ン化合物が好ましく用いられる。 これらの硬化触媒は、 用途によっては 2 種類以上を併用してもよく、 その添加量は、 エポキシ樹脂 (A ) 1 0 0重量部に 対して 0. 1〜1 0重量部の範囲が好ましい。
本発明における無機質充填剤 (C) としては、 非晶性シリカ、 結晶性シリカ、 炭酸カルシウム、 炭酸マグネシウム、 アルミナ、 マグネシア、 クレー、 タルク、 ゲイ酸カルシウム、 酸化チタン、 酸化アンチモン、 アスベスト、 ガラス繊維など 力あげられるが、 なかでも非晶性シリ力は線膨張係数を低下させる効果が大きく、 低応力化に有効なため好ましく用いられる。 非晶性シリカは任意の製造方法で製 造することができる。 たとえば結晶性シリカを溶融する方法、 各種原料から合成 する方法などがあげられる。
本発明における非晶性シリ力の形状および粒径は特に限定されない力 平均粒 径 3 m以上 4 0 m以下の球状粒子を無機質充填剤中に 6 0重量%以上、 さら に好ましくは 9 0重量%以上含有することが流動性の点から好ましい。
ここでいう平均粒子径は累積重量 5 0 %になる粒径 (メジアン怪) を意味する。 本発明において無機質充填剤の (C) の割台は難燃性、 成形性および低応力性の 点から樹脂組成物全体の、 好ましくは 8 0〜9 8重量%、 さらに好ましくは 8 5 〜9 8重量%である。
本発明の (D) 成分であるリン酸エステル化合物とは、 化学構造で 「P— 0— R」 (Rは有機基) の結合を有する化合物を言い、 通常はリン原子が 3価のもの または 5価のものが使用される。 3価のものとしては、 ホスファイ ト(Phosphite) 化合物、 ホスホナイ ト (Phosphonite) 化合物、 ホスフィナイ ト (Phosphinite) 化合物がある。 一方 5価のリン原子を有するものとしては、 ホスフヱート(Phosp hate)化合物、 ホスホネート (Phosphonate)化合物、 ホスフィネート(Phosphinat e)化合物がある。 そのうちで 5価のリン原子を有するリン酸エステル化合物が保 存安定性, 難燃性の観点から好ましく使用される。
さらに、 これらのリン酸エステル化合物のうちエステルを形成する有機基とし て芳香族基を有するものであることが難燃性、 耐湿信頼性および半田耐熱性の観 点から好ましい。
このようなリン酸エステル化合物としては、 トリフエニルホスフェート、 レゾ ルシノールビス (ジフエノル) ホスフェート、 2—ェチルへキシルジフヱニルホ スフ ー卜、 および後に説明する化合物が例示される。
さらに、 分子中に下式 (I) で表される骨格を含有するものであることが好ま しい。
X—〇一 P-0-X (I )
X
(式中、 Xは同一でも異なっていてもよく、 1価以上の芳香族基を意味する。 ) さらに具体的には下式 (IV) 及び 00で示される化合物が示される。
Figure imgf000011_0001
Figure imgf000011_0002
(上記式において、 Rは同一または相異なる水素原子または炭素数 1〜 5のアル キル基をあらわす。 A rは同一または相異なる芳香族基、 Yは直接結合、 アルキ レン基、 フエ二レン基、 一 S―、 一 S02—、 または一 CO—を表す。 A rは同 —または相異なるフヱニル基または有機基で置換されたフヱニル基を意味する。 k、 mはそれぞれ 0以上 2以下の整数であり、 k +mは 0以上 2以下の整数であ る。 nは 0以上の整数である。 ) なかでも IVの構造を有するものが好ましく使用 される。
本発明におけるリン酸エステル化合物は化学構造の異なるものや、 分子量の異 なるものの混合物であってもよい。 リン酸エステル化合物の添加量は、 難燃性、 半田耐熱性および耐湿信頼性の観点から、 エポキシ樹脂組成物中における無機充 填剤を除く成分に対して、 リン酸エステル化合物のリン原子の量が、 下の量とし て好ましくは 0. 0 1重量%、 さらに 0. 1重量%、 上の量として 1 0重量%さ らに 5重量%の順に好ましい。
またリン酸エステル化合物の分子量としては、 3 0 0以上、 さらに 5 0 0以上 のものを、 リン酸エステル中に 5 0重量%以上もつものであること力く、 耐湿性、 半田耐熱性の観点から好ましい。 また本発明の組成物では、 組成物中に 3価のリ ン原子を有するリン酸エステルを配合して、 組成物中での酸化によって 5価のリ ン原子を有するリン酸エステルとしたものでも同様の効果が得られる。 リン酸ェ ステル化合物は、 エステル結合が加水分解し、 さらに他のリン原子と結合し、 P 一 0— P結合をもつもの、 すなわち縮合物であってもよい。
半導体装置が、 より高い耐湿安定性を要求される場合には、 本発明の樹脂組成 物にイオン捕捉剤が配合されるのが好ましい。 イオン捕捉剤とはイオンを捕捉す る機能を有するものであり、 そのようなものとしてはイオン交換体、 ハイ ドロタ ルサイト系^合物が例示される。
イオン交換体とは、 イオンの交換を行う機能を有する物質を意味し、 例えばィ オンを有する溶液が接触すると、 物質中のイオンが溶液中に出る一方、 溶液のィ オンが物質の中に取り込まれる機能を有するものをいう。
ハイドロタルサイト系化合物とは、 一般的には下記式 (VII) で示される不定 比複合金属化合物、 およびその焼成により水および A n—基が一部または全部脱離 した化合物を言う。
[M2 -,,M3 + <, (O H) 2] [A "-0 n - m H 20] n- … (VII) ここで Μ2Ίま金属の 2価の正イオンを意味し、 マグネシウム、 マンガン、 鉄、 コバルト、 ニッケル、 銅の 2価の正イオンが例示される。
また Μ3Ίま金属の 3価の正イオンを意味し、 アルミ、 鉄、 クロム、 コバルト、 ィ ンジゥムの 3価の正イオンが例示される。
また A"—は n価の負イオンを意味し、 OH―、 B r―、 F―、 C 1 _、 N03—、 , C 03 2—、 , S04—、 、 F e (CN) 6 3—、 CHCOO—、 C6H (OH) C〇0—、 酒石酸イオン、 シユウ酸イオン、 サリチル酸イオンなどが例示される。
αは、 イオン捕捉性を有する化学構造とするために、 通常は 0を超え 0. 33以 下である。 mは 0以上の数を示す。
通常 としてマグネシウムイオン、 Mとしてアルミニウムイオン、 Απ一と して C03 2—のものが使用できる。
ハイ ドロタルサイト系化合物の好ましい具体例としては、 (VII)式で表される ものとして、 Mg 5A 12 (OH) 13C03 · 3. 5 H20、 M g 4.5 A 12 (0 H) 13C03、 Mg5A 1 ,.5 (OH) 13C03 · 3. 5H20、 Mg5A 1!.5 (OH) , 3C03、 Mg6A 12 (OH) C〇3 · 4H20、 Mg6A 12 (OH) 16C 03、 また(VI)式で表されるものから水および負イオンが脱離したものとして M g 0. 65
A 10. 35リ 1. 175ヽ M g o. 7A l o. 3O l. 15ヽ N¾ g o. sA l o. 25リ 1. 125ゝ M g o . 8 A 1 o.20,. ,などが挙げられる。 水および負イオンが脱離したハイ ドロタルサイ ト系化合物は、 (VII) で表されるハイドロタルサイト系化合物を、 400〜9 00°C、 好ましくは 500〜700°Cで焼成処理することにより得ることができ る。
本発明において、 ハイ ドロタルサイ ト系化合物を配合する場合、 その添加量は 組成物全体の 0. 01〜5重量%、 好ましくは0. 02〜3重量%、 特に好まし くは 0. 03〜1重量%である。 少ないと添加による効果がなく、 多いと半田耐 熱性が低下する傾向がある。
また、 本発明のェポキシ樹脂組成物には、 シランカップリング剤が配合され るのが好ましい。 シランカップリング剤としては、 アルコキシ基、 ハロゲン原子、 ァミノ基などの加水分解性基および有機基がゲイ素原子に直結したもの、 ならび にその部分加水分解縮合物が一般的に用いられる。 加水分解性の基としてはアル コキシ基、 なかでも、 メ トキシ基、 エトキシ基が好ましく用いられる。 有^ Sと しては、 炭化水素基や窒素原子、 酸素原子、 ハロゲン原子、 硫黄原子などによつ て置換された炭化水素基が使用することができる。 特にァミノ基を有する有機基 P T/JP96/03865 を有するシラン力ップリング剤、 エポキシ基を有する有機基を有するシランカッ プリングが好ましく用いられ、 さらに 2級アミノ基を有するシランカツプリング 剤が好ましい。
本発明のエポキシ樹脂組成物には、 上記したもの以外に、 カーボンブラック、 酸化鉄などの着色剤、 シリコーンゴム、 ォレフィ ン系共重合体、 変性二トリルゴ 厶、 変性ポリブタジエンゴム、 変性シリコーンオイルなどのエラストマ一、 ポリ エチレンなどの熱可塑性樹脂、 長鎖脂肪酸、 長鎖脂肪酸の金属塩、 長鎖脂肪酸の エステル、 長鎖脂肪酸のアミ ド、 パラフィンワックスなどの離型剤および有機過 酸化物などの架橋剤を任意に添加することができる。
本発明においては、 ハロゲン化エポキシ樹脂などのハロゲン化合物などの難燃 剤、 三酸化アンチモンなどの各種難燃助剤も配合できるが、 半導体装置としての 信頼性を低下させる傾向があることから、 ハロゲン原子およびアンチモン原子そ れぞれが、 樹脂組成物に対して 0. 2重量%以下、 0. 1重量%以下、 さらに 0. 0 1重量%以下、 さらには実質的に配合されていないこと力好ましい。
また本発明のエポキシ樹脂組成物においてはエポキシ樹脂の硬化後の状態での 酸素指数が 4 2 %以上であることが、 難燃性、 高温信頼性、 成形性の観点から好 ましい。
本発明のエポキシ樹脂組成物は、 上記の原料を混合した後、 溶融 M すること が好ましく、 たとえばバンバリ一ミキサー、 ニーダー、 ロール、 単軸もしくは二 軸の押出機およびコニーダ一などの公知の混練方法を用いて溶融混練することに より製造される。 溶融温度としては 6 0〜1 3 0 °Cの範囲が好ましい。 さらに、 本発明のエポキシ樹脂組成物によつて半導体素子を封止し半導体装置となる。 ここで半導体装 gとは、 トランジスタやダイオード、 抵抗、 コンデンサーなど を半導体素子や基板の上に集積し して作った電子回路 (集積回路) のことを 指し、 広くは本発明のエポキシ樹脂組成物により封止した電子部品を指す。 実施例
以下、 実施例により本発明を具体的に説明する。 なお、 実施例中の%は重量に よるものである。 実施例 比較例
表 1に示した成分を、 表 2に示した組成比でミキサーにより ドライブレンドし た。 これを、 ロール表面温度 90°Cのミキシングロールを用いて 5分間加熱混練 した後、 冷却 ·粉砕して半導体封止用エポキシ樹脂組成物を製造した。
この樹脂組成物を用い、 低圧トランスファー成形法により 175°C, キュア一 タイム 2分間の条件で成形し、 さらに 180 °C, 5時間の条件でポストキュア一 して下記の物性測定法により各樹脂組成物の物性を評価した。
半田耐熱性:表面に A 1配線を蒸着した模擬半導体を搭載した、 チップサイズ 12 1201:11の160 p i nQFP (クアツ ドフラッ トパッケージ) を 20個 成形し、 85 °CZ 85 % R Tで所定時間加湿後、 最高温度 245°Cの I Rリフロ ー炉で加熱処理し、 外部クラックの発生数を調べた。
吸水率:半田耐熱性試験に用いるのと同じ 160 p i nQF Pを 85°C/85 %RTで所定時間加湿後、 樹脂組成物の吸水率を測定した。
高温信頼性:模擬半導体素子を搭載した 16 p i nD I P (デュアルインライ ンパッケージ) を用い、 200ででの高温信頼性を評価し累積故障率 63%にな る時間を求め高温特性寿命とした。
難燃性試験: 5〃 1/2" X 1/16" の燃焼試験片を成形 'ポストキュア 一し、 UL 94規格に従い難燃性を評価した。
酸素指数: 5' X 1/2* X 1 8" の試験片を成形 ·ポストキュア一し、 J I S K7201に従い燃焼限界点における各ガスの体積濃度を求めた。
酸素指数 (%) = [酸素] / ( [酸素] + [窒素] )
PKG充填性 (パッケージ充填性) :半田耐熱試験に用いる 160 p i nQF Pを成形後に目視および顕微鏡を用いて観察し、 未充填,ボイ ドの有無を調べた。 結果を表 3に示す。
3 表 1
Figure imgf000016_0001
* 配合 Sは表 2 に記載。
4
Figure imgf000017_0001
Figure imgf000017_0002
(式 (E)において Rはメチル基、 nは 0. 8 ) 表 1
Figure imgf000018_0001
6 表 3
Figure imgf000019_0001
7 表 3に見られるように、 本発明のエポキシ樹脂組成物は、 難燃性、 半田耐熱性、 高温信頼性、 パッケージ充填性に優れている。
さらに上記の組成物の一部を選び、 耐湿信頼性試験 (P C B T特性寿命測定) を行った。 その測定方法は、 模擬素子を搭載した 16pin, D I P (デュアルイン ラインパッケージ) を用い、 1 4 0 °C、 8 5 %R H. D C 2 0 V印加下での断線 の有無を評価し、 累積故障 (断線) 率が 6 3 %になる時間を求めるものである。 結果を表 4に示す。 表 4
Figure imgf000020_0001
表 4から、 リン酸エステル化合物を配合した場合、 ハイドロタルサイ 卜系化合 物を配合することによって、 リン酸エステル化合物を配合しない場合に比べて、 耐湿信頼性向上効果を見ることができる。 産業上の利用可能性
ハロゲン系難燃剤、 アンチモン系難燃剤を必ずしも使用することなく、 難燃性、 成形性、 信頼性および半田耐熱性に優れた半導体封止用ェポキシ樹脂組成物が得 られる。 その結果得られた半導体装置の高性能化が可能となる。

Claims

請求の範囲
1. エポキシ樹脂 (A) 、 硬化剤 (B ) 、 無機質充填剤 (C) およびリン酸ェ ステル化合物 (D) を含有し、 無機質充填剤 ( C ) の含有量が組成物に対して 8 0重量%以上であ Xるェポキシ樹脂組成物。
2. エポキシ樹脂組成物中の、 エポキシ樹脂 (A) の割合が 0. 0 5 ~ 1 5重 量%、 硬化剤 ( B ) の割合が、 (A) 成分のエポキシ基に対する (B ) 成分の硬 化性官能基のィ匕学当量比が 0. 5〜: L 5となる量、 リン酸エステル化合物 (D) の割合が、 それが有するリン原子が、 無機質充填剤を除く成分の 0. 0 1〜: L 0 重量%となる量である請求項 1記載のェポキシ樹脂組成物。
3. リン酸エステル化合物のリン原子が 5価のものである請求項 1または 2記 載のエポキシ樹脂組成物。
4. リン酸エステル化合物が、 芳香族基を有するものである請求項 1〜3いず れかに記載のェポキシ樹脂組成物。
5. リン酸エステル化合物 (D) が下記化学式 ( I ) の構造を分子中に有する ものである請求項 1〜 4いずれかに記載のエポキシ樹脂組成物。
Figure imgf000021_0001
(式 (I ) 中、 Xは同一でも異なっていてもよく、 1価以上の芳香族基を意味す る。 )
6. エポキシ樹脂組成物がイオン捕捉剤を含有するものである請求項 1〜 5いず れかに記載のェポキシ樹脂組成物。
7. イオン捕捉剤がハイ ドロタルサイト系化合物である請求項 6記載のエポキシ 樹脂組成物。
8. リン酸エステル化合物の 5 0重量%以上が分子量 3 0 0以上のものである 請求項 1〜 7いずれかに記載のェポキシ樹脂組成物。
9. 無機質充填剤 (C) の含有量が、 樹脂組成物の 8 5〜9 8重量%であるこ とを特徴とする請求項 1〜 8いずれかに記載のェポキシ樹脂組成物。
1 0. 硬化後の組成物の酸素指数が 4 2 %以上である請求項 1〜 9いずれかに記 載のエポキシ榭脂組成物。
1 1. 半導体封止用である請求項 1〜1 0いずれかのエポキシ樹脂組成物。
1 2. 請求項 1 1に記載のエポキシ樹脂組成物で、 半導体素子が封止された半 導体装置。
1 3. エポキシ樹脂 (A) 、 硬化剤 ( B) 、 無機質充填剤 (C ) 、 リン酸エス テル化合物 (D) を溶融混合することを特徴とするエポキシ樹脂組成物の製造方 法。 (ただし無機質充填剤 (C) の配合量が組成物に対して 8 0重量%以上であ る)
1 4. エポキシ樹脂 (A) 、 硬化剤 ( B) 、 無機質充填剤 (C) 、 リン酸エス テル化合物 (D) およびイオン捕捉剤を溶融混合することを特徴とするエポキシ 樹脂組成物の製造方法。 (ただし無機質充填剤 (C ) の配合置が組成物に対して 8 0重量%以上でぁる)
1 5. イオン捕捉剤がハイ ドロタルサイト系化合物である請求項 1 4記載のェ ポキシ榭脂組成物の製造方法。
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